特許 7197057 伝送線路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-19

(45)【発行日】2022-12-27

(54)【発明の名称】伝送線路

(51)【国際特許分類】

   H01P 3/08 20060101AFI20221220BHJP

   H01P 5/02 20060101ALI20221220BHJP

   H01P 5/08 20060101ALI20221220BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20221220BHJP

【ＦＩ】

H01P3/08 200

H01P5/02 603C

H01P5/08 Z

H05K1/02 P

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2022521921

(86)(22)【出願日】2021-05-11

(86)【国際出願番号】 JP2021017809

(87)【国際公開番号】W WO2021230224

(87)【国際公開日】2021-11-18

【審査請求日】2022-10-24

(31)【優先権主張番号】P 2020085754

(32)【優先日】2020-05-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松田 賢二

(72)【発明者】

【氏名】橋本 卓哉

【審査官】岸田 伸太郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－２８７９１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１４／０５０２３８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／１８９０５０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００２－１８４８９８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｐ ３／０８

Ｈ０１Ｐ ５／０２

Ｈ０１Ｐ ５／０８

Ｈ０５Ｋ １／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の絶縁体層を有する基板と、
前記基板の表層に形成された実装電極と、
前記基板内に形成された信号導体と、
前記基板に形成され、前記複数の絶縁体層の積層方向から見て前記信号導体に重なる第１グランド導体と、
前記実装電極と前記信号導体を電気的に接続し、前記積層方向において前記信号導体と前記第１グランド導体の間に配置された第１接続電極と、
前記実装電極と前記第１接続電極の間に電気的に接続され、前記第１接続電極に接合された第１層間接続導体と、
前記信号導体と前記第１接続電極の間に電気的に接続され、前記第１接続電極に接合され、前記積層方向から見て前記第１層間接続導体に重ならない第２層間接続導体と、を備え、
前記第１グランド導体は、前記積層方向から見て、前記第１接続電極の少なくとも一部に重ならない、伝送線路。

【請求項2】

前記第１グランド導体は、前記積層方向から見て、前記第１接続電極に重ならない、請求項１に記載の伝送線路。

【請求項3】

前記基板に形成され、前記積層方向から見て前記第１接続電極に重なる第２グランド導体を備え、
前記信号導体及び前記第１接続電極は、前記積層方向において、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体の間に配置され、
前記積層方向における前記第１接続電極と前記第２グランド導体の間の距離は、前記積層方向における前記第１接続電極と前記第１グランド導体の間の距離以上であり、
前記第１接続電極の最小幅は前記信号導体の最小幅より大きい、請求項２に記載の伝送線路。

【請求項4】

前記基板に形成され、前記積層方向から見て前記第１接続電極及び前記実装電極に重なる第２グランド導体を備え、
前記信号導体及び前記第１接続電極は、前記積層方向において、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体の間、かつ前記実装電極と前記第２グランド導体の間に配置され、
前記積層方向における前記第１接続電極と前記第２グランド導体の間の距離は、前記積層方向における前記第１接続電極と前記第１グランド導体の間の距離以上であり、
前記第１接続電極の最大幅は前記実装電極の最小幅より小さい、請求項２又は３に記載の伝送線路。

【請求項5】

前記第１接続電極は、前記積層方向から見て、前記第１グランド導体に重なる第１部分と、前記第１グランド導体に重ならない第２部分とを有し、
前記第１部分の最小幅は前記第２部分の最大幅より小さい、請求項１に記載の伝送線路。

【請求項6】

前記第１部分の最小幅は前記第２部分の最小幅より小さい、請求項５に記載の伝送線路。

【請求項7】

前記第１接続電極は、前記積層方向から見て、前記第１グランド導体に重なる第１部分と、前記第１グランド導体に重ならない第２部分とを有し、
前記第１部分の面積は前記第２部分の面積より小さい、請求項１に記載の伝送線路。

【請求項8】

前記第１接続電極の最小幅は前記信号導体の最小幅より小さい、請求項５から７の何れかに記載の伝送線路。

【請求項9】

前記基板に形成され、前記積層方向から見て前記第１接続電極に重なる第２グランド導体と、
前記第１グランド導体と前記第２グランド導体を電気的に接続する第２接続電極と、を備え、
前記信号導体、前記第１接続電極、及び前記第２接続電極は、前記積層方向において、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体の間に配置され、
前記積層方向における前記第１接続電極と前記第２グランド導体の間の距離は、前記積層方向における前記第１接続電極と前記第１グランド導体の間の距離以上であり、
前記第１接続電極と前記第２接続電極は、前記積層方向から見て、重ならない、請求項１から８の何れかに記載の伝送線路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に構成された伝送線路に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の伝送線路として、例えば、特許文献１に記載の信号伝送線路がある。この信号伝送線路は、積層絶縁体、信号導体パターン、及び２つのグランド導体パターンを備える。積層絶縁体は積層された複数の絶縁体層で構成される。信号導体パターン及びグランド導体パターンは積層絶縁体に形成される。信号導体パターンはグランド導体パターンの間に配置される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際公開第２０１６／１６３４３６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の信号伝送線路では、電子部品が実装される実装電極の下方で層間接続導体が直列に配置されているため、実装電極の平坦性が損なわれる虞がある。実装電極における良好な接続のためには、実装電極が高い平坦性を有することが好ましい。しかし、実装電極の平坦性を保つために、導体パターンを用いると、今度は特性インピーダンスがずれる虞がある。

【0005】

本発明の目的は、実装電極の平坦性を保つことと、特性インピーダンスのずれを抑制することを可能にする伝送線路を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の伝送線路は、複数の絶縁体層を有する基板と、前記基板の表層に形成された実装電極と、前記基板内に形成された信号導体と、前記基板に形成され、前記複数の絶縁体層の積層方向から見て前記信号導体に重なる第１グランド導体と、前記実装電極と前記信号導体を電気的に接続し、前記積層方向において前記信号導体と前記第１グランド導体の間に配置された第１接続電極と、前記実装電極と前記第１接続電極の間に電気的に接続され、前記第１接続電極に接合された第１層間接続導体と、前記信号導体と前記第１接続電極の間に電気的に接続され、前記第１接続電極に接合され、前記積層方向から見て前記第１層間接続導体に重ならない第２層間接続導体と、を備え、前記第１グランド導体は、前記積層方向から見て、前記第１接続電極の少なくとも一部に重ならない。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、実装電極の平坦性を保ち、伝送線路の特性インピーダンスのずれを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は本発明の第１の実施形態に係る伝送線路１０の平面図である。

【図2】図２は伝送線路１０のＡ－Ａ断面図である。

【図3】図３は伝送線路１０の要部の平面図である。

【図4】図４は第１の実施形態に係る第１接続電極１７１の平面図である。

【図5】図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）、及び図５（Ｅ）は、第１の実施形態の変形例に係る第１接続電極１７１の平面図である。

【図6】図６は第１の実施形態のさらに別の変形例に係る伝送線路３０の要部の平面図である。

【図7】図７は第１の実施形態のさらに別の変形例に係る伝送線路４０の要部の平面図である。

【図8】図８は、実装電極４２、信号導体４３、及び第１接続電極４７１の平面図である。

【図9】図９は本発明の第２の実施形態に係る伝送線路７０の断面図である。

【図10】図１０は伝送線路７０の要部の平面図である。

【図11】図１１は第１接続電極７７１の平面図である。

【図12】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は第２の実施形態の変形例に係る第１接続電極８７１，９７１の平面図である。

【図13】他の実施形態に係る伝送線路の断面図である。

【図14】他の実施形態に係る伝送線路の断面図である。

【図15】他の実施形態に係る伝送線路の断面図である。

【図16】他の実施形態に係る伝送線路の断面図である。

【図17】他の実施形態に係る伝送線路の断面図である。

【図18】他の実施形態に係る伝送線路の一部を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以降、本発明を実施するための複数の形態を示す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。各々の実施形態では、その実施形態以前に説明した点と異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

【0010】

《第１の実施形態》
図１は本発明の第１の実施形態に係る伝送線路１０の平面図である。図２は伝送線路１０のＡ－Ａ断面図である。図３は伝送線路１０の要部の平面図である。図３では、レジスト膜１９１の図示を省略している。

【0011】

伝送線路１０は、平面形状を有し、一方向に延伸している。伝送線路１０は、基板１１、実装電極１２、信号導体１３、グランド導体１４１，１４２、層間接続導体１６、及び接続電極１７を備える。接続電極１７は第１接続電極１７１及び第２接続電極１７２，１７３を含む。層間接続導体１６は、第１層間接続導体１６１、第２層間接続導体１６２、及び層間接続導体１６３，１６４，１６５を含む。グランド導体１４１は本発明の「第１グランド導体」の一例である。グランド導体１４２は本発明の「第２グランド導体」の一例である。基板１１の第１主面Ｓ１には電子部品２０が実装されている。電子部品２０は、整列した接続端子（信号端子）２１及び接続端子（グランド端子）２２を有する。

【0012】

伝送線路１０は、実装電極１２と信号導体１３を接続する接続部１５１、及びグランド導体１４１とグランド導体１４２とを接続する接続部１５２を備える。接続部１５１は、第１層間接続導体１６１、第２層間接続導体１６２、及び第１接続電極１７１を有する。接続部１５２は層間接続導体１６３，１６４，１６５及び第２接続電極１７２，１７３を有する。伝送線路１０は、接続部１５１が設けられた第１領域Ｚ１、及び信号導体１３が設けられた第２領域Ｚ２を有する。

【0013】

基板１１は積層された複数の絶縁体層１１１，１１２，１１３，１１４で構成される。実装電極１２は基板１１の表層に形成される。信号導体１３は基板１１内に形成される。グランド導体１４１は、基板１１に形成され、複数の絶縁体層１１１～１１４の積層方向（以後、単に積層方向と称する）から見て（平面視で）信号導体１３に重なる。グランド導体１４２は、基板１１に形成され、平面視で、実装電極１２、信号導体１３、及び第１接続電極１７１に重なる。信号導体１３、第１接続電極１７１、及び第２接続電極１７２，１７３は、積層方向において、グランド導体１４１とグランド導体１４２の間に配置される。

【0014】

信号導体１３はそれぞれの信号線路に対して定義される。信号導体１３は、同一層内にある連続した（分離していない）導体パターンであり、信号線路を構成して信号を伝達する導体パターンのうち最も大きい面積を有するものである。

【0015】

第１接続電極１７１は、実装電極１２と信号導体１３を電気的に接続し、積層方向において信号導体１３とグランド導体１４１の間に配置される。積層方向における第１接続電極１７１とグランド導体１４２の間の距離は、積層方向における第１接続電極１７１とグランド導体１４１の間の距離以上である。第１層間接続導体１６１は、実装電極１２と第１接続電極１７１の間に電気的に接続され、第１接続電極１７１に接合される。第２層間接続導体１６２は、信号導体１３と第１接続電極１７１の間に電気的に接続され、第１接続電極１７１に接合される。さらに、第２層間接続導体１６２は平面視で第１層間接続導体１６１に重ならない。換言すれば、第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２は積層方向において直線状に整列していない。グランド導体１４１は平面視で第１接続電極１７１に重ならない。

【0016】

第２接続電極１７２，１７３は、グランド導体１４１とグランド導体１４２を電気的に接続する。第１接続電極１７１と第２接続電極１７２，１７３は平面視で重ならない。

【0017】

また、第１接続電極１７１の延伸方向に直交し、かつ積層方向に直交する方向から見て、接続部１５２を構成する層間接続導体１６３～１６５は接続部１５１を構成する第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２に重ならない。

【0018】

絶縁体層１１１～１１４は上側から下側にこの順で配置される。絶縁体層１１１～１１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）のような熱可塑性樹脂で構成されるが、他の絶縁材料で構成されてもよい。絶縁体層１１１～１１４は、例えば加熱プレスにより一体化されるが、接着剤で互いに接合されてもよい。

【0019】

なお、本願明細書において、「上側」及び「下側」という文言は、一方側と他方側とを区別するための便宜的なものである。同様に、「上面」及び「下面」という文言は、一方側の主面と他方側の主面とを区別するための便宜的なものである。

【0020】

実装電極１２及びグランド導体１４１は、基板１１の第１主面Ｓ１、即ち絶縁体層１１１の上面に配置される。第１接続電極１７１及び第２接続電極１７２は絶縁体層１１２の上面に配置される。信号導体１３及び第２接続電極１７３は絶縁体層１１３の上面に配置される。グランド導体１４２は、基板１１における第１主面Ｓ１の反対側の第２主面Ｓ２、即ち絶縁体層１１４の下面に配置される。実装電極１２、信号導体１３、グランド導体１４１，１４２、及び接続電極１７は、導体パターンであり、例えばCu箔をパターニングすることで形成される。

【0021】

第１層間接続導体１６１及び層間接続導体１６３は絶縁体層１１１に配置される。第２層間接続導体１６２及び層間接続導体１６４は絶縁体層１１２に配置される。層間接続導体１６５は絶縁体層１１３，１１４に配置される。層間接続導体１６は、例えば、絶縁体層１１１～１１４の貫通孔に充填した電性ペーストを硬化させることで形成される。

【0022】

信号導体１３は、伝送線路１０の延伸方向と同じ方向に延伸し、互いに対向するグランド導体１４１，１４２の間に配置される。これにより、ストリップライン構造が形成される。

【0023】

グランド導体１４１はスリットＳＬ１を有する。スリットＳＬ１は、矩形状を有するが、他の形状を有してもよい。実装電極１２及び第１接続電極１７１は平面視でスリットＳＬ１内に配置される。スリットＳＬ１は、信号特性の向上のために、第１接続電極１７１の延伸方向に沿って形成されることが好ましい。

【0024】

なお、グランド導体１４１には複数のスリットＳＬ１が個別に設けられているが、幾つか又は全てのスリットＳＬ１が互いに繋がっていてもよい。

【0025】

図４は第１の実施形態に係る第１接続電極１７１の平面図である。図４では、図３より具体的に第１接続電極１７１の形状を描写している。図４では、第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２の位置、第１層間接続導体１６１の位置と第２層間接続導体１６２の位置を繋ぐ直線の方向α、及び方向αに垂直な方向βも示している。第１接続電極１７１は、第１層間接続導体１６１に接合された部分、第２層間接続導体１６２に接合された部分、及びそれらの間を延伸する部分を有する。

【0026】

ここで、第１接続電極、信号導体、及び実装電極の幅について説明しておく。第１接続電極の幅は、平面視で、第１層間接続導体の位置と第２層間接続導体の位置とを繋ぐ直線の方向に垂直な方向における第１接続電極の長さである。信号導体の幅は、平面視で、信号導体の延伸方向に垂直な方向における信号導体の長さである。実装電極の幅は、平面視で、実装電極に接合された層間接続導体の位置と実装電極に接合された接続端子の位置とを繋ぐ直線の方向に垂直な方向における実装電極の長さである。

【0027】

図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）、及び図５（Ｅ）は、第１の実施形態の変形例に係る第１接続電極１７１の平面図である。図５（Ａ）から図５（Ｅ）では、第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２の位置、第１層間接続導体１６１の位置と第２層間接続導体１６２の位置を繋ぐ直線の方向α、及び方向αに垂直な方向βも示している。図５（Ａ）に示すように、第１接続電極１７１は、その方向αにおける中央部でより大きい幅を有してもよい。図５（Ｂ）に示すように、第１層間接続導体１６１又は第２層間接続導体１６２は、平面視で第１接続電極１７１からはみ出していてもよい。図５（Ｃ）に示すように、第１接続電極１７１は、その方向αにおける中央部で括れていてもよい。図５（Ｄ）に示すように、第１接続電極１７１は、第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２のどちらにも接合されない突出部を有してもよい。図５（Ｅ）に示すように、第１接続電極１７１は、その延伸方向の途中で曲がっていてもよい。

【0028】

ここで、基板１１が実装電極１２と信号導体１３との間に３つ以上の絶縁体層を有する場合における接続部１５１の変形例について述べておく。

【0029】

接続部１５１は１つの第１接続電極及び２つ以上の層間接続導体で構成されてもよい。接続部１５１は複数の第１接続電極及び３つ以上の層間接続導体で構成されてもよい。この場合、接続部１５１の幾つかの層間接続導体が平面視で互いに重なってもよい。また、接続部１５１は、複数の絶縁体層に亘る層間接続導体を有してもよいし、積層方向において直線状に並ぶ複数の層間接続導体を有してもよい。

【0030】

例えば、基板１１が実装電極１２と信号導体１３との間に３層を有する場合、接続部１５１は、１つの第１接続電極、１層に亘る１つの層間接続導体、及び２層に亘る１つの層間接続導体で構成されてもよい。あるいは、接続部１５１は、１つの第１接続電極、互いに直線状に並ぶ２つの層間接続導体、及び当該２つの層間接続導体と直線状に並ばない１つの層間接続導体で構成されてもよい。あるいは、接続部１５１は２つの第１接続電極及び３つの層間接続導体で構成されてもよい。

【0031】

基板１１が実装電極１２と信号導体１３との間に３つ以上の絶縁体層を有する場合でも、接続部１５１は少なくとも１つの第１接続電極を有すればよい。即ち、第１層間接続導体と第２層間接続導体が積層方向において重ならなければよい。これにより、後述のように、実装電極１２の平坦性が改善される。

【0032】

但し、実装電極１２に物理的に接続される実装電極１２直下の層間接続導体は、実装電極１２の平坦性に大きな影響を与える。同様に、１つの第１接続電極を介して実装電極１２直下の層間接続導体に接続される層間接続導体は、実装電極１２の平坦性に大きな影響を与えることがある。このため、これらの層間接続導体は基板１１内の他のどの層間接続導体にも重ならないことが好ましい。また、これらの層間接続導体は、複数の絶縁体層に亘って形成されないことが好ましいし、積層方向において他の層間接続導体と直線状に並ばないことが好ましい。

【0033】

接続部１５１が複数の接続電極及び３つ以上の層間接続導体で構成される場合、接続部１５１は、階段形状、ジグザグ形状、又は他の形状を有してもよい。

【0034】

層間接続導体１６３，１６４は平面視で重ならない。一方、層間接続導体１６３，１６５は平面視で重なる。これにより、接続部１５２は、ジグザグ形状を有するが、階段形状又は他の形状を有してもよい。

【0035】

接続部１５１，１５２は、電子部品２０の接続端子２１，２２の配置に対応して、伝送線路１０の幅方向において間隔をあけて配置される。接続部１５２は、平面視で、接続部１５１より電子部品２０に近接して、又は電子部品２０に重なるように配置される。

【0036】

基板１１の第１主面Ｓ１にはレジスト膜１９１が形成される。基板１１の第２主面Ｓ２にはレジスト膜１９２が形成される。レジスト膜１９１，１９２は、基板１１の表面に形成された導体パターンを覆うように形成される。但し、レジスト膜１９１には、実装電極１２の一部を露出させる開口、及びグランド導体１４１の一部を露出させる開口が形成される。

【0037】

電子部品２０は、その接続端子２１，２２が伝送線路１０の幅方向に整列するように配置される。接続端子２１は、はんだ２３１を介して、レジスト膜１９１の開口から露出した実装電極１２に接続される。接続端子２２は、はんだを介して、レジスト膜１９１の開口から露出したグランド導体１４１に接続される。電子部品２０は、例えば、コネクタ、ＩＣのような信号端子を有する電子部品である。

【0038】

伝送線路の設計パラメータは所望の特性が得られるように適宜定められる。伝送線路の設計パラメータの具体例を以下に示す。

【0039】

絶縁体層の層厚Ｔ１：５０μｍ
導体パターンの厚みＴ２：１２μｍ
第１接続電極の最小幅Ｗ１及び信号導体の最小幅Ｗ３：６０μｍ以上１００μｍ以下
実装電極とグランド導体との間隔Ｄ１：４０μｍ以上
接続電極の幅を信号導体より狭くする場合、接続電極の最小幅Ｗ１をＷ３－２０μｍ以上、Ｗ３－１０μｍ以下に定める。また、導体パターンは、実際には、約１～２μｍ絶縁体層に埋没している。

【0040】

第１の実施形態によれば、第１接続電極１７１は、積層方向において信号導体１３よりグランド導体１４１に近づくが、平面視でグランド導体１４１に重ならない。このため、第１接続電極１７１とグランド導体１４１と間の容量値が信号導体１３とグランド導体１４１と間の容量値より増加することが抑制される。従って、伝送線路１０の第１領域Ｚ１おける特性インピーダンスが伝送線路１０の第２領域Ｚ２おける特性インピーダンスからずれることが抑制される。

【0041】

また、樹脂シートを熱圧着して基板１１を形成する際、樹脂シートより硬い層間接続導体１６が直線状に並んでいると、基板１１の表面がその層間接続導体１６の形成箇所で突出する虞がある。第１の実施形態によれば、第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２が直線状に並んでいないので、実装電極１２の平坦性の低下が抑制される。その結果、実装電極１２と電子部品２０の良好な接続が得られる。

【0042】

また、第１接続電極１７１の延伸方向に直交し、かつ積層方向に直交する方向（伝送線路１０の幅方向）から見て、接続部１５２を構成する層間接続導体１６３～１６５は接続部１５１を構成する第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２に重ならない。このため、電子部品２０の接続端子２１，２２の間隔が狭くても、接続部１５１の第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２と接続部１５２の層間接続導体１６３～１６５との間隔が確保されるので、接続部１５１の第１層間接続導体１６１及び第２層間接続導体１６２と接続部１５２の層間接続導体１６３～１６５との容量結合が抑制される。

【0043】

また、第１接続電極１７１と第２接続電極１７２，１７３は平面視で重ならない。このため、第１接続電極１７１と第２接続電極１７２，１７３の容量結合が抑制される。

【0044】

また、第１層間接続導体１６１、第２層間接続導体１６２、及び層間接続導体１６３～１６５は、直線状に整列しておらず、第１接続電極１７１及び第２接続電極１７２，１７３を介して接続される。このため、伝送線路１０の湾曲に応じて、変形しやすい第１接続電極１７１及び第２接続電極１７２，１７３が湾曲するので、伝送線路１０の湾曲性が保たれる。

【0045】

図６は第１の実施形態のさらに別の変形例に係る伝送線路３０の要部の平面図である。伝送線路３０は伝送線路１０と次の点で異なる。即ち、伝送線路３０は、スリットＳＬ１を有するグランド導体１４１に代えて、スリットＳＬ２を有するグランド導体３４１を備える。スリットＳＬ２は、第１接続電極１７１により近い端部において、円弧形状又は丸みを有する。

【0046】

矩形状のスリットの端部を円弧状に変えることで、スリットの面積を増加させずに、第１接続電極１７１の延伸方向において第１接続電極１７１とグランド導体との間隔をより広くできる。このため、スリットからの放射ノイズを増加させずに、第１接続電極１７１とグランド導体との容量結合をより抑制できる。

【0047】

第１接続電極１７１とグランド導体との間隔を広くするために、スリットを円形状にしてもよい。但し、スリットを円形状にすると、スリットの幅が広くなる。このため、電子部品２０の接続端子２１，２２の間隔が狭い場合、円形状のスリットより、円弧状の端部を有するスリットの方が好ましい。

【0048】

図７は第１の実施形態のさらに別の変形例に係る伝送線路４０の要部の平面図である。伝送線路４０は伝送線路１０と次の点で異なる。即ち、伝送線路４０は、実装電極１２、信号導体１３、及び第１接続電極１７１に代えて、実装電極４２、信号導体４３、及び第１接続電極４７１を備える。

【0049】

図８は、実装電極４２、信号導体４３、及び第１接続電極４７１の平面図である。図８では、実装電極４２、信号導体４３、及び第１接続電極４７１の位置をずらして図示している。第１接続電極４７１の最小幅Ｗ１は信号導体４３の最小幅Ｗ３より大きい。第１接続電極４７１の最大幅Ｗ２は実装電極４２の最小幅Ｗ４より小さい。

【0050】

第１接続電極の最小幅Ｗ１を信号導体の最小幅Ｗ３より大きくすることで、第１接続電極での導体損を抑制できる。

【0051】

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１接続電極は、平面視で、基板の上面側のグランド導体に重なる第１部分と、基板の上面側のグランド導体に重ならない第２部分とを有する。

【0052】

図９は本発明の第２の実施形態に係る伝送線路７０の断面図である。図１０は伝送線路７０の要部の平面図である。図１０では、レジスト膜１９１の図示を省略している。

【0053】

伝送線路７０は第１の実施形態に係る伝送線路１０と次の点で異なる。即ち、伝送線路７０は、スリットＳＬ１を有するグランド導体１４１に代えて、スリットＳＬ３を有するグランド導体７４１を備える。また、伝送線路７０は、第１接続電極１７１を有する接続部１５１に代えて、第１接続電極７７１を有する接続部７５１を備える。スリットＳＬ３の長さはスリットＳＬ１の長さより短く、第１接続電極７７１は一部分において平面視でグランド導体７４１に重なる。第１接続電極７７１の最小幅Ｗ１は信号導体１３の最小幅Ｗ３より小さい。

【0054】

図１１は第１接続電極７７１の平面図である。図１１では、図１０より具体的に第１接続電極７７１の形状を描写している。第１接続電極７７１は、平面視で、グランド導体７４１に重なる第１部分７７１１、及びグランド導体７４１に重ならない第２部分７７１２を有する。第１部分７７１１の最小幅Ｗ５は第２部分７７１２の最大幅Ｗ６より小さい。第１部分７７１１の面積は第２部分７７１２の面積より小さい。

【0055】

図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例に係る第１接続電極８７１，９７１の平面図である。伝送線路７０は、第１接続電極７７１に代えて、図１２（Ａ）に示すような第１接続電極８７１、又は図１２（Ｂ）に示すような第１接続電極９７１を備えてもよい。

【0056】

第１接続電極８７１は、平面視で、グランド導体７４１に重なる第１部分８７１１、及びグランド導体７４１に重ならない第２部分８７１２を有する。第１接続電極８７１の幅は、その延伸方向において途中で変化する。第１部分８７１１の最小幅Ｗ５は第２部分８７１２の最大幅Ｗ６より小さい。第１部分８７１１の面積は第２部分８７１２の面積より小さい。

【0057】

第１接続電極９７１は、平面視で、グランド導体７４１に重なる第１部分９７１１、及びグランド導体７４１に重ならない第２部分９７１２を有する。第１部分９７１１の最小幅Ｗ５は第２部分９７１２の最大幅Ｗ６より小さい。第１部分９７１１の最小幅Ｗ５は第２部分９７１２の最小幅Ｗ７より小さい。第１部分９７１１の面積は第２部分９７１２の面積より小さい。

【0058】

第２の実施形態では、伝送線路７０の延伸方向において、実装電極１２の直前までグランド導体７４１が形成される。このため、高周波信号が伝送線路７０から出力される直前まで、高周波信号への外部ノイズの重畳が防止される。特に、伝送線路７０の信号線を積層方向に持ち上げる第２層間接続導体１６２が位置する箇所で、他の箇所より、電界強度が強くなる。第２の実施形態では、その箇所がグランド導体７４１によって覆われているので、高周波信号への外部ノイズの重畳が効果的に防止されている。

【0059】

また、スリットＳＬ３からのノイズの放射がより抑制される。

【0060】

さらに、第１接続電極７７１，８７１，９７１は、それぞれ、平面視でグランド導体７４１に重なるが、グランド導体７４１に対向する面積が小さくなるように形成される。このため、第１接続電極７７１，８７１又は９７１とグランド導体７４１と間の容量値の増加、従って伝送線路７０の特性インピーダンスのずれが抑制される。

【0061】

《他の実施形態》
図１３、図１４、図１５、図１６、及び図１７は、他の実施形態に係る伝送線路の断面図である。図１３から図１７示すように、接続部１５１は、例えば、基板１１内に実装された電子部品や配線との不要な導通、結合、又は干渉を避けるため、第２主面Ｓ２側に迂回するように形成されてもよい。この場合、第１接続電極１７１は信号導体１３とグランド導体１４２の間に配置される。グランド導体１４２は、部分的に除かれ、第１接続電極１７１の少なくとも一部に重ならない。これにより、第１接続電極１７１とグランド導体１４２の間の容量結合が抑制される。

【0062】

なお、図１３から図１７では、上記基板１１内に実装された電子部品や配線の図示を省略している。

【0063】

図１３に示すように、層間接続導体１６は、複数層を貫通するビアホールでもよい。また、図１８に示すように、１つの層間接続導体１６が、異なる種類の樹脂シートから形成された複数の絶縁体層５１１，５１２を貫通してもよい。図１４から図１７に示すように、接続部１５１は、３つ以上の層間接続導体１６、及び複数の接続電極１７を有してもよい。図１７に示すように、接続部１５１は平面視で重なる層間接続導体１６を有してもよい。さらに、図１７に示すように、グランド導体１４２は内層に形成されてもよい。

【0064】

図１６に示すように、接続部１５１の接続電極１７は、平面視で、グランド導体１４１とグランド導体１４３を接続する接続部５５１に重ならない。このように、接続部１５１の接続電極１７は、平面視で、グランドに繋がった配線部に重ならないことが好ましい。これにより、接続部１５１の接続電極１７と当該配線部の容量結合が抑制される。

【0065】

最後に、上記の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上記の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

【符号の説明】

【0066】

Ｓ１…第１主面
Ｓ２…第２主面
Ｚ１…第１領域
Ｚ２…第２領域
１０，３０，４０，７０…伝送線路
１１…基板
１２，４２…実装電極
１３，４３…信号導体
１６…層間接続導体
１７…接続電極
２０…電子部品
２１，２２…接続端子
１１１，１１２，１１３，１１４，５１１，５１２…絶縁体層
１４１，１４２，１４３，３４１，７４１…グランド導体
１５１，１５２，５５１，７５１…接続部
１６１…第１層間接続導体
１６２…第２層間接続導体
１６３，１６４，１６５…層間接続導体
１７１，４７１，７７１，８７１，９７１…第１接続電極
１７２，１７３…第２接続電極
１９１，１９２…レジスト膜
７７１１，８７１１，９７１１…第１部分
７７１２，８７１２，９７１２…第２部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】