特許 7188836 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-05

(45)【発行日】2022-12-13

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221206BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2018092561

(22)【出願日】2018-05-11

(65)【公開番号】P2019080034

(43)【公開日】2019-05-23

【審査請求日】2021-03-24

(31)【優先権主張番号】10-2017-0136892

(32)【優先日】2017-10-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、ジュン－ウー

(72)【発明者】

【氏名】ミン、タエ－ホン

(72)【発明者】

【氏名】ソン、ヨ－ハン

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－１４２３９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１０７９３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－２５２４６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３３５０７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２５０５８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２９９９４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１５７７１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１７４９９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０００３８４４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／００―３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一面に金属パッドが形成された第１絶縁層と、
前記金属パッドの一面に接続するように、前記第１絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、
前記第１絶縁層の一面に積層される第２絶縁層と、
前記金属パッドの他面に接続するように、前記第２絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、
前記メッキビアの前記第１絶縁層の他面側の最外部の表面は、前記第１絶縁層の一面と他面との間に位置し、その周りは前記第１絶縁層と接するプリント回路基板。

【請求項2】

前記金属パッドの側面は、傾斜して形成される請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記金属パッドの横断面積は、前記金属パッドの一面から他面に行くほど大きくなる請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第１絶縁層の一面に形成された第１回路をさらに含み、
前記第１回路の側面は、傾斜して形成される請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１絶縁層の他面に形成される第２回路をさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記メッキビア及び前記第２回路は、下部にシード層を含む請求項５に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記第１絶縁層の他面に形成されるグラウンド層をさらに含む請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記ペーストビアは、前記第２絶縁層の一面よりも突出する請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記メッキビア及び前記ペーストビアのそれぞれの横断面積は、前記金属パッドから外側に行くほど大きくなる請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のうちの少なくとも１種で形成される請求項１から９のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、
前記第１絶縁層の他面上に積層される第２絶縁層と、
前記メッキビアに接触するように、前記第２絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、
前記メッキビアと前記ペーストビアとの接触界面は、前記第１絶縁層内に位置し、前記ペーストビアの端部の側面は前記第１絶縁層と接触するプリント回路基板。

【請求項12】

前記ペーストビアの端部の側面は、前記第１絶縁層と接触する請求項１１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記第１絶縁層の一面に形成される金属パッドをさらに含み、
前記メッキビアは、前記金属パッドの一面に形成され、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層の他面に積層される請求項１１または１２に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記金属パッドの横断面積は、前記金属パッドの一面から他面に行くほど大きくなる請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記第１絶縁層の一面に形成された第１回路をさらに含み、
前記第１回路の側面は、傾斜して形成される請求項１３または１４に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

前記第１絶縁層の他面に形成される第２回路をさらに含む請求項１３から１５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項17】

前記メッキビア及び前記第２回路は、下部にシード層を含む請求項１６に記載のプリント回路基板。

【請求項18】

前記第１絶縁層の他面に形成されるグラウンド層をさらに含む請求項１３から１７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項19】

前記メッキビアの横断面積は、下面から前記接触界面に行くほど大きくなり、
前記ペーストビアの横断面積は、上面から前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面に行くほど大きくなり、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との界面から前記接触界面に行くほど小さくなる請求項１１から１８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【請求項20】

前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のうちの少なくとも１種で形成される請求項１１から１９のいずれか一項に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）に関する。

【背景技術】

【0002】

近年２０ＧＨｚ以上の高周波帯域を使用する５Ｇ通信に対する関心が急増しており、これに対応するためにＰＣＢに新たな材料を用いる技術研究が行われている。高周波帯域での信号伝達のときの損失を最小化するために、低誘電率（Ｄｋ）、低誘電損失（Ｄｆ）を有する絶縁材料の使用及び回路表面粗度の低減、ビア間接続の向上などに関する技術開発が求められる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】韓国公開特許第１０－２０１１－０００２１１２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、ビア間の接続が向上されたプリント回路基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一側面によれば、一面に金属パッドが形成された第１絶縁層と、上記金属パッドの一面に接続するように上記第１絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、上記第１絶縁層の一面に積層される第２絶縁層と、上記金属パッドの他面に接続するように上記第２絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、上記メッキビアの第１絶縁層の他面側の表面が上記第１絶縁層内に位置するプリント回路基板が提供される。

【0006】

本発明の他の側面によれば、第１絶縁層と、上記第１絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、上記第１絶縁層上に積層される第２絶縁層と、上記メッキビアと接触するように上記第２絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、上記メッキビアと上記ペーストビアとの接触界面が上記第１絶縁層内に位置するプリント回路基板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。

【図2】本発明の実施例に係るプリント回路基板の複数の単位層を示す図である。

【図3】本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図である。

【図4】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。

【図5】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図6】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図7】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図8】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図9】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図10】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図11】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図12】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図13】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図14】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図15】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図16】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図17】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【図18】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。

【0009】

また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。

【0010】

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

【0011】

図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図であり、図２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の複数の単位層を示す図であり、図３は、本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図である。

【0012】

本発明の実施例に係るプリント回路基板は、２つの側面から説明することにする。第１側面は、一つの単位層内の構造についての説明であり、第２側面は、隣接した互いに異なる単位層間を結合するビア構造についての説明である。具体的には、図１及び図２を参照しながら、前者について説明し、図３を参照しながら、後者について説明する。

【0013】

図１及び図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１００と、メッキビア１３０と、第２絶縁層２００と、ペーストビア２３０と、を含む。

【0014】

プリント回路基板は、複数の単位層で形成されることができ、複数の単位層のそれぞれは、第１絶縁層１００と、メッキビア１３０と、第２絶縁層２００と、ペーストビア２３０と、を含む。

【0015】

第１絶縁層１００及び第２絶縁層２００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材である。第２絶縁層２００は、第１絶縁層１００の一面に積層される。プリント回路基板が複数の単位層で形成される場合は、各単位層が第１絶縁層１００と第２絶縁層２００とを含むので、最終的に製造されるプリント回路基板は、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００とが交互に繰り返し積層される構造を有する。

【0016】

絶縁層１００、２００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な材料を用いることができる。

【0017】

絶縁層１００、２００は、誘電率及び誘電損失の低い材料で形成可能である。特に、絶縁層１００、２００は、誘電定数（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）の低い材料、例えば、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のうちの少なくとも１種で形成可能である。これらの材料は、高周波信号を伝送する基板において信号損失を低減するために好適である。

【0018】

しかし、絶縁層１００、２００は、上記の材料に限定されず、それら以外にもエポキシ樹脂またはポリイミド等で形成することができる。ここで、エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。

【0019】

絶縁層１００、２００には、上記樹脂にガラス繊維（ｇｌａｓｓ ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材やシリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が含有されてもよい。前者の例としては、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇと、ＰＰＧ）が挙げられ、後者の例としては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）等のビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ ｕｐ ｆｉｌｍ）が挙げられる。

【0020】

第１絶縁層１００の一面には、第１回路１１１及び金属パッド１１０が形成される。

【0021】

第１回路１１１及び金属パッド１１０は、第１絶縁層１００の一面に埋め込まれることができる。この場合、第１回路１１１及び金属パッド１１０は、第２絶縁層２００において第１絶縁層１００の一面と接触する面（第２絶縁層２００の他面であって、本明細書では第２絶縁層２００において第１絶縁層１００と接触しない面を「一面」と称し、その反対面を「他面」と称する。）上に形成され、第１回路１１１及び金属パッド１１０は、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００との間に位置し、第１絶縁層１００の一面に埋め込まれる。

【0022】

第１回路１１１は、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。金属パッド１１０は、第１回路１１１に接続する伝導体である。第１回路１１１及び金属パッド１１０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金で形成することができる。

【0023】

第１回路１１１と金属パッド１１０の各側面は、傾斜して形成されることができる。特に、第１回路１１１及び金属パッド１１０の各側面は、下向きの傾斜面を有することができ、第１回路１１１及び金属パッド１１０の横断面積は、下部に行くほど（第２絶縁層２００側に行くほど）大きくなることができる。特に、金属パッド１１０は、一面から他面に行くほどその横断面積が大きくなる。この傾斜した側面は、テンティング（ｔｅｎｔｉｎｇ）のようにサブトラクティブ法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）により第１回路１１１と金属パッド１１０を形成した結果であり得る。

【0024】

第１絶縁層１００の他面には、第２回路１１２が形成される。

【0025】

第２回路１１２は、第１回路１１１と同じく、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。第２回路１１２は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金で形成することができる。

【0026】

第２回路１１２は、第１回路１１１に比べて微細ピッチ（ｐｉｔｃｈ）を有することができる。すなわち、第２回路１１２の配線密度は、第１回路１１１の配線密度よりも大きく、第２回路１１２の幅は、第１回路１１１の幅よりも小さく、第２回路１１２間の間隔は、第１回路１１１間の間隔よりも小さくてもよい。

【0027】

第２回路１１２の側面は、傾斜面を有さないか、第１回路１１１に比べて垂直に近い傾斜面を有することができる。これは、第１回路１１１と第２回路１１２とが互いに異なる方式により形成された結果であり得、例えば、第１回路１１１は、サブトラクティブ法により形成され、第２回路１１２は、アディティブ法（ａｄｄｉｔｉｖｅ）、セミアディティブ法（ｓｅｍｉ ａｄｄｉｔｉｖｅ）、モディファイドセミアディティブ法（ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｓｅｍｉ ａｄｄｉｔｉｖｅ）等により形成されることができる。

【0028】

第２回路１１２は、下部にシード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキにより形成可能であり、この場合、第２回路１１２は、電解メッキにより形成可能である。シード層Ｓは、２μｍ以下の厚さを有することができる。

【0029】

第１絶縁層１００の他面には、グラウンド層１１３を形成することができる。第２回路１１２はパターン化された導体であることに対して、グラウンド層１１３は第２回路１１２よりも広く形成される金属層であり得る。

【0030】

プリント回路基板が複数の単位層で形成される場合、各単位層の第１絶縁層１００の他面には第２回路１１２またはグラウンド層１１３を選択的に形成することができ、複数の単位層が一括積層されて最終的に製造されたプリント回路基板においては、回路層（第１回路１１１、第２回路１１２）及びグラウンド層１１３が特定の順に交互に形成されることができる。例えば、図１では、グラウンド層１１３が３つの回路層毎に形成されるように設計されている。

【0031】

しかし、この構造に制限されず、第１絶縁層１００の他面に第２回路１１２とグラウンド層１１３とがともに形成されることもできる。

【0032】

第１絶縁層１００にはメッキビア１３０が形成される。

【0033】

メッキビア１３０は、第１絶縁層１００を貫通する第１開口部１２０内に形成されることにより、メッキビア１３０は、第１絶縁層１００を貫通する形態に形成されることができる。メッキビア１３０は、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金が第１開口部１２０内にメッキされることにより形成可能である。

【0034】

メッキビア１３０は、金属パッド１１０に接続され、金属パッド１１０の一面と接触する。メッキビア１３０は、金属パッド１１０と第２回路１１２（または、グラウンド層１１３）とを電気的に接続する。このとき、金属パッド１１０は、第１回路１１１に接続されるので、第１回路１１１と第２回路１１２（または、グラウンド層１１３）とは、メッキビア１３０により電気的に接続される。

【0035】

メッキビア１３０において金属パッド１１０と接触しない表面は、第１絶縁層１００の他面側に露出される。ただし、メッキビア１３０において金属パッド１１０と接触しない表面は、第１絶縁層１００の他面よりも陥没している。すなわち、メッキビア１３０の第１絶縁層１００の他面側の表面は、第１絶縁層１００の内部に位置する。このため、第１絶縁層１００の一面を下面、第１絶縁層１００の他面を上面と設定すると、メッキビア１３０の上面は、第１絶縁層１００の上面よりも下に位置する。ここで、メッキビア１３０の表面が第１絶縁層１００の上面よりも陥没して形成される空間をリセス（ｒｅｃｅｓｓ）空間１４０と称することがある。リセス空間１４０の厚さは、３μｍ以下であってもよい。

【0036】

メッキビア１３０の横断面積は、第１絶縁層１００の一面から他面に行くほど大きくなることができる。すなわち、メッキビア１３０の横断面積は、第１回路１１１から第２回路１１２（または、グラウンド層１１３）に行くほど大きくなる。一方、複数の単位層のうちの１つの単位層において、メッキビア１３０の横断面積は、金属パッド１１０から外側に行くほど大きくなることができる。これは、第１開口部１２０がＣＯ_２レーザ等のレーザ加工により形成された結果であり得る。

【0037】

メッキビア１３０は、下部にシード層Ｓを含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキにより形成可能であり、この場合、メッキビア１３０は、電解メッキにより形成可能である。シード層Ｓは、２μｍ以下の厚さを有することができる。第２回路１１２のシード層Ｓとメッキビア１３０のシード層Ｓとは互いに接続されて、その間に界面が存在しないことがある。

【0038】

第２絶縁層２００には、ペーストビア２３０が形成される。ペーストビア２３０は、伝導性充填材で形成されたビアであって、例えば、金属ペーストで充填されたビアであり得る。

【0039】

ペーストビア２３０を形成する金属ペーストの金属は、メッキビア１３０を形成する金属と異なってもよい。ペーストビア２３０の金属の溶融点は、メッキビア１３０のメッキの溶融点よりも小さくてもよい。メッキビア１３０は銅を含む金属で形成され、ペーストビア２３０は、ビスマスがコーティングされた銅、錫、銀を含む金属で形成されることができる。

【0040】

ペーストビア２３０は、第２絶縁層２００を貫通する第２開口部２２０内に形成されることにより、第２絶縁層２００を貫通する形態に形成可能である。ペーストビア２３０は、金属パッド１１０に接続され、金属パッド１１０の他面と接触する。

【0041】

ペーストビア２３０の横断面積は、金属パッド１１０の他面から第２絶縁層２００の一面に行くほど大きくなる。メッキビア１３０の横断面積及びペーストビア２３０の横断面積の増減は、金属パッド１１０を基準にして互いに対称をなすことができる。すなわち、複数の単位層のうちの１つの単位層において、メッキビア１３０の横断面積及びペーストビア２３０の横断面積は、金属パッド１１０から外側に行くほど大きくなることができる。これは、第１開口部１２０と第２開口部２２０の加工面が反対に位置した結果であり得る。

【0042】

ペーストビア２３０は、第２絶縁層２００の一面から露出することができる。この場合、ペーストビア２３０は、第２絶縁層２００の一面よりも突出することができる。すなわち、第２絶縁層２００の一面を下面と称すると、第２絶縁層２００の他面が第１絶縁層１００の一面と接触し、ペーストビア２３０の下面は第２絶縁層２００の下面から露出され、第２絶縁層２００の下面よりも突出することができる。

【0043】

一方、ペーストビア２３０の横断面積は、第２絶縁層２００の一面から外側に行くほど小さくなることができる。結局、ペーストビア２３０の横断面積は、金属パッド１１０の他面から第２絶縁層２００の一面までは大きくなり、その後には小さくなることができる。

【0044】

図３は、複数の単位層でプリント回路基板を形成する場合、ある１つの単位層に形成されたメッキビア１３０と、隣接している他の１つの単位層に形成されたペーストビア２３０との結合関係を示す図である。

【0045】

複数の単位層でプリント回路基板を形成する場合、ある１つの単位層の第１絶縁層１００は、隣接する他の１つの単位層の第２絶縁層２００と接することになる。このとき、上記のある１つの単位層にあるメッキビア１３０は、上記隣接する他の１つの単位層にあるペーストビア２３０と接触することになる。

【0046】

すなわち、第１絶縁層１００上に第２絶縁層２００が積層され、第１絶縁層１００を貫通するメッキビア１３０と第２絶縁層２００を貫通するペーストビア２３０とは互いに接触する。このとき、メッキビア１３０とペーストビア２３０との接触界面は、第１絶縁層１００内に位置する。図３に示すように、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００との界面をＡとする場合、メッキビア１３０とペーストビア２３０との接触界面は、Ａに比べてＢの分だけ第１絶縁層１００側に位置する。ここで、Ｂの分だけの空間がリセス空間１４０となる。

【0047】

具体的に、メッキビア１３０の表面が界面Ａよりも陥没しており、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００とが互いに積層されるとき、ペーストビア２３０がメッキビア１３０の陥没している領域に挿入されて、結果的にペーストビア２３０が界面ＡからＢの分だけ突出する。ここで、ペーストビア２３０の端部の側面は、第１絶縁層１００と接触する。

【0048】

このリセス空間１４０は、ペーストビア２３０を一部収容するので、ペーストビア２３０の不要なフロー（ｆｌｏｗ）を防止できる。また、リセス空間１４０により、メッキビア１３０とペーストビア２３０との整合に有利な効果があり、別途のビアパッドが不要となり、ビアパッドによる信号損失も低減することができる。

【0049】

なお、１絶縁層１００の一面には、第１回路１１１及び金属パッド１１０が形成され、メッキビア１３０は金属パッド１１０の一面に形成され、第２絶縁層２００は第１絶縁層１００の他面に積層される。ここで、金属パッド１１０の側面には傾斜面が含まれ、金属パッド１１０の横断面積は、金属パッド１１０の一面から他面に行くほど大きくなることができる。第１回路１１１の側面にも同じ傾斜面が含まれることができる。第２回路１１２の横断面積も、一面から他面に行くほど大きくなることができる。

【0050】

第１絶縁層１００の他面には、第２回路１１２が形成される。第２回路１１２の側面は、傾斜面を含まないか、垂直に近い傾斜面を含むことができる。第２回路１１２の下部にはシード層Ｓが備えられ、シード層Ｓは、メッキビア１３０の下部に備えられるシード層Ｓに接続することができる。

【0051】

第１絶縁層１００の他面にはグラウンド層１１３を形成することができる。

【0052】

上記第１絶縁層１００及び上記第２絶縁層２００は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のうちの少なくとも１種で形成することができる。

【0053】

一方、第１絶縁層１００を貫通する第１開口部１２０及び第２絶縁層２００を貫通する第２開口部２２０は、界面Ａから反対に行くほどその横断面積が小さくなることができる。この場合、メッキビア１３０の横断面積は、一面から他面に行くほど小さくなり、つまり、メッキビア１３０の横断面積は下面から界面Ａに行くほど大きくなる。また、ペーストビア２３０の横断面積は、上面から第１絶縁層１００と第２絶縁層２００との界面に行くほど大きくなり、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００との界面から界面Ａに行くほど小さくなる。これは、ペーストビア２３０の一部が第１開口部１２０の内部に挿入されるからであり、これにより、第１開口部１２０内でのペーストビア２３０の側面の傾きは、メッキビア１３０の側面の傾きと同じである。

【0054】

図４は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。

【0055】

図４に示すプリント回路基板は、硬軟性基板であることができる。このプリント回路基板は、同軸ケーブルの代用として用いることができる。

【0056】

硬軟性基板は、リジッド部とフレキシブル部とに区画され、リジッド部とフレキシブル部にかけて形成されるフレキシブル絶縁層３１０は、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等の屈曲可能な材料で形成され、リジッド部にはフレキシブル絶縁層の両面にリジッド絶縁層３２０が積層される。リジッド絶縁層３２０には、屈曲性の小さい樹脂を用いることができる。

【0057】

リジッド部は、図１から図３を参照して説明した構造を含むことができる。これに関する説明は上述した内容と同様であるので省略する。

【0058】

図５から図１８は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。

【0059】

図５に示すように、絶縁材に金属箔Ｍの積層された原資材を準備する。ここで、絶縁材は、上述した説明での第２絶縁層２００に対応し、金属箔Ｍは、第１回路１１１及び金属パッド１１０の母体となる。

【0060】

絶縁材は、誘電定数及び誘電正接の小さいＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、ＣＯＰ（Ｃｙｃｌｏ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＦＡ（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等の材料で形成可能であり、好ましくは、誘電正接が（１０ＧＨｚにおいて）０．００２よりも小さいことが可能である。また、絶縁材は、２５～１００μｍの厚さを有することができる。金属箔Ｍは、銅であってもよく、１０～２０μｍの厚さを有することができる。しかし、これに制限されない。

【0061】

図６では、感光性レジストＲ１を積層し、パターン化する。感光性レジストＲ１のパターン化は、露光現像を含むフォトリソグラフィ工程により形成可能である。感光性レジストＲ１は、エッチングレジストとなる。すなわち、パターン化された感光性レジストＲ１は、第１回路１１１及び金属パッド１１０が形成される領域に残留する。

【0062】

図７に示すように、パターン化された感光性レジストＲ１がエッチングレジストとなり、金属箔Ｍがエッチングされる。このようなテンティング法（ｔｅｎｔｉｎｇ）により第１回路１１１及び金属パッド１１０を形成することができるが、これに制限されない。テンティング法により第１回路１１１及び金属パッド１１０を形成すると、第１回路１１１及び金属パッド１１０の側面には傾斜面が形成され、第１回路１１１及び金属パッド１１０のそれぞれの横断面積は、絶縁材側に行くほど大きくなる。すなわち、第１回路１１１と金属パッド１１０の縦断面は、台形となる。ただし、図８の以後からは、第１回路１１１及び金属パッド１１０の側面の傾斜面を省略して示す。

【0063】

図８では、絶縁材上に第１絶縁層１００を積層し、第１絶縁層１００の一面が絶縁材に接触する。第１絶縁層１００の積層は、Ｖ－ｐｒｅｓｓによるラミネートで実現できる。第１絶縁層１００は、２５～１００μｍの厚さを有することができる。第１絶縁層１００は、絶縁材（第２絶縁層２００）と同種のまたは異種の材料で形成可能である。ただし、第１絶縁層１００の誘電正接も（１０ＧＨｚにおいて）０．００２よりも小さいことが可能である。

【0064】

図８の工程により、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００とが結合した単位層が形成され、第１絶縁層１００と第２絶縁層２００との間に、第１回路１１１及び金属パッド１１０が位置し、第１回路１１１及び金属パッド１１０が第１絶縁層１００に埋め込まれる。

【0065】

図９に示すように、第１絶縁層１００に第１開口部１２０を形成する。第１開口部１２０は、ＣＯ_２レーザ、ＵＶレーザ等のレーザ加工により形成するか、サンドブラスト（Ｓａｎｄ Ｂｌａｓｔ）等の機械的加工により形成することができる。第１開口部１２０は、金属パッド１１０上に形成されて、金属パッド１１０の一面が第１開口部１２０から露出される。第１開口部１２０の横断面積は、金属パッド１１０側に行くほど小さくなってもよく、第１開口部１２０の金属パッド１１０の反対側の幅は、４０～１００μｍであってもよい。

【0066】

図１０に示すように、第１開口部１２０内にメッキビア１３０が形成される。メッキビア１３０は、無電解メッキによりシード層Ｓを形成した後に、電解メッキにより充填することができる。このとき、無電解メッキにより形成されるシード層Ｓは、第１開口部１２０の内側壁、底面だけではなく、第１絶縁層１００の他面上にも延長して形成されることができる。シード層Ｓは、２μｍ以下の厚さを有することができる。

【0067】

図１１に示すように、シード層Ｓ上に感光性レジストＲ２が積層され、感光性レジストＲ２がパターニングされる。感光性レジストＲ２は、第２回路１１２の形成領域に対応して除去される。

【0068】

図１２に示すように、第２回路１１２が形成されるが、電解メッキにより第２回路１１２を形成することができる。このように、第２回路１１２はセミアディティブ法により形成できるが、これに制限されない。

【0069】

図１３に示すように、感光性レジストＲ２を剥離する。

【0070】

図１４では、不要なシード層Ｓを除去する。すなわち、第２回路１１２の下部に位置したシード層Ｓ以外の他の領域のシード層Ｓを除去する。ここで、シード層Ｓを除去するときに、シード層Ｓと同じ金属で形成されたメッキビア１３０の一面の一部が除去される。すなわち、メッキビア１３０にリセス空間１４０が形成される。これにより、メッキビア１３０の一面は、第１絶縁層１００の他面よりも下に陥没する。

【0071】

図１５に示すように、第２開口部２２０が形成されるが、第２絶縁層２００の一面に保護フィルム２１０を付着した後に第２開口部２２０を形成する。保護フィルム２１０は、ＰＥＴフィルムであってもよい。保護フィルム２１０は、第２開口部２２０を加工するときにバリ（ｂｕｒｒ）の発生を防止できる。第２開口部２２０は、ＣＯ_２レーザ、ＵＶレーザ等のレーザ加工により形成するか、サンドブラスト（Ｓａｎｄ Ｂｌａｓｔ）等の機械的加工により形成することができる。第２開口部２２０の第２絶縁層２００の一面での幅は、４０～１００μｍであってもよい。

【0072】

図１６に示すように、第２開口部２２０内に金属ペーストが充填される。金属ペーストは、錫系列、銀系列、またはビスマス（Ｂｉ）がコーティングされた銅で形成された金属フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含み、熱硬化性樹脂によりミキシングされたペーストであってもよい。金属ペーストは、真空印刷機、または大気印刷機によりスクィジング（ｓｑｕｅｅｚｉｎｇ）されることができる。

【0073】

図１７においては、保護フィルム２１０が除去され、ペーストビア２３０が完成される。保護フィルム２１０を除去するとき、金属ペーストの一部が除去されることがある。しかし、この場合であっても、金属ペーストは第２絶縁層２００の一面よりも突出する。この過程を経てプリント回路基板の単位層を形成することができる。

【0074】

図１８では、第２回路１１２の代わりにグラウンド層１１３が形成された単位層を製造する。

【0075】

すなわち、同じく第２絶縁層２００及び第１絶縁層１００が積層された単位層を準備し、第１開口部１２０の加工、シード層Ｓを形成し、メッキビア１３０とともにグラウンド層１１３をメッキにより形成することができる。以後、保護フィルム２１０の付着、第２開口部２２０の加工、ペーストビア２３０の形成、保護フィルム２１０の除去の過程を経て、グラウンド層１１３が形成された単位層を製造することができる。

【0076】

図５から図７で説明した第２回路１１２の形成された単位層と、図１８で説明したグラウンド層１１３の形成された単位層とを互いに仮付けした後に高温で一括積層することにより、プリント回路基板を製造することができる（図２参照）。

【0077】

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

【符号の説明】

【0078】

１００ 第１絶縁層
１１０ 金属パッド
１１１ 第１回路
１１２ 第２回路
１１３ グラウンド層
１２０ 第１開口部
１３０ メッキビア
１４０ リセス空間
２００ 第２絶縁層
２１０ 保護フィルム
２２０ 第２開口部
２３０ ペーストビア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】