特許 7223672 多層配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-02-08

(45)【発行日】2023-02-16

(54)【発明の名称】多層配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230209BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 L

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2019202914

(22)【出願日】2019-11-08

(65)【公開番号】P2021077758

(43)【公開日】2021-05-20

【審査請求日】2021-06-24

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(74)【代理人】

【識別番号】100157277

【弁理士】

【氏名又は名称】板倉 幸恵

(74)【代理人】

【識別番号】100182718

【弁理士】

【氏名又は名称】木崎 誠司

(72)【発明者】

【氏名】橋本 博仁

(72)【発明者】

【氏名】奈須 孝有

(72)【発明者】

【氏名】白木 文男

(72)【発明者】

【氏名】金 光柱

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１８１９９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２３７２３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１２７５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６１－８０８９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１３０２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３７４０６７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

多層配線基板であって、
熱硬化性樹脂で形成された複数の層を積層してなり、各前記層の間に前記層と接触した状態で形成された配線層を有する第１の配線基板と、
セラミックからなる第２の配線基板と、
前記第１の配線基板の裏面と前記第２の配線基板の表面との間に配置され、前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とを接合する接合層と、
を備え、
前記接合層のうち、少なくとも前記第２の配線基板に隣接する面は、熱可塑性樹脂によって形成されていることを特徴とする、多層配線基板。

【請求項2】

請求項１に記載の多層配線基板であって、
前記第１の配線基板及び前記第２の配線基板は、それぞれ表面及び裏面に接続端子が形成され、
前記第１の配線基板の裏面の接続端子と、前記第２の配線基板の表面の接続端子とは、前記接合層を貫通するように形成された導電部材を介して電気的に接続され、
前記接合層は、
熱硬化性樹脂によって形成された基材と、
前記基材の両面に配置されて、前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とを接合する接合材であって、熱可塑性樹脂によって形成された接合材と、
を有することを特徴とする、多層配線基板。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の多層配線基板であって、
前記第１の配線基板と前記接合層と前記第２の配線基板との積層方向において、前記第１の配線基板のうちの１つの前記層の厚さは、前記接合層の厚さよりも薄いことを特徴とする、多層配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、多層配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

複数の樹脂層が積層された樹脂基板と、接続端子を有するセラミック基板とが一括で積層された多層配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された多層配線基板では、複数の樹脂層のそれぞれが個別に作製された後に、樹脂基板とセラミック基板とが一括で積層されている。特許文献２に記載された配線基板は、セラミック基板の表面と配線層の裏面とを接合する接合層を備えている。この接合層は、熱硬化性樹脂からなるコア層と、コア層よりも弾性率が小さい熱硬化性樹脂からなる接着層とを有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－３７９２９号公報

【文献】国際公開２０１３／０３１８２２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

多層配線基板に用いられるセラミックの製造工数は、他の部品の製造工数と比べて多い。このため、多層配線基板全体の製造工数が多くなり、多層配線基板の製造にかかる時間が長くなる場合がある。特許文献１および特許文献２には、多層配線基板における各層の製造方法に開示されているものの、多層配線基板およびセラミックの製造工数について何ら考慮されていない。多層配線基板の製造工数を少なくするために、製造工数が多いセラミックを再利用したいという要望があった。

【0005】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、再利用が可能な多層配線基板に用いられるセラミックの基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

【0007】

（１）本発明の一形態によれば、多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、熱硬化性樹脂で形成された複数の層を積層してなり、各前記層の間に前記層と接触した状態で形成された配線層を有する第１の配線基板と、セラミックからなる第２の配線基板と、前記第１の配線基板の裏面と前記第２の配線基板の表面との間に配置され、前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とを接合する接合層と、を備え、前記接合層のうち、少なくとも前記第２の配線基板に隣接する面は、熱可塑性樹脂によって形成されている。

【0008】

この構成によれば、第１の配線基板の裏面と、第２の配線基板の表面とを接合する接合層のうち、第２の配線基板の表面に隣接する面は、熱可塑性樹脂によって形成されている。そのため、第１の配線基板と第２の配線基板とが接合された後であっても、多層配線基板に熱が加えられることによって熱可塑性樹脂が変化し、第１の配線基板と第２の配線基板との接合が解除される。一方で、熱硬化性樹脂によって接合されている第１の配線基板における各層間の接合は解除されない。この結果、第１の配線基板と第２の配線基板とを容易に取り外すことができ、第１の配線基板及び第２の配線基板の再利用が可能になる。これにより、製造工数の多い第２の配線基板を再利用することにより、多層配線基板の製造工数を少なくできる。また、多くの多層配線基板に適用可能なセラミックが予め作製されることによって、多層配線基板の製造工数が少なくなる。

【0009】

（２）上記態様の多層配線基板において、前記第１の配線基板及び前記第２の配線基板は、それぞれ表面及び裏面に接続端子が形成され、前記第１の配線基板の裏面の接続端子と、前記第２の配線基板の表面の接続端子とは、前記接合層を貫通するように形成された導電部材を介して電気的に接続され、前記接合層は、熱硬化性樹脂によって形成された基材と、前記基材の両面に配置されて、前記第１の配線基板と前記第２の配線基板とを接合する接合材であって、熱可塑性樹脂によって形成された接合材と、を有していてもよい。
この構成によれば、接合層は、両面に熱可塑性樹脂によって形成された接合材と、両面の接合材に挟まれる基材とを有している。基材は、熱硬化性樹脂によって形成されているため、第１配線層と第２配線層とを接合するときの熱が接合層に加わっても、変形しにくい。そのため、第１の配線基板と第２の配線基板とは、接合材によって接合を解除できる状態で接合された上で、変形しにくい基材３１によって電気的に安定して接続される。

【0010】

（３）上記態様の多層配線基板において、前記第１の配線基板と前記接合層と前記第２の配線基板との積層方向において、前記第１の配線基板のうちの１つの前記層の厚さは、前記接合層の厚さよりも薄くてもよい。
この構成によれば、第１の配線基板に含まれる各層の積層方向に沿う厚さが、接合層の厚さよりも小さい。すなわち、本構成では、第１の配線基板の厚さを薄くできる。これにより、第１の配線基板を構成する配線層の層数を増やすことができ、配線層が構成する回路の細線化を実行できる。

【0011】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板、多層配線基板、半導体用配線基板、およびこれらを備える部品、配線基板または多層配線基板の製造方法等の形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の実施形態としての多層配線基板の概略断面図である。

【図2】第１の配線基板の断面の説明図である。

【図3】第１の配線基板と第２の配線基板とを接合する前の接合層の概略断面図である。

【図4】多層配線基板の製造方法のフローチャートである。

【図5】接合層の製造方法の説明図である。

【図6】接合層の製造方法の説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

＜実施形態＞
図１は、本発明の実施形態としての多層配線基板１００の概略断面図である。本実施形態の多層配線基板１００は、半導体検査に使用されるプローブカードとして用いられる。プローブカードは、シリコンウェハーに形成された複数の電子部品の電気時特性を検査するための器具である。図１には、多層配線基板１００を形成する各層の積層方向に沿う断面の概略が示されている。

【0014】

図１に示されるように、多層配線基板１００は、熱硬化性樹脂で形成された複数の樹脂層が積層された第１の配線基板１０と、セラミックで形成された第２の配線基板２０と、第１の配線基板１０の裏面と第２の配線基板２０の表面との間に配置された接合層３０と、を備えている。なお、図１では、第１の配線基板１０の詳細についての図示を省略し、第１の配線基板１０の詳細については図２と合わせて説明する。

【0015】

図１に示されるように、第２の配線基板２０は、セラミックで形成された３つのセラミック層Ｃ２１～Ｃ２３が積層された基板である。本実施形態では、３つのセラミック層Ｃ２１～Ｃ２３のそれぞれは、酸化アルミニウムで形成され、同じ厚さを有する基板である。セラミック層Ｃ２１の表面には、接続端子２３が形成されている。セラミック層Ｃ２２，Ｃ２３のそれぞれの表面には、所定パターンの配線層２１，２２が形成されている。また、セラミック層Ｃ２３の裏面には、接続端子２４が形成されている。すなわち、第２の配線基板２０の表面及び裏面に接続端子２３，２４が形成されている。

【0016】

セラミック層Ｃ２１には、表面に形成された接続端子２３と配線層２１とを電気的に接続するビア導体Ｖ２１が形成されている。同じように、セラミック層Ｃ２２には、配線層２１と配線層２２とを電気的に接続するビア導体Ｖ２２が形成されている。セラミック層Ｃ２３には、配線層２２と、裏面に形成された接続端子２４とを接続するビア導体Ｖ２３が形成されている。各ビア導体Ｖ２１～Ｖ２３は、Ｗ（タングステン）によって形成されている。ビア導体Ｖ２１～Ｖ２３によって、第２の配線基板２０の表面に形成された接続端子２３と、裏面に形成された接続端子２４とが電気的に接続される。

【0017】

図２は、第１の配線基板１０の断面の説明図である。図２には、配線基板１０の断面を、積層方向のみに拡大した概略図が示されている。図２に示されるように、本実施形態の第１の配線基板１０は、熱硬化性樹脂であるポリイミドで形成された複数の樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３が積層された基板である。各樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３の間には、各樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３と接触した状態で形成された所定パターンの配線層１２，１３が形成されている。また、樹脂層Ｊ１１の表面には、接続端子１１が形成され、樹脂層Ｊ１３の裏面には、接続端子１４が形成されている。すなわち、第１の配線基板１０の表面及び裏面には接続端子１１，１４が形成されている。接続端子１１は、樹脂層Ｊ１１の表面から順番に、Ｃｕ（銅）層１１ｃ，Ｎｉ（ニッケル）層１１ｎ，Ａｕ（金）層１１ａが積層された端子である。配線層１２，１３及び接続端子１４は、Ｃｕ－Ｔｉによって形成されている。

【0018】

樹脂層Ｊ１１には、接続端子１１と配線層１２とを電気的に接続するビア導体Ｖ１１が形成されている。同じように、樹脂層Ｊ１２には、配線層１２と配線層１３とを電気的に接続するビア導体Ｖ１２が形成されている。樹脂層Ｊ１３には、配線層１３と接続端子１４とを電気的に接続するビア導体Ｖ１３が形成されている。各ビア導体Ｖ１１～Ｖ１３は、Ｃｕ－Ｔｉによって形成されている。ビア導体Ｖ１１～Ｖ１３によって、第１の配線基板１０の表面に形成された接続端子１１と、裏面に形成された接続端子１４とが電気的に接続される。

【0019】

本実施形態の第１の配線基板１０は、各樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３が別々に用意された後に一括積層されて製造されるのではなく、樹脂層Ｊ１３に対して、配線層１３，樹脂層Ｊ１２，配線層１２，樹脂層Ｊ１１，配線層１１の順に形成されるビルドアップ工法によって製造されている。そのため、本実施形態の各樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３の積層方向に沿う厚さｔ１１～ｔ１３は、各樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３が別々に用意された場合の厚さよりも薄い。

【0020】

図３は、第１の配線基板１０と第２の配線基板２０とを接合する前の接合層３０の概略断面図である。図３には、接合層３０の一部を拡大した断面図が示されている。図３に示されるように、接合層３０は、熱硬化性樹脂であるポリイミドによって形成された基材３１と、基材３１の両面に配置された接合材３２，３３と、導電部材３４とを備えている。接合材３２，３３は、基材３１と異なる、熱可塑性樹脂のポリイミドによって形成されている。

【0021】

本実施形態では、熱可塑性樹脂のポリイミドと、熱硬化性樹脂のポリイミドとは、ガラス転移点によって区別している。具体的には、ガラス転移点が３００℃以上の樹脂を熱硬化性樹脂として定義し、ガラス転移点が３００℃未満の樹脂を熱可塑性樹脂として定義している。ガラス転移点は、例えば、ＴＭＡ法（Thermo Mechanical Analysis）などによって特定できる。本実施形態における熱可塑性樹脂のポリイミドのガラス転移点は、２４０℃であり、熱硬化性樹脂のポリイミドのガラス転移点は、４２０℃である。

【0022】

基材３１の積層方向に沿う厚さｔ３１は、１０～１００μｍのものを用いる。本実施例では、３０μｍである。また、接合材３２，３３の積層方向に沿うそれぞれの厚さｔ３２，ｔ３３は、１５μｍ以下のものを用いることができる。本実施例では、厚さｔ３２，ｔ３３は、同じであり、３μｍである。本実施形態では、基材３１および接合材３２，３３の合計である接合層３０の厚さ（ｔ３１＋ｔ３２＋ｔ３３）は、第１の配線基板１０の１つの層（例えばＪ１１）よりも厚い。換言すると、第１の配線基板１０の各層の積層方向に沿う厚さ（例えばｔ１１）は、接合層３０の厚さよりも薄く形成されている。

【0023】

導電部材３４は、Ａｇによって形成されている。導電部材３４は、接合層３０（基材３１および接合材３２，３３）を貫通するように形成されている。図３に示されるように、導電部材３４は、厚さ方向に沿って接合材３２，３３よりも表面及び裏面に飛び出している。図１に示されるように、接合層３０に形成される導電部材３４は、第１の配線基板１０の裏面に形成された接続端子１４と、第２の配線基板２０の表面に形成された接続端子２３とを接続するそれぞれの位置に形成されている。すなわち、導電部材３４は、第１の配線基板１０の裏面の接続端子１４と、第２の配線基板２０の表面の接続端子２３とを電気的に接続する。

【0024】

図４は、多層配線基板１００の製造方法のフローチャートである。多層配線基板１００の製造方法では、初めに、多層配線基板１００を構成する各サンプルの第１の配線基板１０、第２の配線基板２０、および接合層３０を準備する（ステップＳ１）。その後、接合層３０の導電部材３４が、第１の配線基板１０の接続端子１４と、第２の配線基板２０の接続端子２３とを接続する位置に配置された状態で、一括で積層され（ステップＳ２）、多層配線基板１００が製造される。一括で積層される際に、接合層３０に熱が加えられる。これにより、接合層３０の熱可塑性樹脂である接合材３２，３３が変化し、第１の配線基板１０と接合層３０とを接合し、かつ、接合層３０と第２の配線基板２０とを接合する。その結果、第１の配線基板１０と第２の配線基板２０とは、接合層３０を介して接合される。

【0025】

図５および図６は、接合層３０の製造方法の説明図である。図５には、接合層３０の製造方法のフローチャートが示されている。図６には、フローチャートに沿って変化する接合層３０の断面の一部が、図５に示される各ステップに合わせて示されている。接合層３０の製造方法では、初めに、基材３１の両面に接合材３２，３３が形成された接合層３０のシートが所定の大きさに切断される（ステップＳ１１）。切断後の接合層３０に対して枠貼りが行われる（ステップＳ１２）。

【0026】

接合層３０に対して、レーザパンチによって、厚さ方向に貫通する貫通孔ＨＬが形成される（ステップＳ１３）。形成された貫通孔ＨＬは、導電部材３４の元となるＡｇによって穴埋めされ（ステップＳ１４）、接合層３０の製造方法が終了する。

【0027】

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板１００は、配線層１２，１３を有する第１の配線基板１０裏面と、セラミックからなる第２の配線基板２０の表面との間に、第１の配線基板１０と第２の配線基板２０とを接合する接合層３０を備えている。接合層３０の内、第２の配線基板２０に隣接する面は、熱可塑性樹脂の接合材３３で形成されている。すなわち、第１の配線基板１０と第２の配線基板２０とは、接合材３３を形成している熱可塑性樹脂によって接合されている。そのため、多層配線基板１００に熱が加えられると、熱可塑性樹脂が変化し、第１の配線基板１０と第２の配線基板２０との接合が解除される。一方で、第１の配線基板１０は、熱硬化性樹脂で形成された複数の層から形成されているため、熱を加えられても各層間の接合は解除されない。この結果、完成した多層配線基板１００を第１の配線基板１０と第２の配線基板２０とに取り外すことができ、第１の配線基板１０及び第２の配線基板２０の再利用が可能になる。これにより、製造工数の多い第２の配線基板２０を再利用することで、多層配線基板１００の製造工数を少なくできる。また、多くの多層配線基板１００に利用可能な共通のセラミックが予め作製されることによって、多層配線基板１００の製造工数が少なくなる。

【0028】

また、本実施形態の接合層３０は、図３に示されるように、熱硬化性樹脂によって形成された基材３１と、基材３１の両面に配置された熱可塑性樹脂の接合材３２，３３とを備えている。さらに、接合層３０には、積層方向に貫通する導電部材３４が形成されている。導電部材３４は、第１の配線基板１０の裏面の接続端子１４と、第２の配線基板２０の表面の接続端子２３とを電気的に接続している。基材３１は、熱硬化性樹脂によって形成されているため、熱可塑性樹脂で形成された接合材３２，３３よりも変形しにくい。そのため、第１の配線基板１０と第２の配線基板２０とは、接合材３２，３３によって接合を解除できる状態で接合された上で、変形しにくい基材３１によって電気的に安定して接続される。

【0029】

また、本実施形態の第１の配線基板１０における１つの層（例えば樹脂層Ｊ１１）の積層方向に沿う厚さは、接合層３０の厚さよりも薄い。そのため、第１の配線基板１０全体の厚さを薄くできる。これにより、第１の配線基板１０を構成する配線層の層数を増やすことができ、配線層が構成する回路の細線化を実行できる。

【0030】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0031】

［変形例１］
上記実施形態では、多層配線基板１００を構成する第１の配線基板１０、第２の配線基板２０、および接合層３０の一例について説明したが、多層配線基板１００の各構成および各形状については、種々変形可能である。上記実施形態の第１の配線基板１０は、図２に示されるように、３つの樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３の積層体であったが、各層の積層数は２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。各層の積層方向に沿う厚さ（例えば、ｔ１１）は、接合層３０の厚さよりも薄くなくてもよい。各層は、接合層３０よりも薄い層と厚い層とが混合されていてもよい。上記実施形態の樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３は、熱硬化性樹脂のポリイミドで形成されていたが、その他の熱硬化性樹脂で形成されていてもよい。

【0032】

接続端子１１，１４および配線層１２，１３の所定パターンについては、変形可能である。第１の配線基板１０の表面に形成された接続端子１１は、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕの３つの金属が積層された端子であったが、１種類の金属で形成されていてもよく、または他の金属（例えば、Ａｇなど）で形成されていてもよい。接続端子１４は、省略可能であり、例えば、樹脂層Ｊ１３内のビア導体Ｖ１３と、接合層３０を貫通する導電部材３４とが直接接続されていてもよい。各樹脂層Ｊ１１～Ｊ１３を貫通する各ビア導体Ｖ１１～１３は、Ｃｕ，Ｔｉ（チタン）以外の導電性材料で形成されていてもよく、例えば、Ａｇなどで形成されていてもよい。

【0033】

上記実施形態の第２の配線基板２０は、図１に示されるように、セラミックからなる３つのセラミック層Ｃ２１～Ｃ２３の積層体であったが、４つ以上の層の積層体であってもよいし、例えば、セラミック層Ｃ２１のみの単層で形成されていてもよい。セラミック層Ｃ２１～Ｃ２３を形成する材質は、酸化アルミニウム以外のセラミックとして、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ガラス－セラミック、ムライト、ＢＮであってもよい。また、各層が異なるセラミックによって形成されていてもよい。各セラミック層Ｃ２１～Ｃ２３の積層方向に沿う厚さは、同じでなくてもよく、異なっていてもよい。配線層２１，２３及び接続端子２３，２４の所定パターンは、変形可能である。各セラミック層Ｃ２１～Ｃ２３を貫通する各ビア導体Ｖ２１～２３は、Ｗ以外の導電性材料、例えば、Ｍｏ（モリブデン），ＭｏとＷとを混ぜた材料、Ｃｕで形成されていてもよい。

【0034】

上記実施形態の接合層３０は、基材３１を母材として両面に、熱可塑性樹脂の接合材３２，３３が形成された層であったが、接合層３０の構成については種々変形可能である。例えば、接合層３０のうち、少なくとも第２の配線基板２０に隣接する裏面の接合材３３のみが熱可塑性樹脂によって形成され、表面の接合材３２が存在しなくてもよい。また、接合層３０全体が熱可塑性樹脂によって形成されており、接合層３０が熱硬化性樹脂を含まなくてもよい。上記実施形態における基材３１及び接合材３２，３３の各厚さｔ３１～ｔ３３については、一例であり、その他の寸法であってもよい。導電部材３４は、Ａｇ以外の材料で形成されていてもよく、例えば、Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ（タンタル）などで形成されていてもよい。

【0035】

接合層３０に用いられる熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合合成樹脂（ＡＢＳ）、ナイロン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド（ＰＡ）ナイロン、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶性ポリマー（ＬＣＰ）、ポリフタールアミド（ＰＰＡ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、およびポリアミドイミド（ＰＡＩ）などが挙げられる。

【0036】

接合層３０の基材３１に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素、メラミン、不飽和ポリエステル、ポリウレタン、ジアリルフタレート、シリコーン、およびアルキッドなどが挙げられる。

【0037】

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0038】

１０…第１の配線基板
１１，１４…接続端子
１１ａ…Ａｕ層
１１ｃ…Ｃｕ層
１１ｎ…Ｎｉ層
１２，１３…配線層
２０…第２の配線基板
２１，２２…配線層
２３，２４…接続端子
３０…接合層
３１…基材
３２，３３…接合材
３４…導電部材
１００…多層配線基板
Ｃ２１～Ｃ２３…セラミック層
ＨＬ…貫通孔
Ｊ１１，Ｊ１２，Ｊ１３…樹脂層
Ｖ１１～Ｖ１３…ビア導体
Ｖ２１～Ｖ２３…ビア導体
ｔ１１～ｔ１３，ｔ３１～ｔ３３…厚さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】