特許7190910IP Force 特許公報全文掲載

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不揮発性メモリ装置に係り、さらに詳細には、初期化情報を読み取る動作の間、消費電流を減らすことができる不揮発性メモリ装置、その電圧発生方法及び読み取り方法、並びにそれを含むメモリシステム及び電子装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明が解決しようとする課題は、初期化情報を読み取る動作の間、消費電流を減らすことができる不揮発性メモリ装置、その電圧発生方法及び読み取り方法、並びにそれを含むメモリシステム及び電子装置を提供するところにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置は、複数のワードラインに連結されるメモリセルに初期化情報を保存するメモリセルアレイ、初期化情報を読み取る初期化情報読み取り動作で選択されたワードラインに、第１読み取り電圧を印加し、非選択ワードラインに、第２読み取り電圧を印加するように制御する制御回路部、そして初期化情報読み取り動作時、制御回路部から提供される電圧制御信号に応答し、電源電圧を低くするこ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置は、ブーティング時、初期化情報を読み取るとき、非選択ワードライン駆動に必要な電圧を、電源電圧以下に降下された電圧レベルで印加することにより、高電圧ポンピング動作を遂行しないことにより、消費電流を減らすことができる。

また、大容量ＳＳＤに含まれる不揮発性メモリ装置の数が増加しても、初期化情報読み取り動作時に消費する電流は、許容値を超えないために、初期化動作を安定して遂行することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置を適用した概念的実施形態の電子装置としてデータプロセシングシステムを示す図面である。
【図2】 本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置を含むメモリシステムであるＳＳＤの概略的な構成を示すブロック図である。
【図3】 本発明の一実施形態による図２の不揮発性メモリ装置について説明するブロック図である。
【図4】 図３の第１メモリブロックについて説明する図面である。
【図5】 図３の第１メモリブロックについて説明する図面である。
【図6】 本発明の初期化情報読み取り方法について概念的に説明する図面である。
【図7】 図３の低電圧発生回路について例示的に説明する図面である。
【図8】 図３の低電圧発生回路について例示的に説明する図面である。
【図9】 図３の低電圧発生回路について例示的に説明する図面である。
【図10】 図３の低電圧発生回路について例示的に説明する図面である。
【図11】 図３の低電圧発生回路について例示的に説明する図面である。
【図12】 図３の低電圧発生回路について例示的に説明する図面である。
【図13】 本発明の一実施形態による図３の不揮発性メモリ装置の初期化情報読み取り方法を示すフローチャートである。
【図14】 図１３の初期化情報読み取り動作によってワードライン電圧が印加される例を示すテーブルである。
【図15】 本発明の一実施形態による図３の不揮発性メモリ装置を利用し、初期化情報読み取り動作を遂行するときの、消費電流パターンを示す図面である。
【図16】 本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置が含まれたストレージ装置を適用することができるサーバシステムを示すブロック図である。
【図17】 本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置が含まれたストレージ装置を適用することができるストレージクラスタを示すブロック図である。
【図18】 本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置を含むシステムを示すブロック図である。
【図19】 本発明の一実施形態による不揮発性メモリ装置をメモリカードシステムに適用した例を示すブロック図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１００ プロセシングシステム １１０ サーバ １１１ ＰＣＩｅバス １１２、１２２ ＲＮＩＣ １１４ ストレージデバイス １２０ ホスト １２４ メモリ １２６ プロセッサ １３０ ネットワーク ２００ ＳＳＤ ２１０ メモリコントローラ ２２０ 不揮発性メモリ装置 ２３０ 揮発性メモリ装置 ３１０ メモリセルアレイ ３２０ 設定レジスタ ３３０ 制御回路部 ３４０ アドレスデコーダ ３５０ 読み取り回路部 ３６０ 電圧発生部 ３６２ 低電圧発生回路

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