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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-11-22
(45)【発行日】2022-12-01
(54)【発明の名称】部品実装装置および液材塗布状態検査方法
(51)【国際特許分類】
H05K 13/04 20060101AFI20221124BHJP
H05K 13/08 20060101ALI20221124BHJP
G01N 21/27 20060101ALI20221124BHJP
B23K 3/00 20060101ALI20221124BHJP
B23K 1/00 20060101ALI20221124BHJP
【ＦＩ】
H05K13/04 B
H05K13/08 U
G01N21/27 A
B23K3/00 N
B23K1/00 330E
【請求項の数】
13
(21)【出願番号】P 2018195804
(22)【出願日】2018-10-17
(65)【公開番号】P2020064974
(43)【公開日】2020-04-23
【審査請求日】2021-06-09
(73)【特許権者】
【識別番号】000010076
【氏名又は名称】ヤマハ発動機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104433
【弁理士】
【氏名又は名称】宮園 博一
(72)【発明者】
【氏名】岡嵜 真一
【審査官】福島 和幸
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－０１９３８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０５１０８０２４（ＵＳ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ １３／００－１３／０８
Ｇ０１Ｎ ２１／２７
Ｂ２３Ｋ ３／００
Ｂ２３Ｋ １／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、前記ヘッドに保持された前記部品の前記バンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、
前記液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を前記部品に照射する照明部と、
前記液材を前記バンプ部に塗布した前記部品に前記照射光を照射した第１照射状態で、前記バンプ部に塗布された前記液材から出る光の光量に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、
前記ヘッドに保持された前記バンプ部を有する前記部品において前記照明部からの前記照射光を反射した反射光における前記第１特定波長帯の光を受光可能な撮像部とを備え、
前記制御部は、前記第１照射状態において、前記バンプ部の前記液材から出る光としての前記反射光の光量を、前記部品を前記撮像部により撮像して取得される第１部品画像の第１輝度値として取得するように構成されている、部品実装装置。
【請求項2】
バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、
前記ヘッドに保持された前記部品の前記バンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、
前記液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を前記部品に照射する照明部と、
前記液材を前記バンプ部に塗布した前記部品に前記照射光を照射した第１照射状態で、前記バンプ部に塗布された前記液材から出る光の光量に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、
前記第１特定波長帯の光のみを透過するフィルタとを備え、
前記制御部は、前記第１照射状態で、前記バンプ部に塗布された前記液材から出る光のうち前記フィルタを透過した前記第１特定波長帯の光の光量に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断するように構成されている、部品実装装置。
【請求項3】
前記ヘッドに保持された前記バンプ部を有する前記部品において前記照明部からの前記照射光を反射した反射光における前記第１特定波長帯の光を受光可能な撮像部をさらに備え、前記制御部は、前記第１照射状態において、前記バンプ部の前記液材から出る光としての前記反射光の光量を、前記部品を前記撮像部により撮像して取得される第１部品画像の第１輝度値として取得するように構成されている、請求項２に記載の部品実装装置。
【請求項4】
前記制御部は、前記第１部品画像における前記反射光の前記第１輝度値に関する値としきい値との比較に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断するように構成されている、請求項１または３に記載の部品実装装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記第１輝度値と前記しきい値としての第１しきい値との比較に基づいて、前記第１輝度値が前記第１しきい値未満の場合には前記バンプ部に塗布された前記液材の量が十分と判断し、前記第１輝度値が前記第１しきい値以上の場合には前記バンプ部に塗布された前記液材が無しまたは量が不十分と判断するように構成されている、請求項４に記載の部品実装装置。
【請求項6】
前記制御部は、前記第１輝度値と前記しきい値との比較、および前記液材を前記バンプ部に塗布する前の前記部品に前記照射光を照射した第２照射状態で、前記撮像部により前記部品を撮像させて取得する第２部品画像における前記バンプ部の第２輝度値と前記しきい値との比較に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断するように構成されている、請求項４に記載の部品実装装置。
【請求項7】
前記制御部は、前記第２輝度値から前記第１輝度値を引いた差分輝度値と、前記しきい値としての第２しきい値との比較に基づいて、前記差分輝度値が前記第２しきい値よりも大きい場合には前記バンプ部に塗布された前記液材の量が十分と判断し、前記差分輝度値が前記第２しきい値以下の場合には前記バンプ部に塗布された前記液材が無しまたは不十分と判断するように構成されている、請求項６に記載の部品実装装置。
【請求項8】
前記制御部は、複数の前記第１特定波長帯を有する前記液材の場合、複数の前記第１特定波長帯のそれぞれにおける前記第２輝度値と前記第１輝度値との差分の合算値と、前記しきい値としての第３しきい値との比較に基づいて、前記合算値が前記第３しきい値よりも大きい場合には前記バンプ部に塗布された前記液材の量が十分と判断し、前記合算値が前記第３しきい値以下の場合には前記バンプ部に塗布された前記液材が無しまたは不十分と判断するように構成されている、請求項６に記載の部品実装装置。
【請求項9】
前記制御部は、前記第１特定波長帯を含むとともに前記第１特定波長帯より広範囲の波長帯において所定波長間隔ごとに取得される複数の撮像画像の各々の第３輝度値に基づいて、前記しきい値および前記第１特定波長帯の各々を校正するように構成されている、請求項４～８のいずれか１項に記載の部品実装装置。
【請求項10】
前記部品の前記バンプ部の前記照射光に対する反射特性と略同じ反射特性を有する検査部材をさらに備え、前記制御部は、前記第１特定波長帯を含むとともに前記第１特定波長帯より前記広範囲の波長帯において前記所定波長間隔ごとに、前記照明部から前記照射光を照射するとともに前記撮像部により前記液材を塗布した前記検査部材を撮像することにより取得される前記複数の撮像画像の各々の前記第３輝度値に基づいて、前記しきい値および前記第１特定波長帯の各々を校正するように構成されている、請求項９に記載の部品実装装置。
【請求項11】
バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、
前記ヘッドに保持された前記部品の前記バンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、
前記液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を前記部品に照射する照明部と、
前記液材を前記バンプ部に塗布した前記部品に前記照射光を照射した第１照射状態で、前記バンプ部に塗布された前記液材から出る光の光量に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、
前記第１特定波長帯以外の第２特定波長帯の前記液材の蛍光を受光可能な撮像部とを備え、
前記制御部は、前記第１照射状態の後、前記バンプ部の前記液材から出る光としての前記第２特定波長帯の前記蛍光の光量を、前記部品を前記撮像部により撮像して取得される第３部品画像の第４輝度値として取得した後、前記第３部品画像における前記蛍光の前記第４輝度値に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断するように構成されている、部品実装装置。
【請求項12】
前記撮像部は、第１方向にライン状に延びる複数の撮像領域が前記第１方向と直交する第２方向に並べられるように配置され、前記複数の撮像領域により前記第２特定波長帯を含む複数の異なる波長帯の光を撮像可能なライン状カメラを含み、前記照明部は、前記第１特定波長帯を含む複数の異なる波長帯の光を前記第１方向にライン状に照射可能なライン状照明部を含む、請求項１１に記載の部品実装装置。
【請求項13】
バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットを備え、前記ヘッドに保持された前記部品の前記バンプ部にはんだの接合力を良好に保つ液材を塗布する液材塗布状態検査方法であって、前記液材を前記バンプ部に塗布した前記部品に、前記液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を照射するステップと、
前記バンプ部を有する前記部品において前記照射光を反射した反射光における第１特定波長帯の光を受光するステップと、
前記バンプ部に塗布された前記液材から出る光としての前記反射光の光量を、前記部品を撮像部により撮像して取得される第１部品画像の第１輝度値として取得し、前記第１輝度値に基づいて、前記バンプ部に塗布された前記液材の塗布状態を判断するステップとを備える、液材塗布状態検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、部品実装装置および液材塗布状態検査方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、はんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションを備える部品実装装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【0003】
上記特許文献１には、はんだの接合力を良好に保つフラックス（液材）を貯留するフラックスユニット（液材ステーション）を備える電子部品の実装装置（部品実装装置）が開示されている。上記特許文献１の電子部品の実装装置は、はんだボール電極（バンプ部）が設けられた電子部品を吸着するノズルと、ノズルに吸着された電子部品のはんだボール電極が設けられた面に対して光を照射する照射部とを備えている。また、上記特許文献１の電子部品の実装装置は、フラックスを塗布した電子部品のはんだボール電極に照射部により光を照射させた状態で、はんだボール電極において反射した反射光の輝度レベルとしきい値との比較に基づいて、電子部品のはんだボール電極へのフラックスの転写状態を判別する制御を行う制御部を備えている。
【0004】
上記特許文献１の電子部品の実装装置では、制御部は、フラックス転写膜厚の増加に伴い輝度レベルが低くなるので、輝度レベルがしきい値以下の場合は実装可能と判断し、輝度レベルがしきい値を超える場合は転写不良と判断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２００７－２８１０２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記特許文献１の電子部品の実装装置では、一般的に無色透明なフラックスのフラックス転写膜厚の変化に伴う輝度レベルの変化に基づいて、フラックス転写膜の転写状態を判断するので、微細なフラックス転写膜厚の変化を測定することが容易ではない。
【0007】
そこで、上記のような不都合を解消するため、フラックスに着色料または蛍光剤を添加したフラックスを電子部品のはんだボール電極に塗布し、はんだボール電極に塗布された着色料または蛍光剤を添加したフラックスの輝度レベルを測定することにより、フラックス転写膜の転写状態を確認することが考えられる。この方法では、電子部品のはんだボール電極に転写したフラックスの輝度レベルの変化が明確になるので、微細なフラックス転写膜厚の変化を容易に測定することが可能である。
【0008】
しかしながら、フラックスに添加した着色料または蛍光剤に起因して、フラックスのはんだの接合力を低下させるという不都合がある。このため、着色料または蛍光剤をフラックスに添加することなく、はんだボール電極（バンプ部）へのフラックス（液材）の塗布状態の確認を適切に行うことが困難であるという問題点がある。
【0009】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことが可能な部品実装装置および液材塗布状態検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本願発明者が鋭意検討した結果、液材の主成分が特定の波長帯の光を吸収するという性質を利用することにより、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいてバンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断することができるという新たな知見を得た。この発明の第１の局面による部品実装装置は、この新たな知見を利用して、着色料または蛍光剤を添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うものである。すなわち、この発明の第１の局面による部品実装装置は、バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、ヘッドに保持された部品のバンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を部品に照射する照明部と、液材をバンプ部に塗布した部品に照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、ヘッドに保持されたバンプ部を有する部品において照明部からの照射光を反射した反射光における第１特定波長帯の光を受光可能な撮像部とを備え、制御部は、第１照射状態において、バンプ部の液材から出る光としての反射光の光量を、部品を撮像部により撮像して取得される第１部品画像の第１輝度値として取得するように構成されている。なお、「液材の主成分により吸収される」とは、第１特定波長帯の照射光のエネルギーを吸収すること、および、液材の主成分を蛍光させるために第１特定波長帯の照射光（励起光）のエネルギーを吸収することの両方を含む概念である。また、「液材から出る光」とは、液材の主成分により吸収されずに液材から反射されて出射される光、および、液材の主成分が励起光のエネルギーを吸収したことにより発せられる蛍光の両方を含む概念である。
【0011】
この発明の第１の局面による部品実装装置では、上記のように、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を部品に照射する照明部を備える。また、部品実装装置では、液材をバンプ部に塗布した部品に照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部を備える。これにより、バンプ部に塗布された液材の主成分に照射光を吸収させることにより、液材から反射されて出射される場合、反射光の光量を確実に減少させることができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことができる。また、バンプ部に塗布された液材の主成分に照射光を吸収させることにより、液材から蛍光を発する場合、液材から発せられた蛍光の光量に基づいてバンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断することができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことができる。また、着色料または蛍光剤を新たに液材に添加せずとも、部品のバンプ部に塗布された液材の塗布状態の判定を行うことができるので、部品の接合不良の発生を抑制することができる。この結果、部品実装装置における部品の実装品質を向上させることができる。
また、液材から出る光の光量が減少した分に合わせて、第１部品画像の第１輝度値も減少するので、バンプ部への液材の塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。
この発明の第２の局面による部品実装装置は、バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、ヘッドに保持された部品のバンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を部品に照射する照明部と、液材をバンプ部に塗布した部品に照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、第１特定波長帯の光のみを透過するフィルタとを備え、制御部は、第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光のうちフィルタを透過した第１特定波長帯の光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するように構成されている。
これにより、他の波長帯の光を確実に分離させることにより、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するために不必要な情報を減少させることができるので、バンプ部への液材の塗布状態の確認をより適切に行うことができる。
また、液材から出る光の光量が減少した分に合わせて、第１部品画像の第１輝度値も減少するので、バンプ部への液材の塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。
この発明の第２の局面による部品実装装置は、バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、ヘッドに保持された部品のバンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を部品に照射する照明部と、液材をバンプ部に塗布した部品に照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、第１特定波長帯の光のみを透過するフィルタとを備え、制御部は、第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光のうちフィルタを透過した第１特定波長帯の光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するように構成されている。
これにより、他の波長帯の光を確実に分離させることにより、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するために不必要な情報を減少させることができるので、バンプ部への液材の塗布状態の確認をより適切に行うことができる。
【0012】
この発明の第２の局面による部品実装装置において、好ましくは、ヘッドに保持されたバンプ部を有する部品において照明部からの照射光を反射した反射光における第１特定波長帯の光を受光可能な撮像部をさらに備え、制御部は、第１照射状態において、バンプ部の液材から出る光としての反射光の光量を、部品を撮像部により撮像して取得される第１部品画像の第１輝度値として取得するように構成されている。このように構成すれば、液材から出る光の光量が減少した分に合わせて、第１部品画像の第１輝度値も減少するので、バンプ部への液材の塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。
【0013】
上記第１特定波長帯の光を受光可能な撮像部を備える部品実装装置において、好ましくは、制御部は、第１部品画像における反射光の第１輝度値に関する値としきい値との比較に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するように構成されている。このように構成すれば、しきい値との比較により液材の塗布状態を判断することによって、液材の量を判断する方法を容易化することができるので、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことができる。なお。「第１輝度値に関する値」とは、第１輝度値そのものだけでなく、第１輝度値に他の輝度値を加算、減算などを行い求められた輝度値を含む広い概念である。
【0014】
上記第１輝度値に関する値としきい値との比較を行う部品実装装置において、好ましくは、制御部は、第１輝度値としきい値としての第１しきい値との比較に基づいて、第１輝度値が第１しきい値未満の場合にはバンプ部に塗布された液材の量が十分と判断し、第１輝度値が第１しきい値以上の場合にはバンプ部に塗布された液材が無しまたは量が不十分と判断するように構成されている。このように構成すれば、第１輝度値と第１しきい値との比較だけでバンプ部に塗布された液材の量を判断することにより、液材の量を判断する方法を容易化することができるので、バンプ部への液材の塗布状態の確認をより容易に行うことができる。
【0015】
上記第１輝度値に関する値としきい値との比較を行う部品実装装置において、好ましくは、制御部は、第１輝度値としきい値との比較、および液材をバンプ部に塗布する前の部品に照射光を照射した第２照射状態で、撮像部により部品を撮像させて取得する第２部品画像におけるバンプ部の第２輝度値としきい値との比較に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するように構成されている。このように構成すれば、液材により照射光が吸収された状態の第１輝度値だけでなく、液材により照射光が吸収されていない状態の第２輝度値を用いて液材の塗布量の判断を行うことにより、バンプ部に液材が塗布された状態を明確に制御部が認識することができる。この結果、バンプ部に塗布された液材の塗布状態をより正確に判断することができる。
【0016】
上記第１輝度値および第２輝度値としきい値とを比較する部品実装装置において、好ましくは、制御部は、第２輝度値から第１輝度値を引いた差分輝度値と、しきい値としての第２しきい値との比較に基づいて、差分輝度値が第２しきい値よりも大きい場合にはバンプ部に塗布された液材の量が十分と判断し、差分輝度値が第２しきい値以下の場合にはバンプ部に塗布された液材が無しまたは不十分と判断するように構成されている。このように構成すれば、バンプ部に液材が塗布された状態では差分輝度値が大きくなるので、バンプ部に液材が塗布された状態をより明確に制御部が認識することができる。この結果、バンプ部に塗布された液材の塗布状態をより正確に判断することができる。
【0017】
上記第１輝度値および第２輝度値としきい値とを比較する部品実装装置において、好ましくは、制御部は、複数の第１特定波長帯を有する液材の場合、複数の第１特定波長帯のそれぞれにおける第２輝度値と第１輝度値との差分の合算値と、しきい値としての第３しきい値との比較に基づいて、合算値が第３しきい値よりも大きい場合にはバンプ部に塗布された液材の量が十分と判断し、合算値が第３しきい値以下の場合にはバンプ部に塗布された液材が無しまたは不十分と判断するように構成されている。このように構成すれば、合算値を用いることにより、バンプ部に液材が塗布されていない状態の輝度値との差異をより明確化することができるので、より正確に判断することができ、また、バンプ部に液材が塗布された状態を安定して制御部が認識することができる。
【0018】
上記第１輝度値に関する値としきい値との比較を行う部品実装装置において、好ましくは、制御部は、第１特定波長帯を含むとともに第１特定波長帯より広範囲の波長帯において所定波長間隔ごとに取得される複数の撮像画像の各々の第３輝度値に基づいて、しきい値および第１特定波長帯の各々を校正するように構成されている。このように構成すれば、部品に塗布される液材の種類が変わった場合でも、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を正確に判断することができるので、液材の種類によらず制御部による液材の塗布状態の判断の正確性を確保することができる。
【0019】
この場合、好ましくは、部品のバンプ部の照射光に対する反射特性と略同じ反射特性を有する検査部材をさらに備え、制御部は、第１特定波長帯を含むとともに第１特定波長帯より広範囲の波長帯において所定波長間隔ごとに、照明部から照射光を照射するとともに撮像部により液材を塗布した検査部材を撮像することにより取得される複数の撮像画像の各々の第３輝度値に基づいて、しきい値および第１特定波長帯の各々を校正するように構成されている。このように構成すれば、部品を用いてしきい値および第１特定波長帯の各々の校正を行う場合と異なり、検査のために作成された検査部材を用いることにより、液材ステーションにおいて液材を検査部材に確実に塗布することができるので、しきい値および第１特定波長帯の各々の校正を確実に行うことができる。
【0021】
この発明の第３の局面による部品実装装置は、バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットと、ヘッドに保持された部品のバンプ部に塗布されることによりはんだの接合力を良好に保つ液材を貯留する液材ステーションと、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を部品に照射する照明部と、液材をバンプ部に塗布した部品に照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断する制御を行う制御部と、第１特定波長帯以外の第２特定波長帯の液材の蛍光を受光可能な撮像部とを備え、制御部は、第１照射状態の後、バンプ部の液材から出る光としての第２特定波長帯の蛍光の光量を、部品を撮像部により撮像して取得される第３部品画像の第４輝度値として取得した後、第３部品画像における蛍光の第４輝度値に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するように構成されている。
これにより、着色料または蛍光剤を新たに液材に添加せずとも、部品のバンプ部に塗布された液材の塗布状態の判定を行うことができる。これにより、部品の接合不良の発生を抑制することができるとともに、液材から出る蛍光の光量に合わせて、第３部品画像の第４輝度値も変化するので、バンプ部への液材の塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。また、液材内を通過する際に屈折、反射および拡散した光を撮像部に受光させる場合と比較して、第１特定波長帯の照射光を吸収した液材から発生する蛍光は確実に撮像部に向かうので、バンプ部への液材の塗布状態の確認の正確性を確保することができる。
これにより、着色料または蛍光剤を新たに液材に添加せずとも、部品のバンプ部に塗布された液材の塗布状態の判定を行うことができる。これにより、部品の接合不良の発生を抑制することができるとともに、液材から出る蛍光の光量に合わせて、第３部品画像の第４輝度値も変化するので、バンプ部への液材の塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。また、液材内を通過する際に屈折、反射および拡散した光を撮像部に受光させる場合と比較して、第１特定波長帯の照射光を吸収した液材から発生する蛍光は確実に撮像部に向かうので、バンプ部への液材の塗布状態の確認の正確性を確保することができる。
【0022】
上記第３の局面による部品実装装置において、好ましくは、撮像部は、第１方向にライン状に延びる複数の撮像領域が第１方向と直交する第２方向に並べられるように配置され、複数の撮像領域により第２特定波長帯を含む複数の異なる波長帯の光を撮像可能なライン状カメラを含み、照明部は、第１特定波長帯を含む複数の異なる波長帯の光を第１方向にライン状に照射可能なライン状照明部を含む。このように構成すれば、エリア状のマルチスペクトルカメラのように、バンドパスフィルタまたはダイクロックミラーを変更して異なる波長の蛍光を受光する必要がないので、エリア状のマルチスペクトルカメラを用いる場合と異なり、フラックス検出カメラの小型化および構成を簡略化することができる。また、撮像領域の延びる方向に合わせて、ライン状照明部からの照明光が照射されるので、液材の蛍光をライン状カメラに効率よく受光させることができる。
【0023】
上記目的を達成するために、この発明の第４の局面による液材塗布状態検査方法は、バンプ部を有する部品を保持するヘッドを含むヘッドユニットを備え、ヘッドに保持された部品のバンプ部にはんだの接合力を良好に保つ液材を塗布する液材塗布状態検査方法であって、液材をバンプ部に塗布した部品に、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を照射するステップと、バンプ部を有する部品において照射光を反射した反射光における第１特定波長帯の光を受光するステップと、バンプ部に塗布された液材から出る光としての反射光の光量を、部品を撮像部により撮像して取得される第１部品画像の第１輝度値として取得し、第１輝度値に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断するステップとを備える。
【0024】
この発明の第４の局面による液材塗布状態検査方法では、上記のように、液材の主成分により吸収される第１特定波長帯を含む照射光を部品に照射する。また、液材塗布状態検査方法では、液材をバンプ部に塗布した部品に照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部に塗布された液材から出る光の光量に基づいて、バンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断する。これにより、バンプ部に塗布された液材の主成分に照射光を吸収させることにより、液材から反射されて出射される場合、反射光の光量を確実に減少させることができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことが可能な液材塗布状態検査方法を取得することができる。また、バンプ部に塗布された液材の主成分に照射光を吸収させることにより、液材から蛍光を発する場合、液材から発せられた蛍光の光量に基づいてバンプ部に塗布された液材の塗布状態を判断することができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことが可能な液材塗布状態検査方法を取得することができる。
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、上記のように、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部への液材の塗布状態の確認を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】第１～第４実施形態による部品実装装置の概略を示した平面図である。
【図2】第１～第３実施形態による部品実装装置の概略を示した側面図である。
【図3】第１～第４実施形態による部品実装装置の制御的な構成を示したブロック図である。
【図4】第１実施形態による部品実装装置において電子部品のバンプ部から出る反射光の波長および輝度値を示したグラフである。
【図5】第１実施形態による部品実装装置における第１部品画像を撮像した際の電子部品を示した模式図である。
【図6】第１実施形態による部品実装装置において、第２部品画像を撮像した際の電子部品を示した模式図およびその模式図の電子部品のバンプ部から出る反射光の波長および輝度値を示したグラフである。
【図7】第１実施形態による部品実装装置において、第１部品画像を撮像した際の電子部品を示した模式図およびその模式図におけるフラックスが十分に塗布された電子部品のバンプ部から出る反射光の波長および輝度値を示したグラフである。
【図8】第１実施形態による部品実装装置において、第１部品画像を撮像した際の電子部品を示した模式図およびその模式図におけるフラックスが十分に塗布されなかった電子部品のバンプ部から出る反射光の波長および輝度値を示したグラフである。
【図9】第１実施形態による部品実装装置において所定波長間隔ごとに差分輝度値を取得した状態を示したグラフである。
【図10】第１実施形態による部品実装装置において新たな特定波長帯および新たなしきい値の各々を取得した状態を示したグラフである。
【図11】図１１（Ａ）はフラックス塗布前のはんだペレット治具をフラックス用撮像部により撮像する状態を示した模式図である。図１１（Ｂ）ははんだペレット治具にフラックスを塗布する状態を示した模式図である。図１１（Ｃ）はフラックス塗布後のはんだペレット治具をフラックス用撮像部により撮像する状態を示した模式図である。
【図12】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施される検査処理を説明するためのフローチャートである。
【図13】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施されるフラックス塗布前の平均輝度値の取得処理を説明するためのフローチャートである。
【図14】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施されるフラックス塗布後の平均輝度値の取得処理を説明するためのフローチャートである。
【図15】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施される特定波長帯およびしきい値の取得処理を説明するためのフローチャートである。
【図16】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施される電子部品のバンプ部のバンプ位置およびバンプ領域の取得処理を説明するためのフローチャートである。
【図17】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施されるフラックス塗布前における電子部品のバンプ部の平均輝度値の取得処理を説明するためのフローチャートである。
【図18】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施されるフラックス塗布後における電子部品のバンプ部の平均輝度値の取得処理を説明するためのフローチャートである。
【図19】第１実施形態による部品実装装置の制御部において実施されるフラックスの塗布状態の確認の処理を説明するためのフローチャートである。
【図20】第２実施形態による部品実装装置における部品画像を撮像した際の電子部品を示した模式図である。
【図23】第３実施形態による部品実装装置において、フラックスから出る反射光の波長および輝度値を示したグラフである。
【図24】第３実施形態による部品実装装置において、第１特定波長帯のバンプ部の第３輝度値と第１輝度値との差分と、第２特定波長帯のバンプ部の第４輝度値と第２輝度値との差分とを合算した部品画像に相当する状態の電子部品を示した模式図である。
【図25】第４実施形態による部品実装装置の概略を示した側面図である。
【図26】第４実施形態による部品実装装置のフラックス用照明部を示した模式図である。
【図27】第４実施形態による部品実装装置のフラックス用撮像部を示した模式図である。
【図28】第４実施形態による部品実装装置において、フラックス用照明部から第１特定波長帯の照射光を照射した際の電子部品のバンプ部を示した模式図である。
【図29】第４実施形態による部品実装装置において、電子部品のバンプ部から第２特定波長帯の蛍光を発した状態を示した模式図である。
【図30】第４実施形態による部品実装装置において、電子部品のバンプ部から第２特定波長帯の蛍光を発する前の図である。
【図31】第４実施形態による部品実装装置において、電子部品のバンプ部から第２特定波長帯の蛍光を発した後の図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。
【0028】
【0029】
（部品実装装置の構成）
まず、本発明の第１実施形態による部品実装装置１の構成について説明する。
まず、本発明の第１実施形態による部品実装装置１の構成について説明する。
【0030】
図１に示すように、部品実装装置１は、ＩＣチップ、トランジスタ、コンデンサおよび抵抗などの電子部品Ｅをプリント基板などの基板Ｂに実装するように構成されている。ここで、部品実装装置１において、基板Ｂを搬送する搬送方向をＸ１方向とし、基板Ｂを搬送する搬送方向の逆方向をＸ２方向とし、水平方向におけるＸ方向に直交する方向をＹ方向とする。また、部品実装装置１において、Ｘ方向およびＹ方向に直交する上下方向をＺ方向とする。なお、電子部品Ｅは、特許請求の範囲の「部品」の一例である。また、Ｘ方向は、特許請求の範囲の「第２方向」の一例である。また、Ｙ方向は、特許請求の範囲の「第１方向」の一例である。
【0031】
部品実装装置１は、基台２と、部品供給部３と、基板搬送部４と、ヘッドユニット５と、支持部６と、レール部７と、部品認識カメラ８と、基板認識カメラ９と、フラックスステーション１０と、フラックス検出カメラ１１と、治具トレイ１２と、制御部１３とを備えている。なお、フラックスステーション１０は、特許請求の範囲の「液材ステーション」の一例である。
【0032】
〈基台〉
基台２は、部品実装装置１において各構成要素を配置する基礎となる台である。基台２上には、構成要素として、基板搬送部４、レール部７、部品認識カメラ８、基板認識カメラ９、フラックスステーション１０およびフラックス検出カメラ１１が設けられている。また、基台２内には、制御部１３が設けられている。また、基台２には、Ｙ方向の両側（Ｙ１方向側およびＹ２方向側）に、部品供給部３が設けられている。
基台２は、部品実装装置１において各構成要素を配置する基礎となる台である。基台２上には、構成要素として、基板搬送部４、レール部７、部品認識カメラ８、基板認識カメラ９、フラックスステーション１０およびフラックス検出カメラ１１が設けられている。また、基台２内には、制御部１３が設けられている。また、基台２には、Ｙ方向の両側（Ｙ１方向側およびＹ２方向側）に、部品供給部３が設けられている。
【0033】
〈部品供給部〉
部品供給部３は、基板Ｂに実装される複数の電子部品Ｅを収容する部品供給トレイ３ａを配置するように構成されている。部品供給トレイ３ａは、バンプ部Ｅ１（図２参照）を有する電子部品Ｅ（特に、ＩＣチップ）を収容するように構成されている。部品供給トレイ３ａでは、ヘッドユニット５の部品保持動作により電子部品Ｅが取り出される。
部品供給部３は、基板Ｂに実装される複数の電子部品Ｅを収容する部品供給トレイ３ａを配置するように構成されている。部品供給トレイ３ａは、バンプ部Ｅ１（図２参照）を有する電子部品Ｅ（特に、ＩＣチップ）を収容するように構成されている。部品供給トレイ３ａでは、ヘッドユニット５の部品保持動作により電子部品Ｅが取り出される。
【0034】
〈基板搬送部〉
基板搬送部４は、部品実装装置１の外部から基板Ｂを搬入し、基板Ｂを搬送方向（Ｘ１方向）に搬送するように構成されている。基板搬送部４は、一対のコンベア部４ａと、一対のコンベア部４ａを回転駆動させるための駆動モータ４ｂとを含んでいる。一対のコンベア部４ａは、それぞれ、プーリ（図示せず）と、プーリに掛け回された輪状の搬送ベルトとを有している。制御部１３は、駆動モータ４ｂを制御することにより、一対のコンベア部４ａ上に載置された基板Ｂの搬送速度を制御するように構成されている。
基板搬送部４は、部品実装装置１の外部から基板Ｂを搬入し、基板Ｂを搬送方向（Ｘ１方向）に搬送するように構成されている。基板搬送部４は、一対のコンベア部４ａと、一対のコンベア部４ａを回転駆動させるための駆動モータ４ｂとを含んでいる。一対のコンベア部４ａは、それぞれ、プーリ（図示せず）と、プーリに掛け回された輪状の搬送ベルトとを有している。制御部１３は、駆動モータ４ｂを制御することにより、一対のコンベア部４ａ上に載置された基板Ｂの搬送速度を制御するように構成されている。
【0035】
〈ヘッドユニット〉
ヘッドユニット５は、図２に示すように、部品実装用のヘッドユニット５であり、実装位置において固定された基板Ｂに電子部品Ｅを実装するように構成されている。具体的には、ヘッドユニット５は、複数（２つ）のディスペンスヘッド５１と、複数（４つ）の実装ヘッド５２とを含んでいる。なお、実装ヘッド５２は、特許請求の範囲の「ヘッド」の一例である。
ヘッドユニット５は、図２に示すように、部品実装用のヘッドユニット５であり、実装位置において固定された基板Ｂに電子部品Ｅを実装するように構成されている。具体的には、ヘッドユニット５は、複数（２つ）のディスペンスヘッド５１と、複数（４つ）の実装ヘッド５２とを含んでいる。なお、実装ヘッド５２は、特許請求の範囲の「ヘッド」の一例である。
【0036】
複数のディスペンスヘッド５１の各々は、フラックスＦが充填されたシリンジ（図示せず）に接続されており、シリンジから供給されるフラックスＦを先端部から基板Ｂ上に塗布可能に構成されている。各ディスペンスヘッド５１は、それぞれＺ軸モータ５１Ａ（図３参照）により上下方向に移動可能に構成されている。
【0037】
複数の実装ヘッド５２の各々は、真空発生装置（図示せず）に接続されており、真空発生装置により生じる負圧によって、先端に装着されたノズル５２ａにバンプ部Ｅ１を有する電子部品Ｅを保持（吸着）可能に構成されている。また、複数の実装ヘッド５２の各々は、真空発生装置により生じる正圧によって、バンプ部Ｅ１を有する電子部品Ｅを基板Ｂに実装可能に構成されている。各実装ヘッド５２は、それぞれ、Ｚ軸モータ５２ｂにより上下方向に移動可能に構成されている。また、各実装ヘッド５２は、それぞれ、Ｒ軸モータ５２ｃ（図３参照）により回転軸回りに回転可能に構成されている。
【0038】
〈支持部〉
支持部６は、図１に示すように、ヘッドユニット５を搬送方向（Ｘ１方向）および搬送方向とは逆方向（Ｘ２方向）に移動可能に支持するように構成されている。具体的には、支持部６は、搬送方向に延びるボールねじ軸６ａと、ボールねじ軸６ａを回転させるＸ軸モータ６ｂとを含んでいる。ヘッドユニット５には、支持部６のボールねじ軸６ａと係合するボールナット（図示せず）が設けられている。ヘッドユニット５は、Ｘ軸モータ６ｂによりボールねじ軸６ａが回転されることにより、ボールねじ軸６ａと係合するボールナットとともに、支持部６に沿って搬送方向に移動可能に構成されている。
支持部６は、図１に示すように、ヘッドユニット５を搬送方向（Ｘ１方向）および搬送方向とは逆方向（Ｘ２方向）に移動可能に支持するように構成されている。具体的には、支持部６は、搬送方向に延びるボールねじ軸６ａと、ボールねじ軸６ａを回転させるＸ軸モータ６ｂとを含んでいる。ヘッドユニット５には、支持部６のボールねじ軸６ａと係合するボールナット（図示せず）が設けられている。ヘッドユニット５は、Ｘ軸モータ６ｂによりボールねじ軸６ａが回転されることにより、ボールねじ軸６ａと係合するボールナットとともに、支持部６に沿って搬送方向に移動可能に構成されている。
【0039】
〈レール部〉
一対のレール部７は、支持部６をＹ方向に移動可能に支持するように構成されている。具体的には、レール部７は、Ｙ方向に延びるボールねじ軸７ａと、ボールねじ軸７ａを回転させるＹ軸モータ７ｂとを含んでいる。支持部６には、レール部７のボールねじ軸７ａと係合するボールナット（図示せず）が設けられている。支持部６は、Ｙ軸モータ７ｂによりボールねじ軸７ａが回転されることにより、ボールねじ軸７ａと係合するボールナットとともに、一対のレール部７に沿ってＹ方向に移動可能に構成されている。
一対のレール部７は、支持部６をＹ方向に移動可能に支持するように構成されている。具体的には、レール部７は、Ｙ方向に延びるボールねじ軸７ａと、ボールねじ軸７ａを回転させるＹ軸モータ７ｂとを含んでいる。支持部６には、レール部７のボールねじ軸７ａと係合するボールナット（図示せず）が設けられている。支持部６は、Ｙ軸モータ７ｂによりボールねじ軸７ａが回転されることにより、ボールねじ軸７ａと係合するボールナットとともに、一対のレール部７に沿ってＹ方向に移動可能に構成されている。
【0040】
このような構成により、ヘッドユニット５は、基台２上を水平面内で（Ｘ方向およびＹ方向に）移動可能に構成されている。すなわち、ヘッドユニット５は、基板搬送部４上の基板Ｂに対して相対的に移動可能に構成されている。これにより、ヘッドユニット５は、実装位置において固定された基板Ｂの上方に移動して、実装ヘッド５２に保持された電子部品Ｅを基板Ｂ上の所定箇所（実装位置）に実装することが可能である。
【0041】
〈部品認識カメラ〉
部品認識カメラ８は、図２に示すように、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像する部品撮像用のカメラである。部品認識カメラ８は、基台２上に固定されており、電子部品Ｅの下方（Ｚ２方向）から、実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像するように構成されている。具体的には、部品認識カメラ８は、部品用照明部８ａと、部品用撮像部８ｂとを含んでいる。
部品認識カメラ８は、図２に示すように、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像する部品撮像用のカメラである。部品認識カメラ８は、基台２上に固定されており、電子部品Ｅの下方（Ｚ２方向）から、実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像するように構成されている。具体的には、部品認識カメラ８は、部品用照明部８ａと、部品用撮像部８ｂとを含んでいる。
【0042】
制御部１３は、部品認識カメラ８による電子部品Ｅの撮像画像に基づいて、電子部品Ｅの吸着状態（回転姿勢および実装ヘッド５２に対する吸着位置）を取得（認識）するように構成されている。また、制御部１３は、部品認識カメラ８による電子部品Ｅの撮像画像に基づいて、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１のバンプ位置Ｅ２（図３参照）およびバンプ領域Ｅ３（図３参照）を取得するように構成されている。なお、バンプ位置Ｅ２は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の中心位置である。また、バンプ領域Ｅ３は、バンプ位置Ｅ２の中心からバンプ部Ｅ１の外側端部までの範囲である。
【0043】
〈基板認識カメラ〉
基板認識カメラ９は、ヘッドユニット５に取り付けられ、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って、基板Ｂの上面に付されたＦＩマーク（Ｆｉｄｕｃｉａｌ Ｍａｒｋ（フィデューシャルマーク））（図示せず）を撮像するカメラである。ＦＩマークは、基板Ｂの位置を確認するためのマークである。
基板認識カメラ９は、ヘッドユニット５に取り付けられ、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って、基板Ｂの上面に付されたＦＩマーク（Ｆｉｄｕｃｉａｌ Ｍａｒｋ（フィデューシャルマーク））（図示せず）を撮像するカメラである。ＦＩマークは、基板Ｂの位置を確認するためのマークである。
【0044】
〈フラックスステーション〉
フラックスステーション１０は、実装ヘッド５２に保持された電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布（転写）されることにより、はんだの接合力を良好に保つフラックスＦを貯留するように構成されている。ここで、フラックスＦは、ロジンを主成分とする樹脂系フラックスである。なお、フラックスＦは、特許請求の範囲の「液材」の一例である。
フラックスステーション１０は、実装ヘッド５２に保持された電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布（転写）されることにより、はんだの接合力を良好に保つフラックスＦを貯留するように構成されている。ここで、フラックスＦは、ロジンを主成分とする樹脂系フラックスである。なお、フラックスＦは、特許請求の範囲の「液材」の一例である。
【0045】
フラックスステーション１０は、平坦な上面（塗布面）を有する回転ステージ１０ａと、回転ステージ１０ａの塗布面から僅かに上方に離間して配置されたスキージ１０ｂとを有する。塗布面上には、フラックスＦなどの塗布材が供給され、回転ステージ１０ａにより塗布面が回転する。この結果、フラックスＦは、塗布面上でスキージ１０ｂによって引き延ばされ、塗布面とスキージ１０ｂとの間隔分の薄い平坦面状に成形される。平坦面上に成型されたフラックスＦは、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布（転写）される。
【0046】
〈フラックス検出カメラ〉
フラックス検出カメラ１１は、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像する部品撮像用のカメラである。フラックス検出カメラ１１は、基台２上に固定されており、電子部品Ｅの下方（Ｚ２方向）から、実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像するように構成されている。具体的には、フラックス検出カメラ１１は、フラックス用照明部１１ａと、フィルタ１１ｂと、フラックス用撮像部１１ｃとを含んでいる。なお、フラックス用照明部１１ａは、特許請求の範囲の「照明部」の一例である。また、フラックス用撮像部１１ｃは、特許請求の範囲の「撮像部」の一例である。
フラックス検出カメラ１１は、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像する部品撮像用のカメラである。フラックス検出カメラ１１は、基台２上に固定されており、電子部品Ｅの下方（Ｚ２方向）から、実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像するように構成されている。具体的には、フラックス検出カメラ１１は、フラックス用照明部１１ａと、フィルタ１１ｂと、フラックス用撮像部１１ｃとを含んでいる。なお、フラックス用照明部１１ａは、特許請求の範囲の「照明部」の一例である。また、フラックス用撮像部１１ｃは、特許請求の範囲の「撮像部」の一例である。
【0047】
フラックス用照明部１１ａは、フラックスＦの主成分により吸収される特定波長帯Ａを含む照射光を電子部品Ｅに照射するように構成されている。フラックス用照明部１１ａは、特定波長帯Ａを含む照射光として約２５００～約４０００［ｎｍ］の中赤外線を照射可能なハロゲンランプを有している。
【0048】
ここで、特定波長帯Ａは、図４に示すように、約２５００～約４０００［ｎｍ］の中赤外線の波長帯において、透過率（輝度値）が急激に下がっている約３０００～約３３００［ｎｍ］の波長帯である。約３０００～約３３００［ｎｍ］の波長帯の中赤外線は、フラックスＦの主成分であるロジンに吸収される。これにより、フラックス用照明部１１ａから照射され、電子部品Ｅにおいて照射光を反射した反射光の光量のうち、フラックスＦが塗布されたバンプ部では約３０００～約３３００［ｎｍ］の波長帯の中赤外線の光量が小さくなる。なお、ロジンに吸収される特定波長帯Ａは、少なくとも可視光の波長帯よりも長い波長を有する赤外線側の波長帯である。さらに、特定波長帯Ａは、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１により吸収されない光の波長帯である。つまり、特定波長帯Ａでは、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布されていない場合と、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布されている場合とで、電子部品Ｅにおいて照射光を反射した反射光の光量が異なる。
【0049】
フィルタ１１ｂは、図２に示すように、特定波長帯Ａの波長帯の光のみを透過するように構成されている。具体的には、フィルタ１１ｂは、約３０００～約３３００［ｎｍ］の波長帯の中赤外線を通すバンドパスフィルタである。つまり、フィルタ１１ｂは、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１のフラックスＦに吸収されずに反射した反射光のうち、約３０００～約３３００［ｎｍ］の波長帯の光を透過させる。
【0050】
フラックス用撮像部１１ｃは、実装ヘッド５２に保持されたバンプ部Ｅ１を有する電子部品Ｅにおいてフラックス用照明部１１ａからの照明光を反射した反射光における特定波長帯Ａの光を受光可能に構成されている。具体的には、フラックス用撮像部１１ｃは、特定波長帯Ａの光の信号を電気信号に変換可能な受光素子を有している。制御部１３は、フラックス用撮像部１１ｃによる電子部品Ｅの撮像画像（二次元画像）に基づいて、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の光量を取得（認識）するように構成されている。
【0051】
〈治具トレイ〉
治具トレイ１２は、図１に示すように、基台２のＹ２方向側における部品供給部３よりもＸ２方向側に配置されている。治具トレイ１２は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の照射光に対する反射特性（反射率）と略同じ反射特性を有するはんだペレット治具１２ａを収容するように構成されている。はんだペレット治具１２ａのＺ２方向側の面部（下面部）には、はんだが設けられている。治具トレイ１２では、ヘッドユニット５の部品保持動作によりはんだペレット治具１２ａが取り出される。なお、はんだペレット治具１２ａは、特許請求の範囲の「検査部材」の一例である。
治具トレイ１２は、図１に示すように、基台２のＹ２方向側における部品供給部３よりもＸ２方向側に配置されている。治具トレイ１２は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の照射光に対する反射特性（反射率）と略同じ反射特性を有するはんだペレット治具１２ａを収容するように構成されている。はんだペレット治具１２ａのＺ２方向側の面部（下面部）には、はんだが設けられている。治具トレイ１２では、ヘッドユニット５の部品保持動作によりはんだペレット治具１２ａが取り出される。なお、はんだペレット治具１２ａは、特許請求の範囲の「検査部材」の一例である。
【0052】
〈制御部〉
制御部１３は、図３に示すように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１３ａおよびメモリ１３ｂなどを含み、部品実装装置１の動作を制御する制御回路である。制御部１３は、基板搬送部４、ヘッドユニット５、支持部６、レール部７、部品認識カメラ８、基板認識カメラ９、フラックス検出カメラ１１、Ｘ軸モータ６ｂおよびＹ軸モータ７ｂに電気的に接続されている。
制御部１３は、図３に示すように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１３ａおよびメモリ１３ｂなどを含み、部品実装装置１の動作を制御する制御回路である。制御部１３は、基板搬送部４、ヘッドユニット５、支持部６、レール部７、部品認識カメラ８、基板認識カメラ９、フラックス検出カメラ１１、Ｘ軸モータ６ｂおよびＹ軸モータ７ｂに電気的に接続されている。
【0053】
メモリ１３ｂには、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１、または、はんだペレット治具１２ａに塗布されたフラックスＦの塗布状態を確認するための処理である検査処理に基づく検査プログラムＣ１が記憶されている。さらに、メモリ１３ｂには、バンプ部Ｅ１、または、はんだペレット治具１２ａに塗布されたフラックスＦの塗布状態を十分か否かを判断するために必要なしきい値Ｔ１が記憶されている。また、メモリ１３ｂには、上記したバンプ位置Ｅ２およびバンプ領域Ｅ３が記憶されている。また、メモリ１３ｂには、後述する許容波長値Ｍ、対象波長帯Ｗ、所定波長間隔Ｓ、第１部品画像Ｐ１および第２部品画像Ｐ２が記憶されている。制御部１３は、ヘッドユニット５、支持部６、レール部７およびフラックス検出カメラ１１を検査プログラムＣ１にしたがって制御することにより、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１、または、はんだペレット治具１２ａに塗布されたフラックスＦの検査を行うように構成されている。
【0054】
（検査プログラム）
図５に示すように、第１実施形態の制御部１３は、検査プログラムＣ１を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。すなわち、制御部１３は、第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）のうちフィルタ１１ｂを透過した特定波長帯Ａの光の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
図５に示すように、第１実施形態の制御部１３は、検査プログラムＣ１を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。すなわち、制御部１３は、第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）のうちフィルタ１１ｂを透過した特定波長帯Ａの光の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
【0055】
このように、制御部１３は、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る反射光の光量を利用して、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
【0056】
ここで、制御部１３は、照射状態において、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての反射光の光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される第１部品画像Ｐ１の第１輝度値Ｒ１として取得するように構成されている。具体的には、制御部１３は、フラックス用撮像部１１ｃにより撮像された電子部品Ｅの二次元画像としての第１部品画像Ｐ１に基づいて、バンプ部Ｅ１の光量を認識するように構成されている。制御部１３は、第１部品画像Ｐ１内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値を第１輝度値Ｒ１として取得するように構成されている。なお、第１部品画像Ｐ１内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の位置および領域は、それぞれ、上記したように、部品認識カメラ８による電子部品Ｅの撮像画像に基づいて取得されたバンプ位置Ｅ２およびバンプ領域Ｅ３である。
【0057】
また、図６に示すように、制御部１３は、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布する前の電子部品Ｅに照射光を照射した第２照射状態で、バンプ部Ｅ１から出る光としての反射光の光量を、フラックス用撮像部１１ｃにより電子部品Ｅを撮像させて取得する第２部品画像Ｐ２の第２輝度値Ｒ２として取得するように構成されている。具体的には、制御部１３は、フラックス用撮像部１１ｃにより撮像された電子部品Ｅの二次元画像としての第２部品画像Ｐ２に基づいて、バンプ部Ｅ１の光量を認識するように構成されている。制御部１３は、第２部品画像Ｐ２内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値を第２輝度値Ｒ２として取得するように構成されている。なお、第２部品画像Ｐ２内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の位置および領域は、それぞれ、上記したように、部品認識カメラ８による電子部品Ｅの撮像画像に基づいて取得されたバンプ位置Ｅ２およびバンプ領域Ｅ３である。
【0058】
図７および図８に示すように、制御部１３は、第１輝度値Ｒ１および第２輝度値Ｒ２と、しきい値Ｔ１との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を取得するように構成されている。なお、しきい値Ｔ１は、特許請求の範囲の「第２しきい値」の一例である。
【0059】
具体的には、制御部１３は、第２輝度値Ｒ２から第１輝度値Ｒ１を引いた差分輝度値Ｄと、しきい値Ｔ１との比較に基づいて、差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１よりも大きい場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が十分と判断し、差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１以下の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が無しまたは不十分と判断するように構成されている。つまり、制御部１３は、特定波長帯Ａにおける差分輝度値Ｄとしきい値Ｔ１との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
【0060】
ここで、差分輝度値Ｄは、特定波長帯Ａの第２輝度値Ｒ２と特定波長帯Ａの第１輝度値Ｒ１との差分の値である。また、特定波長帯Ａは、後に詳細に説明するが、特定波長帯Ａを含む波長帯の複数波長において、フラックスＦを塗布する前のはんだペレット治具１２ａの輝度値とフラックスＦを塗布した後のはんだペレット治具１２ａの輝度値との差分の最大値に対応する波長に許容範囲を設定することにより求められる波長帯である。なお、許容範囲は、オペレータによりあらかじめ設定される許容波長値Ｍをピーク波長Ｋに加算および減算することにより設定される。また、しきい値Ｔ１は、特定波長帯Ａにおける第１平均輝度値と第２平均輝度値との差分の平均と、特定波長帯Ａ以外の波長帯における第１平均輝度値と第２平均輝度値との差分との平均との中間輝度値である。
【0061】
制御部１３は、図７に示すように、特定波長帯Ａにおいて、差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１よりも大きい場合、バンプ上のフラックスＦの塗布状態が良であると判断し、電子部品Ｅを基板Ｂに実装するように構成されている。制御部１３は、図８に示すように、特定波長帯Ａにおいて、差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１以下の場合、バンプ上のフラックスＦの塗布状態が不良であると判断し、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に再度フラックスＦを塗布するまたは電子部品Ｅを廃棄するように構成されている。
【0062】
また、制御部１３は、図９および図１０に示すように、特定波長帯Ａを含むとともに特定波長帯Ａより広範囲の波長帯（対象波長帯Ｗ）において所定波長間隔Ｓごとに取得される複数の検査画像の各々の第３輝度値Ｒ３および第４輝度値Ｒ４に基づいて、しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々を校正するように構成されている。なお、複数の検査画像は、特許請求の範囲の「複数の撮像画像」の一例である。
【0063】
ここで、対象波長帯Ｗは、オペレータにより任意に設定可能であり、たとえば、実験的に得られたフラックスＦの吸収スペクトル（約３３００～約３５００［ｎｍ］）に合わせて設定される。所定波長間隔Ｓは、オペレータにより任意に設定可能であり、たとえば、約１００［ｎｍ］に設定される。しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々の校正は、オペレータにより、フラックスステーション１０に貯留されているフラックスＦの種類を変更する場合に行われる。なお、制御部１３は、オペレータによるフラックスＦの種類の変更を、オペレータからの操作に基づいて認識するように構成されている。
【0064】
具体的には、制御部１３は、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに、フラックス用照明部１１ａから照射光を照射するとともにフラックス用撮像部１１ｃによりはんだペレット治具１２ａを撮像することにより取得される複数の検査画像の各々の第３輝度値Ｒ３および第４輝度値Ｒ４に基づいて、しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々を校正するように構成されている。
【0065】
すなわち、図１１（Ａ）に示すように、制御部１３は、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに、フラックス用照明部１１ａおよびフラックス用撮像部１１ｃにより、フラックスＦを塗布する前のはんだペレット治具１２ａの検査画像を取得するように構成されている。制御部１３は、検査画像内の中心部に対応する複数の画素の輝度値の平均を第４輝度値Ｒ４として取得するように構成されている。
【0066】
また、図１１（Ｂ）に示すように、制御部１３は、フラックスＦを塗布する前のはんだペレット治具１２ａの第４輝度値Ｒ４を取得した後、はんだペレット治具１２ａにフラックスステーション１０に貯留されたフラックスＦを塗布するように構成されている。
【0067】
また、図１１（Ｃ）に示すように、制御部１３は、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに、フラックス用照明部１１ａおよびフラックス用撮像部１１ｃにより、フラックスＦを塗布した後のはんだペレット治具１２ａの検査画像を取得するように構成されている。制御部１３は、検査画像内の中心部に対応する複数の画素の輝度値の平均を第３輝度値Ｒ３として取得するように構成されている。
【0068】
制御部１３は、図９および図１０に示すように、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに、フラックスＦを塗布する前のはんだペレット治具１２ａの第４輝度値Ｒ４とフラックスＦを塗布した後のはんだペレット治具１２ａの第３輝度値Ｒ３との差分を取得するように構成されている。制御部１３は、複数の上記差分のうちの最大値に対応するピーク波長Ｋを取得するように構成されている。制御部１３は、許容波長値Ｍをピーク波長Ｋに加算および減算することにより新たな特定波長帯Ａを取得するように構成されている。
【0069】
制御部１３は、新たな特定波長帯Ａの複数波長において、フラックスＦを塗布する前のはんだペレット治具１２ａの第４輝度値Ｒ４とフラックスＦを塗布した後のはんだペレット治具１２ａの第３輝度値Ｒ３との差分である第１検査輝度値を取得するように構成されている。制御部１３は、対象波長帯Ｗの新たな特定波長帯Ａ以外の波長帯の複数波長において、フラックスＦを塗布する前のはんだペレット治具１２ａの第４輝度値Ｒ４とフラックスＦを塗布した後のはんだペレット治具１２ａの第３輝度値Ｒ３との差分である第２検査輝度値を取得するように構成されている。制御部１３は、第１検査輝度値と第２検査輝度値との中間輝度値を新たなしきい値Ｔ１として取得するように構成されている。
【0070】
制御部１３は、オペレータの操作に基づいて、メモリ１３ｂに記憶された特定波長帯Ａおよびしきい値Ｔ１を、このようにして求められた新たな特定波長帯Ａおよび新たなしきい値Ｔ１に更新するように構成されている。
【0071】
（検査処理）
以下に、検査処理について図１２～図１９を参照して説明する。検査処理は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を確認する処理である。なお、検査処理は、特許請求の範囲の「液材塗布状態検査方法」の一例である。
以下に、検査処理について図１２～図１９を参照して説明する。検査処理は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を確認する処理である。なお、検査処理は、特許請求の範囲の「液材塗布状態検査方法」の一例である。
【0072】
まず、ステップＳ１～ステップＳ４は、制御部１３が、特定波長帯Ａおよびしきい値Ｔ１を校正するためのステップである。
【0073】
ステップＳ１において、制御部１３では、オペレータからの校正の操作があったか否かが判断される。オペレータからの校正の操作があった場合にはステップＳ２に進み、オペレータからの校正の操作がない場合にはステップＳ５に進む。
【0074】
ステップＳ２において、制御部１３では、はんだペレット治具１２ａ（以下、治具１２ａ）のフラックスＦ塗布前の平均輝度値が取得される。ここで、はんだペレット治具１２ａは、電子部品Ｅとは異なり、バンプ部Ｅ１が形成されていない、下面が平坦な冶具である。すなわち、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａおよびフラックス用撮像部１１ｃにより、フラックスＦ塗布前の治具１２ａの第４輝度値Ｒ４（平均輝度値）が取得される。ステップＳ３において、制御部１３では、治具１２ａのフラックスＦ塗布後の平均輝度値が取得される。すなわち、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａおよびフラックス用撮像部１１ｃにより、フラックスＦ塗布後の治具１２ａの第３輝度値Ｒ３（平均輝度値）が取得される。
【0075】
ステップＳ４において、制御部１３では、フラックスＦ塗布前の治具１２ａの平均輝度値およびフラックスＦ塗布後の治具１２ａの平均輝度値に基づいて、特定波長帯Ａおよびしきい値Ｔ１が取得される。すなわち、制御部１３では、メモリ１３ｂに記憶された特定波長帯Ａおよびしきい値Ｔ１が、それぞれ、新たな特定波長帯Ａおよび新たなしきい値Ｔ１に校正される。
【0076】
また、ステップＳ５～ステップＳ８は、制御部１３が、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を確認するためのステップである。
【0077】
ステップＳ５において、制御部１３では、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の位置（バンプ位置Ｅ２）および領域（バンプ領域Ｅ３）が取得される。すなわち、制御部１３では、電子部品Ｅの種類に基づいて、バンプ位置Ｅ２およびバンプ領域Ｅ３を含む部品データが取得される。なお、部品データは、バンプ位置Ｅ２およびバンプ領域Ｅ３だけでなく、電子部品Ｅの寸法および形状なども含んでいる。
【0078】
ステップＳ６において、制御部１３では、フラックスＦ塗布前における電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値が取得される。すなわち、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａおよびフラックス用撮像部１１ｃにより、フラックスＦ塗布前の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の第２輝度値Ｒ２（平均輝度値）が取得される。ステップＳ７において、制御部１３では、電子部品ＥのフラックスＦ塗布後における電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値が取得される。すなわち、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａおよびフラックス用撮像部１１ｃにより、フラックスＦ塗布後の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の第１輝度値Ｒ１（平均輝度値）が取得される。
【0079】
ステップＳ８において、制御部１３では、フラックスＦ塗布前の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値（第２輝度値Ｒ２）およびフラックスＦ塗布後の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値（第１輝度値Ｒ１）に基づいて、フラックスＦの塗布状態が確認される。
【0080】
次に、ステップＳ２～ステップＳ８の各々の詳細な処理について説明する
【0081】
図１３に示すように、ステップＳ２において、治具１２ａに対して、フラックスＦ塗布前の平均輝度値（第４輝度値Ｒ４）を取得する詳細な処理が行われる。
【0082】
ステップＳ１１において、制御部１３では、実装ヘッド５２（以下、ヘッド５２）が治具収容位置へ移動される。すなわち、制御部１３では、治具トレイ１２における治具１２ａの治具収容位置までヘッド５２が移動される。ステップＳ１２において、制御部１３では、ヘッド５２が治具上面部まで下降される。ステップＳ１３において、制御部１３では、ヘッド５２に治具１２ａが吸着される。ステップＳ１４において、制御部１３では、吸着保持された治具１２ａがフラックス用撮像部１１ｃの上方位置（Ｚ１方向の位置）に移動される。
【0083】
ステップＳ１５において、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａにより複数の波長帯のうちの任意の波長帯の光（照射光）が治具下面部に照射される。なお、複数の波長帯は、特定波長帯Ａを含んでいる。ステップＳ１６において、制御部１３では、フラックス用撮像部１１ｃにより治具下面部が撮像される。すなわち、制御部１３では、フラックス用撮像部１１ｃにより上記した検査画像（以下、治具画像）が撮像される。ステップＳ１７において、制御部１３では、撮像した治具画像における予め設定されている位置、例えば治具中心部分に対応する位置の塗布前平均輝度値（第４輝度値Ｒ４）が取得される。すなわち、制御部１３では、治具画像内の例えば中心部分に対応する複数の画素の輝度値の平均が転写前平均輝度値として取得される。ステップＳ１８において、制御部１３では、波長に関連付けて転写前平均輝度値が記憶される。
【0084】
ここで、予め設定されている位置とは、第４輝度値Ｒ４を取得するために、治具画像内の全ての画素のうち、オペレータにより検出するよう設定された複数の画素の位置を示す。予め設定されている位置は、治具画像内における治具中心部分に対応する位置である例を示したが、治具画像内における治具中心部分以外の位置であってもよい。
【0085】
ステップＳ１９において、制御部１３では、全ての塗布前平均輝度値の取得が完了したか否かが判断される。すなわち、制御部１３では、オペレータによりあらかじめ設定された所定波長間隔Ｓごとの塗布前平均輝度値の取得が完了したか否かが判断される。塗布前平均輝度値の取得が完了していない場合には、ステップＳ１５に戻る。また、塗布前平均輝度値の取得が完了した場合には、フラックスＦ塗布前の平均輝度値（塗布前平均輝度値）を取得する処理を終了し、ステップＳ３の詳細な処理に進む。
【0086】
図１４に示すように、ステップＳ３において、治具１２ａに対して、フラックスＦ塗布後の平均輝度値（第３輝度値Ｒ３）を取得する詳細な処理が行われる。
【0087】
ステップＳ２１において、制御部１３では、ヘッド５２がフラックスステーション１０へ移動される。ステップＳ２２において、制御部１３では、ヘッド５２に保持された治具１２ａがフラックス液面まで下降される。ステップＳ２３において、制御部１３では、治具下面部にフラックスＦが塗布（転写）される。ステップＳ２４において、制御部１３では、ヘッド５２に吸着保持された治具１２ａがフラックス用撮像部１１ｃの上方位置（Ｚ１方向の位置）に移動される。
【0088】
ステップＳ２５において、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａにより複数の波長帯のうちの任意の波長帯の光（照射光）が治具下面部に照射される。なお、複数の波長帯は、特定波長帯Ａを含んでいる。ステップＳ２６において、制御部１３では、フラックス用撮像部１１ｃにより治具下面部が撮像される。すなわち、制御部１３では、フラックス用撮像部１１ｃにより上記した検査画像（以下、治具画像）が撮像される。ステップＳ２７において、制御部１３では、撮像した治具画像における予め設定されている位置、例えば治具中心部分に対応する位置の転写後平均輝度値（第３輝度値Ｒ３）が取得される。すなわち、制御部１３では、治具画像内の例えば中心部分に対応する複数の画素の輝度値の平均が転写後平均輝度値として取得される。ステップＳ２８において、制御部１３では、波長に関連付けて転写後平均輝度値が記憶される。
【0089】
ステップＳ２９において、制御部１３では、全ての塗布後平均輝度値の取得が完了したか否かが判断される。すなわち、制御部１３では、オペレータによりあらかじめ設定された所定波長間隔Ｓごとの塗布後平均輝度値の取得が完了したか否かが判断される。塗布後平均輝度値の取得が完了していない場合には、ステップＳ２５に戻る。また、塗布後平均輝度値の取得が完了した場合には、フラックスＦ塗布後の平均輝度値（塗布後平均輝度値）を取得する処理を終了し、ステップＳ４の詳細な処理に進む。
【0090】
図１５に示すように、ステップＳ４において、特定波長帯Ａおよびしきい値Ｔ１を取得する詳細な処理が行われる。
【0091】
ステップＳ３１において、制御部１３では、複数の波長帯の任意の波長帯に関連付けられた転写前平均輝度値から転写後平均輝度値を減算して差分輝度値が取得される。ステップＳ３２において、制御部１３では、任意の波長帯の全てにおいて差分輝度値が取得されたか否かが判断される。差分輝度値の取得が完了していない場合には、ステップＳ３１に戻る。また、差分輝度値の取得が完了した場合には、ステップＳ３３に進む。
【0092】
ステップＳ３３において、制御部１３では、複数の差分輝度値のうちの最大値に対応する波長がピーク波長Ｋとして取得される。ステップＳ３４において、制御部１３では、ピーク波長Ｋおよび予め設定された許容波長値Ｍに基づいてフラックスＦの塗布状態の確認を行うための新たな特定波長帯Ａが取得される。すなわち、制御部１３では、ピーク波長Ｋに対して許容波長値Ｍを減算した値を下限値とし、ピーク波長Ｋに対して許容波長値Ｍを加算した値を上限値とすることにより、新たな特定波長帯Ａが取得される。
【0093】
ステップＳ３５において、制御部１３では、新たな特定波長帯Ａの差分輝度値の第１平均値および複数の波長帯における新たな特定波長帯Ａ以外の波長帯の差分輝度値の第２平均値が取得される。なお、第１平均値は、新たな特定波長帯Ａにおいて所定波長間隔Ｓごとに取得された差分輝度値の平均値である。また、第２平均値は、複数の波長帯における新たな特定波長帯Ａ以外の波長帯において所定波長間隔Ｓごとに取得された差分輝度値の平均値である。
【0094】
ステップＳ３６において、制御部１３では、第１平均値と第２平均値との中間輝度値が新たなしきい値Ｔ１として取得された後、特定波長帯Ａおよびしきい値Ｔ１を取得する処理を終了し、ステップＳ５の詳細な処理に進む。
【0095】
図１６に示すように、ステップＳ５において、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の位置（バンプ位置Ｅ２）および領域（バンプ領域Ｅ３）を取得する詳細な処理が行われる。
【0096】
ステップＳ４１において、制御部１３では、ヘッド５２が部品収容位置へ移動される。すなわち、制御部１３では、部品供給トレイ３ａにおける電子部品Ｅの部品収容位置までヘッド５２が移動される。ステップＳ４２において、制御部１３では、ヘッド５２が電子部品Ｅ上面部まで下降される。ステップＳ４３において、制御部１３では、ヘッド５２に電子部品Ｅが吸着される。ステップＳ４４において、制御部１３では、ヘッド５２に吸着保持された電子部品Ｅが部品用撮像部８ｂの上方位置（Ｚ１方向の位置）に移動される。
【0097】
ステップＳ４５において、制御部１３では、部品用照明部８ａにより光（照射光）が電子部品Ｅに照射される。ステップＳ４６において、制御部１３では、部品用撮像部８ｂにより電子部品Ｅが撮像される。すなわち、ステップＳ４７において、制御部１３では、撮像した部品画像に関連付けられた部品データに基づいて、電子部品Ｅの複数のバンプ部Ｅ１の位置および領域が取得される。ステップＳ４７の処理が完了した場合には、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の位置（バンプ位置Ｅ２）および領域（バンプ領域Ｅ３）を取得する処理を終了し、ステップＳ６の詳細な処理に進む。
【0098】
図１７に示すように、ステップＳ６において、フラックスＦ塗布前における電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値（第２輝度値Ｒ２）を取得する詳細な処理が行われている。
【0099】
ステップＳ５１において、制御部１３では、ヘッド５２に吸着保持された電子部品Ｅがフラックス用撮像部１１ｃの上方位置（Ｚ１方向の位置）に移動される。
【0100】
ステップＳ５２において、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａにより特定波長帯Ａを含む複数の波長帯の光（照射光）が電子部品Ｅに照射される。ここで、電子部品Ｅにおいて反射した反射光をフラックス検出カメラ１１のフィルタ１１ｂに通過させるので、フラックス用撮像部１１ｃには、特定波長帯Ａの光のみが受光される。ステップＳ５３において、制御部１３では、フラックス用撮像部１１ｃにより電子部品Ｅが撮像され、特定波長帯Ａのうちの任意の波長帯の部品画像（第２部品画像Ｐ２）が取得される。ここで、特定波長帯Ａの任意の波長帯は、特定波長帯Ａに含まれ、特定波長帯Ａよりも波長帯の範囲が狭い。
【0101】
ステップＳ５４において、制御部１３では、取得した部品画像中のバンプ部Ｅ１の位置に対応するバンプ部Ｅ１の領域中の転写前平均輝度値が取得される。すなわち、制御部１３では、部品画像内のバンプ部Ｅ１の領域に対応する複数の画素の輝度値の平均が転写前平均輝度値として取得される。ステップＳ５５において、制御部１３では、波長に関連付けて転写前平均輝度値が記憶される。
【0102】
ステップＳ５６において、制御部１３では、特定波長帯Ａの各波長帯の塗布前平均輝度値が取得されたか否かが判断される。塗布前平均輝度値の取得が完了していない場合には、ステップＳ５３に戻る。また、塗布前平均輝度値の取得が完了した場合には、フラックスＦ塗布前における電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値（第２輝度値Ｒ２）を取得する処理を終了し、ステップＳ７の詳細な処理に進む。
【0103】
図１８に示すように、ステップＳ７において、フラックスＦ転写後における電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値（第１輝度値Ｒ１）を取得する詳細な処理が行われる。
【0104】
ステップＳ６１において、制御部１３では、ヘッド５２がフラックスステーション１０へ移動される。ステップＳ６２において、制御部１３では、ヘッド５２に保持された電子部品Ｅがフラックス液面まで下降される。ステップＳ６３において、制御部１３では、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布（転写）される。ステップＳ６４において、制御部１３では、ヘッド５２に吸着保持された電子部品Ｅがフラックス用撮像部１１ｃの上方位置（Ｚ１方向の位置）に移動される。
【0105】
ステップＳ６５において、制御部１３では、フラックス用照明部１１ａにより特定波長帯Ａを含む複数の波長帯の光（照射光）が電子部品Ｅに照射される。ステップＳ６６において、制御部１３では、フラックス用撮像部１１ｃにより電子部品Ｅが撮像され、特定波長帯Ａのうちの任意の波長帯の部品画像（第１部品画像Ｐ１）が取得される。
【0106】
ステップＳ６７において、制御部１３では、撮像した部品画像中のバンプ部Ｅ１の位置に対応するバンプ部Ｅ１の領域中の転写後平均輝度値（第１輝度値Ｒ１）が取得される。すなわち、制御部１３では、部品画像内のバンプ部Ｅ１の領域に対応する複数の画素の輝度値の平均が転写後平均輝度値として取得される。ステップＳ６８において、制御部１３では、波長帯に関連付けて転写後平均輝度値が記憶される。
【0107】
ステップＳ６９において、制御部１３では、特定波長帯Ａの各波長帯の塗布後平均輝度値が取得されたか否かが判断される。塗布後平均輝度値の取得が完了していない場合には、ステップＳ６６に戻る。また、塗布後平均輝度値の取得が完了した場合には、フラックスＦ塗布後における電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の平均輝度値（第１輝度値Ｒ１）を取得する処理を終了し、ステップＳ８の詳細な処理に進む。
【0108】
図１９に示すように、ステップＳ８において、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対するフラックスＦの塗布状態の確認の詳細な処理が行われる。
【0109】
ステップＳ７１において、制御部１３では、部品データに基づいて、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の総数が取得される。ステップＳ７２において、制御部１３では、バンプ数カウンタが１に設定される。ステップＳ７３において、制御部１３では、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の総数よりもバンプ数カウンタが大きいか否かが判断される。バンプ数カウンタが大きい場合には、ステップＳ７８に進み、フラックスＦの塗布状態が良と判断されて、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対するフラックスＦの塗布状態の確認の処理を終了し、検査処理も終了する。バンプ数カウンタが小さい場合には、ステップＳ７４に進む。
【0110】
ステップＳ７４において、制御部１３では、特定波長帯Ａの任意の波長帯の部品画像におけるバンプ部Ｅ１の領域の塗布前平均輝度値から塗布後平均輝度値を減算した差分輝度値Ｄが取得される。ステップＳ７５において、制御部１３では、差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１よりも大きいか否かが判断される。差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１よりも大きい場合には、ステップＳ７６に進み、バンプ数カウンタに１を加算したバンプ数カウンタが設定されて、ステップＳ７３に戻る。差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１以下の場合には、ステップＳ７７に進み、フラックスＦの塗布状態が不良と判断されて、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対するフラックスＦの塗布状態の確認の処理を終了し、検査処理も終了する。
【0111】
（第１実施形態の効果）
第１実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
第１実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
【0112】
第１実施形態では、上記のように、部品実装装置１に、フラックスＦの主成分により吸収される特定波長帯Ａを含む照射光を電子部品Ｅに照射するフラックス用照明部１１ａを設ける。また、部品実装装置１に、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断する制御を行う制御部１３を設ける。これにより、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスの主成分（ロジン）に照射光を吸収させることにより、フラックスＦから反射されて出射される場合、反射光の光量を確実に減少させることができるので、着色料または蛍光剤をフラックスＦに添加することなく、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認を容易に行うことができる。また、着色料または蛍光剤を新たにフラックスＦに添加せずとも、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態の判定を行うことができるので、電子部品Ｅの接合不良の発生を抑制することができる。この結果、部品実装装置１における電子部品Ｅの実装品質を向上させることができる。
【0113】
また、第１実施形態では、上記のように、部品実装装置１に、実装ヘッド５２に保持されたバンプ部Ｅ１を有する電子部品Ｅにおいてフラックス用照明部１１ａからの照射光を反射した反射光における特定波長帯Ａの光を受光可能なフラックス用撮像部１１ｃを設ける。制御部１３では、第１照射状態において、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての反射光の光量を、部品をフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される第１部品画像Ｐ１の第１輝度値Ｒ１として取得する。これにより、フラックスＦから出る光の光量が減少した分に合わせて、第１部品画像Ｐ１の第１輝度値Ｒ１も減少するので、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。
【0114】
また、第１実施形態では、上記のように、制御部１３では、第１部品画像Ｐ１における反射光の第１輝度値Ｒ１に関する値としきい値Ｔ１との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断する。これにより、しきい値Ｔ１との比較によりフラックスＦの塗布状態を判断することによって、フラックスＦの量を判断する方法を容易化することができるので、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認を容易に行うことができる。
【0115】
また、第１実施形態では、上記のように、制御部１３では、第１輝度値Ｒ１としきい値Ｔ１との比較、および第２輝度値Ｒ２としきい値Ｔ１とのに基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断する。これにより、フラックスＦにより照射光が吸収された状態の第１輝度値Ｒ１だけでなく、フラックスＦにより照射光が吸収されていない状態の第２輝度値Ｒ２を用いてフラックスＦの塗布量の判断を行うことにより、バンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布された状態を明確に制御部１３が認識することができる。この結果、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態をより正確に判断することができる。
【0116】
また、第１実施形態では、上記のように、制御部１３では、第２輝度値Ｒ２から第１輝度値Ｒ１を引いた差分輝度値Ｄと、しきい値Ｔ１との比較に基づいて、差分輝度値Ｄがしきい値Ｔ１以上の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量を十分と判断する。また、制御部１３では、差分輝度値Ｄが第２しきい値Ｔ１未満の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦを無しまたは不十分と判断する。これにより、バンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布された状態では差分輝度値Ｄが大きくなるので、バンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布された状態をより明確に制御部１３が認識することができる。この結果、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態をより正確に判断することができる。
【0117】
また、第１実施形態では、上記のように、制御部１３では、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに取得される複数の検査画像の各々の第３輝度値Ｒ３に基づいて、しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々を校正する。これにより、電子部品Ｅに塗布されるフラックスＦの種類が変わった場合でも、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を正確に判断することができるので、フラックスＦの種類によらず制御部１３によるフラックスＦの塗布状態の判断の正確性を確保することができる。
【0118】
また、第１実施形態では、上記のように、部品実装装置１に、はんだペレット治具１２ａを設ける。制御部１３では、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに、取得される複数の検査画像の各々の第３輝度値Ｒ３に基づいて、しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々を校正する。これにより、電子部品Ｅを用いてしきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々の校正を行う場合と異なり、検査のために作成された検査部材であるはんだペレット治具１２ａを用いることにより、フラックスステーション１０においてフラックスＦをはんだペレット治具１２ａに確実に塗布することができるので、しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々の校正を確実に行うことができる。
【0119】
また、第１実施形態では、上記のように、部品実装装置１に、特定波長帯Ａの光のみを透過するフィルタ１１ｂを設ける。制御部１３では、第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光のうちフィルタ１１ｂを透過した特定波長帯Ａの光の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断する。これにより、他の波長帯の光を確実に分離させることにより、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するために不必要な情報を減少させることができるので、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認をより適切に行うことができる。
【0120】
［第２実施形態］
次に、図１～図３および図２０～図２２を参照して、本発明の第２実施形態による部品実装装置２０１の構成について説明する。第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、制御部２１３が、第１実施形態の第２輝度値Ｒ２を用いずに、輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較に基づいてバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている例について説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成に関しては、同じ符号を付して説明を省略する。
次に、図１～図３および図２０～図２２を参照して、本発明の第２実施形態による部品実装装置２０１の構成について説明する。第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、制御部２１３が、第１実施形態の第２輝度値Ｒ２を用いずに、輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較に基づいてバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている例について説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成に関しては、同じ符号を付して説明を省略する。
【0121】
（検査処理）
図２０に示すように、制御部２１３は、検査プログラムＣ２（図３参照）を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。なお、照射状態は、特許請求の範囲の「第１照射状態」の一例である。
図２０に示すように、制御部２１３は、検査プログラムＣ２（図３参照）を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。なお、照射状態は、特許請求の範囲の「第１照射状態」の一例である。
【0122】
ここで、制御部２１３は、照射状態において、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての反射光の光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される部品画像Ｐ１の輝度値Ｒ１として取得するように構成されている。具体的には、制御部２１３は、部品画像Ｐ１内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素に含まれる輝度値Ｒ１を取得するように構成されている。なお、部品画像Ｐ１は、特許請求の範囲の「第１部品画像」の一例である。また、輝度値Ｒ１は、特許請求の範囲の「第１輝度値」の一例である。
【0123】
図２１および図２２に示すように、第２実施形態の制御部２１３は、部品画像Ｐ１における反射光の輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。なお、しきい値Ｔ２は、特許請求の範囲の「第１しきい値」の一例である。
【0124】
具体的には、制御部２１３は、輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較に基づいて、輝度値Ｒ１がしきい値Ｔ２未満の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が十分と判断し、輝度値Ｒ１がしきい値Ｔ２以上の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が無しまたは量が不十分と判断するように構成されている。つまり、制御部２１３は、特定波長帯Ａにおける輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
【0125】
制御部２１３は、特定波長帯Ａにおいて、輝度値Ｒ１がしきい値Ｔ２未満の場合、バンプ上のフラックスＦの塗布状態が良である判断し、電子部品Ｅを基板Ｂに実装するように構成されている。制御部２１３は、特定波長帯Ａにおいて、輝度値Ｒ１がしきい値Ｔ２以上の場合、バンプ上のフラックスＦの塗布状態が不良であると判断し、電子部品Ｅを廃棄するように構成されている。なお、第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
【0126】
（第２実施形態の効果）
第２実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
第２実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
【0127】
第２実施形態では、上記のように、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの主成分に照射光を吸収させることにより、フラックスＦから出る反射光の光量を確実に減少させることができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認を容易に行うことができる。
【0128】
また、第２実施形態では、上記のように、制御部２１３では、輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較に基づいて、輝度値Ｒ１がしきい値Ｔ２以下の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が十分と判断し、輝度値Ｒ１がしきい値Ｔ２よりも大きい場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦが無しまたは量が不十分と判断する。これにより、輝度値Ｒ１としきい値Ｔ２との比較だけでバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量を判断することにより、フラックスＦの量を判断する方法を容易化することができるので、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認をより容易に行うことができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【0129】
［第３実施形態］
次に、図２３および図２４を参照して、本発明の第３実施形態による部品実装装置３０１の構成について説明する。第３実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、制御部３１３が、複数の吸収スペクトル（吸収波長）を有するフラックスＦを用いる場合、複数の吸収スペクトルのそれぞれの輝度値を加算した合算値Ｖとしきい値Ｔ３との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている例について説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同様の構成に関しては、同じ符号を付して説明を省略する。
次に、図２３および図２４を参照して、本発明の第３実施形態による部品実装装置３０１の構成について説明する。第３実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、制御部３１３が、複数の吸収スペクトル（吸収波長）を有するフラックスＦを用いる場合、複数の吸収スペクトルのそれぞれの輝度値を加算した合算値Ｖとしきい値Ｔ３との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている例について説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同様の構成に関しては、同じ符号を付して説明を省略する。
【0130】
（検査プログラム）
図２３に示すように、制御部３１３は、検査プログラムＣ３（図３参照）を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
図２３に示すように、制御部３１３は、検査プログラムＣ３（図３参照）を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに照射光を照射した第１照射状態で、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから出る光（反射光）の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。
【0131】
ここで、フラックスＦは、複数の特定波長帯Ａを有している。フラックスＦは、約２０００～約４０００［ｎｍ］の中赤外線の波長帯において、約２９００～約３０００［ｎｍ］の波長帯で輝度値（透過率）が急激に下がっている。このように、約２９００～約３０００［ｎｍ］の波長帯は、特定波長帯Ａ（第１特定波長帯Ａ１）である。また、フラックスＦは、約２０００～約４０００［ｎｍ］の中赤外線の波長帯において、約３３００～約３５００［ｎｍ］の波長帯で輝度値（透過率）が急激に下がっている。このように、約３３００～約３５００［ｎｍ］の波長帯は、特定波長帯Ａ（第２特定波長帯Ａ２）である。なお、特定波長帯Ａ、第１特定波長帯Ａ１および第２特定波長帯Ａ２は、各々、特許請求の範囲の「第１特定波長帯」の一例である。
【0132】
第１特定波長帯Ａ１および第２特定波長帯Ａ２の各々の中赤外線は、フラックスＦの主成分であるロジンに吸収される。なお、第１特定波長帯Ａ１および第２特定波長帯Ａ２の各々の中赤外線は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１により吸収されない。つまり、第１特定波長帯Ａ１および第２特定波長帯Ａ２の各々では、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布されていない場合と、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布されている場合とで、電子部品Ｅにおいて照射光を反射した反射光の光量が異なる。
【0133】
制御部３１３は、第１照射状態において、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての反射光の第１特定波長帯Ａ１における光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される第１部品画像Ｐ１の第１輝度値Ｒ１１として取得するように構成されている。具体的には、制御部３１３は、第１部品画像Ｐ１内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値を第１輝度値Ｒ１１として取得するように構成されている。
【0134】
制御部３１３は、第１照射状態において、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての反射光の第２特定波長帯Ａ２における光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される第２部品画像Ｐ２の第２輝度値Ｒ１２として取得するように構成されている。具体的には、制御部３１３は、第２部品画像Ｐ２内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値を第２輝度値Ｒ１２として取得するように構成されている。なお、第２部品画像Ｐ２は、特許請求の範囲の「第１部品画像」の一例である。
【0135】
また、制御部３１３は、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布する前の電子部品Ｅに照射光を照射した第２照射状態で、バンプ部Ｅ１から出る光としての反射光の光量を取得するように構成されている。
【0136】
制御部３１３は、第２照射状態において、電子部品Ｅから出る光としての反射光の第１特定波長帯Ａ１における光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される第３部品画像の第３輝度値Ｒ２１として取得するように構成されている。具体的には、制御部３１３は、第３部品画像内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値を第３輝度値Ｒ２１として取得するように構成されている。なお、第３部品画像は、特許請求の範囲の「第２部品画像」の一例である。また、第３輝度値Ｒ２１は、特許請求の範囲の「第２輝度値」の一例である。
【0137】
制御部３１３は、第２照射状態において、電子部品Ｅから出る光としての反射光の第２特定波長帯Ａ２における光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部１１ｃにより撮像して取得される第４部品画像の第４輝度値Ｒ２２として取得するように構成されている。具体的には、制御部３１３は、第４部品画像内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値を第４輝度値Ｒ２２として取得するように構成されている。なお、第４部品画像は、特許請求の範囲の「第２部品画像」の一例である。また、第４輝度値Ｒ２２は、特許請求の範囲の「第２輝度値」の一例である。
【0138】
図２４に示すように、制御部３１３は、第１特定波長帯Ａ１および第２特定波長帯Ａ２を有するフラックスＦの場合、第１特定波長帯Ａ１における第３輝度値Ｒ２１と第１輝度値Ｒ１１との差分および第２特定波長帯Ａ２における第４輝度値Ｒ２２と第２輝度値Ｒ１２との差分の合算値Ｖを取得するように構成されている。
【0139】
制御部３１３は、図２３に示すように、合算値Ｖと、しきい値Ｔ３との比較に基づいて、合算値Ｖがしきい値Ｔ３よりも大きい場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が十分と判断し、合算値Ｖがしきい値Ｔ３以下の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦが無しまたは不十分と判断するように構成されている。つまり、制御部３１３は、合算値Ｖとしきい値Ｔ３との比較に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。なお、しきい値Ｔ３は、特許請求の範囲の「第３しきい値」の一例である。また、第３実施形態のその他の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
【0140】
（第３実施形態の効果）
第３実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
第３実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
【0141】
第３実施形態では、上記のように、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスに照射光を吸収させることにより、フラックスＦから出る反射光の光量を確実に減少させることができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認を容易に行うことができる。
【0142】
また、第３実施形態では、上記のように、制御部３１３では、第１特定波長帯Ａ１および第２特定波長帯Ａ２を有するフラックスＦの場合、合算値Ｖとしきい値Ｔ３との比較に基づいて、合算値Ｖがしきい値Ｔ３以上の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量を十分と判断する。また、制御部３１３は、合算値Ｖがしきい値Ｔ３未満の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦを無しまたは不十分と判断する。これにより、合算値Ｖを用いることにより、バンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布されていない状態の輝度値との差異をより明確化することができるので、より正確に判断することができ、また、バンプ部Ｅ１にフラックスＦが塗布された状態を安定して制御部３１３が認識することができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【0143】
［第４実施形態］
次に、図１、図３および図２５～図３１を参照して、本発明の第４実施形態による部品実装装置４０１の構成について説明する。第４実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、制御部４１３が、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから発せられる蛍光に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている例について説明する。なお、第４実施形態において、第１実施形態と同様の構成に関しては、同じ符号を付して説明を省略する。
次に、図１、図３および図２５～図３１を参照して、本発明の第４実施形態による部品実装装置４０１の構成について説明する。第４実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、制御部４１３が、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦから発せられる蛍光に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている例について説明する。なお、第４実施形態において、第１実施形態と同様の構成に関しては、同じ符号を付して説明を省略する。
【0144】
ここで、フラックスＦの主成分であるロジンは、第１特定波長帯Ａ３の照射光（励起光）を吸収して第１特定波長帯Ａ３以外の第２特定波長帯Ａ４の蛍光を発する。第１特定波長帯Ａ３の照射光は、たとえば、約４５０～約４９０［ｎｍ］の波長を有する可視光（青色）の光である。第２特定波長帯Ａ４の蛍光は、たとえば、約５００～約５５０［ｎｍ］の波長を有する可視光（緑色）の光である。なお、第２特定波長帯Ａ４の蛍光は、第１特定波長帯Ａ３の照射光よりも低エネルギーである。
【0145】
〈フラックス検出カメラ〉
図２５～図２７に示すように、フラックス検出カメラ４１１は、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像する部品撮像用のカメラである。具体的には、フラックス検出カメラ４１１は、フラックス用照明部４１１ａと、フラックス用撮像部４１１ｃとを含んでいる。なお、フラックス用照明部４１１ａは、特許請求の範囲の「照明部」の一例である。また、フラックス用撮像部４１１ｃは、特許請求の範囲の「撮像部」の一例である。
図２５～図２７に示すように、フラックス検出カメラ４１１は、基板Ｂへの電子部品Ｅの実装に先立って実装ヘッド５２に保持（吸着）された電子部品Ｅを撮像する部品撮像用のカメラである。具体的には、フラックス検出カメラ４１１は、フラックス用照明部４１１ａと、フラックス用撮像部４１１ｃとを含んでいる。なお、フラックス用照明部４１１ａは、特許請求の範囲の「照明部」の一例である。また、フラックス用撮像部４１１ｃは、特許請求の範囲の「撮像部」の一例である。
【0146】
フラックス用照明部４１１ａは、図２６に示すように、フラックスＦの主成分により吸収される第１特定波長帯Ａ３を含む照射光を電子部品Ｅに照射するように構成されている。具体的には、フラックス用照明部４１１ａは、第１特定波長帯Ａ３を含む複数の異なる波長帯の光をＹ方向にライン状に照射可能なライン状照明部４２１を含んでいる。ライン状照明部４２１は、ハロゲンランプ４２１ａと、回折格子４２１ｂと、マルチバンドパスフィルタ４２１ｃと、スリット４２１ｄを形成した遮光板４２１ｅとを有している。
【0147】
ハロゲンランプ４２１ａは、第１特定波長帯Ａ１を含む照射光として約４００～約８００［ｎｍ］の可視光線を照射可能である。回折格子４２１ｂは、ハロゲンランプ４２１ａから照射された照射光を波長ごとにわける光学素子である。マルチバンドパスフィルタ４２１ｃは、回折格子４２１ｂから出射した波長ごとにわかれた複数の光のそれぞれの波長を調整するフィルタである。遮光板４２１ｅは、フィルタ１１ｂを通過した波長ごとにわかれた複数の光のうち、電子部品Ｅへ照射する所定波長の光をスリット４２１ｄに通過させる。また、遮光板４２１ｅは、Ｘ方向に移動可能である。これにより、ライン状照明部４２１では、遮光板４２１ｅをＸ方向に移動させてスリット４２１ｄの位置を変えることにより、スリット４２１ｄを通過する所定波長の光の波長を変化させることが可能である。
【0148】
フラックス用撮像部４１１ｃは、図２７に示すように、第１特定波長帯Ａ３以外の第２特定波長帯Ａ４のフラックスＦの蛍光を受光可能に構成されている。具体的には、フラックス用撮像部４１１ｃは、Ｙ方向にライン状に延びる複数の撮像領域４３１ｂがＸ方向に並べられるように配置され、複数の撮像領域４３１ｂにより第２特定波長帯Ａ４を含む複数の異なる波長帯の光を撮像可能なライン状カメラ４３１を有している。ライン状カメラ４３１は、回折格子４３１ａと、複数の撮像領域４３１ｂを設けた受光センサ４３１ｃとを有している。
【0149】
回折格子４３１ａは、ハロゲンランプ４２１ａから照射された照射光を吸収して励起したフラックスＦから発せられた蛍光を波長ごとにわける光学素子であり、例えば、プリズムや、回折格子である。受光センサ４３１ｃは、回折格子４３１ａから出射した波長ごとにわかれた複数の光を、それぞれ受光可能なように複数の撮像領域４３１ｂを並べたセンサである。つまり、撮像領域４３１ｂは、波長ごとにわかれた複数の光のうち少なくとも第２特定波長帯Ａ４の光の信号を電気信号に変換可能な受光素子を有している。制御部４１３は、フラックス用撮像部４１１ｃによる電子部品Ｅの撮像画像（二次元画像）に基づいて、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の光量を取得（認識）するように構成されている。
【0150】
（検査プログラム）
図２８および図２９に示すように、第４実施形態の制御部４１３は、検査プログラムＣ４（図３参照）を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに第１特定波長帯Ａ３の照射光（励起光）を照射した照射状態の後、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの蛍光の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。すなわち、制御部４１３は、図３０および図３１に示すように、第１照射状態の後、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての第２特定波長帯Ａ４の蛍光の光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部４１１ｃにより撮像して取得される部品画像Ｐ４の輝度値Ｒ４として取得するように構成されている。なお、部品画像Ｐ４は、特許請求の範囲の「第３部品画像」の一例である。また、輝度値Ｒ４は、特許請求の範囲の「第４輝度値」の一例である。
図２８および図２９に示すように、第４実施形態の制御部４１３は、検査プログラムＣ４（図３参照）を実施することにより、フラックスＦをバンプ部Ｅ１に塗布した電子部品Ｅに第１特定波長帯Ａ３の照射光（励起光）を照射した照射状態の後、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの蛍光の光量に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。すなわち、制御部４１３は、図３０および図３１に示すように、第１照射状態の後、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての第２特定波長帯Ａ４の蛍光の光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部４１１ｃにより撮像して取得される部品画像Ｐ４の輝度値Ｒ４として取得するように構成されている。なお、部品画像Ｐ４は、特許請求の範囲の「第３部品画像」の一例である。また、輝度値Ｒ４は、特許請求の範囲の「第４輝度値」の一例である。
【0151】
具体的には、制御部４１３は、フラックス用撮像部４１１ｃにより撮像された電子部品Ｅの二次元画像としての部品画像Ｐ４に基づいて、バンプ部Ｅ１の光量を認識するように構成されている。制御部４１３は、部品画像Ｐ４内の電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に対応する画素の輝度値Ｒ４を輝度値Ｒ４として取得するように構成されている。
【0152】
このように、制御部４１３は、部品画像Ｐ４における蛍光の輝度値Ｒ４に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断するように構成されている。つまり、制御部４１３は、輝度値Ｒ４としきい値Ｔ４との比較に基づいて、輝度値Ｒ４がしきい値Ｔ４以上の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が十分と判断し、輝度値Ｒ４がしきい値Ｔ４未満の場合にはバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの量が無しまたは不十分と判断するように構成されている。
【0153】
また、第１実施形態と同様にして、制御部４１３は、第１特定波長帯Ａ１よりも広範囲の波長帯において所定波長間隔ごとに、フラックス用照明部４１１ａから照射光を照射するとともにフラックス用撮像部４１１ｃによりはんだペレット治具１２ａを撮像することにより取得される複数の検査画像の各々の輝度値に基づいて、しきい値Ｔ４、第１特定波長帯Ａ３および第２特定波長帯Ａ４の各々を校正するように構成されていることが好ましい。ここで、しきい値Ｔ４、第１特定波長帯Ａ３および第２特定波長帯Ａ４の各々の校正は、オペレータにより、フラックスステーション１０に貯留されているフラックスＦの種類を変更する場合に行われることが好ましい。また、第４実施形態のその他の構成は、第１実施形態の構成と同様である。
【0154】
（第４実施形態の効果）
第４実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
第４実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
【0155】
第４実施形態では、上記のように、フラックスＦから発せられた蛍光の光量に基づいてバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断することができるので、着色料または蛍光剤を液材に添加することなく、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認を容易に行うことができる。
【0156】
また、第４実施形態では、上記のように、部品実装装置４０１に、第１特定波長帯Ａ３以外の第２特定波長帯Ａ４のフラックスＦの蛍光を受光可能なフラックス用撮像部４１１ｃを備える。制御部４１３では、照射状態の後、バンプ部Ｅ１のフラックスＦから出る光としての第２特定波長帯Ａ４の蛍光の光量を、電子部品Ｅをフラックス用撮像部４１１ｃにより撮像して取得される部品画像Ｐ４の輝度値Ｒ４として取得した後、部品画像Ｐ４における蛍光の輝度値Ｒ４に基づいて、バンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態を判断する。これにより、着色料または蛍光剤を新たにフラックスＦに添加せずとも、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１に塗布されたフラックスＦの塗布状態の判定を行うことができる。これにより、電子部品Ｅの接合不良の発生を抑制することができるとともに、フラックスＦから出る蛍光の光量に合わせて、部品画像Ｐ４の輝度値Ｒ４も変化するので、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態を画像上で容易に認識しやすくすることができる。また、フラックスＦ内を通過する際に屈折、反射および拡散した光をフラックス用撮像部４１１ｃに受光させる場合と異なり、第１特定波長帯Ａ３の照射光を吸収したフラックスＦから発生する蛍光は確実にフラックス用撮像部４１１ｃに向かうので、バンプ部Ｅ１へのフラックスＦの塗布状態の確認の正確性を確保することができる。
【0157】
また、第４実施形態では、上記のように、フラックス用撮像部４１１ｃには、第１方向にライン状に延びる複数の撮像領域４３１ｂにより第２特定波長帯Ａ４を含む複数の異なる波長帯の光を撮像可能なライン状カメラ４３１を含む。照明部には、第１特定波長帯Ａ３を含む複数の異なる波長帯の光を第１方向にライン状に照射可能なライン状照明部４２１を含む。これにより、エリア状のマルチスペクトルカメラのように、バンドパスフィルタまたはダイクロックミラーを変更して異なる波長の蛍光を受光する必要がないので、エリア状のマルチスペクトルカメラを用いる場合と異なり、フラックス検出カメラ４１１の小型化および構成を簡略化することができる。また、撮像領域４３１ｂの延びる方向に合わせて、ライン状照明部４２１からの照明光が照射されるので、フラックスＦの蛍光をライン状カメラ４３１に効率よく受光させることができる。
【0158】
また、第４実施形態では、上記のように、フラックス検出カメラ４１１において、ライン状照明部４２１の第１特定波長帯Ａ３（励起光波長帯）および第２特定波長帯Ａ４（蛍光波長）をそれぞれ変化させたとしても、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の部品画像Ｐ４をライン状カメラ４３１により撮像することが可能である。この結果、フラックス検出カメラ４１１では、フラックスＦに最適な第１特定波長帯Ａ３（励起光波長）および第２特定波長帯Ａ４（蛍光波長）を検出することが可能である。なお、第４実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【0159】
（変形例）
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。
【0160】
たとえば、上記第１～第４実施形態では、部品実装装置１（２０１、３０１、４０１）は、ＩＣチップ、トランジスタ、コンデンサおよび抵抗などの電子部品Ｅをプリント基板などの基板Ｂに実装するように構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、部品実装装置は、電子部品上に電子部品を積層させて実装するように構成されてもよい。
【0161】
また、上記第１～第３実施形態では、フラックス用照明部１１ａは、特定波長帯Ａの照射光として約２５００～約４０００［ｎｍ］の中赤外線を照射可能なハロゲンランプを有している例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、照明部は、フラックスの吸収スペクトルの波長を有する光を照射可能であればハロゲンランプ以外の光源であってもよい。
【0162】
また、上記第４実施形態では、フラックス用照明部４１１ａは、第１特定波長帯Ａ１を含む照射光として約４００～約８００［ｎｍ］の可視光線を照射可能なハロゲンランプを有している例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、本発明では、フラックス用照明部は、フラックスの主成分であるロジンが蛍光を発するのであれば、ハロゲンランプ以外の光源であってもよい。
【0163】
また、上記第１～第４実施形態では、治具トレイ１２は、電子部品Ｅのバンプ部Ｅ１の照射光に対する反射特性（反射率）と略同じ反射特性を有するはんだペレット治具１２ａを収容するように構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、はんだペレット治具の代わりに、はんだペレットが先端に設けられた治具ノズルまたは金属板（ステンレス板）を用いてもよい。
【0164】
また、上記第１～第４実施形態では、制御部１３（２１３、３１３、４１３）は、フラックスＦの種類の変更を、オペレータからの操作に基づいて認識するように構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、制御部は、たとえば、回転ステージの回転が開始されたことに基づいて、フラックスの種類の変更を認識してもよいし、他の方法でフラックスの種類の変更を自動で認識してもよい。
【0165】
また、上記第１～第３実施形態では、所定波長間隔Ｓは、約１００［ｎｍ］に設定されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、所定波長間隔は、１００［ｎｍ］未満または１００［ｎｍ］を超えてもよい。
【0166】
また、上記第１～第３実施形態では、フラックス検出カメラ１１は、フィルタ１１ｂと、フラックス用撮像部１１ｃとを含んでいる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、フラックス検出カメラは、フィルタを用いずに、フラックス用撮像部が特定波長帯のみを計測可能なカメラであってもよい。
【0167】
また、上記第１～第３実施形態では、フラックス用照明部１１ａは、特定波長帯Ａを含む照射光を照射する例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、フラックス用照明部は、特定波長帯のみの照射光を照射してもよい。
【0168】
また、上記第１実施形態では、制御部１３は、対象波長帯Ｗにおいて所定波長間隔Ｓごとに取得される複数の検査画像の各々の第３輝度値Ｒ３および第４輝度値Ｒ４に基づいて、しきい値Ｔ１および特定波長帯Ａの各々を校正するように構成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、制御部は、対象波長帯において所定波長間隔ごとに取得される複数の検査画像の各々の第３輝度値のみに基づいて、しきい値および特定波長帯の各々を校正するように構成されてもよい。
【0169】
また、上記第１実施形態では、説明の便宜上、制御部１３（２１３、３１３、４１３）の制御処理を、処理フローに沿って順番に処理を行うフロー駆動型のフローチャートを用いて説明した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、制御部の制御処理を、イベント単位で処理を実行するイベント駆動型（イベントドリブン型）の処理により行ってもよい。この場合、完全なイベント駆動型で行ってもよいし、イベント駆動およびフロー駆動を組み合わせて行ってもよい。
【符号の説明】
【0170】
１、２０１、３０１、４０１ 部品実装装置
５ ヘッドユニット
１０ フラックスステーション（液材ステーション）
１１ａ，４１１ａ フラックス用照明部（照明部）
１１ｂ フィルタ
１１ｃ、４１１ｃ フラックス用撮像部（撮像部）
１２ａ はんだペレット治具（検査部材）
１３、２１３、３１３、４１３ 制御部
５２ 実装ヘッド（ヘッド）
４２１ ライン状照明部
４３１ ライン状カメラ
４３１ｂ 撮像領域
Ａ 特定波長帯（第１特定波長帯）
Ａ２ 第２特定波長帯（第１特定波長帯）
Ａ４ 第２特定波長帯
Ｄ 差分輝度値
Ｅ 電子部品
Ｅ１ バンプ部
Ｆ フラックス（液材）
Ｐ１ 第１部品画像
Ｐ２ 第２部品画像
Ｐ４ 部品画像（第３部品画像）
Ｒ１ 第１輝度値
Ｒ２ 第２輝度値
Ｒ３ 第３輝度値
Ｒ４ 第４輝度値
Ｓ 所定波長間隔
Ｔ１ しきい値（第１しきい値）
Ｔ２ しきい値（第２しきい値）
Ｔ３ しきい値（第３しきい値）
Ｔ４ しきい値（第４しきい値）
Ｖ 合算値
Ｗ 対象波長帯（広範囲の波長帯）
５ ヘッドユニット
１０ フラックスステーション（液材ステーション）
１１ａ，４１１ａ フラックス用照明部（照明部）
１１ｂ フィルタ
１１ｃ、４１１ｃ フラックス用撮像部（撮像部）
１２ａ はんだペレット治具（検査部材）
１３、２１３、３１３、４１３ 制御部
５２ 実装ヘッド（ヘッド）
４２１ ライン状照明部
４３１ ライン状カメラ
４３１ｂ 撮像領域
Ａ 特定波長帯（第１特定波長帯）
Ａ２ 第２特定波長帯（第１特定波長帯）
Ａ４ 第２特定波長帯
Ｄ 差分輝度値
Ｅ 電子部品
Ｅ１ バンプ部
Ｆ フラックス（液材）
Ｐ１ 第１部品画像
Ｐ２ 第２部品画像
Ｐ４ 部品画像（第３部品画像）
Ｒ１ 第１輝度値
Ｒ２ 第２輝度値
Ｒ３ 第３輝度値
Ｒ４ 第４輝度値
Ｓ 所定波長間隔
Ｔ１ しきい値（第１しきい値）
Ｔ２ しきい値（第２しきい値）
Ｔ３ しきい値（第３しきい値）
Ｔ４ しきい値（第４しきい値）
Ｖ 合算値
Ｗ 対象波長帯（広範囲の波長帯）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】