(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-01-04
(45)【発行日】2023-01-13
(54)【発明の名称】レーザ発振器及びそれを用いたレーザ加工装置
(51)【国際特許分類】
B23K 26/067 20060101AFI20230105BHJP
B23K 26/00 20140101ALI20230105BHJP
B23K 26/064 20140101ALI20230105BHJP
H01S 3/00 20060101ALI20230105BHJP
H01S 3/10 20060101ALI20230105BHJP
【FI】
B23K26/067
B23K26/00 N
B23K26/064 N
H01S3/00 B
H01S3/10 Z
(21)【出願番号】P 2018076938
(22)【出願日】2018-04-12
【審査請求日】2021-03-19
(73)【特許権者】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックIPマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001427
【氏名又は名称】弁理士法人前田特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】堂本 真也
(72)【発明者】
【氏名】加藤 直也
(72)【発明者】
【氏名】山下 隆之
【審査官】黒石 孝志
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第2002/0000426(US,A1)
【文献】特開平05-066365(JP,A)
【文献】特開2001-287069(JP,A)
【文献】国際公開第2017/159439(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
B23K 26/00 - 26/70
H01S 3/00
H01S 3/10
H01S 5/022
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
主たる偏光状態が第1の偏光状態である第1~第4のレーザビームをそれぞれ発する4つのレーザモジュールと、
4つの前記レーザモジュールからそれぞれ出射された前記第1~第4のレーザビームを結合して1つ又は2つ以上のレーザビームとして出射するビーム結合器と、
前記ビーム結合器から出射されたレーザビームを所定のビーム径になるように集光して伝送ファイバに導光する集光ユニットと、を備え、
前記ビーム結合器は、
前記第1~第4のレーザビームがそれぞれ入射される第1~第4の光入射部と、
第1~第5の光反射部材と、
第1~第3の偏光ビームスプリッタと、
第1の偏光部材と第2の偏光部材と、
第1の光出射部と第2の光出射部と、を少なくとも有し、
前記第1の光反射部材は、第1の方向に進行する前記第1のレーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に反射し、
前記第2の光反射部材は、前記第1の光反射部材で反射された前記第1のレーザビームを前記第1の方向に反射して、前記第1の偏光ビームスプリッタに向かわせ、
前記第3の光反射部材は、第1の方向に進行する前記第
3のレーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、
前記第4の光反射部材は、前記第1の方向に進行する前記第4のレーザビームを前記第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、
前記第3の偏光ビームスプリッタは、
前記第1の方向に進行して、自身を透過するレーザビームを前記第1の光出射部に向かわせる一方、自身で反射されたレーザビームを前記第5の光反射部材に向かわせ、
前記第5の光反射部材は、入射されたレーザビームを前記第2の光出射部に向かわせ、
前記第1の偏光部材は、前記第2の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過する前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、
前記第2の偏光部材は、前記第1の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過する前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、
前記第1~第4のレーザビームが前記第1~第4の光入射部にそれぞれ入射された状態で、前記第1の偏光部材及び前記第2の偏光部材の位置をそれぞれ変化させることで、前記第1の光出射部及び前記第2の光出射部からそれぞれ出射されるレーザビームのうち、少なくとも一方の出力を4段階に変更可能に構成されていることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項2】
請求項1に記載のレーザ発振器において、
前記第1の偏光部材を前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路上の所定の位置に移動させる一方、前記第2の偏光部材を前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとの光路外の所定の位置に移動させることで、
前記第1の光出射部から前記第1~第4のレーザビームが結合されたレーザビームが出射され、
前記第1の偏光部材を前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路外の所定の位置に移動させる一方、前記第2の偏光部材を前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとの光路上の所定の位置に移動させることで、
前記第2の光出射部から前記第1~第4のレーザビームが結合されたレーザビームが出射されることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項3】
請求項1または2に記載のレーザ発振器において、
前記第1の偏光部材を前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路上の所定の位置に移動させ、かつ前記第2の偏光部材を前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとの光路上の所定の位置に移動させることで、
前記第1の光出射部から前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとが結合されたレーザビームが出射され、かつ前記第2の光出射部から前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとが結合されたレーザビームが出射されることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項4】
請求項1ないし3のいずれか1項に記載のレーザ発振器において、
前記第1の偏光部材を前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路上の所定の位置に移動させ、かつ前記第2の偏光部材を前記第1のレーザビーム及び前記第2のレーザビームのいずれか一方のみの光路上の所定の位置に移動させるか、
または、
前記第1の偏光部材を前記第3のレーザビーム及び前記第4のレーザビームのいずれか一方のみの光路上の所定の位置に移動させ、かつ前記第2の偏光部材を前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとの光路
外の所定の位置に移動させることで、
前記第1の光出射部から前記第1~第4のレーザビームのうち3本が結合されたレーザビームが出射され、かつ前記第2の光出射部から前記第1~第4のレーザビームのうち1本のレーザビームが出射されることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項5】
請求項1ないし3のいずれか1項に記載のレーザ発振器において、
前記第1の偏光部材を前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路外の所定の位置に移動させ、かつ前記第2の偏光部材を前記第1のレーザビーム及び前記第2のレーザビームのいずれか一方のみの光路上の所定の位置に移動させることで、
前記第1の光出射部から前記第1~第4のレーザビームのうち1本のレーザビームが出射され、かつ前記第2の光出射部から前記第1~第4のレーザビームのうち3本が結合されたレーザビームが出射されることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項6】
請求項2または4に記載のレーザ発振器において、
前記第1の光出射部から出射されるレーザビームは、3本または4本のレーザビームが結合された結合レーザビームであり、
前記結合レーザビームには、前記第3の偏光ビームスプリッタで同じ光軸になるように結合された2本のレーザビームの組が少なくとも1組含まれることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項7】
主たる偏光状態が第1の偏光状態である第1~第4のレーザビームをそれぞれ発する4つのレーザモジュールと、
4つの前記レーザモジュールからそれぞれ出射された前記第1~第4のレーザビームを結合して1つ又は2つ以上のレーザビームとして出射するビーム結合器と、
前記ビーム結合器から出射されたレーザビームを所定のビーム径になるように集光して伝送ファイバに導光する集光ユニットと、を備え、
前記ビーム結合器は、
前記第1~第4のレーザビームがそれぞれ入射される第1~第4の光入射部と、
第3の光反射部材と第4の光反射部材と、
第1~第6の偏光ビームスプリッタと、
第1の偏光部材と第3の偏光部材と第4の偏光部材と、
第1~第3の光出射部と、を少なくとも有し、
前記第3の光反射部材は、第1の方向に進行する前記第3のレーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、
前記第4の光反射部材は、前記第1の方向に進行する前記第4のレーザビームを前記第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、
前記第1の偏光ビームスプリッタは、前記第1の方向に進行する前記第2のレーザビームの光路上であって、前記第2の光入射部と前記第5の偏光ビームスプリッタとの間に設けられ、
前記第2の偏光ビームスプリッタは、前記第3の光反射部材で反射された前記第3のレーザビームと前記第3の光反射部材で反射された前記第4のレーザビームとの光路上に設けられ、
前記第3の偏光ビームスプリッタは、自身を透過するレーザビームを前記第5の偏光ビームスプリッタに向かわせる一方、自身で反射されたレーザビームを前記第1の光出射部に向かわせ、
前記第4の偏光ビームスプリッタは、前記第1の方向に進行する前記第1のレーザビームの光路上であって、前記第1の光入射部と前記第6の偏光ビームスプリッタとの間に設けられ、
前記第5の偏光ビームスプリッタは、前記第1の偏光ビームスプリッタを透過した前記第2のレーザビームと前記第3の偏光ビームスプリッタを透過したレーザビームとのそれぞれの光路上に設けられ、
前記第6の偏光ビームスプリッタは、前記第4の偏光ビームスプリッタを透過した前記第1のレーザビームと前記第5の偏光ビームスプリッタを透過したレーザビームとのそれぞれの光路上に設けられ、
前記第1の偏光部材は、前記第2の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過するレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、
前記第3の偏光部材は、前記第3の偏光ビームスプリッタと前記第5の偏光ビームスプリッタとの間を通過するレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、
前記第4の偏光部材は、前記第5の偏光ビームスプリッタと前記第6の偏光ビームスプリッタとの間を通過するレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、
前記第1~第4のレーザビームが前記第1~第4の光入射部にそれぞれ入射された状態で、前記第1、第3及び第4の偏光部材の位置をそれぞれ変化させることで、前記第1~第3の光出射部からそれぞれレーザビームが出射されるとともに、それぞれのレーザビームの出力を変更可能に構成されていることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項8】
請求項7に記載のレーザ発振器において、
前記第1~第3の光出射部からそれぞれレーザビームが同時に出射されることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項9】
請求項7に記載のレーザ発振器において、
前記ビーム結合器は、第2の偏光部材をさらに有し、
前記第2の偏光部材は、前記第1の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過する前記第2のレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、
前記第1~第4のレーザビームが前記第1~第4の光入射部にそれぞれ入射された状態で、前記第1~第4の偏光部材の位置をそれぞれ変化させることで、前記第1~第3の光出射部からそれぞれ出射されるレーザビームのうち、少なくとも1本のレーザビームの出力を3段階に変更可能に構成されていることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項10】
請求項1ないし9のいずれか1項に記載のレーザ発振器において、
前記集光ユニットは、前記ビーム結合器内で結合されて前記ビーム結合器の外に出射されるレーザビームの本数に応じて複数設けられるとともに、複数の前記集光ユニットのそれぞれに前記伝送ファイバが接続されていることを特徴とするレーザ発振器。
【請求項11】
請求項10に記載のレーザ発振器と、
複数の前記伝送ファイバの出射端にそれぞれ取付けられたレーザビーム出射ヘッドと、
前記第1の偏光部材及び第2の偏光部材の動作を制御するか、または、少なくとも前記第1の偏光部材と第3及び第4の偏光部材の動作を制御する制御部と、を少なくとも備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項12】
請求項11に記載のレーザ加工装置において、
前記ビーム結合器内での前記第1及び第2の偏光部材の位置を変化させるか、または、前記ビーム結合器内での少なくとも前記第1、第3及び第4の偏光部材の位置を変化させることで、レーザビームが出射されるレーザビーム出射ヘッドを切替え可能に構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項13】
請求項11または12に記載のレーザ加工装置において、
前記ビーム結合器内での前記第1及び第2の偏光部材の位置を変化させるか、または、前記ビーム結合器内での少なくとも前記第1、第3及び第4の偏光部材の位置を変化させることで、複数のレーザビーム出射ヘッドからそれぞれ出射されるレーザビームの出力比を変更可能に構成されていることを特徴とするレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、レーザ発振器及びそれを用いたレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、金属の切断や溶接を行うのに高出力のレーザ発振器を搭載したレーザ加工装置が多用されている。特に、金属の厚板切断には4kW以上の出力を有するレーザ発振器を用いることが多い。一方、金属の薄板切断やレーザマーキング加工等では2kW以下の出力のレーザ発振器を用いることが多い。このように、加工用途によって適切なレーザ出力が異なるが、レーザ加工装置は高価であるため、1台のレーザ加工装置が多用途で用いられることが多い。
【0003】
しかし、4kWの出力を有するレーザ発振器を用いて2kWの出力のレーザビームを出射する場合は、本来の実力の半分しか利用しておらず、非効率である。
【0004】
そこで、従来、高出力レーザから出射されたレーザビームをガルバノミラーに保持されたミラーで走査して、互いに異なる光ファイバに導入するとともに、光ファイバへのレーザビーム入射時間を制御して、所望のデューティー比でレーザビームを時分割して出射する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかし、特許文献1に開示された従来技術では、ミラーで走査されたレーザビームを光ファイバに結合させるのに高精度の制御を必要としていた。また、レーザビームを走査するガルバノミラー等の走査器が高価かつ大型なものとなっていた。さらに、この従来技術では、レーザビームを分配して同時に出射することはできなかった。
【0007】
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、その目的は、簡便な構成及び操作で、光出射部の切替え又はレーザビームの分配を可能にするレーザ発振器及びそれを用いたレーザ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するため、本発明に係るレーザ発振器は、主たる偏光状態が第1の偏光状態である第1~第4のレーザビームをそれぞれ発する4つのレーザモジュールと、4つの前記レーザモジュールからそれぞれ出射された前記第1~第4のレーザビームを結合して1つ又は2つ以上のレーザビームとして出射するビーム結合器と、前記ビーム結合器から出射されたレーザビームを所定のビーム径になるように集光して伝送ファイバに導光する集光ユニットと、を備え、前記ビーム結合器は、前記第1~第4のレーザビームがそれぞれ入射される第1~第4の光入射部と、第1~第5の光反射部材と、第1~第3の偏光ビームスプリッタと、第1の偏光部材と第2の偏光部材と、第1の光出射部と第2の光出射部と、を少なくとも有し、前記第1の光反射部材は、第1の方向に進行する前記第1のレーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に反射し、前記第2の光反射部材は、前記第1の光反射部材で反射された前記第1のレーザビームを前記第1の方向に反射して、前記第1の偏光ビームスプリッタに向かわせ、前記第3の光反射部材は、第1の方向に進行する前記第3のレーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、前記第4の光反射部材は、前記第1の方向に進行する前記第4のレーザビームを前記第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、前記第3の偏光ビームスプリッタは、前記第1の方向に進行して、自身を透過するレーザビームを前記第1の光出射部に向かわせる一方、自身で反射されたレーザビームを前記第5の光反射部材に向かわせ、前記第5の光反射部材は、入射されたレーザビームを前記第2の光出射部に向かわせ、前記第1の偏光部材は、前記第2の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過する前記第3のレーザビームと前記第4のレーザビームとの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、前記第2の偏光部材は、前記第1の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過する前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、前記第1~第4のレーザビームが前記第1~第4の光入射部にそれぞれ入射された状態で、前記第1の偏光部材及び前記第2の偏光部材の位置をそれぞれ変化させることで、前記第1の光出射部及び前記第2の光出射部からそれぞれ出射されるレーザビームのうち、少なくとも一方の出力を4段階に変更可能に構成されていることを特徴とする。
【0009】
この構成によれば、所定のレーザビームの光路上に一の偏光部材又は他の偏光部材を配置させるという簡単な操作で、レーザビームLBが出射される光出射部を切り替えたり、レーザビームを分配したりすることが可能となる。また、一及び他の偏光部材として良く知られた1/2波長板等を用いることができる。
【0010】
また、本発明に係る別のレーザ発振器は、主たる偏光状態が第1の偏光状態である第1~第4のレーザビームをそれぞれ発する4つのレーザモジュールと、4つの前記レーザモジュールからそれぞれ出射された前記第1~第4のレーザビームを結合して1つ又は2つ以上のレーザビームとして出射するビーム結合器と、前記ビーム結合器から出射されたレーザビームを所定のビーム径になるように集光して伝送ファイバに導光する集光ユニットと、を備え、前記ビーム結合器は、前記第1~第4のレーザビームがそれぞれ入射される第1~第4の光入射部と、第3の光反射部材と第4の光反射部材と、第1~第6の偏光ビームスプリッタと、第1の偏光部材と第3の偏光部材と第4の偏光部材と、第1~第3の光出射部と、を少なくとも有し、前記第3の光反射部材は、第1の方向に進行する前記第3のレーザビームを前記第1の方向と交差する第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、前記第4の光反射部材は、前記第1の方向に進行する前記第4のレーザビームを前記第2の方向に反射して、前記第2の偏光ビームスプリッタに向かわせ、前記第1の偏光ビームスプリッタは、前記第1の方向に進行する前記第2のレーザビームの光路上であって、前記第2の光入射部と前記第5の偏光ビームスプリッタとの間に設けられ、前記第2の偏光ビームスプリッタは、前記第3の光反射部材で反射された前記第3のレーザビームと前記第3の光反射部材で反射された前記第4のレーザビームとの光路上に設けられ、前記第3の偏光ビームスプリッタは、自身を透過するレーザビームを前記第5の偏光ビームスプリッタに向かわせる一方、自身で反射されたレーザビームを前記第1の光出射部に向かわせ、前記第4の偏光ビームスプリッタは、前記第1の方向に進行する前記第1のレーザビームの光路上であって、前記第1の光入射部と前記第6の偏光ビームスプリッタとの間に設けられ、前記第5の偏光ビームスプリッタは、前記第1の偏光ビームスプリッタを透過した前記第2のレーザビームと前記第3の偏光ビームスプリッタを透過したレーザビームとのそれぞれの光路上に設けられ、前記第6の偏光ビームスプリッタは、前記第4の偏光ビームスプリッタを透過した前記第1のレーザビームと前記第5の偏光ビームスプリッタを透過したレーザビームとのそれぞれの光路上に設けられ、前記第1の偏光部材は、前記第2の偏光ビームスプリッタと前記第3の偏光ビームスプリッタとの間を通過するレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、前記第3の偏光部材は、前記第3の偏光ビームスプリッタと前記第5の偏光ビームスプリッタとの間を通過するレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、前記第4の偏光部材は、前記第5の偏光ビームスプリッタと前記第6の偏光ビームスプリッタとの間を通過するレーザビームの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、前記第1~第4のレーザビームが前記第1~第4の光入射部にそれぞれ入射された状態で、前記第1、第3及び第4の偏光部材の位置をそれぞれ変化させることで、前記第1~第3の光出射部からそれぞれレーザビームが出射されるとともに、それぞれのレーザビームの出力を変更可能に構成されていることを特徴とする。
【0011】
この構成によれば、所定の複数のレーザビームの光路上に偏光部材をそれぞれ配置させるという簡単な操作で、レーザビームが出射される光出射部を切り替えたり、レーザビームを分配したりすることが可能となる。また、偏光部材として良く知られた1/2波長板等を用いることができる。
【0012】
また、本発明に係るさらなる別のレーザ発振器は、上記のレーザ発振器の構成に加えて、前記集光ユニットは、前記ビーム結合器内で結合されて前記ビーム結合器の外に出射されるレーザビームの本数に応じて複数設けられるとともに、複数の前記集光ユニットのそれぞれに前記伝送ファイバが結合されていることを特徴とする。
【0013】
この構成によれば、レーザ発振器で生成された複数のレーザビームを同時に外部に出射させることができ、またレーザ発振器で生成された1つ以上のレーザビームを異なる場所に向けて出射させることができる。
【0014】
本発明に係るレーザ加工装置は、上記さらなる別のレーザ発振器と、複数の前記伝送ファイバの出射端にそれぞれ取付けられたレーザビーム出射ヘッドと、前記偏光部材の動作を制御する制御部と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【0015】
この構成によれば、レーザビームの切り替えや、レーザビームの分配を簡便に行えるため、レーザ加工工程の生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【0016】
以上説明したように、本発明に係るレーザ発振器によれば、簡単な構成及び操作でレーザビームの切り替えや、レーザビームの分配が可能となる。また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、レーザビームの切り替えや、レーザビームの分配を簡便に行えるため、レーザ加工工程の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【
図1】本発明の実施形態1に係るレーザ加工装置の構成を示す模式図である。
【
図2】ビーム結合器の内部構成を示す模式図である。
【
図3】レーザビーム出射部を切替えた場合のビーム結合器の内部構成を示す模式図である。
【
図4】レーザビーム分配時のビーム結合器の内部構成を示す模式図である。
【
図5】分配されたレーザビームの出力比を変更した場合のビーム結合器の内部構成を示す模式図である。
【
図6A】本発明の実施形態2に係るに係るレーザビーム分配時のビーム結合器の内部構成を示す模式図である。
【
図6B】分配されたレーザビームの出力比を変更した場合のビーム結合器の内部構成を示す別の模式図である。
【
図6C】分配されたレーザビームの出力比をさらに変更した場合のビーム結合器の内部構成を示すさらなる別の模式図である。
【
図7】本発明の実施形態3に係るレーザ加工装置の使用例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものでは全くない。
【0019】
(実施形態1)
[レーザ加工装置の構成]
図1は、本実施形態に係るレーザ加工装置の構成を、
図2は、ビーム結合器の内部構成の模式図を、
図3は、レーザビーム出射部を切替えた場合のビーム結合器の内部構成の模式図をそれぞれ示す。
【0020】
レーザ加工装置100は、レーザ発振器10とレーザビーム出射ヘッド30,31と伝送ファイバ40,41と制御部50とを備えている。レーザ発振器10と伝送ファイバ40,41におけるレーザビームLBが入射される端部(以下、単に入射端という。また、伝送ファイバ40,41におけるレーザビームが出射される端部を、以下、単に出射端という。)とは筐体70内に収容されている。また、レーザ発振器10は図示しない電源から電力が供給されてレーザ発振を行う。
【0021】
レーザ発振器10は、複数のレーザモジュール11とビーム結合器12と複数の集光ユニット20と、を有している。レーザモジュール11は、異なる波長のレーザビームを発する複数のレーザダイオードまたはレーザアレイからなり、レーザモジュール11内で波長合成されたレーザビームが各レーザモジュール11からそれぞれ出射される。なお、複数のレーザモジュール11からそれぞれ出射された
第1~第4のレーザビームLB1~LB4(
図2参照)はいずれも、レーザモジュール11から出射された時点で主たる偏光状態がTE偏光(第1の偏光状態)であり、その偏光比(TE偏光成分の強度/全体の光強度)は95%~97%程度である。
【0022】
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は、ビーム結合器12内で1つまたは2つ以上のレーザビームに結合される(以下、単に結合レーザビームと呼ぶことがある)。また、後述するように、ビーム結合器12内でのレーザビームの光路切替えや分配により複数の結合レーザビームが同時に生成された場合は、ビーム結合器12から複数の集光ユニット20に対してそれぞれ結合レーザビームが出射される。上記の光路切替え動作については後で詳述する。また、集光ユニット20に入射されたレーザビームLBは、集光ユニット20の内部に配設された集光レンズ(図示せず)によって集光され、所定の倍率でビーム径が縮小されて伝送ファイバ40又は41に入射され、レーザビーム出射ヘッド30又は31から出射される。レーザ発振器10をこのような構成とすることで、レーザビーム出力が数kWを超える高出力のレーザ加工装置100を得ることができる。なお、本実施形態におけるレーザ発振器10は、レーザ出力1kWのレーザモジュール11を4個搭載しており、その最大出力は4kWである。ただし、これに特に限定されず、レーザモジュール11の個々の出力や、レーザ発振器10へのレーザモジュール11の搭載個数は、レーザ加工装置100の要求仕様等に応じて適宜変更されうる。
【0023】
ビーム結合器12は、
第1~第4の光入射部LI1~LI4と
第1及び第2の光出射部LO1,LO2とを有している。
第1~第4の光
入射部LI1~LI4は、ビーム結合器12の同じ面に、また、
第1及び第2の光出射部LO1,LO2はビーム結合器12の別の面にそれぞれ設けられている。また、
図2,3に示すように、ビーム結合器12は、内部に
第1~第5のミラー(
第1~第5の光反射部材)M1~M5と、
第1~第3の偏光ビームスプリッタPBS1~PBS3と
第1及び第2の1/2波長板HWP1(
第1の偏光部材),HWP2(
第2の偏光部材)と
第1及び第2のビームダンパDP1,DP2とを有している。このうち、
第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2はビーム結合器12内で移動可能に構成されている。また、
第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2は、それぞれ入射したレーザビームの偏光状態を変化させて出射する偏光部材である。なお、
第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2を移動させるアクチュエータに関しては図示及びその説明を省略している。
【0024】
集光ユニット20は、内部に集光レンズ(図示せず)を有しており、集光レンズは、伝送ファイバ40又は41の入射端において、それぞれの伝送ファイバのコア径よりも小さいスポット径となるようにレーザビームLBを集光する。また、集光ユニット20は図示しないコネクタを有し、コネクタには伝送ファイバ40又は41の入射端が接続されている。また、集光ユニット20では、ビーム結合器12内で結合されてビーム結合器12の外に出射されるレーザビームの本数に応じて、あるいは、ビーム結合器12の光出射部の個数に応じて、ビーム結合器12から出射されるレーザビームの光路上に集光レンズを設けている。それ以外の光学部品、例えば、ビーム整形のためのコリメータレンズ等を各レーザビームの光路上にそれぞれ配置するようにしてもよい。
【0025】
なお、以降の説明において、レーザビームLBが集光レンズユニット20に向かう進行方向をX方向、複数のレーザモジュール11の配列方向をY方向、X方向及びY方向と直交する方向をZ方向とそれぞれ呼ぶことがある。
【0026】
伝送ファイバ40又は41は、集光ユニット20から受け取ったレーザビームLBをレーザビーム出射ヘッド30又は31に伝送する。また、図示しないが、伝送ファイバ40,41はコアの周りにコアよりも屈折率の低いクラッドが設けられ、クラッドの表面は被膜で覆われている。
【0027】
レーザビーム出射ヘッド30又は31は、伝送ファイバ40又は41で伝送されたレーザビームLBを図示しないワークに向けて照射する。
【0028】
制御部50は、レーザ発振器10のレーザ発振を制御する。具体的には、レーザ発振器10に接続された電源(図示せず)に対して出力電圧やオン時間等の制御信号を供給することにより、各レーザモジュール11のレーザ発振制御を行う。各レーザモジュール11に対して個別にレーザ発振制御を行うことも可能である。例えば、レーザモジュール11毎にレーザ発振出力やオン時間等を異ならせるようにしてもよい。また、制御部50は、ビーム結合器12内に配置された第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2やその他の光学部品の動作、具体的には、第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2等に連結されたアクチュエータ(図示せず)の動作を制御する。なお、制御部50は、レーザビーム出射ヘッド30が取り付けられたマニピュレータ(図示せず)の動作を制御してもよい。
【0029】
[レーザビーム出射部の切替え動作について]
図2,3に示すように、本実施形態に係るレーザ発振器10では、ビーム結合器12から出射されるレーザビームLBを
第1及び第2の光出射部LO1,LO2のどちらから出射させるかを切り替えることが可能である。これにより、レーザビームLBをレーザビーム出射ヘッド30から出射させるか、あるいは、レーザビーム出射ヘッド31から出射させるかを切り替えることができる。以下、このことについて詳述する。
【0030】
まず、
第1の光出射部LO1からレーザビームLBを出射させる場合について考える。
図2に示すように、
第1~第4の光入射部LI1~LI4からそれぞれビーム結合器12内に入射された
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は同じ方向、この場合はZ方向に進行する。このうち、
第1のレーザビームLB1は
第1のミラーM1で反射されて
第2のミラーM2に向かい、
第2のミラーM2で再度変更されて再びZ方向に進行する。
第2のレーザビームLB2は
第2のミラーM2の近傍を抜けてZ方向に直進し、
第1のレーザビームLB1とともに
第1の偏光ビームスプリッタPBS1に入射される。なお、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1に入射される直前において、
第1のレーザビームLB1は、
第2のレーザビームLB2の光路と平行に、かつ所定の間隔をあけて進行している。
【0031】
第1の偏光ビームスプリッタPBS1に入射された第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうち、TEE偏光成分以外の成分、つまり、TM偏光(第2の偏光状態)成分は、第1の偏光ビームスプリッタPBS1で反射されて第1のビームダンパDP1に入射し、吸収される。これにより、第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過する第1及び第2のレーザビームLB1,LB2はTE偏光成分のみとなる。
【0032】
一方、第3のレーザビームLB3は、第3のミラーM3で反射されてY方向に進行し第2の偏光ビームスプリッタPBS2に向かう。また、第4のレーザビームLB4は、第4のミラーM4で反射されて、第3のレーザビームLB3の光路と平行に、かつ所定の間隔をあけてY方向に進行し、第3のミラーM3の近傍を抜けて第2の偏光ビームスプリッタPBS2に向かう。
【0033】
第2の偏光ビームスプリッタPBS2に入射された第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうち、TM偏光成分は、第2の偏光ビームスプリッタPBS2で反射されて第2のビームダンパDP2に入射し、吸収される。これにより、第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過する第3及び第4のレーザビームLB3,LB4はTE偏光成分のみとなる。
【0034】
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過した第1及び第2のレーザビームLB1,LB2は、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射される。第1及び第2のレーザビームLB1,LB2は、偏光ビームスプリッタPBSを透過して、そのまま第1の光出射部LO1に向かう。
【0035】
一方、第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過した第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上に第1の1/2波長板HWP1が配置されるようにすると、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は偏光状態が変化される。つまり、TE偏光からそれ以外の偏光状態、この場合はTM偏光状態に変化される。TM偏光に変化された第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は、第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射される。ここで、第3の偏光ビームスプリッタPBS3は、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の進行方向をY方向からZ方向に変化させるように配置されている。つまり、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の進行方向と45°の角度をなすように配置されている。また、第3の偏光ビームスプリッタPBS3は、第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の進行方向とも45°の角度をなすように配置されている。このため、第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射された第3及び第4のレーザビームLB3,LB4はZ方向に進行して、そのまま第1の光出射部LO1に向かう。
【0036】
ここで、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過した以降の
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうちいずれか一方と、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射された以降の
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうちいずれか一方とが同じ光軸となるように、ビーム結合器12内の各部が配置されている。また、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過した以降の
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうち他方と、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射された以降の
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうち他方とが同じ光軸となるように、ビーム結合器12内の各部が配置されている。本実施形態では、
図2に示すように、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3から
第1の光出射部LO1に到るまで、
第1のレーザビームLB1と
第4のレーザビームLB4とが同じ光軸となるように、また、
第2のレーザビームLB2と
第3のレーザビームLB3とが同じ光軸となるように、
第1~第4の光入射部LI1~LI4や
第1~第4のミラーM1~M4や
第3の偏光ビームスプリッタPBS3の配置が決められている。
【0037】
このように
第1~第4のレーザビームLB1~LB4を
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射させることで、
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は1本のレーザビームLBに結合されて
第1の光出射部LO1から出射される。また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射されたレーザビームLBは、伝送ファイバ40を通ってレーザビーム出射ヘッド30から出射される。
【0038】
次に、
第2の光出射部LO2からレーザビームLBを出射させる場合について考える。
図3に示すように、
第1~第4の光入射部LI1~LI4や
第1~第4のミラーM1~M4や
第1~第3の偏光ビームスプリッタPBS1~PBS3及び
第1及び第2のビームダンパDP1,DP2の配置は
図2に示す配置と同様である。また、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過した直後までの
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の光路と
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過した直後までの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路も
図2に示すのと同様である。一方、
図3に示すように、
第1の1/2波長板HWP1が
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路外に退避される一方、
第2の1/2波長板HWP2が移動して、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の光路上に配置される。このことにより、
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過してY方向に直進する一方、
第2の1/2波長板HWP2によりTM偏光に変化された
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2は
第3の偏光ビームスプリッタPBS3によって反射され、Z方向からY方向に進行方向が変えられて直進する。
【0039】
なお、
図3に示すように、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射された
第1のレーザビームLB1と
第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過した
第4のレーザビームLB4とが同じ光軸となるように、また、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射された
第2のレーザビームLB2と
第4の偏光ビームスプリッタPBS4を透過した
第3のレーザビームLB3とが同じ光軸となるように、
第1~第4の光入射部LI1~LI4や
第1~第4のミラーM1~M4や
第3の偏光ビームスプリッタPBS3の配置が決められている。
【0040】
このように
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で結合された
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は1本のレーザビームLBに結合されて
第5のミラーM5で反射される。
第5のミラーM5は、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3とY方向で所定の間隔、この場合は、
第1の光出射部LO1と
第2の光出射部LO2とのY方向の間隔に相当する間隔をあけて設けられている。
第5のミラーM5で反射されたレーザビームLBが
第2の光出射部LO2から出射される。また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射されたレーザビームLBは、伝送ファイバ41を通ってレーザビーム出射ヘッド31から出射される。
【0041】
[レーザビーム分配及び出力比の変更動作について]
図4は、本実施形態に係る、レーザビーム分配時のビーム結合器の内部構成の模式図、
図5は、分配されたレーザビームの出力比を変更した場合のビーム結合器の内部構成の模式図をそれぞれ示す。なお、
図4,5に示すビーム結合器12は、
図2,3に示すビーム結合器12と同じであり、内部の構造も
図2,3に示す構造と同じである。
【0042】
第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2の配置、特に第2の1/2波長板HWP2を所定に位置に移動させることで、第1及び第2の光出射部LO1及びLO2の両方からレーザビームを出射させることができ、また、その出力比を変更させることができる。以下、このことについて詳述する。
【0043】
まず、
第1及び第2の光出射部LO1及びLO2から同じ出力のレーザビームLBA,LBBをそれぞれ出射させる場合について考える。
図4に示すように、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過した直後までの
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の光路と
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過した直後までの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路は
図2,3に示すのと同様である。
【0044】
一方、
図4に示すように、
第1の1/2波長板HWP1が、
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上に配置され、かつ、
第2の1/2波長板HWP2が、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の光路上に配置される。
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は、
第1の1/2波長板HWP1によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されてZ方向に直進し、
第1の光出射部LO1に向かう。また、
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2も、
第2の1/2波長板HWP2によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3によって反射され、Y方向に直進し、
第5のミラーM5に向かう。
第5のミラーM5で反射された
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2はY方向からZ方向に進行方向が変えられて
第2の光出射部LO2に向かう。なお、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3において、
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2が反射される反射面と、
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4が反射される反射面とは互いに対向する面である。
【0045】
その結果、
第3のレーザビームLB3と
第4のレーザビームLB4とが結合されたレーザビームLBAが
第1の光出射部LO1から、
第1のレーザビームLB1と
第2のレーザビームLB2とが結合されたレーザビームLBBが
第2の光出射部LO2からそれぞれ出射される。本実施形態において、
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は、それぞれ同じレーザ出力(1kW)であるため、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとの出力比は1:1である。また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射された2本のレーザビームLBA,LBBは、伝送ファイバ40,41をそれぞれ通ってレーザビーム出射ヘッド30,31からそれぞれ同じ出力で出射される。
【0046】
次に、
第1の光出射部LO1から出射されるレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2からから出射されるレーザビームLBBとの出力比を変更させる場合について考える。
図5に示すように、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過した直後までの
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の光路と
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過した直後までの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路は
図4に示すのと同様である。
【0047】
ここで、
図4と同様に、
第1の1/2波長板HWP1が、
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上に配置される一方、
図5に示すように、
第2の1/2波長板HWP2が、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第1のレーザビームLB1の光路上に配置される。
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は、
第1の1/2波長板HWP1によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されてZ方向に直進し、
第1の光出射部LO1に向かう。また、
第1のレーザビームLB1も、
第2の1/2波長板HWP2によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3によって反射され、Y方向に直進し、
第5のミラーM5に向かう。
第5のミラーM5で反射された
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2はY方向からZ方向に進行方向が変えられて
第2の光出射部LO2に向かう。
【0048】
一方、第2のレーザビームLB2は、第2の1/2波長板HWP2を透過しないため、TE偏光のまま、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射される。このため、第2のレーザビームLB2は、そのまま第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過して、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4と結合される。なお、第3の偏光ビームスプリッタPBS3から第1の光出射部LO1に到るまで第2のレーザビームLB2と第3のレーザビームLB3とは同じ光軸上を進行している。
【0049】
その結果、
第2~第4のレーザビームLB2~LB4が結合されたレーザビームLBAが
第1の光出射部LO1から、
第1のレーザビームLB1がレーザビームLBBとして
第2の光出射部LO2からそれぞれ出射される。本実施形態において、
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は、それぞれ同じレーザ出力(1kW)であるため、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとの出力比は3:1である。つまり、
図4に示す場合に比べて、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとは異なる出力、つまり、上記の出力比で分配されている。
【0050】
また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射された2本のレーザビームLBA,LBBは、伝送ファイバ40,41をそれぞれ通ってレーザビーム出射ヘッド30,31から出力比3:1で出射される。
【0051】
なお、第2の1/2波長板HWP2を、第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過して第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの第2のレーザビームLB2の光路上に配置しても、同様に、第1、第3及び第4のレーザビームLB1,LB3,LB4が結合されたレーザビームLBAが第1の光出射部LO1から、第2のレーザビームLB2がレーザビームLBBとして第2の光出射部LO2からそれぞれ出射され、第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとの出力比は3:1である。また、第1のレーザビームLB1と第4のレーザビームLB4とは同じ光軸上を進行してレーザビームLBAの一部として第1の光出射部LO1から出射される。
【0052】
[効果等]
以上説明したように、本実施形態に係るレーザ発振器10は、主たる偏光状態がTE偏光(第1の偏光状態)であるレーザビームをそれぞれ発する複数のレーザモジュール11と、これらのレーザモジュール11から出射された第1~第4のレーザビームLB1~LB4を結合して1つ又は2つ以上のレーザビームLBとして出射するビーム結合器12と、ビーム結合器12から出射されたレーザビームLBを所定のビーム径になるように集光して伝送ファイバ40及び/または41に導光する集光ユニット20と、を備えている。
【0053】
ビーム結合器12は、ビーム結合器12内で結合されたレーザビームLBが出射される第1及び第2の光出射部LO1,LO2と入射したレーザビームをTE偏光からこれと異なるTM偏光(第2の偏光状態)に変化させる複数の偏光部材である第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2と、TE偏光のレーザビームを透過させる一方、TM偏光のレーザビームを反射する第3の偏光ビームスプリッタPBS3と、を少なくとも有している。
【0054】
第1の1/2波長板HWP1(第1の偏光部材)は、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうち少なくとも1つの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられ、第2の1/2波長板HWP2(第2の偏光部材)は、第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうち少なくとも1つの光路上の所定の位置と光路外の所定の位置との間を移動可能に設けられている。
【0055】
第1~第4のレーザビームLB1~LB4のうち第1及び第2のレーザビームLB1,LB2は、Z方向(第1の方向)に進行して第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射される一方、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は、Z方向と交差するY方向(第2の方向)に進行して第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射される。
【0056】
Z方向に進行する第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうち少なくとも1つのレーザビームの光路上の所定の位置に第2の1/2波長板HWP2が配されるか、又はY方向に進行する第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうち少なくとも1つのレーザビームの光路上の所定の位置に第1の1/2波長板HWP1が配されることで、第1の1/2波長板HWP1又は第2の1/2波長板HWP2を透過したレーザビームがTM偏光状態に変化する。この場合、第3の偏光ビームスプリッタPBS3によって、それまでの進行方向とは異なる方向、つまり、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射するまでの進行方向がY方向であればZ方向に、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射するまでの進行方向がZ方向であればY方向に反射される。一方、第1の1/2波長板HWP1又は第2の1/2波長板HWP2を透過しないレーザビームは第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過する。
【0057】
レーザ発振器10をこのように構成することで、第1の偏光部材である第1の1/2HWP1又は第2の1/2波長板HWP2をレーザビームの光路上に配置するか、または光路外に退避させるという簡単な操作で、第1~第4のレーザビームLB1~LB4のうち、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの進行方向と、第3の偏光ビームスプリッタPBS3より後の進行方向とが異なるレーザビームの本数を調整することができる。つまり、第1~第4のレーザビームLB1~LB4が向う方向を変更したり、異なる方向に向かうレーザビームの本数比を変更したりすることができる。このことにより、第1及び第2の光出射部LO1,LO2のうち、レーザビームLBが出射される光出射部を切り替えたり、第1及び第2の光出射部LO1,LO2から同時にレーザビームLBA,LBBを出射したりすることが可能となる。また、特許文献1に開示されるような外部光学系を用いることがなく、レーザ発振器10内でレーザビームの切替えや分配を行えるため、レーザ発振器10が大型化するのを抑制できる。また、偏光部材として公知の1/2波長板を用いることができ、簡便にレーザ発振器10を構成できる。さらに、第1及び第2の1/2波長板HWP1,HWP2を移動させる機構も簡便なものを用いることができる。
【0058】
また、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に対して異なる方向から入射するレーザビームの光路に第1の1/2波長板HWP1又は第2の1/2波長板HWP2を挿入することで、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射するレーザビームが反射されるか、あるいは透過するかを制御できる。このことにより、第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されたレーザビームと第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過するレーザビームとが同じ光軸となるように第3の偏光ビームスプリッタPBS3で結合されて、第1及び第2の光出射部LO1,LO2のうち少なくとも1つの光出射部からレーザビームLBが出射される。
【0059】
2つのレーザビームの光軸が同じになるように第3の偏光ビームスプリッタPBS3で結合されることで、ビーム結合器12内で結合されたレーザビームLBのビーム品質を高めることができる。前述したように、第1のレーザビームLB1は、第2のレーザビームLB2の光路と平行に、かつ所定の間隔をあけて進行し、また、第3のレーザビームLB3は、第4のレーザビームLB4の光路と平行に、かつ所定の間隔をあけて進行している。よって、第1~第4のレーザビームLB1~LB4を、ミラー等により単に進行方向を変えて同じ光出射部から出射させた場合、レーザビームLBは、互いに光軸の間隔が離れた第1~第4のレーザビームLB1~LB4の結合ビームとなる。従って、このレーザビームLBのビーム径は大きく拡がるとともに、スポット形状も円形から大きくかけ離れたものになってしまう。
【0060】
このようなレーザビームLBでワークを加工すると、例えば、切断部の幅が所望の値より大きくなったり、所望の穴あけ加工ができなくなったりするおそれがあった。また、レーザビームLBのスポット径を円形に近づけようとすると、レンズ等の光学部品の点数が増加し、レーザ発振器10が高価になるおそれがあった。
【0061】
一方、本実施形態によれば、少なくとも2つのレーザビームの光軸が同じ状態でレーザビームLBが生成されることで、その中に含まれるレーザビームの光軸を近接させることができ、レーザビームLBのビーム品質を高めることができる。このことにより、このレーザ発振器10を用いたレーザ加工装置100において、加工品質を向上させることができる。
【0062】
第3の偏光ビームスプリッタPBS3とY方向で所定の間隔をあけて設けられた第5のミラーM5(第5の光反射部材)によって、第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過したレーザビーム及び第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されたレーザビームのうち少なくとも1つが光路を曲げられて、別の光出射部、例えば、第5のミラーM5に入射しないレーザビームが第1の光出射部LO1から出射される場合、第5のミラーM5に入射したレーザビームが反射されて、第2の光出射部LO2から出射されるようにしてもよい。
【0063】
このようにすることで、簡便な構成でレーザビームLBが出射される光出射部を切り替えることができるし、また、第1及び第2の光出射部LO1,LO2からそれぞれレーザビームLBA,LBBを出射させることもできる。
【0064】
また、Z方向に進行する第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうち、光路上に第2の1/2波長板HWP2が配される本数を変更するか、又は、Y方向に進行する第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうち、光路上に第1の1/2波長板HWP1が配される本数を変更することで、第1及び第2の光出射部LO1,LO2からそれぞれ出射されたレーザビームLBA,LBBの出力比が変更可能に構成されている。
【0065】
図4,5に示した配置に限定されず、レーザ発振器10をこのように構成することによっても、
第1及び第2の光出射部LO1,LO2からそれぞれ出射されるレーザビームLBA,LBBの出力比を変えることができる。例えば、
図2に示す構成において、
第1の1/2波長板HWP1を
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第3のレーザビームLB3の光路上又は
第4のレーザビームLB4の光路上のいずれかに配置するようにすると、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとの出力比は、
図5に示す構成と同様に3:1となる。また、レーザビームLBAのビーム品質も、
図5に示す場合と同じである。
【0066】
また、
図3に示す構成において、
第2の1/2波長板HWP2を
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第1のレーザビームLB1の光路上又は
第2のレーザビームLB2の光路上のいずれかに配置するようにすると、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとの出力比は、1:3となる。
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBのビーム品質は、
図5に示す、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBのビーム品質と同等になる。
【0067】
また、第1~第4のレーザビームLB1~LB4のうち、Z方向に進行する第1及び第2のレーザビームLB1,LB2の光路上の所定の位置に第2の1/2波長板HWP2が配され、かつY方向に進行する第3及び第4のLB3,LB4の光路上の所定の位置に第1の1/2波長板HWP1が配されることによっても、第1及び第2の光出射部LO1,LO2からそれぞれレーザビームLBA,LBBを出射させることができる。この場合、Z方向に進行する第1及び第2のレーザビームLB1,LB2のうち、光路上に第2の1/2波長板HWP2が配される本数を変更するか、又はY方向に進行する第3及び第4のレーザビームLB3,LB4のうち、光路上に第1の1/2波長板HWP1が配される本数を変更することで、第1及び第2の光出射部LO1,LO2からそれぞれ出射されたレーザビームLBA,LBBの出力比が変更可能に構成されている。
【0068】
例えば、
図5に示す構成において、
第1の1/2波長板HWP1を
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上から退避させると、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBとの出力比は1:3となる。ただし、この場合は、
第2の光出射部LO2から出射されたレーザビームLBBにおいて、
第1、第3及び第4のレーザビームLB1,LB3,LB4の光軸は互いに所定の間隔があけられているため、レーザビームLBBのビーム品質は、
図5に示す、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAのビーム品質に比べて低下する。
【0069】
なお、光入射部や光出射部の個数は、レーザ発振器10の仕様等に応じてそれぞれ適宜変更されうる。それに応じて、レーザビームの出力比も適宜変更されうる。
【0070】
また、集光ユニット20は、ビーム結合器12内で結合されてビーム結合器12の外に出射されるレーザビームの本数に応じて複数設けられるとともに、複数の集光ユニット20のそれぞれに伝送ファイバが接続されている。本実施形態では、2つの集光ユニット20に伝送ファイバ40,41がそれぞれ接続されている。
【0071】
このような構成とすることで、レーザ発振器10で生成された複数のレーザビームを同時に外部に出射させることができ、またレーザ発振器10で生成された1つ以上のレーザビームを異なる場所に向けて出射させることができる。
【0072】
なお、第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでに、第1及び第2の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS2を用いて、第1~第4のレーザビームLB1~LB4のTE偏光成分以外の成分をカットすることで、第1の光出射部LO1及び/又は第2の光出射部LO2から意図しないレーザビームが出射されるのを防止することができる。また、第1の光出射部LO1及び/又は第2の光出射部LO2から出射されるレーザビームLB又はLBA,LBBの出力を正確に規定することができる。
【0073】
(実施形態2)
図6Aは、本実施形態に係るに係るレーザビーム分配時のビーム結合器の内部構成の模式図を、
図6Bは、分配されたレーザビームの出力比を変更した場合のビーム結合器の内部構成の模式図を、
図6Cは、分配されたレーザビームの出力比をさらに変更した場合のビーム結合器の内部構成の模式図をそれぞれ示す。
【0074】
本実施形態に示す構成と実施形態1に示す構成とでは、以下の点で異なる。まず、本実施形態に示す構成では、光出射部の個数が3つに増えている(第1~第3の光出射部LO1~LO3)。また、第1、第2及び第5のミラーM1,M2,M5と第2の1/2波長板HWP2とが省略され、代わりに、第4~第6の偏光ビームスプリッタPBS4~PBS6と第3及び第4の1/2波長板HWP3,HWP4(第3及び第4の偏光部材)とビームダンパ3とが追加されている。なお、第1~第4の光入射部LI1~LI4と第3及び第4のミラーM3,M4と第1~第3の偏光ビームスプリッタPBS1~PBS3と第1及び第2のビームダンパDP1,DP2の配置は実施形態1に示す配置と同じである。
【0075】
本実施形態によれば、第1~第4の光入射部LI1~LI4からそれぞれ入射された第1~第4のレーザビームLB1~LB4をビーム結合器12内で結合して第1~第3の光出射部LO1~LO3のいずれか、あるいはそれぞれから出射させることができる。以下、このことについて詳述する。
【0076】
図6Aに示すように、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1を透過した直後までの
第2のレーザビームLB2の光路と
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過した直後までの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路は
図2~5に示すのと同様である。
【0077】
一方、
図6Aに示すように、
第1の1/2波長板HWP1が、
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上に配置される。
第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は、
第1の1/2波長板HWP1によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されてZ方向に直進し、
第1の光出射部LO1に向かう。一方、
第2のレーザビームLB2はTE偏光のまま、
第1及び第5の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS5をそのまま透過して
第2の光出射部LO2に向かう。同様に、
第1のレーザビームLB1はTE偏光のまま、
第4及び第6の偏光ビームスプリッタPBS4,PBS6をそのまま透過して
第3の光出射部LO3に向かう。なお、
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2に含まれるTM偏光成分は、
第1及び第4の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS4でそれぞれ反射されて、
第1及び第3のビームダンパDP1,DP3にそれぞれ吸収される。
【0078】
その結果、
第3のレーザビームLB3と
第4のレーザビームLB4とが結合されたレーザビームLBAが
第1の光出射部LO1から、
第2のレーザビームLB2がレーザビームLBBとして
第1の光出射部LO1から、
第1のレーザビームLB1がレーザビームLBCとして
第3の光出射部LO3からそれぞれ出射される。本実施形態において、
第1~第4のレーザビームLB1~LB4は、それぞれ同じレーザ出力(1kW)であるため、レーザビームLBAとレーザビームLBBとレーザビームLBCとの出力比は2:1:1である。また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射された3本のレーザビームLBA,LBB,LBCは、伝送ファイバ40,41及び図示しない伝送ファイバをそれぞれ通ってレーザビーム出射ヘッド30,31及び図示しないレーザビーム出射ヘッドからそれぞれ上記の出力比で出射される。
【0079】
また、
図6Bに示すように、
第1の1/2波長板HWP1が、
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第4のレーザビームLB4の光路上に配置され、かつ、
第3の1/2波長板HWP3が、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過して
第5の偏光ビームスプリッタPBS5に入射されるまでの
第3のレーザビームLB3の光路上に配置される。
第4のレーザビームLB4は、
第1の1/2波長板HWP1によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されてZ方向に直進し、
第1の光出射部LO1に向かう。一方、
第3のレーザビームLB3は、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過した後、
第3の1/2波長板HWP3によりTM偏光に変化されるため、
第5の偏光ビームスプリッタPBS5で反射されてZ方向に直進し、
第2の光出射部LO2に向かう。
【0080】
図6Aに示すのと同様に、
第2のレーザビームLB2はTE偏光のまま、
第1及び第5の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS5をそのまま透過して
第2の光出射部LO2に向かう。また、
第1のレーザビームLB1はTE偏光のまま、
第4及び第6の偏光ビームスプリッタPBS4,PBS6をそのまま透過して
第3の光出射部LO3に向かう。なお、
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2に含まれるTM偏光、成分は、
第1及び第4の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS4でそれぞれ反射されて、
第1及び第3のビームダンパDP1,DP3にそれぞれ吸収される。
【0081】
その結果、
第4のレーザビームLB4がレーザビームLBAとして
第1の光出射部LO1から、
第2のレーザビームLB2と
第3のレーザビームLB3とが結合されたレーザビームLBBが
第2の光出射部LO2から、
第1のレーザビームLB1がレーザビームLBCとして
第3の光出射部LO3からそれぞれ出射される。この場合、レーザビームLBAとレーザビームLBBとレーザビームLBCとの出力比は1:2:1である。また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射された3本のレーザビームLBA,LBB,LBCは、伝送ファイバ40,41及び図示しない伝送ファイバをそれぞれ通ってレーザビーム出射ヘッド30,31及び図示しないレーザビーム出射ヘッドからそれぞれ上記の出力比で出射される。
【0082】
また、
図6Cに示すように、
第1の1/2波長板HWP1が、
第2の偏光ビームスプリッタPBS2を透過して
第3の偏光ビームスプリッタPBS3に入射されるまでの
第3のレーザビームLB3の光路上に配置され、かつ、
第4の1/2波長板HWP4が、
第5の偏光ビームスプリッタPBS5を透過して
第6の偏光ビームスプリッタPBS6に入射されるまでの
第4のレーザビームLB4の光路上に配置される。
第3のレーザビームLB3は、
第1の1/2波長板HWP1によりTM偏光に変化されるため、
第3の偏光ビームスプリッタPBS3で反射されてZ方向に直進し、
第1の光出射部LO1に向かう。一方、
第4のレーザビームLB4は、
第3及び第5の偏光ビームスプリッタPBS3
,PBS5を透過した後、
第4の1/2波長板HWP4によりTM偏光に変化されるため、
第6の偏光ビームスプリッタPBS6で反射されてZ方向に直進し、
第3の光出射部LO3に向かう。
【0083】
図6Aに示すのと同様に、
第2のレーザビームLB2はTE偏光のまま、
第1及び第5の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS5をそのまま透過して
第2の光出射部LO2に向かう。また、
第1のレーザビームLB1はTE偏光のまま、
第4及び第6の偏光ビームスプリッタPBS4,PBS6をそのまま透過して
第3の光出射部LO3に向かう。なお、
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2に含まれるTM偏
光成分は、
第1及び第4の偏光ビームスプリッタPBS1,PBS4でそれぞれ反射されて、
第1及び第3のビームダンパDP1,DP3にそれぞれ吸収される。
【0084】
その結果、
第3のレーザビームLB3がレーザビームLBAとして
第1の光出射部LO1から、
第2のレーザビームLB2がレーザビームLBBとして
第2の光出射部LO2から、
第1のレーザビームLB1と
第4のレーザビームLB4とが結合されたレーザビームLBCが
第3の光出射部LO3からそれぞれ出射される。この場合、レーザビームLBAとレーザビームLBBとレーザビームLBCとの出力比は1:1:2である。また、この場合、
図1に示すレーザ加工装置100において、集光ユニット20から出射された3本のレーザビームLBA,LBB,LBCは、伝送ファイバ40,41及び図示しない伝送ファイバをそれぞれ通ってレーザビーム出射ヘッド30,31及び図示しないレーザビーム出射ヘッドからそれぞれ上記の出力比で出射される。
【0085】
本実施形態に係るレーザ発振器10によれば、実施形態1と同様の効果を奏することができる。また、第1~第3の光出射部LO1~LO3からそれぞれ同時にレーザビームLBA~LBCを出射することができる。また、レーザビームLBA~LBCの出力比も変更することができる。
【0086】
なお、実施形態1に示す
第2の1/2波長板HWP2を、
第2のレーザビームLB2における
第1の偏光ビームスプリッタPBS1と
第5の偏光ビームスプリッタPBS5との間の光路に対し移動可能に設けるようにしてもよい。例えば、
図6Aに示す構成において、
第1の偏光ビームスプリッタPBS1と
第5の偏光ビームスプリッタPBS5との間に
第2の1/2波長板HWP2に配置することで、
第2のレーザビームLB2は
第5及び第6の偏光ビームスプリッタPBS5,PBS6でそれぞれ反射されて
第3の光出射部LO3に向かい、
第1及び第2のレーザビームLB1,LB2が結合されたレーザビームLBCが
第3の光出射部LO3から出射される。この場合、
第1の光出射部LO1から出射されたレーザビームLBAと
第3の光出射部LO3から出射されたレーザビームLBCとの出力比は1:1で、それぞれの最大出力は2kWとなる。
【0087】
また、第1の1/2波長板HWP1を第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路外に退避させることで、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過してY方向に直進する。このとき、同時に、第3の1/2波長板HWP3を第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過して第5の偏光ビームスプリッタPBS5に入射されるまでの第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上に配置することで、第3及び第4のレーザビームLB3,LB4は第5の偏光ビームスプリッタPBS5で反射されるとともに、第2のレーザビームLB2と結合されて、レーザビームLBBとして第2の光出射部LO2から出射される。この場合、第1のレーザビームLB1がレーザビームLBCとして第3の光出射部LO3から出射され、レーザビームLBBとレーザビームLBCとの出力比は、3:1となる。
【0088】
また、第1の1/2波長板HWP1を第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路外に退避させるとともに、第3の1/2波長板HWP3を第3の偏光ビームスプリッタPBS3を透過して第5の偏光ビームスプリッタPBS5に入射されるまでの第3及び第4のレーザビームLB3,LB4の光路上に配置し、さらに、第1の偏光ビームスプリッタPBS1と第5の偏光ビームスプリッタPBS5との間に第2の1/2波長板HWP2に配置することで、第1~第4のレーザビームLB1~LB4がすべて結合されて、レーザビームLBとして第3の光出射部LO3から出射される。
【0089】
なお、本実施形態において、光学部品の配置等は変えずに、
第1のレーザビームLB1又は
第2のレーザビームLB2のいずれかのみを
第3のレーザビームLB3
及び第4のレーザビームLB4と組み合わせるに用いるようにしても、レーザビームLBA~LBCの出力比を変更可能な構成を実現できる。ただし、
図6A~
図6Cに示す構成よりもそのバリエーションは少なくなる。
【0090】
(実施形態3)
図7は、本実施形態に係るレーザ加工装置の使用例を示す。なお、本実施形態に示すレーザ発振器10及びレーザ加工装置100は実施形態1に示す構成と同じである。つまり、ビーム結合器12に4つのレーザモジュール11からそれぞれ
第1~第4のレーザビームLB1~LB4が入射され、ビーム結合器12内で結合されてレーザビームLBとして
第1の光出射部LO1又は
第2の光出射部LO2のいずれかから出射されるか、ビーム結合器12内で分配されて、レーザビームLBA,LBBとしてそれぞれ
第1及び第2の光出射部LO
1,LO2から出射される。また、レーザビーム出射ヘッド30からは、伝送ファイバ40を介して、レーザビームLB又はLBAが出射され、レーザビーム出射ヘッド31からは、伝送ファイバ41を介して、レーザビームLB又はLBBが出射される。
【0091】
例えば、
図7の左上及び右上(切替)に示すように、レーザビームLBが出射される光出射部及びレーザビーム出射ヘッドを切り替えることで、ワーク60に対して異なる時間帯でレーザビームLBを出射できるため、ワーク60の搬出入時等に生じるレーザ発振器10の停止時間を無くして、レーザ加工装置100の稼働率を向上させることができる。また、
図7の左下(分配1)に示すように、例えば、同出力のレーザビームLBA,LBBをレーザビーム出射ヘッド30,31からそれぞれ出射させることで、同時に加工されるワーク60の個数を増やすことができ、レーザ加工工程における生産性を向上させることができる。また、
図7の右下(分配2)に示すように、低出力のレーザビームLBAをレーザビーム出射ヘッド30から、高出力のレーザビームLBBをレーザビーム出射ヘッド31からそれぞれ出射させることで、ワーク60の加工品質を向上させることも可能である。例えば、ワーク60がメッキ被膜が施された金属板である場合、レーザビーム出射ヘッド30から出射された低出力のレーザビームLBAでメッキ被膜を除去してから、レーザビーム出射ヘッド31から出射された高出力のレーザビームLBBを用いてワークの溶接を行うこと、溶接箇所の溶接品質を向上させることができる。
【0092】
なお、実施形態2に示すレーザ発振器10をレーザ加工装置100に搭載するようにしてもよい。その場合は3つのレーザビーム出射ヘッドから、異なる時間に、あるいは同時にレーザビームが出射される。また、レーザ発振器10における光出射部及びレーザ加工装置100における伝送ファイバ及びレーザビーム出射ヘッドの個数をさらに増やしてもよい。
【0093】
このようにすることで、同時に加工できるワーク60の個数が増え、レーザ加工工程の生産性をさらに向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【0094】
本発明に係るレーザ発振器は、レーザビームが出射される光出射部の切替えや、複数の光出射部からそれぞれ出射されるレーザビームの出力比の変更を簡便な構成で実現でき、大量かつ異なる種類のワークを加工するレーザ加工装置に適用する上で有用である。
【符号の説明】
【0095】
10 レーザ発振器
11 レーザモジュール
12 ビーム結合器
20 集光ユニット
30,31 レーザビーム出射ヘッド
40,41 伝送ファイバ
50 制御部
60 ワーク
70 筐体
100 レーザ加工装置
DP1~DP3 第1~第3のビームダンパ
LB1~LB4 第1~第4のレーザビーム
LI1~LI4 第1~第4の光入射部
LO1~LO3 第1~第3の光出射部
M1~M5 第1~第5のミラー(第1~第5の光反射部材)
HWP1~HWP4 第1~第4の1/2波長板(第1~第4の偏光部材)
PBS1~PBS6 第1~第6の偏光ビームスプリッタ