(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-01-10
(45)【発行日】2023-01-18
(54)【発明の名称】照明装置
(51)【国際特許分類】
H05B 45/37 20200101AFI20230111BHJP
【FI】
H05B45/37
(21)【出願番号】P 2018165199
(22)【出願日】2018-09-04
【審査請求日】2021-08-19
(73)【特許権者】
【識別番号】390031521
【氏名又は名称】トキコーポレーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105924
【氏名又は名称】森下 賢樹
(72)【発明者】
【氏名】藤城 健司
【審査官】坂口 達紀
(56)【参考文献】
【文献】特開2004-233568(JP,A)
【文献】特開2016-149263(JP,A)
【文献】特開2001-357982(JP,A)
【文献】特開2009-070878(JP,A)
【文献】特開2010-118245(JP,A)
【文献】特開2006-351360(JP,A)
【文献】特開2010-060746(JP,A)
【文献】米国特許出願公開第2012/0194090(US,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H05B 39/00-39/10
45/00-45/58
47/00-47/29
F21K 9/00-9/90
F21S 2/00-2/00,390
2/00,500-45/70
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力される直流電圧を変換して定電圧を出力するDC/DCコンバータと、
前記DC/DCコンバータの出力電圧が印加されるLED(Light Emitting Diode)と、
前記LEDと直列に接続される定電流回路と、
前記定電流回路を用いて前記LEDに流れる電流を
一定に保つとともに、入力される調光信号に応じて前記LEDを調光する制御回路と、を備え、
前記DC/DCコンバータの出力電圧は、前記LEDの順方向降下電圧より所定値、高い値に設定され、
前記制御回路の電源電圧は、前記DC/DCコンバータの出力電圧から供給されることを特徴とする照明装置。
【請求項2】
前記定電流回路は、
前記LEDと所定の固定電位間に挿入され、制御端子が前記制御回路からの駆動信号線に接続された第1トランジスタと、
前記第1トランジスタと前記固定電位間に挿入された第1抵抗と、
前記駆動信号線に挿入された第2抵抗と、
前記駆動信号線上の前記第2抵抗と前記第1トランジスタの制御端子との間のノードと、前記固定電位間に挿入され、制御端子が、前記第1トランジスタと前記第1抵抗との間のノードに接続される第2トランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
【請求項3】
前記第2トランジスタは、NPN型のバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項2に記載の照明装置。
【請求項4】
入力される直流電圧を変換して定電圧を出力するDC/DCコンバータと、
前記DC/DCコンバータの出力電圧が印加されるLED(Light Emitting Diode)と、
前記LEDと直列に接続される定電流回路と、
前記定電流回路を用いて前記LEDに流れる電流を制御する制御回路と、を備え、
前記DC/DCコンバータの出力電圧は、前記LEDの順方向降下電圧より所定値、高い値に設定され、
前記制御回路の電源電圧は、前記DC/DCコンバータの出力電圧から供給され、
前記定電流回路は、
前記LEDと所定の固定電位間に挿入され、制御端子が前記制御回路からの駆動信号線に接続された第1トランジスタと、
前記第1トランジスタと前記固定電位間に挿入された第1抵抗と、
前記駆動信号線に挿入された第2抵抗と、
前記駆動信号線上の前記第2抵抗と前記第1トランジスタの制御端子との間のノードと、前記固定電位間に挿入され、制御端子が、前記第1トランジスタと前記第1抵抗との間のノードに接続される第2トランジスタと、を含み、
前記制御回路には、前記第1トランジスタと前記第1抵抗との間のノードの電圧が入力され、
前記制御回路は、前記ノードの電圧が、前記LEDに流れる目標電流に対応する目標電圧になるよう前記第1トランジスタをフィードバック制御することを特徴とす
る照明装置。
【請求項5】
前記制御回路は、前記ノードの電圧が前記目標電圧より高いとき前記フィードバック制御を実行し、前記ノードの電圧が前記目標電圧より低いとき前記フィードバック制御を停止することを特徴とする請求項4に記載の照明装置。
【請求項6】
入力される直流電圧を変換して定電圧を出力するDC/DCコンバータと、
前記DC/DCコンバータの出力電圧が印加されるLED(Light Emitting Diode)と、
前記LEDと直列に接続される定電流回路と、
前記定電流回路を用いて前記LEDに流れる電流を制御する制御回路と、を備え、
前記DC/DCコンバータの出力電圧は、前記LEDの順方向降下電圧より所定値、高い値に設定され、
前記制御回路の電源電圧は、前記DC/DCコンバータの出力電圧から供給され、
前記定電流回路は、
前記LEDと所定の固定電位間に挿入され、制御端子が前記制御回路からの駆動信号線に接続された第1トランジスタと、
前記第1トランジスタと前記固定電位間に挿入された第1抵抗と、
前記駆動信号線に挿入された第2抵抗と、
前記駆動信号線上の前記第2抵抗と前記第1トランジスタの制御端子との間のノードと、前記固定電位間に挿入され、制御端子が、前記第1トランジスタと前記第1抵抗との間のノードに接続される第2トランジスタと、を含み、
前記制御回路は、入力される調光信号に応じて、前記第1トランジスタを制御することを特徴とす
る照明装置。
【請求項7】
前記制御回路は、入力される調光信号に応じて、前記第1トランジスタの制御端子に、前記駆動信号線を介してPWM(Pulse Width Modulation)信号を供給することを特徴とする請求項6に記載の照明装置。
【請求項8】
入力される直流電圧を変換して定電圧を出力するDC/DCコンバータと、
前記DC/DCコンバータの出力電圧が印加されるLED(Light Emitting Diode)と、
前記LEDと直列に接続される定電流回路と、
前記定電流回路を用いて前記LEDに流れる電流を制御する制御回路と、を備え、
前記DC/DCコンバータの出力電圧は、前記LEDの順方向降下電圧より所定値、高い値に設定され、
前記制御回路の電源電圧は、前記DC/DCコンバータの出力電圧から供給され、
前記制御回路は、
前記DC/DCコンバータに入力される直流電圧が第1設定値より低くなると、前記定電流回路をオフして前記LEDに流れる電流を遮断し、
前記DC/DCコンバータに入力される直流電圧が、前記第1設定値より所定値、高い第2設定値より高くなると、前記定電流回路をオンして前記LEDに流れる電流の遮断を解除することを特徴とす
る照明装置。
【請求項9】
前記DC/DCコンバータの入力段にポリスイッチが接続されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の照明装置。
【請求項10】
入力される直流電圧を変換して定電圧を出力するDC/DCコンバータと、
前記DC/DCコンバータの出力電圧が印加されるLED(Light Emitting Diode)と、
前記LEDと直列に接続される定電流回路と、
前記定電流回路を用いて前記LEDに流れる電流を制御する制御回路と、を備え、
前記DC/DCコンバータの出力電圧は、前記LEDの順方向降下電圧より所定値、高い値に設定され、
前記制御回路の電源電圧は、前記DC/DCコンバータの出力電圧から供給され、
ホール素子を含み、磁界を発生させる操作補助具の接近を検知する操作受信部をさらに備え、
前記制御回路には、前記LEDに流すことができる最大電流値が多段階設定されており、
前記制御回路は、前記操作補助具の接近が検知される度に、前記最大電流値を順次切り替えることを特徴とす
る照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、LED(Light Emitting Diode)を用いた照明装置に関する。
【背景技術】
【0002】
小さな筐体内にLEDと駆動回路を搭載する場合、回路基板の面積が小さくなり、搭載する部品の数を減らすか、部品を小さくする必要がある(例えば、特許文献1参照)。また小さな筐体では、熱がこもりやすく、発熱に対する安全対策が重要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
発熱を抑えるためにはLEDの駆動電流を小さくすればよいが、LEDの能力を十分に発揮させることができなくなり、輝度も低下する。
【0005】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型で、高効率で、安全性が高い照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の照明装置は、入力される直流電圧を変換して定電圧を出力するDC/DCコンバータと、前記DC/DCコンバータの出力電圧が印加されるLEDと、前記LEDと直列に接続される定電流回路と、前記定電流回路を用いて前記LEDに流れる電流を制御する制御回路と、を備える。前記DC/DCコンバータの出力電圧は、前記LEDの順方向降下電圧より所定値、高い値に設定され、前記制御回路の電源電圧は、前記DC/DCコンバータの出力電圧から供給される。
【0007】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を装置、方法、システムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、小型で、高効率で、安全性が高い照明装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1】本発明の実施の形態に係る照明装置の回路構成を示す図である。
【
図3】本発明の実施の形態に係る照明装置の使用例を示す図である。
【
図4】変形例に係る照明装置の回路構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
図1は、本発明の実施の形態に係る照明装置1の回路構成を示す図である。照明装置1は、LED20と、LED20の点灯を制御する点灯制御回路10を備える。LED20は、点灯制御回路10と同じ基板上に設置されてもよいし、別の基板上に設置されてもよい。
【0011】
照明装置1に外部から直流電源と調光信号が供給される。
図1に示す例では、電源線とグランド線の2線により外部から24Vの直流電圧が供給される。上記電源線は照明装置1の電源端子VINに接続され、上記グランド線は照明装置1のグランド端子GNDに接続される。また制御信号線により外部から調光信号が供給される。上記制御信号線の送信側は、調光コントローラと接続され、上記制御信号線の受信側は照明装置1の調光端子DIMに接続される。ユーザは例えば、調光コントローラの操作つまみを所定の位置に回転/スライドさせることにより、LED20の調光値(0~1)を設定することができる。0が消灯、1がフル点灯である。
【0012】
照明装置1において、電源端子VINに接続された第1電源供給ラインW1(
図1に示す例では24Vライン)の入力段に、ダイオードD1、ポリスイッチF1及び第1抵抗R1が挿入される。ダイオードD1は、電源端子VIN側がアノードとなる向きに接続される逆接防止ダイオードである。作業者やユーザが誤って、グランド線を照明装置1の電源端子VINに、電源線をグランド端子GNDに接続した際に、照明装置1内に逆電流が流れないようにしている。ポリスイッチF1は、温度が所定値を超えると急激に抵抗値が上昇する素子であり、過電流などによる放熱により温度が上昇すると電流を抑制し、照明装置1内の部品を過電流などから保護する。
【0013】
第1抵抗R1は、突入電流を抑制するための低抵抗である。第1抵抗R1の抵抗値は、通常の使用範囲の電流に対して殆ど影響を与えず、突入電流などの過電流に対して電流を抑制する作用を持つ値に設定される。突入電流の対策としては、DC/DCコンバータの前段にNTC(Negative-Temperature-Coefficient)サーミスタを挿入することが一般的である。しかしながらNTCサーミスタは定常状態で高温になるため、小さな筐体の照明装置1では熱源になってしまう。試作回路では、適切な値の低抵抗を挿入することにより、9Aの突入電流を3Aまで低下させることに成功している。
【0014】
DC/DCコンバータ11は、降圧型の定電圧DC/DCコンバータであり、DC/DCコンバータ11の入力端子VINには、第1電源供給ラインW1(24Vライン)が接続される。DC/DCコンバータ11の出力端子SWには、負荷に接続された第2電源供給ラインW2が接続される。
図1に示す例では負荷として、LED20、定電流回路13、制御回路12、操作受信部14が接続されている。
【0015】
DC/DCコンバータ11のフィードバック端子FBには、第2電源供給ラインW2の電圧の分圧電圧が入力される。より具体的には、第2電源供給ラインW2とグランド電位間に、第2抵抗R2及び第3抵抗R3が直列に接続される。第2抵抗R2及び第3抵抗R3は、第2電源供給ラインW2に挿入されたインダクタL1の出力側に接続される。第2抵抗R2と第3抵抗R3の分圧点は、DC/DCコンバータ11のフィードバック端子FBに接続され、当該分圧点の電圧がフィードバック端子FBに入力される。
【0016】
DC/DCコンバータ11は内部に、スイッチ、ドライバ、コンパレータ、誤差増幅器を主要構成要素として含む。スイッチは、入力端子VINと出力端子SW間の配線内に接続される。スイッチには例えば、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を使用することができる。誤差増幅器は、所定の参照電圧と、フィードバック端子FBに入力される電圧との誤差を増幅して誤差信号を生成する。コンパレータは、所定の搬送波(三角波)信号と、誤差増幅器から入力される誤差信号を比較してPWM信号を生成する。ドライバは、コンパレータから入力されるPWM信号に応じて上記スイッチのオン/オフを制御する。
【0017】
フィードバック端子FBに入力される分圧電圧に対応する第2電源供給ラインW2の電圧が目標値より低くなると、DC/DCコンバータ11は、上記スイッチのデューティ比を上げるように制御し、第2電源供給ラインW2の電圧が目標値より高くなると上記スイッチのデューティ比を下げるように制御する。このような電圧フィードバック制御により、DC/DCコンバータ11の出力端子SWから出力される電圧が上記目標値に維持される。
【0018】
本実施の形態では、当該目標値に3.5~3.6V程度を設定している。当該目標値は、LED20の順方向降下電圧Vfより所定値、高い値に設定される。所定値は、定電流回路13による電圧降下分をもとに決定される。
【0019】
DC/DCコンバータ11の出力端子SWには出力フィルタが接続される。
図1に示す例では、出力フィルタがLCフィルタで構成されている。具体的には、DC/DCコンバータ11の出力端子SWに接続された第2電源供給ラインW2に、インダクタL1が挿入される。第2電源供給ラインW2とグランドライン間に第1コンデンサC1が接続される。第1コンデンサC1は、インダクタL1の出力側に接続される。
【0020】
第2電源供給ラインW2とグランドライン間にショットキーバリアダイオードSB1が接続される。ショットキーバリアダイオードSB1は、アノードがグランドライン側、カソードが第2電源供給ラインW2側となる向きに接続される転流ダイオード(フリー・ホイール・ダイオード)である。ショットキーバリアダイオードSB1は、インダクタL1の入力側に接続される。ショットキーバリアダイオードSB1は、DC/DCコンバータ11内のスイッチがオフの期間に、インダクタL1に蓄積されたエネルギーを負荷に転流させる。なお
図1に示す例では、転流ダイオードに、順方向降下電圧Vfが低くスイッチング特性に優れたショットキーバリアダイオードSB1を使用しているが、一般的なPN接合のダイオードを使用してもよい。
【0021】
図1に示すDC/DCコンバータ11は、ブートスタートアップ方式のDC/DCコンバータを採用している。DC/DCコンバータ11のブースト端子BST端子と出力端子SWとの間に第2コンデンサC2が接続される。第2電源供給ラインW2とDC/DCコンバータ11のブースト端子BST端子が第2ダイオードD2を介して接続される。第2ダイオードD2は、第2電源供給ラインW2側がアノード、ブースト端子BST端子がカソードとなる向きに接続される。第2電源供給ラインW2から第2ダイオードD2を介して第2コンデンサC2に充電される。ブースト端子BSTの電圧は、出力端子SWの電圧より第2コンデンサC2の電圧分、高くなる。
【0022】
DC/DCコンバータ11内の上記スイッチのハイサイドスイッチング素子には、PチャンネルMOSFETではなく、NチャンネルMOSFETが使用される。ブースト端子BSTに入力される電圧は、ハイサイドのNチャンネルMOSFETの駆動電圧として使用される。NチャンネルMOSFETは、PチャンネルMOSFETより駆動能力が高いため、上記スイッチのサイズを小さくすることができ、コストダウンが可能である。なお、ブートスタートアップ方式を採用しないDC/DCコンバータの場合、ブースト端子BST端子は設けられず、第2ダイオードD2及び第2コンデンサC2は不要である。
【0023】
第2電源供給ラインW2とグランド電位間に、LED20と定電流回路13が直列に接続される。定電流回路13は、LED20に流れる電流を一定に保つとともに、制御回路12から供給されるPWM信号をもとにLED20を調光する。
【0024】
定電流回路13は、第1トランジスタS1、第2トランジスタS2、第4抵抗R4及び第5抵抗R5を含む。
図1に示す例では、第1トランジスタS1にNチャンネルのMOSFET、第2トランジスタS2にNPN型のバイポーラトランジスタを使用している。
【0025】
LED20とグランド電位間に、第1トランジスタS1と第4抵抗R4が直列に接続される。第4抵抗R4は、LED20に流れる電流を検出するための高抵抗である。具体的には、第1トランジスタS1のソース端子は、第4抵抗R4を介してグランド電位に接続され、ドレイン端子はLED20のカソード端子に接続される。第1トランジスタS1のゲート端子(制御端子)には、制御回路12からの駆動信号線が接続される。駆動信号線には、第5抵抗R5が挿入される。制御回路12は、駆動信号線を介して第1トランジスタS1のゲート端子に駆動電圧を供給する。駆動電圧は、第1トランジスタS1が線形領域(非飽和領域)で動作する値に設定される。
【0026】
第2トランジスタS2のエミッタ端子はグランド電位に接続され、コレクタ端子は上記駆動信号線上の第4抵抗R4と第1トランジスタS1のゲート端子との間のノードに接続される。第2トランジスタS2のベース端子(制御端子)は、第1トランジスタS1のソース端子と第4抵抗R4との間のノードN1に接続される。
【0027】
NPN型のバイポーラトランジスタでは、ベース-エミッタ間電圧が閾値電圧より高くなるとベース電流が流れ始め、ベース電流に比例したコレクタ電流が流れる。一般的なシリコントランジスタの場合、閾値電圧は常温で0.6V程度である。
【0028】
第2トランジスタS2にコレクタ電流が流れると、第1トランジスタS1の駆動信号線とグランド電位間が導通し、第2トランジスタS2は、駆動信号線とグランド電位間の抵抗成分となる。この状態では、制御回路12から出力された駆動電圧が、第5抵抗R5と第2トランジスタS2により分圧されて生成された電圧が、第1トランジスタS1のゲート端子に供給されることになる。
【0029】
上述のように第2トランジスタS2のベース電位は、ノードN1の電位で決まる。ノードN1の電位は、第4抵抗R4の抵抗値と、LED20及び第4抵抗R4に流れる電流値により決まる。LED20及び第4抵抗R4に流れる電流値が大きくなるほど、ノードN1の電位が上昇し、第2トランジスタS2のベース電位が上昇する。ベース-エミッタ間電圧が閾値電圧を超えると、ベース-エミッタ間電圧に比例したベース電流と、ベース電流に比例したコレクタ電流が流れる。ベース-エミッタ間電圧が上昇するほどコレクタ電流は大きくなり、コレクタ電流が大きくなるほど第1トランジスタS1のゲート電位は低下する。第1トランジスタS1の線形領域では、ゲート電位に比例してドレイン電流が変化する。
【0030】
設計者は、第4抵抗R4の抵抗値を、LED20に流す電流の目標値に応じた抵抗値に設定する。目標値は、例えば400mA~700mAの範囲内の値に設定される。LED20に流れる電流が目標値を上回ると、ノードN1の電位が上昇し、第1トランジスタS1のドレイン電流が減少する。これによりLED20に流れる電流も減少する。一方、LED20に流れる電流が目標値を下回ると、ノードN1の電位が低下し、第1トランジスタS1のドレイン電流が増加する。これによりLED20に流れる電流も増加する。以上により、LED20に流れる電流を目標値に維持することができる。
【0031】
トランジスタは、温度が上がるほど閾値電圧が下がる特性がある。温度が上昇すると、閾値電圧が0.6Vから0.5Vの方向に低下する。反対に温度が低下すると、閾値電圧が0.6Vから0.7Vの方向に上昇する。したがって温度が上昇すると、閾値電圧の低下によりLED20に流れる電流の目標値が低下する。即ち、第1トランジスタS1により絞られる電流量が多くなり、LED20に流れる電流が減少する。このように定電流回路13は、温度が上昇すると自動的にLED20に流れる電流を減少させる温度保護機能を内包している。
【0032】
制御回路12は、調光端子DIMから入力されるLED20の調光信号を受信し、受信した調光信号に応じて第1トランジスタS1を制御することによりLED20を調光する。なお調光信号は、調光コントローラからデジタル信号で与えられてもよいし、アナログ信号で与えられてもよい。
【0033】
制御回路12は例えば、入力された調光信号に応じて、駆動信号線を介して第1トランジスタS1のゲート端子にPWM信号を供給することにより、LED20を調光する。なお制御回路12は、第1トランジスタS1のゲート端子にPWM信号を供給する代わりに、駆動電圧のレベルをアナログ的に調整してLED20を調光してもよい。
【0034】
制御回路12は例えば、マイクロコントローラにより構成される。当該マイクロコントローラの電源電圧は、DC/DCコンバータ11の出力電圧から供給される。上述したように本実施の形態では、DC/DCコンバータ11の出力電圧は3.5~3.6V程度に維持されている。したがって制御回路12には、3.5~3.6V以下の電源電圧で動作するマイクロコントローラが使用される必要がある。
【0035】
上述のように第1トランジスタS1とグランド電位間に、高抵抗の第4抵抗R4が接続されている。制御回路12は、第1トランジスタS1と第4抵抗R4間のノードN1の電圧を監視することにより、LED20に流れている電流を高精度に検出することができる。
【0036】
図1に示す例では、ノードN1と制御回路12間にローパスフィルタが設置されている。当該ローパスフィルタは、第6抵抗R6及び第3コンデンサC3を含む。第6抵抗R6は、ノードN1と制御回路12間を繋ぐ信号線に挿入され、第3コンデンサC3は当該信号線とグランド電位間に接続される。当該ローパスフィルタにより、ノードN1の電圧を滑らかなアナログ電圧に変換することができる。LED20がPWM調光されている場合、ノードN1の電圧が高速にオン/オフするが、ローパスフィルタを挟むことにより、制御回路12は滑らかなアナログ電圧でノードN1の電圧を検出できる。
【0037】
上述のように定電流回路13は、高温のときLED20に流れる電流を減少させ、低温のときLED20に流れる電流を増加させる作用を有する。例えば、低温環境下で照明装置1を起動する場合、LED20に大きな電流が流れてしまう。電流が流れ始めると、電流による発熱により第2トランジスタS2が温められ、LED20に流れる電流が減少するが、低温環境下の起動時に流れる大きな電流は、第2トランジスタS2によるフィードバック制御だけでは抑制することができない。
【0038】
そこで本実施の形態では、制御回路12によるフィードバック制御を併用する。制御回路12は、監視しているノードN1の電圧が、LED20に流す目標電流に対応する目標電圧を維持するように、第1トランジスタS1をフィードバック制御する。制御回路12は例えば、第1トランジスタS1のゲート端子に供給するPWM信号のデューティ比を調整することにより、ノードN1の電圧を目標電圧に合わせる。なお制御回路12は、第1トランジスタS1のゲート端子に供給する駆動電圧のレベルをアナログ的に調整することにより、ノードN1の電圧を目標電圧に合わせてもよい。
【0039】
制御回路12は、監視しているノードN1の電圧が目標電圧より高いときに第1トランジスタS1のフィードバック制御を実行し、ノードN1の電圧が目標電圧より低いときは第1トランジスタS1のフィードバック制御を停止させてもよい。即ち、LED20に目標電流より大きい電流が流れているときのみ、LED20に流れている電流を減少させる方向に制御を加える。LED20に目標電流より小さい電流が流れているときは、定電流回路13の上述した温度保護機能の働きによるものである可能性があり、当該温度保護機能を阻害しないように、LED20に流れている電流を増加させる方向には制御を加えない。
【0040】
制御回路12は、DC/DCコンバータ11の入力端子VINに接続される第1電源供給ラインW1の電圧(
図1に示す例では24V)を監視している。第1電源供給ラインW1とグランド電位間に、第7抵抗R7及び第8抵抗R8が直列に接続される。第7抵抗R7及び第8抵抗R8の分圧点電圧が、制御回路12に入力される。制御回路12は、入力される分圧点電圧をもとに第1電源供給ラインW1の電圧を検出する。
【0041】
制御回路12は、第1電源供給ラインW1の電圧が第1設定値(例えば、17~18V程度)より低くなると、定電流回路13をオフしてLED20に流れる電流を遮断する。具体的には制御回路12は、第1トランジスタS1のゲート電圧を下げて、第1トランジスタS1をターンオフする。DC/DCコンバータ11は入力電圧が低下すると、入力電流を増加させて、出力するエネルギーを確保しようとする性質がある。DC/DCコンバータ11への入力電流が増加すると、発熱が大きくなり消費電流も増大する。
【0042】
制御回路12は、第1電源供給ラインW1の電圧が第1設定値より低くなった後、第1電源供給ラインW1の電圧が第2設定値(例えば、19~21V程度)より高くなると、定電流回路13をオンしてLED20に流れる電流の遮断を解除する。なお復旧させる際は、ソフトスタートで復旧させることが望ましい。第2設定値は、第1設定値に対して所定のマージン(例えば、2V程度)が加えられた値に設定される。第2設定値と第1設定値の間の領域が不感帯となり、LED20が点灯モードと消灯モードの間でチャタリングすることを防止することができる。
【0043】
図2は、
図1の操作受信部14の構成例を示す図である。操作受信部14は磁気センサを利用した操作受信部である。
図2に示す構成例では操作受信部14は、ホール素子14a、差動アンプ14b及びA/D変換器14cを含む。ホール素子14aはホール効果を利用して、磁界を電圧に変換して出力する素子である。ホール素子14aには、DC/DCコンバータ11の出力電圧(本実施の形態では3.5~3.6V)が電源電圧として供給されており、定電流が流れている。
【0044】
差動アンプ14bはホール素子14aから出力された電圧を増幅する。A/D変換器14cは、差動アンプ14bから出力されたアナログ電圧をデジタル値に変換して、制御回路12に出力する。なお、制御回路12にアナログ入力ポートが備わっている場合、A/D変換器14cは不要である。
【0045】
ユーザは、調光コントローラを用いたLED20の調光以外に、操作補助具30を用いたLED20の調光も行うことができる。操作補助具30には磁石30aが取り付けられており、操作補助具30は磁界を発生させることができる。ホール素子14aは、操作補助具30が接近すると、検出した磁界に応じた電圧を出力する。制御回路12は、操作受信部14から入力される電圧をもとに操作補助具30の接近を検知する。例えば、入力される電圧が所定の設定電圧を上抜けたとき、操作補助具30による1回の接近と認識する。
【0046】
例えば、制御回路12には、LED20に流すことができる最大電流値が多段階設定されている。例えば、予め設定されたLED20に流すことができる最大電流値の0%、20%、40%、60%、80%、100%の6段階のモードが設定されてもよい。制御回路12は、操作補助具30の接近を検知する度にモードを順次切り替える。
【0047】
図3は、本発明の実施の形態に係る照明装置1の使用例を示す図である。複数の照明装置1がライン状に並べられて、1つの照明システムが構築されることがある。
図3に示すシステム構成例では、外部電源2から電源線4a及びグランド線4bを介して、複数の照明装置1のそれぞれに電源が供給される。外部電源2は例えば、商用電力系統に接続されたAC/DCコンバータであってもよいし、蓄電池であってもよい。また調光コントローラ3から制御信号線4cを介して、複数の照明装置1のそれぞれに調光信号が供給される。
【0048】
図3に示すシステム構成では、複数の照明装置1が外部から同じ調光信号を受信することになる。これに対して、
図2に示した操作補助具30を用いた調光は、照明装置1ごとに個別に調光することができる。なお調光コントローラ3により設定される調光値は、操作補助具30を用いた調光により設定されたLED20の最大電流値の範囲内において有効である。即ち、当該最大電流値を100%としてPWM調光が行われる。
【0049】
磁気センサを利用した個別調光は、照明装置1が小さな筐体に搭載される場合に有効な操作方法である。照明装置1が小型の場合、各照明装置1に調光つまみを設置することは難しい。また照明装置1が小型でない場合でも、調光つまみを設置すると、意匠性が低下する。
【0050】
以上説明したように本実施の形態によれば、DC/DCコンバータ11からLED20に供給される定電圧を、制御回路12の電源電圧として使用することにより、制御回路12の電源電圧の生成するためのレギュレータを省略することができる。これにより、レギュレータを設置するスペースを省くことができ、回路基板を小型化することができる。またレギュレータを省略することは、コストの削減に繋がる。またレギュレータでの損失、及びレギュレータからの発熱をなくすことにも繋がる。
【0051】
また本実施の形態では、LED20の電流を制御するために定電流回路13を設けている。定電流回路13に印加される電圧は、低電圧であるため定電流回路13での損失は少なく発熱も小さい。したがって照明装置1の高効率な運転が可能である。
【0052】
また定電流回路13を、第1トランジスタS1と第2トランジスタS2の2つのトランジスタを用いたアナログタイプで構成し、第1トランジスタS1のゲート端子にPWM信号を供給することにより調光する。これにより、定電流機能と調光機能を一体化させることができ、少ない素子数でLED20の定電流制御と調光制御が可能となる。
【0053】
また制御回路12が、第1トランジスタS1と第4抵抗R4との間のノードN1の電圧を監視することにより、LED20に流れる電流をリアルタイムに高精度に検出することができる。また制御回路12は、監視しているノードN1の電圧をもとに、第1トランジスタS1をフィードバック制御する。これにより、第2トランジスタS2による第1トランジスタS1のフィードバック制御と、制御回路12による第1トランジスタS1のフィードバック制御が二重化され、LED20に流れる電流をより安定化させることができる。また、第2トランジスタS2によるフィードバック制御だけでは抑制が難しい、低温起動時に発生する大きな電流も制御回路12によるフィードバック制御により抑制することができる。
【0054】
また制御回路12によるフィードバック制御は、電流を減少させる方向へのみ行うことにより、温度上昇に伴い定電流回路13が自動的に電流を絞る温度保護機能を有効に活用することができる。またDC/DCコンバータ11の入力段に、ポリスイッチF1、低抵抗の第1抵抗R1を挿入することにより、突入電流を抑制することができる。また第1電源供給ラインW1の電圧を監視し、電圧が第1設定値以下に低下したとき、LED20への電流供給を遮断する。このように各段階において、異常な温度上昇を回避する仕組みが導入されており、小さな筐体内にLEDと駆動回路を搭載しても、熱暴走が抑制され、安全性が保たれる。また多重の安全機能が組み込まれているため、小さな筐体内に設置されたLEDであっても、能力を十分に発揮させた高効率な運転が可能である。
【0055】
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。本実施の形態は例示であり、それらの各構成要素の組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【0056】
図4は、変形例に係る照明装置1の回路構成を示す図である。変形例に係る回路構成では、
図1に示した回路構成にレギュレータ15が追加される。レギュレータ15は、入力端子INに入力される第1電源供給ラインW1の電圧(
図1に示す例では24V)を降圧し、降圧した電圧を出力端子OUTから出力する。降圧された電圧は、制御回路12及び操作受信部14の電源電圧として使用される。変形例では、レギュレータ15の出力電圧は、DC/DCコンバータ11の出力電圧と同じである必要はない。例えば5V程度であってもよい。
【0057】
変形例によれば、上述したレギュレータを省略したことによる効果は享受できないが、それ以外の効果は享受できる。特に定電流回路13を、第1トランジスタS1と第2トランジスタS2の2つのトランジスタを用いたアナログタイプで構成し、第1トランジスタS1を制御して調光することにより、少ない素子数でLED20の定電流制御と調光制御が可能となる効果を享受できる。
【0058】
上述の実施の形態では、第1トランジスタS1にMOSFETを使用する例を説明した。この点、バイポーラトランジスタを使用してもよい。なお、LED20に流す電流が大きい場合は、MOSFETを使用する方が好ましい。第2トランジスタS2にMOSFETを使用することも可能であるが、バイポーラトランジスタを使用する方が好ましい。MOSFETは、バイポーラトランジスタより閾値電圧が高い。したがって、MOSFETを使用した場合、バイポーラトランジスタを使用した場合より、LED20及び第4抵抗R4に印加されるDC/DCコンバータ11の出力電圧を上げる必要があり、発熱や効率の点で特性が悪化する。またバイポーラトランジスタでは、コレクタ電流が流れはじめるベース電圧の方が安定しているが、MOSFETでは、ドレイン電流が流れはじめるゲート電圧が相対的に不安定である。したがって、バイポーラトランジスタを用いた方が定電流を維持する精度が高い。
【0059】
また上述の実施の形態では、外部から直流電圧が供給される例を説明した。この点、外部から交流電圧が供給される場合、照明装置1内のDC/DCコンバータ11の前段にAC/DCコンバータを設置すればよい。
【0060】
また
図1に示した回路構成において、定電流回路13に、第1トランジスタS1と第2トランジスタS2を用いたアナログタイプ以外の定電流回路を用いてもよい。また
図1に示した回路構成において、LED20を調光するスイッチを、定電流回路13と別に設けてもよい。これらの場合でも、上述したレギュレータを省略したことによる効果は享受できる。
【符号の説明】
【0061】
1 照明装置、 10 点灯制御回路、 11 DC/DCコンバータ、 12 制御回路、 13 定電流回路、 14 操作受信部、 14a ホール素子、 14b 差動アンプ、 14c A/D変換器、 20 LED、 S1 第1トランジスタ、 S2 第2トランジスタ、 F1 ポリスイッチ、 D1,D2 ダイオード、 SB1 ショットキーバリアダイオード、 L1 インダクタ、 C1-C3 コンデンサ、 R1-R8 抵抗、 W1 第1電源供給ライン、 W2 第2電源供給ライン、 30 操作補助具、 30a 磁石、 2 外部電源、 3 調光コントローラ、 15 レギュレータ。