(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2022-12-19
(45)【発行日】2022-12-27
(54)【発明の名称】表示パネル及びその製作方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/26 20060101AFI20221220BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20221220BHJP
H01L 27/32 20060101ALI20221220BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20221220BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20221220BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20221220BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20221220BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221220BHJP
【ＦＩ】
H05B33/26
H05B33/10
H01L27/32
H05B33/22 Z
H05B33/12 B
G09F9/30 330
G09F9/00 338
H05B33/14 A
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2021534680
(86)(22)【出願日】2019-11-15
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-02-14
(86)【国際出願番号】 CN2019119000
(87)【国際公開番号】W WO2020238071
(87)【国際公開日】2020-12-03
【審査請求日】2021-06-16
(31)【優先権主張番号】201910458204.2
(32)【優先日】2019-05-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】515179325
【氏名又は名称】昆山国顕光電有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＫＵＮＳＨＡＮ ＧＯ－ＶＩＳＩＯＮＯＸ ＯＰＴＯ－ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ ４， Ｎｏ． １， Ｌｏｎｇｔｅｎｇ Ｒｏａｄ， Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ Ｋｕｎｓｈａｎ， Ｊｉａｎｇｓｕ， Ｐｅｏｐｌｅ’ｓ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】100112656
【弁理士】
【氏名又は名称】宮田 英毅
(74)【代理人】
【識別番号】100089118
【弁理士】
【氏名又は名称】酒井 宏明
(72)【発明者】
【氏名】金玉
(72)【発明者】
【氏名】鄭加新
(72)【発明者】
【氏名】任佳佩
(72)【発明者】
【氏名】劉偉
【審査官】越河 勉
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－０７８５３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／１１４５７６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－１６６２５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１０２３０６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１８／１７３４６５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－１０８７３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１３８６１２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－０５５９１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１４１７７５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８
Ｈ０１Ｌ ２７／３２
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｈ０１Ｌ ５１／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に設けられた画素規定層と、
前記基板と前記画素規定層との間に位置する電極層と、を含み、
前記画素規定層は、前記電極層に対応するように設けられたスルーホールを有し、前記スルーホールは前記画素規定層を貫通して前記電極層まで延在し、
前記電極層は、第１の透明導電層と、前記第１の透明導電層上に設けられた遮光導電層と、前記遮光導電層上に設けられた第２の透明導電層と、を備え、
前記電極層の積層方向から見て、前記第１の透明導電層の前記基板における正投影の面積は前記遮光導電層の前記基板における正投影の面積より大きく、前記スルーホールの側壁は、少なくとも部分的に前記第１の透明導電層に達する
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項2】
前記電極層の積層方向から見て、前記遮光導電層の前記基板における正投影は、前記第１の透明導電層の前記基板における正投影の内部に位置するか、又は、前記電極層の積層方向から見て、前記遮光導電層の前記基板における正投影と、前記第１の透明導電層の前記基板における正投影とが、部分的に重なる
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記第１の透明導電層は、前記基板と前記遮光導電層との間に挟まれるように配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記第２の透明導電層の前記基板から離れる側の表面の、前記基板における正投影の面積は、前記遮光導電層の前記基板における正投影の面積より大きく、
且つ、前記遮光導電層の前記基板における正投影は、前記第２の透明導電層の前記基板から離れる側の表面の、前記基板における正投影の内部に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記第２の透明導電層は前記遮光導電層の上面及び側面を完全に覆うように配置される ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記遮光導電層は、前記第１の透明導電層の前記第２の透明導電層に向いた表面に位置し、前記遮光導電層は、前記第２の透明導電層の前記第１の透明導電層に向いた表面に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記第１の透明導電層の厚さ及び前記第２の透明導電層の厚さはいずれも８ｎｍ以上且つ１５ｎｍ以下であり、前記遮光導電層の厚さは８０ｎｍ以上且つ１２０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項8】
基板を提供するステップと、前記基板上で電極層を形成するステップと、
前記電極層上で画素規定層を形成するステップと、を含み、
前記画素規定層は、前記電極層に対応するように設けられたスルーホールを有し、前記スルーホールは前記画素規定層を貫通して前記電極層に当たり、
前記基板上で電極層を形成するステップは、前記基板上で第１の透明導電層、遮光導電層及び第２の透明導電層を順次積み重ねて形成するステップを含み、
前記電極層の積層方向から見て、前記第１の透明導電層の前記基板における正投影の面積は、前記遮光導電層の前記基板における正投影の面積より大きく、且つ前記第２の透明導電層の前記基板における正投影の面積より大きくて、前記スルーホールの側壁は少なくとも部分的に前記第１の透明導電層に達する
ことを特徴とする表示パネルの製作方法。
【請求項9】
前記基板上で第１の透明導電層、遮光導電層及び第２の透明導電層を順次積み重ねて形成する前記ステップは、前記遮光導電層の前記第１の透明導電層から遠い側の表面において第２の透明導電層を形成するステップ、を更に含み、
前記基板上で電極層を形成するステップは、
Ｓ１：前記基板上で第１の透明導電層を形成し、前記第１の透明導電層上で遮光導電層を形成し、前記遮光導電層上で第２の透明導電層を形成し、前記第２の透明導電層上でフォトレジスト層を形成するステップと、
Ｓ２：前記フォトレジスト層をパターニングして、前記第２の透明導電層上で第１のフォトレジスト領域、第２のフォトレジスト領域及び無フォトレジスト領域を形成するステップであって、前記第２のフォトレジスト領域の表面にあるフォトレジスト層の厚さは前記第１のフォトレジスト領域の表面にあるフォトレジスト層の厚さより小さい、ステップと、
Ｓ３：前記無フォトレジスト領域における前記第１の透明導電層、前記遮光導電層及び前記第２の透明導電層を除去するステップと、
Ｓ４：前記第２のフォトレジスト領域の表面にあるフォトレジスト層を除去するステップと、
Ｓ５：前記第２のフォトレジスト領域における前記遮光導電層及び前記第２の透明導電層を除去するステップと、
Ｓ６：前記第１のフォトレジスト領域の表面にあるフォトレジスト層を除去するステップと、
を含む
ことを特徴とする請求項８に記載の表示パネルの製作方法。
【請求項10】
前記フォトレジスト層をパターニングして、前記第２の透明導電層上で第１のフォトレジスト領域、第２のフォトレジスト領域及び無フォトレジスト領域を形成するステップは、フォトマスクを用いて前記フォトレジスト層をパターニングするステップを含み、
前記フォトマスクは、透光領域、半透光領域及び遮光領域を含み、
前記半透光領域の透明度は前記遮光領域の透明度より高く且つ前記透光領域の透明度より低く、
前記無フォトレジスト領域は前記透光領域の下方で形成され、前記第２のフォトレジスト領域は前記半透光領域の下方で形成され、前記第１のフォトレジスト領域は前記遮光領域の下方で形成される
ことを特徴とする請求項９に記載の表示パネルの製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０１９年０５月２９日に出願された、発明の名称が「表示パネル及びその製作方法、表示装置」であって出願番号が「２０１９１０４５８２０４．２」である中国特許出願を引用し、そのすべての内容を本願に組み込む。
【0002】
本発明は有機発光表示分野に関し、特には表示パネル及びその製作方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
表示技術の向上につれて、表示パネルの応用範囲が益々広くなってきた。有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）デバイスは、応答速度が速く、色調が鮮やかで、薄くて軽くて使いやすいなどの長所を有するため、表示パネル業界の新鋭となっている。表示パネルにアンダースクリーン指紋認識などの機能が集積されるようになってきているため、表示パネルは十分高い透光率を有しなければならない。表示パネルの透光率を高めるためには、不透明な電極の面積を減らす必要がある。
【0004】
しかしながら、不透明な電極の面積を減らすと、表示パネルの発光に異常が発生しやすい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の実施例は、透光率を高めるとともに発光異常の発生可能性を下げることを目的として、表示パネル及びその製作方法、表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
以上の課題を解決するために、本発明の実施例は表示パネルを提供する。当該表示パネルは、基板、前記基板上に設けられた画素規定層、及び、前記基板と前記画素規定層との間に位置する電極層を含む。前記画素規定層は前記電極層に対応して設けられたスルーホールを含み、前記スルーホールは前記画素規定層を貫通して前記電極層まで延在する。前記電極層は、第１の透明導電層と、前記第１の透明導電層上に設けられた遮光導電層と、前記遮光導電層上に設けられた第２の透明導電層と、を含む。前記電極層の積層方向から見て、前記第１の透明導電層の前記基板における正投影の面積が、前記遮光導電層の前記基板における正投影の面積より大きく、前記スルーホールの側壁は、少なくとも部分的に前記第１の透明導電層に達する。
【0007】
本発明の実施例は、以上の表示パネルを備える表示装置を更に提供する。
【0008】
本発明の実施例は、表示パネルの製作方法を更に提供する。当該方法は、基板を提供するステップと、前記基板上に電極層を形成するステップと、前記電極層上に画素規定層を形成するステップと、を含む。前記画素規定層は、前記電極層に対応するように設けられたスルーホールを含み、前記スルーホールは前記画素規定層を貫通して前記電極層に当たる。ここで、前記基板上に電極層を形成するステップは具体的に、前記基板上に第１の透明導電層、遮光導電層及び第２の透明導電層を順次積み重ねて形成することを含む。前記電極層の積層方向から見て、前記第１の透明導電層の前記基板における正投影の面積は、前記遮光導電層の前記基板における正投影の面積より大きく、且つ前記第２の透明導電層の前記基板における正投影の面積より大きくて、前記スルーホールの側壁は少なくとも部分的に前記第１の透明導電層に達する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の実施例により提供される表示パネルの構造模式図である。
【図2】本発明の実施例により提供される表示パネルの、電極層の積層方向から見た、基板における正投影の模式図である。
【図7】本発明の実施例により提供される表示パネルの製作方法のフローチャートである。
【図9】本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のステップに対応する構造模式図である。
【図10】本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のステップに対応する構造模式図である。
【図11】本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のステップに対応する構造模式図である。
【図12】本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のステップに対応する構造模式図である。
【図13】本発明の実施例により提供される表示パネルの製造方法のステップに対応する構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本発明の目的、技術案及び長所をより明確にするために、以下、本発明の実施例の図面を参照しながら、本発明の各実施例について明確且つ完全に説明する。明らかに、説明される実施例は本発明の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をせずに得られる他の実施例は、すべて本発明の保護範囲に属するべきである。
【0011】
ＯＬＥＤ表示デバイスには、不透明な電極の面積を減らしたら、表示パネルの発光が異常になりやすい問題がある。出願人の研究を通じて、このような問題が現れる原因が以下の通りであることが判明した。従来技術に係るＯＬＥＤ表示デバイスは、通常、画素規定層においてスルーホールが設けられている。正常の発光を保証するために、従来技術に係るスルーホールは不透明な電極に当たるように設けられる必要がある。したがって、不透明な電極が小さくなると、作業上の誤差によって、スルーホールがぴったり電極に当たらないことが発生する。このとき、表示異常の問題が現れてしまう。
【0012】
本発明の実施例は表示パネルを開示する。図１に示すよう、当該表示パネルは、基板１０、基板１０上に設けられる画素規定層２０、及び基板１０と画素規定層２０との間に位置する電極層３０を備える。ここで、画素規定層２０は、電極層３０に対応するように設けられるスルーホール２１を含み、スルーホール２１は画素規定層２０を貫通して電極層３０まで延在する。電極層３０は積み重ねて設けられる第１の透明導電層３１と遮光導電層３２を含み、電極層３０の積層方向から見て、第１の透明導電層３１の基板１０における正投影の面積は、遮光導電層３２の基板１０における正投影の面積より大きい。
【0013】
電極層３０は、第１の透明導電層３１と遮光導電層３２とが積み重ねられることにより形成される。第１の導電層３１の透光率は遮光層３２の透光率より大きい。且つ、電極層３０の積層方向から見て、第１の透明導電層３１の基板１０における正投影の面積は遮光導電層３２の基板１０における正投影の面積より大きい。よって、同じ透光率を有し、すなわち不透明な部分の面積が同一であることを前提とする場合、従来技術に比べると、本発明の実施例に係る電極層３０は、電極層３０の積層方向から見た全体の面積がより大きい。このようなより大きい面積を有する電極層３０のおかげで、電極層３０に対応するようにスルーホール２１を設けられるとき、スルーホール２１が電極層３０以外の位置に当たってしまうことが発生しにくく、したがって表示パネルの発光異常の発生可能性が下がる。
【0014】
図２に示すよう、電極層３０の積層方向から見て、遮光導電層３２の基板１０における正投影は、第１の透明導電層３１の基板１０における正投影の内部に位置する。つまり、遮光導電層３２と第１の透明導電層３１とが接触し合う面積は、遮光導電層３２の基板１０における正投影の面積以上である。このように、第１の透明導電層３１と遮光導電層３２との接触面積が大きく、したがって第１の透明導電層３１は遮光導電層３２に対してより優れた保護作用を果たすことができる。
【0015】
遮光導電層３２の基板１０における正投影が第１の透明導電層３１の基板１０における正投影の内部にあることは、本実施例に係る第１の透明導電層３１と遮光導電層３２の配置状態の１つの具体的な説明例に過ぎない。図３に示すように、電極層３０の積層方向から見て、遮光導電層３２の基板１０における正投影は、第１の透明導電層３１の基板１０における正投影と部分的に重なってもよい。電極層３０の積層方向から見て遮光導電層３２の基板１０における正投影と第１の透明導電層３１の基板１０における正投影とが部分的に重なるように配置することによって、電極層３０の全体的な面積は第１の透明導電層３１の面積より大きくなり、したがって電極層３０の全体的な面積が更に大きくなって、発光異常の発生可能性がより一層低減される。
【0016】
第１の透明導電層３１の材料はＩＴＯ又はＩＺＯであり、遮光導電層３２の材料は金属又はグラファイトである。ここで、金属は銀、鉛などであってもよい。第１の透明導電層３１の材料がＩＴＯ又はＩＺＯであることは、本実施例に係る第１の透明導電層３１の材料の具体的な説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、第１の透明導電層３１は透明及び導電の２つの性質を兼備した他の材料（例えば、ＺｎＯ系ＴＣＯなど）であってもよく、ここでは詳しく列挙しない。また、遮光導電層３２の材料が金属又はグラファイトであることも同じく、本実施例に係る遮光導電層３２の材料の具体的な説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、遮光導電層３２は遮光及び導電の２つの性質を兼備した他の材料（例えば、不透明な導電プラスチックなど）であってもよく、ここでは詳しく列挙しない。具体的には、実際のニーズに応じて柔軟に選択して使用することができる。
【0017】
第１の透明導電層３１は、基板１０と遮光導電層３２との間に挟まれるように配置される。遮光導電層３２は、第１の透明導電層３１の基板１０から遠い側の表面に位置する。金属などの材料からなる遮光導電層３２は基板１０との結合性が悪いため、本実施例においては、ＩＴＯ又はＩＺＯ材料からなる第１の透明導電層３１を、基板１０と遮光導電層３２との間に挟むように配置することによって、表示パネルにおける各層の間の結合をより強くして、表示パネルの信頼性を向上させることができる。
【0018】
以上で説明した第１の透明導電層３１が基板１０と遮光導電層３２との間に挟まれるように配置されることは、本実施例に係る第１の透明導電層３１、基板１０及び遮光導電層３２の三者の位置関係の１つの説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例においては、遮光導電層３２が基板１０と第１の透明導電層３１との間に挟まれるように配置されてもよい。金属又はグラファイトなどの材料からなる遮光導電層３２を基板１０と第１の透明導電層３１との間に挟むように配置することによって、第１の透明導電層３１が遮光導電層３２に対して保護作用を果たすことができ、遮光導電層３２が酸化してしまうことを防ぐことができる。
【0019】
スルーホール２１は電極層３０に当たる。電極層３０に当たるようにスルーホール２１を設けることによって、表示パネルに発光異常が発生する可能性を徹底的になくすことができる。実際に製作されるスルーホール２１が技術的誤差によって電極層３０以外の領域に当たってしまうことを防ぐために、本実施例においては、スルーホール２１と電極層３０との位置関係を設計するとき、電極層３０の縁部において誤差予備領域を予め設ける。つまり、電極層３０の外縁付近の部分を誤差予備領域として定め、スルーホール２１と電極層３０との位置関係を設計するときに、スルーホール２１の位置を誤差予備領域に配置しないようにする。
【0020】
誤差予備領域は、電極層３０の外縁までの距離が２μｍより小さい領域である。以上は本実施例に係る誤差予備領域の１つの具体的な説明例に過ぎず、本発明の他の実施例において、誤差予備領域は他の寸法であってもよく、実際のニーズに応じて柔軟に設定されることができる。
【0021】
スルーホール２１の側壁は、少なくとも部分的に第１の透明導電層３１に当たる。スルーホール２１の側壁が少なくとも部分的に第１の透明導電層３１に当たることは、本実施例における１つの具体的な位置の説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、スルーホール２１の側壁は、第１の透明導電層３１に当たらずに電極層３０の他の部分に当たってもよく、例えば、その全体が遮光導電層３２に当たってもよい。ここでは詳しく列挙しない。本実施例において、電極層３０はアノード層である。
【0022】
基板１０は、基材１１、基材１１の上に位置する隔離層１２、隔離層１２の上に位置するバッファ層１３、バッファ層１３の上に位置するチャンネル１４、チャンネル１４を覆う第１のゲート絶縁層１５、第１のゲート絶縁層１５の上に配置されるゲート１６、第１のゲート絶縁層１５を貫通するソース１７及びドレイン１８、第１のゲート絶縁層１５の上に位置し且つゲート１６を覆う第２のゲート絶縁層１９、第２のゲート絶縁層１９を覆う中間絶縁層１０ａ、中間絶縁層１０ａを覆う充填層１０ｂ、第１のゲート絶縁層１５と第２のゲート絶縁層１９との間に位置するコンデンサ下部電極１０ｃ、及び、中間絶縁層１０ａと第２のゲート絶縁層１９との間に位置するコンデンサ上部電極１０ｄを順次に備える。
【0023】
電極層３０は充填層１０ｂの上に設けられ、且つ、充填層１０ｂを貫通してドレイン１８と電気的に接続される。
【0024】
充填層１０ｂの材料はポリ乳酸である。充填層１０ｂの材料がポリ乳酸であることは、本実施例における１つの具体的な説明例に過ぎない。本発明の他の実施例において、充填層１０ｂは他の材料（例えば、ポリエチレンなど）からなってもよく、ここでは詳しく列挙しない。実際のニーズに応じて柔軟に配置することができる。
【0025】
本発明の実施例は他の１種の表示パネルを更に開示する。当該表示パネルは、前述の実施例と類似しており、基板１０、基板１０上に配置される画素規定層２０、及び、基板１０と画素規定層２０との間に位置する電極層３０を含む。ここで、画素規定層２０は電極層３０に対応するように設けられたスルーホール２１を含み、スルーホール２１は画素規定層２０を貫通して電極層３０に当たる。前述の実施例との主な差異として、本実施例においては、図４に示すように、電極層３０は、第１の透明電極層３１と遮光導電層３２以外に、第２の透明導電層３３を更に備える。第２の透明導電層３３の材料はＩＴＯ又はＩＺＯである。第２の透明導電層３３の材料がＩＴＯ又はＩＺＯであることは、本実施例に係る第２の透明導電層３３の材料の具体的な説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、第２の透明導電層３３は、透明及び導電の２つの性質を兼備した他の材料（例えば、ＺｎＯ系ＴＣＯなど）であってもよく、ここでは詳しく列挙しない。
【0026】
第１の透明導電層３１は遮光導電層３２と基板１０との間に挟まれるように配置され、遮光導電層３２は第１の透明導電層３１と第２の透明導電層３３との間に挟まれるように配置される。遮光導電層３２は、第１の透明導電層３１の第２の透明導電層３３に向いた表面に位置し、遮光導電層３２は、第２の透明導電層３３の前記第１の透明導電層３１に向いた表面に位置する。
【0027】
本発明の実施例に係る表示パネルは、前述の実施例に係る表示パネルのすべての技術的効果を有するとともに、第２の透明導電層３３を備え且つ遮光導電層３２が第１の透明導電層３１と第２の透明導電層３３との間に挟まれるように設けられる電極層３０、を更に備える。よって、各部品の間の結合の強さを効果的に高めて表示パネルの信頼性を向上させるとともに、遮光導電層３２を保護して遮光導電層３２が酸化してしまうことを防ぐことができる。
【0028】
スルーホール２１の側壁は、少なくとも一部が第１の透明導電層３１に当たる。スルーホール２１の少なくとも一部の側壁が第１の透明導電層３１に当たることは、本実施例における１つの具体的な位置の説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、スルーホール２１の側壁は、第１の透明導電層３１ではなく電極層３０の他の部分に当たってもよく、例えば、その全体が第２の透明導電層３３に当たるか、又はその全体が遮光導電層３２に当たってもよい。又は、スルーホール２１の側壁は少なくとも部分的に遮光導電層３２に当たってもよく、又は、スルーホール２１の側壁は少なくとも部分的に第２の透明導電層３３に当たってもよい。ここでは詳しく列挙しない。
【0029】
電極層３０の積層方向から見て、第２の透明導電層３３の面積は遮光導電層３２の面積に等しい。第２の透明導電層３３の面積と遮光導電層３２の面積とが等しいことは、本実施例に係る１つの具体的な応用例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例においては、図５に示すように、第２の透明導電層３３の面積が遮光導電層３２の面積より大きく、すなわち第２の透明導電層３３が遮光導電層３２の上面及び側面を完全に覆ってもよく、又は、図６に示すように、第２の透明導電層３３の面積が遮光導電層３２の面積より小さく、すなわち遮光導電層３２の上面の一部を露出してもよい。
【0030】
第１の透明導電層３１及び第２の透明導電層３３の厚さはいずれも、８ｎｍ以上且つ１５ｎｍ以下である。第１の透明導電層３１及び第２の透明導電層３３は厚さが同一であってもよく、異なってもよい。
【0031】
第１の透明導電層３１及び第２の透明導電層３３はいずれも厚さが１０ｎｍである。遮光導電層３２の厚さは８０ｎｍ以上且つ１２０ｎｍ以下である。遮光導電層３２の厚さは１００ｎｍである。
【0032】
本発明の実施例は表示デバイスを開示し、当該表示デバイスは本発明の他の実施例に係る表示パネルを備える。
【0033】
本発明の実施例に係る表示デバイスは本発明の他の実施例に係る表示パネルを備えるため、本実施例に係る表示デバイスは本発明の他の実施例に係る表示パネルのすべての技術的効果を実現することができ、ここでは詳しい説明を省略する。
【0034】
本発明の実施例は、表示パネルの製作方法を開示する。図７に示すよう、当該方法は以下のステップを含む。
【0035】
ステップＳ７０１：基板を提供する。
【0036】
ステップＳ７０２：基板上で電極層を形成し、電極層は、積み重ねる第１の透明導電層と遮光導電層を備える。
【0037】
電極層として、基板上で第１の透明導電層と遮光導電層を積み重ねて形成する。電極層の積層方向から見て、第１の透明導電層の投影面積は遮光導電層の投影面積より大きい。
【0038】
ステップＳ７０３：電極層上で画素規定層を形成する。
【0039】
画素規定層は、電極層に対応するように設けられるスルーホールを有する。スルーホールは画素規定層を貫通して電極層に当たる。スルーホールが電極層に当たることは、すなわち、スルーホールの側壁が全体的に電極層に当たることである。
【0040】
技術的誤差により実際に製作されるスルーホールの縁部が電極層以外の領域に当たってしまうことを防ぐために、本実施例においては、スルーホールの位置を設計するときに、スルーホールの位置を電極層の縁部から予め設定された距離だけ離れる領域にする。
予め設定された距離は３μｍより小さい。予め設定された距離は２μｍである。予め設定された距離が２μｍであることは、本実施例に係る１つの具体的な説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、予め設定された距離は他の値を取ってもよく、ここでは詳しく列挙しない。実際のニーズに応じて柔軟に設定することができる。
予め設定された距離は３μｍより小さい。予め設定された距離は２μｍである。予め設定された距離が２μｍであることは、本実施例に係る１つの具体的な説明例に過ぎず、本発明に対する制限にはならない。本発明の他の実施例において、予め設定された距離は他の値を取ってもよく、ここでは詳しく列挙しない。実際のニーズに応じて柔軟に設定することができる。
【0041】
本実施例は、前述の実施例に対応する表示パネルの製作方法の実施例であり、本実施例は前述の実施例と共同で実現されることができる。前述の実施例で言及された関連の技術的細部は、本実施例においても有効であり、重複を避けるためにここでは説明を省略する。同じく、本実施例で言及された関連の技術的細部も、前述の実施例で応用されることができる。
【0042】
本発明の実施例に係る表示パネルの製作方法によって製作される表示パネルは、アノードの面積が増加され且つアノードの面積の増加部分は透明のＩＴＯ又はＩＺＯフィルムであってパネルの透光率に対してほぼ影響を与えなく、画素規定層がアノードを完全にカバーすることができない問題を根本的に防止し、したがって画素規定層でアノードをカバーすることにあたるプロセス許容量を大幅に増やすことができ、画素規定層とアノードとの位置合わせに対する精度要求を効果的に低めて、プロセスステップを簡単化させることができる。
【0043】
本発明の実施例は表示パネルの製作方法を開示する。図８に示すよう、当該方法は以下のステップを含む。
【0044】
ステップＳ８０１：基板を提供する。
【0045】
ステップＳ８０２：基板上で電極層を形成し、電極層は、積み重ねて形成される第１の透明導電層、遮光導電層及び第２の透明導電層を備える。
【0046】
基板上で電極層を形成することは、具体的に以下のステップを含む。
【0047】
図９に示すよう、基板上で第１の透明導電層３１を形成し、第１の透明導電層３１上で第１の透明導電層３１を覆う遮光導電層３２を形成し、遮光導電層３２上で遮光導電層３２を覆う第２の透明導電層３３を形成し、第２の透明導電層３３上で第２の透明導電層３３を覆うフォトレジスト層４０を形成する。
【0048】
図１０に示すよう、フォトレジスト層をパターニングして、第２の透明導電層３３上で互いに並列配置される第１のフォトレジスト領域３３１、第２のフォトレジスト領域３３２及び無フォトレジスト領域３３３を形成する。
【0049】
半透光フォトマスク５０を用いて、露光プロセス及び現像プロセスによってフォトレジスト層をパターニングする。半透光フォトマスク５０は透光領域５１、半透光領域５２及び遮光領域５３を含み、半透光領域５２の透明度は遮光領域５３の透明度より高く且つ透光領域５１の透明度より低い。第１のフォトレジスト領域３３１は遮光領域５３の下方で形成され、第２のフォトレジスト領域３３２は半透光領域５２の下方で形成され、無フォトレジスト領域３３３は透光領域５１の下方で形成される。
【0050】
ここで、第２のフォトレジスト領域３３２の表面にあるフォトレジスト層の厚さは第１のフォトレジスト領域３３１の表面にあるフォトレジスト層の厚さより小さい。
【0051】
図１１に示すよう、前記無フォトレジスト領域における第１の透明導電層３１、遮光導電層３２及び第２の透明導電層３３を除去する。
【0052】
第１の透明導電層３１及び第２の透明導電層３３に対して、シュウ酸類のエッチング液を用いてエッチングを行う。遮光導電層３２に対して、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、Ｈ３ＰＯ４の混酸のエッチング液を用いてエッチングを行う。
【0053】
図１２に示すよう、前記第２のフォトレジスト領域３３２の表面にあるフォトレジスト層を除去する。
【0054】
ドライアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）プロセスにより、ＳＦ６＋Ｏ２気体を用いて反応させて、第２のフォトレジスト領域３３２の表面にあるフォトレジスト層を除去する。また、第１のフォトレジスト領域３３１の表面にあるフォトレジスト層４０も反応して減少するため、第１のフォトレジスト領域３３１の表面にあるフォトレジスト層４０の厚さが小さくなる。
【0055】
図１３に示すよう、第２のフォトレジスト領域における遮光導電層３２及び第２の透明導電層３３を除去し、第１のフォトレジスト領域３３１の表面にあるフォトレジスト層を除去する。
【0056】
本ステップにおいては、２ステップウェットエッチングプロセスによってフォトレジスト層により遮蔽されていない第２の透明導電層及び遮光導電層を除去する。
【0057】
第２の透明導電層３３に対してシュウ酸類エッチング液を用いてエッチングを行う。遮光導電層３２に対してＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、Ｈ３ＰＯ４の混酸のエッチング液を用いてエッチングを行う。
【0058】
ドライアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）プロセスによって前記第１のフォトレジスト領域３３１の表面にあるフォトレジスト層を除去する。
【0059】
ステップＳ８０３：電極層上で画素規定層を形成する。
【0060】
本実施例におけるステップＳ８０１及びステップＳ８０３は前述の実施例におけるステップＳ７０１及びステップＳ７０３とほぼ同一であるため、詳しくは前述の実施例の具体的内容を参照すればよく、ここでは説明を省略する。
【0061】
明らかに、本実施例は前述の実施例に対応する表示パネルの製作方法の実施例であり、本実施例は前述の実施例と共同で実現されることができる。前述の実施例で言及された関連の技術的細部は、本実施例においても有効であり、重複を避けるためにここでは説明を省略する。同じく、本実施例で言及された関連の技術的細部も、前述の実施例で応用されることができる。
【0062】
従来技術と比べると、本発明の実施例に係る表示パネルの製作方法によって製作される表示パネルは、全く新しいアノードフォトマスクの手段又は方案を提供することによって、アノードの面積を増加させることができる。且つ、アノードの面積の増加部分が透明のＩＴＯ又はＩＺＯフィルムであって、パネルの透光率に対してほぼ影響を与えなく、画素規定層がアノードを完全にカバーすることができない問題を根本的に防止することができる。したがって、フォトマスクを増やすことなく、アンダースクリーン指紋認識技術が表示パネル製品において普及するための技術上の限界要件を満たすことができる。
【0063】
なお、以上で説明された各実施例は本発明を実現する具体的な実施例に過ぎず、実際の応用シーンにおいては、本発明の思想及び保護範囲を逸脱せずにこれらの実施例を形式的に又は細部に対して様々な変更を行うことができることを、当業者が理解できるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】