特許 7220697 ディスプレイ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-02-02

(45)【発行日】2023-02-10

(54)【発明の名称】ディスプレイ装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20230203BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230203BHJP

   H10K 59/00 20230101ALI20230203BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20230203BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20230203BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 330

G09F9/30 365

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/22 Z

H05B33/02

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020207447

(22)【出願日】2020-12-15

(65)【公開番号】P2021110934

(43)【公開日】2021-08-02

【審査請求日】2020-12-15

(31)【優先権主張番号】10-2019-0180093

(32)【優先日】2019-12-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】李 ▲セムリヌリ▼

(72)【発明者】

【氏名】金 度 亨

【審査官】小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０５３２９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０１６４７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０２８７０９３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２２８９２７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１０２５０２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／００６９８７３（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／００－４６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域と非表示領域を含む基板と、
前記基板の上部に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上部に形成された有機絶縁層と、
前記基板の表示領域に形成され、第１電極、発光層及び第２電極を含む発光素子と、
前記有機絶縁層の上部に形成され、前記非表示領域の少なくとも一部に形成される基底配線とを含み、
前記基底配線および前記第２電極は、互いに電気的に接続し、
前記基底配線が、互いに隣接して配置された少なくとも一つの凹部、および少なくとも一つの凸部を含み、前記凹部は前記基板に向かって凹となっており、前記凸部は前記第２電極に向かって凸となっており、
前記無機絶縁層が、前記の非表示領域に形成された少なくとも一つのトレンチ部を含み、
前記トレンチ部が、前記凸部と重畳する、ディスプレイ装置。

【請求項2】

前記有機絶縁層が、
前記凸部と重畳する有機絶縁層凸部と、
前記凹部と重畳する有機絶縁層凹部とを含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項3】

前記有機絶縁層が、
前記凸部に対応する第１厚さと、
前記凹部に対応する第２厚さとを有し、
前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、請求項２に記載のディスプレイ装置。

【請求項4】

前記無機絶縁層が、
前記凸部に対応する第３厚さと、および
前記凹部に対応する第４厚さとを有し、
前記第４厚さは、前記第３厚さよりも厚い、請求項３に記載のディスプレイ装置。

【請求項5】

前記無機絶縁層の前記第４厚さが、前記有機絶縁層の前記第１厚さおよび第２厚さの差を補償するように設定される、請求項４に記載のディスプレイ装置。

【請求項6】

前記基板上に形成されたリンク配線をさらに含み、
前記リンク配線が、前記凸部と非重畳するように配置された、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項7】

前記凹部及び前記凸部が、第１高さ（ｈ１）の段差を有するように形成され、
前記第１高さは３００ｎｍ～９００ｎｍである、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項8】

表示領域と非表示領域を含む基板と、
前記基板の上部に形成された無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上部に形成された有機絶縁層と、
前記基板の表示領域に形成され、第１電極、発光層及び第２電極を含む発光素子と、
前記有機絶縁層の上部に形成され、前記非表示領域の少なくとも一部に形成される基底配線と、
前記基底配線の前記凹部と、部分的に重畳するように形成される開口部とを含み、
前記基底配線および前記第２電極は、互いに電気的に接続し、
前記基底配線が、互いに隣接して配置された少なくとも一つの凹部、および少なくとも一つの凸部を含み、前記凹部は前記基板に向かって凹となっており、前記凸部は前記第２電極に向かって凸となっており、
前記開口部が、前記基底配線の一面および他面を貫通させる、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項9】

前記凸部が、前記凹部に対して複数の高さの段差を有する、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項10】

前記トレンチ部が、前記無機絶縁層の上面に対して複数の深さの段差を有する、請求項１に記載のディスプレイ装置。

【請求項11】

表示領域と非表示領域を含む基板と、
前記基板の上部に形成された無機絶縁層であって、前記非表示領域に形成された少なくとも１つのトレンチ部を含む、前記無機絶縁層と、
前記無機絶縁層の上部に形成された有機絶縁層と、
前記基板の表示領域に形成され、第１電極、発光層及び第２電極を含む発光素子と、
前記有機絶縁層の上部に形成され、前記非表示領域の少なくとも一部に形成される基底配線と、
前記トレンチ部に収容される補助基底配線と
を含み、
前記基底配線および前記第２電極は、互いに電気的に接続し、
前記基底配線が、互いに隣接して配置された少なくとも一つの凹部、および少なくとも一つの凸部を含み、前記凹部は前記基板に向かって凹となっており、前記凸部は前記第２電極に向かって凸となっているディスプレイ装置。

【請求項12】

保護層を更に含み、
前記保護層が前記補助基底配線の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを含み、
前記基底配線は、前記コンタクトホールの少なくとも一部を埋めるように具備される、請求項１１に記載のディスプレイ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ディスプレイ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的に、ディスプレイ装置は、移動通信端末器、電子手帳、電子書籍、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｐｌａｙｅｒ）、ＵＭＰＣ（Ｕｌｔｒａ Ｍｏｂｉｌｅ ＰＣ）、モバイルフォン、スマートフォン、タブレットＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ウォッチフォン（ｗａｔｃｈ ｐｈｏｎｅ）、電子パッド、ウェアラブル機器、ウォッチ電話、携帯情報機器、ナビゲーション、車両制御ディスプレイ機器、テレビ、ノートパソコン、及びモニタなどの様々な電子機器の表示画面として広く使用されている。

【0003】

ディスプレイ装置に基底電源を供給する基底配線は、ディスプレイ装置の非表示領域に形成することができる。基底配線が残留応力が高い物質で形成されたり、厚い厚さで形成される場合、基底配線でクラックが発生し、ディスプレイ装置の信頼性の確保に問題がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１８－０３２８２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、基底配線の破損に対する抵抗性が高いディスプレイ装置を提供することを解決しようとする課題とする。

【0006】

また、本発明は、低抵抗を有する基底配線を含むディスプレイ装置を提供することを解決しようとする課題とする。

【0007】

上記した本発明の技術的課題に加えて、本発明の他の特徴および利点は、以下の記述や、そのような記述および説明から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解することができるだろう。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本出願の一例によるディスプレイ装置は、表示領域と非表示領域を含む基板、基板の上部に形成された無機層、無機層の上部に形成された有機層、基板の表示領域に形成され、第１電極、発光層および第２電極を含む発光素子、および有機層の上部に形成され、非表示領域の少なくとも一部に形成される基底配線を含み、基底配線及び第２電極は、互いに電気的に接続し、基底配線は、互いに近隣して配置された少なくとも一つの凹部および少なくとも一つの凸部を含む。

【0009】

本出願によると、基底配線は段差の差を有する凹部および凸部を含むことにより、ディスプレイ装置の製造工程中に残留するストレスまたはディスプレイ装置の外部に起因したストレスから破損に対する抵抗性が向上するディスプレイ装置を提供することができる。

【0010】

本出願によると、基底配線は増加した表面積を有することで、低い抵抗を提供して、輝度の均一性が改善したディスプレイ装置を提供することができる。

【0011】

上記した本出願の効果に加えて、本出願の他の特徴および利点は、以下の記述や、そのような記述および説明から、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本出願の一例によるディスプレイ装置の平面図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’線に沿って示した断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って示した断面図である。

【図4】図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿って示した断面図である。

【図5】図４のＡ部分を拡大して示した図である。

【図6】本出願の一例によるディスプレイ装置の平面図である。

【図7】本出願による表示領域および基底配線を概略的に示した図である。

【図8】図７のＩＶ－ＩＶ’線に沿って示した断面図である。

【図9】図７のＶ－Ｖ’線に沿って示した断面図である。

【図10】図７のＶＩ－ＶＩ’線に沿って示した断面図である。

【図11】図１０のＢ部分を拡大して示した図である。

【図12】本出願の一例によるディスプレイ装置の平面図である。

【図13】本出願による表示領域および基底配線を概略的に示した図である。

【図14】図１３のＶＩＩ－ＶＩＩ’線に沿って示した断面図である。

【図15】図１３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’線に沿って示した断面図である。

【図16】図１３のＩＸ－ＩＸ’線に沿って示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本出願の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述する一例を参照すると明確になるだろう。しかし、本出願は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現され得るものであり、単に本実施例は、本出願の開示を完全にし、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らしめるために提供されるものであり、本出願は、請求項の範疇によってのみ定義される。

【0014】

本出願の一例を説明するため、図に示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであって、本出願が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本出願を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。

【0015】

本出願で言及した「含むことができる」、「有することができる」、「からなる」などが使用されている場合、「～だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

【0016】

構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。

【0017】

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。

【0018】

時間の関係についての説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続的でない場合も含むことができる。

【0019】

第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもあり得る。

【0020】

「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、および第３項目の中の少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目、または第３項目各々だけではなく、第１項目、第２項目、および第３項目の中から二つ以上で提示され得るすべての項目の組み合わせを含むとすることができる。

【0021】

本出願のいくつかの例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各例を互いに対して独立的に実施することもでき、関連の関係で一緒に実施することもできる。

【0022】

以下では、本出願の実施例に係るディスプレイ装置の例を添付した図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付加することにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有することができる。そして、添付した図に示された構成要素のスケールは、説明の便宜上、実際と異なるスケールを有するので、図に示したスケールに限定されない。

【0023】

図１は、本出願の一例によるディスプレイ装置の平面図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ’線に沿って示した断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って示した断面図である。

【0024】

図１～図３を参照すると、本出願の一例によるディスプレイ装置は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）を含む基板１１０、基板１１０の上部に形成された無機層１２０、無機層１２０の上部に形成された有機層１３０、基板１１０の表示領域（ＤＡ）に形成され、第１電極１４１、発光層１４３及び第２電極１４５を含む発光素子１４０、および有機層１３０の上部に形成され、非表示領域（ＮＤＡ）の少なくとも一部に形成される基底配線２００を含み、基底配線２００及び第２電極１４５は、互いに電気的に接続し、基底配線２００は、互いに隣接して配置された少なくとも一つの凹部２１０および少なくとも一つの凸部２３０を含む。

【0025】

基板１１０は、ベース基板として、フレキシブル基板またはガラス基板であり得る。一例によると、基板１１０は、透明ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）材質を含むことができるが、これに限定されず、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）などの透明プラスチック材質からなり得る。一例によると、基板１１０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分として含むガラス基板であり得る。

【0026】

基板１１０には、画面を表示する表示領域（ＤＡ）および表示領域を囲む非表示領域（ＮＤＡ）を定義することができる。また、非表示領域（ＮＤＡ）の一側には、パッド領域を形成することができ、パッド領域には、後述するディスプレイ駆動回路部１８０を配置することができる。

【0027】

無機層１２０は、基板１１０の上部に形成されたバッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５、保護層１２７を含むことができるが、無機層の構成が図２に示して記載したバッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５、保護層１２７に制限されるものではない。

【0028】

バッファ層１２１は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層からなり得る。バッファ層１２１は、バッファ層１２１上に形成される層と基板１１０との間の接着力を向上させることができる。

【0029】

ゲート絶縁層１２３は、バッファ層１２１および、後述するアクティブ層（ＡＣＴ）上に配置される。ゲート絶縁層１２３は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層で構成することができる。ゲート絶縁層１２３には、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）のそれぞれがアクティブ層（ＡＣＴ）のソース領域およびドレイン領域のそれぞれにコンタクトするためのコンタクトホールを具備する。

【0030】

層間絶縁層１２５は、ゲート電極（ＧＥ）を覆うように設けることができ、層間絶縁層１２５は、薄膜トランジスタ（Ｔ）を保護する機能をすることができる。層間絶縁層１２５は、アクティブ層（ＡＣＴ）とソース電極（ＳＥ）またはドレイン電極（ＤＥ）を接触させるために、該当領域が削除され得る。例えば、層間絶縁層１２５は、ソース電極（ＳＥ）が貫通するコンタクトホールおよびドレイン電極（ＤＥ）が貫通するコンタクトホールを含むことができる。一例によると、層間絶縁層１２５は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を含むことができ、またはシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）およびシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を含む多重層で構成することができる。

【0031】

保護層１２７は、後述する薄膜トランジスタ（Ｔ）をカバーするように配置することができる。保護層１２７は、薄膜トランジスタ（Ｔ）を保護するための絶縁層である。保護層１２７は、無機物である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層で構成することができる。保護層１２７は、発光素子１４０の第１電極１４１が薄膜トランジスタ（Ｔ）と接続するためのコンタクトホールを具備することができる。

【0032】

本出願の一例によると、後述するトレンチ部の形成のための工程的な側面を考慮してバッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５、保護層１２７を含む無機層１２０は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の中から選択された一つの物質で無機層１２０を構成することができる。ただし、本出願の実施例は、これに限定されるものではなく、バッファ層、ゲート絶縁層、層間絶縁層、及び保護層のそれぞれは、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の中から択一して用いたり、または両者が積層された複層構造を適用することができる。

【0033】

また、バッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５、保護層１２７のそれぞれを構成する物質は、前述した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）に制限されるわけではなく、当業界でバッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５、保護層１２７に用いられる物質であれば限定せずに用いることができる。

【0034】

有機層１３０は、無機層１２０の上部に配置することができる。有機層１３０は、薄膜トランジスタ（Ｔ）の上部を平坦化するための絶縁層であって、有機物からなり得る。保護層１２７は、薄膜トランジスタ（Ｔ）の上部の形状に沿って形成されるので、薄膜トランジスタ（Ｔ）およびストレージキャパシタにより保護層１２７が平坦化されずに段差が存在し得る。そこで、有機層１３０は、薄膜トランジスタ（Ｔ）の上部を平坦化して、発光素子１４０は、実質的に平坦な領域に形成することができる。有機層１３０には、薄膜トランジスタ（Ｔ）のドレイン電極（ＤＥ）を露出させるためのコンタクトホールを形成することができる。一例によると、有機層１３０は、塗布時に平坦化特性を有するフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などのような有機系絶縁材質からなることができる。

【0035】

本出願の一例による有機層１３０は、後述する基底配線２００の凹部２１０と重畳する領域では、表示領域（ＤＡ）の有機層１３０と比較して相対的に薄い厚さで提供することができ、基底配線２００の凸部２３０と重畳する領域では、表示領域（ＤＡ）の有機層１３０と比較して、実質的に同一の厚さを有するように提供することができる。

【0036】

また、本出願の一例によるディスプレイ装置は、少なくとも一つの薄膜トランジスタ（Ｔ）を含むことができる。例えば、薄膜トランジスタ（Ｔ）は、駆動薄膜トランジスタまたはスキャン薄膜トランジスタであり得る。

【0037】

一例によると、薄膜トランジスタは、アクティブ層（ＡＣＴ）、アクティブ層（ＡＣＴ）上に形成されるゲート電極（ＧＥ）、アクティブ層（ＡＣＴ）およびゲート電極（ＧＥ）の間に配置されるゲート絶縁層１２３、アクティブ層（ＡＣＴ）の一側に接続したソース電極（ＳＥ）、およびアクティブ層（ＡＣＴ）の他側に接続したドレイン電極（ＤＥ）を含み、ゲート電極（ＧＥ）とソース電極（ＳＥ）およびドレイン電極（ＤＥ）を互いに電気的に離隔させつつ、薄膜トランジスタを保護する層間絶縁層１２５および薄膜トランジスタ（Ｔ）をカバーする保護層１２７をさらに含むことができる。ここで、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５および保護層１２７は、先に説明したゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５および保護層１２７と同様の構成であるため、重複する内容は省略することにする。

【0038】

アクティブ層（ＡＣＴ）は、基板１１０の画素領域に設けることができる。アクティブ層（ＡＣＴ）は、ゲート電極（ＧＥ）、ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）と重畳するように配置することができ、アクティブ層（ＡＣＴ）は、チャネル領域およびソース／ドレイン領域を含むことができ、チャネル領域は、アクティブ層（ＡＣＴ）の中央領域に形成され、ソース／ドレイン領域は、チャネル領域を挟んで互いに並んで形成することができる。

【0039】

ゲート電極（ＧＥ）は、薄膜トランジスタ（Ｔ）のアクティブ層（ＡＣＴ）にゲート電圧を印加することができる。一例によると、ゲート電極（ＧＥ）は、単一層または二重層に蒸着して形成することができる。例えば、ゲート電極（ＧＥ）は、モリブデン（Ｍｏ）のような金属物質を含むことができるが、これに限定されるものではなく、当業界に公知された物質であれば限定せずに用いることができる。

【0040】

ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）のソース領域およびドレイン領域のそれぞれとオーミックコンタクト（Ｏｈｍｉｃ Ｃｏｎｔａｃｔ）を形成し、低い抵抗を有する金属物質で形成することができる。

【0041】

薄膜トランジスタ（Ｔ）は、図２で、ゲート電極（ＧＥ）がアクティブ層（ＡＣＴ）の上部に位置するトップゲート構造で図示したが、本出願の薄膜トランジスタ（Ｔ）の構造が、これに制限されるものではなく当業界で用いられる薄膜トランジスタ（Ｔ）の多様な構造を適用することができる。

【0042】

発光素子１４０は、第１電極１４１、発光層１４３及び第２電極１４５を含むことができる。発光素子１４０は、表示領域に形成することができ、発光素子１４０は、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタ（Ｔ）と電気的に接続した第１電極１４１、発光層１４３及び第２電極１４５を含むことができる。

【0043】

第１電極１４１は、アノード電極として、有機層１３０上にパターン形態で設けることができる。第１電極１４１は、有機層１３０に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ（Ｔ）のドレイン電極（ＤＥ）と電気的に接続することによって薄膜トランジスタから出力されるデータ信号を受信することができる。第１電極１４１は、金属材質または透明導電性酸化物を含むことができ、例えば、銅（Ｃｕ）、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの材質を含むことができる。また、第１電極１４１は、単一層または複数層で提供することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0044】

発光層１４３は、特定の色の光を発光するための発光層（ＥＬ）であって、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層および白色発光層のいずれか一つを含むことができる。もし、発光層（ＥＬ）が白色発光層を含む場合、発光素子（Ｅ）の上部に白色発光層からの白色光を他の色の光に変換するためのカラーフィルターを配置することができる。また、発光層（ＥＬ）は、発光層以外に、正孔輸送層、正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含むこともできる。

【0045】

第２電極１４５は、仕事関数が低い導電性物質で構成することができる。第２電極１４５は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金で形成することができる。

【0046】

図１～図３において、第１電極１４１、発光層１４３及び第２電極１４５を含む発光素子１４０は、第２電極１４５を介して光が外部に出力される上部発光方式のディスプレイ装置を基準に説明したものであるが、本出願の実施例が、これに限定されるものではない。

【0047】

第２電極１４５は、表示領域（ＤＡ）と重畳するように複数の画素に共通に形成することができる。また、第２電極１４５は、表示領域（ＤＡ）に重畳するように配置され、非表示領域（ＮＤＡ）の少なくとも一部と重畳するように形成することができる。具体的には、第２電極１４５は、図１に示すように、表示領域（ＤＡ）と重畳しながら非表示領域（ＮＤＡ）の基底配線２００と重畳するように形成することができる。したがって、第２電極１４５は、非表示領域（ＮＤＡ）で基底配線２００と物理的に接触した構造で形成することができる。

【0048】

また、本出願の一例によるディスプレイ装置は、バンク１５０をさらに含むことができる。バンク１５０は、第１電極１４１の少なくとも一部と重畳しながら、有機層１３０上に配置することができる。バンク１５０は、表示領域（ＤＡ）の発光層１４３を囲むように配置することができ、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）の境界に配置することができる。一例によると、バンク１５０は、有機物からなり得る。例えば、バンク１５０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、アクリル（ａｃｒｙｌ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ； ＢＣＢ）系樹脂からなることができるが、これに限定されるものではない。

【0049】

スキャン駆動集積回路１７０は、基板１１０の非表示領域（ＮＤＡ）に設けられる。スキャン駆動集積回路１７０は、ディスプレイ駆動回路部１８０から提供されるスキャン制御信号を表示領域に備えられた画素に提供することができる。

【0050】

ディスプレイ駆動回路部１８０は、基板１１０の非表示領域（ＮＤＡ）に設けられたパッド部に接続して、ディスプレイ駆動システムから供給される映像データに対応する映像を各画素に表示することができる。一例によるディスプレイ駆動回路部１８０は、軟性回路フィルム１８１、データ駆動集積回路１８３、プリント回路基板１８５、およびタイミング制御部１８７を含むことができる。

【0051】

基底配線２００は、表示領域（ＤＡ）に近接した非表示領域（ＮＤＡ）と、少なくとも一部が重畳するように配置することができ、有機層１３０の上部に配置することができる。

【0052】

図１で、基底配線２００は、表示領域（ＤＡ）を基準にＹ方向に一側および他側に位置する非表示領域（ＮＤＡ）に形成するように図示したが、本出願の実施例が、これに限定されるのではない。例えば、ディスプレイ装置の設計条件によって表示領域（ＤＡ）を囲む非表示領域の一側のみに形成することができ、または図１に示したディスプレイ装置で、Ｘ方向に一側および他側に追加で配置することで、ディスプレイ装置の表示領域（ＤＡ）の外側をすべて囲む形態で配置することができる。基底配線２００は、基底電源を供給する配線であり得る。

【0053】

また、発光素子１４０の第２電極１４５は、基底配線２００の少なくとも一部と非表示領域（ＮＤＡ）で接触するように配置することができる。

【0054】

第２電極１４５は、基底配線２００と接触して基底電圧またはグラウンド電圧の供給を受けることができ、基底配線２００と電気的に接触することにより、第２電極１４５に印加される抵抗を下げることができる。

【0055】

基底配線２００は、発光素子１４０の第１電極１４１と同一の物質で形成することができ、同じ工程を経て準備することができる。一例によると、基底配線２００および発光素子１４０の第１電極１４１は、有機層１３０の上部に、同じ工程および同じ物質で形成することができ、後続で予め設定されたパターンで、フォトリソグラフィ工程を介して第１電極１４１および基底配線２００は、区分することができる。

【0056】

例えば、基底配線２００は、銅（Ｃｕ）、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの材質を含むことができる。また、基底配線２００は、単一層または複数層で提供することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。基底配線２００がモリブデン（Ｍｏ）を含む金属物質を含み、製造工程中に発生するストレスが高い物質で形成されたり、基底配線２００が厚い厚さで形成されることが要求される場合、基底配線２００は、基底配線２００の製造工程中に発生するストレスによってクラックが発生し得、ディスプレイ装置の駆動中に発生するストレスまたは外部からの衝撃によってクラックが発生し得る。

【0057】

本出願の一例によると、非表示領域（ＮＤＡ）に配置されたリンク配線３００をさらに含むことができる。リンク配線３００は、ディスプレイ装置の画素を駆動するためのゲートリンク配線およびデータリンク配線のうちの少なくとも一つであり得る。ただし、リンク配線３００は、これに限定されるものではなく、ディスプレイ装置を駆動するために必要な様々なリンク配線中の一つであり得る。

【0058】

一例によると、リンク配線３００は、薄膜トランジスタ（Ｔ）のゲート電極（ＧＥ）と同じ物質および同じ工程で準備することができるが、これらに限定されるものではない。

【0059】

図３に示したように、リンク配線３００は、非表示領域（ＮＤＡ）の少なくとも一部に配置することができる。また、リンク配線３００は、基底配線２００の凹部２１０と並びながら、基底配線２００の凹部２１０と重畳するように配置することができる。

【0060】

図１に示したように、本出願の一例による基底配線２００は、互いに隣接して配置された少なくとも一つの凹部２１０および少なくとも一つの凸部２３０を含むことができる。また、凹部２１０および凸部２３０のそれぞれは、一方向に整列したラインパターンで形成することができる。ここで、一方向は、好ましくＹ方向であり得るが、本出願の実施例が、これに限定されるものではない。

【0061】

また、本出願の基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０は、所定の段差を有するように形成することができる。このような段差により基底配線２００にディスプレイ装置の製造工程中に発生し得る残留応力またはディスプレイ装置の外部で発生し得るストレスが印加される場合、ストレスが分散される構造を提供することで、ディスプレイ装置の信頼性が向上させることができる。

【0062】

図２及び図３に示すように、第２電極１４５が基底配線２００の凸部２３０に対応する位置で接触している場合、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０は、少なくとも一部分Ｔ１の厚さを有するように設定することができる。ここで、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０の厚さＴ１は、表示領域（ＤＡ）の有機層１３０の厚さと実質的に同一の厚さであり得る。第２電極１４５が基底配線２００の凹部２１０に対応する位置で接触している場合、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０は、少なくとも一部分Ｔ２の厚さを有するように設定することができる。ここで、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０のＴ２の厚さは、Ｔ１の厚さの約半分に相当する厚さであり得る。

【0063】

一例によると、基底配線２００は、凹部２１０および凸部２３０によって形成される段差構造を有することにより、表面積が増加し得、凹部２１０および凸部２３０の段差構造を有しない基底配線の構造と比較して、表面積が増加した基底配線２００の構造を提供することができる。これにより、本出願による基底配線２００を含むディスプレイ装置は、発光素子１４０の第２電極１４５の抵抗値を下げることができ、画素内の輝度の均一性を上昇させることができ、ディスプレイ装置の駆動信頼性を向上させることができる。基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０が有する段差及びその詳細な構造は、図４及び図５を参照して、後述することにする。

【0064】

図４は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿って示した断面図であり、図５は、図４のＡ部分を拡大して示したものである。図４及び図５で、非表示領域（ＮＤＡ）の構造を除いては、図１～図３で説明したディスプレイ装置と同様であるので重複する内容の説明は省略することにする。

【0065】

図４及び図５を参照すると、基底配線２００は、凹部２１０および凸部２３０によって形成される所定の段差（ｓｔｅｐ ｈｅｉｇｈｔ、ｈ１）を有することで表面積が増加し得、凹部２１０および凸部２３０の段差構造を有しない基底配線の構造と比較して表面積が増加した基底配線２００の構造を提供することができる。これにより、本出願による基底配線２００を含むディスプレイ装置は、発光素子１４０の第２電極１４５の抵抗値を下げることができ、ディスプレイ装置の駆動信頼性を向上させることができる。

【0066】

ここで、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０は、凹部２１０および凸部２３０が有する段差（ｓｔｅｐ ｈｅｉｇｈｔ、ｈ１）を基準に、次のように定義ことができる。凹部２１０は、段差（ｈ１）の半分の高さ以下に形成された領域として定義することができ、凸部２３０は、段差（ｈ１）の半分の高さ以上に形成された領域として定義することができる。

【0067】

無機層１２０は、少なくとも一つのトレンチ部１２９を含むことができ、トレンチ部１２９は、基底配線２００の凸部２３０と重畳し、基底配線２００の凹部２１０と非重畳するように配置することができる。本出願によるディスプレイ装置は、無機層１２０に形成された少なくとも一つのトレンチ部１２９を介して、無機層１２０を介して伝播されるストレスが緩和され得、ディスプレイ装置の信頼性を向上させることができる。また、トレンチ部１２９は、リンク配線３００と平行に配置することができ、トレンチ部１２９は、リンク配線３００と非重畳する領域に形成することができる。

【0068】

トレンチ部１２９は、所定の深さ（ｄｅｐｔｈ、ｄ１）を有するように形成することができ、トレンチ部１２９の深さ（ｄ１）は、２００ｎｍ～８００ｎｍの範囲を有することができる。一例によると、トレンチ部１２９は、２００ｎｍ～８００ｎｍの深さを有するように設定することができ、好ましくは、約６００ｎｍの深さを有するように設定することができる。トレンチ部１２９の深さ（ｈ１）が２００ｎｍ未満の場合には、無機層１２０を介して伝播されるストレスが分散される効果が低いことがあり得、トレンチ部１２９の深さ（ｄ１）が８００ｎｍを超える場合には、無機層１２０に形成されるトレンチ部１２９の配置密度が制限されることによって、ストレスの分散される効果が低下し得る。ただし、本出願によるトレンチ部１２９の深さが上記の数値範囲に限定されるものではなく、ディスプレイ装置の設計に応じて変更して適用することができる。

【0069】

また、図４及び図５で、トレンチ部１２９が層間絶縁層１２５および保護層１２７の除去を介して形成した例が示されたが、これは図面の限定的な図示によるもので、本出願の実施例は、これに限定されるものではない。したがって、本出願の実施例では、トレンチ部１２９の深さは、ディスプレイ装置で求められる適正な深さに応じてバッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５および保護層１２７のうち選択的に除去して準備することができる。

【0070】

有機層１３０は、前述した無機層１２０のトレンチ部１２９を充填するように配置することができる。また、本出願による有機層１３０は、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０に対応する構造を形成するために、有機層１３０の上部面は有機層凹部１３１および有機層凸部１３３を含むように準備することができる。一例によると、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３は、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０の凹部１３１に対応する部分を除去して準備することができる。

【0071】

一例によると、基底配線２００は、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３の形状に対応する形状を有することができ、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３は、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０が有する同一の段差を有するように準備することができる。また、基底配線２００は、高いステップカバレッジ特性を有する工程で準備することができ、これにより、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３の形状を維持しながら、形成することができる。

【0072】

有機層１３０は、基底配線の凸部２３０と重畳する上部面である第１面１３０ａ、基底配線の凹部２１０と重畳する上部面である第２面１３０ｂ、有機層１３０は、基底配線の凸部２３０と重畳する下部面である第３面１３０ｃ、および基底配線の凹部２１０と重畳する下部面である第４面１３０ｄを定義することができる。

【0073】

第１面１３０ａ及び第３面１３０ｃの距離は、有機層の第１厚さ（ｔ１）として定義することができ、第１厚さ（ｔ１）は、表示領域（ＤＡ）の有機層１３０の厚さとトレンチ部１２９がエッチングされた深さ（ｄ１）の厚さを加えた厚さであり得る。したがって、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０の第１厚さ（ｔ１）は、Ｔ１の厚さとトレンチ部１２９がエッチングされた深さ（ｄ１）の厚さを加えた厚さであり得る。第２面１３０ｂ及び第４面１３０ｄの距離は、有機層の第２厚さ（ｔ２）として定義することができ、第２厚さ（ｔ２）は、第１厚さ（ｔ１）の半分以下の厚さであり得る。ただし、本出願で有機層１３０の第２厚さ（ｔ２）が第１厚さ（ｔ１）の半分以下に制限されるものではない。また、第２厚さ（ｔ２）は、図３での有機層１３０のＴ２の厚さと同じ厚さであり得る。

【0074】

無機層１２０の厚さ（ｔ３、ｔ４）は、次のように定義することができる。ここで、無機層１２０の厚さを定義する際に下部の基準となるのは、凹部２１０と重畳する領域は、リンク配線３００の上部面を基準とし、凸部２３０と重畳する領域は、バッファ層１２１は、ディスプレイ装置の構成によって省略することができることを考慮してバッファ層１２１の上部面を基準とすることにする。

【0075】

無機層１２０の第４厚さ（ｔ４）は、リンク配線３００の上部面から基底配線２００の凹部２１０と重畳する無機層１２０の厚さとして定義することができる。無機層１２０の第３厚さ（ｔ３）は、バッファ層１２１の上部面で基底配線２００の凸部２３０と重畳する無機層１２０の厚さとして定義することができる。このように、第３厚さ（ｔ３）および第４厚さ（ｔ４）を考慮する時は、バッファ層１２１の厚さを除くことにする。

【0076】

本出願では、凹部２１０および凸部２３０を有する基底配線２００の構造において、基底配線２００が凹部２１０および凸部２３０にかけて、同じレベルのキャパシタンスを有するためには、第１厚さ（ｔ１）の有機層１３０と第３厚さ（ｔ３）の無機層１２０によるキャパシタンス値と第２厚さ（ｔ２）の有機層１３０と第４厚さ（ｔ４）の無機層１２０によるキャパシタンス値が同等なレベルでなければならない。有機層凹部１３１に対応する第２厚さ（ｔ２）が、有機層凸部１３３に対応する第１厚さ（ｔ１）と比較して所定の厚さだけ減少して形成される場合、これを補償するために、有機層１３０の下部に位置する無機層１２０の厚さを増加させて基底配線２００が同等レベルの寄生キャパシタンスを有するように設定することができる。

【0077】

例えば、有機層１３０の第１厚さ（ｔ１）が約２ｕｍであれば、有機層１３０の第２厚さ（ｔ２）は約１ｕｍであり得る。このとき、無機層１２０の第４厚さ（ｔ４）は、有機層１３０の第２厚さ（ｔ２）と有機層１３０の第１厚さ（ｔ１）の差を補償する厚さを有することができる。例えば、有機層１３０がフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌａｔｅ）系の樹脂で準備される場合、有機層１３０の誘電率は約３．７Ｆ／ｍであり、無機層１２０が、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で準備される場合、酸化シリコンの誘電率は約４．３Ｆ／ｍである。この場合、無機層１２０の誘電率は、有機層１３０の誘電率に比べて約１．１６倍高いことが分かる。

【0078】

キャパシタンスは、次の式（１）のように計算することができる。
Ｃ＝ε_０ ^＊ε_ｒ ^＊Ａ／ｄ (１)
ここで、ε_０は真空の誘電率であり、ε_ｒは誘電体の誘電率であり、Ａは、誘電体の面積であり、ｄは誘電体の両端間の距離である。

【0079】

式（１）に示すように、ある誘電体のキャパシタンスは誘電率に比例するようになり、距離に反比例することになる。したがって、有機層１３０の所定の厚さが減少すると、式（１）でキャパシタンスの値が増加することになり得る。これにより、基底配線２００の下部に位置する有機層１３０の厚さが減少することになれば、基底配線２００の下部に位置するリンク配線３００を含む金属配線よって影響を受け得る。例えば、基底配線２００の凹部２１０に対応する有機層１３０の厚さが、第２厚さ（ｔ２）が第１厚さ対比１ｕｍ減少した厚さに設定される場合、無機層１２０において、有機層１３０で減少した厚さの約１．１６倍程度に追加確保されるように無機膜の厚さを補償設定することが好ましい。

【0080】

基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０が有する段差（ｈ１）は、次のように説明することができる。例えば、有機層１３０の第１厚さ（ｔ１）が約２ｕｍであれば、有機層１３０の第２厚さ（ｔ２）は約１ｕｍであり得る。このとき、前述した無機層１２０のトレンチ部１２９の深さ（ｄ１）が約６００ｎｍほどの深さで形成される場合、有機層凸部１３３と有機層凹部１３１の段差の差は約４００ｎｍ程度発生し得る。また、有機層１３０の上部に配置される基底配線２００は、有機層凸部１３３および有機層凹部１３１で発生した段差をそのまま維持するように配置することができ、これにより、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０は、約４００ｎｍほどの段差を有するように形成することができる。したがって、このような段差を有する基底配線２００は、段差のない基底配線と比較して表面積が増加した構造を提供することができる。

【0081】

また、一例によると、基底配線２００の下部に位置する有機層１３０の厚さが約１．２～２μｍの範囲に設定される場合、有機層１３０によって形成されるキャパシタンスは、基底配線２００の動作に影響を与えない無視できるレベルであり得る。

【0082】

基底配線２００は、先に図１及び図２で説明したように、凹部２１０および凸部２３０を含むことができ、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０は、有機層１３０で形成された有機層凹部１３１および有機層凸部１３３に沿って形成することができる。

【0083】

ここで、基底配線２００の凹部２１０は、凹部２１０および凸部２３０が有する段差（ｓｔｅｐ ｈｅｉｇｈｔ、ｈ１）を基準に、以下のように定義することができる。基底配線２００の凹部２１０は、段差（ｈ１）の半分の高さ以下に形成された領域として定義することができ、基底配線２００の凸部２３０は、段差（ｈ１）の半分の高さ以上に形成された領域として定義することができる。

【0084】

一例によると、リンク配線３００は、非表示領域（ＮＤＡ）の少なくとも一部に配置することができ、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０のそれぞれと一方向に並ぶように配置することができる。また、リンク配線３００は、凹部２１０と重畳するように配置することができる。

【0085】

また、非表示領域（ＮＤＡ）の基底配線２００と重畳するように配置される第２電極１４５の場合、先に説明した凹部２１０および凸部２３０を含む基底配線２００の形状を維持しながら、形成することができる。したがって、第２電極１４５は、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０によって形成される段差構造を有することにより、表面積が増加して発光素子１４０の第２電極１４５の抵抗値を下げることができ、画素内の輝度の均一性を上昇させることができ、ディスプレイ装置の駆動信頼性を向上させることができる。また、第２電極１４５は、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０によって所定の段差を有するように形成することができる。このような段差により、第２電極１４５は、ディスプレイ装置の残留応力またはディスプレイ装置の外部で発生し得るストレスが印加される場合、ストレスが分散される構造を提供することで、ディスプレイ装置の信頼性を向上することができる。

【0086】

図６は、本出願の一例によるディスプレイ装置の平面図であり、図７は、本出願による表示領域および基底配線を概略的に示したものであり、図８は、図７のＩＶ－ＩＶ’線に沿って示した断面図である。図６～図８のディスプレイ装置は、基底配線の凹部２１０に重畳するように配置された開口部２５０をさらに含むことおよび基底配線の凹部２１０および凸部２３０と関連した構成的特徴を除いては、同一の構成を有するので、重複する内容は省略することとする。また、図に示していないが、図６及び図７に基底配線の凸部２３０をＹ方向に横切る断面構造は、図２の断面構造と同じであり得る。

【0087】

図６～図８を参照すると、本出願の一例によるディスプレイ装置は、凹部２１０と重畳するように形成された開口部２５０をさらに含むことができる。ここで、基底配線２００の開口部２５０は、ホールパターン、トレンチパターンなどと呼ぶことができる。

【0088】

開口部２５０は、基底配線２００の凹部２１０に形成することができ、一定の間隔で離隔して配置することができる。また、開口部２５０は、一方向に、例えば、ＸまたはＹ方向に、伸長した形態であり得る。

【0089】

開口部２５０の形状は、図６及び図７に菱形形状で示しているが、これに限定されるものではなく、円形、楕円形、正方形、長方形、および多角形など、多様な形態で形成することができる。開口部２５０の大きさは、凹部２１０に収容することができる大きさであれば限定されない範囲で設定することができる。

【0090】

図６～図８のディスプレイ装置で基底配線２００は、凹部２１０に対応する開口部２５０をさらに含むとしても、開口部２５０でのみ基底配線２００が切断されたものであり、凹部２１０および凸部２３０が、全体的に１つの構成で連結された構造であり得る。

【0091】

一例によると、基底配線２００の開口部２５０は、ディスプレイ装置または基底配線２００を形成する過程で発生するストレスまたは外部要因によるストレスが基底配線２００または基底配線２００に隣接した領域に印加される場合、このようなストレスを分散させる役割をすることができる。

【0092】

基底配線２００の上部に形成される第２電極１４５は、開口部２５０を充たす形態で備えることができる。

【0093】

一例によると、開口部２５０の導入により、基底配線２００の面積が減少し、基底配線２００の抵抗は増加し得る。したがって、本出願の一例によるディスプレイ装置は、開口部２５０をさらに含む場合、このような抵抗の減少を補償するための補助基底配線２９０をさらに含むことができる。補助基底配線２９０を含むディスプレイ装置に対しては、図１２～図１６を参照して後述することにする。

【0094】

図９は、図７のＶ－Ｖ’線に沿って示した断面図であり、図１０は、図７のＶＩ－ＶＩ’線に沿って示した断面図であり、図１１は図１０のＢ部分を拡大して示した図である。

【0095】

図９～図１１を参照すると、基底配線２００は、凹部２１０および凸部２３０によって形成される複数の段差（ｈ１、ｈ２）を有することで表面積が増加することができ、凹部２１０および凸部２３０の段差構造を有しない基底配線の構造と比較して、表面積が増加した基底配線２００の構造を提供することができる。これにより、本出願による基底配線２００を含むディスプレイ装置は、発光素子１４０の第２電極１４５の抵抗値を下げることができ、ディスプレイ装置の駆動信頼性を向上させることができる。

【0096】

一例によると、基底配線２００の凸部２３０は、複数の階段構造を有することができる。基底配線２００の凸部２３０は、複数の階段構造を有することにより、ディスプレイ装置または基底配線２００を形成する過程で発生するストレスまたは外部要因によるストレスが基底配線２００または基底配線２００に隣接する領域に印加される場合、そのようなストレスをさらに分散させる役割をすることができる。

【0097】

ここで、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０は、凹部２１０および凸部２３０が有する段差（ｓｔｅｐ ｈｅｉｇｈｔ、ｈ１）を基準に、以下のように定義することができる。凹部２１０は、段差（ｈ１）の半分の高さ以下に形成された領域として定義することができ、凸部２３０は、段差（ｈ１）の半分の高さ以上に形成された領域として定義することができる。

【0098】

一例によると、基底配線２００の凸部２３０は、２つの階段構造を含むように形成される場合、基底配線２００の凸部２３０は、有機層の第２面１３０ｂと重畳する凹部２１０の上部面から第１高さ（ｈ１）及び第２高さ（ｈ２）の段差を有する階段構造を含むことができる。また、図９～図１１において、凸部２３０は、二つの階段を有する構造で図示したが、本出願の実施例がこれに限定されるものではなく、複数の階段を有する多段構造を含むことができる。

【0099】

無機層１２０は、少なくとも一つのトレンチ部１２９を含むことができ、トレンチ部１２９は、基底配線２００の凸部２３０と重畳し、基底配線２００の凹部２１０と非重畳するように配置することができる。本出願によるディスプレイ装置は、無機層１２０に形成された少なくとも一つのトレンチ部１２９を介して無機層１２０を介して伝播されるストレスを緩和することができ、ディスプレイ装置の信頼性を向上させることができる。また、トレンチ部１２９は、リンク配線３００と平行に配置することができ、トレンチ部１２９は、リンク配線３００と非重畳する領域に形成することができる。

【0100】

また、無機層１２０のトレンチ部１２９は、先に説明した基底配線２００の凸部２３０に形成された複数の段差（ｈ１、ｈ２）に対応する複数の深さ（ｄ１、ｄ２）を含むことができる。このとき、トレンチ部１２９の第２深さ（ｄ２）および無機層の第６厚さ（ｔ６）は、有機層の第５厚さ（ｔ５）が第１厚さ（ｔ１）に比べ減少したことを補償するために調節することができる。また、図９～図１１において、トレンチ部１２９は、二つの階段を有する構造で示したが、本出願の実施例がこれに限定されるものではなく、複数の階段を有する多段構造を含むことができる。

【0101】

また、図９～図１１でトレンチ部１２９が層間絶縁層１２５および保護層１２７の除去を介して形成した例を示したが、これは図面の限定的な図示によるもので、本出願の実施例はこれに限定されるものではない。したがって、本出願の実施例では、トレンチ部１２９の深さは、ディスプレイ装置で求められる適正な深さによってバッファ層１２１、ゲート絶縁層１２３、層間絶縁層１２５および保護層１２７のうち選択的に除去して準備することができる。

【0102】

有機層１３０は、前述した無機層１２０のトレンチ部１２９を充填するように配置することができる。また、本出願による有機層１３０は、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０に対応する構造を形成するために、有機層１３０の上部面は有機層凹部１３１および有機層凸部１３３を含むように準備することができる。一例によると、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３は、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０の凹部１３１に対応する部分を除去して準備することができる。

【0103】

このとき、有機層凸部１３３は、前述した基底配線２００の凸部２３０に対応する多段構造を有するように準備することができる。

【0104】

一例によると、基底配線２００は、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３の形状に対応する形状を有することができ、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３は、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０が有する同一の段差を有するように準備することができる。また、基底配線２００は、高いステップカバレッジ特性を有する工程で準備することができ、これにより、有機層凹部１３１および有機層凸部１３３の形状を維持しながら、形成することができる。

【0105】

有機層１３０は、基底配線の凸部２３０と重畳する上部面である第１面１３０ａ、基底配線の凹部２１０と重畳する上部面である第２面１３０ｂ、有機層１３０は、基底配線の凸部２３０と重畳する下部面である第３面１３０ｃ、および基底配線の凹部２１０と重畳する下部面である第４面１３０ｄを定義することができる。また、有機層１３０は、凸部２３０に追加で形成された階段と重畳する第５面１３０ｅおよびトレンチ部１２９に追加で形成された階段と重畳する第６面１３０ｆを定義することができる。

【0106】

第１面１３０ａ及び第３面１３０ｃの距離は、有機層の第１厚さ（ｔ１）として定義することができ、第１厚さ（ｔ１）は、表示領域（ＤＡ）の有機層１３０の厚さとトレンチ部１２９がエッチングされた深さ（ｄ１）の厚さを加えた厚さであり得る。したがって、非表示領域（ＮＤＡ）の有機層１３０の第１厚さ（ｔ１）は、Ｔ１の厚さとトレンチ部１２９がエッチングされた深さ（ｄ１）の厚さを加えた厚さであり得る。第２面１３０ｂ及び第４面１３０ｄの距離は、有機層の第２厚さ（ｔ２）として定義することができ、第２厚さ（ｔ２）は、第１厚さ（ｔ１）の半分以下の厚さであり得る。ただし、本出願で有機層１３０の第２厚さ（ｔ２）が第１厚さ（ｔ１）の半分以下に制限されるものではない。また、第２厚さ（ｔ２）は、図３での有機層１３０のＴ２の厚さと同じ厚さであり得る。また、第５面１３０ｅ及び第６面１３０ｆの距離は、第５厚さ（ｔ５）で定義することができる。第５厚さ（ｔ５）は、第２厚さ（ｔ２）より厚く、第１厚さ（ｔ１）よりも薄い厚さであり得る。

【0107】

無機層１２０の厚さ（ｔ３、ｔ４、ｔ６）は、次のように定義することができる。ここで、無機層１２０の厚さを定義する際に、下部の基準が凹部２１０と重畳する領域は、リンク配線３００の上部面を基準にし、凸部２３０と重畳する領域は、バッファ層１２１はディスプレイ装置の構成に応じて省略することができることを考慮してバッファ層１２１の上部面を基準とすることにする。

【0108】

無機層１２０の第４厚さ（ｔ４）は、リンク配線３００の上部面から基底配線２００の凹部２１０と重畳する無機層１２０の厚さとして定義することができる。無機層１２０の第３厚さ（ｔ３）は、バッファ層１２１の上部面から、基底配線２００の凸部２３０及び第１深さ（ｄ１）に形成されたトレンチ部１２９と重畳する無機層１２０の厚さで定義することができる。無機層１２０の第６厚さ（ｔ６）は、バッファ層１２１の上部面から、基底配線２００の凸部２３０及び第２深さ（ｄ２）で形成されたトレンチ部１２９と重畳する無機層１２０の厚さで定義することができる。このように、第３厚さ（ｔ３）および第６厚さ（ｔ６）を考慮する際にバッファ層１２１の厚さを除くことにする。

【0109】

無機層１２０の厚さ（ｔ３、ｔ４、ｔ６）は、有機層１３０の厚さが第１厚さ（ｔ１）を基準に、第２厚さ（ｔ２）または第５厚さ（ｔ５）に減少する場合、これに対応するように無機層の厚さを第４厚さ（ｔ４）または第６厚さ（ｔ６）に増加させて補償することができる。これにより、本出願では、基底配線２００が有するキャパシタンスは実質的に同等のレベルに維持することができる。

【0110】

基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０が有する段差（ｈ１、ｈ２）は、次のように説明することができる。例えば、有機層１３０の第１厚さ（ｔ１）が約２ｕｍであれば、有機層１３０の第２厚さ（ｔ２）は約１ｕｍであり得る。また、先に説明した無機層１２０のトレンチ部１２９の深さ（ｄ１）が約６００ｎｍ程度の深さで形成される場合、有機層凸部１３３および有機層凹部１３１の段差の差は、約４００ｎｍだけ発生することができる。また、有機層１３０の上部に配置される基底配線２００は、有機層凸部１３３および有機層凹部１３１で発生した段差をそのまま維持するように配置することができ、これにより、基底配線２００の凹部２１０および凸部２３０は、約４００ｎｍ程度の段差を有するように形成することができる。したがって、このような段差を有する基底配線２００は、段差のない基底配線と比較して表面積が増加した構造を提供することができる。

【0111】

このとき、トレンチ部１２９の第２深さ（ｄ２）は、第１深さ（ｄ１）の以下の範囲で制約なしに設定することができ、凸部２３０が有する第２段差（ｈ２）は、第１段差（ｈ１）以下の範囲で制約なしに設定することができる。

【0112】

図１２は、本出願の一例によるディスプレイ装置の平面図であり、図１３は、本出願による表示領域および基底配線を概略的に示したものである。図１４は、図１３のＶＩＩ－ＶＩＩ’線に沿って示した断面図であり、図１５は、図１３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’線に沿って示した断面図である。図１６は、図１３のＩＸ－ＩＸ’線に沿って示した断面図である。

【0113】

図１２～図１６は、本出願によるディスプレイ装置は、補助基底配線２９０、および基底配線２００および補助基底配線２９０を電気的に接続させるためのコンタクトホール（ＣＨ）をさらに含むことができる。

【0114】

凹部２１０に開口部２５０を導入する場合、基底配線２００の面積が減少し、基底配線２００の抵抗が増加し得る。図１２～図１６のディスプレイ装置は、このような基底配線２００の抵抗の増加を補償するための補助基底配線２９０をさらに含むことができる。

【0115】

一例によると、補助基底配線２９０は、無機層１２０に形成されたトレンチ部１２９に収容されるように配置することができる。また、基底配線２００の凸部２３０および補助基底配線２９０を接続するためのコンタクトホール（ＣＨ）をさらに含むことができる。

【0116】

補助基底配線２９０は、無機層１２０のトレンチ部１２９に収容されるように配置することができる。ここで、補助基底配線２９０は、補助金属層、補助電極などと呼ぶことができる。

【0117】

コンタクトホール（ＣＨ）は、凸部２３０の少なくとも一部に配置することができ、コンタクトホール（ＣＨ）は、基底配線２００の凹部２１０および補助基底配線２９０を電気的に接続するための経路を提供することができる。コンタクトホール（ＣＨ）は、凸部２３０の少なくとも一部分に形成することができ、有機層１３０を除去し、無機層１２０の少なくとも一部を除去して形成することができる。

【0118】

図１４に示したように、本出願の一例によるディスプレイ装置は、凹部２１０と重畳するように形成された開口部２５０をさらに含むことができる。ここで、基底配線２００の開口部２５０は、ホールパターン、トレンチパターンなどと呼ぶことができる。開口部２５０は、基底配線２００の凹部２１０に形成することができ、一定の間隔で離隔して配置することができる。開口部２５０の形状は、図１２及び図１３に菱形形状に図示したが、これに限定されるものではなく円形、楕円形、正方形、および多角形など、多様な形態で形成することができる。開口部２５０の大きさは、凹部２１０に収容することができる大きさであれば限定されない範囲で設定することができる。

【0119】

一例によると、基底配線２００の開口部２５０は、ディスプレイ装置または基底配線２００を形成する過程で発生するストレスまたは外部要因によるストレスが基底配線２００または基底配線２００に隣接する領域に印加される場合、このようなストレスを分散させる役割をすることができる。ただし、このような開口部２５０は、基底配線２００の面積を減少させることによって、基底配線２００の抵抗を増加させ得る。

【0120】

図１５及び図１６に示したように、基底配線２００は、凸部２３０でコンタクトホール（ＣＨ）を介してトレンチ部１２９に収容されるように形成された補助基底配線２９０と電気的に接続した構造を提供することにより、開口部２５０の導入により上昇した抵抗を補償することができる。また、コンタクトホール（ＣＨ）の形成によって、コンタクトホール（ＣＨ）の内部に増加した面積で基底配線２００が形成されることにより、開口部２５０の導入により上昇した抵抗を追加的に補償することができる。

【0121】

一例によると、補助基底配線２９０は、基板１１０の上部に配置されたリンク配線３００と非重畳するように配置することが好ましく、このような構造を介して補助基底配線２９０およびリンク配線３００の干渉を最小限に抑えることができる。

【0122】

本出願の一例によるディスプレイ装置は、以下のように説明することができる。

【0123】

本出願の一例によるディスプレイ装置は、表示領域と非表示領域を含む基板、基板の上部に形成された無機層、無機層の上部に形成された有機層、基板の表示領域に形成され、第１電極、発光層および第２電極を含む発光素子、および有機層の上部に形成され、非表示領域の少なくとも一部に形成される基底配線を含み、基底配線及び第２電極は、互いに電気的に接続し、基底配線は、互いに近隣して配置された少なくとも一つの凹部および少なくとも一つの凸部を含む。

【0124】

本出願のいくつかの例によると、無機層は、非表示領域に形成された少なくとも一つのトレンチ部を含むことができる。

【0125】

本出願のいくつかの例によると、トレンチ部は凸部と重畳することができる。

【0126】

本出願のいくつかの例によると、有機層は、凸部と重畳する有機層凸部、および凹部と重畳する有機層凹部を含むことができる。

【0127】

本出願のいくつかの例によると、有機層は、凸部に対応する第１厚さ、および凹部に対応する第２厚さを有し、第１厚さは、第２厚さよりも厚いことができる。

【0128】

本出願のいくつかの例によると、無機層は、凸部に対応する第３厚さ、および凹部に対応する第４厚さを有し、第４厚さは、第３厚さよりも厚いことができる。

【0129】

本出願のいくつかの例によると、無機層の第４厚さは、有機層の第１厚さおよび第２厚さの差を補償するように設定することができる。

【0130】

本出願のいくつかの例によると、第１基板上に形成されたリンク配線をさらに含み、リンク配線は、凸部と非重畳するように配置することができる。

【0131】

本出願のいくつかの例によると、凹部および凸部の第１高さ（ｈ１）の段差を有するように形成され、第１高さは３００ｎｍ～９００ｎｍであり得る。

【0132】

本出願のいくつかの例によると、凹部と少なくとも一部分重畳するように形成される開口部をさらに含み、開口部は、基底配線の一面および他面を貫通させることができる。

【0133】

本出願のいくつかの例によると、凸部は凹部に対して複数の高さの段差を有することができる。

【0134】

本出願のいくつかの例によると、トレンチ部は無機層の上面に対して複数の深さの段差を有することができる。

【0135】

本出願のいくつかの例によると、トレンチ部に収容される補助基底配線をさらに含むことができる。

【0136】

本出願のいくつかの例によると、保護層は、補助基底配線の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを含み、基底配線はコンタクトホールの少なくとも一部を埋めるように具備することができる。

【0137】

上述した本出願の例で説明した特徴、構造、効果などは、本出願の少なくとも一つの例に含まれており、必ずしも一つの例のみに限定されるものではない。さらに、本出願の少なくとも一つの例で例示された特徴、構造、効果などは、本出願が属する分野の通常の知識を有する者によって他の例にも組み合わせ、または変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に係る内容は、本出願の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

【0138】

以上で説明した本出願は、前述した実施例及び添付した図面に限定されるものではなく、本出願の技術的事項を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることは、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本出願の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本出願の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

【符号の説明】

【0139】

１１０：基板
ＤＡ：表示領域
ＮＤＡ：非表示領域
１２０：無機層
１２１：バッファ層
１２３：ゲート絶縁層
１２５：層間絶縁層
１２７：保護層
１２９：トレンチ部
１３０：有機層
１３１：有機層凹部
１３３：有機層凸部
１４０：発光素子
１５０：バンク
１７０：ゲート駆動部
１８０：ディスプレイ駆動部
２００：基底配線
２１０：凹部
２３０：凸部
２５０：開口部
２９０：補助基底配線
３００：リンク配線
ＣＨ：コンタクトホール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】