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特許7228871発光素子パッケージ

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-02-16

(45)【発行日】2023-02-27

(54)【発明の名称】発光素子パッケージ

(51)【国際特許分類】

H01L 33/62 20100101AFI20230217BHJP

H01L 33/48 20100101ALI20230217BHJP

H01L 23/48 20060101ALI20230217BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L33/48

H01L23/48 F

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2018144644

(22)【出願日】2018-08-01

(65)【公開番号】P2019029673

(43)【公開日】2019-02-21

【審査請求日】2021-07-15

(31)【優先権主張番号】10-2017-0097970

(32)【優先日】2017-08-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2017-0107566

(32)【優先日】2017-08-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】521268118

【氏名又は名称】スージョウレキンセミコンダクターカンパニーリミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100166729

【弁理士】

【氏名又は名称】武田幸子

(72)【発明者】

【氏名】イ，テサン

(72)【発明者】

【氏名】キム，ウォンチョン

(72)【発明者】

【氏名】ソン，ジュネオ

(72)【発明者】

【氏名】イム，チャンマン

【審査官】右田昌士

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０３３２８３９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１４－０３６１２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１７４９９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０１８１５５５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－２０９５３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２５７４５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－３５６１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２４５４８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１２９８５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／００２５２４２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１４－００９２０３８（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ３３／００－３３／６４

Ｈ０１Ｓ５／００－５／５０

Ｈ０１Ｌ２１／６０－２１／６０７

Ｈ０１Ｌ２３／４８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

パッケージ胴体と、
前記パッケージ胴体の上に配置された発光素子と、
前記パッケージ胴体と前記発光素子との間に配置された接着剤と、
を含み、
前記パッケージ胴体は、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体を貫通する第１および第２開口部と、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体の下面方向に凹なリセスとを含み、
前記発光素子は、前記第１開口部の上に配置された第１ボンディング部と、前記第２開口部の上に配置された第２ボンディング部とを含み、
前記リセスに前記接着剤が提供された発光素子パッケージであって、
前記第１開口部に配置されて前記第１ボンディング部と電気的に連結された第１導電層と、
前記第２開口部に配置されて前記第２ボンディング部と電気的に連結された第２導電層と、
前記第１ボンディング部と前記第１導電層との間に配置された第１導電体と、
前記第２ボンディング部と前記第２導電層との間に配置された第２導電体と、を含み、
前記第１導電層は、前記第１導電体の側面を囲んで前記第１ボンディング部の下面に直接接触し、
前記第２導電層は、前記第２導電体の側面を囲んで前記第２ボンディング部の下面に直接接触する、発光素子パッケージ。

【請求項2】

前記リセスは、前記第１開口部および第２開口部の周りに閉ループ形状で提供された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項3】

前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子のサイズが前記リセスによって提供された閉ループの内部面積に比べてより大きく提供された、請求項２に記載の発光素子パッケージ。

【請求項4】

前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線内に前記リセスによって提供された閉ループが配置された、請求項２に記載の発光素子パッケージ。

【請求項5】

前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線が前記リセスの上に重なって提供された、請求項２に記載の発光素子パッケージ。

【請求項6】

前記パッケージ胴体は、第１フレームと、第２フレームと、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された胴体と、を含み、
前記第１開口部は、前記第１フレームに提供され、前記第２開口部は、前記第２フレームに提供され、
前記リセスは、前記第１フレームの上面、前記胴体の上面、前記第２フレームの上面に連結されて提供された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項7】

前記パッケージ胴体の上面から下面方向に凹な上部リセスをさらに含み、
前記上部リセスは、前記第１開口部と前記第２開口部との間に提供された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項8】

前記接着剤は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部の周りに配置された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項9】

前記接着剤は、前記パッケージ胴体の上面および前記発光素子の下面に直接接触して提供され、前記第１および第２ボンディング部の周りを囲んで密封させる、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項10】

前記第１および第２ボンディング部は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項11】

前記第１および第２導電層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＳＡＣ（Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ）を含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項12】

前記第１導電体は、前記第１開口部内に配置され、
前記第２導電体は、前記第２開口部内に配置された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。

【請求項13】

前記第１導電体は、前記第１ボンディング部と垂直方向で互いに重なって配置され、
前記第２導電体は、前記第２ボンディング部と前記垂直方向で互いに重なって配置された、請求項１２に記載の発光素子パッケージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの化合物を含む半導体素子は、広くて調整の容易なバンドギャップエネルギーを有するなどの多くの長所を有するので、発光素子、受光素子および各種のダイオードなどに多様に使用することができる。

【0003】

特に、ＩＩＩ族－Ｖ族またはＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）やレーザーダイオード（ＬａｓｅｒＤｉｏｄｅ）のような発光素子は、薄膜成長技術および素子材料の開発によって、赤色、緑色、青色および紫外線などの多様な波長帯域の光を実現することができるという長所がある。また、ＩＩＩ族－Ｖ族またはＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体物質を用いた発光ダイオードやレーザーダイオードのような発光素子は、蛍光物質を用いるか色を組み合わせることによって効率の良い白色光源も実現可能である。このような発光素子は、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べ、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性などの長所を有する。

【0004】

さらに、光検出器や太陽電池のような受光素子もＩＩＩ族－Ｖ族またはＩＩ族－ＶＩ族化合物半導体物質を用いて製作する場合、素子材料の開発により多様な波長領域の光を吸収して光電流を生成することによってガンマ線からラジオ波長領域まで多様な波長領域の光を利用することができる。また、このような受光素子は、速い応答速度、安全性、環境親和性および素子材料の容易な調節などの長所を有するので、電力制御または、超高周波回路や通信用モジュールにも容易に用いられる。

【0005】

したがって、半導体素子は、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）表示装置のバックライトを構成する冷陰極管（ＣＣＦＬ：ＣｏｌｄＣａｔｈｏｄｅＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅＬａｍｐ）を代替する発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替することができる白色発光ダイオード照明装置、自動車ヘッドライトおよび信号灯およびガス（Ｇａｓ）や火災を感知するセンサーなどにまで応用が広がっている。また、半導体素子は、高周波応用回路や他の電力制御装置、通信用モジュールにまで応用が拡大できる。

【0006】

発光素子（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｅｖｉｃｅ）は、例として周期律表上でＩＩＩ族－Ｖ族元素またはＩＩ族－ＶＩ族元素を用いて電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のｐ－ｎ接合ダイオードとして提供され、化合物半導体の組成比を調節することによって多様な波長の具現が可能である。

【0007】

例えば、窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって光素子および高出力電子素子の開発分野で大きいな関心を集めている。特に、窒化物半導体を用いた青色（Ｂｌｕｅ）発光素子、緑色（Ｇｒｅｅｎ）発光素子、紫外線（ＵＶ）発光素子、赤色（ＲＥＤ）発光素子などは商用化されて広く使用されている。

【0008】

例えば、紫外線発光素子の場合、２００ｎｍ～４００ｎｍの波長帯に分布している光を発生する発光ダイオードとして、前記波長帯域で、短波長の場合、殺菌、浄化などに使用され、長波長の場合、露光機または硬化器などに使用され得る。

【0009】

紫外線は、波長が長い順にＵＶ－Ａ（３１５ｎｍ～４００ｎｍ）、ＵＶ－Ｂ（２８０ｎｍ～３１５ｎｍ）、ＵＶ－Ｃ（２００ｎｍ～２８０ｎｍ）の三種類に分けられる。ＵＶ－Ａ（３１５ｎｍ～４００ｎｍ）領域は、産業用ＵＶ硬化、印刷インク硬化、露光機、偽札鑑別、光触媒殺菌、特殊照明水族館/農業用など）等の多様な分野に応用され、ＵＶ－Ｂ（２８０ｎｍ～３１５ｎｍ）領域は医療用として使用され、ＵＶ－Ｃ（２００ｎｍ～２８０ｎｍ）領域は空気浄化、浄水、殺菌製品などに適用されている。

【0010】

一方、高出力が提供できる半導体素子が要請されることにより、高電源を印加して出力を高めることができる半導体素子について研究が進められている。

【0011】

また、半導体素子パッケージにおいて、半導体素子の光抽出効率を向上させ、パッケージ段における光度を向上させることができる方案について研究が進められている。また、半導体素子パッケージにおいて、パッケージ電極と半導体素子との間のボンディング結合力を向上させることができる方案について研究が進められている。

【0012】

また、半導体素子パッケージにおいて、工程効率向上および構造変更を通じて製造単価を減らし製造収率を向上させることができる方案について研究が進められている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0013】

実施例は、光抽出効率および電気的特性を向上させることができる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置を提供することができる。

【0014】

実施例は、工程効率を向上させて新しいパッケージ構造を提示して製造単価を減らし製造収率を向上させることができる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置を提供することができる。

【0015】

実施例は、半導体素子パッケージが基板などに再ボンディングされる過程で半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生することを防止できる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法を提供することができる。

【課題を解決するための手段】

【0016】

実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体；前記パッケージ胴体の上に配置された発光素子；および前記パッケージ胴体と前記発光素子との間に配置された接着剤；を含み、前記パッケージ胴体は、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体を貫通する第１および第２開口部と、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体の下面方向に凹なリセスとを含み、前記発光素子は、前記第１開口部の上に配置された第１ボンディング部と前記第２開口部の上に配置された第２ボンディング部とを含み、前記リセスに前記接着剤が提供され得る。

【0017】

実施例によると、前記リセスは、前記第１および第２開口部の周りに閉ループ形状で提供され得る。

【0018】

実施例によると、前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子のサイズが前記リセスによって提供された閉ループの内部面積に比べてより大きく提供され得る。

【0019】

実施例によると、前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線内に前記リセスによって提供された閉ループが配置され得る。

【0020】

実施例によると、前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線が前記リセスの上に重なって提供され得る。

【0021】

実施例によると、前記パッケージ胴体は、第１フレーム、第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された胴体を含み、前記第１開口部は前記第１フレームに提供され、前記第２開口部は前記第２フレームに提供され、前記リセスは前記第１フレームの上面、前記胴体の上面、前記第２フレームの上面に連結されて提供され得る。

【0022】

実施例による発光素子パッケージは、前記パッケージ胴体の上面から下面方向に凹な上部リセスをさらに含み、前記上部リセスは前記第１開口部と前記第２開口部との間に提供され得る。

【0023】

実施例によると、前記接着剤は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部との周りに配置され得る。

【0024】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１開口部に配置されて前記第１ボンディング部と電気的に連結された第１導電層と、前記第２開口部に配置されて前記第２ボンディング部と電気的に連結された第２導電層とを含むことができる。

【0025】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１ボンディング部と前記第１導電層との間に配置された第１導電体と、前記第２ボンディング部と前記第２導電層との間に配置された第２導電体とを含むことができる。

【0026】

実施例によると、前記接着剤は、前記パッケージ胴体の上面および前記発光素子の下面に直接接触して提供され、前記第１および第２ボンディング部の周りを囲んで密封させることができる。

【0027】

実施例によると、前記第１および第２ボンディング部は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩｒＯ_ｘ、ＲｕＯ_ｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯ_ｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯ_ｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯ_ｘ／Ａｕ／ＩＴＯを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。

【0028】

実施例によると、前記第１および第２導電層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＳＡＣ（Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ）を含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。

【0029】

実施例によると、前記第１導電体は、前記第１開口部内に配置され、前記第２導電体は、前記第２開口部内に配置され得る。

【0030】

実施例によると、前記第１導電体は、前記第１ボンディング部と垂直方向で互いに重なって配置され、前記第２導電体は、前記第２ボンディング部と前記垂直方向で互いに重なって配置され得る。

【0031】

実施例による発光素子パッケージは、第１開口部を含む第１フレーム、第２開口部を含む第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された胴体を含むパッケージ胴体；前記パッケージ胴体の上に配置され、第１ボンディング部と第２ボンディング部とを含む発光素子；前記パッケージ胴体の上面と前記発光素子の下面との間に配置された接着剤；を含み、前記パッケージ胴体は、前記パッケージ胴体の前記上面から下面方向に凹むように提供されたリセスを含み、前記リセスは、前記第１および第２開口部の周りに閉ループ形状に配置され得る。

【0032】

実施例によると、前記リセスは、前記第１フレームの上面、前記胴体の上面、前記第２フレームの上面に連結されて提供され得る。

【0033】

【0034】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１開口部内に配置されて前記第１ボンディング部と前記第１導電層との間に配置された第１導電体と、前記第２開口部内に配置されて前記第２ボンディング部と前記第２導電層との間に配置された第２導電体とを含むことができる。

【0035】

実施例によると、前記第１導電層は、前記第１ボンディング部の下面と前記第１導電体の側面とに直接接触して配置され、前記第２導電層は、前記第２ボンディング部の下面と前記第２導電体の側面とに直接接触して配置され得る。

【0036】

実施例による発光素子パッケージは、胴体；前記胴体に互いに離隔して配置される第１および第２フレーム；発光構造物、前記発光構造物の下に配置される第１ボンディング部、および前記発光構造物の下に前記第１ボンディング部と離隔して配置される第２ボンディング部を含む発光素子；前記発光素子を囲むモールディング部材；および前記第１および第２フレームの間に配置される放熱部材；を含み、前記胴体の下面は前記第１および第２フレームの下面と同一平面をなし、前記第１ボンディング部は前記第２ボンディング部に近い第１側面、および前記第１側面と向かい合う第２側面を含み、前記第２ボンディング部は前記第１ボンディング部に近い第３側面、および前記第３側面と向かい合う第４側面を含み、前記第１側面および前記第３側面は前記放熱部材と接触し、前記第２側面および前記第４側面は前記モールディング部材と接触し、前記放熱部材の上面は前記発光素子と接触して第１方向に延び、前記第１方向は前記発光素子の上面から前記胴体の下面に向かう方向であり、前記発光素子の上面から前記第１フレームの下面までの第１距離が前記発光素子の上面から前記放熱部材の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。

【0037】

実施例によると、前記胴体は、前記第１方向に前記胴体の上面から前記胴体の下面を貫通する開口部を含み、前記放熱部材は、前記開口部に提供され得る。

【0038】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１ボンディング部と前記第１フレームとの間に配置された第１導電層；前記第２ボンディング部と前記第２フレームとの間に配置された第２導電層；をさらに含むことができる。

【0039】

実施例によると、前記モールディング部材は、前記発光素子の下に配置された反射性樹脂部と前記発光素子の周りに配置されたモールディング部を含むことができる。

【0040】

実施例によると、前記第１ボンディング部の下面の面積または前記第２ボンディング部の下面の面積が前記開口部の上部領域の面積に比べてさらに小さく提供され得る。

【0041】

実施例によると、前記放熱部材は、エポキシ系またはシリコーン系の樹脂を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮを含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。

【0042】

実施例によると、前記放熱部材は、絶縁性接着剤で提供されて前記第１および第２導電層は、導電性接着剤で提供され得る。

【0043】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１ボンディング部と前記第１導電層と間に配置された第１導電体；前記第２ボンディング部と前記第２導電層と間に配置された第２導電体；をさらに含むことができる。

【0044】

実施例による発光素子パッケージ製造方法は、第１フレーム、第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置されて上面と下面を貫通する開口部を含む胴体を含むパッケージ胴体が提供される段階；下面に配置された第１ボンディング部と第２ボンディング部とを含む発光素子が前記パッケージ胴体の上に提供され、前記第１ボンディング部は前記第１フレームの上に配置され、前記第２ボンディング部は前記第２フレームの上に配置される段階；前記開口部を通じて提供された放熱部材が前記発光素子の下面に直接接触して配置される段階；を含むことができる。

【0045】

実施例によると、前記発光素子の周りにモールディング部材が提供される段階をさらに含むことができる。

【0046】

実施例によると、前記モールディング部材が提供される段階は、前記発光素子の下に反射性樹脂部が提供される段階と、前記発光素子の周りにモールディング部が提供される段階とを含むことができる。

【0047】

実施例によると、前記放熱部材が提供される段階において、前記放熱部材は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部とに直接接触して配置され得る。

【発明の効果】

【0048】

実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法によると、光抽出効率および電気的特性と信頼性を向上させることができるという長所がある。

【0049】

実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法によると、工程効率を向上させて新しいパッケージ構造を提示して製造単価を減らし製造収率を向上させることができるという長所がある。

【0050】

実施例による半導体素子パッケージは、反射率が高い胴体を提供することで、反射体が変色しないように防止できて半導体素子パッケージの信頼性が改善できるという長所がある。

【0051】

実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子製造方法によると、半導体素子パッケージが基板などに再ボンディングされる過程で半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生することが防止できるという長所がある。

【図面の簡単な説明】

【0052】

【図1】本発明の実施例による発光素子パッケージの平面図である。

【図2】図１に示された発光素子パッケージの底面図である。

【図3】図１に示された発光素子パッケージのＤ－Ｄ線による断面図である。

【図4】本発明の実施例による発光素子パッケージに適用された第１フレーム、第２フレーム、胴体の配置関係を説明する図である。

【図5a】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってパッケージ胴体が提供された状態を説明する図である。

【図5b】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってパッケージ胴体が提供された状態を説明する図である。

【図6a】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって発光素子が提供された状態を説明する図である。

【図6b】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって発光素子が提供された状態を説明する図である。

【図7a】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって開口部に放熱部材が提供された状態を説明する図である。

【図7b】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって開口部に放熱部材が提供された状態を説明する図である。

【図8a】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってモールディング部材が提供された状態を説明する図である。

【図8b】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってモールディング部材が提供された状態を説明する図である。

【図9】本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例を示す図である。

【図10】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図11】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図12】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図13】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図14】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図15】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図16】図本発明の実施例による発光素子パッケージを説明する分解斜視図である。

【図17】本発明の実施例による発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部の配置関係を説明する図である。

【図18】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。

【図19】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。

【図20】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。

【図21】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。

【図22】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図23】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図24】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図25】図２４に示された発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部、上部リセスの配置関係を説明する図である。

【図26】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図27】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図28】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す平面図である。

【図29】図２８に示された発光素子パッケージの底面図である。

【図30】図２９に示された発光素子パッケージのＦ－Ｆ線による断面図である。

【図31】図２８に示された発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部の配置関係を説明する図である。

【図32】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図33】図３２に示された発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部、上部リセスの配置関係を説明する図である。

【図34】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図35】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図36】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【図37】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0053】

以下、実施例を添付された図面を参照して説明する。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたは、パターンの「上／うえ（ｏｎ）」に、または「下／した（ｕｎｄｅｒ）」に形成されるものと記載される場合において、「上／うえ（ｏｎ）」と「下／した（ｕｎｄｅｒ）」は「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものをすべて含む。また、各層の上／うえまたは、下／したに対する基準は、図面を基準として説明するが実施例がこれに対し限定されるものではない。

【0054】

以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法について詳細に説明する。以下では、半導体素子の例として発光素子が適用された場合に基づいて説明する。

【0055】

先ず、図１ないし図４を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージについて説明する。

【0056】

実施例による発光素子パッケージ１００は、図１ないし図４に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【0057】

前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。

【0058】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。

【0059】

例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。

【0060】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0061】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。

【0062】

実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。

【0063】

例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（ＰｏｌｙｃｈｌｏｒｏＴｒｉｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）ｍｏｌｄｉｎｇｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ_２とＳｉＯ_２のような高屈折フィラーを含むことができる。

【0064】

前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームで提供され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結され得る。

【0065】

実施例によると、図２ないし図４に示されたように、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。

【0066】

実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。

【0067】

前記発光素子１２０は、図３に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0068】

前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結され得る。

【0069】

前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。

【0070】

前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。

【0071】

前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0072】

前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。

【0073】

前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＺｎＯ、ＩｒＯ_ｘ、ＲｕＯ_ｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯ_ｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯ_ｘ／Ａｕ、Ｎｉ/ＩｒＯ_ｘ/Ａｕ/ＩＴＯを含むグループから選択された一つ以上の物質または、合金を用いて単層または多層で形成され得る。

【0074】

また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。

【0075】

前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。

【0076】

前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。

【0077】

前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。

【0078】

前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。

【0079】

前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。

【0080】

例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペーストソルダーペースト（（ｓｏｌｄｅｒｐａｓｔｅ））、シルバーペースト（（ｓｉｌｖｅｒｐａｓｔｅ））などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。

【0081】

実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２を電気的に連結させることができる。

【0082】

前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２との間の幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２との間の幅Ｗ３は、実施例による発光素子パッケージ１００が後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、パッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。

【0083】

実施例による発光素子パッケージ１００は、放熱部材１３３を含むことができる。

【0084】

前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。

【0085】

前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。

【0086】

前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。

【0087】

実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか。または大きく提供され得る。

【0088】

また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１ないし図４に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0089】

前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。

【0090】

例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。

【0091】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。

【0092】

前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。

【0093】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。

【0094】

また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。

【0095】

前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。

【0096】

実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。

【0097】

例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。

【0098】

例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。

【0099】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定されるようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0100】

また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。

【0101】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ_２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。

【0102】

前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ－フィル（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。ここで、前記アンダ－フィル（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）工程は、発光素子１２０をパッケージ胴体１１０に実装した後、前記放熱部材１３３を前記発光素子１２０の下部に配置する工程であり得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記放熱部材１３３が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。

【0103】

前記開口部ＴＨ１の深さと幅Ｗ４は、前記放熱部材１３３の形成位置および固定力に影響を及ぼすことがある。前記開口部ＴＨ１の深さと幅Ｗ４は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記放熱部材１３３によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。

【0104】

例として、前記開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１または前記第２フレーム１１２の厚さに対応して提供され得る。前記開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１または前記第２フレーム１１２の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。

【0105】

また、開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。

【0106】

例として、前記開口部ＴＨ１の深くは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。

【0107】

また、前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルで提供され得る。ここで、前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、前記発光素子１２０の長軸方向に提供され得る。

【0108】

前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間の間隔に比べて狭く提供され得る。前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、１４０マイクロメートルないし４００マイクロメートルで提供され得る。

【0109】

また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。

【0110】

また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。

【0111】

例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域の面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域の面積に比べてさらに小さく提供され得る。

【0112】

このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。

【0113】

また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１および図３に示されたようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0114】

実施例によるモールディング部材は、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０のうちの少なくとも一つを含むことができる。先ず、以下の実施例においては、前記モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。

【0115】

しかし、他の実施例によると、前記モールディング部材は、前記樹脂部１３５のみ含むこともあり、前記モールディング部１４０のみ含むこともできる。

【0116】

前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。

【0117】

例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。

【0118】

前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。

【0119】

例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ_２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。

【0120】

前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。

【0121】

前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の周囲とを密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。

【0122】

前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。

【0123】

また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。

【0124】

また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１および図３に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0125】

前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。

【0126】

前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。

【0127】

前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。

【0128】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0129】

実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。

【0130】

例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。

【0131】

一方、上述したように、本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例によると、前記樹脂部１３５が別に提供されず、前記モールディング部１４０が前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２とに直接接触するように配置されることもある。また、前記モールディング部１４０が別に提供されず、前記樹脂部１３５が前記発光素子１２０の周りおよび上部に両方とも提供されることもある。

【0132】

また、実施例によると、前記発光構造物１２３は、化合物半導体で提供され得る。前記発光構造物１２３は、例としてＩＩ族－ＶＩ族またはＩＩＩ族－Ｖ族化合物半導体で提供され得る。例として、前記発光構造物１２３は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、窒素（Ｎ）から選択された少なくとも二個以上の元素を含んで提供され得る。

【0133】

前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含むことができる。

【0134】

前記第１および第２導電型半導体層は、ＩＩＩ族－Ｖ族またはＩＩ族－ＶＩ族の化合物半導体のうちの少なくとも一つで具現され得る。前記第１および第２導電型半導体層は、例えばＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧＡ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１の組成式を有する半導体材料で形成され得る。例えば、前記第１および第２導電型半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。前記第１導電型半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型半導体層であり得る。前記第２導電型半導体層は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型半導体層であり得る。

【0135】

前記活性層は、化合物半導体で具現され得る。前記活性層は、例としてＩＩＩ族－Ｖ族またはＩＩ族－ＶＩ族の化合物半導体のうちの少なくとも一つで具現され得る。前記活性層が多重井戸構造で具現された場合、前記活性層は、交互に配置された複数の井戸層と複数の障壁層をと含むことができ、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧＡ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１の組成式を有する半導体材料で配置され得る。例えば、前記活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ／ＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＰ、ＩｎＰ／ＧａＡｓを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。

【0136】

実施例による発光素子パッケージ１００は、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。

【0137】

これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動できるようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供できるようになる。

【0138】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0139】

しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装される際にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程において、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が弱化され得る。

【0140】

しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。また、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【0141】

したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。

【0142】

また、実施例による発光素子パッケージ１００および発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。

【0143】

これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得る。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。

【0144】

例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（ＥｐｏｘｙＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。

【0145】

すると、添付された図面を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明する。

【0146】

添付された図面を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明することにおいて、図１ないし図４を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0147】

先ず、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図５ａおよび図５ｂに示されたように、パッケージ胴体１１０が提供され得る。

【0148】

図５ａおよび図５ｂは、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってパッケージ胴体が提供された状態を説明する平面図および断面図である。

【0149】

図５ａおよび図５ｂに示されたように、前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は互いに離隔して配置され得る。

【0150】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。

【0151】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0152】

【0153】

【0154】

前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。

【0155】

【0156】

次に、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図６ａおよび図６ｂに示されたように、前記パッケージ胴体１１０の上に発光素子１２０が提供され得る。

【0157】

図６ａおよび図６ｂは、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって発光素子が提供された状態を説明する平面図および断面図である。

【0158】

【0159】

前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0160】

例として、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、第１および第２導電層３２１、３２２によって前記第１および第２フレーム１１１、１１２の上に固定され得る。

【0161】

【0162】

【0163】

【0164】

【0165】

【0166】

例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。

【0167】

【0168】

実施例によると、前記発光素子１２０が前記開口部ＴＨ１の上に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記前記胴体１１３の下面から上面に向かう方向に前記発光構造物１２３の下面と重なって配置され得る。

【0169】

例として、前記第１および第２導電層３２１、３２２に対する硬化工程が行われ得る。硬化工程によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が前記第１および第２フレーム１１１、１１２の上に安定して固定され得る。

【0170】

次に、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図７ａおよび図７ｂに示されたように、前記開口部ＴＨ１に放熱部材１３３が提供され得る。

【0171】

【0172】

前記放熱部材は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。

【0173】

【0174】

実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。

【0175】

【0176】

【0177】

【0178】

【0179】

【0180】

【0181】

【0182】

【0183】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0184】

また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。

【0185】

【0186】

例として、前記放熱部材１３３に対する硬化工程が行われ得る。前記硬化工程によって前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に前記放熱部材１３３が安定して固定され得るようになる。

【0187】

そして、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図８ａおよび図８ｂに示されたように、モールディング部材が形成され得る。

【0188】

図８ａおよび図８ｂは、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってモールディング部材が提供された状態を説明する平面図および断面図である。

【0189】

図１ないし図４を参照して説明されたように、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０のうちの少なくとも一つを含むことができる。ここでは、モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。

【0190】

実施例によると、前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。

【0191】

【0192】

【0193】

【0194】

【0195】

前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。

【0196】

前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できるので実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。

【0197】

【0198】

また、実施例による発光素子パッケージ１００は、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0199】

【0200】

【0201】

【0202】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0203】

【0204】

【0205】

【0206】

このように、実施例に他の発光素子パッケージ製造方法によると、前記放熱部材１３３と前記モールディング部材１３５、１４０によって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周囲が安定して密封され得るようになる。

【0207】

したがって、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の下面から側面方向に拡散することが防止され得、前記発光素子１２０の短絡による不良が防止されて発光素子パッケージの信頼性が向上され得る。

【0208】

一方、以上の説明においては、図７ａおよび図７ｂに示すように前記放熱部材１３３が先に形成され、図８ａおよび図８ｂに示すように前記モールディング部材１３５、１４０が形成される場合を基準として説明された。

【0209】

しかし、実施例による発光素子パッケージ製造方法の他の例によると、前記モールディング部材１３５、１４０が先に形成され、前記放熱部材１３３が後に形成されることもある。

【0210】

また、実施例による発光素子パッケージ製造方法のまた他の例によると、前記樹脂部１３５が形成されず、前記パッケージ胴体１１０のキャビティ内に前記モールディング部１４０のみ形成されることもある。

【0211】

【0212】

これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。

【0213】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0214】

しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができ、これによって、前記発光素子の位置が変わることができ、前記発光素子パッケージの光学的、電気的特性および信頼性が低下することができる。

【0215】

しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１ボンディング部と第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【0216】

したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。

【0217】

【0218】

これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。

【0219】

【0220】

【0221】

【0222】

例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。

【0223】

【0224】

次に、図９を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例について説明する。

【0225】

図９を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、以上で添付された図面を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0226】

実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。

【0227】

【0228】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。

【0229】

【0230】

【0231】

実施例によると、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。

【0232】

また、実施例によると、前記第１フレーム１１１の上面と前記第２フレーム１１２の上面とに段差した階段形状が提供され得る。例として、前記胴体１１３の上面は、平坦な形状で提供され、前記第１フレーム１１１の上面は、高さの差がある段差した階段形状で提供され、前記第２フレーム１１２の上面は、高さの差がある段差した階段形状で提供され得る。

【0233】

実施例によると、前記胴体１１３の平坦な上面、前記第１フレーム１１１の段差した階段形状の上面、前記第２フレーム１１２の段差した階段形状の上面によって前記パッケージ胴体１１０の上面から下面に凹なリセス構造が提供され得る。

【0234】

【0235】

前記発光素子１２０は、図９に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0236】

【0237】

【0238】

【0239】

【0240】

【0241】

【0242】

【0243】

【0244】

【0245】

【0246】

【0247】

実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、放熱部材１３３を含むことができる。

【0248】

【0249】

前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置された段差した階段形状のリセス構造に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の平坦面の上に配置され得る。

【0250】

このように、実施例によると、前記第１フレーム１１１の上面、前記胴体１１３の上面、前記第２フレーム１１２の上面によって提供される広いリセス領域に前記放熱部材１３３が提供され得るようになることによって、実施例による発光素子パッケージの放熱特性がさらに向上され得るようになる。

【0251】

また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。

【0252】

【0253】

【0254】

また、実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0255】

【0256】

【0257】

【0258】

【0259】

【0260】

【0261】

【0262】

【0263】

【0264】

【0265】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0266】

また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。

【0267】

【0268】

【0269】

【0270】

例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。

【0271】

【0272】

また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図９に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0273】

【0274】

【0275】

【0276】

【0277】

【0278】

【0279】

【0280】

【0281】

また、実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0282】

【0283】

【0284】

【0285】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0286】

【0287】

【0288】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。

【0289】

【0290】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0291】

しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。

【0292】

しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【0293】

【0294】

【0295】

【0296】

【0297】

次に、図１０を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0298】

図１０を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図９を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0299】

実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【0300】

【0301】

【0302】

【0303】

【0304】

図１０に示された実施例による発光素子パッケージは、図３を参照して説明された発光素子パッケージに比べて、第１リセスＲ１と第２リセスＲ２とをさらに含むことができる。

【0305】

前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面に提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。

【0306】

前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第２上部リセスＲ４は、前記開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。

【0307】

実施例によると、前記第１リセスＲ１に前記第１導電層３２１が提供され得る。そして、前記第１リセスＲ１領域に前記第１ボンディング部１２１が提供され得る。また、前記第２リセスＲ２に前記第２導電層３２２が提供され得る。そして、前記第２リセスＲ２領域に前記第２ボンディング部１２２が提供され得る。前記第１および第２リセスＲ１、Ｒ２は、前記第１および第２導電層３２１、３２２が提供され得る十分な空間を提供することができる。

【0308】

【0309】

【0310】

【0311】

【0312】

【0313】

【0314】

【0315】

【0316】

前記発光素子１２０は、図１０に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0317】

【0318】

【0319】

【0320】

実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、放熱部材１３３を含むことができる。

【0321】

【0322】

前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１の上面、前記胴体１１３の上面、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。

【0323】

また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。

【0324】

【0325】

【0326】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、前記開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0327】

【0328】

【0329】

【0330】

【0331】

【0332】

【0333】

【0334】

【0335】

【0336】

【0337】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0338】

また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージの光抽出効率を改善することができる。

【0339】

【0340】

【0341】

【0342】

【0343】

【0344】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１０に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0345】

【0346】

【0347】

【0348】

【0349】

【0350】

【0351】

【0352】

【0353】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0354】

【0355】

【0356】

【0357】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0358】

【0359】

【0360】

【0361】

これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。

【0362】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0363】

しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。

【0364】

しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【0365】

【0366】

また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。

【0367】

【0368】

【0369】

次に、図１１を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0370】

図１１を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図１０を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0371】

実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【0372】

【0373】

【0374】

【0375】

【0376】

図１１に示された実施例による発光素子パッケージは、図９を参照して説明された発光素子パッケージに比べて、第１リセスＲ１と第２リセスＲ２をさらに含むことができる。

【0377】

前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面に提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記リセスＲから離隔して配置され得る。

【0378】

前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第２上部リセスＲ４は、前記リセスＲから離隔して配置され得る。

【0379】

【0380】

【0381】

【0382】

【0383】

【0384】

【0385】

【0386】

【0387】

【0388】

【0389】

前記発光素子１２０は、図１１に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0390】

【0391】

【0392】

【0393】

実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、放熱部材１３３を含むことができる。

【0394】

【0395】

前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置された段差した階段形状のリセス構造に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の平坦面上に配置され得る。

【0396】

【0397】

また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。

【0398】

【0399】

【0400】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、前記開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0401】

【0402】

【0403】

【0404】

【0405】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。

【0406】

【0407】

【0408】

【0409】

例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。

【0410】

【0411】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0412】

【0413】

【0414】

【0415】

【0416】

【0417】

このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。

【0418】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１１に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0419】

【0420】

【0421】

【0422】

例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、、例としてＴｉＯ_２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。

【0423】

【0424】

【0425】

【0426】

【0427】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0428】

【0429】

【0430】

【0431】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0432】

【0433】

【0434】

【0435】

【0436】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0437】

【0438】

【0439】

【0440】

【0441】

【0442】

例えば、前記胴体１１３はＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（ＥｐｏｘｙＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。

【0443】

一方、図１ないし図１１を参照して説明された実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0444】

すると、図１２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0445】

図１２に示された本発明の実施例による発光素子パッケージ３００は、図１ないし図１１を参照して説明された発光素子パッケージが回路基板３１０に実装されて供給される例を示すものである。

【0446】

図１２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ３００を説明することにおいて、図１ないし図１１を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0447】

実施例による発光素子パッケージ３００は、図１２に示されたように、回路基板３１０、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。

【0448】

前記回路基板３１０は、第１パッド３１１、第２パッド３１２、支持基板３１３を含むことができる。前記支持基板３１３に前記発光素子１２０の駆動を制御する電源供給回路が提供され得る。

【0449】

前記パッケージ胴体１１０は、前記回路基板３１０の上に配置され得る。前記第１パッド３１１と前記第１ボンディング部１２１とが電気的に連結され得る。前記第２パッド３１２と前記第２ボンディング部１２２とが電気的に連結され得る。

【0450】

前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、単層または多層で提供され得る。

【0451】

【0452】

【0453】

【0454】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0455】

【0456】

【0457】

【0458】

【0459】

実施例によると、図１２に示されたように、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。

【0460】

【0461】

前記発光素子１２０は、図１２に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0462】

【0463】

【0464】

【0465】

【0466】

【0467】

【0468】

【0469】

【0470】

【0471】

【0472】

【0473】

【0474】

【0475】

実施例による発光素子パッケージは、放熱部材１３３を含むことができる。

【0476】

【0477】

【0478】

【0479】

【0480】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１２に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0481】

前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。

【0482】

【0483】

【0484】

【0485】

【0486】

【0487】

【0488】

【0489】

【0490】

【0491】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0492】

また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージの光抽出効率を改善することができる。

【0493】

【0494】

【0495】

【0496】

【0497】

【0498】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１２に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0499】

【0500】

【0501】

【0502】

【0503】

【0504】

【0505】

【0506】

【0507】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１２に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0508】

【0509】

【0510】

前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。

【0511】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0512】

【0513】

【0514】

【0515】

【0516】

実施例によると、前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１とが電気的に連結され得る。また、前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２とが電気的に連結され得る。

【0517】

一方、実施例によると、前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１との間に別途のボンディング層が追加で提供されることもある。また、前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２との間に別途のボンディング層が追加で提供されることもある。

【0518】

また、他の実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ユーテクティックボンディングによって前記回路基板３１０に実装されることもある。

【0519】

上述したように、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【0520】

したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。

【0521】

【0522】

【0523】

【0524】

また、上述した実施例による発光素子パッケージによると、パッケージ胴体１１０は、上面が平坦な支持部材１１３のみを含み、傾斜するように配置された反射部を含まないように提供されることもある。

【0525】

他の表現として、実施例による発光素子パッケージによると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣを提供する構造で提供されることもある。また、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣの提供なしに上面が平坦な構造で提供されることもある。

【0526】

図１ないし図１２を参照して説明されたように、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に放出される光が前記胴体１１３領域に配置された前記放熱部材１３３に入射し得る。前記発光素子の下部方向に放出された光が前記放熱部材１３３によって光拡散され得、光抽出効率が向上され得るようになる。

【0527】

【0528】

【0529】

例として、前記第１ボンディング部１２１の前記発光素子の長軸方向による幅は、数十マイクロメートルで提供され得る。前記第１ボンディング部１２１の幅は、例として７０マイクロメートルないし９０マイクロメートルで提供され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の面積は、数千自乗マイクロメートルで提供され得る。

【0530】

また、前記第２ボンディング部１２２の前記発光素子の長軸方向による幅は、数十マイクロメートルで提供され得る。前記第２ボンディング部１２２の幅は、例として７０マイクロメートルないし９０マイクロメートルで提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、数千自乗マイクロメートルで提供され得る。

【0531】

このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、放熱特性および反射特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。

【0532】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が前記第１および第２導電層３２１、３２２と直接接触する場合に基づいて説明された。

【0533】

しかし、実施例による発光素子パッケージのまた他の例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間に別途の導電性構成要素がさらに配置されることもある。

【0534】

次に、図１３を参照して、実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0535】

図１３を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図１２を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0536】

実施例による発光素子パッケージは、図１３に示されたように、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。

【0537】

【0538】

【0539】

【0540】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0541】

【0542】

【0543】

【0544】

【0545】

前記発光素子１２０は、図１３に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0546】

【0547】

【0548】

【0549】

【0550】

【0551】

実施例による発光素子パッケージは、図１３に示されたように、第１導電体２２１と第２導電体２２２とを含むことができる。また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。

【0552】

前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１方向で重なって配置され得る。

【0553】

前記第１導電体２２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１および前記第１導電層３２１と電気的に連結され得る。

【0554】

また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第１方向で重なって配置され得る。

【0555】

前記第２導電体２２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２および前記第２導電層３２２と電気的に連結され得る。

【0556】

実施例によると、前記第１導電体２２１の下面および側面に前記第１導電層３２１が配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１導電体２２１の下面および側面に直接接触して配置され得る。

【0557】

このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電層３２１と前記第１導電体２２１との間の接触面積が増加することによって、前記第１導電体２２１によって前記第１導電層３２１と前記第１ボンディング部１２１との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。

【0558】

また、実施例によると、前記第２導電体２２２の下面および側面に前記第２導電層３２２が配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２導電体２２２の下面および側面に直接接触して配置され得る。

【0559】

このように実施例による発光素子パッケージ２００によると、前記第２導電層３２２と前記第２導電体２２２との間の接触面積が増加することによって、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。

【0560】

例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２にそれぞれ別途のボンディング物質を通じて安定にボンディングされ得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２の側面および下面が前記第１および第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触することができる。

【0561】

したがって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２下面にそれぞれ直接的に接触する場合に比べて、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積がより大きくなり得ることになる。

【0562】

これによって、前記第１および第２導電体２２１、２２２を通じて前記第１および第２導電層３２１、３２２から前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に電源がそれぞれ安定に供給され得るようになる。

【0563】

前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。

【0564】

例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。

【0565】

また、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１および第２導電体２２１、２２２で伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。

【0566】

また、実施例による発光素子パッケージは、放熱部材１３３を含むことができる。

【0567】

【0568】

【0569】

【0570】

【0571】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１３に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0572】

【0573】

【0574】

【0575】

【0576】

【0577】

【0578】

【0579】

【0580】

【0581】

【0582】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0583】

また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面で光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。

【0584】

【0585】

【0586】

【0587】

また、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１および第２導電体２２２が安定して配置されるように前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。

【0588】

例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。

【0589】

【0590】

また、実施例による発光素子パッケージ２００は、図１３に示されたように、モールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0591】

実施例によるモールディング部材は、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０の中で少なくとも一つを含むことができる。先ず、以下の実施例では前記モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。

【0592】

しかし、他の実施例によると、前記モールディング部材は、前記樹脂部１３５のみ含むこともでき、前記モールディング部１４０のみ含むこともできる。

【0593】

【0594】

【0595】

【0596】

【0597】

【0598】

【0599】

【0600】

【0601】

また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１３に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。

【0602】

【0603】

【0604】

【0605】

また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0606】

【0607】

【0608】

【0609】

【0610】

【0611】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0612】

【0613】

【0614】

【0615】

【0616】

【0617】

【0618】

次に、図１４を参照して実施例による発光素子パッケージの他の例について説明する。

【0619】

図１４を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図１３を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0620】

実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【0621】

【0622】

【0623】

【0624】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0625】

【0626】

【0627】

【0628】

【0629】

前記発光素子１２０は、図１４に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【0630】

実施例による発光素子パッケージは、第１導電体２２１と第２導電体２２２とを含むことができる。また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。

【0631】

【0632】

【0633】

【0634】

【0635】

【0636】

【0637】

実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。

【0638】

【0639】

実施例によると、前記第１および第２導電体２２１、２２２の下面の面積が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の下面の面積に比べてより大きく提供され得る。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に直接接触する面積に比べて前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２０に直接接触する面積がより大きく提供され得る。したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電体２２１、２２２が提供されることによって、前記第１および第２フレーム１１１、１１２から前記発光素子１２０に供給される電源がさらに安定して提供され得るようになる。

【0640】

また、実施例による発光素子パッケージは、放熱部材１３３を含むことができる。

【0641】

【0642】

【0643】

【0644】

【0645】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。

【0646】

【0647】

【0648】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下で樹脂部１３５によって囲まれて提供され得る

【0649】

【0650】

【0651】

【0652】

例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３はホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は熱伝導性の良いＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。

【0653】

実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。

【0654】

【0655】

【0656】

また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。

【0657】

【0658】

【0659】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、モールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。

【0660】

【0661】

【0662】

【0663】

【0664】

前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下で前記放熱部材１３３の周りに配置され得る。

【0665】

【0666】

【0667】

【0668】

【0669】

【0670】

また、実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。

【0671】

【0672】

【0673】

前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。

【0674】

【0675】

【0676】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0677】

【0678】

【0679】

【0680】

【0681】

これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３はセラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。

【0682】

【0683】

次に、図１５ないし図１７を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージについて説明する。実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５ないし図１７に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【0684】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７を含むことができる。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面周りに配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面の上にキャビティＣを提供することができる。

【0685】

他の表現として、前記胴体１１３は下部胴体、前記反射部１１７は上部胴体と指称され得る。また、実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティを提供する反射部１１７を含まず、平坦な上面を提供する前記胴体１１３のみを含むこともできる。

【0686】

前記反射部１１７は、前記発光素子１２０から放出される光を上部方向に反射させることができる。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面に対し傾斜するように配置され得る。

【0687】

前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣを含むことができる。前記キャビティは、底面と、前記底面で前記パッケージ胴体１１０との上面に傾斜した側面を含むことができる。

【0688】

【0689】

例として、前記パッケージ胴体１１０は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（ＰｏｌｙｃｈｌｏｒｏＴｒｉｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）ｍｏｌｄｉｎｇｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ_２とＳｉＯ_２のような高屈折フィラーを含むことができる。

【0690】

【0691】

前記発光素子１２０は、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結され得る。

【0692】

前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記反射部１１７により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。

【0693】

【0694】

前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。

【0695】

前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯ_ｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯ_ｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯ_ｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯ_ｘ／Ａｕ／ＩＴＯを含むグループから選択された一つ以上の物質または、合金を用いて単層または、多層で形成され得る。

【0696】

一方、実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５ないし図１７に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。

【0697】

前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ胴体１１０の下面を貫通する前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ胴体１１０の下面を貫通する前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。

【0698】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。

【0699】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。

【0700】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。

【0701】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。

【0702】

前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下面の下で互いに離隔して配置され得る。

【0703】

実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。

【0704】

また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅Ｗ２に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。

【0705】

前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域で上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域で上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。

【0706】

但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は、曲率を有して配置され得る。前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、１００マイクロメートルないし１５０マイクロメートルで提供され得る。

【0707】

前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、実施例による発光素子パッケージ１１００が後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、ボンディング部間の短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。

【0708】

実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５ないし図１７に示されたように、リセスＲを含むことができる。前記リセスＲは、前記キャビティＣの底面から前記パッケージ胴体１１０の下面に凹むように提供され得る。

【0709】

前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７との間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。

【0710】

前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記第１開口部ＴＨ１に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記第２開口部ＴＨ２に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。

【0711】

前記リセスＲは、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周りに閉ループ形状で提供され得る。

【0712】

前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０のサイズが前記リセスＲによって提供された閉ループ面積に比べてより大きく提供され得る。

【0713】

前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の四側面を連結する外枠線内に前記リセスＲによって形成された閉ループが提供され得る。

【0714】

実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。

【0715】

前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置され得る。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。

【0716】

前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。

【0717】

例として、前記接着剤１３０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、例としてＴｉＯ_２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。

【0718】

実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは、前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。

【0719】

前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１１００にクラックが発生しないように決定され得る。

【0720】

前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ－フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。

【0721】

前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記接着剤１３０の形成位置および固定力に影響を及ぼすことができる。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。

【0722】

例として、前記リセスＲの深さは、数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。

【0723】

また、前記リセスＲの幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの幅Ｗ３は、１４０マイクロメートルないし１６０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記リセスＲの幅Ｗ３は、１５０マイクロメートルで提供され得る。

【0724】

前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図１６および図１７に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または、楕円形状の閉ループで提供されることもある。

【0725】

前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。

【0726】

例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。

【0727】

例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００マイクロメートル以上で選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。

【0728】

実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対して２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。

【0729】

また、実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。

【0730】

前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記反射部１１７によって提供されたキャビティＣに配置され得る。

【0731】

前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むことができる。

【0732】

【0733】

前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含むことができる。

【0734】

また、実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。

【0735】

前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてさらに小さく提供され得る。

【0736】

前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。

【0737】

前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。

【0738】

前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてさらに小さく提供され得る。

【0739】

前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。

【0740】

前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。

【0741】

前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。

【0742】

【0743】

実施例によると、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とに外部電源が供給され得、これによって、前記発光素子１２０が駆動され得る。

【0744】

一方、実施例による発光素子パッケージ１１００によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、図１５ないし図１７に示されたように、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。

【0745】

前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。

【0746】

前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。

【0747】

前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。

【0748】

しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。

【0749】

したがって、実施例による発光素子パッケージ１１００によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。

【0750】

また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。

【0751】

このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。

【0752】

一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。

【0753】

しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。

【0754】

すると、図１８ないし図２１を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明する。

【0755】

図１８ないし図２１を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明することにおいて、図１ないし図１７を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0756】

先ず、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図１８に示されたように、パッケージ胴体１１０が提供され得る。

【0757】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７とを含むことができる。前記パッケージ胴体１１０は、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。また、前記パッケージ胴体１１０は、リセスＲを含むことができる。

【0758】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。

【0759】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。

【0760】

前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。

【0761】

【0762】

前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。

【0763】

次に、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図１９に示されたように、前記リセスＲに接着剤１３０が提供され得る。

【0764】

前記接着剤１３０は、前記リセスＲ領域にドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）方式などを通して提供され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記リセスＲが形成された領域に一定量が提供され得、前記リセスＲをあふれるように提供され得る。

【0765】

そして、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図２０に示されたように、前記胴体１１３の上に発光素子１２０が提供され得る。

【0766】

実施例によると、前記発光素子１２０が前記胴体１１３の上に配置される過程で前記リセスＲは、一種の整列キー（ａｌｉｇｎｋｅｙ）の役割をするように活用されることもある。

【0767】

前記発光素子１２０は、前記接着剤１３０によって前記胴体１１３に固定され得る。前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０の一部は、前記第１ボンディング部１２１と第２ボンディング部１２２方向に移動して硬化することができる。これによって、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間の広い領域に前記接着剤１３０が提供され得、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の固定力が向上され得るようになる。

【0768】

実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。

【0769】

【0770】

【0771】

次いで、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図２１に示されたように、前記発光素子１２０の上にモールディング部１４０が提供され、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に第１および第２導電層３２１、３２２が提供され得る。

【0772】

【0773】

【0774】

【0775】

【0776】

【0777】

【0778】

【0779】

【0780】

【0781】

【0782】

【0783】

【0784】

【0785】

【0786】

【0787】

【0788】

一方、実施例によると、前記モールディング部１４０が形成された後に前記第１および第２導電層３２１、３２２が形成され得る。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が形成された後に前記モールディング部１４０が形成されることもある。

【0789】

実施例による発光素子パッケージ１１００は、前記パッケージ胴体１１０が形成されることにおいて、従来のリードフレームが適用されない。

【0790】

従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、工程時間が短縮されるだけでなく材料も節減され得るという長所がある。

【0791】

また、従来リードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀などのメッキ工程が追加されるべきであるが、本発明の実施例に他の発光素子パッケージ製造方法によると、リードフレームが必要でないので、銀メッキなどの追加工程がなくてもよい。このように、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、製造原価を削減して製造収率を向上させることができるという長所がある。

【0792】

実施例による発光素子パッケージ１１００は、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。

【0793】

【0794】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージ１１００は、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【0795】

次に、図２２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例について説明する。

【0796】

図２２に示された本発明の実施例による発光素子パッケージは、図１５ないし図２１を参照して説明された発光素子パッケージ１１００が回路基板３１０に実装されて供給される例を示すものである。例として、前記回路基板３１０に実装される発光素子パッケージ１１００は、照明装置に使用され得る。

【0797】

図２２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２１を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0798】

実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、回路基板３１０、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。

【0799】

【0800】

【0801】

【0802】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７とを含むことができる。

【0803】

前記パッケージ胴体１１０は、上面から下面まで第１方向に貫通する第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面まで第１方向に貫通して提供され得る。

【0804】

前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３を含むことができる。

【0805】

前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記反射部１１７により提供されるキャビティＣ内に配置され得る。

【0806】

【0807】

【0808】

【0809】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッド３１１と重なって提供され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第１パッド３１１は、垂直方向で互いに重なって提供され得る。

【0810】

【0811】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２パッド３１２と重なって提供され得る。前記第２ボンディング部１２２と前記第２パッド３１２は、垂直方向で互いに重なって提供され得る。

【0812】

【0813】

実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。

【0814】

前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面に直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と垂直方向で互いに重なって提供され得る。

【0815】

前記第１導電層３２１の上面は、前記胴体１１３の上面と同一平面に配置され得る。前記第１導電層３２１の下面は、前記胴体１１３の下面と同一平面に提供され得る。

【0816】

前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面に直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と垂直方向で互いに重なって提供され得る。

【0817】

前記第２導電層３２２の上面は、前記胴体１１３の上面と同一平面に配置され得る。前記第２導電層３２２の下面は、前記胴体１１３の下面と同一平面に提供され得る。

【0818】

例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。

【0819】

実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、第１ボンディング層４２１と第２ボンディング層４２２とを含むことができる。

【0820】

前記第１ボンディング層４２１は、前記パッケージ胴体１１０が前記回路基板３１０に実装される工程で前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第２ボンディング層４２２は、前記パッケージ胴体１１０が前記回路基板３１０に実装される工程で前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。

【0821】

前記第１ボンディング層４２１と前記第２ボンディング層４２２は、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、キン（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタルム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）を含むグループから選択された少なくとも一つの物質または選択的合金で形成され得る。

【0822】

実施例によると、前記第１ボンディング層４２１によって前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１とが電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング層４２２によって前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２とが電気的に連結され得る。

【0823】

一方、実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ユーテクティックボンディングによって前記回路基板３１０に実装されることもある。また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング層４２１、４２２が提供されず、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２パッド３１１、３１２にそれぞれ電気的に連結されることもある。

【0824】

また、実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、リセスＲを含むことができる。

【0825】

前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７のと間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。

【0826】

【0827】

実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。

【0828】

【0829】

【0830】

【0831】

実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは、前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。

【0832】

前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１１００にクラックが発生しないように決定され得る。

【0833】

【0834】

【0835】

【0836】

【0837】

【0838】

【0839】

【0840】

例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。

【0841】

実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対する比の２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。

【0842】

また、実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。

【0843】

【0844】

実施例による発光素子パッケージは、図２２を参照して説明されたように、前記パッケージ胴体１１０が形成されることにおいて、従来リードフレームが適用されない。

【0845】

従来リードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例による発光素子パッケージによると、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、工程時間が短縮されるだけでなく材料も節減され得るという長所がある。

【0846】

また、従来リードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀などのメッキ工程が追加されるべきであるが、本発明の実施例に他の発光素子パッケージによると、リードフレームが必要でないので、銀メッキなどの追加工程を省略することができる。したがって、前記発光素子パッケージの実施例は、銀メッキなどの物質が変色するという問題点を解決でき、工程を省略できるという長所で製造原価を節減することができる。したがって、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、製造原価を削減して製造収率および製品の信頼性を向上させることができるという長所がある。

【0847】

一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。

【0848】

【0849】

【0850】

【0851】

【0852】

【0853】

【0854】

【0855】

【0856】

【0857】

一方、図２３は、本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。実施例による発光素子パッケージは、図２３に示されたように、図１５ないし図２２を参照して説明された発光素子パッケージに備えて金属層４３０をさらに含むことができる。

【0858】

前記金属層４３０は、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２とに提供され得る。前記金属層４３０は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記パッケージ胴体１１０の側壁と前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記パッケージ胴体１１０の側壁とに提供され得る。

【0859】

前記金属層４３０は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記パッケージ胴体１１０と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。また、前記金属層４３０は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記パッケージ胴体１１０と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。

【0860】

また、実施例によると、前記金属層４３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と隣接した前記パッケージ胴体１１０の下面にも提供され得る。

【0861】

前記金属層４３０は、前記パッケージ胴体１１０と接着力の良い物性を有する物質で形成され得る。また、前記金属層４３０は、前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力の良い物性を有する物質で形成され得る。

【0862】

これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内に安定して提供され得るようになる。実施例によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２と前記パッケージ胴体１１０との接着力が良くない場合にも、前記金属層４３０によって前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内に安定して提供され得るようになる。

【0863】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージの場合、各ボンディング部下に一つの開口部が提供された場合を基準として説明された。

【0864】

しかし、他の実施例による発光素子パッケージによると、各開口部の下に複数の開口部が提供されることもある。また、複数の開口部は、互いに異なる幅を有する開口部で提供されることもある。

【0865】

また、実施例による開口部の形状は、多様な形状で提供されることもある。

【0866】

例えば、実施例による開口部は、上部領域から下部領域まで同じ幅で提供されることもある。

【0867】

また、実施例による開口部は、多端構造の形状で提供されることもある。例として、開口部は、２段構造の互いに異なる傾斜角を有する形状で提供されることもある。また、開口部は、３段以上の互いに異なる傾斜角を有する形状で提供されることもある。

【0868】

また、開口部は、上部領域で下部領域に向かって幅が変わる形状で提供されることもある。例として、開口部は、上部領域から下部領域に向かって曲率を有する形状で提供されることもある。

【0869】

また、実施例による発光素子パッケージによると、パッケージ胴体１１０は、上面が平坦な胴体１１３のみを含み、胴体１１３の上に配置された反射部１１７を含まないように提供されることもある。

【0870】

次に、図２４および図２５を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0871】

図２４および図２５を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２３を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0872】

実施例による半導体素子パッケージは、図２４および図２５に示されたように、図１５ないし図２３を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。

【0873】

前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下面の下に位置した前記第１領域Ａ１に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に凹むように提供され得る。

【0874】

前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下に提供され得、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０に下に前記発光素子１２０の短縮方向に延びて提供され得る。

【0875】

図１５ないし図２３を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。

【0876】

しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。

【0877】

また、実施例による発光素子パッケージが前記上部リセスＲ１０を含む場合、前記上部リセスＲ１０は、前記第１領域Ａ１で前記第１および第２導電層３２１、３２２が拡散されて移動することをさらに制限する機能を提供することができる。

【0878】

前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面から前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面から前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。

【0879】

これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が安定的で確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。

【0880】

次に、図２６を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0881】

図２６を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２５を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0882】

実施例による発光素子パッケージは、図２６に示されたように、図１５ないし図２５を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて発光素子１２０のサイズが小さく提供され得る。

【0883】

図１５ないし図２５を参照して説明されたように、前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面とが連結されて密封され得るようになる。

【0884】

前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、図１５ないし図２５を参照して説明された発光素子パッケージでは、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。

【0885】

しかし、実施例による発光素子パッケージは、図２６に示されたように、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲと重なるように提供され得る。

【0886】

このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面とが固定されて密封され得るようになる。

【0887】

また、実施例による発光素子パッケージは、図２６に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。

【0888】

前記第１導電層３２１は前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてさらに小さく提供され得る。

【0889】

【0890】

【0891】

【0892】

【0893】

【0894】

前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２でと伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。

【0895】

【0896】

【0897】

一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、図２６に示されたように、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の四側面を連結する外枠線が前記リセスＲの上に重なって提供され得る。

【0898】

【0899】

【0900】

前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。

【0901】

【0902】

したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。

【0903】

【0904】

【0905】

【0906】

しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２との物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。

【0907】

次に、図２７を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0908】

図２７を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２６を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0909】

実施例による半導体素子パッケージは、図２７に示されたように、図２６を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。

【0910】

【0911】

【0912】

図１５ないし図２３、図２６を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。

【0913】

しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２との物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が電気的に短絡されることが防止され得る。

【0914】

【0915】

前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。

【0916】

これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。

【0917】

次に、図２８ないし図３１を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【0918】

図２８ないし図３１を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２７を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【0919】

実施例による発光素子パッケージはパッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。

【0920】

【0921】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。

【0922】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【0923】

【0924】

【0925】

【0926】

前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームで提供され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができる。

【0927】

また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームで提供されることもある。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結され得る。

【0928】

【0929】

【0930】

【0931】

【0932】

【0933】

一方、実施例による発光素子パッケージは、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。

【0934】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。

【0935】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。

【0936】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る

【0937】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。

【0938】

【0939】

【0940】

したがって、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とがさらに堅固に付着することができる。また、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とがさらに堅固に付着することができる。

【0941】

【0942】

前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。

【0943】

但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は、曲率を有して配置され得る。

【0944】

前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、例として１００マイクロメートルないし１５０マイクロメートルで提供され得る。

【0945】

前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、実施例による発光素子パッケージが後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、パッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。

【0946】

実施例による発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。

【0947】

前記接着剤１３０は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。

【0948】

また、実施例による発光素子パッケージは、リセスＲを含むことができる。

【0949】

【0950】

【0951】

【0952】

【0953】

【0954】

実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。

【0955】

前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージにクラックが発生しないように決定され得る。

【0956】

【0957】

【0958】

例として、前記リセスＲの深さは数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。

【0959】

【0960】

前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図３０および図３１に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または楕円形状の閉ループで提供されることもある。

【0961】

前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。

【0962】

前記第２開口部ＴＨ２の深さは、前記第２フレーム１１２の厚さに対応して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２の深さは、前記第２フレーム１１２の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。

【0963】

【0964】

例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。

【0965】

【0966】

また、実施例による発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。

【0967】

【0968】

前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つができる。

【0969】

【0970】

【0971】

【0972】

前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって囲まれるように配置され得る。

【0973】

【0974】

【0975】

前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって囲まれるように配置され得る。

【0976】

【0977】

【0978】

また、実施例による発光素子パッケージは、第１下部リセスＲ１１と第２下部リセスＲ１２とを含むことができる。前記第１下部リセスＲ１１と前記第２下部リセスＲ１２は、互いに離隔して配置され得る。

【0979】

前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の下面に提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の下面で上面方向で凹むように提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。

【0980】

前記第１下部リセスＲ１１は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に樹脂部が提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。

【0981】

但し、これに限定されず、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質の中から選択されて提供され得る。または、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質の中から選択されて提供され得る。

【0982】

例として、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記胴体１１３が射出工程などを通して形成される過程で提供され得る。

【0983】

前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置され得る。

【0984】

例として、図１５に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部と前記胴体１１３によって周辺の前記第１フレーム１１１からアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）され得る。

【0985】

したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れ、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。

【0986】

これは、前記第１導電層３２１と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたことである。すなわち、前記第１導電層３２１をなす物質が前記第１フレーム１１１と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第１導電層３２１をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。

【0987】

【0988】

したがって、前記第１開口部ＴＨ１に配置される第１導電層３２１があふれる場合、前記樹脂部または、前記胴体１１３が提供された第１下部リセスＲ１１の外側領域に前記第１導電層３２１が拡張されることを防止することができる。

【0989】

また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１ボンディング部１２１の下面に安定して連結され得るようになる。したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２とが互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得るなり得る。

【0990】

また、前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面に提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面から上面方向に凹むように提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置され得る。

【0991】

前記第２下部リセスＲ１２は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２に樹脂部が提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。

【0992】

【0993】

例として、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記胴体１１３が射出工程などを通して形成される過程で提供され得る。

【0994】

前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置され得る。

【0995】

例として、図２９に示されたように、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部と前記胴体１１３によって周辺の前記第２フレーム１１２からアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）され得る。

【0996】

したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れ、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。

【0997】

これは、前記第２導電層３２２と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたことである。すなわち、前記第２導電層３２２をなす物質が前記第２フレーム１１２と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第２導電層３２２をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。

【0998】

【0999】

したがって、前記第２開口部ＴＨ２に配置される第２導電層３２２があふれる場合、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された第２下部リセスＲ１２の外側領域に前記第２導電層３２２が拡張されることを防止することができる。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２ボンディング部１２２の下面に安定して連結され得るようになる。

【1000】

したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２とが互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得る。

【1001】

【1002】

一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、図２８ないし図３１に示されたように、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。

【1003】

【1004】

【1005】

【1006】

【1007】

【1008】

【1009】

【1010】

【1011】

しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が電気的に短絡されることが防止され得る。

【1012】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【1013】

しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）または熱処理工程などの高温工程が適用され得る。このとき、リフローまたは熱処理工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。

【1014】

しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の電極部は、開口部に配置された導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【1015】

【1016】

【1017】

【1018】

例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（ＥｐｏｘｙＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ＳｌｉｃｏｎｅＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。

【1019】

次に、図３２および図３３を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【1020】

図３２および図３３を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３１を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【1021】

実施例による半導体素子パッケージは、図３２および図３３に示されたように、図２８ないし図３１を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。

【1022】

【1023】

【1024】

図２８ないし図３１を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。

【1025】

【1026】

【1027】

前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。

【1028】

【1029】

一方、図２８ないし図３３を参照して説明された発光素子パッケージでは、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。

【1030】

しかし、他の実施例による発光素子パッケージは、図２６を参照して説明された発光素子パッケージと似ているように、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲと重なるように提供され得る。

【1031】

【1032】

次に、図３４を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【1033】

図３４を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３３を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【1034】

実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【1035】

前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７とを含むことができる。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面の周りに配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面の上にキャビティＣを提供することができる。

【1036】

【1037】

【1038】

【1039】

前記発光素子１２０は、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。

【1040】

【1041】

【1042】

【1043】

一方、実施例による発光素子パッケージは、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。

【1044】

【1045】

前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。

【1046】

【1047】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。

【1048】

【1049】

実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きく提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。

【1050】

実施例によると、前記第１ボンディング部１２１の下部領域が前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１の底面が前記胴体１１３の上面に比べてさらに低く配置され得る。

【1051】

また、前記第２ボンディング部１２２の下部領域が前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２の底面が前記胴体１１３の上面に比べてさらに低く配置され得る。

【1052】

【1053】

【1054】

但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は曲率を有して配置され得る。

【1055】

前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、例として１００マイクロメートルないし１５０マイクロメートルで提供され得る。

【1056】

前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、実施例による発光素子パッケージが後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、パッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。

【1057】

また、実施例による発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。

【1058】

【1059】

また、実施例による発光素子パッケージは、リセスＲを含むことができる。

【1060】

【1061】

【1062】

【1063】

【1064】

【1065】

実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。

【1066】

【1067】

【1068】

【1069】

【1070】

【1071】

前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。

【1072】

例として、前記接着剤１３０は図１６および図１７を参照して説明されたことと似ているように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または楕円形状の閉ループで提供されることもある。

【1073】

【1074】

【1075】

例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。

【1076】

【1077】

【1078】

【1079】

このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性の良い前記接着剤１３０が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は前記接着剤１３０で反射して発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。

【1080】

また、実施例による発光素子パッケージはモールディング部１４０を含むことができる。

【1081】

【1082】

【1083】

【1084】

【1085】

前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１および前記第１導電層３２１と電気的に連結され得る。

【1086】

前記第１導電体２２１の下面は、前記第１開口部ＴＨ１の上面に比べてさらに低く配置され得る。前記第１導電体２２１の下面は、前記第１導電層３２１の上面に比べてさらに低く配置され得る。

【1087】

前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１上に配置され得る。また、前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１で前記第１開口部ＴＨ１内部までに延びて配置され得る。

【1088】

【1089】

前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２および前記第２導電層３２２と電気的に連結され得る。

【1090】

前記第２導電体２２２の下面は、前記第２開口部ＴＨ２の上面に比べてさらに低く配置され得る。前記第２導電体２２２の下面は、前記第２導電層３２２の上面に比べてさらに低く配置され得る。

【1091】

前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２上に配置され得る。また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２で前記第２開口部ＴＨ２内部までに延びて配置され得る。

【1092】

【1093】

前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きく提供され得る。

【1094】

このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１によって前記第１導電層３２１と前記第１ボンディング部１２１との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。

【1095】

【1096】

前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。

【1097】

このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。

【1098】

例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２にそれぞれ別途のボンディング物質を通じて安定にボンディングされ得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２の側面および下面が前記第１および第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触することができる。したがって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２下面にそれぞれ直接的に接触する場合に比べて、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積がより大きくなり得ることになる。これによって、前記第１および第２導電体２２１、２２２を通じて前記第１および第２導電層３２１、３２２から前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に電源がそれぞれ安定に供給され得るようになる。

【1099】

例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金で提供され得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、単層または多層で提供され得る。

【1100】

前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに小さく提供され得る。

【1101】

【1102】

前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部の部分は、前記第１ボンディング部１２１の下部の部分の周りに配置され得る。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１ボンディング部１２１の下面に比べてさらに高く配置され得る。

【1103】

【1104】

前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに小さく提供され得る。

【1105】

【1106】

前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部の部分は、前記第２ボンディング部１２２の下部の部分の周りに配置され得る。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２ボンディング部１２２の下面に比べてさらに高く配置され得る。

【1107】

【1108】

【1109】

【1110】

一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面の間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。

【1111】

前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。

【1112】

【1113】

【1114】

【1115】

【1116】

【1117】

【1118】

【1119】

【1120】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【1121】

しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）または熱処理工程などの高温工程が適用され得る。このとき、リフローまたは熱処理工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。

【1122】

【1123】

したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ－ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。

【1124】

【1125】

【1126】

【1127】

次に、図３５を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【1128】

図３５を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３４を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【1129】

実施例による半導体素子パッケージは、図３５に示されたように、図３４を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。

【1130】

【1131】

【1132】

図３４を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。

【1133】

【1134】

【1135】

前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは、表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。

【1136】

【1137】

一方、図３４および図３５を参照して説明された発光素子パッケージおいては、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。

【1138】

【1139】

このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面が固定されて密封され得るようになる。

【1140】

次に、図３６を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【1141】

図３６を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３５を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【1142】

実施例による発光素子パッケージは,パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。

【1143】

【1144】

【1145】

前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。

【1146】

【1147】

【1148】

【1149】

【1150】

【1151】

【1152】

【1153】

【1154】

【1155】

【1156】

前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。

【1157】

【1158】

【1159】

【1160】

【1161】

【1162】

【1163】

【1164】

前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１上に配置され得る。また、前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１から前記第１開口部ＴＨ１内部までに延びて配置され得る。

【1165】

【1166】

【1167】

【1168】

前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２上に配置され得る。また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２から前記第２開口部ＴＨ２内部までに延びて配置され得る。

【1169】

【1170】

【1171】

【1172】

【1173】

【1174】

このように実施例による発光素子パッケージ２００によると、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。

【1175】

【1176】

前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。

【1177】

【1178】

また、実施例による発光素子パッケージは、リセスＲを含むことができる。

【1179】

【1180】

【1181】

【1182】

実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。

【1183】

【1184】

前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ－フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面の間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。

【1185】

【1186】

【1187】

【1188】

前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図１６および図１７に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または楕円形状の閉ループで提供されることもある。

【1189】

【1190】

【1191】

【1192】

【1193】

また、実施例による発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。

【1194】

【1195】

【1196】

【1197】

【1198】

前記第１下部リセスＲ１１は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に樹脂部が提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。

【1199】

但し、これに限定されず、前記樹脂部は前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質の中から選択されて提供され得る。または、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質の中から選択されて提供され得る。

【1200】

【1201】

【1202】

したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れて、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。

【1203】

【1204】

これによって、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域方向にあふれて、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域外部にあふれたり拡散されることが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供された領域に安定して配置され得るようになる。したがって、前記第１開口部ＴＨ１に配置される第１導電層３２１があふれる場合、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された第１下部リセスＲ１１の外側領域に前記第１導電層３２１が拡張されることを防止することができる。また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１ボンディング部１２１の下面に安定して連結され得るようになる。

【1205】

【1206】

また、前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面に提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面で上面方向で凹むように提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置され得る。

【1207】

【1208】

【1209】

【1210】

前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置され得る。

【1211】

したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れて、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。

【1212】

これは、前記第２導電層３２２と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたのである。すなわち、前記第２導電層３２２をなす物質が前記第２フレーム１１２と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第２導電層３２２をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。

【1213】

これによって、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域方向にあふれて、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域外部にあふれたり拡散されることが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供された領域に安定して配置され得るようになる。したがって、前記第２開口部ＴＨ２に配置される第２導電層３２２があふれる場合、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された第２下部リセスＲ１２の外側領域に前記第２導電層３２２が拡張されることを防止することができる。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２ボンディング部１２２の下面に安定して連結され得るようになる。

【1214】

したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２が互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得る。

【1215】

一方、図３６に示された発光素子パッケージは、第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を形成する工程で、第１および第２リードフレーム１１１、１１２の上面方向と下面方向でエッチングがそれぞれ行われた場合を示すものである。

【1216】

前記第１および第２リードフレーム１１１、１１２の上面方向と下面方向でそれぞれエッチングが行われることにより、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の形状が一種の雪だるま形状で提供され得る。

【1217】

前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２は、下部領域から中間領域に向かって幅が徐々に増加して再び減少することができる。また、幅が減少した中間領域から再び上部領域に向かって幅が徐々に増加して再び減少することができる。

【1218】

前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２それぞれの上面に配置された第１領域、前記第１および第２フレーム１１１、１１２それぞれの下面に配置された第２領域を含むことができる。前記第１領域の上面の幅は、前記第２領域の下面の幅より小さく提供され得る。

【1219】

また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅に比べて前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅がさらに広く提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、上部領域で所定の深さだけ一定の幅で提供される第１領域と、下部領域に向かって傾斜した形状で提供される第２領域を含むことができる。また、前記第１領域と前記第２領域は、側面が曲率を有する円形形状で構成され得、前記第１領域上面の幅は、前記第２領域下面の幅より狭いこともある。また、前記第１領域と前記第２領域とが接する部分は、折曲部を有することができる。

【1220】

また、実施例によると、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を形成するエッチング工程が完了した後、前記第１および第２フレーム１１１、１１２に対するメッキ工程が行われ得る。これによって、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の表面に第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａが形成され得る。

【1221】

前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａは、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の上面および下面に提供され得る。また、前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａは、前記第１および第２犬夫婦ＴＨ１、ＴＨ２と接する境界領域に提供され得る。

【1222】

例として、前記第１および第２フレーム１１１、１１２は、基本支持部材としてＣｕ層で提供され得る。また、前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａはＮｉ層、Ａｇ層などで少なくとも一つを含むことができる。

【1223】

前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａがＮｉ層を含む場合、Ｎｉ層は、熱膨張に対する変化が小さいので、パッケージ胴体が熱膨張によってそのサイズまたは配置位置が変化する場合にも、前記Ｎｉ層によって上部に配置された発光素子の位置が安定して固定され得るようになる。前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａがＡｇ層を含む場合、Ａｇ層は、上部に配置された発光素子から発光される光を効率的に反射させて光度を向上させることができる。

【1224】

実施例によると、前記光抽出効率を改善するために発光素子１２０の第１および第２ボンディング部１２１、１２２のサイズを小さく配置する場合、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きいか、または同じに提供され得る。

【1225】

また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。

【1226】

例として、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅は、数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルで提供され得る。また、前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅に比べて数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルより大きく提供され得る。

【1227】

また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅は、数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルで提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅に比べて数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルより大きく提供され得る。

【1228】

また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅に比べて前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅がさらに広く提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、上部領域で所定の深さだけ一定の幅で提供されて、下部領域に向かって傾斜した形状で提供され得る。

【1229】

また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅に比べて前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅がさらに広く提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、上部領域で所定の深さだけ一定の幅で提供されて、下部領域に向かって傾斜した形状で提供され得る。

【1230】

例として、前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。

【1231】

【1232】

実施例による発光素子パッケージは、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さい場合、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内に配置され得る。

【1233】

このとき、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さいので、前記第１および第２導電層３２１、３２２と前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２との間の接着力が確保されにくいこともある。したがって、実施例による発光素子パッケージは、第１および第２導電層３２１、３２２と前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２との間の接触面積をさらに確保するために第１導電体２２１と第２導電体２２２を含むことができる。

【1234】

【1235】

【1236】

【1237】

【1238】

【1239】

【1240】

【1241】

【1242】

【1243】

【1244】

【1245】

【1246】

【1247】

また、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１および第２導電体２２２が安定して配置されるように前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上と設定され得る。

【1248】

このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性の良い前記接着剤１３０が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は前記接着剤１３０で反射して発光素子パッケージ１１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。

【1249】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。

【1250】

【1251】

しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子のボンディング部は、開口部に配置された導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。

【1252】

【1253】

【1254】

【1255】

【1256】

次に、図３７を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。

【1257】

図３７を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３６を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。

【1258】

実施例による半導体素子パッケージは、図３７に示されたように、図３６を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。

【1259】

【1260】

【1261】

図３６を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。

【1262】

【1263】

【1264】

【1265】

【1266】

一方、図３６を参照して説明された発光素子パッケージにおいては、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。

【1267】

【1268】

このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３との上面が固定されて密封され得るようになる。

【1269】

一方、上述した実施例による発光素子パッケージにおいて、前記接着層１３０が前記発光素子１２０の側面に隣接するように提供される場合、前記接着層１３０が前記発光素子１２０の側面に沿って一部領域まで拡散されることもある。

【1270】

また、上述した実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体に形成されたリセスＲが閉ループで提供される場合を基準として説明されたが、リセスＲが必ず閉ループで形成されないこともある。リセスＲが閉ループで形成されず、日程距離をおいて互いに離隔した形状で提供される場合に、リセスＲに提供された接着層が互いに連結されるほどリセスＲが小さい距離で離隔していると、接着剤によって発光素子とパッケージ胴体とが安定して密封されることがあるので望む効果を十分に実現することができることになる。また、接着剤が拡散性を有しているので、互いに離隔したリセスＲに配置された接着層が発光素子の下面とパッケージ胴体の上面とで拡散され得、これによって、発光素子の下面とパッケージ胴体の上面との間が効果的に密封され得るようになる。

【1271】

一方、上述した発光素子パッケージには、例としてフリップチップ発光素子が提供され得る。

【1272】

例として、フリップチップ発光素子は、６面方向に光が放出される透過型フリップチップ発光素子で提供され得、５面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子で提供されることもある。

【1273】

前記５面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子は、前記パッケージ胴体１１０に近い方向に反射層が配置された構造を有することができる。例えば、前記反射型フリップチップ発光素子は、第１および第２ボンディング部と発光構造物との間に絶縁性反射層（例えば、ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ、ＯｍｎｉＤｉｒｅｃｔｉｏｎａｌＲｅｆｌｅｃｔｏｒなど）および/または、伝導性反射層（例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕなど）を含むことができる。

【1274】

また、前記６面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、第１導電型半導体層と電気的に連結される第１ボンディング部、第２導電型半導体層と電気的に連結される第２ボンディング部を有し、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部との間で光が放出される一般的な水平型発光素子で提供され得る。

【1275】

また、前記６面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、前記第１および第２ボンディング部との間に反射層が配置された反射領域と光が放出される透過領域を両方とも含む透過型フリップチップ発光素子で提供され得る。

【1276】

ここで、透過型フリップチップ発光素子は、上面、４個の側面、下面の６面で光が放出される素子を意味する。また、反射型フリップチップ発光素子は、上面、４個の側面の５面で光が放出される素子を意味する。

【1277】

一方、図１ないし図３７を参照して説明された実施例による発光素子パッケージは光源装置に適用され得る。

【1278】

また、光源装置は、産業分野により表示装置、照明装置、ヘッドランプなどを含むことができる。

【1279】

光源装置の例において、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバーの上に配置される反射版と、光を放出して発光素子を含む発光モジュールと、反射版の前方に配置されて発光モジュールで発散される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと連結されてディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターを含むことができる。ここでボトムカバー、反射版、発光モジュール、導光板、および光学シートは、バックライトユニット（ＢａｃｋｌｉｇｈｔＵｎｉｔ）をなすことができる。また、表示装置は、カラーフィルターを含まず、赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）光を放出する発光素子がそれぞれ配置される構造をなすこともできる。

【1280】

光源装置のまた他の例において、ヘッドランプは、基板上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定方向、例えば、前方に反射させるリフレクター（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、リフレクターによって反射する光を前方で屈折させるレンズ、およびリフレクターによって反射してレンズに向かう光の一部分を遮断または反射して、設計者が希望する背光パターンをなすようにするシェード（ｓｈａｄｅ）を含むことができる。

【1281】

光源装置の他の例の照明装置は、カバー、光源モジュール、放熱体、電源提供部、内部ケース、ソケットを含むことができる。また、実施例による光源装置は、部材とホルダーのうちいずれか一つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュールは、実施例による発光素子パッケージを含むことができる。

【1282】

以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例において例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せまたは変形されて実施可能である。したがって、このような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

【1283】

以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示に過ぎず、実施例を限定するものではなく、実施例が属する分野の通常の知識を有した者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるだろう。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求範囲で規定する本実施例の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

【符号の説明】

【1284】

１１０パッケージ胴体１１１第１フレーム
１１２第２フレーム１１３胴体
１２０発光素子１２１第１ボンディング部
１２２第２ボンディング部１２３発光構造物
１２４基板１３０接着剤
１３３放熱部材１３５樹脂部
１４０モールディング部２１０臨とき基板
２２１第１導電体２２２第２導電体
３１０回路基板３１１第１パッド
３１２第２パッド３１３支持基板
３２１第１導電層３２２第２導電層
４２１第１ボンディング層４２２第２ボンディング層

【図1】