特許 7232876 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-02-22

(45)【発行日】2023-03-03

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/813 20230101AFI20230224BHJP

   H10K 50/816 20230101ALI20230224BHJP

   H10K 50/822 20230101ALI20230224BHJP

   H10K 50/84 20230101ALI20230224BHJP

   H10K 50/852 20230101ALI20230224BHJP

   H10K 102/20 20230101ALN20230224BHJP

【ＦＩ】

H10K50/813

H10K50/816

H10K50/822

H10K50/84

H10K50/852

H10K102:20

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2021126455

(22)【出願日】2021-08-02

(62)【分割の表示】P 2017040141の分割

【原出願日】2017-03-03

(65)【公開番号】P2021168312

(43)【公開日】2021-10-21

【審査請求日】2021-08-02

(73)【特許権者】

【識別番号】000005016

【氏名又は名称】パイオニア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110928

【弁理士】

【氏名又は名称】速水 進治

(74)【代理人】

【識別番号】100127236

【弁理士】

【氏名又は名称】天城 聡

(72)【発明者】

【氏名】村上 重則

【審査官】辻本 寛司

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－１２３９８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１０８６４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０７９４８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０９５３７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１３６５８９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－１２９３９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００５／０２３６６２９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／８１３

Ｈ１０Ｋ ５０／８１６

Ｈ１０Ｋ ５０／８２２

Ｈ１０Ｋ ５０／８４

Ｈ１０Ｋ ５０／８５２

Ｈ１０Ｋ １０２／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

反射層と半透過反射層の間に位置する有機層で生じた光を共振させる共振構造を含む複数の発光部を備え、
前記半透過反射層は、
透明導電材料を含む第１層と、
前記第１層上に位置し、銀原子を含む第２層と、
前記第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層と、
を有し、
前記第１層の端部は、前記第３層の端部よりも、前記半透過反射層の内側に位置し、
前記第２層は、前記第１層の端部及び前記第３層の端部よりも前記半透過反射層の外側に突出した突出部を有し、
前記複数の発光部に含まれる複数の前記反射層が互いに離間している発光装置。

【請求項2】

請求項１に記載の発光装置において、
前記第２層の前記突出部の厚みは、前記第２層のうちの前記第１層と前記第３層の間の部分の厚みより厚い発光装置。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記反射層の端部は、前記第２層の前記突出部よりも、前記発光部から離れて位置している発光装置。

【請求項4】

請求項１から３までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記反射層は、金属導電層であり、
前記第１層及び前記第３層のそれぞれは、透明導電層であり、
前記第２層は、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕを含む発光装置。

【請求項5】

請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記半透過反射層の端部を覆う絶縁膜を備え、
前記絶縁膜は、ポリイミド、シロキサン及びエポキシのうちの少なくとも一つを含む発光装置。

【請求項6】

請求項５に記載の発光装置において、
前記絶縁膜の厚みは、４００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である発光装置。

【請求項7】

請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
互いに隣り合う前記複数の前記発光部の間に位置する透光部をさらに備える発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、発光装置として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機層を有しており、有機層は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発することができる。

【0003】

さらに、近年、例えば特許文献１に記載されているように、ＯＬＥＤにマイクロキャビティ（ＭＣ）構造が用いられている。ＭＣ構造において、有機層は、反射層と半透過反射層の間に位置している。したがって、有機層で生じた光を反射層と半透過反射層によって共振させることができる。特に特許文献１の半透過反射層の一例は、光を反射する機能を有する第１導電層及び第１導電層上に位置し、光を透過する機能を有する第２導電層を有している。特許文献１には、光を反射する機能を有する導電層を形成し、この導電層をパターニングして第１導電層を形成し、第１導電層を形成した後、光を透過する機能を有する導電層を形成し、この導電層をパターニングして第２導電層を第１導電層上に形成することについて記載されている。

【0004】

さらに、近年、例えば特許文献２に記載されているように、透光性を有するＯＬＥＤが開発されている。特に特許文献２に記載のＯＬＥＤは、隣り合う発光部の間に透光部を有している。したがって、ＯＬＥＤの外部からの光は、透光部を透過することができる。このようにして、ＯＬＥＤは、透光性を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１６－１７１３１９号公報

【文献】特開２０１６－８２１０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

マイクロキャビティ（ＭＣ）構造には、半透過反射層が用いられる。一例において、半透過反射層は、透明導電材料を含む第１層、第１層上に位置し、銀原子を含む第２層及び第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層を含んでいる。本発明者は、この例による半透過反射層について検討し、その結果、第２層の端部が第１層の端部及び第３層の端部より突出して、半透過反射層の端部を覆う絶縁膜（具体的には、発光部を画定する絶縁膜）を突き破る場合があることを見出した。第２層の端部による絶縁膜の突き破りは、発光装置内の電極の短絡の原因となり得る。

【0007】

本発明が解決しようとする課題としては、透明導電材料をそれぞれ含む第１層と第３層の間にあって銀原子を含む第２層の端部が絶縁膜を突き破ることを抑えることが一例として挙げられる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

第１の発明は、
透明導電材料を含む第１層と、前記第１層上に位置し、銀原子を含む第２層と、前記第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層と、を含む半透過反射層を形成する工程と、
エッチングによって前記半透過反射層をパターニングする工程と、
前記半透過反射層のパターニング後、前記半透過反射層の端部を覆う絶縁膜を形成する溶液を塗布する工程と、
前記溶液の塗布後、前記半透過反射層を加熱する工程と、
前記半透過反射層上に有機層及び反射層を形成する工程と、
を含む、発光装置の製造方法である。

【0009】

第２の発明は、
反射層と半透過反射層の間に位置する有機層で生じた光を共振させる共振構造を含む発光部と、
前記半透過反射層の端部を覆う塗布絶縁膜と、
を備え、
前記半透過反射層は、
透明導電材料を含む第１層と、
前記第１層上に位置し、銀原子を含む第２層と、
前記第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層と、
を有し、
前記第２層は、前記第１層の端部及び前記第３層の端部よりも前記半透過反射層の外側に突出した突出部を有している発光装置である。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施形態に係る発光装置を示す断面図である。

【図2】図１に示した発光装置の動作の第１例を説明するための図である。

【図3】図１に示した発光装置の動作の第２例を説明するための図である。

【図4】図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。

【図5】図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。

【図6】図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。

【図7】図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。

【図8】図５の第１の変形例を示す図である。

【図9】図５の第２の変形例を示す図である。

【図10】実施例に係る発光装置を示す平面図である。

【図11】図１０から反射層を取り除いた図である。

【図12】図１１から絶縁膜を取り除いた図である。

【図13】図１０のＡ－Ａ断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

【0012】

図１は、実施形態に係る発光装置１０を示す断面図である。

【0013】

図１を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、発光部１４２及び絶縁膜１５０を備えている。発光部１４２は、絶縁膜１５０の開口１５２内において、半透過反射層１１０、有機層１２０及び反射層１３０の積層構造を含んでいる。言い換えると、絶縁膜１５０は、開口１５２によって発光部１４２を画定している。開口１５２内において、有機層１２０は、半透過反射層１１０と反射層１３０の間に位置している。特に図１に示す例では、半透過反射層１１０は、アノード（第１電極）として機能しており、反射層１３０は、カソード（第２電極）として機能している。

【0014】

発光部１４２は、有機層１２０で生じた光を半透過反射層１１０及び反射層１３０によって共振させる共振構造（マイクロキャビティ（ＭＣ）構造）を有している。したがって、有機層１２０で生じた光は、主に半透過反射層１１０から出射され、かつ半透過反射層１１０から出射された光の波長スペクトルは、急峻なピークを有するようになる。

【0015】

半透過反射層１１０は、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を有している。第１層１１２は、透明導電材料を含んでいる。第２層１１４は、第１層１１２上に位置し、銀原子を含んでいる。第３層１１６は、第２層１１４上に位置し、透明導電材料を含んでいる。

【0016】

第２層１１４は、突出部１１４ａを有しており、突出部１１４ａは、第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部よりも、半透過反射層１１０の外側に突出している。特に図１に示す例では、第２層１１４の突出部１１４ａは、半透過反射層１１０の厚み方向に膨らんでいる。結果、第２層１１４の突出部１１４ａの厚みは、第２層１１４のうち第１層１１２と第３層１１６の間の部分の厚みより厚くなっている。第２層１１４の突出部１１４ａのこのような構造は、図４から図７を用いて後述するように、発光装置１０の製造プロセスに起因して形成されている。

【0017】

さらに、図１に示す例では、第１層１１２の端部は、第３層１１６の端部よりも、半透過反射層１１０の内側に位置している。第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部のこのような構造は、図４から図７を用いて後述するように、発光装置１０の製造プロセスに起因して形成されている。

【0018】

図１に示す例において、絶縁膜１５０は、塗布絶縁膜である。すなわち、図４から図７を用いて後述するように、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されている。図４から図７を用いて後述するように、本発明者は、絶縁膜１５０を塗布プロセスによって形成することで、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）による絶縁膜１５０の突き破りを抑えることが可能になることを見出した。すなわち、図１に示す例によれば、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。

【0019】

なお、他の例において、絶縁膜１５０は、塗布絶縁膜でなくてもよく、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜又はスパッタ膜であってもよい。すなわち、絶縁膜１５０は、ＣＶＤ又はスパッタによって形成されてもよい。絶縁膜１５０がＣＶＤ又はスパッタによって形成されている場合であっても、絶縁膜１５０の厚みが十分に厚い場合は、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。ただし、本発明者は、絶縁膜１５０の突き破りを抑える程度の厚みに絶縁膜１５０をＣＶＤ又はスパッタによって形成する時間及びコストは、絶縁膜１５０を塗布プロセスによって形成した場合の時間及びコストよりも大きくなることを見出した。したがって、時間及びコストの観点では、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されることが好ましい。

【0020】

次に、図１を用いて、発光装置１０の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０を備えている。

【0021】

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０は、第１面１０２上に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。

【0022】

基板１００は、透光性及び絶縁性を有している。一例において、基板１００は、ガラス基板又は樹脂基板とすることができる。

【0023】

半透過反射層１１０は、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を基板１００の第１面１０２から順に含んでいる。

【0024】

第１層１１２は、透明導電材料を含んでおり、したがって透明導電層となっている。具体的には、第１層１１２は、例えば、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも一つを含んでいる。

【0025】

第２層１１４は、銀原子を含んでおり、具体的には、銀又は銀合金を含んでいる。より具体的には、第２層１１４は、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ（ＡＰＣ）を含んでいる。

【0026】

第３層１１６は、透明導電材料を含んでおり、したがって透明導電層となっている。具体的には、第１層１１２は、例えば、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも一つを含んでいる。第３層１１６は、第１層１１２に含まれる材料と同じ材料を含んでいてもよいし、又は第１層１１２に含まれる材料と異なる材料を含んでいてもよい。

【0027】

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発することができる。一例において、有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。この例においては、半透過反射層１１０からＨＩＬ及びＨＴＬを経由して正孔がＥＭＬに注入され、反射層１３０からＥＩＬ及びＥＴＬを経由して電子がＥＭＬに注入され、正孔及び電子がＥＭＬ内で再結合して光が発せられる。

【0028】

なお、図１に示す例では、有機層１２０は、絶縁膜１５０の開口１５２内に位置するだけでなく、絶縁膜１５０の外側に広がっている。ただし、他の例において、有機層１２０は、絶縁膜１５０の外側に広がっていなくてもよい。

【0029】

反射層１３０は、金属導電層である。具体的には、反射層１３０は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀及び銀合金の少なくとも一つを含んでいる。

【0030】

上述したように、図１に示す例において、絶縁膜１５０は、塗布絶縁膜である。したがって、絶縁膜１５０は、有機絶縁材料、具体的には、例えば、ポリイミド、シロキサン及びエポキシのうちの少なくとも一つを含んでいる。特に絶縁膜１５０が塗布絶縁膜である場合、絶縁膜１５０の厚みは、４００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。

【0031】

上述したように、他の例において、絶縁膜１５０は、ＣＶＤ膜又はスパッタ膜であってもよい。したがって、絶縁膜１５０は、無機絶縁材料、具体的には、例えば、ＣＶＤによって形成されたシリコン酸化物（ＳｉＯ_２）又はスパッタによって形成されたシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）を含んでいてもよい。

【0032】

図１に示す例では、絶縁膜１５０は、透光性を有している。したがって、発光装置１０の外部からの光は、絶縁膜１５０を透過することができる。したがって、絶縁膜１５０による発光装置１０の透過率の低下を抑えることができる。

【0033】

図１に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションであり、基板１００の第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能している。具体的には、発光装置１０は、発光部１４２を備えている。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２から半透過反射層１１０、有機層１２０及び反射層１３０を順に含んでいる。したがって、発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。発光部１４２から発せられた光は、基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射される。

【0034】

図２は、図１に示した発光装置１０の動作の第１例を説明するための図である。図２に示す例では、発光部１４２から出射された光が基板１００を透過して基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射されている。

【0035】

図２に示す例によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。具体的には、図２に示す例では、第２層１１４の突出部１１４ａは、第１層１１２の端部及び第２層１１４の端部よりも半透過反射層１１０の外側に突出している。したがって、図２に示すように、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射された光を突出部１１４ａによって遮ることができる。特に図２に示す例では、突出部１１４ａの表面は凹凸を有しており、したがって、光は、突出部１１４ａの表面において散乱する。このようにして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。

【0036】

さらに、図２に示す例によれば、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレア（特に、突出部１１４ａの表面での光の散乱によるグレア）を抑えることができる。具体的には、図２に示す例では、反射層１３０の端部は、第２層１１４の突出部１１４ａよりも、発光部１４２から離れて位置している。したがって、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０と重なっている。したがって、基板１００の第１面１０２側から発光装置１０を見た場合、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０の背後に隠れることになる。このようにして、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレアを抑えることができる。

【0037】

図３は、図１に示した発光装置１０の動作の第２例を説明するための図である。図３に示す例では、第２層１１４から出射された光が基板１００と第２層１１４で反射されて第１層１１２を伝搬している。

【0038】

図３に示す例によれば、第１層１１２を伝搬して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。具体的には、図３に示す例では、突出部１１４ａは、第１層１１２側及び第３層１１６側の双方に向けて膨らんでいる。したがって、図３に示すように、第１層１１２を伝搬する光を突出部１１４ａによって遮ることができる。特に、図３に示す例では、図２に示した例と同様にして、突出部１１４ａの表面は凹凸を有しており、したがって、光は、突出部１１４ａの表面において散乱する。このようにして、第１層１１２を伝搬して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。

【0039】

さらに、図３に示す例によれば、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレア（特に、突出部１１４ａの表面での光の散乱によるグレア）を抑えることができる。具体的には、図３に示す例では、反射層１３０の端部は、第２層１１４の突出部１１４ａよりも、発光部１４２の外側に位置している。したがって、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０と重なっている。したがって、基板１００の第１面１０２側から発光装置１０を見た場合、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０の背後に隠れることになる。このようにして、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレアを抑えることができる。

【0040】

図４から図７までの各図は、図１に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、発光装置１０は、以下のようにして製造される。

【0041】

まず、図４に示すように、基板１００の第１面１０２上に第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を順に形成する。第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６は、例えば、スパッタによって形成される。次いで、第３層１１６上にマスク膜３００を形成する。マスク膜３００は、具体的には、レジスト膜である。図４に示す例では、マスク膜３００は、リソグラフィによってパターニングされている。

【0042】

次いで、図５に示すように、エッチングによって半透過反射層１１０をパターニングする。具体的には、マスク膜３００をマスクとして用いて、ウェットエッチングによって半透過反射層１１０をパターニングする。したがって、半透過反射層１１０のうちマスク膜３００と重ならない部分は、エッチングによって除去される。次いで、マスク膜３００を除去する。

【0043】

図５に示す例では、半透過反射層１１０のエッチング後、第２層１１４は、突出部１１４ａを有するようになる。突出部１１４ａは、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６のそれぞれのエッチングレートの差に起因して生じる。すなわち、第２層１１４のエッチングレートは、第１層１１２のエッチングレート及び第３層１１６のエッチングレートよりも低くなっている。したがって、半透過反射層１１０のエッチング後、第２層１１４は、突出部１１４ａを有するようになる。なお、エッチングレートは、例えば、エッチャントに含まれる各材料の質量比を調整することで制御することができる。

【0044】

さらに、図５に示すように、半透過反射層１１０のエッチング後、第１層１１２の端部は、第３層１１６の端部よりも、半透過反射層１１０の内側に位置するようになる。これは、マスク膜３００から離れるほどエッチングレートが高くなっているためである。

【0045】

次いで、図６に示すように、溶液２５０を塗布し、溶液２５０を乾燥させる。溶液２５０は、乾燥及び硬化によって絶縁膜１５０（図１）になる。つまり、絶縁膜１５０（図１）は、塗布プロセスによって形成される。

【0046】

次いで、図７に示すように、溶液２５０及び半透過反射層１１０を加熱する。加熱によって溶液２５０に含まれる有機材料が硬化し、絶縁膜１５０が形成される。さらに、加熱によって、第２層１１４に含まれる金属、特に、銀又は銀合金が第２層１１４の端部に向けて拡散し、第２層１１４の突出部１１４ａが膨張する。したがって、この加熱後、第２層１１４の突出部１１４ａの厚みは、第２層１１４のうちの第１層１１２と第３層１１６の間の部分の厚みより厚くなる。

【0047】

図７に示す例によれば、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。具体的には、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されている。本発明者は、塗布プロセスによって形成された絶縁膜は柔軟性に優れており、したがって、絶縁膜１５０は第２層１１４の端部の膨張にしたがって変形可能であり、したがって、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）による絶縁膜１５０の突き破りが抑えられると推測した。

【0048】

次いで、半透過反射層１１０上及び絶縁膜１５０上に有機層１２０を形成する。次いで、有機層１２０上に反射層１３０を形成する。

【0049】

このようにして、図１に示した発光装置１０が製造される。

【0050】

なお、第２層１１４の端部を膨張させる加熱は、絶縁膜１５０の形成工程の加熱に限られるものではない。第２層１１４の端部は、例えば、有機層１２０の形成工程の加熱においても、膨張することがある。

【0051】

図８は、図５の第１の変形例を示す図である。ウェットエッチングの条件（例えば、エッチャントに含まれる各材料の質量比）を調整することで、図８に示すように、第２層１１４の端部を第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部に揃えることができる。

【0052】

本発明者は、第２層１１４の端部が図８に示すように第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部に揃っている場合であっても、加熱によって、第２層１１４の端部は膨張して、図７に示すように突出部１１４ａを有するようになることを見出した。つまり、第２層１１４の突出部１１４ａは、エッチング後の第２層１１４の端部の位置によらずに形成される。

【0053】

図９は、図５の第２の変形例を示す図である。ウェットエッチングの条件（例えば、エッチャントに含まれる各材料の質量比）を調整することで、図９に示すように、第２層１１４の端部を第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部より内側に位置させることができる。

【0054】

本発明者は、第２層１１４の端部が図８に示すように第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部より内側に位置する場合であっても、加熱によって、第２層１１４の端部は膨張して、図７に示すように突出部１１４ａを有するようになることを見出した。つまり、第２層１１４の突出部１１４ａは、エッチング後の第２層１１４の端部の位置によらずに形成される。

【0055】

以上、本実施形態によれば、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。

【0056】

さらに、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。

【実施例】

【0057】

図１０は、実施例に係る発光装置１０を示す平面図である。図１１は、図１０から反射層１３０を取り除いた図である。図１２は、図１１から絶縁膜１５０を取り除いた図である。図１３は、図１０のＡ－Ａ断面図である。説明のため、図１０から図１２には、有機層１２０を示していない。図１０から図１３に示す例において、Ｙ方向は、複数の発光部１４２のそれぞれの長手方向として規定され、Ｘ方向は、Ｙ方向に交わる方向、具体的には、Ｙ方向に直交する方向として規定されている。

【0058】

図１３を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、透光性を有している。つまり、発光装置１０を隔てて向こう側が見えるようになっている。これは、発光装置１０が隣り合う発光部１４２の間に透光部１４４を有しているためである。発光装置１０の外部からの光は、透光部１４４を透過することができる。したがって、発光装置１０は、透光性を有している。

【0059】

特に、図１３に示す発光装置１０の半透過反射層１１０及び絶縁膜１５０は、図１に示した発光装置１０の半透過反射層１１０及び絶縁膜１５０とそれぞれ同様の構成を有している。つまり、半透過反射層１１０は、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を有しており、第２層１１４は、突出部１１４ａを有しており、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されている。したがって、本実施例によれば、図１に示した例と同様にして、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。さらに、本実施例によれば、図１に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。

【0060】

特に本実施例においては、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて透光部１４４を通して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。具体的には、本実施例においては、隣り合う発光部１４２の間に透光部１４４が位置している。上述したように、透光部１４４によって発光装置１０は透光性を有している。一方で、透光部１４４は、発光部１４２から発せられた光を発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて透過させ得る。本実施例においては、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向かう光を第２層１１４の突出部１１４ａによって遮ることができる。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて透光部１４４を通して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。

【0061】

次に、図１０から図１２を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の半透過反射層１１０、複数の反射層１３０及び複数の絶縁膜１５０を備えている。

【0062】

図１０から図１２に示す例において、基板１００の形状は、Ｘ方向に沿った長辺及びＹ方向に沿った短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、図１０から図１２に示す例に限定されるものではない。基板１００の形状は、例えば、円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。

【0063】

複数の半透過反射層１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の半透過反射層１１０のそれぞれは、基板１００のＹ方向に沿って延伸している。

【0064】

複数の半透過反射層１１０のそれぞれ（第１電極）は、複数の第１接続部２１２のそれぞれを介して、第１配線２１４に接続している。第１配線２１４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第１配線２１４及び第１接続部２１２を介して半透過反射層１１０に供給される。なお、図１２に示す例において、半透過反射層１１０及び第１接続部２１２は、互いに一体となっている。

【0065】

複数の反射層１３０のそれぞれは、複数の半透過反射層１１０のそれぞれに重なっている。複数の反射層１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の反射層１３０のそれぞれは、基板１００のＹ方向に延伸している。

【0066】

複数の反射層１３０のそれぞれ（第２電極）は、複数の第２接続部２３２のそれぞれを介して、第２配線２３４に接続している。第２配線２３４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第２配線２３４及び第２接続部２３２を介して反射層１３０に供給される。

【0067】

複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、複数の半透過反射層１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁膜１５０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。

【0068】

複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、開口１５２を有している。開口１５２は、Ｙ方向に延伸している。絶縁膜１５０は、開口１５２によって発光部１４２を画定している。

【0069】

発光装置１０は、発光領域１４０を有しており、発光領域１４０は、複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４を有している。発光部１４２及び透光部１４４は、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。発光部１４２は、絶縁膜１５０の開口１５２によって画定されている。透光部１４４は、遮光部材、特に図１０から図１２に示す例では反射層１３０と重なっていない。したがって、外部からの光は、透光部１４４を透過することができる。

【0070】

次に、図１３を用いて、発光装置１０の断面の詳細を説明する。発光装置１０は、基板１００、半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０を備えている。図１３に示す発光装置１０の半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０は、図１に示した発光装置１０の半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０とそれぞれ同様の構成を有している。

【0071】

特に図１３に示す例では、有機層１２０は、複数の発光部１４２に亘って広がっている。つまり、複数の発光部１４２は、共通の有機層（つまり、有機層１２０）を有している。したがって、図１３に示す例では、複数の発光部１４２は、同じ色の光を発する。

【0072】

反射層１３０は端部１３０ａ及び端部１３０ｂを有し、絶縁膜１５０は端部１５０ａ及び端部１５０ｂを有している。端部１３０ａ及び端部１５０ａは、互いに同じ方向を向いている。端部１３０ｂ及び端部１５０ｂは、互いに同じ方向を向いており、それぞれ、端部１３０ａ及び端部１５０ａの反対側にある。

【0073】

第１面１０２に垂直な方向から見た場合、基板１００の第１面１０２は、複数の領域１０２ａ、複数の領域１０２ｂ複数の領域１０２ｃを有している。複数の領域１０２ａのそれぞれは、反射層１３０の端部１３０ａと重なる位置から端部１３０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域１０２ｂのそれぞれは、反射層１３０の端部１３０ａと重なる位置から絶縁膜１５０の端部１５０ａと重なる位置まで（又は反射層１３０の端部１３０ｂと重なる位置から絶縁膜１５０の端部１５０ｂと重なる位置まで）広がっている。複数の領域１０２ｃのそれぞれは、互いに隣接する２つの絶縁膜１５０のうちの一方の絶縁膜１５０の端部１５０ａと重なる位置から他方の絶縁膜１５０の端部１５０ｂと重なる位置まで広がっている。

【0074】

領域１０２ａは、反射層１３０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ａと重なる領域において、最も低い光線透過率を有している。領域１０２ｃは、反射層１３０及び絶縁膜１５０のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ｃと重なる領域において、最も高い光線透過率を有している。領域１０２ｂは、反射層１３０と重ならず絶縁膜１５０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ｂと重なる領域においては、領域１０２ａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域１０２ｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。

【0075】

図１３に示す例においては、発光装置１０の全体としての光線透過率が高いものとなっている。詳細には、光線透過率の高い領域の幅、すなわち、領域１０２ｃの幅ｄ３が広くなっており、具体的には、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ｂの幅ｄ２よりも広くなっている（ｄ３＞ｄ２）。このようにして、発光装置１０の全体としての光線透過率は、高いものとなっている。

【0076】

図１３に示す例においては、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。詳細には、光が絶縁膜１５０を透過する領域の幅、すなわち、領域１０２ｂの幅ｄ２が狭くなっており、具体的には、領域１０２ｂの幅ｄ２は、領域１０２ｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２＜ｄ３）。絶縁膜１５０は、特定の波長の光を吸収することがある。このような場合においても、上述した構成においては、絶縁膜１５０を透過する光の量を少なくすることができる。このようにして、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。

【0077】

なお、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ａの幅ｄ１よりも広くてもよいし（ｄ３＞ｄ１）、領域１０２ａの幅ｄ１よりも狭くてもよいし（ｄ３＜ｄ１）、又は領域１０２ａの幅ｄ１と等しくてもよい（ｄ３＝ｄ１）。

【0078】

一例において、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｂの幅ｄ２の比ｄ２／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２／ｄ１≦０．２）、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｃの幅ｄ３の比ｄ３／ｄ１は、０．３以上２以下である（０．３≦ｄ３／ｄ１≦２）。より具体的には、一例において、領域１０２ａの幅ｄ１は、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、領域１０２ｂの幅ｄ２は、０μｍ以上１００μｍ以下であり、領域１０２ｃの幅ｄ３は、１５μｍ以上１０００μｍ以下である。

【0079】

一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。

【0080】

次に、図１０から図１３に示した発光装置１０の製造方法の一例について説明する。

【0081】

まず、図４に示した例と同様にして、基板１００の第１面１０２上に第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を形成する。次いで、第３層１１６上のマスク膜３００を形成する。

【0082】

次いで、図５に示した例と同様にして、エッチングによって半透過反射層１１０をパターニングする。このパターニングでは、共通の半透過反射層をエッチングすることで複数の半透過反射層１１０を形成する。したがって、複数の半透過反射層１１０の厚みは、互いに実質的に等しくなる。より具体的には、複数の半透過反射層１１０の第１層１１２の厚みは互いに実質的に等しくなり、複数の半透過反射層１１０の第２層１１４の厚みは互いに実質的に等しくなり、複数の半透過反射層１１０の第３層１１６の厚みは互いに実質的に等しくなる。

【0083】

次いで、図６に示した例と同様にして、溶液２５０を塗布し、溶液２５０を乾燥させる。

【0084】

次いで、図７に示した例と同様にして、溶液２５０及び半透過反射層１１０を加熱する。

【0085】

次いで、半透過反射層１１０上及び絶縁膜１５０上に有機層１２０を形成する。次いで、有機層１２０上に反射層１３０を形成する。

【0086】

このようにして、図１０から図１３に示した発光装置１０が製造される。

【0087】

本実施例においても、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。

【0088】

さらに、本実施例においても、図１に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。

【0089】

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

【符号の説明】

【0090】

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０２ａ 領域
１０２ｂ 領域
１０２ｃ 領域
１０４ 第２面
１１０ 半透過反射層
１１２ 第１層
１１４ 第２層
１１４ａ 突出部
１１６ 第３層
１２０ 有機層
１３０ 反射層
１３０ａ 端部
１３０ｂ 端部
１４０ 発光領域
１４２ 発光部
１４４ 透光部
１５０ 絶縁膜
１５０ａ 端部
１５０ｂ 端部
１５２ 開口
２１２ 第１接続部
２１４ 第１配線
２３２ 第２接続部
２３４ 第２配線
２５０ 溶液
３００ マスク膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】