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特許7236111シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液
発明の名称 シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液
出願人 学校法人 関西大学 （識別番号 399030060）
特許公開件数ランキング 966 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 247 位（1件）（共同出願を含む）
出願人 東北マイクロテック株式会社 （識別番号 313003358）
特許公開件数ランキング 966 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 956 位（0件）（共同出願を含む）
出願人 メルテックス株式会社 （識別番号 593174641）
特許公開件数ランキング 966 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 956 位（0件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7236111
公報発行日 2023年3月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7236111
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