(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-06
(45)【発行日】2022-12-14
(54)【発明の名称】タッチスクリーンおよびその製造方法
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20221207BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20221207BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 422
G06F3/041 660
G06F3/041 430
G06F3/044 129
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2018238128
(22)【出願日】2018-12-20
(65)【公開番号】P2020101888
(43)【公開日】2020-07-02
【審査請求日】2021-12-15
(73)【特許権者】
【識別番号】321010863
【氏名又は名称】トライベイル テクノロジーズ， エルエルシー
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100184527
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邉 賢二
(72)【発明者】
【氏名】細野 彰彦
(72)【発明者】
【氏名】後藤 文弘
(72)【発明者】
【氏名】箕輪 憲一
【審査官】塩屋 雅弘
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－２１０５５４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｆ１／１３４３－１／１３４５
１／１３５
Ｇ０６Ｆ３／０３－３／０４７
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように配設された、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線と、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線と、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線と、
を備え、
前記第２束ね配線に最も近くに配列された前記第１配線において、前記列方向における前記基板の外側の端部は、前記第２束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーン。
【請求項2】
前記第１配線は、前記第２配線よりも下層に配設されていることを特徴とする、請求項１に記載のタッチスクリーン。
【請求項3】
前記第１配線は、前記第２配線よりも上層に配設されていることを特徴とする、請求項１に記載のタッチスクリーン。
【請求項4】
基板と、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように配設された、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線と、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線と、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線と、
前記第２束ね配線に最も近くに配列された前記第１配線において、前記列方向における前記基板の外側の端部を予め定められた間隔ごとに電気的に接続する第１接続配線と、
を備え、
前記第１接続配線における前記基板の外側の端部は、前記第２束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーン。
【請求項5】
前記第１配線は、前記第２配線よりも下層に配設されていることを特徴とする、請求項４に記載のタッチスクリーン。
【請求項6】
前記第１配線は、前記第２配線よりも上層に配設されていることを特徴とする、請求項４に記載のタッチスクリーン。
【請求項7】
前記第１接続配線は、前記基板の外側の端部に第１突起を有し、前記第１突起は、前記第２束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、請求項４から６のいずれか１項に記載のタッチスクリーン。
【請求項8】
基板と、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように配設された、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線と、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線と、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線と、
を備え、
前記第１束ね配線に最も近くに配列された前記第２配線において、前記行方向における前記基板の外側の端部は、前記第１束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーン。
【請求項9】
前記第１配線は、前記第２配線よりも下層に配設されていることを特徴とする、請求項８に記載のタッチスクリーン。
【請求項10】
前記第１配線は、前記第２配線よりも上層に配設されていることを特徴とする、請求項８に記載のタッチスクリーン。
【請求項11】
基板と、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように配設された、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線と、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線と、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線と、
前記第１束ね配線に最も近くに配列された前記第２配線において、前記行方向における前記基板の外側の端部を予め定められた間隔ごとに電気的に接続する第２接続配線と、
を備え、
前記第２接続配線における前記基板の外側の端部は、前記第１束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーン。
【請求項12】
前記第１配線は、前記第２配線よりも下層に配設されていることを特徴とする、請求項１１に記載のタッチスクリーン。
【請求項13】
前記第１配線は、前記第２配線よりも上層に配設されていることを特徴とする、請求項１１に記載のタッチスクリーン。
【請求項14】
前記第２接続配線は、前記基板の外側の端部に第２突起を有し、前記第２突起は、前記第１束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、請求項１１から１３のいずれか１項に記載のタッチスクリーン。
【請求項15】
基板を準備し、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線を配設し、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線を設け、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線を設け、
前記第２束ね配線に最も近くに配列された前記第１配線において、前記列方向における前記基板の外側の端部は、前記第２束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーンの製造方法。
【請求項16】
基板を準備し、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線を配設し、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線を設け、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線を設け、
前記第２束ね配線に最も近くに配列された前記第１配線において、前記列方向における前記基板の外側の端部を予め定められた間隔ごとに電気的に接続する第１接続配線を設け、
前記第１接続配線における前記基板の外側の端部は、前記第２束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーンの製造方法。
【請求項17】
前記第１接続配線は、前記基板の外側の端部に第１突起を有し、前記第１突起は、前記第２束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、請求項１６に記載のタッチスクリーンの製造方法。
【請求項18】
基板を準備し、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線を配設し、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線を設け、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線を設け、
前記第１束ね配線に最も近くに配列された前記第２配線において、前記行方向における前記基板の外側の端部は、前記第１束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーンの製造方法。
【請求項19】
基板を準備し、前記基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および前記列方向に延在し前記行方向に配列した複数の第２配線を配設し、
前記第１配線の前記行方向の両端において、予め定められた数の前記第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線を設け、
前記第２配線の前記列方向の両端において、予め定められた数の前記第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線を設け、
前記第１束ね配線に最も近くに配列された前記第２配線において、前記行方向における前記基板の外側の端部を予め定められた間隔ごとに電気的に接続する第２接続配線を設け、
前記第２接続配線における前記基板の外側の端部は、前記第１束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、タッチスクリーンの製造方法。
【請求項20】
前記第２接続配線は、前記基板の外側の端部に第２突起を有し、前記第２突起は、前記第１束ね配線よりも前記基板の外側に存在していることを特徴とする、請求項１９に記載のタッチスクリーンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、タッチスクリーンおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
タッチパネルは、指などの指示体によるタッチを検出して、タッチパネルにおけるタッチされた位置の位置座標を特定する装置であり、優れたユーザーインターフェース手段の１つとして注目されている。現在、抵抗膜方式や静電容量方式など種々の方式のタッチパネルが製品化されている。一般的に、タッチパネルは、タッチセンサが内蔵されたタッチスクリーンと、当該タッチスクリーンから入力された信号に基づいてタッチされた位置の位置座標を特定する検出装置とを備えている。ここで、タッチセンサとは、ユーザがタッチしたことを検出するセンサのことをいう。
【0003】
静電容量方式のタッチパネルのひとつとして、投影型静電容量方式のタッチパネルがある（例えば、特許文献１参照）。特許文献１のような投影型静電容量方式のタッチパネルは、タッチセンサが内蔵されたタッチスクリーンの前面側を厚さ数ｍｍ程度のガラス板などの保護板で覆った場合であってもタッチを検出することが可能である。従って、投影型静電容量方式のタッチパネルは、保護板をタッチスクリーンの前面側に配置することができるため堅牢性に優れる。また、使用者が手袋を装着した状態でタッチした場合であっても、タッチを検出することが可能である。さらに、可動部を有さないため長寿命である。
【0004】
投影型静電容量方式のタッチパネルは、例えば、静電容量を検出するための検出用配線として、薄い誘電膜上に形成された第１シリーズの導体エレメントと、第１シリーズの導体エレメント上に絶縁膜を隔てて形成された第２シリーズの導体エレメントとを備えている（例えば、特許文献２参照）。各導体エレメントは、互いに電気的に接触することなく複数の交点を形成している。特許文献２のような構成において、指などの指示体と、検出用配線である第１シリーズの導体エレメントおよび第２シリーズの導体エレメントとの間で形成される静電容量を検出回路で検出することによって、指示体がタッチした位置の位置座標が特定される。このような位置座標の検出方式は、一般的に自己容量検出方式と呼ばれる。
【0005】
また、例えば、行方向に延設され第１電極を構成する複数の行配線と、列方向に延設され第２電極を構成する複数の列配線との間における電界変化、すなわち相互容量の変化を検出することによって、タッチされた位置の位置座標を特定する検出方式がある（例えば、特許文献３参照）。当該検出方式は、一般的に相互容量検出方式と呼ばれる。
【0006】
上記の自己容量検出方式および相互容量検出方式の何れの場合も、行配線と列配線とによって格子状に区画された平面領域である検出セルに対して指などの指示体でタッチされると、タッチされた検出セルであるセンサブロックにおける検出値と、当該センサブロック近傍の検出セルにおける検出値とのバランスに基づいて、タッチされた位置の位置座標を特定する方法が一般的に採用されている。
【0007】
最近では、検出用配線として低抵抗なメタルを用いてメッシュを形成し、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極よりも低抵抗である特性を活かして、行配線および列配線の各々の端子に接続される引き出し配線を、各行配線および各列配線の一方側の端部にのみ接続する構成が実現されている（例えば、特許文献４参照）。
【0008】
一般的に、静電容量方式のタッチスクリーンに使用されるタッチセンサは、ガラス基板上に形成されたメッシュ状の下層配線と、当該下層配線を覆うように形成された層間絶縁膜と、当該絶縁膜上に形成されたメッシュ状の上層配線と、当該上層配線上に形成された保護絶縁膜で構成されており、下層配線と上層配線とは層間絶縁膜を介して電気的に絶縁されている。下層配線および上層配線のいずれか一方を信号入力用の配線、他方を信号出力用の配線として用いるが、本明細書では、便宜上、下層配線を出力用の配線、上層配線を入力用の配線とする。
【0009】
下層配線を形成するメッシュパターンは、数ｍｍ単位の幅のブロックに分かれており、隣接する各ブロック間は、例えば行方向に分断されている。また、１つのブロックを形成するメッシュパターンは、信号を出力するために端部で束ねられ、信号を外部に取り出すための配線と接続されている。以下では、下層配線の端部で束ねられた配線のことを下層束ね配線という。
【0010】
一方、上層配線を形成するメッシュパターンも、数ｍｍ単位の幅のブロックに分かれており、隣接する各ブロック間は、下層配線と直交する方向、ここでは列方向に分断されている。また、１つのブロックを形成するメッシュパターンは、信号を入力するために端部で束ねられ、信号を外部から入力するための配線と接続されている。以下では、上層配線の端部で束ねられた配線のことを上層束ね配線という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【文献】特開２０１２－１０３７６１号公報
【文献】特表平９－５１１０８６号公報
【文献】特開２００３－５２６８３１号公報
【文献】特開２０１０－６１５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
タッチパネルは、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）と組み合わせて、タッチ機能を備えた表示装置として使用される。近年の表示装置のトレンドとして狭額縁化が進んでおり、タッチパネルにおいてもパネルの端部のタッチセンサまで機能すること、およびタッチセンサを形成することによる液晶表示装置の表示画像の見栄えが端部においても変化しないことが要求されている。このような要求を満足するために、下層束ね配線の直上に上層配線が形成され、上層束ね配線の直下に下層配線が形成されている。
【0013】
また、タッチパネルを構成するタッチスクリーンは、液晶表示装置と同様の製造装置を用いて作製されている。製造装置と作製中のタッチスクリーンとの間で放電が生じて配線のパターンに損傷が発生すると、上層束ね配線と下層配線とが重なった部分、または下層束ね配線と上層配線とが重なった部分でショートが発生する。その結果、下層配線と上層配線との間でショートが発生し、タッチスクリーンとして使用できなくなることがあるという問題があった。
【0014】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、上層配線と下層配線との間で発生するショートを抑制することが可能なタッチスクリーンおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
上記の課題を解決するために、本発明によるタッチスクリーンは、基板と、基板上に絶縁膜を介して立体視で交差するように配設された、行方向に延在し列方向に配列した複数の第１配線、および列方向に延在し行方向に配列した複数の第２配線と、第１配線の行方向の両端において、予め定められた数の第１配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第１束ね配線と、第２配線の列方向の両端において、予め定められた数の第２配線ごとに電気的に接続して束ねる複数の第２束ね配線とを備え、第２束ね配線に最も近くに配列された第１配線において、列方向における基板の外側の端部は、第２束ね配線よりも基板の外側に存在している。
【発明の効果】
【0016】
本発明によると、タッチスクリーンは、第２束ね配線に最も近くに配列された第１配線において、列方向における基板の外側の端部は、第２束ね配線よりも基板の外側に存在しているため、上層配線と下層配線との間で発生するショートを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の実施の形態１によるタッチスクリーンの構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図3】従来の上層束ね配線および下層配線の配置の一例を示す図である。
【図6】下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図7】下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図8】下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図9】下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図10】下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図11】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図12】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図13】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図14】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図15】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図16】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図17】層間絶縁膜を２層にした場合に下層配線端部と上層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図18】本発明の実施の形態１による上層束ね配線および下層配線の配置の一例を示す図である。
【図21】本発明の実施の形態２による下層接続配線の一例を示す図である。
【図22】本発明の実施の形態２による下層接続配線および上層束ね配線の配置の一例を示す図である。
【図24】下層接続配線端部で放電痕が生じたときの一例を示す断面図である。
【図25】本発明の実施の形態３による下層接続配線の一例を示す図である。
【図26】本発明の実施の形態３による下層接続配線および上層束ね配線の配置の一例を示す図である。
【図28】下層接続配線突起で放電痕が生じたときの一例を示す断面図である。
【図30】従来の下層束ね配線および上層配線の配置の一例を示す図である。
【図32】上層配線端部と下層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図33】上層配線端部と下層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図34】上層配線端部と下層束ね配線との間でショートが発生するメカニズムを説明するための断面図である。
【図35】本発明の実施の形態４による下層束ね配線および上層配線の配置の一例を示す図である。
【図37】上層配線端部で放電痕が生じたときの一例を示す断面図である。
【図38】上層配線端部で放電痕が生じたときの一例を示す断面図である。
【図39】本発明の実施の形態５による上層接続配線および下層束ね配線の配置の一例を示す図である。
【図41】上層接続配線端部で放電痕が生じたときの一例を示す断面図である。
【図42】本発明の実施の形態６による上層接続配線および下層束ね配線の配置の一例を示す図である。
【図44】上層接続配線突起で放電痕が生じたときの一例を示す断面図である。
【図45】実施の形態１によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図46】実施の形態１によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図47】実施の形態１によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図48】実施の形態１によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図49】実施の形態１によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図50】実施の形態１によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図51】実施の形態４によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図52】実施の形態４によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図53】実施の形態４によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図54】実施の形態４によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図55】実施の形態４によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【図56】実施の形態４によるタッチスクリーンの製造工程の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
本発明の実施の形態について、図面に基づいて以下に説明する。
【0019】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１によるタッチスクリーン１の構成の一例を模式的に示す平面図である。なお、後述する実施の形態２から実施の形態７を含めて、以下で説明する各図面で用いられている同一の参照符号は、同一の構成要素または相当する構成要素を示す。
図１は、本実施の形態１によるタッチスクリーン１の構成の一例を模式的に示す平面図である。なお、後述する実施の形態２から実施の形態７を含めて、以下で説明する各図面で用いられている同一の参照符号は、同一の構成要素または相当する構成要素を示す。
【0020】
図１に示すように、タッチスクリーン１は、行方向に延在しかつ予め定められた第１ピッチで列方向に配列された複数の第１配線である下層配線２と、列方向に延在しかつ予め定められた第２ピッチで行方向に配列された複数の第２配線である上層配線３とを備えている。ここで、行方向は図１のｙ方向に相当し、列方向はｘ方向に相当する。
【0021】
予め定められた数の下層配線２は、それらの上端および下端が第１束ね配線である下層束ね配線４によって電気的に接続され、ひと束の下層配線束９を形成している。同様に、予め定められた数の上層配線３は、それらの右端および左端が第２束ね配線である上層束ね配線５によって電気的に接続され、ひと束の上層配線束１０を形成している。
【0022】
予め定められた数の下層配線束９は、列方向ｘにそれぞれが平行して配列されており、それぞれの下層配線束９は互いに電気的な絶縁が保たれている。同様に、予め定められた数の上層配線束１０は、行方向ｙにそれぞれが平行して配列されており、それぞれの上層配線束１０は互いに電気的な絶縁が保たれている。また、下層配線束９と上層配線束１０との間には層間絶縁膜が形成されており、上層配線束１０と下層配線束９との間は電気的な絶縁が保たれている。従って、タッチスクリーン１は、予め定められた数の下層配線束９と予め定められた数の上層配線束１０とが立体的に交差することよって、予め定められた数のエリアに立体的に分割されている。タッチスクリーン１における上層配線束１０および下層配線束９が配置されている領域は、センサ領域ともいう。このような構成は、下層配線２と上層配線３との配線密度が大きくなるため、タッチ容量の値を大きな値として確保することができる。
【0023】
下層引き出し配線６は、各下層束ね配線４と端子８とを電気的に接続するために配置されている。上層引き出し配線７は、各上層束ね配線５と端子８とを電気的に接続するために配置されている。
【0024】
なお、図１では、行方向に延在しかつ列方向に配列された複数の配線を複数の下層配線２とし、列方向に延在しかつ行方向に配列された複数の配線を複数の上層配線３としているが、これに限るものではない。例えば、行方向に延在しかつ列方向に配列された複数の配線を上層の配線とし、列方向に延在しかつ行方向に配列された複数の配線を下層の配線としてもよい。
【0025】
【0026】
上層配線３のパターンは、正方形状または円形状に閉じたパターンと、直線または曲線のパターンとの組み合わせで形成されており、これらのパターンが規則正しく配置されている。図２では、正方形状の閉じたパターンと直線のパターンとの組み合わせによって上層配線３のパターンを形成している。また、上層配線３のパターンの端部は上層束ね配線５に接続され、ひとつの上層配線束１０を形成している。上層配線束１０は、行方向に配列されており、隣接する各上層配線束１０を形成する上層配線３の間は分断されて電気的な絶縁が保たれている。
【0027】
また、下層配線２のパターンは、上層配線３と同様、正方形状に閉じたパターンと直線のパターンとの組み合わせで形成されている。なお、図示していないが、上層配線３の場合と同様、下層配線２の端部は下層束ね配線４に接続され、ひとつの下層配線束９を形成している。下層配線束９は、列方向に配列されており、隣接する各下層配線束９の間は分断されて電気的な絶縁が保たれている。
【0028】
図３は、図２に示す領域Ｂの拡大図であり、従来の上層束ね配線および下層配線の配置の一例を示す図である。図３に示すように、下層配線２のパターンの端部である下層配線端部１４は、上層束ね配線５の直下に形成されている。
【0029】
図４は、図３のＡ１－Ａ２断面図である。図４に示すように、ガラスのような透明な基板１１上に下層配線端部１４が形成されており、下層配線端部１４を覆うように層間絶縁膜１２が形成されている。また、層間絶縁膜１２上に上層束ね配線５が形成され、上層束ね配線５を覆うように保護絶縁膜１３が形成されている。下層配線端部１４は、上層束ね配線５の直下に層間絶縁膜１２を介して形成されている。
【0030】
一般的に、下層配線２と上層配線３とが層間絶縁膜１２を介して重なっている部分、下層配線端部１４と上層束ね配線５とが層間絶縁膜１２を介して重なっている部分、および下層束ね配線４と上層配線端部１５とが層間絶縁膜１２を介して重なっている部分で、配線間のショートが発生しやすい。このようなショートが発生するとタッチスクリーンとして機能しなくなる。従って、通常は、タッチスクリーンの動作に関係しない下層配線端部１４と上層束ね配線５との位置関係、および下層束ね配線４と上層配線端部１５との位置関係に関しては、配線間のショートの発生のリスクを避けるため、図５に示すように下層配線端部１４と上層束ね配線５とが重ならないように配置される。同様に、下層束ね配線４と上層配線端部１５とが重ならないように配置される。
【0031】
しかしながら、近年の液晶表示装置の狭額縁化の流れに伴い、それに使用されるタッチスパネルの狭額縁化も要求され、液晶表示装置の表示領域全体をカバーできるようなタッチスクリーンが必要となり、下層束ね配線４および上層束ね配線５の近傍まで液晶表示装置の見栄えを変化させること無く動作するタッチスクリーンが要求されている。図５に示すようなパターンのタッチスクリーンにおいても、上層束ね配線５付近のセンサは正常に動作するが、上層束ね配線５付近には下層配線２が形成されていないため、上層束ね配線５から離れた部分のセンサ領域と比較し、液晶表示装置からの光の透過率や、タッチスクリーン表面での外光の反射率が異なる。このような場合、上層束ね配線５および下層束ね配線４の近傍である液晶表示装置の表示領域の外周付近と、上層束ね配線５および下層束ね配線４から離れた液晶表示装置の表示領域とで液晶表示装置が表示する画像の見栄えが異なるため、ディスプレイとしての問題が発生する。このような問題を解決するために、図３に示すような、上層束ね配線５の下に下層配線端部１４を形成するパターンが使用される。同様の理由により、下層束ね配線４上に上層配線端部１５を形成するパターンが使用される。
【0032】
【0033】
図６に示すように、まず、基板１１上に下層配線２を形成する。なお、下層配線端部１４は、下層配線２の左側の端部に相当する。次に、図７に示すように、基板１１および下層配線２を覆うように層間絶縁膜１２を形成する。
【0034】
層間絶縁膜１２が形成されてから上層束ね配線５が形成されるまでの間の製造工程において、製造装置と下層配線２との間で放電が発生すると、下層配線２上に形成されている層間絶縁膜１２に穴が空いて放電痕１６が形成される。一般的に、製造装置と下層配線２との間で発生する放電は、電界が集中しやすい基板１１の端部付近に形成されている下層配線端部１４で起こりやすい。従って、製造装置と下層配線２との間で放電が発生すると、図８に示すように、下層配線端部１４上の層間絶縁膜１２に穴が空き、下層配線端部１４もダメージを受ける場合がある。
【0035】
図３に示すようなパターンでは、下層配線端部１４に放電痕１６が形成されると、その部分には必ず上層束ね配線５が形成されるため、必ず下層配線端部１４と上層束ね配線５との間でショートが発生する。その結果、図９，１０に示すように、下層配線端部１４を有する下層配線２と、上層束ね配線５に繋がっている上層配線３とがショートするため、ショート部分を含む上層配線束１０および下層配線束９におけるセンサが正常に機能しなくなり、タッチスクリーンとして使用できなくなる。
【0036】
放電痕１６で下層配線端部１４と上層束ね配線５とが直接的に接触してショートすることを回避する方法としては、放電痕１６が形成された後に２層目の層間絶縁膜を形成する方法が考えられる。しかし、そのような構成においても下層配線端部１４と上層束ね配線５との間でショートが発生する場合がある。このようなショートが発生するメカニズムについて図１１～１７を用いて以下に説明する。
【0037】
【0038】
第１層間絶縁膜１７が形成された後の製造工程において、製造装置と下層配線端部１４と間で放電が発生すると、図１３に示すように、下層配線端部１４上の第１層間絶縁膜１７に穴が空いて放電痕１６が形成される。
【0039】
放電痕１６で下層配線端部１４と上層束ね配線５とが直接的に接触してショートすることを防ぐために、図１４に示すような第２層間絶縁膜１８を形成する。第２層間絶縁膜１８の形成後に上層束ね配線５を形成すると、図１５に示すように、第２層間絶縁膜１８が形成されているため下層配線端部１４と上層束ね配線５との直接的な接触を避けることができる。
【0040】
上層束ね配線５の形成以降のタッチスクリーン形成工程、タッチスクリーンに保護板等を貼り付けタッチパネルを形成する工程、および液晶表示装置にタッチパネルを貼り付ける工程の何れかの工程において、例えば図１６に示すように、剥離帯電等によって下層配線２にマイナス電荷１９が蓄積され、上層束ね配線５にプラス電荷２０が蓄積されてその電位差が第２層間絶縁膜１８の絶縁破壊電圧を超えると、第２層間絶縁膜１８が絶縁破壊され、図１７に示すショート部分２１で、下層配線端部１４と上層束ね配線５との間でショートが発生する。なお、下層配線２にプラス電荷が蓄積され、上層束ね配線５にマイナス電荷が蓄積された場合も同様である。
【0041】
このように、下層配線端部１４と上層束ね配線５との直接的な接触を防ぐために第２層間絶縁膜１８を形成した場合も、下層配線端部１４の直上に上層束ね配線５が形成されていると、製造工程中の帯電によって下層配線端部１４と上層束ね配線５との間でショートが発生することがある。
【0042】
以上述べたような下層配線端部１４と上層束ね配線５とのショートの発生を抑制し、かつ上層束ね配線５付近での液晶表示装置の見栄えが変化しないようにするために、図２の領域Ｂにおける配線のパターンを、図１８に示すような下層配線端部１４が上層束ね配線５よりもセンサ領域の反対側に位置するような配線のパターンとすればよい。また、図１８には示していないが、配線のパターンの配置の都合上、下層配線端部１４が上層引き出し配線７と重なる場合は、下層配線端部１４が上層引き出し配線７からはみ出すように形成する（後述する図２２参照）。
【0043】
図１９は、図１８のＣ１－Ｃ２断面図である。図１９に示すように、図１８に示すような配線のパターンにすることによって、上層束ね配線５の直下に下層配線端部１４が形成されない。図２０は、図１８のＤ１－Ｄ２断面を示しており、図１８に示すような配線のパターンを形成した際に、放電によって下層配線端部１４に放電痕１６が形成された場合を示している。なお、図２０に示す状態は、図９に示す状態に相当する。
【0044】
図２０に示すように、下層配線端部１４に放電痕１６が形成された場合であっても放電痕１６に上層束ね配線５が形成されないため、下層配線端部１４と上層束ね配線５とのショートは発生しない。その結果、下層配線端部１４で放電が発生しても下層配線２と上層配線３との間でショートが発生しないためセンサは正常に機能する。
【0045】
通常、下層配線端部１４に発生する放電痕１６の径は、およそ１μｍである。従って、層間絶縁膜１２の絶縁耐圧も考慮すると、下層配線端部１４の位置は、上層束ね配線５の端部よりも平面視で２μｍ以上離すことが望ましい。また、下層配線端部１４側に上層引き出し配線７が形成される場合、下層配線端部１４は上層引き出し配線７に対しても平面視で２μｍ以上離れていることが望ましい。
【0046】
＜実施の形態２＞
本実施の形態２では、図２１に示すように、ひとつの上層束ね配線５に相当する領域の下層配線２の端部が第１接続配線である下層接続配線２２で接続されている。なお、図２１は、図２の領域Ｃに適用した例である。
本実施の形態２では、図２１に示すように、ひとつの上層束ね配線５に相当する領域の下層配線２の端部が第１接続配線である下層接続配線２２で接続されている。なお、図２１は、図２の領域Ｃに適用した例である。
【0047】
図２１に示す構成にすることによって、製造装置と下層配線２との間で発生する放電が下層接続配線端部２４に集中するため、放電によるセンサ領域へのダメージが実施の形態１の構成よりも抑制される。
【0048】
図２２に示すように、下層接続配線端部２４は、上層束ね配線５よりもセンサ領域に対して反対にはみ出している。また、図２２に示すように、下層接続配線２２は、上層引き出し配線７とは重ならないように形成される。さらに、下層接続配線２２に接続されない下層配線端部１４は、上層束ね配線５および上層引き出し配線７から、はみ出すように形成されている。
【0049】
図２３は、図２２のＥ１－Ｅ２断面図である。図２３に示すように、下層接続配線端部２４は、上層束ね配線５よりもセンサ領域とは反対側にはみ出している。また、下層配線２と下層接続配線２２との境界２３は、上層束ね配線５の直下に位置している。このような構成とすることによって、上層束ね配線５の直下に下層接続配線端部２４が形成されないため、最も放電が起こりやすい基板１１の周辺部に近い下層接続配線端部２４で放電によって放電痕１６が形成された場合であっても、図２４に示すように、放電痕１６に上層束ね配線５が形成されず、下層接続配線端部２４と上層束ね配線５との間でショートは発生しない。その結果、下層接続配線端部２４で放電が発生してもセンサは正常に機能する。
【0050】
通常、下層接続配線端部２４で発生する放電痕１６の径は、およそ１μｍである。従って、層間絶縁膜１２の絶縁耐圧も考慮に入れると、下層接続配線端部２４の位置は、上層束ね配線５の端部よりも図２２における平面視で２μｍ以上離すことが望ましい。また、下層接続配線端部２４側に上層引き出し配線７が形成される場合、下層接続配線端部２４は、上層引き出し配線７に対しても平面視で２μｍ以上離れていることが望ましい。
【0051】
＜実施の形態３＞
本実施の形態３では、図２５に示すように、ひとつの上層束ね配線５に相当する領域の下層配線２の端部が下層接続配線２２で接続されており、下層接続配線２２には、センサ領域の反対側に延びる第１突起である下層接続配線突起２５が形成されている。なお、図２５は、図２の領域Ｃに適用した例である。
本実施の形態３では、図２５に示すように、ひとつの上層束ね配線５に相当する領域の下層配線２の端部が下層接続配線２２で接続されており、下層接続配線２２には、センサ領域の反対側に延びる第１突起である下層接続配線突起２５が形成されている。なお、図２５は、図２の領域Ｃに適用した例である。
【0052】
下層接続配線突起２５を設けることによって、製造装置と下層配線２との間で発生する放電が下層接続配線突起２５に集中するため、放電によるセンサ領域へのダメージがさらに抑制される。
【0053】
図２６に示すように、下層接続配線２２および下層接続配線突起２５は、ともに上層束ね配線５よりもセンサ領域に対して反対側にはみ出している。また、図２６に示すように、下層接続配線２２は、上層引き出し配線７とは重ならないように形成され、下層接続配線２２に接続されない下層配線端部１４は、上層束ね配線５および上層引き出し配線７から、はみ出すように形成されている。
【0054】
図２７は、図２６のＦ１－Ｆ２断面図である。図２７に示すように、下層接続配線突起２５および下層接続配線端部２４は、上層束ね配線５よりもセンサ領域外の方向にはみ出している。また、下層配線２と下層接続配線２２との境界２３は、上層束ね配線５の直下に位置している。このような構成とすることによって、下層接続配線突起２５は下層接続配線２２に対して突出しているため、電界が集中しやすく最も放電が起こり易い。基板１１の周辺部に近い下層接続配線突起２５に放電痕１６が形成された場合であっても、図２８に示すように、放電痕１６に上層束ね配線５が形成されず、下層接続配線突起２５と上層束ね配線５との間でショートは発生しない。その結果、下層接続配線突起２５で放電が発生してもセンサは正常に機能する。
【0055】
通常、下層接続配線端部２４で発生する放電痕１６の径は、およそ１μｍである。従って、層間絶縁膜１２の絶縁耐圧も考慮に入れると、下層接続配線突起２５の位置は、上層束ね配線５の端部よりも図２６に示す平面視で２μｍ以上離すことが望ましい。また、下層接続配線端部２４側に上層引き出し配線７が形成される場合、下層接続配線突起２５は、上層引き出し配線７に対しても平面視で２μｍ以上離れていることが望ましい。
【0056】
＜実施の形態４＞
実施の形態１では、上層束ね配線５と下層配線２との間でショートが発生するメカニズムについて説明した。本実施の形態４では、上層配線３と下層束ね配線４との間でショートが発生するメカニズムについて説明する。
実施の形態１では、上層束ね配線５と下層配線２との間でショートが発生するメカニズムについて説明した。本実施の形態４では、上層配線３と下層束ね配線４との間でショートが発生するメカニズムについて説明する。
【0057】
【0058】
図３０に示すような配線のパターンの場合、上層配線３の端部である上層配線端部１５は、図３１に示すように、層間絶縁膜１２を介して下層束ね配線４と重なっている。なお、図３１は、図３０のＧ１－Ｇ２断面図である。このような構成において上層配線端部１５と下層束ね配線４と間でショートが発生するメカニズムを説明する。
【0059】
図３２～３４は、図３０のＨ１－Ｈ２断面図であり、上層配線３の形成以降の状態を示している。図３２は、上層配線３を形成した後の状態を示しており、この工程から保護絶縁膜１３を形成する工程までに、製造装置と上層配線端部１５との間で放電が発生すると、図３３に示すように上層配線端部１５で放電によって穴が空いて放電痕１６が形成される。このとき、上層配線端部１５の一部が溶融し、放電痕１６の側壁に導電物質である上層配線端部１５の溶融物２６が付着するが、上層配線端部１５の直下には必ず下層束ね配線４が形成されているため、下層束ね配線４と上層配線端部１５がショートする。下層束ね配線４と上層配線端部１５がショートするとセンサが正常に作動しなくなる。
【0060】
下層束ね配線４と上層配線端部１５との間で発生するショートは、上層配線３の形成から保護絶縁膜１３を形成するまでだけではなく、保護絶縁膜１３の形成後の放電によっても、図３４に示すように保護絶縁膜１３を貫通して形成される放電痕１６の側壁に上層配線端部１５の溶融物２６が付着することによって発生する場合がある。
【0061】
図３５は、本実施の形態４による上層配線端部１５および下層束ね配線４の配線のパターンの一例を示す図である。本実施の形態４による上層配線３は、図３５に示すように、上層配線端部１５が下層束ね配線４よりもセンサ領域とは反対側にはみ出している。このような配線のパターンにすることによって、図３６に示すように、下層束ね配線４の直上に上層配線端部１５が形成されないようにすることができる。なお、図３６は、図３５のＪ１－Ｊ２断面図である。
【0062】
図３６に示す配線のパターンにおいて、製造装置と上層配線端部１５との間で放電が発生したときの状態を、図３７，３８に示す。簡単のために、図３７，３８では、上層配線３を形成した後、保護絶縁膜１３を形成する前の状態を一例として示している。なお、図３７，３８は、図３５のＫ１－Ｋ２断面図である。
【0063】
図３７は、上層配線３を形成した後の状態を示している。図３８は、図３７に示す状態で、製造装置と上層配線端部１５との間で放電が発生した後の状態を示している。図３８に示すように、上層配線端部１５は、下層束ね配線４よりもセンサ領域とは反対側にはみ出して形成されている。従って、上層配線端部１５で放電が発生して放電痕１６が形成されても、放電痕１６の底部に下層束ね配線４が露出しないため、放電痕１６の側壁に上層配線端部１５の溶融物２６が付着しても上層配線端部１５と下層束ね配線４との間でショートが発生することはない。その結果、上層配線端部１５で放電が発生した場合においても、センサは正常に機能する。なお、本実施の形態４による構成は、実施の形態１～３のいずれかと任意に組み合わせることが可能である。
【0064】
＜実施の形態５＞
本実施の形態５では、図３９に示すように、ひとつの下層束ね配線４に相当する領域の上層配線３の端部が第２接続配線である上層接続配線３１によって接続されている。なお、図３９は、図２９の領域Ｆに適用した例である。このような構成とすることによって、製造装置と上層配線３との間で発生した放電が上層接続配線端部２９に集中するため、放電によるセンサ領域へのダメージが実施の形態４よりも抑制される。
本実施の形態５では、図３９に示すように、ひとつの下層束ね配線４に相当する領域の上層配線３の端部が第２接続配線である上層接続配線３１によって接続されている。なお、図３９は、図２９の領域Ｆに適用した例である。このような構成とすることによって、製造装置と上層配線３との間で発生した放電が上層接続配線端部２９に集中するため、放電によるセンサ領域へのダメージが実施の形態４よりも抑制される。
【0065】
図３９に示すように、上層接続配線端部２９は、下層束ね配線４よりもセンサ領域とは反対側にはみ出している。また、図３９に示すように、上層接続配線３１は、下層引き出し配線６とは重ならないように配置されている。
【0066】
図４０は、図３９のＬ１－Ｌ２断面図である。図４０に示すように、上層接続配線端部２９は、下層束ね配線４よりもセンサ領域とは反対側にはみ出している。また、上層配線３と上層接続配線３１との境界３２は、下層束ね配線４の直上に位置している。このような構成とすることによって、上層接続配線端部２９は、下層束ね配線４の直上に形成されないため、最も放電が起こりやすい基板１１の周辺部に近い上層接続配線端部２９で放電が発生して放電痕１６が形成された場合であっても、図４１に示すように、放電痕１６の底部に下層束ね配線４が露出しない。従って、放電痕１６の側壁に上層接続配線端部２９の溶融物３４が付着しても、上層接続配線端部２９と下層束ね配線４との間でショートが発生することはなく、上層接続配線端部２９で放電が発生した場合においても、センサは正常に機能する。なお、本実施の形態５による構成は、実施の形態１～３のいずれかと任意に組み合わせることが可能である。
【0067】
＜実施の形態６＞
本実施の形態６では、図４２に示すように、ひとつの下層束ね配線４に相当する領域の上層配線３の端部が上層接続配線３１で接続されており、上層接続配線３１にはセンサ領域の反対側に延在する第２突起である上層接続配線突起３０が形成されている。なお、図４２は、図２９の領域Ｆに適用した例である。
本実施の形態６では、図４２に示すように、ひとつの下層束ね配線４に相当する領域の上層配線３の端部が上層接続配線３１で接続されており、上層接続配線３１にはセンサ領域の反対側に延在する第２突起である上層接続配線突起３０が形成されている。なお、図４２は、図２９の領域Ｆに適用した例である。
【0068】
上層接続配線突起３０を設けることによって、製造装置と上層配線３との間で発生する放電が上層接続配線突起３０に集中するため、放電によるセンサ領域へのダメージがさらに抑制される。
【0069】
図４２に示すように、上層接続配線３１および上層接続配線突起３０は、ともに下層束ね配線４よりもセンサ領域に対して反対側にはみ出している。また、上層接続配線３１は、下層引き出し配線６とは重ならないように配置されている。
【0070】
図４３は、図４２のＭ１－Ｍ２断面図である。図４３に示すように、上層接続配線突起３０および上層接続配線端部２９は、下層束ね配線４よりもセンサ領域とは反対側にはみ出して形成されている。また、上層配線３と上層接続配線３１との境界３２は、下層束ね配線４の直上に位置している。このような構成とすることによって、上層接続配線突起３０は上層接続配線３１から突出しているため、電界が集中しやすく最も放電が起こりやすい。基板１１の周辺部に近い上層接続配線突起３０に放電痕１６が形成された場合であっても、図４４に示すように、放電痕１６の底部に下層束ね配線４が形成されていないため、上層接続配線突起３０の溶融物３３が放電痕１６の側壁に付着しても上層接続配線３１と下層束ね配線４との間でショートは発生しない。その結果、上層接続配線突起３０で放電が発生してもセンサは正常に機能する。なお、本実施の形態６による構成は、実施の形態１～３のいずれかと任意に組み合わせることが可能である。
【0071】
＜実施の形態７＞
本実施の形態７では、実施の形態１～６によるタッチスクリーンの製造方法について説明する。以下では、実施の形態１，４によるタッチスクリーンの製造方法に主眼を置いて説明する。
本実施の形態７では、実施の形態１～６によるタッチスクリーンの製造方法について説明する。以下では、実施の形態１，４によるタッチスクリーンの製造方法に主眼を置いて説明する。
【0072】
【0073】
まず、ガラスやフィルム等の透明な基板１１上に、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するための膜を、スパッタ法または真空蒸着法によって形成する。当該膜は、アルミまたは銅で構成されてもよく、アルミおよび銅を含む合金等の金属で構成されてもよく、酸化インジウム系で構成されてもよく、酸化錫系の透明な酸化物等で構成されてもよく、これらの積層で構成されてもよい。
【0074】
次に、下層配線端部１４を含む下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するためのレジストパターンを写真製版によって形成する。ここで形成されるレジストパターンは、実施の形態１で説明したように、下層配線端部１４が上層束ね配線５に対してセンサ領域の反対側に位置するように形成される。なお、実施の形態２，３の場合は、実施の形態２，３で説明した下層接続配線端部２４または下層接続配線突起２５となるようなレジストパターンを形成する。
【0075】
次に、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するための膜に対応するエッチング液を用いて、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するための膜のエッチングを行うことによって、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６をパターニングする。その後、レジストを剥離することによって、図４５に示すような下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成する。なお、図４５では、下層束ね配線４および下層引き出し配線６の図示を省略している。
【0076】
次に、下層配線２と後に形成する上層配線３とを電気的に絶縁する層間絶縁膜１２を形成する。層間絶縁膜１２は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の透明絶縁膜であり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、もしくはスリットコート等の塗布法、またはこれらの成膜方法の組み合わせで形成する。ここでは、スリットコータで形成する塗布型絶縁膜を第１層間絶縁膜１７とし、ＣＶＤで成膜されるＳｉＯ２膜を第２層間絶縁膜１８とした、積層構造を有する層間絶縁膜１２の形成方法を一例として説明する。
【0077】
具体的には、図４６に示すように、下層配線端部１４を含む下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を覆うように塗布型絶縁膜（例えば、シロキサンを塗布後にキュアすることによって形成される塗布型絶縁膜）で第１層間絶縁膜１７を形成する。その後、図４７に示すように、ＣＶＤによってＳｉＯ２からなる第２層間絶縁膜１８を第１層間絶縁膜１７上に形成する。
【0078】
次に、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６の形成方法と同様に、第２層間絶縁膜１８上に、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成するための膜を形成する。その後、上層配線端部１５を含む上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７をパターニングするためのレジストパターンを写真製版によって形成する。このとき、上層束ね配線５については、実施の形態１で説明したように、上層束ね配線５が下層配線端部１４よりもセンサ領域側に位置するようなレジストパターンにする。なお、実施の形態２，３の場合は、実施の形態２，３で説明した下層接続配線端部２４または下層接続配線突起２５となるようなレジストパターンを形成する。
【0079】
次に、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成するための膜に対応するエッチング液を用いて、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成するための膜のエッチングを行うことによって、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７をパターニングする。その後、レジストを剥離することによって、図４８に示すような上層配線端部１５を含む上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成する。
【0080】
次に、上層配線３および第２層間絶縁膜１８を覆うように保護絶縁膜１３を形成する。保護絶縁膜１３は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の透明絶縁膜であり、ＣＶＤ法、スパッタ法、もしくはスリットコート等の塗布法、またはこれらの成膜方法の組み合わせで形成する。ここでは、スリットコータで形成する塗布型絶縁膜を第１保護絶縁膜２７とし、ＣＶＤで成膜されるＳｉＯ２膜を第２保護絶縁膜２８とした、積層構造を有する保護絶縁膜１３の形成方法を一例として説明する。
【0081】
具体的には、図４９に示すように、上層配線端部１５を含む上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を覆うように塗布型絶縁膜（例えば、シロキサンを塗布後にキュアすることによって形成される塗布型絶縁膜）で第１保護絶縁膜２７を形成する。その後、図５０に示すように、ＣＶＤによってＳｉＯ２からなる第２保護絶縁膜２８を第１保護絶縁膜２７上に形成する。
【0082】
最後に、下層束ね配線４に接続する下層引き出し配線６、上層束ね配線５に接続する上層引き出し配線７、および外部配線間の接続を取るための端子８の開口を形成する。この工程に関しては特に図示はしないが、端子８の開口は、端子８の開口パターンに合わせて形成されたレジストパターンを用いてドライエッチングによって形成する。具体的には、上層引き出し配線７に接続する端子８は、保護絶縁膜１３をエッチングすることによって形成する。下層引き出し配線６に接続する端子８は、保護絶縁膜１３および層間絶縁膜１２をエッチングすることによって形成する。
【0083】
【0084】
まず、ガラスやフィルム等の透明な基板１１上に、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するための膜を、スパッタ法または真空蒸着法によって形成する。当該膜は、アルミまたは銅で構成されてもよく、アルミおよび銅を含む合金等の金属で構成されてもよく、酸化インジウム系で構成されてもよく、酸化錫系の透明な酸化物等で構成されてもよく、これらの積層で構成されてもよい。
【0085】
次に、下層配線端部１４を含む下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するためのレジストパターンを写真製版によって形成する。ここで形成されるレジストパターンは、実施の形態４で説明したように、上層配線端部１５が下層束ね配線４よりもセンサ領域の反対側に位置するように形成される。なお、実施の形態５，６の場合は、実施の形態５，６で説明した上層接続配線端部２９および上層接続配線突起３０となるようなレジストパターンを形成する。
【0086】
次に、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するための膜に対応するエッチング液を用いて、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成するための膜のエッチングを行うことによって、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６をパターニングする。その後、レジストを剥離することによって、図５１に示すような下層配線端部１４を含む下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を形成する。なお、図５１では、下層束ね配線４および下層引き出し配線６の図示を省略している。
【0087】
次に、下層配線２と後に形成する上層配線３とを電気的に絶縁する層間絶縁膜１２を形成する。層間絶縁膜１２は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の透明絶縁膜であり、ＣＶＤ法、スパッタ法、もしくはスリットコート等の塗布法、またはこれらの成膜方法の組み合わせで形成する。ここでは、スリットコータで形成する塗布型絶縁膜を第１層間絶縁膜１７とし、ＣＶＤで成膜されるＳｉＯ２膜を第２層間絶縁膜１８とした、積層構造を有する層間絶縁膜１２の形成方法を一例として説明する。
【0088】
具体的には、図５２に示すように、下層配線端部１４を含む下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６を覆うように塗布型絶縁膜（例えば、シロキサンを塗布後にキュアすることによって形成される塗布型絶縁膜）で第１層間絶縁膜１７を形成する。その後、図５３に示すように、ＣＶＤによってＳｉＯ２からなる第２層間絶縁膜１８を第１層間絶縁膜１７上に形成する。
【0089】
次に、下層配線２、下層束ね配線４、および下層引き出し配線６の形成方法と同様に、第２層間絶縁膜１８上に、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成するための膜を形成する。その後、上層配線端部１５を含む上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７をパターニングするためのレジストパターンを写真製版によって形成する。このとき、上層配線端部１５については、実施の形態４で説明したように、下層束ね配線４が上層配線端部１５よりもセンサ領域側に位置するようなレジストパターンにする。なお、実施の形態５，６の場合は、実施の形態５，６で説明した上層接続配線端部２９または上層接続配線突起３０となるようなレジストパターンを形成する。
【0090】
次に、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成するための膜に対応するエッチング液を用いて、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成するための膜のエッチングを行うことによって、上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７をパターニングする。その後、レジストを剥離することによって、図５４に示すような上層配線端部１５を含む上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を形成する。
【0091】
次に、上層配線３および第２層間絶縁膜１８を覆うように保護絶縁膜１３を形成する。保護絶縁膜１３は、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の透明絶縁膜であり、ＣＶＤ法、スパッタ法、もしくはスリットコート等の塗布法、またはこれらの成膜方法の組み合わせで形成する。ここでは、スリットコータで形成する塗布型絶縁膜を第１保護絶縁膜２７とし、ＣＶＤで成膜されるＳｉＯ２膜を第２保護絶縁膜２８とした、積層構造を有する保護絶縁膜１３の形成方法を一例として説明する。
【0092】
具体的には、図５５に示すように、上層配線端部１５を含む上層配線３、上層束ね配線５、および上層引き出し配線７を覆うように塗布型絶縁膜（例えば、シロキサンを塗布後にキュアすることによって形成される塗布型絶縁膜）で第１保護絶縁膜２７を形成する。その後、図５６に示すように、ＣＶＤによってＳｉＯ２からなる第２保護絶縁膜２８を第１保護絶縁膜２７上に形成する。
【0093】
最後に、下層束ね配線４に接続する下層引き出し配線６、上層束ね配線５に接続する上層引き出し配線７、および外部配線間の接続を取るための端子８の開口を形成する。この工程に関しては特に図示はしないが、端子８の開口は、端子８の開口パターンに合わせて形成されたレジストパターンを用いてドライエッチングによって形成する。具体的には、上層引き出し配線７に接続する端子８は、保護絶縁膜１３をエッチングすることによって形成する。下層引き出し配線６に接続する端子８は、保護絶縁膜１３および層間絶縁膜１２をエッチングすることによって形成する。
【0094】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【0095】
１ タッチスクリーン、２ 下層配線、３ 上層配線、４ 下層束ね配線、５ 上層束ね配線、６ 下層引き出し配線、７ 上層引き出し配線、８ 端子、９ 下層配線束、１０ 上層配線束、１１ 基板、１２ 層間絶縁膜、１３ 保護絶縁膜、１４ 下層配線端部、１５ 上層配線端部、１６ 放電痕、１７ 第１層間絶縁膜、１８ 第２層間絶縁膜、１９ マイナス電荷、２０ プラス電荷、２１ ショート部分、２２ 下層接続配線、２３ 境界、２４ 下層接続配線端部、２５ 下層接続配線突起、２６ 溶融物、２７ 第１保護絶縁膜、２８ 第２保護絶縁膜、２９ 上層接続配線端部、３０ 上層接続配線突起、３１ 上層接続配線、３２ 境界、３３ 溶融物、３４ 溶融物。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】