▶ フジフイルム ソノサイト インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-01-06
(45)【発行日】2023-01-17
(54)【発明の名称】超音波プローブ
(51)【国際特許分類】
A61B 8/00 20060101AFI20230110BHJP
H04R 17/00 20060101ALI20230110BHJP
【ＦＩ】
A61B8/00
H04R17/00 332
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2021534751
(86)(22)【出願日】2019-12-12
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-02-08
(86)【国際出願番号】 US2019066099
(87)【国際公開番号】W WO2020131584
(87)【国際公開日】2020-06-25
【審査請求日】2021-06-23
(31)【優先権主張番号】16/230,870
(32)【優先日】2018-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】519019791
【氏名又は名称】フジフイルム ソノサイト インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100086771
【弁理士】
【氏名又は名称】西島 孝喜
(74)【代理人】
【識別番号】100109335
【弁理士】
【氏名又は名称】上杉 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100170209
【弁理士】
【氏名又は名称】林 陽和
(72)【発明者】
【氏名】マロリー ロバート
(72)【発明者】
【氏名】フレイ グレッグ
【審査官】冨永 昌彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－０９３８７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１０４２０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２０４５５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－００８３７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／００７８２４０（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ａ６１Ｂ ８／００ － ８／１５
Ｈ０４Ｒ １７／００ － １７／１０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、前記プローブアレイアセンブリの一部の周りに設けられた第１のエンクロージャであって、第１および第２の開口を有し、熱伝導性材料を含む第１のエンクロージャと、
前記第１のエンクロージャ内に含まれた１以上の熱伝導フィンであって、前記プローブアレイアセンブリ内に囲まれた第１の端部と、前記第１のエンクロージャにおいて前記第１の開口から前記第２の開口への熱経路を作成するように第１の面内で前記プローブアレイアセンブリから離れて延びるとともに前記第１のエンクロージャの内面と熱的に接触する第２の端部と、を各々が有し、第１の側面と前記第１の側面とは反対側の第２の側面とを有する第１のフィンと、前記第１のフィンの前記第１の端部に取り付けられ、前記第１の面から第１の距離離れた第２の面内で延びるフレックス回路と、前記第１のフィンの前記第２の端部と前記フレックス回路との間の前記第１の側面上の第１のエラストマパッドと、含み、前記第１のフィンの前記第２の端部の前記第２の側面が、前記第１のフィンと前記第１のエンクロージャの前記内面との間の経路を介して前記プローブチップから熱を伝達するために前記第１の距離を大きくするように、前記第１のエラストマパッドによって、前記第１のエンクロージャの前記内面へと押し付けられて接触するとともに、前記第２の面から離間する、１以上の熱伝導フィンと、
を備える、超音波トランスデューサプローブ。
【請求項2】
前記第１のフィンは、金属を含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項3】
前記１以上の熱伝導フィンを前記第１のエンクロージャの前記内面に熱的に結合するサーマルペーストをさらに備える、請求項１に記載のプローブ。
【請求項4】
前記フレックス回路に取り付けられた近位端部分と、前記第２の面から第２の距離離れた第３の面内で延びる遠位端部分と、を含む前記第２のフィンと、前記第２のフィンの前記遠位端部分と前記フレックス回路との間の第２のエラストマパッドと、をさらに備え、前記第２のフィンの前記遠位端部分は、前記第２のフィンと前記第１のエンクロージャの前記内面との間の経路を介して前記プローブチップから熱を伝達するために前記第２の距離を大きくするように、前記第２のエラストマパッドによって、前記第１のエンクロージャの前記内面へと押し付けられるとともに、前記第２の面から離間する、請求項１に記載のプローブ。
【請求項5】
前記第１のエンクロージャの周りに設けられた第２のエンクロージャであって、前記第１のエンクロージャへと延びるヒートリブを含み、前記ヒートリブは、前記超音波トランスデューサの動作周波数に基づいて生成されると予想される所定量の熱を伝達するようなサイズである、第２のエンクロージャをさらに備える、請求項１に記載のプローブ。
【請求項6】
前記プローブアレイアセンブリは、バッキングブロックを含み、前記第１のフィンの前記第１の端部と前記第１の端部に取り付けられた前記フレックス回路の第１の部分とは、前記バッキングブロック内に埋め込まれる、請求項１に記載のプローブ。
【請求項7】
前記１以上の熱伝導フィンは、前記第２のフィンと前記第１のフィンとの間にエアギャップがない、前記フレックス回路に取り付けられた第２のフィンを含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項8】
前記プローブアレイアセンブリは、バッキングブロックを含み、さらに、前記第１のフィンの最も広い部分である前記第１の端部は、前記バッキングブロック内に保持される、請求項１に記載のプローブ。
【請求項9】
前記第１のフィンは、外形、切り欠き領域、または、前記プローブ内の少なくとも１つのコンポーネントとの接触を回避するための形状の特徴のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載のプローブ。
【請求項10】
前記第１のフィンは、前記プローブ内の１以上の内部コンポーネントと接触するように構成された形状を有する、請求項１に記載のプローブ。
【請求項11】
プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、
前記プローブアレイアセンブリの一部の周りに設けられた第１のエンクロージャであって、第１および第２の開口を有し、熱伝導性材料を含む第１のエンクロージャと、
前記第１のエンクロージャ内に含まれた１以上の熱伝導フィンであって、前記プローブアレイアセンブリ内に囲まれた一端と、前記第１のエンクロージャにおいて前記第１の開口から前記第２の開口への熱経路を作成するように前記プローブアレイアセンブリから離れて延びるとともに前記第１のエンクロージャの内面と熱的に接触する部分と、を各々が有する、１以上の熱伝導フィンと、
前記プローブアレイアセンブリの１以上の戻り面に結合された１以上の導電性電磁干渉（ＥＭＩ）ガスケットであって、前記１以上の導電性ＥＭＩガスケットは、前記第１のエンクロージャの内面に結合されている、１以上の導電性ＥＭＩガスケットと、
を備える、超音波トランスデューサプローブ。
【請求項12】
前記１以上のＥＭＩガスケットは、前記１以上の戻り面から前記第１のエンクロージャの前記内面への直接接触を提供する、請求項１１に記載のプローブ。
【請求項13】
前記第１のエンクロージャは、金属を含むとともにオーバーラップジョイントを含み、前記第１および第２の開口を除いて完全なファラデーケージを作成するように前記ＥＭＩガスケットとともに動作する、請求項１１に記載のプローブ。
【請求項14】
前記第１のエンクロージャの前記第２の開口は、ケーブルエンクロージャの金属織メッシュに電気的に接続するとともに熱結合を提供するように動作可能である、請求項１３に記載のプローブ。
【請求項15】
プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、前記プローブアレイアセンブリの一部の周りに設けられ、第１および第２の開口を有するとともに第１および第２のクラムシェルハーフを含む第１のエンクロージャであって、前記第１および第２のクラムシェルハーフが前記第１および第２のクラムシェルハーフの側面に沿ってラップジョイントを介して共に結合されている第１のエンクロージャと、
前記第１のエンクロージャの周りに設けられ、第３および第４のクラムシェルハーフを有する第２のエンクロージャであって、前記第２のエンクロージャの前記第３のクラムシェルハーフがメカニカルインターロックを使用して前記第１のエンクロージャの前記第１のクラムシェルハーフに結合されており、前記第２のエンクロージャの前記第４のクラムシェルハーフがメカニカルインターロックを使用して前記第１のエンクロージャの前記第２のクラムシェルハーフに結合されている第２のエンクロージャと、
前記第１のエンクロージャ内に含まれ、金属を含む１以上の熱伝導フィンであって、前記プローブアレイアセンブリ内に囲まれた一端と、前記第１のエンクロージャにおいて前記第１の開口から前記第２の開口への熱経路を作成するように前記プローブアレイアセンブリから離れて延びるとともに前記第１のエンクロージャの内面と熱的に接触する部分と、を各々が有する１以上の熱伝導フィンと、
前記プローブアレイアセンブリの１以上の戻り面に結合された１以上の導電性電磁干渉（ＥＭＩ）ガスケットであって、前記第１および第２の開口を除いて完全なファラデーケージを作成するように前記１以上の戻り面から前記第１のエンクロージャの前記内面への直接接触を提供するために前記第１のエンクロージャの内面に結合された１以上の導電性ＥＭＩガスケットと、
を備える、超音波トランスデューサプローブ。
【請求項16】
前記１以上の熱伝導フィンを前記第１のエンクロージャの前記内面に向かって押し付ける複数の材料片をさらに備える、請求項１５に記載のプローブ。
【請求項17】
前記第１および第２のクラムシェルハーフは、複数の貫通孔を含み、前記第３および第４のクラムシェルハーフを形成する非導電性材料は、前記第１および第２のクラムシェルハーフの内表面内へと延びて当該内表面上への重なりを形成する、
請求項１５に記載のプローブ。
【請求項18】
前記第２のエンクロージャは、非導電性材料を含み、さらに、前記第２のエンクロージャの前記第３のクラムシェルハーフは、メカニカルインターロックを使用して前記第１のエンクロージャの第１のクラムシェルハーフにオーバーモールドされており、
前記第２のエンクロージャの前記第４のクラムシェルハーフは、前記第１のエンクロージャの前記第２のクラムシェルハーフにオーバーモールドされている、
請求項１５に記載のプローブ。
【請求項19】
前記第１のエンクロージャの前記第２の開口は、ケーブルエンクロージャの金属織メッシュに電気的に接続するとともに熱結合を提供するように動作可能である、請求項１５に記載のプローブ。
【請求項20】
前記第１および第２のクラムシェルハーフを共に接続する複数のボスをさらに備える、請求項１５に記載のプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に、超音波トランスデューサに関し、より具体的に、本発明は、超音波トランスデューサアセンブリ内に熱伝導フィンまたは平面層を含む超音波トランスデューサアセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
音響トランスデューサのようなトランスデューサは、音響プローブが患者の内部組織の画像を作成するために超音波を送受信する医用イメージングにおいて使用される。一般に、より高品質のイメージングを可能にするために音響プローブを最大許容音響強度で使用することがユーザにとって望ましく、これは、患者の組織への音響波のより良い浸透によって達成されうる。しかしながら、より高い音響強度で音響プローブを作動させることは、トランスデューサアセンブリにおいて発生する過度の熱につながる可能性がある。
【0003】
患者との接触点における音響プローブの最大外部温度には限界が存在する。音響プローブの特定の動作モードでは、トランスデューサ要素またはそのアセンブリ内で発生する熱が、プローブ表面のいくつかの領域の温度が許容限界を超えることを引き起こす場合がある。
【0004】
トランスデューサアセンブリは、一般に、固有熱伝導率が低い材料か、または、発熱部品から離れた限定的な伝導および外側シェルへの限定的な伝導のための短くて薄い断面の熱成分を利用する材料、を利用して製造される。このようなトランスデューサアセンブリは、プローブの過熱につながりうる。不利なことに、音響プローブの熱伝導率を高めるための過去の多くの試みは、プローブの表面温度に限定的な影響を及ぼしていたため、患者の不快感を防ぐのに十分な顔面温度の低下において効果的でない可能性がある。
【0005】
したがって、トランスデューサアセンブリの患者接触面の過熱を回避するために、トランスデューサ要素のアレイに閉じ込められる可能性のある熱を放散することが望ましい。
【発明の概要】
【0006】
超音波プローブおよびその使用方法が記載されている。一実施形態において、超音波プローブは、プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、プローブアレイアセンブリの一部の周りに設けられた第１のエンクロージャであって、第１および第２の開口を有し、熱伝導性材料を含む第１のエンクロージャと、第１のエンクロージャ内に含まれた１以上の熱伝導フィンであって、プローブアレイアセンブリ内に囲まれた一端と、第１のエンクロージャにおいて第１の開口から第２の開口への熱経路を作成するようにプローブアレイアセンブリから離れて延びるとともに第１のエンクロージャの内面と熱的に接触する部分と、を各々が有する１以上の熱伝導フィンと、を備える。
本発明は、以下の詳細な説明および本発明の様々な実施形態の添付図面からより完全に理解されるが、これらは、本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、あくまで説明および理解のためのものである。
本発明は、以下の詳細な説明および本発明の様々な実施形態の添付図面からより完全に理解されるが、これらは、本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、あくまで説明および理解のためのものである。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下の記載では、本発明のより完全な説明を提供するために多くの詳細が示されている。しかしながら、本発明がこれらの特定の詳細なしで実施されうることは、当業者にとって明らかであろう。他の例では、本発明を曖昧にすることを回避するために、よく知られた構造およびデバイスが、詳細ではなくブロック図の形で示されている。
【0009】
トランスデューサアセンブリおよびそれを使用するためのシステムを有する超音波トランスデューサプローブが開示される。超音波トランスデューサプローブの実施形態は、先行技術のプローブに対する１以上の改善を提供する。まず、プローブの構造は、熱管理を大幅に改善し、向上した電磁インターフェース（ＥＭＩ）制御および増大した構造の完全性を提供する。これらの改善は、たとえば手で鋳造する、銅箔で部品を手で包む、電気部品の周りにはんだ付けする、といった人為的ミスの対象となりやすい多くの労働集約的な製造プロセスを排除しながら達成された。多くの労働集約的な製造プロセスが排除されたため、超音波トランスデューサプローブの実施形態は、バッチ変動のないより再現性のある製造ステップに備え、このことは、製造組立時間が大幅に短縮する。
【0010】
図１は、開示技術の実施形態に従って構成された超音波トランスデューサアセンブリを有する超音波トランスデューサプローブの一実施形態を示している。図１を参照すると、超音波トランスデューサプローブ１００は、遠位端部分１１２と近位端部分１１４との間で延びるエンクロージャ１１０を含む。一実施形態において、超音波トランスデューサプローブ１００のエンクロージャ１１０は、内側シェルを取り囲む透明カバーを有する。一実施形態において、内側シェルは、金属材料（たとえばダイキャストアルミニウムなど）からなる。一実施形態において、透明カバーは、ダイキャスト金属内側シェル上にオーバーモールドされた透明プラスチック（たとえばポリスルホン）を含む。一実施形態において、外カバーおよび内側シェルは、エンクロージャ１１０を作成し、プローブの外に熱を伝達するように協働する。
【0011】
エンクロージャ１１０は、エンクロージャ１１０の内部の部分または空洞に設けられたシステム電子機器（たとえば１以上のプロセッサ、集積回路、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ビームフォーマ、バッテリ、および／または他の電源）を運ぶまたは収容するように構成されている。システム電子機器（図示せず）は、プローブの近位端に取り付けられたケーブル１１８を介して超音波イメージングシステム１３０に電気的に結合されている。
【0012】
プローブ先端では、１以上のトランスデューサ要素を有するトランスデューサアセンブリ１２０がシステム電子機器に電気的に結合されている。動作中、トランスデューサアセンブリ１２０は、１以上のトランスデューサ要素から対象に向かって超音波エネルギーを送信し、対象から超音波エコーを受信する。超音波エコーは、送受信回路によって電気信号に変換され、システム電子機器と、電気信号を処理して１以上の超音波画像を形成するように構成された超音波イメージングシステム１３０内の電子機器（たとえば、１つまたは複数のプロセッサ、メモリモジュール、ビームフォーマ、ＦＰＧＡなど）と、に電気的に送信される。
【0013】
例示的なトランスデューサアセンブリ（たとえばトランスデューサアセンブリ１２０）を使用して対象から超音波データを取得することは、一般に、超音波を生成することと、超音波を対象に送信することと、対象によって反射された超音波を受信することと、を含む。広範囲の周波数の超音波は、超音波データを取得するために使用されうる、たとえば低周波数の超音波（たとえば１５Ｍｈｚ未満）および／または高周波数の超音波（たとえば１５Ｍｈｚ以上）が使用できる。当業者は、限定はされないが、たとえばイメージングの深さおよび／または所望の解像度のような要因に基づいて、使用する周波数範囲を容易に決定することができる。
【0014】
一実施形態において、超音波イメージングシステム１３０は、１以上のプロセッサを有する超音波制御サブシステム１３１を含む。少なくとも１つのプロセッサは、音波を放出するために電流をプローブ１００のトランスデューサに送り、また、戻ってくるエコーから作成されたプローブからの電気パルスを受信する。プロセッサは、受信された電気パルスに関連付けられた生データを処理し、超音波イメージングサブシステム１３２に送信される画像を形成し、超音波イメージングサブシステム１３２は、表示画面１３３に画像を表示する。したがって、表示画面１３３は、超音波制御サブシステム１３１のプロセッサにより処理された超音波データから超音波画像を表示する。
【0015】
また、一実施形態において、超音波システムは、データを入力し、超音波表示サブシステムのディスプレイ、取得された画像を記憶するためのディスク記憶装置（たとえばハード、フロッピー、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ））、および表示されたデータから画像を印刷するプリンタから測定を行うことを可能にする１以上のユーザ入力デバイス（たとえばキーボード、カーソル制御デバイスなど）を有する。また、これらは、本明細書に開示された技術を曖昧にすることを回避するために、図１には示されていない。
【0016】
一実施形態において、超音波トランスデューサプローブは、改善された熱管理、電磁干渉（ＥＭＩ）の軽減、および構造的完全性のための統合コンポーネントを有する。熱特性は、プローブ内で長いヒートフィンをカプセル化することによって達成される。これらのヒートフィンは、プローブチップの発熱成分から熱を逃がすように超音波プローブのハンドル内へと延びる。熱伝達は、長いヒートフィンに接触し、ヒートフィンからトランスデューサプローブの外面に熱を伝導する高導電性の内部エンクロージャ（たとえば金属エンクロージャ、改善された熱的および構造的完全性の両方を提供するセラミックまたは他の材料を含むエンクロージャ）によってさらに増大される。一実施形態において、内側ケースは、追加の構造的完全性およびＥＭＩ制御のために、エンクロージャの半分の間にオーバーラップジョイントを有する。一実施形態において、プローブの外面は、内部エンクロージャをカプセル化するプラスチックケースを含む。外側プラスチックケースは、電気的危機、液体の侵入、および外観の損傷に対する保護を提供する。
【0017】
一実施形態において、超音波トランスデューサプローブ１００は、プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、熱伝導性材料（たとえば金属（たとえばダイキャストアルミニウム）など）を含むプローブアレイの一部の周りに設けられた第１のエンクロージャと、第１のエンクロージャ内に含まれた１以上の熱伝導ヒートフィンと、を備える。一実施形態において、各熱伝導ヒートフィンは、プローブアレイアセンブリ内に囲まれた端部を有するとともに、第１のエンクロージャの１つの開口に近接して配置されたプローブチップから熱を伝達するために第１のエンクロージャの内面と熱接触しているプローブアレイアセンブリ（たとえば平面延部）から離れて延びる部分を有する。一実施形態において、超音波トランスデューサプローブ１００内の材料（たとえばエラストマまたは他の発泡パッド）は、ヒートフィンを、第１のエンクロージャの内面に向かって接触するように押し付ける。
【0018】
一実施形態において、第２のエンクロージャ（たとえばオーバーモールドされたプラスチックエンクロージャ）またはカバーは、第１のエンクロージャの周りに設けられ、第１のエンクロージャの外面の全部ではないにしても相当な部分を重ねて覆うように動作する。一実施形態において、第１のエンクロージャは、上部および下部のクラムシェルハーフを含み、第２のエンクロージャは、上部および下部のクラムシェルハーフを含む。第２のエンクロージャの上部クラムシェルハーフは、第１のエンクロージャの上部クラムシェルハーフに結合されて重なり合い、第２のエンクロージャの下部クラムシェルハーフは、第１のエンクロージャの下部クラムシェルハーフに結合されて重なり合う。一実施形態において、これらそれぞれのクラムシェルハーフの間の結合は、メカニカルインターロックを使用して、少なくとも部分的に、達成される。
【0019】
エンクロージャ１１０の実施形態は、いくつかの特徴を提供する。一実施形態において、特徴は、１以上の改善された熱伝達、（プローブチップで可能な程度の）電磁適合性（ＥＭＣ）ファラデーケージ、頑丈な構造的エンクロージャ、および単純な最終アセンブリを含む。たとえば、これらの特徴のうち１以上を使用して、超音波トランスデューサプローブ１００の実施形態は、他のプローブのプローブチップで１．２℃の低下またはそれ以上の改善を提供するように示された。
【0020】
図２および３は、プローブケースの一実施形態を示している。一実施形態において、プローブケースは、上部カバー２０１および内側シェル２０２からなる上部一対のクラムシェルハーフと、下部カバー２０４および内側シェル２０３からなる下部一対のクラムシェルハーフと、を備える。内側シェル２０２および内側シェル２０３は、第１のエンクロージャを形成するように共に結合され、上部カバー２０１および下部カバー２０４は、第１のエンクロージャの外面の相当な部分をカバーする第２のエンクロージャを形成するように共に結合される。一実施形態において、組み合わされたエンクロージャは、超音波トランスデューサプローブのケーブルアセンブリを有する端部（たとえば図１の遠位端１１４）におけるハンドル部分および他端（たとえば図１の近位端１１２）に近いトランスデューサアレイハウジングを含むハウジングとして動作する。
【0021】
一実施形態において、内側シェル２０２および内側シェル２０３は、熱伝導性材料を含む。一実施形態において、内側シェル２０２および内側シェル２０３は、限定はされないが、ダイキャストアルミニウム、他の金属、複合合金などといった導電性材料も含む。内側シェル２０２および内側シェル２０３は他の金属材料または非金属材料（たとえばセラミック）を含みうる。ダイキャストアルミニウム内側シェルケースとして、内側シェル２０２および内側シェル２０３によって作成された最初のエンクロージャが、構造的完全性を提供し、ヒートフィンからの熱伝達を提供し（後述）、ＥＭＣエンクロージャとして機能する結果、電子機器に銅箔が必要とされなくなる、ということに留意されたい。代替の実施形態において、内側シェル２０２および２０３は、限定はされないが、たとえば圧力成形、インベストメント鋳造、ＣＮＣフライス加工といったよく知られた方法、またはあまり知られていない方法のような、ダイキャスト以外の方法を使用して作成される。
【0022】
一実施形態において、上部カバー２０１および下部カバー２０４は、オーバーモールドされたプラスチックケース（たとえば射出成形されたポリスルホンケース）を形成するように共に結合される。上部カバー２０１および下部カバー２０４が、限定はされないが、たとえばポリマー材料、絶縁材料のような、オーバーモールドされたポリスルホン以外の材料を含みうる、ということに留意されたい。
【0023】
一実施形態において、上部カバー２０１および下部カバー２０４は、それぞれ、内側シェル２０２および内側シェル２０３上に恒久的にオーバーモールドされる。一実施形態において、内側シェル２０２は、たとえば貫通穴２４２のようないくつかの貫通穴を含む。一実施形態では、内側シェル２０２が上部カバー２０１および内側に結合されてその中に封入される（たとえば覆われる）、内側シェル２０３が下部カバー２０４に結合されてその中に封入される（たとえば覆われる）場合、上部カバー２０１および下部カバー２０４を形成するように射出成形されたプラスチックは、貫通穴２４２を通って進み、射出成形されたタブインターロックは、内側シェル２０２および内側シェル２０３の反対側に形成される。これらのタブインターロックは、上部カバー２０１を内側シェル２０２に対して保持し、内側シェル２０３を下部カバー２０４に対して保持する。すなわち、一実施形態において、外側カバー（上部カバー２０１および下部カバー２０４）の射出成形は、内側エンクロージャ（たとえば金属ケース）の半分の貫通穴２４２を通過し、内側エンクロージャの内部で重なり合うことが可能とされ、これにより、上部カバー２０１および下部カバー２０４によって形成される外側カバーと、内側シェル２０２および内側シェル２０３によって形成される内側エンクロージャと、の間にメカニカルインターロックを形成するタブインターロックを作成する。貫通穴２４２によって生成されるメカニカルインターロックは、プラスチックが剥離するのを回避するための強力なメカニカルロックを提供する。
【0024】
このようなタブインターロックの例は、下部カバー２０４のタブインターロック２６０および２６１として示されている。タブインターロックは、以下でより詳細に記載される追加図に示されている。
【0025】
一実施形態において、内側シェル２０２および内側シェル２０３は、超音波トランスデューサプローブの端部でケーブルエンクロージャと接続する金属ケースを形成するようにラップジョイント２８０および１以上のボス（たとえばＣボス）を使用して共に結合される。一実施形態において、ラップジョイント２８０は、ＥＭＣ完全性（たとえば電磁波の漏れを防止する）および構造的完全性を提供する結果、共に結合された場合に、前部開口（近位端）および後部開口（遠位端）でのトランスデューサの音響部分を除いて実質的に完全なファラデーケージが作成される。一実施形態では、トランスデューサアセンブリ内のガスケットに接続された追加の導電経路をレンズが含む場合により完全なファラデーケージが作成される。このような場合、ガスケットは、プローブハンドルへと延びる少なくとも１つのヒートフィンに結合される。ガスケットおよびヒートフィンのような例は、以下でより詳細に記載される図４のＥＭＩガスケット４０１およびヒートフィン４０３である。一実施形態において、この導電経路は、レンズに埋め込まれたホイル（ｆｏｉｌ）を含む。別の実施形態において、この導電経路は、トランスデューサの一部の上にある金属オーバーレイ（たとえばスパッタされた金属）を含む。
【0026】
一実施形態では、４つより多いまたは少ないボスが使用されうるが、コンプライアント締まりばめ（ｃｏｍｐｌａｉａｎｔ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ｆｉｔ）を介して内側シェル２０２および内側シェル２０３を共に結合する４つのボス２５１が存在する。一実施形態において、ボス２５１は、中空のＣボスとかみ合うリブを備えた中実のボスを含むＣボスである。ボスは、正確な位置合わせ、構造的インターロック、コンプライアント公差許容値、およびより大きな表面積を提供します。
【0027】
一実施形態において、上部カバー２０１および／または下部カバー２０４は、ヒートリブを含む。ヒートリブの例は、下部カバー２０４のヒートリブ２１１として示されている。一実施形態では、下部カバー２０４の内面から突出して上方に延びる、または上部カバーの内面から突出して下方に延びる複数のヒートリブが存在する。上部カバー２０１が内側シェル２０２に結合された場合、ヒートリブは、内側シェル２０２上で、ヒートリブスロット２１０のような、ヒートリブスロット内へと延びる。一実施形態では、同様のヒートリブスロットが内側シェル２０３に含まれる。ヒートリブスロットは、熱伝達および構造的完全性を強化するために、内側シェル２０２に対して上部カバー２０１を接合するとともに下部カバー２０４に対して内側シェル２０３を接合する。ヒートリブおよび／またはヒートリブスロットのサイズは、実施形態によって異なる。しかしながら、硬いまたはより密接な適合を行うための、ヒートリブおよび／またはヒートスロットの表面積の増加およびヒートリブおよび／またはヒートスロットの間隔の縮小は、熱伝達を増加させる。したがって、ヒートリブおよび／またはヒートスロットの表面積および間隔は、異なるトランスデューサに関連付けられた温度低下を制御するために、異なる周波数で動作する異なるトランスデューサに適合または最適化されうる。一実施形態では、熱をより効率的に伝達するために、より高い周波数のトランスデューサを使用する場合により大きな表面積を有するようにヒートリブのサイズが増大される。
【0028】
図３は、内側シェル２０２および内側シェル２０３の別の図を示している。示されているように、内側シェル２０２は、内側シェル２０２を上部カバー２０１（図２）に固定するとともに内側シェル２０３を下部カバー２０４に固定するために使用される射出成形材料用の穴を提供する貫通穴２４２を含む。示されているように、内側シェル２０３は、（上部カバー２０１から突出する熱リブを受け入れる内側シェル２０２の熱リブスロットを備えたケースのように）下部カバー２０４から突出する熱リブを受け入れ、（図４および６Ａ～１０と合わせて以下でより詳細に記載される）プローブ内のヒートフィンから超音波トランスデューサプローブの外面への熱伝達を提供するヒートリブスロット２１０を含む。
【0029】
図４は、最終アセンブリに近い超音波トランスデューサプローブのプローブケースの一実施形態を示している。図４を参照すると、上部カバー２０１は、内側シェル２０２の外面に取り付けられて当該外面を覆い、下部カバー２０４は、内側シェル２０３の外面に取り付けられて当該外面を覆う。一実施形態において、統合された半分が共に結合された場合に実質的に完全なファラデーケージが作成される（超音波プローブの前部および後部開口を除く）ように、内側シェル２０３は、接合部を下部カバー２０４に重ね合わせ、内側シェル２０２は、接合部を上部カバー２０１と重ね合わせた。上述したように、内側シェル２０２および内側シェル２０３の貫通穴２４２は、内側シェル２０２と上部カバー２０１との間および内側シェル２０３と上部カバー２０４との間に塑性流動がメカニカルインターロックを作り出すことを可能にする。一実施形態では、タブインターロックを作成するための貫通穴２４２の形状がカバー（たとえば上部カバー２０１、下部カバー２０４）のオーバーモールディングに使用される材料に依存する、ということに留意されたい。オーバーモールディング用の材料がより粘性である場合、貫通穴２４２の形状は、より大きな直径を必要としうる。また、一実施形態において、幅対厚さ比は、貫通穴２４２の直径がオーバーモールディング材料の通過を可能にすることを確実にするために、貫通穴２４２の形状に対して選択される。
【0030】
超音波トランスデューサプローブは、トランスデューサ要素を含むトランスデューサアレイ４０４も含む。一実施形態において、アレイ４０４は、射出成形される。これは、労働集約的でエラーが発生しやすい手での鋳造を不要とする。アレイ４０４は、アレイ４０４の上部および下部でＥＭＩガスケット４０１とかみ合う露出した戻り面４０２を含む。一実施形態において、露出した戻り面４０２は、限定はされないが、銅のような金属を含む。一実施形態において、ＥＭＩガスケット４０１は、ピン４０５を介してアレイ４０４に結合される。一実施形態において、露出した戻り面４０２は、ＥＭＩガスケット４０１と直接的に結合する。一実施形態において、ＥＭＩガスケット４０１は、導電性であり、内側シェル２０２および内側シェル２０３によって作成された第１のエンクロージャの内面に接触する。そうすることにより、ＥＭＩガスケット４０１は、アレイ４０４の戻り面４０２から内側シェル２０２および２０３への直接的な接触を可能にする。
【0031】
一実施形態において、超音波トランスデューサプローブは、ヒートフィン４０３のような１以上の熱伝導ヒートフィンも含む。一実施形態において、ヒートフィン４０３は、熱伝導性材料（たとえば銅、アルミニウムなど）またはプローブチップから離れて熱を伝導する他の材料を含む一対のヒートフィンを含む。代替の実施形態では、１つだけのヒートフィンまたは３つ以上のヒートフィンが含まれる。一実施形態において、ヒートフィン４０３の各々は、アレイ４０４を含むトランスデューサアレイアセンブリの一部内に囲まれた一端を有する。一実施形態において、アレイ４０４のバッキングブロックは、フレックス回路だけでなく、バッキングブロックに埋め込まれたヒートフィン４０３も含む。一実施形態において、ヒートフィン４０３の各々は、超音波トランスデューサプローブのハンドルまたは遠位部分（１１４）に向かってアレイ４０４を有するプローブアレイアセンブリから離れて延びる平坦な平面部（たとえば平面延部）を含む。一実施形態において、ヒートフィン４０３は、ケーブルアセンブリ内のケーブルがそのワイヤメッシュから離れて露出している場所に近いプローブ内の位置まで延びる。ヒートフィン４０３とケーブルとの間に直接的または間接的な接触がある場合、高導電性ケーブルは、プローブの全長を通るトランスデューサ面からの熱伝達を改善しうる。
【0032】
ヒートフィン４０３の各々の平面延部の少なくとも一部は、内側シェル２０２および２０３を結合することによって作成されたエンクロージャの内面と熱接触している。内側シェル２０２および２０３は熱伝導性であるので、一実施形態において、ヒートフィン４０３は、アレイ４０４が近位端（１１２）に配置されているプローブチップから内側シェル２０２および２０３へと、そして最終的には上部カバー２０１および下部カバー２０４によって作成されたカバーの部分を含むプローブの外側部分／露出したケーブルアセンブリへと熱を伝達する。すなわち、一実施形態において、熱伝達は、プローブエンクロージャの一端からプローブエンクロージャの他端へと発生する。一実施形態において、ヒートフィン４０３は、プローブチップの１インチの１０００分の１８から２０以内に延びるようにバッキングブロックに埋め込まれ、プローブチップからプローブハンドルの後ろまで幅広く熱を伝導する。ヒートフィンの平面にまたがるｘおよびｙ軸だけでなく、ヒートフィンに垂直なｚ軸においても熱伝達が発生する、ということに留意されたい。これにより、内側シェルおよび外部カバーによって作成されたエンクロージャの外面への熱伝達が可能になる。
【0033】
一実施形態において、ヒートフィン４０３は、１以上のパッド（たとえばエラストマ発泡パッド）または１以上の他の内部構造または機構を使用して、内側シェル２０２および２０３の内面と熱接触するように押し付けられる。一実施形態において、サーマルペーストまたは他の物質は、熱結合を強化するようにヒートフィン４０３と内側シェル２０２および２０３の内面との間に挿入される。
【0034】
図５は、共に接続されたプローブケースの上半分および下半分を示している。図５を参照すると、上部カバー２０１および下部カバー２０４は、内側シェル２０２および２０３上のラップジョイント２８０を介して接続されている。外部ケース（上部カバー２０１および下部カバー２０４によって形成される）と内部エンクロージャ（内側シェル２０２および２０３によって形成される）との間のメカニカルインターロックの例は、貫通穴２４２およびタブインターロック２６０を介して示されている。上部カバー２０１および下部カバー２０４によって形成された外側カバーのヒートリブ２１１と、内側シェル２０２および２０３によって形成された内側エンクロージャのヒートリブスロット２１０と、の間のかみ合いも示されている。図５に示されるように、内側シェル２０２は、内側平面２２０を有する。
【0035】
一実施形態において、ＲＴＶ（室温加硫）シーラントは、外側カバー２０１と外側カバー２０４との結合の周りに使用される。側面の周りにＲＴＶシーラントを使用する代わりに、ガスケットが使用できる。
【0036】
図６Ａ～６Ｂおよび７Ａ～７Ｂは、ヒートフィンを備えたバッキングブロックの実施形態を示している。図６Ａおよび６Ｂを参照すると、ヒートフィン４０３は、信号フレックス回路６０１に結合されている。一実施形態において、２つのヒートフィン４０３および２つの信号フレックス６０１は、バッキングブロック領域にプレボンディングされ、間にギャップが無い状態で中央部分において共に挟まれる。一実施形態において、プレボンディングは、接着剤を使用して行われる。一実施形態では、ヒートフィン４０３および信号フレックス６０１の接着構成は、延部６０４に結合される。一実施形態において、延部６０４は、たとえば銅、アルミニウムなどのような熱伝導材料からなる。延部６０４は、支持リブ６０３に隣接する。
【0037】
戻り面６０２は、ピン４０５との位置合わせのための穴を含み、支持リブ６０３上に載る。支持リブ６０３は、上部ブロックのようなより小さなブロックと共に結合された多数のリブブロック（たとえば長方形ブロック）を含み、それらを共に結合する内側ブロックを超えて延びる。一実施形態において、支持リブ６０３は、プレモールドされ、戻り面を支持し、低圧射出成形流れを可能にし、構造を提供し、樹脂の収縮に抵抗する。
【0038】
一実施形態において、トランスデューサアレイ（たとえば図４のアレイ４０４）は、バッキングブロック７１０を作成するために低圧射出成形を受ける。バッキングブロック７１０の低圧射出成形は、労働集約的な手での鋳造を排除する。一実施形態において、フレックス回路６０１およびヒートフィン４０３の中央サンドイッチは、プレモールドされたプラスチック支持リブ６０３で成形される。サンドイッチされたフレックス回路およびヒートフィンの両方は、金型分割ラインで保持される。
【0039】
また、バッキングブロック７１０は、露出した外側戻り接地面７０１を含む。一実施形態において、プラスチックロック７０２は、接地面７０１においてロックする。一実施形態において、ロック７０２は、オーバーモールドされたプラスチックロックである。一実施形態において、露出した接地面７０１（たとえば銅接地面）は、ＥＭＣを内部エンクロージャ（すなわちシェル２０２および２０３）に向けるために導電性エラストマガスケット（たとえば図４のガスケット４０１）とかみ合う。この方法では、はんだテールまたは銅箔が不要である。
【0040】
図８Ａは、サーマルフィンを備えたプローブケースの一実施形態の側面断面図を示している。図８Ａを参照すると、バッキングブロック８０３は、ヒートフィン８０１およびフレックス回路８１１に結合されて示されている。図８Ａおよび図８Ｂに示されるように、プローブケースは、上部カバー８０２を含む。図８Ｂに示されるように、パッド８２０は、フレックス回路８１１（および他の中央に配置された電子機器）とヒートフィン８０１との間に挿入され、それによりヒートフィン８０１を内側シェル８１０（たとえばシェル２０２および２０３）の内面に押し付ける。一実施形態において、パッドは、エラストマパッドである。内側シェル８１０（たとえば内側シェル２０２および２０３）が金属材料からなる場合、ヒートフィン８０１は、金属内側ケースに押し付けられ、この組み合わせにおいて、金属内側ケースは、熱伝達を高めるために長いサーマルフィンとの大きな表面接触を提供する。一実施形態では、熱伝達に有害なエアギャップをなくす方法として、メタルケースとサーマルフィンとの間にサーマルペーストが塗布される。
【0041】
図８Ｂは、内側シェルと接触するようにフィンを押し付けるエラストマパッドを示す図８Ａのプローブケースの一実施形態の側面断面図を示す。図８Ｂを参照すると、エラストマパッド８２０は、ヒートフィン８０１を内側シェル８０１（たとえばシェル２０２および２０３）の内面に押し付けるように示されている。上述したように、サーマルペーストは、サーマルフィン８０１を内側シェル８０１に熱的に接続するために使用される。図８Ｂが、プローブのケーブルに結合されたトランスデューサアレイに関連付けられたトランスデューサ電子機器８７０（たとえばプリント回路基板（ＰＣＢ）など）を示す、ということにも留意されたい。
【0042】
図９は、サーマルフィンを備えたプローブケースの別の実施形態の側面断面図を示している。図９を参照すると、ケーブルアセンブリからのケーブルは、信号フレックス回路９００に結合されている。ケーブルは、シールドのためにその全長に沿って埋め込まれた金属織メッシュを有する。組み立て中、ストレインリリーフ要素９１０の近くのこの織メッシュの一部がケーブルから剥がされ、示されるようにプローブを囲むために内側シェルの２つの半分に接触する。ヒートフィン９０１および９０２が、内側金属エンクロージャの内面と熱的に接触するように押され、矢印によって示されるように熱を伝達する、ということに留意されたい。
【0043】
図１０は、ヒートフィンの一実施形態を示している。図１０を参照すると、一実施形態において、ヒートフィン１０００は、その最も広いポイントで１．４８インチの幅を有し、これは、バッキングブロック（たとえばバッキングブロック７１０）に含まれるであろう。ヒートフィン１０００は、バッキングブロックから延びる延部も有する。一実施形態において、延部の幅は、０．７０インチであり、バッキングブロックのピン（たとえばピン４０５）から測定された長さは、３．００インチである。他のサイズのヒートフィンが使用されうる、ということに留意されたい。
【0044】
図１０は、ヒートフィンおよびその形状の一実施形態を示しているが、ヒートフィンは、他の形状を有しうる。たとえば、一実施形態において、プローブハンドルを通って延びるヒートフィンの部分は、異なる寸法を有しうる。換言すれば、プローブを通って延びるヒートフィンの部分は、図１０に示されるような均一な形状を有しないであろう。たとえば、ヒートフィンの延部は、第１の部分および第２の部分を有してよく、第１の部分の寸法は、第２の部分とは異なる。さらに、図１０に示されるヒートフィンは、形状、特に延部において均一であるが、これは必須ではない。各ヒートフィンは、プローブの内部コンポーネントおよび特徴に基づくさまざまな形状およびサイズを有しうる。たとえば、ヒートフィンは、外形、切り欠き領域、および／または、プローブを通る必要な熱経路を提供しながらプローブの内部コンポーネントとの接触を回避するために必要な形状の特徴を有しうる。さらに別の実施形態において、ヒートフィンの形状は、プローブ内、および最終的にはプローブの外部への熱伝達を改善して潜在的に最適化するために、プローブ内で熱を生成する１以上の内部電気コンポーネントと合致して接触するように設計される。
【0045】
一実施形態において、各ヒートフィンの厚さは、０．００５インチから０．０５０インチの範囲（たとえば０．０１０インチ）である。他の厚さのヒートフィンが使用されてよく、それらのサイズが、ヒートフィンの所望の熱伝達特性、トランスデューサ面における所望の熱低減量、およびプローブ自体内のスペース制限（たとえばプローブの内部空洞のサイズ）に基づいて選択される、ということに留意されたい。
【0046】
別の代替の実施形態において、ヒートフィンは、同じ材料（たとえば銅）の複数の層を有する。さらに、一実施形態において、ヒートフィンの厚さは、ヒートフィンの１つの部分から次の部分へと変化する。たとえば、ヒートフィンの１つの部分は１つの厚さを有し、一方で、ヒートフィンの別の１または複数の部分は異なる厚さを有する。一実施形態において、ヒートフィンは、レンズの近くのトランスデューサアレイ内に埋め込まれたより厚い部分を有し、ヒートフィンのより薄い部分は、トランスデューサアレイからハンドル領域内へと外向きに延びる。したがって、ヒートフィンの厚さは、第１の部分および第２の部分から変化する。一実施形態において、より厚い部分は、金属またはセラミックのダイキャスト、インベストメント鋳造、ＣＮＣなどである。複数の層の使用は、追加の熱伝達の利益を提供することができる。
【0047】
さらに別の代替の実施形態において、ヒートフィンは、上記のような様々なサイズの部分と、ヒートフィンの異なる部分で使用される層の異なる組み合わせが存在する複数の層と、を有する。たとえば、一実施形態において、レンズ部分のヒートフィンの部分は、ハンドル部分よりも多くの層を有し、それにより、ヒートフィンがプローブハンドル内へと延びるにつれて先細るように見える。別の実施形態において、レンズ部分のヒートフィンの部分は、ハンドル部分よりも少ない層を有し、その結果、ヒートフィンは、ヒートフィンがプローブハンドル内へと延びるにつれてサイズが大きくなる。
【0048】
図１１～１３は、先行技術のプローブおよび本明細書に記載の技術を利用するプローブの熱画像を示している。図１１～１３の各々を参照すると、一対のプローブが先行技術のプローブ構成で左側に示され、上記で開示された特徴で構築されたプローブが右側に示されている。いずれの場合も、左側のプローブと比較して、本明細書に開示された特徴を備えた右側のプローブの場合、熱エネルギーがプローブハンドル内へと広がってより多く放散する、ということに留意されたい。
【0049】
本明細書に記載されるいくつかの例示的な実施形態が存在する。
【0050】
例１は、プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、プローブアレイアセンブリの一部の周りに設けられた第１のエンクロージャであって、第１および第２の開口を有し、熱伝導性材料を含む第１のエンクロージャと、第１のエンクロージャ内に含まれる１以上の熱伝導フィンであって、プローブアレイアセンブリ内に囲まれた一端と、第１のエンクロージャにおいて第１の開口から第２の開口への熱経路を作成するようにプローブアレイアセンブリから離れて延びるとともに第１のエンクロージャの内面と熱接触する部分を各々が有する１以上の熱伝導フィンと、を備える超音波トランスデューサプローブである。
【0051】
例２は、１以上の熱伝導フィンが、金属を含む、ということをオプション的に含みうる例１の超音波トランスデューサプローブである。
【0052】
例３は、１以上の熱伝導フィンを第１のエンクロージャの内面に向かって押し付ける複数の材料片をオプション的に含みうる例１の超音波トランスデューサプローブである。
【0053】
例４は、１以上の熱伝導フィンを第１のエンクロージャの内面に熱的に結合するサーマルペーストをオプション的に含みうる例３の超音波トランスデューサプローブである。
【0054】
例５は、複数の材料片が、複数のパッドを含む、ということをオプション的に含みうる実施例３の超音波トランスデューサプローブである。
【0055】
例６は、第１のエンクロージャの周りに設けられた第２のエンクロージャをオプション的に含みうる例１の超音波トランスデューサプローブである。
【0056】
例７は、第２のエンクロージャが、非導電性材料を含む、ということをオプション的に含みうる例６の超音波トランスデューサプローブである。
【0057】
例８は、第１のエンクロージャが、第１および第２のクラムシェルハーフを含み、第２のエンクロージャが、第３および第４のクラムシェルハーフを含み、第２のエンクロージャの第３のクラムシェルハーフが、メカニカルインターロックを使用して第１のエンクロージャの第１のクラムシェルハーフに結合されており、第２のエンクロージャの第４のクラムシェルハーフが、メカニカルインターロックを使用して、第１のエンクロージャの第２のクラムシェルハーフに結合されている、ということをオプション的に含みうる例６の超音波トランスデューサプローブである。
【0058】
例９は、第１および第２のクラムシェルハーフが、複数の貫通孔を含み、第３および第４のクラムシェルハーフを形成する非導電性材料が、第１および第２のクラムシェルハーフの内表面内へと延びて当該内表面上への重なりを形成する、ということをオプション的に含みうる例８の超音波トランスデューサプローブである。
【0059】
例１０は、第１および第２のクラムシェルハーフが、第１および第２のクラムシェルハーフの側面に沿ったラップジョイントを介して共に結合されている、ということをオプション的に含みうる例６の超音波トランスデューサプローブである。
【0060】
例１１は、第３のクラムシェルハーフの内面から突出するヒートリブが、第１のクラムシェルハーフのスロット内へと延びて当該スロットとかみ合い、第４のクラムシェルハーフの内面から突出するヒートリブが、第２のクラムシェルハーフのスロット内へと延びて当該スロットとかみ合う、ということをオプション的に含みうる例６の超音波トランスデューサプローブである。
【0061】
例１２は、プローブアレイアセンブリの１以上の戻り面に結合された１以上の導電性電磁干渉（ＥＭＩ）ガスケットであって、１以上の導電性ＥＭＩガスケットが、第１のエンクロージャの内面に結合されている、ということをオプション的に含みうる例１の超音波トランスデューサプローブである。
【0062】
例１３は、１以上のＥＭＩガスケットが、１以上の戻り面から第１のエンクロージャの内面への直接接触を提供する、ということをオプション的に含みうる例１２の超音波トランスデューサプローブである。
【0063】
例１４は、第１のエンクロージャが、金属を含むとともにオーバーラップジョイントを含み、第１および第２の開口を除いて完全なファラデーケージを作成するようにＥＭＩガスケットとともに動作する、ということをオプション的に含みうる例１２の超音波トランスデューサプローブである。
【0064】
例１５は、第１のエンクロージャの第２の開口が、ケーブルエンクロージャの金属織メッシュに電気的に接続するとともに熱結合を提供するように動作可能である、ということをオプション的に含みうる例１４の超音波トランスデューサプローブである。
【0065】
例１６は、プローブチップを有するプローブアレイアセンブリと、プローブアレイアセンブリの一部の周りに設けられ、第１および第２の開口を有するとともに第１および第２のクラムシェルハーフを含む第１のエンクロージャであって、第１および第２のクラムシェルハーフが第１および第２のクラムシェルハーフの側面に沿ってラップジョイントを介して共に結合されている第１のエンクロージャと、第１のエンクロージャの周りに設けられ、第３および第４のクラムシェルハーフを有する第２のエンクロージャであって、第２のエンクロージャの第３のクラムシェルハーフがメカニカルインターロックを使用して第１のエンクロージャの第１のクラムシェルハーフに結合されており、第２のエンクロージャの第４のクラムシェルハーフがメカニカルインターロックを使用して第１のエンクロージャの第２のクラムシェルハーフに結合されている第２のエンクロージャと、第１のエンクロージャ内に含まれ、金属を含む１以上の熱伝導フィンであって、プローブアレイアセンブリ内に囲まれた一端と、第１のエンクロージャにおいて第１の開口から第２の開口への熱経路を作成するようにプローブアレイアセンブリから離れて延びるとともに第１のエンクロージャの内面と熱的に接触する部分と、を各々が有する１以上の熱伝導フィンと、プローブアレイアセンブリの１以上の戻り面に結合された１以上の導電性電磁干渉（ＥＭＩ）ガスケットであって、第１および第２の開口を除いて完全なファラデーケージを作成するように１以上の戻り面から第１のエンクロージャの内面への直接接触を提供するために第１のエンクロージャの内面に結合された１以上の導電性ＥＭＩガスケットと、を備える超音波トランスデューサプローブである。
【0066】
例１７は、１以上の熱伝導フィンを第１のエンクロージャの内面に向かって押し付ける複数の材料片をオプション的に含みうる例１６のプローブである。
【0067】
例１８は、第１および第２のクラムシェルハーフが、複数の貫通孔を含み、第３および第４のクラムシェルハーフを形成する非導電性材料が、第１および第２のクラムシェルハーフの内表面内へと延びて当該内表面上への重なりを形成する、ということをオプション的に含みうる例１６のプローブである。
【0068】
例１９は、第２のエンクロージャが、非導電性材料を含み、さらに、第２のエンクロージャの第３のクラムシェルハーフが、メカニカルインターロックを使用して第１のエンクロージャの第１のクラムシェルハーフにオーバーモールドされており、第２のエンクロージャの第４のクラムシェルハーフが、第１のエンクロージャの第２のクラムシェルハーフにオーバーモールドされている、ということをオプション的に含みうる例１６のプローブである。
【0069】
例２０は、第１のエンクロージャの第２の開口が、ケーブルエンクロージャの金属織メッシュに電気的に接続するとともに熱結合を提供するように動作可能である、ということをオプション的に含みうる例１６のプローブである。
【0070】
例２１は、第１および第２のクラムシェルハーフを共に接続する複数のボスをオプション的に含みうる例１６のプローブである。
【0071】
文脈が明らかに他のものを必要としない限り、明細書および特許請求の範囲において、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」などの言葉は、排他的または網羅的な意味ではなく、包括的な意味で解釈されるべきであり、すなわち、「～を含むが、～に限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ， ｂｕｔ ｎｏｔ ｌｉｍｉｔｅｄ ｔｏ）」という意味で解釈されるべきである。本明細書で使用される場合、用語「接続された（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」、「結合された（ｃｏｕｐｌｅｄ）」、またはそれらのバリエーションは、２つ以上の要素の間の直接的または間接的な接続または結合を意味し、要素間の結合または接続は、物理的、論理的、またはそれらの組み合わせでありうる。さらに、「本明細書において（ｈｅｒｅｉｎ）」、「上記（ａｂｏｖｅ）」、「下記（ｂｅｌｏｗ）」、および同様の意味を持つ言葉は、本出願で使用される場合、本出願の特定の部分ではなく、全体としての本出願を指している。文脈が許す場合、上記の発明を実施するための形態の中で単数または複数の数字を使用している言葉は、それぞれ複数または単数の数字を含むこともある。２つ以上の項目のリストに関連する「または」という言葉は、リスト内の項目のいずれか、リスト内の項目の全て、およびリスト内の項目の任意の組み合わせ、という言葉の解釈の全てをカバーしている。
【0072】
本発明の多くの代替および変形は、前述の説明を読んだ後の当業者にとって間違いなく明らかになるであろうが、例示として示されるとともに記載された任意の特定の実施形態は、制限と見なされることを意図したものではないことを理解されたい。したがって、様々な実施形態の詳細への言及は、それ自体が本発明に不可欠であるとみなされる特徴のみを列挙する特許請求の範囲を限定することを意図するものではない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
