(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-03-20
(45)【発行日】2023-03-29
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20230322BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20230322BHJP
G02F 1/1339 20060101ALI20230322BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20230322BHJP
G02F 1/13 20060101ALI20230322BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20230322BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20230322BHJP
H05B 33/04 20060101ALI20230322BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 309
G09F9/30 330
G09F9/00 338
G02F1/1339 505
G02F1/1333 500
G02F1/13 101
H05B33/14 A
H05B33/10
H05B33/04
【請求項の数】
22
(21)【出願番号】P 2018194547
(22)【出願日】2018-10-15
(65)【公開番号】P2019091018
(43)【公開日】2019-06-13
【審査請求日】2021-08-17
(31)【優先権主張番号】10-2017-0152075
(32)【優先日】2017-11-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】徐 佑 昔
(72)【発明者】
【氏名】河 尚 佑
(72)【発明者】
【氏名】金 聖 哲
(72)【発明者】
【氏名】金 廷 ヒョン
(72)【発明者】
【氏名】宋 時 準
(72)【発明者】
【氏名】宋 俊 昊
(72)【発明者】
【氏名】柳 鳳 ヒョン
【審査官】中村 直行
(56)【参考文献】
【文献】特表２００６－５２４４１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０３４４３０２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００７－０１７５９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１３８６４７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００９－２７６５２７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／００ － ９／４６
Ｇ０２Ｆ １／１３３９
Ｇ０２Ｆ １／１３３３
Ｇ０２Ｆ １／１３
Ｈ１０Ｋ ５０／００ － ９９／００
Ｈ０５Ｂ ３３／００ － ３３／２８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域、及び前記表示領域の外側に配置される非表示領域が定義される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、
前記非表示領域に配置されるセルシールとを有し、
前記セルシールは、前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを含み、
前記セルシールは、前記接合フィラメントに連結されるフリットシールをさらに含むことを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記第１基板及び前記第２基板はガラスを含み、前記接合フィラメントは、前記第１基板及び第２基板と同一の物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記接合フィラメントの幅は、１００μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記接合フィラメントは、中心部、及び前記中心部を取り囲む周辺部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記中心部の幅は２０μｍ以上７０μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記中心部と前記周辺部とは屈折率が異なることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項7】
前記接合フィラメントの中段の幅は、前記接合フィラメントの上段の幅及び前記接合フィラメントの下段の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記接合フィラメントは、内側接合フィラメントと外側接合フィラメントとを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記内側接合フィラメントと前記外側接合フィラメントとは部分的に重畳して重畳領域を形成することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記重畳領域と前記内側フィラメントとは屈折率が異なることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記内側接合フィラメント及び前記外側接合フィラメントの少なくとも一つは、所定の傾斜角度で延長することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項12】
前記内側接合フィラメントと前記外側接合フィラメントとは互いに交差することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記接合フィラメントは、ｘ軸と並行する方向に延長する第１接合フィラメント、ｙ軸と並行する方向に延長する第２接合フィラメント、及び前記第１接合フィラメントと前記第２接合フィラメントとが交差する交差部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項14】
前記交差部の幅は、前記第１接合フィラメント及び前記第２接合フィラメントよりも大きいことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項15】
前記第１接合フィラメントの一端は、前記交差部から前記ｘ軸と並行する方向に突出し、前記第２接合フィラメントの一端は、前記交差部から前記ｙ軸と並行する方向に突出することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項16】
前記非表示領域に配置される駆動集積回路と、前記駆動集積回路と前記表示領域とを接続する複数の導電ラインと、をさらに有し、
前記フリットシールは、前記導電ラインと重畳することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項17】
互いに対向する第１基板及び第２基板を含むセルを含むオリジナルパネルを封止する（ｓｅａｌｉｎｇ）段階と、前記セルを封止するセルシールを形成する段階と、を有し、
前記セルシールを形成する段階は、レーザーを照射することによって前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階を含み、
前記セルにフリットを形成する段階をさらに有し、
前記セルシールを形成する段階は、前記フリットを硬化させてフリットシールを形成する段階を含み、
前記フリットシールと前記接合フィラメントとは互いに連結されることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記レーザーは、前記第２基板から前記第１基板に向かって照射される第１サブレーザーを含み、前記第１サブレーザーの第１焦点は前記第１基板の内部に設定され、前記第１サブレーザーの焦点深さは、－１００μｍ以上０未満であることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記レーザーは、前記第１基板から前記第２基板に向かって照射される第２サブレーザーをさらに含み、前記第２サブレーザーの第２焦点は前記第２基板の内部に設定され、前記第２サブレーザーの焦点深さは０超過１００μｍ未満であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記第１サブレーザー及び前記第２サブレーザーのいずれかは、所定の傾斜角度で照射されることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項21】
前記第１基板上に配置される絶縁膜を除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項22】
レーザーを照射して、前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階は、前記レーザーを第１方向に照射して第１接合フィラメントを形成する段階と、前記レーザーを第２方向に照射して第２接合フィラメントを形成する段階と、を含み、
前記第１接合フィラメントと前記第２接合フィラメントとは互いに交差して交差部を形成することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示装置及び表示装置の製造方法に関し、特に、セルシールが占める面積を減らした表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置は、マルチメディアの発達に伴ってその重要性がますます高まっている。
これに応えて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）などのさまざまな表示装置が開発されている。
液晶表示装置や有機発光表示装置などの表示装置の画像表示はいずれも光の透過に起因する。
特に、光の透過率は、表示装置の輝度などの表示品質に影響を及ぼす可能性がある。
よって、表示装置を成す構成要素は、少なくとも部分的に透明性部材、例えばガラス部材を含むことができる。
これに応えて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）などのさまざまな表示装置が開発されている。
液晶表示装置や有機発光表示装置などの表示装置の画像表示はいずれも光の透過に起因する。
特に、光の透過率は、表示装置の輝度などの表示品質に影響を及ぼす可能性がある。
よって、表示装置を成す構成要素は、少なくとも部分的に透明性部材、例えばガラス部材を含むことができる。
【0003】
複数の透明性部材を組み合わせてマルチスタック接合体を形成するための方法として、液体又は軟膏性の接着剤であるシーラントを用いて接合する方法や、ガラスフリット又は粉末ガラスを用いて接合する方法などを例示することができる。
シーラント接合は、第１ガラス部材と第２ガラス部材との間に液体又は軟膏性のシーラント物質を塗布し、これを硬化させることにより、第１ガラス部材と第２ガラス部材とを互いに接合することができる。
また、ガラスフリット／粉末ガラス接合は、第１ガラス部材と第２ガラス部材との間にガラスフリット／粉末ガラス物質を塗布し、これを溶融硬化させることにより、第１ガラス部材と第２ガラス部材とを互いに接合することができる。
シーラント接合は、第１ガラス部材と第２ガラス部材との間に液体又は軟膏性のシーラント物質を塗布し、これを硬化させることにより、第１ガラス部材と第２ガラス部材とを互いに接合することができる。
また、ガラスフリット／粉末ガラス接合は、第１ガラス部材と第２ガラス部材との間にガラスフリット／粉末ガラス物質を塗布し、これを溶融硬化させることにより、第１ガラス部材と第２ガラス部材とを互いに接合することができる。
【0004】
しかしながら、表示装置の高画素化や小型化に伴い、表示装置を成す構成要素である少なくとも部分的には透明性部材、例えばガラス部材の接合における接合材料の占有面積は減らさなければならないという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１０－２４９９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は上記従来の表示装置における課題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、セルシールが占める面積を減らした表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、セルシールが占める面積を減らすことができる表示装置の製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、セルシールが占める面積を減らすことができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示領域、及び前記表示領域の外側に配置される非表示領域が定義される第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記非表示領域に配置されるセルシールとを有し、前記セルシールは、前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを含み、前記セルシールは、前記接合フィラメントに連結されるフリットシールをさらに含むことを特徴とする。
【0008】
前記第１基板及び前記第２基板はガラスを含み、前記接合フィラメントは前記第１基板及び第２基板と同一の物質からなることが好ましい。
前記接合フィラメントの幅は、１００μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
前記接合フィラメントは、中心部、及び前記中心部を取り囲む周辺部を含むことが好ましい。
前記中心部の幅は２０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。
前記中心部と前記周辺部とは屈折率が異なることが好ましい。
前記接合フィラメントの中段の幅は、前記接合フィラメントの上段の幅及び前記接合フィラメントの下段の幅よりも大きいことが好ましい。
前記接合フィラメントは、内側接合フィラメントと外側接合フィラメントとを含むことが好ましい。
前記内側接合フィラメントと前記外側接合フィラメントとは部分的に重畳して重畳領域を形成することが好ましい。
前記重畳領域と前記内側フィラメントとは屈折率が異なることが好ましい。
前記内側接合フィラメント及び前記外側接合フィラメントの少なくとも一つは、所定の傾斜角度で延長することが好ましい。
前記内側接合フィラメントと前記外側接合フィラメントとは互いに交差することが好ましい。
前記接合フィラメントは、ｘ軸と並行する方向に延長する第１接合フィラメント、ｙ軸と並行する方向に延長する第２接合フィラメント、及び前記第１接合フィラメントと前記第２フィラメントとが交差する交差部を含むことが好ましい。
前記交差部の幅は、前記第１接合フィラメント及び前記第２接合フィラメントよりも大きいことが好ましい。
前記第１接合フィラメントの一端は、前記交差部から前記ｘ軸と並行する方向に突出し、前記第２接合フィラメントの一端は、前記交差部から前記ｙ軸と並行する方向に突出することが好ましい。
前記非表示領域に配置される駆動集積回路と、前記駆動集積回路と前記表示領域とを接続する複数の導電ラインと、をさらに有し、前記フリットシールは、前記導電ラインと重畳することが好ましい。
前記接合フィラメントの幅は、１００μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
前記接合フィラメントは、中心部、及び前記中心部を取り囲む周辺部を含むことが好ましい。
前記中心部の幅は２０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。
前記中心部と前記周辺部とは屈折率が異なることが好ましい。
前記接合フィラメントの中段の幅は、前記接合フィラメントの上段の幅及び前記接合フィラメントの下段の幅よりも大きいことが好ましい。
前記接合フィラメントは、内側接合フィラメントと外側接合フィラメントとを含むことが好ましい。
前記内側接合フィラメントと前記外側接合フィラメントとは部分的に重畳して重畳領域を形成することが好ましい。
前記重畳領域と前記内側フィラメントとは屈折率が異なることが好ましい。
前記内側接合フィラメント及び前記外側接合フィラメントの少なくとも一つは、所定の傾斜角度で延長することが好ましい。
前記内側接合フィラメントと前記外側接合フィラメントとは互いに交差することが好ましい。
前記接合フィラメントは、ｘ軸と並行する方向に延長する第１接合フィラメント、ｙ軸と並行する方向に延長する第２接合フィラメント、及び前記第１接合フィラメントと前記第２フィラメントとが交差する交差部を含むことが好ましい。
前記交差部の幅は、前記第１接合フィラメント及び前記第２接合フィラメントよりも大きいことが好ましい。
前記第１接合フィラメントの一端は、前記交差部から前記ｘ軸と並行する方向に突出し、前記第２接合フィラメントの一端は、前記交差部から前記ｙ軸と並行する方向に突出することが好ましい。
前記非表示領域に配置される駆動集積回路と、前記駆動集積回路と前記表示領域とを接続する複数の導電ラインと、をさらに有し、前記フリットシールは、前記導電ラインと重畳することが好ましい。
【0009】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、互いに対向する第１基板及び第２基板を含むセルを含むオリジナルパネルを封止する（ｓｅａｌｉｎｇ）段階と、前記セルを封止するセルシールを形成する段階と、を有し、前記セルシールを形成する段階は、レーザーを照射することによって前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階を含み、前記セルにフリットを形成する段階をさらに有し、前記セルシールを形成する段階は、前記フリットを硬化させてフリットシールを形成する段階を含み、前記フリットシールと前記接合フィラメントとは互いに連結されることを特徴とする。
【0010】
前記レーザーは、前記第２基板から前記第１基板に向かって照射される第１サブレーザーを含み、前記第１サブレーザーの第１焦点は前記第１基板の内部に設定され、前記第１サブレーザーの焦点深さは、－１００μｍ以上０未満であることが好ましい。
前記レーザーは、前記第１基板から前記第２基板に向かって照射される第２サブレーザーをさらに含み、前記第２サブレーザーの第２焦点は前記第２基板の内部に設定され、前記第２サブレーザーの焦点深さは０超過１００μｍ未満であることが好ましい。
前記第１サブレーザー及び前記第２サブレーザーのいずれかは、所定の傾斜角度で照射されることが好ましい。
前記第１基板上に配置される絶縁膜を除去する段階をさらに有することが好ましい。
レーザーを照射して、前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階は、前記レーザーを第１方向に照射して第１接合フィラメントを形成する段階と、前記レーザーを第２方向に照射して第２接合フィラメントを形成する段階と、を含み、前記第１接合フィラメントと前記第２接合フィラメントとは互いに交差して交差部を形成することが好ましい。
前記レーザーは、前記第１基板から前記第２基板に向かって照射される第２サブレーザーをさらに含み、前記第２サブレーザーの第２焦点は前記第２基板の内部に設定され、前記第２サブレーザーの焦点深さは０超過１００μｍ未満であることが好ましい。
前記第１サブレーザー及び前記第２サブレーザーのいずれかは、所定の傾斜角度で照射されることが好ましい。
前記第１基板上に配置される絶縁膜を除去する段階をさらに有することが好ましい。
レーザーを照射して、前記第１基板と前記第２基板とを連結する接合フィラメントを形成する段階は、前記レーザーを第１方向に照射して第１接合フィラメントを形成する段階と、前記レーザーを第２方向に照射して第２接合フィラメントを形成する段階と、を含み、前記第１接合フィラメントと前記第２接合フィラメントとは互いに交差して交差部を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【0011】
本発明に係る表示装置及び表示装置の製造方法によれば、セルシールが占める面積を減らすこと、つまり、非表示領域の面積を減らすことができるという効果がある。
これにより、ナローベゼルを有する表示装置を実現することができるという効果がある。
これにより、ナローベゼルを有する表示装置を実現することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の配置図である。
【図5】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図6】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図7】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図8】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図9】本発明の第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図10】本発明の第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図11】本発明の他の実施形態に係る表示装置の配置図である。
【図12】本発明のさらに他の実施形態に係る表示装置の配置図である。
【図15】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための表示装置のオリジナルパネルの配置図である。
【図16】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための表示装置のオリジナルパネルの配置図である。
【図17】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。
【図18】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図19】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図20】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図21】本発明の第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図22】本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。
【図23】本発明のさらに他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
次に、本発明に係る表示装置及び表示装置の製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0014】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」にあると記載した場合は、他の素子または層の真上に存在する場合またはそれらの間に他の層または他の素子が介在している場合を全て含む。これに対し、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」にあると記載された場合は、それらの間に他の素子または層が介在していないことを示す。
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅまたはｏｎ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図示しているように、一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用できる。空間的に相対的な用語は、図に示している方向に加えて、使用の際または動作の際に素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。
例えば、図に示している素子を覆す場合、他の素子の「下」と記述された素子は、他の素子の「上」に配置できる。また、図面を基準に、他の素子の「左側」に位置すると記述された素子は時点によっては他の素子の「右側」に位置することもできる。よって、例示的な用語である「下」は、下方向と上方向をすべて含むことができる。素子は他の方向にも配向できる。この場合、空間的に相対的な用語は配向によって解釈できる。
たとえ「第１」、「第２」などの用語は様々な構成要素を叙述するために使用するが、これらの構成要素はこれらの用語によって限定されないのは勿論である。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
単数の表現は、文脈上明白に異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。また、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらの組み合わせが存在することを指定しようとするもので、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらの組み合わせの存在または付加の可能性を予め排除しない。
明細書全体にわたって、同一または類似の部分については同一の図面符号を使用する。
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅまたはｏｎ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図示しているように、一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用できる。空間的に相対的な用語は、図に示している方向に加えて、使用の際または動作の際に素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。
例えば、図に示している素子を覆す場合、他の素子の「下」と記述された素子は、他の素子の「上」に配置できる。また、図面を基準に、他の素子の「左側」に位置すると記述された素子は時点によっては他の素子の「右側」に位置することもできる。よって、例示的な用語である「下」は、下方向と上方向をすべて含むことができる。素子は他の方向にも配向できる。この場合、空間的に相対的な用語は配向によって解釈できる。
たとえ「第１」、「第２」などの用語は様々な構成要素を叙述するために使用するが、これらの構成要素はこれらの用語によって限定されないのは勿論である。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
単数の表現は、文脈上明白に異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。また、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらの組み合わせが存在することを指定しようとするもので、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらの組み合わせの存在または付加の可能性を予め排除しない。
明細書全体にわたって、同一または類似の部分については同一の図面符号を使用する。
【0015】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の配置図であり、図２は図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図４は図１の「Ａ」部分を拡大して示す部分拡大図である。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の配置図であり、図２は図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図４は図１の「Ａ」部分を拡大して示す部分拡大図である。
【0016】
図１～図４を参照すると、本発明の第１の実施形態に係る表示装置は、第１基板１００、第２基板２９０、及びセルシールＣＳを含む。
第１基板１００は、一実施形態として、ガラス、石英、高分子樹脂などの物質を含むことができる。
第１基板１００は、一実施形態として、ガラス、石英、高分子樹脂などの物質を含むことができる。
【0017】
ここで、高分子物質は、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＡ）、ポリアリーレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ：ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、セルローストリアセテート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｔｒｉａｃｅｔａｔｅ：ＣＡＴ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：ＣＡＰ）、またはこれらの組み合わせであり得る。
【0018】
第１基板１００は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む。
表示領域ＤＡは、画像を表示する領域として定義される。
表示領域ＤＡ上には、画像を実現するための複数の画素ユニットＰＸが配置される。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側に配置され、画像を表示しない領域として定義される。
非表示領域ＮＤＡは、一実施形態として、表示領域ＤＡを囲むように配置される。
図１では非表示領域ＮＤＡが表示領域ＤＡを囲むものと示したが、これに限定されない。
非表示領域ＮＤＡは、他の実施形態として、表示領域ＤＡの一側又は他側にのみ隣接するように配置されるか、或いは表示領域ＤＡを基準に表示領域ＤＡの一側及び両側にそれぞれ隣接するように配置され得る。
表示領域ＤＡは、画像を表示する領域として定義される。
表示領域ＤＡ上には、画像を実現するための複数の画素ユニットＰＸが配置される。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側に配置され、画像を表示しない領域として定義される。
非表示領域ＮＤＡは、一実施形態として、表示領域ＤＡを囲むように配置される。
図１では非表示領域ＮＤＡが表示領域ＤＡを囲むものと示したが、これに限定されない。
非表示領域ＮＤＡは、他の実施形態として、表示領域ＤＡの一側又は他側にのみ隣接するように配置されるか、或いは表示領域ＤＡを基準に表示領域ＤＡの一側及び両側にそれぞれ隣接するように配置され得る。
【0019】
非表示領域ＮＤＡには駆動集積回路１３０が配置され得る。
駆動集積回路１３０は、表示領域ＤＡの駆動に必要な信号を生成して表示領域に伝達する。
駆動集積回路１３０と表示領域ＤＡとの間には複数の導電ライン１６０が配置される。
複数の導電ライン１６０は、駆動集積回路１３０と表示領域ＤＡとを電気的に接続する。
すなわち、駆動集積回路１３０で生成された信号は、複数の導電ライン１６０を介して表示領域ＤＡに伝達される。
駆動集積回路１３０は、表示領域ＤＡの駆動に必要な信号を生成して表示領域に伝達する。
駆動集積回路１３０と表示領域ＤＡとの間には複数の導電ライン１６０が配置される。
複数の導電ライン１６０は、駆動集積回路１３０と表示領域ＤＡとを電気的に接続する。
すなわち、駆動集積回路１３０で生成された信号は、複数の導電ライン１６０を介して表示領域ＤＡに伝達される。
【0020】
次に、図２を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の積層構造について説明する。
バッファ層２１０は第１基板１００上に配置される。
バッファ層２１０は、第１基板１００を介して外部から水分及び酸素が浸透することを防止する。
また、バッファ層２１０は第１基板１００の表面を平坦化することができる。
バッファ層２１０は、一実施形態として、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれかを含むことができる。
バッファ層２１０は、第１基板１００の種類又は工程条件などに応じて省略してもよい。
バッファ層２１０は第１基板１００上に配置される。
バッファ層２１０は、第１基板１００を介して外部から水分及び酸素が浸透することを防止する。
また、バッファ層２１０は第１基板１００の表面を平坦化することができる。
バッファ層２１０は、一実施形態として、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれかを含むことができる。
バッファ層２１０は、第１基板１００の種類又は工程条件などに応じて省略してもよい。
【0021】
半導体パターンＡＣＴを含む半導体層は、バッファ層２１０上に配置される。
半導体層に対して半導体パターンＡＣＴを基準に説明する。
半導体パターンＡＣＴは、一実施形態として、多結晶シリコン、単結晶シリコン、低温多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び酸化物半導体の中から選ばれる１つ又は２つ以上を混合して形成することができる。
半導体パターンＡＣＴは、一実施形態として、不純物がドープされていないチャネル領域ＡＣＴａ、不純物がドープされたソース領域ＡＣＴｂ、及びドレイン領域ＡＣＴｃを含む。
ソース領域ＡＣＴｂは、チャネル領域ＡＣＴａの一側に位置し、後述するソース電極ＳＥと電気的に接続される。
ドレイン領域ＡＣＴｃは、チャネル領域ＡＣＴａの他側に位置し、後述するドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。
半導体層に対して半導体パターンＡＣＴを基準に説明する。
半導体パターンＡＣＴは、一実施形態として、多結晶シリコン、単結晶シリコン、低温多結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び酸化物半導体の中から選ばれる１つ又は２つ以上を混合して形成することができる。
半導体パターンＡＣＴは、一実施形態として、不純物がドープされていないチャネル領域ＡＣＴａ、不純物がドープされたソース領域ＡＣＴｂ、及びドレイン領域ＡＣＴｃを含む。
ソース領域ＡＣＴｂは、チャネル領域ＡＣＴａの一側に位置し、後述するソース電極ＳＥと電気的に接続される。
ドレイン領域ＡＣＴｃは、チャネル領域ＡＣＴａの他側に位置し、後述するドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。
【0022】
第１絶縁層２２０は、半導体パターンＡＣＴを含む半導体層上に配置される。
第１絶縁層２２０は、一実施形態としてゲート絶縁層であり得る。
第１絶縁層２２０は、一実施形態として、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系物質、及びポリイミドなどの有機絶縁物質よりなる群から選ばれたいずれか１種又はそれ以上の物質を混合して形成することができる。
第１絶縁層２２０は、一実施形態としてゲート絶縁層であり得る。
第１絶縁層２２０は、一実施形態として、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系物質、及びポリイミドなどの有機絶縁物質よりなる群から選ばれたいずれか１種又はそれ以上の物質を混合して形成することができる。
【0023】
ゲート電極ＧＥを含むゲート導電体は、第１絶縁層２２０上に配置される。
ゲート電極ＧＥは、半導体パターンＡＣＴと重畳する。
ゲート導電体は、例えば、アルミニウム合金を含むアルミニウム（Ａｌ）系金属、銀合金を含む銀（Ａｇ）系金属、銅合金を含む銅（Ｃｕ）系金属、モリブデン合金を含むモリブデン（Ｍｏ）系金属、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）の少なくとも１種を含むことができる。
ゲート電極ＧＥは、半導体パターンＡＣＴと重畳する。
ゲート導電体は、例えば、アルミニウム合金を含むアルミニウム（Ａｌ）系金属、銀合金を含む銀（Ａｇ）系金属、銅合金を含む銅（Ｃｕ）系金属、モリブデン合金を含むモリブデン（Ｍｏ）系金属、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、及びタンタル（Ｔａ）の少なくとも１種を含むことができる。
【0024】
第２絶縁層２３０は、ゲート電極ＧＥを含むゲート導電体上に配置される。
第２絶縁層２３０は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系物質、及びポリイミドなどの有機絶縁物質よりなる群から選ばれたいずれか１種又はそれ以上の物質を混合して形成することができる。
第２絶縁層２３０は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系物質、及びポリイミドなどの有機絶縁物質よりなる群から選ばれたいずれか１種又はそれ以上の物質を混合して形成することができる。
【0025】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含むデータ導電体は、第２絶縁層２３０上に配置される。
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第２絶縁層２３０上に互いに離隔して配置される。
データ導電体は、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び透明導電性物質よりなる群から選ばれた１種以上を含むことができる。
データ導電体は、一実施形態として、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、セレン（Ｓｅ）、又はタンタル（Ｔａ）などよりなる単一膜又は多重膜構造を有することができる。
また、金属にチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、白金（Ｐｔ）、ハフニウム（Ｈｆ）、酸素（Ｏ）、及び窒素（Ｎ）よりなる群から選ばれた１種以上の元素を含ませて形成した合金が、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの材料として使用できる。
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、第２絶縁層２３０上に互いに離隔して配置される。
データ導電体は、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、及び透明導電性物質よりなる群から選ばれた１種以上を含むことができる。
データ導電体は、一実施形態として、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、セレン（Ｓｅ）、又はタンタル（Ｔａ）などよりなる単一膜又は多重膜構造を有することができる。
また、金属にチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、白金（Ｐｔ）、ハフニウム（Ｈｆ）、酸素（Ｏ）、及び窒素（Ｎ）よりなる群から選ばれた１種以上の元素を含ませて形成した合金が、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの材料として使用できる。
【0026】
上述した半導体パターンＡＣＴ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥは、スイッチング素子ＴＲ２を構成する。
図２ではスイッチング素子ＴＲ２がトップゲート方式であるように示したが、これに限定されない。
すなわち、スイッチング素子ＴＲ２はボトムゲート方式で形成されてもよい。
図２ではスイッチング素子ＴＲ２がトップゲート方式であるように示したが、これに限定されない。
すなわち、スイッチング素子ＴＲ２はボトムゲート方式で形成されてもよい。
【0027】
平坦化層２４０は、データ導電体上に配置される。
平坦化層２４０は、段差を除去することにより、後述する画素電極２５０及び有機発光層２７０の発光効率を高めることができる。
平坦化層２４０は、一実施形態として有機物質を含む。
例えば、平坦化層２４０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアクリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｌ）、及びポリシロキサン（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）の中から選ばれた少なくとも１種を含んで構成できる。
他の実施形態として、平坦化層２４０は、無機物質を含んで構成されてもよく、無機物質及び有機物質の複合形態で構成されてもよい。
平坦化層２４０には、ドレイン電極ＤＥの少なくとも一部を露出させる第１コンタクトホールＣＮＴ１が形成される。
平坦化層２４０は、段差を除去することにより、後述する画素電極２５０及び有機発光層２７０の発光効率を高めることができる。
平坦化層２４０は、一実施形態として有機物質を含む。
例えば、平坦化層２４０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアクリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｌ）、及びポリシロキサン（ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）の中から選ばれた少なくとも１種を含んで構成できる。
他の実施形態として、平坦化層２４０は、無機物質を含んで構成されてもよく、無機物質及び有機物質の複合形態で構成されてもよい。
平坦化層２４０には、ドレイン電極ＤＥの少なくとも一部を露出させる第１コンタクトホールＣＮＴ１が形成される。
【0028】
画素電極２５０は、平坦化層２４０上に配置される。
画素電極２５０は、第１コンタクトホールＣＮＴ１によって露出したドレイン電極ＤＥと電気的に接続する。
すなわち、画素電極２５０は正孔注入電極としてのアノード（ａｎｏｄｅ）であり得る。
画素電極２５０がアノード電極である場合には、画素電極２５０は、容易な正孔注入のために仕事関数の高い物質を含むことができる。
また、画素電極２５０は、反射型電極、半透過型電極、又は透過型電極であり得る。
画素電極２５０は、一実施形態として反射性材料を含むことができる。
反射性材料は、一実施形態として、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、及びマグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことができる。
画素電極２５０は、第１コンタクトホールＣＮＴ１によって露出したドレイン電極ＤＥと電気的に接続する。
すなわち、画素電極２５０は正孔注入電極としてのアノード（ａｎｏｄｅ）であり得る。
画素電極２５０がアノード電極である場合には、画素電極２５０は、容易な正孔注入のために仕事関数の高い物質を含むことができる。
また、画素電極２５０は、反射型電極、半透過型電極、又は透過型電極であり得る。
画素電極２５０は、一実施形態として反射性材料を含むことができる。
反射性材料は、一実施形態として、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、及びマグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことができる。
【0029】
画素電極２５０は、一実施形態として単一膜で形成できるが、これに限定されるものではない。
すなわち、画素電極２５０は、２種以上の物質が積層された多重膜で形成されてもよい。
画素電極２５０が多重膜で形成される場合、画素電極２５０は、一実施形態として、反射膜、及び反射膜上に配置される透明又は半透明電極を含む。
他の実施形態として、画素電極２５０は、反射膜、及び反射膜の下部に配置される透明又は半透明電極を含むことができる。
例えば、画素電極２５０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を持つことができるが、これに限定されるものではない。
ここで、透明又は半透明電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含んで構成できる。
すなわち、画素電極２５０は、２種以上の物質が積層された多重膜で形成されてもよい。
画素電極２５０が多重膜で形成される場合、画素電極２５０は、一実施形態として、反射膜、及び反射膜上に配置される透明又は半透明電極を含む。
他の実施形態として、画素電極２５０は、反射膜、及び反射膜の下部に配置される透明又は半透明電極を含むことができる。
例えば、画素電極２５０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を持つことができるが、これに限定されるものではない。
ここで、透明又は半透明電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含んで構成できる。
【0030】
画素定義膜２６０は画素電極２５０上に配置される。
画素定義膜２６０は、画素電極２５０の少なくとも一部を露出させる開口部を含む。
画素定義膜２６０は、有機物質又は無機物質を含むことができる。
一実施形態として、画素定義膜２６０は、フォトレジスト、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン化合物、ポリアクリル系樹脂などの材料を含むことができる。
画素定義膜２６０は、画素電極２５０の少なくとも一部を露出させる開口部を含む。
画素定義膜２６０は、有機物質又は無機物質を含むことができる。
一実施形態として、画素定義膜２６０は、フォトレジスト、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン化合物、ポリアクリル系樹脂などの材料を含むことができる。
【0031】
有機発光層２７０は、画素電極２５０及び画素定義膜２６０上に配置される。
より詳細には、有機発光層２７０は、画素電極２５０のうちの画素定義膜２６０の開口部を介して露出する領域上に配置される。
有機発光層２７０は、一実施形態として、画素定義膜２６０の側壁の少なくとも一部を覆う。
有機発光層２７０は、一実施形態として、赤、青、及び緑のうちのいずれかの色を発光する。
他の実施形態として、有機発光層２７０は、白色を発光するか、或いはシアン（ｃｙａｎ）、マゼンタ（ｍａｇｅｎｔａ）、及びイエロー（ｙｅｌｌｏｗ）のうちのいずれかの色を発光することもできる。
有機発光層２７０が白色を発光する場合には、有機発光層２７０は、白色発光材料を含むか、或いは、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が積層された形態を有することにより、白色を発光することもできる。
より詳細には、有機発光層２７０は、画素電極２５０のうちの画素定義膜２６０の開口部を介して露出する領域上に配置される。
有機発光層２７０は、一実施形態として、画素定義膜２６０の側壁の少なくとも一部を覆う。
有機発光層２７０は、一実施形態として、赤、青、及び緑のうちのいずれかの色を発光する。
他の実施形態として、有機発光層２７０は、白色を発光するか、或いはシアン（ｃｙａｎ）、マゼンタ（ｍａｇｅｎｔａ）、及びイエロー（ｙｅｌｌｏｗ）のうちのいずれかの色を発光することもできる。
有機発光層２７０が白色を発光する場合には、有機発光層２７０は、白色発光材料を含むか、或いは、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層が積層された形態を有することにより、白色を発光することもできる。
【0032】
共通電極２８０は、有機発光層２７０及び画素定義膜２６０上に配置される。
共通電極２８０は、一実施形態として、有機発光層２７０及び画素定義膜２６０上に全面的に形成される。
共通電極２８０は、一実施形態として、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）電極であり得る。
共通電極２８０は、一実施形態として、Ｌｉ、Ｃａ、Ｌｉｆ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことができる。
また、共通電極２８０は、仕事関数の低い材料からなり得る。
共通電極２８０は、一実施形態として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、 Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む透明又は半透明電極であり得る。
共通電極２８０は、一実施形態として、有機発光層２７０及び画素定義膜２６０上に全面的に形成される。
共通電極２８０は、一実施形態として、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）電極であり得る。
共通電極２８０は、一実施形態として、Ｌｉ、Ｃａ、Ｌｉｆ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことができる。
また、共通電極２８０は、仕事関数の低い材料からなり得る。
共通電極２８０は、一実施形態として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、 Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む透明又は半透明電極であり得る。
【0033】
上述した画素電極２５０、有機発光層２７０、及び共通電極２８０は有機発光素子（ＯＬＥＤ）を構成する。
但し、これに限定されるものではなく、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬなどをさらに含む多層構造であり得る。
但し、これに限定されるものではなく、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬなどをさらに含む多層構造であり得る。
【0034】
第２基板２９０は、セルシールＣＳを介して第１基板１００と結合する。
セルシールＣＳについては詳細に後述する。
第２基板２９０は、一実施形態として、透明絶縁基板であり得る。
第２基板２９０が透明絶縁基板である場合には、透明絶縁基板はガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などであり得る。
セルシールＣＳについては詳細に後述する。
第２基板２９０は、一実施形態として、透明絶縁基板であり得る。
第２基板２９０が透明絶縁基板である場合には、透明絶縁基板はガラス基板、石英基板、透明樹脂基板などであり得る。
【0035】
次に、再び図１を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置のセルシールＣＳについて説明する。
セルシールＣＳは、第１基板１００と第２基板２９０とを結合させる。
セルシールＣＳは、非表示領域ＮＤＡに配置される。
また、セルシールＣＳは、表示領域ＤＡの外周を囲むように配置される。
これにより、表示領域ＤＡは、第１基板１００、第２基板２９０及びセルシールＣＳによって密封できる。
セルシールＣＳは、表示領域ＤＡを密閉させる機能をするもので、このために平面上で閉じた図形の形状（ｃｌｏｓｅｄ ｓｈａｐｅ）を有することができる。
図１は、セルシールＣＳが中空部を持つ額縁形状を有するものとして例示するが、セルシールＣＳが持つ閉じた図形の形状（ｃｌｏｓｅｄ ｓｈａｐｅ）はこれに制限されるものではない。
一実施形態として、セルシールＣＳは接合フィラメントＢＦからなってもよい。
セルシールＣＳは、第１基板１００と第２基板２９０とを結合させる。
セルシールＣＳは、非表示領域ＮＤＡに配置される。
また、セルシールＣＳは、表示領域ＤＡの外周を囲むように配置される。
これにより、表示領域ＤＡは、第１基板１００、第２基板２９０及びセルシールＣＳによって密封できる。
セルシールＣＳは、表示領域ＤＡを密閉させる機能をするもので、このために平面上で閉じた図形の形状（ｃｌｏｓｅｄ ｓｈａｐｅ）を有することができる。
図１は、セルシールＣＳが中空部を持つ額縁形状を有するものとして例示するが、セルシールＣＳが持つ閉じた図形の形状（ｃｌｏｓｅｄ ｓｈａｐｅ）はこれに制限されるものではない。
一実施形態として、セルシールＣＳは接合フィラメントＢＦからなってもよい。
【0036】
次に、図３を参照して、接合フィラメントＢＦを含む非表示領域ＮＤＡの積層構造について説明する。
第１基板１００上には少なくとも一つの絶縁膜が配置される。
一実施形態において、絶縁膜は、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３を含む。
一実施形態において、第１絶縁膜ＩＬＤ１は、表示領域ＤＡのバッファ層２１０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第１絶縁膜ＩＬＤ１とバッファ層２１０とは同一の工程で同時に形成できる。
但し、これは例示的なものであり、第１絶縁膜ＩＬＤ１とバッファ層２１０の製造方法はこれに限定されない。
第１基板１００上には少なくとも一つの絶縁膜が配置される。
一実施形態において、絶縁膜は、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３を含む。
一実施形態において、第１絶縁膜ＩＬＤ１は、表示領域ＤＡのバッファ層２１０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第１絶縁膜ＩＬＤ１とバッファ層２１０とは同一の工程で同時に形成できる。
但し、これは例示的なものであり、第１絶縁膜ＩＬＤ１とバッファ層２１０の製造方法はこれに限定されない。
【0037】
一実施形態において、第２絶縁膜ＩＬＤ２は、表示領域ＤＡの第１絶縁層２２０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第２絶縁膜ＩＬＤ２と第１絶縁層２２０とは同一の工程で同時に形成できる。
一実施形態において、第３絶縁膜ＩＬＤ３は、表示領域ＤＡの第２絶縁層２３０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第３絶縁膜ＩＬＤ３と第２絶縁層２３０とは同一の工程で同時に形成できる。
図３は、非表示領域ＮＤＡに３つの層の絶縁膜が形成される場合を示しているが、絶縁膜の個数はこれに制限されない。
他の実施形態において、非表示領域ＮＤＡ上には、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３の中から選ばれた少なくとも１種の絶縁膜が形成できる。
すなわち、第２絶縁膜ＩＬＤ２と第１絶縁層２２０とは同一の工程で同時に形成できる。
一実施形態において、第３絶縁膜ＩＬＤ３は、表示領域ＤＡの第２絶縁層２３０と同一の物質からなってもよい。
すなわち、第３絶縁膜ＩＬＤ３と第２絶縁層２３０とは同一の工程で同時に形成できる。
図３は、非表示領域ＮＤＡに３つの層の絶縁膜が形成される場合を示しているが、絶縁膜の個数はこれに制限されない。
他の実施形態において、非表示領域ＮＤＡ上には、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３の中から選ばれた少なくとも１種の絶縁膜が形成できる。
【0038】
接合フィラメントＢＦは、第１基板１００と第２基板２９０との間に配置される。
接合フィラメントＢＦは、第１基板１００と第２基板２９０とを直接連結する。
言い換えれば、接合フィラメントＢＰは、第１基板１００と第２基板２９０とを物理的に連結する。
一実施形態において、第１基板１００及び／又は第２基板２９０は、ガラスから構成される。
この場合、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００及び／又は第２基板２９０をなすガラスと同一の物質から構成される。
接合フィラメントＢＦは、第１基板１００と第２基板２９０とを直接連結する。
言い換えれば、接合フィラメントＢＰは、第１基板１００と第２基板２９０とを物理的に連結する。
一実施形態において、第１基板１００及び／又は第２基板２９０は、ガラスから構成される。
この場合、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００及び／又は第２基板２９０をなすガラスと同一の物質から構成される。
【0039】
一実施形態において、接合フィラメントＢＦの幅ｗ１は、１００μｍ以上２００μｍ以下であり得る。
接合フィラメントＢＦの幅ｗ１は、既存のフリットを含むシーリング部材が占める幅に比べて著しく小さい。
よって、フリットを接合フィラメントＢＦに置き換えた場合、非表示領域ＮＤＡの面積を減らすことができ、これにより、ナローベゼルを有する表示装置を実現することができる。
接合フィラメントＢＦの幅ｗ１は、既存のフリットを含むシーリング部材が占める幅に比べて著しく小さい。
よって、フリットを接合フィラメントＢＦに置き換えた場合、非表示領域ＮＤＡの面積を減らすことができ、これにより、ナローベゼルを有する表示装置を実現することができる。
【0040】
接合フィラメントＢＦは、断面上でｚ軸と並行する方向に延長することができる（厚さｇ）。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、中心部Ｃと周辺部Ｐを含む。
周辺部Ｐは、中心部Ｃを包み込むように配置される。
すなわち、図４に示すように、平面上で中心部Ｃの両側には周辺部Ｐが配置される。
周辺部Ｐと中心部Ｃは、互いに異なる温度で溶融された後に固まる。
これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとは、互いに異なる屈折率を有することができる。
その結果、周辺部Ｐと中心部Ｃは平面上で図４のように視認できる。
すなわち、工程温度の差によって、周辺部Ｐと中心部Ｃとは互いに異なる光学的特徴を有し、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとは互いに区別されて視認できる。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、中心部Ｃと周辺部Ｐを含む。
周辺部Ｐは、中心部Ｃを包み込むように配置される。
すなわち、図４に示すように、平面上で中心部Ｃの両側には周辺部Ｐが配置される。
周辺部Ｐと中心部Ｃは、互いに異なる温度で溶融された後に固まる。
これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとは、互いに異なる屈折率を有することができる。
その結果、周辺部Ｐと中心部Ｃは平面上で図４のように視認できる。
すなわち、工程温度の差によって、周辺部Ｐと中心部Ｃとは互いに異なる光学的特徴を有し、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとは互いに区別されて視認できる。
【0041】
一実施形態において、中心部Ｃの幅ｓ１は、２０μｍ以上７０μｍ以下であり得る。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦの厚さｇは、４μｍ以上２０μｍ以下であり得る。
一実施形態において、第１基板１００と第２基板２９０のセルギャップ（ｃｅｌｌ ｇａｐ）は２０μｍ以下であり得る。
これにより、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００と第２基板２９０のセルギャップを克服し、第１基板１００と第２基板２９０とを連結することができる。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦの厚さｇは、４μｍ以上２０μｍ以下であり得る。
一実施形態において、第１基板１００と第２基板２９０のセルギャップ（ｃｅｌｌ ｇａｐ）は２０μｍ以下であり得る。
これにより、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００と第２基板２９０のセルギャップを克服し、第１基板１００と第２基板２９０とを連結することができる。
【0042】
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、絶縁膜と接触する。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００から成長して複数の絶縁膜を貫通する。
すなわち、接合フィラメントＢＦは、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３を貫通する。
この場合、接合フィラメントＢＦの側面は、複数の絶縁膜のうちの少なくとも一つと接触する。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第１基板１００から成長して複数の絶縁膜を貫通する。
すなわち、接合フィラメントＢＦは、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３を貫通する。
この場合、接合フィラメントＢＦの側面は、複数の絶縁膜のうちの少なくとも一つと接触する。
【0043】
以下、本発明の他の実施形態に係る表示装置について説明する。
以下で説明する構成の一部は、上述の本発明の第１の実施形態に係る表示装置で説明した構成と実質的に同一であり、重複説明を回避するために一部の構成についての説明は省略する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図５を参照すると、本発明の第２の実施形態において、接合フィラメントＢＦは絶縁膜と離隔する。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３と離隔する。
これは、後述するように、複数の絶縁膜を除去し、接合フィラメントＢＦを形成する製造方法に起因した構造であり得る。
複数の絶縁膜は、接合フィラメントＢＦを形成する過程で発生する熱によって損傷する可能性があるが、このように絶縁膜と接合フィラメントＢＦとを離隔する場合、絶縁膜が接合フィラメントＢＦによって損傷するのを防止することができる。
以下で説明する構成の一部は、上述の本発明の第１の実施形態に係る表示装置で説明した構成と実質的に同一であり、重複説明を回避するために一部の構成についての説明は省略する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図５を参照すると、本発明の第２の実施形態において、接合フィラメントＢＦは絶縁膜と離隔する。
一実施形態において、接合フィラメントＢＦは、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３と離隔する。
これは、後述するように、複数の絶縁膜を除去し、接合フィラメントＢＦを形成する製造方法に起因した構造であり得る。
複数の絶縁膜は、接合フィラメントＢＦを形成する過程で発生する熱によって損傷する可能性があるが、このように絶縁膜と接合フィラメントＢＦとを離隔する場合、絶縁膜が接合フィラメントＢＦによって損傷するのを防止することができる。
【0044】
図６は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図６を参照すると、本発明の第３の実施形態に係る表示装置において、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）は、上段３１１、下段３１３及び中段３１２の幅が互いに異なる。
一実施形態において、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）は、上段３１１、下段３１３、及び中段３１２を含む。
上段３１１は、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）が第２基板２９０と連結される部分であり、下段３１３は接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）が第１基板１００と連結される部分である。
中段３１２は、上段３１１と下段３１３との間に配置される。
図６を参照すると、本発明の第３の実施形態に係る表示装置において、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）は、上段３１１、下段３１３及び中段３１２の幅が互いに異なる。
一実施形態において、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）は、上段３１１、下段３１３、及び中段３１２を含む。
上段３１１は、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）が第２基板２９０と連結される部分であり、下段３１３は接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）が第１基板１００と連結される部分である。
中段３１２は、上段３１１と下段３１３との間に配置される。
【0045】
中段３１２は、上段３１１と下段３１３との間で接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）が最大幅を有する部分である。
一実施形態において、中段３１２の幅ｗ４は、６０μｍ乃至２００μｍであり得る。
上段３１１の幅ｗ２と下段３１３の幅ｗ３は、中段３１２の幅ｗ４に比べて小さい。
すなわち、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）は、断面的に中央から両端に行くほど幅が狭くなる形状を有する。
一実施形態において、上段３１１の幅ｗ２は、下段３１３の幅ｗ３よりも大きい。
これは、後述する製造方法において、レーザーの焦点に隣接する部分の幅が焦点から遠く離れた部分の幅よりも相対的に小さいことに起因する。
すなわち、このような幅の違いは、下段３１３に隣接した第１基板１００の内部にレーザーの焦点が配置されて接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）を形成する方法に起因する。
一実施形態において、中段３１２の幅ｗ４は、６０μｍ乃至２００μｍであり得る。
上段３１１の幅ｗ２と下段３１３の幅ｗ３は、中段３１２の幅ｗ４に比べて小さい。
すなわち、接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）は、断面的に中央から両端に行くほど幅が狭くなる形状を有する。
一実施形態において、上段３１１の幅ｗ２は、下段３１３の幅ｗ３よりも大きい。
これは、後述する製造方法において、レーザーの焦点に隣接する部分の幅が焦点から遠く離れた部分の幅よりも相対的に小さいことに起因する。
すなわち、このような幅の違いは、下段３１３に隣接した第１基板１００の内部にレーザーの焦点が配置されて接合フィラメント（ＢＦ＿Ｒ）を形成する方法に起因する。
【0046】
図７は本発明の第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図７を参照すると、本発明の第４の実施形態において、接合フィラメントは、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）を含む。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、下段が表示領域ＤＡと相対的に近い接合フィラメントを意味し、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は、下段が表示領域ＤＡから相対的に遠い接合フィラメントを意味する。
一実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）とは互いに離隔する。
外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は中心部ＣＯと周辺部ＰＯを含む。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）も、これと同様に、中心部ＣＩと周辺部ＰＩを含む。
図７を参照すると、本発明の第４の実施形態において、接合フィラメントは、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）を含む。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、下段が表示領域ＤＡと相対的に近い接合フィラメントを意味し、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は、下段が表示領域ＤＡから相対的に遠い接合フィラメントを意味する。
一実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）とは互いに離隔する。
外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）は中心部ＣＯと周辺部ＰＯを含む。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）も、これと同様に、中心部ＣＩと周辺部ＰＩを含む。
【0047】
外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明した接合フィラメントと実質的に同一である。
すなわち、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部ＣＯと周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部ＣＩと周辺部ＰＩは、上述した図３及び図４などで説明したのと実質的に同一である。
一実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は並行した方向に延長される。
すなわち、図７に示すように、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、ｚ軸と並行した方向に平行に延長される。
すなわち、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部ＣＯと周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部ＣＩと周辺部ＰＩは、上述した図３及び図４などで説明したのと実質的に同一である。
一実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は並行した方向に延長される。
すなわち、図７に示すように、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、ｚ軸と並行した方向に平行に延長される。
【0048】
図８は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図８を参照すると、本発明の第５の実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）とは少なくとも部分的に重畳する。
具体的には、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯと内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩとが互いに重畳して重畳領域ＯＡを形成する。
重畳領域ＯＡは、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩとは光学的特徴が異なり得る。
例えば、重畳領域ＯＡの屈折率は、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩの屈折率と異なる。
これにより、重畳領域ＯＡは、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩと区別されて視認できる。
図８を参照すると、本発明の第５の実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）とは少なくとも部分的に重畳する。
具体的には、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯと内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩとが互いに重畳して重畳領域ＯＡを形成する。
重畳領域ＯＡは、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩとは光学的特徴が異なり得る。
例えば、重畳領域ＯＡの屈折率は、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩの屈折率と異なる。
これにより、重畳領域ＯＡは、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯ及び内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩと区別されて視認できる。
【0049】
図９は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図９を参照すると、本発明の第６の実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）のうちのいずれかは所定の角度傾斜して延長する。
図９は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）が傾斜した場合を例示する。
これは、後述する製造方法で説明するように、フェムト秒レーザーを所定の角度傾斜させて照射することに起因する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、ｚ軸と所定の角度（例えば、鋭角）を成して傾斜する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）が傾斜すると、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の上段は内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の下段に比べて相対的に外側に配置される。
言い換えれば、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の上段は、下段に比べて相対的に外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の近くに配置される。
図９を参照すると、本発明の第６の実施形態において、外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）のうちのいずれかは所定の角度傾斜して延長する。
図９は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）が傾斜した場合を例示する。
これは、後述する製造方法で説明するように、フェムト秒レーザーを所定の角度傾斜させて照射することに起因する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）は、ｚ軸と所定の角度（例えば、鋭角）を成して傾斜する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）が傾斜すると、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の上段は内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の下段に比べて相対的に外側に配置される。
言い換えれば、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の上段は、下段に比べて相対的に外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の近くに配置される。
【0050】
図１０は本発明の第７の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図１０を参照すると、本発明の第７の実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは互いに交差するように延長する。
この場合、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部ＣＩと外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部ＣＯとが互いに交差して重畳する。
また、これにより、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩと外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯとも互いに交差して重畳する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは互いに交差して断面上で「Ｘ」字形状を成すことができる。
すなわち、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の上段は外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の上段の外側に配置され得る。
図１０を参照すると、本発明の第７の実施形態において、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは互いに交差するように延長する。
この場合、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の中心部ＣＩと外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の中心部ＣＯとが互いに交差して重畳する。
また、これにより、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の周辺部ＰＩと外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の周辺部ＰＯとも互いに交差して重畳する。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは互いに交差して断面上で「Ｘ」字形状を成すことができる。
すなわち、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）の上段は外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）の上段の外側に配置され得る。
【0051】
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは互いに交差する部分で重畳領域ＯＡ１が形成される。
重畳領域ＯＡ１は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）及び外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは異なる光学的特性（例えば、屈折率）を有し得る。
これにより、重畳領域ＯＡ１は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）及び外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と区別されて視認できる。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とが互いに交差する場合には、第１基板１００と第２基板２９０とがさらに堅固に結合できる。
重畳領域ＯＡ１は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）及び外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とは異なる光学的特性（例えば、屈折率）を有し得る。
これにより、重畳領域ＯＡ１は、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）及び外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）と区別されて視認できる。
内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とが互いに交差する場合には、第１基板１００と第２基板２９０とがさらに堅固に結合できる。
【0052】
図１１は本発明の他の実施形態に係る表示装置の配置図である。
図１１を参照すると、本発明の他の実施形態において、セルシールＣＳ１は、互いに交差する第１接合フィラメントＢＦ１、第２接合フィラメントＢＦ２、第３接合フィラメントＢＦ３及び第４接合フィラメントＢＦ４を含む。
説明の便宜のために、非表示領域ＮＤＡを区分して指称する。
非表示領域ＮＤＡは、図１１において、表示領域ＤＡの上側に配置される上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｔ）、表示領域ＤＡの下側に配置される下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）、表示領域ＤＡの左側に配置される左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、及び表示領域ＤＡの右側に配置される右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）を含む。
下側非表示領域ＮＤＡには、上述した説明したように、駆動集積回路１３０及び複数の導電ライン１６０が形成される。
また、非表示領域ＮＤＡは、四つのコーナー部に配置される第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）を含む。
図１１を参照すると、本発明の他の実施形態において、セルシールＣＳ１は、互いに交差する第１接合フィラメントＢＦ１、第２接合フィラメントＢＦ２、第３接合フィラメントＢＦ３及び第４接合フィラメントＢＦ４を含む。
説明の便宜のために、非表示領域ＮＤＡを区分して指称する。
非表示領域ＮＤＡは、図１１において、表示領域ＤＡの上側に配置される上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｔ）、表示領域ＤＡの下側に配置される下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）、表示領域ＤＡの左側に配置される左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、及び表示領域ＤＡの右側に配置される右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）を含む。
下側非表示領域ＮＤＡには、上述した説明したように、駆動集積回路１３０及び複数の導電ライン１６０が形成される。
また、非表示領域ＮＤＡは、四つのコーナー部に配置される第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）を含む。
【0053】
一実施形態において、第１接合フィラメントＢＦ１と第３接合フィラメントＢＦ３は、ｘ軸と並行する方向に延長される。
すなわち、平面上における第１接合フィラメントＢＦ１と第３接合フィラメントＢＦ３は、ｘ軸と並行した方向に延長されたバー（ｂａｒ）形状を有する。
第１接合フィラメントＢＦ１は、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｔ）及び第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）にわたって配置され、第３接合フィラメントＢＦ３は、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）にわたって配置される。
すなわち、平面上における第１接合フィラメントＢＦ１と第３接合フィラメントＢＦ３は、ｘ軸と並行した方向に延長されたバー（ｂａｒ）形状を有する。
第１接合フィラメントＢＦ１は、第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）、上側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｔ）及び第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）にわたって配置され、第３接合フィラメントＢＦ３は、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）、及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）にわたって配置される。
【0054】
一実施形態において、第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４はｙ軸と並行する方向に延長される。
すなわち、平面上における第２接合フィラメントＢＦ２と第４接合フィラメントＢＦ４はｙ軸と並行する方向に延長されたバー（ｂａｒ）形状を有する。
一実施形態において、第２接合フィラメントＢＦ２は、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）、及び第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）にわたって配置され、第４接合フィラメントＢＦ４は、第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、及び第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）にわたって配置される。
すなわち、平面上における第２接合フィラメントＢＦ２と第４接合フィラメントＢＦ４はｙ軸と並行する方向に延長されたバー（ｂａｒ）形状を有する。
一実施形態において、第２接合フィラメントＢＦ２は、第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）、右側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｒ）、及び第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）にわたって配置され、第４接合フィラメントＢＦ４は、第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）、左側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｌ）、及び第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）にわたって配置される。
【0055】
一実施形態において、セルシールＣＳ１は、第１接合フィラメントＢＦ１と第４接合フィラメントＢＦ４とが交差して形成する第１交差部４１０、第１接合フィラメントＢＦ１と第２接合フィラメントＢＦ２とが交差して形成する第２交差部４２０、第２接合フィラメントＢＦ２と第３接合フィラメントＢＦ３とが交差して形成する第３交差部４３０、及び第３接合フィラメントＢＦ３と第４接合フィラメントＢＦ４とが交差して形成する第４交差部４４０を含む。
第１交差部４１０は第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）に配置され、第２交差部４２０は第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）に配置され、第３交差部４３０は第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）に配置され、第４交差部４４０は第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）に配置される。
第１交差部４１０は第１コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ１）に配置され、第２交差部４２０は第２コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ２）に配置され、第３交差部４３０は第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）に配置され、第４交差部４４０は第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）に配置される。
【0056】
第１交差部４１０、第２交差部４２０、第３交差部４３０、及び第４交差部４４０は、実質的に同一の形状を有することができる。
よって、以下では第１交差部４１０について説明する。
第１交差部４１０についての説明は、第２交差部４２０、第３交差部４３０、及び第４交差部４４０にもそのまま適用できる。
第１交差部４１０の幅ｃ１は、第１接合フィラメントＢＦ１の幅ｆ１及び第４接合フィラメントＢＦ４の幅ｆ４よりも大きくし得る。
すなわち、第１交差部４１０において、第１接合フィラメントＢＦ１と第４接合フィラメントＢＦ４とは互いに交差して拡張し得る。
平面上で、第１交差部４１０の外周は少なくとも部分的に曲線を含むことができる。
よって、以下では第１交差部４１０について説明する。
第１交差部４１０についての説明は、第２交差部４２０、第３交差部４３０、及び第４交差部４４０にもそのまま適用できる。
第１交差部４１０の幅ｃ１は、第１接合フィラメントＢＦ１の幅ｆ１及び第４接合フィラメントＢＦ４の幅ｆ４よりも大きくし得る。
すなわち、第１交差部４１０において、第１接合フィラメントＢＦ１と第４接合フィラメントＢＦ４とは互いに交差して拡張し得る。
平面上で、第１交差部４１０の外周は少なくとも部分的に曲線を含むことができる。
【0057】
第１接合フィラメントＢＦ１の一端と第４接合フィラメントＢＦ４の一端は、第１交差部４１０から所定の同じ長さで突出し得る。
第１接合フィラメントＢＦ１の一端の突出方向と第４接合フィラメントＢＦ４の一端の突出方向とは互いに異なる。
一実施形態において、第１接合フィラメントＢＦ１の一端はｘ軸と並行する方向に延長し、第４接合フィラメントＢＦ１の一端はｙ軸と並行する方向に延長する。
このような突出形状は、第２交差部４２０、第３交差部４３０、及び第４交差部４４０においても同一であり得る。
これにより、セルシールＣＳ１は平面上で「＃」形状を有することができる。
第１接合フィラメントＢＦ１の一端の突出方向と第４接合フィラメントＢＦ４の一端の突出方向とは互いに異なる。
一実施形態において、第１接合フィラメントＢＦ１の一端はｘ軸と並行する方向に延長し、第４接合フィラメントＢＦ１の一端はｙ軸と並行する方向に延長する。
このような突出形状は、第２交差部４２０、第３交差部４３０、及び第４交差部４４０においても同一であり得る。
これにより、セルシールＣＳ１は平面上で「＃」形状を有することができる。
【0058】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態に係る表示装置の配置図であり、図１３は、図１２のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図１４は、図１２のＩＶ－ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。
図１２を参照すると、本発明のさらに他の実施形態において、セルシールＣＳ２は接合フィラメントＢＦ５とフリットシールＳＬＰを含むことができる。
一実施形態において、フリットシールＳＬＰは、表示領域ＤＡと駆動集積回路１３０との間に配置される。
フリットシールＳＬＰは、複数のフリット（ｆｒｉｔ）を含むことができる。
言い換えれば、フリットシールＳＬＰは、複数のフリット（ｆｒｉｔ）を溶かして形成した結果物であり得る。
図１２を参照すると、本発明のさらに他の実施形態において、セルシールＣＳ２は接合フィラメントＢＦ５とフリットシールＳＬＰを含むことができる。
一実施形態において、フリットシールＳＬＰは、表示領域ＤＡと駆動集積回路１３０との間に配置される。
フリットシールＳＬＰは、複数のフリット（ｆｒｉｔ）を含むことができる。
言い換えれば、フリットシールＳＬＰは、複数のフリット（ｆｒｉｔ）を溶かして形成した結果物であり得る。
【0059】
フリットシールＳＬＰは、ｘ軸と並行する方向に延長される。
具体的には、フリットシールＳＬＰは、第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）、及び第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）にわたって配置される。
フリットシールＳＬＰは、導電ライン１６０を横切る。
すなわち、フリットシールＳＬＰは、導電ライン１６０と少なくとも部分的に重畳できる。
フリットシールＳＬＰの両端は、接合フィラメントＢＦ５に連結される。
一実施形態において、フリットシールＳＬＰと接合フィラメントＢＦ５とは、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）で接触する。
ただし、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、フリットシールＳＬＰと接合フィラメントＢＦ５とは下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）で接触することもできる。
具体的には、フリットシールＳＬＰは、第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）、下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）、及び第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）にわたって配置される。
フリットシールＳＬＰは、導電ライン１６０を横切る。
すなわち、フリットシールＳＬＰは、導電ライン１６０と少なくとも部分的に重畳できる。
フリットシールＳＬＰの両端は、接合フィラメントＢＦ５に連結される。
一実施形態において、フリットシールＳＬＰと接合フィラメントＢＦ５とは、第３コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ３）及び第４コーナー非表示領域（ＮＤＡ＿Ｃ４）で接触する。
ただし、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、フリットシールＳＬＰと接合フィラメントＢＦ５とは下側非表示領域（ＮＤＡ＿Ｂ）で接触することもできる。
【0060】
フリットシールＳＬＰと接合フィラメントＢＦ５とが閉曲線を成すことにより、表示領域ＤＡを密封することができる。
すなわち、図１４に示すように、接合フィラメントＢＦ５の一側はフリットシールＳＬＰと接触する。
図１２は、接合フィラメントＢＦ５が連続的に形成されることを例示したが、これに制限されるものではない。
接合フィラメントＢＦ５は、図１１に示すように、一方向に延長する複数の接合フィラメントを含むこともできる。
それぞれの接合フィラメントは断続的に形成されて互いに連結できる。
すなわち、一実施形態に係る表示装置は、図１１の実施形態において、第３接合フィラメントＢＦ３をフリットシールＳＬＰに置き換えた構造を持つことができる。
すなわち、図１４に示すように、接合フィラメントＢＦ５の一側はフリットシールＳＬＰと接触する。
図１２は、接合フィラメントＢＦ５が連続的に形成されることを例示したが、これに制限されるものではない。
接合フィラメントＢＦ５は、図１１に示すように、一方向に延長する複数の接合フィラメントを含むこともできる。
それぞれの接合フィラメントは断続的に形成されて互いに連結できる。
すなわち、一実施形態に係る表示装置は、図１１の実施形態において、第３接合フィラメントＢＦ３をフリットシールＳＬＰに置き換えた構造を持つことができる。
【0061】
図１３を参照すると、フリットシールＳＬＰは絶縁膜上に配置される。
図１３は、フリットシールＳＬＰが、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３と重畳することを例示する。
しかし、これは例示的なものであり、フリットシールＳＬＰが重畳する絶縁膜の数はこれに制限されるものではない。
すなわち、フリットシールＳＬＰは少なくとも一つの絶縁膜と重畳するように配置できる。
フリットシールＳＬＰは、第１基板１００と第２基板２９０とを結合する役目をすることができる。
接合フィラメントを形成する工程温度は、フリットシールを形成する工程温度に比べて相対的に高い。
すなわち、導電ラインがある箇所に接合フィラメントを形成すると、高温によって導電ラインが損傷するおそれがある。
このように導電ラインと重畳する箇所ではフリットシールを利用し、残りの部分では接合フィラメントを利用する場合、ナローベゼルを実現しながらも、導電ラインが熱によって損傷するのを防止することができる。
図１３は、フリットシールＳＬＰが、第１絶縁膜ＩＬＤ１、第２絶縁膜ＩＬＤ２、及び第３絶縁膜ＩＬＤ３と重畳することを例示する。
しかし、これは例示的なものであり、フリットシールＳＬＰが重畳する絶縁膜の数はこれに制限されるものではない。
すなわち、フリットシールＳＬＰは少なくとも一つの絶縁膜と重畳するように配置できる。
フリットシールＳＬＰは、第１基板１００と第２基板２９０とを結合する役目をすることができる。
接合フィラメントを形成する工程温度は、フリットシールを形成する工程温度に比べて相対的に高い。
すなわち、導電ラインがある箇所に接合フィラメントを形成すると、高温によって導電ラインが損傷するおそれがある。
このように導電ラインと重畳する箇所ではフリットシールを利用し、残りの部分では接合フィラメントを利用する場合、ナローベゼルを実現しながらも、導電ラインが熱によって損傷するのを防止することができる。
【0062】
以下、本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
以下で説明する構成の一部は上述した本発明の幾つかの実施形態に係る有機発光表示装置の構成と同一であり、重複説明を回避するために一部の構成についての説明は省略する。
図１５、１６は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための表示装置のオリジナルパネルの配置図である。
以下で説明する構成の一部は上述した本発明の幾つかの実施形態に係る有機発光表示装置の構成と同一であり、重複説明を回避するために一部の構成についての説明は省略する。
図１５、１６は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための表示装置のオリジナルパネルの配置図である。
【0063】
図１５及び図１６を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、互いに対向する第１基板１００及び第２基板２９０を含むセルＣＥを含むオリジナルパネルＯＳを封止（ｓｅａｌ）する段階と、セルＣＥを封止するセルシールＣＳを形成する段階とを含み、セルシールＣＳを形成する段階は、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階を含む。
【0064】
まず、オリジナルパネルＯＳは、対向する上部基板（図示せず）と下部基板（図示せず）を含む。
すなわち、上記にて説明した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置の第１基板１００は、オリジナルパネルＯＳの下部基板の一部であり、第２基板２９０はオリジナルパネルＯＳの上部基板の一部であり得る。
オリジナルパネルＯＳは複数のセルＣＥを含む。
一つのセルＣＥは、上記にて説明した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置をなすことができる。
複数のセルＣＥは、複数の列と複数の行を有するマトリックス状に配置する。
すなわち、上記にて説明した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置の第１基板１００は、オリジナルパネルＯＳの下部基板の一部であり、第２基板２９０はオリジナルパネルＯＳの上部基板の一部であり得る。
オリジナルパネルＯＳは複数のセルＣＥを含む。
一つのセルＣＥは、上記にて説明した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置をなすことができる。
複数のセルＣＥは、複数の列と複数の行を有するマトリックス状に配置する。
【0065】
複数のセルＣＥの外郭には、オリジナルパネルＯＳの縁に沿ってシーリング部材Ｓ１が配置する。
すなわち、シーリング部材Ｓ１を硬化させることにより、オリジナルパネルＯＳを封止する。
オリジナルパネルＯＳが封止されると、複数のセルＣＥは密封され、これにより、外部からの酸素や水分の浸透を防止することができる。
すなわち、シーリング部材Ｓ１を硬化させることにより、オリジナルパネルＯＳを封止する。
オリジナルパネルＯＳが封止されると、複数のセルＣＥは密封され、これにより、外部からの酸素や水分の浸透を防止することができる。
【0066】
次に、図１６を参照すると、セルＣＥをシールするセルシールＣＳを形成する段階が実行される。
セルシールＣＳは、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと実質的に同一であり得る。
セルシールＣＳを形成する段階は、第１サブレーザーＬ１を照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階を含む。
セルシールＣＳは、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと実質的に同一であり得る。
セルシールＣＳを形成する段階は、第１サブレーザーＬ１を照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階を含む。
【0067】
図１７及び図１８を参照すると、第１サブレーザーＬ１を照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階について具体的に説明する。
図１７は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図であり、図１８は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図１７を参照すると、本発明の第１の実施形態において、第１サブレーザーＬ１を照射する段階は、第１サブレーザーＬ１を連続的に照射して、閉じた図形形状のセルシールＣＳを形成する段階を含む。
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１はフェムト秒レーザーであり得る。
本明細書において、フェムト秒レーザーとは、パルス幅が２００フェムト秒以上５００フェムト秒以下であるレーザーを意味する。
図１７は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図であり、図１８は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図１７を参照すると、本発明の第１の実施形態において、第１サブレーザーＬ１を照射する段階は、第１サブレーザーＬ１を連続的に照射して、閉じた図形形状のセルシールＣＳを形成する段階を含む。
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１はフェムト秒レーザーであり得る。
本明細書において、フェムト秒レーザーとは、パルス幅が２００フェムト秒以上５００フェムト秒以下であるレーザーを意味する。
【0068】
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１は連続的に照射する。
すなわち、図１７に示すように、第１サブレーザーＬ１の照射は、開始点ＳＰから開始し、表示領域ＤＡの外周に沿って進行して開始点ＳＰで終わることができる（｛１｝の矢印参照）。
これにより、閉じた図形形状を有するセルシールＣＳが形成する。
セルシールＣＳの形状は、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと同一であり得る。
すなわち、図１７に示すように、第１サブレーザーＬ１の照射は、開始点ＳＰから開始し、表示領域ＤＡの外周に沿って進行して開始点ＳＰで終わることができる（｛１｝の矢印参照）。
これにより、閉じた図形形状を有するセルシールＣＳが形成する。
セルシールＣＳの形状は、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと同一であり得る。
【0069】
図１８を参照すると、第１サブレーザーＬ１は、第２基板２９０の上部から第１基板１００に向かって照射する。
第１サブレーザーＬ１の焦点Ｆ１は第１基板１００の内部に設定される。
説明の便宜のために、焦点深さ（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏｃｕｓ）の基準を設定する。
第１基板１００の上面は、焦点深さが「０」である箇所と定義する。
また、第１基板１００の内部において、第１基板１００の上面からの距離が「ｚ」である箇所の焦点深さを「－ｚ」と定義する。
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１の焦点深さは－１００μｍ以上０未満であり得る。
第１サブレーザーＬ１の焦点Ｆ１は第１基板１００の内部に設定される。
説明の便宜のために、焦点深さ（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏｃｕｓ）の基準を設定する。
第１基板１００の上面は、焦点深さが「０」である箇所と定義する。
また、第１基板１００の内部において、第１基板１００の上面からの距離が「ｚ」である箇所の焦点深さを「－ｚ」と定義する。
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１の焦点深さは－１００μｍ以上０未満であり得る。
【0070】
第１サブレーザーＬ１の焦点深さが－１００μｍ以上０未満である場合には、第１サブレーザーＬ１が照射されると、第１焦点Ｆ１を中心に高エネルギーが提供される。
提供されたエネルギーは第１基板１００及び第２基板２９０をプラズマ化する。
プラズマ化された第１基板１００及び第２基板２９０の一部は溶融して成長する。
すなわち、第２基板２９０の一部は溶融されてｚ軸の負の方向に成長し、第１基板１００の一部はｚ軸の正の方向に成長して互いに出会う。
つまり、両者が互いに出会って接合フィラメントＢＦの中心部Ｃ（図３参照）を形成する。
提供されたエネルギーは第１基板１００及び第２基板２９０をプラズマ化する。
プラズマ化された第１基板１００及び第２基板２９０の一部は溶融して成長する。
すなわち、第２基板２９０の一部は溶融されてｚ軸の負の方向に成長し、第１基板１００の一部はｚ軸の正の方向に成長して互いに出会う。
つまり、両者が互いに出会って接合フィラメントＢＦの中心部Ｃ（図３参照）を形成する。
【0071】
プラズマ化された中心部Ｃの周囲には熱が発生し、この熱は中心部Ｃの周りを溶融させる。
これにより、中心部Ｃを囲むように接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐが形成される。
接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐも、中心部Ｃと同様に、第１基板１００と第２基板２９０とを連結することができる。
ただし、周辺部Ｐと中心部Ｃの溶融温度が互いに異なるため、両者の光学的特性は互いに異なり得る。
例えば、周辺部Ｐと中心部Ｃの屈折率は互いに異なり、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとが互いに区別されて視認できる。
形成された接合フィラメントＢＦの具体的形状は、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと実質的に同一なので、これについての詳細な説明は省略する。
これにより、中心部Ｃを囲むように接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐが形成される。
接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐも、中心部Ｃと同様に、第１基板１００と第２基板２９０とを連結することができる。
ただし、周辺部Ｐと中心部Ｃの溶融温度が互いに異なるため、両者の光学的特性は互いに異なり得る。
例えば、周辺部Ｐと中心部Ｃの屈折率は互いに異なり、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとが互いに区別されて視認できる。
形成された接合フィラメントＢＦの具体的形状は、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置で説明したのと実質的に同一なので、これについての詳細な説明は省略する。
【0072】
以下、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
図１９は本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図１９を参照すると、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法は、第１基板１００上に形成された絶縁膜を除去する段階をさらに含む。
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１を照射する段階の前に、第１基板１００上に形成された絶縁膜を少なくとも部分的に除去する段階が行われる。
上記で説明したように、第１サブレーザーＬ１は高温を誘発し、これにより、第１焦点Ｆ１の近くにある構成に熱ダメージを加える可能性がある。
よって、図１９の如く、第１基板１００上に形成された絶縁膜（ＩＬＤ１、ＩＬＤ２、ＩＬＤ３）の一部を除去してこれを防止することができる。
この場合、第１焦点Ｆ１は、第１基板１００上に形成された絶縁膜と重畳しないことが好ましい。
絶縁膜を除去し、第１サブレーザーＬ１を照射する場合、絶縁膜が熱により損傷するのを防止することができる。
図１９は本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図１９を参照すると、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法は、第１基板１００上に形成された絶縁膜を除去する段階をさらに含む。
一実施形態において、第１サブレーザーＬ１を照射する段階の前に、第１基板１００上に形成された絶縁膜を少なくとも部分的に除去する段階が行われる。
上記で説明したように、第１サブレーザーＬ１は高温を誘発し、これにより、第１焦点Ｆ１の近くにある構成に熱ダメージを加える可能性がある。
よって、図１９の如く、第１基板１００上に形成された絶縁膜（ＩＬＤ１、ＩＬＤ２、ＩＬＤ３）の一部を除去してこれを防止することができる。
この場合、第１焦点Ｆ１は、第１基板１００上に形成された絶縁膜と重畳しないことが好ましい。
絶縁膜を除去し、第１サブレーザーＬ１を照射する場合、絶縁膜が熱により損傷するのを防止することができる。
【0073】
図２０は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図２０を参照すると、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階は、第２基板２９０の上部から第１基板１００へ第１サブレーザーＬ１を照射する段階と、第１基板１００の下部から第２基板２９０へ第２サブレーザーＬ２を照射する段階とを含む。
第１サブレーザーＬ１は、前述の図１９で説明したのと実質的に同一であり得る。
第２サブレーザーＬ２は第２サブレーザーソースＳＯ２から提供される。
第２サブレーザーＬ２は、第１サブレーザーＬ１と同一のフェムト秒レーザーであり得る。
第２サブレーザーＬ２は、第１基板１００の下部から第２基板２９０に向かって照射する。
すなわち、第２サブレーザーＬ２の第２焦点Ｆ２は第２基板２９０の内部に設定する。
図２０を参照すると、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階は、第２基板２９０の上部から第１基板１００へ第１サブレーザーＬ１を照射する段階と、第１基板１００の下部から第２基板２９０へ第２サブレーザーＬ２を照射する段階とを含む。
第１サブレーザーＬ１は、前述の図１９で説明したのと実質的に同一であり得る。
第２サブレーザーＬ２は第２サブレーザーソースＳＯ２から提供される。
第２サブレーザーＬ２は、第１サブレーザーＬ１と同一のフェムト秒レーザーであり得る。
第２サブレーザーＬ２は、第１基板１００の下部から第２基板２９０に向かって照射する。
すなわち、第２サブレーザーＬ２の第２焦点Ｆ２は第２基板２９０の内部に設定する。
【0074】
説明の便宜のために、焦点深さ（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏｃｕｓ）の基準を設定する。
第２基板２９０の上面は、焦点深さが「０」である箇所と定義する。
また、第２基板２９０の内部において、第２基板２９０の下面からの距離が「ｚ」である箇所の焦点深さを「＋ｚ」と定義する。
一実施形態において、第２サブレーザーＬ２の焦点深さは０超過１００μｍ未満であり得る。
第２サブレーザーＬ２の焦点深さが、０超過１００μｍ未満である場合、第２サブレーザーＬ２が照射されると、第２焦点Ｆ２を中心に高エネルギーが提供される。
提供されたエネルギーは、第１基板１００及び第２基板２９０をプラズマ化する。
プラズマ化された第１基板１００及び第２基板２９０の一部は溶融して成長する。
すなわち、第２基板２９０の一部は溶融されてｚ軸の負の方向に成長し、第１基板１００の一部はｚ軸の正の方向に成長して互いに出会う。
つまり、両者が互いに出会って接合フィラメントＢＦの中心部Ｃを形成する（図３参照）。
第２基板２９０の上面は、焦点深さが「０」である箇所と定義する。
また、第２基板２９０の内部において、第２基板２９０の下面からの距離が「ｚ」である箇所の焦点深さを「＋ｚ」と定義する。
一実施形態において、第２サブレーザーＬ２の焦点深さは０超過１００μｍ未満であり得る。
第２サブレーザーＬ２の焦点深さが、０超過１００μｍ未満である場合、第２サブレーザーＬ２が照射されると、第２焦点Ｆ２を中心に高エネルギーが提供される。
提供されたエネルギーは、第１基板１００及び第２基板２９０をプラズマ化する。
プラズマ化された第１基板１００及び第２基板２９０の一部は溶融して成長する。
すなわち、第２基板２９０の一部は溶融されてｚ軸の負の方向に成長し、第１基板１００の一部はｚ軸の正の方向に成長して互いに出会う。
つまり、両者が互いに出会って接合フィラメントＢＦの中心部Ｃを形成する（図３参照）。
【0075】
プラズマ化された中心部Ｃの周囲には熱が発生し、この熱は中心部Ｃの周りを溶融させる。
これにより、中心部Ｃを囲むように接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐが形成される。
接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐも、中心部Ｃと同様に、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する。
ただし、周辺部Ｐと中心部Ｃの溶融温度が互いに異なるので、両者の光学的特性は互いに異なり得る。
例えば、周辺部Ｐと中心部Ｃの屈折率は互いに異なり、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとが互いに区別されて視認できる。
第１焦点Ｆ１は、第２焦点Ｆ２に比べて相対的に内側に形成される。
これにより、中心部Ｃを囲むように接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐが形成される。
接合フィラメントＢＦの周辺部Ｐも、中心部Ｃと同様に、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する。
ただし、周辺部Ｐと中心部Ｃの溶融温度が互いに異なるので、両者の光学的特性は互いに異なり得る。
例えば、周辺部Ｐと中心部Ｃの屈折率は互いに異なり、これにより、周辺部Ｐと中心部Ｃとが互いに区別されて視認できる。
第１焦点Ｆ１は、第２焦点Ｆ２に比べて相対的に内側に形成される。
【0076】
これにより、第１サブレーザーＬ１によって外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）が形成され、第２サブレーザーＬ２によって内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）が形成される。
一実施形態において、第１サブレーザーソースＳＯ１と第２サブレーザーソースＳＯ２は、互いに別個のものとして独立して駆動できる。
他の実施形態において、第１サブレーザーソースＳＯ１と第２サブレーザーソースＳＯ２は、一つのレーザーソースをビームスプリッタ（図示せず）を用いて分離して形成することができる。
すなわち、レーザーソースによって提供された１本のレーザーがビームスプリッタによって分離され、第１サブレーザーＬ１及び第２サブレーザーＬ２をなすこともできる。
一実施形態において、第１サブレーザーソースＳＯ１と第２サブレーザーソースＳＯ２は、互いに別個のものとして独立して駆動できる。
他の実施形態において、第１サブレーザーソースＳＯ１と第２サブレーザーソースＳＯ２は、一つのレーザーソースをビームスプリッタ（図示せず）を用いて分離して形成することができる。
すなわち、レーザーソースによって提供された１本のレーザーがビームスプリッタによって分離され、第１サブレーザーＬ１及び第２サブレーザーＬ２をなすこともできる。
【0077】
図２０の第４の実施形態に係る表示装置の製造方法の結果物は、前述の図７で説明した表示装置と実質的に同一である。
他の実施形態において、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２とを互いに近接させることができる。
第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２とを互いに近接させる場合、図８で説明したように、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とが互いに重畳して重畳領域ＯＡを形成することができる。
他の実施形態において、第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２とを互いに近接させることができる。
第１焦点Ｆ１と第２焦点Ｆ２とを互いに近接させる場合、図８で説明したように、内側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｉ）と外側接合フィラメント（ＢＦ＿Ｏ）とが互いに重畳して重畳領域ＯＡを形成することができる。
【0078】
図２１は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図２１を参照すると、第１サブレーザーＬ１及び／又は第２サブレーザーＬ２は所定の角度傾斜させて照射する。
図２１では、第２サブレーザーＬ２をｚ軸方向から第１角度θ１傾斜させて照射する場合を例示する。
第１角θ１は例えば鋭角であり得る。
図２１の第６の実施形態の結果物は、図９で説明した表示装置と実質的に同一である。
図２１を参照すると、第１サブレーザーＬ１及び／又は第２サブレーザーＬ２は所定の角度傾斜させて照射する。
図２１では、第２サブレーザーＬ２をｚ軸方向から第１角度θ１傾斜させて照射する場合を例示する。
第１角θ１は例えば鋭角であり得る。
図２１の第６の実施形態の結果物は、図９で説明した表示装置と実質的に同一である。
【0079】
図２２は、本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。
図２２を参照すると、一実施形態において、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階は、レーザーを断続的に照射する段階を含む。
一実施形態において、図１７とは異なり、レーザーは断続的に形成する。
これにより、形成される接合フィラメントは複数であり、複数の接合フィラメントは、 図１７に示すように、第１接合フィラメントＢＦ１、第２接合フィラメントＢＦ２、第３接合フィラメントＢＦ３、及び第４接合フィラメントＢＦ４を含む。
図２２を参照すると、一実施形態において、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦを形成する段階は、レーザーを断続的に照射する段階を含む。
一実施形態において、図１７とは異なり、レーザーは断続的に形成する。
これにより、形成される接合フィラメントは複数であり、複数の接合フィラメントは、 図１７に示すように、第１接合フィラメントＢＦ１、第２接合フィラメントＢＦ２、第３接合フィラメントＢＦ３、及び第４接合フィラメントＢＦ４を含む。
【0080】
まず、レーザーをｘ軸と並んだ方向に照射して第１接合フィラメントＢＦ１及び第３接合フィラメントＢＦ３を形成する（｛２｝及び｛(4)｝矢印を参照）。
第１接合フィラメントＢＦ１及び第３接合フィラメントＢＦ３の形成は、二つのレーザーソースを稼動して同時に行われてもよく、一つのレーザーソースを稼動して順次行われてもよい。
次いで、レーザーをｙ軸と並んだ方向に照射して第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４を形成する（｛３｝及び｛５｝矢印を参照）。
第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４の形成は、二つのレーザーソースを稼動して同時に行われてもよく、一つのレーザーソースを稼動して順次行われてもよい。
第１接合フィラメントＢＦ１及び第３接合フィラメントＢＦ３の形成は、二つのレーザーソースを稼動して同時に行われてもよく、一つのレーザーソースを稼動して順次行われてもよい。
次いで、レーザーをｙ軸と並んだ方向に照射して第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４を形成する（｛３｝及び｛５｝矢印を参照）。
第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４の形成は、二つのレーザーソースを稼動して同時に行われてもよく、一つのレーザーソースを稼動して順次行われてもよい。
【0081】
説明の便宜のために、第１接合フィラメントＢＦ１及び第３接合フィラメントＢＦ３を先に形成し、第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４を後で形成するものと例示したが、順序はこれらに限定されない。
すなわち、他の実施形態において、第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４を先に形成し、第１接合フィラメントＢＦ１及び第３接合フィラメントＢＦ３を後で形成することもできる。
ｘ軸方向と並行した方向に照射されるレーザーの経路と、ｙ軸方向と並行した方向に照射されるレーザーの経路とは、互いに部分的に交差する。
これにより、その結果物であるそれぞれの接合フィラメントは隣接する接合フィラメントと交差する。
これにより、図１１で説明したように、第１交差部４１０～第４交差部４４０が形成される。
すなわち、他の実施形態において、第２接合フィラメントＢＦ２及び第４接合フィラメントＢＦ４を先に形成し、第１接合フィラメントＢＦ１及び第３接合フィラメントＢＦ３を後で形成することもできる。
ｘ軸方向と並行した方向に照射されるレーザーの経路と、ｙ軸方向と並行した方向に照射されるレーザーの経路とは、互いに部分的に交差する。
これにより、その結果物であるそれぞれの接合フィラメントは隣接する接合フィラメントと交差する。
これにより、図１１で説明したように、第１交差部４１０～第４交差部４４０が形成される。
【0082】
図２３は、本発明のさらに他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための配置図である。
図２３を参照すると、本発明のさらに他の実施形態において、セルＣＥをシールするセルシールＣＳを形成する段階は、フリットシールＳＬＰを形成する段階をさらに含む。
このため、本発明のさらに他の実施形態に係る表示装置の製造方法は、セルＣＥにフリットを形成する段階をさらに含む。
フリットを形成する段階は、複数のセルＣＥを含むオリジナルパネルＯＳをシールする段階の前に行われ得る。
フリットは、表示領域ＤＡと駆動集積回路１３０との間に形成する。
すなわち、フリットは、表示領域ＤＡと駆動集積回路１３０との間に配置される複数の導電ライン１６０を横切るように形成する。
図２３を参照すると、本発明のさらに他の実施形態において、セルＣＥをシールするセルシールＣＳを形成する段階は、フリットシールＳＬＰを形成する段階をさらに含む。
このため、本発明のさらに他の実施形態に係る表示装置の製造方法は、セルＣＥにフリットを形成する段階をさらに含む。
フリットを形成する段階は、複数のセルＣＥを含むオリジナルパネルＯＳをシールする段階の前に行われ得る。
フリットは、表示領域ＤＡと駆動集積回路１３０との間に形成する。
すなわち、フリットは、表示領域ＤＡと駆動集積回路１３０との間に配置される複数の導電ライン１６０を横切るように形成する。
【0083】
次いで、フリットを硬化させてフリットシールＳＬＰを形成する段階を行う。
フリットの硬化は、フェムト秒レーザーではなく、一般レーザーの照射又は赤外線の照射によって行われ得る。
次いで、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦ５を形成する段階を行う。
接合フィラメントＢＦは、第１サブレーザーＬ１を図２３に示すように照射することにより形成する。
すなわち、フリットシールＳＬＰの一端を開始点としてレーザーを照射して表示領域ＤＡを外周に沿って進行し、フリットシールＳＬＰの他端でレーザー照射を停止する（｛６｝矢印を参照）。
フリットの硬化は、フェムト秒レーザーではなく、一般レーザーの照射又は赤外線の照射によって行われ得る。
次いで、レーザーを照射して、第１基板１００と第２基板２９０とを連結する接合フィラメントＢＦ５を形成する段階を行う。
接合フィラメントＢＦは、第１サブレーザーＬ１を図２３に示すように照射することにより形成する。
すなわち、フリットシールＳＬＰの一端を開始点としてレーザーを照射して表示領域ＤＡを外周に沿って進行し、フリットシールＳＬＰの他端でレーザー照射を停止する（｛６｝矢印を参照）。
【0084】
これにより、フリットシールＳＬＰと接合フィラメントＢＦ５を含むセルシールＣＳは、平面上で閉じた図形形状を有することができる。
その結果物は、先立って図１２で形成したのと実質的に同一である。
一実施形態において、フリットシールＳＬＰを形成する段階と接合フィラメントＢＦ５を形成する段階との順序は入れ替えることもできる。
すなわち、フリットの一端と他端とを結ぶ接合フィラメントＢＦ５を先に形成し、次いでフリットを硬化させることもできる。
その結果物は、先立って図１２で形成したのと実質的に同一である。
一実施形態において、フリットシールＳＬＰを形成する段階と接合フィラメントＢＦ５を形成する段階との順序は入れ替えることもできる。
すなわち、フリットの一端と他端とを結ぶ接合フィラメントＢＦ５を先に形成し、次いでフリットを硬化させることもできる。
【0085】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0086】
１００ 第１基板
１３０ 駆動集積回路
１６０ 導電ライン
２１０ バッファ層
２２０ 第１絶縁層
２３０ 第２絶縁層
２４０ 平坦化層
２５０ 画素電極
２６０ 画素定義膜
２７０ 有機発光層
２８０ 共通電極
２９０ 第２基板
ＢＦ 接合フィラメント
ＣＳ セルシール
ＤＡ 表示領域
ＮＤＡ 非表示領域
１３０ 駆動集積回路
１６０ 導電ライン
２１０ バッファ層
２２０ 第１絶縁層
２３０ 第２絶縁層
２４０ 平坦化層
２５０ 画素電極
２６０ 画素定義膜
２７０ 有機発光層
２８０ 共通電極
２９０ 第２基板
ＢＦ 接合フィラメント
ＣＳ セルシール
ＤＡ 表示領域
ＮＤＡ 非表示領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】