特許 7242809 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-03-10

(45)【発行日】2023-03-20

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/786 20060101AFI20230313BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20230313BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20230313BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 612C

G09F9/30 338

G09F9/30 336

G09F9/30 348A

H01L29/78 612B

H01L29/78 618B

H01L29/78 619A

H01L29/78 619B

H01L29/78 617U

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2021183421

(22)【出願日】2021-11-10

(65)【公開番号】P2022077032

(43)【公開日】2022-05-20

【審査請求日】2021-11-11

(31)【優先権主張番号】10-2020-0149302

(32)【優先日】2020-11-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ノー， ソ ヨン

(72)【発明者】

【氏名】ムン， キョン ジュ

【審査官】石塚 健太郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１６８６４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０７４１２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２３２６５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００５／０２７５０３８（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２９／７８６

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域及び非表示領域を含む基板と、
複数の第１薄膜トランジスタであって、それぞれの第１薄膜トランジスタが、
前記表示領域上に配置される第１アクティブ層、
前記第１アクティブ層上に配置される第１ゲート絶縁層、
前記第１ゲート絶縁層上に配置され、前記第１アクティブ層に重畳するように配置される第１ゲート電極、及び
前記第１ゲート絶縁層を貫通して前記第１アクティブ層に連結されるように形成された第１ソース電極及び第１ドレイン電極を含む、複数の第１薄膜トランジスタと、
前記第１ゲート電極と一体に形成されるゲートラインと、
前記第１ゲート絶縁層の上に配置される分離絶縁層と、
前記表示領域上に配置される複数の第２薄膜トランジスタであって、それぞれの第２薄膜トランジスタが、
前記分離絶縁層上に配置される第２アクティブ層、
前記第２アクティブ層上に配置される第２ゲート絶縁層、
第２ゲート絶縁層上に配置され、前記第２アクティブ層と重畳するように配置される第２ゲート電極、
前記第２アクティブ層上と前記第２ゲート電極上とに提供される第２層間絶縁層、及び
前記第２ゲート絶縁層及び前記第２層間絶縁層を貫通して前記第２アクティブ層に連結されるように形成された第２ソース電極及び第２ドレイン電極を含む、複数の第２薄膜トランジスタと、
前記分離絶縁層上に配置され、前記ゲートラインに連結される重複パターンとを含み、
前記重複パターンは、
前記分離絶縁層上に配置され、前記第２アクティブ層と同じ材料から形成される第１重複パターンと、
前記第１重複パターン上に配置される第２重複パターンとを含む、表示装置。

【請求項2】

前記分離絶縁層には前記第１重複パターンと前記ゲートラインとをお互いに連結するように構成された少なくとも１つのコンタクトホールが配置される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記少なくとも１つのコンタクトホールは前記表示領域上に配置される、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１重複パターン及び前記第２アクティブ層は酸化物半導体から形成される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第２重複パターンは、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なくとも１種以上から形成される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記重複パターンは前記ゲートラインと完全に重畳するように前記ゲートラインの幅より小さい幅を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記重複パターンは重複パターンライン及び重複パターン電極をさらに含み、
前記重複パターン電極は前記第１ゲート電極に重畳して配置され、
前記重複パターンラインは前記ゲートラインに重畳して配置される、請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記ゲートラインは前記重複パターンと完全に重畳するように前記重複パターンの幅より小さい幅を有する、請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記重複パターンと前記ゲートラインは互いに離隔して平行に配置され、
前記ゲートラインは前記ゲートラインの長手方向から前記重複パターンに向かって突出するように構成されたゲート枝部を含み、
前記ゲート枝部の各々が前記重複パターンの一部と重畳する領域に前記ゲート枝部の各々を前記重複パターンに連結するように構成されたコンタクトホールが形成される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記重複パターンと前記ゲートラインは互いに離隔して平行に配置され、
前記ゲートラインは、
前記ゲートラインの長手方向から前記重複パターンに向かって突出するように構成されたゲート枝部を含み、
連結パターンが前記第２ゲート電極と同じ層に形成され、
前記連結パターンの各々は、
前記連結パターンの各々が前記ゲート枝部の対応する１つと重畳する第１重畳領域上に形成された第１コンタクトホールを介して前記ゲート枝部の前記対応する１つに連結され、
前記連結パターンの各々が前記重複パターンと重畳する第２重畳領域上に形成された第２コンタクトホールを介して前記重複パターンに連結される、請求項１に記載の表示装置。

【請求項11】

前記連結パターンの各々の一側は前記第２重畳領域上で第２重複パターンの第２重畳パターンに連結される、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

前記第１コンタクトホールは、前記第１重畳領域で前記第２ゲート絶縁層及び前記分離絶縁層を貫通して形成される、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項13】

第２コンタクトホールは、前記重複パターンと前記連結パターンのそれぞれとがお互いに重畳する前記第２重畳領域で前記第２ゲート絶縁層を貫通して形成された、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項14】

前記第２ゲート電極と前記連結パターンは前記第２ゲート絶縁層上に配置される、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項15】

前記連結パターンは前記ゲートラインと前記重複パターンを連結する、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項16】

前記表示領域に配置される前記ゲートラインから前記非表示領域へ延びるように構成された第１延長ライン及び第２延長ラインと、
前記表示領域で前記ゲートラインに重畳するよう配置される前記重複パターンから 前記非表示領域で前記第１延長ラインに重畳するように配置される延長重複パターンと、
前記非表示領域のリンク領域上に、前記第２延長ラインに重畳するように配置されたリンクラインとを含み、
前記リンク領域は
前記リンクラインと前記第２延長ラインとを連結するように構成された第３コンタクトホールと、
前記延長重複パターンを前記第１延長ラインと接触するように構成された第４コンタクトホールとを含む、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項17】

前記第３コンタクトホールと第４コンタクトホールとは前記分離絶縁層を貫通して形成される、請求項１６に記載の表示装置。

【請求項18】

前記第１延長ラインは前記ゲートラインに接続するように配置され、
前記第２延長ラインは前記第１延長ラインに接続するように配置される、請求項１６に記載の表示装置。

【請求項19】

前記第１ゲート電極と前記分離絶縁層との間には第１層間絶縁層がさらに配置される、請求項１６に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

多様な情報を画面で具現する映像表示装置は情報通信時代の核心技術であり、もっと薄くてもっと軽くて携帯が可能でありながらも高性能の方向に発展している。これにより、最近には、液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電光ディスプレイ装置（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）、量子ドットディスプレイ装置（ＱＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）のようなさまざまな表示装置が活用されている。

【0003】

電光ディスプレイ装置（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）のうちには、有機物を発光層として使用する有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）が主として使用されている。この有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）は自発光素子であり、消費電力が低く、高速の応答速度、高い発光効率、高い輝度及び広視野角を有する。この有機発光表示装置は、マトリックス状に配列された多数のサブピクセルを介して映像を具現する。多数のサブピクセルのそれぞれは、発光素子と、該発光素子を独立的に駆動する多数のトランジスタとからなる画素回路を備える。

【0004】

前述した有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）は、高品質の映像情報を提供するために、表示装置の解像度が段々高くなり、大面積化している。

【0005】

しかし、解像度が高くなり大面積化するのに伴い、パネル内の配線抵抗が増加する。配線抵抗が増加することによって高速駆動に対応しにくい問題が発生している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は高抵抗の配線に重畳するか又は隣接して配置される重複パターンをさらに形成し、高抵抗の配線と重複パターンを連結することにより、高抵抗の配線の抵抗を減少させて駆動速度を向上させることができる表示装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の実施例による表示装置は、表示領域及び非表示領域を含む基板と、前記表示領域上に配置される第１アクティブ層、前記第１アクティブ層及び第１ゲート絶縁層を挟んで前記第１アクティブ層に重畳して配置される第１ゲート電極、及び前記第１ゲート絶縁層を貫通して前記第１アクティブ層に連結される第１ソース電極及び第１ドレイン電極を含む第１トランジスタと、前記第１ゲート電極と一体型に形成されるゲートラインと、前記第１ゲート絶縁層上に配置される分離絶縁層と、前記表示領域上に配置され、前記分離絶縁層上に配置される第２アクティブ層、前記第２アクティブ層及び第２ゲート絶縁層を挟んで前記第２アクティブ層と重畳する第２ゲート電極、前記第２ゲート絶縁層上に配置される第２層間絶縁層、及び前記第２ゲート絶縁層及び第２層間絶縁層を貫通して前記第２アクティブ層に連結された第２ソース電極及び第２ドレイン電極を含む複数の第２トランジスタと、前記分離絶縁層上に配置され、前記ゲートラインに連結される重複パターンとを含み、前記重複パターンは、前記分離絶縁層上に配置され、前記第２アクティブ層と同じ材料から形成される第１重複パターンと、前記第１重複パターン上に配置される第２重複パターンとを含む。

【0008】

ここで、前記分離絶縁層には前記第１重複パターンと前記ゲートラインを連結するコンタクトホールが配置されることができる。

【0009】

そして、前記コンタクトホールは前記表示領域上に少なくとも一つ以上が配置されることができる。

【0010】

前記第１重複パターン及び前記第２アクティブ層は酸化物半導体から形成されることができる。

【0011】

前記第２重複パターンを形成する金属は、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なくとも１種以上から形成されることができる。

【0012】

前記重複パターンは前記ゲートラインに完全に重畳するように前記ゲートラインの幅より小さく配置されることができる。

【0013】

前記重複パターンは重複パターンライン及び重複パターン電極を含み、前記重複パターン電極は前記第１ゲート電極に重畳して配置され、前記重複パターンラインは前記ゲートラインに重畳して配置されることができる。

【0014】

前記ゲートラインは前記重複パターンに完全に重畳するように前記重複パターンの幅より小さく配置されることができる。

【0015】

一方、前記重複パターンと前記ゲートラインは互いに離隔して平行に配置され、前記ゲートラインは前記ゲートラインの長手方向において前記重複パターンに向かって突出したゲート枝部を含み、前記ゲート枝部は前記重複パターンの一部に重畳する重畳領域上に前記ゲート枝部と前記重複パターンが連結されるコンタクトホールが配置されることができる。

【0016】

一方、前記重複パターンと前記ゲートラインは互いに離隔して平行に配置され、前記ゲートラインは、前記ゲートラインの長手方向から前記重複パターンに向かって突出したゲート枝部と、前記第２ゲート電極と同じ層に形成される連結パターンとを含み、前記連結パターンは、前記ゲート枝部と重畳するように配置される第１重畳領域上に形成された第１コンタクトホールを介して前記ゲート枝部に連結され、前記重複パターンと重畳するように配置される第２重畳領域上に形成された第２コンタクトホールを介して前記重複パターンに連結されることができる。

【0017】

ここで、前記連結パターンの一側は前記第２重畳領域上で前記第２重複パターンに連結されることができる。

【0018】

前記第１コンタクトホールは前記第１重畳領域に配置された前記第２ゲート絶縁層及び分離絶縁層を貫通して形成されることができる。

【0019】

第２コンタクトホールは、前記第２重畳領域に配置された第２ゲート絶縁層を貫通して形成されることができる。

【0020】

前記第２ゲート電極と前記連結パターンは前記第２ゲート絶縁層上に配置されることができる。

【0021】

前記連結パターンは前記ゲートラインと前記重複パターンを連結することができる。

【0022】

一方、前記表示領域に配置される前記ゲートラインと、前記ゲートラインが前記非表示領域まで延びて配置された第１延長ライン及び第２延長ラインと、前記表示領域で前記ゲートラインに重畳して配置される前記重複パターンと、前記非表示領域で前記第１延長ラインに重畳して配置される延長重複パターンと、前記非表示領域のリンク領域上に配置される前記第２延長ラインに重畳して配置されたリンクラインとを含み、前記リンク領域において、前記リンクラインと第３コンタクトホールを介して前記第２延長ラインが連結され、前記延長重複パターンと第４コンタクトホールを介して前記第１延長ラインが連結されることができる。

【0023】

前記第３コンタクトホールと第４コンタクトホールは前記分離絶縁層を貫通して形成されることができる。

【0024】

前記第１延長ラインは前記ゲートラインに隣接して配置され、前記第２延長ラインは前記第１延長ラインに隣接して配置されることができる。

【0025】

前記第１ゲート電極と前記分離絶縁層との間には第１層間絶縁層がさらに配置されることができる。

【0026】

その他の実施例の具体的な事項は詳細な説明及び添付図面に含まれている。

【発明の効果】

【0027】

本発明の実施例による表示装置は、抵抗が増加する配線に重畳するか又は隣接して配置される重複パターンをさらに形成し、抵抗が増加した配線と重複パターンを連結することにより、抵抗が増加した配線の抵抗を減少させて駆動速度を向上させることができる。

【0028】

また、本発明の実施例による表示装置は、重複パターンとリンクラインに連結されるようにゲートラインを延ばして配置することにより、抵抗が増加した配線の抵抗を減少させて駆動速度を向上させるとともにベゼルサイズを減らすことができる効果がある。

【0029】

本発明による効果は以上で例示した内容に制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】本発明の一実施例による表示装置の概略的な構造を示す平面図である。

【図2】本発明の一実施例による表示装置を示す断面図である。

【図3】図１の“Ａ”領域の拡大平面図である。

【図4】図３のＩ－Ｉ’についての断面図である。

【図5】本発明の他の実施例による表示装置を示す平面図である。

【図6】図５のＩＩ－ＩＩ’についての断面図である。

【図7】本発明のさらに他の実施例による表示装置を示す平面図である。

【図8】図７のＩＩＩ－ＩＩＩ’についての断面図である。

【図9】本発明のさらに他の実施例による表示装置を示す平面図である。

【図10】図９のＩＶ－ＩＶ’についての断面図である。

【図11】本発明のさらに他の実施例による表示装置を示す平面図である。

【図12】図１１のＶ－Ｖ’についての断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0031】

以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施例を説明する。明細書全般にわたって同じ参照番号は実質的に同じ構成要素を意味する。以下の説明で、本発明に関連した公知の技術又は構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要にあいまいにする可能性があると判断される場合、その詳細な説明を省略する。いくつかの実施例を説明するにあたり、同じ構成要素については冒頭で代表的に説明し、他の実施例では省略することができる。

【0032】

第１、第２などの序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使うことができるが、前記構成要素は前記用語に限定されない。前記用語は一構成要素を他の構成要素と区別する目的のみで使う。

【0033】

本明細書のいくつかの実施例のそれぞれの特徴は部分的に又は全体的に互いに結合又は組合せ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例を互いに対して独立的に実施することもでき、連関関係で一緒に実施することもできる。

【0034】

以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。

【0035】

図１は本発明の一実施例による表示装置の概略的な構造を示す平面図、図２は本発明の一実施例による表示装置を示す断面図、図３は図１の“Ａ”領域の拡大平面図、図４は図３のＩ－Ｉ’についての断面図である。

【0036】

図１～図４に示したように、本発明の実施例による表示装置１００は、映像を表示する表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動するパネル駆動部とを含む。パネル駆動部は、データ駆動部２０、ゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂ、及びタイミングコントローラー３０を含む。

【0037】

タイミングコントローラー３０は、データ駆動部２０及びゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂの駆動タイミングをそれぞれ制御するデータ制御信号及びゲート制御信号を生成してデータ駆動部２０及びゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂに供給することができる。タイミングコントローラー３０は映像データを映像処理してデータ駆動部２０に供給することができる。

【0038】

データ駆動部２０はタイミングコントローラー３０から供給されたデータ制御信号に応じて制御され、タイミングコントローラー３０から供給された映像データをアナログデータ信号に変換して表示パネル１０のデータラインＤＬに供給することができる。

【0039】

ゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂは非表示領域ＮＡ上に薄膜トランジスタの形態に直接形成されるＧＩＰ（Ｇａｔｅ ｉｎ ｐａｎｅｌ）回路から具現されることができる。ゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂは表示パネル１０の左側及び右側の少なくとも一側の非表示領域ＮＡに配置されることができる。

【0040】

このようなゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂは、タイミングコントローラー３０から供給されたゲート制御信号に応答してゲート電圧のレベルをシフトさせながらゲート信号を出力することができる。ゲート駆動部４０Ａ、４０ＢはゲートラインＧＬを介してゲート信号を出力することができる。

【0041】

ここで、ゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂと表示パネル１０のゲートラインＧＬを連結するリンク領域ＬＫが配置されることができる。具体的に、ゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂは出力ライン（図１１の４５参照）がリンク領域ＬＫに延びており、ゲートラインＧＬもリンク領域ＬＫに延びて配置されることができる。ゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂの出力ラインとゲートラインＧＬはリンク領域ＬＫでリンクラインＬｎを介して連結されることができるが、これに限定されず、出力ラインとゲートラインＧＬが一体型に形成されることができる。

【0042】

表示パネル１０は、入力映像を表示する画面を具現する表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの少なくとも一側に位置する非表示領域ＮＡとを含む。

【0043】

非表示領域ＮＡは入力映像を表示しない領域であり、サブピクセルＳＰが配置されず、信号ラインとゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂが配置されることができる。

【0044】

表示領域ＡＡには、互いに交差するデータラインＤＬ及びゲートラインＧＬに連結されたサブピクセルＳＰがマトリックス状に配置されることができる。サブピクセルＳＰのそれぞれは、図２に示したように、発光素子５００、その発光素子５００と電気的に連結された少なくとも一つの駆動トランジスタ１００、及び少なくとも一つのスイッチングトランジスタ２００を備えることができる。

【0045】

スイッチングトランジスタ２００及び駆動トランジスタ１００を支持する基板１０１は複数のポリイミド（ＰＩ）からなることもできる。基板１０１がポリイミド（ＰＩ）からなる場合、基板１０１の下部にガラスからなる支持基板が配置された状況で表示装置製造工程が遂行され、表示装置製造工程が完了した後、支持基板がリリース（ｒｅｌｅａｓｅ）されることができる。また、支持基板がリリースされた後、基板１１０を支持するためのバックプレート（ｂａｃｋ ｐｌａｔｅ）が基板１０１の下部に配置されることもできる。また、基板はガラス又はフレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有するプラスチック素材からなることができる。

【0046】

基板１０１上には、バッファー層１１０として、マルチバッファー層１１２及び下部バッファー層１１５が配置されることができる。マルチバッファー層１１２は基板１０１に浸透した水分及び／又は酸素が拡散することを遅延させることができる。このマルチバッファー層１１２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び酸化シリコン（ＳｉＯｘ）が少なくとも１回互いに積層されてなることができる。

【0047】

下部バッファー層１１５は第２アクティブ層２２０を保護し、基板１０１から流入する多様な種類の欠陷を遮断する機能を果たすことができる。この下部バッファー層１１５は、ａ－Ｓｉ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などから形成されることができる。

【0048】

駆動トランジスタ１００はバッファー層１１０上に配置されることができる。駆動トランジスタ１００は、ストレージキャパシタに貯蔵されたデータ電圧によって高電圧供給ラインと低電圧供給ラインとの間に駆動電流が流れるように動作することができる。このような駆動トランジスタ１００は、図２に示したように、スイッチングトランジスタ２００の第２ドレイン電極２４５と電気的に接続された第１ゲート電極１３０と、高電圧供給ラインに接続された第１ソース電極１４２と、発光素子５００に接続された第１ドレイン電極１４５と、第１ソース電極及び第１ドレイン電極１４２、１４５の間にチャネルを形成する第１アクティブ層１２０とを備えることができる。

【0049】

言い換えれば、駆動トランジスタ１００は、第１アクティブ層１２０、第１ゲート電極１３０、第１ソース電極１４２及び第１ドレイン電極１４５を含むことができ、第１ゲート電極１３０と一体型に形成されたゲートラインＧＬに連結される重複パターン１０００を含むことができる。

【0050】

バッファー層１１０上には駆動トランジスタ１００の第１アクティブ層１２０が配置されることができる。第１アクティブ層１２０は低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＴＰＳ）を含むことができる。ポリシリコン物質は移動度が高く（１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低くて信頼性に優れるので、表示素子用薄膜トランジスタを駆動する駆動素子用ゲートドライバー及び／又はマルチプレクサー（ＭＵＸ）に適用可能であり、一実施例による表示装置に駆動薄膜トランジスタのアクティブ層として適用可能である。バッファー層１１０上にアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）物質を蒸着し、脱水素化工程及び結晶化工程を行う方式によってポリシリコンが形成され、ポリシリコンがパターニングされて第１アクティブ層１２０が形成されることができる。

【0051】

第１アクティブ層１２０は、駆動トランジスタ１００の駆動時にチャネルが形成される第１チャネル領域１２０ａ、第１チャネル領域１２０ａの両側の第１ソース領域１２０ｂ及び第１ドレイン領域１２０ｃを含むことができる。第１ソース領域１２０ｂは第１ソース電極１４２に連結された第１アクティブ層１２０の部分を意味し、第１ドレイン領域１２０ｃは第１ドレイン電極１４５に連結された第１アクティブ層１２０の部分を意味する。第１チャネル領域１２０ａ、第１ソース領域１２０ｂ及び第１ドレイン領域１２０ｃは第１アクティブ層１２０のイオンドーピング（不純物ドーピング）によって構成されることができる。第１ソース領域１２０ｂ及び第１ドレイン領域１２０ｃはポリシリコン物質をイオンドーピングすることにより生成されることができる。ここで、第１チャネル領域１２０ａはイオンドーピングされずにポリシリコン物質として残った部分を意味することができる。

【0052】

駆動トランジスタ１００の第１アクティブ層１２０上に第１ゲート絶縁層１２５が配置されることができる。第１ゲート絶縁層１２５は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層又は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層から構成されることができる。第１ゲート絶縁層１２５には、駆動トランジスタ１００の第１ソース電極１４２及び第１ドレイン電極１４５のそれぞれが駆動トランジスタ１００の第１アクティブ層１２０の第１ソース領域１２０ｂ及び第１ドレイン領域１２０ｃのそれぞれに連結されるためのコンタクトホールが形成されることができる。

【0053】

第１ゲート絶縁層１２５上に駆動トランジスタ１００の第１ゲート電極１３０が配置される。第１ゲート電極１３０は第１ゲート絶縁層１２５上にモリブデン（Ｍｏ）などの金属層を形成し、前記金属層をパターニングすることにより形成することができる。第１ゲート電極１３０は駆動トランジスタ１００の第１アクティブ層１２０の第１チャネル領域１２０ａと重畳するように第１ゲート絶縁層１２５上に配置することができる。

【0054】

ここで、第１ゲート電極１３０を第１ゲート絶縁層１２５上に形成しながら、スイッチングトランジスタ２００が配置される領域上に遮光パターン２１０をさらに配置することができる。遮光パターン２１０は後で説明する第２アクティブ層２２０が光に露出されて作動することを防止するために配置することができる。

【0055】

第１層間絶縁層３０５は第１ゲート絶縁層１２５及び第１ゲート電極１３０上に配置されることができる。第１層間絶縁層３０５は第１ゲート電極１３０と第１ゲート電極１３０の上部に配置される第１アクティブ層１２０を分離するための絶縁層として使われることができる。第１層間絶縁層３０５は第１アクティブ層１２０の水素化熱処理工程によって安定化することができる。第１層間絶縁層３０５は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなることができる。第１層間絶縁層３０５は、第１アクティブ層１２０に対する水素化工程の際に駆動トランジスタ１００の第１アクティブ層１２０に水素を提供するために、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなることができる。

【0056】

第１層間絶縁層３０５上には分離絶縁層３００がさらに配置されることができる。分離絶縁層３００は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなることができる。分離絶縁層３００は、第２アクティブ層２２０に水素イオンが流入することを防止するために、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなることができる。第２アクティブ層２２０は、酸化物半導体層に形成される場合、水素イオンが流入すればノーマリーオフ（ｎｏｒｍａｌｌｙ ｏｆｆ）の特性が低下する問題点が発生することがある。よって、第２アクティブ層２２０への水素イオンの流入を防止するための酸化物から形成される分離絶縁層３００をさらに配置することができる。また、分離絶縁層３００はスイッチングトランジスタ２００を形成するためのバッファー膜として使用されることができる。そして、分離絶縁層３００、第１層間絶縁層３０５及び第１ゲート絶縁層１２５には、駆動トランジスタ１００の第１アクティブ層１２０の第１ソース領域１２０ｂ及び第１ドレイン領域１２０ｃを露出させるためのコンタクトホールが形成されることができる。

【0057】

分離絶縁層３００上にはスイッチングトランジスタ２００の第２アクティブ層２２０が配置されることができる。そして、分離絶縁層３００上には駆動トランジスタ１００が形成された領域上に重複パターン１０００が配置されることができる。

【0058】

重複パターン１０００は、ゲートラインＧＬ及び／又は第１ゲート電極１３０上に重畳して配置される第１重複パターン１０１０及び第２重複パターン１０２０を含むことができる。

【0059】

第１重複パターン１０１０は分離絶縁層３００上に第２アクティブ層２２０の素材と同じ素材から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は第１重複パターン１０１０上に単一金属又は複数の金属から形成されることができる。

【0060】

図３及び図４を参照すると、重複パターン１０００はゲートラインＧＬ及び第１ゲート電極１３０と重畳するように配置されることができる。重複パターン１０００は重複パターンライン１１００及び重複パターン電極１２００を含むことができる。重複パターン電極１２００は第１ゲート電極１３０に対応するように配置されることができる。もしくは、後で説明する他の実施例において、重複パターン電極１２００は第１ゲート電極１３０と重畳するように配置されず、ゲートラインＧＬに連結するための枝部としての役割を果たすように配置されることもできる。ここで、重複パターン電極１２００は選択的に形成されることができる。

【0061】

重複パターン１０００は表示領域ＡＡ上に配置され、ゲートラインＧＬの幅より狭く配置されることができる。したがって、重複パターン１０００はゲートラインＧＬと完全に重畳して配置されることができる。

【0062】

重複パターン１０００は第１ゲートラインＧＬにコンタクトホールＣＮＴを介して連結されることができる。コンタクトホールＣＮＴは重複パターン１０００及びゲートラインＧＬが重複する領域の分離絶縁層３００及び第１層間絶縁層３０５を貫通して形成されることができる。コンタクトホールＣＮＴは複数が配置されて重複パターン１０００とゲートラインＧＬを連結することができる。図面では第１層間絶縁層３０５が示されているが、第１層間絶縁層３０５は分離絶縁層３００上に選択的に配置されることができる。

【0063】

ゲートラインＧＬは第１重複パターン１０１０と接続するように配置され、第１重複パターン１０１０上には第２重複パターン１０２０が配置されることができる。第１重複パターン１０１０は第２アクティブ層２２０と同様に酸化物半導体から形成されることができる。第２重複パターン１０２０を形成する金属は、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なく１種以上から形成されることができる。

【0064】

したがって、本発明の実施例による表示装置の重複パターン１０００はゲートラインＧＬに連結されてリダンダンシーの役割を果たすことができる。すなわち、重複パターン１０００はゲートラインＧＬの抵抗を低減させて表示装置の高速駆動に対応することができる。

【0065】

次に、スイッチングトランジスタ２００は、第２アクティブ層２２０、第２ゲート電極２３０、第２ゲート絶縁層２２５、第２ソース電極２４２及び第２ドレイン電極２４５を含むことができる。

【0066】

分離絶縁層３００上に配置される第２アクティブ層２２０は酸化物半導体からなることができる。酸化物半導体素材はシリコン物質よりバンドギャップが大きい素材なので、オフ（Ｏｆｆ）状態で電子がバンドギャップを越えることができなく、よってオフ電流（Ｏｆｆ－Ｃｕｒｒｅｎｔ）が低い。したがって、酸化物半導体からなるアクティブ層を含む薄膜トランジスタはオン（Ｏｎ）時間が短くてオフ（Ｏｆｆ）時間を長く維持することができる。したがって、スイッチングの役割に相応しい。また、オフ電流が小さくて補助容量の大きさが減少することができるので、高解像度表示素子に相応しい。具体的に、第２アクティブ層２２０は金属酸化物からなり、例えば、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ）などのような多様な金属酸化物からなることができる。

【0067】

第２アクティブ層２２０は、金属酸化物を分離絶縁層３００上に蒸着し、安定化のための熱処理工程を遂行した後、金属酸化物をパターニングすることにより形成されることができる。第２アクティブ層２２０は、スイッチングトランジスタ２００の駆動時にチャネルが形成される第２チャネル領域２２０ａ、第２チャネル領域２２０ａの両側の第２ソース領域２２０ｂ及び第２ドレイン領域２２０ｃを含むことができる。第２ソース領域２２０ｂは第２ソース電極２４２に連結された第２アクティブ層２２０の部分を意味し、第２ドレイン領域２２０ｃは第２ドレイン電極２４５に連結された第２アクティブ層２２０の部分を意味する。第２チャネル領域２２０ａ、第２ソース領域２２０ｂ及び第２ドレイン領域２２０ｃは第２アクティブ層２２０のイオンドーピング（不純物ドーピング）によって定義される。第２ソース領域２２０ｂ及び第２ドレイン領域２２０ｃはポリシリコン物質をイオンドーピングすることにより生成されることができる。

【0068】

第２ゲート絶縁層２２５は、第２アクティブ層２２０、重複パターン１０００及び分離絶縁層３００上に配置されることができる。第２ゲート絶縁層２２５は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層又は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の多重層から構成されることができる。他の例として、第２ゲート絶縁層２２５は第２アクティブ層２２０の第２チャネル領域２２０ａと重畳するようにパターニングされることもできる。

【0069】

第２ゲート電極２３０は第２ゲート絶縁層２２５上に配置されることができる。第２ゲート電極２３０は、第２ゲート絶縁層２２５上にモリブデン（Ｍｏ）などのような金属層を形成し、パターニングすることにより形成されることができる。第２ゲート電極２３０は第２アクティブ層２２０の第２チャネル領域２２０ａ及び第２ゲート絶縁層２２５と重畳するようにパターニングされることができる。

【0070】

第２層間絶縁層４０５は第２ゲート電極２３０及び第２ゲート絶縁層２２５上に配置されることができる。第２層間絶縁層４０５はパッシベーション層であることができる。第２ゲート絶縁層２２５及び第２層間絶縁層４０５上には、第１ソース電極１４２、第１ドレイン電極１４５、第２ソース電極２４２及び第２ドレイン電極２４５を露出させるためのコンタクトホールが形成されることができる。

【0071】

発光素子５００は、アノード電極５１０と、カソード電極５５０と、アノード電極５１０及びカソード電極５５０の間に形成された発光スタック５３０とを備える。

【0072】

アノード電極５１０は各サブピクセル別に独立して第２平坦化層４２０上に配置されることができる。このようなアノード電極５１０は第２平坦化層４２０を貫通する第２画素コンタクトホールＣＨ２を通して露出された画素連結電極４５０と接続されることができる。ここで、画素連結電極４５０は第１平坦化層４１０を貫通する第１画素コンタクトホールＣＨ１を通して露出された第１ドレイン電極１４５と接続されることができる。

【0073】

アノード電極５１０は、バンク５７０によって備えられた発光領域だけではなく駆動トランジスタ及びスイッチングトランジスタ１００、２００の少なくとも一つと重畳するように第２平坦化層４２０上に配置されることにより発光面積が増加することができる。

【0074】

バンク５７０はアノード電極５１０を露出させるように形成されて発光領域を備えることができる。このようなバンク５７０は隣接したサブピクセル間の光干渉を防止するように不透明素材（例えば、ブラック）からアクティブ領域に形成されるか、表示領域ＡＡだけでなくゲート駆動部４０Ａ、４０Ｂと重畳するように非表示領域ＮＡに形成されることができる。この場合、バンク５７０は、カラー顔料、有機ブラック及びカーボンの少なくとも１種からなる遮光素材を含むことができる。

【0075】

発光スタック５３０は、アノード電極５１０上に、正孔関連層、有機発光層、電子関連層の順に又は逆順に積層されて形成されることができる。この発光スタック５２０は微細金属マスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ；ＦＭＭ）を用いた製造工程によって形成される。ここで、微細金属マスク（ＦＭＭ）による隣接した発光スタック５２０及び／又はバンク５７０の損傷を防止するために、バンク５７０上にはスペーサーをさらに配置することができる。前記スペーサーは、バンク５７０、第１及び第２平坦化層４１０、４２０と同じ材料から形成されることができる。

【0076】

カソード電極５３０は発光スタック５２０を挟んでアノード電極５１０と対向するように発光スタック５２０の上面及び側面上に形成されることができる。このカソード電極５３０は表示領域ＡＡに配置される全体サブピクセルが共有するように形成されることができる。このようなカソード電極５３０が形成された基板１０１上には封止ユニット６００が配置される。

【0077】

封止ユニット６００は外部の水分又は酸素に脆弱な発光素子５００に外部の水分や酸素が浸透することを遮断することができる。このために、封止ユニット６００は、多数の無機封止層６１０、６２０と、多数の無機封止層６１０、６２０の間に配置される有機封止層６５０とを備え、無機封止層６２０が最上層に配置されるようにする。ここで、封止ユニット６００は、少なくとも２層の無機封止層６１０、６３０と少なくとも１層の有機封止層６５０とを備えることができる。本発明では、第１及び第２無機封止層６１０、６２０の間に有機封止層６５０が配置される封止ユニット６００の構造を例として説明する。

【0078】

有機封止層６５０は無機封止層６１０、６２０の間に配置されて各層間の応力を緩和させる緩衝の役割を果たし、平坦化性能を強化することができる。いくつかの実施例で、有機封止層６５０はベンディング型表示装置の基板１０１の撓いによる応力を緩衝する役割も果たすことができる。有機封止層６５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、ＰＣＬ又はシリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）のような有機絶縁素材から形成されることができる。

【0079】

第１無機封止層６１０は発光素子５００に最も隣接するようにカソード電極５３０が形成された基板１０１上に形成される。第１無機封止層６１０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のような低温蒸着の可能な無機絶縁素材から形成されることができる。よって、第１無機封止層６１０が低温雰囲気で蒸着されるので、第１無機封止層６１０の蒸着工程の際、高温雰囲気に脆弱な発光スタック５２０が損傷することを防止することができる。

【0080】

第２無機封止層６２０は有機封止層６５０が形成された基板１０１上に有機封止層６５０及び第１無機封止層６１０のそれぞれの上面及び側面を覆うように形成される。これにより、第２無機封止層６２０は外部の水分や酸素が第１無機封止層６１０及び有機封止層６５０に浸透することを最小化するか遮断する。このような第２無機封止層６２０は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のような無機絶縁素材から形成される。

【0081】

このように、本発明の実施例による表示装置は、ゲートラインＧＬ上に重複パターン１０００を重畳して配置させ、重複パターン１０００をゲートラインＧＬに連結することにより、ゲートラインＧＬのリダンダンシーの役割を果たすことができる。したがって、ゲートラインＧＬ上に重複パターン１０００を重畳して配置させ、重複パターン１０００をゲートラインＧＬに連結することにより、ゲートラインＧＬの配線抵抗を低減させて駆動速度を向上させることができる。

【0082】

図５は本発明の他の実施例による表示装置を示す平面図、図６は図５のＩＩ－ＩＩ’についての断面図である。

【0083】

ここで、図５及び図６は、重複説明を回避して容易に説明するために、図１～図４を引用して説明する。

【0084】

図５及び図６を参照すると、本発明の他の実施例による重複パターン１０００－１はゲートラインＧＬの幅より大きい領域に配置されるように配置されることができる。ゲートラインＧＬは重複パターン１０００－１と完全に重畳するように重複パターン１０００－１の幅より狭く配置されることができる。言い換えれば、重複パターン１０００－１はゲートラインＧＬの幅より大きく配置されることにより、ゲートラインＧＬが重複パターン１０００－１に完全に重畳して配置されることができる。

【0085】

分離絶縁層３００上において、スイッチングトランジスタ２００が形成された領域上に第２アクティブ層２２０が配置されることができ、駆動トランジスタ１００が形成された領域上に重複パターン１０００－１がゲートラインＧＬの幅より大きい領域に形成されるように配置されることができる。

【0086】

重複パターン１０００－１は、第１ゲートラインＧＬ及び第１ゲート電極１３０上に重畳して配置される第１重複パターン１０１０及び第２重複パターン１０２０を含むことができる。

【0087】

第１重複パターン１０１０は分離絶縁層３００上に第２アクティブ層２２０の素材と同じ素材から形成されることができる。前記第１重複パターン及び第２アクティブ層は酸化物半導体から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は第１重複パターン１０１０上に単一金属又は複数の金属から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なくとも一つ以上から形成されることができる。

【0088】

重複パターン１０００－１はゲートラインＧＬ及び第１ゲート電極１３０に重畳して配置されることができる。重複パターン１０００－１は第１ゲート電極１３０の一部に対応するように配置されることができる。

【0089】

重複パターン１０００－１はゲートラインＧＬにコンタクトホールＣＮＴを介して連結されることができる。コンタクトホールＣＮＴは重複パターン１０００－１及びゲートラインＧＬが重複する領域の分離絶縁層３００及び第１層間絶縁層３０５に複数が配置されて重複パターン１０００－１とゲートラインＧＬを連結することができる。図面では第１層間絶縁層３０５が示されているが、第１層間絶縁層３０５は分離絶縁層３００上に選択的に配置されることができる。

【0090】

ゲートラインＧＬはコンタクトホールＣＮＴを介して第１重複パターン１０１０と接続配置され、第１重複パターン１０１０上には第２重複パターン１０２０が配置されることができる。

【0091】

このように、本発明の実施例による表示装置の重複パターン１０００－１はゲート電極（ＧＬ）に連結されてリダンダンシーの役割を果たすことができる。すなわち、重複パターン１０００－１の幅をゲートラインＧＬより大きく形成することにより、重複パターン１０００－１はゲートラインＧＬの抵抗をもっと低減させることができ、表示装置の高速駆動に対応することができる。

【0092】

また、ゲートラインＧＬにおいてゲート電極１３０を形成する領域上にはゲートラインＧＬの幅より大きい領域が確保されるので、コンタクトホールＣＮＴを形成することが容易である。

【0093】

したがって、本発明の他の実施例による表示装置は、駆動トランジスタ１００上に重複パターン１０００－１をゲートラインの幅より大きく配置し、重複パターン１０００－１をゲートラインＧＬに連結することにより、ゲートラインＧＬの配線抵抗をもっと低減させることができ、駆動速度を向上させることができる。

【0094】

図７は本発明のさらに他の実施例による表示装置を示す平面図、図８は図７のＩＩＩ－ＩＩＩ’についての断面図である。

【0095】

ここで、図７及び図８は、重複説明を回避して容易に説明するために、図１～図４を引用して説明する。

【0096】

図７及び図８を参照すると、本発明のさらに他の実施例による重複パターン１０００－３はゲートラインＧＬから離隔して配置されることができる。そして、重複パターン１０００－３はゲートラインＧＬに平行に配置されることができる。ここで、ゲートラインＧＬはゲートラインＧＬの長手方向において重複パターン１０００－３の方向に突出したゲート枝部ＧＬ－１を含むことができる。

【0097】

ゲート枝部ＧＬ－１は重複パターン１０００－３の一部に重畳する重畳領域ＯＶＡを有することができる。重畳領域ＯＶＡ上には、ゲート枝部ＧＬ－１と重複パターン１０００－３が連結されるコンタクトホールＣＮＴが配置されることができる。

【0098】

具体的に、分離絶縁層３００上で、スイッチングトランジスタ２００が配置される領域上には第２アクティブ層２２０が配置されることができ、駆動トランジスタ１００が配置される領域上には第１重複パターン１０１０が配置されることができる。そして、分離絶縁層３００上において重複パターン１０００－３は平面上でゲートラインＧＬと重畳しないように離隔して配置されることができる。言い換えれば、平面上にゲートラインＧＬと重複パターン１０００－３は平行に配置されることができる。そして、ゲートラインＧＬはゲートラインＧＬの長手方向において重複パターン１０００－３の方向に突出したゲート枝部ＧＬ－１を含むことができる。

【0099】

重複パターン１０００－３は、分離絶縁層３００上に配置される第１重複パターン１０１０及び第２重複パターン１０２０を含むことができる。重複パターン１０００－３の一部はゲート枝部ＧＬ－１に重畳して配置される。

【0100】

第１重複パターン１０１０は分離絶縁層３００上に配置された第２アクティブ層２２０の素材と同じ素材から形成されることができる。第１重複パターン１０１０及び第２アクティブ層２２０は酸化物半導体から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は第１重複パターン１０１０上に単一金属又は複数の金属から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なくとも１種以上から形成されることができる。

【0101】

ゲートラインＧＬと重複パターン１０００－３は平面上で平行に配置されることにより、互いに離隔して配置されることができる。ここで、ゲートラインＧＬと重複パターン１０００－３を連結するために、ゲートラインＧＬ上から突出して配置されたゲート枝部ＧＬ－１を配置することができる。具体的に、ゲート枝部ＧＬ－１はゲートラインＧＬの長手方向において重複パターン１０００－３の方向に突出するように配置されることができる。ゲート枝部ＧＬ－１は重複パターン１０００－３の一部に重畳して配置されることができる。

【0102】

重複パターン１０００－３はゲート枝部ＧＬ－１の一部と重畳する重畳領域ＯＶＡを有することができる。重複パターン１０００－３はコンタクトホールＣＮＴを介してゲートラインＧＬに連結されることができる。コンタクトホールＣＮＴは重複パターン１０００－３及びゲートラインＧＬが重複する領域である重畳領域ＯＶＡの分離絶縁層３００及び第１層間絶縁層３０５を貫通させて形成することができる。前述したコンタクトホールＣＮＴは複数が配置されて重複パターン１０００－３とゲート枝部ＧＬ－１を連結することができる。図面では第１層間絶縁層３０５が示されているが、第１層間絶縁層３０５は分離絶縁層３００上に選択的に配置されることができる。

【0103】

ゲート枝部ＧＬ－１はコンタクトホールＣＮＴを介して第１重複パターン１０１０と接続するように配置され、第１重複パターン１０１０上には第２重複パターン１０２０が配置されることができる。

【0104】

このように、本発明の実施例による表示装置の重複パターン１０００－３とゲート枝部ＧＬ－１が重畳する重畳領域ＯＶＡにコンタクトホールＣＮＴを介して重複パターン１０００－３をゲートラインＧＬに連結することにより、重複パターン１０００－３はゲートラインＧＬのリダンダンシーの役割を果たすことができる。すなわち、重複パターン１０００－３をゲートラインＧＬに重畳しないように離隔し、ゲート枝部ＧＬ－１を選択的に重複パターン１０００－３に重畳して配置することにより、重複パターン１０００－３の形成に自由度を保障しながらゲートラインＧＬの抵抗を低減させることができるので、表示装置の高速駆動に対応することができる。

【0105】

したがって、本発明の他の実施例による表示装置は、重複パターン１０００－３をゲートラインＧＬから離隔して配置し、ゲート枝部ＧＬ－１を介して重複パターン１０００－３をゲートラインＧＬに連結することにより、ゲートラインＧＬの配線抵抗を低減させることができるので、駆動速度を向上させることができる。

【0106】

図９は本発明のさらに他の実施例による表示装置を示す平面図、図１０は図９のＩＶ－ＩＶ’についての断面図である。

【0107】

ここで、図９及び図１０は、重複説明を回避して容易に説明するために、図１～図４を引用して説明する。

【0108】

図９及び図１０を参照すると、本発明のさらに他の実施例による重複パターン１０００－４はゲートラインＧＬから離隔して配置されることができる。そして、重複パターン１０００－４はゲートラインＧＬに平行に配置されることができる。ここで、ゲートラインＧＬはゲートラインＧＬの長手方向において重複パターン１０００－４の方向に突出したゲート枝部ＧＬ－２を含むことができる。

【0109】

そして、本発明のさらに他の実施例による表示装置は、ゲート枝部ＧＬ－２と重複パターン１０００－４に連結パターン１５００が重畳して配置されることができる。ここで、連結パターン１５００は第２ゲート電極２３０と同じ層に形成されることができる。言い換えれば、連結パターン１５００は第２ゲート絶縁層２２５上に第２ゲート電極２３０と同時に形成されることができる。

【0110】

ゲート枝部ＧＬ－２は重複パターン１０００－４の一部と重畳する重畳領域を有することができるが、重畳しないこともできる。図面では一部が重畳する領域を示したが、重畳領域が存在しなくても良い。

【0111】

連結パターン１５００は、ゲート枝部ＧＬ－２と重畳するように配置される第１重畳領域ＯＶＡ１が形成されることができる。第１重畳領域ＯＶＡ１上には第１コンタクトホールＣＮＴ１が形成されることができる。第１コンタクトホールＣＮＴ１はゲート枝部ＧＬ－２と連結パターン１５００を連結することができる。

【0112】

連結パターン１５００は、重複パターン１０００－４と重畳するように配置される第２重畳領域ＯＶＡ２が形成されることができる。第２重畳領域ＯＶＡ２上には第２コンタクトホールＣＮＴ２が形成されることができる。第２コンタクトホールＣＮＴ２は重複パターン１０００－４と連結パターン１５００を連結することができる。

【0113】

具体的に、分離絶縁層３００上で、スイッチングトランジスタ２００が配置される領域上には第２アクティブ層２２０が配置されることができ、駆動トランジスタ１００が配置される領域上には第１重複パターン１０１０が配置されることができる。そして、分離絶縁層３００上において重複パターン１０００－４は平面上でゲートラインＧＬと重畳しないように離隔して配置されることができる。言い換えれば、平面上でゲートラインＧＬと重複パターン１０００－４は平行に配置されることができる。そして、ゲートラインＧＬはゲートラインＧＬの長手方向において重複パターン１０００－４の方向に突出したゲート枝部ＧＬ－２を含むことができる。

【0114】

重複パターン１０００－４は分離絶縁層３００上に配置される第１重複パターン１０１０及び第２重複パターン１０２０を含むことができる。重複パターン１０００－４の一部は連結パターン１５００に重畳して配置されて互いに連結されることができる。

【0115】

第１重複パターン１０１０は分離絶縁層３００上に配置された第２アクティブ層２２０素材と同じ素材から形成されることができる。第１重複パターン１０１０及び第２アクティブ層２２０は酸化物半導体から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は第１重複パターン１０１０上に単一金属又は複数の金属から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なくとも１種以上から形成されることができる。

【0116】

ゲートラインＧＬと重複パターン１０００－４は平面上に平行に配置されることにより、互いに離隔して配置されることができる。ここで、ゲートラインＧＬと重複パターン１０００－４を連結するために、第２ゲート絶縁層２２５上に連結パターン１５００をさらに配置することができる。連結パターン１５００の一側は重複パターン１０００－４に重畳して配置されることができ、連結パターン１５００の他側はゲート枝部ＧＬ－２に重畳して配置されることができる。

【0117】

連結パターン１５００はゲートラインＧＬと重複パターン１０００－４の配置構造によって多様な形状に配置可能である。本発明の図面では重複パターン１０００－４とゲート枝部ＧＬ－２が互いに垂直な方向に配置されているから、連結パターン１５００は重複パターン１０００－４とゲート枝部ＧＬ－２のそれぞれに連結されるために折曲領域が形成された構造に配置されたものを示した。

【0118】

連結パターン１５００はゲート枝部ＧＬ－２の一部と重畳する第１重畳領域ＯＶＡ１を有することができる。第１重畳領域ＯＶＡ１でゲート枝部ＧＬ－２は第１コンタクトホールＣＮＴ１を介して連結パターン１５００に連結されることができる。

【0119】

連結パターン１５００は重複パターン１０００－４の一部と重畳する第２重畳領域ＯＶＡ２を有することができる。第２重畳領域ＯＶＡ２で重複パターン１０００－４は第２コンタクトホールＣＮＴ２を介して連結パターン１５００に連結されることができる。ここで、連結パターン１５００は重複パターン１０００－４の第２重複パターン１０２０に連結されることができる。

【0120】

したがって、連結パターン１５００を介してゲート枝部ＧＬ－１と重複パターン１０００－４は互いに連結されることができる。

【0121】

第１コンタクトホールＣＮＴ１は、ゲート枝部ＧＬ－２と連結パターン１５００が重畳する領域である第１重畳領域ＯＶＡ１に配置された第２ゲート絶縁層２２５、分離絶縁層３００及び第１層間絶縁層３０５を貫通させて形成することができる。第１コンタクトホールＣＮＴ１を介して連結パターン１５００とゲート枝部ＧＬ－２が連結されることができる。図面では第１層間絶縁層３０５が示されているが、第１層間絶縁層３０５は分離絶縁層３００上に選択的に配置されることができる。

【0122】

第２コンタクトホールＣＮＴ２は重複パターン１０００－４と連結パターン１５００が重畳する領域である第１重畳領域ＯＶＡ１に配置された第２ゲート絶縁層２２５を貫通させて形成することができる。第２コンタクトホールＣＮＴ２を介して連結パターン１５００と重複パターン１０００－４が連結されることができる。

【0123】

このように、本発明の実施例による表示装置の重複パターン１０００－４とゲート枝部ＧＬ－２を連結パターン１５００を介して連結することにより、重複パターン１０００－４がゲートラインＧＬのリダンダンシーの役割を果たすようにすることができる。すなわち、重複パターン１０００－４をゲートラインＧＬに重畳して配置せずに離隔させ、連結パターン１５００を重複パターン１０００－４及びゲート枝部ＧＬ－２と重畳するように配置して連結することにより、重複パターン１０００－４の形成の自由度を保障しながらゲートラインＧＬの抵抗を低減させることができ、表示装置の高速駆動に対応することができる。

【0124】

したがって、本発明のさらに他の実施例による表示装置は、重複パターン１０００－４をゲートラインＧＬから離隔して配置させ、連結パターン１５００を介してゲート枝部ＧＬ－１と重複パターン１０００－４を連結することにより、ゲートラインＧＬの配線抵抗を低減させることができ、駆動速度を向上させることができる。

【0125】

図１１は本発明のさらに他の実施例に表示装置を示す平面図、図１２は図１１のＩＶ－ＩＶ’についての断面図である。

【0126】

ここで、図１１及び図１２は、重複説明を回避して容易に説明するために、図１～図４を引用して説明する。

【0127】

図１１及び図１２を参照すると、本発明のさらに他の実施例による表示装置は、表示領域ＡＡ上に配置される重複パターン１０００－５、及び非表示領域ＮＡに配置される延長重複パターン１０００－６を含むことができる。ここで、非表示領域ＮＡにはゲート駆動部４０Ａと表示パネル１０を連結するリンク領域ＬＮを含むことができる。

【0128】

リンク領域ＬＮにはゲート駆動部４０Ａから引き出された出力ライン４５に連結されるリンクラインＬＫが配置されることができる。出力ライン４５はゲートラインＧＬと同様に第１ゲート絶縁層１２５上に配置されることができる。そして、リンクラインＬＫは非表示領域ＮＡ上において分離絶縁層３００上に配置されることができる。

【0129】

ゲートラインＧＬは非表示領域ＮＡのリンク領域ＬＮまで延びて配置された第１延長ラインＧＬ－５と第２延長ラインＧＬ－６が一体型に配置されることができる。

【0130】

表示領域ＡＡ上に配置される重複パターン１０００－５はゲートラインＧＬと重畳するように配置されることができる。

【0131】

非表示領域ＮＡのリンク領域ＬＮで、重複パターン１０００－５はリンク領域ＬＮまで延びた延長重複パターン１０００－６が配置され、延長重複パターン１０００－６は第１延長ラインＧＬ－５に重畳して配置されることができる。延長重複パターン１０００－６を第１延長ラインＧＬ－５に連結するために、延長重複パターン１０００－６と第１延長ラインＧＬ－５が重畳する領域には第４コンタクトホールＣＮＴ４が配置されることができる。

【0132】

第１延長ラインＧＬ－５はゲートラインＧＬに隣接して配置され、第２延長ラインＧＬ－６は第１延長ラインＧＬ－５に隣接して配置される。

【0133】

また、非表示領域ＮＡのリンク領域ＬＮでリンクラインＬＫと第２延長ラインＧＬ－６は重畳して配置されることができる。リンクラインＬＫと第２延長ラインＧＬ－６を連結するために、重畳領域には第３コンタクトホールＣＮＴ３が配置されることができる。

【0134】

具体的に、表示領域ＡＡの分離絶縁層３００上で、スイッチングトランジスタ２００が配置される領域上には第２アクティブ層２２０が配置されることができ、駆動トランジスタ１００が配置される領域には第１重複パターン１０１０が配置されることができる。言い換えれば、表示領域の分離絶縁層３００上にはゲートラインＧＬに重畳して配置される重複パターン１０００－５が配置されることができる。

【0135】

そして、非表示領域ＮＡの分離絶縁層３００上で、リンクラインＬＫと第２延長ラインＧＬ－６は第３コンタクトホールＣＮＴ３を介して連結され、延長重複パターン１０００－６と第１延長ラインＧＬ－５は第４コンタクトホールＣＮＴ４を介して連結されることができる。

【0136】

第１重複パターン１０１０は分離絶縁層３００上に配置された第２アクティブ層２２０の素材と同じ素材から形成されることができる。第１重複パターン１０１０及び第２アクティブ層２２０は酸化物半導体から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は第１重複パターン１０１０上に単一金属又は複数の金属から形成されることができる。第２重複パターン１０２０は、Ｍｏ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、及びＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの少なくとも１種以上から形成されることができる。

【0137】

このように、本発明の実施例による表示装置の重複パターン１０００－５はゲートラインＧＬに重畳して配置させ、延長重複パターン１０００－６とリンクラインＬＫをそれぞれ第３及び第４コンタクトホールＣＮＴ３、ＣＮＴ４を介して非表示領域ＮＡであるリンク領域ＬＮに配置された第１及び２延長ラインＧＬ－５、ＧＬ－６に連結することにより、重複パターン１０００－５がゲートラインＧＬのリダンダンシーの役割を果たすようにすることができる。すなわち、重複パターン１０００－５をゲートラインＧＬに重畳して配置させ、非表示領域ＮＡで第１及び第２延長ラインＧＬ－５、ＧＬ－６を介してリンクラインＬＫ及び延長重複パターン１０００－６を連結することにより、ベゼルサイズを低減させながらゲートラインＧＬの抵抗を低減させることができ、表示装置の高速駆動に対応することができる。

【0138】

したがって、本発明のさらに他の実施例による表示装置は、重複パターン１０００－５を非表示領域ＮＡまで延ばし、ゲートラインＧＬも非表示領域ＮＡまで延ばし、非表示領域ＮＡでゲートラインＧＬと重複パターン１０００－５を連結することにより、ゲートラインＧＬの配線抵抗を低減させることができ、駆動速度を向上させることができる。

【0139】

以上説明した内容から、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範疇内で多様な変更及び修正が可能であろう。よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって決定されなければならないであろう。

【符号の説明】

【0140】

１００ 駆動トランジスタ
１２５ 第１ゲート絶縁層
１３０ ゲート電極
２００ スイッチングトランジスタ
３００ 分離絶縁層
５００ 発光素子
１０００ 重複パターン
１０１０ 第１重複パターン
１０２０ 第２重複パターン
１１００ 重複パターンライン
１２００ 重複パターン電極
１５００ 連結パターン
ＧＬ ゲートライン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】