特許 7214530 マスクアセンブリ、これを含む蒸着設備、及びこれを利用する表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-01-20

(45)【発行日】2023-01-30

(54)【発明の名称】マスクアセンブリ、これを含む蒸着設備、及びこれを利用する表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/04 20060101AFI20230123BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20230123BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230123BHJP

【ＦＩ】

C23C14/04 A

H05B33/10

H05B33/14 A

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2019062407

(22)【出願日】2019-03-28

(65)【公開番号】P2019218625

(43)【公開日】2019-12-26

【審査請求日】2022-01-21

(31)【優先権主張番号】10-2018-0068779

(32)【優先日】2018-06-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110002619

【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ

(72)【発明者】

【氏名】チャン ウォンヨン

(72)【発明者】

【氏名】キム ミンソク

(72)【発明者】

【氏名】キム チョンポム

(72)【発明者】

【氏名】イ チョンテ

【審査官】篠原 法子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０２６３４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２０７３９０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１５５８１８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１８／０５１４４４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－０５３５２６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／００－１４／５８

Ｈ０１Ｌ ５１／５０－５１／５６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に第１長さを有し、前記第１方向と交差する第２方向に第２長さを有し、前記第１長さは前記第２長さより長く、前記第1の長さ及び前記第２の長さによって第１開口部が画定されるフレームと、
前記第１開口部に重畳するように前記フレームに結合され、前記第１方向に延長され、前記第２方向に配列される複数の第１スティックと、
前記フレームと前記第１スティック上に配置され、前記第２方向に延長され、前記第１方向に配列され、各々に複数の第２開口部が設けられた複数のマスクと、を含み、
前記第１スティックの各々は、前記第２方向に対向する第１エッジと第２エッジを含み、前記第１方向と前記第２方向とで規定される平面上で前記第１スティックの中で最も外側に配置される最外側スティックの前記第１エッジと前記第２エッジの形状は、異なり、
前記最外側スティックの前記第１エッジと前記第２エッジのそれぞれの輪郭に沿った長さを直線にしたときの長さは、実質的に同一であるマスクアセンブリ。

【請求項2】

前記第１エッジ及び前記第２エッジいずれか１つは、非直線領域を含む、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項3】

前記最外側スティックにおいて、前記第１エッジ及び前記第２エッジのいずれか１つは、複数のスリット領域を含み、
前記複数のスリット領域は、前記最外側スティックの前記フレームに重畳する外側領域に比べ、前記最外側スティックの前記第２方向の中心から対応するエッジまでの長さが短いことを特徴とする、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項4】

前記フレームは、
前記第１方向に対向する第１延長部分及び第２延長部分と、
前記第２方向に対向し、各々が前記第１延長部分と前記第２延長部分を連結する第３延長部分及び第４延長部分と、を含む、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項5】

前記最外側スティックは、前記第２方向において対向し、前記第３延長部分と前記第４延長部分に各々隣接するように配置された第１最外側スティック及び第２最外側スティックを含み、
前記第１最外側スティックと前記第２最外側スティックとは、前記第１方向と平行な方向軸を基準に対称な形状を有する、請求項４に記載のマスクアセンブリ。

【請求項6】

前記最外側スティックは、前記第２方向において対向し、前記第３延長部分と前記第４延長部分に各々隣接するように配置された第１最外側スティック及び第２最外側スティックを含み、
前記複数の第１スティックは、前記第１最外側スティックと前記第２最外側スティックとの間に配置された内側スティックを含み、
前記平面上で、前記内側スティックの各々の前記第１エッジと前記第２エッジの形状は、前記第１方向と平行な方向軸を基準に対称である、請求項４に記載のマスクアセンブリ。

【請求項7】

前記第１延長部分及び前記第２延長部分の各々は、前記最外側スティックが結合される結合溝が設けられている、請求項４に記載のマスクアセンブリ。

【請求項8】

前記平面上で、前記複数の第１スティックの形状は、それぞれ同一である、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項9】

前記複数のマスクの各々は、前記複数の第２開口部が設けられた開口領域と前記開口領域を囲む非開口領域を含み、
前記最外側スティックの前記第１エッジ及び前記第２エッジの各々の前記開口領域に重畳する部分は、活性エッジ領域とされ、
前記最外側スティックの前記第１エッジの前記活性エッジ領域は、曲線領域を含み、
前記最外側スティックの前記第２エッジの前記活性エッジ領域は、スリット領域を含み、
前記スリット領域は、前記最外側スティックの前記フレームに重畳する外側領域に比べ、前記最外側スティックの前記第２方向の中心から前記第２エッジまでの長さが短い、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項10】

前記複数のマスクの各々は、前記複数の第２開口部が設けられた開口領域と前記開口領域を囲む非開口領域とを含み、
前記複数の第１スティックの各々の前記第１エッジの前記開口領域に重畳する部分は、活性エッジ領域とされ、
前記活性エッジ領域は、曲線領域を含む、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項11】

前記複数の第１スティックの各々の前記第２エッジの前記非開口領域に重畳する部分は、非活性エッジ領域とされ、
前記平面上で、前記非活性エッジ領域は、複数のスリット領域を含み、
前記スリット領域は、前記複数の第１スティックの各々の前記フレームに重畳する外側領域に比べ、前記複数の第１スティックの各々の前記第２方向の中心から前記第２エッジまでの長さが短い、請求項１０に記載のマスクアセンブリ。

【請求項12】

前記第１開口部に重畳するように前記フレームに結合され、前記第２方向に延長され、前記第１方向に配列された複数の第２スティックをさらに含み、
前記複数の第２スティックの各々は、前記複数のマスクの中で隣接する２つのマスクの境界に重畳する、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項13】

前記複数の第２開口部の少なくとも一部は、前記第１スティックに重畳する、請求項１に記載のマスクアセンブリ。

【請求項14】

チャンバーと、
前記チャンバーの内側に配置された蒸着ソースと、
前記チャンバーの内側に配置され、前記蒸着ソース上に配置され、処理基板を支持するマスクアセンブリと、を含み、
前記マスクアセンブリは、
第１方向に第１長さを有し、前記第１方向と交差する第２方向に第２長さを有し、前記第１長さは前記第２長さより長く、前記第1の長さ及び前記第２の長さによって第１開口部が設けられたフレームと、
前記第１開口部に重畳するように前記フレームに結合され、前記第１方向に延長され、前記第２方向に配列された複数の第１スティックと、
前記フレームと前記第１スティック上に配置され、前記第２方向に延長され、前記第１方向に配列され、各々に複数の第２開口部が設けられた複数のマスクと、を含み、
前記第１スティックの各々は、前記第２方向で対向する第１エッジと第２エッジを有し、前記第１方向と前記第２方向で規定される平面上において、前記第１スティックの中で最外側に配置された最外側スティックの前記第１エッジと前記第２エッジの形状は、異なり、
前記最外側スティックの前記第１エッジと前記第２エッジの開けた状態の直線上の長さは、実質的に同一である蒸着設備。

【請求項15】

チャンバーの内部に第１マスクアセンブリによって支持された処理基板を配置する段階と、
第１蒸着ソースから前記処理基板に第１蒸着物質を蒸着する段階と、を含み、
前記第１マスクアセンブリは、
第１方向の第１長さを有し、前記第１方向と交差する第２方向の第２長さを有し、第１長さは、第２長さより長く、第１開口部が定義されたフレームと、
前記第１開口部に重畳するように前記フレームに結合され、前記第１方向に延長され、前記第２方向に配列された複数のスティックと、
前記フレームと前記スティック上に配置され、前記第２方向に延長され、前記第１方向に配列され、各々に複数の第２開口部が定義された複数の第１マスクを含み、
前記スティックの各々は、前記第２方向で対向する第１エッジと第２エッジを含み、前記第１方向と前記第２方向が定義する平面上で前記スティックの中で最外側に配置された最外側スティックの前記第１エッジと前記第２エッジの形状は、異なり、
前記最外側スティックの前記第１エッジと前記第２エッジのそれぞれの輪郭に沿った長さを直線にしたときの長さは、実質的に同一である、表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の第２開口部が設けられた開口領域と前記開口領域を囲む非開口領域を含み、
前記処理基板は、複数のユニットセル領域を含み、前記複数のユニットセル領域の各々は、前記開口領域に重畳する表示領域及び前記表示領域に隣接し前記非開口領域に重畳する非表示領域を含む、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記開口領域の中で前記スティックの中で隣接する２つのスティックの内側に配置されたユニットセル開口領域は、前記表示領域に整列されている、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記処理基板から前記複数のユニットセル領域を分離する段階をさらに含む、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記第１蒸着物質は、前記表示領域に蒸着されて有機発光ダイオードの発光層を構成する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記処理基板を前記第１マスクアセンブリから分離する段階と、
前記処理基板を第２マスクアセンブリに実装する段階と、
第２蒸着ソースから前記処理基板に前記第１蒸着物質と異なる第２蒸着物質を蒸着する段階と、をさらに含み、
前記第２マスクアセンブリは、前記第１マスクアセンブリの前記第１マスクの前記第２開口部と異なる配列の開口部を含む複数の第２マスクを含む、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に係り、より具体的にはマスクアセンブリ、これを含む蒸着設備、及びこれを利用する表示装置の製造方法に係る。

【背景技術】

【0002】

一般的に発光表示装置は画素毎に発光素子が配置される。発光素子は２つの電極の間に配置された発光層を含む。画素に配置される発光層は複数のグループに区分することができる。

【0003】

複数のグループの発光層を処理基板に蒸着するためにマスクアセンブリを利用する。マスクアセンブリはフレーム、支持スティック、及びマスクを含む。マスク上に処理基板を配置した後、発光物質を処理基板に蒸着することによってパターニングされた発光層を形成することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】米国特許公開第２０１７／０３６５８２２号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は熱安定性が優れ、変形が少ないマスクアセンブリを提供することにある。

【0006】

本発明の目的はマスクアセンブリを含む蒸着設備を提供することにある。

【0007】

本発明の目的は不良率が減少された表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリは、フレーム、第１スティック、及びマスクを含む。フレームは長方形状を有し、第１方向の第１長さは第２方向の第２長さより長い。フレームに第１開口部が設けられる。第１スティックは第１開口部に重畳するようにフレームに結合される。第１スティックは第１方向に延長され、第２方向に配列される。マスクはフレームと第１スティック上に配置され、第２方向に延長され、第１方向に配列される。第１スティックの各々は第２方向で対向する第１エッジと第２エッジを有し、第１方向と第２方向によって規定される平面上で第１スティックの中で最外側に配置された最外側スティックの第１エッジと第２エッジの形状は異なる。最外側スティックの第１エッジと第２エッジのそれぞれの輪郭に沿った長さを直線にしたときの長さは実質的に同一である。

【0009】

第１エッジ及び第２エッジのいずれか１つは非直線領域を含むことができる。

【0010】

最外側スティックの第１エッジと第２エッジとのいずれか１つは複数のスリット領域を含むことができる。

【0011】

スリット領域は最外側スティックのフレームに重畳する外側領域に比べ、最外側スティックの第２方向の中心から対応するエッジまでの長さが短い。

【0012】

フレームは、第１方向に対向する第１延長部分及び第２延長部分と、第２方向に対向し、各々が第１延長部分と第２延長部分を連結する第３延長部分及び第４延長部分を含むことができる。

【0013】

最外側スティックは、第２方向に対向し、第３延長部分と第４延長部分に各々隣接するように配置された第１最外側スティック及び第２最外側スティックを含むことができる。

【0014】

第１最外側スティックと第２最外側スティックは第１方向と平行な方向軸を基準に対称な形状を有することができる。

【0015】

最外側スティックは、第２方向において対向し、第３延長部分と第４延長部分に各々隣接するように配置された第１最外側スティック及び第２最外側スティックを含むことができる。

【0016】

複数の第１スティックは第１最外側スティックと第２最外側スティックとの間に配置された内側スティックを含むことができる。

【0017】

第１方向と前記第２方向によって規定される平面上平面上で、内側スティックの各々の第１エッジと第２エッジの形状は第１方向と平行な方向軸を基準に対称である。

【0018】

第１延長部分と第２延長部分との各々には最外側スティックが結合される結合溝が定義されることができる。

【0019】

平面上で、複数の第１スティックの形状は、それぞれ同一であることができる。

【0020】

複数のマスクの各々は、複数の第２開口部設けられた開口領域と開口領域を囲む非開口領域を含むことができる。最外側スティックの第１エッジ及び第２エッジ各々の開口領域に重畳する部分は活性エッジ領域として設けられることができる。最外側スティックの第１エッジの活性エッジ領域は曲線領域を含むことができる。

【0021】

最外側スティックの第２エッジの活性エッジ領域はスリット領域を含むことができる。スリット領域は最外側スティックのフレームに重畳する外側領域に比べ、最外側スティックの第２方向の中心から第２エッジまでの長さが短い。

【0022】

複数のマスクの各々は、複数の第２開口部が設けられた開口領域と開口領域を囲む非開口領域を含むことができる。複数の第１スティックの各々の第１エッジの開口領域に重畳する部分は活性エッジ領域とされることができる。活性エッジ領域は曲線領域を含むことができる。

【0023】

複数の第１スティックの各々の第２エッジの非開口領域に重畳する部分は非活性エッジ領域とされることができる。平面上で、非活性エッジ領域は複数のスリット領域を含むことができる。

【0024】

スリット領域は複数の第１スティックの各々のフレームに重畳する外側領域に比べ、複数の第１スティックの各々の第２方向の中心から第２エッジまでの長さが短い。

【0025】

第１開口部に重畳するようにフレームに結合され、第２方向に延長され、第１方向に配列された複数の第２スティックをさらに含むことができる。

【0026】

複数の第２スティックの各々は複数のマスクの中で隣接する２つのマスクの境界に重畳することができる。

【0027】

複数の第２開口部の中で少なくとも一部は第１スティックに重畳することができる。

【0028】

本発明の一実施形態に係る蒸着設備は、チャンバー、チャンバーの内側に配置された蒸着ソース、及びチャンバーの内側に配置され、蒸着ソース上に配置され、処理基板を支持するマスクアセンブリを含む。マスクアセンブリは上述した特徴を有することができる。

【0029】

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、チャンバーの内部に第１マスクアセンブリによって支持された処理基板を配置する段階及び第１蒸着ソースから処理基板に第１蒸着物質を蒸着する段階を含む。第１マスクアセンブリは上述した特徴を有することができる。

【0030】

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、処理基板から複数のユニットセル領域を分離する段階をさらに含むことができる。

【0031】

第１蒸着物質は表示領域に配置されて有機発光ダイオードの第１発光層を構成することができる。

【0032】

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は処理基板を第１マスクアセンブリから分離する段階、処理基板を第２マスクアセンブリに実装する段階、及び第２蒸着ソースから処理基板に第１蒸着物質と異なる第２蒸着物質を蒸着する段階をさらに含むことができる。

【0033】

第２マスクアセンブリは第１マスクアセンブリの第１マスクの第２開口部と異なる配列の第２開口部を含む複数の第２マスクを含むことができる。

【発明の効果】

【0034】

上述したことによれば、少なくとも最外側のスティックは長手方向に延長された第１エッジと第２エッジとを含み、第１エッジと第２エッジとは長手方向と平行な方向軸を基準に非対称形状を有する。第１エッジと第２エッジとのそれぞれの輪郭に沿った長さを直線にしたときの長さが実質的に同一であることによって、外部から印加される熱による最外側のスティックの変形を防止することができる。

【0035】

第２スティックはマスクに熱を提供する蒸着蒸気を遮断してマスクの変形を減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0036】

【図1】本発明の一実施形態に係る表示パネルの部分断面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る蒸着設備の断面図である。

【図3】本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの斜視図である。

【図4】本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの平面図である。

【図5A】本発明の一実施形態に係る内側スティックの平面図である。

【図5B】本発明の一実施形態に係る最外側スティックの平面図である。

【図5C】本発明の一実施形態に係る最外側スティックの平面図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る処理基板の平面図である。

【図7】図６に図示された１つのユニットセル領域に対する平面図である。

【図8】図７のＡＡ領域の拡大された平面図である。

【図9A】本発明の一実施形態に係る第１マスクの拡大された平面図である。

【図9B】図９Ａに図示された第１マスクとユニットセル領域との配置関係を示した断面図である。

【図9C】本発明の一実施形態に係る第２マスク及び第３マスクの拡大された平面図である。

【図9D】本発明の一実施形態に係る第２マスク及び第３マスクの拡大された平面図である。

【図10A】本発明の一実施形態に係る第１スティックの平面図である。

【図10B】本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの平面図である。

【図10C】図１０Ｂのマスクアセンブリによって製造されたユニットセル領域の平面図である。

【図11A】本発明の一実施形態に係る第１スティックの平面図である。

【図11B】図１１Ａの第１スティックを含むマスクアセンブリによって製造されたユニットセル領域の平面図である。

【図12A】本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの斜視図である。

【図12B】本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの平面図である。

【図12C】本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリの断面図である。

【図13】本発明の一実施形態に係る蒸着設備の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0037】

以下の説明において、同一の符号は同一の構成要素を指すものとする。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されたものである。「及び／又は」は連関付けられた構成を規定することができ、その中の１つ以上の組合を全て含む。

【0038】

第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない範囲において、第１構成要素は第２構成要素と呼ぶことができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と呼ぶことができる。単数の表現は文脈上に明確に区別又は定義して表現しない限り、複数の表現を含む。

【0039】

また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」等の用語は図面に図示された構成の連関関係を説明するために使用される。用語は相対的な概念として図面に表示された方向を基準に説明される。

【0040】

「含む」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたことが存在することを表現しようするものであり、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものとして理解されるべきである。

【0041】

図１は、本発明の一実施形態に係る表示パネルＤＰの断面図を示す。本実施形態において、表示パネルＤＰは発光表示パネルである。図１は、複数の画素の中で、１つの画素に対応する断面構造を示す。さらに詳細には、スイッチングトランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２、及び表示素子ＯＬＥＤに対応する断面を示す。

【0042】

図１に示すように、表示パネルＤＰは、ベース層ＢＬ、ベース層ＢＬ上に配置された回路素子層ＤＰ－ＣＬ、回路素子層ＤＰ－ＣＬ上に配置された表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ、及び表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ上に配置された絶縁層ＴＦＬ（以下、上部絶縁層と呼ばれるれる）を含む。

【0043】

ベース層ＢＬは合成樹脂層を含む。表示パネルＤＰの製造時に使用される支持基板上に合成樹脂層を形成する。以後、合成樹脂層上に導電層及び絶縁層等を形成する。支持基板が除去されると、合成樹脂層はベース層ＢＬに対応することとなる。

【0044】

回路素子層ＤＰ－ＣＬは、少なくとも１つの絶縁層と回路素子とを含む。回路素子は、信号ライン、画素の駆動回路等を含む。コーティング、蒸着等による絶縁層、半導体層、及び導電層の形成工程とフォトリソグラフィー工程による絶縁層、半導体層、及び導電層のパターニング工程を通じて回路素子層ＤＰ－ＣＬを形成することができる。

【0045】

本実施形態において、回路素子層ＤＰ－ＣＬは無機膜であるバッファ膜ＢＦＬ、第１中間無機膜１０、及び第２中間無機膜２０を含み、有機膜である中間有機膜３０を含む。図１は、スイッチングトランジスタＴ１及び駆動トランジスタＴ２を構成する第１半導体パターンＯＳＰ１、第２半導体パターンＯＳＰ２、第１制御電極ＧＥ１、第２制御電極ＧＥ２、第１入力電極ＤＥ１、第１出力電極ＳＥ１、第２入力電極ＤＥ２、第２出力電極ＳＥ２の配置関係を例示的に示す。図１は、第１乃至第４スルーホールＣＨ１乃至ＣＨ４も同様に例示的に示す。

【0046】

表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは発光素子を含む。表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは発光素子として有機発光ダイオードを含む。表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは画素画定膜を含む。例えば、画素画定膜は有機層である。

【0047】

中間有機膜３０上に第１電極ＡＥが配置される。第１電極ＡＥは、中間有機膜３０を貫通する第５スルーホールＣＨ５を通して第２出力電極ＳＥ２に連結される。画素画定膜ＰＤＬには開口部ＯＰが設けられる。画素画定膜ＰＤＬの開口部ＯＰは、第１電極ＡＥの少なくとも一部分を露出する。画素画定膜ＰＤＬの開口部ＯＰは、他の開口部と区分するために発光開口部と呼ばれる。

【0048】

図１には示されないが、画素画定膜ＰＤＬの上面には画素画定膜ＰＤＬの一部分に重畳するスペーサが配置されてもよい。スペーサは画素画定膜ＰＤＬと一体の形状であってもよいし、或いは追加の工程によって形成された絶縁構造物であってもよい。

【0049】

図１に示すように、表示パネルＤＰは、発光領域ＰＸＡと発光領域ＰＸＡに隣接する非発光領域ＮＰＸＡを含む。非発光領域ＮＰＸＡは発光領域ＰＸＡを囲む。本実施形態において、発光領域ＰＸＡは、開口部ＯＰによって露出された第１電極ＡＥの一部領域に対応するように設けられる。

【0050】

正孔制御層ＨＣＬは、発光領域ＰＸＡと非発光領域ＮＰＸＡとに共通に配置される。正孔制御層ＨＣＬは正孔輸送層を含み、正孔注入層をさらに含む。正孔制御層ＨＣＬ上に発光層ＥＭＬが配置される。発光層ＥＭＬは開口部ＯＰに対応する領域に配置される。即ち、発光層ＥＭＬは画素の各々に分離されて形成される。発光層ＥＭＬは有機物質及び／又は無機物質を含む。発光層ＥＭＬは所定の有色光を発光することができる。

【0051】

発光層ＥＭＬ上に電子制御層ＥＣＬが配置される。電子制御層ＥＣＬは、電子輸送層を含み、電子注入層をさらに含む。正孔制御層ＨＣＬと電子制御層ＥＣＬは、オープンマスクを利用して複数の画素に共通して形成される。電子制御層ＥＣＬ上に第２電極ＣＥが配置される。第２電極ＣＥは複数の画素に共通的に配置される。

【0052】

第２電極ＣＥ上に上部絶縁層ＴＦＬが配置される。上部絶縁層ＴＦＬは複数の薄膜が含まれていてもよい。本実施形態で示すように、複数の薄膜は、機能的に区別することができる薄膜封止層ＴＦＥとキャッピング層ＣＰＬとを含むことができる。

【0053】

図２は、本発明の一実施形態に係る蒸着設備ＤＡの断面図を示す。図３は、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡの斜視図を示す。図４は、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡの平面図を示す。本実施形態に係る蒸着設備ＤＡは、図１の表示パネルＤＰ、特に発光層ＥＭＬの蒸着工程に用いることができる。

【0054】

図２に示すように、本発明の一実施形態に係る蒸着設備ＤＡは蒸着チャンバーＣＢ、蒸着チャンバーＣＢの内側に配置された蒸着ソースＤＳ、蒸着チャンバーＣＢの内側に配置されたマスクアセンブリＭＳＡを含む。マスクアセンブリＭＳＡは処理基板ＷＳを支持する。蒸着チャンバーＣＢの底面は、第１方向軸ＤＲ１及び第２方向軸ＤＲ２によって定義される面と平行である。蒸着チャンバーＣＢの底面の法線方向は、第３方向軸ＤＲ３によって示される。

【0055】

以下、第１乃至第３方向は第１乃至第３方向軸ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３の各々が指し示す方向として定義され、各図において、同一の符号を用いて示される。以下で表現される「平面上で」は、第１方向軸ＤＲ１及び第２方向軸ＤＲ２によって定義される面と平行である面を基準に設定される。

【0056】

蒸着チャンバーＣＢは、蒸着条件を真空中で設定することができる。蒸着ソースＤＳは蒸着物質、例えば発光物質を蒸発させて、蒸着蒸気として噴出する。該当蒸着蒸気はマスクアセンブリＭＳＡを通過して所定の薄膜パターンを有するように処理基板ＷＳに蒸着される。

【0057】

図２には図示されないが、蒸着設備ＤＡはマスクアセンブリＭＳＡを保持する治具又はロボットアームがさらに含まれていてもよい。また、蒸着設備ＤＡはインラインシステムを具現するための追加機械装置をさらに含むことができる。

【0058】

図２乃至図４に示すように、マスクアセンブリＭＳＡはフレームＦＭ、複数の第１スティックＳＴ１、及び複数の分割マスクＭＳＫを含む。本発明の一実施形態において、マスクアセンブリＭＳＡは他の種類のスティックをさらに含むことができる。

【0059】

フレームＦＭは、内側に開口部ＯＰ－Ｆ（以下、第１開口部）が設けられる。フレームＦＭは、平面視において長方形状を有する。フレームＦＭは、第１方向ＤＲ１に第１長さを有し、第１方向ＤＲ１と異なる第２方向ＤＲ２に第２長さを有する。本実施形態において、第１長さは第２長さより長いものとする。

【0060】

フレームＦＭは、その材料として金属物質で構成される。例えば、フレームＦＭは、熱膨張係数が小さいインバー合金（ｉｎｖａｒ ａｌｌｏｙ）を含むことができる。フレームＦＭは、例えばニッケル（Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金、ニッケル鉄合金等を含むことができる。フレームＦＭは４つの部分を含む。フレームＦＭは、第１方向ＤＲ１に対向する第１延長部分ＦＭ－１及び第２延長部分ＦＭ－２を含む。フレームＦＭは、第２方向ＤＲ２に対向し、各々が第１延長部分ＦＭ－１及び第２延長部分ＦＭ－２を連結する第３延長部分ＦＭ－３及び第４延長部分ＦＭ－４を含む。第１延長部分ＦＭ－１乃至第４延長部分ＦＭ－４は溶接等によって結合されるか、或いは一体の形状を有してもよい。

【0061】

フレームＦＭには複数の結合溝が設けられていてもよい。例えば、第１延長部分ＦＭ－１及び第２延長部分ＦＭ－２の各々には、第１スティックＳＴ１が結合される結合溝ＣＧＶが設けられていてもよい。第１スティックＳＴ１は、溶接によってフレームＦＭの結合溝ＣＧＶに結合することができる。

【0062】

第１スティックＳＴ１は、第１開口部ＯＰ－Ｆに重畳するようにフレームＦＭに結合される。第１スティックＳＴ１は、第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に配列される。第１スティックＳＴ１は、その材料としてステンレススチールを含むことができる。第１スティックＳＴ１の各々は、結合溝ＣＧＶに結合される外側領域ＯＡと第１開口部ＯＰ－Ｆに重畳する内側領域ＩＡを含む。図３は、第１スティックＳＴ１の各々は２つの外側領域ＯＡを含むことを示す。

【0063】

図３は、５つの第１スティックＳＴ１－１乃至ＳＴ１－５を例示的に示す。第１スティックＳＴ１の中で最も外側に配置された２つのスティックは、最外側スティックと定義され、２つの最外側スティックの間に配置された残りのスティックは、内側スティックと定義される。

【0064】

第１スティックＳＴ１の各々は、第２方向ＤＲ２に対向する第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２を有する。内側スティックＳＴ１－２乃至ＳＴ１－４の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２は、第１方向軸ＤＲ１に対して対称な形状を有する。内側スティックＳＴ１－２乃至ＳＴ１－４は、互いに同一な形状を有してもよい。

【0065】

本実施形態において、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５と、内側スティックＳＴ１－２乃至ＳＴ１－４との形状は異なる。平面視において、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の形状は異なる。第１スティックＳＴ１の形状に対する詳細な説明は、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して後述される。

【0066】

マスクＭＳＫは、フレームＦＭと第１スティックＳＴ１上に配置され、第２方向ＤＲ２に延長され、第１方向ＤＲ１に配列される。マスクＭＳＫはその材料として、熱膨張係数が小さいインバー合金を含む。マスクＭＳＫは、例えばニッケル（Ｎｉ）、ニッケル－コバルト合金、ニッケル－鉄合金等を含む。

【0067】

マスクＭＳＫの各々には、複数の開口部ＯＰ－Ｍ（以下、第２開口部）が設けられる。マスクＭＳＫの各々は、第２開口部ＯＰ－Ｍが設けられた開口領域Ａ－ＯＰと開口領域Ａ－ＯＰを囲む非開口領域Ａ－ＮＯＰとを含む。マスクＭＳＫの各々は、第２方向ＤＲ２に沿って連続的に設けられた単一の開口領域Ａ－ＯＰを含む。第２開口部ＯＰ－Ｍが開口領域Ａ－ＯＰ内で均一に配置される。

【0068】

開口領域Ａ－ＯＰは、マスクＭＳＫ長さの８５％から９５％の長さを有するように設けられる。開口領域Ａ－ＯＰの長さは、第２方向ＤＲ２において、マスクＭＳＫの一端に最も隣接する開口部ＯＰ－ＭとマスクＭＳＫの他端に最も隣接する開口部ＯＰ－Ｍとの間の最短距離として測定される。開口領域Ａ－ＯＰの一部分、即ち第２開口部ＯＰ－Ｍの一部は第１スティックＳＴ１と重畳する。

【0069】

マスクＭＳＫは、フレームＦＭに溶接によって結合されていてもよい。図２には示されないが、マスクＭＳＫの各々を第２方向ＤＲ２に引張させた状態でマスクＭＳＫをフレームＦＭに溶接する。マスクアセンブリＭＳＡはマスクの垂れを抑制するために、フレームＦＭに対応する大型マスクを適用する代わりに分割マスクＭＳＫが用いられる。

【0070】

図４に示すように、１つの開口領域Ａ－ＯＰにおいて隣接する２つの第１スティックＳＴ１－１乃至ＳＴ１－５で分割された領域（即ち、隣接する２つのスティックＳＴ１－１乃至ＳＴ１－５の内側領域）は、ユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵとして画定される。複数のユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵは後述する処理基板ＷＳ（図６参照）の複数のユニットセル領域ＵＳに１対１に対応し、ユニットセル領域ＵＳの表示領域ＤＰ－ＤＡを１対１に形成する。

【0071】

図２乃至図４に示すマスクアセンブリＭＳＡは、非定型的な形状の表示領域ＤＰ－ＤＡ（図６及び図７参照）を含む処理基板ＷＳの蒸着工程に用いられる。ここで、非定型的な形状とは、平面視で実質的に長方形状（コーナー角が９０°又は９０°ではなくても、９０°に近い長方形状）ではない形状を意味する。例えば、非定型的な形状の表示領域ＤＰ－ＤＡは一つの側のエッジが曲線を含むか、或いは凹状領域又は凸状領域を含むことができる。

【0072】

以下、図４、及び図５Ａ乃至図５Ｃを参照してユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵの構成をさらに詳細に説明する。図５Ａは、本発明の一実施形態に係る内側スティックＳＴ１－２の平面図を示す。図５Ｂ及び図５Ｃは、本発明の一実施形態に係る最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の平面図を示す。

【0073】

非定型的な形状の表示領域ＤＰ－ＤＡ（図６及び図７参照）を形成するためには、図４に示されるユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵも同様に非定型的な形状を有する。図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、非定型的な形状のユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵを形成するために、第１スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－２、ＳＴ１－５の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２との中で少なくともいずれか１つは、非直線領域ＮＳＡを含む。言い換えれば、第１スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－２、ＳＴ１－５は一定ではない幅（第１方向ＤＲ１に沿う最短距離）を有する。

【0074】

図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、第１スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－２、ＳＴ１－５の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２との各々は、活性エッジ領域ＡＥＡと非活性エッジ領域ＮＡＥＡを含む。活性エッジ領域ＡＥＡと非活性エッジ領域ＮＡＥＡとの各々は複数提供される。

【0075】

図５Ａ乃至図５Ｃに示す活性エッジ領域ＡＥＡは、図４に示す開口領域Ａ－ＯＰに重畳する部分であり、図５Ａ乃至図５Ｃに示す非活性エッジ領域ＮＡＥＡは、図４に示す非開口領域Ａ－ＮＯＰに重畳する部分である。第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２との中で少なくともいずれか１つの活性エッジ領域ＡＥＡは、曲線のような非直線領域含む。

【0076】

図４に示すように、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５により画定されるユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵは、内側スティックＳＴ１－２により画定されるユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵと同一形状を有する。最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５のフレームＦＭに対する干渉を防止するために、即ち最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５がフレームＦＭの第３及び第４延長部分ＦＭ－３、ＦＭ－４に重畳することを防止するために、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５は、図５Ｂ及び図５Ｃに示されるように第１方向軸ＤＲ１に対して非対称形状を有する。

【0077】

第１最外側スティックである第１スティックＳＴ１－１と、第２最外側スティックである第５スティックＳＴ１－５とは、第１方向軸ＤＲ１を基準として対称な形状を有する。したがって、第１スティックＳＴ１－１と第２スティックＳＴ１－２により画定されるユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵと、第４スティックＳＴ１－４と第５スティックＳＴ１－５により画定されるユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵとは、同一形状を有する。

【0078】

図５Ａに示すように、内側スティックＳＴ１－２の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２とが、第１方向軸ＤＲ１に対して対称である形状を有するので、外部から熱が伝導しても内側スティックＳＴ１－２の変形を最小化することができる。

【0079】

これに反して、図５Ｂ及び図５Ｃに示す最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２は第１方向軸ＤＲ１に対して非対称な形状を有するので、外部から熱が伝導する場合、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の変形が発生する可能性がある。本実施形態において、変形を防止するために最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５は輪郭に沿った長さを直線にしたときの長さ（以下、基準長さとして定義する）が実質的に同一である第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２を有する。第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の基準長さを実質的に同一に設定することによって、第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の熱膨張変化量の差を最小化することができる。

【0080】

最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の基準長さを実質的に同一に設定するために第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２との中で少なくともいずれか１つは複数のスリット領域ＳＴＡを含む。スリット領域ＳＴＡの各々には少なくとも１つのスリットＳＴが設けられる。

【0081】

図５Ｂに示すように、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の外側領域ＯＡに比べ、スリット領域ＳＴＡは、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の第２方向ＤＲ２の中心に配置された中心線ＣＬから対応する第２エッジＥＤ２までの長さが短い。図５Ｂは、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２が比較できるように図示されている。少なくとも１つのスリットＳＴが設けられることによって、第２エッジＥＤ２の基準長さが増加している。

【0082】

上述した基準長さの「実質的に同一」は、第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の熱膨張変化量の差が蒸着薄膜パターンの不良を発生させない程度の誤差範囲を含む。これは表示パネルの解像度及び／又はマスクＭＳＫの解像度に応じて変わり、これに対する説明は表示パネルの製造方法を参照して後述される。

【0083】

図６は、本発明の一実施形態に係る処理基板ＷＳの平面図を示す。図７は、図６に示す１つのユニットセル領域ＵＳに対する平面図を示す。図８は、図７のＡＡ領域の拡大された平面図を示す。図９Ａは、本発明の一実施形態に係る第１マスクＭＳＫ１の拡大された平面図を示す。図９Ｂは、図９Ａに示す第１マスクＭＳＫ１とユニットセル領域ＵＳとの配置関係を示す断面図である。図９Ｃ及び図９Ｄは、本発明の一実施形態に係る第２マスクＭＳＫ２及び第３マスクＭＳＫ３の拡大された平面図を示す。

【0084】

図６に示す処理基板ＷＳは、複数のユニットセル領域ＵＳを含む。複数のユニットセル領域ＵＳの各々は、処理基板ＷＳでの工程が終了された後、分離されて表示パネルＤＰ（図１）を形成する。

【0085】

図６乃至図８に示す処理基板ＷＳは、図２乃至図５Ｃを参照して説明したマスクアセンブリＭＳＡを用いて薄膜パターンを形成する前段階の状態を示す。図９Ｂを参照すれば、正孔制御層ＨＣＬまで形成された状態であることが分かる。

【0086】

図７は、長方形状の表示領域ＤＰ－ＤＡではなく、４つのコーナー領域に曲線領域が配置された非定型的な表示領域ＤＰ－ＤＡを示す。このような表示領域ＤＰ－ＤＡは、図４に示すユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵによって形成される。

【0087】

画素画定膜ＰＤＬは、表示領域ＤＰ－ＤＡの全面に重畳するように配置される。画素画定膜ＰＤＬの一部は、非表示領域ＤＰ－ＮＤＡと重畳していてもよい。なお、図7は、長方形状の画素画定膜ＰＤＬを例示的に示したが、本実施形態はこのような態様に制限されるものではない。

【0088】

図８に示すように、画素画定膜ＰＤＬには３種の発光開口部が形成されてもよい。３種の発光開口部は面積によって区別される第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂを含む。第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂの面積は対応する画素の発光面積（又は第１電極の面積）と比例する。本実施形態において、第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂは緑色画素の発光素子、赤色画素の発光素子、青色画素の発光素子に各々対応する。

【0089】

緑色発光素子の発光層、赤色発光素子の発光層、及び青色発光素子の発光層を、第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂに各々対応するように形成するために、図９Ａ、図９Ｃ、及び図９Ｄの第１乃至第３マスクＭＳＫ１乃至ＭＳＫ３が用いられる。

【0090】

図９Ｂは、処理基板ＷＳが第１マスクＭＳＫ１上に配置された状態を示す。図9Ｂは、第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂに対応する３つの第１電極ＡＥ－Ｇ、ＡＥ－Ｒ、ＡＥ－Ｂを追加的に示す。図９Ｂは、先に説明した支持基板ＳＳを追加的に示す。

【0091】

図９Ａに示す第１マスクＭＳＫ１を含むマスクアセンブリＭＳＡ（図２参照）を用いて、正孔制御層ＨＣＬ上に緑色発光層を形成する。以後、図９Ｃに示す第２マスクＭＳＫ２を含むマスクアセンブルＭＳＡ（図２参照）を用いて赤色発光層を形成し、図９Ｄに示す第３マスクＭＳＫ３を含むマスクアセンブリＭＳＡ（図２参照）を用いて青色発光層を形成する。以後、図１に示された電子制御層ＥＣＬ等を追加に形成する。

【0092】

図９Ａに示す第１マスクＭＳＫ１の第２開口部ＯＰ－ＭＧは、第１発光開口部ＯＰ－Ｇに比べ、大きい面積を有する。マスクアセンブリＭＳＡが蒸着チャンバーＣＢの内部に配置され、第１マスクＭＳＫ１と処理基板ＷＳが整列された状態で、第１発光開口部ＯＰ－Ｇは第１マスクＭＳＫ１の第２開口部ＯＰ－ＭＧの内側に配置されることが望ましい。図９Ｃに示す第２マスクＭＳＫ２と処理基板ＷＳが整列された状態で、第２発光開口部ＯＰ－Ｒは第２マスクＭＳＫ２の第２開口部ＯＰ－ＭＲの内側に配置されることが望ましい。図９Ｃに示す第３マスクＭＳＫ３と処理基板ＷＳが整列された状態で、第３発光開口部ＯＰ－Ｂは第３マスクＭＳＫ３の第２開口部ＯＰ－ＭＢの内側に配置されることが望ましい。

【0093】

反複される蒸着工程で発生した熱がマスクアセンブリＭＳＡに伝導することによって（例えば、蒸着蒸気がマスクアセンブリＭＳＡに蒸着されるとき、熱が伝達される）マスクアセンブリＭＳＡに変形が発生する場合がある。図５Ａ乃至図５Ｃを参照して説明した最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５は、伝熱により変形が発生するおそれがある。最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の変形は、第１発光開口部ＯＰ－Ｇと第１マスクＭＳＫ１の第２開口部ＯＰ－ＭＧの誤整列を発生させる可能性がある。これは結果的に蒸着薄膜パターンが第１発光開口部ＯＰ－Ｇの位置からずれてしまうという不良を発生させることとなる。

【0094】

図５Ａ乃至図５Ｃを参照して説明したように、最外側スティックＳＴ１－１、ＳＴ１－５の変形を防止するために、第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２は実質的に同一な基準長さを有する。表示パネルの解像度及び／又はマスクＭＳＫの解像度と連関付けられる基準長さの「実質的な同一」の範囲は以下の通りである。

【0095】

各解像度に対応する画素数は以下に示す表１の通りである。図８において、第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂの間隔の最小距離は解像度に応じて異なり、適宜設定される。

【表1】

【0096】

第１発光開口部ＯＰ－Ｇ、第２発光開口部ＯＰ－Ｒ、及び第３発光開口部ＯＰ－Ｂの間隔の最短距離ＲＳＤ（以下、基準最短距離）が１５μｍ以下である場合（即ち、ＵＨＤ）、第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の基準長さが実質的に同一であるということは、これらの長さ差が４．６％以下であることを意味する。基準最短距離が２０μｍ以下である場合（即ち、ＱＨＤ）、第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の基準長さが実質的に同一であるということは、これらの長さ差が９．６％以下であることを意味する。基準最短距離が２５μｍ以下である場合（即ち、ＦＨＤ）、第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の基準長さが実質的に同一であるということは、これらの長さ差が１３．５％以下であることを意味する。

【0097】

図１０Ａは、本発明の一実施形態に係る第１スティックＳＴ１の平面図を示す。図１０Ｂは、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡの平面図を示す。図１０Ｃは、図１０ＢのマスクアセンブリＭＳＡによって製造されたユニットセル領域ＵＳの平面図を示す。図１１Ａは、本発明の一実施形態に係る第１スティックＳＴ１の平面図を示す。図１１Ｂは、図１１Ａの第１スティックＳＴ１を含むマスクアセンブリによって製造されたユニットセル領域ＵＳの平面図を示す。以下、図１乃至図９Ｃを参照して説明した構成と同一の構成に対する詳細な説明は省略する。

【0098】

図１０Ａに示すように、第１スティックＳＴ１の第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２が第１方向軸ＤＲ１に対して非対称である形状を有する。第１エッジＥＤ１と第２エッジＥＤ２の基準長さは実質的に同一である。

【0099】

本発明の一実施形態において、スリット領域ＳＴＡがユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵの形状を変形させることを防止するために、スリット領域ＳＴＡは非活性エッジ領域ＮＡＥＡ内に配置されることが望ましい。これは図１０Ｂを参照すれば、確認することができる。

【0100】

図１０Ｂに示すように、第１スティックＳＴ１－１乃至ＳＴ１－５は、図１０Ａに示す第１スティックＳＴ１と同一の形状を有する。図１０Ｃは、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡを用いて形成された六角形状の非定型的な表示領域ＤＰ－ＤＡを示す。先に説明したように、スリット領域ＳＴＡは、ユニットセル開口領域Ａ－ＯＰＵの形状に影響を及ぼさないので、六角形状の表示領域ＤＰ－ＤＡにはスリット領域ＳＴＡに対応する領域が発生しない。

【0101】

図１１Ａは、図５Ｂの第１最外側スティックＳＴ１－１の第１エッジＥＤ１と異なる形状の第１スティックＳＴ１を示す。図５Ｂの第１エッジＥＤ１の活性エッジ領域ＡＥＡが第２エッジＥＤ２に向かって凹形状を有するのに対し、図１１Ａに示す第１エッジＥＤ１の一部分は、第２エッジＥＤ２から遠ざかるように凸形状を有する。

【0102】

マスクアセンブリＭＳＡ（図１０Ｂ参照）の第１スティックＳＴ１－１乃至ＳＴ１－５に、図１１Ａに示す第１スティックＳＴ１を全体に適用して蒸着工程を行えば、図１１Ｂに示す非定型的な形状の表示領域ＤＰ－ＤＡが形成される。図１１Ｂは処理基板ＷＳから分離されたユニットセル領域ＵＳを示したが、ベース層ＢＬ及び画素画定膜ＰＤＬも同様に非定型的な形状を有してもよい。

【0103】

図１２Ａは、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡの斜視図を示す。図１２Ｂは、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡの平面図を示す。図１２Ｃは、本発明の一実施形態に係るマスクアセンブリＭＳＡの断面図を示す。以下、図１乃至図１１Ｂを参照して説明した構成と同一の構成に対する詳細な説明は省略する。

【0104】

図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、マスクアセンブリＭＳＡは第２スティックＳＴ２をさらに含む。第２スティックＳＴ２は第１開口部ＯＰ－Ｆに重畳するようにフレームＦＭに結合される。第２スティックＳＴ２は第２方向ＤＲ２に延長され、第１方向ＤＲ１に配列される。第２スティックＳＴ２の各々の両側端部は、第３延長部分ＦＭ－３及び第４延長部分ＦＭ－４に設けられた結合溝ＣＧＶに挿入される。

【0105】

第２スティックＳＴ２は、第１方向ＤＲ１の幅が実質的に一定な直線形状である。少なくとも第２スティックＳＴ２の各々の第１開口部ＯＰ－Ｆに重畳する部分の幅は先の条件を満足する。これは、外部から伝導する熱による変形を防止するためである。

【0106】

図１２Ｂに示すように、第２スティックＳＴ２は複数のマスクＭＳＫの中で隣接する２つのマスクＭＳＫの境界と重畳する。第２スティックＳＴ２は、隣接する２つのマスクＭＳＫの非開口領域Ａ－ＮＯＰとエッジが重畳する。第２スティックＳＴ２は第１スティックＳＴ１を支持し、蒸着蒸気が非開口領域Ａ－ＮＯＰに蒸着されることを防止する。

【0107】

図１３は、本発明の一実施形態に係る蒸着設備ＤＡの断面図を示す。本実施形態に係る蒸着設備はインラインシステムによって動作する。なお、図１３は、マスクアセンブリＭＳＡをホールディングする機械的設備（以下、ホールディング設備）、マスクアセンブリＭＳＡを移動させる機械的設備及びマスクアセンブリＭＳＡから処理基板ＷＳを分離する機械的設備は図示されていない。

【0108】

蒸着設備ＤＡは、第１乃至第４アンローディング／ローディングチャンバーＵＬＣ１乃至ＵＬＣ４、及び第１乃至第３蒸着チャンバーＣＢ１乃至ＣＢ３を含む。第１乃至第３蒸着チャンバーＣＢ１乃至ＣＢ３の各々は図２に示すチャンバーＣＢと実質的に同一である。

【0109】

図１３のマスクアセンブリＭＳＡ１乃至ＭＳＡ３は先に説明したマスクアセンブリＭＳＡの中のいずれか１つである。第１乃至第３蒸着チャンバーＣＢ１乃至ＣＢ３に沿って搬送されるマスクアセンブリＭＳＡ１乃至ＭＳＡ３のマスクの種類は異なっていてもよい。

【0110】

第１乃至第３蒸着チャンバーＣＢ１乃至ＣＢ３の内部には、第１乃至第３蒸着ソースＤＳ１乃至ＤＳ３が各々配置される。例えば、第１乃至第３蒸着ソースＤＳ１乃至ＤＳ３は緑色発光物質、赤色発光物質、及び青色発光物質を提供する。

【0111】

第１アンローディング／ローディングチャンバーＵＬＣ１の内部に配置された処理基板ＷＳは、マスクアセンブリＭＳＡ１上に実装される。処理基板ＷＳが整列されたマスクアセンブリＭＳＡ１は、ホールディング設備にローディングされる。マスクアセンブリＭＳＡ１は図９Ａに示す第１マスクＭＳＫ１を含む。第１蒸着チャンバーＣＢ１の内部に配置された処理基板ＷＳ上に、緑色発光物質の薄膜パターンを形成する。

【0112】

第２アンローディング／ローディングチャンバーＵＬＣ２において、ホールディング設備から第１マスクＭＳＫ１を含むマスクアセンブリＭＳＡ１をアンローディングし、図９Ｃに示す第２マスクＭＳＫ２を含むマスクアセンブリＭＳＡ２をホールディング設備にローディングする。第２蒸着チャンバーＣＢ２の内部に配置された処理基板ＷＳに赤色発光物質の薄膜パターンを形成する。

【0113】

第３アンローディング／ローディングチャンバーＵＬＣ３において、ホールディング設備から第２マスクＭＳＫ２を含むマスクアセンブリＭＳＡ２をアンローディングし、図９Ｄに示す第３マスクＭＳＫ３を含むマスクアセンブリＭＳＡ３をホールディング設備にローディングする。第３蒸着チャンバーＣＢ３の内部に配置された処理基板ＷＳ上に青色発光物質の薄膜パターンを形成する。

【0114】

第４アンローディング／ローディングチャンバーＵＬＣ４において、ホールディング設備から第３マスクＭＳＫ３を含むマスクアセンブリＭＳＡ３をアンローディングする。第４アンローディング／ローディングチャンバーＵＬＣ４で、以後の追加工程のための段階がさらに遂行されることができる。

【0115】

以上では本発明の望ましい実施形態を、図面を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想及び技術的範囲から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更することが可能であることを理解することができる。

【0116】

したがって、本発明の技術的範囲は本明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されることではなく、特許請求の範囲によって定めなければならない。

【符号の説明】

【0117】

ＣＢ：蒸着チャンバー
ＣＧＶ：結合溝
ＤＡ：蒸着設備
ＤＰ：表示パネル
ＤＳ：蒸着ソース
ＦＭ：フレーム
ＭＳＡ：マスクアセンブリ
ＭＳＫ：マスク
ＮＰＸＡ：非発光領域
ＯＬＥＤ：表示素子
ＰＤＬ：画素画定膜
ＰＸＡ：発光領域
ＳＴ１：第１スティック
ＵＳ：ユニットセル領域
ＷＳ：処理基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図13】