特許7240398IP Force 特許公報全文掲載

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本発明の例示的な実施例は、発光積層構造とこれを備えたディスプレイデバイスに関し、特に、積層構造を有するマイクロ発光デバイスとこれを備えたディスプレイデバイス

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の原理およびいくつかの例示的な実現により構成される発光積層構造は、ピクセルエリアを増加させることなく、それぞれのサブピクセルの発光エリアを増加させることができる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

例示的な実施例による発光積層構造は、上下に配置される複数のエピタキシャルサブユニットであって、前記エピタキシャルサブユニットそれぞれは、異なる有色光を放出するように構成される前記複数のエピタキシャルサブユニットを含み、それぞれのエピタキシャルサブユニットが互いに重なる発光エリアを有し、少なくとも1つのエピタキシャルサブユニットが他のエピタキシャルサブユニットのエリアと異なるエリアを有する。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の原理および一部の例示的な実現により構成される発光積層構造は、ピクセルエリアを増加させることなく、それぞれのサブピクセルの発光エリアを増加させることができる。

本発明の原理およびいくつかの例示的な実現により構成される、例えば、マイクロLEDのような発光ダイオードおよび、このような発光ダイオードを用いるディスプレイは、簡素化したステップで製造できる簡単な構造を有する。例えば、複数のピクセルはウエハボンディングによってウエハレベルで形成可能で、発光ダイオードの個別のマウントに対する必要性を省くことができる。

本発明のさらなる理解を提供するために含まれて本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の例示的な実施例を示し、以下の詳細な説明とともに本発明の概念を説明する役割をする。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 例示的な実施例により構成される発光積層構造の概略横断面図である。
【図2】 例示的な実施例により構成される発光積層構造の横断面図である。
【図3】 例示的な実施例による発光積層構造の概略横断面図である。
【図4】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスの平面図である。
【図5】 図4の部分P1の拡大平面図である。
【図6】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスのブロック図である。
【図7】 例示的な実施例によるパッシブマトリクスタイプのディスプレイデバイス用の1つのピクセルの回路図である。
【図8】 例示的な実施例によるアクティブマトリクスタイプのディスプレイデバイス用の1つのピクセルの回路図である。
【図9】 例示的な実施例によるピクセルの平面図である。
【図10】 図9のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図11】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図12】 図11のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図13】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図14】 図13のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図15】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図16】 図15のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図17】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図18】 図17のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図19】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図20】 図19のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図21】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図22】 図21のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図23】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図24】 図23のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図25】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図26】 図25のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図27】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図28】 図27のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図29】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図30】 図29のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図31】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図32】 図31のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図33】 例示的な実施例により、第1、第2および第3エピタキシャルスタックを形成する方法を例示する平面図である。
【図34】 図33のラインI-I’に沿った横断面図である。
【図35】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスの概略平面図である。
【図36】 例示的な実施例によるディスプレイ用の発光ダイオードピクセルの概略横断面図である。
【図37】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスの概略回路図である。
【図38】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスの概略平面図である。
【図39】 図38のディスプレイデバイスの1つのピクセルの拡大平面図である。
【図40A】 図39のラインA-Aに沿った概略横断面図である。
【図40B】 図39のラインB-Bに沿った概略横断面図である。
【図40C】 図39のラインC-Cに沿った概略横断面図である。
【図40D】 図39のラインD-Dに沿った概略横断面図である。
【図41A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図41B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図41C】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図42A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図42B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図43A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図43B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図44A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図44B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図45A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図45B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図46A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図46B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図47A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図47B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図48A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図48B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図49A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図49B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図50A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図50B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図51】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図52A】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図52B】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図53】 例示的な実施例によるディスプレイデバイスを製造する方法を例示する概略平面図および横断面図である。
【図54】 他の例示的な実施例によるディスプレイデバイスの概略横断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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