特許7194747 | 知財ポータル「IP Force」

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 東京エレクトロン株式会社の特許一覧

特許7194747基板処理装置および基板処理方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

目に優しい文字サイズ小中大 PDF Top

< >

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14A
14B
14C
15
16
17
18

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-14

(45)【発行日】2022-12-22

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

H01L 21/304 20060101AFI20221215BHJP

C23C 18/31 20060101ALI20221215BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651M

H01L21/304 651B

H01L21/304 651L

C23C18/31 E

【請求項の数】 26

(21)【出願番号】P 2020549330

(86)(22)【出願日】2019-09-26

(86)【国際出願番号】 JP2019037766

(87)【国際公開番号】W WO2020067246

(87)【国際公開日】2020-04-02

【審査請求日】2021-03-19

(31)【優先権主張番号】P 2018182834

(32)【優先日】2018-09-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2019063373

(32)【優先日】2019-03-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091487

【弁理士】

【氏名又は名称】中村行孝

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋学

(74)【代理人】

【識別番号】100106655

【弁理士】

【氏名又は名称】森秀行

(72)【発明者】

【氏名】守田聡

(72)【発明者】

【氏名】飽本正巳

(72)【発明者】

【氏名】森川勝洋

(72)【発明者】

【氏名】水永耕市

(72)【発明者】

【氏名】岩下光秋

(72)【発明者】

【氏名】金子聡

【審査官】河合俊英

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－１５４０６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１５６０３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２１１３７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１１８０６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３０２７７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－１２８１０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－３３５７０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２６６０２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１２３８５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０２１５９７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２１／３０４

Ｃ２３Ｃ１８／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

【請求項2】

前記回転テーブルは吸着プレートを有し、前記基板は、前記吸着プレートの上面に吸着されることにより、前記回転テーブルにより保持され、前記電気ヒーターは、前記吸着プレートの下面側から、前記吸着プレートを介して、前記吸着プレートの上面に吸着された前記基板を加熱する、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記鉛直軸線の方向から見た前記回転テーブルの面積は、前記基板の面積と等しいかまたは大きい、請求項２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記回転テーブルの回転軸内を通って延びる吸引配管をさらに備え、前記回転テーブルはベースプレートを有し、前記ベースプレートの上面に、前記吸引配管に連通する吸引口が設けられ、前記吸着プレートを前記ベースプレートの上面に載置した状態で、前記吸引口を介して吸引力を作用させることにより、前記吸着プレートが前記ベースプレートに吸着され、かつ、前記吸着プレートを貫通する貫通孔を介して前記吸引力が前記基板にも作用して、前記基板が前記吸着プレートに吸着される、請求項２記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記回転テーブルは前記基板の周縁部を囲む堰を有し、前記回転テーブル上に前記基板が保持されているときに前記基板に前記無電解メッキ液を供給することにより、前記無電解メッキ液が前記堰により堰き止められ、前記基板の上面の全体を浸漬することができる前記無電解メッキ液のパドルを前記回転テーブル上に形成することが可能であり、前記堰は、前記回転テーブルの半径方向内側にゆくに従って低くなるように傾斜付けされている、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記無電解メッキ液を前記処理液ノズルから前記基板に供給する前に、前記無電解メッキ液を温調する処理液温調機構をさらに備えた、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記電気ヒーターは、各々が前記基板の異なる領域の加熱を受け持つ複数の加熱素子を有し、前記制御部は、前記給電部を介して、前記複数の加熱素子の発熱量を個別に制御することができる、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記処理液供給機構は、前記少なくとも１つの処理液ノズルに、プリクリーン液、ポストクリーン液およびリンス液を供給することができる、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記回転テーブルおよび前記処理カップを収容するハウジングと、前記ハウジング内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに備えた、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記回転テーブルに保持された基板を覆うトッププレートをさらに備えた、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記トッププレートはヒーターを有し、前記ヒーターにより少なくとも前記トッププレートの下面が加熱される、請求項１０記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記回転テーブルに保持された基板と前記トッププレートとの間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに備えた、請求項１０記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記電気ヒーターに電力を供給するための第１電力伝送機構および第２電力伝送機構を備え、
前記第１電力伝送機構は、前記電極移動機構により接離可能な前記受電電極および前記給電電極を含み、
前記第２電力伝送機構は、相対回転可能な固定部および回転部を有し、前記第２電力伝送機構は前記固定部に対して前記回転部が連続的に回転しているときにも前記固定部から前記回転部への電力伝送が可能なように構成されており、前記回転部は前記電気ヒーターに電気的に接続されるとともに前記回転テーブルまたは前記回転テーブルと連動して回転する部材に固定されており、
前記給電部は、前記第２電力伝送機構の前記固定部にも電力を供給するように設けられ、
前記制御部は、少なくとも前記受電電極が前記給電電極から離れている離間期間内の少なくとも一部の期間に、前記給電部から前記第２電力伝送機構を介して前記電気ヒーターに電力を供給させる、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項14】

【請求項15】

前記無電解メッキ処理工程の後に、前記受電電極と前記給電電極とを離間させた状態で前記回転テーブルを回転させながら前記基板の上面にポストクリーン液を供給し、これにより前記基板上の表面を洗浄するポストクリーン工程と、
前記受電電極と前記給電電極とを離間させた状態で前記回転テーブルを回転させながら前記基板の上面にリンス液を供給し、これにより前記基板上の前記ポストクリーン液を前記リンス液により除去するリンス工程と、
前記リンス工程の後に、前記リンス液の供給を停止して、前記回転テーブルを回転させることにより、前記基板上の前記リンス液を除去する振り切り乾燥工程と、
をさらに備えた、請求項１４記載の基板処理方法。

【請求項16】

前記振り切り乾燥工程の後に、前記回転テーブルの回転を停止させて、前記受電電極と前記給電電極とを接触させた状態で、前記給電部から前記電気ヒーターに給電して、前記基板を加熱することにより、前記基板に残留しているリンス液を除去する加熱乾燥工程をさらに備えた、請求項１５記載の基板処理方法。

【請求項17】

前記回転テーブルは吸着プレートを有し、前記保持工程は、前記吸着プレートにより基板を吸着することにより行われ、前記無電解メッキ処理工程における前記基板の加熱は、前記電気ヒーターにより、前記吸着プレートの下面側から、前記吸着プレートを介して、前記吸着プレートの上面に吸着された前記基板を加熱することにより行われる、請求項１４から１６のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項18】

前記振り切り乾燥工程または前記加熱乾燥工程が終了した後に、前記吸着を解除して前記基板を前記回転テーブルから取り外す基板取り外し工程をさらに備え、前記基板取り外し工程において、前記吸着プレートに設けられた吸引ラインに、パージガスを流すことにより前記基板の取り外しを促進する、請求項１６に従属する請求項１７に記載の基板処理方法。

【請求項19】

前記基板処理装置は、前記回転テーブルおよび前記処理カップを収容するハウジングをさらに備え、前記基板処理方法は、前記パドル形成工程の前に前記ハウジング内に不活性ガスを供給することを含む、請求項１４記載の基板処理方法。

【請求項20】

前記無電解メッキ処理工程は、前記回転テーブルに保持された基板を、少なくともその下面が加熱されたトッププレートで覆いながら実行される、請求項１４記載の基板処理方法。

【請求項21】

前記無電解メッキ処理工程は、前記回転テーブルに保持された基板を、トッププレートで覆い、かつ、前記トッププレートに設けられたノズルから、前記トッププレートと前記基板との間の空間に不活性ガスを供給しながら、実行される、請求項１４記載の基板処理方法。

【請求項22】

前記保持工程の後に、前記受電電極と前記給電電極とを離間させた状態で前記回転テーブルを回転させながら前記基板にプリクリーン液を供給して前記基板の表面を洗浄するプリクリーン工程と、
前記プリクリーン工程の後に、前記基板上の前記プリクリーン液をリンス液により除去するリンス工程と、
をさらに備え、
前記リンス工程の後に前記パドル形成工程が実行される、請求項１４記載の基板処理方法。

【請求項23】

前記ポストクリーン工程の前に、前記回転テーブルを冷却する冷却工程をさらに備え、
前記回転テーブルは吸着プレートを有し、前記基板は、前記吸着プレートの上面に吸着されることにより、前記回転テーブルにより保持されるようになっており、
前記冷却工程は、前記吸着プレートへの前記基板の吸着を解除して前記基板をリフトピンで持ち上げ、この状態で、前記吸着プレートの表面に設けられた吸引口から前記吸着プレートの周囲の雰囲気を吸引することにより行われる、
請求項１５に記載の基板処理方法。

【請求項24】

前記無電解メッキ処理工程は、前記受電電極と前記給電電極とを離間させた状態で前記回転テーブルを所定の角度範囲内で正転および逆転させて前記基板上の無電解メッキ液を撹拌することと、その後に、前記受電電極と前記給電電極とを接触させて前記基板上の無電解メッキ液を加熱することと、を含む、請求項１４に記載の基板処理方法。

【請求項25】

前記基板処理装置は、前記回転テーブルと一緒に回転するように前記回転テーブルに設けられた補助ヒーターをさらに備え、前記補助ヒーターには、前記回転テーブルが連続的に一方向に回転している場合にも給電可能であり、
前記基板処理方法は、前記回転テーブルを保温するために、前記受電電極と前記給電電極とが離間している期間のうちの少なくとも一部の期間に、前記補助ヒーターに給電する工程をさらに備えている、請求項１４に記載の基板処理方法。

【請求項26】

基板を水平姿勢で保持する回転テーブルと、前記回転テーブルを鉛直軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記回転テーブルと一緒に回転するように前記回転テーブルに設けられ、前記回転テーブル上に載置された前記基板を加熱する電気ヒーターと、前記回転テーブルと一緒に回転するように前記回転テーブルに設けられ、前記電気ヒーターに電気的に接続された受電電極と、前記受電電極と接触して、前記受電電極を介して前記電気ヒーターに駆動電力を供給する給電電極と、前記給電電極と前記受電電極とを相対的に接離させる電極移動機構と、前記給電電極に前記駆動電力を供給する給電部と、前記回転テーブルの周囲を囲み、排気配管および排液配管に接続された処理カップと、前記基板に処理液を供給する処理液ノズルと、前記処理液ノズルに前記処理液として少なくとも無電解メッキ液を供給する処理液供給機構と、を備えた基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板を水平姿勢で回転テーブルに保持させる保持工程と、
前記基板の上面に無電解メッキ液を供給して、前記基板の上面の全体を覆う前記無電解メッキ液のパドルを形成するパドル形成工程と、
前記受電電極と前記給電電極とを接触させた状態で、前記給電部から前記電気ヒーターに給電して、前記基板および前記基板上の前記無電解メッキ液を加熱し、これにより前記基板を前記無電解メッキ液により処理する無電解メッキ処理工程と、
前記無電解メッキ処理工程の後に、前記受電電極と前記給電電極とを離間させた状態で前記回転テーブルを回転させながら前記基板の上面にポストクリーン液を供給し、これにより前記基板上の表面を洗浄するポストクリーン工程と、
前記受電電極と前記給電電極とを離間させた状態で前記回転テーブルを回転させながら前記基板の上面にリンス液を供給し、これにより前記基板上の前記ポストクリーン液を前記リンス液により除去するリンス工程と、
前記リンス工程の後に、前記リンス液の供給を停止して、前記回転テーブルを回転させることにより、前記基板上の前記リンス液を除去する振り切り乾燥工程と、
を備えた基板処理方法において、
前記ポストクリーン工程の前に、前記回転テーブルを冷却する冷却工程をさらに備え、
前記回転テーブルは吸着プレートを有し、前記基板は、前記吸着プレートの上面に吸着されることにより、前記回転テーブルにより保持されるようになっており、
前記冷却工程は、前記吸着プレートへの前記基板の吸着を解除して前記基板をリフトピンで持ち上げ、この状態で、前記吸着プレートの表面に設けられた吸引口から前記吸着プレートの周囲の雰囲気を吸引することにより行われる、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造においては、半導体ウエハ等の基板に対して、薬液洗浄処理、メッキ処理、現像処理等の様々な液処理が施される。このような液処理を行う装置として、枚葉式の液処理装置があり、その一例が特許文献１に記載されている。

【0003】

特許文献１の基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させることができるスピンチャックを有している。スピンチャックの周縁部に円周方向に間隔を空けて設けられた複数の保持部材が基板を保持する。スピンチャックに保持される基板の上方および下方には、ヒーターが内蔵された円板状の上面移動部材および下面移動部材がそれぞれ設けられている。特許文献１の基板処理装置では、以下の手順で処理が行われる。

【0004】

まず、スピンチャックにより基板を保持させ、下面移動部材を上昇させて基板の下面（裏面）と下面移動部材の上面との間に小さな第１の隙間を形成する。次に、下面移動部材の上面の中心部に開口する下面供給路から、第１の隙間に、温調された薬液が供給され、第１の隙間が表面処理用の薬液で満たされる。薬液は、下面移動部材のヒーターにより所定の温度に温調される。一方、基板の上面（表面）の上方に上面供給ノズルが位置して表面処理用の薬液を供給し、基板の上面に薬液のパドルを形成する。次に、上面供給ノズルが基板の上方から退避し、上面移動部材が下降し、上面移動部材の下面と薬液のパドルの表面（上面）との間に小さな第２の隙間を形成する。薬液のパドルは、上面移動部材に内蔵されたヒーターにより所定の温度に温調される。この状態で、基板を低速で回転させるか、あるいは基板を回転させずに、基板の表裏面の薬液処理工程が行われる。薬液処理工程の間、必要に応じて、上面移動部材の中心部に開口する薬液供給路、及び前述した下面供給路から、基板の表面及び裏面に薬液が補充される。

【0005】

特許文献１の基板処理装置では、基板は、基板とヒーターとの間に介在する流体（処理液及び／又はガス）を介して加熱される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００２－２１９４２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本開示は、回転テーブルに基板を保持した状態で基板のメッキ処理を行う基板処理において、基板温度の制御精度を向上させることができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示の一態様による基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持する回転テーブルと、前記回転テーブルを鉛直軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記回転テーブルと一緒に回転するように前記回転テーブルに設けられ、前記回転テーブル上に載置された前記基板を加熱する電気ヒーターと、前記回転テーブルと一緒に回転するように前記回転テーブルに設けられ、前記電気ヒーターに電気的に接続された受電電極と、前記受電電極と接触して、前記受電電極を介して前記電気ヒーターに駆動電力を供給する給電電極と、前記給電電極と前記受電電極とを相対的に接離させる電極移動機構と、前記給電電極に前記駆動電力を供給する給電部と、前記回転テーブルの周囲を囲み、排気配管および排液配管に接続された処理カップと、前記基板に処理液を供給する少なくとも１つの処理液ノズルと、前記処理液ノズルに、前記処理液として少なくとも無電解メッキ液を供給する処理液供給機構と、前記電極移動機構、前記給電部、前記回転駆動機構および前記処理液供給機構を制御する制御部と、を備えている。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、回転テーブルに基板を保持した状態で基板のメッキ処理を行う基板処理において、基板温度制御精度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。

【図2】図１の基板処理装置に含まれる処理ユニットの構成の一例を示す概略断面図である。

【図3】上記処理ユニットに設けられたホットプレートのヒーターの配置の一例を説明するための概略平面図である。

【図4】上記ホットプレートの上面を示す概略平面図である。

【図5】上記処理ユニットに設けられた吸着プレートの下面の構成の一例を示す概略平面図である。

【図6】上記吸着プレートの上面の構成の一例を示す概略平面図である。

【図7】上記処理ユニットに設けられた第１電極部の構成の一例を示す概略平面図である。

【図8】上記処理ユニットの各種構成部品の動作の一例を説明するタイムチャートである。

【図9】図５及び図６に示した吸着プレートの概略断面図である。

【図10】図９とは別の切断面における吸着プレートの概略断面図である。

【図11】湾曲した吸着プレートについて説明する概略図である。

【図12】吸着プレートの変形例を示す概略平面図である。

【図13】基板処理装置に含まれる処理ユニットの他の構成例を示す概略断面図である。

【図14A】図１３に示す処理ユニットに設けられた補助ヒーターへの給電に用いられる電力伝送機構の第１構成例の原理を説明するための概略図である。

【図14B】第２液処理部に示す処理ユニットに設けられた補助ヒーターへの給電に用いられる電力伝送機構の第１構成例の概略軸方向断面図である。

【図14C】第２液処理部に示す処理ユニットに設けられた補助ヒーターへの給電に用いられる電力伝送機構の第２構成例の概略軸方向断面図である。

【図15】ヒーターの温度制御に関与する要素間の関係の一例を示したブロック図である。

【図16】ヒーターの温度制御に関与する要素間の関係の他の例を示したブロック図である。

【図17】トッププレートをさらに設けた実施形態を示す概略図である。

【図18】処理ユニットを用いたメッキ処理について説明する模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下に添付図面を参照して基板処理装置（基板処理システム）の一実施形態について説明する。

【0012】

図１は、一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

【0013】

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

【0014】

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

【0015】

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。

【0016】

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

【0017】

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。

【0018】

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。

【0019】

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

【0020】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0021】

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

【0022】

処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

【0023】

次に、処理ユニット１６の一実施形態の構成について説明する。処理ユニット１６は、枚葉式のディップ液処理ユニットとして構成されている。

【0024】

図２に示すように、処理ユニット１６は、回転テーブル１００と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給部７００と、回転した基板から飛散した処理液を回収する液受けカップ（処理カップ）８００と、を備えている。回転テーブル１００は、ウエハＷ等の円形の基板を水平姿勢で保持して回転させることができる。回転テーブル１００、処理液供給部７００、液受けカップ８００等の処理ユニット１６の構成部品は、ハウジング１６０１（処理チャンバとも呼ばれる）内に収容されている。図２は、処理ユニット１６の左半部のみを示している。

【0025】

回転テーブル１００は、吸着プレート１２０と、ホットプレート１４０と、支持プレート１７０と、周縁カバー体１８０と、中空の回転軸２００と、を有している。吸着プレート１２０は、その上に載置されたウエハＷを水平姿勢で吸着する。ホットプレート１４０は、吸着プレート１２０を支持するとともに加熱する、吸着プレート１２０にとってのベースプレートである。支持プレート１７０は、吸着プレート１２０及びホットプレート１４０を支持する。回転軸２００は、支持プレート１７０から下方に延びている。回転テーブル１００は、回転軸２００の周囲に配設された電動駆動部（回転駆動機構）１０２により、鉛直方向に延びる回転軸線Ａｘ周りに回転させられ、これにより、保持したウエハＷを回転軸線Ａｘ周りに回転させることができる。電動駆動部１０２（詳細は図示せず）は、電動モータで発生した動力を動力伝達機構（例えばベルト及びプーリー）を介して回転軸２００に伝達して回転軸２００を回転駆動するものとすることができる。電動駆動部１０２は、電動モータにより回転軸２００を直接回転駆動するものであってもよい。

【0026】

吸着プレート１２０は、ウエハＷの直径よりやや大きい直径（構成次第では、同じ直径であってもよい）、つまりウエハＷの面積より大きいかあるいは等しい面積、を有する円板状の部材である。吸着プレート１２０は、ウエハＷの下面（処理対象ではない面）を吸着する上面(表面）１２０Ａと、ホットプレート１４０の上面に接触する下面(裏面)１２０Ｂとを有している。吸着プレート１２０は、熱伝導性セラミックス等の高熱伝導率材料、例えばＳｉＣにより形成することができる。吸着プレート１２０を構成する材料の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。

【0027】

ホットプレート１４０は、吸着プレート１２０の直径と概ね等しい直径を有する円板状の部材である。ホットプレート１４０は、プレート本体１４１と、プレート本体１４１に設けられた電気式のヒーター（電気ヒーター）１４２とを有している。プレート本体１４１は、熱伝導性セラミックス等の高熱伝導率材料、例えばＳｉＣにより形成されている。プレート本体１４１を構成する材料の熱伝導率は、１５０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが好ましい。

【0028】

ヒーター１４２は、プレート本体１４１の下面（裏面）に設けられた面状ヒーター、例えば、ポリイミドヒーターにより構成することができる。好ましくは、ホットプレート１４０には、図３に示すような複数（例えば１０個）の加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０が設定される。ヒーター１４２は、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０にそれぞれ割り当てられた複数のヒーター要素１４２Ｅから構成されている。各ヒーター要素１４２Ｅは、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０内を蛇行して延びる導電体から形成されている。図３では、加熱ゾーン１４３－１内にあるヒーター要素１４２Ｅのみを示した。

【0029】

これらの複数のヒーター要素１４２Ｅに、後述する給電部３００により、互いに独立して給電することができる。従って、ウエハＷの異なる加熱ゾーンを異なる条件で加熱することができ、ウエハＷの温度分布を制御することができる。

【0030】

図４に示すように、プレート本体１４１の上面(表面)には、１つ以上（図示例では２つ）のプレート用吸引口１４４Ｐと、１つ以上の（図示例では中心部の１つ）基板用吸引口１４４Ｗと、１つ以上（図示例では外側の２つ）のパージガス供給口１４４Ｇと、を有している。プレート用吸引口１４４Ｐは、吸着プレート１２０をホットプレート１４０に吸着させるための吸引力を伝達するために用いられる。基板用吸引口１４４Ｗは、ウエハＷを吸着プレート１２０に吸着させるための吸引力を伝達するために用いられる。

【0031】

さらにプレート本体１４１には、後述するリフトピン２１１が通過する複数（図示例では３つ）のリフトピン穴１４５Ｌと、回転テーブル１００の組み立て用のネジにアクセスするための複数（図示例では６つ）のサービスホール１４５Ｓが形成されている。通常運転時には、サービスホール１４５Ｓはキャップ１４５Ｃで塞がれている。

【0032】

上述したヒーター要素１４２Ｅは、上記のプレート用吸引口１４４Ｐ、基板用吸引口１４４Ｗ、パージガス供給口１４４Ｇ、リフトピン穴１４５Ｌ及びサービスホール１４５Ｓを避けて配置されている。また、回転軸２００との連結を電磁石により行うことでサービスホールを無くすこともできる。

【0033】

図５に示すように、吸着プレート１２０の下面１２０Ｂには、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗと、下面パージ流路溝１２１Ｇとが形成されている。吸着プレート１２０がホットプレート１４０上に適切な位置関係で載置されているときに、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐの少なくとも一部がプレート用吸引口１４４Ｐに連通する。同様に、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗの少なくとも一部が基板用吸引口１４４Ｗに連通し、下面パージ流路溝１２１Ｇの少なくとも一部がパージガス供給口１４４Ｇに連通する。プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐと、基板用の下面吸引流路溝１２２Ｗと、下面パージ流路溝１２１Ｇとは互いに分離されている（連通していない）。

【0034】

図１０には、ホットプレート１４０の吸引口１４４Ｐ（あるいは１４４Ｗ，１４４Ｇ）と吸着プレート１２０の流路溝１２１Ｐ（あるいは１２１Ｗ，１２１Ｇ）とが重なりあい、互いに連通している状態が概略的に示されている。

【0035】

図６及び図９に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａには、複数の（図示例では５個の）太い環状の仕切壁１２４が形成されている。太い仕切壁１２４は、上面１２０Ａに、互いに分離した複数の凹領域１２５Ｗ、１２５Ｇ（外側の４つの円環状領域と最も内側の円形領域）を画定する。

【0036】

基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗの複数の箇所に、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴１２９Ｇが形成されており、各貫通穴は、基板用の下面吸引流路溝１２１Ｗと複数（図示例では４つ）の凹領域１２５Ｗのいずれか１つとを連通させている。

【0037】

また、下面パージ流路溝１２１Ｇの複数の箇所に、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する貫通穴１２９Ｇが形成されており、各貫通穴は、下面パージ流路溝１２１Ｇと最も外側の凹領域１２５Ｇとを連通させている。最も外側の凹領域１２５Ｇは、単一の円環状の上面パージ流路溝となる。

【0038】

内側の４つの凹領域１２５Ｗ内の各々には、複数の細い概ね環状の分離壁１２７が同心円状に設けられている。細い分離壁１２７は、各凹領域１２５Ｗ内に、当該凹領域内を蛇行して延びる少なくとも１つの上面吸引流路溝１２５ＷＧを形成する。つまり、細い分離壁１２７は、各凹領域１２５Ｗ内に吸引力を均等に分散させる。

【0039】

吸着プレート１２０の上面１２０Ａは全体として平坦であってよい。吸着プレート１２０の上面１２０Ａを、図１１に概略的に示すように、全体として湾曲させてもよい。ウエハＷの表面に形成されるデバイスの構造、配列等に応じて、ウエハＷが特定の方向に湾曲することが知られている。処理対象のウエハＷの湾曲に合わせて上面１２０Ａを湾曲させた吸着プレート１２０を用いることにより、確実にウエハＷの吸着を行うことができる。

【0040】

図６に示した実施形態では、仕切壁１２４により互いに隔離された複数の凹領域１２５Ｗが形成されていたが、これには限定されない。例えば図１２に模式的に示されるように、仕切壁１２４に連通路１２４Ａを設け、図６の凹領域１２５Ｗに相当する凹領域同士を連通させてもよい。この場合、唯一つの貫通穴１２９Ｗを、例えば吸着プレート１２０の中央部に設けてもよい。また、太い仕切壁１２４を設けずに、図６の分離壁１２７に相当する複数の細い分離壁だけを、図１２の仕切壁１２４と同様の形態で設けてもよい。

【0041】

図２に示すように、回転軸線Ａｘの付近には、吸引／パージ部１５０が設けられている。吸引／パージ部１５０は、中空の回転軸２００の内部に設けられたロータリージョイント１５１を有する。ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａには、ホットプレート１４０のプレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗに連通する吸引配管１５２Ｗと、パージガス供給口１４４Ｇに連通するパージガス供給配管１５２Ｇが接続されている。

【0042】

図示はしていないが、吸引配管１５２Ｗを分岐させて、分岐吸引配管を、プレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗの真下においてホットプレート１４０のプレート本体１４１に接続してもよい。この場合、プレート本体１４１に、プレート本体１４１を貫通して上下方向に延びる貫通穴を形成し、各貫通穴に分岐吸引配管を接続してもよい。同様に、パージガス供給配管１５２Ｇを分岐させて、分岐パージガス供給配管を、パージガス供給口１４４Ｇの真下においてホットプレート１４０のプレート本体１４１に接続してもよい。この場合、プレート本体１４１に、プレート本体１４１を貫通して上下方向に延びる貫通穴を形成し、各貫通穴にパージガス供給配管を接続してもよい。上述した分岐吸引配管または分岐パージガス配管が、図１０に概略的に示されている（参照符号１５２ＷＢ、１５２ＧＢが付けられている）

【0043】

上記に代えて、吸引配管１５２Ｗ及びパージガス供給配管１５２Ｇをホットプレート１４０のプレート本体１４１の中央部に接続してもよい。この場合、プレート本体１４１の内部に、吸引配管１５２Ｗとプレート用吸引口１４４Ｐ及び基板用吸引口１４４Ｗとをそれぞれ連通させる流路と、パージガス供給配管１５２Ｇとパージガス供給口１４４Ｇとを連通させる流路と、が設けられる。

【0044】

ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂには、吸引配管１５２Ｗに連通する吸引配管１５３Ｗと、パージガス供給配管１５１Ｇに連通するパージガス供給配管１５３Ｇと、が接続されている。ロータリージョイント１５１は、吸引配管１５２Ｗ，１５３Ｗ同士の連通、並びにパージガス供給配管１５２Ｇ，１５３Ｇ同士の連通を維持したまま、上ピース１５１Ａ及び下ピース１５１Ｂが相対回転可能であるように構成されている。このような機能を有するロータリージョイント１５１それ自体は、公知である。

【0045】

吸引配管１５３Ｗは、真空ポンプ等の吸引装置１５４に接続されている。パージガス供給配管１５３Ｇは、パージガス供給装置１５５に接続されている。吸引配管１５３Ｗは、パージガス供給装置１５５にも接続されている。また、吸引配管１５３Ｗの接続先を吸引装置１５４とパージガス供給装置１５５との間で切り替える切替装置１５６（例えば三方弁）が設けられている。

【0046】

ホットプレート１４０には、ホットプレート１４０のプレート本体１４１の温度を検出するための複数の温度センサ１４６が埋設されている。温度センサ１４６は、例えば、１０個の加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０に一つずつ設けることができる。また、ホットプレート１４０のヒーター１４２に近接した位置に、ヒーター１４２の過熱を検出するための少なくとも１つのサーモスイッチ１４７が設けられている。

【0047】

ホットプレート１４０と支持プレート１７０との間の空間Ｓには、上記温度センサ１４６及びサーモスイッチ１４７に加えて、温度センサ１４６及びサーモスイッチ１４７の検出信号を送信するための制御信号配線１４８Ａ，１４８Ｂと、ヒーター１４２の各ヒーター要素１４２Ｅに給電するための給電配線１４９と、が設けられている。

【0048】

図２に示すように、ロータリージョイント１５１の周囲には、スイッチ機構１６０が設けられている。スイッチ機構１６０は、回転軸線Ａｘの方向に関して固定された第１電極部１６１Ａと、回転軸線Ａｘの方向に可動の第２電極部１６１Ｂと、第２電極部１６１Ｂを回転軸線Ａｘの方向に移動（昇降）させる電極移動機構１６２（昇降機構）と、を有している。

【0049】

図７に示すように、第１電極部１６１Ａは、第１電極担持体１６３Ａと、第１電極担持体１６３Ａに担持された複数の第１電極１６４Ａとを有している。複数の第１電極１６４Ａには、制御信号配線１４８Ａ，１４８Ｂに接続された制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣ（図７では小さな「○」で示す。）と、給電配線１４９に接続されたヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰ（図７では大きな「○」で示す。）と、が含まれる。大電流（ヒータ電流）が流れる第１電極１６４ＡＰは、小電流（制御信号電流）が流れる第１電極１６４ＡＣよりも大面積の電極とすることが好ましい。

【0050】

第１電極担持体１６３Ａは、全体として円板状の部材である。第１電極担持体１６３Ａの中心部には、ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａが挿入される円形の穴１６７が形成されている。ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａは、第１電極担持体１６３Ａに固定されていてもよい。第１電極担持体１６３Ａの周縁部は、ネジ穴１７１を用いて支持プレート１７０にねじ止めすることができる。

【0051】

図２に概略的に示されるように、第２電極部１６１Ｂは、第２電極担持体１６３Ｂと、第２電極担持体１６３Ｂに担持された複数の第２電極１６４Ｂとを有している。第２電極担持体１６３Ｂは、図７に示した第１電極担持体１６３Ａと概ね同じ直径の全体として円板状の部材である。第２電極担持体１６３Ｂの中心部には、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂが通過しうるサイズの円形の穴が形成されている。

【0052】

第１電極１６４Ａに対して昇降することにより第１電極１６４Ａに対して接離する第２電極１６４Ｂは、第１電極１６４Ａと同じ平面的配置を有している。なお、以下、ヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰ（受電電極）と接触する第２電極１６４Ｂ（給電電極）を「第２電極１６４ＢＰ」とも呼ぶ。また、制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣと接触する第２電極１６４Ｂを「第２電極１６４ＢＣ」とも呼ぶ。第２電極１６４ＢＰは、給電装置（給電部）３００の電力出力端子に接続されている。第２電極１６４ＢＣは給電部３００の制御用入出力端子に接続されている。

【0053】

各第２電極１６４Ｂと給電部３００の電力出力端子及び制御用入出力端子とを接続する導電路（導電ライン）１６８Ａ，１６８Ｂ，１６９（図２を参照）は、少なくとも部分的にフレキシブルな電線により形成されている。フレキシブルな電線により、第２電極１６４Ｂと給電部３００との導通が維持されたまま、第２電極部１６１Ｂ全体が回転軸線Ａｘ周りに中立位置から正転方向及び逆転方向にそれぞれ所定角度だけ回転することが可能となる。所定角度は例えば１８０度であるが、この角度に限定されるものではない。このことは、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとの接続を維持したまま、回転テーブル１００を概ね±１８０度回転させることができることを意味する。

【0054】

対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂの一方をポゴピンとして構成してもよい。図２では、第２電極１６４Ｂの全てがポゴピンとして形成されている。なお、「ポゴピン」は、バネが内蔵された伸縮可能な棒状電極を意味する用語として広く用いられている。電極として、ポゴピンに代えて、コンセント、マグネット電極、誘導電極等を用いることもできる。

【0055】

対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂ同士が適切に接触しているときに第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとを相対回転不能にロックするロック機構１６５を設けることが好ましい。ロック機構１６５は、例えば図２に示すように、第１電極担持体１６３Ａに設けられた孔１６５Ａと、第２電極担持体に設けられるとともに孔に嵌合するピン１６５Ｂとから構成することができる。

【0056】

対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂ同士が適切に接触していることを検出するデバイス１７２（図２に概略的に示した）を設けることも好ましい。このようなデバイスとして、第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとの角度位置関係が適切な状態にあることを検出する角度位置センサ（図示せず）を設けてもよい。また、このようなデバイスとして、第１電極担持体１６３Ａと第２電極担持体１６３Ｂとの回転軸線Ａｘ方向の距離が適切な状態にあることを検出する距離センサ（図示せず）を設けてもよい。さらには上記ロック機構１６５の孔１６５Ａにピン１６５Ｂが適切に嵌合していることを検出する接触式のセンサ（図示せず）を設けてもよい。

【0057】

図２において概略的に示された電極移動機構１６２は、図示はしないが、第２電極担持体１６３Ｂを押し上げるプッシュロッドと、プッシュロッドを昇降させる昇降機構（エアシリンダ、ボールねじ等）を備えて構成することができる（構成例１）。この構成を採用する場合には、例えば、永久磁石を第１電極担持体１６３Ａに設けるとともに電磁石を第２電極担持体１６３Ｂに設けることができる。これにより、必要に応じて、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとを上下方向に相対移動不能に結合すること、並びに、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとを分離することができる。

【0058】

第１構成例を採用した場合、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとの結合及び切り離しが、回転テーブル１００の同じ角度位置で行われるのならば、第２電極部１６１Ｂが回転軸線Ａｘ周りに回転可能に支持されていなくてもよい。すなわち、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとが分離されたときに、第２電極部１６１Ｂを支持する部材（例えば上記のプッシュロッド、あるいは別の支持テーブル）があればよい。

【0059】

上記の第１構成例に代えて、他の構成例２を採用することもできる。詳細に図示はしないが、電極移動機構１６２の第２構成例は、回転軸線Ａｘを中心とする円環の形状を有する第１リング状部材と、第１リング状部材を支持する第２リング状部材と、第１リング状部材と第２リング状部材の間に介設されて両者の相対回転を可能とするベアリングと、第２リング状部材を昇降させる昇降機構（エアシリンダ、ボールねじ等）と、を備える。

【0060】

上記構成例１、２のいずれを採用した場合も、対を成す第１電極１６４Ａ及び第２電極１６４Ｂを適切に接触させたまま、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとをある限られた範囲内で連動して回転させることが可能である。

【0061】

回転テーブル１００の電動駆動部１０２は、回転テーブル１００を任意の回転角度位置で停止させる位置決め機能を有している。位置決め機能は、回転テーブル１００（または回転テーブル１００により回転させられる部材）に付設されたロータリーエンコーダーの検出値に基づいて電動駆動部１０２のモータを回転させることにより実現することができる。回転テーブル１００を予め定められた回転角度位置に停止させた状態で、第２電極部１６１Ｂを電極移動機構１６２により上昇させることにより、第１及び第２電極部１６１Ａ，１６１Ｂの対応する電極同士を適切に接触させることができる。第２電極部１６１Ｂを第１電極部１６１Ａから分離するときも、回転テーブル１００を上記の予め定められた回転角度位置に停止させた状態で分離を行うことが好ましい。

【0062】

上述したように、吸着プレート１２０と支持プレート１７０との間の空間Ｓ内及び空間Ｓに面する位置に、複数の電装部品（ヒーター、配線、センサ類）が配置されている。周縁カバー体１８０は、ウエハＷに供給される処理液、特に腐食性の薬液が空間Ｓ内に侵入することを防止し、電装部品を保護する。空間Ｓに、パージガス供給配管１５２Ｇから分岐させた配管（図示せず）を介してパージガス（Ｎ_２ガス）を供給してもよい。そうすることにより、空間Ｓの外部から空間Ｓ内に薬液由来の腐食性のガスが侵入することが防止され、空間Ｓ内を非腐食性の雰囲気に維持することができる。

【0063】

図２に示すように、周縁カバー体１８０は、上部１８１、側周部１８２及び下部１８３を有する。上部１８１は、吸着プレート１２０の上方に張り出し、吸着プレート１２０に接続されている。周縁カバー体１８０の下部１８３は、支持プレート１７０に連結されている。

【0064】

周縁カバー体１８０の上部１８１の内周縁は、吸着プレート１２０の外周縁よりも半径方向内側に位置している。上部１８１は、吸着プレート１２０の上面に接する円環状の下面１８４と、下面１８４の内周縁から立ち上がる傾斜した円環状の内周面１８５と、内周面１８５の外周縁から半径方向外側に概ね水平に延びる円環状の外周面１８６とを有している。内周面１８５は吸着プレート１２０の中心部に近づくに従って低くなるように傾斜している。

【0065】

図９に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａと周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４との間には、液の浸入を防止するためにシールが施されていることが好ましい。シールは、上面１２０Ａと下面１８４との間に配置されたＯリング１９２とすることができる。

【0066】

図５に示すように、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐの一部が、吸着プレート１２０の最外周部分において円周方向に延びている。また、図６に示すように、吸着プレート１２０の上面１２０Ａの最外周部分に、凹溝１９３が円周方向に連続的に延びている。図９に示すように、最外周の下面吸引流路溝１２１Ｐと凹溝１９３とは、吸着プレート１２０を厚さ方向に貫通する円周方向に間隔を空けて設けられた複数の貫通穴１２９Ｐを介して連通している。凹溝１９３の上には、周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４が載置される。従って、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐに作用する負圧により、周縁カバー体１８０の上部１８１の下面１８４は、吸着プレート１２０の上面１２０Ａに吸着される。この吸着により、Ｏリング１９２が潰れるため、確実なシールが実現される。

【0067】

図２に示すように、外周面１８６すなわち周縁カバー体１８０の頂部の高さは、吸着プレート１２０に保持されたウエハＷの上面の高さより高い。従って、ウエハＷが吸着プレート１２０に保持された状態で、ウエハＷの上面に処理液を供給すると、ウエハＷの上面が液面ＬＳよりも下に位置するようにウエハＷを浸漬しうる液溜まり（パドル）を形成することができる。すなわち、周縁カバー体１８０の上部１８１は、吸着プレート１２０に保持されたウエハＷの周囲を囲む堰を形成する。この堰及び吸着プレート１２０により処理液を貯留することができる凹所が画定される。

【0068】

周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５の傾斜は、回転テーブル１００を高速回転させたときに、上記の槽内にある処理液を、外方にスムースに飛散させることを容易とする。つまりこの傾斜があることにより、回転テーブル１００を高速回転させたときに、周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面に液が留まることを防止することができる。

【0069】

周縁カバー体１８０の半径方向外側には、周縁カバー体１８０と一緒に回転する回転カップ１８８（回転液受け部材）が設けられている。回転カップ１８８は、円周方向に間隔を空けて設けられた複数の連結部材１８９を介して、回転テーブル１００の構成部品、図示例では周縁カバー体１８０に連結されている。回転カップ１８８の上端は、ウエハＷから飛散する処理液を受け止め得る高さに位置している。周縁カバー体１８０の側周部１８２の外周面と回転カップ１８８の内周面との間に、ウエハＷから飛散する処理液が流下する通路１９０が形成されている。

【0070】

液受けカップ８００は、回転テーブル１００の周囲を囲み、ウエハＷから飛散した処理液を回収する。図示された実施形態においては、液受けカップ８００は、固定外側カップ要素８０１と、固定内側カップ要素８０４と、昇降可能な第１可動カップ要素８０２及び第２可動カップ要素８０３と、固定内側カップ要素８０４とを有している。互いに隣接する２つのカップ要素の間（８０１と８０２の間、８０２と８０３の間、８０３と８０４の間）にそれぞれ第１排出通路８０６、第２排出通路８０７、第３排出通路８０８が形成される。第１及び第２可動カップ要素８０２、８０３の位置を変更することにより、３つの排出通路８０６、８０７，８０８のうちのいずれか選択された１つに、周縁カバー体１８０と回転カップ１８８との間の通路１９０から流出する処理液を導くことができる。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８は、それぞれ、半導体製造工場に設置された酸系排液通路、アルカリ系排液通路及び有機系排液通路（いずれも図示せず）のいずれか一つに接続される。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８内には、図示しない気液分離構造が設けられている。第１排出通路８０６、第２排出通路８０７及び第３排出通路８０８は、エゼクタ等の排気装置（図示せず）を介して工場排気系に接続され、吸引されている。このような液受けカップ８００は、本件出願人による特許出願に関連する日本国特許公開公報、特開２０１２－１２９４６２号、特開２０１４－１２３７１３号等により公知であり、詳細についてはこれらの公開公報を参照されたい。

【0071】

回転軸線Ａｘの方向に関してホットプレート１４０の３つのリフトピン穴１４５Ｌと整列するように、吸着プレート１２０及び支持プレート１７０にもそれぞれ３つのリフトピン穴１２８Ｌ、１７１Ｌが形成されている。

【0072】

回転テーブル１００には、リフトピン穴１４５Ｌ，１２８Ｌ，１７１Ｌを貫通して、複数（図示例では３つ）のリフトピン２１１が設けられている。各リフトピン２１１は、リフトピン２１１の上端が吸着プレート１２０の上面１２０Ａから上方に突出する受け渡し位置（上昇位置）と、リフトピン２１１の上端が吸着プレート１２０の上面１２０Ａの下方に位置する処理位置（下降位置）との間で、移動可能である。

【0073】

各リフトピン２１１の下方にはプッシュロッド２１２が設けられている。プッシュロッド２１２は、昇降機構２１３例えばエアシリンダにより昇降させることができる。プッシュロッド２１２によりリフトピン２１１の下端を押し上げることにより、リフトピン２１１を受け渡し位置に上昇させることができる。複数のプッシュロッド２１２を回転軸線Ａｘを中心とするリング状支持体（図示せず）に設け、共通の昇降機構によりリング状支持体を昇降させることにより複数のプッシュロッド２１２を昇降させてもよい。

【0074】

受け渡し位置にあるリフトピン２１１の上に載っているウエハＷは、固定外側カップ要素８０１の上端８０９よりも高い高さ位置に位置し、処理ユニット１６の内部に侵入してきた基板搬送装置１７のアーム（図１参照）との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

【0075】

リフトピン２１１がプッシュロッド２１２から離れると、リターンスプリング２１４の弾性力により、リフトピン２１１は処理位置に下降し、当該処理位置に保持される。図２において、符号２１５はリフトピン２１１の昇降をガイドするガイド部材、符号２１６はリターンスプリング２１４を受けるスプリング受けである。なお、固定内側カップ要素８０４には、回転軸線Ａｘ周りのスプリング受け２１６の回転を可能とするための円環状の凹所８１０が形成されている。

【0076】

処理液供給部７００は、複数のノズルを備える。複数のノズルには、薬液ノズル７０１、リンスノズル７０２、乾燥促進液ノズル７０３が含まれる。薬液ノズル７０１に、薬液供給源７０１Ａから、薬液供給ライン（配管）７０１Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含む薬液供給機構７０１Ｂを介して薬液が供給される。リンス液供給源７０２Ａから、リンス液供給ライン（配管）７０２Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含むリンス液供給機構７０２Ｂを介してリンス液が供給される。乾燥促進液供給源７０３Ａから、乾燥促進液供給ライン（配管）７０３Ｃに介設された開閉弁、流量制御弁等の流れ制御機器（図示せず）を含む乾燥促進液供給機構７０３Ｂを介して乾燥促進液、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が供給される。

【0077】

薬液供給ライン７０１Ｃに、薬液を温調するための温調機構として、ヒーター７０１Ｄを設けることができる。さらに、薬液供給ライン７０１Ｃを構成する配管に、薬液を温調するためのテープヒーター（図示せず）を設けてもよい。リンス液供給ライン７０２Ｃにもこのようなヒーター類を設けてもよい。

【0078】

薬液ノズル７０１、リンスノズル７０２及び乾燥促進液ノズル７０３はノズルアーム７０４の先端により支持されている。ノズルアーム７０４の基端は、ノズルアーム７０４を昇降及び旋回させるノズルアーム駆動機構７０５により支持されている。ノズルアーム駆動機構７０５により、薬液ノズル７０１、リンスノズル７０２及び乾燥促進液ノズル７０３をウエハＷの上方の任意の半径方向位置（ウエハＷの半径方向に関する位置）に位置させることが可能である。

【0079】

ハウジング１６０１の天井部に、回転テーブル１００上にウエハＷが存在しているか否かを検出するウエハセンサ８６０と、ウエハＷの温度（あるいはウエハＷ上にある処理液の温度）を検出する１つまたは複数の赤外線温度計８７０（１つだけ図示した）が設けられている。複数の赤外線温度計８７０が設けられる場合、各赤外線温度計８７０は、各加熱ゾーン１４３－１～１４３－１０にそれぞれ対応するウエハＷの領域の温度を検出することが好ましい。

【0080】

次に、処理ユニット１６の動作について、処理ユニット１６で薬液洗浄処理を行う場合について、図８のタイムチャートも参照して説明する。以下に説明する動作は、図１に示した制御装置４（制御部１８）により、処理ユニット１６の各種構成部品の動作を制御することにより行うことができる。

【0081】

図８のタイムチャートにおいて、横軸は時間経過を示す。項目は上から順に以下の通りである。
ＰＩＮ：リフトピン２１１の高さ位置を表しており、ＵＰが受け渡し位置、ＤＯＷＮが処理位置にあることを表している。
ＥＬ２：第２電極部１６１Ｂの高さ位置を表しており、ＵＰが第１電極部１６１Ａと接触する位置、ＤＯＷＮが第１電極部１６１Ａから離れた位置にあることを表している。
ＰＯＷＥＲ：給電部３００からヒーター１４２への給電状態を表しており、ＯＮが給電状態、ＯＦＦが給電停止状態であることを表している。
ＶＡＣ：吸引装置１５４から吸着プレート１２０の下面吸引流路溝１２１Ｗへの吸引力印加状態を表しており、ＯＮが吸引中、ＯＦＦが吸引停止中を表している。
Ｎ_２－１：パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の下面吸引流路溝１２１Ｗへのパージガス供給状態を表しており、ＯＮが供給中、ＯＦＦが供給停止中を表している。
Ｎ_２－２：パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の下面パージ流路溝１２１Ｇへのパージガス供給状態を表しており、ＯＮが供給中、ＯＦＦが供給停止中を表している。
ＷＳＣ：ウエハセンサ８６０の動作状態を表しており、ＯＮが吸着プレート１２０上のウエハＷの有無を検出している状態、ＯＦＦが検出を行っていない状態を示す。「On Wafer Check」はウエハＷが吸着プレート１２０上にウエハＷが存在していることを確認するための検出動作である。「Off Wafer Check」はウエハＷが吸着プレート１２０k上から確実に取り去られたことを確認するための検出動作である。

【0082】

［ウエハＷ搬入工程（保持工程）］
基板搬送装置１７のアーム（図１参照）が、処理ユニット１６内に侵入し、吸着プレート１２０の真上に位置する。また、リフトピン２１１が受け渡し位置に位置する（以上時点ｔ０～ｔ１）。この状態で、基板搬送装置１７のアームが下降し、これによりウエハＷがリフトピン２１１の上端の上に載り、ウエハＷがアームから離れる。次いで、基板搬送装置１７のアームが処理ユニット１６から退出する。リフトピン２１１が処理位置まで下降し、その過程で、ウエハＷが吸着プレート１２０の上面１２０Ａに載る（時点ｔ１）。

【0083】

次いで、吸引装置１５４が作動し、吸着プレート１２０がホットプレート１４０に吸着され、また、ウエハＷが吸着プレート１２０に吸着される（時点ｔ１）。その後、ウエハセンサ８６０によりウエハＷが吸着プレート１２０に適切に吸着されているかの検査が開始される（時点ｔ２）。

【0084】

パージガス供給装置１５５から吸着プレート１２０の上面の最も外側の凹領域１２５Ｇに常時パージガス（例えばＮ_２ガス）が供給されている。これにより、ウエハＷの下面の周縁部と吸着プレート１２０の周縁部の接触面に隙間があっても、その隙間からウエハＷの周縁部と吸着プレート１２０の周縁部との間に処理液が浸入することはない。

【0085】

ウエハＷの搬入が開始される前の時点（時点ｔ０よりも前）から、第２電極部１６１Ｂは上昇位置にあり、第１電極部１６１Ａの複数の第１電極１６４Ａと、第２電極部１６１Ｂの複数の第２電極１６４Ｂが互いに接触している。給電部３００からホットプレート１４０のヒーター１４２に給電され、ホットプレート１４０のヒーター１４２が予備加熱状態となっている。

【0086】

［ウエハ加熱工程］
ウエハＷが吸着プレート１２０に吸着されたら、ホットプレート１４０の温度が予め定められた温度（吸着プレート１２０上のウエハＷがその後の処理に適した温度に加熱されるような温度）まで昇温するように、ホットプレート１４０のヒーター１４２への供給電力を調節する（時点ｔ１～ｔ３）。

【0087】

［薬液処理工程（パドル形成工程及び撹拌工程を含む）］
次いで、処理液供給部７００のノズルアームにより、薬液ノズル７０１が、ウエハＷの中心部の真上に位置する。この状態で、薬液ノズル７０１から温調された薬液がウエハＷの表面（上面）に供給される（時点ｔ３～ｔ４）。薬液の供給は、薬液の液面ＬＳがウエハＷの上面よりも上に位置するまで続けられる。このとき、周縁カバー体１８０の上部１８１が堰として作用し、薬液が回転テーブル１００の外側にこぼれ落ちることを防止する。

【0088】

薬液の供給中、あるいは薬液の供給後に、回転テーブル１００が低速で交互に正転及び逆転（例えば１８０度程度ずつ）させられる。これにより、薬液が撹拌され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面と薬液との反応を均一化することができる。

【0089】

一般に、液受けカップ内に引き込まれる気流の影響により、ウエハＷの周縁部の温度が低くなる傾向にある。ヒーター１４２の複数のヒーター要素１４２Ｅのうち、ウエハＷの周縁部領域（図３の加熱ゾーン１４３－１～１４３－４）の加熱を受け持つヒーター要素１４２Ｅへの供給電力を増大させてもよい。これにより、ウエハＷ面内におけるウエハＷの温度が均一化され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面と薬液との反応を均一化することができる。

【0090】

この薬液処理中において、ヒーター１４２への供給電力の制御を、ホットプレート１４０に設けられた温度センサ１４６の検出値により行うことができる。これに代えて、ヒーター１４２への供給電力の制御を、ウエハＷの表面温度を検出する赤外線温度計８７０の検出値に基づいて行ってもよい。赤外線温度計８７０の検出値を用いた方が、より精確にウエハＷの温度を制御することができる。ヒーター１４２への供給電力の制御を、薬液処理の前期に温度センサ１４６の検出値に基づいて行い、後期に赤外線温度計８７０の検出値に基づいて行ってもよい。

【0091】

［薬液振り切り工程（薬液除去工程）］
薬液処理が終了したら、まず、給電部３００からのヒーター１４２への給電を停止し（時点ｔ４）、次いで、第２電極部１６１Ｂを下降位置に下降させる（時点ｔ５）。先に給電を停止することにより、第２電極部１６１Ｂの下降時に電極間にスパークが生じることを防止することができる。

【0092】

次いで、回転テーブル１００を高速回転させ、ウエハＷ上の薬液を遠心力により外方に飛散させる（時点ｔ５～ｔ６）。周縁カバー体１８０の上部１８１の内周面１８５が傾斜しているため、上部１８１よりも半径方向内側の領域に存在する全ての薬液（ウエハＷ上の薬液も含む）が、スムースに除去される。飛散した薬液は、回転カップ１８８と周縁カバー体１８０との間の通路１９０を通って流下し、液受けカップ８００に回収される。なお、このとき、薬液の種類に適した排出通路（第１排出通路８０６、第２排出通路８０７、第３排出通路８０８のいずれか１つ）に飛散した薬液が導かれるように、第１及び第２可動カップ要素８０２、８０３が適切な位置に位置している。

【0093】

［リンス工程］
次に、回転テーブル１００を低速回転とし、リンスノズル７０２をウエハＷの中心部の真上に位置させ、リンスノズル７０２からリンス液を供給する（時点ｔ６～ｔ７）。これにより、上部１８１よりも半径方向内側の領域に残留している全ての薬液（ウエハＷ上に残留している薬液も含む）が、リンス液により洗い流される。

【0094】

リンスノズル７０２から供給されるリンス液は常温のリンス液でも加熱されたリンス液でもよい。加熱されたリンス液を供給した場合には、吸着プレート１２０及びホットプレート１４０の温度低下を防止することができる。加熱されたリンス液は、工場用力系から供給を受けることができる。これに代えて、常温のリンス液を加熱するために、リンス液供給源７０２Ａとリンスノズル７０２とを接続するリンス液供給ラインに、ヒーター（図示せず）を設けてもよい。

【0095】

［振り切り乾燥工程］
次に、回転テーブル１００を高速回転にし、リンスノズル７０２からのリンス液の吐出を停止し、上部１８１よりも半径方向内側の領域に残留している全てのリンス液（ウエハＷ上に残留しているリンス液も含む）を、遠心力により外方に飛散させる（時点ｔ７～ｔ８）。これにより、ウエハＷが乾燥する。

【0096】

リンス処理と乾燥処理の間に、ウエハＷに乾燥促進液を供給し、上部１８１よりも半径方向内側の領域に残留している全てのリンス液（ウエハＷ上に残留しているリンス液も含む）を乾燥促進液に置換してもよい。乾燥促進液は、リンス液より揮発性が高く、表面張力が低いことが好ましい。乾燥促進液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とすることができる。

【0097】

振り切り乾燥工程の後に、ウエハＷを加熱する加熱乾燥を行ってもよい。この場合には、まず、回転テーブル１００の回転を停止させる。次に、第２電極部１６１Ｂを上昇位置に上昇させ（時点ｔ８）、次いで、給電部３００からヒーター１４２への給電を行い（時点ｔ９）、ウエハＷを昇温させ（高速昇温が好ましい）、ウエハの周縁部およびその近傍に僅かに残留しているリンス液（または乾燥促進液）を蒸発させることにより、除去する。上述したＩＰＡを用いた振り切り乾燥工程を行うことにより、ウエハＷの表面は十分に乾燥するため、ヒーター１４２による加熱乾燥は行わなくてもよい。つまり、図８のタイムチャートにおいて、時点ｔ７とｔ８の間の時点から時点ｔ１０とｔ１１との間の時点までの動作を省略してもよい。

【0098】

［ウエハ搬出工程］
次に、切替装置（三方弁）１５６を切り替えて、吸引配管１５５Ｗの接続先を吸引装置１５７Ｗからパージガス供給装置１５９に変更する。これにより、プレート用の下面吸引流路溝１２１Ｐにパージガスを供給するとともに、基板用の下面吸引流路溝１２２Ｗを介して吸着プレート１２０の上面１２０Ａの凹領域１２５Ｗにパージガスを供給する。これにより、吸着プレート１２０に対するウエハＷの吸着が解除される（時点ｔ１０）。

【0099】

上記の操作に伴い、ホットプレート１４０に対する吸着プレート１２０の吸着も解除される。１枚のウエハＷの処理が終了する毎にホットプレート１４０に対する吸着プレート１２０の吸着を解除しなくてもよいため、この吸着解除が行われないような配管系統に変更しても構わない。

【0100】

次いで、リフトピン２１１を受け渡し位置まで上昇させる（時点ｔ１１）。上記のパージにより吸着プレート１２０に対するウエハＷの吸着が解除されているため、ウエハＷを吸着プレート１２０から容易に離すことができる。このため、ウエハＷの傷付きを防止することができる。

【0101】

次いで、リフトピン２１１上に載っているウエハＷを、基板搬送装置１７のアーム（図１参照）で持ち上げて、処理ユニット１６の外部に搬出する（時点ｔ１２）。その後、ウエハセンサ８６０により、吸着プレート１２０上にウエハＷが存在しないことの確認が行われる。以上により、１枚のウエハＷに対する一連の処理が終了する。

【0102】

薬液洗浄処理で用いられる薬液としては、ＳＣ１、ＳＰＭ（硫酸過水）、Ｈ_３ＰＯ_４（リン酸水溶液）などが例示される。一例として、ＳＣ１の温度は常温～７０℃、ＳＰＭの温度は１００～１２０℃、Ｈ_３ＰＯ_４の温度は１００～１６５℃である。このように、常温より高い温度で薬液が供給される場合、上記実施形態は有益である。

【0103】

上記実施形態によれば、固体内の熱伝導により薬液が加熱されるため、ウエハＷ上に存在する薬液の温度を高精度に制御することができる。また、リンス処理及び振り切り乾燥時には、ヒーター１４２の給電系統を分離することにより、回転テーブル１００を高速回転させることができるため、リンス処理及び振り切り乾燥を効率良く行うことができる。

【0104】

また、上記実施形態によれば、ヒーター１４２の給電系統を分離せずに回転テーブル１００をある程度の範囲だけ回転させることができるため、処理液のパドルを加熱した状態で撹拌が可能である。このため、ウエハＷ面内での処理の均一性を向上させることができる。

【0105】

上記の処理ユニット１６を用いて、液処理として、メッキ処理（特に無電解メッキ処理）を行うこともできる。無電解メッキ処理を行う場合、プリクリーン工程（薬液洗浄工程）、メッキ工程、ポストクリーン工程（薬液洗浄工程）、ＩＰＡ置換工程、振り切り乾燥工程（場合によっては続いて加熱乾燥工程）が順次行われる。このうち、メッキ工程において、処理液として例えば５０～７０℃のアルカリ性薬液（無電解メッキ液）が用いられる。プリクリーン工程、ポストクリーン工程、ＩＰＡ置換工程で用いられる処理液（薬液またはリンス液）は常温である。従って、メッキ工程時に、上述したウエハ加熱工程及び薬液処理工程と同様の工程を行えばよい。プリクリーン工程、リンス工程、ポストクリーン工程、ＩＰＡ置換工程においては、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとを離間させた状態で、回転テーブルを回転させながら、必要な処理液を、吸着プレート１２０に吸着されたウエハＷの上面に供給すればよい。勿論、処理液供給部７００には、必要な処理液を供給するのに十分なノズル及び処理液供給源が設けられる。

【0106】

次に図１３を参照して処理ユニットの他の構成例について説明する。図１３の構成例では、ヒーター１４２の下面に、ヒーター１４２と概ね同じ平面形状を有する補助ヒーター９００が設けられている。ヒーター１４２と同様に、補助ヒーター９００も、面状ヒーター、例えば、ポリイミドヒーターにより構成することができる。ともにポリイミドヒーターにより構成することができるヒーター１４２と補助ヒーター９００との間には、ポリイミド膜からなる絶縁膜を介設させることが好ましい。

【0107】

ヒーター１４２と同様に、補助ヒーター９００にも複数の加熱ゾーンを設定して、各加熱ゾーンを個別に制御してもよい。ヒーター１４２に単一の加熱ゾーンを設定して、ヒーター１４２の全体を均等に発熱させてもよい。

【0108】

次に、補助ヒーター９００の給電装置について説明する。給電装置は、接触式の電力伝送機構を有する。電力伝送機構は、回転テーブル１００が一方向に連続的に回転しているとき（このときスイッチ機構１６０を介したヒーター１４２への給電は不可能である）にも補助ヒーター９００への通電が可能となるように構成されている。電力伝送機構は、ロータリージョイント１５１と同軸に設けられ、好ましくはロータリージョイント１５１に組み込まれるかあるいは一体化されている。

【0109】

第１構成例に係る電力伝送機構９１０について、図１４Ａの動作原理図と、図１４Ｂの軸方向断面図を参照して説明する。図１４Ａに示すように、電力伝送機構９１０は、転動軸受け（ボールまたはローラーベアリング）に類似した構成を有しており、アウターレース９１１と、インナーレース９１２と、複数の転動体（例えばボール）９１３とを有する。アウターレース９１１、インナーレース９１２および転動体９１３は、導電性材料（導電体）から形成される。好ましくは電力伝送機構９１０の構成要素（９１１，９１２，９１３）間に適度な予圧が印加される。そうすることにより、転動体９１３を介してアウターレース９１１とインナーレース９１２との間により安定した導通を確保することができる。

【0110】

上記動作原理による電力伝送機構９１０が組み込まれたロータリージョイント１５１の具体例が図１４Ｂに示されている。ロータリージョイント１５１は、ハウジング１６０１内に設けられたフレームまたはこれに固定されたブラケット（いずれも図示せず）に固定された下ピース１５１Ｂと、回転テーブル１００またはこれと連動して回転する部材（図示せず）に固定された上ピース１５１Ａとを有する。

【0111】

図１４Ｂに示されたロータリージョイント１５１の構成自体は公知であるが、簡単に説明しておく。すなわち、上ピース１５１Ａの円筒形の中心孔１５２Ａに、下ピース１５１Ｂの円柱形の中心突起１５２Ｂが挿入されている。中心突起１５２Ｂは一対のベアリング１５３を介して上ピース１５１Ａに支承されている。中心孔１５２Ａの内周面に扱うガスの種類に応じた数（図１４ＢではＧＡＳ１およびＧＡＳ２の２つであるがこれには限定されない）の円周溝１５４Ａが形成されている。各円周溝１５４Ａの両脇にガスのリークを防止するためのシールリング１５５Ｓが設けられている。上ピース１５１Ａ内には、複数の円周溝１５４Ａにそれぞれ連通するガス通路１５６Ａが形成されている。各ガス通路１５６Ａの端部がガス出口ポート１５７Ａとなっている。中心突起１５２Ｂの外周面には、複数の円周溝１５４Ａにそれぞれ対応する軸方向位置に複数の円周溝１５４Ｂが設けられている。下ピース１５１Ｂ内には、複数の円周溝１５４Ｂにそれぞれ連通するガス通路１５６Ｂが形成されている。各ガス通路１５６Ｂの端部がガス入口ポート１５７Ｂとなっている。

【0112】

図１４Ｂに示した構成によれば、上ピース１５１Ａと下ピース１５１Ｂとが回転しているときにも、実質的にガスリーク無しに、ガス入口ポート１５７Ｂおよびガス出口ポート１５７Ａとの間でガスを流すことができる。勿論、ガス入口ポート１５７Ｂおよびガス出口ポート１５７Ａとの間で吸引力を伝達することもできる。

【0113】

ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａと下ピース１５１Ｂとの間に、電力伝送機構９１０が組み込まれている。図１４Ｂの例では、アウターレース９１１が下ピース１５１Ｂの円筒形の凹所に嵌め込まれ（例えば圧入され）、上ピース１５１Ａの円柱形の外周面がインナーレース９１２に嵌め込まれている（例えば圧入され）。アウターレース９１１と下ピース１５１Ｂとの間、並びに上ピース１５１Ａとインナーレース９１２との間は、適当な電気的絶縁処理が施されている。アウターレース９１１は電線９１６を介して電源（あるいは給電制御部）９１５に電気的に接続され、インナーレース９１２は電線９１４を介して補助ヒーター９００に電気的に接続されている。なお、図１４Ｂの例では、インナーレース９１２が回転テーブル１００と一体的に回転する回転部材であり、アウターレース９１１は非回転部材である。電源９１５は、図１３に示す給電部３００の一部であってもよい。

【0114】

なお、図１４Ｂに示した構成において、電力伝送機構９１０の転動軸受けを軸方向に多段に設けることにより、多チャンネルの給電を行うことも可能である。この場合、補助ヒーター９００に複数の加熱ゾーンを設けて、各加熱ゾーンに独立した給電を行うことも可能である。

【0115】

次に、第２構成例に係る電力伝送機構９２０について図１４Ｃを参照して説明する。図１４Ｃに示す電力伝送機構９２０は、それ自体公知のスリップリングからなり、多チャンネル給電が可能なように構成されている。スリップリングは、導電体である回転リングおよびブラシから構成されている。スリップリングは固定部９２１および回転部９２２から構成される。固定部９２１は、ハウジング１６０１内に設けられたフレームまたはこれに固定されたブラケット（いずれも図示せず）に固定されている。回転部９２２は、回転テーブル１００またはこれと連動して回転する部材（図示せず）に固定されている。固定部９２１の側周面には、電源あるいは給電制御部（図示せず）に電気的に接続された複数の電線９２３が接続される複数の端子が設けられている。回転部９２２の軸方向端面から、前記複数の端子とそれぞれ導通している複数の電線９２４が延出し、補助ヒーター９００に電気的に接続されている。

【0116】

図１４Ｃの構成例では、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂが、その中心に貫通孔１５８を有する中空部材として構成されている。貫通孔の内部にスリップリングとして構成された電力伝送機構９２０が格納されている。図１４Ｂの構成例と同様に、ロータリージョイント１５１の下ピース１５１Ｂは、ハウジング１６０１内に設けられたフレームまたはこれに固定されたブラケット（いずれも図示せず）に固定されている。また、ロータリージョイント１５１の上ピース１５１Ａは、回転テーブル１００またはこれと連動して回転する部材（図示せず）に固定されている。

【0117】

なお、ホットプレート１４０と支持プレート１７０との間の空間Ｓ内の適当な部位に、電力伝送機構を介して送られてきた電力を多チャンネルに分配する分配器および個々の加熱ゾーンへの給電を制御する制御モジュール（いずれも図示せず）を設置してもよい。そうすることにより、電力伝送機構が単チャンネルに対応するものであったとしても、補助ヒーター９００に複数の加熱ゾーンを設けて、各加熱ゾーンに独立した給電を行うことが可能となる。

【0118】

補助ヒーター９００に給電する給電装置は上記のものには限定されず、所望のレベルの電力の伝送を行いつつ相対回転が許容される送電部と受電部とを有する任意の公知の電力伝送機構を用いたものを採用することができる。

【0119】

電力伝送機構が多チャンネルの電力伝送が可能であるように構成されている場合には、１つまたは複数の伝送チャンネルを制御信号または検出信号を伝送するために用いてもよい。

【0120】

なお、図１３および図１４Ａ～図１４Ｃに示した電力伝送機構が、先に図２および図１１を参照して説明したスイッチ機構１６０を介した主ヒーター１４２への給電機能および制御／検出信号の伝送機能の全部または一部を受け持ってもよい。この場合、スイッチ機構１６０を完全に廃止してもよいし、スイッチ機構１６０の構成を一部省略することもできる。

【0121】

図１３に示す処理ユニット１６の動作は、補助ヒーター９００への通電以外の点については、先に説明した図２の処理ユニット１６の動作と同じとすることができる。

【0122】

一実施形態において、補助ヒーター９００には常時通電される。一実施形態においては、スイッチ機構１６０を介してヒーター（主ヒーター）１４２に供給される電力の方が、図１４Ａ～図１４Ｃに示した電力伝送機構９１０，９２０および図１３に示した電力伝送機構（９０２，９０３）を介して補助ヒーター９００に供給される電力よりも大きい。つまり、補助ヒーター９００の主たる役割は、ヒーター１４２による加熱が不可能な状況下において、ホットプレート１４０の温度低下を防止することである。しかしながら、補助ヒーター９００の発熱量がヒーター１４２の発熱量と概ね同レベルであってもよい。

【0123】

なお、一実施形態において、処理ユニット１６（基板処理システム１）の稼働中は、補助ヒーター９００への供給電力は一定に維持され、ウエハＷの温度制御はヒーター１４２への供給電力を調節することにより行われる。しかしながら、補助ヒーター９００への供給電力を調節することにより、補助ヒーター９００をウエハＷの温度制御に関与させてもよい。

【0124】

なお、上記実施形態では、独立した給電系統によりそれぞれ給電されるヒーター（主ヒーター）１４２すなわち第１ヒーター要素、および補助ヒーター９００すなわち第２ヒーター要素を設けたが、これには限定されない。例えば、補助ヒーター９００を設けずに、主ヒーター１４２に対して上述したスイッチ機構１６０を含む第１の給電系統と、上述した電力伝送機構９１０，９２０および電力伝送機構（９０２，９０３）を含む第２の給電系統により電力供給ができるように構成してもよい。

【0125】

以下に図１５および図１６を参照してヒーターの温度制御に関与する要素間の関係の例について説明する。

【0126】

まず、図１５の例について説明する。図１５の例では、前述した接離動作をするスイッチ機構１６０および常時電力伝送可能な電力伝送機構９１０（９２０でもよい）を用いて電力および制御信号（あるいは検出信号）が伝送される。

【0127】

スイッチ機構１６０の制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣおよび第２電極１６４ＢＣを介して、給電部３００（図１３も参照）に内蔵された温度制御部ＴＲ１にＮ個（例えば加熱ゾーンの数と同数の１０個）の温度センサ１４６（例えば熱電対ＴＣ１）の検出信号が送られる。なおこの場合、給電部３００は前述した電源９１５を包含する。

【0128】

温度制御部（レギュレータ）ＴＲ１は、受信した温度センサＴＣ１の検出信号に基づいて、ヒーター１４２の各ヒーター要素１４２Ｅに供給すべき電力を算出する。温度制御部ＴＲ１は、算出した電力に相当する電力を、スイッチ機構１６０のヒーター給電用の第１電極１６４ＡＰおよび第２電極１６４ＢＣを介して、ヒーター要素１４２Ｅに供給する。

【0129】

Ｍ個（例えば３個の）サーモスイッチ１４７のいずれかによりホットプレート１４０の異常昇温が検出されたら、その検出結果が電力伝送機構９１０の１つ以上の伝送チャンネルを用いてインターロック制御部（Ｉ／Ｌ）に伝送される。インターロック制御部（Ｉ／Ｌ）は、温度制御部ＴＲ１にヒーター１４２への給電を停止させる。

【0130】

ホットプレート１４０に設けられた熱電対等の温度センサＴＣ２（これは図１５以外には図示されていない）の検出信号が、電力伝送機構９１０の１つ以上の伝送チャンネルを用いて給電部３００に内蔵された温度制御部（レギュレータ）ＴＲ２に送られる。温度制御部ＴＲ２は受信した温度センサＴＣ２の検出信号に基づいて、補助ヒーター９００に供給すべき電力を算出する。温度制御部ＴＲ２は、算出した電力に相当する電力を電力伝送機構９１０を介して補助ヒーター９００に供給する。なお、前述したように、補助ヒーター９００に一定の電力を供給してもよい。

【0131】

次に、図１６の例について説明する。図１６の例では、前述した接離動作をするスイッチ機構１６０および非接触式の電力伝送機構（９０２，９０３）を用いて電力供給および制御信号（あるいは検出信号）が伝送される。以下、図１５の例との相違点のみ述べる。

【0132】

図１６の例では、サーモスイッチ１４７からの異常昇温の検出信号は、スイッチ機構１６０の制御信号通信用の第１電極１６４ＡＣおよび第２電極１６４ＢＣを介して、給電部３００に内蔵された温度制御部ＴＲ１に送られる。また、図１６の例では、ホットプレート１４０に設けられた熱電対等の温度センサＴＣ２に代えて、赤外線温度計８７０により、ウエハＷまたは吸着プレート１２０（ウエハＷが無い場合）の表面の温度が検出される。そして、この検出結果に基づいて温度制御部ＴＲ２が電力伝送機構９１０を介して補助ヒーター９００に電力を供給する。

【0133】

なお、図１５および図１６には図示していないが、アースを取ることが必要な場合は、スイッチ機構１６０または電力伝送機構９１０（９２０でもよい）の１つの伝送チャンネルを用いることができる。

【0134】

図１７に概略的に示されるように、処理ユニット１６内にさらにウエハＷと概ね同じ直径を有する円板形状のトッププレート９５０を設けてもよい。トッププレート９５０にはヒーター９５２が内蔵されていてもよい。トッププレート９５０は、プレート移動機構９６０により、回転テーブル１００に保持されたウエハに近接するカバー位置（図１７に示す位置）と、ウエハＷから十分に離れた待機位置（例えばノズルアーム７０４をウエハＷの上方に位置させることを可能とする位置）との間を移動することができる。待機位置は、回転テーブル１００の真上の位置であってもよいし、平面視で液受けカップ８００の外側の位置であってもよい。

【0135】

トッププレート９５０を設けた場合には、前述した薬液処理工程を実行しているときに、トッププレート９５０がカバー位置に位置する。つまり、ウエハＷを覆う薬液（ＣＨＭ）のパドルの液面の近傍にトッププレート９５０が配置される。この場合、トッププレート９５０により薬液成分の飛散による処理ユニット１６内の汚染を抑制することができる。

【0136】

トッププレート９５０がヒーター９５２を有している場合には、トッププレート９５０は、ウエハＷおよびウエハＷ上の薬液を保温する役割も果たす。また、ヒーター９５２によりトッププレート９５０の下面が加熱されているため、ウエハＷ上で加熱され薬液から生じた蒸気（水蒸気）がトッププレート９５０の下面上で結露しない。このため、薬液の液膜の表面とトッププレート９５０の下面との間の空間（隙間）の蒸気圧が維持されるため、薬液の蒸発が抑制され、薬液の濃度を所望の範囲内に維持することができる。また、薬液の消費量の増大を防止することができる。さらに、トッププレート９５０の下面が汚れることを防止することもできる。なお、トッププレート９５０のヒーター９５２の設定温度は、回転チャックの設定温度ほど高くなくてもよく、トッププレート９５０の下面で結露が生じない程度の温度でよい。この効果は、薬液がウエットエッチング用薬液または洗浄用薬液である場合にも、メッキ（無電解メッキ）用の薬液（メッキ液）である場合にも得られる。

【0137】

トッププレート９５０に、トッププレート９５０の下方の空間に不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ_２ガス）を供給するガスノズル９８０を設けてもよい。ガスノズル９８０から供給される不活性ガスにより、ウエハＷの上面とトッププレート９５０の下面との間の空間の酸素濃度を低下させることができるため、酸化性雰囲気を嫌う様々な処理に有益である。例えば、無電解メッキ処理の場合、メッキ液の酸化を防止することはメッキ膜の品質向上のため有益である。

【0138】

トッププレート９５０の下面外周縁から下方に突出する円周壁を設けてもよい。このような円周壁によりウエハＷの上面とトッププレート９５０の下面との間の空間が囲まれることにより、ノズル９８０から供給される不活性ガスによる雰囲気制御を効率良く行うことができる。

【0139】

先にも簡単に述べたが、上述した処理ユニット１６（図２または図１３に示したもの）を用いて、液処理として、メッキ処理（特に無電解メッキ処理）を行うことができる。これについて以下に詳細に説明する。

【0140】

まず、処理ユニット１６でメッキ処理を行う場合には、先に図１７を参照して説明したトッププレート９５０が処理ユニット１６に設置される。また、ノズルアーム７０４には、先に説明したノズル７０１～７０３と同様な構成を有する４つのノズルが設けられる。４つのノズルには、先に説明した供給源７０１Ａ～７０３Ａと同様の液供給源から、先に説明した流れ制御機器を含む液供給機構７０１Ｂ～７０３Ｂと同様の構成を有する液供給機構が設けられた配管を介して、４種類の処理液がそれぞれ供給される。一実施形態において、４種類の処理液は、プリクリーン液、メッキ液（無電解メッキ用のメッキ液）、ポストクリーン液およびリンス液である。

【0141】

以下、メッキ処理の各工程について説明する。以下の説明にあたっては図１８の模式図も参照する。図１８の模式図においてＬは処理液（上記の４種類の処理液のいずれか）であり、Ｎは上記の４つのノズルのいずれかを意味している。

【0142】

［ウエハＷ搬入工程（保持工程）］
まず、ウエハＷ搬入工程（保持工程）が行われる。この工程は、薬液洗浄処理におけるウエハＷ搬入工程（保持工程）と同一であり、重複説明は省略する。このとき、図１８（Ａ）の模式図に示すように、第１電極部１６１Ｂと第２電極部１６１Ｂとが離れており、給電部３００からヒーター１４２への給電は停止されている。

【0143】

［プリクリーン工程］
次に、ウエハＷを保持した回転テーブル１００を回転させながら、プリクリーン液供給用のノズルからウエハＷの表面の中央部にプリクリーン液を供給することにより行われる。ウエハＷ上に供給されたプリクリーン液は、遠心力によりウエハＷの周縁部に向けて広がりながら流れてゆき、ウエハＷの周縁から外方に流出する。このとき、ウエハＷの表面はプリクリーン液の薄い液膜に覆われる。プリクリーン工程により、ウエハＷの表面がメッキ処理に適した状態になる。このとき、引き続き、第１電極部１６１Ｂと第２電極部１６１Ｂとが離れており、給電部３００からヒーター１４２への給電は停止されている。このときの状態が図１８（Ｂ）の模式図に示されている。ウエハＷの周縁から外方に流出した処理液Ｌ（プリクリーン液）は、周縁カバー体１８０の上部１８１の傾斜した内周面１８５に沿って回転テーブル１００の外方に飛散する。

【0144】

［第１リンス工程］
次に、回転テーブル１００を回転させたままで、プリクリーン液の供給を停止するとともにリンス液供給用のノズルから回転テーブルに保持されたウエハＷの表面の中央部にリンス液（例えばＤＩＷ）を供給する。ウエハＷ上に供給されたリンス液により、ウエハＷ上に残留していたプリクリーン液および反応副生成物が洗い流される。このときも、引き続き、第１電極部１６１Ｂと第２電極部１６１Ｂとが離れており、給電部３００からヒーター１４２への給電は停止されている。このときの状態も、図１８（Ｂ）と同じである（但し、処理液Ｌはリンス液である）。

【0145】

［メッキ液置換工程］
次に、回転テーブル１００を回転させたままで、リンス液の供給を停止するとともにメッキ液供給用のノズルから回転テーブルに保持されたウエハＷの表面の中央部にメッキ液を供給する。これによりウエハＷ上に残留していたリンス液がメッキ液により置換される。このときの状態も、図１８（Ｂ）と同じである（但し、処理液Ｌはメッキ液である）。

【0146】

なお、ウエハＷの表面へのメッキ液の供給が開始されるまでに、ハウジング１６０１内に不活性ガス（例えば窒素ガス）を供給して、ハウジング１６０１内の酸素濃度を低下させておくことが好ましい。ハウジング１６０１の天井部に設けられたＦＦＵ（ファンフィルタユニット）に、ハウジング１６０１内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部としての機能を持たせることができる。この場合、ＦＦＵには、クリーンエアを供給する機能と不活性ガスを供給する機能が設けられる。これに代えて、ＦＦＵとは別に、ハウジング１６０１内に不活性ガス供給を供給するノズル等からなる不活性ガス供給部を設けてもよい。メッキ液の酸化を抑制することにより、メッキ膜の品質を向上させることができる。

【0147】

［ウエハ加熱工程］
リンス液がメッキ液に置換されたら、メッキ液の供給を継続したまま、ウエハＷの回転を停止する。次に、第２電極部１６１Ｂを上昇位置に移動させ、第１電極部１６１Ａの複数の第１電極１６４Ａと、第２電極部１６１Ｂの複数の第２電極１６４Ｂとを互いに接触させ、次いで、ホットプレート１４０のヒーター１４２への電力供給を開始する。このとき、ホットプレート１４０の温度が予め定められた温度（吸着プレート１２０上のウエハＷがその後のメッキ処理に適した温度に加熱されるような温度）まで昇温するように、ホットプレート１４０のヒーター１４２への供給電力を調節する。

【0148】

［メッキ処理工程（パドル形成工程及び撹拌工程を含む）］
ウエハ加熱工程の後に、あるいはウエハ加熱工程と並行して、ウエハＷの表面にメッキ液のパドル（液溜まり）が形成される。リンス液がメッキ液に置換された後に、メッキ液の供給を継続したまま、ウエハＷの回転を停止させると、ウエハＷの表面に形成されたメッキ液の液膜が厚くなってゆく。このときの状態が、図１８（Ｃ）に示されている（但し、処理液Ｌはメッキ液である）。メッキ液の供給は、例えば、メッキ液の液膜表面の高さが周縁カバー体１８０の上部１８１の高さよりやや低い高さ位置になるまで続けられ、その後、メッキ液の供給が停止される。周縁カバー体１８０の上部１８１は堰として作用し、メッキ液が回転テーブル１００の外側にこぼれ落ちることを防止する。

【0149】

所望の厚さのメッキ液のパドルが形成されたら、メッキ液供給用のノズルおよび当該ノズルを保持しているノズルアーム（例えば図２、図１３に示すノズルアーム７０４）をウエハＷの上方から退避させる。次いで、図１７および図１８（Ｄ）に示すように、トッププレート９５０をカバー位置に位置させる。すなわち、トッププレート９５０をウエハＷの表面に形成されたメッキ液の液膜の表面に近接させる。また、トッププレート９５０に内蔵されたヒーター９５２に通電し、少なくともトッププレート９５０の下面を加熱する。

【0150】

このときトッププレート９５０は、先に述べたように、ウエハＷおよびウエハＷ上のメッキ液の保温、ウエハＷ上のメッキ液の周囲の雰囲気制御、およびウエハＷ上のメッキ液の濃度維持等の役割などを果たす。

【0151】

好ましくは、トッププレート９５０がカバー位置に位置している間、トッププレート９５０に設けられたガスノズル９８０から、不活性ガス例えば窒素ガスを、ウエハＷ上のメッキ液の液膜の表面とトッププレート９５０の下面との間の空間に供給し、当該空間を低酸素濃度雰囲気とする。これにより、メッキ液の酸化による劣化が防止され、メッキ膜の品質が向上する。

【0152】

メッキ液の供給中、あるいはメッキ液の供給後に、回転テーブル１００が低速で交互に正転及び逆転（例えば１８０度程度ずつ）させることが好ましい。これにより、メッキ液が撹拌され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面とメッキ液との反応を均一化することができる。前述したように、第１電極部１６１Ｂと第２電極部１６１Ｂとを接触させたまま、回転テーブル１００を概ね±１８０度回転させることができる。

【0153】

メッキ処理工程中、第１電極部１６１Ａと第２電極部１６１Ｂとは互いに接触し続ける。先に説明した薬液処理工程と同様に、メッキ処理工程中においても、ヒーター１４２への供給電力の制御を、ホットプレート１４０に設けられた温度センサ１４６の検出値に基づいて行うことができる。これに代えて、ヒーター１４２への供給電力の制御を、ウエハＷの表面温度を検出する赤外線温度計８７０の検出値に基づいて行ってもよい。赤外線温度計８７０の検出値を用いた方が、より精確にウエハＷの温度を制御することができる。ヒーター１４２への供給電力の制御を、メッキ処理工程の前期に温度センサ１４６の検出値に基づいて行い、後期に赤外線温度計８７０の検出値に基づいて行ってもよい。

【0154】

先に説明した薬液処理工程と同様に、メッキ処理工程においても、ウエハＷの周縁部領域（図３の加熱ゾーン１４３－１～１４３－４）の加熱を受け持つヒーター要素１４２Ｅへの供給電力を増大させてもよい。これにより、ウエハＷ面内におけるウエハＷの温度が均一化され、ウエハＷ面内におけるウエハＷ表面とメッキ液との反応を均一化することができる。

【0155】

所望のメッキ膜が形成されたら、トッププレート９５０を退避位置に移動させ、また、給電部３００からヒーター１４２への電力供給を停止する。次いで、第２電極部１６１Ｂを下降位置に移動させ、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとを互いに分離する。

【0156】

［第２リンス工程］
次に、ウエハＷを保持した回転テーブル１００を回転させ、リンス液供給用のノズルから、回転テーブルに保持されたウエハＷの表面の中央部にリンス液（例えばＤＩＷ）を供給する。ウエハＷ上に供給されたリンス液により、ウエハＷ上に残留していたメッキ液および反応副生成物が洗い流される。このとき、引き続き第１電極部１６１Ｂと第２電極部１６１Ｂとが離れており、給電部３００からヒーター１４２への給電は引き続き停止されている。このときの状態は、図１８（Ｂ）と同じである（但し、処理液Ｌはリンス液である）。

【0157】

［ポストクリーン工程］
次に、引き続き回転テーブル１００を回転させながら、ポストクリーン液供給用のノズルからウエハＷの表面の中央部にポストクリーン液を供給する。ウエハＷ上に供給されたポストクリーン液により、ウエハＷ上に残留していた反応副生成物がさらに洗い流される。このとき、給電部３００からヒーター１４２への給電は引き続き停止されている。ヒーター１４２への給電を停止していることにより、低濃度アルカリ液であるポストクリーン液の温度が上昇した場合に生じ得るメッキ膜のエッチングを防止することができる。このときの状態は、図１８（Ｂ）と同じである（但し、処理液Ｌはポストクリーン液である）。

【0158】

［第３リンス工程］
次に、引き続き回転テーブル１００を回転させながら、リンス液供給用のノズルから、回転テーブルに保持されたウエハＷの表面の中央部にリンス液（例えばＤＩＷ）を供給する。ウエハＷ上に供給されたリンス液により、ウエハＷ上に残留していたポストクリーン液および反応副生成物が洗い流される。このとき、給電部３００からヒーター１４２への給電は引き続き停止されている。このときの状態は、図１８（Ｂ）と同じである（但し、処理液Ｌはリンス液である）。

【0159】

［振り切り乾燥工程］
次に、回転テーブル１００を高速回転にし、リンス液供給用のノズルからのリンス液の吐出を停止し、上部１８１よりも半径方向内側の領域に存在する全てのリンス液（ウエハＷ上に残留しているリンス液も含む）を、遠心力により外方に飛散させる。これにより、ウエハＷが乾燥する。このとき、給電部３００からヒーター１４２への給電は引き続き停止されている。

【0160】

薬液洗浄処理と同様に、振り切り乾燥工程の後に、ウエハＷを加熱する加熱乾燥を行ってもよい。

【0161】

［ウエハ搬出工程］
次に、薬液洗浄処理におけるウエハ搬出工程と同様の手順に従いウエハ搬出工程が実行される。このとき、給電部３００からヒーター１４２への給電は引き続き停止されている。

【0162】

以上により１枚のウエハＷに対するメッキ処理の一連の工程が終了する。

【0163】

上記のメッキ処理を行う場合も、先に説明した薬液処理を行う場合と同様の利点が得られる。

【0164】

第１リンス工程の後、メッキ液置換工程の前に、ウエハＷにメッキ膜の析出の触媒となるパラジウムを付与するパラジウム付与工程を実行してもよい。このパラジウム付与工程を行うために、パラジウム触媒液をウエハＷに供給するためのノズルと、当該ノズルにパラジウム触媒液の供給源からパラジウム触媒液を供給するための流れ制御機器を含む液供給機構が設けられる（いずれも図示せず）。パラジウム付与工程の後、メッキ液置換工程の前に、別のリンスを行うことができる。

【0165】

ポストクリーン工程を開始する前に、回転テーブル１００を冷却する冷却工程を実施してもよい。回転テーブル１００の冷却は、例えば以下の手順により実施することができる。まず、回転テーブル１００の吸着プレート１２０によるウエハＷの吸着を解除する。次に、リフトピン２１１によりウエハＷを持ち上げ、ウエハＷを吸着プレート１２０から離す。次に、基板用吸引口１４４Ｗに吸引力を作用させ、吸着プレート１２０の上面近傍の雰囲気を吸引する。なおこのとき、工場用力としての吸引ライン（工場排気系）を用いないで、エゼクタを用いて吸引を行い、排気を有機排気ラインに排気することが好ましい。

【0166】

概ね常温の気体（クリーンエアまたは窒素ガス）が基板用吸引口１４４Ｗに流入する際に、その気体により熱を奪われることにより、吸着プレート１２０およびこれに接するプレート（例えばホットプレート１４０）が冷却される。吸着プレート１２０が所望の温度まで冷却されたら、ウエハＷを持ち上げているリフトピン２１１を下降させ、ウエハＷを吸着プレート１２０上に載置する。次いで、基板用吸引口１４４Ｗに吸引力を作用させ、ウエハＷを吸着プレート１２０に吸着する。

【0167】

上記の冷却工程により吸着プレート１２０が冷却される。また、冷却工程中に吸着プレート１２０から離れているウエハＷの温度も低下する。ポストクリーン液が高温のウエハＷ（つまりメッキ膜）に接触すると、メッキ膜が問題となる程度にエッチングされてしまうおそれがある。しかしながら、上記冷却工程を実施することにより、メッキ膜のエッチングの問題を防止することができる。

【0168】

図１３に示した処理ユニットを使用する場合、前述した全ての工程、すなわちウエハＷ搬入工程（保持工程）、ウエハ加熱工程、薬液処理工程（パドル形成工程及び撹拌工程を含む）、薬液振り切り工程（薬液除去工程）、リンス工程、振り切り乾燥工程、およびウエハ搬出工程が実行されている間に、補助ヒーター９００に連続的に電力を供給することができる。この場合、スイッチ機構１６０の第１電極部１６１Ａの第１電極１６４Ａと第２電極部１６１Ｂの第２電極１６４Ｂとが接触しヒーター（主ヒーター）１４２に通電されている期間（接触期間）内と、第１電極１６４Ａと第２電極１６４Ｂとが離れている期間（離間期間）内とで異なる制御を行ってもよい。

【0169】

具体的には例えば、接触期間内には、回転テーブル１００のホットプレート１４０の温度制御をヒーター１４２への供給電力を制御することにより行い、補助ヒーター９００には一定の電力を供給し続けてもよい。なお、離間期間内は、ホットプレート１４０の温度制御は、補助ヒーター９００への供給電力を制御することにより行われる。

【0170】

接触期間内には、回転テーブル１００のホットプレート１４０の温度制御をヒーター１４２への供給電力の制御および補助ヒーター９００への供給電力の制御の両方により行ってもよい。

【0171】

別の実施形態において、接触期間内には、補助ヒーター９００に電力を供給せずに、ホットプレート１４０の温度制御をヒーター１４２への供給電力を制御することのみにより行ってもよい。

【0172】

離間期間内におけるホットプレート１４０の温度は、薬液処理工程時（これは接触期間内の一部である）のホットプレート１４０の温度と異なっていてもよく、例えば低くてもよい。

【0173】

離間期間内には、自然放熱により、あるいは常温の処理液により冷却されることにより、ホットプレート１４０（およびその上の吸着プレート１２０）の温度が低下してゆく。メッキ処理工程を行うときに、温度低下したホットプレート１４０および吸着プレート１２０を再度所望の温度まで昇温させるためにある程度長い時間が必要となる。このことは処理のスループットを低下させる要因となる。離間期間内に補助ヒーター９００に電力を供給してホットプレート１４０を保温しておくことにより、ホットプレート１４０および吸着プレート１２０を再度所望の温度まで昇温させるために必要な時間を短縮することができる。

【0174】

なお、前述したように、ポストクリーン工程を実施するときにホットプレート１４０および吸着プレート１２０の温度が高いことは好ましくないため、ポストクリーン工程の終了後に補助ヒーター９００への電力供給を開始することも好ましい。

【0175】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0176】

処理対象の基板は半導体ウエハに限定されるものでなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置の製造に用いられる他の種類の基板であってもよい。

【符号の説明】

【0177】

Ｗ基板
１００回転テーブル
１０２回転駆動機構
１４２電気ヒーター
１６４ＡＰ（１６４Ａ）受電電極
１６４ＢＰ（１６４Ｂ）給電電極
１６２電極移動機構
３００給電部
８００処理カップ
７０１，７０２，７０３処理液ノズル
７０１Ｂ，７０２Ｂ，７０３Ｂ処理液供給機構
４，１８制御部

【図1】