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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-05
(45)【発行日】2022-12-13
(54)【発明の名称】熱延銅合金板およびスパッタリングターゲット
(51)【国際特許分類】
C22C 9/01 20060101AFI20221206BHJP
C22C 9/00 20060101ALI20221206BHJP
C23C 14/34 20060101ALI20221206BHJP
C22F 1/08 20060101ALN20221206BHJP
C22F 1/00 20060101ALN20221206BHJP
【ＦＩ】
C22C9/01
C22C9/00
C23C14/34 A
C22F1/08 H
C22F1/00 623
C22F1/00 613
C22F1/00 630J
C22F1/00 630K
C22F1/00 604
C22F1/00 683
C22F1/00 684A
C22F1/00 685Z
C22F1/00 694B
C22F1/00 694A
C22F1/00 692A
C22F1/00 692B
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021032440
(22)【出願日】2021-03-02
(65)【公開番号】P2022133646
(43)【公開日】2022-09-14
【審査請求日】2022-06-17
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100175802
【弁理士】
【氏名又は名称】寺本 光生
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(72)【発明者】
【氏名】中里 洋介
(72)【発明者】
【氏名】牧 一誠
(72)【発明者】
【氏名】積川 靖弘
(72)【発明者】
【氏名】谷 雨
【審査官】河野 一夫
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１０－０５３４４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－２０６０８９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２２Ｃ ９／０１
Ｃ２２Ｃ ９／００
Ｃ２３Ｃ １４／３４
Ｃ２２Ｆ １／０８
Ｃ２２Ｆ １／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｍｇを０．２ｍａｓｓ％以上２．１ｍａｓｓ％以下、Ａｌを０．４ｍａｓｓ％以上５．７ｍａｓｓ％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物のうち、Ｆｅの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｏの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｓの含有量が０．００３０ｍａｓｓ％以下、Ｐの含有量が０．００１０ｍａｓｓ％以下とされており、ＥＢＳＤ法により板厚中心部の１５００００μｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭ（登録商標）ｖｅｒ．７．３．１により解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が１５°以上の測定点間を結晶粒界とし、測定した全ての結晶粒界長さＬに対する３≦Σ≦２９の各特殊粒界長さの和Ｌσの比率である特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされ、
板厚中心部の平均結晶粒径μＡが４０μｍ以下とされていることを特徴とする熱延銅合金板。
【請求項2】
前記板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡが、前記板厚中心部の平均結晶粒径μＡの９０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱延銅合金板。
【請求項3】
前記板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡが、０．７以上１．３以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱延銅合金板。
【請求項4】
結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の熱延銅合金板。
【請求項5】
結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の熱延銅合金板。
【請求項6】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の熱延銅合金板からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、スパッタリングターゲット、バッキングプレート、加速器用電子管、マグネトロン等の銅加工品に好適に用いられる熱延銅合金板、および、スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、上述の銅加工品に用いられる銅合金板としては、通常、銅合金のインゴットを製造する鋳造工程と、このインゴットを熱間加工（熱間圧延又は熱間鍛造）する熱間加工工程とによって製造された熱延銅合金板が用いられている。
例えば、特許文献１には、Ｃｕ－Ｍｇ－Ｃａ系合金からなる熱延銅合金板を用いて製造された薄膜トランジスター用配線膜形成用スパッタリングターゲットが開示されている。
例えば、特許文献１には、Ｃｕ－Ｍｇ－Ｃａ系合金からなる熱延銅合金板を用いて製造された薄膜トランジスター用配線膜形成用スパッタリングターゲットが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１０－１０３３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上述の熱延銅合金板においては、フライスやドリル等の切削加工、曲げ等の塑性加工等を施すことにより、所望の形状の製品に加工されることになる。ここで、上述の銅合金板においては、加工時のムシレ、変形を抑制するために、結晶粒径を微細化すること、および、残留歪みを少なくすることが要求されている。
【0005】
ここで、従来の熱延銅合金板（スパッタリングターゲット）においては、加工プロセスとして熱間加工工程のみを有しているので、熱間加工工程の条件制御を行っても、結晶粒の微細化および残留ひずみの低減が不十分となるおそれがあった。このため、加工時のムシレ、変形を十分に抑制することができなかった。また、上述の熱延銅合金板をスパッタリングターゲットとして使用した場合には、高出力のスパッタでの異常放電の発生を十分に抑制することはできなかった。
【0006】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、切削加工性に優れるとともに、スパッタリングターゲットとして用いた場合でも異常放電を十分に抑制することができる熱延銅合金板、および、スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、組成を適正化するとともに、熱間加工工程において適正な組織制御を行うことにより、結晶粒径が細かく、かつ、特殊粒界長さ比率の高い金属組織とすることで、切削加工性に優れた熱延銅合金板、および、スパッタリングターゲットとして用いた場合に高出力のスパッタでの異常放電の発生を抑制することが可能であるとの知見を得た。
【0008】
本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の熱延銅合金板は、Ｍｇを０．２ｍａｓｓ％以上２．１ｍａｓｓ％以下、Ａｌを０．４ｍａｓｓ％以上５．７ｍａｓｓ％以下含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物のうち、Ｆｅの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｏの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｓの含有量が０．００３０ｍａｓｓ％以下、Ｐの含有量が０．００１０ｍａｓｓ％以下とされており、ＥＢＳＤ法により板厚中心部の１５００００μｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭ（登録商標）ｖｅｒ．７．３．１により解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定点間の方位差が１５°以上の測定点間を結晶粒界とし、測定した全ての結晶粒界長さＬに対する３≦Σ≦２９の各特殊粒界長さの和Ｌσの比率である特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされ、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが４０μｍ以下とされていることを特徴としている。
なお、本発明において、板厚中心部とは、板厚方向において、熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５～５５％までの領域とする。
なお、本発明において、板厚中心部とは、板厚方向において、熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５～５５％までの領域とする。
【0009】
この構成の熱延銅合金板によれば、上述の組成とされているので、熱間加工プロセスの条件制御によって、結晶粒の微細化、および、特殊粒界長さ比率の増加を図ることができる。
そして、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが４０μｍ以下、かつ、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされているので、切削加工時におけるムシレの発生を抑制することが可能となる。また、スパッタリングターゲットとして使用した際に、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生を抑制することができる。
そして、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが４０μｍ以下、かつ、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされているので、切削加工時におけるムシレの発生を抑制することが可能となる。また、スパッタリングターゲットとして使用した際に、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生を抑制することができる。
【0010】
なお、本発明における特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）は、電界放出型走査電子顕微鏡を用いたＥＢＳＤ測定装置によって、結晶粒界、特殊粒界を特定し、その長さを算出することで得られるものである。
結晶粒界は、二次元断面観察の結果、隣り合う２つの結晶間の配向方位差が１５°以上となっている場合の当該結晶間の境界として定義される。
また、特殊粒界とは、結晶学的にＣＳＬ理論（Ｋｒｏｎｂｅｒｇ ｅｔ ａｌ：Ｔｒａｎｓ．Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．ＡＩＭＥ，１８５，５０１（１９４９））に基づき定義されるΣ値で３≦Σ≦２９に属する対応粒界であって、かつ、当該対応粒界における固有対応部位格子方位欠陥Ｄｑが、Ｄｑ≦１５°／Σ１／２（Ｄ．Ｇ．Ｂｒａｎｄｏｎ：Ａｃｔａ．Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａ．Ｖｏｌ．１４，ｐ．１４７９，（１９６６））を満たす結晶粒界であるとして定義される。
結晶粒界は、二次元断面観察の結果、隣り合う２つの結晶間の配向方位差が１５°以上となっている場合の当該結晶間の境界として定義される。
また、特殊粒界とは、結晶学的にＣＳＬ理論（Ｋｒｏｎｂｅｒｇ ｅｔ ａｌ：Ｔｒａｎｓ．Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．ＡＩＭＥ，１８５，５０１（１９４９））に基づき定義されるΣ値で３≦Σ≦２９に属する対応粒界であって、かつ、当該対応粒界における固有対応部位格子方位欠陥Ｄｑが、Ｄｑ≦１５°／Σ１／２（Ｄ．Ｇ．Ｂｒａｎｄｏｎ：Ａｃｔａ．Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａ．Ｖｏｌ．１４，ｐ．１４７９，（１９６６））を満たす結晶粒界であるとして定義される。
【0011】
ここで、本発明の熱延銅合金板においては、前記板厚中心部の結晶粒径の標準偏差が、前記板厚中心部の平均結晶粒径μＡの９０％以下であることが好ましい。
この場合、結晶粒径のばらつきが小さく、結晶粒が均一で微細化されており、切削加工時におけるムシレの発生をさらに抑制することが可能となる。また、スパッタリングターゲットとして使用した際に、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生をさらに抑制することができる。
この場合、結晶粒径のばらつきが小さく、結晶粒が均一で微細化されており、切削加工時におけるムシレの発生をさらに抑制することが可能となる。また、スパッタリングターゲットとして使用した際に、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生をさらに抑制することができる。
【0012】
また、本発明の熱延銅合金板においては、前記板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡが、０．７以上１．３以下の範囲内であることが好ましい。なお、本発明において、板厚表層部とは、板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から１ｍｍの位置までの領域とする。
この場合、板厚表層部と板厚中心部とで平均結晶粒径の差が小さく、スパッタリングターゲットとして使用した際に、板厚表層部から板厚中心部までスパッタが進行しても結晶粒径が大きく変化せず、スパッタ時の異常放電の発生を抑制でき、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
この場合、板厚表層部と板厚中心部とで平均結晶粒径の差が小さく、スパッタリングターゲットとして使用した際に、板厚表層部から板厚中心部までスパッタが進行しても結晶粒径が大きく変化せず、スパッタ時の異常放電の発生を抑制でき、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
【0013】
さらに、本発明の熱延銅合金板においては、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることが好ましい。
この場合、加工時に導入されたひずみが高い領域が多く存在しておらず、スパッタリングターゲットとして使用した際に、ひずみの差によってスパッタ面に凹凸が生じることを抑制でき、異常放電の発生が抑制され、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
この場合、加工時に導入されたひずみが高い領域が多く存在しておらず、スパッタリングターゲットとして使用した際に、ひずみの差によってスパッタ面に凹凸が生じることを抑制でき、異常放電の発生が抑制され、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
【0014】
また、本発明の熱延銅合金板においては、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることが好ましい。
この場合、加工時に導入されたひずみが高い領域が多く存在しておらず、スパッタリングターゲットとして使用した際に、ひずみの差によってスパッタ面に凹凸が生じることを抑制でき、異常放電の発生が抑制され、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
この場合、加工時に導入されたひずみが高い領域が多く存在しておらず、スパッタリングターゲットとして使用した際に、ひずみの差によってスパッタ面に凹凸が生じることを抑制でき、異常放電の発生が抑制され、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
【0015】
本発明のスパッタリングターゲットは、上述の熱延銅合金板からなることを特徴としている。
この構成のスパッタリングターゲットによれば、上述の熱延銅合金板で構成されているので、切削加工時におけるムシレの発生を抑制することが可能となり、表面品質に優れている。また、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生を抑制することができる。
この構成のスパッタリングターゲットによれば、上述の熱延銅合金板で構成されているので、切削加工時におけるムシレの発生を抑制することが可能となり、表面品質に優れている。また、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【0016】
本発明によれば、切削加工性に優れるとともに、スパッタリングターゲットとして用いた場合でも異常放電を十分に抑制することができる熱延銅合金板、および、スパッタリングターゲットを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本実施形態である熱延銅合金板（スパッタリングターゲット）の製造方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下に、本発明の一実施形態である熱延銅合金板、および、スパッタリングターゲットについて説明する。
本実施形態である熱延銅合金板は、例えば、スパッタリングターゲット、バッキングプレート、加速器用電子管、マグネトロン等の銅加工品に用いられるものであり、本実施形態においては、配線用の銅合金薄膜を成膜するスパッタリングターゲットとして用いられるものである。
本実施形態である熱延銅合金板は、例えば、スパッタリングターゲット、バッキングプレート、加速器用電子管、マグネトロン等の銅加工品に用いられるものであり、本実施形態においては、配線用の銅合金薄膜を成膜するスパッタリングターゲットとして用いられるものである。
【0019】
本実施形態である熱延銅合金板は、Ｍｇを０．２ｍａｓｓ％以上２．１ｍａｓｓ％以下の範囲内、Ａｌを０．４ｍａｓｓ％以上５．７ｍａｓｓ％以下の範囲内で含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物のうち、Ｆｅの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｏの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｓの含有量が０．００３０ｍａｓｓ％以下、Ｐの含有量が０．００１０ｍａｓｓ％以下とされた組成とされている。
そして、本実施形態である熱延銅合金板は、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされ、平均結晶粒径が４０μｍ以下とされている。
そして、本実施形態である熱延銅合金板は、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされ、平均結晶粒径が４０μｍ以下とされている。
【0020】
また、本実施形態である熱延銅合金板においては、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡが、板厚中心部の平均結晶粒径μＡの９０％以下であることが好ましい。
さらに、本実施形態である熱延銅合金板においては、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡが、０．７以上１．３以下の範囲内であることが好ましい。
なお、本実施形態において、板厚中心部は、板厚方向において、熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５～５５％までの領域とする。また、板厚表層部は、板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から１ｍｍの位置までの領域とする。
さらに、本実施形態である熱延銅合金板においては、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡが、０．７以上１．３以下の範囲内であることが好ましい。
なお、本実施形態において、板厚中心部は、板厚方向において、熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５～５５％までの領域とする。また、板厚表層部は、板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から１ｍｍの位置までの領域とする。
【0021】
さらに、本実施形態である熱延銅合金板においては、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることが好ましい。
また、本実施形態である熱延銅合金板においては、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることが好ましい。
また、本実施形態である熱延銅合金板においては、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下であることが好ましい。
【0022】
ここで、本実施形態の熱延銅合金板において、上述のように成分組成、組織を規定した理由について以下に説明する。
【0023】
（Ｍｇ）
Ｍｇは、熱延銅合金板の結晶粒径を微細化させる作用効果を有する。また、薄膜トランジスターにおける配線膜を構成する銅合金薄膜のヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制して耐マイグレーション性を向上させ、さらに熱処理に際して銅合金薄膜の表面および裏面にＭｇを含有する酸化物層を形成してガラス基板およびＳｉ膜の主成分であるＳｉなどが銅合金配線膜に拡散浸透するのを阻止し、銅合金配線膜の比抵抗の増加を防止するとともに、ガラス基板およびＳｉ膜に対する銅合金配線膜の密着性を向上させる作用を有する。
ここで、Ｍｇの含有量が０．２ｍａｓｓ％未満の場合には、上述の作用効果を奏することができないおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が２．１ｍａｓｓ％を超えると、比抵抗値が増加して、配線膜としては十分な機能を示さなくなるので好ましくない。
このため、本実施形態においては、Ｍｇの含有量を０．２ｍａｓｓ％以上２．１ｍａｓｓ％以下の範囲内としている。
なお、上述の作用効果をさらに奏功せしめるためには、Ｍｇの含有量の下限を０．３ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましく、０．４ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましい。一方、比抵抗値の増加をさらに抑制するためには、Ｍｇの含有量の上限を１．５ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、１．２ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。
Ｍｇは、熱延銅合金板の結晶粒径を微細化させる作用効果を有する。また、薄膜トランジスターにおける配線膜を構成する銅合金薄膜のヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制して耐マイグレーション性を向上させ、さらに熱処理に際して銅合金薄膜の表面および裏面にＭｇを含有する酸化物層を形成してガラス基板およびＳｉ膜の主成分であるＳｉなどが銅合金配線膜に拡散浸透するのを阻止し、銅合金配線膜の比抵抗の増加を防止するとともに、ガラス基板およびＳｉ膜に対する銅合金配線膜の密着性を向上させる作用を有する。
ここで、Ｍｇの含有量が０．２ｍａｓｓ％未満の場合には、上述の作用効果を奏することができないおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が２．１ｍａｓｓ％を超えると、比抵抗値が増加して、配線膜としては十分な機能を示さなくなるので好ましくない。
このため、本実施形態においては、Ｍｇの含有量を０．２ｍａｓｓ％以上２．１ｍａｓｓ％以下の範囲内としている。
なお、上述の作用効果をさらに奏功せしめるためには、Ｍｇの含有量の下限を０．３ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましく、０．４ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましい。一方、比抵抗値の増加をさらに抑制するためには、Ｍｇの含有量の上限を１．５ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、１．２ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。
【0024】
（Ａｌ）
Ａｌは、Ｍｇと共存して含有させることにより、熱延銅合金板の特殊粒界比率を増加させる作用効果を有している。また、ＡｌとＭｇを共存して含有するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された銅合金薄膜においては、熱処理によって、その表面にＭｇ、Ｃｕと、Ａｌとの複酸化物または酸化物固溶体が形成され、密着性、化学的安定性が向上する。
ここで、熱延銅合金板のＡｌの含有量が０．４ｍａｓｓ％未満の場合には、上述の作用効果を奏することができないおそれがある。一方、熱延銅合金板のＡｌの含有量が５．７ｍａｓｓ％を超えると、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値やφ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値も高くなるため、好ましくない。さらに、配線膜として使用した場合、熱延銅合金板の比抵抗値が増加して、配線膜としては十分な機能を示さなくなる。
このため、本実施形態においては、Ａｌの含有量を０．４ｍａｓｓ％以上５．７ｍａｓｓ％以下の範囲内としている。
なお、上述の作用効果をさらに奏功せしめるためには、Ａｌの含有量の下限を０．６ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましく、０．９ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましい。一方、比抵抗値の増加をさらに抑制するためには、Ａｌの含有量の上限を５．０ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、４．２ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。
Ａｌは、Ｍｇと共存して含有させることにより、熱延銅合金板の特殊粒界比率を増加させる作用効果を有している。また、ＡｌとＭｇを共存して含有するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された銅合金薄膜においては、熱処理によって、その表面にＭｇ、Ｃｕと、Ａｌとの複酸化物または酸化物固溶体が形成され、密着性、化学的安定性が向上する。
ここで、熱延銅合金板のＡｌの含有量が０．４ｍａｓｓ％未満の場合には、上述の作用効果を奏することができないおそれがある。一方、熱延銅合金板のＡｌの含有量が５．７ｍａｓｓ％を超えると、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値やφ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値も高くなるため、好ましくない。さらに、配線膜として使用した場合、熱延銅合金板の比抵抗値が増加して、配線膜としては十分な機能を示さなくなる。
このため、本実施形態においては、Ａｌの含有量を０．４ｍａｓｓ％以上５．７ｍａｓｓ％以下の範囲内としている。
なお、上述の作用効果をさらに奏功せしめるためには、Ａｌの含有量の下限を０．６ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましく、０．９ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましい。一方、比抵抗値の増加をさらに抑制するためには、Ａｌの含有量の上限を５．０ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、４．２ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。
【0025】
（Ｆｅ，Ｏ，Ｓ，Ｐ）
不可避不純物のうち、Ｆｅ，Ｏ，Ｓ，Ｐといった元素は、特殊粒界長さ比率を低下させるおそれがある。
このため、本実施形態においては、Ｆｅの含有量を０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｏの含有量を０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｓの含有量を０．００３０ｍａｓｓ％以下、Ｐの含有量を０．００１０ｍａｓｓ％以下としている。
なお、Ｆｅの含有量の上限は０．００１５ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．００１０ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。Ｏの含有量の上限は０．００１０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０００５ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。Ｓの含有量の上限は０．００２０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．００１５ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。Ｐの含有量の上限は０．０００５ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０００３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。
不可避不純物のうち、Ｆｅ，Ｏ，Ｓ，Ｐといった元素は、特殊粒界長さ比率を低下させるおそれがある。
このため、本実施形態においては、Ｆｅの含有量を０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｏの含有量を０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｓの含有量を０．００３０ｍａｓｓ％以下、Ｐの含有量を０．００１０ｍａｓｓ％以下としている。
なお、Ｆｅの含有量の上限は０．００１５ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．００１０ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。Ｏの含有量の上限は０．００１０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０００５ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。Ｓの含有量の上限は０．００２０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．００１５ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。Ｐの含有量の上限は０．０００５ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０００３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましい。
【0026】
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｇ, Ａｓ, Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ, Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｂ, Ｓｅ, Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ , Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、特殊粒界長さ比率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、０．００３０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．００２０ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．００１５ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましい。
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｇ, Ａｓ, Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ, Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｂ, Ｓｅ, Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ , Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、特殊粒界長さ比率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、０．００３０ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．００２０ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．００１５ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましい。
【0027】
（特殊粒界長さ比率）
結晶粒界は、二次元断面観察の結果、隣り合う２つの結晶間の配向が１５°以上となっている場合の当該結晶間の境界として定義される。
特殊粒界は、結晶学的にＣＳＬ理論（Ｋｒｏｎｂｅｒｇ ｅｔ ａｌ：Ｔｒａｎｓ．Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．ＡＩＭＥ，１８５，５０１（１９４９））に基づいて定義されるΣ値で３≦Σ≦２９を有する結晶粒界（対応粒界）である。当該粒界における固有対応部位格子方位欠陥ＤｑがＤｑ≦１５°／Σ１／２（Ｄ．Ｇ．Ｂｒａｎｄｏｎ：Ａｃｔａ．Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａ．Ｖｏｌ．１４，ｐ．１４７９，（１９６６））を満たす結晶粒界として定義される。
すべての結晶粒界のうち、この特殊粒界長さ比率が高いと、結晶粒界の整合性が向上して、スパッタリングターゲットの異常放電が少なくなり、ムシレの発生を抑制することが可能となる。
そこで、本実施形態の熱延銅合金板においては、板厚中心部において、測定した全ての結晶粒界長さＬに対する３≦Σ≦２９の各特殊粒界長さの和Ｌσの比率である特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）を２０％以上に設定している。
なお、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）は３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。
また、特殊粒界長さの上限は、特に制限はないが、製造コストの増加を抑制するために８０％以下であることが好ましい。
結晶粒界は、二次元断面観察の結果、隣り合う２つの結晶間の配向が１５°以上となっている場合の当該結晶間の境界として定義される。
特殊粒界は、結晶学的にＣＳＬ理論（Ｋｒｏｎｂｅｒｇ ｅｔ ａｌ：Ｔｒａｎｓ．Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．ＡＩＭＥ，１８５，５０１（１９４９））に基づいて定義されるΣ値で３≦Σ≦２９を有する結晶粒界（対応粒界）である。当該粒界における固有対応部位格子方位欠陥ＤｑがＤｑ≦１５°／Σ１／２（Ｄ．Ｇ．Ｂｒａｎｄｏｎ：Ａｃｔａ．Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａ．Ｖｏｌ．１４，ｐ．１４７９，（１９６６））を満たす結晶粒界として定義される。
すべての結晶粒界のうち、この特殊粒界長さ比率が高いと、結晶粒界の整合性が向上して、スパッタリングターゲットの異常放電が少なくなり、ムシレの発生を抑制することが可能となる。
そこで、本実施形態の熱延銅合金板においては、板厚中心部において、測定した全ての結晶粒界長さＬに対する３≦Σ≦２９の各特殊粒界長さの和Ｌσの比率である特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）を２０％以上に設定している。
なお、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）は３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。
また、特殊粒界長さの上限は、特に制限はないが、製造コストの増加を抑制するために８０％以下であることが好ましい。
【0028】
（板厚中心部の平均結晶粒径）
本実施形態である熱延銅合金板において、板厚中心部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５％から５５％までの領域）における平均結晶粒径μＡが微細であると、切削加工において表面に微細なムシレが生じにくくなる。また、スパッタリングターゲットとして使用する際には、結晶粒径の微細であるとスパッタ時の凹凸が微細になるため、異常放電が抑制され、スパッタ特性が向上する。
このため、本実施形態の熱延銅合金板においては、板厚中心部の平均結晶粒径μＡを４０μｍ以下に規定している。
なお、板厚中心部の平均結晶粒径μＡは３０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以下であることがより好ましい。
本実施形態である熱延銅合金板において、板厚中心部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５％から５５％までの領域）における平均結晶粒径μＡが微細であると、切削加工において表面に微細なムシレが生じにくくなる。また、スパッタリングターゲットとして使用する際には、結晶粒径の微細であるとスパッタ時の凹凸が微細になるため、異常放電が抑制され、スパッタ特性が向上する。
このため、本実施形態の熱延銅合金板においては、板厚中心部の平均結晶粒径μＡを４０μｍ以下に規定している。
なお、板厚中心部の平均結晶粒径μＡは３０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以下であることがより好ましい。
【0029】
（板厚中心部の結晶粒径の標準偏差）
本実施形態の熱延銅合金板において、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡが十分小さいと、結晶粒径のばらつきが小さくなり、スパッタリングターゲットとして使用した際に、スパッタによる結晶粒ごとの凹凸が均等であるため、異常放電の発生をさらに抑制することができる。
このため、本実施形態の熱延銅合金板においては、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡを、板厚中心部の平均結晶粒径μＡの９０％以下に設定することが好ましい。
なお、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡは、板厚中心部の平均結晶粒径μＡの８０％以下とすることがさらに好ましく、７０％以下とすることがより好ましい。
本実施形態の熱延銅合金板において、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡが十分小さいと、結晶粒径のばらつきが小さくなり、スパッタリングターゲットとして使用した際に、スパッタによる結晶粒ごとの凹凸が均等であるため、異常放電の発生をさらに抑制することができる。
このため、本実施形態の熱延銅合金板においては、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡを、板厚中心部の平均結晶粒径μＡの９０％以下に設定することが好ましい。
なお、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡは、板厚中心部の平均結晶粒径μＡの８０％以下とすることがさらに好ましく、７０％以下とすることがより好ましい。
【0030】
（板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡ）
本実施形態である熱延銅合金板において、板厚方向において結晶粒径が均一であれば、スパッタリングターゲットとして使用した際に、板厚表層部から板厚中心部までのスパッタで結晶粒ごとの凹凸が均等となり、異常放電の発生をさらに抑制することができる。よって、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
このため、本実施形態では、板厚中心部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５％から５５％までの領域）の平均結晶粒径μＡと板厚表層部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から１ｍｍまでの領域）の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡを、０．７以上１．３以下の範囲内とすることが好ましい。
ここで、本実施形態の熱延銅合金板において、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡの下限は０．８以上であることが好ましく、０．９以上であることがより好ましい。一方、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡの上限は１．２以下であることが好ましく、１．１以下であることがより好ましい。
本実施形態である熱延銅合金板において、板厚方向において結晶粒径が均一であれば、スパッタリングターゲットとして使用した際に、板厚表層部から板厚中心部までのスパッタで結晶粒ごとの凹凸が均等となり、異常放電の発生をさらに抑制することができる。よって、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
このため、本実施形態では、板厚中心部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５％から５５％までの領域）の平均結晶粒径μＡと板厚表層部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から１ｍｍまでの領域）の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡを、０．７以上１．３以下の範囲内とすることが好ましい。
ここで、本実施形態の熱延銅合金板において、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡの下限は０．８以上であることが好ましく、０．９以上であることがより好ましい。一方、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡの上限は１．２以下であることが好ましく、１．１以下であることがより好ましい。
【0031】
（φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値）
オイラー角は試料座標系と個々の結晶粒の結晶軸との関係により結晶方位を表しており、結晶軸（Ｘ－Ｙ－Ｚ）が一致した状態から、（Ｚ－Ｘ－Ｚ）軸周りにそれぞれ（φ１，Φ，φ２）回転させることで結晶方位が表現される。３次元オイラー空間に級数展開方によりＯＤＦ（ｃｒｙｓｔａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を表示することで、測定範囲の結晶方位密度の分布を確認することが可能となる。この方位密度分布は標準粉末試料等で得られる完全にランダムな配向状態を１としており、例えばある方位の方位密度が３である場合、その方位はランダムな配向の３倍存在しているという意味になる。
オイラー角は試料座標系と個々の結晶粒の結晶軸との関係により結晶方位を表しており、結晶軸（Ｘ－Ｙ－Ｚ）が一致した状態から、（Ｚ－Ｘ－Ｚ）軸周りにそれぞれ（φ１，Φ，φ２）回転させることで結晶方位が表現される。３次元オイラー空間に級数展開方によりＯＤＦ（ｃｒｙｓｔａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を表示することで、測定範囲の結晶方位密度の分布を確認することが可能となる。この方位密度分布は標準粉末試料等で得られる完全にランダムな配向状態を１としており、例えばある方位の方位密度が３である場合、その方位はランダムな配向の３倍存在しているという意味になる。
【0032】
オイラー角（φ１，Φ，φ２）で表した際にφ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度は、加工時に導入されたひずみが高い領域であり、他の領域に比べてスパッタ効率が異なり、ひずみの高低による凹凸ができ、異常放電が起きやすい。
このため、本実施形態において、スパッタが進行した際に異常放電の発生をさらに抑制するためには、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値を３．０以下とすることが好ましい。
なお、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値の上限は、２．７以下とすることがより好ましく、２．５以下とすることがさらに好ましい。一方、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値の下限に特に制限はないが、０．３以上とすることがより好ましく、０．５以上とすることがさらに好ましい。
このため、本実施形態において、スパッタが進行した際に異常放電の発生をさらに抑制するためには、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値を３．０以下とすることが好ましい。
なお、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値の上限は、２．７以下とすることがより好ましく、２．５以下とすることがさらに好ましい。一方、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値の下限に特に制限はないが、０．３以上とすることがより好ましく、０．５以上とすることがさらに好ましい。
【0033】
（φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値）
オイラー角（φ１，Φ，φ２）で表した際にφ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度は、加工時に導入されたひずみが高い領域であり、他の領域に比べてスパッタ効率が異なり、ひずみの高低による凹凸ができ、異常放電が起きやすい。
このため、本実施形態において、スパッタが進行した際に異常放電の発生をさらに抑制するためには、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値を３．０以下とすることが好ましい。
なお、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値の上限は、２．６以下とすることがより好ましく、２．４以下とすることがさらに好ましい。一方、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値の下限に特に制限はないが、０．３以上とすることがより好ましく、０．５以上とすることがさらに好ましい。
オイラー角（φ１，Φ，φ２）で表した際にφ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度は、加工時に導入されたひずみが高い領域であり、他の領域に比べてスパッタ効率が異なり、ひずみの高低による凹凸ができ、異常放電が起きやすい。
このため、本実施形態において、スパッタが進行した際に異常放電の発生をさらに抑制するためには、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値を３．０以下とすることが好ましい。
なお、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値の上限は、２．６以下とすることがより好ましく、２．４以下とすることがさらに好ましい。一方、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値の下限に特に制限はないが、０．３以上とすることがより好ましく、０．５以上とすることがさらに好ましい。
【0034】
次に、このような構成とされた本実施形態である熱延銅合金板の製造方法（スパッタリングターゲットの製造方法）について、図１に示すフロー図を参照して説明する。
【0035】
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
【0036】
溶解時においては、Ｍｇの酸化を抑制するため、また水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して銅合金インゴットを製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して銅合金インゴットを製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
【0037】
（熱間加工工程Ｓ０２）
次に、得られた銅合金インゴットに対して熱間加工を行う。本実施形態では、熱間圧延を実施し、本実施形態である熱延銅合金板を得る。
ここで、熱間圧延工程の各パスの圧延率は５０％以下で実施し、圧延の総圧延率は９８％以下とする。最終４パスについては、各パスの圧延率が５％未満のとき表層部の結晶粒径が粗大となり、４０％超えのときは特殊粒界長さ比率が低くなるため、最終の４パスの各パスの圧延率は５～４０％とする。さらに、最終４パスについては、特殊粒界長さ比率を高くするために、パスの進行とともに各パスの圧延率を低下するのが好ましい。
ここの「最後４パス」とは、多パス熱間圧延工程の最後に行われる４パスのことである。例えば、熱間圧延時に１０パスが行われる場合、最後４パスは７パス目、８パス目、９パス目及び１０パス目を意味する。
次に、得られた銅合金インゴットに対して熱間加工を行う。本実施形態では、熱間圧延を実施し、本実施形態である熱延銅合金板を得る。
ここで、熱間圧延工程の各パスの圧延率は５０％以下で実施し、圧延の総圧延率は９８％以下とする。最終４パスについては、各パスの圧延率が５％未満のとき表層部の結晶粒径が粗大となり、４０％超えのときは特殊粒界長さ比率が低くなるため、最終の４パスの各パスの圧延率は５～４０％とする。さらに、最終４パスについては、特殊粒界長さ比率を高くするために、パスの進行とともに各パスの圧延率を低下するのが好ましい。
ここの「最後４パス」とは、多パス熱間圧延工程の最後に行われる４パスのことである。例えば、熱間圧延時に１０パスが行われる場合、最後４パスは７パス目、８パス目、９パス目及び１０パス目を意味する。
【0038】
また、前述の熱間圧延工程の最終４パス前の開始温度が６００℃以下のとき特殊粒界長さ比率が低くなり、８５０℃以上のとき結晶粒径が粗大となる。また、最終４パス後の終了温度が５５０℃以下のとき特殊粒界長さ比率が低くなり、８００℃以上のとき結晶粒径が粗大となる。
このため、本実施形態では、最終４パス前の開始温度は、６００℃超え８５０℃未満とすることが好ましい。また、最終４パス後の終了温度は、５５０℃超え８００℃未満とすることが好ましい。
このため、本実施形態では、最終４パス前の開始温度は、６００℃超え８５０℃未満とすることが好ましい。また、最終４パス後の終了温度は、５５０℃超え８００℃未満とすることが好ましい。
【0039】
さらに、熱間圧延終了後から２００℃以下の温度になるまでの冷却速度が２００℃／ｍｉｎより遅いと、板厚中心部の結晶粒径が粗大となり、粒径のばらつきが大きくなるおそれがある。
このため、本実施形態では、熱間圧延終了後から２００℃以下の温度になるまでの冷却速度を２００℃／ｍｉｎ以上とすることが好ましい。
なお、仕上げ熱間圧延後、熱延銅合金板の形状を調整するために、圧下率１０％以下の冷間圧延加工やレベラーでの形状修正を実施してもよい。
このため、本実施形態では、熱間圧延終了後から２００℃以下の温度になるまでの冷却速度を２００℃／ｍｉｎ以上とすることが好ましい。
なお、仕上げ熱間圧延後、熱延銅合金板の形状を調整するために、圧下率１０％以下の冷間圧延加工やレベラーでの形状修正を実施してもよい。
【0040】
（切削加工工程Ｓ０３）
得られた本実施形態である熱延銅合金板に対して、切削加工を行うことにより、スパッタリングターゲットが製造される。
得られた本実施形態である熱延銅合金板に対して、切削加工を行うことにより、スパッタリングターゲットが製造される。
【0041】
以上のような構成とされた本実施形態である熱延銅合金板においては、Ｍｇを０．２ｍａｓｓ％以上２．１ｍａｓｓ％以下の範囲内、Ａｌを０．４ｍａｓｓ％以上５．７ｍａｓｓ％以下の範囲内で含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物のうち、Ｆｅの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｏの含有量が０．００２０ｍａｓｓ％以下、Ｓの含有量が０．００３０ｍａｓｓ％以下、Ｐの含有量が０．００１０ｍａｓｓ％以下とされているので、熱間加工プロセスの条件制御によって、結晶粒の微細化、および、特殊粒界長さ比率の増加を図ることができる。
【0042】
そして、本実施形態である熱延銅合金板においては、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが４０μｍ以下、かつ、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が２０％以上とされているので、切削加工時におけるムシレの発生を抑制することが可能となる。また、スパッタリングターゲットとして使用した際に、高出力でのスパッタ時の異常放電の発生を抑制することができる。
【0043】
また、本実施形態において、板厚中心部の結晶粒径の標準偏差σＡが、板厚中心部の平均結晶粒径μＡの９０％以下である場合には、結晶粒径のばらつきが小さく、結晶粒が均一で微細化されており、切削加工時におけるムシレの発生をさらに抑制することが可能となる。また、スパッタリングターゲットとして使用した際に、スパッタ時の異常放電の発生をさらに抑制することができる。
【0044】
さらに、本実施形態において、板厚中心部の平均結晶粒径μＡと板厚表層部の平均結晶粒径μＢとの比μＢ／μＡが、０．７以上１．３以下の範囲内である場合には、板厚表層部と板厚中心部とで平均結晶粒径の差が小さく、スパッタリングターゲットとして使用した際に、スパッタが進行しても結晶粒径が大きく変化せず、板厚表層部から板厚中心部までのスパッタで異常放電の発生を抑制でき、長時間安定してスパッタ成膜することが可能となる。
【0045】
また、本実施形態において、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下である場合には、加工時に導入されたひずみが高い領域の方位密度が低く、スパッタリングターゲットとして使用した際に、ひずみの差によってスパッタ面に凹凸が生じることを抑制でき、スパッタ時の異常放電の発生を抑制でき、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
【0046】
さらに、本実施形態において、結晶方位分布関数のオイラー角、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値が３．０以下である場合には、加工時に導入されたひずみが高い領域の方位密度が低く、スパッタリングターゲットとして使用した際に、ひずみの差によってスパッタ面に凹凸が生じることを抑制でき、スパッタ時の異常放電の発生を抑制でき、長時間安定してスパッタ成膜することができる。
【0047】
以上、本発明の実施形態である熱延銅合金板について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、熱延銅合金板の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
例えば、上述の実施形態では、熱延銅合金板の製造方法の一例について説明したが、銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
【実施例】
【0048】
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
【0049】
（本発明例）
無酸素銅（９９．９９ｍａｓｓ％以上）をＡｒガス雰囲気中、加熱炉によって溶融、得られた溶湯にＭｇ、Ａｌを添加し、連続鋳造機を用いて製出した銅合金インゴットを用いた。圧延前の素材寸法は、幅６２０ｍｍ×長さ１０００ｍｍ×厚さ２５０ｍｍとし、表１記載の圧延工程を行い、熱延銅合金板を作製した。
熱間圧延工程の各パスの圧延率は５０％以下で実施し、熱間圧延の総圧延率は９８％以下とした。最終の４パスの各パスの圧延率は５～４０％とした。また、前述の熱間圧延工程の最終４パス前の開始温度と４パス後の終了温度を表１に示した。温度測定は放射温度計を用い、圧延板の表面温度を測定することにより行った。
そして、このような熱間圧延終了後に、２００℃以下の温度になるまで、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で水冷によって冷却した。
無酸素銅（９９．９９ｍａｓｓ％以上）をＡｒガス雰囲気中、加熱炉によって溶融、得られた溶湯にＭｇ、Ａｌを添加し、連続鋳造機を用いて製出した銅合金インゴットを用いた。圧延前の素材寸法は、幅６２０ｍｍ×長さ１０００ｍｍ×厚さ２５０ｍｍとし、表１記載の圧延工程を行い、熱延銅合金板を作製した。
熱間圧延工程の各パスの圧延率は５０％以下で実施し、熱間圧延の総圧延率は９８％以下とした。最終の４パスの各パスの圧延率は５～４０％とした。また、前述の熱間圧延工程の最終４パス前の開始温度と４パス後の終了温度を表１に示した。温度測定は放射温度計を用い、圧延板の表面温度を測定することにより行った。
そして、このような熱間圧延終了後に、２００℃以下の温度になるまで、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で水冷によって冷却した。
【0050】
（比較例）
無酸素銅（９９．９９ｍａｓｓ％以上）をＡｒガス雰囲気中、加熱炉によって溶融、得られた溶湯にＭｇ、Ａｌを添加し、連続鋳造機を用いて製出した銅合金インゴットを用いた。圧延前の素材寸法は、幅６２０ｍｍ×長さ１０００ｍｍ×厚さ２５０ｍｍとし、表１記載の圧延工程を行い、熱延銅合金板を作製した。
熱間圧延工程の各パスの圧延率は５０％以下で実施し、熱間圧延の総圧延率は９８％以下とした。また、前述の熱間圧延工程の最終４パス前の開始温度と４パス後の終了温度を表１に示した。温度測定は放射温度計を用い、圧延板の表面温度を測定することにより行った。そして、このような熱間圧延終了後に、２００℃以下の温度になるまで、水冷あるいは空冷によって冷却した。
無酸素銅（９９．９９ｍａｓｓ％以上）をＡｒガス雰囲気中、加熱炉によって溶融、得られた溶湯にＭｇ、Ａｌを添加し、連続鋳造機を用いて製出した銅合金インゴットを用いた。圧延前の素材寸法は、幅６２０ｍｍ×長さ１０００ｍｍ×厚さ２５０ｍｍとし、表１記載の圧延工程を行い、熱延銅合金板を作製した。
熱間圧延工程の各パスの圧延率は５０％以下で実施し、熱間圧延の総圧延率は９８％以下とした。また、前述の熱間圧延工程の最終４パス前の開始温度と４パス後の終了温度を表１に示した。温度測定は放射温度計を用い、圧延板の表面温度を測定することにより行った。そして、このような熱間圧延終了後に、２００℃以下の温度になるまで、水冷あるいは空冷によって冷却した。
【0051】
上述のようにして得られた本発明例１～１８及び比較例１～１０の熱延銅合金板の板厚表層部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から１ｍｍまでの領域）および板厚中心部（板厚方向において熱延銅合金板の表面（酸化物と銅の界面）から全厚の４５～５５％までの領域）について、平均結晶粒径、および、スパッタリングターゲットとして使用した場合の異常放電回数を評価した。また、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）、結晶粒径の標準偏差、フライス加工時のムシレの状態についても評価した。
【0052】
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、ＭｇとＡｌは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、Ｆｅは誘導結合プラズマ質量分析法、Ｏは不活性ガス融解赤外線吸収法、Ｓは燃焼赤外線吸収法、Ｐは固体発光分光分析法を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１に示す成分組成であることを確認した。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、ＭｇとＡｌは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、Ｆｅは誘導結合プラズマ質量分析法、Ｏは不活性ガス融解赤外線吸収法、Ｓは燃焼赤外線吸収法、Ｐは固体発光分光分析法を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。その結果、表１に示す成分組成であることを確認した。
【0053】
（平均結晶粒径）
得られた熱延銅合金板の板厚表層部および板厚中心部について、平均結晶粒径を算出した。また、板厚中心部については、結晶粒径の標準偏差を算出した。各試料について、銅合金板の圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）面の板厚表層部と板厚中心部において、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製 ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、測定間隔１μｍステップで１５００００μｍ２以上の測定面積で、ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、データ解析ソフトＯＩＭを用いてＡｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均結晶粒径と標準偏差を求めた。
得られた熱延銅合金板の板厚表層部および板厚中心部について、平均結晶粒径を算出した。また、板厚中心部については、結晶粒径の標準偏差を算出した。各試料について、銅合金板の圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）面の板厚表層部と板厚中心部において、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製 ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、測定間隔１μｍステップで１５００００μｍ２以上の測定面積で、ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とし、データ解析ソフトＯＩＭを用いてＡｒｅａ Ｆｒａｃｔｉｏｎにより平均結晶粒径と標準偏差を求めた。
【0054】
（特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ））
得られた熱延銅合金板について、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）を算出した。各試料について、銅合金板の圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）面の板厚中心において、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製 ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、測定間隔１μｍステップで１５００００μｍ２以上の測定面積で、ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とした。また、測定範囲における結晶粒界の全粒界長さＬを測定し、隣接する結晶粒の界面が特殊粒界を構成する結晶粒界の位置を決定するとともに、特殊粒界（３≦Σ≦２９を有する結晶粒界）の各長さの和Ｌσと、上記測定した結晶粒界の全粒界長さＬとの粒界長さ比率Ｌσ／Ｌを求め、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）とした。
得られた熱延銅合金板について、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）を算出した。各試料について、銅合金板の圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）面の板厚中心において、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製 ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）によって、電子線の加速電圧１５ｋＶ、測定間隔１μｍステップで１５００００μｍ２以上の測定面積で、ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間を結晶粒界とした。また、測定範囲における結晶粒界の全粒界長さＬを測定し、隣接する結晶粒の界面が特殊粒界を構成する結晶粒界の位置を決定するとともに、特殊粒界（３≦Σ≦２９を有する結晶粒界）の各長さの和Ｌσと、上記測定した結晶粒界の全粒界長さＬとの粒界長さ比率Ｌσ／Ｌを求め、特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）とした。
【0055】
（方位密度）
上記の測定用サンプルを用い、平均結晶粒径の１０分の１以下となる測定間隔のステップで板厚中心部を総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１５００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が１以下である測定点を除いて解析し、方位密度を求めた。
解析により得られた結晶方位分布関数をオイラー角で表示した。そして、得られた方位密度より算出されたφ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値、および、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値を求めた。
上記の測定用サンプルを用い、平均結晶粒径の１０分の１以下となる測定間隔のステップで板厚中心部を総数１０００個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で１５００００μｍ２以上となる測定面積で、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が１以下である測定点を除いて解析し、方位密度を求めた。
解析により得られた結晶方位分布関数をオイラー角で表示した。そして、得られた方位密度より算出されたφ２＝０°、φ１＝０°、Φ＝０～９０°の範囲における方位密度の平均値、および、φ２＝４５°、φ１＝０～９０°、Φ＝９０°の範囲における方位密度の平均値を求めた。
【0056】
（フライス加工時のムシレの状態）
各試料を１００×２０００ｍｍの平板とし、その表面をフライス盤で超硬刃先のバイトを用いて切り込み深さ０．１ｍｍ、切削速度５０００ｍ／分で切削加工し、その切削表面の５００μｍ四方の視野において、長さ１００μｍ以上のムシレ疵が何個存在したかを評価した。
各試料を１００×２０００ｍｍの平板とし、その表面をフライス盤で超硬刃先のバイトを用いて切り込み深さ０．１ｍｍ、切削速度５０００ｍ／分で切削加工し、その切削表面の５００μｍ四方の視野において、長さ１００μｍ以上のムシレ疵が何個存在したかを評価した。
【0057】
（異常放電回数）
各試料からターゲット部分が直径１５２ｍｍとなるようにバッキングプレート部分を含めた一体型のターゲットを、スパッタ表面が板厚表層部のものと板厚中心部のものの２種類を作製した。それらのターゲットをスパッタ装置に取り付け、チャンバー内の到達真空圧力が２×１０－５Ｐａ以下になるまで真空引きした。
次に、スパッタガスとして純Ａｒガスを用い、スパッタガス雰囲気圧力を０．５Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源にてスパッタ出力１９００Ｗで５時間放電し、その間に生じた異常放電回数を電源に付属するアークカウンターを用いて計測することにより、総異常放電回数をカウントした。
各試料からターゲット部分が直径１５２ｍｍとなるようにバッキングプレート部分を含めた一体型のターゲットを、スパッタ表面が板厚表層部のものと板厚中心部のものの２種類を作製した。それらのターゲットをスパッタ装置に取り付け、チャンバー内の到達真空圧力が２×１０－５Ｐａ以下になるまで真空引きした。
次に、スパッタガスとして純Ａｒガスを用い、スパッタガス雰囲気圧力を０．５Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源にてスパッタ出力１９００Ｗで５時間放電し、その間に生じた異常放電回数を電源に付属するアークカウンターを用いて計測することにより、総異常放電回数をカウントした。
【0058】
【表1】
【0059】
【表2】
【0060】
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少なく、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが７７μｍであった比較例１においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
Ａｌの含有量が本発明の範囲よりも少なく、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が１１％であった比較例２においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
Ａｌの含有量が本発明の範囲よりも少なく、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が１１％であった比較例２においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
【0061】
Ａｌの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例３においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
Ｆｅ，Ｏ，Ｓ，Ｐの含有量が本発明の範囲よりも多く、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が１６％であった比較例４においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
Ｆｅ，Ｏ，Ｓ，Ｐの含有量が本発明の範囲よりも多く、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が１６％であった比較例４においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
【0062】
熱間圧延の最終４パスの開始温度及び終了温度が低く、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が８％であった比較例５においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
熱間圧延の最終４パスの開始温度及び終了温度が高く、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが９３μｍであった比較例６においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
熱間圧延の最終４パスの開始温度及び終了温度が高く、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが９３μｍであった比較例６においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
【0063】
熱間圧延の最終４パスの圧下率が低く、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが５６μｍであった比較例７においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
熱間圧延の最終４パスの圧下率が高く、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が６％であった比較例８においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
熱間圧延の最終４パスの圧下率が高く、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が６％であった比較例８においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
【0064】
熱間圧延の最終４パスにおいて後段のパスの圧下率が高く、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）が１３％であった比較例９においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
熱間圧延後の冷却速度が６０℃／ｍｉｎと遅く、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが１０２μｍであった比較例１０においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
熱間圧延後の冷却速度が６０℃／ｍｉｎと遅く、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが１０２μｍであった比較例１０においては、切削時のムシレ個数が多く、板厚表層部および板厚中心部での異常放電回数が多くなった。
【0065】
これに対して、Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｏ，Ｓ，Ｐの含有量、板厚中心部の特殊粒界長さ比率（Ｌσ／Ｌ）、板厚中心部の平均結晶粒径μＡが、本発明の範囲内とされた本発明例１～１８においては、切削加工時のムシレ個数が４個以下に抑えられており、板厚表層部および板厚中心部における異常放電の発生回数も７回以下となった。
【0066】
以上の実施例の結果から、本発明例によれば、切削加工性に優れるとともに、スパッタリングターゲットとして用いた場合でも異常放電を十分に抑制することができる熱延銅合金板およびスパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
【図1】