特許 7187533 光電子デバイスを製造する方法及び光電子デバイスを使用する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-02

(45)【発行日】2022-12-12

(54)【発明の名称】光電子デバイスを製造する方法及び光電子デバイスを使用する方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/60 20100101AFI20221205BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20221205BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20221205BHJP

   H01L 23/31 20060101ALI20221205BHJP

   G02B 5/20 20060101ALI20221205BHJP

【ＦＩ】

H01L33/60

H01L33/50

H01L23/30 F

G02B5/20

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2020503305

(86)(22)【出願日】2018-07-13

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2020-10-01

(86)【国際出願番号】 US2018041960

(87)【国際公開番号】W WO2019022964

(87)【国際公開日】2019-01-31

【審査請求日】2020-01-22

(31)【優先権主張番号】62/537,553

(32)【優先日】2017-07-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】590001418

【氏名又は名称】ダウ シリコーンズ コーポレーション

(73)【特許権者】

【識別番号】591016862

【氏名又は名称】ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー

【氏名又は名称原語表記】Ｒｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(73)【特許権者】

【識別番号】000110077

【氏名又は名称】デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(74)【代理人】

【識別番号】100191938

【弁理士】

【氏名又は名称】高原 昭典

(72)【発明者】

【氏名】尼子 雅章

(72)【発明者】

【氏名】フォン、アンナ ヤーチン

(72)【発明者】

【氏名】西田 文人

【審査官】大西 孝宣

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１６／１４８０１９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１８７９０９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１３／１３７３５６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－０７９８４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－００４９２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１２２６９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５１７４６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／２００５８７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１１８５５５（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ｉ）基材を提供する工程であって、前記基材が、前記基材の少なくとも１つの表面上に配列される１つ又は複数の電気光学部品を含む工程と、
ｉｉ）前記電気光学部品の表面であって、前記基材に平行である前記表面を、充填剤と硬化性シリコーンホットメルトとを含む側方充填剤フィルムと接触させる工程と、
ｉｉｉ）前記側方充填剤フィルムを剥離ライナーと接触させる工程と、
ｉｖ）前記側方充填剤フィルムに圧力を適用する工程と、
ｖ）前記剥離ライナーを除去する工程と、
ｖｉ）溶媒で拭い取ることによって、前記電気光学部品の上部表面上の残留物を除去して光電子デバイスを作り出す工程とを含み、
前記側方充填剤フィルムが前記残留物を除去する前に未硬化である、光電子デバイスを製造する方法。

【請求項2】

前記電気光学部品が発光ダイオードである、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記硬化性シリコーンホットメルトが架橋性樹脂－直鎖状ポリオルガノシロキサン調合物である、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記側方充填剤フィルムの厚さが、前記側方充填剤フィルムを前記電気光学部品の前記表面と接触させる前に、前記基材の前記表面からの前記電気光学部品の高さと同等以下に配置される、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記充填剤が、ＴｉＯ_２、ＢＮ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、及びＺｎＯ、ＢａＳＯ_４、並びにそれらの混合物からなる群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記溶媒が、イソプロピルアルコール、アセトン、ヘプタン、オクタン、プロピルプロピオネート、トルエン、又はそれらの混合物を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

ｉ）請求項１に記載の方法によって製造される、前記作り出された光電子デバイスの上に波長変換層を適用する工程と、次に、
ｉｉ）前記側方充填剤フィルム及び前記波長変換層を同時に硬化させる工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

請求項１又は請求項７に記載の方法によって製造される光電子デバイスをイルミネーション、自動車用照明、インジケーターライト、フラッシュ、又はパーソナル電子機器上の照明デバイスにおいて使用する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は一般的に、光学デバイスを製造する改良された方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ますます白色発光ＬＥＤ（「白色ＬＥＤ」）が使用され、ほとんど全ての用途において従来の蛍光、コンパクト形蛍光光源及び白熱光源に取って代わりつつある。ＬＥＤは一般的に、１つ又は複数のフォトルミネッセンス材料（例えば、１つ又は複数の燐光体材料）を含有し、それは、ＬＥＤによって放射される放射線の一部を吸収し、異なった色（波長）の光を再放射する。典型的に、ＬＥＤは青色光を生成し、燐光体は一定の割合の青色光を吸収し、黄色、緑色、赤色、又は緑色、黄色、及び赤色光の組合せを再放射する。燐光体材料によって吸収されていないＬＥＤによって生成される青色光の一部を燐光体によって放射される光と組み合わせたものは、眼に白色に見える光をもたらす。

【0003】

一般に、白色ＬＥＤは、パッケージのキャビティ内に実装される１つ又は複数の青色ＬＥＤチップを含み、それは後で、１つ又は複数の燐光体材料を含有する封入剤が充填される；ディスペンシングと呼ばれるプロセス。ディスペンシングによって製造されるこのような白色ＬＥＤの不利な点は、最終ＬＥＤの色特性をしっかり制御するという問題である。最近、パッケージ化されていないＬＥＤチップに直接に燐光体を適用することによってより良い色調節を可能にする白色ＬＥＤを製造することに関心が集まっている。

【0004】

ＬＥＤチップは、キャビティ内に置かれるのではなく反射材料によって囲まれることもある。反射構造物はＬＥＤチップを４面すべて囲み、上部発光表面だけを露出させている。このような構造物は一般に、液体白色材料のディスペンシング又は圧縮成形によって製造される。これらの方法の不利な点は、過剰なオーバーモールドされた材料を除去してＬＥＤをきれいに再露出させるのが難しいことである。また、ディスペンシングは、厚さの良い制御及び表面の均一性及び狭い開口を貫通する能力の達成に関する問題に直面する。

【0005】

特開２０１６１７４１４８号公報は、本技術分野のディスペンシング問題を解決しようと試みる、基材上に実装されるＬＥＤアレイを記載する一例である。しかしながら、引用文献は、ＬＥＤチップの上部表面を覆う過剰材料を除去する前に完全硬化又は中間ｂ段階硬化工程を必要とする方法を記載する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、基材の上に適用し、側方空間を充填してＬＥＤチップの周りに側壁を製造する充填剤材料と硬化性ホットメルトが接触されるＬＥＤの製造方法を提供することによる先行技術の代替的改良である。材料の別個のｂ段階硬化工程は必要でなく、つまり、本発明において好ましくない。製造方法のこの改良は、ＬＥＤの側壁と上部波長変換層との間の接着性を改良したＬＥＤのより効率的製造を可能にする。

【0007】

本発明は、基材を提供する工程であって、基材が、基材の少なくとも１つの表面上に配列される１つ又は複数の電気光学部品を含む工程と、基材に平行な電気光学部品の表面を充填剤と硬化性シリコーンホットメルトとを含む側方充填剤フィルムと接触させる工程と、側方充填剤フィルムを剥離ライナーと接触させる工程と、及び圧力を適用して光電子デバイスを作り出す工程とを含む、光電子デバイスを製造する方法を提供する。

【0008】

波長変換層の適用及び同時硬化をさらに含むかかる方法もまた、提供される。最後に、本発明の方法によって製造されるデバイス及びこのようなデバイスを使用する方法もまた、提供される。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の態様は、様々な一般的な慣例を使用して本明細書において説明される。例えば、物質の全ての状態は、特に指示しない限り、２５℃及び１０１．３ｋＰａで決定される。全ての％は、特に記載又は指示しない限り、重量による。全ての％値は、特に記載しない限り、組成物を合成又は製造するために使用される固体成分の総量に基づいており、それは合計して１００％になる。本発明の態様は、様々な化学用語を使用して本明細書において説明される。前記用語の意味は、本明細書において別に定義されない限り、ＩＵＰＡＣによって公表されたそれらの定義に相当する。用語「ＩＵＰＡＣ」は、国際純正・応用化学連合を意味する。便宜のため、特定の化学用語が定義される。

【0010】

用語「フィルム」は、１つの次元において制限されている材料を意味する。制限された次元は、「厚さ」として特徴づけられ得る。

【0011】

用語「除去する」、「除去される」、「除去すること」、及び「除去」は、物理的に離れさせることを意味し、したがって結果としてもはや直接触れていない。ここで物理的除去の原因は、事実上機械的であり、化学的手段によるものではない。

【0012】

用語「基材」は、その上で別の材料のホストとして機能し得る少なくとも１つの表面を有する物理的支持体を意味する。

【0013】

用語「ＬＥＤ」は、発光ダイオードを意味する。「ＬＥＤ」は、複数の発光ダイオードを意味する。

【0014】

用語「アレイ」は、典型的に基材上の、ＬＥＤの配列を意味する。

【0015】

用語「ＰＥＴ」は、ポリエチレンテレフタレートを意味する。

【0016】

用語「硬化する」又は「硬化される」は、高温で加熱するか又は加熱されて、材料の機械的性質を変化させて、完全な機械的結着性（すなわち標記材料の架橋及び固化又は強靭化）を与えるようにすることを意味する。材料は、高温で架橋を受けない場合未硬化であると考えられる。

【0017】

本発明は、基材を提供する工程を含む光電子デバイスを製造する方法を提供する。本発明に適している本技術分野の従来の基材には、例えば、ポリマー（例えばＰＥＴ又はポリイミド基材）、絶縁金属、及びセラミック基材が含まれ、それらは金属パターンを有しても有さなくてもよい。基材の少なくとも１つの表面上に少なくとも１つの電気光学部品が配列される。従来の電気光学部品が本発明において使用されてもよい。適した電気光学部品の一例はＬＥＤである。ＬＥＤが電気光学部品であるとき、それらはアレイに配列されてもよい。このようなアレイはワイヤーボンドを含んでも含まなくてもよい。本発明のＬＥＤアレイはそれら自体へのワイヤーボンドを有さないと考えられる。すなわち、ＬＥＤチップ自体はワイヤーボンドされないが、ワイヤー高さがＬＥＤチップの高さ以下である限り、ワイヤーボンドされる他の部品があり得る（例えば、ツェナーダイオード）。ＬＥＤアレイの設計は本技術分野の従来の設計に従っている。

【0018】

また、充填剤と硬化性ホットメルトとを含む側方充填剤フィルムが、電気光学部品が配置される表面に平行な表面と接触され、及び／又は基材に付着されて側方充填剤層を作り出す。このような側方充填剤フィルムは、ＬＥＤアレイの上へのフィルムの手作業によるか又は自動化された配置によってＬＥＤの平行な表面と密着して置かれる。

【0019】

側方充填剤フィルムは、光吸収、又は反射などの様々な光学機能を与えるのに役立ち得る。反射側方充填剤フィルムのために、適した充填剤には、例えば、ＢＮ、ＴｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ａｌ（ＯＨ）_３、ＢａＳＯ_４、ＺｎＯ、及びそれらのブレンドが含まれる。

【0020】

側方充填剤フィルムにおいて使用するための硬化性ホットメルトは、触媒及び抑制剤を使用して架橋及び反応させられる架橋性樹脂－直鎖状ポリオルガノシロキサンの巨大分子又は巨大分子の集まりである。樹脂－直鎖状ポリオルガノシロキサン巨大分子は、ヒドロシリル化硬化樹脂－直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー（Ｒ－ＬＯＢコポリマー）であり得る。Ｒ－ＬＯＢコポリマーは、統計的、ランダム又は交互コポリマーなどの非ブロックコポリマーのモノマー配列とは異なるモノマー配列を有する。Ｒ－ＬＯＢコポリマーは、ジブロック、トリブロック、又はより高次のブロックコポリマーであり得る。Ｒ－ＬＯＢコポリマーは、明瞭な直鎖状ブロックと明瞭な樹脂ブロックとを特徴としている巨大分子から構成される。直鎖状ブロックは典型的に、大部分、実質的に全て、又は全てのＤ型オルガノシロキサン単位（Ｒ_２ＳｉＯ_２／_２）－を含有し、それらは主に、一緒に結合して二価の直鎖ポリマーセグメント（例えば、それぞれ１０～４００単位を有する）を形成し、これらの二価の直鎖ポリマーセグメントは本明細書において「直鎖状ブロック」と称される。樹脂ブロックは、大部分、実質的に全て、又は全てのＴ型オルガノシロキサン単位又はＱ単位を含有するが、典型的にそれらはＴ型オルガノシロキサン単位（ＲＳｉＯ_３／_２）－である。典型的に、Ｒ－ＬＯＢコポリマー中に任意のＱ単位（ＳｉＯ_４／_２）が存在する場合、それらは比較的少数である（全ての単位の５モル％未満）。（さらに、Ｒ－ＬＯＢコポリマーは、比較的少数＊のＭ型オルガノシロキサン単位（Ｒ_３ＳｉＯ_１／_２）－、を含有し得、ここでＲはヒドロカルビルである；＊典型的に５モル％未満のＭ型単位）。Ｔ型オルガノシロキサン単位は主に、互いに結合して多価の分岐鎖ポリマーセグメントを形成し、それらは本明細書において「非直鎖ブロック」と称される。したがって、Ｒ－ＬＯＢコポリマーは直鎖状ブロックが非直鎖ブロックに結合している巨大分子から構成される。Ｒ－ＬＯＢコポリマーの固体形態において、著しい数のこれらの非直鎖ブロックが一緒に凝集して、ナノドメインを形成し得る。Ｒ－ＬＯＢコポリマーの凝集した非直鎖ブロックは、硬質ドメインと称され得、直鎖状ブロックは軟質ドメインと称され得る。Ｒ－ＬＯＢコポリマーは、非ブロックコポリマーのガラス転移温度より高いガラス転移温度（Ｔｇ）を特徴とし得る。これらのＲ－ＬＯＢコポリマーは、低モル量の不飽和脂肪族基を含有するように設計され得、それらは、（光）電子デバイスの封止又は封入などの下流の工業的用途においてコポリマーの架橋を可能にする。これらのＲ－ＬＯＢコポリマーのいくつかの実施形態は、さらなるタイプの反応性基をさらに含有し、それは、そのように官能化されたＲ－ＬＯＢコポリマーを二重硬化機構において使用することを可能にする。いくつかのＲ－ＬＯＢコポリマーはナノ相分離型であり、それは、主にＤ単位からなる直鎖状ブロックのナノサイズのドメインと主にＴ単位からなる樹脂ブロックのナノサイズのドメインとを含む。

【0021】

樹脂－直鎖状ポリオルガノシロキサン巨大分子は、４０～９０モルパーセントの、式［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／_２］のＤ型単位と、１０～６０モルパーセントの、式［Ｒ^２ＳｉＯ_３／_２］のＴ型単位と、０．５～３５モルパーセントのシラノール基［Ｓｉ－ＯＨ］とを含むヒドロシリル化硬化樹脂－直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを含み得；上式中、それぞれのＲ^１及びＲ^２は独立に、０個の脂肪族不飽和結合を有する（Ｃ_１－Ｃ_３０）ヒドロカルビルであるか又は少なくとも１個の脂肪族不飽和結合を含む（Ｃ_１－Ｃ_３０）ヒドロカルビルであり、樹脂－直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも１個の脂肪族不飽和結合を含む（Ｃ_１－Ｃ_３０）ヒドロカルビル０．５～５モルパーセントを含み；ここで、Ｄ型単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／_２］は、平均１００～３００のＤ型単位［Ｒ^１ _２ＳｉＯ_２／_２］／直鎖状ブロックを有する直鎖状ブロック内に配列され、Ｔ型単位［Ｒ^２ＳｉＯ_３／_２］は、少なくとも５００グラム／モル（ｇ／モル）の分子量を有する非直鎖ブロック内に配列され、非直鎖ブロック少なくとも３０モルパーセントが互いに架橋され、それぞれの直鎖状ブロックは、Ｄ型又はＴ型シロキサン単位を含む二価のリンカーを介して少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結している。樹脂－直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）を有し得る。

【0022】

本技術分野に公知のＲ－ＬＯＢコポリマーなど、任意の樹脂－直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーが考えられる。例えば、米国特許出願公開第２０１３／０１６５６０２Ａ１号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０１６８７２７Ａ１号明細書、米国特許出願公開第２０１３／１７１３５４Ａ１号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０１７２４９６Ａ１号明細書、及び米国特許出願公開第２０１３／０２４５１８７Ａ１号明細書を参照のこと。次いで、ヒドロシリル化（Ｈｙｄｒｏｓｉｌｙａｔｉｏｎ）硬化性樹脂－直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーは架橋剤及び適切な触媒とブレンドされ、そしてまた、他の望ましい添加剤も含有して、ヒドロシリル化（ｈｙｄｒｏｓｉｌｙｌａｔｉｏｎ）硬化性樹脂－直鎖状調合物を作り出すことができる。Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｔｏｒａｙ，Ｃｈｉｂａから市販されている燐光体フィルムバインダー、及びＤｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＬＦ－１１１３と同等な、Ｄｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＬＦ－１２０１は、このようなヒドロシリル化硬化性樹脂－直鎖状調合物の例である。

【0023】

次いで、側方充填剤フィルムの露出面は、従来の手段によって剥離ライナーと接触させられる。剥離ライナーは典型的に、剥離（すなわち非粘着性）特性を有するポリマー基材であり、シリコーン処理ＰＥＴ、ＥＴＦＥ、及びＴｅｆｌｏｎ、好ましくはシリコーン処理ＰＥＴを含む。圧力が剥離層に適用される。このような圧力は真空下で適用されてもよい。本発明の側方充填剤層は、厚さ１０～１０００μｍ、好ましくは２５～５００μｍ、より好ましくは５０～２００μｍであるように適用され得る。好適には、光学機能性層の厚さは、基材表面から測定されるＬＥＤの高さと同等以下であるのがよい。組成物を調節して、所望の反射能並びに粘弾性特性を生じさせるのがよい。剥離ライナーに圧力が適用される。この加圧前に、有利には、側方充填剤フィルムは未硬化である。ＬＥＤの側方連続層と側方充填剤フィルムが基材表面上にあり、基材に平行であり且つそれに接続されていない露出ＬＥＤ／側方充填剤フィルムの一部の上に剥離ライナーが残っている。

【0024】

次に、剥離ライナーは、剥離又は別の従来の手段によって除去される。剥離ライナーの除去後に、側方充填剤材料の残留物がしばしば、ＬＥＤチップの表面上に残る。有利には、本発明は、ＬＥＤチップ上の過剰な側方充填剤材料残留物を簡単な拭い取り方法によって除去することを可能にする。除去は、溶媒で湿らせた拭き取り材又は溶媒コーティング工具を使用する数回の弱い拭き取りのような簡単なものでよい。様々な溶媒が使用されてもよいが、イソプロピルアルコール（「ＩＰＡ」）、へプタン、及びヘキサンが好ましい。溶媒の混合物もまた、適している場合がある（例えば、ＩＰＡ中の少量のアセトン又はプロピルプロピオネート）。ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの他の炭化水素もまた効果があり、混合物として使用されるが、それらは膨潤し、及び／又はｂ段階層の完全性に影響を与える場合があるので、そしてまた、健康及び／又は環境危険のために好ましくない。残留溶媒レベルは典型的に、５００ｐｐｍ未満及び好ましくは１００ｐｐｍ未満である。

【0025】

付加的な層／構造物を本発明の光電子デバイスに添加し得ると考えられる。実施例は、ＬＥＤを囲み、高コントラストディスプレイ配置を提供する光吸収性母材であり得る。このような構造物は、本発明に記載される方法を繰り返して光吸収性側方充填剤フィルムを本発明の光電子デバイスに適用することによって製造され得る。光電子デバイスを開いてカーボンブラック配合（光吸収性）側方充填剤フィルムを充填するための方法は、厚いダイシングブレード又はダイシングを使用して溝を切って第二／代替基材上に再実装することによるなど、従来の手段による。

【0026】

本発明の光電子デバイスに加えられ得る付加的な層／構造物の別の実施例は、燐光体を含有する色変換層などの本技術分野においてすでに記載されているような波長変換層であり、国際公開第２０１６／０６５０１６Ａ１号パンフレットに記載されている方法などの本技術分野に公知の方法によって適用され得る。

【0027】

本発明の方法によって製造される光電気デバイスは、様々な用途に適用可能性を有する。例えば、それらは、イルミネーション、自動車用照明、インジケーターライト、フラッシュ、及びパーソナル電子機器上の照明デバイスにおいて使用され得る。

【0028】

本発明は、以下のその非限定的な実施例によってさらに説明され、発明の実施形態は、それらの特徴及び制限条件の任意の組合せを含んでもよい。特に指示しない限り、周囲温度は約２３℃である。

【実施例】

【0029】

使用される樹脂

【0030】

【表1】

【0031】

側方充填剤フィルムの調製：
実施例１：
５３．４ｇの樹脂Ａ、５．３９ｇの昭和電工（Ｓｈｏｗａ Ｄｅｎｋｏ）窒化ホウ素粉末ＵＨＰ－Ｓ１（０．５ｕｍＤ）、及び２．８６ｇのプロピルプロピオネートを混合容器に添加した。これらの成分を２分間手作業で混合し、その後に、Ｔｈｉｎｋｙ ＡＲＶ－３１０ＬＥＤを使用して１２００ｒｐｍ／２分／真空を用いずに２回混合した。混合物をさらに、１２００ｒｐｍ／３０秒／１０ｋＰａ（すなわち、真空下で）で、次いで６００ｒｐｍ／３０秒／５ｋＰａで混合した。４９１ｕｍの間隙を有する炎アプリケーターを使用してスラリーをシリコーン処理ＰＥＴ上にコートし、３０分間７０℃の温度の炉を使用して加熱してフィルムを乾燥させた。得られたフィルムは厚さ１９７ｕｍであった。コニカミノルタ（Ｋｏｎｉｃａ Ｍｉｎｏｌｔａ）ＣＭ－５を使用して測定された４５０ｎｍでの反射能は８１．６％であった。

【0032】

実施例２：
３４．７ｇの樹脂Ａ、１７．３ｇの堺化学（Ｓａｋａｉ Ｃｈｅｍ）チタニア粉末ＳＸ－３１０３（０．２ｕｍＤ）、及び２．０ｇのプロピルプロピオネートを混合容器に添加した。これらの成分をＴｈｉｎｋｙＡＲＶ－３１０を使用して２０００ｒｐｍ／２分で真空を用いずに２回混合した。混合物をさらに、２０００ｒｐｍ／３０秒／１０ｋＰａ（すなわち、真空下で）で、次いで８００ｒｐｍ／３０秒／５ｋＰａで混合した。３２４ｕｍの間隙を有するコンマコーターを使用してスラリーをシリコーン処理ＰＥＴ上にコートし、６０℃～１００℃に徐々に上昇する温度で１．２ｍ炉を使用して加熱してフィルムを乾燥させた。得られたフィルムは厚さ１３９ｕｍであった。コニカミノルタ（Ｋｏｎｉｃａ Ｍｉｎｏｌｔａ）ＣＭ－５を使用して測定された４５０ｎｍでの反射能は９６．６％であった。

【0033】

実施例３：
３．１７５ｇのモメンティブ（Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ）ＰＴ１２０Ｐ００１窒化ホウ素（Ｄ５０＝１２ｕｍ；Ｄ９０＝２０ｕｍ）を１０ｇの樹脂Ａに添加した。第１の混合と第２の混合との間の手作業による混合によって２０００ｒｐｍで３０秒間ＦｌａｃｋＴｅｋ ＤＡＣ１５０ ＶＡＣ－Ｐ速度ミキサー内で混合物を３回混合した。付加的な混合を真空下で（２００ｍｍＨｇ未満に達する）１５００ｒｐｍで６０秒間実施した。卓上型自動コーターを使用して、得られたスラリーをシリコーン処理ＰＥＴ（三菱ポリエステル２ＳＬＫＮ）上にコートし、次いで７０℃で６０分間乾燥させ、厚さ１５２μｍのフィルムを生じた。

【0034】

側方充填剤フィルム積層及び残留物除去方法：
実施例４：
実施例２において製造されたフィルム材料をそれらのチップ高さが１５０μｍであるＬＥＤアレイ上に置いた。上部プレート及び下部プレートの両方の温度を１００℃に設定したイモト・ヴァキュアム（Ｉｍｏｔｏ Ｖａｃｕｕｍ）プレスＩＭＣ－４Ｃ０５内にこの積層体を配置し、次に、フルオロシリコーン処理ＰＥＴ（タカラ・インコーポレーション（Ｔａｋａｒａ ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）ＦＬ２－０１＃７５）のシートで覆った。システムを１分間脱気し、その間に真空が０．０４ｋＰａに達し、次に、デバイス温度１００℃で６０秒間真空下での圧縮１ｋＮを適用した。全厚１５２μｍの得られたラミネートをプレスから取出し、剥離ライナーを剥離し、薄い残留白色材料を有するＬＥＤアレイを示した。イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で湿らせたクリーンルーム布を使用して手で拭い取って残留物を除去し、白色リフレクターで満たされているＬＥＤチップのきれいな表面を露出させた。

【0035】

実施例５：
実施例１において製造されたフィルム材料を最初に５０℃で圧縮して厚さ１５０μｍのフィルムを製造した。得られたフィルムをそれらのチップ高さが１５０μｍであるＬＥＤアレイ上に置いた。水循環を使用して上部プレートが１００℃に加熱され、下部プレートが３０℃未満に保たれているイモト・ヴァキュアム（Ｉｍｏｔｏ Ｖａｃｕｕｍ）プレスＩＭＣ－４Ｃ０５内にこの積層体を置き、次に、フルオロシリコーン処理ＰＥＴ（Ｔａｋａｒａ ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、ＦＬ２－０１＃７５）のシートで覆った。システムを１分間脱気し、その間に真空が０．０４ｋＰａに達し、次に、デバイス温度７２℃で６０秒間真空下での圧縮１ｋＮを適用した。全厚１５１μｍの得られたラミネートをプレスから取出し、剥離ライナーを剥離し、薄い残留白色材料を有するＬＥＤアレイを示した。イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で湿らせたクリーンルーム布を使用して手で拭い取って残留物を除去し、白色リフレクターで満たされているＬＥＤチップのきれいな表面を露出させた。

【0036】

比較例１：
厚さ１９７μｍの、実施例１において製造されたフィルム材料をそれらのチップ高さが１５０μｍであるＬＥＤアレイ上に置いた。水循環を使用して上部プレートが１００℃に加熱され、下部プレートが３０℃未満に保たれているイモト・ヴァキュアム（Ｉｍｏｔｏ Ｖａｃｕｕｍ）プレスＩＭＣ－４Ｃ０５内にこの積層体を置き、次に、フルオロシリコーン処理ＰＥＴ（Ｔａｋａｒａ ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、ＦＬ２－０１＃７５）のシートで覆った。システムを１分間脱気し、その間に真空が０．０４ｋＰａに達し、次に、デバイス温度７２℃で６０秒間真空下での圧縮１ｋＮを適用した。全厚１８７μｍの得られたラミネートをプレスから取出し、剥離ライナーを剥離し、薄い残留白色材料を有するＬＥＤアレイを示した。厚さ４７μｍの残留物は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で湿らせたクリーンルーム布を使用して手で拭い取って除去してＬＥＤチップのきれいな表面を露出することができなかった。

【0037】

したがって、材料をより高い温度又はより高い圧力下でＬＥＤチップの近接高さまで圧縮するか、又は元のフィルムの厚さがＬＥＤ高さに近いのがよい。

【0038】

実施例６：
実施例３において製造されたフィルム材料をＬＥＤアレイ上に置いた。１４０℃に設定されたホットプレート温度を有する真空ラミネーター（社内注文の用具）の試料ホルダー上にこの積層体を置いた。ＬＥＤアレイ／白色フィルム積層体をシリコーン処理ＰＥＴ（三菱ポリエステル２ＳＬＫＮ）のシートで覆い、次に、アルミニウムブロックの小片（約５ｃｍ×５ｃｍ×１ｃｍ）及びプレート（３インチ×５インチ×１／４インチ）、全重量３１６ｇをフィルム上に置いた。ラミネーターは、試料を約１ｍｍホットプレートの上に上げたままにしながら真空が約２８．５インチＨｇに達する６０秒間脱気された。ブラダーを使用して、アルミニウムブロック／プレートを加圧し、そして次にそれはＬＥＤ基材／フィルム／ライナー組立体全体をホットプレート上に押し付け、基材／白色フィルム積層体を３０秒間加熱した。ブラダーの上及び下のチャンバ内の差圧は約１０インチＨｇであった。得られた試料は、ＬＥＤチップの表面を覆う残留材料の非常に薄い層を示し、それはヘプタンで湿らせたクリーンルーム拭き取り材を使用して数回の拭き取りで除去することができた。

【0039】

側方充填剤フィルム（ＢＮフィルム）と波長変換層（燐光体フィルム）との間の接着性：
実施例７：
３０．４０７ｇのＮＹＡＧ－４４５４Ｓ（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ）及び０．７５１ｇのプロピルプロピオネートを１８ｇの樹脂Ｂに添加した。第１の混合と第２の混合との間の手作業による混合によって２０００ｒｐｍで３０秒間ＦｌａｃｋＴｅｋ ＤＡＣ１５０ ＶＡＣ－Ｐ速度ミキサー内で混合物を３回混合した。付加的な混合を真空下で（２００ｍｍＨｇ未満に達する）１５００ｒｐｍで６０秒間実施した。卓上型自動コーターを使用して、得られたスラリーをシリコーン処理ＰＥＴ（三菱ポリエステル２ＳＬＫＮ）上にコートし、次いで７０℃で６０分間乾燥させ、厚さ５０μｍの燐光体フィルムをもたらした。

【0040】

６．９８４ｇの窒化ホウ素（ＢＮ）（ＰＣＴＰ２；サンゴバン（ＳａｉｎｔＧｏｂａｎ））及び２．４０ｇのプロピルプロピオネートを２２ｇの樹脂Ａに添加した。第１の混合と第２の混合との間の手作業による混合によって２０００ｒｐｍで３０秒間ＦｌａｃｋＴｅｋ ＤＡＣ１５０ ＶＡＣ－Ｐ速度ミキサー内で混合物を３回混合した。付加的な混合を真空下で（２００ｍｍＨｇ未満に達する）１５００ｒｐｍで６０秒間実施した。卓上型自動コーターを使用して、得られたスラリーをシリコーン処理ＰＥＴ（三菱ポリエステル２ＳＬＫＮ）上にコートし、次いで９０℃で９０分間乾燥させ、厚さ１５０μｍのＢＮフィルムをもたらした。燐光体フィルム及びＢＮフィルムをそれぞれ１インチ×１インチのシートに切り分け、別個のアルミニウムプレート（１×２５×７５ｍｍ）上にラミネートした。ＢＮフィルムでラミネートされた４つのアルミネートプレートを１６０℃で１時間の間硬化させて、「硬化ＢＮフィルム」を得た（５つは未硬化のままにされた）。未硬化燐光体フィルムを有するＡｌプレートをＢＮフィルムを有するＡｌプレートと組み合わせて、燐光体フィルムとＢＮフィルムとが完全に重なり合い、一対のクリップで一緒に保持されるようにした。これらの組立体を１６時間１６０℃で硬化させて、ラップ剪断試験体を製造した。試験体をインストロン・モデル５５６６上で２インチ／分で引っ張り、引張強さを測定した。表１に接着破壊モードも記載し、要約した。予備硬化ＢＮフィルム試験体（すなわち、未硬化燐光体フィルム＋硬化ＢＮフィルム）は低めの引張強さであると評価され、全てが２つのフィルムの間の接着層破壊を示した。ＢＮフィルム及び燐光体フィルムが同時に硬化されるとき（すなわち、未硬化燐光体フィルム＋未硬化ＢＮフィルム）、引張強さはより高く、破壊は凝集破壊又は燐光体フィルムと基材との間の接着層破壊のどちらかで起こり（すなわち、２つのフィルムの間の接着層破壊は無い）、それによって２つの層の間の接着性の改良を示した。

【0041】

【表2】

【0042】

ダイ剪断試験によって測定される側方充填剤フィルム（ＴｉＯ_２白色フィルム）及び波長変換層（燐光体フィルム）の接着性
実施例８：
５．４８７ｇのＴｉＯ_２（ＳＸ－３１０３；堺化学（Ｓａｋａｉ Ｃｈｅｍ））及び１．０１ｇのプロピルプロピオネートを１０．９１ｇの樹脂Ｂに添加した。混合物を２分間手作業で混合し、その後に、Ｔｈｉｎｋｙ ＡＲＶ－３１０ＬＥＤを使用して１２００ｒｐｍ／２分で真空を用いずに２回混合した。混合物を１２００ｒｐｍ／３０秒／１０ｋＰａで（すなわち、真空下で）、次いで６００ｒｐｍ／３０秒／５ｋＰａでさらに混合した。得られたスラリーをＴｅｆｌｏｎ ＰＳＡダム（厚さ１８０μｍ）を有するＡｌプレート（１×２５×７５ｍｍ）上に流延した。３０分間７０℃で乾燥させることによって厚さ９０μｍの未硬化ＴｉＯ_２層が得られた（＃４２２５未硬化）。３０分間７０℃で乾燥させ、その後に、１２０℃で１時間、次いで１６０℃で２時間加熱することによって厚さ９０μｍの硬化ＴｉＯ_２層が得られた。（＃４２２５硬化）。

【0043】

３３．３０３ｇのＴｉＯ_２（ＳＸ－３１０３；堺化学（Ｓａｋａｉ Ｃｈｅｍ））及び５．０４ｇのプロピルプロピオネートを１０．７８ｇの樹脂Ａに添加した。混合物を２分間手作業で混合し、その後に、Ｔｈｉｎｋｙ ＡＲＶ－３１０ＬＥＤを使用して１２００ｒｐｍ／２分／真空を用いずに２回混合した。混合物を１２００ｒｐｍ／３０秒／１０ｋＰａで（すなわち、真空下で）、次いで６００ｒｐｍ／３０秒／５ｋＰａでさらに混合した。得られたスラリーをＴｅｆｌｏｎ ＰＳＡダム（１８０ｕｍ厚さ）を有するＡｌプレート（１×２５×７５ｍｍ）上に流延した。３０分間７０℃で乾燥させることによって厚さ９０μｍの未硬化ＴｉＯ_２層が得られた（＃４２２６未硬化）。３０分間７０℃で乾燥させ、その後に、１２０℃で１時間、次いで１６０℃で２時間加熱することによって厚さ９０μｍの硬化ＴｉＯ_２層が得られた （＃４２２６硬化）。

【0044】

５．３２３ｇのＮＹＡＧ－４４５４Ｌ（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ、ＹＡＧ燐光体、１３μｍ直径）及び１．０１ｇのプロピルプロピオネートを１０．８８ｇの樹脂Ｂに添加した。混合物を２分間手作業で混合し、その後に、Ｔｈｉｎｋｙ ＡＲＶ－３１０ＬＥＤを使用して１２００ｒｐｍ／２分／真空を用いずに２回混合した。混合物を１２００ｒｐｍ／３０秒／１０ｋＰａで（すなわち、真空下で）、次いで６００ｒｐｍ／３０秒／５ｋＰａでさらに混合した。７５０ｕｍの間隙を使用してスラリーをシリコーン処理ＰＥＴ上にコートし、その後に、７０℃で２時間処理して厚さ２９０μｍのフィルムを調製した（＃４２２７）。

【0045】

直径８ｍｍの２９０ｕｍＴ＃４２２７燐光体フィルムを打ち抜き、それぞれのＴｉＯ_２層上に置いた。次に、１×１０×１０ｍｍのＡｌチップを燐光体フィルム上に置き、Ａｌチップ／燐光体フィルム／ＴｉＯ_２層／Ａｌプレート構造物を製造した。燐光体フィルムをアルミニウムプレート上に直接置き、次いでＡｌチップを置いて別の組合せを製造した（すなわち、ＴｉＯ_２層を使用しない：Ａｌ／燐光体フィルム／Ａｌプレート）。全ての試料を１２０℃／１時間＋１６０℃／２時間硬化させた。Ａｌチップを剪断してダイ剪断強さを測定し、結果は、ＴｉＯ_２層が存在しているとき改良された接着強さを示し、ＴｉＯ_２と燐光体層が一緒に硬化されるとき（すなわち、組立体全体の硬化前にＴｉＯ_２層が未硬化であるとき）一層改良された接着強さを示す。

【0046】

【表3】