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特許 7191930出願番号 特願 2020-504705
局所化されたエッチング用途のための半導体材料を保護するための改良されたマスク
出願人 サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク（セエヌエールエス）（識別番号 501089863）
2026年 特許公開件数ランキング 28039位 1件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 5133位 3件（※）
公報発行日 2022年12月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7191930 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
材料、例えば半導体（特には、ＩＩＩ－ＶまたはＩＩ－ＶＩ族半導体）の選択的なエッチングの分野に関し、そしてより具体的には化学的な攻撃、すなわち化学的エッチングによってそのようなエッチング方法を実施するために用いられるマスク
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、この状況を改善するのに役立つ。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この目的のために、本発明は、半導体材料を、化学的な攻撃、すなわち化学的エッチングによってエッチングするためのエッチング方法を提供し、本方法は、
－ 半導体材料の第１の表面区域上への少なくとも１つのマスクの堆積、および、
－ そのマスクによって被覆されていない半導体材料の第２の表面区域の、化学的エッチング、すなわち化学的攻撃による、化学的エッチング、
を含んでいる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1A】
図１Ａは、第１の態様におけるポリホスファゼン系のマスクを堆積するための工程を概略的に示している。
【図1B】
図１Ｂは、第２の、代替の態様におけるポリホスファゼン系のマスクを堆積するための工程を概略的に示している。
【図1C】
図１Ｃは、の第１および第２の態様の一方のもしくは他方におけるポリホスファゼン系のマスクによって部分的に被覆された半導体のエッチングのための工程を概略的に示している。
【図2】
図２は、この例におけるリン化インジウム（ＩｎＰ）半導体を被覆する複数のマスクの連続を含む線に沿った、異なる原子種についてのＸＰＣ（表面化学分析のためのＸ線光電子分光法）信号の変化を示している。
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