(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-02-22
(45)【発行日】2023-03-03
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20230224BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20230224BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 R
H01L21/304 648G
H01L21/304 643A
H01L21/304 651M
H01L21/304 651L
H01L21/304 651A
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2019100238
(22)【出願日】2019-05-29
(65)【公開番号】P2020194909
(43)【公開日】2020-12-03
【審査請求日】2021-12-23
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】石井 弘晃
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼岡 誠
【審査官】鈴木 智之
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－０４６１０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１８３５１２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１４２６７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１２１０４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０８－１３９０８４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板保持ユニットによって保持されている基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の表面外周部に設けられた着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に配置された吐出口から前記着液位置に向けて処理液を吐出して、前記表面外周部を、処理液を用いて処理する外周部処理工程と、
前記基板の前記表面外周部の高さ歪を取得する高さ歪取得工程と、
前記高さ歪取得工程によって取得された前記高さ歪に基づいて、前記吐出口から吐出される処理液の吐出方向を一定に保ちながら、前記着液位置に供給された処理液の内周位置を調整する内周位置調整工程と、
前記基板回転工程および前記外周部処理工程に並行して、前記基板のうち少なくとも外周部を加熱する基板加熱工程と、を含み、
前記高さ歪取得工程が、前記基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて、前記表面外周部の前記高さ歪を演算する加熱高さ歪演算工程を含み、
前記内周位置調整工程が、前記加熱高さ歪演算工程によって求められた前記高さ歪に基づいて前記内周位置を調整する工程を含む、基板処理方法。
【請求項2】
前記加熱高さ歪演算工程が、前記基板加熱工程の開始からの経過時間と前記表面外周部の高さ歪であって前記基板の表面に直交する方向への前記基板の表面中央部に対する前記基板の前記表面外周部の変位を表す高さ歪との対応関係を参照しながら、前記高さ歪を求める工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記対応関係が、前記基板処理方法が実現される基板処理装置を用いた実験によって求められている、請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記基板加熱工程が、ヒータを、前記基板を当該基板の裏面側から少なくとも輻射熱によって加熱可能な加熱位置に配置するヒータ配置工程を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記着液位置を、前記基板の表面に沿う方向であって当該着液位置における接線方向に交差する移動方向に移動させる工程を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項6】
前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記吐出口から吐出される処理液の吐出流量を変更する工程を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項7】
前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記着液位置に供給された処理液に対し、前記基板の回転半径方向の内側から吹き付けられる気体の吹き付け流量を変更する工程を含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項8】
前記高さ歪取得工程が、前記基板の前記表面外周部の円周方向の複数位置のそれぞれにおける前記高さ歪の平均を取得する工程を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項9】
前記基板保持ユニットが、前記基板の外周部を支持せずに前記基板の中央部を支持して前記基板を保持するユニットを含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項10】
基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、
前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の表面外周部に対し、前記基板の回転半径方向の内側に配置された吐出口を有する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルに処理液を供給するための処理液供給ユニットと、
前記基板の前記表面外周部の高さ歪を取得するための高さ歪取得ユニットと、
前記基板の前記表面外周部に設けられた着液位置に供給された処理液の内周位置を調整するための内周位置調整ユニットと、
前記基板のうち少なくとも外周部を加熱する加熱ユニットと、
前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記高さ歪取得ユニット、前記内周位置調整ユニットおよび前記加熱ユニットを制御する制御装置と、を含み、
前記制御装置が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに、前記基板回転ユニットによって回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記着液位置に向けて前記吐出口から処理液を吐出して、前記表面外周部を、処理液を用いて処理する外周部処理工程と、前記基板の前記表面外周部の高さ歪を、前記高さ歪取得ユニットによって取得する高さ歪取得工程と、前記高さ歪取得工程によって取得された高さ歪に基づいて、前記吐出口から吐出される処理液の吐出方向を一定に保ちながら、前記内周位置調整ユニットによって、前記着液位置に供給された処理液の内周位置を調整する内周位置調整工程と、前記基板回転工程および前記外周部処理工程に並行して、前記基板のうち少なくとも外周部を加熱する基板加熱工程と、を実行し、
前記制御装置が、前記高さ歪取得工程において、前記基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて、前記表面外周部の前記高さ歪を演算する加熱高さ歪演算工程を実行し、
前記制御装置が、前記内周位置調整工程において、前記加熱高さ歪演算工程によって求められた前記高さ歪に基づいて前記内周位置を調整する工程を実行する、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板の例には、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【0002】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板の外周部に対してエッチング液を用いた処理（外周部エッチング）が行われる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面外周部に向けてエッチング液を吐出する処理液ノズルと、を備えている（下記特許文献１参照）。
【0003】
スピンチャックに支持されている基板に反りが発生していることがある。基板に反りが発生していると、基板の外周部が、基板の中央部（この場合、基板の中心付近）に対し、上下方向に変位している。基板の外周部の高さ位置が、基板の中央に対し、上下方向に変位している。基板の表面外周部の高さ位置が、所期の高さ位置からずれていると、基板の表面外周部におけるエッチング幅が、所期幅からずれるおそれがある。
【0004】
下記特許文献１には、このような、エッチング幅の所期幅からの変動を抑制すべく、基板の上面外周部の各部の高さ歪の大きさに応じて、吐出口から吐出される処理液の吐出方向（基板の上面外周部に設定された着液位置における入射角度）を変更するものが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１８－４６１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、着液位置における入射角度は、外周部エッチング後のパーティクル性能を最適に保つことができるような角度に設定されている。そのため、特許文献１のように、基板の表面外周部の各部の高さ歪の大きさを検出し、検出した各部の高さ変動に応じて着液位置における入射角度を変更するようにすると、エッチング幅（すなわち、処理幅）の均一性を保つことができる反面、外周部処理（外周部エッチング）後のパーティクル性能を最適に保つことができないおそれがある。
【0007】
この発明は、そのような背景の下でなされたものであり、基板の表面外周部における処理幅を精密に制御でき、かつ外周部処理後における基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
この発明の一実施形態は、基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記基板の表面外周部に設けられた着液位置に対し前記基板の回転半径方向の内側に配置された吐出口から前記着液位置に向けて処理液を吐出して、前記表面外周部を、処理液を用いて処理する外周部処理工程と、前記基板の前記表面外周部の高さ歪を取得する高さ歪取得工程と、前記高さ歪取得工程によって取得された前記高さ歪に基づいて、前記吐出口から吐出される処理液の吐出方向を一定に保ちながら、前記着液位置に供給された処理液の内周位置を調整する内周位置調整工程と、を含む、基板処理方法を提供する。
【0009】
この方法によれば、取得された表面外周部の高さ歪に基づいて、着液位置に供給された処理液（以下、単に「着液処理液」という場合がある）の内周位置が調整される。そのため、着液処理液の内周位置を、基板の反り具合に応じた位置に調整することが可能である。この調整により、着液処理液によって形成される液膜の幅（以下、単に「液幅」という）を精密に制御することが可能である。
【0010】
また、処理液の吐出方向を一定に保ちながら、着液処理液の内周位置を調整するので、吐出口から吐出される処理液が着液位置に入射するときの入射角度を、パーティクル性能の高い最適な角度の近傍の角度に保ち続けることが可能である。したがって、外周部処理後における、基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止することが可能である。
【0011】
これにより、基板の表面外周部における処理幅を精密に制御でき、かつ外周部処理後における基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止できる基板処理方法を提供できる。
前記高さ歪取得工程において取得される前記高さ歪が、前記基板の表面に直交する方向への前記基板の表面中央部に対する前記基板の前記表面外周部の変位を表してもよい。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）の内周位置の内周位置を、所期位置に近づくように調整する工程を含む。
前記高さ歪取得工程において取得される前記高さ歪が、前記基板の表面に直交する方向への前記基板の表面中央部に対する前記基板の前記表面外周部の変位を表してもよい。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）の内周位置の内周位置を、所期位置に近づくように調整する工程を含む。
【0012】
この方法によれば、内周位置調整工程において、着液処理液の内周位置が、所期位置に近づくように調整される。そのため、処理幅を所定幅に保つことができる。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記着液位置を、前記基板の表面に沿う方向であって当該着液位置における接線方向に交差する移動方向に移動させる工程を含む。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記着液位置を、前記基板の表面に沿う方向であって当該着液位置における接線方向に交差する移動方向に移動させる工程を含む。
【0013】
この方法によれば、取得された表面外周部の高さ歪に基づいて、着液位置が移動方向に移動される。移動方向への着液位置の移動により、着液処理液の内周位置を比較的容易に調整できる。これにより、着液処理液の内周位置の精密な制御を、比較的容易に実現できる。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記吐出口から吐出される処理液の吐出流量を変更する工程を含む。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、前記吐出口から吐出される処理液の吐出流量を変更する工程を含む。
【0014】
この方法によれば、取得された表面外周部の高さ歪に基づいて、処理液の吐出流量が変更される。処理液の吐出流量の変更により、着液処理液の内周位置を比較的容易に調整できる。これにより、着液処理液の内周位置の精密な制御を、比較的容易に実現できる。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）に対し、前記基板の回転半径方向の内側から吹き付けられる気体の吹き付け流量を変更する工程を含む。
この発明の一実施形態では、前記内周位置調整工程が、前記吐出方向を一定に保ちながら、着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）に対し、前記基板の回転半径方向の内側から吹き付けられる気体の吹き付け流量を変更する工程を含む。
【0015】
この方法によれば、取得された表面外周部の高さ歪に基づいて、基板の回転半径方向の内側から着液処理液に吹き付けられる気体の吹き付け流量が変更される。吹き付け流量の変更により、着液処理液の内周位置を比較的容易に調整できる。これにより、着液処理液の内周位置の精密な制御を、比較的容易に実現できる。
この発明の一実施形態では、前記高さ歪取得工程が、前記基板の前記表面外周部の円周方向の複数位置のそれぞれにおける前記高さ歪の平均を取得する工程と、を含む。
この発明の一実施形態では、前記高さ歪取得工程が、前記基板の前記表面外周部の円周方向の複数位置のそれぞれにおける前記高さ歪の平均を取得する工程と、を含む。
【0016】
基板に保持されている基板の反り具合や反りの方向が、基板の円周方向に関してばらつく場合がある。
この方法によれば、表面外周部の円周方向の複数位置における高さ歪の平均が、基板の表面外周部の高さ歪として取得される。そのため、反り後の基板の反り具合や反りの方向が、基板の円周方向に関してばらつく場合であっても、上面外周部の高さ歪として、最適な値を取得できる。
この方法によれば、表面外周部の円周方向の複数位置における高さ歪の平均が、基板の表面外周部の高さ歪として取得される。そのため、反り後の基板の反り具合や反りの方向が、基板の円周方向に関してばらつく場合であっても、上面外周部の高さ歪として、最適な値を取得できる。
【0017】
この発明の一実施形態では、前記基板回転工程および前記外周部処理工程に並行して、前記基板のうち少なくとも外周部を加熱する基板加熱工程を、さらに含み、前記高さ歪取得工程が、前記基板加熱工程の進行に伴う前記基板の反りに起因する前記高さ歪を取得する工程を含む。
この方法によれば、基板加熱工程の進行に伴う基板の反りに起因する高さ歪が取得され、取得された、基板の加熱の進行に伴って増大する高さ歪に基づいて着液処理液の内周位置が調整される。
この方法によれば、基板加熱工程の進行に伴う基板の反りに起因する高さ歪が取得され、取得された、基板の加熱の進行に伴って増大する高さ歪に基づいて着液処理液の内周位置が調整される。
【0018】
基板加熱工程の進行に伴って、基板の反り量が増大し、高さ歪が変化（たとえば増大）する。基板加熱工程の進行に伴う高さ歪に基づいて着液処理液の内周位置を調整することにより、基板加熱工程において、基板加熱工程の進行による基板の反りの増大に拘わらず、着液処理液の内周位置を所期位置に保つことが可能である。これにより、着液処理液の内周位置の精密な制御を、良好に実現できる。
【0019】
この発明の一実施形態では、前記基板加熱工程が、ヒータを、前記基板を当該基板の裏面側から少なくとも輻射熱によって加熱可能な加熱位置に配置するヒータ配置工程を含む。
この方法によれば、ヒータが加熱位置に配置されることにより、基板が、少なくとも輻射熱によって、基板の裏面側から加熱される。これにより、基板の表面外周部における処理レートを向上させることができる。
この方法によれば、ヒータが加熱位置に配置されることにより、基板が、少なくとも輻射熱によって、基板の裏面側から加熱される。これにより、基板の表面外周部における処理レートを向上させることができる。
【0020】
この発明の一実施形態では、前記高さ歪取得工程が、前記基板加熱工程に並行して、前記表面外周部の高さ歪を監視する高さ歪監視工程を含む。そして、前記内周位置調整工程が、前記高さ歪監視工程における高さ歪の監視結果に基づいて前記内周位置を調整する工程を含む。
この方法によれば、外周部処理工程において、表面外周部の高さ歪が監視される。そして、高さ歪の監視結果に基づいて、着液処理液の内周位置が調整される。すなわち、表面外周部の高さ歪の変化に応じて、着液処理液の内周位置をリアルタイムに調整できる。実際の計測に基づいて着液処理液の内周位置を調整するので、着液処理液の内周位置を精度良く調整できる。
この方法によれば、外周部処理工程において、表面外周部の高さ歪が監視される。そして、高さ歪の監視結果に基づいて、着液処理液の内周位置が調整される。すなわち、表面外周部の高さ歪の変化に応じて、着液処理液の内周位置をリアルタイムに調整できる。実際の計測に基づいて着液処理液の内周位置を調整するので、着液処理液の内周位置を精度良く調整できる。
【0021】
この発明の一実施形態では、前記高さ歪取得工程が、前記基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて、前記表面外周部の前記高さ歪を演算する加熱高さ歪演算工程を含む。そして、前記内周位置調整工程が、前記加熱高さ歪演算工程によって求められた前記高さ歪に基づいて前記内周位置を調整する工程を含む。
この方法によれば、表面外周部の高さ歪を、基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて演算によって求める。すなわち、外周部処理工程において、表面外周部の高さ歪を監視しておく必要がない。つまり、外周部処理工程において表面外周部の高さ歪を計測することなく、着液処理液の内周位置を高精度に調整することが可能である。
この方法によれば、表面外周部の高さ歪を、基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて演算によって求める。すなわち、外周部処理工程において、表面外周部の高さ歪を監視しておく必要がない。つまり、外周部処理工程において表面外周部の高さ歪を計測することなく、着液処理液の内周位置を高精度に調整することが可能である。
【0022】
この発明の一実施形態では、前記加熱高さ歪演算工程が、前記基板加熱工程の開始からの経過時間と前記表面外周部の高さ歪との対応関係を参照しながら、前記高さ歪を求める工程を含む。
この方法によれば、対応関係を参照することにより、表面外周部の高さ歪が算出される。これにより、表面外周部の高さ歪を計測することなく、表面外周部の高さ歪を取得することが可能である。
前記対応関係の前記高さ歪が、前記基板の表面に直交する方向への前記基板の表面中央部に対する前記基板の前記表面外周部の変位を表していてもよい。
この方法によれば、対応関係を参照することにより、表面外周部の高さ歪が算出される。これにより、表面外周部の高さ歪を計測することなく、表面外周部の高さ歪を取得することが可能である。
前記対応関係の前記高さ歪が、前記基板の表面に直交する方向への前記基板の表面中央部に対する前記基板の前記表面外周部の変位を表していてもよい。
【0023】
この発明の一実施形態では、前記対応関係が、前記基板処理方法が実現される基板処理装置を用いた実験によって求められている。
この方法によれば、基板処理方法が実現される基板処理装置を用いた実験によって対応関係が求められているので、表面外周部の高さ歪を、より一層精度良く取得できる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットが、前記基板の外周部を支持せずに前記基板の中央部を支持して前記基板を保持するユニットを含む。
この方法によれば、基板処理方法が実現される基板処理装置を用いた実験によって対応関係が求められているので、表面外周部の高さ歪を、より一層精度良く取得できる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持ユニットが、前記基板の外周部を支持せずに前記基板の中央部を支持して前記基板を保持するユニットを含む。
【0024】
この方法によれば、基板保持ユニットによって基板の外周部ではなく基板の中央部が支持される。上下方向に変位していても、基板保持ユニットによって基板の中央部ではなく基板の外周部を支持する場合には、基板保持ユニットによる支持によって、基板の外周部の変位の大きさが、幾分緩和される。しかしながら、基板保持ユニットによって基板の外周部ではなく基板の中央部が支持される場合には、基板の外周部の変位の大きさが、基板保持ユニットによる支持によって緩和されることはない。
【0025】
この場合であっても、吐出方向を一定に保ちながら、取得された表面外周部の高さ歪に基づいて着液処理液の内周位置を調整することにより、基板の表面外周部における処理幅を精密に制御でき、かつ外周部処理後における基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止できる。
また、この発明の一実施形態は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の表面外周部に対し、前記基板の回転半径方向の内側に配置された吐出口を有する処理液ノズルと、前記処理液ノズルに処理液を供給するための処理液供給ユニットと、前記基板の前記表面外周部の高さ歪を取得するための高さ歪取得ユニットと、前記基板の前記表面外周部に設けられた着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）の内周位置を調整するための内周位置調整ユニットと、前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記高さ歪取得ユニットおよび前記内周位置調整ユニットを制御する制御装置と、を含む、基板処理装置を提供する。そして、前記制御装置が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに、前記基板回転ユニットによって回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記着液位置に向けて前記吐出口から処理液を吐出して、前記表面外周部を、処理液を用いて処理する外周部処理工程と、前記基板の前記表面外周部の前記高さ歪を、前記高さ歪取得ユニットによって取得する高さ歪取得工程と、前記高さ歪取得工程によって取得された前記高さ歪に基づいて、前記吐出口から吐出される処理液の吐出方向を一定に保ちながら、前記内周位置調整ユニットによって、前記着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）の内周位置を調整する内周位置調整工程と、を実行する。
また、この発明の一実施形態は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させるための基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板の表面外周部に対し、前記基板の回転半径方向の内側に配置された吐出口を有する処理液ノズルと、前記処理液ノズルに処理液を供給するための処理液供給ユニットと、前記基板の前記表面外周部の高さ歪を取得するための高さ歪取得ユニットと、前記基板の前記表面外周部に設けられた着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）の内周位置を調整するための内周位置調整ユニットと、前記基板回転ユニット、前記処理液供給ユニット、前記高さ歪取得ユニットおよび前記内周位置調整ユニットを制御する制御装置と、を含む、基板処理装置を提供する。そして、前記制御装置が、前記基板保持ユニットによって保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに、前記基板回転ユニットによって回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記着液位置に向けて前記吐出口から処理液を吐出して、前記表面外周部を、処理液を用いて処理する外周部処理工程と、前記基板の前記表面外周部の前記高さ歪を、前記高さ歪取得ユニットによって取得する高さ歪取得工程と、前記高さ歪取得工程によって取得された前記高さ歪に基づいて、前記吐出口から吐出される処理液の吐出方向を一定に保ちながら、前記内周位置調整ユニットによって、前記着液位置に供給された処理液（すなわち、着液処理液）の内周位置を調整する内周位置調整工程と、を実行する。
【0026】
この構成によれば、取得された表面外周部の高さ歪に基づいて、着液処理液の内周位置が調整される。そのため、着液処理液の内周位置を、基板の反り具合に応じた位置に調整することが可能である。この調整により、液幅を精密に制御することが可能である。
また、処理液の吐出方向を一定に保ちながら、着液処理液の内周位置を調整するので、吐出口から吐出される処理液が着液位置に入射するときの入射角度を、パーティクル性能の高い最適な角度の近傍の角度に保ち続けることが可能である。したがって、外周部処理後における、基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止することが可能である。
また、処理液の吐出方向を一定に保ちながら、着液処理液の内周位置を調整するので、吐出口から吐出される処理液が着液位置に入射するときの入射角度を、パーティクル性能の高い最適な角度の近傍の角度に保ち続けることが可能である。したがって、外周部処理後における、基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止することが可能である。
【0027】
これにより、基板の表面外周部における処理幅を精密に制御でき、かつ外周部処理後における基板の表面外周部へのパーティクルの付着を抑制または防止できる基板処理装置を提供できる。
前記基板処理装置が、前記基板のうち少なくとも外周部を加熱する加熱ユニットをさらに備えていてもよい。前記制御装置が、前記加熱ユニットをさらに制御してもよい。前記制御装置が、前記基板回転工程および前記外周部処理工程に並行して、前記基板のうち少なくとも外周部を前記加熱ユニットによって加熱する基板加熱工程をさらに実行してもよい。前記制御装置が、前記高さ歪取得工程において、前記基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて、前記表面外周部の前記高さ歪を演算する加熱高さ歪演算工程を実行してもよい。前記制御装置が、前記内周位置調整工程において、前記加熱高さ歪演算工程によって求められた前記高さ歪に基づいて前記内周位置を調整する工程を実行してもよい。
前記基板処理装置が、前記基板のうち少なくとも外周部を加熱する加熱ユニットをさらに備えていてもよい。前記制御装置が、前記加熱ユニットをさらに制御してもよい。前記制御装置が、前記基板回転工程および前記外周部処理工程に並行して、前記基板のうち少なくとも外周部を前記加熱ユニットによって加熱する基板加熱工程をさらに実行してもよい。前記制御装置が、前記高さ歪取得工程において、前記基板加熱工程の開始からの経過時間に基づいて、前記表面外周部の前記高さ歪を演算する加熱高さ歪演算工程を実行してもよい。前記制御装置が、前記内周位置調整工程において、前記加熱高さ歪演算工程によって求められた前記高さ歪に基づいて前記内周位置を調整する工程を実行してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【0029】
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスを用いて一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスを用いて一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置１は、処理液を用いて基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
【0031】
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、処理位置に配置されている処理液ノズル６から処理液を吐出している状態を示す断面図である。
図２に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの外周部１０１（図３等参照）を、より具体的には基板Ｗの上面（表面（デバイス形成面））の外周部１０１（以下、「上面外周部１０２」（表面外周部）という。図３等参照）および基板Ｗの周端面１０３（図３等参照）を、処理液（たとえば、薬液およびリンス液）を用いて処理する（トップサイド処理）ユニットである。この実施形態では、外周部１０１とは、上面外周部１０２、基板Ｗの周端面１０３、および基板Ｗの下面（裏面）の外周部を含む。また、この実施形態では、上面外周部１０２は、たとえば、基板Ｗの上面の外周部のうち、基板Ｗの周端面１０３からコンマ数ミリ～数ミリメートル程度の幅を有する環状の領域を指す。
図２に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗの外周部１０１（図３等参照）を、より具体的には基板Ｗの上面（表面（デバイス形成面））の外周部１０１（以下、「上面外周部１０２」（表面外周部）という。図３等参照）および基板Ｗの周端面１０３（図３等参照）を、処理液（たとえば、薬液およびリンス液）を用いて処理する（トップサイド処理）ユニットである。この実施形態では、外周部１０１とは、上面外周部１０２、基板Ｗの周端面１０３、および基板Ｗの下面（裏面）の外周部を含む。また、この実施形態では、上面外周部１０２は、たとえば、基板Ｗの上面の外周部のうち、基板Ｗの周端面１０３からコンマ数ミリ～数ミリメートル程度の幅を有する環状の領域を指す。
【0032】
図２に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱形の処理チャンバ４と、処理チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液を吐出するための処理液ノズル６と、薬液の一例としてのエッチング液を処理液ノズル６に供給するためのエッチング液供給ユニット（処理液供給ユニット）７と、処理液ノズル６にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット（処理液供給ユニット）８と、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの上面に対向し、基板Ｗの上面の上方の空間をその周囲の雰囲気から遮断する遮断部材９と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面の下方に対向配置されるホットプレート（ヒータ、加熱ユニット）１０と、スピンチャック５の側方を取り囲む筒状の処理カップ１１と、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗにおける上面中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対する上面外周部１０２の高さ歪ＨＤ（高さ位置）を計測するための高さ歪センサ１２と、を含む。
【0033】
図２に示すように、処理チャンバ４は、箱状の隔壁１３と、隔壁１３の上部から隔壁１３内（処理チャンバ４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１４と、隔壁１３の下部から処理チャンバ４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。
図２に示すように、ＦＦＵ１４は隔壁１３の上方に配置されており、隔壁１３の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１４は、隔壁１３の天井から処理チャンバ４内に清浄空気を送る。排気装置は、処理カップ１１内に接続された排気ダクト１５を介して処理カップ１１の底部に接続されており、処理カップ１１の底部から処理カップ１１の内部を吸引する。ＦＦＵ１４および排気装置により、処理チャンバ４内にダウンフロー（下降流）が形成される。
図２に示すように、ＦＦＵ１４は隔壁１３の上方に配置されており、隔壁１３の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１４は、隔壁１３の天井から処理チャンバ４内に清浄空気を送る。排気装置は、処理カップ１１内に接続された排気ダクト１５を介して処理カップ１１の底部に接続されており、処理カップ１１の底部から処理カップ１１の内部を吸引する。ＦＦＵ１４および排気装置により、処理チャンバ４内にダウンフロー（下降流）が形成される。
【0034】
図２に示すように、 スピンチャック５は、この実施形態では、真空吸着式のチャックである。スピンチャック５は、基板Ｗの下面の中央部を吸着支持している。スピンチャック５は、鉛直な方向に延びたスピン軸１６と、このスピン軸１６の上端に取り付けられて、基板Ｗを水平な姿勢でその下面を吸着して保持するスピンベース１７と、スピン軸１６と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ（基板回転ユニット）１８とを備えている。スピンベース１７は、基板Ｗの外径よりも小さな外径を有する水平な円形の上面１７ａを含む。基板Ｗの裏面がスピンベース１７に吸着保持された状態では、基板Ｗの外周部１０１が、スピンベース１７の周端縁よりも外側にはみ出ている。スピンモータ１８が駆動されることにより、スピン軸１６の中心軸線まわりに基板Ｗが回転される。
【0035】
図２に示すように、処理液ノズル６は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレート処理液ノズルである。処理液ノズル６は、基板Ｗの上面における処理液の供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。処理液ノズル６は、ほぼ水平に延びたノズルアーム４０の先端部に取り付けられている。ノズルアーム４０には、ノズルアーム４０を、スピンチャック５の側方に設定された鉛直な揺動軸線まわりに揺動させるアーム移動ユニット（吐出口位置移動ユニット、内周位置調整ユニット）４１が結合されている。アーム移動ユニット４１は、たとえばサーボモータである。アーム移動ユニット４１の駆動によりノズルアーム４０を前記の揺動軸線まわりに水平面内で揺動させることができ、これにより、処理液ノズル６を回動させることができるようになっている。処理液ノズル６の回動によって、上面外周部１０２において、処理液ノズル６が基板Ｗの回転半径方向ＲＤ（以下、単に「径方向ＲＤ」という）に沿って移動する。
【0036】
図３に示すように、処理液ノズル６を配置した状態で、次に述べるエッチング液バルブ２１および次に述べるリンス液バルブ２３が選択的に開かれることにより、処理液ノズル６が、上面外周部１０２の着液位置（以下、単に「着液位置１０５」という）に対し、径方向ＲＤの内側から外側斜め下向きに処理液（薬液またはリンス液）を吐出する。径方向ＲＤの内側から着液位置１０５に向けて処理液が吐出されるので、デバイス形成領域である、基板Ｗの上面中央部への処理液の液跳ねを抑制または防止できる。
【0037】
このとき、吐出口６ａからの処理液の吐出方向は、径方向ＲＤに沿う方向であり、かつ基板Ｗの上面に対して所定角度（入射角度）で入射するような方向である。この入射角度θとして、最適な角度が、実験等を行うことにより決定されている。吐出口６ａからの処理液の吐出方向は、反りのない基板Ｗをスピンチャック５によって保持した場合に、入射角度θが最適な角度になるように設定されている。この実施形態では、処理液ノズル６は、その姿勢を変更することができない。そのため、入射角度θを変更することができない。
【0038】
着液位置１０５に着液した処理液は、基板Ｗの回転方向Ｒに沿って、かつ径方向ＲＤの外側に向けて流れる。着液位置１０５に着液した処理液は、着液位置１０５の周囲の領域と着液位置１０５よりも外側の領域とにおいて処理液の液膜ＬＦを形成する。すなわち、上面外周部１０２には、処理液の液膜ＬＦが円環状に保持される。このときの処理液の液膜ＬＦの幅Ｗ１（以下、「液幅Ｗ１」という）が、処理幅になる。
【0039】
着液位置１０５に応じて、処理液の液膜ＬＦの内周位置（着液処理液の内周位置）ＬＦａが変化し、液幅Ｗ１が変化する。すなわち、着液位置１０５を精度良く制御することにより、内周位置ＬＦａおよび液幅Ｗ１を精度良く制御でき、ひいては処理幅を精度良く制御できる。
図２に示すように、エッチング液供給ユニット７は、処理液ノズル６に接続され、エッチング液供給源からのエッチング液を処理液ノズル６に供給するエッチング液配管２０と、エッチング液配管２０の途中部に介装され、エッチング液配管２０を開閉するためのエッチング液バルブ２１と、を含む。エッチング液供給源から供給されるエッチング液としては、希フッ酸（ＤＨＦ）やバッファードフッ酸（ＢＨＦ）が用いられる。また、エッチング液として、濃フッ酸（ｃｏｎｃＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液）、フッ化アンモニウム等が用いられてもよい。
図２に示すように、エッチング液供給ユニット７は、処理液ノズル６に接続され、エッチング液供給源からのエッチング液を処理液ノズル６に供給するエッチング液配管２０と、エッチング液配管２０の途中部に介装され、エッチング液配管２０を開閉するためのエッチング液バルブ２１と、を含む。エッチング液供給源から供給されるエッチング液としては、希フッ酸（ＤＨＦ）やバッファードフッ酸（ＢＨＦ）が用いられる。また、エッチング液として、濃フッ酸（ｃｏｎｃＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液）、フッ化アンモニウム等が用いられてもよい。
【0040】
図２に示すように、リンス液供給ユニット８は、処理液ノズル６に接続され、リンス液供給源からのリンス液を処理液ノズル６に供給するリンス液配管２２と、リンス液配管２２の途中部に介装され、リンス液配管２２を開閉するためのリンス液バルブ２３と、を含む。リンス液供給源から供給されるリンス液は、たとえば水である。水の一例として、ＤＩＷ（脱イオン水）を挙げることができる。しかし、水は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）、脱気水などであってもよい。
【0041】
リンス液バルブ２３が閉じられた状態でエッチング液バルブ２１が開かれると、エッチング液配管２０から処理液ノズル６に供給されたエッチング液が、処理液ノズル６の下端に設定された吐出口６ａ（図３参照）から吐出される。また、エッチング液バルブ２１が閉じられた状態でリンス液バルブ２３が開かれると、リンス液配管２２から処理液ノズル６に供給されたリンス液が吐出口６ａから吐出される。
【0042】
図２に示すように、遮断部材９は、遮断板２４と、遮断板２４の中央部を上下方向Ｖに貫通する上面ノズル２５とを含む。遮断板２４には、電動モータ等を含む構成の遮断板回転ユニット２６が結合されている。遮断板回転ユニット２６は、遮断板２４を、回転軸線Ａ１と同軸の回転軸線（図示しない）まわりに回転させる。
遮断板２４は、処理対象の基板Ｗの外周形状よりも一回り小径の円周を有している。遮断板２４は、その下面に、基板Ｗの上面全域に対向する円形の基板対向面２４ａを有している。基板対向面２４ａの中央部には、遮断板２４を上下に貫通する円筒状の貫通穴２４ｂが形成されている。貫通穴２４ｂに、上面ノズル２５が挿通している。遮断板２４が基板Ｗよりも小径であるため、遮断板２４を基板Ｗの上面に近接した状態において、基板Ｗの上面中央部は遮断板２４によって覆われるが、上面外周部１０２は露出している。
遮断板２４は、処理対象の基板Ｗの外周形状よりも一回り小径の円周を有している。遮断板２４は、その下面に、基板Ｗの上面全域に対向する円形の基板対向面２４ａを有している。基板対向面２４ａの中央部には、遮断板２４を上下に貫通する円筒状の貫通穴２４ｂが形成されている。貫通穴２４ｂに、上面ノズル２５が挿通している。遮断板２４が基板Ｗよりも小径であるため、遮断板２４を基板Ｗの上面に近接した状態において、基板Ｗの上面中央部は遮断板２４によって覆われるが、上面外周部１０２は露出している。
【0043】
上面ノズル２５は、遮断板２４に一体昇降移動可能に取り付けられている。上面ノズル２５は、その下端部に、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面中央部に対向する吐出口２５ａを形成している。上面ノズル２５には、気体配管２８が接続されている。気体配管２８には、気体配管２８を開閉する気体バルブ２９が介装されている。気体配管２８に付与される気体は、除湿された気体、とくに不活性ガスである。不活性ガスは、たとえば、窒素ガスやアルゴンガスを含む。気体バルブ２９が開かれることにより、上面ノズル２５に不活性ガスが供給される。これにより、吐出口２５ａから不活性ガスが下向きに吐出され、吐出された不活性ガスが基板Ｗの表面Ｗａに吹き付けられる。なお、気体は、空気等の活性ガスであってもよい。
【0044】
図２に示すように、遮断部材９には、電動モータ、ボールねじ等を含む構成の遮断部材昇降ユニット２７が結合されている。遮断部材昇降ユニット２７は、遮断板２４および上面ノズル２５を上下方向Ｖに昇降する。遮断部材昇降ユニット２７は、遮断部材９を、基板対向面２４ａがスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面中央部に近接する遮断位置（図１３に示す位置）と、遮断位置よりも大きく上方に退避した退避位置（図２および図１２に示す位置）の間で昇降させる。遮断部材昇降ユニット２７は、遮断位置および退避位置の双方において遮断板２４を保持可能である。遮断部材９の遮断位置は、基板対向面２４ａと基板Ｗの表面Ｗａとの間に遮断空間が形成されるような位置である。この遮断空間は、その周囲の空間から完全に隔離されているわけではないが、当該周囲の空間から遮断空間への流体（気体および液体）の流入はない。すなわち、この遮断空間は、実質的にその周囲の空間と遮断されている。
【0045】
図２に示すように、ホットプレート１０は、円環状に形成されており、スピンチャック５の外周を取り囲むように設けられている。ホットプレート１０は、上面１０ａを有している。ホットプレート１０は、基板Ｗの外径と同等の外径を有している。ホットプレート１０の上面１０ａの外周部は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの下面の外周部の全ての領域に対向している。ホットプレート１０には、内蔵ヒータ３１が内蔵されている。内蔵ヒータ３１は、ジュール熱を発生させるヒータであり、たとえば、通電により発熱する電熱線である。スピンチャック５が回転しても、ホットプレート１０は回転しない。ホットプレート１０の上面１０ａの温度は、面内で均一である。ホットプレート１０からの輻射熱によって基板Ｗの外周部１０１が均一に加熱される。ホットプレート１０によって基板Ｗの外周部１０１を下面側から加熱することにより、上面外周部１０２における処理レート（エッチングレート）を向上させることができる。
【0046】
図２に示すように、ホットプレート１０には、ホットプレート１０を水平姿勢のまま昇降させるためのホットプレート昇降ユニット（ヒータ移動ユニット、加熱ユニット）３２が結合されている。ホットプレート昇降ユニット３２は、たとえばボールねじやモータによって構成されている。ホットプレート昇降ユニット３２の駆動により、ホットプレート１０は、基板Ｗの下面の外周部に、上面１０ａが接近する加熱位置（図１３に示す位置）と、加熱位置よりも下方に設けられた退避位置（図１２に示す位置）と、の間で昇降可能に設けられている。ホットプレート昇降ユニット３２は、加熱位置および退避位置の双方においてホットプレート１０を保持可能である。
【0047】
ホットプレート１０が加熱位置に配置された状態では、ホットプレート１０からの輻射熱が基板Ｗの外周部１０１に届き、外周部１０１が加熱される。一方、ホットプレート１０が退避位置に配置された状態では、ホットプレート１０からの輻射熱が基板Ｗの外周部１０１にほとんど届かず、ホットプレート１０によって外周部１０１は加熱されない。また、ホットプレート１０の昇降により、上面１０ａと基板Ｗの下面との間隔が変更される。
【0048】
図２に示すように、処理カップ１１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１１は、スピンベース１７を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ１１の上端部１１ａは、スピンベース１７よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出されたエッチング液やリンス液などの処理液は、処理カップ１１によって受け止められる。そして、処理カップ１１に受け止められた処理液は排液処理される。
【0049】
図２に示すように、高さ歪センサ１２は、この実施形態では、上面外周部１０２の高さ位置を検出する高さ位置センサ）を含む。高さ歪センサ１２は、たとえば、反射型のフォトセンサであり、投光部と、受光部と、を含む。投光部から投じられた光を上面外周部１０２で反射させ、その反射光を受光部が受ける。高さ歪センサ１２は、受光部に入る光量に基づいて、上面外周部１０２の高さ位置を計測する。高さ歪センサ１２は、ほぼ水平に延びたセンサアーム３３の先端部に取り付けられている。
【0050】
この実施形態では、高さ歪センサ１２および制御装置３によって、高さ歪ＨＤ（高さ歪ＨＤの大きさおよび高さ歪ＨＤの方向）を計測する高さ歪計測ユニット（高さ歪取得ユニット）が構成されている。この明細書において、上面中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対する上面外周部１０２の上下方の変位を高さ歪ＨＤ（図４、図５および図６Ｃ参照）という。また、この明細書において、高さ歪ＨＤは、高さ歪ＨＤの大きさおよび高さ歪ＨＤの上下方向Ｖの双方を含む趣旨である。
【0051】
センサアーム３３には、センサアーム３３を、スピンチャック５の側方に設定された鉛直な揺動軸線まわりに揺動させるアーム移動ユニット３４が結合されている。アーム移動ユニット３４は、たとえばサーボモータである。アーム移動ユニット３４の駆動によりセンサアーム３３を前記の揺動軸線まわりに水平面内で揺動させることにより、高さ歪センサ１２を、上面外周部１０２の上方に対向する計測位置と、スピンチャック５の側方に設定された退避位置との間で移動させることができる。計測位置は、高さ歪ＨＤの大きさが大きい場合であっても、高さ歪センサ１２によって、上面外周部１０２の高さを検出可能な位置に設定されている。
【0052】
図４は、スピンチャック５による保持対象の基板Ｗに、反りが発生している第１の態様を示す断面図である。図５は、スピンチャック５による保持対象の基板Ｗに、反りが発生している第２の態様を示す断面図である。図６Ａは、スピンチャック５による保持対象の基板Ｗに、反りが発生している第３の態様を示す平面図である。図６Ｂは、図６Ａを、切断面線VIB-VIBから見た図である。図６Ｃは、図６Ａを、切断面線VIC-VICから見た図である。
【0053】
図４～図６Ｃに示すように、処理ユニット２に搬入される基板Ｗに、反りが発生している場合がある。近年の基板Ｗの大径化や基板Ｗへのデバイスの高集積化に伴い、基板Ｗの反りが顕在化してきている。反りが発生している基板Ｗでは、基板Ｗの外周部１０１が、基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し、上下方向Ｖに変位している。基板Ｗの上面中央部に対する上面外周部１０２の変位が、図４に示すように上方の変位である場合、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤは正の値である。一方、基板Ｗの上面中央部に対する上面外周部１０２の変位が、図５に示すように下方の変位である場合、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤは負の値である。
【0054】
基板Ｗに発生する反りの態様としては、基板Ｗが下に凸の椀状を呈する第１の態様（図４参照）と、基板Ｗが上に凸の椀状を呈する第２の態様（図５参照）と、がある。基板Ｗの第１の態様では、外周部１０１の略全域が、基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し、表面（デバイス形成面）側（すなわち、上方）に変位している。また、基板Ｗの第２の態様では、外周部１０１の略全域が、基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し、裏面（デバイス形成面と反対面）側（すなわち、下方）に変位している。
【0055】
とくに、メモリセルアレイを縦方向に積層化する３Ｄ－ＮＡＮＤ型では、基板Ｗには、基板Ｗの中心に近づくにつれて大きな荷重が作用する。そのため、３Ｄ－ＮＡＮＤ型では、基板Ｗが第１の態様を呈することがある。
また、反り後の基板Ｗの態様は、ともに椀状の第１の態様および第２の態様に限られない。反り後の基板Ｗの態様には、円周方向の一部が基板Ｗの中央部に対して上下方向Ｖに変位している第３の態様（図６Ａ～６Ｃ参照）も存在する（いわゆるポテトチップス型）。この第３の態様は、基板Ｗの外周部１０１の円周方向の一部が、基板Ｗの中央部に対して上方および下方の一方に変位し、基板Ｗの外周部１０１の円周方向の他の部分が、基板Ｗの中央部に対して上方および下方の他方に変位する態様も含む。
また、反り後の基板Ｗの態様は、ともに椀状の第１の態様および第２の態様に限られない。反り後の基板Ｗの態様には、円周方向の一部が基板Ｗの中央部に対して上下方向Ｖに変位している第３の態様（図６Ａ～６Ｃ参照）も存在する（いわゆるポテトチップス型）。この第３の態様は、基板Ｗの外周部１０１の円周方向の一部が、基板Ｗの中央部に対して上方および下方の一方に変位し、基板Ｗの外周部１０１の円周方向の他の部分が、基板Ｗの中央部に対して上方および下方の他方に変位する態様も含む。
【0056】
また、基板Ｗを保持するスピンチャック５は、基板Ｗの外周部１０１を支持せずに基板Ｗの中央部（とくに、この実施形態では、基板Ｗの中心を含む小径の領域）を支持することにより、基板Ｗを保持するタイプのものである。仮に、スピンチャック５が基板Ｗの中央部ではなく基板Ｗの外周部１０１を支持する場合には、基板Ｗの反り（すなわち、高さ歪ＨＤの大きさ）が、幾分緩和される。しかしながら、スピンチャック５によって基板Ｗの外周部１０１ではなく基板Ｗの中央部が支持される場合には、基板Ｗの反り（すなわち、高さ歪ＨＤの大きさ）が、スピンチャック５による支持によって緩和されることはない。
【0057】
そして、処理ユニット２において、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを、ホットプレート１０等によって加熱する場合には、その加熱の進行に伴って開始からの加熱時間の経過の増大に伴って、基板Ｗに発生する反りの量（すなわち、高さ歪ＨＤの大きさ）が増大するおそれがある。
図７は、第１の態様を示す基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液ノズル６から処理液を吐出している状態を示す断面図である。図８は、第２の態様を示す基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液ノズル６から処理液を吐出している状態を示す断面図である。図９は、基板Ｗの上面外周部１０２の処理幅を示す要部平面図である。
図７は、第１の態様を示す基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液ノズル６から処理液を吐出している状態を示す断面図である。図８は、第２の態様を示す基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液ノズル６から処理液を吐出している状態を示す断面図である。図９は、基板Ｗの上面外周部１０２の処理幅を示す要部平面図である。
【0058】
処理液ノズル６からの処理液の吐出方向が、基板Ｗの上面に対し傾斜しているので、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖに変位している場合には、基板Ｗの外周部１０１の変位（変位方向およびその変位量）に応じて、上面外周部１０２における処理液の着液位置１０５が径方向ＲＤに変動する。
具体的には、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、図７に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、着液位置１０５が基板Ｗの周端面１０３から離反するような位置に配置される。そして、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが比較的内側寄りに位置し、その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷ（液幅Ｗ２）が所期の液幅Ｗ１より広くなる（液幅Ｗ２＞液幅Ｗ１）。
具体的には、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、図７に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、着液位置１０５が基板Ｗの周端面１０３から離反するような位置に配置される。そして、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが比較的内側寄りに位置し、その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷ（液幅Ｗ２）が所期の液幅Ｗ１より広くなる（液幅Ｗ２＞液幅Ｗ１）。
【0059】
一方、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図５等参照）には、図８に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、着液位置１０５が基板Ｗの周端面１０３に近接するような位置に配置される。そして、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが比較的外側寄りに位置し、その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷ（液幅Ｗ３）が、所期の液幅Ｗ１より狭くなる（液幅Ｗ３＜液幅Ｗ１）。
【0060】
その結果、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図９で二点鎖線で処理幅を示す）と、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図９で一点鎖線で処理幅を示す）と、このような変位がない場合（図９で破線で処理幅を示す）とで、図９に示すように、処理幅（すなわち、液膜ＬＦの液幅ＬＷ）が異なるようになる。
【0061】
図１０は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット５１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット５２、出力ユニット５３および入力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット５２には、演算ユニット５１が実行するプログラムが記憶されている。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット５１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット５２、出力ユニット５３および入力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット５２には、演算ユニット５１が実行するプログラムが記憶されている。
【0062】
記憶ユニット５２は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。記憶ユニット５２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部を含む。
制御装置３には、スピンモータ１８、アーム移動ユニット４１、アーム移動ユニット３４、内蔵ヒータ３１、ホットプレート昇降ユニット３２、エッチング液バルブ２１、リンス液バルブ２３、気体バルブ２９等が制御対象として接続されている。制御装置３は、スピンモータ１８、アーム移動ユニット４１、アーム移動ユニット３４、内蔵ヒータ３１、ホットプレート昇降ユニット３２等の動作を制御する。また、制御装置３は、エッチング液バルブ２１、リンス液バルブ２３、気体バルブ２９等を開閉する。
制御装置３には、スピンモータ１８、アーム移動ユニット４１、アーム移動ユニット３４、内蔵ヒータ３１、ホットプレート昇降ユニット３２、エッチング液バルブ２１、リンス液バルブ２３、気体バルブ２９等が制御対象として接続されている。制御装置３は、スピンモータ１８、アーム移動ユニット４１、アーム移動ユニット３４、内蔵ヒータ３１、ホットプレート昇降ユニット３２等の動作を制御する。また、制御装置３は、エッチング液バルブ２１、リンス液バルブ２３、気体バルブ２９等を開閉する。
【0063】
また、制御装置３には、高さ歪センサ１２の検出出力が入力されるようになっている。
図１１は、処理ユニット２による基板処理例を説明するための流れ図である。図１２は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の前の工程の内容を説明するための模式的な図である。図１３は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の内容を説明するための模式的な図である。図１４Ａは、高さ歪計測工程（Ｓ４）の内容を説明するための流れ図である。図１４Ｂは、高さ歪監視工程（Ｓ６）および着液位置移動工程（内周位置調整工程。Ｓ７）の内容を説明するための流れ図である。図１５は、外周部エッチング工程（Ｓ５）におけるエッチング液の吐出状態の一例を示す断面図である。図１６は、外周部エッチング工程（Ｓ５）におけるエッチング液の吐出状態の他の例を示す断面図である。
図１１は、処理ユニット２による基板処理例を説明するための流れ図である。図１２は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の前の工程の内容を説明するための模式的な図である。図１３は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の内容を説明するための模式的な図である。図１４Ａは、高さ歪計測工程（Ｓ４）の内容を説明するための流れ図である。図１４Ｂは、高さ歪監視工程（Ｓ６）および着液位置移動工程（内周位置調整工程。Ｓ７）の内容を説明するための流れ図である。図１５は、外周部エッチング工程（Ｓ５）におけるエッチング液の吐出状態の一例を示す断面図である。図１６は、外周部エッチング工程（Ｓ５）におけるエッチング液の吐出状態の他の例を示す断面図である。
【0064】
この基板処理例について、図１、図２、図１０、図１１等を参照しながら説明する。図３、図１２～図１６については適宜参照する。
まず、未処理の基板Ｗが、処理チャンバ４の内部に搬入される（図１１のＳ１）。具体的には、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨを処理チャンバ４の内部に進入させることにより、デバイス形成面（表面）を上方に向けた状態で基板Ｗが、スピンチャック５に受け渡される。このとき、処理液ノズル６および高さ歪センサ１２が退避位置に配置されており、ホットプレート１０が退避位置に配置されている。遮断部材９も退避位置に配置されている。
まず、未処理の基板Ｗが、処理チャンバ４の内部に搬入される（図１１のＳ１）。具体的には、基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨを処理チャンバ４の内部に進入させることにより、デバイス形成面（表面）を上方に向けた状態で基板Ｗが、スピンチャック５に受け渡される。このとき、処理液ノズル６および高さ歪センサ１２が退避位置に配置されており、ホットプレート１０が退避位置に配置されている。遮断部材９も退避位置に配置されている。
【0065】
そして、処理チャンバ４の内部への基板Ｗの搬入後に、基板Ｗの下面（裏面）中央部が吸着支持されることにより、スピンチャック５によって基板Ｗが保持される（基板回転工程。図１１のＳ２）。
次いで、制御装置３がスピンモータ１８を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図１１のＳ３）。
次いで、制御装置３がスピンモータ１８を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図１１のＳ３）。
【0066】
また、制御装置３は、内蔵ヒータ３１によってジュール熱を発生させることにより、ホットプレート１０の上面１０ａを所定の高温まで昇温させ、その高温に保持する。このとき、図１２に示すように、ホットプレート１０は、退避位置に配置されている。
また、制御装置３は、アーム移動ユニット３４を制御して、高さ歪センサ１２を退避位置から計測位置に移動させる。その結果、図１２に示すように、高さ歪センサ１２が計測位置に配置される。
また、制御装置３は、アーム移動ユニット３４を制御して、高さ歪センサ１２を退避位置から計測位置に移動させる。その結果、図１２に示すように、高さ歪センサ１２が計測位置に配置される。
【0067】
基板Ｗの回転が所定の計測速度（たとえば５０ｒｐｍ～２００ｒｐｍ）に達すると、制御装置３は、基板Ｗの回転速度を計測速度に保ちながら、高さ歪センサ１２を用いて、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤの計測を開始する（図１１のＳ４：高さ歪計測工程）。具体的には、制御装置３は、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回動させながら、高さ歪センサ１２によって、上面外周部１０２のうち高さ歪センサ１２に下方に対向する領域における高さ歪ＨＤを計測する。高さ歪ＨＤの計測開始後、基板Ｗが少なくとも一周（３６０°）回動を終えると、制御装置３は、円周方向の各部における高さ歪ＨＤを計測したものとして、高さ歪ＨＤの計測を終了する。
【0068】
具体的には、図１４Ａに示すように、高さ歪計測工程（Ｓ４）において、制御装置３は、上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤ（高さ歪ＨＤの大きさおよび高さ歪ＨＤの方向）を、高さ歪センサ１２を用いて計測する（図１４ＡのＳ１１）。そして、その計測結果に基づいて、制御装置３は、上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤの平均である平均高さ歪を算出している（図１４ＡのＳ１２）。
【0069】
高さ歪計測工程（Ｓ４）の実行により、スピンチャック５に保持されている基板Ｗ（処理チャンバ４に搬入された基板Ｗ）の反り具合（円周方向の各部における高さ歪ＨＤ）を、制御装置３が把握できる。高さ歪計測工程（Ｓ４）の実行時間は、たとえば約５秒間である。
高さ歪計測工程（Ｓ４）の終了後、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して、基板Ｗを処理速度まで加速させる。
高さ歪計測工程（Ｓ４）の終了後、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して、基板Ｗを処理速度まで加速させる。
【0070】
そして、基板Ｗの回転速度が予め定める処理速度（約３００ｒｐｍ～約１０００ｒｐｍ）に達すると、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部１０１をエッチング処理する外周部エッチング工程（外周部処理工程。図１１のＳ５）を実行する。外周部エッチング工程（Ｓ５）において、基板Ｗを回転させながら、上面外周部１０２に向けて処理液ノズル６からエッチング液が吐出される。
【0071】
制御装置３は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の開始に先立って、アーム移動ユニット４１を制御して、図１３に示すように処理液ノズル６を、退避位置から処理位置（図３および図１３に示す位置）に移動する。そして、リンス液バルブ２３を閉じながらエッチング液バルブ２１を開くことにより、処理液ノズル６の吐出口６ａからエッチング液が吐出される。エッチング液の吐出開始によって、外周部エッチング工程（Ｓ５）が開始する。
【0072】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５）の開始に際して、制御装置３は、ホットプレート昇降ユニット３２を制御して、ホットプレート１０を、退避位置（図１２に示す位置）から加熱位置（図１３に示す位置）に上昇させ、その加熱位置において保持する（ヒータ配置工程）。これにより、ホットプレート１０によって基板Ｗの外周部１０１が加熱される（基板加熱工程）。
【0073】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５）では、制御装置３が気体バルブ２９を開く。これにより、吐出口２５ａから気体が吐出される。上面ノズル２５から吐出される気体によって、基板Ｗの上方において、中央部から外周部１０１に向けて流れる放射状気流が形成される。これにより、外周部エッチング工程（Ｓ５）において、基板Ｗの上面外周部１０２に供給されたエッチング液が、基板Ｗの上面の中央部（デバイス形成領域）に進入するのを、より一層効果的に抑制または防止できる。
【0074】
また、制御装置３は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の開始に先立って、遮断部材昇降ユニット２７を制御して遮断部材９を、退避位置（図１２に示す位置）から遮断位置（図１３に示す位置）に下降させ、その遮断位置において保持する。これにより、基板Ｗの上面の中央部の上方空間が、遮断部材９の遮断板２４によってその周囲から遮断される。これにより、外周部エッチング工程（Ｓ５）において、基板Ｗの上面外周部１０２に供給されたエッチング液が、基板Ｗの上面の中央部（デバイス形成領域）に進入するのを効果的に抑制または防止できる。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット２６を制御して、遮断板２４を基板Ｗの回転と同方向に同等の速度で回転させる。
【0075】
図４～図６Ｃを用いて説明した反りが、処理ユニット２に搬入される基板Ｗに反りが発生している場合に、基板Ｗの反りに起因する処理幅（エッチング幅）の変動を抑制するため、外周部エッチング工程（Ｓ５）に先立って、高さ歪計測工程（Ｓ４）によって求められた上面外周部１０２の高さ歪ＨＤに基づいて、処理液ノズル６の処理位置（イニシャルの処理位置）を径方向ＲＤに移動させる。これにより、外周部エッチング工程（Ｓ５）の開始直後における液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、所期位置に近づくように調整できる。
【0076】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５）におけるホットプレート１０による基板Ｗの加熱によって、基板Ｗに発生している反りの量（すなわち、高さ歪ＨＤの大きさ）が増大するおそれがある。このような反りの増大に対応するため、外周部エッチング工程（Ｓ５）の開始後、外周部エッチング工程（Ｓ５）の全期間に亘って、上面外周部１０２の高さ位置（すなわち、高さ歪ＨＤ）を常時監視し、監視している高さ歪ＨＤに応じて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが所期位置に近づくように調整している。すなわち、上面外周部１０２の現在の高さ歪ＨＤに応じて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａをリアルタイムに調整している（高さ歪監視工程（Ｓ６） ＆ 着液位置移動工程（Ｓ７））。
【0077】
以下、具体的に、説明する。図１４Ｂに示すように、高さ歪監視工程（Ｓ６）および着液位置移動工程（Ｓ７）において、制御装置３は、高さ歪センサ１２による検出出力を常時監視している。これにより、上面外周部１０２の各部における高さ位置を計測する（図１４ＢのＳ１６）。具体的には、制御装置３（演算ユニット５１（図１０参照））は、計測した上面外周部１０２の各部における高さ位置と、記憶ユニット５２（図１０参照）に予め記憶されている、基板Ｗの上面の中央部の高さ位置との差に基づいて、上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤ（高さ歪ＨＤの大きさおよび高さ歪ＨＤの方向）を求める。
【0078】
そして、制御装置３は、算出した上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤに基づいて、上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤの平均である現在の平均高さ歪を演算する（図１４ＢのＳ１７：加熱高さ歪演算工程）。
また、図１４ＢのＳ１６およびＳ１７の各工程は、上面外周部１０２の各部における高さ位置の平均である現在の平均高さ位置を予め求めるようにしてもよい。この場合、その平均高さ位置と、記憶ユニット５２（図１０参照）に予め記憶されている、基板Ｗの上面の中央部の高さ位置との差に基づいて、上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤの平均である平均高さ歪を演算するようにしてもよい。
また、図１４ＢのＳ１６およびＳ１７の各工程は、上面外周部１０２の各部における高さ位置の平均である現在の平均高さ位置を予め求めるようにしてもよい。この場合、その平均高さ位置と、記憶ユニット５２（図１０参照）に予め記憶されている、基板Ｗの上面の中央部の高さ位置との差に基づいて、上面外周部１０２の各部における高さ歪ＨＤの平均である平均高さ歪を演算するようにしてもよい。
【0079】
そして、算出した現在の平均高さ歪の大きさが閾値以上である場合（図１４ＢのＳ１８でＹＥＳ）には、平均高さ歪の大きさが小さくなるように、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、処理液ノズル６を径方向ＲＤに移動させる（図１４のＳ１９）。高さ歪監視工程（Ｓ６）および着液位置移動工程（Ｓ７）の各工程は、外周部エッチング工程（Ｓ５）の全期間に亘って行われる。
【0080】
外周部エッチング工程（Ｓ５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図１５に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、処理液ノズル６の位置を、元の位置（図１６に破線で示す位置）から径方向ＲＤの外方に向けて移動させて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、基板Ｗの周端面１０３に着液位置１０５を接近させる。この場合、制御装置３は、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置させる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0081】
一方、外周部エッチング工程（Ｓ５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図５等参照）には、制御装置３は、図１６に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、処理液ノズル６の位置を元の位置（図１６に破線で示す位置）から径方向ＲＤの外方に向けて移動させて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、基板Ｗの周端面１０３から着液位置１０５を離反させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0082】
外周部エッチング工程（Ｓ５）において、エッチング液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、エッチング液バルブ２１を閉じる。これにより、処理液ノズル６からのエッチング液の吐出が停止（終了）する。エッチング液の吐出終了によって、外周部エッチング工程（Ｓ５）が終了する。
また、制御装置３は、ホットプレート昇降ユニット３２を制御して、ホットプレート１０を、加熱位置（図１３に示す位置）から退避位置（図１２に示す位置）に下降させる。制御装置３は、アーム移動ユニット４１およびアーム移動ユニット３４を制御して、処理液ノズル６および高さ歪センサ１２をそれぞれ退避位置に退避させる。
また、制御装置３は、ホットプレート昇降ユニット３２を制御して、ホットプレート１０を、加熱位置（図１３に示す位置）から退避位置（図１２に示す位置）に下降させる。制御装置３は、アーム移動ユニット４１およびアーム移動ユニット３４を制御して、処理液ノズル６および高さ歪センサ１２をそれぞれ退避位置に退避させる。
【0083】
外周部エッチング工程（Ｓ５）の終了後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部１０１を、リンス液を用いて処理する外周部リンス工程（図１１のＳ８）を実行する。外周部リンス工程（Ｓ８）は、基板Ｗの回転が所定の処理速度（約３００ｒｐｍ～約１０００ｒｐｍの所定の速度）にある状態で実行される。具体的には、基板Ｗの回転が処理速度に達すると、制御装置３は、エッチング液バルブ２１を閉じながらリンス液バルブ２３を開くことにより、処理液ノズル６の吐出口６ａからリンス液を吐出開始させる。リンス液の吐出開始によって、外周部リンス工程（Ｓ８）が開始する。リンス液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３はリンス液バルブ２３が閉じられる。これにより、処理液ノズル６からのリンス液の吐出が停止（終了）する。リンス液の吐出終了によって、外周部リンス工程（Ｓ８）が終了する。
【0084】
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ（図１１のＳ９）が行われる。具体的には、制御装置３はスピンモータ１８を制御して、Ｓ２～Ｓ８の各工程における回転速度よりも大きい乾燥速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥速度で基板Ｗを回転させる。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット２６を制御して、遮断板２４を基板Ｗと同方向に同等の速度で回転させる。
【0085】
また、これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗの外周部１０１に付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗの外周部１０１から液体が除去され、基板Ｗの外周部１０１が乾燥する。
基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１８を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転停止後、制御装置３は、遮断部材９を退避位置に向けて上昇させ、かつ気体バルブ２９を閉じる。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット２６を制御して、遮断板２４の回転を停止させる。
基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１８を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転停止後、制御装置３は、遮断部材９を退避位置に向けて上昇させ、かつ気体バルブ２９を閉じる。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット２６を制御して、遮断板２４の回転を停止させる。
【0086】
その後、処理チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図１１のステップＳ１０）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドＨを処理チャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、スピンチャック５による基板Ｗの吸着を解除し、搬送ロボットＣＲのハンドＨにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドＨを処理チャンバ４内から退避させる。これにより、処理後の基板Ｗが処理チャンバ４から搬出される。
【0087】
以上により、この実施形態によれば、計測された上面外周部１０２の高さ位置に基づいて径方向ＲＤに着液位置１０５を移動させることにより、着液位置１０５に供給されるエッチング液によって形成される液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが所期位置に近づくように調整される。そのため、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、基板Ｗの反り具合に応じた位置に調整することが可能である。この調整により、液幅ＬＷを精密に制御することが可能である。
【0088】
また、吐出口６ａからのエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを調整するので、入射角度θを、パーティクル性能の高い最適角度の近傍の角度に保ち続けることが可能である。したがって、外周部エッチング工程（Ｓ５）後における上面外周部１０２のパーティクルの付着を抑制または防止することが可能である。
これにより、上面外周部１０２におけるエッチング幅を精密に制御でき、かつ外周部エッチング工程（Ｓ５）後における上面外周部１０２におけるパーティクルの付着を抑制または防止できる。
これにより、上面外周部１０２におけるエッチング幅を精密に制御でき、かつ外周部エッチング工程（Ｓ５）後における上面外周部１０２におけるパーティクルの付着を抑制または防止できる。
【0089】
また、径方向ＲＤへの着液位置１０５の移動により、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを比較的容易に調整できる。これにより、液幅ＬＷの精密な制御を、比較的容易に実現できる。
また、反り後の基板Ｗの反り具合や反りの方向が、基板Ｗの円周方向に関してばらつく場合がある。第３の態様（図６Ａ～６Ｃ参照）等の場合に限られず、反り後の基板Ｗの態様が椀状（第１の態様（図４参照）や第２の態様（図４参照））であっても、このようなばらつきが存在することがある。
また、反り後の基板Ｗの反り具合や反りの方向が、基板Ｗの円周方向に関してばらつく場合がある。第３の態様（図６Ａ～６Ｃ参照）等の場合に限られず、反り後の基板Ｗの態様が椀状（第１の態様（図４参照）や第２の態様（図４参照））であっても、このようなばらつきが存在することがある。
【0090】
上面外周部１０２の円周方向の各部における高さ歪ＨＤの平均が、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤとして取得される。そのため、反り後の基板Ｗの反り具合や反りの方向が、基板Ｗの円周方向に関してばらつく場合であっても、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤとして、最適な値を取得できる。
また、外周部エッチング工程（Ｓ５）において基板Ｗの加熱の進行に伴って増大する高さ歪ＨＤが取得され、取得された高さ歪ＨＤに基づいて液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが調整される。基板Ｗへの加熱の進行に伴って、基板Ｗの反り量が増大し、高さ歪ＨＤが変化（たとえば増大）する。基板Ｗの加熱の進行に伴う高さ歪ＨＤの変動に基づいて液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを調整することにより、基板Ｗの加熱の進行による基板Ｗの反りの増大に拘わらず、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを所期位置に保つことが可能である。これにより、液幅ＬＷの精密な制御を、良好に実現できる。
また、外周部エッチング工程（Ｓ５）において基板Ｗの加熱の進行に伴って増大する高さ歪ＨＤが取得され、取得された高さ歪ＨＤに基づいて液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが調整される。基板Ｗへの加熱の進行に伴って、基板Ｗの反り量が増大し、高さ歪ＨＤが変化（たとえば増大）する。基板Ｗの加熱の進行に伴う高さ歪ＨＤの変動に基づいて液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを調整することにより、基板Ｗの加熱の進行による基板Ｗの反りの増大に拘わらず、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを所期位置に保つことが可能である。これにより、液幅ＬＷの精密な制御を、良好に実現できる。
【0091】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５）において、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤが監視される。そして、高さ歪ＨＤの監視結果に基づいて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが調整される。すなわち、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤの変化に応じて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａをリアルタイムに調整できる。実際の計測に基づいて液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを調整するので、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを精度良く調整できる。
【0092】
図１７は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。図１８は、図１７に示す加熱時間－高さ歪対応テーブル記憶部２０２に記憶される加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３の内容を示す図である。 第２の実施形態において、第１の実施形態（図１～図１６に示す実施形態）と共通する部分には、図１～図１６の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
【0093】
基板処理装置２０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する主たる点は、記憶ユニット５３に、加熱時間－高さ歪対応テーブル記憶部２０２を設けた点である。加熱時間－高さ歪対応テーブル記憶部２０２には、図１８に示す加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３が格納されている。加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３は、外周部エッチング工程（Ｓ４）における基板Ｗの加熱の開始からの経過時間と、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤと、の対応関係が規定されている。
【0094】
図１８に示すように、加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３には、基板Ｗの加熱の開始からの複数の経過時間と、各経過時間に対応する、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤと、が規定されている。基板Ｗの加熱の開始からの経過時間は、具体的には、ホットプレート１０を加熱位置に配置したタイミングからの経過時間である。加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３は、基板処理装置１を用いた事前実験によって求められる。
【0095】
図１９は、第２の実施形態に係る処理ユニットによる基板処理例を説明するための流れ図である。図２０は、図１９に示す高さ歪演算工程（Ｓ２６）および着液位置移動工程（内周位置調整工程。Ｓ２７）の内容を説明するための流れ図である。
この基板処理例について、図１７～図１９等を参照しながら説明する。図２０Ａ、２０Ｂについては適宜参照する。
この基板処理例について、図１７～図１９等を参照しながら説明する。図２０Ａ、２０Ｂについては適宜参照する。
【0096】
この基板処理例では、未処理の基板Ｗが、処理チャンバ４の内部に搬入され（図１９のＳ２１）、デバイス形成面（表面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。そして、基板Ｗの下面（裏面）中央部が吸着支持されることにより、スピンチャック５によって基板Ｗが保持される（図１９のＳ２２）。次いで、制御装置３がスピンモータ１８を制御して、基板Ｗを回転開始させる（図１９のＳ２３）。図１９のＳ２１～Ｓ２３の工程は、それぞれ、前述の図１１のＳ１～Ｓ３の工程と同等の工程である。
【0097】
また、制御装置３は、内蔵ヒータ３１によってジュール熱を発生させることにより、ホットプレート１０の上面１０ａを所定の高温まで昇温させ、その高温に保持する。このとき、ホットプレート１０は、退避位置に配置されている。
また、制御装置３は、アーム移動ユニット３４を制御して、高さ歪センサ１２を退避位置から計測位置に移動させる。その結果、高さ歪センサ１２が計測位置に配置される。そして、制御装置３は、高さ歪計測工程（Ｓ２４）を実行する。図１９の高さ歪計測工程（Ｓ２４）は、図１１の高さ歪計測工程（Ｓ４）と同等の工程である。
また、制御装置３は、アーム移動ユニット３４を制御して、高さ歪センサ１２を退避位置から計測位置に移動させる。その結果、高さ歪センサ１２が計測位置に配置される。そして、制御装置３は、高さ歪計測工程（Ｓ２４）を実行する。図１９の高さ歪計測工程（Ｓ２４）は、図１１の高さ歪計測工程（Ｓ４）と同等の工程である。
【0098】
高さ歪計測工程（Ｓ２４）の終了後、制御装置３は、アーム移動ユニット３４を制御して、高さ歪センサ１２を退避位置に退避させる。また、高さ歪計測工程（Ｓ２４）の終了後、制御装置３は、スピンモータ１８を制御して、基板Ｗを処理速度まで加速させる。
そして、基板Ｗの回転速度が予め定める処理速度（約３００ｒｐｍ～約１０００ｒｐｍ）に達すると、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部１０１をエッチング処理する外周部エッチング工程（図１８のＳ２５）を実行する。
そして、基板Ｗの回転速度が予め定める処理速度（約３００ｒｐｍ～約１０００ｒｐｍ）に達すると、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部１０１をエッチング処理する外周部エッチング工程（図１８のＳ２５）を実行する。
【0099】
外周部エッチング工程（図１８のＳ２５）では、リンス液バルブ２３を閉じながらエッチング液バルブ２１を開くことにより、処理液ノズル６の吐出口６ａからエッチング液が吐出される。また、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始に際して、制御装置３は、ホットプレート昇降ユニット３２を制御して、ホットプレート１０を、退避位置（図１２に示す位置）から加熱位置（図１３に示す位置）に上昇させ、その加熱位置において保持する（ヒータ配置工程）。また、制御装置３は、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始に先立って、遮断部材昇降ユニット２７を制御して遮断部材９を、退避位置から遮断位置（図１３に示す位置）に下降させ、その遮断位置において保持する。これにより、基板Ｗの上面の中央部の上方空間が、遮断部材９の遮断板２４によってその周囲から遮断される。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット２６を制御して、遮断板２４を基板Ｗの回転と同方向に同等の速度で回転させる。
【0100】
外周部エッチング工程（図１８のＳ２５）は、第１の実施形態に係る外周部エッチング工程（図１１のＳ５）と同等の工程である。そのため、外周部エッチング工程（Ｓ２５）については、第１の実施形態に係る外周部エッチング工程（図１１のＳ５）と相違する部分についてのみ説明する。
制御装置３は、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始に先立って、アーム移動ユニット４１を制御して処理液ノズル６を、退避位置から処理位置（図３および図１３に示す位置）に移動する。図４～図６Ｃを用いて説明した反りが、処理ユニット２に搬入される基板Ｗに反りが発生している場合に、基板Ｗの反りに起因する処理幅（エッチング幅）の変動を抑制するため、外周部エッチング工程（Ｓ２５）に先立って、高さ歪計測工程（Ｓ２４）によって求められた上面外周部１０２の高さ歪ＨＤに基づいて、処理液ノズル６の処理位置（イニシャルの処理位置）を径方向ＲＤに移動させる。これにより、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始直後における液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、所期位置に近づくように調整できる。
制御装置３は、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始に先立って、アーム移動ユニット４１を制御して処理液ノズル６を、退避位置から処理位置（図３および図１３に示す位置）に移動する。図４～図６Ｃを用いて説明した反りが、処理ユニット２に搬入される基板Ｗに反りが発生している場合に、基板Ｗの反りに起因する処理幅（エッチング幅）の変動を抑制するため、外周部エッチング工程（Ｓ２５）に先立って、高さ歪計測工程（Ｓ２４）によって求められた上面外周部１０２の高さ歪ＨＤに基づいて、処理液ノズル６の処理位置（イニシャルの処理位置）を径方向ＲＤに移動させる。これにより、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始直後における液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、所期位置に近づくように調整できる。
【0101】
また、外周部エッチング工程（Ｓ２５）におけるホットプレート１０による基板Ｗの加熱によって増大する基板Ｗの反り（すなわち、高さ歪ＨＤ）の増大に対応するため、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の開始後、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の全期間において上面外周部１０２の高さ位置（すなわち、高さ歪ＨＤ）を常時監視し、監視している高さ歪ＨＤに応じて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、予め定める位置に近づくように調整している。すなわち、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤの変動に応じて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａをリアルタイムに調整している（高さ歪演算工程（Ｓ２６）＆着液位置移動工程（Ｓ２７））。
【0102】
具体的には、図２０に示すように、高さ歪演算工程（Ｓ２６）において、制御装置３は、現在の高さ歪ＨＤを常時演算により求めている。具体的には、制御装置３は、加熱開始からの経過時間と、加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３と、に基づいて、加熱開始からの高さ歪ＨＤの変動量を演算により求める。そして、制御装置３は、高さ歪計測工程（Ｓ２４）によって計測したイニシャルの平均高さ歪を足し合わせることにより、現在の平均高さ歪を演算によって求める（図２０のＳ３１）。
【0103】
そして、算出した平均高さ歪の大きさが閾値以上である場合（図２０のＳ３２でＹＥＳ）には、平均高さ歪の大きさが小さくなるように、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、処理液ノズル６を径方向ＲＤに移動させる（図１９のＳ２６および図２０のＳ３３）。図１９の高さ歪演算工程（Ｓ２６）および着液位置移動工程（Ｓ２７）の各工程は、外周部エッチング工程（Ｓ２５）の全期間に亘って行われる。前述した相違点を除いて、高さ歪演算工程（Ｓ２６）および着液位置移動工程（Ｓ２７）の各工程は、高さ歪監視工程（Ｓ６）および着液位置移動工程（Ｓ７）と同等の工程である。
【0104】
外周部エッチング工程（Ｓ２５）の終了後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの外周部１０１を、リンス液を用いて処理する外周部リンス工程（図１９のＳ２８）を実行する。図１９の高さ歪計測工程（Ｓ２８）は、図１１の外周部リンス工程（Ｓ８）と同等の工程である。
外周部リンス工程（Ｓ２８）に次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ（図１９のＳ２９）が行われる。図１９のスピンドライ（Ｓ２９）は、図１１のスピンドライ（Ｓ９）と同等の工程である。
外周部リンス工程（Ｓ２８）に次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ（図１９のＳ２９）が行われる。図１９のスピンドライ（Ｓ２９）は、図１１のスピンドライ（Ｓ９）と同等の工程である。
【0105】
基板Ｗの高速回転の開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１８を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転停止後、制御装置３は、遮断部材９を退避位置に向けて上昇させ、かつ気体バルブ２９を閉じる。また、制御装置３は、遮断板回転ユニット２６を制御して、遮断板２４の回転を停止させる。
【0106】
その後、処理チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図１９のステップＳ３０）。図１９のＳ３０の工程は、図１１の基板Ｗの搬出（Ｓ１０）と同等の工程である。
第２の実施形態では、第１の実施形態に加えて、次の作用効果を奏する。
すなわち、高さ歪ＨＤを、加熱開始からの経過時間に基づいて演算によって求める。すなわち、外周部エッチング工程（Ｓ２５）において、高さ歪ＨＤを監視しておく必要がない。つまり、外周部エッチング工程（Ｓ２５）において高さ歪ＨＤを計測することなく、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを高精度に調整することが可能である。
第２の実施形態では、第１の実施形態に加えて、次の作用効果を奏する。
すなわち、高さ歪ＨＤを、加熱開始からの経過時間に基づいて演算によって求める。すなわち、外周部エッチング工程（Ｓ２５）において、高さ歪ＨＤを監視しておく必要がない。つまり、外周部エッチング工程（Ｓ２５）において高さ歪ＨＤを計測することなく、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを高精度に調整することが可能である。
【0107】
また、制御装置３（演算ユニット５１）は、加熱時間－高さ歪対応テーブル記憶部２０２に記憶されている加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３を参照することにより、高さ歪ＨＤを算出している。これにより、高さ歪ＨＤを良好に取得できる。
また、加熱時間－高さ歪対応テーブル記憶部２０２が、基板処理装置２０１を用いた実験によって求められている。そのため、高さ歪ＨＤを、より高精度に取得できる。
また、加熱時間－高さ歪対応テーブル記憶部２０２が、基板処理装置２０１を用いた実験によって求められている。そのため、高さ歪ＨＤを、より高精度に取得できる。
【0108】
第１および第２の実施形態において、処理液ノズル６の位置を、径方向ＲＤではなく、上下方向Ｖに移動させることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、着液位置１０５を径方向ＲＤに移動させるようにしてもよい。
具体的には、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２１に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、処理液ノズル６の位置を、元の位置（図２１に破線で示す位置）から上下方向Ｖの上方に向けて移動させて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、基板Ｗの周端面１０３に着液位置１０５を接近させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
具体的には、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２１に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、処理液ノズル６の位置を、元の位置（図２１に破線で示す位置）から上下方向Ｖの上方に向けて移動させて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、基板Ｗの周端面１０３に着液位置１０５を接近させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0109】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図５等参照）には、制御装置３は、図２２に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、処理液ノズル６の位置を元の位置（図２２に破線で示す位置）から、上下方向Ｖの下方に向けて移動させて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、基板Ｗの周端面１０３から着液位置１０５を離反させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0110】
第２の実施形態において、基板Ｗの加熱の開始からの複数の経過時間と、各経過時間に対応する、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤとの対応関係を加熱時間－高さ歪対応テーブル２０３に規定する場合を例に挙げて説明したが、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤとの対応関係が、式等に規定されており、その式が記憶ユニット５２に記憶されていてもよい。
図２３および図２４は、第３の実施形態に係る基板処理装置３０１において実行される外周部エッチング工程におけるエッチング液の吐出状態の一例を示す断面図である。基板処理装置３０１において実行される外周部エッチング工程は、図１１に示す外周部エッチング工程（Ｓ５）および図１９に示す外周部エッチング工程（Ｓ２５）のそれぞれと同等の工程である。
図２３および図２４は、第３の実施形態に係る基板処理装置３０１において実行される外周部エッチング工程におけるエッチング液の吐出状態の一例を示す断面図である。基板処理装置３０１において実行される外周部エッチング工程は、図１１に示す外周部エッチング工程（Ｓ５）および図１９に示す外周部エッチング工程（Ｓ２５）のそれぞれと同等の工程である。
【0111】
第３の実施形態において、第１の実施形態（図１～図１６に示す実施形態）と共通する部分には、図１～図１６の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
基板処理装置３０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する主たる点は、エッチング液配管２０に、処理液ノズル６に供給されるエッチング液の流量を調整するためのエッチング液流量調整バルブ３０２を介装した点である。エッチング液流量調整バルブ３０２は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。制御装置３は、エッチング液流量調整バルブ３０２の開度を調整する。
基板処理装置３０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する主たる点は、エッチング液配管２０に、処理液ノズル６に供給されるエッチング液の流量を調整するためのエッチング液流量調整バルブ３０２を介装した点である。エッチング液流量調整バルブ３０２は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。制御装置３は、エッチング液流量調整バルブ３０２の開度を調整する。
【0112】
着液位置１０５へのエッチング液（処理液）の吐出流量が多くなるに従って、液幅ＬＷが広くなる傾向にある。一方、着液位置１０５へのエッチング液（処理液）の吐出流量が少なくなるに従って、液幅ＬＷが狭くなる傾向にある。
第３の実施形態では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖに変位している場合には、取得された高さ歪ＨＤに基づいて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出流量を変更することにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが調整される（内周位置調整工程）。
第３の実施形態では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖに変位している場合には、取得された高さ歪ＨＤに基づいて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出流量を変更することにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが調整される（内周位置調整工程）。
【0113】
すなわち、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２３に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、エッチング液流量調整バルブ３０２の開度を狭めることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出流量を減少させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0114】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図５等参照）には、制御装置３は、図２４に示すように、そのような変位がない場合（図３参照）と比較して、エッチング液流量調整バルブ３０２の開度を拡げることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出流量を増大させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図３参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0115】
第３の実施形態によれば、取得された高さ歪ＨＤに基づいて、エッチング液の吐出流量が変更されることにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを比較的容易に調整できる。これにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａの精密な制御を、比較的容易に実現できる。
図２５～図２７は、第４の実施形態に係る基板処理装置４０１において実行される外周部エッチング工程におけるエッチング液の吐出状態の一例を示す断面図である。基板処理装置４０１において実行される外周部エッチング工程は、図１１に示す外周部エッチング工程（Ｓ５）および図１９に示す外周部エッチング工程（Ｓ２５）のそれぞれと同等の工程である。
図２５～図２７は、第４の実施形態に係る基板処理装置４０１において実行される外周部エッチング工程におけるエッチング液の吐出状態の一例を示す断面図である。基板処理装置４０１において実行される外周部エッチング工程は、図１１に示す外周部エッチング工程（Ｓ５）および図１９に示す外周部エッチング工程（Ｓ２５）のそれぞれと同等の工程である。
【0116】
第４の実施形態において、第１の実施形態（図１～図１６に示す実施形態）と共通する部分には、図１～図１６の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
基板処理装置４０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する主たる点は、上面外周部１０２に着液した処理液（エッチング液）に向けて、径方向ＲＤの内側から外側に向けて気体の一例としての不活性ガスを吹き付ける気体吹き付けユニット４０２を備えた点である。
基板処理装置４０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する主たる点は、上面外周部１０２に着液した処理液（エッチング液）に向けて、径方向ＲＤの内側から外側に向けて気体の一例としての不活性ガスを吹き付ける気体吹き付けユニット４０２を備えた点である。
【0117】
気体吹き付けユニット４０２は、気体ノズル４０３と、気体ノズル４０３に接続された気体配管４０４と、気体配管４０４に介装された気体バルブ４０５および気体流量調整バルブ４０６と、気体ノズル４０３を移動させるノズル移動ユニット４０７とを含む。図示はしないが、気体流量調整バルブ４０６は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。気体配管４０４には、不活性ガス供給源からの不活性ガスが供給されている。気体バルブ４０５が開かれると、気体配管４０４から気体ノズル４０３に供給された不活性ガスが、気体ノズル４０３の下端に設定された気体吐出口４０３ａから吐出される。気体吐出口４０３ａから吐出された気体（不活性ガス）は、上面外周部１０２に着液した処理液（すなわち、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａ）に向けて、径方向ＲＤの内側から外側に向けて吹き付けられる。ノズル移動ユニット４０７は、気体ノズル４０３から吐出された気体が基板Ｗの上面外周部１０２に供給される処理位置と、気体ノズル４０３が平面視でスピンチャック５の側方に退避した退避位置との間で、気体ノズル４０３を移動させる。気体としての不活性ガスは、たとえば、窒素ガスであるが、窒素ガスに限らず、空気やヘリウムガス、アルゴンガスなどの他の不活性ガスであってもよい。
【0118】
ノズル移動ユニット４０７は、気体ノズル４０３から吐出された気体が基板Ｗの上面外周部１０２に吹き付けられる処理位置と、気体ノズル４０３が平面視でスピンチャック５の側方に退避した退避位置との間で気体ノズル４０３を移動させる。ノズル移動ユニット４０７は、基板Ｗの上面の上方で、気体ノズル４０３を水平に移動させる。
第４の実施形態では、基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液（エッチング液）が吐出されている状態で、気体バルブ４０５が開かれると、気体ノズル４０３は、着液位置１０５に対し、径方向ＲＤの内側に位置する吹き付け領域４０８に対し、径方向ＲＤの内側から斜め下向きに気体を吐出する。気体ノズル４０３の気体吐出口４０３ａから吐出された気体は、吹き付け領域４０８に吹き付けられた後、基板Ｗの上面に沿って径方向ＲＤの外側に向けて流れ、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに衝突する（吹き付けられる）。
第４の実施形態では、基板Ｗの上面外周部１０２に向けて処理液（エッチング液）が吐出されている状態で、気体バルブ４０５が開かれると、気体ノズル４０３は、着液位置１０５に対し、径方向ＲＤの内側に位置する吹き付け領域４０８に対し、径方向ＲＤの内側から斜め下向きに気体を吐出する。気体ノズル４０３の気体吐出口４０３ａから吐出された気体は、吹き付け領域４０８に吹き付けられた後、基板Ｗの上面に沿って径方向ＲＤの外側に向けて流れ、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに衝突する（吹き付けられる）。
【0119】
気体吐出口４０３ａから吐出される気体の流量（吐出流量）が増大するに従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量（吹き付け流量）が増大する。吹き付け流量の増大に従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが周端１０３に接近し、液幅ＬＷが狭くなる傾向にある。
一方、気体吐出口４０３ａから吐出される気体の流量（吐出流量）が減少するに従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量（吹き付け流量）が減少する。吹き付け流量の減少に従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが周端１０３から離反し、液幅ＬＷが広くなる傾向にある。
一方、気体吐出口４０３ａから吐出される気体の流量（吐出流量）が減少するに従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量（吹き付け流量）が減少する。吹き付け流量の減少に従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが周端１０３から離反し、液幅ＬＷが広くなる傾向にある。
【0120】
そのため、第４の実施形態では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖに変位している場合には、取得された高さ歪ＨＤに基づいて、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量を変更することにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが調整される（内周位置調整工程）。
【0121】
また、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに対し、径方向ＲＤの内側から気体が吹き付けられるので、着液位置１０５に着液した処理液（エッチング液）が、径方向ＲＤの内側に向けて飛散することを抑制できる。これにより、デバイス形成領域に処理液が進入することを、より効果的に抑制できる。
第４の実施形態では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２６に示すように、そのような変位がない場合（図２５参照）と比較して、気体流量調整バルブ４０６の開度を拡げることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに、径方向ＲＤの内側から吹き付けられる気体の流量を増大させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図２５参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
第４の実施形態では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２６に示すように、そのような変位がない場合（図２５参照）と比較して、気体流量調整バルブ４０６の開度を拡げることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに、径方向ＲＤの内側から吹き付けられる気体の流量を増大させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図２５参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0122】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図５等参照）には、制御装置３は、図２７に示すように、そのような変位がない場合（図２５参照）と比較して、気体流量調整バルブ４０６の開度を狭めることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに、径方向ＲＤの内側から吹き付けられる気体の流量を減少させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図２５参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0123】
第４の実施形態によれば、取得された高さ歪ＨＤに基づいて、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａへの径方向ＲＤの内側からの気体の吹き付け流量が変更されることにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを比較的容易に調整できる。これにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａの精密な制御を、比較的容易に実現できる。
第４の実施形態において、気体ノズル４０３の位置を径方向ＲＤに移動させることにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａへの径方向ＲＤの内側からの気体の吹き付け流量を調整するようにしてもよい。
第４の実施形態において、気体ノズル４０３の位置を径方向ＲＤに移動させることにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａへの径方向ＲＤの内側からの気体の吹き付け流量を調整するようにしてもよい。
【0124】
気体吐出口４０３ａからの気体の吹き付け領域４０８の位置が周端１０３に接近するのに従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量（吹き付け流量）が増大する。吹き付け流量の増大に従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが周端１０３に接近し、液幅ＬＷが狭くなる傾向にある。
一方、気体吐出口４０３ａからの気体の吹き付け領域４０８の位置が周端１０３から離反するのに従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量（吹き付け流量）が減少する。吹き付け流量の減少に従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが周端１０３から離反し、液幅ＬＷが広くなる傾向にある。
一方、気体吐出口４０３ａからの気体の吹き付け領域４０８の位置が周端１０３から離反するのに従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに吹き付けられる気体の流量（吹き付け流量）が減少する。吹き付け流量の減少に従って、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａが周端１０３から離反し、液幅ＬＷが広くなる傾向にある。
【0125】
すなわち、気体吐出口４０３ａからの気体の吹き付け領域４０８の位置を変更することにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａへの気体の吹き付け流量を調整できる。
この変形例では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２８に示すように、そのような変位がない場合（図２５参照）と比較して、気体ノズル４０３の位置を径方向ＲＤの外側に移動させて吹き付け領域４０８を径方向ＲＤの外側に移動させることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに、径方向ＲＤの内側から吹き付けられる気体の流量を増大させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図２５参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
この変形例では、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの上方に変位している場合（図４および図６Ｃ等参照）には、制御装置３は、図２８に示すように、そのような変位がない場合（図２５参照）と比較して、気体ノズル４０３の位置を径方向ＲＤの外側に移動させて吹き付け領域４０８を径方向ＲＤの外側に移動させることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに、径方向ＲＤの内側から吹き付けられる気体の流量を増大させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図２５参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0126】
また、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの外周部１０１が基板Ｗの中央部（この場合、基板Ｗの中心付近）に対し上下方向Ｖの下方に変位している場合（図５等参照）には、制御装置３は、図２９に示すように、そのような変位がない場合（図２５参照）と比較して、気体配管４０４の位置を径方向ＲＤの外側に移動させて吹き付け領域４０８を径方向ＲＤの外側に移動させることにより、吐出口６ａから吐出されるエッチング液の吐出方向を一定に保ちながら、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａに、径方向ＲＤの内側から吹き付けられる気体の流量を減少させる。この場合、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａを、そのような変位がない場合（図２５参照）と同様の位置に配置できる。その結果、液膜ＬＦの液幅ＬＷが液幅Ｗ１に保たれる。
【0127】
また、図２６，２７に示す第４の実施形態と、図２８，２９に示す変形例とを組み合わせるようにしてもよい。すなわち、気体吐出口４０３ａからの気体の吐出流量および吹き付け領域４０８の双方を変更することにより、液膜ＬＦの内周位置ＬＦａへの気体の吹き付け流量を調整するようにしてもよい。
以上、この発明の４つの形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施できる。
以上、この発明の４つの形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施できる。
【0128】
たとえば、図３０に示す変形例では、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤ（すなわち、基板Ｗの反りの状態。図４等参照）を計測する高さ歪センサ５０２が、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの偏芯状態を計測するための偏芯センサと兼用されている。
基板Ｗの外周部エッチング等では回転軸線Ａ１回りに基板Ｗを回転させるため、スピンチャック５に対して基板Ｗが偏芯していると、基板Ｗの回転角度に応じて、基板の回転に伴って、基板Ｗの上面における、処理液ノズル６からのエッチング液）の着液位置１０５と、基板Ｗの周端との間の距離が変化する。この場合、外周部エッチング工程Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの上面外周部１０２におけるエッチング幅がばらつき、処理幅の均一性を保つことができない。
基板Ｗの外周部エッチング等では回転軸線Ａ１回りに基板Ｗを回転させるため、スピンチャック５に対して基板Ｗが偏芯していると、基板Ｗの回転角度に応じて、基板の回転に伴って、基板Ｗの上面における、処理液ノズル６からのエッチング液）の着液位置１０５と、基板Ｗの周端との間の距離が変化する。この場合、外周部エッチング工程Ｓ５，Ｓ２５）において、基板Ｗの上面外周部１０２におけるエッチング幅がばらつき、処理幅の均一性を保つことができない。
【0129】
第５の実施形態では、基板Ｗの上面外周部１０２におけるエッチング幅の均一性を向上させるべく、スピンチャック５への基板Ｗの保持後に、高さ歪センサ５０２によって基板Ｗの偏芯状態を計測し、基板Ｗが偏芯している場合には、センタリング機構を用いて基板を水平方向に移動させて芯合わせしている。
高さ歪センサ５０２は、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤを検出する高さ歪検出部５０６と、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの周端の径方向ＲＤの位置を検出するための径方向位置検出部５０７を含む。径方向位置検出部５０７は、基板Ｗの周端面１０３の径方向ＲＤの位置を検出している。高さ歪センサ５０２は、センサアーム３３の先端部に取り付けられている。
高さ歪センサ５０２は、上面外周部１０２の高さ歪ＨＤを検出する高さ歪検出部５０６と、スピンチャック５によって保持されている基板Ｗの周端の径方向ＲＤの位置を検出するための径方向位置検出部５０７を含む。径方向位置検出部５０７は、基板Ｗの周端面１０３の径方向ＲＤの位置を検出している。高さ歪センサ５０２は、センサアーム３３の先端部に取り付けられている。
【0130】
高さ歪センサ５０２を用いた基板Ｗの偏芯状態の計測は、高さ歪計測工程（図１１のＳ４，図１９のＳ２４）において実行される。制御装置３は、高さ歪計測工程（Ｓ４，Ｓ２４）において、高さ歪検出部５０６を用いて上面外周部１０２の高さ歪ＨＤを計測するするとともに、径方向位置検出部５０７を用いて基板Ｗの周端の径方向ＲＤの位置が計測される。これにより、高さ歪センサ５０２によって、高さ歪ＨＤだけでなく基板Ｗの偏芯状態を計測できる。
【0131】
また、前述の各実施形態では、高さ歪センサ１２，５０２がセンサアーム３３の先端部に取り付けられており、アーム移動ユニット３４によって高さ歪センサ１２を移動可能な構成として説明した。前述の各実施形態において、高さ歪センサ１２，５０２が、固定的に配置された固定タイプのセンサであってもよい。
また、高さ歪センサ１２，５０２が、上面外周部１０２の高さ位置ではなく、基板Ｗの裏面（下面）の高さ位置を検出するものであってもよい。高さ歪センサ１２，５０２が、上面外周部１０２の高さ位置を検出するものでなく、基準位置からの高さを検出することにより、高さ歪ＨＤをダイレクトに検出するものであってもよい。
また、高さ歪センサ１２，５０２が、上面外周部１０２の高さ位置ではなく、基板Ｗの裏面（下面）の高さ位置を検出するものであってもよい。高さ歪センサ１２，５０２が、上面外周部１０２の高さ位置を検出するものでなく、基準位置からの高さを検出することにより、高さ歪ＨＤをダイレクトに検出するものであってもよい。
【0132】
また、高さ歪センサ１２，５０２が、反射型でなく透過型（すなわち、受発光分離型）のフォトセンサを用いて構成されていてもよい。さらに、高さ歪センサ１２，５０２が、フォトセンサ以外のセンサ（たとえば、ＣＣＤカメラ）を用いて構成されていない。
また、前述の各実施形態において、基板Ｗの反りの状態が、基板処理装置１，２０１，３０１，４０１外の所定の場所で計測されて、その場所で計測された高さ歪ＨＤが基板処理装置に付与されるようになっていてもよい。
また、前述の各実施形態において、基板Ｗの反りの状態が、基板処理装置１，２０１，３０１，４０１外の所定の場所で計測されて、その場所で計測された高さ歪ＨＤが基板処理装置に付与されるようになっていてもよい。
【0133】
また、前述の第１および第２の実施形態において、着液位置１０５の移動方向を径方向ＲＤとして説明したが、着液位置１０５の移動方向は、基板Ｗの上面に沿い、かつ着液位置１０５における接線方向に交差する方向であれば、径方向ＲＤに対して傾斜していてもよい。
また、処理液ノズル６は、円弧軌跡を描きながら移動可能なスキャンタイプのものに限らず、直線状に移動可能な直動タイプのものであってもよい。
また、処理液ノズル６は、円弧軌跡を描きながら移動可能なスキャンタイプのものに限らず、直線状に移動可能な直動タイプのものであってもよい。
【0134】
また、第３および第４の実施形態を、第１および第２の実施形態に組み合わせてもよい。すなわち、吐出口６ａからのエッチング液の吐出流量の調整と、着液位置１０５の調整と、を組み合わせることにより、液膜ＬＤの内周位置ＬＤａを調整してもよい。また、内周位置ＬＤａへの気体の吹き付け流量の調整と、着液位置１０５の調整と、を組み合わせることにより、液膜ＬＤの内周位置ＬＤａを調整してもよい。さらに、吐出口６ａからのエッチング液の吐出流量の調整と、内周位置ＬＤａへの気体の吹き付け流量の調整と、着液位置１０５の調整と、を組み合わせることにより、液膜ＬＤの内周位置ＬＤａを調整してもよい。
【0135】
また、計測した高さ歪ＨＤに基づく内周位置ＬＤａの調整を、外周部エッチング工程（Ｓ５，Ｓ２５）のみで行わずに、外周部リンス工程（Ｓ６，Ｓ２６）において行ってもよい。
また、前述の各実施形態において、処理液ノズル６をエッチング液およびリンス液の双方を吐出するものを例に挙げて説明したが、エッチング液を吐出するための処理液ノズル（エッチング液ノズル）と、リンス液を吐出するための処理液ノズル（リンス液ノズル）とが個別に設けられていてもよい。
また、前述の各実施形態において、処理液ノズル６をエッチング液およびリンス液の双方を吐出するものを例に挙げて説明したが、エッチング液を吐出するための処理液ノズル（エッチング液ノズル）と、リンス液を吐出するための処理液ノズル（リンス液ノズル）とが個別に設けられていてもよい。
【0136】
また、前述の各実施形態において、処理液ノズル６から吐出される薬液が、エッチング液でなく、その薬液であってもよい。そのような液体は、フッ酸、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえばＩＰＡ（isopropyl alcohol）など）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。
【0137】
また、前述の第１～第５の実施形態において、基板処理装置１、２０１、３０１、４０１が半導体ウエハからなる基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。
【0138】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
ある。
【符号の説明】
【0139】
１ ：基板処理装置
３ ：制御装置（高さ歪計測ユニット、高さ歪取得ユニット、）
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
６ ：処理液ノズル
６ａ ：吐出口
７ ：エッチング液供給ユニット（処理液供給ユニット）
１０ ：ホットプレート（ヒータ）
１２ ：高さ歪センサ（高さ歪計測ユニット）
１８ ：スピンモータ（基板回転ユニット）
３２ ：ホットプレート昇降ユニット（ヒータ移動ユニット）
４１ ：アーム移動ユニット（吐出口位置移動ユニット）
１０２ ：上面外周部（表面外周部）
１０５ ：着液位置
２０１ ：基板処理装置
２０３ ：加熱時間－高さ歪対応テーブル（対応関係）
３０１ ：基板処理装置
３０２ ：エッチング液流量調整バルブ（吐出流量変更ユニット、高さ歪取得ユニット）
４０１ ：基板処理装置
４０６ ：気体流量調整バルブ（吹き付け流量変更ユニット、内周位置調整ユニット）
４０７ ：ノズル移動ユニット（吹き付け流量変更ユニット、内周位置調整ユニット）
Ａ１ ：回転軸線
ＨＤ ：高さ歪
ＬＦａ ：液膜の内周位置（着液処理液の内周位置）
Ｗ ：基板
３ ：制御装置（高さ歪計測ユニット、高さ歪取得ユニット、）
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
６ ：処理液ノズル
６ａ ：吐出口
７ ：エッチング液供給ユニット（処理液供給ユニット）
１０ ：ホットプレート（ヒータ）
１２ ：高さ歪センサ（高さ歪計測ユニット）
１８ ：スピンモータ（基板回転ユニット）
３２ ：ホットプレート昇降ユニット（ヒータ移動ユニット）
４１ ：アーム移動ユニット（吐出口位置移動ユニット）
１０２ ：上面外周部（表面外周部）
１０５ ：着液位置
２０１ ：基板処理装置
２０３ ：加熱時間－高さ歪対応テーブル（対応関係）
３０１ ：基板処理装置
３０２ ：エッチング液流量調整バルブ（吐出流量変更ユニット、高さ歪取得ユニット）
４０１ ：基板処理装置
４０６ ：気体流量調整バルブ（吹き付け流量変更ユニット、内周位置調整ユニット）
４０７ ：ノズル移動ユニット（吹き付け流量変更ユニット、内周位置調整ユニット）
Ａ１ ：回転軸線
ＨＤ ：高さ歪
ＬＦａ ：液膜の内周位置（着液処理液の内周位置）
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A-6C】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】