(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-02-21
(45)【発行日】2023-03-02
(54)【発明の名称】ポリイミドフィルム
(51)【国際特許分類】
C08J 5/18 20060101AFI20230222BHJP
C08G 73/10 20060101ALI20230222BHJP
【FI】
C08J5/18 CFG
C08G73/10
(21)【出願番号】P 2019089961
(22)【出願日】2019-05-10
【審査請求日】2022-04-19
(73)【特許権者】
【識別番号】000004503
【氏名又は名称】ユニチカ株式会社
(72)【発明者】
【氏名】杉本 洋輔
(72)【発明者】
【氏名】山田 祐己
(72)【発明者】
【氏名】竹内 耕
(72)【発明者】
【氏名】吉田 猛
(72)【発明者】
【氏名】繁田 朗
(72)【発明者】
【氏名】越後 良彰
【審査官】堀内 建吾
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第2018/061727(WO,A1)
【文献】特開2015-127117(JP,A)
【文献】特開2019-65180(JP,A)
【文献】特開2017-165909(JP,A)
【文献】特開2016-188298(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
C08G 73/10
C08J 5/18
CAplus/REGISTRY(STN)
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
テトラカルボン酸二無水物成分として、3,3′,4,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)を全テトラカルボン酸二無水物成分に対し70モル%以上含み、ジアミン成分として、2,2′-ジメチル-4,4′-ジアミノビフェニル(DMDB)(以下、「ジアミンA」と略記する)と4,4′-オキシジアニリン(ODA)および/または2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BAPP)(以下、ODAおよび/またはBAPPを「ジアミンB」と略記する)とを含むポリイミド(PI)からなるフィルムであって、ジアミンAとジアミンBとの合計量に対するジアミンBのモル比率(B/(A+B))が、5モル%以上、35モル%以下であり、PIフィルムの誘電正接が0.006以下、破断伸度が15%以上、引張弾性率が5000MPa以上であることを特徴とするPIフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、誘電特性、力学的特性に優れた耐熱性のポリイミド(PI)フィルムに関するものである。このPIフィルムは、高周波帯域用のプリント回路やアンテナ基板等を構成する部材として用いることができる。
【背景技術】
【0002】
高周波帯域用のプリント回路やアンテナ等に用いられるフレキシブル高周波基板においては、絶縁層を構成する部材として耐熱性、寸法安定性に優れたPIフィルムが用いられている。このPIフィルムにおいては、その誘電特性(誘電正接)を向上させることが求められる。 誘電特性に優れたPIフィルムとして、特許文献1には、テトラカルボン酸二無水物成分として、3,3′,4,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)、ジアミン成分として、ダイマジアミン、2,2′-ジメチル-4,4′-ジアミノビフェニル(DMDB)を用いたPIフィルムが提案されている。
【0003】
しかしながら、特許文献1に開示されたPIフィルムは、ジアミン成分として、ダイマジアミンを必須成分として用いているので、得られたPIフィルムの誘電特性が向上したとしても、PIフィルムとしての剛性(引張弾性率)が低下する傾向にあり、高周波帯域用のプリント回路やアンテナ基板等を構成する部材として用いるには、その力学的特性は充分なものではなかった。また、テトラカルボン酸二無水物成分として、3,3′,4,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(s-BPDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)、ジアミン成分として2,2′-ジメチル-4,4′-ジアミノビフェニル(DMDB)のみを用いたPIからなるフィルムは、高分子鎖が剛直になりすぎて、フィルムとしての靭性(破断伸度)が低下する傾向にあり、その力学的特性は充分なものではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は上記課題を解決するものであり、誘電特性に優れ、かつ優れた力学的特性(高い引張弾性率と高い破断伸度)を有するPIフィルムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、テトラカルボン酸二無水物成分およびジアミン成分を特定のものとしたPIフィルムにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明に至った。
【0007】
本発明は、「s-BPDAを、全テトラカルボン酸二無水物成分に対し70モル%以上含み、ジアミン成分として、DMDB(以下、「ジアミンA」と略記することがある)と4,4′-オキシジアニリン(ODA)および/または2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン(BAPP)(以下、ODAおよび/またはBAPPを「ジアミンB」と略記することがある)とを含むPIからなるフィルムであって、ジアミンAとジアミンBとの合計量に対するジアミンBのモル比率(B/(A+B))が、5モル%以上、35モル%以下であり、PIフィルムの誘電正接が0.006以下、破断伸度が15%以上、引張弾性率が5000MPa以上であることを特徴とするPIフィルム」を趣旨とするものである。
【発明の効果】
【0008】
本発明のPIフィルムは、誘電特性、耐熱性に優れ、しかも、高い引張弾性率と高い破断伸度を有しており、力学的特性に優れる。従い、高周波帯域用のプリント回路やアンテナ基板等の基板の部材として好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0009】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】
本発明のPIフィルムを構成するPIは、s-BPDAを全テトラカルボン酸二無水物成分に対し、70モル%以上含み、ジアミン成分として、DMDB(ジアミンA)とODAおよび/またはBAPP(ジアミンB)とを含み、ジアミンAとジアミンBとの合計量に対するジアミンBのモル比率(B/(A+B))が、5モル%以上、35モル%以下のPIであることが必要である。
ここで、s-BPDAのモル比率は、全テトラカルボン酸二無水物に対し、90モル%以上とすることが好ましく、100モル%とすることがさらに好ましい。また、s-BPDA以外のテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、2,3,3′,4′-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4′-オキシジフタル酸無水物、3,3′,4,4′-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物等を用いることができる。これらは、単独または2種以上組み合わせて用いることができる。
また、ジアミンBのモル比率は、10モル%以上、30モル%以下とすることが好ましい。なお、ジアミンとしては、本発明のPIフィルムが有する特性を損なわない範囲で、ジアミンA、ジアミンB以外のジアミンを用いることができる。
【0011】
ジアミンA、ジアミンB以外のジアミンとしては、p-フェニレンジアミン、4,4′-ジアミノジシクロヘキシルメタン、ダイマジアミン、4,4′-ジアミノジフェニルメタン、m-フェニレンジアミン、2′-メトキシ-4,4′-ジアミノベンズアニリド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3′-ジヒドロキシ-4,4′-ジアミノビフェニル、4,4′-ジアミノベンズアニリド、ビスアニリンフルオレン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4′-(4-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、ビス[4,4′-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、9,9-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2-ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4′-メチレンジ-o-トルイジン、4,4′-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4′-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、4,4′-ジアミノジフェニルプロパン、3,3′-ジアミノジフェニルプロパン、4,4′-ジアミノジフェニルエタン、3,3′-ジアミノジフェニルエタン、3,3′-ジアミノジフェニルメタン、4,4′-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3′-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4′-ジアミノジフェニルスルホン、3,3′-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4′-ジアミノジフェニルエーテル、ベンジジン、3,3′-ジアミノビフェニル、3,3′-ジメチル-4,4′-ジアミノビフェニル、3,3′-ジメトキシベンジジン、4,4″-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3″-ジアミノ-p-テルフェニル、p-フェニレンアミン、2,6-ジアミノピリジン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4′-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4′-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4-ジアミノシクロヘキサン、4,4′-メチレンビス(2-メチルシクロヘキシルアミン)、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5.5]-ウンデカン等を用いることができる。
【0012】
このようなモノマ組成とすることにより、良好な誘電特性と優れた力学的特性(引張弾性率および破断伸度)とを有するPIフィルムとすることができる。
【0013】
本発明のPIフィルムは、以下に述べるポリアミック酸(PI前駆体であり、以下「PAA」と略記することがある)溶液を基材上に塗布、乾燥、熱硬化(熱イミド化)した後、基材からPIフィルムを剥離することにより得ることができる。
【0014】
PAA溶液は、例えば、含窒素極性溶媒中、テトラカルボン酸二無水物全量と、ジアミン全量とが略等モルになるように配合し、10~70℃で重合反応させ、均一溶液として得ることができる。ここで、含窒素極性溶媒としては、アミド系溶媒、尿素系溶媒が好ましい。アミド系溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)等を挙げることができる。尿素系溶媒としては、例えば、テトラメチル尿素、ジメチルエチレン尿素等を挙げることができる。含窒素極性溶媒は、これらを単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中で、DMAcおよびNMPが好ましい。
【0015】
本発明のPIフィルムは、前記PAA溶液を基材上に塗布し、100~150℃で乾燥して、200℃以上の温度で熱硬化(熱イミド化)することにより、厚みが1~200μm程度のフィルム状の成形体として得ることができる。基材としてはPIフィルム、銅箔、ガラス板等を用いることができる。熱硬化に際しては、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【0016】
このようにして得られる本発明のPIフィルムの誘電特性としては、10GHzにおける誘電正接(Df)として、0.006以下とすることが必要であり、0.0055以下とすることがより好ましい。Dfは、ネットワークアナライザを用いた共振法により確認することができる。また、本発明のPIフィルムの力学的特性としては、引張弾性率が5000MPa以上とすることが必要であり、5500MPa以上とすることがより好ましい。また、破断伸度は、15%以上とすることが必要であり、20%以上とすることがより好ましい。力学的特性(引張弾性率および破断伸度)は、JIS K-7161の規定に基づき確認することができる。
【実施例】
【0017】
以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0018】
<実施例1>
ガラス製反応容器に、窒素ガス雰囲気下、テトラカルボン酸二無水物としてs-BPDA:0.104モル、ジアミンとして、DMDB:0.085モル、BAPP:0.015モル、溶媒としてNMPを仕込み、攪拌下、60℃で7時間反応させることにより、固形分濃度が18質量%の均一なPAA溶液を得た。
次に、ガラス板上に、PAA溶液を塗布し、しかる後、窒素ガス雰囲気下、130℃で20分乾燥した後、徐々に昇温して、300℃で60分処理後、ガラス板からPI被膜を剥離することにより、厚みが20μmのPIフィルムを得た。このPIフィルムのDf、引張弾性率、および破断伸度の測定結果を表1に示した。
【0019】
【0020】
<実施例2~4、比較例1~3>
PAA溶液におけるモノマ仕込みを表1に記載の組成としたこと以外は、実施例1と同様にして、PIフィルムを得た。これらPIフィルムのDf、引張弾性率、および破断伸度の測定結果を表1に示した。
【0021】
実施例で示した通り、本発明のPIフィルムは、Dfが0.006以下と良好であり、引張弾性率および破断伸度も高いことが判る。これに対し、比較例のPIフィルムでは、Df、引張弾性率、破断伸度のいずれかの特性が劣っていることが判る。
【産業上の利用可能性】
【0022】
本発明のPIフィルムは、誘電特性、力学的特性に優れる。従い、高周波帯域用のプリント回路やアンテナ基板等の基板の部材として好適に用いることができる。