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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-02-13
(45)【発行日】2023-02-21
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230214BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 643A
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2021136013
(22)【出願日】2021-08-24
(65)【公開番号】P2022068831
(43)【公開日】2022-05-10
【審査請求日】2021-08-24
(31)【優先権主張番号】10-2020-0137239
(32)【優先日】2020-10-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】598123150
【氏名又は名称】セメス株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ソン，ドン ヒ
(72)【発明者】
【氏名】カク，キ ヨン
【審査官】河合 俊英
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－０８０３１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１９９９１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－２００２４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０２３０４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０６９３４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２２０９５６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を支持して回転可能なユニットと、前記基板の中心領域に第１リンス液を吐出する第１ノズルと、
前記基板のミドル領域に、第２リンス液を吐出する第２ノズルを含み、
支持ユニット上に前記基板を位置させた後前記基板を目標速度まで回転させる加速区間で、前記基板の回転開始タイミングと同時に前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記基板の中心領域に吐出して前記基板の中心領域およびミドル領域が前記第１リンス液によってウェッティングされ、前記基板のエッジ領域は前記第１リンス液によってウェッティングされず、
前記加速区間にすぐに続く定速区間で、前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記基板の中心領域に吐出し、前記第２ノズルが前記第２リンス液を前記基板のミドル領域に吐出する、基板処理装置。
【請求項2】
前記加速区間の前区間で、前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記基板の中心領域に吐出し、前記第２ノズルは前記第２リンス液を吐出せず、前記加速区間の後区間で、前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記基板の中心領域に吐出し、前記第２ノズルが前記第２リンス液を前記基板のミドル領域に吐出する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記支持ユニットの中心領域と水平方向および垂直方向に重ならないように固定設置される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記定速区間の間、前記第１ノズルの噴射量は前記第２ノズルの噴射量より大きい、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
基板を支持して回転可能なユニットと、
第１待期位置で待期し、第１供給位置に移動して前記基板に第１薬液を吐出する第１移動ノズルと、
第２待期位置で待期し、第２供給位置に移動して前記基板に第２薬液を吐出する第２移動ノズルと、
前記基板の第１領域にリンス液を吐出する第１固定ノズルと、
前記基板の前記第１領域と異なる領域に、第２リンス液を吐出する第２固定ノズルを含み、
前記第１移動ノズルが前記第１供給位置で前記第１薬液を吐出した後前記第１待期位置に復帰する間に、前記第１固定ノズルおよび前記第２固定ノズルは前記基板にリンス液を吐出し、前記基板の回転開始タイミングと同時に前記第１固定ノズルがリンス液を先に吐出し始めて前記第２固定ノズルが時間差を置いてリンス液を吐出し始める、基板処理装置。
【請求項6】
前記第２移動ノズルが前記第２待期位置で前記第２供給位置に移動する間に、前記第１固定ノズルおよび前記第２固定ノズルは前記基板にリンス液を吐出し、前記第１固定ノズルがリンス液を先に吐出し始めて前記第２固定ノズルが時間差を置いてリンス液を吐出し始める、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１移動ノズルが前記第１待期位置に復帰することと、前記第２移動ノズルが前記第２供給位置に移動することは同時に行われる、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
第２領域は前記第１領域より前記基板のエッジ領域に近く位置する、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第１固定ノズルおよび前記第２固定ノズルは、支持ユニットの中心領域と水平方向および垂直方向に重ならないように固定設置される、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項10】
支持ユニット上に前記基板を位置させた後、前記基板を目標速度まで回転させる加速区間で、前記第１固定ノズルは前記基板にリンス液を吐出し、前記第２固定ノズルはリンス液を吐出しない、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記加速区間にすぐに続く定速区間で、前記第１固定ノズルおよび前記第２固定ノズルはリンス液を吐出する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記定速区間の間、前記第１固定ノズルの噴射量は前記第２固定ノズルの噴射量より大きい、請求項１１に記載の基板処理装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置またはディスプレイ装置を製造する際には、写真、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着など多様な工程が実施される。それぞれの工程には多様な処理液が使用され、工程進行中には汚染物およびパーティクルが生成される。これを解決するためにそれぞれの工程前後には汚染物およびパーティクルを洗浄処理するための洗浄工程が行われる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
洗浄工程の際、基板を回転させながら基板上にリンス液を吐出する。基板の中心と距離が遠い領域（例えば、エッジ領域）では回転力が強く、リンス液の厚さが薄くなる。リンス液の厚さが薄くなった領域の表面では、汚染物およびパーティクルが吸着しやすい。
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、洗浄工程の際、基板の表面に生じるパーティクルの吸着を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【0005】
本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面（ａｓｐｅｃｔ）は、基板を支持して回転可能なユニットと、前記基板の第１領域に第１リンス液を吐出する第１ノズルと、前記基板の前記第１領域と異なる第２領域に、第２リンス液を吐出する第２ノズルを含み、第１期間の間、前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記第１領域に吐出して前記基板の前記第１領域および前記第２領域が前記第１リンス液によってウェッティングされ、前記基板の一部領域は前記第１リンス液によってウェッティングされず、前記第１期間にすぐに続く第２期間には、前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記第１領域に吐出し、前記第２ノズルが前記第２リンス液を前記第２領域に吐出し、前記基板の上面全体が前記第１リンス液および前記第２リンス液によってウェッティングされることを含む。
【0007】
前記課題を達成するための本発明の基板処理装置の他の面は、基板を支持して回転可能なユニットと、前記基板の中心領域に第１リンス液を吐出する第１ノズルと、前記基板のミドル領域に、第２リンス液を吐出する第２ノズルを含み、前記支持ユニット上に前記基板を位置させた後前記基板を目標速度まで回転させる加速区間で、前記第１ノズルが前記第１リンス液を前記基板の中心領域に吐出して前記基板の中心領域およびミドル領域が前記第１リンス液によってウェッティングされ、前記基板のエッジ領域は前記第１リンス液によってウェッティングされず、前記加速区間にすぐに続く定速区間で、前記第１ノズルが前記第１リンス液を基板の中心領域に吐出し、前記第２ノズルが前記第２リンス液を基板のミドル領域に吐出する。
【0008】
前記課題を達成するための本発明の基板処理装置のまた他の面は、基板を支持して回転可能なユニットと、第１待期位置で待期し、第１供給位置に移動して前記基板に第１薬液を吐出する第１移動ノズルと、第２待期位置で待期し、第２供給位置に移動して前記基板に第２薬液を吐出する第２移動ノズルと、前記基板の第１領域にリンス液を吐出する第１固定ノズルと、前記基板の前記第１領域と異なる領域に、第２リンス液を吐出する第２固定ノズルを含み、前記第１移動ノズルが前記第１供給位置で前記第１薬液を吐出した後前記第１待期位置に復帰する間に、前記第１固定ノズルおよび前記第２固定ノズルは前記基板にリンス液を吐出し、前記第１固定ノズルがリンス液を先に吐出し始めて前記第２固定ノズルが時間差を置いてリンス液を吐出し始める。
【0009】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を説明するための平面図である。
【図3】本発明の第１実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図8】本発明の第２実施形態による基板処理方法を説明するための図である。
【図9】本発明の第３実施形態による基板処理方法を説明するための図である。
【図11】本発明の第４実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、単に本実施形態は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。
【0012】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」または「上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「真上」と称する場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
【0013】
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用される。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記載された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれ得る。したがって、例示的な用語である「下」は下と上の方向をすべて含み得る。素子は他の方向にも配向されることができ、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。
【0014】
第１、第２などが多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使用されるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得ることはもちろんである。
【0015】
本明細書で使用された用語は実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限するためではない。本明細書で、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。
【0016】
他に定義のない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術的および科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に共通して理解される意味で使用される。また、一般に使用される辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
【0017】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一または対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに対する重複する説明は省略する。
【0018】
図１は本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を説明するための平面図である。
【0019】
図１を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置はインデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００を含む。
【0020】
インデックスモジュール１０００は外部から基板Ｗの提供を受け、工程モジュール２０００に基板Ｗを伝達する。インデックスモジュール１０００は設備フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）であり得、ロードポート（ｌｏａｄ ｐｏｒｔ，１１００）と移送フレーム１２００を含む。
【0021】
ロードポート１１００には基板Ｗが収容される容器Ｃが置かれる。容器Ｃとしては前面開放一体型ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が用いられる。容器Ｃはオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）により外部からロードポート１１００に搬入され、ロードポート１１００から外部に搬出され得る。
【0022】
移送フレーム１２００はロードポート１１００に置かれた容器Ｃと工程モジュール２０００の間に基板Ｗを伝達する。移送フレーム１２００はインデックスレール上で移動するインデックスロボットを含み得る。
【0023】
工程モジュール２０００はバッファチャンバ２１００、移送チャンバ２２００、多数の工程チャンバ２３００を含む。
【0024】
バッファチャンバ２１００はインデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００の間に搬送される基板Ｗが臨時に留まる空間を提供する。バッファチャンバ２１００には多数のバッファースロットが位置し得る。例えば、移送フレーム１２００のインデックスロボットは基板Ｗを容器Ｃから引き出してバッファースロットに置くことができる。
【0025】
移送チャンバ２２００の移送ロボットはバッファースロットに置かれた基板Ｗを引き出してこれを多数の工程チャンバ２３００のうち既に設定された工程チャンバ（例えば、ＰＣ１）に移送する。また、移送チャンバ２２００の移送ロボットは多数の工程チャンバ２３００のいずれか一つの工程チャンバ（例えば、ＰＣ１）で他の工程チャンバ（例えば、ＰＣ２）に搬送することができる。
【0026】
多数の工程チャンバ２３００は一列に配置されたり、上下に積層して配置されたり、これらの組み合わせの形態に配置することができる。図面に示すように、一部の工程チャンバＰＣ１，ＰＣ２と他の一部の工程チャンバＰＣ３，ＰＣ４は移送チャンバ２２００の両側に配置される。多数の工程チャンバ２３００の配置は前述した例に限定されず、基板処理装置のフットプリントや工程効率を考慮して変更することができる。
【0027】
【0028】
図２を参照すると、工程チャンバ（例えば、ＰＣ１）内には基板Ｗを支持する支持ユニット１１０が配置される。支持ユニット１１０は既に設定された速度（すなわち、既に設定された回転数）で基板Ｗを回転させることができる。支持ユニット１１０には上部面から突出して基板Ｗを支持するための支持ピン１１２などが設けられる。また、チャックピン１１４は支持ユニット１１０の上部面の縁に設けられる。チャックピン１１４は支持ユニット１１０が回転するとき基板Ｗが側方面に離脱しないように基板Ｗのエッジを支持する。
【0029】
支持ユニット１１０の周辺には、第１ノズル１２０と第２ノズル１３０を含む。
【0030】
第１ノズル１２０は基板Ｗの第１領域Ｐ１に第１リンス液を吐出する。第２ノズル１３０は基板Ｗの第１領域Ｐ１と異なる第２領域Ｐ２に、第２リンス液を吐出する。図面に示すように、第１領域Ｐ１は基板Ｗの中心を含み得る。または、第１領域Ｐ１は第２領域Ｐ２より基板Ｗの中心に近く位置し得る。すなわち、第２領域Ｐ２は前記第１領域Ｐ１より前記基板Ｗのエッジ領域に近く位置し得る。
【0031】
第１リンス液と第２リンス液は純水ＤＩＷであり得るが、これに限定されない。
【0032】
第１ノズル１２０は第１貯蔵部１２２と流体的に連結される。第１弁１２４は第１ノズル１２０と第１貯蔵部１２２の間に配置され、制御部（図示せず）によってオン／オフ制御される。第２ノズル１３０は第２貯蔵部１３２と流体的に連結される。第２弁１３４は第２ノズル１３０と第２貯蔵部１３２の間に配置され、制御部（図示せず）によってオン／オフ制御される。
【0033】
第１ノズル１２０および第２ノズル１３０は固定設置される。
【0034】
特に、第１ノズル１２０および第２ノズル１３０は支持ユニット１１０の中心領域で側方向に偏って配置される。言い換えると、支持ユニット１１０に安着した基板Ｗの中心領域（例えば、符号Ｐ１を参照）と水平方向および垂直方向に重ならないように設けられる。
【0035】
また、洗浄工程の際、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上にリンス液を吐出すると、基板Ｗの中心と距離が遠い領域では回転力が強いためリンス液の厚さが薄くなる。したがって、本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置では、第１ノズル１２０が基板Ｗの第１領域Ｐ１（すなわち、中心領域）に第１リンス液を吐出して第２ノズル１３０が基板Ｗの第２領域Ｐ２（すなわち、ミドル領域）に第２リンス液を吐出することによって、基板Ｗの中心と距離が遠い領域でリンス液の厚さが薄くなることを防止することができる。具体的な第１リンス液および第２リンス液の吐出方法は、図３ないし図９を用いて後述する。
【0036】
支持ユニット１１０にはバックノズル１４０が設けられ、基板Ｗの後面に純水および／または窒素ガスなどの流体を噴射する。バックノズル１４０は支持ユニット１１０の中心領域（例えば、Ｐ１領域に対応する位置）に配置される。バックノズル１４０は例えば、純水を貯蔵する第３貯蔵部１４２と流体的に連結される。第３弁１４４は第３ノズル１４０と第３貯蔵部１４２の間に配置され、制御部（図示せず）によってオン／オフ制御されることができる。
【0037】
以下では図３ないし図７を参照して、本発明の第１実施形態による基板処理方法について説明する。図３は本発明の第１実施形態による基板処理方法を説明するためのフローチャートである。図４ないし図７は図３の基板処理方法を説明するための中間段階図である。
【0038】
【0039】
具体的には、第１ノズル１２０は第１リンス液を基板Ｗの第１領域Ｐ１に吐出する。第１領域Ｐ１は基板Ｗの中心領域を含んでもよく、後述する第２領域Ｐ２に比べて基板Ｗの中心領域に近くてもよい。基板Ｗが回転しているので、第１領域Ｐ１に吐出された第１リンス液は基板Ｗのエッジ方向にますます広がる。第１リンス液は基板Ｗの中心領域だけでなく、ミドル（ｍｉｄｄｌｅ）領域まで広がる。特に、第１期間の間には、基板Ｗの一部領域（例えば、基板Ｗのエッジ領域）まで広がらない。
【0040】
第１期間の間、第２ノズル１３０は第２リンス液を基板Ｗに吐出しない。
【0041】
第１期間の間第１ノズル１２０の噴射量は、例えば、１．２ｌ／ｍｉｎであり得るが、これに限定されない。
【0042】
【0043】
具体的には、第１ノズル１２０は第１期間および第２期間の間連続的に第１リンス液を吐出する。反面第２ノズル１３０は時間差を置いて（すなわち、第１期間では第２リンス液を吐出せず）、第２リンス液を吐出し始め、第２期間の間第２リンス液を吐出する。
【0044】
【0045】
特に、図５に示すように、第２ノズル１３０が第２リンス液を吐出し始める時点（すなわち、第２期間の開始点）は、第２リンス液が吐出される位置（すなわち、Ｐ２）まで第１リンス液が広まっており、第１リンス液が基板Ｗ全体に広まっていないときである。すなわち、第１リンス液による液膜が基板Ｗ全体に形成される前である。または、第１リンス液による液膜が基板Ｗの中心領域およびミドル領域までは形成され、エッジ領域には形成されないときである。
【0046】
本発明のいくつかの実施形態とは異なり、第１リンス液による液膜が形成されていない状態で、第１ノズル１２０と第２ノズル１３０が同時に第１リンス液と第２リンス液を吐出すると、第１リンス液と第２リンス液が互いに混ざる領域で異常フロー（ｆｌｏｗ）が発生し得、そのため特異マップが発生する。
【0047】
または、第１リンス液による液膜が形成されていない状態で第１ノズル１２０と第２ノズル１３０が同時に第１リンス液と第２リンス液を吐出すると、第２リンス液が当たる領域およびその周辺で不良（ｄｅｆｅｃｔ）が発生し得る。なぜなら、第１リンス液は基板Ｗの中心領域に吐出されるが、第２リンス液は基板Ｗのミドル領域に吐出される。基板Ｗの中心から離隔した領域（すなわち、ミドル領域）では回転力が強いので、第２リンス液が当たる領域およびその周辺でパーティクルが生成されるからである。
【0048】
したがって、本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法によれば、図５に示すように、第２ノズル１３０が第２リンス液を吐出し始めるとき第２リンス液が当たる領域（すなわち、符号Ｐ２を参照）に、第１リンス液による液膜が形成されている。第１リンス液による液膜が形成されていれば、第２リンス液が第２領域Ｐ２に吐出されても前述したような問題を防止することができる。
【0049】
一方、第１リンス液による液膜が基板Ｗ全体に形成される前に第２リンス液を吐出することによって、洗浄工程時間を短縮することができる。また、第１リンス液による液膜が基板Ｗ全体に形成された後に第２リンス液を吐出すると、第２リンス液によるウォーターボム（ｗａｔｅｒ ｂｏｍｂ）が発生し得る。
【0050】
したがって、本発明のいくつかの実施形態による基板処理方法によれば、第２ノズル１３０が第２リンス液を吐出し始める時点（すなわち、第２期間の開始点）は、第２リンス液が吐出される位置（すなわち、Ｐ２）まで第１リンス液が広まっており、第１リンス液が基板Ｗ全体に広まっていないときである。
【0051】
一方、第２期間の間第１ノズル１２０の噴射量は、第２ノズル１３０の噴射量より大きくてもよい。例えば、第１ノズル１２０の噴射量は１．２ｌ／ｍｉｎであり、第２ノズル１３０の噴射量は１ｌ／ｍｉｎであり得るが、これに限定されない。
【0052】
【0053】
整理すると、基板の中心領域Ｐ１に第１リンス液を吐出する第１ノズル１２０と、基板のミドル領域Ｐ２に第２リンス液を吐出する第２ノズル１３０を使用することによって、基板Ｗ全体に形成されたリンス液の液膜の厚さを一定にすることができる。また、第１リンス液と第２リンス液を時間差を有して吐出することによって、基板の中心から離れている領域（すなわち、符号Ｐ２を参照）に第２リンス液を吐出することにより発生し得る問題を解決することができる。また、第１リンス液による液膜が基板Ｗ全体に形成される前に第２リンス液を吐出することによって、洗浄工程時間を減らすことができる。
【0054】
図８は本発明の第２実施形態による基板処理方法を説明するための図である。
【0055】
【0056】
期間（０～ｔ１）は、支持ユニット１１０を回転させ始めて目標速度ＲＰＭ１まで回転させる加速区間である。目標速度ＲＰＭ１は例えば、約５００ｒｐｍである。
【0057】
加速区間で第１ノズル（図２の符号１２０を参照）は第１領域（すなわち、中心領域）に第１リンス液ＤＩＷ１を吐出し、第１リンス液ＤＩＷ１による液膜を形成し始める。加速区間で液膜は基板Ｗの一部領域（すなわち、エッジ領域）までは形成されない。
【0058】
一方、加速区間での回転速度は、目標速度ＲＰＭ１より低い速度である。第１リンス液ＤＩＷ１が相対的に低い回転速度で回転する基板Ｗ上に吐出されるので、第１リンス液ＤＩＷ１を吐出することにより発生し得る問題（例えば、パーティクル形成など）を最小化することができる。
【0059】
期間（ｔ１～ｔ２）は、支持ユニット１１０を定速度で回転させる定速区間である。
【0060】
定速区間で、第１ノズル１２０は第１リンス液ＤＩＷ１を吐出し、第２ノズル（図２の符号１３０を参照）は第２リンス液ＤＩＷ２を吐出する。第１ノズル１２０は第１領域（すなわち、中心領域）に第１リンス液ＤＩＷ１を吐出し、第２ノズル１３０は第２領域（すなわち、ミドル領域）に第２リンス液ＤＩＷ２を吐出する。前述したように、第２ノズル１３０が第２リンス液ＤＩＷ２を吐出する時点で、基板Ｗのエッジ領域には第１リンス液ＤＩＷ１による液膜は形成されない。
【0061】
期間（ｔ２～ｔ３）は、高速スピン乾燥する区間である。高速スピン乾燥に進入する前に、第１リンス液および第２リンス液の吐出は中止する。支持ユニット１１０の回転速度を高め、支持ユニット１１０を乾燥速度ＲＰＭ２まで回転させる。乾燥速度ＲＰＭ２は例えば、約１５００ｒｐｍである。
【0062】
期間（ｔ２～ｔ３）以後に、洗浄動作が終了する。
【0063】
一方、別に図示していないが、期間（０～ｔ１）で加速がはやく行われる場合には、第１リンス液ＤＩＷ１が基板Ｗのエッジ方向にはやく広がる。このような場合は、時間ｔ１以前に第２リンス液ＤＩＷ２が吐出され始める。
【0064】
すなわち、加速区間（０～ｔ１）は前区間と後区間を含む。加速区間（０～ｔ１）の前区間で、第１ノズル１２０が第１リンス液を基板Ｗの中心領域に吐出し、第２ノズル１３０は第２リンス液を吐出しない。加速区間（０～ｔ１）の後区間で、第１ノズル１２０が第１リンス液を基板Ｗの中心領域に吐出し、第２ノズル１３０が第２リンス液を基板Ｗのミドル領域に吐出することができる。
【0065】
【0066】
図９を参照すると、まず支持ユニット１１０上に基板Ｗを位置させる。
【0067】
期間（０～ｔ１１）の間支持ユニット１１０の回転速度を高めて目標速度ＲＰＭ１まで回転させる。期間（０～ｔ１１）には第１リンス液ＤＩＷ１が基板Ｗ上に吐出される。
【0068】
期間（ｔ１１～ｔ２）の間支持ユニット１１０を目標速度ＲＰＭ１で回転させる。
【0069】
ここで、期間（０～ｔ１１）での加速がゆっくり行われる場合には支持ユニット１１０の回転速度が目標速度ＲＰＭ１に到達しても、第１リンス液ＤＩＷ１による液膜が第２領域（すなわち、ミドル領域）まで形成されない。
【0070】
このような場合、第１リンス液ＤＩＷ１による液膜が第２領域（すなわち、ミドル領域）まで形成されるまで待った後に、第２リンス液ＤＩＷ２を吐出し始める。図９に示すように、時間ｔ１１で第２リンス液ＤＩＷ２の吐出を始めず、さらに遅れたタイミングに第２リンス液ＤＩＷ２が吐出され始める。
【0071】
期間（ｔ２～ｔ３）間支持ユニット１１０を乾燥速度ＲＰＭ１で回転させ、基板Ｗを乾燥させる。
【0072】
【0073】
図１０を参照すると、工程チャンバ（例えば、ＰＣ１）内には基板Ｗを支持する支持ユニット１１０が配置される。支持ユニット１１０は既に設定された速度（すなわち、既に設定された回転数）で基板Ｗを回転させる。
【0074】
支持ユニット１１０の周辺には、第１ノズル１２０と第２ノズル１３０を含む。第１ノズル１２０および第２ノズル１３０は固定設置されることができる。第１ノズル１２０および第２ノズル１３０は支持ユニット１１０の中心領域（符号Ｐ１を参照）で側方向に偏って配置される。言い換えると、支持ユニット１１０に安着した基板Ｗの中心領域Ｐ１と水平方向および垂直方向に重ならないように設置される。
【0075】
また、支持ユニット１１０の上側には、第１移動ノズル１５０と第２移動ノズル１６０が位置する。
【0076】
第１移動ノズル１５０は第１待期位置で待期し、第１供給位置に移動して基板Ｗの上面に第１薬液を吐出する。第１移動ノズル１５０は第１薬液（例えば、ＨＦ）を貯蔵する貯蔵部１５２と流体的に連結される。弁１５４は第１移動ノズル１５０と貯蔵部１５２の間に配置され、制御部（図示せず）によってオン／オフ制御されることができる。
【0077】
第２移動ノズル１６０は第２待期位置で待期し、第２供給位置に移動して基板Ｗの上面に第１薬液と異なる第２薬液を吐出する。第２移動ノズル１６０は第２薬液（例えば、ＳＣ１）を貯蔵する貯蔵部１６２と流体的に連結される。弁１６４は第２移動ノズル１６０と貯蔵部１６２の間に配置され、制御部（図示せず）によってオン／オフ制御されることができる。
【0078】
第１リンス液および第２リンス液は、第１薬液および第２薬液が基板Ｗに吐出される前に、基板Ｗ上に吐出される（すなわち、プリウェット（ｐｒｅ－ｗｅｔｔｉｎｇ））。また、第１リンス液および第２リンス液は、第１薬液が吐出された後第２薬液が吐出される前に、基板Ｗ上に吐出される。具体的な洗浄方法は、図１１ないし図１４を用いて後述する。
【0079】
【0080】
まず、図１１を参照すると、リンス液が吐出される（すなわち、プリウェット。Ｓ４０）。第１ノズル１２０および第２ノズル１３０が第１リンス液および第２リンス液を時間差を置いて吐出する。
【0081】
次に、図１１および図１２を参照すると、第１移動ノズル１５０は第１薬液（例えば、ＨＦ）を基板Ｗ上に吐出する（Ｓ５０）。第１移動ノズル１５０は第１供給位置（例えば、基板Ｗの中心領域の上側）で第１薬液を吐出する。
【0082】
【0083】
具体的には、第１移動ノズル１５０が第１供給位置で第１待期位置に移動する（図面符号Ｖ１を参照）。同時に、第２移動ノズル１６０が第２待期位置から第２供給位置に移動する（図面符号Ｖ２を参照）。第１供給位置と第２供給位置は実質的に同じ位置であり得るが、これに限定されない。
【0084】
第１移動ノズル１５０および第２移動ノズル１６０の移動時間の間、基板が乾く。基板が乾くとパーティクルなどによって欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が発生しやすい。したがって、第１移動ノズル１５０および第２移動ノズル１６０の移動時間の間、第１ノズル１２０および第２ノズル１３０が第１リンス液および第２リンス液を時間差を置いて吐出し、第１リンス液ＤＩＷ１および第２リンス液ＤＩＷ２で基板Ｗをウェット（ｗｅｔ）状態に維持する。
【0085】
前述したように、第１ノズル１２０および第２ノズル１３０は支持ユニット１１０の中心領域で側方向に偏って固定設置される。第１移動ノズル１５０および／または第２移動ノズル１６０が移動する間、第１ノズル１２０および第２ノズル１３０が第１リンス液ＤＩＷ１および第２リンス液ＤＩＷ２を吐出しなければならないので、第１ノズル１２０および第２ノズル１３０は第１移動ノズル１５０および第２移動ノズル１６０の移動経路を妨げない所に位置するからである。
【0086】
次に、図１１および図１４を参照すると、第２移動ノズル１６０は第２薬液（例えば、ＳＣ１）を基板Ｗ上に吐出する（Ｓ７０）。第２移動ノズル１６０は第２供給位置（例えば、基板Ｗの中心領域の上側）で第２薬液を吐出する。
【0087】
次に、図１１を参照すると、リンス液が吐出される（Ｓ８０）。第１ノズル１２０および第２ノズル１３０が第１リンス液ＤＩＷ１および第２リンス液ＤＩＷ２が時間差を置いて吐出する。
【0088】
次に、図１２を参照すると、第１リンス液ＤＩＷ１および第２リンス液ＤＩＷ２の吐出を中止し、基板の回転速度を高めて乾燥動作を行う（すなわち、高速スピン乾燥）（Ｓ９０）。
【0089】
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【0090】
１１０ 支持ユニット
１２０ 第１ノズル（第１固定ノズル）
１３０ 第２ノズル（第１固定ノズル）
１５０ 第１移動ノズル
１６０ 第２移動ノズル
１２０ 第１ノズル（第１固定ノズル）
１３０ 第２ノズル（第１固定ノズル）
１５０ 第１移動ノズル
１６０ 第２移動ノズル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
