発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

第１の態様の半導体素子の製造方法によれば、おもて面を支持部材に仮固定して個片化用の溝を形成したウェハの裏面に金属蒸着を施す場合に、該ウェハを傾けないで金属蒸着を施す場合と比較して、おもて面側に金属膜が付着することが抑制された半導体素子の製造方法が提供される、という効果を奏する。

第２の態様の半導体素子の製造方法によれば、傾斜方向と延伸方向とのなす角度を０度または１８０度とする場合と比較して、おもて面側に金属膜が付着することが抑制される、という効果を奏する。

第３の態様の半導体素子の製造方法によれば、傾斜方向と延伸方向とのなす角度を４５度および１３５度以外の角度とする場合と比較して、おもて面側に金属膜が付着することがより効果的に抑制される、という効果を奏する。

第４の態様の半導体素子の製造方法によれば、支持部材との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、分割溝に侵入する蒸着材料の深さがより確実に制御される、という効果を奏する。

第５の態様の半導体素子の製造方法によれば、ウェハのおもて面との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、半導体素子の不良の発生が抑制される、という効果を奏する。

第６の態様の半導体素子の製造方法によれば、蒸着材料の進行方向を示す直線と分割溝を介して分割溝から露出する支持部材の面との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、分割溝に侵入する蒸着材料の深さがより確実に制御される、という効果を奏する。

第７の態様の半導体素子の製造方法によれば、蒸着材料の進行方向を示す直線と分割溝を介して分割溝から露出するおもて面との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、半導体素子の不良の発生が抑制される、という効果を奏する。

第８の態様の半導体素子の製造方法によれば、複数のウェハを中心軸を中心に蒸着材料中で公転させない蒸着装置を用いる場合と比較して、半導体ウェハの裏面への金属膜の蒸着において蒸着むらが抑制される、という効果を奏する。

第９の態様の半導体素子の製造方法によれば、複数のウェハをまったく自転させずに金属膜を蒸着する場合と比較して、半導体ウェハの裏面への金属膜の蒸着において蒸着むらが抑制される、という効果を奏する。

第１０の態様の半導体素子の製造方法によれば、複数のウェハを自転させて金属膜を蒸着する場合と比較して、分割溝に侵入する蒸着材料の深さがより小さくなる、という効果を奏する。

第１１の態様の半導体素子の製造方法によれば、傾斜の傾斜角度を１０度未満として金属膜を蒸着する場合と比較して、半導体ウェハのおもて面側に金属膜が付着することが抑制される、という効果を奏する。