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技術分野

光学素子の作製方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ビームスプリッタなどの光学素子を構成するために、吸収のない接合方法が必要とされている。理想的には、この方法を用いて、光学接着接合で見られることが多い散乱損失も吸収損失も示さない光学素子を構成でき、この方法を、熱に敏感な材料および多孔性薄膜と共に使用しうるだろう。更に、この方法によって構成された素子は、現在利用できる技術より耐久性が高いものとなるだろう。本発明は、これらの要求に取り組むものである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

化学接着剤を必要としない光学素子の構成方法を記載する。方法は、以下の工程を含む：第１の表面を有する第１の光学基体、および、第２の表面を有する第２の光学基体を取得する工程と、第１の光学基体の第１の表面に、または、第２の光学基体の第２の表面に、または、両方に、水を塗布する工程と、第１の光学基体の第１の表面を、第２の光学基体の第２の表面に隣接させて、第１の光学基体を第２の光学基体に固定する工程と、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本明細書に記載の処理を示す概略図である。
【図2】 ＳｉＯ２－ＳｉＯ２界面での化学結合を示す概略図である。
【図3】 ＣａＦ２－ＣａＦ２界面での化学結合を示す概略図である。
【図4】 ＳｉＯ２－ＣａＦ２界面での化学結合を示す概略図である。
【図5】 ＣａＦ２表面上の、Ｆ－ＳｉＯ２で封止された薄膜積層部（ＧｄＦ３／ＡｌＦ３）の断面の走査電子顕微鏡画像（ＳＥＭ）を示す。
【図6】 本明細書に記載の処理を用いた２つのＳｉＯ２基体の化学接合を示す写真を示す。
【図7】 本明細書に記載の処理を用いた２つのＣａＦ２基体の化学接合を示す写真を示す。
【図8】 厚さが、各々、３．３ｍｍ、３．１ｍｍ、および、３．３ｍｍの、市販の溶融シリカＨＰＦＳ（登録商標）８６５５、８６５０、および、７９８０（コーニング社）のＶＵＶおよびＤＵＶスペクトル透過率を示す。
【図9A】 １９３ｎｍにおける、ＣａＦ２系５０％：５０％無偏光キューブビームスプリッタの透過および反射スペクトルを示す。
【図9B】 １９３ｎｍにおける、ＳｉＯ２系５０％：５０％無偏光キューブビームスプリッタの透過および反射スペクトルを示す。

代表図 図1本件の代表的な図

１００ 水の層 １１０ 第１の光学基体 １１５ 第１の表面 １２０ 第２の光学基体 １２５ 第２の表面 １３０、１４０ 固定装置 １５０ 前段階光学素子 ２１０、２２０、３１０、３２０、４１０、４２０ 光学基体

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