特許 7203159 基板支持部材およびそれを備える基板処理装置および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2022-12-28

(45)【発行日】2023-01-12

(54)【発明の名称】基板支持部材およびそれを備える基板処理装置および方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230104BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20230104BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20230104BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20230104BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 646

H01L21/304 643A

H01L21/304 648A

H01L21/68 N

H01L21/306 K

H01L21/30 564C

H01L21/30 569C

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2021117666

(22)【出願日】2021-07-16

(65)【公開番号】P2022032033

(43)【公開日】2022-02-24

【審査請求日】2021-07-16

(31)【優先権主張番号】10-2020-0099682

(32)【優先日】2020-08-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】598123150

【氏名又は名称】セメス株式会社

【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110000671

【氏名又は名称】八田国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ホン，ヨン フン

(72)【発明者】

【氏名】イ，カン スク

(72)【発明者】

【氏名】イ，ヒョン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】ジャン，ソ ヨン

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０４６０６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－０７８２８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０２９１３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－２４３３６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１７２２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１８４７０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２００５－００９２５８３（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２００４－０４００４７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

本体と、
前記本体上に設けられ、基板を支持するサポートピンと、
前記本体上に設けられ、前記基板を支持するガイドピンと、
前記サポートピンと第１抵抗の間の電気的接続および前記ガイドピンと第２抵抗の間の電気的接続を制御し、前記基板の周囲にある電荷を制御する電荷制御装置を含む、基板支持部材。

【請求項2】

前記電荷制御装置は、
前記サポートピンと接地を連結する第１線路上に設けられる前記第１抵抗と、
前記第１線路上に設けられ、前記サポートピンと前記第１抵抗の間の電気的接続をスイッチングする第１スイッチと、
前記ガイドピンと前記接地を連結する第２線路上に設けられる前記第２抵抗と、
前記第２線路上に設けられ、前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の電気的接続をスイッチングする第２スイッチと、
前記第１スイッチおよび前記第２スイッチのスイッチングを制御する制御部を含む、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項3】

前記第１抵抗は前記サポートピンと接地を連結する第１線路上に設けられ、
前記第２抵抗は前記ガイドピンと前記接地を連結する第２線路上に設けられ、
前記第１抵抗および前記第２抵抗は少なくとも一つ設けられる、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項4】

前記第１抵抗が複数設けられる場合、複数の第１抵抗のうち前記サポートピンと電気的に接続される第１抵抗の個数に応じて前記電荷の電荷量を制御したり、および／または
前記第２抵抗が複数設けられる場合、複数の第２抵抗のうち前記ガイドピンと電気的に接続される第２抵抗の個数に応じて前記電荷の電荷量を制御する、請求項３に記載の基板支持部材。

【請求項5】

前記第１抵抗が複数設けられる場合、複数の第１抵抗のうち少なくとも２個の第１抵抗は互いに異なる抵抗値を有し、前記少なくとも２個の第１抵抗を用いて前記電荷の電荷量を精密に制御したり、および／または
前記第２抵抗が複数設けられる場合、複数の第２抵抗のうち少なくとも２個の第２抵抗は互いに異なる抵抗値を有し、前記少なくとも２個の第２抵抗を用いて前記電荷の電荷量を精密に制御する、請求項３に記載の基板支持部材。

【請求項6】

前記第１抵抗と電気的に接続される前記サポートピンは少なくとも一つであるか、および／または
前記第２抵抗と電気的に接続される前記ガイドピンは少なくとも一つである、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項7】

前記第１抵抗および前記第２抵抗のうち少なくとも一つの抵抗は可変抵抗である、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項8】

前記第１抵抗および前記第２抵抗は前記本体の内部に設けられる、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項9】

前記基板の周囲にビルドアップされた電荷は前記基板を処理するために活用される、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項10】

前記電荷制御装置は薬液を用いて前記基板を洗浄するとき電荷を制御する、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項11】

前記電荷制御装置は、前記薬液が前記基板の上部に供給される場合、前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の電気的接続を制御する、請求項１０に記載の基板支持部材。

【請求項12】

前記電荷制御装置は、前記薬液が前記基板の上部および下部に供給される場合、前記サポートピンと前記第１抵抗の間の電気的接続を制御する、請求項１０に記載の基板支持部材。

【請求項13】

前記電荷制御装置は、前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の電気的接続をさらに制御する、請求項１２に記載の基板支持部材。

【請求項14】

前記サポートピンと前記第１抵抗の間の第１電気的接続は複数であり、前記電荷制御装置は複数の第１電気的接続のうち少なくとも一つの第１電気的接続を制御したり、および／または
前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の第２電気的接続は複数であり、前記電荷制御装置は複数の第２電気的接続のうち少なくとも一つの第２電気的接続を制御する、請求項１に記載の基板支持部材。

【請求項15】

前記電荷制御装置は、前記基板のエッチングレートに基づいて前記少なくとも一つの第１電気的接続および／または前記少なくとも一つの第２電気的接続を制御する、請求項１４に記載の基板支持部材。

【請求項16】

前記電荷制御装置は、前記薬液を前記基板に供給する前に電荷を制御する、請求項１０に記載の基板支持部材。

【請求項17】

前記電荷制御装置は、前記薬液が前記基板に供給されているとき時間差を置いて繰り返し電荷を制御する、請求項１０に記載の基板支持部材。

【請求項18】

本体、前記本体上に設けられ、基板を支持するサポートピン、および前記本体上に設けられ、前記基板を支持するガイドピンを含む支持部材と、
前記基板の上面に薬液を供給する噴射部材と、
前記基板の底面に薬液を供給するバックノズルと、
前記サポートピンと第１抵抗の間の電気的接続および前記ガイドピンと第２抵抗の間の電気的接続を制御し、前記基板の周囲にある電荷を制御する電荷制御装置を含む、基板処理装置。

【請求項19】

薬液を使用して基板を処理する前に前記基板の周囲にある電荷の電荷量を制御する第１段階と、
前記薬液を使用して前記基板を処理する間に前記基板の周囲にある電荷の電荷量を制御する第２段階を含む、基板処理方法。

【請求項20】

基板を処理する前に前記基板の周囲にある電荷の電荷量を制御する第１段階と、
前記基板を処理する間に前記基板の周囲にある電荷が前記基板から接地に向けて移動する量および／または速度を制御する第２段階を含む、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板を支持する基板支持部材およびそれを備える基板処理装置および方法に関する。より詳細には、基板を洗浄するときに基板を支持する基板支持部材およびそれを備える基板処理装置および方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子は基板上に所定のパターンを形成することによって製造することができる。基板上に所定のパターンを形成するときには多数の工程が半導体製造設備内で連続的に行われ得る。

【0003】

一般に半導体製造設備が位置した空間をファブ（ＦＡＢ）と定義することができる。このようなファブの内部では半導体基板上に膜を形成する蒸着工程（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、膜を平坦化する研磨工程（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、膜上にフォトレジストパターン（ｐｈｏｔｏ－ｒｅｓｉｓｔ ｐａｔｔｅｒｎ）を形成するフォトリソグラフィ工程（ｐｈｏｔｏ－ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ）、フォトレジストパターンを用いて膜を電気的特性を有するパターンに形成するエッチング工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、半導体基板の所定領域に特定イオンを注入するイオン注入工程（ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、半導体基板上の汚染源を除去する洗浄工程（ｃｌｅａｎｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、パターンが形成された半導体基板の表面を検査する検査工程等多数の工程が順次行われ得る。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

薬液を用いて基板を洗浄する場合、基板上の電荷（Ｃｈａｒｇｅ）を調節する必要がある。従来には基板を支持しているガイドピン（Ｇｕｉｄｅ Ｐｉｎ）およびチャック（Ｃｈｕｃｋ）の内部に設けられるモータシャフト（Ｍｏｔｏｒ Ｓｈａｆｔ）を接地させて基板上の電荷を調節した。

【0005】

しかし、このような方式で電荷を調節する場合、ガイドピンと電気的に接続されるアルミニウムプレート（Ａｌ Ｐｌａｔｅ）がチャック（Ｃｈｕｃｋ）の内部に別に備えられるべきであった。

【0006】

また、ガイドピンの材質によって抵抗能力が変わり、それによりＥＲ（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ）厚さ（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）およびエッジ（Ｅｄｇｅ）の偏差が発生し得る。
また、チャックの内部に接地抵抗値を制御できるシステムがないため電荷が無分別に抜け出ることができた。

【0007】

本発明で解決しようとする課題は、可変抵抗を用いてガイドピンおよびサポートピンの接地抵抗値を制御することによって基板上での電荷の流れを調節できる基板支持部材およびそれを備える基板処理装置および方法を提供することにある。

【0008】

本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0009】

前記課題を達成するための本発明の基板支持部材の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、本体と、前記本体上に設けられ、前記基板を支持するサポートピンと、前記本体上に設けられ、前記基板を支持するガイドピンと、前記サポートピンと第１抵抗の間の電気的接続および前記ガイドピンと第２抵抗の間の電気的接続を制御し、前記基板の周囲にある電荷を制御する電荷制御装置を含む。

【0010】

前記電荷制御装置は、前記サポートピンと接地を連結する第１線路上に設けられる前記第１抵抗と、前記第１線路上に設けられ、前記サポートピンと前記第１抵抗の間の電気的接続をスイッチングする第１スイッチと、前記ガイドピンと前記接地を連結する第２線路上に設けられる前記第２抵抗と、前記第２線路上に設けられ、前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の電気的接続をスイッチングする第２スイッチと、前記第１スイッチおよび前記第２スイッチのスイッチングを制御する制御部を含み得る。

【0011】

前記第１抵抗は前記サポートピンと接地を連結する第１線路上に設けられ、前記第２抵抗は前記ガイドピンと前記接地を連結する第２線路上に設けられ、前記第１抵抗および前記第２抵抗は少なくとも一つ設けられ得る。

【0012】

前記第１抵抗が複数設けられる場合、複数の第１抵抗のうち前記サポートピンと電気的に接続される第１抵抗の個数に応じて前記電荷の電荷量を制御したり、および／または前記第２抵抗が複数設けられる場合、複数の第２抵抗のうち前記ガイドピンと電気的に接続される第２抵抗の個数に応じて前記電荷の電荷量を制御し得る。

【0013】

前記第１抵抗は前記サポートピンと接地を連結する第１線路上に複数設けられ、複数の第１抵抗は並列連結されたり、および／または前記第２抵抗は前記ガイドピンと前記接地を連結する第２線路上に複数設けられ、複数の第２抵抗は並列連結され得る。

【0014】

前記複数の第１抵抗が並列連結される場合、前記複数の第１抵抗は互いに異なる抵抗値を有したり、および／または前記複数の第２抵抗が並列連結される場合、前記複数の第２抵抗は互いに異なる抵抗値を有し得る。

【0015】

前記第１抵抗は前記サポートピンと接地を連結する第１線路上に複数設けられ、複数の第１抵抗のうち少なくとも一部の第１抵抗は直列連結されたり、および／または前記第２抵抗は前記ガイドピンと接地を連結する第２線路上に複数設けられ、複数の第２抵抗のうち少なくとも一部の第２抵抗は直列連結され得る。

【0016】

前記第１抵抗が複数設けられる場合、複数の第１抵抗のうち少なくとも２個の第１抵抗は互いに異なる抵抗値を有し、前記少なくとも２個の第１抵抗を用いて前記電荷の電荷量を精密に制御したり、および／または前記第２抵抗が複数設けられる場合、複数の第２抵抗のうち少なくとも２個の第２抵抗は互いに異なる抵抗値を有し、前記少なくとも２個の第２抵抗を用いて前記電荷の電荷量を精密に制御し得る。

【0017】

前記第１抵抗と電気的に接続される前記サポートピンは少なくとも一つであるか、および／または前記第２抵抗と電気的に接続される前記ガイドピンは少なくとも一つであり得る。

【0018】

前記第１抵抗および前記第２抵抗のうち少なくとも一つの抵抗は可変抵抗であり得る。
前記第１抵抗および前記第２抵抗は前記本体の内部に設けられ得る。

【0019】

前記基板の周囲にビルドアップされた電荷は前記基板を処理するために活用され得る。
前記電荷制御装置は薬液を用いて前記基板を洗浄するとき電荷を制御し得る。

【0020】

前記電荷制御装置は前記薬液が前記基板の上部に供給される場合、前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の電気的接続を制御し得る。

【0021】

前記電荷制御装置は前記薬液が前記基板の上部および下部に供給される場合、前記サポートピンと前記第１抵抗の間の電気的接続を制御し得る。

【0022】

前記電荷制御装置は前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の電気的接続をさらに制御し得る。

【0023】

前記サポートピンと前記第１抵抗の間の第１電気的接続は複数であり、前記電荷制御装置は複数の第１電気的接続のうち少なくとも一つの第１電気的接続を制御したり、および／または前記ガイドピンと前記第２抵抗の間の第２電気的接続は複数であり、前記電荷制御装置は複数の第２電気的接続のうち少なくとも一つの第２電気的接続を制御し得る。
前記電荷制御装置は前記基板のエッチングレートに基づいて前記少なくとも一つの第１電気的接続および／または前記少なくとも一つの第２電気的接続を制御し得る。

【0024】

前記電荷制御装置は前記薬液を前記基板に供給する前に電荷を制御し得る。

【0025】

前記電荷制御装置は前記薬液が前記基板に供給されているとき時間差を置いて繰り返し電荷を制御し得る。

【0026】

前記課題を達成するための本発明の基板支持部材の他の面は、本体と、前記本体上に設けられ、前記基板を支持するサポートピンと、前記本体上に設けられ、前記基板を支持するガイドピンと、前記サポートピンと第１抵抗の間の電気的接続および前記ガイドピンと第２抵抗の間の電気的接続を制御し、前記基板の周囲にある電荷を制御する電荷制御装置を含み、前記電荷制御装置は前記薬液を前記基板に供給する前、および前記薬液が前記基板に供給されているとき電荷を制御し、前記薬液が前記基板に供給されているとき時間差を置いて繰り返し電荷を制御する。

【0027】

前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面は、本体、前記本体上に設けられ、前記基板を支持するサポートピン、および前記本体上に設けられ、前記基板を支持するガイドピンを含む支持部材と、前記基板の上面に薬液を供給する噴射部材と、前記基板の底面に薬液を供給するバックノズルと、前記サポートピンと第１抵抗の間の電気的接続および前記ガイドピンと第２抵抗の間の電気的接続を制御し、前記基板の周囲にある電荷を制御する電荷制御装置を含む。

【0028】

前記基板処理装置は前記薬液を用いて前記基板を洗浄する装置であり得る。

【0029】

前記課題を達成するための本発明の基板処理方法の一面は、基板を処理する前に前記基板の周囲にある電荷の電荷量を制御する第１段階と、前記基板を処理する間に前記基板の周囲にある電荷の電荷量を制御する第２段階を含む。

【0030】

前記第２段階は薬液を用いて前記基板を処理し、前記薬液が前記基板に供給されているとき時間差を置いて繰り返し電荷の電荷量を制御し得る。

【0031】

その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0032】

【図1】基板を洗浄するために用いられる基板処理システムの内部構造を概略的に示す平面図である。

【図2】図１の工程チャンバ内に提供される基板処理装置の内部構造を概略的に示す断面図である。

【図3】本発明の第１実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図4】本発明の第２実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図5】本発明の第３実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図6】本発明の第４実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図7】本発明の第５実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図8】本発明の第６実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図9】本発明の第７実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【図10】ガイドピンを用いて電荷を制御する場合の例示図である。

【図11】サポートピンを用いて電荷を制御する場合の第１例示図である。

【図12】サポートピンを用いて電荷を制御する場合の第２例示図である。

【図13】基板処理工程時サポートピンおよびガイドピンに連結される抵抗が使用される場合を示す例示図である。

【発明を実施するための形態】

【0033】

以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下で開示する実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。

【0034】

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「上（ｏｎ）」または「の上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「真上」と称する場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。

【0035】

空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」等は図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用される。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれ得る。したがって、例示的な用語である「下」は下と上の方向をいずれも含み得る。素子は他の方向に配向されることもでき、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈され得る。

【0036】

第１、第２等が多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使用されるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用することである。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。

【0037】

本明細書で使用された用語は実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書で、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。

【0038】

他に定義のない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術的および科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に共通して理解される意味として使用される。また、一般に使用される辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。

【0039】

以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたって図面符号に関係なく同一または対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに対する重複する説明は省略する。

【0040】

本発明は可変抵抗を用いてガイドピンおよびサポートピンの接地抵抗値を制御することによって基板上での電荷の流れを調節できる基板支持部材およびそれを備える基板処理装置に関する。

【0041】

以下では図面等を参照して本発明について詳しく説明する。

【0042】

図１は基板を洗浄するために用いられる基板処理システムの内部構造を概略的に示す平面図である。

【0043】

図１によれば、基板処理システム１００はインデックスモジュール１１０および工程処理モジュール１２０を含んで構成されることができる。

【0044】

インデックスモジュール１１０および工程処理モジュール１２０は一方向に順次配列され得る。本実施形態ではインデックスモジュール１１０および工程処理モジュール１２０が配列された方向を第１方向１０と定義する。また、上側から見るとき第１方向１０に垂直になる方向を第２方向２０と定義し、第１方向１０と第２方向２０を含む平面に垂直になる方向を第３方向３０と定義する。

【0045】

インデックスモジュール１１０は工程処理モジュール１２０の前方に配置される。このようなインデックスモジュール１１０はロードポート１１１および移送フレーム１１２を含んで構成されることができる。

【0046】

ロードポート１１１は基板が収納されるキャリア１３０が安着する。このようなロードポート１１１は移送フレーム１１２の前方に複数提供され得、複数のロードポート１１１は第２方向２０に沿って一列に配置され得る。

【0047】

図１ではインデックスモジュール１１０に４個のロードポート１１１が提供されることを示した。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。ロードポート１１１の個数は工程処理モジュール１２０の工程効率およびフットプリント（Ｆｏｏｔ－Ｐｒｉｎｔ）等の条件に応じて増加または減少し得る。

【0048】

キャリア１３０は複数の基板（例えば、ウエハ（Ｗａｆｅｒ））が収納されるものである。このようなキャリア１３０はその内部に基板の縁を支持するように提供されるスロット（Ｓｌｏｔ；図示せず）を備え得る。

【0049】

スロットは第３方向３０に複数提供されることができる。この時、基板は第３方向３０に沿って互いに離隔した状態で積層されてキャリア１３０内に位置し得る。キャリア１３０は、例えば、前面開放一体型ポッド（ＦＯＵＰ；Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）で実現することができる。

【0050】

移送フレーム１１２はロードポート１１１に安着するキャリア１３０とバッファユニット１２１の間で基板を搬送する。このような移送フレーム１１２はインデックスレール１１３およびインデックスロボット１１４を含んで構成されることができる。

【0051】

インデックスレール１１３はインデックスロボット１１４が移動する経路を提供する。このようなインデックスレール１１３はその長手方向が第２方向２０と並ぶように配置され得る。

【0052】

インデックスロボット１１４は基板を直接搬送する。このようなインデックスロボット１１４はインデックスレール１１３上に設けられ得、インデックスレール１１３上で第２方向２０に沿って直線移動することができる。

【0053】

インデックスロボット１１４は第１ベース１１４ａ、第１ボディ１１４ｂおよびインデックスアーム１１４ｃを含んで構成されることができる。ここで、第１ベース１１４ａはインデックスレール１１３に沿って移動が可能なように設けられる。

【0054】

第１ボディ１１４ｂは第１ベース１１４ａに結合され得る。第１ボディ１１４ｂは第１ベース１１４ａ上で第３方向３０に沿って移動が可能なように提供されることができる。また、第１ボディ１１４ｂは第１ベース１１４ａ上で回転可能なように提供されることも可能である。

【0055】

インデックスアーム１１４ｃは第１ボディ１１４ｂに結合され、第１ボディ１１４ｂに対して前進および後進移動が可能なように提供されることができる。このようなインデックスアーム１１４ｃは第１ボディ１１４ｂ上に複数提供され、それぞれ個別に駆動されるように提供されることができる。

【0056】

複数のインデックスアーム１１４ｃは第３方向３０に沿って互いに離隔した状態で積層されて配置され得る。複数のインデックスアーム１１４ｃのうちその一部は、工程処理モジュール１２０からキャリア１３０に基板を搬送するとき用いられ、他の一部はキャリア１３０から工程処理モジュール１２０に基板を搬送するとき用いられる。複数のインデックスアーム１１４ｃがこのように構成されると、インデックスロボット１１４が基板を搬入および搬出する過程で工程処理前の基板から発生した粒子が工程処理後の基板に付着することを防止する効果を得ることができる。

【0057】

工程処理モジュール１２０はバッファユニット１２１、移送チャンバ１２２および工程チャンバ１２５を含んで構成されることができる。

【0058】

バッファユニット１２１は移送フレーム１１２と移送チャンバ１２２の間で基板が搬送される前に留まる空間を提供する。バッファユニット１２１はこれのために移送フレーム１１２と移送チャンバ１２２の間に配置され得る。

【0059】

バッファユニット１２１はその内部に基板が安着するスロット（図示せず）が提供されることができる。スロットはバッファユニット１２１内に複数提供され得、複数のスロットは相互間に第３方向３０に沿って離隔するように提供されることができる。一方、バッファユニット１２１で、移送フレーム１１２と対向する面、移送チャンバ１２２と対向する面等はそのそれぞれが開放され得る。

【0060】

移送チャンバ１２２はバッファユニット１２１と工程チャンバ１２５の間で基板を搬送する。このような移送チャンバ１２２はガイドレール１２３およびメインロボット１２４を含んで構成されることができる。一方、移送チャンバ１２２は互いに異なる２個の工程チャンバ１２５の間で基板を搬送することも可能である。

【0061】

ガイドレール１２３はメインロボット１２４が移動する経路を提供する。このようなガイドレール１２３はその長手方向が第１方向１０と並ぶように配置され得る。

【0062】

メインロボット１２４は基板を直接搬送する。このようなメインロボット１２４はガイドレール１２３上に設けられ得、ガイドレール１２３上で第１方向１０に沿って直線移動することができる。

【0063】

メインロボット１２４は第２ベース１２４ａ、第２ボディ１２４ｂおよびメインアーム１２４ｃを含んで構成されることができる。ここで、第２ベース１２４ａはガイドレール１２３に沿って移動が可能なように設けられる。

【0064】

第２ボディ１２４ｂは第２ベース１２４ａに結合され得る。第２ボディ１２４ｂは第２ベース１２４ａ上で第３方向３０に沿って移動が可能なように提供されることができる。また、第２ボディ１２４ｂは第２ベース１２４ａ上で回転可能なように提供されることも可能である。

【0065】

メインアーム１２４ｃは第２ボディ１２４ｂに結合され、第２ボディ１２４ｂに対して前進および後進移動が可能なように提供されることができる。このようなメインアーム１２４ｃは第２ボディ１２４ｂ上に複数提供され、それぞれ個別に駆動されるように提供されることができる。

【0066】

複数のメインアーム１２４ｃは第３方向３０に沿って互いに離隔した状態で積層されて配置され得る。複数のメインアーム１２４ｃのうちその一部は、バッファユニット１２１から工程チャンバ１２５に基板を搬送するとき使用され得、他の一部は工程チャンバ１２５からバッファユニット１２１に基板を搬送するとき使用されることもできる。

【0067】

移送チャンバ１２２はその長手方向が第１方向１０と平行なように配置され得る。この時、第２方向２０に沿って移送チャンバ１２２の両側には複数の工程チャンバ１２５がそれぞれ配置され得、移送チャンバ１２２のそれぞれの側には第１方向１０に沿って複数の工程チャンバ１２５が配置されることもできる。

【0068】

複数の工程チャンバ１２５は互いに積層されて配置され得る。すなわち、複数の工程チャンバ１２５は移送チャンバ１２２の一側にＸ＊Ｙの配列に配置され得る。ここで、Ｘは１以上の自然数として、第１方向１０に沿って一列に提供される工程チャンバ１２５の数を意味し、Ｙは１以上の自然数として、第３方向３０に沿って一列に提供される工程チャンバ１２５の数を意味する。

【0069】

例えば、移送チャンバ１２２の一側に工程チャンバ１２５が４個提供される場合、４個の工程チャンバ１２５は２＊２の配列に配置され得、移送チャンバ１２２の一側に工程チャンバ１２５が６個提供される場合、６個の工程チャンバ１２５は３＊２の配列に配置され得る。

【0070】

一方、工程チャンバ１２５の個数は増加または減少し得る。また、工程チャンバ１２５は移送チャンバ１２２の一側にのみ提供されるか、移送チャンバ１２２の一側または両側に単層として提供されることもできる。

【0071】

基板処理装置は薬液を用いて基板を洗浄処理する。このような基板処理装置は工程チャンバ１２５内に提供されることができる。

【0072】

図２は図１の工程チャンバ内に提供される基板処理装置の内部構造を概略的に示す断面図である。以下説明は図１および図２を参照する。

【0073】

基板処理装置２００は複数の工程チャンバ１２５内に同じ構造を有するものとして提供されることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。基板処理装置２００は薬液の種類、工程方式の種類等によって複数の工程チャンバ１２５内に互いに異なる構造を有するものとして提供されることも可能である。

【0074】

複数の工程チャンバ１２５は複数のグループに区分することができる。この場合、同じグループに属する工程チャンバ内の基板処理装置は同じ構造を有することができ、相異するグループに属する工程チャンバ内の基板処理装置は相異する構造を有することができる。

【0075】

例えば、移送チャンバ１２２の一側に第１グループに属する第１工程チャンバが配置され、移送チャンバ１２２の他側に第２グループに属する第２工程チャンバが配置される場合、第１工程チャンバ内の基板処理装置どうしが同じ構造を有することができ、第２工程チャンバ内の基板処理装置どうしが同じ構造を有することができる。そして、第１工程チャンバ内の基板処理装置は第２工程チャンバ内の基板処理装置と相異する構造を有することができる。

【0076】

また、例えば、移送チャンバ１２２の一側および他側それぞれでその下層に第３グループに属する第３工程チャンバが配置され、移送チャンバ１２２の一側および他側それぞれでその上層に第４グループに属する第４工程チャンバが配置される場合、第３工程チャンバ内の基板処理装置どうしが同じ構造を有することができ、第４工程チャンバ内の基板処理装置どうしが同じ構造を有することができる。そして、第３工程チャンバ内の基板処理装置は第４工程チャンバ内の基板処理装置と相異する構造を有することができる。

【0077】

基板処理装置２００は例えば、図２に示すようにコップ２１０、支持部材２２０、昇降ユニット２３０、噴射部材２４０および制御器２５０を含んで構成されることができる。
コップ２１０は基板Ｗを処理する工程が行われる空間を提供する。このようなコップ２１０はその上部が開放されるように形成されることができる。

【0078】

コップ２１０は内部回収槽２１１、中間回収槽２１２および外部回収槽２１３を含んで構成されることができる。この時、それぞれの回収槽２１１，２１２，２１３は工程で使用される処理液のうち互いに相異する処理液を回収することができる。

【0079】

内部回収槽２１１は支持部材２２０を囲む環状のリング形状で提供されることができる。この時、内部回収槽２１１の内側空間２１４は処理液が内部回収槽２１１に流入するようにする流入口として機能することができる。

【0080】

中間回収槽２１２は内部回収槽２１１を囲む環状のリング形状で提供されることができる。この時、内部回収槽２１１と中間回収槽２１２の間の空間２１５は処理液が中間回収槽２１２に流入するようにする流入口として機能することができる。

【0081】

外部回収槽２１３は中間回収槽２１２を囲む環状のリング形状で提供されることができる。この時、中間回収槽２１２と外部回収槽２１３の間の空間２１６は処理液が外部回収槽２１３に流入するようにする流入口として機能することができる。
それぞれの回収槽２１１，２１２，２１３は、その底面の下方向に垂直に延びる回収ライン２１７，２１８，２１９とそれぞれ連結され得る。それぞれの回収ライン２１７，２１８，２１９は、それぞれの回収槽２１１，２１２，２１３を介して流入する処理液を外部に排出し得る。外部に排出される処理液は処理液再生システム（図示せず）を介して再使用されるように処理することができる。

【0082】

支持部材２２０は工程進行中に基板Ｗを支持して基板Ｗを回転させる。このような支持部材２２０はコップ２１０の内部に配置され得る。

【0083】

支持部材２２０は本体２２１、サポートピン（Ｓｕｐｐｏｒｔ Ｐｉｎ；２２２）、ガイドピン（Ｇｕｉｄｅ Ｐｉｎ；２２３）および第１支持軸２２４を含んで構成されることができる。

【0084】

本体２２１は上側から見るとき概して円形で提供される上部面を有し得る。このような本体２２１の底面にはモータ２２５により回転できる第１支持軸２２４が固定結合され得る。一方、本体２２１の上面にはバックノズル（Ｂａｃｋ Ｎｏｚｚｌｅ；図示せず）が設けられる。

【0085】

サポートピン２２２は本体２２１上で基板Ｗの底面を支持する。このようなサポートピン２２２は本体２２１上に複数提供されることができる。

【0086】

複数のサポートピン２２２は本体２２１の上部面から上側方向に突出して形成されることができる。また、複数のサポートピン２２２は本体２２１の上部面の縁に所定間隔で離隔して配置され得る。複数のサポートピン２２２は例えば、互いに間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置され得る。複数のサポートピン２２２はこのような構成により基板Ｗが本体２２１の上部面から一定距離離隔するように基板Ｗの後面縁を支持し得る。

【0087】

ガイドピン２２３はチャックピン（Ｃｈｕｃｋ Ｐｉｎ）ともいい、支持部材２２０が回転するとき基板Ｗが定位置から側方向に離脱しないように基板Ｗの側部を支持する。このようなガイドピン２２３はサポートピン２２２と同様に本体２２１上に複数提供され得、本体２２１の上部面から上側方向に突出して形成されることができる。

【0088】

ガイドピン２２３は本体２２１の中心でサポートピン２２２より遠く離れるように配置され得る。ガイドピン２２３は本体２２１の半径方向に沿って待期位置と支持位置の間に直線移動が可能なように提供されることができる。ここで、待期位置は支持位置に比べて本体２２１の中心から遠く離れた位置を意味する。

【0089】

ガイドピン２２３は基板Ｗが支持部材２２０にローディング時／アンローディング時待期位置に位置し、基板Ｗに対して工程行うとき支持位置に位置し得る。ガイドピン２２３は支持位置で基板Ｗの側部と接触し得る。

【0090】

昇降ユニット２３０はコップ２１０を上下方向に直線移動させる。コップ２１０が上下方向に直線移動することにより、支持部材２２０に対するコップ２１０の相対高さが変更され得る。

【0091】

昇降ユニット２３０はブラケット２３１、移動軸２３２および第１駆動器２３３を含んで構成されることができる。

【0092】

ブラケット２３１はコップ２１０の外壁に固定設けられる。このようなブラケット２３１は第１駆動器２３３により上下方向に移動する移動軸２３２と結合し得る。

【0093】

基板Ｗが支持部材２２０上に置かれたり、支持部材２２０から持ち上げられるとき、支持部材２２０がコップ２１０の上部に突出するようにコップ２１０は下降し得る。また、工程が行われるとき、基板Ｗに供給される処理液の種類によって処理液が既に設定された回収槽２１１，２１２，２１３に流入するようにコップ２１０の高さが調節されることができる。

【0094】

例えば、第１処理液で基板Ｗを処理する間、基板Ｗは内部回収槽２１１の内側空間２１４と対応する高さに位置し得る。また、第２処理液で基板Ｗを処理する間、基板Ｗは内部回収槽２１１と中間回収槽２１２の間の空間２１５に対応する高さに位置し得る。また、第３処理液で基板Ｗを処理する間、基板Ｗは中間回収槽２１２と外部回収槽２１３の間の空間２１６に対応する高さに位置し得る。

【0095】

一方、昇降ユニット２３０はコップ２１０の代わりに支持部材２２０を上下方向に移動させることも可能である。

【0096】

噴射部材２４０は基板処理工程時基板Ｗで処理液を供給する。噴射部材２４０はこのためにノズル支持台２４１、ノズル２４２、第２支持軸２４３および第２駆動器２４４を含んで構成されることができる。

【0097】

噴射部材２４０は１個または複数提供されることができる。噴射部材２４０が複数提供される場合、薬液、リンス液、有機溶剤等は互いに相異する噴射部材２４０を介して提供されることができる。リンス液は第１流体であり得、有機溶剤はイソプロピルアルコール蒸気と不活性ガスの混合物であるか、イソプロピルアルコール液であり得る。

【0098】

ノズル支持台２４１はその長手方向が第２方向２０に沿って提供されることができる。ノズル支持台２４１は第２支持軸２４３の長手方向に垂直になる方向に第２支持軸２４３の一端部に結合され得る。第２駆動器２４４は第２支持軸２４３の他端部に結合され得る。

【0099】

ノズル２４２はノズル支持台２４１の終端底面に設けられる。このようなノズル２４２は第２駆動器２４４により工程位置と待期位置に移動し得る。ここで、工程位置はノズル２４２が基板Ｗ上に処理液を吐出できるようにする支持部材２２０の垂直上方領域を意味し、待期位置は支持部材２２０の垂直上方領域を除いた領域、すなわち支持部材２２０の垂直上方領域から外側に外れた領域を意味する。

【0100】

第２支持軸２４３はその長手方向が第３方向３０に沿って提供されることができる。このような第２支持軸２４３はその下段で第２駆動器２４４と結合され得る。

【0101】

第２駆動器２４４は第２支持軸２４３を回転および昇降運動させる。このような第２駆動器２４４は制御器２５０と連結され、制御器２５０により制御されることができる。

【0102】

一方、図２で制御器２５０は第２駆動器２４４に連結されることが示されている。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。制御器２５０は第２駆動器２４４だけでなく第１駆動器２３３にも連結され、第１駆動器２３３も制御することができる。

【0103】

薬液を用いて基板を洗浄する場合、アンストリップ（Ｕｎ－Ｓｔｒｉｐ）およびＥＲ（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ）は薬液の流速、特性、伝導性、表面張力等に依存し、それぞれの設備、基板の種類およびレシピ（Ｒｅｃｉｐｅ）等によって瞬間毎変わる。

【0104】

アンストリップが発生することを防止してＥＲを改善するために、基板上の電荷（Ｃｈａｒｇｅ）を調節することができる。しかし、基板処理装置２００内部の限定された空間で基板処理過程を繰り返す場合、その内部の素材は吐出、摩擦、誘導等多様な帯電により過量の±ｋＶが持続的に積もり、それによってＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を誘発し得る。したがって、基板処理時ＥＳＤ現象を防止できる技術が必要である。

【0105】

また、多様な帯電およびイオン化効果によって薬液内部に電荷を有することができる。しかし、このときの電荷を用いてアンストリップが発生することを防止し、ＥＲおよびＥＳＤを制御できる技術がない。

【0106】

また、支持部材２２０の周辺素材および環境的要因に起因する静電気力モニタリングが難しい問題がある。

【0107】

本実施形態では可変抵抗を用いてサポートピン２２２およびガイドピン２２３の接地抵抗値を制御することによって基板Ｗ上での電荷の流れを効率的に調節することができる。以下ではこれについて詳しく説明する。

【0108】

図３は本発明の第１実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【0109】

図３によれば、電荷制御装置３００は第１スイッチ３１０、第１抵抗３２０、第２スイッチ３３０、第２抵抗３４０および制御部３５０を含んで構成されることができる。

【0110】

電荷制御装置３００はサポートピン２２２およびガイドピン２２３にそれぞれ連結される複数の抵抗を選択的にスイッチング（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）制御して基板周辺の電荷を制御する。このような電荷制御装置３００は支持部材２２０の内部およびその外部に設けられる。

【0111】

第１スイッチ３１０はサポートピン２２２と第１抵抗３２０を電気的に接続させる。第１スイッチ３１０はサポートピン２２２、第１抵抗３２０および接地３６０を連結する線路上に設けられ得、その線路上でサポートピン２２２と第１抵抗３２０の間に設けられる。

【0112】

第１スイッチ３１０は制御部３５０の制御に応じてスイッチングされてサポートピン２２２と第１抵抗３２０を電気的に接続させ得る。例えば、第１スイッチ３１０が制御部３５０によりスイッチングオン（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｏｎ）に設定されると、サポートピン２２２と第１抵抗３２０は電気的に接続される。この時、基板Ｗの周囲に位置する電荷はサポートピン２２２および第１抵抗３２０を順番どおり経て接地３６０に移動し、そのため基板Ｗの周囲に存在する電荷量は減少し得る。

【0113】

反面、第１スイッチ３１０が制御部３５０によりスイッチングオフ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｏｆｆ）に設定されると、サポートピン２２２と第１抵抗３２０は電気的に接続されない。したがって、基板Ｗの周囲に位置する電荷は接地３６０に移動できず、基板Ｗの周囲に存在する電荷量は維持され得る。

【0114】

第１スイッチ３１０は支持部材２２０の本体２２１内部に設けられる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第１スイッチ３１０はサポートピン２２２と電気的に接続できれば支持部材２２０の本体２２１外部に設けられてもよい。

【0115】

第１抵抗３２０はサポートピン２２２および接地３６０を連結する線路上で電荷の移動を制御する。このような第１抵抗３２０は電荷の移動速度を制御できるように可変抵抗で実現することができる。

【0116】

第１抵抗３２０は第１スイッチ３１０および接地３６０の間に設けられる。第１抵抗３２０は第１スイッチ３１０と同様に支持部材２２０の本体２２１内部に設けられ得、第１スイッチ３１０と電気的に接続できれば支持部材２２０の本体２２１外部に設けられることも可能である。

【0117】

第２スイッチ３３０はガイドピン２２３と第２抵抗３４０を電気的に接続させる。第２スイッチ３３０はガイドピン２２３、第２抵抗３４０および接地３６０を連結する線路上に設けられ得、その線路上でガイドピン２２３と第２抵抗３４０の間に設けられる。

【0118】

第２スイッチ３３０は制御部３５０の制御に応じてスイッチングされてガイドピン２２３と第２抵抗３４０を電気的に接続させ得る。例えば、第２スイッチ３３０が制御部３５０によりスイッチングオンに設定されると、ガイドピン２２３と第２抵抗３４０は電気的に接続される。この時、基板Ｗの周囲に位置する電荷はガイドピン２２３および第２抵抗３４０を順番どおり経て接地３６０に移動し、そのため基板Ｗの周囲に存在する電荷量は減少し得る。

【0119】

反面、第２スイッチ３３０が制御部３５０によりスイッチングオフに設定されると、ガイドピン２２３と第２抵抗３４０は電気的に接続されない。したがって、基板Ｗの周囲に位置する電荷は接地３６０に移動できず、基板Ｗの周囲に存在する電荷量は維持され得る。

【0120】

第２スイッチ３３０は支持部材２２０の本体２２１内部に設けられる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。第２スイッチ３３０はガイドピン２２３と電気的に接続できれば支持部材２２０の本体２２１外部に設けられてもよい。

【0121】

第２抵抗３４０はガイドピン２２３および接地３６０を連結する線路上で電荷の移動を制御する。このような第２抵抗３４０は電荷の移動速度を制御できるように可変抵抗で実現することができる。

【0122】

第２抵抗３４０は第２スイッチ３３０および接地３６０の間に設けられる。第２抵抗３４０は第２スイッチ３３０と同様に支持部材２２０の本体２２１内部に設けられ得、第２スイッチ３３０と電気的に接続できれば支持部材２２０の本体２２１外部に設けられることも可能である。

【0123】

制御部３５０は第１スイッチ３１０および第２スイッチ３３０のスイッチングを制御する。第１スイッチ３１０および第２スイッチ３３０は制御部３５０の制御に応じてスイッチングオンまたはスイッチングオフに設定され得る。制御部３５０は第１抵抗３２０および第２抵抗３４０も制御し得る。

【0124】

制御部３５０は第１スイッチ３１０および第２スイッチ３３０のスイッチングを制御するために第１スイッチ３１０および第２スイッチ３３０と電気的に接続され得る。制御部３５０は演算機能を備えたプロセッサを備える装置（例えば、コンピュータやサーバ）で実現することができ、基板処理装置２００の外部に設けられる。

【0125】

以上説明した通り、図３の例示ではサポートピン２２２に電気的に接続される単一個の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される単一個の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することができる。

【0126】

しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。サポートピン２２２に電気的に接続される複数の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される複数の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することも可能である。例えば、図４に示すようにサポートピン２２２に電気的に接続される２個の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される２個の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することができる。図４は本発明の第２実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【0127】

図４の例示では第１抵抗３２０および第２抵抗３４０がそれぞれ複数備えられる場合について説明している。本実施形態では第１スイッチ３１０および第２スイッチ３３０が第１抵抗３２０および第２抵抗３４０と同様にそれぞれ複数備えられ得る。この場合、第１スイッチ３１０および第２スイッチ３３０は第１抵抗３２０および第２抵抗３４０と同一個数設けられ得、第１抵抗３２０および第２抵抗３４０とそれぞれ一対一で連結され得る。

【0128】

第１スイッチ３１０および第１抵抗３２０がそれぞれ複数設けられると、複数の第１スイッチ３１０のうちスイッチング連結される第１スイッチ３１０の個数に応じて電荷量や電荷の移動速度を制御することができる。例を挙げて説明すると、図４の例示からわかるように第１スイッチ３１０および第１抵抗３２０がそれぞれ２個設けられる場合、スイッチング連結される第１スイッチ３１０の個数が１個であるときよりスイッチング連結される第１スイッチ３１０の個数が２個であるとき、第１抵抗３２０による接地抵抗値が増加し得るので、そのため基板Ｗから接地３６０方向に移動する電荷の電荷量や移動速度を制御することができる。

【0129】

同様に、第２スイッチ３３０および第２抵抗３４０がそれぞれ複数設けられると、複数の第２スイッチ３３０のうちスイッチング連結される第２スイッチ３３０の個数に応じて電荷量や電荷の移動速度を制御することができる。例を挙げて説明すると、図４の例示でわかるように第２スイッチ３３０および第２抵抗３４０がそれぞれ２個設けられる場合、スイッチング連結される第２スイッチ３３０の個数が１個であるときよりスイッチング連結される第２スイッチ３３０の個数が２個であるとき、第２抵抗３４０による接地抵抗値が増加し得るので、そのため基板Ｗから接地３６０方向に移動する電荷の電荷量や移動速度を制御することができる。

【0130】

前記の場合、２個の第１抵抗３２０は同じ抵抗値を有することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。２個の第１抵抗３２０は互いに異なる抵抗値を有することも可能である。この場合、図５に示すように、第１スイッチ３１０は単一個備えられ得、第１スイッチ３１０が抵抗値が相対的に小さい第ａ抵抗３２０ａにスイッチング連結されるときより抵抗値が相対的に大きい第ｂ抵抗３２０ｂにスイッチング連結されるとき、第１抵抗３２０による接地抵抗値が増加し得るので、そのため基板Ｗから接地３６０方向に移動する電荷の電荷量や移動速度を制御することができる。図５は本発明の第３実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【0131】

同様に、２個の第２抵抗３４０も互いに異なる抵抗値を有することができる。この場合、図５に示すように、第２スイッチ３３０は単一個備えられ得、第２スイッチ３３０が抵抗値が相対的に小さい第ｃ抵抗３４０ａにスイッチング連結されるときより抵抗値が相対的に大きい第ｄ抵抗３４０ｂにスイッチング連結されるとき、第２抵抗３４０による接地抵抗値が増加し得るので、そのため基板Ｗから接地３６０方向に移動する電荷の電荷量や移動速度を制御することができる。

【0132】

図５の例示では２個の第１抵抗３２０および２個の第２抵抗３４０が互いに異なる抵抗値を有する場合を説明しているが、２個の第１抵抗３２０および２個の第２抵抗３４０のいずれか一方の抵抗のみ互いに異なる抵抗値を有することも可能である。

【0133】

一方、先立って説明した通り、図４の例示で２個の第１抵抗３２０が互いに異なる抵抗値を有することができる。すなわち、２個の第１抵抗３２０のいずれか一つの第１抵抗３２０が他の一つの第１抵抗３２０より相対的に大きい抵抗値を有することができる。この場合、２個の第１抵抗３２０をすべて活用すると電荷量や電荷の移動速度を精密に制御することが可能になる。２個の第２抵抗３４０の場合も同様である。

【0134】

一方、本実施形態では図６に示すように同じ抵抗値を有する第１抵抗３２０を両方のうちいずれか一方にさらに多く設けて抵抗値偏差を発生させることも可能である。図６は本発明の第４実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。
同様に、図６に示すように同じ抵抗値を有する第２抵抗３４０を両方のうちいずれか一方にさらに多く設けて抵抗値偏差を発生させることもできる。

【0135】

図６の例示では第１抵抗３２０および第２抵抗３４０はいずれも両方のうちいずれか一方により多くの個数の抵抗が設けられる場合を説明している。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。本実施形態では第１抵抗３２０のみ両方のうちいずれか一方により多くの個数の抵抗が設けられるか、第２抵抗３４０のみ両方のうちいずれか一方により多くの個数の抵抗が設けられることも可能である。

【0136】

一方、本実施形態ではサポートピン２２２に電気的に接続される複数の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される単一個の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することも可能である。例えば、図７に示すようにサポートピン２２２に電気的に接続される２個の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される１個の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することができる。図７は本発明の第５実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【0137】

また、本実施形態ではサポートピン２２２に電気的に接続される単一個の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される複数の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することも可能である。例えば、図８に示すようにサポートピン２２２に電気的に接続される１個の第１抵抗３２０およびガイドピン２２３に電気的に接続される２個の第２抵抗３４０を用いて基板Ｗの周辺に位置する電荷量を制御することができる。図８は本発明の第６実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【0138】

図７および図８に示すように、第１抵抗３２０および第２抵抗３４０のいずれか一つの抵抗が複数備えられる場合、図５および図６等を参照して前述した部分が同様に適用されるのはもちろんである。

【0139】

以上、図３ないし図８を参照して説明した実施形態ではそれぞれのサポートピン２２２が第１スイッチ３１０および第１抵抗３２０と連結され、それぞれのガイドピン２２３が第２スイッチ３３０および第２抵抗３４０と連結され得る。

【0140】

しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。図９に示すように、一つのサポートピン２２２と一つのガイドピン２２３が第１スイッチ３１０および第１抵抗３２０に同時に連結されることも可能である。図９は本発明の第７実施形態により支持部材に設けられる電荷制御装置を概略的に示す図である。

【0141】

一方、図面には示されていないが、本実施形態では複数のサポートピン２２２が一つの第１スイッチ３１０および一つの第１抵抗３２０に同時に連結され、複数のガイドピン２２３が一つの第２スイッチ３３０および一つの第２抵抗３４０に同時に連結されることも可能である。

【0142】

次に、サポートピン２２２を接地３６０に電気的に接続させて電荷を制御する場合およびガイドピン２２３を接地３６０に電気的に接続させて電荷を制御する場合について説明する。

【0143】

図１０はガイドピンを用いて電荷を制御する場合の例示図である。以下の説明は図１０を参照する。

【0144】

薬液を用いて基板Ｗを洗浄する場合、噴射部材２４０を用いて基板Ｗの上面に薬液を供給し得る。このような場合、電荷４１０は基板Ｗの上面に位置し得る。

【0145】

電荷４１０が基板Ｗの上面に位置する場合、本実施形態ではガイドピン２２３を用いて電荷４１０の電荷量や移動速度を制御することができる。

【0146】

図１１はサポートピンを用いて電荷を制御する場合の第１例示図である。以下の説明は図１１を参照する。

【0147】

薬液を用いて基板Ｗを洗浄する場合、噴射部材２４０を用いて基板Ｗの上面に薬液を供給し得、同時にバックノズルを用いて基板Ｗの底面に薬液を供給し得る。このような場合、電荷４１０は基板Ｗの上面および底面に位置し得る。

【0148】

電荷４１０が基板Ｗの上面および底面に位置する場合、本実施形態ではサポートピン２２２を用いて電荷４１０の電荷量や移動速度を制御することができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。図１２に示すように、サポートピン２２２およびガイドピン２２３を用いて電荷４１０の電荷量や移動速度を制御することも可能である。図１２はサポートピンを用いて電荷を制御する場合の第２例示図である。

【0149】

一方、サポートピン２２２およびガイドピン２２３は支持部材２２０の本体２２１上にそれぞれ複数設けられる。この時、複数のサポートピン２２２のうちその一部のサポートピン２２２を用いて電荷を制御することもできる。本実施形態ではこのような場合、基板Ｗのエッチングレート（ＥＲ；Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ）を考慮して複数のサポートピン２２２のうち少なくとも一部のサポートピン２２２を用いて電荷を制御することができる。

【0150】

同様に、複数のガイドピン２２３のうち少なくとも一部のガイドピン２２３を用いて電荷を制御する場合にも基板Ｗのエッチングレートが考慮される。

【0151】

次に、基板処理工程（Ｗａｆｅｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ）（例えば、洗浄工程）が行われる過程で電荷を制御する方法について説明する。

【0152】

図１３は基板処理工程時サポートピンおよびガイドピンに連結される抵抗が使用される場合を示す例示図である。以下の説明は図１３を参照する。

【0153】

基板Ｗが支持部材２２０の本体２２１上に安着し、サポートピン２２２およびガイドピン２２３により支持されると（Ｗａｆｅｒ Ｉｎ）、噴射部材２４０は基板Ｗの上面に薬液を吐出し得る。この時、バックノズルは基板Ｗの底面に薬液を吐出し得る。

【0154】

（１）薬液吐出前（５１０）
噴射部材２４０、バックノズル等が基板Ｗに薬液を吐出する前に、薬液吐出時発生し得るＥＳＤを防止するために、接地により基板Ｗの周囲に位置する電荷を除去する必要がある。この場合、サポートピン２２２およびガイドピン２２３のうち少なくとも一方を用いて基板Ｗの周囲に位置する電荷の電荷量を制御することができる。電荷を早期に除去しようとする場合、サポートピン２２２およびガイドピン２２３をすべて用いることができる。

【0155】

一方、基板Ｗの周囲に位置する電荷が除去されると、接地状態は非接地状態に転換される。

【0156】

（２）薬液吐出中（５２０）
噴射部材２４０、バックノズル等によって基板Ｗの上面、底面等に薬液が吐出されると、基板Ｗの周囲に残っている電荷と薬液内の電荷にアンストリップおよびＥＲをコントロールできる基板プロセス（Ｗａｆｅｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ）（例えば、基板洗浄工程）を確立する。

【0157】

基板プロセスの途中、一定時間が経過したり、基板Ｗの周囲に位置する電荷の電荷量が所定値になったと判断されると、非接地状態から接地状態に転換して基板Ｗの周囲に位置する電荷を除去してＥＳＤを防止することができる。この時、サポートピン２２２およびガイドピン２２３のうち少なくとも一方を接地状態に転換させることができる。

【0158】

本実施形態では基板プロセス途中、接地状態から非接地状態への転換および非接地状態から接地状態への転換がＮ回（ここで、Ｎは１以上の自然数）繰り返され得る。

【0159】

本実施形態では電荷が抜け出る速度を制御することにおいて、接地経路のうち可変抵抗（すなわち、第１抵抗３２０および第２抵抗３４０）コントロールによりＵ－ＳｔｒｉｐおよびＥＲ調節技術を確保することができる。

【0160】

（３）薬液吐出後（５３０）
基板プロセスが終了すると、抵抗支配により基板Ｗに残っている電荷の電荷量を調節することができ、そのため後続プロセスに有利な条件を満たすことができる。

【0161】

従来には基板処理のために基板上で電荷をほとんどの除去したり、基板上の残余電荷量を分かることができず、基板処理工程にビルドアップ（Ｂｕｉｌｄ Ｕｐ）した電荷を活用することが難しかった。本実施形態では電荷制御装置３００を用いて基板上の残余電荷量を調節できるので、これによりビルドアップされた電荷を活用して基板処理工程（例えば、洗浄工程）を行うことが可能な効果を得ることができる。また、本実施形態ではこのような過程により基板Ｗ表面の電荷量変化に応じた静電気的Ａｄｄｅｄ ＰＣを制御する効果も得ることができる。

【0162】

以上、図３ないし図１３を参照して多様な実施形態による電荷制御装置３００およびその作動方法について説明した。電荷制御装置３００は接地抵抗支配によりＵｎ－Ｓｔｒｉｐを防止してＥｄｇｅ ＥＲを改善するからである。電荷制御装置３００はＷａｆｅｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ中、Ｗａｆｅｒおよび溶液内のＣｈａｒｇｅ制御に応じてＵｎ－Ｓｔｒｉｐ防止およびＥｄｇｅ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ（ＥＲ）を改善することができる。電荷制御装置３００はＵｎ－Ｓｔｒｉｐ防止およびＥＲ改善のために、Ｗａｆｅｒ Ｐｒｏｃｅｓｓ進行全般においてＰｉｎ接地の有／無および可変抵抗によりＣｈａｒｇｅ移動およびＥＳＤを制御することができる。

【0163】

以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

【符号の説明】

【0164】

２００ 基板処理装置
２１０ コップ
２２０ 支持部材
２２１ 本体
２２２ サポートピン
２２３ ガイドピン
２２４ 第１支持軸
２３０ 昇降ユニット
２４０ 噴射部材
２５０ 制御器
３００ 電荷制御装置
３１０ 第１スイッチ
３２０，３２０ａ，３２０ｂ 第１抵抗
３３０ 第２スイッチ
３４０，３４０ａ，３４０ｂ 第２抵抗
３５０ 制御部
３６０ 接地
４１０ 電荷
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】