特許 7178713出願番号 特願 2019-518894
パワー半導体モジュール装置及びパワー半導体モジュール製造方法
出願人 学校法人早稲田大学（識別番号 899000068）
2026年 特許公開件数ランキング 25698位 0件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 21075位 0件（※）
公報発行日 2022年11月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7178713 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
絶縁材料を介して配列される半導体素子の表面側又は裏面側の少なくとも一方を厚膜めっきで配線形成するパワー半導体モジュール装置等
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献１、２に示す技術は、いずれもめっき接続においてボイドの発生を抑制できるものであるが、個々の半導体素子を配列し、それぞれの電極をめっきで接合する技術ではない。また、ＦＯＷＬＰについては、多層構造で外部端子と接続するものであり、平面上に配列された個々の部品間を厚膜単層で接続し、半導体を支持するものではない。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明に係るパワー半導体モジュール装置は、平面上に面一に配列する複数の半導体素子間が絶縁性の支持体で固定され、前記半導体素子同士を表面側又は裏面側の少なくとも一方の面で電気的に接続する第１面側電極として形成されている第１厚膜めっき層を有しており、前記第１厚膜めっき層が前記半導体素子を上下方向の少なくとも一方から支持するものである。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
第１のパワー半導体モジュール装置の回路図の一例を示す図である。
【図2】
第１のパワー半導体モジュール装置の構成を示す側断面図である。
【図3】
第１のパワー半導体モジュール装置の製造方法を示す第１の図である。
【図4】
第１のパワー半導体モジュール装置の製造方法を示す第２の図である。
【図5】
第１のパワー半導体モジュール装置の製造方法を示す第３の図である。
【図6】
第１のパワー半導体モジュール装置の他の構成を示す図である。
【図7】
第２のパワー半導体モジュール装置の製造方法を示す図である。
【図8】
第３のパワー半導体モジュール装置の構成を示す第１の図である。
【図9】
第３のパワー半導体モジュール装置の構成を示す第２の図である。
【図10】
第３のパワー半導体モジュール装置の製造方法を示す図である。
【図11】
第３のパワー半導体モジュール装置のその他の構成を示す第１の図である。
【図12】
第３のパワー半導体モジュール装置のその他の構成を示す第２の図である。
【図13】
第４のパワー半導体モジュール装置におけるヒートスプレッダの形成方法を示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
Ｄ１，Ｄ２ ダイオード
ＳＷ１，ＳＷ２ スイッチング素子
１ スイッチング電源回路
１１ 絶縁支持体
１２ 第１表面側電極
１３ 第２表面側電極
１４ 第１厚膜めっき層
１５ 第１裏面側電極
１６ 第２裏面側電極
１７ 第２厚膜めっき層
１８ 導電体
２１ 基板
２２ 樹脂
２３ レジスト溝
２６ 樹脂
３１ シード
４１ 裏面側シード
６１ 面
６２ エッジ部
６３ 第１ペア
６４ 第２ペア
７１ 金属配線
７２ 基板
７３ 仮止めテープ
７４ 半導体素子
８１ セラミックス基板
８２ 半導体素子
８２ａ ダイオード
８２ｂ ＭＯＳＦＥＴ
８３ 導電配線金属板
８３ａ リード
８３ｂ エッジ部分
８４ バンプ
８５ 厚膜めっき層
９２ 基板
９５ 貫通孔
９８ 銅薄膜
１２０ ヒートスプレッダ
１２１ レジスト
１２２ 樹脂
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