(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-16
(45)【発行日】2022-11-25
(54)【発明の名称】機能パネル
(51)【国際特許分類】
G09F 9/00 20060101AFI20221117BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20221117BHJP
H05K 3/28 20060101ALI20221117BHJP
【ＦＩ】
G09F9/00 366Z
G09F9/30 309
G09F9/30 330
G09F9/30 348A
H05K3/28 G
【請求項の数】
1
(21)【出願番号】P 2022016841
(22)【出願日】2022-02-07
(62)【分割の表示】P 2020206708の分割
【原出願日】2015-10-23
(65)【公開番号】P2022060285
(43)【公開日】2022-04-14
【審査請求日】2022-02-17
(31)【優先権主張番号】P 2014219065
(32)【優先日】2014-10-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2014219066
(32)【優先日】2014-10-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
(72)【発明者】
【氏名】横山 浩平
(72)【発明者】
【氏名】平形 吉晴
【審査官】新井 重雄
(56)【参考文献】
【文献】特開２００２－１５１２５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－１０３３３７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－０３３１５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－０５３６７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１１２８２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１９７０９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１１／０１６５７０８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１７５３９４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１２／０３９３１０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１３／０４６５４５（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｈ０５Ｋ ３／２８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の基材と、前記第１の基材上の、トランジスタと発光素子とを含む機能層と、
前記第１の基材上の第２の基材と、
前記第１の基材と前記第２の基材との間の、接合層と、
前記第２の基材上の第１の絶縁層と、
を有し、
断面視において、前記第２の基材は、端部が前記接合層よりも外側にあり、前記接合層から突き出た部分を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２の基材の上面と、前記突き出た部分の表面と、前記接合層とに接する、機能パネルであって、
前記機能層上に第２の絶縁層を有し、
断面視において、前記第２の絶縁層は、前記第１の基材と前記接合層の間の領域にも延在し、端部が前記接合層よりも外側にあり、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層に接し、酸化物、窒化物、フッ化物、金属またはポリマーを有し、
前記第２の絶縁層は、酸化物、窒化物、フッ化物、金属またはポリマーを有する、機能パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、機能パネル、機能パネルの作製方法、モジュールまたは情報処理装置
に関する。
に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
情報処理装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げること
ができる。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
情報処理装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げること
ができる。
【背景技術】
【0003】
不純物が拡散することにより、その機能が損なわれてしまう機能素子がある。このような
機能素子の機能を維持するために、機能素子をそれが設けられた基板、封止基板および前
記基板と前記封止基板を貼り合わせる封止材に囲まれた空間に封止する発明が知られてい
る（特許文献１）。
機能素子の機能を維持するために、機能素子をそれが設けられた基板、封止基板および前
記基板と前記封止基板を貼り合わせる封止材に囲まれた空間に封止する発明が知られてい
る（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許出願公開第２００７／０１７０８５４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することを課題
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルの作製方法を提供す
ることを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新規な機能パネルの作製方法また
は新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルの作製方法を提供す
ることを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新規な機能パネルの作製方法また
は新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【0006】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、第１の基材と、第１の基材と重なる領域を備える第２の基材と、第１
の基材の一方の面に第２の基材を接合する機能を備える接合層と、第１の基材、第２の基
材および接合層に接する絶縁層と、第１の基材、第２の基材および接合層に囲まれた領域
に機能層と、を有する機能パネルである。
の基材の一方の面に第２の基材を接合する機能を備える接合層と、第１の基材、第２の基
材および接合層に接する絶縁層と、第１の基材、第２の基材および接合層に囲まれた領域
に機能層と、を有する機能パネルである。
【0008】
そして、機能層は、複数の機能素子を備える。
【0009】
また、本発明の一態様は、機能素子が発光素子を含む上記の機能パネルである。
【0010】
また、本発明の一態様は、機能素子が表示素子を含む上記の機能パネルである。
【0011】
また、本発明の一態様は、機能素子がトランジスタを含む上記の機能パネルである。
【0012】
上記本発明の一態様の機能パネルは、第１の基材と、第１の基材に重なる領域を有する第
２の基材と、第１の基材および第２の基材を接合する接合層と、第１の基材、第２の基材
および接合層に接する絶縁層を含んで構成される。これにより、接合層が第１の基材に接
する領域または接合層が第２の基材に接する領域に生じ易い隙間を、絶縁層により埋める
ことができ、第１の基材と、第２の基材と、第１の基材および第２の基材を接合する接合
層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散する現象を抑制することができる。その
結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
２の基材と、第１の基材および第２の基材を接合する接合層と、第１の基材、第２の基材
および接合層に接する絶縁層を含んで構成される。これにより、接合層が第１の基材に接
する領域または接合層が第２の基材に接する領域に生じ易い隙間を、絶縁層により埋める
ことができ、第１の基材と、第２の基材と、第１の基材および第２の基材を接合する接合
層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散する現象を抑制することができる。その
結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
【0013】
また、本発明の一態様は、以下の６つのステップを有する機能パネルの作製方法である。
【0014】
第１のステップにおいて、第１の基材と、第１の基材と重なる領域を備える第２の基材と
、第１の基材の一方の面に第２の基材を接合する機能を備える接合層と、第１の基材、第
２の基材および接合層に囲まれた領域に機能層と、を有し、機能層は複数の機能素子を備
える加工部材を準備して、加工部材を加工部材支持部に供給する。
、第１の基材の一方の面に第２の基材を接合する機能を備える接合層と、第１の基材、第
２の基材および接合層に囲まれた領域に機能層と、を有し、機能層は複数の機能素子を備
える加工部材を準備して、加工部材を加工部材支持部に供給する。
【0015】
第２のステップにおいて、加工部材の温度を所定の値に制御して、加工部材支持部を内部
に備えるチャンバーを排気する。
に備えるチャンバーを排気する。
【0016】
第３のステップにおいて、前駆体化合物を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した
のち原料ガスをチャンバーからパージする。
のち原料ガスをチャンバーからパージする。
【0017】
第４のステップにおいて、酸化剤を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給したのち原
料ガスをチャンバーからパージする。
料ガスをチャンバーからパージする。
【0018】
第５のステップにおいて、第３のステップと第４のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第３のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第６のステップに進む。
数が、所定の回数未満である場合は、第３のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第６のステップに進む。
【0019】
第６のステップにおいて、加工部材をチャンバーから搬出する。ここで、絶縁層の形成を
終了する。
終了する。
【0020】
また、本発明の一態様は、以下の８つのステップを有する機能パネルの作製方法である。
【0021】
第１のステップにおいて、第１の基材と、第１の基材と重なる領域を備える第２の基材と
、第１の基材の一方の面に第２の基材を接合する機能を備える第１の接合層および第２の
接合層と、第１の基材、第２の基材および第１の接合層に囲まれた領域に第１の機能層と
、第１の基材、第２の基材および第２の接合層に囲まれた領域に第２の機能層と、を有し
、第１の機能層および第２の機能層は、それぞれ複数の機能素子を備える加工部材を準備
して、第２の基材の、第１の接合層および第２の接合層の間の領域に重なる領域に、開口
部を形成する。
、第１の基材の一方の面に第２の基材を接合する機能を備える第１の接合層および第２の
接合層と、第１の基材、第２の基材および第１の接合層に囲まれた領域に第１の機能層と
、第１の基材、第２の基材および第２の接合層に囲まれた領域に第２の機能層と、を有し
、第１の機能層および第２の機能層は、それぞれ複数の機能素子を備える加工部材を準備
して、第２の基材の、第１の接合層および第２の接合層の間の領域に重なる領域に、開口
部を形成する。
【0022】
第２のステップにおいて、加工部材を加工部材支持部に供給する。
【0023】
第３のステップにおいて、加工部材の温度を所定の値に制御して、加工部材支持部を内部
に備えるチャンバーを排気する。
に備えるチャンバーを排気する。
【0024】
第４のステップにおいて、前駆体化合物を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した
のち原料ガスをチャンバーからパージする。
のち原料ガスをチャンバーからパージする。
【0025】
第５のステップにおいて、酸化剤を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給したのち原
料ガスをチャンバーからパージする。
料ガスをチャンバーからパージする。
【0026】
第６のステップにおいて、第３のステップと第４のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第４のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第７のステップに進む。
数が、所定の回数未満である場合は、第４のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第７のステップに進む。
【0027】
第７のステップにおいて、加工部材をチャンバーから搬出する。、ここで、絶縁層の形成
を終了する。
を終了する。
【0028】
第８のステップにおいて、加工部材を、第１の接合層および第２の接合層の間の領域に重
なる領域に沿って分断する。
なる領域に沿って分断する。
【0029】
上記本発明の一態様の機能パネルの作製方法は、前駆体化合物を含む原料ガスを供給し、
供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガスを
供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成さ
れる。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成すること
ができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガスを
供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成さ
れる。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成すること
ができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
【0030】
上記のいずれか一に記載の機能パネルと、ＦＰＣ、または、タッチセンサと、を有するモ
ジュールである。
ジュールである。
【0031】
上記のいずれか一に記載の機能パネルまたは上記のモジュールと、マイク、アンテナ、バ
ッテリー、操作スイッチ、または、筐体と、を有する情報処理装置である。
ッテリー、操作スイッチ、または、筐体と、を有する情報処理装置である。
【0032】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すもの
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一
態様である。
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一
態様である。
【0033】
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイスもしくは光源（照明装置含む
）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔ
ｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）
が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、ま
たは発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。
）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔ
ｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）
が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、ま
たは発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。
【発明の効果】
【0034】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
または、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルの作製方法を提供できる。または
、新規な機能パネル、新規な機能パネルの作製方法、または、新規な半導体装置を提供で
きる。
または、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルの作製方法を提供できる。または
、新規な機能パネル、新規な機能パネルの作製方法、または、新規な半導体装置を提供で
きる。
【0035】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図2】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図3】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図4】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図5】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明するフロー図。
【図6】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する模式図。
【図7】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明するフロー図。
【図8】実施の形態に係る機能パネルの作製方法を説明する模式図。
【図9】実施の形態に係る機能パネルの作製に用いることができる成膜システムの構成を説明する模式図。
【図10】実施の形態に係る機能パネルの作製に用いることができる成膜装置の構成を説明する模式図。
【図11】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図12】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図13】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図14】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図15】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図16】実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。
【図17】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図18】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図19】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図20】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図21】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【図22】実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0037】
本発明の一態様の機能パネルは、第１の基材と、第１の基材に重なる領域を有する第２の
基材と、第１の基材および第２の基材を接合する接合層と、第１の基材、第２の基材およ
び接合層に接する絶縁層を含んで構成される。
基材と、第１の基材および第２の基材を接合する接合層と、第１の基材、第２の基材およ
び接合層に接する絶縁層を含んで構成される。
【0038】
これにより、接合層が第１の基材に接する領域または接合層が第２の基材に接する領域に
生じ易い隙間を、絶縁層により埋めることができ、第１の基材と、第２の基材と、第１の
基材および第２の基材を接合する接合層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散す
る現象を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネ
ルを提供できる。
生じ易い隙間を、絶縁層により埋めることができ、第１の基材と、第２の基材と、第１の
基材および第２の基材を接合する接合層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散す
る現象を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネ
ルを提供できる。
【0039】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
【0040】
【0041】
図１は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一
態様の機能パネル２００の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび
切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。また、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）は、図１（Ｂ）
に示す一部の構成を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
態様の機能パネル２００の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび
切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。また、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）は、図１（Ｂ）
に示す一部の構成を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
【0042】
＜機能パネルの構成例１．＞
本実施の形態で説明する機能パネル２００は、第１の基材２１０と、第１の基材２１０と
重なる領域を備える第２の基材２７０と、第１の基材２１０の一方の面に第２の基材２７
０を接合する機能を備える接合層２０５と、第１の基材２１０、第２の基材２７０および
接合層２０５に接する絶縁層２９０と、第１の基材２１０、第２の基材２７０および接合
層２０５に囲まれた領域に機能層と、を有する（図１（Ａ）参照）。
本実施の形態で説明する機能パネル２００は、第１の基材２１０と、第１の基材２１０と
重なる領域を備える第２の基材２７０と、第１の基材２１０の一方の面に第２の基材２７
０を接合する機能を備える接合層２０５と、第１の基材２１０、第２の基材２７０および
接合層２０５に接する絶縁層２９０と、第１の基材２１０、第２の基材２７０および接合
層２０５に囲まれた領域に機能層と、を有する（図１（Ａ）参照）。
【0043】
そして、機能層は、複数の機能素子を備える。
【0044】
本実施の形態で説明する機能パネル２００は、第１の基材２１０と、第２の基材２７０と
、第１の基材２１０および第２の基材２７０を接合する接合層２０５と、第１の基材２１
０、第２の基材２７０および接合層２０５と、に接する絶縁層２９０を含んで構成される
。また、可撓性を備える材料を第１の基材２１０および第２の基材２７０に用いることが
できる。
、第１の基材２１０および第２の基材２７０を接合する接合層２０５と、第１の基材２１
０、第２の基材２７０および接合層２０５と、に接する絶縁層２９０を含んで構成される
。また、可撓性を備える材料を第１の基材２１０および第２の基材２７０に用いることが
できる。
【0045】
これにより、接合層が第１の基材に接する領域または接合層が第２の基材に接する領域に
生じ易い隙間を、絶縁層により埋めることができ、第１の基材と、第２の基材と、第１の
基材および第２の基材を接合する接合層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散す
る現象を抑制することができる。また、可撓性を備える材料を第１の基材２１０および第
２の基材２７０に用いると、折り曲げることまたは折り畳むことができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
生じ易い隙間を、絶縁層により埋めることができ、第１の基材と、第２の基材と、第１の
基材および第２の基材を接合する接合層に囲まれた領域にある機能層に、不純物が拡散す
る現象を抑制することができる。また、可撓性を備える材料を第１の基材２１０および第
２の基材２７０に用いると、折り曲げることまたは折り畳むことができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
【0046】
なお、発光素子２５０Ｒを機能素子に用いることができる。また、発光素子２５０Ｒを備
える機能パネル２００は発光モジュールということができる。
える機能パネル２００は発光モジュールということができる。
【0047】
また、表示素子を機能素子に用いることができる。また、表示素子を備える機能パネル２
００は表示モジュールということができる。
００は表示モジュールということができる。
【0048】
また、駆動トランジスタＭ０を機能素子に用いることができる。
【0049】
また、本発明の一態様の機能パネル２００は、画素２０２、画素２０２に制御信号を供給
する駆動回路ＧＤ、画素２０２に表示信号を供給する駆動回路ＳＤおよび画素２０２が配
設される領域２０１を有する（図１（Ａ）および図１（Ｂ）参照）。
する駆動回路ＧＤ、画素２０２に表示信号を供給する駆動回路ＳＤおよび画素２０２が配
設される領域２０１を有する（図１（Ａ）および図１（Ｂ）参照）。
【0050】
画素２０２は、表示信号を供給される（図１（Ａ）参照）。画素２０２は、副画素２０２
Ｒ等を備える。副画素２０２Ｒは赤色の表示をする機能を備える。また、例えば、緑色の
表示をする副画素および青色の表示をする副画素等を備える。
Ｒ等を備える。副画素２０２Ｒは赤色の表示をする機能を備える。また、例えば、緑色の
表示をする副画素および青色の表示をする副画素等を備える。
【0051】
副画素２０２Ｒは、画素回路および表示モジュール２８０Ｒを備える（図１（Ｂ）参照）
。
。
【0052】
画素回路は、駆動トランジスタＭ０および容量素子Ｃを含む。
【0053】
表示モジュール２８０Ｒは、発光素子２５０Ｒ、発光素子２５０Ｒが光を射出する側に発
光素子２５０Ｒと重なる領域を有する着色層２６７Ｒを備える。なお、発光素子２５０Ｒ
は表示素子の一態様であるということができる。
光素子２５０Ｒと重なる領域を有する着色層２６７Ｒを備える。なお、発光素子２５０Ｒ
は表示素子の一態様であるということができる。
【0054】
発光素子２５０Ｒは、下部電極、上部電極、発光性の有機化合物を含む層を備える。
【0055】
回路は駆動トランジスタＭ０を備え且つ第１の基材２１０および発光素子２５０Ｒの間に
配設される。また、回路は絶縁膜２２１を発光素子２５０Ｒとの間に挟む。
配設される。また、回路は絶縁膜２２１を発光素子２５０Ｒとの間に挟む。
【0056】
駆動トランジスタＭ０は第２の電極を備える。第２の電極は、絶縁膜２２１に設けられた
開口部を介して発光素子２５０Ｒの下部電極と電気的に接続される。
開口部を介して発光素子２５０Ｒの下部電極と電気的に接続される。
【0057】
容量素子Ｃは、第１の電極と第２の電極を備える。第１の電極は、駆動トランジスタＭ０
のゲートに電気的に接続され、第２の電極は、駆動トランジスタＭ０の第２の電極と電気
的に接続される。
のゲートに電気的に接続され、第２の電極は、駆動トランジスタＭ０の第２の電極と電気
的に接続される。
【0058】
駆動回路ＳＤは、トランジスタＭＤおよび容量ＣＤを備える。
【0059】
本発明の一態様の機能パネル２００は、駆動回路ＳＤと電気的に接続される配線２１１と
、配線２１１と電気的に接続される端子２１９と、端子２１９と電気的に接続されるフレ
キシブルプリント基板２０９と、を有する。
、配線２１１と電気的に接続される端子２１９と、端子２１９と電気的に接続されるフレ
キシブルプリント基板２０９と、を有する。
【0060】
また、副画素２０２Ｒと重なる領域に開口部を備える遮光層２６７ＢＭを備える。
【0061】
また、発光素子２５０Ｒと重なる領域に開口部を備え、下部電極の端部を覆う隔壁２２８
を備える。
を備える。
【0062】
また、領域２０１に重なる領域を備える機能膜２６７ｐを有する（図１（Ｂ）参照）。
【0063】
なお、機能パネル２００は第２の基材２７０が設けられている側に表示情報を表示するこ
とができる。
とができる。
【0064】
以下に、本発明の一態様の機能パネル２００を構成する個々の要素について説明する。な
お、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の
一部を含む場合がある。
お、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の
一部を含む場合がある。
【0065】
《全体の構成》
機能パネル２００は、第１の基材２１０、第２の基材２７０、接合層２０５、絶縁層２９
０または機能層を有する。
機能パネル２００は、第１の基材２１０、第２の基材２７０、接合層２０５、絶縁層２９
０または機能層を有する。
【0066】
また、機能パネル２００は、画素２０２、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤ、領域２０１。副
画素２０２Ｒ、駆動トランジスタＭ０、容量素子Ｃ、表示モジュール２８０Ｒ、発光素子
２５０Ｒ、着色層２６７Ｒ、画素回路、絶縁膜２２１、配線２１１、端子２１９、フレキ
シブルプリント基板２０９、遮光層２６７ＢＭ、隔壁２２８または機能膜２６７ｐを備え
る。
画素２０２Ｒ、駆動トランジスタＭ０、容量素子Ｃ、表示モジュール２８０Ｒ、発光素子
２５０Ｒ、着色層２６７Ｒ、画素回路、絶縁膜２２１、配線２１１、端子２１９、フレキ
シブルプリント基板２０９、遮光層２６７ＢＭ、隔壁２２８または機能膜２６７ｐを備え
る。
【0067】
《第１の基材２１０》
第１の基材２１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚
さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
第１の基材２１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚
さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
【0068】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基材２１０に用い
ることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基材２１０
に用いることができる。
ることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基材２１０
に用いることができる。
【0069】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等を、第１の基材２１０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物
膜または無機酸窒化物膜等を、第１の基材２１０に用いることができる。例えば、酸化珪
素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基材２１０に用いることができる。
ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基材２１０に用いることができる。
等を、第１の基材２１０に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物
膜または無機酸窒化物膜等を、第１の基材２１０に用いることができる。例えば、酸化珪
素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基材２１０に用いることができる。
ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基材２１０に用いることができる。
【0070】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基材２１０に用い
ることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド
、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基材２
１０に用いることができる。
ることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド
、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基材２
１０に用いることができる。
【0071】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせ
た複合材料を第１の基材２１０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金
属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基材２１０
に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材
料に分散した複合材料を、第１の基材２１０に用いることができる。
た複合材料を第１の基材２１０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金
属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基材２１０
に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材
料に分散した複合材料を、第１の基材２１０に用いることができる。
【0072】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、第１の基材２１０に用いることが
できる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を
、第１の基材２１０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純
物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれ
た一または複数の膜が積層された材料を、第１の基材２１０に適用できる。または、樹脂
と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シ
リコン膜等が積層された材料を、第１の基材２１０に適用できる。
できる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を
、第１の基材２１０に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純
物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれ
た一または複数の膜が積層された材料を、第１の基材２１０に適用できる。または、樹脂
と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シ
リコン膜等が積層された材料を、第１の基材２１０に適用できる。
【0073】
また、可撓性を有する材料を第１の基材２１０に用いることができる。例えば、折り曲げ
ることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を有する材料を用いること
ができる。具体的には５ｍｍ以上、好ましくは４ｍｍ以上、より好ましくは３ｍｍ以上、
特に好ましくは１ｍｍ以上の曲率半径で屈曲できる材料を用いることができる。また、厚
さが２．５μｍ以上３ｍｍ以下好ましくは５μｍ以上１．５ｍｍ以下より好ましくは１０
μｍ以上５００μｍ以下の材料を第１の基材２１０に用いることができる（図２参照）。
ることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を有する材料を用いること
ができる。具体的には５ｍｍ以上、好ましくは４ｍｍ以上、より好ましくは３ｍｍ以上、
特に好ましくは１ｍｍ以上の曲率半径で屈曲できる材料を用いることができる。また、厚
さが２．５μｍ以上３ｍｍ以下好ましくは５μｍ以上１．５ｍｍ以下より好ましくは１０
μｍ以上５００μｍ以下の材料を第１の基材２１０に用いることができる（図２参照）。
【0074】
具体的には、可撓性を有する基材２１０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜２１０ａおよび
基材２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる樹脂層２１０ｃが積層された積層体を第
１の基材２１０に用いることができる。
基材２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる樹脂層２１０ｃが積層された積層体を第
１の基材２１０に用いることができる。
【0075】
《第２の基材２７０》
第１の基材２１０に用いることができ且つ表示素子と重なる領域に透光性を有する材料を
、第２の基材２７０に用いることができる。また、可撓性を有する材料を第２の基材２７
０に用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材２７０ｂ、不純物の拡散を防
ぐバリア膜２７０ａおよび基材２７０ｂとバリア膜２７０ａを貼り合わせる樹脂層２７０
ｃが積層された積層体を第２の基材２７０に用いることができる。
第１の基材２１０に用いることができ且つ表示素子と重なる領域に透光性を有する材料を
、第２の基材２７０に用いることができる。また、可撓性を有する材料を第２の基材２７
０に用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材２７０ｂ、不純物の拡散を防
ぐバリア膜２７０ａおよび基材２７０ｂとバリア膜２７０ａを貼り合わせる樹脂層２７０
ｃが積層された積層体を第２の基材２７０に用いることができる。
【0076】
《接合層２０５》
第１の基材２１０および第２の基材２７０を貼り合わせることができる材料を、接合層２
０５に用いることができる。
第１の基材２１０および第２の基材２７０を貼り合わせることができる材料を、接合層２
０５に用いることができる。
【0077】
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層２０５に用いること
ができる。
ができる。
【0078】
例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いる
ことができる。
ことができる。
【0079】
例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を接合層２０５に用いることができる。
剤等の有機材料を接合層２０５に用いることができる。
【0080】
具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。
【0081】
《絶縁層２９０》
電気的な絶縁性を備える材料または不純物の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁層２
９０に用いることができる。例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、
金属またはポリマーを絶縁層２９０に用いることができる。
電気的な絶縁性を備える材料または不純物の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁層２
９０に用いることができる。例えば、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、
金属またはポリマーを絶縁層２９０に用いることができる。
【0082】
例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸
化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸
化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料を用いることができる
。
化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、
酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸
化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料を用いることができる
。
【0083】
例えば、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒
化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料を用いる
ことができる。
化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料を用いる
ことができる。
【0084】
例えば、銅、白金、ルテニウム、タングステン、イリジウム、パラジウム、鉄、コバルト
またはニッケル等を含む材料を用いることができる。
またはニッケル等を含む材料を用いることができる。
【0085】
例えば、硫化亜鉛、硫化ストロンチウム、硫化カルシウム、硫化鉛、フッ化カルシウム、
フッ化ストロンチウムまたはフッ化亜鉛等を含む材料を用いることができる。
フッ化ストロンチウムまたはフッ化亜鉛等を含む材料を用いることができる。
【0086】
例えば、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化
物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウム
およびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イッ
トリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウム
およびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イッ
トリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
【0087】
例えば、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を
用いて形成することができる材料を、絶縁層２９０に用いることができる。緻密な、クラ
ックやピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える絶縁層２９０を、
原子層堆積法を用いて形成することができる。また、絶縁層２９０を形成する際に加工部
材に与える損傷を、低減することができる。
用いて形成することができる材料を、絶縁層２９０に用いることができる。緻密な、クラ
ックやピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える絶縁層２９０を、
原子層堆積法を用いて形成することができる。また、絶縁層２９０を形成する際に加工部
材に与える損傷を、低減することができる。
【0088】
《機能層》
機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層
を、機能層に用いることができる。
機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層
を、機能層に用いることができる。
【0089】
例えば、電気素子またはバイオチップ等を機能層に用いることができる。具体的には、ト
ランジスタ、容量素子、抵抗素子、記憶素子、発光素子または表示素子等を用いることが
できる。
ランジスタ、容量素子、抵抗素子、記憶素子、発光素子または表示素子等を用いることが
できる。
【0090】
例えば、表示素子と表示素子を駆動する画素回路を機能層に用いることができる。
【0091】
例えば、タッチセンサ、カラーフィルタまたは防湿膜等を機能層に用いることができる。
【0092】
《領域２０１》
領域２０１は、複数の機能素子を備える。例えば、マトリクス状に配設された機能素子を
備える。具体的には、マトリクス状に配設された複数の画素２０２を備える。これにより
、機能パネル２００は画像情報を領域２０１に表示できる。
領域２０１は、複数の機能素子を備える。例えば、マトリクス状に配設された機能素子を
備える。具体的には、マトリクス状に配設された複数の画素２０２を備える。これにより
、機能パネル２００は画像情報を領域２０１に表示できる。
【0093】
《画素２０２》
複数の副画素を画素２０２に用いることができる。例えば、赤色を表示する副画素２０２
Ｒと、緑色を表示する副画素と、青色を表示する副画素と、を用いることができる。また
、黄色を表示する副画素、白色を表示する副画素、シアンを表示する副画素、マゼンタを
表示する副画素等を用いることができる。
複数の副画素を画素２０２に用いることができる。例えば、赤色を表示する副画素２０２
Ｒと、緑色を表示する副画素と、青色を表示する副画素と、を用いることができる。また
、黄色を表示する副画素、白色を表示する副画素、シアンを表示する副画素、マゼンタを
表示する副画素等を用いることができる。
【0094】
《副画素》
表示素子および表示素子を駆動する画素回路を副画素に用いることができる。
表示素子および表示素子を駆動する画素回路を副画素に用いることができる。
【0095】
また、絶縁膜２２１を、表示素子を含む機能層と画素回路を含む機能層の間に用いること
ができる。
ができる。
【0096】
例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料を絶縁膜２２１に用い
ることができる。具体的には、珪素および窒素を含む膜、珪素および酸素を含む膜、ポリ
イミドを含む膜、アクリル樹脂を含む膜、シリコーン樹脂を含む膜またはこれらの膜から
選ばれた複数の膜が積層された膜などを、絶縁膜２２１に用いることができる。
ることができる。具体的には、珪素および窒素を含む膜、珪素および酸素を含む膜、ポリ
イミドを含む膜、アクリル樹脂を含む膜、シリコーン樹脂を含む膜またはこれらの膜から
選ばれた複数の膜が積層された膜などを、絶縁膜２２１に用いることができる。
【0097】
なお、機能パネル２００は、副画素２０２Ｒと重なる領域に開口部を備える遮光層２６７
ＢＭを備える。遮光層２６７ＢＭは、遮光性を有する。
ＢＭを備える。遮光層２６７ＢＭは、遮光性を有する。
【0098】
例えば、顔料を分散した樹脂、染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層２
６７ＢＭに用いることができる。具体的には、カーボンブラック、無機酸化物、複数の無
機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光層２６７ＢＭに用いることができる。
６７ＢＭに用いることができる。具体的には、カーボンブラック、無機酸化物、複数の無
機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光層２６７ＢＭに用いることができる。
【0099】
なお、表示素子と重なる領域に開口部を備える隔壁２２８を機能パネル２００に用いるこ
とができる。例えば、隔壁２２８が重ねて設けられた導電膜の、隔壁２２８の開口部に重
なる領域を、発光素子２５０Ｒの下部電極に用いることができる。これにより、段差が下
部電極の端部に生じないようにすることができる。
とができる。例えば、隔壁２２８が重ねて設けられた導電膜の、隔壁２２８の開口部に重
なる領域を、発光素子２５０Ｒの下部電極に用いることができる。これにより、段差が下
部電極の端部に生じないようにすることができる。
【0100】
《表示素子》
例えば、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変
化する表示媒体を表示素子に用いることができる。
例えば、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変
化する表示媒体を表示素子に用いることができる。
【0101】
なお、発光素子２５０Ｒと、発光素子２５０Ｒが射出する光の少なくとも一部を透過する
着色層２６７Ｒと、を備える表示モジュール２８０Ｒを表示素子に用いることができる。
着色層２６７Ｒと、を備える表示モジュール２８０Ｒを表示素子に用いることができる。
【0102】
例えば、顔料または染料等の材料を含む層を着色層２６７Ｒに用いることができる。これ
により、表示モジュール２８０Ｒが射出する光の色と特定の色にすることができる。
により、表示モジュール２８０Ｒが射出する光の色と特定の色にすることができる。
【0103】
また、反射膜と、半透過・半反射膜の間に発光素子２５０Ｒが配置された微小共振器構造
を用いることができる。具体的には、反射性の導電膜を一方の電極に、半透過・半反射性
の導電膜を他方の電極に備える発光素子２５０Ｒを用いることができる。
を用いることができる。具体的には、反射性の導電膜を一方の電極に、半透過・半反射性
の導電膜を他方の電極に備える発光素子２５０Ｒを用いることができる。
【0104】
例えば、赤色の光を効率よく取り出す微小共振器および赤色の光を透過する着色層を、赤
色を表示する表示モジュール２８０Ｒに用い、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器お
よび緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示モジュールに用い、または青色の
光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表
示モジュールに用いてもよい。
色を表示する表示モジュール２８０Ｒに用い、緑色の光を効率よく取り出す微小共振器お
よび緑色の光を透過する着色層を、緑色を表示する表示モジュールに用い、または青色の
光を効率よく取り出す微小共振器および青色の光を透過する着色層を、青色を表示する表
示モジュールに用いてもよい。
【0105】
なお、そして、黄色の光を効率よく取り出す微小共振器および黄色の光を透過する着色層
と共に表示モジュールに用いてもよい。
と共に表示モジュールに用いてもよい。
【0106】
具体的には、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子
、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色
ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液
晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を
用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイ
クロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・
モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表
示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチ
ューブを用いた表示素子、などを用いることができる。
、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色
ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電子放出素子、液
晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマ
ディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を
用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイ
クロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・
モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表
示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチ
ューブを用いた表示素子、などを用いることができる。
【0107】
《画素回路》
表示素子に適したさまざまな画素回路を用いることができる。
表示素子に適したさまざまな画素回路を用いることができる。
【0108】
例えば、駆動トランジスタＭ０または容量素子Ｃを備える画素回路を用いることができる
。
。
【0109】
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタＭ０に用いることができる。
【0110】
例えば、半導体層に１４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体などを用いるトラン
ジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体ま
たはインジウムを含む酸化物半導体などを用いるトランジスタを駆動トランジスタＭ０の
半導体層に適用できる。
ジスタを適用できる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体ま
たはインジウムを含む酸化物半導体などを用いるトランジスタを駆動トランジスタＭ０の
半導体層に適用できる。
【0111】
例えば、単結晶シリコン、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどを駆動トランジ
スタＭ０の半導体層に適用できる。
スタＭ０の半導体層に適用できる。
【0112】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタ、トップゲート型のトランジスタ等を適用できる
。
。
【0113】
《駆動回路》
シフトレジスタ等の様々な順序回路等を、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤに用いること
ができる。
シフトレジスタ等の様々な順序回路等を、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤに用いること
ができる。
【0114】
また、さまざまなトランジスタを駆動回路ＳＤのトランジスタＭＤに用いることができる
。例えば、駆動トランジスタＭ０と同一の工程で形成することができる構成を、トランジ
スタＭＤに用いることができる。
。例えば、駆動トランジスタＭ０と同一の工程で形成することができる構成を、トランジ
スタＭＤに用いることができる。
【0115】
また、容量素子Ｃと同一の構成を容量素子ＣＤに用いることができる。
【0116】
《配線、端子》
導電性を有する材料を配線２１１または端子２１９に用いることができる。
導電性を有する材料を配線２１１または端子２１９に用いることができる。
【0117】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線２
１１または端子２１９に用いることができる。
１１または端子２１９に用いることができる。
【0118】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線２
１１または端子２１９に用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素
、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを配線２
１１または端子２１９に用いることができる。
【0119】
酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を配線２１１または端子２１９に用いることができる
。
加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を配線２１１または端子２１９に用いることができる
。
【0120】
グラフェンまたはグラファイトを導電膜に用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【0121】
導電性高分子を用いることができる。
【0122】
なお、端子２１９をフレキシブルプリント基板２０９と電気的に接続することができる。
例えば、異方性導電膜を用いて電気的に接続できる。
例えば、異方性導電膜を用いて電気的に接続できる。
【0123】
《その他》
機能パネル２００は機能膜２６７ｐを有する。
機能パネル２００は機能膜２６７ｐを有する。
【0124】
例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料などを含む膜を機能膜
２６７ｐに用いることができる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミ
ックコート層、ＵＶ硬化樹脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを機能膜２
６７ｐに用いることができる。
２６７ｐに用いることができる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミ
ックコート層、ＵＶ硬化樹脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを機能膜２
６７ｐに用いることができる。
【0125】
《トランジスタ》
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタＭ０またはトランジスタＭＤに用いることが
できる。
さまざまなトランジスタを駆動トランジスタＭ０またはトランジスタＭＤに用いることが
できる。
【0126】
例えば、ボトムゲート型のトランジスタを駆動トランジスタＭ０またはトランジスタＭＤ
に用いることができる。
に用いることができる。
【0127】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、駆動トランジスタＭ
０およびトランジスタＭＤに適用することができる。
０およびトランジスタＭＤに適用することができる。
【0128】
例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【0129】
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある
。
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある
。
【0130】
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈ
ｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ａ系酸化物を用いることができる。
ｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈ
ｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ａ系酸化物を用いることができる。
【0131】
なお、ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。
【0132】
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を駆動トランジスタＭ０およびトランジスタＭＤに適用できる（図１（Ｃ）参照）。
を駆動トランジスタＭ０およびトランジスタＭＤに適用できる（図１（Ｃ）参照）。
【0133】
例えば、トップゲート型のトランジスタを駆動トランジスタＭ０およびトランジスタＭＤ
に適用できる（図１（Ｄ）参照）。
に適用できる（図１（Ｄ）参照）。
【0134】
例えば、多結晶シリコンを含む半導体層または単結晶シリコン基板等から転置された単結
晶シリコン膜等を含む半導体層を駆動トランジスタＭ０およびトランジスタＭＤに適用す
ることができる。
晶シリコン膜等を含む半導体層を駆動トランジスタＭ０およびトランジスタＭＤに適用す
ることができる。
【0135】
【0136】
図１７乃至図２２は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図１７（Ａ
）乃至図２２（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの上面図であり、図１７（Ｂ）乃至図
２２（Ｂ）はそれぞれ対応する図１７（Ａ）乃至図２２（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび切断
線Ｃ－Ｄにおける断面図である。図１７（Ｃ）乃至図２２（Ｃ）および図１７（Ｄ）乃至
図２２（Ｄ）は、それぞれ対応する図１７（Ｂ）乃至図２２（Ｂ）に示す一部の構成を置
き換えることができる構成を説明する断面図である。
）乃至図２２（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの上面図であり、図１７（Ｂ）乃至図
２２（Ｂ）はそれぞれ対応する図１７（Ａ）乃至図２２（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび切断
線Ｃ－Ｄにおける断面図である。図１７（Ｃ）乃至図２２（Ｃ）および図１７（Ｄ）乃至
図２２（Ｄ）は、それぞれ対応する図１７（Ｂ）乃至図２２（Ｂ）に示す一部の構成を置
き換えることができる構成を説明する断面図である。
【0137】
【0138】
絶縁層２９０に用いることができる材料を絶縁層２９１に用いることができる。また、絶
縁層２９０と同様の方法を用いて絶縁層２９１を形成できる。
縁層２９０と同様の方法を用いて絶縁層２９１を形成できる。
【0139】
【0140】
絶縁層２９０に用いることができる材料を絶縁層２９１に用いることができる。また、絶
縁層２９０と同様の方法を用いて絶縁層２９１を形成できる。
縁層２９０と同様の方法を用いて絶縁層２９１を形成できる。
【0141】
【0142】
＜機能パネルの構成例２．＞
本発明の一態様の機能パネルの別の構成について、図３を参照しながら説明する。
本発明の一態様の機能パネルの別の構成について、図３を参照しながら説明する。
【0143】
図３は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図である。図３（Ａ）は本発明の一
態様の機能パネル２００Ｂの上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよ
び切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。図３（Ｃ）および図３（Ｄ）は、図３（Ｂ）に示
す一部の構成を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
態様の機能パネル２００Ｂの上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよ
び切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。図３（Ｃ）および図３（Ｄ）は、図３（Ｂ）に示
す一部の構成を置き換えることができる構成を説明する断面図である。
【0144】
本実施の形態で説明する機能パネル２００Ｂは、副画素２０２Ｒと重なる領域に開口部を
備える遮光層２６７ＢＭおよび着色層２６７Ｒが第１の基材２１０と発光素子２５０Ｒの
間に配置されている点、機能膜２６７ｐが第１の基材２１０側に設けられている点および
表示モジュール２８０Ｒが光を第１の基材２１０が設けられている側に射出する点が、図
１を参照しながら説明する機能パネル２００と異なる。
備える遮光層２６７ＢＭおよび着色層２６７Ｒが第１の基材２１０と発光素子２５０Ｒの
間に配置されている点、機能膜２６７ｐが第１の基材２１０側に設けられている点および
表示モジュール２８０Ｒが光を第１の基材２１０が設けられている側に射出する点が、図
１を参照しながら説明する機能パネル２００と異なる。
【0145】
第１の基材２１０は、透光性を表示素子と重なる領域に備え、第２の基材２７０は、必ず
しも透光性を備える必要はない。他の構成は同様の構成を用いることができる。
しも透光性を備える必要はない。他の構成は同様の構成を用いることができる。
【0146】
これにより、機能パネル２００Ｂは第１の基材２１０が設けられている側に表示情報を表
示することができる。
示することができる。
【0147】
また、可撓性を有する材料を第１の基材２１０および第２の基材２７０に用いることがで
きる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を
有する材料を用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材２１０ｂ、不純物の
拡散を防ぐバリア膜２１０ａおよび基材２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる樹脂
層２１０ｃが積層された積層体を、第１の基材２１０に用いることができる。また、可撓
性を有する基材２７０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜２７０ａおよび基材２７０ｂとバ
リア膜２７０ａを貼り合わせる樹脂層２７０ｃが積層された積層体を、第２の基材２７０
に用いることができる（図４参照）。
きる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を
有する材料を用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材２１０ｂ、不純物の
拡散を防ぐバリア膜２１０ａおよび基材２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる樹脂
層２１０ｃが積層された積層体を、第１の基材２１０に用いることができる。また、可撓
性を有する基材２７０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜２７０ａおよび基材２７０ｂとバ
リア膜２７０ａを貼り合わせる樹脂層２７０ｃが積層された積層体を、第２の基材２７０
に用いることができる（図４参照）。
【0148】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0149】
【0150】
図５は本発明の一態様の機能パネルの作製方法を説明するフロー図であり、図６は工程中
の加工部材の構成を説明する模式図である。図６（Ａ－１）は本発明の一態様の加工部材
の上面模式図であり、図６（Ｂ－１）は本発明の一態様の加工部材及び該加工部材を用い
た機能パネルの上面模式図であり、図６（Ａ－２）および図６（Ｂ－２）はそれぞれ左側
に示す図の切断線Ｗ１－Ｗ２における断面模式図である。
の加工部材の構成を説明する模式図である。図６（Ａ－１）は本発明の一態様の加工部材
の上面模式図であり、図６（Ｂ－１）は本発明の一態様の加工部材及び該加工部材を用い
た機能パネルの上面模式図であり、図６（Ａ－２）および図６（Ｂ－２）はそれぞれ左側
に示す図の切断線Ｗ１－Ｗ２における断面模式図である。
【0151】
【0152】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、加工部材１０を準備し、加工部材１０を図示されていない加工
部材支持部に供給する（図５（Ｓ１）参照）。なお、加工部材支持部は加工部材１０の温
度を制御する機能を有する。
第１のステップにおいて、加工部材１０を準備し、加工部材１０を図示されていない加工
部材支持部に供給する（図５（Ｓ１）参照）。なお、加工部材支持部は加工部材１０の温
度を制御する機能を有する。
【0153】
なお、加工部材１０は、第１の基材３１０と、第１の基材３１０と重なる領域を備える第
２の基材３７０と、第１の基材３１０の一方の面に第２の基材３７０を接合する機能を備
える接合層３０５と、第１の基材３１０、第２の基材３７０および接合層３０５に囲まれ
た領域に機能層３３０と、を有する。そして、機能層３３０は、複数の機能素子を備える
（、図６（Ａ－１）および図６（Ａ－２）参照）。
２の基材３７０と、第１の基材３１０の一方の面に第２の基材３７０を接合する機能を備
える接合層３０５と、第１の基材３１０、第２の基材３７０および接合層３０５に囲まれ
た領域に機能層３３０と、を有する。そして、機能層３３０は、複数の機能素子を備える
（、図６（Ａ－１）および図６（Ａ－２）参照）。
【0154】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、例えば加工部材支持部を用いて加工部材１０の温度を所定の値
に制御して、加工部材１０および加工部材支持部を内部に備える図示されていないチャン
バーを排気する（図５（Ｓ２）参照）。なお、チャンバーは密閉することができる空間を
有する。
第２のステップにおいて、例えば加工部材支持部を用いて加工部材１０の温度を所定の値
に制御して、加工部材１０および加工部材支持部を内部に備える図示されていないチャン
バーを排気する（図５（Ｓ２）参照）。なお、チャンバーは密閉することができる空間を
有する。
【0155】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、前駆体化合物を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した
のち原料ガスをチャンバーからパージする（図５（Ｓ３）参照）。例えば金属アルコキシ
ドまたは有機金属化合物等を前駆体化合物に用いることができる。なお、チャンバーを排
気する方法または不活性ガスを導入しながら排気する方法などを、原料ガスをパージする
方法に用いることができる。
第３のステップにおいて、前駆体化合物を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給した
のち原料ガスをチャンバーからパージする（図５（Ｓ３）参照）。例えば金属アルコキシ
ドまたは有機金属化合物等を前駆体化合物に用いることができる。なお、チャンバーを排
気する方法または不活性ガスを導入しながら排気する方法などを、原料ガスをパージする
方法に用いることができる。
【0156】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、酸化剤を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給したのち原
料ガスをチャンバーからパージする（図５（Ｓ４）参照）。例えば、水蒸気、オゾンなど
を酸化剤に用いることができる。なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸
化物を含む絶縁層が加工部材１０の表面に形成される。この方法によれば、入り組んだ形
状を有する表面に緻密な膜を形成できる。その結果、ピンホール等の欠陥が少ない絶縁層
を形成できる。
第４のステップにおいて、酸化剤を含む原料ガスをチャンバーに供給し、供給したのち原
料ガスをチャンバーからパージする（図５（Ｓ４）参照）。例えば、水蒸気、オゾンなど
を酸化剤に用いることができる。なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸
化物を含む絶縁層が加工部材１０の表面に形成される。この方法によれば、入り組んだ形
状を有する表面に緻密な膜を形成できる。その結果、ピンホール等の欠陥が少ない絶縁層
を形成できる。
【0157】
《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第３のステップと第４のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第３のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第６のステップに進む（図５（Ｓ５）参照）。なお、繰り返しの単位は一つのサイク
ルを含み、一つのサイクルは第３のステップと第４のステップを含む。
第５のステップにおいて、第３のステップと第４のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第３のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第６のステップに進む（図５（Ｓ５）参照）。なお、繰り返しの単位は一つのサイク
ルを含み、一つのサイクルは第３のステップと第４のステップを含む。
【0158】
なお、２以上の前駆体化合物を交互に供給する方法を第３のステップに用いることができ
る。例えば、第１の前駆体化合物を含む原料ガスを供給する第１の第３のステップと、第
２の前駆体化合物を含む原料ガスを供給する第２の第３のステップと、を用いることもで
きる。この場合、一つのサイクルは第１の第３のステップ、第２の第３のステップおよび
第４のステップを含む。
る。例えば、第１の前駆体化合物を含む原料ガスを供給する第１の第３のステップと、第
２の前駆体化合物を含む原料ガスを供給する第２の第３のステップと、を用いることもで
きる。この場合、一つのサイクルは第１の第３のステップ、第２の第３のステップおよび
第４のステップを含む。
【0159】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、加工部材１０をチャンバーから搬出する。ここで、絶縁層３９
０の形成を終了する（図５（Ｓ６）、図６（Ｂ－１）および図６（Ｂ－２）参照）。なお
、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層３９０が所定の厚さ
で表面に形成された機能パネル３００を提供することができる。
第６のステップにおいて、加工部材１０をチャンバーから搬出する。ここで、絶縁層３９
０の形成を終了する（図５（Ｓ６）、図６（Ｂ－１）および図６（Ｂ－２）参照）。なお
、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層３９０が所定の厚さ
で表面に形成された機能パネル３００を提供することができる。
【0160】
本実施の形態で説明する機能パネルの作製方法は、前駆体化合物を含む原料ガスを供給し
、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガス
を供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成
される。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成するこ
とができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガス
を供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成
される。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成するこ
とができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
【0161】
また、本実施の形態で説明する機能パネルの作製方法は、例えば、実施の形態３で説明す
る本発明の一態様の成膜システムを利用して、実施することができる。
る本発明の一態様の成膜システムを利用して、実施することができる。
【0162】
具体的には、成膜装置１００において、第１の基材３１０に機能層を形成し、封止室ＳＵ
において、接合層３０５を用いて、第１の基材３１０および第２の基材３７０を貼り合せ
て第１の基材３１０を作製することができる。
において、接合層３０５を用いて、第１の基材３１０および第２の基材３７０を貼り合せ
て第１の基材３１０を作製することができる。
【0163】
そして、原子層堆積装置ＡＬＤを用いて、絶縁層３９０を形成することができる。
【0164】
また、リフトオフ法等を、加工部材１０の一部に絶縁層３９０を形成しない領域を設ける
方法に用いることができる。
方法に用いることができる。
【0165】
例えば、後の工程で剥離することができるレジストマスクが絶縁層３９０を形成しない領
域に形成された加工部材を加工部材１０に用いる。
域に形成された加工部材を加工部材１０に用いる。
【0166】
上記の第１のステップから第６のステップまでを実施した後、レジストマスクを剥離する
。これにより、レジストマスク上に形成された絶縁層３９０を、レジストマスクと共に加
工部材１０から分離することができる。
。これにより、レジストマスク上に形成された絶縁層３９０を、レジストマスクと共に加
工部材１０から分離することができる。
【0167】
具体的には、感光性のレジスト、可溶性の樹脂または粘着テープ等をレジストマスクに用
いることができる。
いることができる。
【0168】
【0169】
図７は本発明の一態様の機能パネルの作製方法を説明するフロー図であり、図８は工程中
の加工部材の構成を説明する模式図である。図８（Ａ－１）乃至図８（Ｄ－１）は本発明
の一態様の加工部材の上面模式図であり、図８（Ａ－２）乃至図８（Ｄ－２）はそれぞれ
左側に示す図の切断線Ｗ１－Ｗ２における断面模式図である。
の加工部材の構成を説明する模式図である。図８（Ａ－１）乃至図８（Ｄ－１）は本発明
の一態様の加工部材の上面模式図であり、図８（Ａ－２）乃至図８（Ｄ－２）はそれぞれ
左側に示す図の切断線Ｗ１－Ｗ２における断面模式図である。
【0170】
本実施の形態で説明する機能パネルの作製方法の別の構成は、以下の８つのステップを有
する（図７参照）。なお、例えば、実施の形態３で説明する本発明の一態様の成膜システ
ムを利用して、実施することができる。
する（図７参照）。なお、例えば、実施の形態３で説明する本発明の一態様の成膜システ
ムを利用して、実施することができる。
【0171】
また、図５を参照しながら説明する機能パネルの作製方法とは、以下の３つの点において
異なる。
異なる。
【0172】
第１の相違点は、加工部材１０Ｂを用いる点である。加工部材１０Ｂは、第１の接合層３
０５ａと、第２の接合層３０５ｂと、第１の基材３１０、第２の基材３７０および第１の
接合層３０５ａに囲まれた領域に第１の機能層３３０ａと、第１の基材３１０、第２の基
材３７０および第２の接合層３０５ｂに囲まれた領域に第２の機能層３３０ｂと、を有す
る（図８（Ａ－１）および図８（Ａ－２））。
０５ａと、第２の接合層３０５ｂと、第１の基材３１０、第２の基材３７０および第１の
接合層３０５ａに囲まれた領域に第１の機能層３３０ａと、第１の基材３１０、第２の基
材３７０および第２の接合層３０５ｂに囲まれた領域に第２の機能層３３０ｂと、を有す
る（図８（Ａ－１）および図８（Ａ－２））。
【0173】
第２の相違点は、第２の基材３７０の、第１の接合層３０５ａおよび第２の接合層３０５
ｂの間の領域に重なる領域に、開口部を形成するステップを有する点である（図７（Ｔ１
）、図８（Ｂ－１）および図８（Ｂ－２）参照）。
ｂの間の領域に重なる領域に、開口部を形成するステップを有する点である（図７（Ｔ１
）、図８（Ｂ－１）および図８（Ｂ－２）参照）。
【0174】
第３の相違点は、加工部材１０Ｂを、第１の接合層３０５ａおよび第２の接合層３０５ｂ
の間の領域に重なる領域に沿って分断するステップを有する点である（図７（Ｔ８）、図
８（Ｄ－１）および図８（Ｄ－２）参照）。
の間の領域に重なる領域に沿って分断するステップを有する点である（図７（Ｔ８）、図
８（Ｄ－１）および図８（Ｄ－２）参照）。
【0175】
ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部
分は、上記の説明を援用する。
分は、上記の説明を援用する。
【0176】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、加工部材１０Ｂを準備し（図８（Ａ－１）および図８（Ａ－２
）参照）、第１の接合層３０５ａおよび第２の接合層３０５ｂの間の領域と重なる、第２
の基材３７０の領域に、開口部を形成する（図７（Ｔ１）、図８（Ｂ－１）および図８（
Ｂ－２）参照）。
第１のステップにおいて、加工部材１０Ｂを準備し（図８（Ａ－１）および図８（Ａ－２
）参照）、第１の接合層３０５ａおよび第２の接合層３０５ｂの間の領域と重なる、第２
の基材３７０の領域に、開口部を形成する（図７（Ｔ１）、図８（Ｂ－１）および図８（
Ｂ－２）参照）。
【0177】
例えば、第２の基材３７０を第２の基材３７０ａおよび第２の基材３７０ｂに分断し、第
２の基材３７０ａおよび第２の基材３７０ｂの間に連続する開口部を形成する。または、
鋭利な先端を用いて第２の基材３７０を刺突する方法、レーザ等を用いる方法（例えばレ
ーザアブレーション法）等を用いて、破線状に複数の開口部を形成してもよい。
２の基材３７０ａおよび第２の基材３７０ｂの間に連続する開口部を形成する。または、
鋭利な先端を用いて第２の基材３７０を刺突する方法、レーザ等を用いる方法（例えばレ
ーザアブレーション法）等を用いて、破線状に複数の開口部を形成してもよい。
【0178】
【0179】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、例えば加工部材支持部を用いて加工部材１０Ｂの温度を所定の
値に制御して、加工部材支持部を内部に備えるチャンバーを排気する（図７（Ｔ３）参照
）。なお、チャンバーは密閉することができる空間を有する。
第３のステップにおいて、例えば加工部材支持部を用いて加工部材１０Ｂの温度を所定の
値に制御して、加工部材支持部を内部に備えるチャンバーを排気する（図７（Ｔ３）参照
）。なお、チャンバーは密閉することができる空間を有する。
【0180】
【0181】
【0182】
なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層が加工部材１０
Ｂの表面に形成される。この方法によれば、入り組んだ形状を有する表面に緻密な膜を形
成できる。その結果、ピンホール等の欠陥が少ない絶縁層を形成できる。例えば、第１の
ステップにおいて形成した開口部から、第４のステップおよび第５のステップにおいて原
料ガスが侵入し開口部の内部に絶縁層を形成できる。
Ｂの表面に形成される。この方法によれば、入り組んだ形状を有する表面に緻密な膜を形
成できる。その結果、ピンホール等の欠陥が少ない絶縁層を形成できる。例えば、第１の
ステップにおいて形成した開口部から、第４のステップおよび第５のステップにおいて原
料ガスが侵入し開口部の内部に絶縁層を形成できる。
【0183】
《第６のステップ》
第６のステップにおいて、第３のステップと第４のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第４のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第７のステップに進む（図７（Ｔ６）参照）。
第６のステップにおいて、第３のステップと第４のステップを含むサイクルの繰り返し回
数が、所定の回数未満である場合は、第４のステップに戻り、所定の回数以上である場合
は、第７のステップに進む（図７（Ｔ６）参照）。
【0184】
【0185】
《第８のステップ》
第８のステップにおいて、加工部材１０Ｂを、第１の接合層３０５ａおよび第２の接合層
３０５ｂの間の領域に重なる領域に沿って分断する（図７（Ｔ８）、図８（Ｄ－１）およ
び図８（Ｄ－２）参照）。なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を
含む絶縁層３９０ａが所定の厚さで表面に形成された第１の機能パネル３００（１）およ
び、絶縁層３９０ｂが所定の厚さで表面に形成された第２の機能パネル３００（２）を提
供することができる。
第８のステップにおいて、加工部材１０Ｂを、第１の接合層３０５ａおよび第２の接合層
３０５ｂの間の領域に重なる領域に沿って分断する（図７（Ｔ８）、図８（Ｄ－１）およ
び図８（Ｄ－２）参照）。なお、このステップを終えたときに、前駆体化合物の酸化物を
含む絶縁層３９０ａが所定の厚さで表面に形成された第１の機能パネル３００（１）およ
び、絶縁層３９０ｂが所定の厚さで表面に形成された第２の機能パネル３００（２）を提
供することができる。
【0186】
第１の機能パネル３００（１）は、第１の基材３１０ａと、第１の基材３１０ａと重なる
領域を備ええる第２の基材３７０ａ、第１の基材３１０ａの一方の面に第２の基材３７０
ａを接合する機能を備える接合層３０５ａと、第１の基材３１０ａ、第２の基材３７０ａ
および接合層３０５ａに囲まれた領域に機能層３３０ａと、を有する。そして、機能層３
３０ａは複数の機能素子を備える。
領域を備ええる第２の基材３７０ａ、第１の基材３１０ａの一方の面に第２の基材３７０
ａを接合する機能を備える接合層３０５ａと、第１の基材３１０ａ、第２の基材３７０ａ
および接合層３０５ａに囲まれた領域に機能層３３０ａと、を有する。そして、機能層３
３０ａは複数の機能素子を備える。
【0187】
第１の機能パネル３００（１）は第１の基材３１０ａを有し、分断に伴い、第１の基材３
１０ａは絶縁層３９０ａが形成されていない端面を備える。
１０ａは絶縁層３９０ａが形成されていない端面を備える。
【0188】
第２の機能パネル３００（２）は、第１の基材３１０ｂと、第１の基材３１０ｂと重なる
領域を備ええる第２の基材３７０ｂ、第１の基材３１０ｂの一方の面に第２の基材３７０
ｂを接合する機能を備える接合層３０５ｂと、第１の基材３１０ｂ、第２の基材３７０ｂ
および接合層３０５ｂに囲まれた領域に機能層３３０ｂと、を有する。そして、機能層３
３０ｂは複数の機能素子を備える。
領域を備ええる第２の基材３７０ｂ、第１の基材３１０ｂの一方の面に第２の基材３７０
ｂを接合する機能を備える接合層３０５ｂと、第１の基材３１０ｂ、第２の基材３７０ｂ
および接合層３０５ｂに囲まれた領域に機能層３３０ｂと、を有する。そして、機能層３
３０ｂは複数の機能素子を備える。
【0189】
第２の機能パネル３００（２）は第１の基材３１０ｂを有し、分断に伴い、第１の基材３
１０ｂは絶縁層３９０ｂが形成されていない端面を備える。
１０ｂは絶縁層３９０ｂが形成されていない端面を備える。
【0190】
本実施の形態で説明する機能パネルの作製方法は、前駆体化合物を含む原料ガスを供給し
、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガス
を供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成
される。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成するこ
とができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、酸化剤を含む原料ガス
を供給し、供給したのち原料ガスをチャンバーからパージするステップと、を含んで構成
される。これにより、加工部材の表面に前駆体化合物の酸化物を含む絶縁層を形成するこ
とができる。その結果、新規な機能パネルの作製方法を提供できる。
【0191】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0192】
【0193】
図９は本発明の一態様の機能パネルの作製に利用することができる成膜システムの構成を
説明する図である。図９（Ａ）は本発明の一態様のクラスタ型の成膜システム１０００の
模式図であり、図９（Ｂ）は、インライン型の成膜システム１０００Ｂの模式図である。
説明する図である。図９（Ａ）は本発明の一態様のクラスタ型の成膜システム１０００の
模式図であり、図９（Ｂ）は、インライン型の成膜システム１０００Ｂの模式図である。
【0194】
図１０は、本発明の一態様の成膜システムに用いることができる成膜装置の構成を説明す
る図である。図１０（Ａ）は、本発明の一態様の成膜装置システムに用いることができる
成膜装置１００とシャドーマスク１７０を用いて第１の基材３１０に成膜をしている状態
を説明する断面図であり、図１０（Ｂ）は、原子層堆積装置ＡＬＤを用いて加工部材１０
に成膜をしている状態を説明する断面図である。
る図である。図１０（Ａ）は、本発明の一態様の成膜装置システムに用いることができる
成膜装置１００とシャドーマスク１７０を用いて第１の基材３１０に成膜をしている状態
を説明する断面図であり、図１０（Ｂ）は、原子層堆積装置ＡＬＤを用いて加工部材１０
に成膜をしている状態を説明する断面図である。
【0195】
＜成膜システムの構成例１．＞
成膜システム１０００は、搬入装置ＬＤと、搬入装置ＬＤに接続する搬送室ＤＣと、搬送
室ＤＣに接続する搬出装置ＵＬＤと、搬送室ＤＣに接続する成膜装置１００と、封止室Ｓ
Ｕ、原子層堆積装置ＡＬＤと、化学気相堆積装置ＣＶＤと、を有する（図９（Ａ）参照）
。
成膜システム１０００は、搬入装置ＬＤと、搬入装置ＬＤに接続する搬送室ＤＣと、搬送
室ＤＣに接続する搬出装置ＵＬＤと、搬送室ＤＣに接続する成膜装置１００と、封止室Ｓ
Ｕ、原子層堆積装置ＡＬＤと、化学気相堆積装置ＣＶＤと、を有する（図９（Ａ）参照）
。
【0196】
そして、搬入装置ＬＤは、第１の基材３１０を搬入する。搬送室ＤＣは第１の基材３１０
を搬入され第１の基材３１０を搬送する。また、搬出装置ＵＬＤは、加工部材１０を搬出
する。
を搬入され第１の基材３１０を搬送する。また、搬出装置ＵＬＤは、加工部材１０を搬出
する。
【0197】
また、成膜装置１００は、第１の基材３１０を搬送され成膜材料を第１の基材３１０に成
膜する。
膜する。
【0198】
また、封止室ＳＵは、第１の基材３１０を搬入され、封止材を第１の基材３１０に形成し
、加工部材１０を搬出する。例えば、第１の基材３１０に接合層を形成し、接合層を用い
て第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合せ、封止材を形成する。
、加工部材１０を搬出する。例えば、第１の基材３１０に接合層を形成し、接合層を用い
て第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合せ、封止材を形成する。
【0199】
また、原子層堆積装置ＡＬＤは、加工部材１０を搬送され成膜材料を加工部材１０に成膜
する。
する。
【0200】
また、化学気相堆積装置ＣＶＤは、加工部材１０を搬送され成膜材料を加工部材１０に成
膜する。
膜する。
【0201】
成膜装置１００、原子層堆積装置ＡＬＤおよび化学気相堆積装置ＣＶＤは搬送口を備える
。また、成膜装置１００は、シャドーマスク１７０を搬入される。
。また、成膜装置１００は、シャドーマスク１７０を搬入される。
【0202】
なお、複数の成膜装置、原子層堆積装置ＡＬＤまたは化学気相堆積装置ＣＶＤが搬送室Ｄ
Ｃに接続されてもよい。
Ｃに接続されてもよい。
【0203】
＜成膜システムの構成例２．＞
成膜システム１０００Ｂは、搬入装置ＬＤと、搬入装置ＬＤに接続する成膜装置１００Ａ
と、成膜装置１００Ａに接続する成膜装置１００Ｂと、成膜装置１００Ｂに接続する成膜
装置１００Ｃと、成膜装置１００Ｃに接続する成膜装置１００Ｄと、成膜装置１００Ｄに
接続する封止室ＳＵと、封止室ＳＵに接続する原子層堆積装置ＡＬＤと、原子層堆積装置
ＡＬＤに接続する化学気相堆積装置ＣＶＤと、化学気相堆積装置ＣＶＤに接続する搬出装
置ＵＬＤと、を有する（図９（Ｂ）参照）。
成膜システム１０００Ｂは、搬入装置ＬＤと、搬入装置ＬＤに接続する成膜装置１００Ａ
と、成膜装置１００Ａに接続する成膜装置１００Ｂと、成膜装置１００Ｂに接続する成膜
装置１００Ｃと、成膜装置１００Ｃに接続する成膜装置１００Ｄと、成膜装置１００Ｄに
接続する封止室ＳＵと、封止室ＳＵに接続する原子層堆積装置ＡＬＤと、原子層堆積装置
ＡＬＤに接続する化学気相堆積装置ＣＶＤと、化学気相堆積装置ＣＶＤに接続する搬出装
置ＵＬＤと、を有する（図９（Ｂ）参照）。
【0204】
そして、搬入装置ＬＤは、第１の基材３１０を搬入する。搬出装置ＵＬＤは、加工部材１
０を搬出する。
０を搬出する。
【0205】
また、成膜装置１００Ａ乃至成膜装置１００Ｄは第１の基材３１０を搬入され成膜材料を
第１の基材３１０に成膜し、第１の基材３１０を搬送する。
第１の基材３１０に成膜し、第１の基材３１０を搬送する。
【0206】
また、封止室ＳＵは、第１の基材３１０を搬入され、封止材を第１の基材３１０に形成し
、加工部材１０を搬出する。例えば、第１の基材３１０に接合層を形成し、接合層を用い
て第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合せ、封止材を形成する。
、加工部材１０を搬出する。例えば、第１の基材３１０に接合層を形成し、接合層を用い
て第１の基材３１０と第２の基材３７０を貼り合せ、封止材を形成する。
【0207】
また、原子層堆積装置ＡＬＤは加工部材１０を搬入され成膜材料を加工部材１０に成膜し
、加工部材１０を搬送する。
、加工部材１０を搬送する。
【0208】
また、化学気相堆積装置ＣＶＤは加工部材１０を搬入され成膜材料を加工部材１０に成膜
し、加工部材１０を搬送する。
し、加工部材１０を搬送する。
【0209】
成膜装置１００Ａ乃至成膜装置１００Ｄ、封止室ＳＵ、原子層堆積装置ＡＬＤおよび化学
気相堆積装置ＣＶＤは、それぞれ搬入口および搬出口を備える。また、成膜装置１００Ａ
乃至成膜装置１００Ｄは、シャドーマスク１７０を搬入される。
気相堆積装置ＣＶＤは、それぞれ搬入口および搬出口を備える。また、成膜装置１００Ａ
乃至成膜装置１００Ｄは、シャドーマスク１７０を搬入される。
【0210】
なお、成膜システム１０００または成膜システム１０００Ｂを構成するそれぞれの装置は
、水分の付着などを防ぐため、露点が管理された不活性ガス（窒素ガス等）を充填させて
おくことが好ましく、望ましくは減圧を維持させる。
、水分の付着などを防ぐため、露点が管理された不活性ガス（窒素ガス等）を充填させて
おくことが好ましく、望ましくは減圧を維持させる。
【0211】
本実施の形態で説明する成膜システム１０００Ｂは、複数の成膜装置１００Ａ乃至成膜装
置１００Ｄ、封止室ＳＵ，原子層堆積装置ＡＬＤおよび化学気相堆積装置ＣＶＤを備える
。
置１００Ｄ、封止室ＳＵ，原子層堆積装置ＡＬＤおよび化学気相堆積装置ＣＶＤを備える
。
【0212】
これにより、複数の膜が積層された積層膜を第１の基材３１０に成膜できる。また、直前
に成膜された膜を大気に曝すことなく、直前に成膜された膜に成膜材料を積層することが
できる。また、不純物の混入を抑制できる。また、スループットが高い。また、第１の基
材３１０と、第２の基材３７０と、第１の基材３１０および第２の基材３７０を貼り合わ
せる接合層と、を備える加工部材１０に、ピンホールの少ない絶縁層を形成できる。
に成膜された膜を大気に曝すことなく、直前に成膜された膜に成膜材料を積層することが
できる。また、不純物の混入を抑制できる。また、スループットが高い。また、第１の基
材３１０と、第２の基材３７０と、第１の基材３１０および第２の基材３７０を貼り合わ
せる接合層と、を備える加工部材１０に、ピンホールの少ない絶縁層を形成できる。
【0213】
以下に、成膜システム１０００または成膜システム１０００Ｂを構成する個々の要素につ
いて説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる
場合や他の構成の一部を含む場合がある。
いて説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる
場合や他の構成の一部を含む場合がある。
【0214】
《成膜装置１００》
本実施の形態で説明する成膜装置１００は、第１の基材３１０を支持する機能を備える加
工部材支持部１１０と、第１の基材３１０に付着させるように成膜材料を噴出する機能を
備える蒸着源１２０Ａと、第１の基材３１０と蒸着源１２０Ａの間にシャドーマスク１７
０を支持する機能を備えるシャドーマスク支持部１１５と、加工部材支持部１１０、蒸着
源１２０Ａおよびシャドーマスク支持部１１５が内部に配置された成膜室１９０と、を有
する（図１０（Ａ）参照）。
本実施の形態で説明する成膜装置１００は、第１の基材３１０を支持する機能を備える加
工部材支持部１１０と、第１の基材３１０に付着させるように成膜材料を噴出する機能を
備える蒸着源１２０Ａと、第１の基材３１０と蒸着源１２０Ａの間にシャドーマスク１７
０を支持する機能を備えるシャドーマスク支持部１１５と、加工部材支持部１１０、蒸着
源１２０Ａおよびシャドーマスク支持部１１５が内部に配置された成膜室１９０と、を有
する（図１０（Ａ）参照）。
【0215】
また、成膜装置１００は、動力１４０を有してもよい。例えば、成膜装置１００は、動力
１４０を用いて加工部材支持部１１０を第１の基材３１０と共に蒸着源１２０Ａに対して
相対的に移動することができる機能を備えていてもよい。これにより、蒸着源１２０Ａが
噴出する成膜材料を第１の基材３１０の表面に、均一に堆積させることができる。
１４０を用いて加工部材支持部１１０を第１の基材３１０と共に蒸着源１２０Ａに対して
相対的に移動することができる機能を備えていてもよい。これにより、蒸着源１２０Ａが
噴出する成膜材料を第１の基材３１０の表面に、均一に堆積させることができる。
【0216】
また、成膜装置１００は、例えば動力１４０を用いてシャドーマスク支持部１１５をシャ
ドーマスク１７０、加工部材支持部１１０および第１の基材３１０と共に移動してもよい
。
ドーマスク１７０、加工部材支持部１１０および第１の基材３１０と共に移動してもよい
。
【0217】
また、成膜装置１００は、第１の基材３１０に対するシャドーマスク１７０の位置を検知
する検知器１９８を有していてもよい。例えば、加工部材支持部１１０または／およびシ
ャドーマスク支持部１１５を用いて移動して、シャドーマスク１７０に対して第１の基材
３１０を所定の位置に配置する。
する検知器１９８を有していてもよい。例えば、加工部材支持部１１０または／およびシ
ャドーマスク支持部１１５を用いて移動して、シャドーマスク１７０に対して第１の基材
３１０を所定の位置に配置する。
【0218】
また、成膜装置１００は、成膜室１９０の圧力を制御する排気装置１９７および成膜室１
９０に所定の気体を導入するための配管１９６を有していてもよい。
９０に所定の気体を導入するための配管１９６を有していてもよい。
【0219】
また、成膜装置１００は、成膜室１９０に第１の基材３１０または／およびシャドーマス
ク１７０を搬入または／および搬出することができる機能を備えるドアバルブ１９５を有
していてもよい。
ク１７０を搬入または／および搬出することができる機能を備えるドアバルブ１９５を有
していてもよい。
【0220】
また、成膜装置１００は、蒸着源１２０Ａの他に蒸着源１２０Ｂを有していてもよい。ま
た、蒸着源１２０Ａから噴出される成膜材料を遮蔽する遮蔽板１２１Ａを有していてもよ
い。また、単位時間当たりに蒸着源１２０Ａから噴出される成膜材料の量を検知する検知
器１２２Ａを有していてもよい。
た、蒸着源１２０Ａから噴出される成膜材料を遮蔽する遮蔽板１２１Ａを有していてもよ
い。また、単位時間当たりに蒸着源１２０Ａから噴出される成膜材料の量を検知する検知
器１２２Ａを有していてもよい。
【0221】
《封止室ＳＵ》
封止室ＳＵは、例えば第１の基材３１０と第２の基材３７０を接合層で貼り合せる機能を
有する。これにより、第１の基材３１０の表面に形成された機能層等を第２の基材３７０
を用いて保護する。
封止室ＳＵは、例えば第１の基材３１０と第２の基材３７０を接合層で貼り合せる機能を
有する。これにより、第１の基材３１０の表面に形成された機能層等を第２の基材３７０
を用いて保護する。
【0222】
第１の基材３１０を置き換える機能を備えることができる。例えば、第１の基材３１０に
作製した機能パネルの一部を第１の基材３１０から分離して、他の基材に貼り合わせる機
能を備えることができる。具体的には、可撓性を備えない基材から可撓性を備える基材に
置き換えることができる。なお、本明細書において、第１の基材３１０を置き換えた後の
基材にも、用語「第１の基材３１０」を用いる。
作製した機能パネルの一部を第１の基材３１０から分離して、他の基材に貼り合わせる機
能を備えることができる。具体的には、可撓性を備えない基材から可撓性を備える基材に
置き換えることができる。なお、本明細書において、第１の基材３１０を置き換えた後の
基材にも、用語「第１の基材３１０」を用いる。
【0223】
《原子層堆積装置ＡＬＤ》
原子層堆積装置ＡＬＤは、入り組んだ構造を表面に備える加工部材１０の表面に、さまざ
まな成膜材料を成膜する機能を備える。例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを備え
る膜を、加工部材１０に形成する機能を備える。
原子層堆積装置ＡＬＤは、入り組んだ構造を表面に備える加工部材１０の表面に、さまざ
まな成膜材料を成膜する機能を備える。例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚さを備え
る膜を、加工部材１０に形成する機能を備える。
【0224】
例えば、加工部材１０の表面にピンホールと呼ばれる小さい穴等が形成されている場合、
ピンホールの内部に回り込んで成膜材料を成膜し、ピンホールを埋めることができる。
ピンホールの内部に回り込んで成膜材料を成膜し、ピンホールを埋めることができる。
【0225】
従来のＣＶＤ法を利用した成膜装置は、成膜の際、反応のための原料ガスの１種または複
数種がチャンバーに同時に供給される。ＡＬＤ法を利用した成膜装置は、反応のための原
料ガスが順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う
。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以
上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の
原料ガスの後に不活性ガス（アルゴン、または窒素など）などを導入し、第２の原料ガス
を導入する。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排
出した後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第
１の単原子層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が
第１の単原子層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の
厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる
。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密
な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作製する場合に適している。
数種がチャンバーに同時に供給される。ＡＬＤ法を利用した成膜装置は、反応のための原
料ガスが順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う
。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以
上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の
原料ガスの後に不活性ガス（アルゴン、または窒素など）などを導入し、第２の原料ガス
を導入する。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排
出した後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第
１の単原子層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の単原子層が
第１の単原子層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の
厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる
。薄膜の厚さは、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密
な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作製する場合に適している。
【0226】
また、ＡＬＤ法は、プラズマダメージがない。
【0227】
図１０（Ｂ）にＡＬＤ法を利用する成膜装置（原子層堆積装置ＡＬＤともいう）の一例を
示す。原子層堆積装置ＡＬＤは、成膜室（チャンバー１８０）と、原料供給部１８１ａ、
１８１ｂと、流量制御器である高速バルブ１８２ａ、１８２ｂと、原料導入口１８３ａ、
１８３ｂと、原料排出口１８４と、排気装置１８５を有する。チャンバー１８０内に設置
される原料導入口１８３ａ、１８３ｂは供給管やバルブを介して原料供給部１８１ａ、１
８１ｂとそれぞれ接続されており、原料排出口１８４は、排出管やバルブや圧力調整器を
介して排気装置１８５と接続されている。
示す。原子層堆積装置ＡＬＤは、成膜室（チャンバー１８０）と、原料供給部１８１ａ、
１８１ｂと、流量制御器である高速バルブ１８２ａ、１８２ｂと、原料導入口１８３ａ、
１８３ｂと、原料排出口１８４と、排気装置１８５を有する。チャンバー１８０内に設置
される原料導入口１８３ａ、１８３ｂは供給管やバルブを介して原料供給部１８１ａ、１
８１ｂとそれぞれ接続されており、原料排出口１８４は、排出管やバルブや圧力調整器を
介して排気装置１８５と接続されている。
【0228】
チャンバー内部にはヒータを備えた加工部材支持部１８６があり、その加工部材支持部１
８６上に被成膜させる第１の基材３１０を配置する。
８６上に被成膜させる第１の基材３１０を配置する。
【0229】
原料供給部１８１ａ、１８１ｂでは、気化器や加熱手段などによって固体の原料や液体の
原料から原料ガスを形成する。または、原料供給部１８１ａ、１８１ｂは、気体の原料を
供給する構成としてもよい。
原料から原料ガスを形成する。または、原料供給部１８１ａ、１８１ｂは、気体の原料を
供給する構成としてもよい。
【0230】
また、原料供給部１８１ａ、１８１ｂを２つ設けている例を示しているが特に限定されず
、３つ以上設けてもよい。また、高速バルブ１８２ａ、１８２ｂは時間で精密に制御する
ことができ、原料ガスと不活性ガスのいずれか一方を供給する構成となっている。高速バ
ルブ１８２ａ、１８２ｂは原料ガスの流量制御器であり、かつ、不活性ガスの流量制御器
とも言える。
、３つ以上設けてもよい。また、高速バルブ１８２ａ、１８２ｂは時間で精密に制御する
ことができ、原料ガスと不活性ガスのいずれか一方を供給する構成となっている。高速バ
ルブ１８２ａ、１８２ｂは原料ガスの流量制御器であり、かつ、不活性ガスの流量制御器
とも言える。
【0231】
図１０（Ｂ）に示す成膜装置では、加工部材１０を加工部材支持部１８６上に搬入し、チ
ャンバー１８０を密閉状態とした後、加工部材支持部１８６のヒータ加熱により加工部材
１０を所望の温度（例えば、８０℃以上、１００℃以上または１５０℃以上）とし、原料
ガスの供給と、排気装置１８５による排気と、不活性ガスの供給と、排気装置１８５によ
る排気とを繰りかえすことで薄膜を基板表面に形成する。
ャンバー１８０を密閉状態とした後、加工部材支持部１８６のヒータ加熱により加工部材
１０を所望の温度（例えば、８０℃以上、１００℃以上または１５０℃以上）とし、原料
ガスの供給と、排気装置１８５による排気と、不活性ガスの供給と、排気装置１８５によ
る排気とを繰りかえすことで薄膜を基板表面に形成する。
【0232】
図１０（Ｂ）に示す成膜装置では、原料供給部１８１ａ、１８１ｂで用いる原料（揮発性
有機金属化合物など）を適宜選択することにより、ハフニウム、アルミニウム、タンタル
、ジルコニウム等から選択された一種以上の元素を含む酸化物（複合酸化物も含む）を含
んで構成される絶縁層を成膜することができる。具体的には、酸化ハフニウムを含んで構
成される絶縁層、酸化アルミニウムを含んで構成される絶縁層、ハフニウムシリケートを
含んで構成される絶縁層、またはアルミニウムシリケートを含んで構成される絶縁層を成
膜することができる。また、原料供給部１８１ａ、１８１ｂで用いる原料（揮発性有機金
属化合物など）を適宜選択することにより、タングステン層、チタン層などの金属層や、
窒化チタン層などの窒化物層などの薄膜を成膜することもできる。
有機金属化合物など）を適宜選択することにより、ハフニウム、アルミニウム、タンタル
、ジルコニウム等から選択された一種以上の元素を含む酸化物（複合酸化物も含む）を含
んで構成される絶縁層を成膜することができる。具体的には、酸化ハフニウムを含んで構
成される絶縁層、酸化アルミニウムを含んで構成される絶縁層、ハフニウムシリケートを
含んで構成される絶縁層、またはアルミニウムシリケートを含んで構成される絶縁層を成
膜することができる。また、原料供給部１８１ａ、１８１ｂで用いる原料（揮発性有機金
属化合物など）を適宜選択することにより、タングステン層、チタン層などの金属層や、
窒化チタン層などの窒化物層などの薄膜を成膜することもできる。
【0233】
例えば、原子層堆積装置ＡＬＤにより酸化ハフニウム層を形成する場合には、溶媒とハフ
ニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウムアルコキシドや、テトラキスジメチルアミド
ハフニウム（ＴＤＭＡＨ）などのハフニウムアミド）を気化させた原料ガスと、酸化剤と
してオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。この場合、原料供給部１８１ａから供給す
る第１の原料ガスがＴＤＭＡＨであり、原料供給部１８１ｂから供給する第２の原料ガス
がオゾンとなる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ
３）２］４である。また、他の材料液としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフ
ニウムなどがある。
ニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウムアルコキシドや、テトラキスジメチルアミド
ハフニウム（ＴＤＭＡＨ）などのハフニウムアミド）を気化させた原料ガスと、酸化剤と
してオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。この場合、原料供給部１８１ａから供給す
る第１の原料ガスがＴＤＭＡＨであり、原料供給部１８１ｂから供給する第２の原料ガス
がオゾンとなる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ
３）２］４である。また、他の材料液としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフ
ニウムなどがある。
【0234】
原子層堆積装置ＡＬＤにより酸化アルミニウム層を形成する場合には、溶媒とアルミニウ
ム前駆体化合物（ＴＭＡ：トリメチルアルミニウムなど）を含む液体を気化させた原料ガ
スと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類のガスを用いる。この場合、原料供給部１８１ａから
供給する第１の原料ガスがＴＭＡであり、原料供給部１８１ｂから供給する第２の原料ガ
スがＨ２Ｏとなる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３）３である。
また、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジ
オナート）などがある。
ム前駆体化合物（ＴＭＡ：トリメチルアルミニウムなど）を含む液体を気化させた原料ガ
スと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類のガスを用いる。この場合、原料供給部１８１ａから
供給する第１の原料ガスがＴＭＡであり、原料供給部１８１ｂから供給する第２の原料ガ
スがＨ２Ｏとなる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３）３である。
また、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジ
オナート）などがある。
【0235】
なお、原子層堆積装置ＡＬＤによりタングステン層を成膜する場合には、ＷＦ６ガスとＢ
２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン層を形成し、その後、ＷＦ６ガスと
Ｈ２ガスを用いてタングステン層を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガスに代えてＳｉＨ４ガス
を用いてもよい。これらのガスは、マスフローコントローラによって制御する装置構成と
してもよい。
２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン層を形成し、その後、ＷＦ６ガスと
Ｈ２ガスを用いてタングステン層を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガスに代えてＳｉＨ４ガス
を用いてもよい。これらのガスは、マスフローコントローラによって制御する装置構成と
してもよい。
【0236】
《化学気相堆積装置ＣＶＤ》
化学気相堆積装置ＣＶＤは、化学気相堆積法を用いて成膜材料を加工部材に成膜できる。
例えば、プラズマＣＶＤ法を利用する成膜装置を用いることができる。
化学気相堆積装置ＣＶＤは、化学気相堆積法を用いて成膜材料を加工部材に成膜できる。
例えば、プラズマＣＶＤ法を利用する成膜装置を用いることができる。
【0237】
なお、化学気相堆積装置ＣＶＤに代えてまたは加えて有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：
Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法を利用する成膜装置や、スパッタリング法を利用する成膜装置を用いることもできる。
Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法を利用する成膜装置や、スパッタリング法を利用する成膜装置を用いることもできる。
【0238】
《加工部材支持部１１０》
加工部材支持部１１０は、第１の基材３１０を支持する機能を備える。また、加工部材支
持部１１０は、第１の基材３１０を蒸着源１２０Ａに対して相対的に移動する機能を備え
てもよい。
加工部材支持部１１０は、第１の基材３１０を支持する機能を備える。また、加工部材支
持部１１０は、第１の基材３１０を蒸着源１２０Ａに対して相対的に移動する機能を備え
てもよい。
【0239】
例えば、第１の基材３１０の端部近傍を把持または支持する構造等を、加工部材支持部１
１０に用いることができる。具体的には、クランプ機構を備える部材またはＬ字状等の支
持する部材を用いることができる。また、第１の基材３１０を把持または支持する構造等
を複数備えていてもよい。具体的には、第１の基材３１０が長方形の形状を備える場合、
第１の基材３１０の四隅の近傍を支持してもよい。
１０に用いることができる。具体的には、クランプ機構を備える部材またはＬ字状等の支
持する部材を用いることができる。また、第１の基材３１０を把持または支持する構造等
を複数備えていてもよい。具体的には、第１の基材３１０が長方形の形状を備える場合、
第１の基材３１０の四隅の近傍を支持してもよい。
【0240】
蒸着源１２０Ａに対して加工部材支持部１１０を相対的に移動する場合、例えば、動力１
４０を用いることができる。具体的には、サーボモーターもしくはステッピングモータま
たはエアシリンダーを用いて加工部材支持部１１０を移動してもよい。具体的には、加工
部材支持部１１０を、蒸着源１２０Ａの上方で回転または蒸着源１２０Ａの上方を横切る
ように通過させてもよい。
４０を用いることができる。具体的には、サーボモーターもしくはステッピングモータま
たはエアシリンダーを用いて加工部材支持部１１０を移動してもよい。具体的には、加工
部材支持部１１０を、蒸着源１２０Ａの上方で回転または蒸着源１２０Ａの上方を横切る
ように通過させてもよい。
【0241】
なお、加工部材支持部１１０は、シャドーマスク１７０に対する第１の基材３１０の位置
を一定に保つ機能を備えていてもよい。例えば第１の基材３１０をシャドーマスク１７０
に密着させる機能を備えていてもよい。具体的には、バネなどの弾性体を用いて、第１の
基材３１０をシャドーマスクに押し当ててもよい。また、シャドーマスクとの間に第１の
基材３１０を挟むように磁石等を配置して、シャドーマスクを第１の基材３１０に引き付
けてもよい。
を一定に保つ機能を備えていてもよい。例えば第１の基材３１０をシャドーマスク１７０
に密着させる機能を備えていてもよい。具体的には、バネなどの弾性体を用いて、第１の
基材３１０をシャドーマスクに押し当ててもよい。また、シャドーマスクとの間に第１の
基材３１０を挟むように磁石等を配置して、シャドーマスクを第１の基材３１０に引き付
けてもよい。
【0242】
なお、第１の基材３１０は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可
能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。
【0243】
また、第１の基材３１０はさまざまな機能層を備えることができる。例えば、機能回路、
機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層が挙げられ
る。具体的には、既に公知の表示装置の画素回路、画素の駆動回路、表示素子、カラーフ
ィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層が挙げられ
る。具体的には、既に公知の表示装置の画素回路、画素の駆動回路、表示素子、カラーフ
ィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。
【0244】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を含む材料を第１の基材３
１０に用いることができる。
１０に用いることができる。
【0245】
例えば、ガラス、セラミックスまたは金属等の無機材料を第１の基材３１０に用いること
ができる。
ができる。
【0246】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等を、第１の基材３１０に用いることができる。
等を、第１の基材３１０に用いることができる。
【0247】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜若しくは無機酸窒化物膜等を、第１の基材３１
０に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、
第１の基材３１０に用いることができる。
０に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、
第１の基材３１０に用いることができる。
【0248】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基材３１０に用い
ることができる。
ることができる。
【0249】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
トもしくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基材３１０に用いるこ
とができる。
トもしくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基材３１０に用いるこ
とができる。
【0250】
例えば、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材
料を第１の基材３１０に用いることができる。
料を第１の基材３１０に用いることができる。
【0251】
例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散し
た複合材料を、第１の基材３１０に用いることができる。
た複合材料を、第１の基材３１０に用いることができる。
【0252】
例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を
第１の基材３１０に用いることができる。
第１の基材３１０に用いることができる。
【0253】
また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基材３１０に用いるこ
とができる。例えば、材料と材料に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積
層材料を、第１の基材３１０に用いることができる。
とができる。例えば、材料と材料に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積
層材料を、第１の基材３１０に用いることができる。
【0254】
具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化珪素膜、窒化珪素膜また
は酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基材
３１０に適用できる。
は酸化窒化珪素膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基材
３１０に適用できる。
【0255】
《シャドーマスク支持部１１５》
シャドーマスク支持部１１５は、シャドーマスク１７０を支持する機能を備える。また、
シャドーマスク支持部１１５は、シャドーマスクを蒸着源１２０Ａに対して相対的に移動
する機能を備えてもよい。
シャドーマスク支持部１１５は、シャドーマスク１７０を支持する機能を備える。また、
シャドーマスク支持部１１５は、シャドーマスクを蒸着源１２０Ａに対して相対的に移動
する機能を備えてもよい。
【0256】
例えば、シャドーマスク１７０の端部近傍を把持する構造または支持する構造等を、シャ
ドーマスク支持部１１５に用いることができる。具体的には、クランプ機構を備える部材
またはＬ字状等の支持する部材を用いることができる。また、シャドーマスク１７０を把
持または支持する構造等を複数備えていてもよい。具体的には、シャドーマスク１７０が
長方形の形状を備える場合、シャドーマスク１７０の四隅の近傍を支持してもよい。
ドーマスク支持部１１５に用いることができる。具体的には、クランプ機構を備える部材
またはＬ字状等の支持する部材を用いることができる。また、シャドーマスク１７０を把
持または支持する構造等を複数備えていてもよい。具体的には、シャドーマスク１７０が
長方形の形状を備える場合、シャドーマスク１７０の四隅の近傍を支持してもよい。
【0257】
蒸着源１２０Ａに対してシャドーマスク支持部１１５を相対的に移動する場合、例えば、
動力１４０を用いることができる。具体的には、サーボモーターもしくはステッピングモ
ータまたはエアシリンダーを用いてシャドーマスク支持部１１５を移動してもよい。具体
的には、シャドーマスク支持部１１５を、蒸着源１２０Ａの上方で回転または蒸着源１２
０Ａの上方を横切るように通過させてもよい。
動力１４０を用いることができる。具体的には、サーボモーターもしくはステッピングモ
ータまたはエアシリンダーを用いてシャドーマスク支持部１１５を移動してもよい。具体
的には、シャドーマスク支持部１１５を、蒸着源１２０Ａの上方で回転または蒸着源１２
０Ａの上方を横切るように通過させてもよい。
【0258】
《シャドーマスク１７０》
シャドーマスク１７０は、成膜材料を遮る機能を備える遮蔽領域と、遮蔽領域に囲まれた
開口領域と、を有する。
シャドーマスク１７０は、成膜材料を遮る機能を備える遮蔽領域と、遮蔽領域に囲まれた
開口領域と、を有する。
【0259】
《蒸着源》
成膜装置１００は、単数または複数の蒸着源を備える。例えば、蒸着源１２０Ａおよび蒸
着源１２０Ｂを有する。
成膜装置１００は、単数または複数の蒸着源を備える。例えば、蒸着源１２０Ａおよび蒸
着源１２０Ｂを有する。
【0260】
同一の材料を、蒸着源１２０Ａおよび蒸着源１２０Ｂから噴出してもよい。これにより、
第１の基材３１０の表面に単位時間あたりに堆積する成膜材料の厚さを厚くすることがで
きる。
第１の基材３１０の表面に単位時間あたりに堆積する成膜材料の厚さを厚くすることがで
きる。
【0261】
異なる材料を、蒸着源１２０Ａおよび蒸着源１２０Ｂから噴出してもよい。これにより、
第１の基材３１０の表面に異なる材料が混合された膜を成膜できる。言い換えると、共蒸
着をすることができる。
第１の基材３１０の表面に異なる材料が混合された膜を成膜できる。言い換えると、共蒸
着をすることができる。
【0262】
蒸着源１２０Ａは、成膜材料を噴出する機能を備える。例えば、成膜材料を噴出する方向
に指向性を有すると好ましい。これにより、成膜材料の使用効率を高めることができる。
に指向性を有すると好ましい。これにより、成膜材料の使用効率を高めることができる。
【0263】
具体的には、ポイントソース型の蒸着源またはリニアソース型の蒸着源等を蒸着源１２０
Ａに用いることができる。または、ポイントソースを直線状またはマトリクス状等に並べ
た蒸着源、気化した成膜材料をスリットから噴出する蒸着源を用いることができる。
Ａに用いることができる。または、ポイントソースを直線状またはマトリクス状等に並べ
た蒸着源、気化した成膜材料をスリットから噴出する蒸着源を用いることができる。
【0264】
また、成膜装置１００は、蒸着源１２０Ａを加工部材支持部１１０に対して相対的に移動
する機能を備えてもよい。例えば、動力を用いて蒸着源１２０Ａを第１の基材３１０に対
して走査しながら成膜してもよい。
する機能を備えてもよい。例えば、動力を用いて蒸着源１２０Ａを第１の基材３１０に対
して走査しながら成膜してもよい。
【0265】
《成膜室》
成膜室１９０は、内部を大気圧以下に減圧することができる。例えば内部の圧力を１０－
３Ｐａ以下にすることができる。
成膜室１９０は、内部を大気圧以下に減圧することができる。例えば内部の圧力を１０－
３Ｐａ以下にすることができる。
【0266】
排気装置１９７は、成膜室１９０の内部を減圧することができる。例えば、メカニカルポ
ンプ、ターボポンプまたは／およびクライオポンプ等を排気装置１９７に用いることがで
きる。
ンプ、ターボポンプまたは／およびクライオポンプ等を排気装置１９７に用いることがで
きる。
【0267】
成膜室１９０は、内部をガスで満たすことができる。また、配管１９６は例えば窒素ガス
等を成膜室に供給することができる。
等を成膜室に供給することができる。
【0268】
成膜室１９０は、内壁を加熱する機能を備えることができる。これにより、内壁に吸着し
た分子を効率よく脱離させることができる。例えば、ヒータまたは熱媒を供給される配管
等を壁面に備えてもよい。
た分子を効率よく脱離させることができる。例えば、ヒータまたは熱媒を供給される配管
等を壁面に備えてもよい。
【0269】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0270】
【0271】
【0272】
図１１（Ａ）は本発明の一態様の機能パネル２００ＴＰの上面図であり、図１１（Ｂ）は
図１１（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。また、図１１（
Ｃ）は機能パネル２００ＴＰの一部の構成を説明する上面図であり、図１１（Ｄ）は図１
１（Ｃ）に示す切断線Ｗ３－Ｗ４における断面図である。
図１１（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。また、図１１（
Ｃ）は機能パネル２００ＴＰの一部の構成を説明する上面図であり、図１１（Ｄ）は図１
１（Ｃ）に示す切断線Ｗ３－Ｗ４における断面図である。
【0273】
図１３は本発明の一態様の機能パネル２００ＴＰを説明する投影図である。なお、説明の
便宜のために機能パネル２００ＴＰの一部を拡大して図示している。
便宜のために機能パネル２００ＴＰの一部を拡大して図示している。
【0274】
＜機能パネルの構成例＞
本実施の形態で説明する機能パネル２００ＴＰは、第１の基材２１０と、第１の基材２１
０と重なる領域を備える第２の基材２７０と、第１の基材２１０の一方の面に第２の基材
２７０を接合する機能を備える接合層２０５と、第１の基材２１０、第２の基材２７０お
よび接合層２０５に接する絶縁層２９０と、第１の基材２１０、第２の基材２７０および
接合層２０５に囲まれた領域に機能層と、を有する。
本実施の形態で説明する機能パネル２００ＴＰは、第１の基材２１０と、第１の基材２１
０と重なる領域を備える第２の基材２７０と、第１の基材２１０の一方の面に第２の基材
２７０を接合する機能を備える接合層２０５と、第１の基材２１０、第２の基材２７０お
よび接合層２０５に接する絶縁層２９０と、第１の基材２１０、第２の基材２７０および
接合層２０５に囲まれた領域に機能層と、を有する。
【0275】
そして、機能層は、複数の機能素子を備える。具体的には、画素２０２および検知素子を
領域２０１に備える。これにより、機能パネル２００ＴＰは、画像信号を供給され画像を
表示する機能を備える。また、制御信号を供給され検知信号を供給することができる機能
を備える。
領域２０１に備える。これにより、機能パネル２００ＴＰは、画像信号を供給され画像を
表示する機能を備える。また、制御信号を供給され検知信号を供給することができる機能
を備える。
【0276】
なお、機能パネル２００ＴＰは入出力パネルまたはタッチパネルということができる。
【0277】
本発明の一態様の機能パネル２００ＴＰは、画素２０２、画素２０２に制御信号を供給す
る駆動回路ＧＤ、画素２０２に表示信号を供給する駆動回路ＳＤおよび画素２０２が配設
される領域２０１を有する（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）。
る駆動回路ＧＤ、画素２０２に表示信号を供給する駆動回路ＳＤおよび画素２０２が配設
される領域２０１を有する（図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）参照）。
【0278】
画素２０２は、表示信号を供給される（図１１（Ａ）参照）。画素２０２は、副画素２０
２Ｒ等を備える。副画素２０２Ｒは赤色の表示をする機能を備える。また、例えば、緑色
の表示をする副画素および青色の表示をする副画素等を備える。
２Ｒ等を備える。副画素２０２Ｒは赤色の表示をする機能を備える。また、例えば、緑色
の表示をする副画素および青色の表示をする副画素等を備える。
【0279】
副画素２０２Ｒは、画素回路および表示モジュール２８０Ｒを備える（図１１（Ｂ）参照
）。
）。
【0280】
画素回路は、駆動トランジスタＭ０および容量素子Ｃを含む。
【0281】
表示モジュール２８０Ｒは、発光素子２５０Ｒ、発光素子２５０Ｒが光を射出する側に発
光素子２５０Ｒと重なる領域を有する着色層２６７Ｒを備える。なお、発光素子２５０Ｒ
は表示素子の一態様であるということができる。
光素子２５０Ｒと重なる領域を有する着色層２６７Ｒを備える。なお、発光素子２５０Ｒ
は表示素子の一態様であるということができる。
【0282】
発光素子２５０Ｒは、下部電極、上部電極、発光性の有機化合物を含む層を備える。
【0283】
回路は駆動トランジスタＭ０を備え且つ第１の基材２１０および発光素子２５０Ｒの間に
配設される。また、回路は絶縁膜２２１を発光素子２５０Ｒとの間に挟む。
配設される。また、回路は絶縁膜２２１を発光素子２５０Ｒとの間に挟む。
【0284】
駆動トランジスタＭ０は第２の電極を備える。第２の電極は、絶縁膜２２１に設けられた
開口部を介して発光素子２５０Ｒの下部電極と電気的に接続される。
開口部を介して発光素子２５０Ｒの下部電極と電気的に接続される。
【0285】
容量素子Ｃは、第１の電極と第２の電極を備える。第１の電極は、駆動トランジスタＭ０
のゲートに電気的に接続され、第２の電極は、駆動トランジスタＭ０の第２の電極と電気
的に接続される。
のゲートに電気的に接続され、第２の電極は、駆動トランジスタＭ０の第２の電極と電気
的に接続される。
【0286】
駆動回路ＳＤは、トランジスタＭＤおよび容量ＣＤを備える。
【0287】
本発明の一態様の機能パネル２００ＴＰは、駆動回路ＳＤと電気的に接続される配線２１
１と、配線２１１と電気的に接続される端子２１９と、端子２１９と電気的に接続される
フレキシブルプリント基板２０９と、を有する。
１と、配線２１１と電気的に接続される端子２１９と、端子２１９と電気的に接続される
フレキシブルプリント基板２０９と、を有する。
【0288】
また、副画素２０２Ｒと重なる領域に開口部を備える遮光層２６７ＢＭを備える。
【0289】
また、発光素子２５０Ｒと重なる領域に開口部を備え、下部電極の端部を覆う隔壁２２８
を備える。
を備える。
【0290】
また、領域２０１に重なる領域を備える機能膜２６７ｐを有する（図１１（Ｂ）参照）。
【0291】
なお、機能パネル２００ＴＰは第２の基材２７０が設けられている側に表示情報を表示す
ることができる。
ることができる。
【0292】
機能パネル２００ＴＰは、第２の基材２７０を有し、第２の基材２７０は、複数の制御線
ＣＬ（ｉ）および複数の信号線ＭＬ（ｊ）を支持する機能を備える。
ＣＬ（ｉ）および複数の信号線ＭＬ（ｊ）を支持する機能を備える。
【0293】
制御線ＣＬ（ｉ）は、行方向（図中にＲで示す矢印の方向）に延在し、制御信号を供給さ
れる機能を備える（図１３参照）。
れる機能を備える（図１３参照）。
【0294】
信号線ＭＬ（ｊ）は、列方向（図中にＣで示す矢印の方向）に延在し、検知信号を供給す
る機能を備える。
る機能を備える。
【0295】
機能パネル２００ＴＰは、制御線ＣＬ（ｉ）と電気的に接続される第１の電極Ｃ１（ｉ）
と、第１の電極Ｃ１（ｉ）と重ならない部分を備え且つ信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続
される第２の電極Ｃ２（ｊ）を備える（図１１（Ｃ）および図１３参照）。
と、第１の電極Ｃ１（ｉ）と重ならない部分を備え且つ信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続
される第２の電極Ｃ２（ｊ）を備える（図１１（Ｃ）および図１３参照）。
【0296】
第１の電極Ｃ１（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素２０２または副画素２０２Ｒ
と重なる領域に透光性を備える領域を具備する導電膜を含む。または、第１の電極Ｃ１（
ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素２０２または副画素２０２Ｒと重なる領域に開
口部７６７を具備する網目状の導電膜を含む。
と重なる領域に透光性を備える領域を具備する導電膜を含む。または、第１の電極Ｃ１（
ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）は、画素２０２または副画素２０２Ｒと重なる領域に開
口部７６７を具備する網目状の導電膜を含む。
【0297】
本発明の一態様の機能パネル２００ＴＰは、制御線ＣＬ（ｉ）と電気的に接続される端子
と、信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続される端子と、を有する。なお、端子は、フレキシ
ブルプリント基板ＦＰＦＣ２と電気的に接続される。
と、信号線ＭＬ（ｊ）と電気的に接続される端子と、を有する。なお、端子は、フレキシ
ブルプリント基板ＦＰＦＣ２と電気的に接続される。
【0298】
本実施の形態で説明する機能パネル２００ＴＰは、第１の基材２１０と、第２の基材２７
０と、第１の基材２１０および第２の基材２７０を接合する接合層２０５と、第１の基材
２１０、第２の基材２７０および接合層２０５と、に囲まれる領域に機能層を含んで構成
される。また、機能層は表示素子と検知素子を備える。これにより、供給される画像信号
を表示し、供給される制御信号に応じて検知信号を供給することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
０と、第１の基材２１０および第２の基材２７０を接合する接合層２０５と、第１の基材
２１０、第２の基材２７０および接合層２０５と、に囲まれる領域に機能層を含んで構成
される。また、機能層は表示素子と検知素子を備える。これにより、供給される画像信号
を表示し、供給される制御信号に応じて検知信号を供給することができる。その結果、利
便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供できる。
【0299】
例えば、機能パネル２００ＴＰは近接したものを検知して、近接したものの位置情報に関
連付けられるように検知情報を供給する機能を備える。これにより、検知したものの位置
または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。具体的には、機能パネル２００Ｔ
Ｐの使用者は、機能パネル２００ＴＰに近接または接触させた指等をポインタに用いて様
々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができ
る。
連付けられるように検知情報を供給する機能を備える。これにより、検知したものの位置
または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。具体的には、機能パネル２００Ｔ
Ｐの使用者は、機能パネル２００ＴＰに近接または接触させた指等をポインタに用いて様
々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができ
る。
【0300】
なお、機能パネル２００ＴＰの使用者は、さまざまな操作命令を演算装置に供給すること
ができる。例えば、機能パネル２００ＴＰが供給する検知情報を供給された演算装置は、
供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジ
ェスチャーに関連付けられた命令を実行することができる。
ができる。例えば、機能パネル２００ＴＰが供給する検知情報を供給された演算装置は、
供給された情報が所定の条件を満たすか否かをプログラム等に基づいて判断し、所定のジ
ェスチャーに関連付けられた命令を実行することができる。
【0301】
また、機能パネル２００ＴＰは、例えば演算装置等が供給する表示情報を表示できる。
【0302】
機能パネル２００ＴＰは絶縁層２９０を有する。
【0303】
例えば、セラミックコート層またはハードコート層を絶縁層に用いることができる。具体
的には、酸化アルミニウムを含む層またはＵＶ硬化された樹脂層を用いることができる。
的には、酸化アルミニウムを含む層またはＵＶ硬化された樹脂層を用いることができる。
【0304】
機能パネル２００ＴＰは、機能膜２６７ｐを有する。
【0305】
例えば、機能パネルが反射する外光の強度を弱める反射防止層等を機能膜に用いることが
できる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。
できる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。
【0306】
以下に、機能パネル２００ＴＰを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場
合がある。
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場
合がある。
【0307】
例えば、機能パネル２００ＴＰは、タッチパネルであるとともに検知パネルまたは表示パ
ネルでもある。
ネルでもある。
【0308】
《全体の構成》
本実施の形態で説明する機能パネル２００ＴＰは、第１の基材２１０、第２の基材２７０
、接合層２０５、絶縁層２９０または機能層を有する。
本実施の形態で説明する機能パネル２００ＴＰは、第１の基材２１０、第２の基材２７０
、接合層２０５、絶縁層２９０または機能層を有する。
【0309】
機能層は、画素２０２、駆動回路ＧＤ、駆動回路ＳＤ、領域２０１。副画素２０２Ｒ、駆
動トランジスタＭ０、容量素子Ｃ、表示モジュール２８０Ｒ、発光素子２５０Ｒ、着色層
２６７Ｒ、画素回路、絶縁膜２２１、配線２１１、端子２１９、遮光層２６７ＢＭまたは
隔壁２２８を含む。
動トランジスタＭ０、容量素子Ｃ、表示モジュール２８０Ｒ、発光素子２５０Ｒ、着色層
２６７Ｒ、画素回路、絶縁膜２２１、配線２１１、端子２１９、遮光層２６７ＢＭまたは
隔壁２２８を含む。
【0310】
機能層は、制御線ＣＬ（ｉ）、配線ＢＲ（ｉ，ｊ）、信号線ＭＬ（ｊ）、第１の電極Ｃ１
（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）を含む。
（ｉ）または第２の電極Ｃ２（ｊ）を含む。
【0311】
また、機能パネル２００は、フレキシブルプリント基板２０９、フレキシブルプリント基
板ＦＰＣ１、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２または機能膜２６７ｐを有する。
板ＦＰＣ１、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２または機能膜２６７ｐを有する。
【0312】
《第１の基材、第２の基材、接合層、絶縁層》
第１の基材２１０、第２の基材２７０、接合層２０５および絶縁層２９０に、例えば、実
施の形態１に記載された機能パネルと同様の構成を用いることができる。
第１の基材２１０、第２の基材２７０、接合層２０５および絶縁層２９０に、例えば、実
施の形態１に記載された機能パネルと同様の構成を用いることができる。
【0313】
また、可撓性を有する材料を第１の基材２１０および第２の基材２７０に用いることがで
きる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を
有する材料を用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材２１０ｂ、不純物の
拡散を防ぐバリア膜２１０ａおよび基材２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる樹脂
層２１０ｃが積層された積層体を、第１の基材２１０に用いることができる。また、可撓
性を有する基材２７０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜２７０ａおよび基材２７０ｂとバ
リア膜２７０ａを貼り合わせる樹脂層２７０ｃが積層された積層体を、第２の基材２７０
に用いることができる（図１２参照）。
きる。例えば、折り曲げることができる程度または折り畳むことができる程度の可撓性を
有する材料を用いることができる。具体的には、可撓性を有する基材２１０ｂ、不純物の
拡散を防ぐバリア膜２１０ａおよび基材２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる樹脂
層２１０ｃが積層された積層体を、第１の基材２１０に用いることができる。また、可撓
性を有する基材２７０ｂ、不純物の拡散を防ぐバリア膜２７０ａおよび基材２７０ｂとバ
リア膜２７０ａを貼り合わせる樹脂層２７０ｃが積層された積層体を、第２の基材２７０
に用いることができる（図１２参照）。
【0314】
《機能層》
副画素２０２Ｒ、表示素子、画素回路、駆動回路ＧＤ、配線２１１および端子２１９に、
例えば、実施の形態１に記載された機能パネルと同様の構成を用いることができる。
副画素２０２Ｒ、表示素子、画素回路、駆動回路ＧＤ、配線２１１および端子２１９に、
例えば、実施の形態１に記載された機能パネルと同様の構成を用いることができる。
【0315】
《検知素子、検知回路》
静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく信号を供
給する検知素子を機能層に用いることができる。
静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく信号を供
給する検知素子を機能層に用いることができる。
【0316】
例えば、導電膜、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用
いることができる。
いることができる。
【0317】
例えば、導電膜に寄生する静電容量に基づいて変化する信号を供給する機能を備える検知
回路を、機能層に用いることができる。これにより、大気中において導電膜に近接する指
などを、静電容量の変化を用いて検知できる。
回路を、機能層に用いることができる。これにより、大気中において導電膜に近接する指
などを、静電容量の変化を用いて検知できる。
【0318】
具体的には、制御線ＣＬ（ｉ）を用いて制御信号を第１の電極Ｃ１（ｉ）に供給し、供給
された制御信号および静電容量に基づいて変化する第２の電極Ｃ２（ｊ）の電位を、信号
線ＭＬ（ｊ）を用いて取得して、検知信号として供給することができる。
された制御信号および静電容量に基づいて変化する第２の電極Ｃ２（ｊ）の電位を、信号
線ＭＬ（ｊ）を用いて取得して、検知信号として供給することができる。
【0319】
例えば、導電膜に一方の電極が接続された容量素子を含む回路を検知回路に用いることが
できる。
できる。
【0320】
制御線ＣＬ（ｉ）は配線ＢＲ（ｉ，ｊ）を備える。配線ＢＲ（ｉ，ｊ）において、制御線
ＣＬ（ｉ）は信号線ＭＬ（ｊ）と交差する（図１１（Ｃ）参照）。配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と
信号線ＭＬ（ｊ）の間に絶縁膜７１１を備える（図１１（Ｄ）参照）。これにより、配線
ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号線ＭＬ（ｊ）の短絡を防ぐことができる。
ＣＬ（ｉ）は信号線ＭＬ（ｊ）と交差する（図１１（Ｃ）参照）。配線ＢＲ（ｉ，ｊ）と
信号線ＭＬ（ｊ）の間に絶縁膜７１１を備える（図１１（Ｄ）参照）。これにより、配線
ＢＲ（ｉ，ｊ）と信号線ＭＬ（ｊ）の短絡を防ぐことができる。
【0321】
機能パネル２００ＴＰは、例えば、近接または接触するものとの間の静電容量の変化を検
知して、検知信号を供給する。
知して、検知信号を供給する。
【0322】
なお、第２の基材２７０に検知素子を形成するための膜を成膜し、当該膜を加工する方法
を用いて、検知素子を作製してもよい。
を用いて、検知素子を作製してもよい。
【0323】
または、機能パネル２００ＴＰの一部を他の基材に作製し、当該一部を基材６１０に転置
する方法を用いて、機能パネル２００ＴＰを作製してもよい。
する方法を用いて、機能パネル２００ＴＰを作製してもよい。
【0324】
《配線》
機能パネル２００ＴＰは配線を備える。配線は制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）など
を含む。
機能パネル２００ＴＰは配線を備える。配線は制御線ＣＬ（ｉ）、信号線ＭＬ（ｊ）など
を含む。
【0325】
導電性を有する材料を、配線などに用いることができる。
【0326】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを、配線
に用いることができる。
に用いることができる。
【0327】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたは
マンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を
組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅
、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含む
と好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適
である。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたは
マンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を
組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅
、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含む
と好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適
である。
【0328】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
【0329】
具体的には、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカン
ジウムから選ばれた元素の膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用いることができ
る。またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジ
ウムから選ばれた複数の元素を含む合金膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用い
ることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオ
ジム、スカンジウムから選ばれた元素の窒化膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を
用いることができる。
ジウムから選ばれた元素の膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用いることができ
る。またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジ
ウムから選ばれた複数の元素を含む合金膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用い
ることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオ
ジム、スカンジウムから選ばれた元素の窒化膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を
用いることができる。
【0330】
または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【0331】
または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【0332】
または、導電性高分子を用いることができる。
【0333】
《その他》
機能パネル２００ＴＰは機能膜２６７ｐを有する。
機能パネル２００ＴＰは機能膜２６７ｐを有する。
【0334】
例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料などを含む膜を機能膜
２６７ｐに用いることができる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミ
ックコート層、ＵＶ硬化樹脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを機能膜２
６７ｐに用いることができる。
２６７ｐに用いることができる。具体的には、アルミナまたは酸化珪素などを含むセラミ
ックコート層、ＵＶ硬化樹脂等のハードコート層、反射防止膜、円偏光板などを機能膜２
６７ｐに用いることができる。
【0335】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0336】
【0337】
図１４は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【0338】
図１４（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された
状態を説明する投影図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２における
情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図１４（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた
状態を説明する投影図である。
状態を説明する投影図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の切断線Ｘ１－Ｘ２における
情報処理装置Ｋ１００の断面図である。図１４（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた
状態を説明する投影図である。
【0339】
【0340】
《入出力装置》
例えば、実施の形態４に記載する機能パネルを入出力装置に用いることができる。
例えば、実施の形態４に記載する機能パネルを入出力装置に用いることができる。
【0341】
入出力装置Ｋ２０は、表示装置Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備える（図１４（Ｂ）参照
）。入出力装置Ｋ２０は、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する。
）。入出力装置Ｋ２０は、画像情報Ｖを供給され且つ検知情報Ｓを供給する。
【0342】
表示装置Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する。
【0343】
入力装置Ｋ４０と表示装置Ｋ３０が一体に重ねられた入出力装置Ｋ２０は、表示装置Ｋ３
０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。
０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。
【0344】
なお、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示装置Ｋ３０に表示パネルを用いた入出
力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。
力装置Ｋ２０は、タッチパネルである。
【0345】
表示装置Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、
第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３
１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１４（Ａ）参照）。
第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３
１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１４（Ａ）参照）。
【0346】
表示装置Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目およ
び第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態お
よび展開された状態にすることができる（図１４（Ａ）および図１４（Ｃ）参照）。
び第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態お
よび展開された状態にすることができる（図１４（Ａ）および図１４（Ｃ）参照）。
【0347】
《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。
【0348】
《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２
）または筐体Ｋ０１（３）を含み、この記載の順に配置される。
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２
）または筐体Ｋ０１（３）を含み、この記載の順に配置される。
【0349】
筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０
１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる（図１４（Ｂ）参照）。
１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し、入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる（図１４（Ｂ）参照）。
【0350】
本実施の形態では、２つのヒンジを用いて接続される３つの筐体を備える情報処理装置を
例示する。この情報処理装置の入出力装置Ｋ２０は、２つのヒンジがある場所で折り畳む
ことができる。
例示する。この情報処理装置の入出力装置Ｋ２０は、２つのヒンジがある場所で折り畳む
ことができる。
【0351】
なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ－１）個のヒンジを用いて接続してもよ
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ－１）箇所で折って折り
畳むことができる。
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置Ｋ２０を（ｎ－１）箇所で折って折り
畳むことができる。
【0352】
筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なり、釦Ｋ４５（１）を備える。
【0353】
筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる。
【0354】
筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なり、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ
１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。
１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する。
【0355】
ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なり、筐体Ｋ０１（１
）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。
）を筐体Ｋ０１（２）に対して回動可能に接続する。
【0356】
ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なり、筐体Ｋ０１（２
）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。
）を筐体Ｋ０１（３）に対して回動可能に接続する。
【0357】
アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される
。
。
【0358】
また、アンテナＫ１０Ａは、外部装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１
０Ｂに供給する。
０Ｂに供給する。
【0359】
バッテリーＫ１０Ｂは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、電力を供給または供給する
。
。
【0360】
《折り畳みセンサ》
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
折り畳みセンサＫ４１は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
【0361】
演算装置Ｋ１０は、筐体の状態を示す情報を供給される。
【0362】
【0363】
また、筐体Ｋ０１の状態を示す情報が展開された状態を示す情報である場合、演算装置Ｋ
１０は表示装置Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図１４（Ａ））。
１０は表示装置Ｋ３０の領域Ｋ３１に画像情報Ｖを供給する（図１４（Ａ））。
【0364】
《検知部》
検知部Ｋ５０は、表示装置Ｋ３０が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む
検知情報を供給することができる。
検知部Ｋ５０は、表示装置Ｋ３０が使用される環境の照度を検知して、照度の情報を含む
検知情報を供給することができる。
【0365】
例えば、光電変換素子と、光電変換素子が供給する信号に基づいて、環境の照度の情報を
供給する検知回路と、を検知部Ｋ５０に用いることができる。
供給する検知回路と、を検知部Ｋ５０に用いることができる。
【0366】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0367】
【0368】
図１５は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【0369】
図１５（Ａ）は、本発明の一態様の情報処理装置３０００Ａの投影図である。
【0370】
図１５（Ｂ）は、本発明の一態様の情報処理装置３０００Ｂの投影図である。
【0371】
【0372】
【0373】
入出力部３１２０は、本発明の一態様の機能パネルを備える。例えば、実施の形態４で説
明する機能パネルを入出力部３１２０に用いることができる。
明する機能パネルを入出力部３１２０に用いることができる。
【0374】
また、情報処理装置３０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【0375】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【0376】
情報処理装置３０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる
。
。
【0377】
情報処理装置３０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命
令を供給することができる。
令を供給することができる。
【0378】
【0379】
筐体３１０１は、入出力部３１２０を支持する。
【0380】
筐体３１０１ｂは、入出力部３１２０ｂを支持する。
【0381】
入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂは、本発明の一態様の機能パネルを備える。
例えば、実施の形態４で説明する機能パネルを入出力部３１２０に用いることができる。
例えば、実施の形態４で説明する機能パネルを入出力部３１２０に用いることができる。
【0382】
また、情報処理装置３０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【0383】
筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【0384】
情報処理装置３０００Ｂは、入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂに情報を表示す
ることができる。
ることができる。
【0385】
情報処理装置３０００Ｂの使用者は、入出力部３１２０または入出力部３１２０ｂに接す
る指を用いて操作命令を供給することができる。
る指を用いて操作命令を供給することができる。
【0386】
【0387】
入出力部３１２０は、本発明の一態様の機能パネルを備える。例えば、実施の形態４で説
明する機能パネルを入出力部３１２０に用いることができる。
明する機能パネルを入出力部３１２０に用いることができる。
【0388】
また、情報処理装置３０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【0389】
なお、筐体３１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【0390】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0391】
【0392】
図１６は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。
【0393】
【0394】
【0395】
【0396】
【0397】
入出力部４１２０は、本発明の一態様の機能パネルを備える。例えば、実施の形態４で説
明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
【0398】
また、情報処理装置４０００Ａは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【0399】
なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【0400】
情報処理装置４０００Ａは、側面または／および上面に表示情報を表示することができる
。
。
【0401】
情報処理装置４０００Ａの使用者は、側面または／および上面に接する指を用いて操作命
令を供給することができる。
令を供給することができる。
【0402】
【0403】
また、情報処理装置４０００Ｂは入出力部４１２０を支持する筐体４１０１および可撓性
を有するベルト状の筐体４１０１ｂを有する。
を有するベルト状の筐体４１０１ｂを有する。
【0404】
入出力部４１２０または入出力部４１２０ｂは、本発明の一態様の機能パネルを備える。
例えば、実施の形態４で説明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
例えば、実施の形態４で説明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
【0405】
また、情報処理装置４０００Ｂは入出力部４１２０ｂを支持する筐体４１０１を有する。
【0406】
また、情報処理装置４０００Ｂは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【0407】
なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【0408】
情報処理装置４０００Ｂは、可撓性を有するベルト状の筐体４１０１ｂに支持される入出
力部４１２０に表示情報を表示することができる。
力部４１２０に表示情報を表示することができる。
【0409】
情報処理装置４０００Ｂの使用者は、入出力部４１２０に接する指を用いて操作命令を供
給することができる。
給することができる。
【0410】
【0411】
入出力部４１２０および筐体４１０１ｂは可撓性を有する。
【0412】
入出力部４１２０は、本発明の一態様の機能パネルを備える。例えば、実施の形態４で説
明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
明する機能パネルを入出力部４１２０に用いることができる。
【0413】
また、情報処理装置４０００Ｃは、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶す
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
【0414】
なお、筐体４１０１は、演算部、記憶部またはバッテリーなどを収納する。
【0415】
情報処理装置４０００Ｃは、筐体４１０１ｂの部分で二つに折り畳むことができる。
【0416】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0417】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
【0418】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
、など）であるとする。
【0419】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【0420】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0421】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0422】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【0423】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【0424】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
【0425】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
【0426】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
【0427】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【0428】
ＢＲ 配線
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示装置
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力装置
Ｋ４１ センサ
Ｋ４５ 釦
Ｋ５０ 検知部
Ｋ１００ 情報処理装置
Ｍ０ 駆動トランジスタ
１０ 加工部材
１０Ｂ 加工部材
１００ 成膜装置
１００Ａ 成膜装置
１００Ｂ 成膜装置
１００Ｃ 成膜装置
１００Ｄ 成膜装置
１１０ 加工部材支持部
１１５ シャドーマスク支持部
１２０Ａ 蒸着源
１２０Ｂ 蒸着源
１２１Ａ 遮蔽板
１２２Ａ 検知器
１４０ 動力
１７０ シャドーマスク
１８０ チャンバー
１８１ａ 原料供給部
１８１ｂ 原料供給部
１８２ａ 高速バルブ
１８２ｂ 高速バルブ
１８３ａ 原料導入口
１８３ｂ 原料導入口
１８４ 原料排出口
１８５ 排気装置
１８６ 加工部材支持部
１９０ 成膜室
１９５ ドアバルブ
１９６ 配管
１９７ 排気装置
１９８ 検知器
２００ 機能パネル
２００（１） 機能パネル
２００（２） 機能パネル
２００（３） 機能パネル
２００Ｂ 機能パネル
２００ＴＰ 機能パネル
２０１ 領域
２０２ 画素
２０２Ｒ 副画素
２０５ 接合層
２０９ フレキシブルプリント基板
２１０ 第１の基材
２１０ａ バリア膜
２１０ｂ 基材
２１０ｃ 樹脂層
２１１ 配線
２１９ 端子
２２１ 絶縁膜
２２８ 隔壁
２５０Ｒ 発光素子
２６７ＢＭ 遮光層
２６７ｐ 機能膜
２６７Ｒ 着色層
２７０ 第２の基材
２７０ａ バリア膜
２７０ｂ 基材
２７０ｃ 樹脂層
２８０Ｒ 表示モジュール
２９０ 絶縁層
２９１ 絶縁層
３００ 機能パネル
３０５ 接合層
３０５ａ 接合層
３０５ｂ 接合層
３１０ 第１の基材
３１０ａ 第１の基材
３１０ｂ 第１の基材
３３０ 機能層
３３０ａ 機能層
３３０ｂ 機能層
３７０ 第２の基材
３７０ａ 第２の基材
３７０ｂ 第２の基材
３９０ 絶縁層
３９０ａ 絶縁層
３９０ｂ 絶縁層
６１０ 基材
７１１ 絶縁膜
７６７ 開口部
１０００ 成膜システム
１０００Ｂ 成膜システム
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部
４０００Ａ 情報処理装置
４０００Ｂ 情報処理装置
４０００Ｃ 情報処理装置
４１０１ 筐体
４１０１ｂ 筐体
４１２０ 入出力部
４１２０ｂ 入出力部
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示装置
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力装置
Ｋ４１ センサ
Ｋ４５ 釦
Ｋ５０ 検知部
Ｋ１００ 情報処理装置
Ｍ０ 駆動トランジスタ
１０ 加工部材
１０Ｂ 加工部材
１００ 成膜装置
１００Ａ 成膜装置
１００Ｂ 成膜装置
１００Ｃ 成膜装置
１００Ｄ 成膜装置
１１０ 加工部材支持部
１１５ シャドーマスク支持部
１２０Ａ 蒸着源
１２０Ｂ 蒸着源
１２１Ａ 遮蔽板
１２２Ａ 検知器
１４０ 動力
１７０ シャドーマスク
１８０ チャンバー
１８１ａ 原料供給部
１８１ｂ 原料供給部
１８２ａ 高速バルブ
１８２ｂ 高速バルブ
１８３ａ 原料導入口
１８３ｂ 原料導入口
１８４ 原料排出口
１８５ 排気装置
１８６ 加工部材支持部
１９０ 成膜室
１９５ ドアバルブ
１９６ 配管
１９７ 排気装置
１９８ 検知器
２００ 機能パネル
２００（１） 機能パネル
２００（２） 機能パネル
２００（３） 機能パネル
２００Ｂ 機能パネル
２００ＴＰ 機能パネル
２０１ 領域
２０２ 画素
２０２Ｒ 副画素
２０５ 接合層
２０９ フレキシブルプリント基板
２１０ 第１の基材
２１０ａ バリア膜
２１０ｂ 基材
２１０ｃ 樹脂層
２１１ 配線
２１９ 端子
２２１ 絶縁膜
２２８ 隔壁
２５０Ｒ 発光素子
２６７ＢＭ 遮光層
２６７ｐ 機能膜
２６７Ｒ 着色層
２７０ 第２の基材
２７０ａ バリア膜
２７０ｂ 基材
２７０ｃ 樹脂層
２８０Ｒ 表示モジュール
２９０ 絶縁層
２９１ 絶縁層
３００ 機能パネル
３０５ 接合層
３０５ａ 接合層
３０５ｂ 接合層
３１０ 第１の基材
３１０ａ 第１の基材
３１０ｂ 第１の基材
３３０ 機能層
３３０ａ 機能層
３３０ｂ 機能層
３７０ 第２の基材
３７０ａ 第２の基材
３７０ｂ 第２の基材
３９０ 絶縁層
３９０ａ 絶縁層
３９０ｂ 絶縁層
６１０ 基材
７１１ 絶縁膜
７６７ 開口部
１０００ 成膜システム
１０００Ｂ 成膜システム
３０００Ａ 情報処理装置
３０００Ｂ 情報処理装置
３０００Ｃ 情報処理装置
３１０１ 筐体
３１０１ｂ 筐体
３１２０ 入出力部
３１２０ｂ 入出力部
４０００Ａ 情報処理装置
４０００Ｂ 情報処理装置
４０００Ｃ 情報処理装置
４１０１ 筐体
４１０１ｂ 筐体
４１２０ 入出力部
４１２０ｂ 入出力部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】