特許 7200083 真空蒸着装置の制御方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-23

(45)【発行日】2023-01-06

(54)【発明の名称】真空蒸着装置の制御方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/24 20060101AFI20221226BHJP

   C23C 14/54 20060101ALI20221226BHJP

【ＦＩ】

C23C14/24 U

C23C14/54 A

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2019199326

(22)【出願日】2019-10-31

(65)【公開番号】P2021070853

(43)【公開日】2021-05-06

【審査請求日】2022-01-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000005119

【氏名又は名称】日立造船株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】特許業務法人ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】清水 祐輔

(72)【発明者】

【氏名】藤本 英志

(72)【発明者】

【氏名】松本 祐司

【審査官】安齋 美佐子

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－２８１８０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２０４０７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５０７６４４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／００－１４／５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

蒸着材料を収容した第１るつぼからの前記蒸着材料の放出量を調整する第１調整弁の開放量、および、前記蒸着材料を収容した第２るつぼからの前記蒸着材料の放出量を調整する第２調整弁の開放量を調整する開放量調整工程と、
圧力検出器により、基板に対して放出される前記蒸着材料の放出圧の検出値を取得する圧力検出工程と、を含み、
前記開放量調整工程では、
前記第１調整弁および前記第２調整弁の両方が少なくとも一部開放されている場合、前記基板に蒸着した前記蒸着材料によって形成される膜の膜厚を検出する膜厚検出器により取得した前記膜厚の検出値を用いて、前記第１調整弁および前記第２調整弁の開放量を調整し、
前記第１調整弁および前記第２調整弁の何れか一方のみが少なくとも一部開放されている場合、前記膜厚の検出値ではなく、前記圧力検出工程で取得した前記放出圧の検出値を用いて、前記第１調整弁または前記第２調整弁の開放量を調整する真空蒸着装置の制御方法。

【請求項2】

前記開放量調整工程では、前記第１調整弁および前記第２調整弁の両方が少なくとも一部開放されている場合に、
前記膜厚検出器による前記膜厚の検出結果が一定となるように、前記第１調整弁および前記第２調整弁の何れか一方の開放量を下げていくと共に、他方の開放量を上げていく、請求項１に記載の真空蒸着装置の制御方法。

【請求項3】

前記開放量調整工程では、前記第１調整弁および前記第２調整弁の両方が少なくとも一部開放されている場合に、
前記膜厚検出器による前記膜厚の検出結果が一定となるように、前記第１調整弁および前記第２調整弁の何れか一方の開放量を上げていき、他方の開放量は一定とする、請求項１に記載の真空蒸着装置の制御方法。

【請求項4】

前記第１るつぼで前記蒸着材料を所定の温度に加熱し、前記第１調整弁を閉じた状態で、前記第１るつぼを脱気する第１脱気弁を開放するか、または、前記第２るつぼで前記蒸着材料を前記所定の温度に加熱し、前記第２調整弁を閉じた状態で、前記第２るつぼを脱気する第２脱気弁を開放する前処理工程をさらに含んでいる、請求項１から３の何れか１項に記載の真空蒸着装置の制御方法。

【請求項5】

前記蒸着材料は、フッ素樹脂を含んでいる、請求項１から４の何れか１項に記載の真空蒸着装置の制御方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、真空蒸着装置の制御方法に関する。

【背景技術】

【0002】

防汚膜等の機能性を有した膜を形成するために、蒸着材料を基板に蒸着する真空蒸着装置が用いられている。近年、このような真空蒸着装置には、蒸着材料を長時間にわたって連続的に蒸着できることが求められてきている。この場合、るつぼに収容する蒸着材料の量を多くする必要があるが、るつぼの大容量化には限界がある。そのため、複数のるつぼに蒸着材料を収容しておき、これらのるつぼを切り替えながら連続的に蒸着する真空蒸着装置が提案されている。

【0003】

例えば特許文献１には、蒸着材料を収容した少なくとも２つのるつぼを迅速に交換できる真空蒸着装置が開示されている。また、特許文献２に開示の有機ＥＬパネルの製造方法では、成膜材料が収容される複数の材料容器から放出される成膜材料について、各材料容器からの放出状態制御を行う。これにより、成膜工程を所望の状態で長時間連続的に行うことができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１３－２０４０７３号公報

【文献】特開２００５－２８１８０８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１に開示の真空蒸着装置では、るつぼの交換中は基板への蒸着材料の蒸着を行うことができない。そのため、るつぼを迅速に交換できるとはいえ、るつぼ交換による時間的なロスが無くなるわけではない。

【0006】

特許文献２に開示の方法によれば、材料容器の交換を行いながら長期間連続的に成膜を行うことができる。ここで特許文献２には、２つの材料容器からの放出状態制御には、基板上の膜厚または成膜材料の放出状態等を検出する検出器を用いることが示されている。このとき、例えば基板上の膜厚を検出する膜厚検出器を用いれば正確な成膜状態を検出できる一方、このような膜厚検出器は一般的に耐用寿命が比較的短い。そのため、膜厚検出器による常時検出は、メンテナンスコストの観点から好ましくない。

【0007】

一方、成膜材料の放出状態を検出する圧力検出器等は、耐用寿命は比較的長いが、基板上の膜厚を直接的に検出するものではない。したがって、圧力検出器等を用いる場合、正確な成膜状態が検出できるとは限らない。特許文献２には、これらのような特性を有した各種検出器を、どのように使用して放出状態制御を行うかについては、何ら開示されていない。

【0008】

本発明の一態様は、るつぼの交換時に蒸着レートを制御する真空蒸着装置における膜厚検出器の寿命を延ばすことを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る真空蒸着装置の制御方法は、蒸着材料を収容した第１るつぼからの前記蒸着材料の放出量を調整する第１調整弁の開放量、および、前記蒸着材料を収容した第２るつぼからの前記蒸着材料の放出量を調整する第２調整弁の開放量を調整する開放量調整工程と、圧力検出器により、基板に対して放出される前記蒸着材料の放出圧の検出値を取得する圧力検出工程と、を含み、前記開放量調整工程では、前記第１調整弁および前記第２調整弁の両方が少なくとも一部開放されている場合、前記基板に蒸着した前記蒸着材料によって形成される膜の膜厚を検出する膜厚検出器により取得した前記膜厚の検出値を用いて、前記第１調整弁および前記第２調整弁の開放量を調整し、前記第１調整弁および前記第２調整弁の何れか一方のみが少なくとも一部開放されている場合、前記膜厚の検出値ではなく、前記圧力検出工程で取得した前記放出圧の検出値を用いて、前記第１調整弁または前記第２調整弁の開放量を調整する。

【発明の効果】

【0010】

本発明の一態様によれば、るつぼの交換時に蒸着レートを制御する真空蒸着装置における膜厚検出器の寿命を延ばすことができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態に係る真空蒸着装置１の内部構造を模式的に示す斜視図である。

【図2】一実施形態に係る真空蒸着装置１の概略構成図である。

【図3】実施形態１に係る真空蒸着装置１の機能ブロック構成を示す図である。

【図4】実施形態１に係る制御装置５０による真空蒸着装置１の制御方法を示すフローチャートである。

【図5】実施形態１に係る制御装置５０により実行される前処理工程を示すフローチャートである。

【図6】実施形態１に係る制御装置５０により実行される単一るつぼ蒸着工程を示すフローチャートである。

【図7】実施形態１に係る制御装置５０により実行される第１開放量調整工程を示すフローチャートである。

【図8】実施形態１に係る制御装置５０により実行される第２開放量調整工程を示すフローチャートである。

【図9】実施形態１に係る制御装置５０により実行される前処理工程を示すフローチャートである。

【図10】実施形態２に係る制御装置５０により実行される第１開放量調整工程を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

〔実施形態１〕
＜真空蒸着装置の構成＞
本発明の一実施形態について、図１から図４を参照して以下に説明する。図１および図２に示すように、真空蒸着装置１は、真空容器１０と、蒸発源１１と、圧力センサ（圧力検出器）１２と、膜厚センサ（膜厚検出器）１３と、巻出しロール１４と、巻取りロール１５と、第１るつぼ２０と、第２るつぼ３０と、回収容器４０と、制御装置５０と、各種弁と、を備えている。各種弁には、第１調整弁２１と、第１開閉弁２２と、第２調整弁３１と、第２開閉弁３２と、第１脱気弁２３、第２脱気弁３３と、第３脱気弁４１と、が含まれる。

【0013】

真空蒸着装置１は、基板１６上に、防汚膜（ＡＦ膜；Anti-Fingerprint膜）等の機能性を有する膜を、蒸着により形成するための装置である。他の機能性を有する膜としては、有機ＥＬ（Electro Luminescence）膜、着色膜および親水化膜等が挙げられるが、これに限定されない。基板１６については後述する。

【0014】

真空容器１０は、基板１６への蒸着材料の蒸着を行うための空間が形成された容器である。真空容器１０は、脱気ポンプ（不図示）に接続されており、蒸着中は内部が真空状態となっている。真空容器１０の内部には、蒸発源１１が配置されている。蒸発源１１は、基板１６に対して蒸着材料を放出するためのノズルを複数備えている。ノズルの放出口は基板１６に向けて開口している。蒸発源１１へ供給された蒸着材料はノズルから放出され、放出された蒸着材料が基板１６に蒸着する。これにより、基板１６上に膜が形成される。

【0015】

蒸発源１１には、圧力センサ１２が配置されている。圧力センサ１２は、蒸発源１１から放出される蒸着材料の放出圧を検出する。圧力センサ１２の検出値は、基板１６上に形成される膜の膜厚が一定となるよう、蒸発源１１から放出される蒸着材料の放出圧を調整するために用いられる。圧力センサ１２は、従来一般的な圧力センサを用いてよい。

【0016】

膜厚センサ１３は、真空容器１０の内部に設けられている。膜厚センサ１３は、例えば水晶振動子マイクロバランス（Quartz Crystal Microbalance；ＱＣＭ）センサである。このような膜厚センサ１３は水晶からなる蒸着面を備えており、蒸発源１１から放出された蒸着材料によって当該蒸着面上に形成される膜の膜厚を、水晶の共振周波数の変化により検出する。前記の蒸着面は、例えば蒸発源１１の近傍に配置されており、蒸発源１１に当該蒸着面に向けて開口したノズルが備えられていてもよい。蒸発源１１に備えられた複数のノズルが、略等しい放出圧により蒸着材料を放出していれば、前記の蒸着面に形成される膜の膜厚は、基板１６上に形成される膜の膜厚と比例関係になる。したがって、膜厚センサ１３は基板１６上の膜厚を検出できる。

【0017】

なお、膜厚センサ１３が備える蒸着面の配置はこれに限られない。例えば前記の蒸着面は、真空容器１０の内部で基板１６の近傍に配置されていてもよい。この場合は、前記の蒸着面上に形成される膜の膜厚は、基板１６上に形成される膜の膜厚と略等しくなる。したがって、このような配置の膜厚センサ１３も、基板１６上に形成される膜の膜厚を検出できる。

【0018】

膜厚センサ１３は、検出に伴って蒸着面上に膜が積み重なっていく。膜厚センサ１３は、蒸着面上に形成される膜が積み重なって厚くなるに従い、水晶の共振周波数が低下して感度が下がってしまうという問題がある。そのため、膜厚センサ１３の蒸着面は定期的に再生または交換等のメンテナンスを行う必要がある。膜厚センサ１３による検出時間が長いほど、膜厚センサ１３の蒸着面のメンテナンス頻度は上がるため、膜厚センサ１３によって検出を行う時間は必要最小限であることが好ましい。また、膜厚センサ１３によって検出を行わないときは、膜厚センサ１３の蒸着面に膜が形成されないよう、当該蒸着面をカバーするＱＣＭシャッタ等を閉じておくことが好ましい。

【0019】

真空蒸着装置１は、このような圧力センサ１２および膜厚センサ１３等を用いて蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧を調整するため、基板１６上に精度よく所定の厚さの膜を形成することができる。

【0020】

巻出しロール１４は、蒸着による膜形成前の基板１６が巻かれているロールである。巻取りロール１５は、蒸着後の膜が形成された基板１６を巻き取るロールである。巻出しロール１４および巻取りロール１５は、真空容器１０の内部に備えられている。巻出しロール１４は、基板１６を巻き出していく。そして、膜が形成された基板１６は、巻取りロール１５により巻き取られる。真空蒸着装置１は、基板１６を搬送する方向を転換させる搬送機構として、巻出しロール１４および巻取りロール１５以外のロール等が設けられていてもよい。

【0021】

基板１６は、例えばプラスチック製のフィルム等である。このようなプラスチックとしては、例えばポリカーボネート（ＰＣ；Poly Carbonate）またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；Poly Ethylene Terephthalate）等が挙げられるが、これに限られない。基板１６は、巻出しロール１４等に巻かれることが可能な程度の柔軟性があれば、どのような材料により形成されていてもよい。基板１６の、巻出しロール１４から巻き出される方向の長さは、数メートルであってもよく、長ければ数キロメートルであってもよい。

【0022】

第１るつぼ２０および第２るつぼ３０は、蒸着材料が収容される容器である。第１るつぼ２０および第２るつぼ３０は、ヒータ（不図示）により内部が加熱され、収容されている蒸着材料を蒸発させる。蒸発した蒸着材料は、蒸発源１１から基板１６に対して放出される。また、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０は、前記の脱気ポンプに接続されており、真空容器１０と同様に内部を真空にできる。第１るつぼ２０および第２るつぼ３０から蒸着材料が蒸発し、蒸発源１１に蒸発した蒸着材料が供給されるときは、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０は真空状態である。

【0023】

第１るつぼ２０および第２るつぼ３０に収容される蒸着材料は、基板１６上に形成する膜の種類によって適宜選択されてよい。例えば、基板１６上に防汚膜を形成する場合、前記の蒸着材料はフッ素樹脂を含んでいてよい。また前記の蒸着材料には、膜を形成するための成分以外の、例えば溶媒等の成分が含まれていてもよい。

【0024】

（各種弁）
第１調整弁２１は、第１るつぼ２０から蒸発した蒸着材料の放出量を調整する弁である。第２調整弁３１は、第２るつぼ３０から蒸発した蒸着材料の放出量を調整する弁である。第１るつぼ２０または第２るつぼ３０からの蒸着材料の放出量は、蒸発源１１への蒸着材料の供給量と略等しくなる。したがって、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０からの蒸発した蒸着材料の放出量は、蒸発源１１から基板１６への蒸着材料の放出量と略等しくなる。

【0025】

第１調整弁２１および第２調整弁３１は、開放量に応じて通過する蒸着材料の量を調整できる。なお、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０に対して、蒸着材料の放出量を調整するための弁はそれぞれ１つに限られず、複数であってもよい。このような弁を複数設けることで、各るつぼからの蒸着材料の放出量を、より精密に調製できる。

【0026】

第１開閉弁２２は、第１るつぼ２０の開閉を切り替える弁である。第２開閉弁３２は、第２るつぼ３０の開閉を切り替える弁である。第１開閉弁２２および第２開閉弁３２は、第１調整弁２１および第２調整弁３１のように、開放量に応じて蒸着材料の放出量を調整するものではない。

【0027】

第１脱気弁２３は、第１るつぼ２０を脱気する弁である。第２脱気弁３３は、第２るつぼ３０を脱気する弁である。図１に示している第３脱気弁４１は、第１脱気弁２３および第２脱気弁３３よりも外部側のガス経路上に設けられており、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０を脱気する弁である。また第３脱気弁４１は、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０への、大気の取り入れを制御する弁でもある。

【0028】

第１るつぼ２０および第２るつぼ３０に収容される蒸着材料には、基板１６上に膜を形成するための主成分以外に、溶媒等の成分を含んでいる場合がある。このような溶媒等が主成分と共に蒸発源１１から放出されてしまうと、基板１６上に形成される膜が所望の性能を発揮できない、すなわち膜質が低下してしまう場合がある。したがって、蒸着材料に含まれる溶媒等は、蒸発源１１に供給する前に除去することが好ましい。

【0029】

このような溶媒等は一般的に、フッ素樹脂等の蒸着材料の主成分と比較して分子量が小さく、沸点が低い。そこで、第１るつぼ２０を上述のヒータ等により加熱するとき、収容された蒸着材料が所定の温度（例えば１００℃程度）に達してから所定の時間、第１調整弁２１を閉じた状態で、第１脱気弁２３を開放する。第２るつぼ３０を加熱するときも、第２脱気弁３３を同様に開放する。これにより、低沸点により先に蒸発した溶媒等が十分に除去された状態の蒸着材料を、蒸発源１１に供給できる。したがって、基板１６上に形成される膜の膜質を一定の品質に保つことができる。

【0030】

なお、前記の所定の温度は、蒸着材料に含まれている成分および溶媒の種類によって適切な温度が選択されてよい。また前記の所定の時間は、蒸着材料に含まれている成分および溶媒の種類によって適切な時間が選択されてよい。

【0031】

ここで、第１脱気弁２３および第２脱気弁３３を開放すると、前記の溶媒に加え、前記の主成分もある程度蒸発して除去されてしまう。このとき、除去された前記の溶媒および前記の主成分は、回収容器４０に回収されてよい。回収容器４０に回収された前記の溶媒および前記の主成分は、蒸着材料等に再利用することができる。

【0032】

なお真空蒸着装置１は、第１脱気弁２３、第２脱気弁３３、第３脱気弁４１および回収容器４０を備えていなくてもよい。

【0033】

（制御装置）
次に、図３を用いて真空蒸着装置１が備える制御装置５０について説明する。図３に示すように、制御装置５０は、真空蒸着装置１の各部の動作を制御する。制御装置５０は、開放量調整部５１と、圧力検出部５２と、膜厚検出部５３と、るつぼ制御部５４と、を備えている。

【0034】

開放量調整部５１は、圧力検出部５２から圧力センサ１２の検出値を取得する。また開放量調整部５１は、膜厚検出部５３から膜厚センサ１３の検出値を取得する。真空蒸着装置１が他のセンサを備えている場合、開放量調整部５１は、当該他のセンサによる検出値をさらに取得してもよい。開放量調整部５１は、圧力検出部５２等から取得した圧力センサ１２等の検出値を用いて、第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量を調整する。これらの弁の開放量を調整する具体的な方法については後述する。

【0035】

圧力検出部５２は、蒸発源１１から基板１６に対して放出される蒸着材料の放出圧を検出する圧力センサ１２から、当該放出圧の検出値を取得する。膜厚検出部５３は、基板１６に蒸着した蒸着材料によって形成される膜の膜厚を検出する膜厚センサ１３から、当該膜厚の検出値を取得する。

【0036】

圧力検出部５２は、圧力センサ１２の検出中に常時、略リアルタイムで圧力センサ１２の検出値を取得してもよく、所定の時間ごとに圧力センサ１２の検出値をまとめて取得してもよい。開放量調整部５１による第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量の調製を精密に行うためには、圧力検出部５２は略リアルタイムで圧力センサ１２の検出値を取得することが好ましい。膜厚検出部５３による、膜厚センサ１３の検出値の取得については、圧力検出部５２と同様であってよい。

【0037】

るつぼ制御部５４は、前記のヒータ等による第１るつぼ２０および第２るつぼ３０の加熱および前記の脱気ポンプによる第１るつぼ２０および第２るつぼ３０の真空化等を制御する。またるつぼ制御部５４は、第１開閉弁２２および第２開閉弁３２の開閉を制御する。またるつぼ制御部５４は、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０が備える残量センサ（不図示）等の検出値を取得し、るつぼ制御部５４による上述の各種制御に当該検出値を用いてもよい。

【0038】

真空蒸着装置１が第１脱気弁２３、第２脱気弁３３、第３脱気弁４１および回収容器４０を備えている場合、制御装置５０は前処理部５５を含む。前処理部５５は、第１脱気弁２３および第２脱気弁３３の開閉を制御する。また、前処理部５５は第３脱気弁４１の開閉を制御してもよい。前処理部５５は、るつぼ制御部５４から、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０の加熱状態等の情報を取得し、第１脱気弁２３および第２脱気弁３３の開閉タイミングを制御してよい。

【0039】

制御装置５０の各部の機能は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）等により実現される。また、制御装置５０の各部が取得した各種センサの検出値は、制御装置５０が備えるＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）等の記憶媒体に記憶されてよい。

【0040】

＜真空蒸着装置の制御方法＞
真空蒸着装置１の制御方法の一例について、図４から図９を参照して以下に説明する。なお、真空蒸着装置１の制御方法は、以下に示す方法に限定されるものではない。

【0041】

図４では、まず第１るつぼ２０に収容された蒸着材料を用いて基板１６上に膜を形成し、途中で蒸着材料の容器を第２るつぼ３０に切り替え、さらに第１るつぼ２０に切り替える場合の制御方法について説明している。なお、るつぼの交換順番および交換回数はこれに限られない。図４では、Ｓ４以降のフローについて、紙面に向かって左側に第１るつぼ２０に係る制御フローを、右側に第２るつぼ３０に係る制御フローをそれぞれ示している。第１るつぼ２０に係る制御フローと、第２るつぼ３０に係る制御フローは、並行して実行される。ただし、特に示さない限り、これらの制御フローに含まれる各ステップが同時に実行される必要はない。

【0042】

また、図５から図９には、真空蒸着装置１の制御方法における各工程のサブフローを示している。これらのサブフローでは、示している各ステップが第１るつぼ２０に係る処理（第１るつぼ２０側の処理）か、第２るつぼ３０に係る処理（第２るつぼ３０側の処理）かは明示していない。これらのサブフローがいずれのるつぼに係る処理であるかは、図４でいずれのるつぼに係る処理として示されているかによって決定される。なお、第１るつぼ２０に係る処理とは、第１るつぼ２０、第１調整弁２１、第１開閉弁２２および第１脱気弁２３を制御する処理を示す。また、第２るつぼ３０に係る処理とは、第２るつぼ３０、第２調整弁３１、第２開閉弁３２および第２脱気弁３３を制御する処理を示す。

【0043】

（制御方法の概略）
るつぼ制御部５４は、真空蒸着装置１に、蒸着材料が収容された第１るつぼ２０および第２るつぼ３０が取り付けられたことを検知する（Ｓ１）。るつぼ制御部５４は、第１るつぼ２０および第２るつぼ３０を上述の脱気ポンプにより真空状態にする（Ｓ２）。制御装置５０は、真空蒸着の準備として、真空蒸着装置１の第１るつぼ２０および第２るつぼ３０以外の部分を加熱する（Ｓ３）。Ｓ３で加熱されるのは、蒸発した蒸着材料が通過する部分であり、例えば第１るつぼ２０および第２るつぼ３０から蒸発源１１までの間のガス経路および各種弁等である。

【0044】

次に、第１るつぼ２０側について、るつぼ制御部５４は、第１開閉弁２２を閉止し、第１脱気弁２３を開放する（Ｓ４）。そして制御装置５０は、第１るつぼ２０に係る前処理工程を実行して、第１るつぼ２０に収容された蒸着材料から、溶媒等の成分を除去する（Ｓ５）。前処理工程については後述する。

【0045】

次にるつぼ制御部５４は、第１るつぼ２０を蒸着材料に含まれる主成分が蒸発する温度である目標温度に加熱し、第１るつぼ２０を当該目標温度で安定させる（Ｓ６）。るつぼ制御部５４は第１開閉弁２２を開放し（Ｓ７）、圧力センサ１２を第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量の調整に用いるセンサとして設定する（Ｓ８）。そして、制御装置５０は、第１るつぼ２０に係る単一るつぼ蒸着工程を実行し、第１るつぼ２０を用いた基板１６上への蒸着材料の蒸着を行う（Ｓ９）。単一るつぼ蒸着工程については後述する。

【0046】

ここで制御装置５０は、Ｓ４からＳ９の処理を実行している間に、並行して以下に示すＳ１０からＳ１３の処理を実行する。具体的にはまず、前処理部５５は第２脱気弁３３を閉止する（Ｓ１０）。次に、るつぼ制御部５４は第２開閉弁３２を閉止し、前処理部５５は第２脱気弁３３を開放する（Ｓ１１）。そして、制御装置５０は第２るつぼ３０に係る前処理工程を実行し、第２るつぼ３０に収容された蒸着材料から、溶媒等の成分を除去する（Ｓ１２）。また、制御装置５０は、Ｓ９の単一るつぼ蒸着工程を実行中、第１るつぼ２０に残留する蒸着材料が所定量以下となったことを検知した場合、第２るつぼ３０を前記の目標温度に加熱し、第２るつぼ３０を当該温度で安定させる（Ｓ１３）。このように、制御装置５０は、第１るつぼ２０の準備および第１るつぼ２０による蒸着工程と並行して、第２るつぼ３０の準備を行う。

【0047】

制御装置５０は、第１るつぼ２０に残留する蒸着材料が、蒸発源１１からの目標とする放出圧を維持できない量となった場合、第１るつぼ２０から第２るつぼ３０への切り替えを実行する。このとき制御装置５０は、第１るつぼ２０に係る第１開放量調整工程を実行し（Ｓ１４）、並行して第２るつぼ３０に係る第２開放量調整工程を実行する（Ｓ１５）。開放量調整部５１は、Ｓ１４およびＳ１５で、膜厚センサ１３の検出値を用いて第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量を調整することで、第１るつぼ２０から第２るつぼ３０への連続的な切り替えを実現する。第１開放量調整工程および第２開放量調整工程については後述する。

【0048】

そして、第１るつぼ２０から第２るつぼ３０への切り替え後は、制御装置５０は第１るつぼ２０に係る充填工程（Ｓ１６）を実行し、第１るつぼ２０への蒸着材料の充填を制御する。充填工程については後述する。また制御装置５０は、第１るつぼ２０に係る前処理工程（Ｓ１７）を実行し、第１るつぼ２０から溶媒等の成分を除去する。制御装置５０は、Ｓ１６およびＳ１７により、次のるつぼ切り替えに備えて第１るつぼ２０の準備を行う。

【0049】

第１るつぼ２０の準備を行っている間、制御装置５０は並行して、第２るつぼ３０に係る単一るつぼ蒸着工程を実行し、第２るつぼ３０を用いた基板１６上への蒸着材料の蒸着を行う（Ｓ１８）。そして制御装置５０は、第２るつぼ３０に残留する蒸着材料が、蒸発源１１からの目標とする放出圧を維持できない量となった場合、第２るつぼ３０から第１るつぼ２０への切り替えを実行する。このとき制御装置５０は、第２るつぼ３０に係る第１開放量調整工程を実行し（Ｓ１９）、並行して第２るつぼ３０に係る第２開放量調整工程を実行する（Ｓ２０）。

【0050】

そして制御装置５０は、第１るつぼ２０から第２るつぼ３０への切り替え後は、さらに第１るつぼ２０に係る単一るつぼ蒸着工程を実行し（Ｓ２１）、一連の処理を終了する。なお制御装置５０による、Ｓ１９およびＳ２１の工程終了後の、基板１６上への蒸着材料の蒸着を終了する処理については、本明細書では説明を省略する。なお、第１るつぼ２０側で、Ｓ２１の工程終了後にＳ１４に処理を戻し、第２るつぼ３０側では、Ｓ１９の工程終了後、第２るつぼ３０に係る充填工程を行った後Ｓ１２に処理を戻してもよい。これにより、さらにるつぼの交換を実行できる。したがって、るつぼの交換は、基板１６の長さに応じて任意の回数行うことができるため、基板１６上への蒸着材料の蒸着を長時間連続して行うことができる。

【0051】

（前処理工程）
図５に示すように、前処理工程では、るつぼ制御部５４が第１るつぼ２０または第２るつぼ３０を所定の脱気温度に加熱する（Ｓ３１）。ここでは、所定の脱気温度は略１００℃である。次に、前処理部５５は、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０からガスが脱気する脱気経路にかかる圧力が、所定の圧力以下であるか否かを判定する（Ｓ３２）。前記の脱気経路にかかる圧力が、所定の圧力以上であった場合（Ｓ３２でＮＯ）、前処理部５５は、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０に収容される蒸着材料に所定量以上の溶媒等が残留していると判定する。この場合前処理部５５は、第１脱気弁２３または第２脱気弁３３を開放したままにする。一方、前記の脱気経路にかかる圧力が、所定の圧力より小さかった場合（Ｓ３２でＹＥＳ）、前処理部５５は、蒸着材料に含まれていた溶媒等の除去が完了したと判定し、第１脱気弁２３または第２脱気弁３３を閉止する（Ｓ３３）。これにより、前処理工程が終了する。

【0052】

前処理工程によって、蒸着材料から、基板１６へ膜を形成する主成分以外の、溶媒等の成分を効果的に除去できる。したがって、基板１６上に蒸着される蒸着材料には前記の主成分以外の成分がほとんど含まれないため、基板１６上に形成される膜の膜質を一定の品質に保つことができる。なお制御装置５０は、前処理工程を省略してもよい。

【0053】

（単一るつぼ蒸着工程）
図６に示すように、単一るつぼ蒸着工程では、開放量調整部５１が第１調整弁２１または第２調整弁３１を開放する（Ｓ４１）。開放量調整部５１は、蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧レートが、目標とする所定の目標レートの範囲内であるか否かを判定する（Ｓ４２）。放出圧レートは、圧力検出部５２が、圧力センサ１２から取得した検出値を用いて算出する（圧力検出工程）。前記の放出圧レートが前記の目標レートの範囲内にあれば、圧力センサ１２の検出値は一定であるといえる。なお、単一るつぼ蒸着工程では、膜厚センサ１３のメンテナンス頻度を低減するため、膜厚センサ１３は用いられないことが好ましい。

【0054】

蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧レートが前記の目標レート範囲内である場合（Ｓ４２でＹＥＳ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量を維持する。一方、蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧レートが前記の目標レート範囲外である場合（Ｓ４２でＮＯ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量を調整する（Ｓ４３）。このとき開放量調整部５１は、Ｓ４３で調整後の第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が、所定の閾値以上であるか否かを判定する（Ｓ４４）。ここで所定の閾値とは、例えば、第１調整弁２１または第２調整弁３１により、これらの弁を通過する蒸着材料の量を正確に調整できる最大限の開放量である。

【0055】

第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が所定の閾値以上ではないと判定した場合（Ｓ４４でＮＯ）、開放量調整部５１はＳ４２に戻り、放出圧レートに応じて第１調整弁２１または第２調整弁３１の調整を継続する。一方、開放量調整部５１が、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が所定の閾値以上であると判定した場合（Ｓ４４でＹＥＳ）、るつぼ制御部５４は、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０を加熱する。当該加熱により第１るつぼ２０または第２るつぼ３０の温度が目標温度よりも高い温度となるため、これらのるつぼに収容される蒸着材料の蒸発速度が加速する。したがって、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０に残留した蒸着材料が少ないことで低下した放出圧レートを、Ｓ４５での加熱により一時的に回復できる。

【0056】

このとき、るつぼ制御部５４は、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０の温度が、これらのるつぼの最大耐用温度である限界温度以下であるか否かを判定する（Ｓ４６）。第１るつぼ２０または第２るつぼ３０の温度が限界温度以下であると判定した場合（Ｓ４６でＹＥＳ）、るつぼ制御部５４は、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０の加熱を継続する。一方、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０の温度が限界温度を超えていると判定した場合（Ｓ４６でＮＯ）、るつぼ制御部５４は、単一るつぼ蒸着工程にて制御されているるつぼとは異なる方のるつぼ（他方のるつぼ）について、前記の目標温度への加熱を開始する（Ｓ４７）。これは、現在制御しているるつぼから、当該他方のるつぼへの切り替えタイミングが近づいているためである。

【0057】

なお、前記他方のるつぼの加熱は、現在制御しているるつぼが前記の限界温度に達するよりも少し前に開始することが好ましい。前記他方のるつぼが前記の目標温度に達してから、安定するまでの時間を確保するためである。なお、上述のＳ１３で説明した、「第１るつぼ２０に残留する蒸着材料が所定量以下となったことを検知した場合」の一例が、Ｓ４６でＮＯと判定された場合である。

【0058】

そして開放量調整部５１は再度、蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧レートが、前記の目標レートの範囲内であるか否かを判定する（Ｓ４８）。ここで、蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧レートが、前記の目標レートの範囲内であると判定した場合（Ｓ４８でＹＥＳ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量を維持する。

【0059】

一方、蒸発源１１からの蒸着材料の放出圧レートが、前記の目標レートの範囲内でないと判定した場合（Ｓ４８でＮＯ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量を調整する（Ｓ４９）。そして開放量調整部５１は、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が前記の閾値以上であるか否かを判定する（Ｓ５０）。第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が前記の閾値以上であると判定した場合（Ｓ５０でＹＥＳ）、開放量調整部５１はＳ４８に処理を戻す。一方、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が前記の閾値以上ではないと判定した場合、制御装置５０は単一るつぼ蒸着工程を終了する。これは、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量が前記の閾値以上であり、かつ第１るつぼ２０または第２るつぼ３０の温度が前記の限界温度以上である場合である。制御装置５０は、これ以上単一のるつぼにより、蒸発源１１からの放出圧レートを維持するのは不可能であると判定し、単一るつぼ蒸着工程を終了する。

【0060】

（第１開放量調整工程および第２開放量調整工程）
図７および図８を参照して、るつぼの切り替え時に制御装置５０が行う処理を説明する。制御装置５０は、第１開放量調整工程（開放量調整工程）と第２開放量調整工程（開放量調整工程）とを、同時並行で実行する。説明の容易化のため、ここでは第１るつぼ２０に係る第１開放量調整工程と、第２るつぼ３０に係る第２開放量調整工程とを同時並行で実行する例について説明する。ただし以下の説明は、第２るつぼ３０に係る第１開放量調整工程と、第１るつぼ２０に係る第２開放量調整工程とを同時並行で実行する場合にも適用できる。

【0061】

図８に示すように第２開放量調整工程では、制御装置５０が膜厚センサ１３の蒸着面をカバーしていたＱＣＭシャッタを開く。そして制御装置５０は、膜厚センサ１３を第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量の調整に用いるセンサとして設定する（Ｓ７１）。制御装置５０は、Ｓ７１を第１開放量調整工程の開始数秒前に実行することが好ましい。膜厚センサ１３は、ＱＣＭシャッタを開いた後、膜厚センサ１３の蒸着面への輻射熱およびＱＣＭシャッタを開いたときに生じた振動等が安定するまで数秒間待機させることが好ましいためである。

【0062】

一方、図７に示すように、第１開放量調整工程ではまず、開放量調整部５１が、第１調整弁２１を一定速度で閉止していく（Ｓ６１）。これにより開放量調整部５１は、蒸着材料が残り少なくなった第１るつぼ２０からの、蒸着材料の供給を徐々に絞っていく。なお、開放量調整部５１がＳ６１で第１調整弁２１を閉止していく速度は、一定速度に限られるものではないが、一定速度であれば放出圧レートおよび膜厚の調整が容易である。

【0063】

次に第１開放量調整工程では、開放量調整部５１は、第１調整弁２１が全閉となったか否かを判定する（Ｓ６２）。第１調整弁２１が全閉となっていない場合（Ｓ６２でＮＯ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１の一定速度での閉止を継続する。このとき第２開放量調整工程では、第２開閉弁３２を開放し（Ｓ７２）、第２調整弁３１を開放する（Ｓ７３）。そして開放量調整部５１は、第２調整弁３１の開放量を調整し（Ｓ７４）、基板１６上に形成される膜の膜厚が、所定の目標膜厚の範囲内であるか否かを判定する（Ｓ７５）。このとき開放量調整部５１は、膜厚検出部５３が取得した膜厚センサ１３の検出値から、前記の膜厚を算出する。前記の膜厚が前記目標膜厚の範囲内にあれば、膜厚センサ１３の検出値は一定であるといえる。

【0064】

前記の膜厚が目標膜厚の範囲内ではないと判定した場合（Ｓ７５でＮＯ）、開放量調整部５１は、第２調整弁３１の開放量を再度調整する。そして、前記の膜厚が目標膜厚の範囲内であると判定した場合（Ｓ７５でＹＥＳ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１が全閉となっているか否かを判定する（Ｓ７６）。

【0065】

第１調整弁２１が全閉となっていた場合（Ｓ６２およびＳ７６でＹＥＳ）、第１開放量調整工程では、るつぼ制御部５４が第１開閉弁を閉止し（Ｓ６３）、第１るつぼ２０、第１開閉弁２２および第１脱気弁２３の加熱を停止する（Ｓ６４）。このとき、第１調整弁２１は加熱したままにする。第２調整弁３１から流れてくる蒸発した蒸着材料が、第１調整弁２１にコンデンス（付着）することを防ぐためである。コンデンスが発生すると、蒸着レートが大きく低下する。また、作業者のやけどを防ぐため、このときの第１るつぼ２０の温度は６０℃以下が望ましい。一方、第２開放量調整工程では、制御装置５０が圧力センサ１２を第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量の調整に用いるセンサとして設定し、膜厚センサ１３の蒸着面に備えられたＱＣＭシャッタを閉じる（Ｓ７７）。そして制御装置５０は、るつぼの切り替えが完了したと判定し、第１開放量調整工程および第２開放量調整工程を終了する。

【0066】

このように、るつぼの切り替え時に、開放量調整部５１が第１調整弁２１および第２調整弁３１を調整する構成によれば、基板１６上に形成される膜厚を一定に保ちつつ、蒸着材料が収容されたるつぼを切り替えることができる。

【0067】

また本実施形態では、制御装置５０は、開放量調整部５１が、第１調整弁２１および第２調整弁３１の両方が少なくとも一部開放されている場合、言い換えれば、第１調整弁２１および第２調整弁３１の両方が完全には閉じていない場合に、膜厚検出部５３での膜厚センサ１３による膜厚の検出結果が一定となるように、第１調整弁２１および第２調整弁３１の何れか一方の開放量を下げていくと共に、他方の開放量を上げていく構成を備えている。このように、開放量調整部５１が第１調整弁２１および第２調整弁３１の両方の開放量を一度に調整して、るつぼを切り替える構成によれば、るつぼの切り替えが比較的短時間で完了できる。そのため、るつぼの切り替え時にのみ用いる膜厚センサ１３の使用時間も短時間とすることが出来るため、膜厚センサ１３のメンテナンス頻度を下げることができる。

【0068】

また、るつぼの切り替え時には、直前まで用いていた方のるつぼに収容されている蒸着材料は、加熱による劣化が進行している虞がある。前記の構成によれば、直前まで用いていた方のるつぼに収容されている蒸着材料を全て使い切るわけではないため、劣化した蒸着材料を基板１６上に蒸着する虞を低減できる。さらに、直前まで用いていた方のるつぼは、比較的早く全閉状態となるため、新しい蒸着材料を充填するための時間を十分に確保できる。

【0069】

また制御装置５０は、るつぼの切り替え時のみ膜厚センサ１３による検出値を用い、それ以外の場合は圧力センサ１２による検出値を用いて、蒸着材料の放出圧レートおよび基板１６上に形成される膜の膜厚を調整する。そしてるつぼの切り替え時以外は、膜厚センサ１３が備えるＱＣＭシャッタを閉じて、膜厚センサ１３が備える蒸着面に膜が形成されない構成である。言い換えれば、開放量調整部５１は、第１調整弁２１および第２調整弁３１の両方が少なくとも一部開放されている場合、膜厚検出部５３が取得した膜厚の検出値を用いて、第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量を調整する。そして開放量調整部５１は、第１調整弁２１および第２調整弁３１の何れか一方のみが少なくとも一部開放されている場合、膜厚の検出値ではなく、圧力検出部５２が取得した放出圧の検出値を用いて、第１調整弁２１または第２調整弁３１の開放量を調整する。

【0070】

このような構成によれば、制御装置５０は、膜厚センサ１３のメンテナンス頻度を低減しつつ、基板１６上に形成される膜の膜厚を正確に検出できる膜厚センサ１３について、るつぼ切り替え時に要求される正確な検出のため有効に活用できる。

【0071】

（充填工程）
図９に示すように、充填工程では、前処理部５５が第１脱気弁２３または第２脱気弁３３を開放すると共に第３脱気弁４１を切り替えて、第１るつぼ２０または第２るつぼ３０に大気を導入する（Ｓ８１）。これは、新しい蒸着材料を第１るつぼ２０または第２るつぼ３０に投入できるようにするためである。制御装置５０は、新しい蒸着材料が収容された第１るつぼ２０または第２るつぼ３０が、真空蒸着装置１に取り付けられたことを検知する（Ｓ８２）。そして制御装置５０は、Ｓ８２で取り付けられた第１るつぼ２０または第２るつぼ３０を、上述の脱気ポンプにより真空状態にする（Ｓ８３）。

【0072】

〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0073】

本実施形態に係る真空蒸着装置１は、開放量調整部５１による第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量の調整方法が、実施形態１に係る真空蒸着装置１とは異なる。より具体的には、本実施形態に係る制御装置５０が実行する第１開放量調整工程は、実施形態１に係る制御装置５０が実行する第１開放量調整工程と異なる。制御装置５０によるその他の工程については、実施形態１と同様であるためここでは説明を省略する。

【0074】

図１０を参照して、本実施形態に係る真空蒸着装置１による開放量調整部５１の処理について以下に説明する。説明の容易化のため、ここでは第１るつぼ２０に係る第１開放量調整工程と、第２るつぼ３０に係る第２開放量調整工程とを同時並行で実行する例について説明する。ただし以下の説明は、第２るつぼ３０に係る第１開放量調整工程と、第１るつぼ２０に係る第２開放量調整工程とを同時並行で実行する場合にも適用できる。

【0075】

図１０に示すように、本実施形態に係る第１開放量調整工程では、開放量調整部５１は第１調整弁２１の開放量について、直前の単一るつぼ蒸着工程の終了時と同じ開放量を維持する（Ｓ９１）。そして開放量調整部５１は、第１開放量調整工程が開始してから一定時間が経過したか否かを判定する（Ｓ９２）。このとき開放量調整部５１は、並行して実行されている第２開放量調整工程で、開放量調整部５１が第２調整弁３１の開放（Ｓ７３）を実行してから一定時間が経過したか否かを判定してもよい。前記の一定時間は例えば、第１るつぼ２０から、第１るつぼ２０に残留した蒸着材料の略全部が蒸発する時間であってよい。

【0076】

前記の一定時間が経過していないと判定した場合（Ｓ９２でＮＯ）、開放量調整部５１は、前記の一定時間が経過するまでＳ９２の判定を継続する。一方、前記の一定時間が経過したと判定した場合（Ｓ９２でＹＥＳ）、開放量調整部５１は、第１調整弁２１を一定速度で閉止していく（Ｓ９３）。なお、Ｓ９３での第１調整弁２１の閉止速度は一定速度に限られない。

【0077】

このとき第２開放量調整工程では、前記の一定時間が経過するまでの間、または前記の第１調整弁２１について一定速度での閉止が終了するまでの間に、制御装置５０がＳ７２からＳ７５までの工程を並行して実行する。

【0078】

開放量調整部５１は、第１調整弁２１が全閉となっているか否かを判定する（Ｓ９４）。第１調整弁２１が全閉となっていた場合（Ｓ９４およびＳ７６でＹＥＳ）、第１開放量調整工程では、るつぼ制御部５４が第１開閉弁を閉止し（Ｓ９５）、第１るつぼ２０、第１開閉弁２２および第１脱気弁２３の加熱を停止する（Ｓ９６）。一方、第２開放量調整工程では、制御装置５０が圧力センサ１２を第１調整弁２１および第２調整弁３１の開放量の調整に用いるセンサとして設定し、膜厚センサ１３の蒸着面に備えられたＱＣＭシャッタを閉じる（Ｓ７７）。そして制御装置５０は、るつぼの切り替えが完了したと判定し、第１開放量調整工程および第２開放量調整工程を終了する。

【0079】

本実施形態では、開放量調整部５１が、第１調整弁２１および第２調整弁３１の両方が少なくとも一部開放されている場合に、膜厚検出部５３での膜厚センサ１３による膜厚の検出結果が一定となるように、第１調整弁２１および第２調整弁３１の何れか一方の開放量を上げていき、他方の開放量は一定とする構成を備えている。このように、開放量調整部５１が第１調整弁２１および第２調整弁３１の一方の開放量を維持しつつ他方の開放量を調整してるつぼを切り替える構成によれば、直前まで用いていた方のるつぼに収容されている蒸着材料の略全部を使い切ることが可能である。従って、るつぼの切り替えによる蒸着材料のロスを低減できる。

【0080】

また開放量調整部５１は、第１調整弁２１および第２調整弁３１の一方の開放量のみ調整すればよい。そのため、基板１６上への蒸着材料の蒸着レートを容易に一定に保つための、開放量調整部５１による第１調整弁２１および第２調整弁３１の調整が容易となる。

【0081】

〔ソフトウェアによる実現例〕
制御装置５０の制御ブロック（特に開放量調整部５１、圧力検出部５２および膜厚検出部５３）は、集積回路（ＩＣチップ）等に形成された論理回路（ハードウェア）によって実現してもよいし、ソフトウェアによって実現してもよい。

【0082】

後者の場合、制御装置５０は、各機能を実現するソフトウェアであるプログラムの命令を実行するコンピュータを備えている。このコンピュータは、例えば１つ以上のプロセッサを備えていると共に、前記プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を備えている。そして、前記コンピュータにおいて、前記プロセッサが前記プログラムを前記記録媒体から読み取って実行することにより、本発明の目的が達成される。前記プロセッサとしては、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）を用いることができる。前記記録媒体としては、「一時的でない有形の媒体」、例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の他、テープ、ディスク、カード、半導体メモリ、プログラマブルな論理回路などを用いることができる。また、前記プログラムを展開するＲＡＭ（Random Access Memory）などをさらに備えていてもよい。また、前記プログラムは、該プログラムを伝送可能な任意の伝送媒体（通信ネットワークや放送波等）を介して前記コンピュータに供給されてもよい。なお、本発明の一態様は、前記プログラムが電子的な伝送によって具現化された、搬送波に埋め込まれたデータ信号の形態でも実現され得る。

【0083】

〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0084】

１ 真空蒸着装置
１２ 圧力センサ（圧力検出器）
１３ 膜厚センサ（膜厚検出器）
２０ 第１るつぼ
２１ 第１調整弁
２３ 第１脱気弁
３０ 第２るつぼ
３１ 第２調整弁
３３ 第２脱気弁

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】