(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-08
(45)【発行日】2022-12-16
(54)【発明の名称】磁気ディスク用非磁性基板及び磁気ディスク
(51)【国際特許分類】
G11B 5/73 20060101AFI20221209BHJP
G11B 5/738 20060101ALI20221209BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20221209BHJP
【ＦＩ】
G11B5/73
G11B5/738
G11B5/84 Z
G11B5/84 A
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2021189876
(22)【出願日】2021-11-24
(62)【分割の表示】P 2019149512の分割
【原出願日】2018-04-02
(65)【公開番号】P2022028852
(43)【公開日】2022-02-16
【審査請求日】2021-12-23
(31)【優先権主張番号】P 2017070232
(32)【優先日】2017-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000113263
【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000165
【氏名又は名称】グローバル・アイピー東京特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】越阪部 基延
【審査官】中野 和彦
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１６／１０８２８６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－１９９４４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－１９８６４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１２６８０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１１８１１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３５１２２４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特許第６９８３８４２（ＪＰ，Ｂ２）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／７３
Ｇ１１Ｂ ５／７３８
Ｇ１１Ｂ ５／８４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁気ディスク用基板であって、前記磁気ディスク用基板は、
対向する２つの主表面と、外周端面とを有し、前記外周端面は、前記主表面に対して直交する側壁面と、前記主表面と前記側壁面との間に形成された面取面とを備えた、アルミニウム合金基板である円盤形状の基板本体と、
前記基板本体の表面上に形成され、前記主表面、前記面取面および前記側壁面に亘って連続して形成されたＮｉとＰとを含む合金の膜と、を備え、
前記円盤形状の基板本体の外径は９０ｍｍ以上であり、
前記基板本体の厚さＴと、前記２つの主表面に形成された前記膜の厚さＤの合計である前記磁気ディスク用基板の厚さ（Ｔ＋Ｄ）は、０．５２０ｍｍ以下であって、
前記膜の厚さＤの、前記基板本体の厚さＴに対する比Ｄ／Ｔが０．０２５以上であり、
前記外周端面に形成された前記膜との界面を形成する前記外周端面における前記基板本体の表面粗さの最大高さＲｚは０．５μｍ以上である、
ことを特徴とする磁気ディスク用基板。
【請求項2】
前記比Ｄ／Ｔは０．０３以上である、請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項3】
前記比Ｄ／Ｔは０．０４以上である、請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項4】
前記外周端面に形成された前記膜の表面粗さの最大高さＲｚは、前記外周端面における前記基板本体の表面粗さの最大高さＲｚより小さい、請求項１～３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項5】
前記膜のビッカース硬度Ｈｖは１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上である、請求項１～４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板の表面に少なくとも磁性膜を有する、磁気ディスク。
【請求項7】
請求項６に記載の磁気ディスクと、磁気ヘッドとを有する、ハードディスクドライブ装置。
【請求項8】
前記ハードディスクドライブ装置は、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスク上から退避するためのランプ部材を有し、前記ランプ部材と前記主表面との間隙が０．２ｍｍ以下となるように前記磁気ディスクが設けられる、請求項７に記載のハードディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気ディスク用非磁性基板及び磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、磁気ディスク用基板として、ガラス基板やアルミニウム合金基板が用いられている。これらの基板には、磁性膜が基板主表面に形成されて磁気ディスク基板が形成される。磁気ディスクは、表面欠陥が少なく、情報の読み取り書き込みに支障が無く、大量の情報の読み取り書き込みが可能なことが望まれている。
【0003】
例えば、磁気ディスク用非磁性基板としてアルミニウム合金基板を用いる場合、アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっきを行うが、このとき、めっき後の表面欠陥を抑制するために、基板表面に物理蒸着により金属皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム合金基板（以下、「Ａｌ合金基板」又は「Ａｌ－Ｍｇ合金基板」と略す場合がある）が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００６－３０２３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記磁気記録媒体用Ａｌ合金基板では、この基板に形成するＮｉＰめっき後の表面欠陥を低減することができる、とされている。これにより、情報の読み取り書き込みに支障が無く、大量の情報の読み取り書き込みが可能な磁気ディスク基板が提供され得る。
【0006】
ところで、近年、ハードディスクドライブ業界では、磁気ディスクにおける磁性粒子の微細化が限界に近づいており、従来のような記録密度の向上スピードに陰りが見られている。他方、ビックデータ解析などのため、ハードディスクドライブ装置（以下、ＨＤＤと略す場合がある）に対する記憶容量の増大化の要求はますます激しくなっている。そのため、ハードディスクドライブ装置１台に搭載される磁気ディスクの枚数を増やすことが検討されている。
【0007】
ハードディスクドライブ装置に組み込む磁気ディスクの枚数を増大することで記憶容量の増大化を図る場合、磁気ディスクドライブ装置内の限られた空間内で磁気ディスクの厚さのうち大部分を占める磁気ディスク用基板の厚さを薄くする必要がある。
ここで、磁気ディスク用基板の厚さを薄くすると、基板の剛性が低下して、大きな振動が発生しやすくなるとともに、その振動が収まり難い場合があることがわかってきた。例えば、クラウド向けのデータセンターでは極めて大量のハードディスクドライブ装置が用いられているため、故障にともなうハードディスクドライブ装置の交換が頻繁に行われている。このとき、新しいハードディスクドライブ装置がラックに装着される際の衝撃で故障したり、あるいは故障までの時間が短くなったりすることが判明した。さらに詳細に調査したところ、ハードディスクドライブ装置が外部から衝撃を受ける際、ハードディスクドライブ装置にはまだ電源が供給されていないため磁気ディスクは回転していないにもかかわらずダメージを受けることがわかった。
ここで、磁気ディスク用基板の厚さを薄くすると、基板の剛性が低下して、大きな振動が発生しやすくなるとともに、その振動が収まり難い場合があることがわかってきた。例えば、クラウド向けのデータセンターでは極めて大量のハードディスクドライブ装置が用いられているため、故障にともなうハードディスクドライブ装置の交換が頻繁に行われている。このとき、新しいハードディスクドライブ装置がラックに装着される際の衝撃で故障したり、あるいは故障までの時間が短くなったりすることが判明した。さらに詳細に調査したところ、ハードディスクドライブ装置が外部から衝撃を受ける際、ハードディスクドライブ装置にはまだ電源が供給されていないため磁気ディスクは回転していないにもかかわらずダメージを受けることがわかった。
【0008】
このように外部からの衝撃によって生じる振動は、回転する磁気ディスクとその周りの空気の流れによって生じる定常回転状態で生じる定常状態のフラッタ振動とは異なり、時間とともに減衰する。しかし、この振動の振幅が大きいと、磁気ヘッドが磁気ディスク上から退避するために磁気ディスクの主表面上に張り出すように設けられているランプに接触してランプ部材が削れるなどしてパーティクルが発生し、さらに場合によっては磁気ディスクの表面に傷や欠陥が生じる。さらに、振動が収束しない場合、上記接触回数が多くなり、磁気ディスク表面の傷や欠陥、パーティクルがさらに生じ易くなる。現状では、磁気ディスク用基板の厚さは厚いため外部からの衝撃によって生じる振動が問題になるような振幅を有しにくい。またハードディスクドライブ装置の磁気ディスクの搭載枚数は少ないため磁気ディスクとランプとの距離（間隙）は比較的大きい。このため、磁気ディスクとランプが接触することは少ない。しかし、今後、ハードディスクドライブ装置の記憶容量の増大化等のために、磁気ディスク用基板の厚さを０．７００ｍｍ以下にまで薄くすると、従来問題が生じなかった外部からの衝撃による振動及びこれに伴って生じる他の部材との接触、さらには接触に伴って生じるパーティクルや磁気ディスクの傷や凹みなどが無視できなくなってきた。
【0009】
そこで、本発明は、外部から受ける衝撃により生じる、フラッタ振動とは異なる磁気ディスクの振動を、基板の厚さが薄くなっても効果的に低減することができる磁気ディスク用非磁性基板及び磁気ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一態様は、磁気ディスク用非磁性基板である。当該非磁性基板は、
対向する２つの主表面を有する基板本体と、
前記主表面に設けられた、損失係数の値が０．０１以上の材料の金属膜と、を備える。
前記基板本体の厚さＴと前記金属膜の厚さＤの合計である前記非磁性基板の厚さ（Ｔ＋Ｄ）は、０．７００ｍｍ以下であって、
前記金属膜の厚さＤの、前記基板本体の厚さＴに対する比Ｄ／Ｔが０．０２５以上である。
対向する２つの主表面を有する基板本体と、
前記主表面に設けられた、損失係数の値が０．０１以上の材料の金属膜と、を備える。
前記基板本体の厚さＴと前記金属膜の厚さＤの合計である前記非磁性基板の厚さ（Ｔ＋Ｄ）は、０．７００ｍｍ以下であって、
前記金属膜の厚さＤの、前記基板本体の厚さＴに対する比Ｄ／Ｔが０．０２５以上である。
【0011】
前記金属膜は、前記主表面のそれぞれに設けられ、さらに、前記基板本体の端面にも設けられ、
前記主表面のそれぞれにおける前記金属膜の厚さは、前記端面における前記金属膜の厚さの８０％以上である、ことが好ましい。
前記主表面のそれぞれにおける前記金属膜の厚さは、前記端面における前記金属膜の厚さの８０％以上である、ことが好ましい。
【0012】
前記非磁性基板の厚さは、０．６４０ｍｍ以下である、ことが好ましい。
【0013】
前記磁気ディスク用非磁性基板は円盤形状であって、
前記円盤形状の外径は９０ｍｍ以上である、ことが好ましい。
前記円盤形状の外径は９０ｍｍ以上である、ことが好ましい。
【0014】
前記金属膜のビッカース硬度Ｈｖは１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上である、ことが好ましい。
【0015】
前記金属膜は、前記基板本体の主表面及び外周端面に形成され、
前記基板本体の、前記金属膜との界面を形成する外周端面の表面粗さの最大高さＲｚは０．５μｍ以上である、ことが好ましい。
前記基板本体の、前記金属膜との界面を形成する外周端面の表面粗さの最大高さＲｚは０．５μｍ以上である、ことが好ましい。
【0016】
前記金属膜は、前記基板本体の主表面及び外周端面に形成され、
前記磁気ディスク用非磁性基板の外周端面における前記膜の表面粗さの最大高さＲｚは、前記基板本体の外周端面における前記基板本体の表面粗さの最大高さＲｚより小さい、ことが好ましい。
前記磁気ディスク用非磁性基板の外周端面における前記膜の表面粗さの最大高さＲｚは、前記基板本体の外周端面における前記基板本体の表面粗さの最大高さＲｚより小さい、ことが好ましい。
【0017】
本発明の他の一態様は、前記磁気ディスク用非磁性基板の表面に少なくとも磁性膜を有する、磁気ディスクである。
【発明の効果】
【0018】
上述の磁気ディスク用非磁性基板及び磁気ディスクによれば、フラッタ振動とは異なる外部からの衝撃により生じる磁気ディスクの振動を、磁気ディスク用基板の厚さが薄くなっても効果的に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本実施形態の磁気ディスク用非磁性基板の外観形状の一例を示す図である。
【図2】本実施形態の磁気ディスク用非磁性基板の端部と膜の一例を説明する図である。
【図3】本実施形態の磁気ディスク用非磁性基板の振動の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、本発明の磁気ディスク用非磁性基板について詳細に説明する。なお、以降の説明では、磁気ディスク用ガラス基板を用いて説明するが、磁気ディスク用非磁性基板の基板本体は、ガラス基板の他に、非磁性の金属製基板であってもよい。
ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、必要に応じて化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
金属製基板の材料として、例えば、アルミニウム合金、チタン合金、及びＳｉ単結晶等を用いることができる。アルミニウム合金の場合、マグネシウムを成分として含むＡｌ－Ｍｇ（アルミニウムマグネシウム系）合金を用いることができる。これらの中でも特に、アルミニウム合金を好適に用いることができる。
ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、必要に応じて化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
金属製基板の材料として、例えば、アルミニウム合金、チタン合金、及びＳｉ単結晶等を用いることができる。アルミニウム合金の場合、マグネシウムを成分として含むＡｌ－Ｍｇ（アルミニウムマグネシウム系）合金を用いることができる。これらの中でも特に、アルミニウム合金を好適に用いることができる。
【0021】
図１は、本実施形態の磁気ディスク用非磁性基板の外観形状を示す図である。図１に示すように、本実施形態における磁気ディスク用非磁性基板１（以降、単に非磁性基板１という）は、内孔２が形成された、円盤状の薄板の基板である。非磁性基板１のサイズは問わないが、非磁性基板１は、例えば、公称で直径２．５インチや３．５インチの磁気ディスク用基板に好適に適用できる。公称で直径３．５インチの磁気ディスク用基板の場合、円盤形状の外径（直径）は９０ｍｍ以上であることが好ましい。具体的に、円盤形状の外径の公称値は、９５ｍｍや９７ｍｍとすることができる。このような大きな円盤形状であっても、後述する膜を主表面に形成することにより、磁気ディスクの振動に起因するパーティクルや傷や凹みの発生を低減することができる。なお、フラッタ振動とは異なる外部からの衝撃により生じる磁気ディスクの振動は、非磁性基板１の外径が大きいほど大きくなるとともに、減衰はしにくくなる。したがって、本実施形態の非磁性基板１は、公称３．５インチ規格以上の磁気ディスクに用いる場合に特に好ましい。
【0022】
図２は、非磁性基板１の端部と膜の一例を説明する図である。図２に示すように、非磁性基板１は、基板本体３と膜４とを有する。
基板本体３は、一対の主表面３ａと、一対の主表面３ａに対して直交する方向に沿って配置された側壁面３ｂと、一対の主表面３ａと側壁面３ｂとの間に配置された一対の面取面３ｃとを有する。側壁面３ｂ及び面取面３ｃは、非磁性基板１の外周側の端部及び内周側の端部に形成されている。
基板本体３は、一対の主表面３ａと、一対の主表面３ａに対して直交する方向に沿って配置された側壁面３ｂと、一対の主表面３ａと側壁面３ｂとの間に配置された一対の面取面３ｃとを有する。側壁面３ｂ及び面取面３ｃは、非磁性基板１の外周側の端部及び内周側の端部に形成されている。
【0023】
基板本体３にガラスを用いる場合、基板本体３のガラス組成は例えば、モル％表示で、ＳｉＯ２を、５５～７８％、Ｌｉ２Ｏを、０．１～１％、Ｎａ２Ｏを、２～１５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを、合計で１０～２５％、含み、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの合計含有量に対するＣａＯの含有量のモル比（ＣａＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ））が０．２０以下とすることができる（以下、ガラス１とする）。
また、基板本体３のガラスは例えば、モル％表示にて、ＳｉＯ２の含有量が４５～６８％、Ａｌ２Ｏ３の含有量が５～２０％、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計含有量（ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３）が６０～８０％、Ｂ２Ｏ３の含有量が０～５％、ＭｇＯの含有量が３～２８％、ＣａＯの含有量が０～１８％、ＢａＯおよびＳｒＯの合計含有量（ＢａＯ＋ＳｒＯ）が０～２％、アルカリ土類金属酸化物の合計含有量（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が１２～３０％、アルカリ金属酸化物の合計含有量（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）が３．５～１５％、Ｓｎ酸化物およびＣｅ酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、Ｓｎ酸化物およびＣｅ酸化物の合計含有量が０．０５～２．００％である、アモルファスの酸化物ガラスとすることもできる（以下、このガラスをガラス２とする）。
また、基板本体３のガラスは例えば、モル％表示にて、ＳｉＯ２の含有量が４５～６８％、Ａｌ２Ｏ３の含有量が５～２０％、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の合計含有量（ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３）が６０～８０％、Ｂ２Ｏ３の含有量が０～５％、ＭｇＯの含有量が３～２８％、ＣａＯの含有量が０～１８％、ＢａＯおよびＳｒＯの合計含有量（ＢａＯ＋ＳｒＯ）が０～２％、アルカリ土類金属酸化物の合計含有量（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が１２～３０％、アルカリ金属酸化物の合計含有量（Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）が３．５～１５％、Ｓｎ酸化物およびＣｅ酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、Ｓｎ酸化物およびＣｅ酸化物の合計含有量が０．０５～２．００％である、アモルファスの酸化物ガラスとすることもできる（以下、このガラスをガラス２とする）。
【0024】
図２に示すように、基板本体３の主表面３ａ、側壁面３ｂ、及び面取面３ｃには、膜４が設けられている。膜４は、非磁性基板１の防振特性を高くする。
膜４は、損失係数の値が０．０１以上の金属材料の金属膜である。膜４の金属材料は、基板本体３の材料よりも損失係数の高い材料である。損失係数の値は、室温、例えば、２５℃における値である。以降、損失係数は、室温における値である。
ここで、膜４の損失係数は、基板本体３、及び基板本体３に膜４を形成した非磁性基板１のそれぞれを試験試料として、試験試料の共振周波数及び共振周波数における半値幅を振動試験によって求める。振動試験では、例えば日本テクノプラス社製の「自由共振式ヤング率、剛性率及び内部摩擦測定装置（JEシリース゛）」を用いることができる。振動試験で得られた試験試料の共振周波数と半値幅から試験試料の損失係数を求める。さらに、非磁性基板１の共振周波数及び損失係数と、基板本体３の共振周波数と、基板本体３の厚さと膜４の厚さの比と、基板本体３の材料の密度と膜４の金属材料の密度の比とから、膜４の損失係数を例えば下記に示す既知の式にしたがって算出することができる。
非磁性基板１の共振周波数及び損失係数をそれぞれｆ１、η１とし、基板本体３の共振周波数をｆ３とし、基板本体３の厚さに対する膜４の合計厚さの比をａとし、基板本体３の材料の密度に対する膜４の金属材料の密度の比をｂとしたとき、膜４の損失係数η４は、α＝（ｆ１／ｆ３）２・（１＋ａ・ｂ）として、η４＝α／（α－１）・η１と表すことができる。
膜４は、損失係数の値が０．０１以上の金属材料の金属膜である。膜４の金属材料は、基板本体３の材料よりも損失係数の高い材料である。損失係数の値は、室温、例えば、２５℃における値である。以降、損失係数は、室温における値である。
ここで、膜４の損失係数は、基板本体３、及び基板本体３に膜４を形成した非磁性基板１のそれぞれを試験試料として、試験試料の共振周波数及び共振周波数における半値幅を振動試験によって求める。振動試験では、例えば日本テクノプラス社製の「自由共振式ヤング率、剛性率及び内部摩擦測定装置（JEシリース゛）」を用いることができる。振動試験で得られた試験試料の共振周波数と半値幅から試験試料の損失係数を求める。さらに、非磁性基板１の共振周波数及び損失係数と、基板本体３の共振周波数と、基板本体３の厚さと膜４の厚さの比と、基板本体３の材料の密度と膜４の金属材料の密度の比とから、膜４の損失係数を例えば下記に示す既知の式にしたがって算出することができる。
非磁性基板１の共振周波数及び損失係数をそれぞれｆ１、η１とし、基板本体３の共振周波数をｆ３とし、基板本体３の厚さに対する膜４の合計厚さの比をａとし、基板本体３の材料の密度に対する膜４の金属材料の密度の比をｂとしたとき、膜４の損失係数η４は、α＝（ｆ１／ｆ３）２・（１＋ａ・ｂ）として、η４＝α／（α－１）・η１と表すことができる。
【0025】
このような膜４の特性（損失係数）を有する材料として、ＮｉとＰを含むＮｉ－Ｐ合金を用いることができる。Ｎｉ－Ｐ合金の場合、非磁性となるようにＰを含有させればよい。例えば、Ｐの含有量を５～１５質量％とすることができる。また、Ｍｇ合金、Ａｌ－Ｚｎ合金、Ｍｇ－Ｚｒ合金等を用いることができる。なお、成膜方法としては、例えばスパッタ法や、無電解メッキ法、電解メッキ法等を用いることができる。これらの中から適宜選択すればよい。
【0026】
基板本体３の厚さを厚さＴとし、膜４の厚さを厚さＤとしたとき、基板本体３と膜４を含めた非磁性基板１の厚さ（Ｔ＋Ｄ）は、０．７００ｍｍ以下である。主表面３ａに設けられた膜４の厚さＤ（＝Ｄ１＋Ｄ２）の、基板本体３の厚さＴに対する比Ｄ／Ｔが０．０５以上である。なお、膜４の厚さは、主表面の場所によって変化せず、主表面において一定であることが好ましい。
このような非磁性基板１は、０．７００ｍｍ以下の厚さを有するので、外部からの衝撃等により非磁性基板１に振動が生じ易いが、上記振動が生じても、基板本体３の主表面３ａ上には、膜４が形成されているので、上記振動を早期に減衰させることができる。さらに、膜４が端面を含む金属本体１の周り全体を切れ目なく覆うことは、これにより上記振動の抑制の程度が特に高くなるので好ましい。また、この場合、膜４が基板本体３よりも硬質であることがより好ましい。また、Ｄ１とＤ２が同等であることがさらに好ましい。このような場合、局部的に変形するような振動モードが形成されにくく、振動の抑制の程度はより高くなる。そのため、例えばランプや隣接位置のディスクとの接触回数や接触可能性、接触した際の衝撃を減らすことができる。
なお、本実施形態では、両側の主表面３ａそれぞれに膜４が形成されるが、本実施形態には、一方の主表面３ａにのみ膜４を形成する構成も含まれる。この場合、膜４の厚さＤは、一方の主表面３ａに形成された膜４の厚さである。
このような非磁性基板１は、０．７００ｍｍ以下の厚さを有するので、外部からの衝撃等により非磁性基板１に振動が生じ易いが、上記振動が生じても、基板本体３の主表面３ａ上には、膜４が形成されているので、上記振動を早期に減衰させることができる。さらに、膜４が端面を含む金属本体１の周り全体を切れ目なく覆うことは、これにより上記振動の抑制の程度が特に高くなるので好ましい。また、この場合、膜４が基板本体３よりも硬質であることがより好ましい。また、Ｄ１とＤ２が同等であることがさらに好ましい。このような場合、局部的に変形するような振動モードが形成されにくく、振動の抑制の程度はより高くなる。そのため、例えばランプや隣接位置のディスクとの接触回数や接触可能性、接触した際の衝撃を減らすことができる。
なお、本実施形態では、両側の主表面３ａそれぞれに膜４が形成されるが、本実施形態には、一方の主表面３ａにのみ膜４を形成する構成も含まれる。この場合、膜４の厚さＤは、一方の主表面３ａに形成された膜４の厚さである。
【0027】
非磁性基板１に磁性膜を形成して作られる磁気ディスクは、ハードディスクドライブ装置内で、内孔２において、ハードディスクドライブ装置のスピンドルと固定されている。例えば、交換のために新たなハードディスクドライブ装置をラックに装着するときや、ラック内のハードディスクドライブ装置を別の場所に移動させるために取り外すときなどに、それらの動作に伴って外部からの衝撃をハードディスクドライブ装置は受ける場合がある。このような衝撃によって、スピンドルによって内孔２が固定された非磁性基板１では、内孔２周りの主表面３ａが主表面３ａの法線方向（非磁性基板１の厚さ方向）に変位する振動が生じる。この振動は、図３に示すように、回転する磁気ディスクとその周りの空気の流れによって生じる定常回転状態で生じる定常状態のフラッタ振動とは異なり、時間とともに減衰する振動である。図３は、非磁性基板１の振動の一例を示す図である。
このような振動は、磁気ディスクが回転している場合でも、静止している場合でも生じる。このため、この振動が長時間続き、非磁性基板１から形成された磁気ディスクがハードディスクドライブ装置内でランプに繰り返し接触して磁気ディスクの表面に傷や欠陥を生じさせること、さらに、この接触によりランプ部材が削れるなどしてパーディクルを発生させることは好ましくない。
このような振動は、磁気ディスクが回転している場合でも、静止している場合でも生じる。このため、この振動が長時間続き、非磁性基板１から形成された磁気ディスクがハードディスクドライブ装置内でランプに繰り返し接触して磁気ディスクの表面に傷や欠陥を生じさせること、さらに、この接触によりランプ部材が削れるなどしてパーディクルを発生させることは好ましくない。
【0028】
しかし、非磁性基板１は、損失係数の値が０．０１以上である材料で構成した膜であって、膜４の厚さＤ（＝Ｄ１＋Ｄ２）の、基板本体３の厚さＴに対する比Ｄ／Ｔが０．０２５以上であるので、上記振動を早期に減衰させることができる。膜４における損失係数の値は、０．０２以上であることがより好ましい。他方、膜４における損失係数の値の上限については特に限定されないが、損失係数の値が大きすぎる材料は、材料中の結晶が壊れやすい軟らかい材料である場合がある。このため、実用的な金属材料を用いることができる点から例えば０．３以下であることが好ましい。
【0029】
比Ｄ／Ｔは、０．０２５未満であると、膜４の厚さＤが基板本体３の厚さＴに対して十分に厚くないので、非磁性基板１における振動を早期に減衰させることは難しい他、膜４が主表面３ａの振動の初期の振幅を小さくすることもできない。比Ｄ／Ｔを０．０２５以上とすることにより、主表面３ａを覆う膜４の厚さが十分になるので、非磁性基板１における振動を早期に減衰させるとともに、振動の初期の振幅を小さく抑えることができる。比Ｄ／Ｔは、０．０３以上であることが好ましく、０．０４以上であることがより好ましい。他方、比Ｄ／Ｔの上限については上述した課題の観点からは限定されないが、比Ｄ／Ｔが過度に大きいと、膜４の材料コストが増す他、非磁性基板１の重量が増えて磁気ディスクを回転させるハードディスクドライブ装置における電力消費量が増大する場合もあるため、比Ｄ／Ｔは例えば０．１５以下とすることが好ましい。
【0030】
膜４は、主表面３ａのみに設けられ、側壁面３ｂ及び面取面３ｃに設けられなくても、上記効果を奏するが、図２に示すように、主表面３ａの他に、基板本体３の端面、すなわち、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにも設けられることが好ましい。この場合、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにおける膜４の厚さは、主表面３ａのそれぞれにおける膜の厚さＤ１，Ｄ２に比べて厚いことが好ましい。非磁性基板１で生じる振動は、主表面３ａの法線方向に変位する振動であり、この振動における主表面３ａの法線方向への変位に連動して基板本体３の端面でも、主表面３ａの法線方向に変位する。このような変位を抑制することで、主表面３ａの法線方向への変位量、すなわち振動の振幅を抑制することができることから、主表面３ａの他に、基板本体３の端面、すなわち、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにも膜4が形成されることが好ましい。特に、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにおける膜４の厚さは、主表面３ａのそれぞれにおける膜の厚さＤ１、Ｄ２に比べて厚いことが、主表面３ａにおける振動の振幅を抑制することができることから好ましい。この場合、主表面３ａのそれぞれにおける膜４の厚さＤ１，Ｄ２は、側壁面３ｂ及び面取面３ｃ（端面）における膜４の厚さの８０％以上であることが好ましく、８５％以上であるとより好ましく、９０％以上であると振動の振幅を効率よく抑制することができる点からより一層好ましい。厚さＤ１，Ｄ２は、側壁面３ｂ及び面取面３ｃ（端面）における膜４の厚さに近づくことほど好ましい。上記割合が大きくなり、膜４の厚さが非磁性基板１の全表面において均一に近づくほど、局部的に変形するような振動モードが形成されにくく、振動が抑制されやすくなる。
【0031】
磁気ディスクの厚さは薄くなればなるほど振動の振幅が大きくなるので、磁気ディスクが、ハードディスクドライブ装置内で他の部材との接触回数が増え、さらには接触に伴って生じるパーティクルや磁気ディスクの傷や凹みの欠陥が多くなる問題が生じるが、非磁性体基板１の場合、厚さを０．６４０ｍｍ以下にしても、上記問題は生じ難い。非磁性体基板１の厚さは、０．５７０ｍｍ以下、さらには、０．５２ｍｍ以下にしてもよく、０．４００ｍｍ以下にしてもよい。また、非磁性体基板１の厚さとして、例えば、０．６３５ｍｍ、０．５５０ｍｍ、０．５００ｍｍ、０．３８０ｍｍとすることができる。非磁性基板１の厚さの下限は機械的耐久性の観点から０．２ｍｍ以上であることが好ましい。非磁性基板１が薄くなるほど、原則としてパーティクル発生の問題、さらに場合によっては傷や凹みの欠陥の発生の問題が大きくなるが、本実施形態では、パーティクルや傷や凹みの欠陥を低減する効果は顕著になる。
【0032】
一実施形態によれば、膜４のビッカース硬度Ｈｖは１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることが好ましい。ビッカース硬度Ｈｖを高くすることにより、ハードディスクドライブ装置内のランプと接触したときに傷や凹みの欠陥が生じにくくなる。ビッカース硬度Ｈｖは１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］未満の場合、ハードディスクドライブ装置内のランプと接触したときに傷や凹みの欠陥が生じ、ハードディスクドライブ装置の故障が生じやすくなる。
【0033】
一実施形態によれば、円盤形状の基板本体３の、膜４との界面を形成する外周端面の表面粗さの最大高さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１）は０．５μｍ以上である、ことが好ましい。基板本体３には、外周端面を含めて、膜４が形成されているが、基板本体３の外周端面の断面画像を取得することができ、最大高さＲｚを求めることができる。具体的には、まず、膜４が設けられている非磁性基板１の外周端面を、イオンポリッシング法を用いて、非磁性基板１の中心を通り主表面に垂直な面で切出して、外周端面の断面が露出した試料を作成する。この断面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて例えば５０００倍の倍率の外周端面の断面画像を得る。当該画像から、基板本体３の、膜４と接する界面を形成する基板本体３の表面の凹凸曲線を、例えば断面画像の二値化処理あるいは目視によるトレース処理を行って取得し、当該凹凸曲線上の任意の場所にある幅２０μｍの領域を抽出して最大高さＲｚを求める。
【0034】
膜４と接する基板本体３の界面に、ある程度の表面凹凸があることによって、膜４による振動の抑制は高まる。この振動の抑制は、基板本体３と膜４の界面においてお互いの凹部に侵入し食い込むことによって両者の密着性が高まり、膜４による振動の抑制の効果が基板本体３に影響を与えるためである、と推察される。また、膜４を厚くすることで膜剥がれを引き起こす要因となる膜応力が大きくなるが、上記最大高さＲｚを０．５μｍ以上とすることにより、膜応力による膜剥がれを防止することもできる。外周端面は主表面と比べて面積が小さい上に複雑な形状であるので膜剥がれが発生しやすい。
なお、基板本体３の外周端面の表面粗さの最大高さＲｚは、上述の振動の抑制をより高めるために、１．０μｍ以上であることがより好ましく、１．５μｍ以上であることがさらに好ましい。他方、最大高さＲｚが過度に大きくなると、膜４の成膜後の表面粗さ（非磁性基板１の外周端面における表面粗さ）が、基板本体３の表面粗さに倣って大きくなり、主表面研磨等の加工時に外周端面に異物が付着し易くなり、さらには、磁性膜の成膜後の磁気ディスクにおいても外周端面に異物が付着し易くなるため、非磁性基板１や、ハードディスクドライブ装置の製造時の歩留りが低下する虞れが生じる。なお、上記最大高さＲｚを０．５μｍ以上とする外周端面の場所は、少なくとも外周端面の一部であればよいが、上記振動の抑制を高め、及び膜剥がれ防止を高めるためには、側壁面３ｂ及び面取面３ｃの両方であることが好ましい。
他方、基板本体３の主表面において最大高さＲｚを大きくしすぎると、膜４の形成初期に欠陥が形成されてそれが伝搬し、膜４の表面に凹部やクラック等の欠陥が発生するおそれがある。これらの欠陥はコロージョンの原因となるので取り除く方がよいが、根が深く、取り除くことが困難であるため、磁性膜を成膜して磁気ディスクとした後にも影響が残る。よって、基板本体３の主表面においては最大高さＲｚを例えば１μｍ以下とすることが好ましい。
なお、基板本体３の外周端面の表面粗さの最大高さＲｚは、上述の振動の抑制をより高めるために、１．０μｍ以上であることがより好ましく、１．５μｍ以上であることがさらに好ましい。他方、最大高さＲｚが過度に大きくなると、膜４の成膜後の表面粗さ（非磁性基板１の外周端面における表面粗さ）が、基板本体３の表面粗さに倣って大きくなり、主表面研磨等の加工時に外周端面に異物が付着し易くなり、さらには、磁性膜の成膜後の磁気ディスクにおいても外周端面に異物が付着し易くなるため、非磁性基板１や、ハードディスクドライブ装置の製造時の歩留りが低下する虞れが生じる。なお、上記最大高さＲｚを０．５μｍ以上とする外周端面の場所は、少なくとも外周端面の一部であればよいが、上記振動の抑制を高め、及び膜剥がれ防止を高めるためには、側壁面３ｂ及び面取面３ｃの両方であることが好ましい。
他方、基板本体３の主表面において最大高さＲｚを大きくしすぎると、膜４の形成初期に欠陥が形成されてそれが伝搬し、膜４の表面に凹部やクラック等の欠陥が発生するおそれがある。これらの欠陥はコロージョンの原因となるので取り除く方がよいが、根が深く、取り除くことが困難であるため、磁性膜を成膜して磁気ディスクとした後にも影響が残る。よって、基板本体３の主表面においては最大高さＲｚを例えば１μｍ以下とすることが好ましい。
【0035】
また、一実施形態によれば、非磁性基板１の外周端面における膜４の表面粗さの最大高さＲｚは、基板本体３の外周端面（膜４と接する境界面）における基板本体３の表面粗さの最大高さＲｚより小さい、ことが好ましい。
非磁性基板１の外周端面における膜４の表面粗さの最大高さＲｚについては、例えば、触針式の表面粗さ・輪郭形状測定機を用いて、以下の条件で外周端面の複数箇所（例えば３箇所）の最大高さＲｚを求め、この複数箇所の平均値を、上記膜４の表面粗さの最大高さＲｚとする。なお、このとき触針の移動（走査）方向は非磁性基板１の厚さ方向とする。
・触針の形状：先端半径が２μｍ、円錐のテーパ角度が６０°
・触針荷重：０．７５ｍＮ
・触針移動速度：０．０２ｍｍ／秒
・サンプリング長さ：０．０８ｍｍ
・フィルタλｃ：０．０８ｍｍ
・フィルタλｓ：０．０００８ｍｍ。
非磁性基板１の外周端面における膜４の表面粗さの最大高さＲｚについては、例えば、触針式の表面粗さ・輪郭形状測定機を用いて、以下の条件で外周端面の複数箇所（例えば３箇所）の最大高さＲｚを求め、この複数箇所の平均値を、上記膜４の表面粗さの最大高さＲｚとする。なお、このとき触針の移動（走査）方向は非磁性基板１の厚さ方向とする。
・触針の形状：先端半径が２μｍ、円錐のテーパ角度が６０°
・触針荷重：０．７５ｍＮ
・触針移動速度：０．０２ｍｍ／秒
・サンプリング長さ：０．０８ｍｍ
・フィルタλｃ：０．０８ｍｍ
・フィルタλｓ：０．０００８ｍｍ。
【0036】
非磁性基板１の外周端面における膜４の表面粗さの最大高さＲｚが過度に大きいと、非磁性基板１への異物付着の要因となり易いことから、上記最大高さＲｚは小さい方が好ましい。最大高さＲｚは１．０μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以下であることがより一層好ましい。なお、上記最大高さＲｚを制限する非磁性基板１の外周端面の場所は、少なくとも非磁性基板１の外周端面の一部であればよいが、上記振動の抑制効果を高め、及び膜剥がれ防止効果を高めるためには、側壁面３ｂ及び面取面３ｃに対応する非磁性基板１の表面の対応部分であることが好ましい。なお、外周端面における膜４の表面粗さは、下地である基板本体３の表面粗さに倣い易い。したがって、基板本体３の表面粗さを大きくしすぎた場合は、膜４の形成後に端面研磨処理等の追加工が必要となる場合がある。
【0037】
このような非磁性基板１は、例えば以下のように作製される。ここでは一例として、非磁性基板１としてガラス基板を用いる場合について述べる。
まず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用ガラス基板の素材となるガラスブランクの成形処理が行われる。次に、このガラスブランクの粗研削が行われる。この後、ガラスブランクに形状加工及び端面研磨が施される。この後、ガラスブランクから得られたガラス基板に固定砥粒を用いた精研削が行われる。この後、第１研磨、化学強化、及び、第２研磨がガラス基板に施される。この後、膜形成、及び膜研磨が行われる。なお、本実施形態では、ガラス基板の作製を上記流れで行うが、上記処理が常にある必要はなく、これらの処理は適宜行われなくてもよい。例えば上記のうち、端面研磨、精研削、第１研磨、化学強化、第２研磨については実施されなくてもよい。以下、各処理について、説明する。
まず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用ガラス基板の素材となるガラスブランクの成形処理が行われる。次に、このガラスブランクの粗研削が行われる。この後、ガラスブランクに形状加工及び端面研磨が施される。この後、ガラスブランクから得られたガラス基板に固定砥粒を用いた精研削が行われる。この後、第１研磨、化学強化、及び、第２研磨がガラス基板に施される。この後、膜形成、及び膜研磨が行われる。なお、本実施形態では、ガラス基板の作製を上記流れで行うが、上記処理が常にある必要はなく、これらの処理は適宜行われなくてもよい。例えば上記のうち、端面研磨、精研削、第１研磨、化学強化、第２研磨については実施されなくてもよい。以下、各処理について、説明する。
【0038】
（ａ）ガラスブランクの成形
ガラスブランクの成形では、例えばプレス成形法を用いることができる。プレス成形法により、円形状のガラスブランクを得ることができる。さらに、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの公知の製造方法で作られた板状ガラスブランクに対し、適宜形状加工を行うことによって磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。
ガラスブランクの成形では、例えばプレス成形法を用いることができる。プレス成形法により、円形状のガラスブランクを得ることができる。さらに、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの公知の製造方法で作られた板状ガラスブランクに対し、適宜形状加工を行うことによって磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。
【0039】
（ｂ）粗研削
粗研削では、ガラスブランクの両側の主表面の研削が行われる。研削材として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるものであり、場合によっては行われなくてもよい。
粗研削では、ガラスブランクの両側の主表面の研削が行われる。研削材として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるものであり、場合によっては行われなくてもよい。
【0040】
（ｃ）形状加工
次に、形状加工が行われる。形状加工では、ガラスブランクの成形後、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔があいた円盤形状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りと外径及び内径の寸法合わせを研削加工により実施する。これにより、ガラス基板の端面には、主表面と直交している側壁面３ｂと、側壁面３ｂと両側の主表面３ａとの間に、主表面３ａに対して傾斜した面取面３ｃが形成される。
次に、形状加工が行われる。形状加工では、ガラスブランクの成形後、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔があいた円盤形状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りと外径及び内径の寸法合わせを研削加工により実施する。これにより、ガラス基板の端面には、主表面と直交している側壁面３ｂと、側壁面３ｂと両側の主表面３ａとの間に、主表面３ａに対して傾斜した面取面３ｃが形成される。
【0041】
（ｄ）端面研磨
次にガラス基板の端面研磨が行われる。端面研磨は、例えば研磨ブラシとガラス基板の端面（側壁面３ｂと面取面３ｃ）との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシとガラス基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、ガラス基板の内周側端面及び外周側端面を研磨対象とし、内周側端面及び外周側端面を鏡面状態にする。なお、端面研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
次にガラス基板の端面研磨が行われる。端面研磨は、例えば研磨ブラシとガラス基板の端面（側壁面３ｂと面取面３ｃ）との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシとガラス基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、ガラス基板の内周側端面及び外周側端面を研磨対象とし、内周側端面及び外周側端面を鏡面状態にする。なお、端面研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
【0042】
（ｅ）精研削
次に、ガラス基板の主表面に精研削が施される。例えば、遊星歯車機構の両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面３ａに対して研削を行う。この場合、例えば固定砥粒を定盤に設けて研削する。あるいは遊離砥粒を用いた研削を行うこともできる。なお、精研削は、場合によっては行なわれなくてもよい。
次に、ガラス基板の主表面に精研削が施される。例えば、遊星歯車機構の両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面３ａに対して研削を行う。この場合、例えば固定砥粒を定盤に設けて研削する。あるいは遊離砥粒を用いた研削を行うこともできる。なお、精研削は、場合によっては行なわれなくてもよい。
【0043】
（ｆ）第１研磨
次に、ガラス基板の主表面３ａに第１研磨が施される。第１研磨は、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドを用いる。第１研磨は、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面３ａに残留したクラックや歪みの除去をする。第１研磨では、主表面３ａの端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面３ａの表面粗さ、例えば算術平均粗さＲａを低減することができる。
第１研磨に用いる遊離砥粒は特に制限されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。なお、第１研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
次に、ガラス基板の主表面３ａに第１研磨が施される。第１研磨は、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドを用いる。第１研磨は、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面３ａに残留したクラックや歪みの除去をする。第１研磨では、主表面３ａの端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面３ａの表面粗さ、例えば算術平均粗さＲａを低減することができる。
第１研磨に用いる遊離砥粒は特に制限されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。なお、第１研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
【0044】
（ｇ）化学強化
ガラス基板は適宜化学強化することができる。化学強化液として、例えば硝酸カリウム，硝酸ナトリウム、またはそれらの混合物を加熱して得られる溶融液を用いることができる。そして、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層にあるガラス組成中のリチウムイオンやナトリウムイオンが、それぞれ化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオンやカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
化学強化を行うタイミングは、適宜決定することができるが、化学強化の後に研磨を行うようにすると、表面の平滑化とともに化学強化によってガラス基板の表面に固着した異物を取り除くことができるので特に好ましい。また、化学強化は、場合によっては、行われなくてもよい。
ガラス基板は適宜化学強化することができる。化学強化液として、例えば硝酸カリウム，硝酸ナトリウム、またはそれらの混合物を加熱して得られる溶融液を用いることができる。そして、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層にあるガラス組成中のリチウムイオンやナトリウムイオンが、それぞれ化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオンやカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
化学強化を行うタイミングは、適宜決定することができるが、化学強化の後に研磨を行うようにすると、表面の平滑化とともに化学強化によってガラス基板の表面に固着した異物を取り除くことができるので特に好ましい。また、化学強化は、場合によっては、行われなくてもよい。
【0045】
（ｈ）第２研磨（鏡面研磨）
次に、化学強化後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨は、主表面３ａの鏡面研磨を目的とする。第２研磨においても、第１研磨と同様の構成の研磨装置を用いて研磨する。第２研磨では、第１研磨に対して遊離砥粒の種類及び粒子サイズを変え、樹脂ポリッシャの硬度が軟らかいものを研磨パッドとして用いて鏡面研磨を行う。こうすることで主表面３ａの端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面３ａの粗さを低減することができる。主表面３ａの粗さは、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１ ２００１）は、０．２ｎｍ以下であることが好ましい。なお、第２研磨後の基板の主表面３ａは、膜４を有する非磁性基板１における最表面にはならないので、第２研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
次に、化学強化後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨は、主表面３ａの鏡面研磨を目的とする。第２研磨においても、第１研磨と同様の構成の研磨装置を用いて研磨する。第２研磨では、第１研磨に対して遊離砥粒の種類及び粒子サイズを変え、樹脂ポリッシャの硬度が軟らかいものを研磨パッドとして用いて鏡面研磨を行う。こうすることで主表面３ａの端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面３ａの粗さを低減することができる。主表面３ａの粗さは、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１ ２００１）は、０．２ｎｍ以下であることが好ましい。なお、第２研磨後の基板の主表面３ａは、膜４を有する非磁性基板１における最表面にはならないので、第２研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
【0046】
（ｉ）膜形成
作製されたガラス基板の主表面３ａ、側壁面３ｂ、及び面取面３ｃに膜４が形成される。膜４の形成は、電解メッキ、無電解メッキ等により行われる。膜４の形成前に、膜４の密着性を向上させるための前処理を必要に応じて行ってもよい。膜４は、主表面３ａ、側壁面３ｂ、及び面取面３ｃに形成され、いずれの面においても同等の膜厚とすることができる。形成された膜４の内部応力を緩和するために膜４の形成後、膜４のアニール処理（熱処理）が必要に応じて行われる。なお膜４は、最終的に磁気ディスクとしたときにノイズの原因とならないよう、非磁性とすることが好ましい。
作製されたガラス基板の主表面３ａ、側壁面３ｂ、及び面取面３ｃに膜４が形成される。膜４の形成は、電解メッキ、無電解メッキ等により行われる。膜４の形成前に、膜４の密着性を向上させるための前処理を必要に応じて行ってもよい。膜４は、主表面３ａ、側壁面３ｂ、及び面取面３ｃに形成され、いずれの面においても同等の膜厚とすることができる。形成された膜４の内部応力を緩和するために膜４の形成後、膜４のアニール処理（熱処理）が必要に応じて行われる。なお膜４は、最終的に磁気ディスクとしたときにノイズの原因とならないよう、非磁性とすることが好ましい。
【0047】
（ｊ）膜研磨
膜４の形成後、膜４の表面粗さを小さくするために、基板本体３の主表面３ａ上の膜４の研磨が行われる。膜研磨は、鏡面研磨を目的とする。膜研磨後の主表面の粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した算術平均粗さＲａで０．２ｎｍ以下とすることが好ましい。膜研磨においても、第１研磨と同様の構成の研磨装置を用いて研磨することができる。膜研磨では、第１研磨に対して遊離砥粒の種類及び粒子サイズを変え、樹脂ポリッシャの硬度が軟らかいものを研磨パッドとして用いて研磨を行う。膜研磨では、必要に応じて、複数の研磨が行われてもよい。この場合、後工程の研磨ほど、遊離吐粒の粒子サイズを細かくして精密な研磨を行う。このように主表面３ａに形成される膜４を研磨し、側壁面３ｂ及び面取面３ｃの膜４は研磨しないことによって、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにおける膜４の厚さを、主表面３ａにおける膜４の厚さに比べて厚くすることができる。
側壁面３ｂ及び面取面３ｃに形成された膜４は、上述したように、非磁性基板１の主表面３ａの振動の振幅を抑制する効果を奏するので、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにおける膜４の厚さは、主表面３ａの振動の振幅を抑制することができる程度の厚さになるように、形成する膜４の厚さは設定されることが好ましい。
膜研磨後、膜４が形成されたガラス基板の洗浄が行われて、磁気ディスク用非磁性基板１が作製される。
膜４の形成後、膜４の表面粗さを小さくするために、基板本体３の主表面３ａ上の膜４の研磨が行われる。膜研磨は、鏡面研磨を目的とする。膜研磨後の主表面の粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した算術平均粗さＲａで０．２ｎｍ以下とすることが好ましい。膜研磨においても、第１研磨と同様の構成の研磨装置を用いて研磨することができる。膜研磨では、第１研磨に対して遊離砥粒の種類及び粒子サイズを変え、樹脂ポリッシャの硬度が軟らかいものを研磨パッドとして用いて研磨を行う。膜研磨では、必要に応じて、複数の研磨が行われてもよい。この場合、後工程の研磨ほど、遊離吐粒の粒子サイズを細かくして精密な研磨を行う。このように主表面３ａに形成される膜４を研磨し、側壁面３ｂ及び面取面３ｃの膜４は研磨しないことによって、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにおける膜４の厚さを、主表面３ａにおける膜４の厚さに比べて厚くすることができる。
側壁面３ｂ及び面取面３ｃに形成された膜４は、上述したように、非磁性基板１の主表面３ａの振動の振幅を抑制する効果を奏するので、側壁面３ｂ及び面取面３ｃにおける膜４の厚さは、主表面３ａの振動の振幅を抑制することができる程度の厚さになるように、形成する膜４の厚さは設定されることが好ましい。
膜研磨後、膜４が形成されたガラス基板の洗浄が行われて、磁気ディスク用非磁性基板１が作製される。
【0048】
なお、基板本体３がＡｌ合金基板である場合、例えば以下の方法で基板本体３は作製される。
まず、基板本体３となるＡｌ合金基板を切削加工によって所要の寸法形状に機械加工する。この後、基板本体３の形状精度及び平坦度を向上させるために、加圧加熱焼鈍する。さらに、基板本体３の端面（内周端面及び外周端面）を研削及び研磨する。端面の研削では、ガラス基板の場合と同様に切削加工した基板本体３の端面に砥粒を固着させた回転工具を押しつけて両者を回転させつつ、研削液をノズルから供給して基板本体３の端面を研削する。さらに、端面の表面粗さを低減する場合は、回転工具の表面に不織布から成るポリシャを接着し、遊離砥粒を分散させた研磨液を供給しながら基板本体３の端面を研磨する。また、基板本体３の面取面は、回転工具の端部の形状を予め面取形状に成形した総型砥石を用いて研削を行なうことで形成される。次に、両面研削装置を用いて基板本体３の主表面を研削加工し、さらに両面研磨装置により、発泡ポリウレタン製の樹脂ポリシャと、アルミナ砥粒あるいはコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液とを用いて複数回研磨し、最後に洗浄する。
なお、膜４の形成の前処理として、基板本体３にジンケート処理を行ってもよい。膜４の形成後、膜４の内部応力の緩和のために適宜アニール処理が行われる。膜４のアニール処理後、さらに主表面３ａの研磨が行われる。研磨は、基板の必要に応じて複数回行われる。この後、洗浄が行われて、磁気ディスク用非磁性基板１が作製される。
まず、基板本体３となるＡｌ合金基板を切削加工によって所要の寸法形状に機械加工する。この後、基板本体３の形状精度及び平坦度を向上させるために、加圧加熱焼鈍する。さらに、基板本体３の端面（内周端面及び外周端面）を研削及び研磨する。端面の研削では、ガラス基板の場合と同様に切削加工した基板本体３の端面に砥粒を固着させた回転工具を押しつけて両者を回転させつつ、研削液をノズルから供給して基板本体３の端面を研削する。さらに、端面の表面粗さを低減する場合は、回転工具の表面に不織布から成るポリシャを接着し、遊離砥粒を分散させた研磨液を供給しながら基板本体３の端面を研磨する。また、基板本体３の面取面は、回転工具の端部の形状を予め面取形状に成形した総型砥石を用いて研削を行なうことで形成される。次に、両面研削装置を用いて基板本体３の主表面を研削加工し、さらに両面研磨装置により、発泡ポリウレタン製の樹脂ポリシャと、アルミナ砥粒あるいはコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液とを用いて複数回研磨し、最後に洗浄する。
なお、膜４の形成の前処理として、基板本体３にジンケート処理を行ってもよい。膜４の形成後、膜４の内部応力の緩和のために適宜アニール処理が行われる。膜４のアニール処理後、さらに主表面３ａの研磨が行われる。研磨は、基板の必要に応じて複数回行われる。この後、洗浄が行われて、磁気ディスク用非磁性基板１が作製される。
【0049】
膜４は、上述したＮｉ－Ｐ合金の他に、Ｍｇ合金、Ａｌ－Ｚｎ合金、Ｍｇ－Ｚｒ合金等を用いることができる。ここで、膜４の材料は、非磁性基板１の振動を抑制する点から、基板本体３に比べて損失係数が高く、損失係数は０．０１以上であるが、一実施形態によれば、膜４の材料の損失係数は、０．０２以上であることが好ましく、０．０３以上であることがより好ましい。また、基板本体３の損失係数は、０．００２以下であることが好ましく、０．００１以下であることがより好ましい。基板本体３の損失係数が小さいほど、膜４による振動の抑制効果が高くなるので、基板本体３の損失係数が小さいものほど好ましい。磁気ディスク用に用いられるアモルファスのアルミノシリケートガラス基板では例えば０．００１以下である。また、磁気ディスク用のＡｌ－Ｍｇ合金基板では例えば０．００２以下である。このように基板本体３の損失係数に対して膜４の損失係数の値の方が十分に大きいため、膜４を成膜することで振動の抑制効果が効果的に得られる。
また、一実施形態によれば、パーティクルや傷や凹みが生じ難い点から、膜４の材料のビッカース硬度Ｈｖは、１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることが好ましいが、２００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることがより好ましく、４００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることがより一層好ましい。
また、一実施形態によれば、パーティクルや傷や凹みが生じ難い点から、膜４の材料のビッカース硬度Ｈｖは、１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることが好ましいが、２００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることがより好ましく、４００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であることがより一層好ましい。
【0050】
下記表１には、基板本体３の材料及び膜４として好適に用いることができる材料の特性を示す。下記表１に示す損失係数は、上述した損失係数の算出法を用いて算出したものである。損失係数の値は室温における値である。ビッカース硬度Ｈｖは、マイクロビッカース硬度計を用いて、膜４については薄膜のため圧子荷重１０ｇｆ、基板本体３については圧子荷重３００ｇｆの条件で測定したものである。
【0051】
【表1】
Ａｌ－Ｍｇ合金の組成は例えば、質量％で、Ｍｇ：３．５～５％、Ｓｉ：０～０．０５％、Ｆｅ：０～０．１％、Ｃｕ：０～０．１２％、Ｍｎ：０～０．３％、Ｃｒ：０～０．１％、Ｚｎ：０～０．５％、Ｔｉ：０～０．１％、残部はＡｌ、である。
Ｍｇ合金の組成は、質量％で、Ｍｇ：９１．５７％，Ａｌ：７．６％，Ｚｎ：０．７％，Ｍｎ：０．１３％である。
Ａｌ－Ｚｎ合金の組成は、質量％で、Ａｌ：６０％，Ｚｎ：４０％、である。
Ｍｇ－Ｚｒ合金の組成は、質量％で、Ｍｇ：９９．４％，Ｚｎ：０．６％である。
Ｎｉ－Ｐ合金の組成は、質量％で、Ｎｉ：９０％，Ｐ：１０％である。
【0052】
表１からわかるように、基板本体３の材料として、アルミノシリケートガラスあるいはＡｌ－Ｍｇ合金を用い、膜４の材料として、Ｎｉ－Ｐ合金、Ｍｇ合金、Ａｌ－Ｚｎ合金、及びＭｇ－Ｚｒ合金を用いることが、振動の抑制の点から好ましいことがわかる。また、Ｎｉ－Ｐ合金、Ａｌ－Ｚｎ合金、及びＭｇ－Ｚｒ合金は、ビッカース硬度Ｈｖが１００［ｋｇｆ／ｍｍ２］以上であって高く、膜４の材料としてより好適であり、パーティクルや傷や凹みが生じ難くなる。また、Ｎｉ－Ｐ合金はビッカース硬度Ｈｖがとりわけ高く、膜４の材料としてより一層好適であることがわかる。
【0053】
（実験例１）
非磁性基板１の効果を調べるために種々の基板を作製した。
非磁性基板１の基板本体の材料に、上述したガラス組成を満足するアモルファスのアルミノシリケートガラス及びアルミニウム合金（Ａｌ－Ｍｇ合金）を用いた。膜４を形成する場合、膜４は、Ｎｉ－Ｐ合金（Ｐ：１０質量％、残部Ｎｉ）を無電解メッキにより基板本体３の全表面を均一の膜厚で覆うように形成した。その後、両面研磨装置を用いて両側の主表面を研磨し、それぞれの主表面において膜４の厚さの２０％を研磨除去した。最終的な膜４の厚さは、両側の主表面において同じであり、それぞれの膜４の厚さは、端面における膜４の厚さの８０％とした。Ｎｉ－Ｐ合金の損失係数の値は０．０１以上を満足する。
また、作製した非磁性基板１のサイズは、外径９５ｍｍ、内径（円孔直径）２５ｍｍであり、外周端面及び内周端面のそれぞれにおいて両主表面との接続部に面取面が形成されている。この面取面の仕様については、主表面に対する角度が４５°、半径方向の長さが１５０μｍ、板厚方向の長さが１５０μｍである。このとき外周端面の粗さは、基板本体３の表面及び非磁性基板１の表面ともに最大高さＲｚが０．１μｍとなるように調整した。
非磁性基板１の効果を調べるために種々の基板を作製した。
非磁性基板１の基板本体の材料に、上述したガラス組成を満足するアモルファスのアルミノシリケートガラス及びアルミニウム合金（Ａｌ－Ｍｇ合金）を用いた。膜４を形成する場合、膜４は、Ｎｉ－Ｐ合金（Ｐ：１０質量％、残部Ｎｉ）を無電解メッキにより基板本体３の全表面を均一の膜厚で覆うように形成した。その後、両面研磨装置を用いて両側の主表面を研磨し、それぞれの主表面において膜４の厚さの２０％を研磨除去した。最終的な膜４の厚さは、両側の主表面において同じであり、それぞれの膜４の厚さは、端面における膜４の厚さの８０％とした。Ｎｉ－Ｐ合金の損失係数の値は０．０１以上を満足する。
また、作製した非磁性基板１のサイズは、外径９５ｍｍ、内径（円孔直径）２５ｍｍであり、外周端面及び内周端面のそれぞれにおいて両主表面との接続部に面取面が形成されている。この面取面の仕様については、主表面に対する角度が４５°、半径方向の長さが１５０μｍ、板厚方向の長さが１５０μｍである。このとき外周端面の粗さは、基板本体３の表面及び非磁性基板１の表面ともに最大高さＲｚが０．１μｍとなるように調整した。
【0054】
作製した非磁性基板１に磁性膜を形成して得られる磁気ディスクを、ハードディスクドライブ装置を改造した評価装置内に組み込んだ。評価装置は、内部に磁気ディスクの振動を観察する高速度カメラを備え、高速度カメラで磁気ディスクの振動を監察しながら、任意の大きさの振動を磁気ディスクに与えることが可能である。なお、評価装置では、磁気ディスクは回転しておらず静止状態で評価する。この評価装置には、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）材で作成したランプ部材を模した部材が組み込まれており、各磁気ディスクを装着した際に、両主表面から０．２ｍｍの隙間が空くようになっている。すなわち、ランプ間の磁気ディスクが入る隙間は磁気ディスクの厚み＋０．４ｍｍである。基板の厚みが変化しても隙間が一定となるように、異なる仕様の評価装置を複数準備した。なお、メディア工程で成膜される磁性膜の厚さは、下地膜や軟磁性層を含めても１００ｎｍ以下程度なので実質的に無視できる。評価装置に磁気ディスクを５枚搭載し、全ての磁気ディスクに対してランプ部材で主表面の一部を挟むようにした。
【0055】
この評価装置を用いて、一定の衝撃を磁気ディスクに与える衝撃試験を行った。衝撃の大きさは、表２～５それぞれにおいて欠陥・異物比率の基準（１００％）となる比較例の磁気ディスクがランプに数回程度ぶつかる値となるように最適化した。具体的には、表２の場合の衝撃は２ｍ秒で１４０Ｇとした。以下、作用時間の２ｍ秒は一定として、表２では１２０Ｇ、表３では９０Ｇ、表４では７０Ｇとした。衝撃試験の後、組み込んだ磁気ディスクの主表面上のパーティクル及び傷や凹みの欠陥の数を暗室において集光ランプで目視検査し、５枚両面についてその数をカウントした。このパーティクルや傷や凹みは、衝撃試験により、磁気ディスクが装置内で、ランプ部材や他のディスクと接触して発生したものである。下記表２～５では、比較例１，４，７，１０におけるパーティクルや傷や凹みの数を基準（１００％）として、実施例及び比較例におけるパーティクルや傷や凹みの数を相対的な「欠陥・異物比率」として示した。欠陥・異物比率が小さいほど、パーティクルや傷や凹みの数が少ないことを表す。欠陥・異物比率が小さいほど、実質的にパーティクル等の抑制効果によりハードディスクドライブ装置の寿命が延びると推察される。
以下の表２～５の比較例及び実施例では、基板本体３の厚さを一定にして、膜４の厚さを変化させて比Ｄ／Ｔを種々変化させた。
以下の表２～５の比較例及び実施例では、基板本体３の厚さを一定にして、膜４の厚さを変化させて比Ｄ／Ｔを種々変化させた。
【0056】
【表2】
【0057】
【表3】
【0058】
【表4】
【0059】
【表5】
【0060】
表２，３より、非磁性基板１の厚さが０．７００ｍｍより厚い従来例１，２では、全くパーティクルや傷や凹みの問題は生じないが、厚さが０．７００ｍｍより薄い比較例１，３では、パーティクルや傷や凹みの問題が生じる。しかし、比較例２，３と実施例１～４の比較、及び、比較例５，６と実施例５～８の比較より、比Ｄ／Ｔを０．０２５以上とすることによりパーティクルや傷や凹みの数を効果的に低下させることがわかる。
表４，５に示すように、非磁性基板１の厚さが０．５２０ｍｍであっても、比較例８，９と実施例９～１３の比較、及び比較例１１，１２と実施例１４～１８の比較より、比Ｄ／Ｔを０．０２５以上とすることによりパーティクルや傷や凹みの数を効果的に低下させることができることがわかる。さらに、パーティクルや傷や凹みの数の低減効果が０．６４０ｍｍの時と比較して大きいこともわかる。
また、表２～５において、基板本体３の材料以外同じ仕様の実施例同士（例えば、実施例１０と実施例１５）を比較した場合、基板本体３の材料は、ガラスよりもＡｌ合金を用いる方が、欠陥・異物比率が低い。これより、Ａｌ合金基板を基板本体３として用いた場合、振動の抑制は、ガラスの場合に比べて大きいといえる。なお、上記振動の抑制の効果は、磁気ディスクがランプと接触する可能性が高い場合ほど有効であるから、非磁性基板１は、ランプ間の磁気ディスクが入る隙間が「磁気ディスクの厚み＋０．４ｍｍ以下」の仕様のＨＤＤにおいて特に好ましいといえる。
表４，５に示すように、非磁性基板１の厚さが０．５２０ｍｍであっても、比較例８，９と実施例９～１３の比較、及び比較例１１，１２と実施例１４～１８の比較より、比Ｄ／Ｔを０．０２５以上とすることによりパーティクルや傷や凹みの数を効果的に低下させることができることがわかる。さらに、パーティクルや傷や凹みの数の低減効果が０．６４０ｍｍの時と比較して大きいこともわかる。
また、表２～５において、基板本体３の材料以外同じ仕様の実施例同士（例えば、実施例１０と実施例１５）を比較した場合、基板本体３の材料は、ガラスよりもＡｌ合金を用いる方が、欠陥・異物比率が低い。これより、Ａｌ合金基板を基板本体３として用いた場合、振動の抑制は、ガラスの場合に比べて大きいといえる。なお、上記振動の抑制の効果は、磁気ディスクがランプと接触する可能性が高い場合ほど有効であるから、非磁性基板１は、ランプ間の磁気ディスクが入る隙間が「磁気ディスクの厚み＋０．４ｍｍ以下」の仕様のＨＤＤにおいて特に好ましいといえる。
【0061】
（実験例２）
さらに、基板本体３の、膜４と接する界面における表面粗さと振動の抑制の効果を調べるために種々の基板を作製した。
実験例２で作製する非磁性基板１は、基板本体３の外周端面における表面粗さを、端面研削及び端面研磨の条件を適宜変更することによって調整した以外、基板本体３、膜４の仕様は実験例１の仕様と同じである。この非磁性基板１に磁性膜を形成して得られる磁気ディスクを、実験例１と同じ評価装置内に組み込み、実験例１と同じ衝撃試験を行って欠陥・異物比率を求めることにより、振動の抑制の効果を評価した。
さらに、基板本体３の、膜４と接する界面における表面粗さと振動の抑制の効果を調べるために種々の基板を作製した。
実験例２で作製する非磁性基板１は、基板本体３の外周端面における表面粗さを、端面研削及び端面研磨の条件を適宜変更することによって調整した以外、基板本体３、膜４の仕様は実験例１の仕様と同じである。この非磁性基板１に磁性膜を形成して得られる磁気ディスクを、実験例１と同じ評価装置内に組み込み、実験例１と同じ衝撃試験を行って欠陥・異物比率を求めることにより、振動の抑制の効果を評価した。
【0062】
下記表６～８における実施例１，５，１３は、表２，３，５における実施例１，５，１３と同じである。この実施例における基板本体３の、膜４と接する界面における表面粗さである最大高さＲｚは０．１μｍである。
実施例１，５，１３を基準にして、基板本体３の種類、膜４の有無、非磁性基板１の厚さ、及び比Ｄ／Ｔを変えずに、外周端面の最大高さＲｚを調整した。基板本体３の作製時、外周端面の形状加工時の研削砥石の番手と、外周端面の研磨時間を変更することで、最大高さＲｚを変更した。したがって、下記表６では、実施例１を基準に外周端面の表面粗さを調整した実施例を、実施例１Ａ，１Ｂ，１Ｃとし、同様に表７と表８では、実施例５，１３を基準に表面粗さを調整した実施例について、実施例５Ａ，５Ｂ，５Ｃ、実施例１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃとした。
実施例１，５，１３を基準にして、基板本体３の種類、膜４の有無、非磁性基板１の厚さ、及び比Ｄ／Ｔを変えずに、外周端面の最大高さＲｚを調整した。基板本体３の作製時、外周端面の形状加工時の研削砥石の番手と、外周端面の研磨時間を変更することで、最大高さＲｚを変更した。したがって、下記表６では、実施例１を基準に外周端面の表面粗さを調整した実施例を、実施例１Ａ，１Ｂ，１Ｃとし、同様に表７と表８では、実施例５，１３を基準に表面粗さを調整した実施例について、実施例５Ａ，５Ｂ，５Ｃ、実施例１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃとした。
【0063】
【表6】
【0064】
【表7】
【0065】
【表8】
【0066】
表６～８のいずれの場合も、基板本体３の、膜４と接する界面の外周端面における最大高さＲｚを、０．５μｍ以上とすることにより、パーティクルや傷や凹みの数を効果的に低下させることができ、振動の抑制の効果は大きいことがわかる。また、最大高さＲｚを１．０μｍ以上、さらには１．５μｍ以上とすることにより、さらに大きな振動の抑制の効果が得られることがわかる。
以上の評価結果より、磁気ディスク用非磁性基板１の効果は明らかである。
以上の評価結果より、磁気ディスク用非磁性基板１の効果は明らかである。
【0067】
以上、本発明の磁気ディスク用非磁性基板及び磁気ディスクについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例等に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【0068】
１ 磁気ディスク用非磁性基板
２ 内孔
３ 基板本体
３ａ 主表面
３ｂ 側壁面
３ｃ 面取面
４ 膜
２ 内孔
３ 基板本体
３ａ 主表面
３ｂ 側壁面
３ｃ 面取面
４ 膜
【図1】
【図2】
【図3】