特許 7189172 アイソレータ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-05

(45)【発行日】2022-12-13

(54)【発明の名称】アイソレータ

(51)【国際特許分類】

   H01P 1/36 20060101AFI20221206BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20221206BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20221206BHJP

   H01F 27/28 20060101ALI20221206BHJP

【ＦＩ】

H01P1/36 Z

H01F17/00 B

H01F27/00 160

H01F27/28 K

H01F27/28 104

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020049624

(22)【出願日】2020-03-19

(65)【公開番号】P2021150839

(43)【公開日】2021-09-27

【審査請求日】2021-12-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(73)【特許権者】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100146592

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100157901

【弁理士】

【氏名又は名称】白井 達哲

(74)【代理人】

【識別番号】100172188

【弁理士】

【氏名又は名称】内田 敬人

(74)【代理人】

【識別番号】100197538

【弁理士】

【氏名又は名称】竹内 功

(72)【発明者】

【氏名】根賀 亮平

(72)【発明者】

【氏名】藤 慶彦

(72)【発明者】

【氏名】大黒 達也

(72)【発明者】

【氏名】鎌倉 孝信

【審査官】古河 雅輝

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－０７７２５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１３７４３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１１８７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ ５／００－ ５／０６

Ｈ０１Ｆ １７／００－２１／１２

Ｈ０１Ｆ ２７／００

Ｈ０１Ｆ ２７／０２

Ｈ０１Ｆ ２７／０６

Ｈ０１Ｆ ２７／０８

Ｈ０１Ｆ ２７／２３

Ｈ０１Ｆ ２７／２６－２７／３０

Ｈ０１Ｆ ２７／３２

Ｈ０１Ｆ ２７／３６

Ｈ０１Ｆ ２７／４２

Ｈ０１Ｆ ３８／１４

Ｈ０１Ｆ ３８／１８

Ｈ０１Ｆ ３８／４２

Ｈ０１Ｐ １／２２－ １／３９７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の上方に、前記基板の表面に沿って設けられた第１平面コイルと、
前記第１平面コイル上に設けられた第１絶縁部と、
前記第１絶縁部の上に設けられた第２平面コイルと、
前記第１絶縁部の上方に設けられた金属層と、
を備え、
前記第１平面コイル、前記第２平面コイルおよび前記金属層は、前記基板の前記表面に垂直な第１方向に並べて配置され、
前記基板の前記表面に沿った第２方向において、前記第１平面コイルの中心から外周ま
での距離は、前記第２平面コイルの中心から外周までの距離よりも短いアイソレータ。

【請求項2】

前記第１平面コイルの中心、前記第２平面コイルの中心および前記金属層の中心は、前記第１方向に並ぶ請求項１記載のアイソレータ。

【請求項3】

前記金属層の中心から外周までの前記第２方向の距離は、前記第２平面コイルの中心から内周までの前記第２方向の距離よりも短い請求項１または２に記載のアイソレータ。

【請求項4】

前記第１方向における前記基板と前記金属層との間隔は、前記第１方向における前記基板と前記第２平面コイルとの間隔よりも広い請求項１～３のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【請求項5】

前記第２平面コイルは、前記第１絶縁部と前記金属層との間に位置する部分を含む請求項１～４のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【請求項6】

前記第２平面コイルおよび前記金属層は、前記第２方向において対向する部分を含む請求項３記載のアイソレータ。

【請求項7】

前記第１平面コイルの前記中心から前記第１平面コイルの内周までの前記第２方向の距離は、前記第２平面コイルの前記中心から前記第２平面コイルの内周までの前記第２方向の距離よりも広い請求項１～６のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【請求項8】

前記第１平面コイルと前記第２平面コイルとの前記第１方向の間隔は、前記基板と前記第１平面コイルとの前記第１方向の間隔よりも広い請求項１～７のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【請求項9】

前記基板の上方に設けられ、前記基板の前記表面に沿って延在し、前記第１平面コイル
および前記第２平面コイルを囲む導電体と、
前記基板と前記第１平面コイルとの間に設けられ、前記導電体と前記第１平面コイルと
を電気的に接続する配線を含む配線層と、をさらに備えた請求項１～８のいずれか１つに
記載のアイソレータ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、アイソレータに関する。

【背景技術】

【0002】

アイソレータは、電流を遮断した状態で、磁界又は電界の変化を利用して信号を伝達する。このアイソレータについては、破壊が生じ難いことが望ましい。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】米国特許出願公開第２０１１／０１７６３３９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、破壊が生じる可能性を低減可能なアイソレータを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態に係るアイソレータは、基板と、前記基板の上方に、前記基板の表面に沿って設けられた第１平面コイルと、前記第１平面コイル上に設けられた第１絶縁部と、前記第１絶縁部の上に設けられた第２平面コイルと、前記第１絶縁部の上方に設けられた金属層と、を備える。前記第１平面コイル、前記第２平面コイルおよび前記金属層は、前記基板の前記表面に垂直な第１方向に並べて配置される。前記基板の前記表面に沿った第２方向において、前記第１平面コイルの中心から外周までの距離は、前記第２平面コイルの中心から外周までの距離よりも短い。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態に係るアイソレータを表す模式平面図である。

【図2】第１実施形態に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図3】第１実施形態に係るアイソレータの特性を表す模式図である。

【図4】第１実施形態に係るアイソレータの特性を表す模式図である。

【図5】第１実施形態に係るアイソレータの特性を表す模式断面図である。

【図6】第１実施形態の変形例に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図7】第１実施形態の変形例に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図8】第１実施形態の変形例に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図9】第１実施形態の変形例に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図10】第２実施形態に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図11】第２実施形態に係るアイソレータの特性を表す模式図である。

【図12】第２実施形態の変形例に係るアイソレータを表す模式断面図である。

【図13】第３実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。

【図14】第３実施形態に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。

【図15】第３実施形態の第１変形例に係るアイソレータを表す平面図である。

【図16】図１５のＡ１－Ａ２断面図である。

【図17】図１５のＢ１－Ｂ２断面図である。

【図18】第３実施形態の第１変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。

【図19】第３実施形態の第２変形例に係るアイソレータを表す平面図である。

【図20】第３実施形態の第２変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。

【図21】第３実施形態の第３変形例に係るアイソレータを表す模式図である。

【図22】第４実施形態に係るパッケージを表す斜視図である。

【図23】第４実施形態に係るパッケージの断面構造を表す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。

【0008】

本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。
図２は、図１のＡ１－Ａ２断面図である。

【0009】

第１実施形態は、例えば、デジタルアイソレータ、ガルバニックアイソレータ、ガルバニック絶縁素子と呼ばれるデバイスに関する。図１及び図２に表したように、第１実施形態に係るアイソレータ１００は、第１回路１、第２回路２、基板５、第１平面コイル１１、第２平面コイル１２、第１絶縁部２１、第２絶縁部２２、絶縁部２８、絶縁部２９、誘電体部３１、誘電体部４１、誘電体部４２、導電体５０、金属層６２および配線層７０を含む。図１では、絶縁部２８及び２９が省略されている。

【0010】

第１平面コイル１１、第２平面コイル１２および金属層６２は、例えば、円形の外周を有し、基板５の表面に垂直な方向（Ｚ方向）において、例えば、中心線ＣＬを共有するように配置される。なお、第１平面コイル１１、第２平面コイル１２および金属層６２の外周は、円形に限定される訳ではなく、例えば、多角形、楕円などであっても良い。

【0011】

実施形態の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いる。第１平面コイル１１から第２平面コイル１２に向かう方向をＺ方向（第１方向）とする。Ｚ方向に対して垂直であり、基板５の表面の沿って、相互に直交する２方向をＸ方向（第２方向）及びＹ方向（第３方向）とする。また、説明のために、第１平面コイル１１から第２平面コイル１２に向かう方向を「上」と言い、その反対方向を「下」と言う。これらの方向は、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との相対的な位置関係に基づき、重力の方向とは無関係である。

【0012】

図２に表したように、絶縁部２０は、配線層７０を介して基板５の上に設けられている。第１平面コイル１１は、絶縁部２０中に設けられている。第１絶縁部２１は、第１平面コイル１１及び絶縁部２０の上に設けられている。第２平面コイル１２は、第１絶縁部２１の上に設けられている。第２絶縁部２２は、Ｚ方向に垂直なＸ－Ｙ面（第１面）に沿って、第２平面コイル１２の周りに設けられている。第２絶縁部２２は、第２平面コイル１２に接している。

【0013】

図１及び図２に表した例では、第１平面コイル１１及び第２平面コイル１２は、Ｘ－Ｙ面に沿って螺旋状に設けられる。第１平面コイル１１及び第２平面コイル１２は、Ｚ方向において互いに対向している。第２平面コイル１２の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第１平面コイル１１の少なくとも一部と並ぶ。

【0014】

誘電体部３１は、Ｚ方向において、第１絶縁部２１と第２絶縁部２２との間に設けられている。誘電体部３１の少なくとも一部は、Ｘ－Ｙ面に沿って第２平面コイル１２の周りに位置している。誘電体部３１は、第２平面コイル１２に接している。

【0015】

誘電体部４１は、第２平面コイル１２および第２絶縁部２２の上に設けられている。例えば、誘電体部４１は、第２平面コイル１２および第２絶縁部２２に接している。

【0016】

導電体５０は、第１面に沿って第１平面コイル１１及び第２平面コイル１２の周りに設けられている。具体的には、導電体５０は、第１導電部５１、第２導電部５２、及び第３導電部５３を含む。第１導電部５１は、Ｘ－Ｙ面に沿って第１平面コイル１１の周りに設けられている。第２導電部５２は、第１導電部５１の一部の上に設けられている。第２導電部５２は、第１導電部５１に沿って複数設けられている。第３導電部５３は、複数の第２導電部５２の上に設けられている。第３導電部５３は、Ｘ－Ｙ面に沿って第２平面コイル１２の周りに位置する。

【0017】

図１に表した例では、第１平面コイル１１の一端（コイルの一端）は、配線６０を介して第１回路１と電気的に接続されている。第１平面コイル１１の他端（コイルの他端）は、配線７３を介して導電体５０と電気的に接続されている。

【0018】

第２平面コイル１２の一端（コイルの一端）は、金属層６２及び配線６３を介して第２回路２と電気的に接続されている。第２平面コイル１２の他端（コイルの他端）は、金属層６４及び配線６５を介して第２回路２と電気的に接続されている。例えば、金属層６２は、第２平面コイル１２の一端の上に設けられている。金属層６４は、第２平面コイル１２の他端の上に設けられている。金属層６２のＺ方向における位置及び金属層６４のＺ方向における位置は、第２平面コイル１２のＺ方向における位置と同じでも良い。金属層６２及び６４は、第２平面コイル１２と一体に形成されても良い。

【0019】

図２に表したように、導電体５０の上には、金属層６６が設けられている。導電体５０は、金属層６６及び配線６７を介して、不図示の導電部材と電気的に接続される。例えば、導電体５０及び基板５は、基準電位に接続される。基準電位は、例えば接地電位である。導電体５０が基準電位に接続され、導電体５０が浮遊電位となることを防止できる。これにより、導電体５０の電位の変動により、導電体５０と各平面コイルとの間において、予期せぬ絶縁破壊が生じる可能性を低減できる。

【0020】

また、基板５には、第１平面コイル１１と電気的に接続される回路が設けられても良い。第１回路１は、例えば、基板５上に設けられた回路の一部である。この場合、導電体５０が、配線層７０を介して、基板５の上に設けられ、回路が、基板５と配線層７０の間に設けられることで、基板５及び導電体５０の外部から基板５に向けた電磁波に対して、基板５の回路は、導電体５０により遮蔽される。この結果、回路の動作をより安定化させることができる。配線層７０は、第１平面コイル１１と導電体５０とを電気的に接続する配線７３を含む。

【0021】

金属層６２及び６６の周りには、Ｘ－Ｙ面に沿って絶縁部２８が設けられている。絶縁部２９は、絶縁部２８の上に設けられている。

【0022】

第１回路１及び第２回路２の一方は、送信回路として用いられる。第１回路１及び第２回路２の他方は、受信回路として用いられる。ここでは、第１回路１が送信回路であり、第２回路２が受信回路である場合について説明する。

【0023】

第１回路１は、第１平面コイル１１へ、伝達に適した波形の信号（電流）を送る。電流が第１平面コイル１１を流れると、螺旋状の第１平面コイル１１の内側を通る磁界が発生する。第１平面コイル１１の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第２平面コイル１２の少なくとも一部と並ぶ。発生した磁力線の一部は、第２平面コイル１２の内側を通る。第２平面コイル１２の内側における磁界の変化により、第２平面コイル１２に誘導起電力が生じ、第２平面コイル１２を電流が流れる。第２回路２は、第２平面コイル１２を流れる電流を検出し、検出結果に応じた信号を生成する。これにより、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間で、電流を遮断（絶縁）した状態で、信号が伝達される。

【0024】

アイソレータ１００の各構成要素の材料の一例を説明する。
第１平面コイル１１、第２平面コイル１２、及び導電体５０は、例えば金属を含む。第１平面コイル１１、第２平面コイル１２、及び導電体５０は、例えば、銅及びアルミニウムからなる群より選択された少なくとも１つの金属を含む。信号を伝達する際の第１平面コイル１１及び第２平面コイル１２における発熱を抑制するために、これらの平面コイルの電気抵抗は、低いことが好ましい。電気抵抗の低減の観点から、第１平面コイル１１及び第２平面コイル１２は、銅を含むことが好ましい。

【0025】

絶縁部２０、第１絶縁部２１、第２絶縁部２２、及び絶縁部２８は、シリコン及び酸素を含む。例えば、絶縁部２０、第１絶縁部２１、第２絶縁部２２、及び絶縁部２８は、酸化シリコンを含む。絶縁部２０、第１絶縁部２１、第２絶縁部２２、及び絶縁部２８は、さらに窒素を含んでも良い。

【0026】

絶縁部２９は、ポリイミド、ポリアミドなどの絶縁性樹脂を含む。
誘電体部３１は、例えば、シリコン及び窒素を含む。

【0027】

誘電体部４１及び４２は、例えば、シリコン及び窒素を含む。例えば、誘電体部４１及び４２は、窒化シリコンを含む。

【0028】

基板５は、シリコン及び不純物を含む。不純物は、ボロン、リン、ヒ素、及びアンチモンからなる群より選択された少なくとも１つである。

【0029】

第２平面コイル１２は、第１金属層１２ａ及び第２金属層１２ｂを含んでも良い。第２金属層１２ｂは、第１金属層１２ａと第１絶縁部２１との間、第１金属層１２ａと誘電体部３１との間、及び第１金属層１２ａと第２絶縁部２２との間に設けられている。第１平面コイル１１は、第３金属層１１ｃ及び第４金属層１１ｄを含んでも良い。第４金属層１１ｄは、第３金属層１１ｃと絶縁部２０との間に設けられている。第１金属層１２ａ及び第３金属層１１ｃは、銅を含む。第２金属層１２ｂ及び第４金属層１１ｄは、タンタルを含む。第２金属層１２ｂ及び第４金属層１１ｄは、タンタルと、窒化タンタルと、の積層膜を含んでも良い。第２金属層１２ｂ及び第４金属層１１ｄが設けられることで、第１金属層１２ａ及び第３金属層１１ｃに含まれる金属材料の各絶縁部への拡散を抑制できる。

【0030】

第１導電部５１は、金属層５１ａ及び５１ｂを含んでも良い。金属層５１ｂは、金属層５１ａと絶縁部２０との間に設けられている。第２導電部５２は、金属層５２ａ及び５２ｂを含んでも良い。金属層５２ｂは、金属層５２ａと第１絶縁部２１との間、及び金属層５２ａと第１導電部５１との間に設けられている。第３導電部５３は、金属層５３ａ及び５３ｂを含んでも良い。金属層５３ｂは、金属層５３ａと第２絶縁部２２との間、金属層５３ａと誘電体部３１との間、及び金属層５３ａと第２導電部５２との間に設けられている。金属層５１ａ～５３ａは、銅を含む。金属層５１ｂ～５３ｂは、タンタルを含む。金属層５１ｂ～５３ｂは、タンタルと、窒化タンタルと、の積層膜を含んでも良い。金属層５１ｂ～５３ｂが設けられることで、金属層５１ａ～５３ａに含まれる金属材料の各絶縁部への拡散を抑制できる。

【0031】

実施形態に係るアイソレータ１００では、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間で信号が伝達される際、第１平面コイル１１に対して正の電圧が第２平面コイル１２に印加される。これにより、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間、及び導電体５０と第２平面コイル１２との間に、電位差が生じる。この時、第２平面コイル１２の外周側における下端に電界集中が発生し、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊に至る場合がある。このため、下端ＬＥ１近傍（図３（ａ）参照）の電界強度を低下させ、アイソレータ１００の破壊を回避することが望ましい。

【0032】

アイソレータ１００では、図２に示すように、第１平面コイル１１の中心線から外周までのＸ方向の距離Ｒ１は、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２よりも短い。また、第１平面コイル１１の中心から内周までの距離Ｒ３は、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４よりも短い。金属層６２の中心から外周までの距離Ｒ５は、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４よりも短い（図１参照）。

【0033】

第１平面コイル１１の巻き数は、第２平面コイル１２の巻き数と同じである。この例では、第１平面コイル１１は、第２平面コイル１２に対して、外径を縮小して設けられる。

【0034】

図３～図５は、第１実施形態に係るアイソレータ１００の特性を表す模式図である。
図３（ａ）、図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ａ）および図５（ｂ）は、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の電界強度分布を表す模式断面図である。

【0035】

図３（ａ）には、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の等電位面を示している。等電位面間の間隔が狭い部分において電界強度が高く、等電位面間の間隔が広いほど電界強度は低くなる。以下の図面の電界分布においても同様である。

【0036】

図３（ａ）に示すように、電界強度は、第１平面コイル１１の外周の上端ＵＥ１および第２平面コイル１２の外周の下端ＬＥ１において高くなる。第２平面コイル１２の下端ＬＥ１における電界強度は、第１平面コイル１１の上端ＵＥ１における電界強度よりも高い。

【0037】

図３（ｂ）は、第２平面コイル１２における外周側の下端ＬＥ１の電界強度を表すグラフである。縦軸は、下端ＬＥ１の電界強度である。横軸は、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２と、第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１との差ΔＲ１（＝Ｒ２－Ｒ１）である。

【0038】

図３（ｂ）に示すように、ΔＲ１が広くなるほど、下端ＬＥ１の電界強度は低下する。すなわち、ΔＲ１を広くするほど、第２平面コイル１２の下端ＬＥ１および第１平面コイル１１の上端ＵＥ１における電界集中を緩和し、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊を回避することができる。

【0039】

図４（ａ）および（ｂ）は、第１平面コイル１１および第２平面コイル１２の内周側の電界分布を表す断面図である。第１平面コイル１１の内周側の端は、第２平面コイル１２の内周側の端よりも中心線ＣＬ（図２参照）に近い位置に設けられる。

【0040】

図４（ａ）に示す例では、第２平面コイル１２の内周側の下端ＬＥ２において電界集中が生じる。これに対し、図４（ｂ）に示す例では、金属層６２が第２平面コイル１２の中央に設けられる（図１参照）。金属層６２は、例えば、Ｙ方向において、第２平面コイル１２の上面のレベルよりも高い位置に設けられる。

【0041】

図４（ｃ）は、第２平面コイル１２における内周側の下端ＬＥ２の電界強度を表すグラフである。縦軸は、下端ＬＥ２の電界強度である。横軸は、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４と、第１平面コイル１１の中心から内周までの距離Ｒ３と、の差ΔＲ２（＝Ｒ４－Ｒ３）である（図２参照）。

【0042】

図４（ｃ）には、金属層６２を配置しない場合の特性Ａと、金属層６２を配置した場合の特性Ｂと、を示している。特性Ａでは、ΔＲ２が大きくなるにしたがって、下端ＬＥ２における電界強度が上昇する。これに対し、特性Ｂでは、下端ＬＥ２における電界強度は上昇せず、図３（ａ）の下端ＬＥ１における電界強度が図３（ｂ）のように減少する。

【0043】

このように、金属層６２を配置することにより、第２平面コイル１２の内周側の下端ＬＥにおける電界集中を緩和し、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊を回避することができる。

【0044】

図５（ａ）および（ｂ）は、第１平面コイル１１および第２平面コイルの外周側の別の電界分布を表す断面図である。

【0045】

図５（ａ）に示す例では、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２とのＺ方向の間隔Ｔ１は、基板５と第１平面コイル１１とのＺ方向の間隔Ｔ２よりも広い。これに対し、図５（ｂ）に示す例では、間隔Ｔ１は、間隔Ｔ２よりも狭い。

【0046】

図５（ｂ）に示す例では、基板５と第１平面コイル１１の外周側の端との間に等電位面が回り込むような電界分布を生じる。これにより、第１平面コイル１１の内周側の上端ＵＥ２の電界強度が上昇する。

【0047】

このように、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊を回避するためには、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２とのＺ方向の間隔Ｔ１は、基板５と第１平面コイル１１とのＺ方向の間隔Ｔ２よりも広くすることが好ましい。

【0048】

図６～図８は、第１実施形態の変形例に係るアイソレータ１１０、１２０および１３０をそれぞれ表す模式断面図である。

【0049】

図６に示すアイソレータ１１０では、金属層６２の中心から外周までのＸ方向の距離Ｒ５は、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４よりも短く、金属層６２は、第２平面コイル１２の内周で囲まれたスペースに配置される。金属層６２は、図示しない部分で第２平面コイル１２に電気的に接続される。

【0050】

金属層６２の少なくとも一部は、基板５の表面に沿った方向（例えば、Ｘ方向）において、第２平面コイル１２の内周に対向する。これにより、第２平面コイル１２の内周側の下端ＬＥ２（図４（ｂ）参照）の電界強度をさらに低下させることができる。

【0051】

図７に示すアイソレータ１２０では、第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１は、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２よりも短く、第１平面コイル１１の中心から内周までの距離Ｒ３は、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４よりも長い。

【0052】

すなわち、第１平面コイル１１の外周と内周との間隔（Ｒ１－Ｒ３）は、第２平面コイル１２の外周と内周との間隔（Ｒ２－Ｒ４）よりも狭く設けられる。これにより、第２平面コイル１２の内周側の下端ＬＥ２の電界強度を低下させることができる（図３（ａ）および（ｂ）参照）。また、金属層６２を配置することにより、下端ＬＥ２の電界強度をさらに低減することができる（図４（ｂ）参照）。

【0053】

この例でも、第１平面コイル１１の巻き数は、第２平面コイル１２の巻き数と同じである。例えば、第１平面コイル１１の巻線のＸ方向の幅および巻線間のスペースの幅の少なくともいずれかを縮小することにより、第１平面コイル１１の外周と内周との間隔（Ｒ１－Ｒ３）を縮小することができる。

【0054】

第１平面コイル１１の巻き数を第２平面コイル１２の巻き数と同じにすることにより、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の磁気カップリングの設計を容易にすることができる。

【0055】

図８に示すアイソレータ１３０では、金属層６２は、Ｚ方向において、第２平面コイル１２の上面よりも上のレベルに位置する。さらに、金属層６２の中心から外周までの距離Ｒ５は、第２平面コイルの中心から内周までの距離Ｒ４よりも長い。言い換えれば、第２平面コイル１２は、第１絶縁部２１と金属層６２との間に位置する部分を含む。これにより、第２平面コイル１２の内周側の下端ＬＥ２の電界強度をさらに低減することができる。

【0056】

このように、アイソレータ１００～１３０では、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２を、第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１よりも長くすることにより、第２平面コイル１２の外周側の下端ＬＥ１の電界強度を低減する。さらに、金属層６２を配置することにより、第２平面コイル１２の内周側の下端ＬＥ２の電界強度を低減し、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊を回避することができる。

【0057】

また、アイソレータ１００～１３０に示した第１平面コイル１１、第２平面コイル１２および金属層６２の構成は、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の所望の絶縁耐量を実現するために、相互に組合せることができる。

【0058】

図９は、比較例に係るアイソレータ１００ｒと、第１実施形態の変形例に係るアイソレータ１００ｐと、を表す模式断面図である。

【0059】

アイソレータ１００ｒは、第１平面コイル１１と、第２平面コイル１２と、金属層６２と、導電体５０ｒと、を備える。第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１（図２参照）は、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２（図２参照）と同じである。

【0060】

導電体５０ｒは、第１導電部５１ｒと、第２導電部５２と、第３導電部５３と、を含み、第１平面コイル１１および第２平面コイル１２を囲むように設けられる。例えば、第１導電部５１ｒから第１平面コイル１１までの距離Ｒ１は、第３導電部５３から第２平面コイル１２までの距離Ｒ２と略同一である。

【0061】

アイソレータ１００ｐは、第１平面コイル１１と、第２平面コイル１２と、金属層６２と、導電体５０ｐと、を備える。第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１（図２参照）は、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２（図２参照）よりも短い。

【0062】

導電体５０ｐは、第１導電部５１ｐと、第２導電部５２と、第３導電部５３と、を含み、第１平面コイル１１および第２平面コイル１２を囲むように設けられる。例えば、第１導電部５１ｐから第１平面コイル１１までの距離Ｒ１は、第３導電部５３から第２平面コイル１２までの距離Ｒ２と略同一である。

【0063】

すなわち、第１導電部５１ｐは、第１導電部５１ｒよりも第１平面コイル１１に向かって長く延在する。例えば、基板５と第１導電部５１ｐとの間において、基板５の表面側に第１平面コイル１１に接続される回路（図示しない）を設ける場合、アイソレータ１００ｐでは、アイソレータ１００ｒに比べて、第１平面コイル１１により近い位置に配置することができる。これにより、アイソレータ１００ｐでは、例えば、第１導電部５１ｐを第１平面コイル１１の方向に伸ばした長さＬｘだけ、Ｘ方向のサイズを縮小できる。

【0064】

（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態に係るアイソレータ２００を示す模式断面図である。なお、図１０では、基板５と絶縁部２０との間の配線層７０を省略している。以下の図面でも同様である。

【0065】

図１０に示すように、アイソレータ２００では、金属層６２の中心から外周までの距離Ｒ５を、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２よりも長くする。この例では、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２は、第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１と同じである。また、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４は、第１平面コイル１１の中心から内周までの距離Ｒ３と同じでも良い。

【0066】

図１１（ａ）および（ｂ）は、第２実施形態に係るアイソレータ２００の特性を示す模式図である。図１１（ａ）は、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の電界分布を示す断面図である。図１１（ｂ）は、第２平面コイル１２の外周側の下端ＬＥ１における電荷強度を示すグラフである。

【0067】

図１１（ａ）に示すように、第１平面コイル１１の外周側の上端ＵＥ１、第２平面コイル１２の外周側の下端ＬＥ１および金属層６２の外周において、等電位面の間隔が狭まり電界強度が上昇していることが分かる。

【0068】

例えば、金属層６２の外周は、第１平面コイル１１からの距離が長い位置にあり、電界集中による絶縁破壊に寄与する可能性は少ない。また、第１平面コイル１１の上端ＵＥ１における電界強度は、第２平面コイル１２の下端ＬＥ１の電界強度よりも低い。このため、第１平面コイル１１と第２平面コイルとの間の絶縁破壊を回避するためには、第２平面コイル１２の下端ＬＥ１における電界強度を低減すれば良い。

【0069】

図１１（ｂ）は、第２平面コイル１２の下端ＬＥ１における電界強度の変化を表すグラフである。縦軸は、下端ＬＥ１の電界強度であり、横軸は、金属層６２の中心から外周までの距離Ｒ５と、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２との差ΔＲ３（＝Ｒ５－Ｒ２）である。

【0070】

図１１（ｂ）に示すように、ΔＲ３をゼロよりも大きくすると、下端ＬＥ１における電界強度が低下する。すなわち、金属層６２の端部を第２平面コイル１２の外周から外側へ突き出すことにより、第２平面コイル１２の下端ＬＥ１の電界強度を下げることができる。同時に、第１平面コイル１１の上端ＵＥ１における電界強度もさらに低下する。

【0071】

このように、アイソレータ２００では、金属層６２の中心から外周までの距離Ｒ５を、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２よりも長くすることにより、第２平面コイル１２の下端ＬＥ２における電界集中を緩和し、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊を回避することができる。

【0072】

図１２は、第２実施形態の変形例に係るアイソレータ２１０を表す模式断面図である。アイソレータ２１０では、金属層６２の中心から外周までの距離Ｒ５を、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２よりも長くする。

【0073】

さらに、第２平面コイル１２の中心から外周までの距離Ｒ２は、第１平面コイル１１の中心から外周までの距離Ｒ１よりも長い。また、第２平面コイル１２の中心から内周までの距離Ｒ４は、第１平面コイル１１の中心から内周までの距離Ｒ３よりも短い。これにより、第２平面コイル１２の下端ＬＥ２における電界集中をさらに緩和し、第１平面コイル１１と第２平面コイル１２との間の絶縁破壊を回避することができる。

【0074】

なお、第２実施形態に係るアイソレータは、上記の例に限定されず、例えば、図２に示す第１平面コイル１１および第２平面コイル１２を配置しても良い。

【0075】

（第３実施形態）
図１３は、第３実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。
図１４は、第３実施形態に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。

【0076】

第３実施形態に係るアイソレータ３００では、図１３に表したように、配線７３を介して、第１平面コイル１１の外周部の一端が導電体５０と電気的に接続されている。第１平面コイル１１の他端は、配線６０を介して第１回路１と電気的に接続されている。

【0077】

図１４に表したように、第１回路１は、基板５中に設けられている。第２回路２は、基板５から離れた基板６中に設けられている。金属層６２は、配線６３を介して、基板６の上に設けられた金属層６９と電気的に接続されている。金属層６４は、配線６５を介して、基板６の上に設けられた金属層６８と電気的に接続されている。第２回路２は、金属層６８及び６９と電気的に接続されている。

【0078】

アイソレータ３００において、基板５より上側の構造には、既に説明した各実施形態に係る構造を適用可能である。これにより、第２平面コイル１２の端面の下端近傍における電界強度を低減できる。

【0079】

図１５は、第３実施形態の第１変形例に係るアイソレータを表す平面図である。
図１６は、図１５のＡ１－Ａ２断面図である。図１７は、図１５のＢ１－Ｂ２断面図である。
図１８は、第３実施形態の第１変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。

【0080】

第１変形例に係るアイソレータ３１０は、図１５に表したように、第１構造体１０－１及び第２構造体１０－２を含む。

【0081】

第１構造体１０－１は、図１５、図１６、及び図１８に表したように、平面コイル１１－１、平面コイル１２－１、絶縁部２１－１、絶縁部２２－１、誘電体部３１ａ、誘電体部４１ａ、誘電体部４２ａ、導電体５０ａ、金属層６２ａ、金属層６４ａ、及び金属層６６ａを含む。

【0082】

平面コイル１１－１、平面コイル１２－１、絶縁部２１－１、絶縁部２２－１、誘電体部３１ａ、誘電体部４１ａ、誘電体部４２ａ、導電体５０ａ、金属層６２ａ、金属層６４ａ、及び金属層６６ａの構造は、例えば、図２に表した第１平面コイル１１、第２平面コイル１２、第１絶縁部２１、第２絶縁部２２、誘電体部３１、誘電体部４１、誘電体部４２、導電体５０、金属層６２、金属層６４、及び金属層６６の構造とそれぞれ同様である。

【0083】

第２構造体１０－２は、図１５、図１７、及び図１８に表したように、平面コイル１１－２、平面コイル１２－２、絶縁部２１－２、絶縁部２２－２、誘電体部３１ｂ、誘電体部４１ｂ、誘電体部４２ｂ、導電体５０ｂ、金属層６２ｂ、金属層６４ｂ、及び金属層６６ｂを含む。

【0084】

平面コイル１１－２、平面コイル１２－２、絶縁部２１－２、絶縁部２２－２、誘電体部３１ｂ、誘電体部４１ｂ、誘電体部４２ｂ、導電体５０ｂ、金属層６２ｂ、金属層６４ｂ、及び金属層６６ｂの構造は、例えば、図２に表した第１平面コイル１１、第２平面コイル１２、第１絶縁部２１、第２絶縁部２２、誘電体部３１、誘電体部４１、誘電体部４２、導電体５０、金属層６２、金属層６４、及び金属層６６の構造とそれぞれ同様である。

【0085】

図１５に表したように、金属層６２ａは、配線６３によって金属層６２ｂと電気的に接続されている。金属層６４ａは、配線６５によって金属層６４ｂと電気的に接続されている。

【0086】

金属層６６ａは、配線６７ａによって別の導電部材と電気的に接続されている。金属層６６ｂは、配線６７ｂによって別の導電部材と電気的に接続されている。

【0087】

図１８に表したように、第１回路１は、基板５中に設けられている。第１構造体１０－１は、基板５の上に設けられている。第２回路２は、基板６中に設けられている。第２構造体１０－２は、基板６の上に設けられている。平面コイル１１－１の一端は導電体５０ａと電気的に接続されている。平面コイル１１－１の他端は第１回路１と電気的に接続されている。平面コイル１１－２の一端は導電体５０ｂと電気的に接続されている。平面コイル１１－２の他端は第２回路２と電気的に接続されている。

【0088】

アイソレータ３１０において、基板５より上側の構造及び基板６より上側の構造には、既に説明した各実施形態に係る構造を適用可能である。これにより、平面コイル１２－１の端面の下端近傍における電界強度を低減できる。また、平面コイル１２－２の端面の下端近傍における電界強度を低減できる。図１５～図１８に表したアイソレータ３１０では、一対の平面コイル１１－１及び平面コイル１２－１が、一対の平面コイル１１－２及び平面コイル１２－２と直列に接続されている。換言すると、第１回路１と第２回路２との間は、直列に接続された二対の平面コイルによって、二重に絶縁されている。アイソレータ３１０によれば、一対の平面コイルによって一重に絶縁された構造に比べて、絶縁信頼性を向上できる。

【0089】

図１９は、第３実施形態の第２変形例に係るアイソレータを表す平面図である。
図２０は、第３実施形態の第２変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。

【0090】

第３実施形態の第２変形例に係るアイソレータ３２０は、図１９及び図２０に表したように、第１平面コイル１１の両端が第１回路１と電気的に接続されている点で、アイソレータ３００と異なる。導電体５０は、第１回路１及び第１平面コイル１１とは電気的に分離されている。導電体５０が基準電位に設定されれば、第１回路１、第１平面コイル１１、及び導電体５０の間の電気的な接続関係は、適宜変更可能である。

【0091】

図２１は、第３実施形態の第３変形例に係るアイソレータを表す模式図である。
第３変形例に係るアイソレータ３３０は、第１構造体１０－１、第２構造体１０－２、第３構造体１０－３、第４構造体１０－４を含む。第１構造体１０－１は、平面コイル１１－１及び平面コイル１２－１を含む。第２構造体１０－２は、平面コイル１１－２及び平面コイル１２－２を含む。第３構造体１０－３は、平面コイル１１－３及び平面コイル１２－３を含む。第４構造体１０－４は、平面コイル１１－４及び平面コイル１２－４を含む。それぞれの平面コイルは、コイルである。第１回路１は、差動ドライバ回路１ａ、容量Ｃ１、及び容量Ｃ２を含む。第２回路２は、差動受信回路２ａ、容量Ｃ３、及び容量Ｃ４を含む。

【0092】

例えば、差動ドライバ回路１ａ、容量Ｃ１、容量Ｃ２、平面コイル１１－１、平面コイル１１－２、平面コイル１２－１、及び平面コイル１２－２は、不図示の第１基板の上に形成される。平面コイル１１－１の一端は、第１の定電位に接続される。平面コイル１１－２の他端は、容量Ｃ１に接続される。平面コイル１１－１の一端は、第２の定電位に接続される。平面コイル１１－２の他端は、容量Ｃ２に接続される。

【0093】

差動ドライバ回路１ａの一方の出力は、容量Ｃ１に接続される。差動ドライバ回路１ａの他方の出力は、容量Ｃ２に接続される。容量Ｃ１は、差動ドライバ回路１ａと平面コイル１１－１との間に接続される。容量Ｃ２は、差動ドライバ回路１ａと平面コイル１１－２との間に接続される。

【0094】

絶縁部を挟んで平面コイル１１－１と平面コイル１２－１が積層される。別の絶縁部を挟んで平面コイル１１－２と平面コイル１２－２が積層される。平面コイル１２－１の一端は、平面コイル１２－２の一端と接続されている。

【0095】

例えば、差動受信回路２ａ、容量Ｃ３、容量Ｃ４、平面コイル１１－３、平面コイル１１－４、平面コイル１２－３、及び平面コイル１２－４は、不図示の第２基板の上に形成される。平面コイル１１－３の一端は、第３の定電位に接続される。平面コイル１１－３の他端は、容量Ｃ３に接続される。平面コイル１１－４の一端は、第４の定電位に接続される。平面コイル１１－４の他端は、容量Ｃ４に接続される。

【0096】

差動受信回路２ａの一方の入力は、容量Ｃ３に接続される。差動受信回路２ａの他方の入力は、容量Ｃ４に接続される。絶縁部を挟んで平面コイル１１－３と平面コイル１２－３が積層される。別の絶縁部を挟んで、平面コイル１１－４と平面コイル１２－４が積層される。平面コイル１２－３の一端は、平面コイル１２－４の一端と接続されている。平面コイル１２－３の他端は、平面コイル１２－１の他端と接続される。平面コイル１２－４の他端は、平面コイル１２－２の他端と接続される。

【0097】

動作について説明する。トランス（もしくはアイソレータ）では、変調された信号が伝送される。図２１では、Ｖｉｎが変調された信号を表す。信号の変調には、例えば、エッジトリガ方式、又はＯｎ－Ｏｆｆ Ｋｅｙｉｎｇ方式が用いられる。いずれの方法においても、Ｖｉｎは、元の信号を高周波帯にシフトさせた信号である。

【0098】

差動ドライバ回路１ａは、Ｖｉｎに応じて平面コイル１１－１及び平面コイル１１－２に互いに逆方向の電流ｉ０を流す。平面コイル１１－１及び１１－２は、互いに逆向きの磁界（Ｈ１）を発生する。平面コイル１１－１の巻数が平面コイル１１－２の巻数と同じときは、発生する磁界の大きさが互いに等しくなる。

【0099】

磁界Ｈ１によって平面コイル１２－１に生じる誘導電圧は、磁界Ｈ１によって平面コイル１２－２に生じる誘導電圧と加算される。平面コイル１２－１及び１２－２に、電流ｉ１が流れる。平面コイル１２－１及び１２－２は、平面コイル１２－３及び平面コイル１２－４とそれぞれボンディングワイヤで接続されている。ボンディングワイヤは、例えば金を含む。ボンディングワイヤの直径は、例えば３０μｍである。

【0100】

平面コイル１２－１及び１２－２で加算された誘導電圧は、平面コイル１２－３及び１２－４に印加される。平面コイル１２－３及び１２－４には、平面コイル１２－１および平面コイル１２－２に流れる電流ｉ１と同じ値の電流ｉ２が流れる。平面コイル１２－３及び１２－４は、互いに逆向きの磁界（Ｈ２）を発生する。平面コイル１２－３の巻数が平面コイル１２－４の巻数と同じときは、発生する磁界の大きさが互いに等しくなる。

【0101】

磁界Ｈ２によって平面コイル１１－３に生じる誘導電圧の方向は、磁界Ｈ２によって平面コイル１１－４に生じる誘導電圧の方向と逆である。平面コイル１１－３及び１１－４に電流ｉ３が流れる。また、平面コイル１１－３に生じる誘導電圧の大きさは、平面コイル１１－４に生じる誘導電圧の大きさと同じである。差動受信回路２ａには、平面コイル１１－３及び１１－４がそれぞれ発生させる誘導電圧の加算が印加され、変調された信号が伝送される。

【0102】

図２２は、第４実施形態に係るパッケージを表す斜視図である。
図２３は、第４実施形態に係るパッケージの断面構造を表す模式図である。

【0103】

第４実施形態に係るパッケージ４００は、図２２に表したように、金属部材８１ａ～８１ｆ、金属部材８２ａ～８２ｆ、金属層８３ａ～８３ｆ、金属層８４ａ～８４ｆ、封止部９０、及び複数のアイソレータ３３０を含む。

【0104】

図示した例では、パッケージ４００は、４つのアイソレータ３３０を含む。すなわち、図２１に表した第１構造体１０－１～第４構造体１０－４の組が、４つ設けられている。

【0105】

複数の第１構造体１０－１および第２構造体１０－２は、金属部材８１ａの一部の上に設けられている。例えば、複数の第１構造体１０－１および第２構造体１０－２は、１つの基板５の上に設けられている。基板５は、金属部材８１ａと電気的に接続されている。基板５中には、それぞれの第１構造体１０－１および第２構造体１０－２に対応する複数の第１回路１が設けられている。

【0106】

複数の第３構造体１０－３および第４構造体１０－４は、金属部材８２ａの一部の上に設けられている。複数の第３構造体１０－３および第４構造体１０－４は、１つの基板６の上に設けられている。基板６は、金属部材８２ａと電気的に接続されている。基板６中には、それぞれの第３構造体１０－３および第４構造体１０－４に対応する複数の第２回路２が設けられている。

【0107】

金属部材８１ａは、さらに金属層８３ａと電気的に接続されている。金属層８３ａは、各第１構造体１０－１および第２構造体１０－２の導電体５０ａと電気的に接続されている。金属部材８２ａは、さらに金属層８４ａと電気的に接続されている。金属層８４ａは、各第３構造体１０－３および第４構造体１０－４の導電体５０ｂと電気的に接続されている。

【0108】

金属部材８１ｂ～８１ｅは、金属層８３ｂ～８３ｅとそれぞれ電気的に接続されている。金属層８３ｂ～８３ｅは、複数の第１回路１とそれぞれ電気的に接続されている。金属部材８１ｆは、金属層８３ｆと電気的に接続されている。金属層８３ｆは、複数の第１回路１と電気的に接続されている。

【0109】

金属部材８２ｂ～８２ｅは、金属層８４ｂ～８４ｅとそれぞれ電気的に接続されている。金属層８４ｂ～８４ｅは、複数の第２回路２とそれぞれ電気的に接続されている。金属部材８２ｆは、金属層８４ｆと電気的に接続されている。金属層８４ｆは、複数の第２回路２と電気的に接続されている。

【0110】

封止部９０は、金属部材８１ａ～８１ｆ及び８２ａ～８２ｆのそれぞれの一部、金属層８３ａ～８３ｆ、金属層８４ａ～８４ｆ、及び複数のアイソレータ３３０を覆っている。

【0111】

金属部材８１ａ～８１ｆは、端子Ｔ１ａ～Ｔ１ｆをそれぞれ有する。金属部材８２ａ～８２ｆは、端子Ｔ２ａ～Ｔ２ｆをそれぞれ有する。端子Ｔ１ａ～Ｔ１ｆ及びＴ２ａ～Ｔ２ｆは、封止部９０に覆われておらず、外部に露出している。

【0112】

例えば、端子Ｔ１ａ及びＴ２ａは、基準電位に接続される。端子Ｔ１ｂ～Ｔ１ｅには、それぞれの第１回路１への信号が入力される。端子Ｔ２ｂ～Ｔ２ｅには、それぞれの第２回路２からの信号が出力される。端子Ｔ１ｆは、複数の第１回路１を駆動させるための電源と接続される。端子Ｔ２ｆは、複数の第２回路２を駆動させるための電源と接続される。

【0113】

第４実施形態によれば、パッケージ４００においてアイソレータの破壊が生じる可能性を低減できる。ここでは、４つのアイソレータ３３０が設けられた例を説明したが、パッケージ４００には、１つ以上の他のアイソレータが設けられても良い。

【0114】

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

【符号の説明】

【0115】

１…第１回路、 １ａ…差動ドライバ回路、 ２…第２回路、 ２ａ…差動受信回路、 ５、６…基板、 １０－１…第１構造体、１０－２…第２構造体、１０－３…第３構造体、１０－４…第４構造体、 １１…第１平面コイル、 １１－１、１１－２、１１－３、１１－４、１２－１、１２－２、１２－３、１２－４…平面コイル、 １１ｃ、１１ｄ、１２ａ、１２ｂ、５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、５３ａ、５３ｂ、６２、６２ａ、６２ｂ、６４、６４ａ、６４ｂ、６６、６６ａ、６６ｂ、６８、６９、８３ａ、８３ｂ、８３ｆ、８４ａ、８４ｂ、８４ｆ…金属層、 １２…第２平面コイル、 ２０、２８、２９…絶縁部、 ２１…第１絶縁部、 ２２…第２絶縁部、 ３１、３１ａ、３１ｂ、４１、４１ａ、４１ｂ、４２、４２ａ、４２ｂ…誘電体部、 ５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｒ、５０ｐ…導電体、 ５１、５１ｐ、５１ｒ、５１ｐ…第１導電部、 ５２、…第２導電部、 ５３…第３導電部、 ６０、６３、６５、６７、６７ａ、６７ｂ、７３…配線、 ７０…配線層、 ８１ａ、８１ｂ、８１ｆ、８２ａ、８２ｂ、８２ｆ…金属部材、 ９０…封止部、 １００、１００ｐ、１００ｒ、１１０、１２０、１３０、２００、２１０、３００、３１０、３２０、３３０、４００…アイソレータ、 ４００…パッケージ、 ＣＬ…中心線、 Ｈ１、Ｈ２…磁界、 ＬＥ１、ＬＥ２…下端、 Ｔ１ａ、Ｔ１ｂ～Ｔ１ｆ、Ｔ２ａ、Ｔ２ｂ～Ｔ２ｆ…端子、 ＵＥ１、ＵＥ２…上端

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】