特許 7208328 基板、電子部品及び実装装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-01-10

(45)【発行日】2023-01-18

(54)【発明の名称】基板、電子部品及び実装装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/38 20060101AFI20230111BHJP

【ＦＩ】

H05K3/38 B

【請求項の数】 1

(21)【出願番号】P 2021168373

(22)【出願日】2021-10-13

(62)【分割の表示】P 2020517232の分割

【原出願日】2019-02-26

(65)【公開番号】P2022009114

(43)【公開日】2022-01-14

【審査請求日】2022-02-28

(73)【特許権者】

【識別番号】500308314

【氏名又は名称】佐々木 ベジ

(74)【代理人】

【識別番号】230104019

【弁護士】

【氏名又は名称】大野 聖二

(74)【代理人】

【識別番号】230117802

【弁護士】

【氏名又は名称】大野 浩之

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 ベジ

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】米国特許第２９６３５３８（ＵＳ，Ａ）

【文献】米国特許第２９９７５２１（ＵＳ，Ａ）

【文献】米国特許第３１８６８８７（ＵＳ，Ａ）

【文献】特公昭３２－１３７（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特開昭５６－１５３７９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６１－１７６１９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６１－２６６２４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平２－３０６６９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平５－１７５６４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－５１１１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ１／００―３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた金属層と、
前記絶縁層と前記金属層との間に設けられ、前記絶縁層側の面で凹凸形状を有する酸化層と、
を備え、
前記金属層の前記酸化層側の面は、前記酸化層における絶縁層側の面における凹凸形状と比較して平坦な形状となっている基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、絶縁層と金属層を有する基板と、当該基板を利用した電子部品及び実装装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来からＣＣＬ（Copper Clad Laminate）のような基板が知られている。ＣＣＬのような基板は、ポリイミドフィルム等の絶縁層と、を有している。そして、金属層と絶縁層との密着性を高めるために金属層と絶縁層との間にポリイミドと粒子状の金属を含有する密着層を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００９－１５８７２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に示されるような粒子状の金属を含有する密着層を別途設けることは、密着層内の粒子状の金属に少なくとも一部の電流が流れることから、設計による電流の流れとは異なる電流の流れが発生してしまう。

【0005】

本発明は、設計による電流の流れとは異なる電流の流れが発生することを防止しつつ、金属層と絶縁層との密着性を高めることができる基板、電子部品及び実装装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明による基板は、
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた金属層と、
前記絶縁層と前記金属層との間に設けられ、前記絶縁層側の面で凹凸形状を有する酸化還元層と、
を備えてもよい。

【0007】

本発明による基板において、
前記酸化還元層は前記金属層を構成する材料の酸化物を含んでもよい。

【0008】

本発明による基板において、
前記酸化還元層は、第一酸化還元層と、前記第一酸化還元層よりも絶縁層側に設けられた第二酸化還元層とを有してもよい。

【0009】

本発明による基板において、
前記金属層は銅であり、
前記酸化還元層は主成分として酸化銅を含んでもよい。

【0010】

本発明による基板において、
前記酸化還元層は酸化銅からなってもよい。

【0011】

本発明による基板において、
前記金属層はパターニングされ、横断面が略長方形状又は略正方形状となり、
前記金属層の前記絶縁層側に凹凸形状からなる前記酸化還元層が設けられてもよい。

【0012】

本発明による基板において、
前記金属層はパターニングされ、横断面が略矩形状となり、
前記金属層の前記絶縁層側だけに凹凸形状からなってもよい。

【0013】

本発明による基板において、
前記酸化還元層の全部が前記絶縁層に埋設されていてもよい。

【0014】

本発明による基板において、
パターニングされた金属層の他方面と、前記金属層の側面の少なくとも一部に酸化還元層が設けられ、
前記酸化還元層が前記絶縁層に埋設されていてもよい。

【0015】

本発明による基板において、
パターニングされた金属層の他方面、側面及び一方面に酸化還元層が設けられてもよい。

【0016】

本発明による基板において、
前記金属層の一部が前記絶縁層内に埋設され、
前記絶縁層内に埋設される前記金属層の側面に前記酸化還元層が設けられ、
前記絶縁層から露出する前記金属層の側面には前記酸化還元層が設けられなくてもよい。

【0017】

本発明による基板において、
前記絶縁層は、第一絶縁層と、前記第一絶縁層に設けられたレジスト層とを有してもよい。

【0018】

本発明による電子部品は、
前述した基板と、
前記基板に設けられた電子部品と、
を備え、
前記電子部品は前記金属層に設けられていてもよい。

【0019】

本発明による実装装置は、
前述した電子部品を備えてもよい。

【発明の効果】

【0020】

本発明において、絶縁層と金属層との間に設けられ、絶縁層側の面（他方面）で凹凸形状を有する酸化還元層が設けられる態様を採用した場合には、凹凸形状を有する酸化還元層によって金属層と絶縁層との間のピール強度（密着力）を高めることができる。また、絶縁層との密着性を高めるための凹凸形状が酸化還元層に設けられ、金属層にこのような凹凸形状が設けられないことから、金属層で流れる電流に乱れが生じることを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本発明の実施の形態による基板の第一態様を示した断面図。

【図2】本発明の実施の形態による基板の第二態様を示した断面図。

【図3】本発明の実施の形態による基板の第三態様を示した断面図。

【図4】本発明の実施の形態による基板において、金属層及び酸化還元層をパターニングした態様を示した断面図。

【図5】本発明の実施の形態による基板において、酸化還元層の全部及び金属層の一部を絶縁層に埋設させた一態様を示した断面図。

【図6】本発明の実施の形態による基板において、酸化還元層の全部及び金属層の一部を絶縁層に埋設させた別の態様を示した断面図。

【図7】本発明の実施の形態による基板の製造工程の一例を示した断面図。

【図8】図７に続く、本発明の実施の形態による基板の製造工程の一例を示した断面図。

【図9】本発明の実施の形態による基板の第四態様を示した断面図。

【図10】本発明の実施の形態による基板の第五態様を示した断面図。

【図11】本発明の実施の形態による基板の第六態様を示した断面図。

【図12】本発明の実施の形態による基板の第七態様を示した断面図。

【図13】本発明の実施の形態による基板の第八態様を示した断面図。

【図14】金属層の他方面において凹凸形状を有する態様を示した断面図。

【図15】本発明の実施の形態による基板において、物質層を設けた態様を示した断面図。

【図16】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第一態様を示した断面図。

【図17】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第二態様を示した断面図。

【図18】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第三態様を示した断面図。

【図19】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第四態様を示した断面図。

【図20】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第五態様を示した断面図。

【図21】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第六態様を示した断面図。

【図22】本発明の実施の形態による基板において、絶縁層が第一絶縁層とレジスト層とを有する第七態様を示した断面図。

【発明を実施するための形態】

【0022】

実施の形態
《構成》
本実施の形態による基板は、例えばＣＣＬ（Copper Clad Laminate）である。基板は、図１に示すように、絶縁層１０と、絶縁層１０に設けられた金属層３０と、を有してもよい。絶縁層１０と金属層３０との間に、絶縁層１０側の面で凹凸形状を有する酸化還元層２０が設けられてもよい。本実施の形態で提供される基板は、プリント基板、銅張積層板のような金属張積層板等であってもよい。

【0023】

絶縁層１０は、例えば樹脂、ガラス、セラミック等から構成されてもよい。絶縁層１０は、２種類以上の絶縁性の物質が混合されていてもよい。例えば、絶縁層１０に、繊維状又は粒状の絶縁体が含まれていてもよい。絶縁層１０は、紙やガラス繊維等の基材に樹脂を含浸させ、乾燥処理した半硬化状態のシート（プリプレグ）であってもよい。絶縁層１０は、窒化ケイ素等の熱伝導物質を含有してもよい。

【0024】

絶縁層１０の材料としては、熱効硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂等を用いてもよい。一定の耐熱性があれば、絶縁層１０の材料として熱可塑性樹脂を用いてもよい。熱硬化性の樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等を用いてもよい。熱可塑性樹脂は、熱変形温度が５０度以上であってもよい。

【0025】

金属層３０は、金属箔、金属めっき、圧延板等であってもよい。

【0026】

酸化還元層２０は金属層３０を構成する材料の酸化物を含んでもよい。また、酸化還元層２０はその全部又は一部が凹凸形状からなってもよい。凹凸形状は、断面が略三角形状であってもよいし（図２参照）、略矩形状であってもよいし（図２参照）、略半円形状であってもよいし（図３参照）、略円形状であってもよく（図３参照）、繊維が絡み合ったような網目形状となってもよく、凹凸形状は様々な形状として構成されてもよい。本実施の形態において「略○○形状」とは、当業者が見たときに概ね〇〇形状であることを意味している。

【0027】

金属層３０は銅であってもよい。酸化還元層２０は主成分として酸化銅を含んでもよい。酸化銅は、酸化第１銅、酸化第２銅、又は酸化第１銅及び酸化第２銅の両方を含んでもよい。ここで「主成分」というのは、重量％で５０％を超える量で含有されていることを意味している。金属層３０は、銅以外でもよく、例えば、金、銀、アルミニウム、ニッケル又はこれらの金属を含む合金であってよい。金属層３０の厚みは１０μｍ～６０μｍであってもよく、１８μｍ～４５μｍであってもよい。

【0028】

図１１に示すように、酸化還元層２０は、第一酸化還元層２１と、第一酸化還元層２１よりも絶縁層側に設けられた第二酸化還元層２２とを有してもよい。酸化還元層が酸化銅から構成される場合には、例えば、第一酸化還元層２１が酸化第１銅（Ｃｕ₂Ｏ）を含有し、第二酸化還元層２２が酸化第２銅（ＣｕＯ）を含有してもよい。また、第一酸化還元層２１は酸化第１銅（Ｃｕ₂Ｏ）からなり、第二酸化還元層２２は酸化第２銅（ＣｕＯ）からなってもよい。

【0029】

酸化還元層２０は酸化銅だけから構成されてもよい。つまり。酸化還元層２０の全てが酸化銅から構成されてもよい。この酸化銅は、酸化第１銅（Ｃｕ₂Ｏ）、酸化第２銅（ＣｕＯ）、又は酸化第１銅及び酸化第２銅の両方であってもよい。酸化反応が進むことで酸化第１銅が酸化第２銅となることから、処理液１２０（図７（ａ）参照）による処理時間を調整して、酸化第１銅と酸化第２銅の混合比率を調整するようにしてもよい。

【0030】

金属層３０が銅であり酸化還元層２０が酸化銅である場合であって、酸化還元層２０を形成する前の金属層の厚みが１８μｍのときには、最小値が１．０９０Ｎ／ｍｍであり、最大値が１．１５０Ｎ／ｍｍであり、平均値が１．１１５Ｎ／ｍｍであるピール強度を有することを確認できた。また、金属層３０が銅であり酸化還元層２０が酸化銅である場合であって、酸化還元層２０を形成する前の金属層の厚みが３５μｍのときには、最小値が１．６０６Ｎ／ｍｍであり、最大値が１．７８４Ｎ／ｍｍであり、平均値が１．６９１Ｎ／ｍｍであるピール強度を有することを確認できた。

【0031】

図７に示すように、金属層３０の絶縁層１０側に位置づけられる表面（以下「他方面」と言い、「裏面」と言ってもよい。）に処理液１２０が施されることで酸化還元層２０が形成されてもよい。金属層３０の他方面が処理液１２０に所定時間浸されることで酸化還元層２０が形成されてもよいし、金属層３０の他方面に処理液１２０が塗布され、所定時間経過した後で当該処理液１２０が除去されることで酸化還元層２０が形成されてもよい。処理液１２０としては、例えばNaClO₂やNaOH等のアルカリ性の処理液１２０を用いてもよい。処理液１２０としてNaClO₂を用い、金属層３０として銅を用いた場合には、例えば以下のような反応が起こり、CuO及び／又はCu₂Oからなり、凹凸形状となった酸化還元層２０が形成されることになる。
2Cu＋NaClO₂→2CuO＋NaCl
4Cu＋NaClO₂→2Cu₂O＋NaCl
2Cu₂O +NaClO₂→4CuO+NaCl

【0032】

金属層３０の他方面が処理液１２０で処理されることで凹凸形状を有する酸化還元層２０が形成されてもよい。より具体的には、金属層３０の他方面が処理液１２０で処理されることで酸化還元反応等の化学反応が起こり、その結果として、凹凸形状を有する酸化還元層２０が形成されてもよい。処理液１２０による処理は金属層３０の他方面側だけで行われ、一方面側では行われなくてもよい。ピール強度を確保するための他方面側だけで凹凸形状からなる酸化還元層２０を形成し、その他の箇所では凹凸形状を設けないようにすることで、電流が有効に流れる金属層３０の横断面積を確保することができる点で有益である。但し、このような態様に限られることはなく、金属層３０の側面及び／又は一方面側に酸化還元層２０が形成されてもよい（図１２及び図１３参照）。多層基板からなる態様を採用する場合には、一方側の面に凹凸形状を有する酸化還元層２０を設けることで、一方側の面に位置する基板に対するピール強度を高めることができる。後述するように金属層３０の少なくとも一部を絶縁層１０に埋設する態様を採用する場合には、金属層３０の側面に凹凸形状を有する酸化還元層２０を設けることでピール強度を高めることができる。なお、金属層３０の少なくとも一部を絶縁層１０に埋設する場合には、図１３の上方側に示すように、絶縁層１０に埋設されていない部分では酸化還元層２０が設けられないようにしてもよいし、図１２に示すように絶縁層１０に埋設されていない部分の酸化還元層２０は残されていてもよい。

【0033】

ピール強度を確保するための十分な大きさの凹凸形状からなる酸化還元層２０を作るために、１５分～２０分というように比較的長時間にわたり金属層３０の他方面を処理液１２０によって処理してもよい。また、このように十分な時間、処理液１２０で処理することで、他方面側で略平坦形状からなる金属層３０を形成でき、ひいては電流の流れを安定なものにすることができることが確認できている。

【0034】

金属層３０は回路設計等の各種設計のためにパターニングされてもよい（図７（ｄ）参照）。パターニングされた金属層３０は横断面が略矩形状となってよい。「矩形状」とは、正方形、長方形、台形等の各種矩形を含んだ形状となっている。本実施の形態の「略矩形状」には、表面において不可避的に形成される凹凸を有する態様を含んでいる。金属層３０は略長方形状又は略正方形状となってもよい。本実施の形態において、略長方形状とは、横断面において一方側の辺（上方側の辺）が他方側の辺（下方側の辺）の７０％以上の長さとなっていることを意味する。略正方形状とは横断面において厚み方向の長さと一方側の辺の長さとの差が、これら厚み方向の長さと一方側の辺の長さのうち長い方の長さの±５％以内にあることを意味している。

【0035】

なお、パターニングされた金属層３０の一方側の辺の長さは他方側の辺の長さの８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらにより好ましい。発明者が確認したところ、金属層３０として銅を用い、酸化還元層２０が酸化第１銅及び酸化第２銅からなる態様でパターニングすることで、驚くべきことに、金属層３０の一方側の辺の長さが他方側の辺の長さの９０％以上となる態様及び９５％以上となる態様を実現することができた。従来から行われているような態様で銅からなる金属層をパターニングすると横断面が台形形状から構成されることから、このように金属層３０の一方側の辺の長さが他方側の辺の長さの９０％以上となる態様を提供できることは非常に有益である。つまり、このような態様を採用することで、横断面が台形形状からなる態様と比較して、パターニングされた金属層３０の間隔を面内方向でより近接した位置に配置することができ、パターニングを微細化することができる。また、このような態様を採用することで、横断面が台形形状からなる態様と比較して、設計値に近い電流を流すことができるようになる。

【0036】

凹凸形状からなる酸化還元層２０の少なくとも一部が絶縁層１０内に埋設されてもよく（図９参照）、酸化還元層２０の全部が絶縁層１０内に埋設されてもよい（図２及び図３参照）。また、酸化還元層２０が絶縁層１０の一方面（図１０の上面）に載置され、酸化還元層２０が絶縁層１０内に埋設されていなくてもよい（図１０参照）。但し、ピール強度を高める観点からは、酸化還元層２０の少なくとも一部が絶縁層１０内に埋設されていることが好ましく（図９参照）、酸化還元層２０の全部が絶縁層１０内に埋設されていることがより好ましい（図２及び図３参照）。本実施の形態において「埋設」とは一方面（「おもて面」と言ってもよい。）よりも他方側（図２等の横断面の下方側）に位置していることを意味しており、「絶縁層１０内に埋設」とは、絶縁層１０の一方面よりも他方側（下方側）に位置していることを意味している。

【0037】

絶縁層１０は半硬化状態となっていてもよい。半硬化状態の絶縁層１０にパターニングされた金属層３０の一部又は全部を押し込む等して埋め込んでもよい（図５及び図６参照）。金属層３０の一部を絶縁層１０に埋め込む場合には、例えば酸化還元層２０の全部と金属層３０の側面の一部が絶縁層１０内に埋め込まれてもよい。金属層３０を絶縁層１０に埋め込む場合には、金属層３０に押圧力が付与されてもよいが、このような態様に限られることはなく、金属層３０が自重で絶縁層１０内に埋め込まれてもよい。金属層３０が絶縁層１０内に埋め込まれる場合には、パターニングされた後の金属層３０及び酸化還元層２０が絶縁層１０内に埋め込まれてもよいし（図５参照）、パターニングされる前の金属層３０及び酸化還元層２０が絶縁層１０内に埋め込まれてもよい（図６参照）。

【0038】

半硬化状態の絶縁層１０にパターニングされた金属層３０の一部又は全部を押し込む等して埋め込んだ後で、絶縁層１０に熱を加えたり紫外線を照射したりして硬化させてもよい。なお、絶縁層１０として熱可塑性樹脂を用いる場合には放冷又は冷却することで絶縁層１０を硬化させてもよい。

【0039】

図１５に示すように、金属層３０の一方面に金属層３０よりもエッチングの遅い物質層２００が設けられてもよい。この物質層２００はレジスト層とは異なる層である。物質層２００は金属層３０とは異なる金属から構成されてもよく、金属層３０が第一金属からなる場合には、物質層２００は第二金属からなってもよい。一例として金属層３０として銅を用いる場合には、エッチングの遅い物質層２００としてはニッケル層を採用してもよい。この物質層２００は最終的には除去されてもよい。このような物質層２００を採用する場合には、エッチング液がまずは物質層２００を溶かすために用いられることから、より矩形状に近い金属層３０を得ることができる。

【0040】

《効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による効果の一例について説明する。なお、「効果」で説明するあらゆる態様を、上記構成で採用することができる。

【0041】

絶縁層１０と金属層３０との間に設けられ、絶縁層１０側の面で凹凸形状を有する酸化還元層２０が設けられる態様を採用した場合には、凹凸形状を有する酸化還元層２０によって金属層３０と絶縁層１０との間のピール強度（密着力）を高めることができる。また、絶縁層１０との密着性を高めるための凹凸形状が酸化還元層２０に設けられ、金属層３０にこのような凹凸形状が設けられないことから、金属層３０で流れる電流に乱れが生じることを防止できる。つまり、図１４に示すように金属層３０の表面に凹凸形状が形成される場合には、当該凹凸形状に流れる電流も考慮して回路設計等を行う必要がある。またこのような凹凸形状に流れる電流を考慮しない場合には、設計とは異なる態様で電流が流れてしまうことがある。他方、本態様を採用した場合には、図１４に示すように金属層３０に絶縁層１０と密着させるための比較的大きな凹凸形状が形成されないことから、金属層３０の表面の凹凸形状によって電流の流れが乱れてしまうことを防止でき、ミリ波において悪影響が生じることも防止できる。このため、より正確に設計にしたがって電流を流すことができる。なお、酸化還元層２０では電流が流れないことから、酸化還元層２０が凹凸形状となっても電流の乱れの観点からは問題とはならない。また、前述したように、パターニングされた金属層３０が略長方形状又は略正方形状となることでもより設計値に近い電流を流すことを実現できる。

【0042】

酸化還元層２０が金属層３０を構成する材料の酸化物を含み、当該酸化還元層２０が金属層３０の一部を酸化させることで形成される場合には、別材料を用いることなく金属層３０を酸化させるだけで酸化還元層２０を形成できる点で有益である。

【0043】

金属層３０として銅を用い、酸化還元層２０が主成分として酸化銅を含む態様を採用する場合には、銅からなる金属層３０を酸化させることで酸化された箇所を酸化還元層２０として用いることができる点で有益である。

【0044】

金属層３０が処理液１２０によって処理された箇所の全てが酸化還元層２０となる態様を採用した場合には、処理された金属層３０の全体を酸化還元層２０として利用できる点で有益である。

【0045】

図１１乃至図１３に示すように、酸化還元層２０が、第一酸化還元層２１と第二酸化還元層２２とを有する態様では、第一酸化還元層２１を形成するために第一処理液を用い、第二酸化還元層２２を形成するために第一処理液とは異なる第二処理液を用いてもよい。より具体的には、金属層３０を第一処理液で処理することで第一酸化還元層２１を形成してもよい。そして、この第一酸化還元層２１の一部又は全部を第二処理液で処理することで第二酸化還元層２２を形成してもよい。このような態様を採用した場合には第一酸化還元層２１の厚みと第二酸化還元層２２の厚みをコントロールしやすくなる点で有益である。また、このような態様に限られることなく、同じ処理液で第一酸化還元層２１及び第二酸化還元層２２を形成してもよい。より具体的には、金属層３０を所定の処理液で処理することで、金属層側に第一酸化還元層２１が形成され、金属層３０から離れた側に第二酸化還元層２２が形成されるようにしてもよい。このように第一処理液、第二処理液又は所定の処理液で処理する場合には、処理液の濃度、処理液の温度、処理する時間等を調整することで第一酸化還元層２１の厚みと第二酸化還元層２２の厚みをコントロールしてもよい。

【0046】

パターニングされた金属層３０の横断面が略矩形状となっている態様を採用した場合には、金属層３０に流れる電流が比較的大きな凹凸形状を原因として乱れてしまうことを防止でき、ひいては正確な回路設計が可能となる。

【0047】

次に、電子部品の製造工程の一例について説明する。

【0048】

まず、銅箔等からなる金属層３０を準備する。この金属層３０の他方面を容器１１０内に貯留されているアルカリ性等からなる処理液１２０に所定時間浸す（図７（ａ）参照）。この結果、金属層３０の他方面に凹凸形状を含む酸化還元層２０が形成されることになる（図７（ｂ）参照）。なお、金属層３０の他方面を処理液１２０に浸す前に、金属層３０の他方面をクリーニングし、不純物や汚れ等を除去するようにしてもよい。なお、酸化還元層２０が第一酸化還元層２１と第二酸化還元層２２とを有する態様では、前述したように、第一酸化還元層２１を形成するために第一処理液を用い、その後で第二酸化還元層２２を形成するために第一処理液とは異なる第二処理液を用いてもよい。また、このような態様に限られることはなく、金属層３０を所定の処理液で処理することで、金属層側に第一酸化還元層２１を形成し、金属層３０から離れた側に第二酸化還元層２２を形成するようにしてもよい。

【0049】

次に、金属層３０の他方面を絶縁層１０の一方面に載置する（図７（ｃ）参照）。

【0050】

次に、金属層３０の一方面にレジストを設け、エッジングを行う。このことによって金属層３０をパターニングすることができ、回路を形成できる。なお、このように金属層３０の他方面を処理液１２０で処理し、絶縁層１０に載置した後で、パターニングを行うことから、パターニングされた金属層３０の一方面及び側面には酸化還元層２０が形成されず、他方面側だけで酸化還元層２０を形成できる。

【0051】

以上のように形成された基板の金属層３０の一方面に、半導体素子、コンデンサ、抵抗等の電子部品６０が載置される（図８（ａ）参照）。

【0052】

その後で、金属層３０の一方面側が封止樹脂等によって封止され、電子素子が封止部９０によって封止された電子部品が製造される（図８（ｂ）参照）。このような電子部品は、自動車、飛行機、船舶、ヘリコプター、パソコン、家電等のあらゆる実装装置に組み込まれてもよい。このように本実施の形態では、実装装置も提供される。なお、封止樹脂等によって封止される必要は必ずしもなく、封止樹脂等の封止部が設けられていない態様も採用することができる。

【0053】

絶縁層１０内にパターニングされた金属層３０の一部を埋設させる場合には、金属層３０をパターニングした後で、当該金属層３０を押圧部材等によって押圧して半硬化状態の絶縁層１０内に酸化還元層２０の一部、又は酸化還元層２０の全部と金属層３０の一部を埋設させてもよい（図５参照）。また、このような態様に限られることはなく、パターニングする前に金属層３０を押圧部材等によって押圧して半硬化状態の絶縁層１０内に酸化還元層２０の一部、又は酸化還元層２０の全部と金属層３０の一部を埋設させてもよい（図６参照）。

【0054】

半硬化状態の絶縁層１０内に酸化還元層２０の一部、又は酸化還元層２０の全部と金属層３０の一部を埋設させた後で、熱を加えたり紫外線を照射したりすることで、又は放冷もしくは冷却することで半硬化状態の絶縁層１０を硬化させてもよい。このような態様を採用することで、より強い密着性（ピール強度）を有する基板を提供できる。

【0055】

図１６に示すように絶縁層１０はレジスト層１５を有してもよい。この場合、レジスト層１５の下方にレジスト層１５とは異なる樹脂等からなる第一絶縁層１６が設けられてもよい。レジスト層１５は第一絶縁層１６と同等の絶縁性を持ち、第一絶縁層１６と強い接着力を有してもよい。

【0056】

このような態様を採用する場合には、図１７に示すように、第一絶縁層１６の一部にレジスト層１５、酸化還元層２０及び金属層３０が設けられてもよいし、図１８に示すように、酸化還元層２０の一部に金属層３０が設けられてもよい。このように一部だけにレジスト層１５、酸化還元層２０及び金属層３０や酸化還元層２０が設けられる態様を採用する場合には、図１６に示すように全面的に層を形成した後で、選択的に層を適宜除去することで図１７や図１８に示すような態様となってもよい。

【0057】

また図１９に示すように、レジスト層１５、酸化還元層２０及び金属層３０が第一絶縁層１６に押し込まれて設けられてもよい。また、このような態様を採用する場合には、図２０で示すように金属層３０の側面に凹凸形状を有する酸化還元層２０が設けられてもよいし、図２１で示すように金属層３０及びレジスト層１５の側面に凹凸形状を有する酸化還元層２０が設けられてもよい。この際、酸化還元層２０の側面も凹凸形状を有してもよい。また図２２で示すように第一絶縁層１６の表面が粗化されてもよい。

【0058】

上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。

【符号の説明】

【0059】

１０ 絶縁層
２０ 酸化還元層
３０ 金属層
６０ 電子部品

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】