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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-03-20
(45)【発行日】2023-03-29
(54)【発明の名称】裏面シリサイド化によるバルク層転写処理
(51)【国際特許分類】
H01L 21/768 20060101AFI20230322BHJP
H01L 23/522 20060101ALI20230322BHJP
H01L 21/3205 20060101ALI20230322BHJP
H01L 21/76 20060101ALI20230322BHJP
H01L 21/8234 20060101ALI20230322BHJP
H01L 27/06 20060101ALI20230322BHJP
H01L 21/8238 20060101ALI20230322BHJP
H01L 27/092 20060101ALI20230322BHJP
H01L 27/088 20060101ALI20230322BHJP
【ＦＩ】
H01L21/90 J
H01L21/88 J
H01L21/76 L
H01L27/06 102A
H01L27/092 B
H01L27/088 331C
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2020517136
(86)(22)【出願日】2018-08-27
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2020-12-03
(86)【国際出願番号】 US2018048125
(87)【国際公開番号】W WO2019067129
(87)【国際公開日】2019-04-04
【審査請求日】2021-08-10
(31)【優先権主張番号】62/565,495
(32)【優先日】2017-09-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】15/975,434
(32)【優先日】2018-05-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】507364838
【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100163522
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 晋平
(72)【発明者】
【氏名】シナン・ゴクテペリ
(72)【発明者】
【氏名】ジョージ・ピート・イムサーン
(72)【発明者】
【氏名】スティーヴン・アラン・ファネリ
【審査官】宇多川 勉
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－２７８６４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０９７５５０２９（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１２／００９１５９３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特表２０１５－５２７７３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０５０３３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－２０７２５２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／７６８
Ｈ０１Ｌ ２１／３２０５
Ｈ０１Ｌ ２１／７６
Ｈ０１Ｌ ２１／８２３４
Ｈ０１Ｌ ２１／８２３８
Ｈ０１Ｌ ２７／０８８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
バルク半導体ダイの第１の面上の第１の能動／受動デバイス、および前記バルク半導体ダイの前記第１の面から前記第１の面と反対の第２の面に延びる第１のディープトレンチアイソレーション領域を含むバルク半導体ダイと、前記バルク半導体ダイの前記第２の面上のコンタクト層と、
前記コンタクト層上の第２の面の誘電体層であって、前記第１のディープトレンチアイソレーション領域は、前記コンタクト層を通って前記第２の面の誘電体層の中に延びる、第２の面の誘電体層とを含む、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）。
【請求項2】
前記第１の能動／受動デバイス上の第１の面の誘電体層と、前記第１の面の誘電体層上のハンドル基板とをさらに含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項3】
前記第１の面の誘電体層から前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を通って前記第２の面の誘電体層の中に延びるトレンチ相互接続と、前記第２の面の誘電体層の中の、前記トレンチ相互接続に結合された第２の面の金属被覆層であって、前記第２の面の誘電体層は、前記第１の面の誘電体層から遠位にある、第２の面の金属被覆層とをさらに含む、請求項２に記載のＲＦＩＣ。
【請求項4】
前記バルク半導体ダイの前記第１の面上の第２の能動／受動デバイスと、前記第１の能動／受動デバイスと前記第２の能動／受動デバイスとの間にある、前記バルク半導体ダイの前記第１の面上のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域と、
前記第２の能動／受動デバイスに近接した、前記バルク半導体ダイの前記第１の面から前記第２の面に延びる第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域とをさらに含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項5】
前記コンタクト層が、前記バルク半導体ダイの前記第２の面の全長にシリサイド層を含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項6】
前記第１の能動／受動デバイスがＣＭＯＳトランジスタを含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項7】
ＲＦフロントエンドモジュールに統合され、前記ＲＦフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項8】
無線周波数（ＲＦ）集積回路を構築する方法であって、バルク半導体ウエハの第１の面上に第１のトランジスタを製作するステップと、
第１のディープトレンチアイソレーション領域を前記バルク半導体ウエハ内に、前記第１のトランジスタに近接して形成するステップと、
第１の面の誘電体層を前記第１のトランジスタ上に堆積させるステップと、
ハンドル基板を前記第１の面の誘電体層に接合するステップと、
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を前記バルク半導体ウエハの第２の面において露出させるステップと、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面上、および前記第１のディープトレンチアイソレーション領域の露出された側壁上にコンタクト層を堆積させるステップと、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面上、および前記第１のディープトレンチアイソレーション領域の前記露出された側壁上に第２の面の誘電体層を堆積させるステップであって、前記第２の面の誘電体層は、前記第１の面の誘電体層から遠位にある、ステップとを含む、方法。
【請求項9】
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を露出させるステップが、前記バルク半導体ウエハの前記第２の面をバックグラインドするステップと、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面を所定の表面変化まで研磨するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を露出させるステップが、前記第１のディープトレンチアイソレーション領域の一部分を露出させるために前記バルク半導体ウエハの前記第２の面をエッチングするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項11】
前記コンタクト層を堆積させるステップが、前記コンタクト層を形成するために前記バルク半導体ウエハの前記第２の面上にシリサイド層を堆積させるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項12】
前記第１の面の誘電体層から前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を通って前記バルク半導体ウエハの前記第２の面に延びるトレンチ相互接続を製作するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項13】
層転写後金属被覆層を前記第２の面の誘電体層内に製作するステップであって、前記層転写後金属被覆層は前記トレンチ相互接続に結合される、ステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
第２のトランジスタを前記バルク半導体ウエハの前記第１の面上に製作するステップと、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域を、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間の、前記バルク半導体ウエハの前記第１の面上に形成するステップと、
前記第２のトランジスタに近接して、前記バルク半導体ウエハの前記第１の面から前記第２の面に延びる第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域を形成するステップとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項15】
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を露出させるステップが、前記バルク半導体ウエハ内のエッチストップ層を露出させるために前記バルク半導体ウエハの前記第２の面をエッチングするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年９月２９日に出願された「ＢＵＬＫ ＬＡＹＥＲ ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＷＩＴＨ ＢＡＣＫＳＩＤＥ ＳＩＬＩＣＩＤＡＴＩＯＮ」と題する米国仮特許出願第６２／５６５，４９５号の利益を主張する、２０１８年５月９日に出願された「ＢＵＬＫ ＬＡＹＥＲ ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＷＩＴＨ ＢＡＣＫＳＩＤＥ ＳＩＬＩＣＩＤＡＴＩＯＮ」と題する米国特許出願第１５／９７５，４３４号の利益を主張ものであり、それらの開示の全体が参照により本明細書に明白に組み込まれる。
本出願は、２０１７年９月２９日に出願された「ＢＵＬＫ ＬＡＹＥＲ ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＷＩＴＨ ＢＡＣＫＳＩＤＥ ＳＩＬＩＣＩＤＡＴＩＯＮ」と題する米国仮特許出願第６２／５６５，４９５号の利益を主張する、２０１８年５月９日に出願された「ＢＵＬＫ ＬＡＹＥＲ ＴＲＡＮＳＦＥＲ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＷＩＴＨ ＢＡＣＫＳＩＤＥ ＳＩＬＩＣＩＤＡＴＩＯＮ」と題する米国特許出願第１５／９７５，４３４号の利益を主張ものであり、それらの開示の全体が参照により本明細書に明白に組み込まれる。
【0002】
本開示は、一般に、集積回路（ＩＣ）に関する。より詳細には、本開示は、裏面シリサイド化によるバルク層転写処理に関する。
【背景技術】
【0003】
モバイル無線周波数（ＲＦ）チップ（たとえば、モバイルＲＦトランシーバ）を設計することは、通信拡張をサポートするために回路機能を追加することによって複雑になる。これらのモバイルＲＦトランシーバを設計することは、セミコンダクタオンインシュレータ技術を使用することを含み得る。セミコンダクタオンインシュレータ（ＳＯＩ）技術は、寄生デバイスキャパシタンスを低減して性能を改善するために、従来の半導体（たとえば、シリコン）基板を層状の半導体－絶縁体－半導体の基板と置き換える。シリコン接合は電気的絶縁体、典型的には埋込み酸化物（ＢＯＸ）層の上にあるので、ＳＯＩベースのデバイスは、従来のシリコン製デバイスとは異なる。しかしながら、低減された厚さのＢＯＸ層は、ＳＯＩ層上の能動デバイスとＢＯＸ層を支持するＳＯＩ基板との近接によって生じる人工的な高調波を十分に低減しない場合がある。
【0004】
たとえば、高性能相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）無線周波数（ＲＦ）スイッチ技術は、現在、ＳＯＩ基板を使用して製造される。ＳＯＩ基板は、モバイルＲＦトランシーバ内の人工的な高調波に対して何らかの保護を提供し得るが、ＳＯＩ基板は非常に高価である。さらに、デバイス分離を広げてＲＦ損失を低減することは、高価なハンドルウエハを伴う場合がある。たとえば、ＣＭＯＳスイッチデバイスは、高抵抗（ＨＲ：ｈｉｇｈ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）シリコンまたはサファイアなどのＨＲハンドルウエハに物理的に接合される場合がある。スイッチデバイスと下の基板との空間分離を広げることで、ＣＭＯＳスイッチのＲＦ性能は劇的に改善するが、ＨＲシリコンまたはサファイアのハンドルウエハを使用することで、コストは劇的に高くなる。すなわち、ＳＯＩウエハおよびハンドル基板を使用することで、バルク半導体ウエハのコストと比較して極めて高価になる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）は、バルク半導体ダイを含み得る。ＲＦＩＣは、バルク半導体ダイの第１の面上の第１の能動／受動デバイスと、バルク半導体ダイの第１の面から第１の面と反対の第２の面に延びる第１のディープトレンチアイソレーション領域とを含み得る。ＲＦＩＣは、バルク半導体ダイの第２の面上のコンタクト層も含み得る。ＲＦＩＣは、コンタクト層上の第２の面の誘電体層をさらに含み得る。第１のディープトレンチアイソレーション領域は、コンタクト層を通って第２の面の誘電体層の中に延び得る。
【0006】
無線周波数（ＲＦ）集積回路を構築する方法は、第１のトランジスタをバルク半導体ウエハの第１の面上に製作するステップを含み得る。方法は、第１のディープトレンチアイソレーション領域をバルク半導体ウエハ内に第１のトランジスタに近接して形成するステップも含み得る。方法は、第１の面の誘電体層を第１のトランジスタ上に堆積させるステップも含み得る。方法は、ハンドル基板を第１の面の誘電体層に接合するステップをさらに含み得る。方法は、第１のディープトレンチアイソレーション領域をバルク半導体ウエハの第２の面において露出させるステップも含み得る。方法は、バルク半導体ウエハの第２の面上、および第１のディープトレンチアイソレーション領域の露出された側壁上にコンタクト層を堆積させるステップをさらに含み得る。
【0007】
無線周波数（ＲＦ）フロントエンドモジュールは、ワイヤレストランシーバを含み得る。ワイヤレストランシーバは、バルク半導体ダイの第１の面上の第１のトランジスタと、バルク半導体ダイの第１の面から第１の面と反対の第２の面に延びる第１のディープトレンチアイソレーション領域とを含むバルク半導体ダイを含み得る。ワイヤレストランシーバはまた、バルク半導体ダイの第２の面上のコンタクト層と、コンタクト層上の第２の面の誘電体層とを含み得る。第１のディープトレンチアイソレーション領域は、コンタクト層を通って第２の面の誘電体層の中に延び得る。ＲＥフロントエンドモジュールは、ワイヤレストランシーバの出力に結合されたアンテナも含み得る。
【0008】
上記では、後続の詳細な説明をよりよく理解することができるように、本開示の特徴および技術的利点について、かなり大まかに概説してきた。本開示の追加の特徴および利点について、以下で説明する。本開示が、本開示と同じ目的を果たすための他の構造を変更または設計するための基礎として容易に利用できることを、当業者は理解されたい。そのような同等な構成は、添付の特許請求の範囲に記載される本開示の教示から逸脱しないことも当業者は認識されたい。本開示の構成と動作方法の両方に関して本開示の特徴と考えられる新規の特徴は、さらなる目的と利点とともに、以下の説明が添付の図面に関連して検討されればよりよく理解されよう。しかしながら、図の各々は、例示および説明のみの目的で提供されたものであり、本開示の限度を定めるものではないことを明確に理解されたい。
【0009】
本開示のより完全な理解が得られるように、ここで、添付の図面と併せて以下の説明が参照される。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】チップセットのためのワイヤレスローカルエリアネットワークモジュールおよび無線周波数（ＲＦ）フロントエンドモジュールを有するワイヤレスデバイスの概略図である。
【図2】ＲＦセミコンダクタオンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイスを含む無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）の断面図である。
【図3】本開示の態様による、バルク半導体層転写プロセスを使用して製作された無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）の断面図である。
【図4】本開示の態様による、バルク半導体ダイの裏面上のコンタクト層を含むバルク半導体ダイを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）の断面図である。
【図6】本開示の態様による、バルク半導体層転写プロセスを使用して無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）を構築する方法を示すプロセスフロー図である。
【図7】本開示の構成が有利に利用される場合がある例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。
【図8】本開示の一構成による半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計に使用される設計用ワークステーションを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
添付の図面に関して以下に記載する発明を実施するための形態は、様々な構成の説明として意図され、本明細書で説明する概念が実践され得る唯一の構成を表すものではない。発明を実施するための形態は、様々な概念の完全な理解をもたらすための具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念がこれらの具体的な詳細なしに実践され得ることが当業者には明らかであろう。場合によっては、そのような概念を不明瞭にすることを避けるために、よく知られている構造および構成要素がブロック図の形態で示される。
【0012】
本明細書で説明するとき、「および／または」という用語の使用は、「包含的論理和」を表すことが意図され、「または」という用語の使用は、「排他的論理和」を表すことが意図される。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「例示的」という用語は、「例、事例、または例証としての役割を果たす」ことを意味しており、必ずしも他の例示的な構成に優る好ましい、または有利なものとして解釈してはならない。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「結合される」という用語は、「電気的、機械的、またはそれ以外の介在接続（たとえば、スイッチ）を介して直接または間接に接続される」ことを意味し、必ずしも物理的接続に限定されるとは限らない。加えて、接続は、対象物が永続的に接続されてもよく、または解放可能に接続されてもよい。接続は、スイッチを介することができる。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「近接した」という用語は、「隣接した、極めて近い、隣の、または近くの」を意味する。本明細書で説明するとき、本説明全体を通して使用されている「上に」という用語は、いくつかの構成においては「直接的に上に」を意味し、他の構成においては「間接的に上に」を意味する。
【0013】
モバイル無線周波数（ＲＦ）トランシーバを設計することは、セミコンダクタオンインシュレータ技術を使用することを含み得る。セミコンダクタオンインシュレータ（ＳＯＩ）技術は、寄生デバイスキャパシタンスを低減して性能を改善するために、従来のシリコン基板を層状の半導体－絶縁体－半導体の基板と置き換える。ＳＯＩベースのデバイスは、電気的絶縁体、典型的には埋込み酸化物（ＢＯＸ）層上のシリコン接合を含むことによって、従来のシリコン製のデバイスとは異なるが、ＳＯＩベースのデバイスは、従来のシリコン製のデバイスより高価である。さらに、低減された厚さのＢＯＸ層は、ＳＯＩ層上の能動デバイスとＢＯＸ層を支持するＳＯＩ基板との近接によって生じる人工的な高調波を十分に低減しない場合がある。
【0014】
ＳＯＩ層上の能動デバイスは、高性能相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタを含み得る。たとえば、高性能ＣＭＯＳ ＲＦスイッチ技術は、現在、ＳＯＩ基板を使用して製造される。無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールは、良好な動作をこれらの高性能ＣＭＯＳ ＲＦスイッチ技術に依存する場合がある。それゆえ、ＲＦＦＥモジュールを製作するためのプロセスは、これらの高性能ＣＭＯＳ ＲＦスイッチ技術をサポートするために、コストのかかるＳＯＩウエハの一体化を伴う。さらに、将来のＲＦ性能拡張をサポートすることは、デバイス分離を広げながらＲＦ損失を低減することを伴う。
【0015】
デバイス分離を広げかつＲＦ損失を低減するための一技法は、トラップリッチ領域を有するＳＯＩウエハを使用してＲＦＦＥモジュールを製作することである。たとえば、ＲＦデバイス（たとえば、ＲＦスイッチデバイス）は、トラップリッチ領域を有するＳＯＩウエハを使用して製作され得る。残念ながら、トラップリッチ領域を有するＳＯＩウエハは、通常のＳＯＩウエハの約２倍のコストがかかる。代替的に、層転写プロセスは、（たとえば、ＳＯＩウエハを使用して製作された）ＲＦスイッチデバイスを高抵抗（ＨＲ）ハンドルウエハ（たとえば、ＨＲシリコンまたはサファイア）に物理的に接合し得る。多層の絶縁誘電体によって広げられた空間分離は、ＲＦスイッチデバイスを下の基板から分離し、それによってＲＦスイッチデバイスのＲＦ性能が劇的に改善される。残念ながら、たとえば、ＨＲシリコンまたはサファイアのウエハを含むＨＲハンドルウエハを使用することは、バルク半導体ウエハのコストと比較して極めて高価である。
【0016】
本開示の様々な態様は、裏面シリサイド化によるバルク層転写処理のための技法を提供する。集積ＲＦ回路の半導体製作のためのプロセスフローは、基板工程（ＦＥＯＬ）プロセス、中間工程（ＭＯＬ）プロセス、および配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを含んでもよい。「層」という用語は、膜を含み、別段述べられていない限り、垂直厚または水平厚を示すものと解釈されるべきではないことが理解されよう。本明細書において説明するように、「基板」という用語は、ダイシングされたウエハの基板を指す場合があるか、または、ダイシングされていないウエハの基板を指す場合がある。同様に、チップおよびダイという用語は、互換的に使用され得る。
【0017】
本開示の態様は、ＳＯＩウエハを置き換えるためにバルク半導体（たとえば、シリコン）ウエハを使用することを含む。すなわち、本開示の態様は、半導体デバイス層を形成するために、高価なＳＯＩウエハを使用することなく安価なバルク半導体ウエハを採用する。本開示のこの態様によれば、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）は、バルク半導体ダイの前面上の半導体デバイス層を含む。ディープトレンチアイソレーション領域は、バルク半導体ダイの前面から前面と反対の裏面に延び得る。
【0018】
シリサイド層が、コンタクト層としてバルク半導体ダイの裏面上に堆積され得る。加えて、バルク半導体ダイの裏面は、半導体デバイス層上の、前面誘電体層（たとえば、第１の面の誘電体層）から遠位の裏面誘電体層（たとえば、第２の面の誘電体層）によって支持され得る。ＲＦＩＣは、前面誘電体層上のハンドル基板も含み得る。前面および裏面は、それぞれ、第１の面または第２の面と呼ばれることがある。場合によっては、前面が第１の面と呼ばれることになる。他の場合には、裏面が第１の面と呼ばれることになる。
【0019】
図１は、チップセットのためのワイヤレスローカルエリアネットワークモジュールおよび無線周波数（ＲＦ）フロントエンドモジュールを有するワイヤレスデバイス（たとえば、携帯電話またはスマートフォン）の概略図である。ワイヤレスデバイス１００は、本開示の態様による、バルク半導体ダイを使用して製作され得る、チップセット１１０に対するワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）（たとえば、ＷｉＦｉ）モジュール１５０およびＲＦフロントエンドモジュール１７０を含み得る。ＷｉＦｉモジュール１５０は、アンテナ１６２をワイヤレスローカルエリアネットワークモジュール（たとえば、ＷＬＡＮモジュール１５２）に通信可能に結合する第１のダイプレクサ１６０を含む。ＲＦフロントエンドモジュール１７０は、アンテナ１９２をデュプレクサ１８０（ＤＵＰ）を介してワイヤレストランシーバ１２０（ＷＴＲ）に通信可能に結合する第２のダイプレクサ１９０を含む。
【0020】
ワイヤレストランシーバ１２０およびＷｉＦｉモジュール１５０のＷＬＡＮモジュール１５２は、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）１４０を介して電源１０２によって電力を供給されるモデム（ＭＳＭ、たとえばベースバンドモデム）１３０に結合される。チップセット１１０は、信号完全性を実現するためにキャパシタ１１２および１１４ならびにインダクタ１１６も含む。ＰＭＩＣ１４０、モデム１３０、ワイヤレストランシーバ１２０、およびＷＬＡＮモジュール１５２の各々は、キャパシタ（たとえば、１４２、１３２、１２２、および１５４）を含み、クロック１１８に従って動作する。チップセット１１０における様々なインダクタ構成要素およびキャパシタ構成要素の形状および配置によって、各構成要素間の電磁結合が低減し得る。
【0021】
ワイヤレスデバイス１００のワイヤレストランシーバ１２０は、一般に、双方向通信のためにデータを送受信するためのモバイルＲＦトランシーバを含む。モバイルＲＦトランシーバは、データ送信のための送信セクションとデータ受信のための受信セクションとを含み得る。データ送信の場合、送信セクションは、データを有するＲＦキャリア信号を変調して変調されたＲＦ信号を取得し、電力増幅器（ＰＡ）を使用して変調されたＲＦ信号を増幅して適切な出力電力レベルを有する増幅されたＲＦ信号を取得し、増幅されたＲＦ信号をアンテナ１９２を介して基地局に送信し得る。データ受信の場合、受信セクションは、受信ＲＦ信号をアンテナ１９２を介して取得し、低雑音増幅器（ＬＮＡ）を使用して受信ＲＦ信号を増幅し、受信ＲＦ信号を処理して、通信信号内の基地局によって送られたデータを復元し得る。
【0022】
ワイヤレストランシーバ１２０は、これらの通信信号を増幅するために１つまたは複数の回路を含み得る。増幅器回路（たとえば、ＬＮＡ／ＰＡ）は、１つまたは複数のドライバ段および１つまたは複数の増幅器出力段を有し得る１つまたは複数の増幅器段を含み得る。増幅器段の各々は、通信信号を増幅するために様々な方法で構成された１つまたは複数のトランジスタを含む。ワイヤレストランシーバ１２０によって送受信された通信信号を増幅するように構成されるトランジスタを製作するために、様々なオプションが存在する。
【0023】
ワイヤレストランシーバ１２０およびＲＦフロントエンドモジュール１７０は、図２に示すように、能動デバイスを基板から分離するために層転写プロセスを使用して実装され得る。
【0024】
図２は、ＲＦセミコンダクタオンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイスを含む無線周波数（ＲＦ）集積回路２００の断面図を示しており、そのデバイスは、層転写プロセスを使用して製作され得る。図２に示すように、ＲＦデバイスは、絶縁体層２２０上の能動デバイス２１０を含み、絶縁体層２２０は、最初に犠牲基板２０１によって支持される。ＲＦ デバイスはまた、第１の誘電体層２０４内部で能動デバイス２１０に結合される相互接続２５０を含む。層転写プロセスでは、ハンドル基板２０２は、犠牲基板２０１の除去を可能にするために、ＲＦデバイスの第１の誘電体層２０４に接合される。層転写プロセスを使用して犠牲基板２０１を除去することで、たとえば第１の誘電体層２０４の誘電体厚さを増すことによって、高性能低寄生ＲＦデバイスが可能になる。すなわち、ＲＦデバイスの寄生キャパシタンスは、能動デバイス２１０とハンドル基板２０２との間の距離を決定する誘電体厚さに比例する。
【0025】
ＢＯＸ層２２０上の能動デバイス２１０は、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタであり得る。ＲＦＦＥモジュール１７０（図１）は、良好な動作を、これらの高性能ＣＭＯＳ ＲＦ技術に依存する場合がある。
【0026】
図３は、本開示の態様による、バルク半導体層転写プロセスを使用して製作された無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）の断面図である。典型的には、ＲＦ集積回路３００は、ゲート、ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域、およびソース／ドレイン領域間のチャネル領域を有する能動デバイス３１０を含み、各々は、バルク半導体ウエハ３２０の前面上に形成される。ＳＯＩ実装形態とは対照的に、ソース／ドレイン領域およびチャネル領域を含む能動デバイス層は、埋込み酸化物（ＢＯＸ）層によって支持されない。能動デバイスとして示されているが、能動デバイス３１０は、第１の能動／受動デバイス、ならびに第２の能動／受動デバイスであり得ることを認識されたい。
【0027】
ＲＦ集積回路３００はまた、能動デバイス３１０のソース／ドレイン領域に結合された中間工程（ＭＯＬ）／配線工程（ＢＥＯＬ）相互接続を含む。説明するように、ＭＯＬ／ＢＥＯＬ層は、第１の面（たとえば、前面）の層と呼ばれることがある。対照的に、バルク半導体ウエハ３２０を支持する層は、第２の面（たとえば、裏面）の層と呼ばれることがある。この例では、前面金属被覆層Ｍ１は、能動デバイス３１０のソース／ドレイン領域に結合され、前面誘電体層３０４内に配置される。加えて、ハンドル基板３０２は、前面誘電体層３０４に結合される。裏面誘電体３４０は、バルク半導体ウエハ３２０に隣接し、場合によってはバルク半導体ウエハ３２０を支持する。加えて、裏面金属被覆層（たとえば、第２の面の金属被覆層）は、図４にさらに示すように、トレンチ相互接続３５０を用いてディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域３３０を通ってバルク半導体ウエハ３２０の前面から裏面に延びる前面金属被覆層Ｍ１に結合される。
【0028】
図４は、本開示の態様による、バルク半導体ダイの裏面上のコンタクト層を含むバルク半導体ダイを有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）の断面図である。典型的には、ＲＦ集積回路４００は、ゲート（Ｇ）、ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域、およびソース／ドレイン領域間のチャネル（Ｃ）領域を各々が有する第１の能動デバイス４１０、第２の能動デバイス４１２および第３の能動デバイス４１４を含み、Ｇ、Ｓ／Ｄ領域およびＣ領域は、バルク半導体ウエハ４２０（たとえば、バルクシリコンウエハ）の前面上に形成される。ＳＯＩ実装形態とは対照的に、能動デバイス（たとえば、４１０、４１２および４１４）のソース／ドレイン領域およびチャネル領域を含む能動デバイス層は、埋込み酸化物（ＢＯＸ）層によって支持されない。
【0029】
第１の能動デバイスとして示されているが、第１の能動デバイス４１０は、第１の能動／受動デバイス、ならびに第２の能動デバイス４１２などの第２の能動／受動デバイスであり得ることを認識されたい。加えて、平面デバイスとして示されているが、能動デバイス（たとえば、４１０、４１２および４１４）は、平面デバイスに限定されないことを認識されたい。たとえば、能動デバイス（たとえば、４１０、４１２および４１４）は、限定はしないが、平面電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、フィンタイプＦＥＴ（ＦｉｎＦＥＴ）、ナノワイヤＦＥＴ、または他の同様のＦＥＴを含み得る。
【0030】
ＲＦ集積回路４００は、能動デバイス（たとえば、４１０、４１２および４１４）のゲートならびにソース／ドレイン領域に結合されたＭＯＬ相互接続（Ｍ０）ならびにＢＥＯＬ相互接続（Ｍ１）も含む。ＭＯＬ相互接続は、基板工程の間に形成された能動デバイスを配線工程処理の間に形成された金属被覆層に結合するためのトレンチ相互接続（たとえば、ＣＡ、ＣＢ）とビア（たとえば、Ｖ０）を含み得る。この例では、ＭＯＬ相互接続Ｍ０は、第１の能動デバイス４１０のゲートのゲートコンタクト（たとえば、ポリコンタクト）に結合され、前面誘電体層４０４内に配置される。加えて、ハンドルウエハ４０２（ハンドル基板）は、前面誘電体層４０４に結合される。裏面誘電体層４４０は、バルク半導体ウエハ４２０に隣接し、場合によってはバルク半導体ウエハ４２０を支持する。
【0031】
この構成では、裏面金属被覆層（たとえば、第２の面の金属被覆層）は、トレンチ相互接続４５０を通して前面ＭＯＬゼロ相互接続Ｍ０に結合される。トレンチ相互接続４５０は、第１のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域４３０を通ってバルク半導体ウエハ４２０の前面から裏面に延びる。裏面金属被覆も、裏面コンタクト層４６０に結合され得る。
【0032】
本開示の態様によれば、第１のＤＴＩ領域４３０は、裏面コンタクト層４６０を通って裏面誘電体層４４０の中に延びる。同様に、第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域４３２は、裏面コンタクト層４６０を通って裏面誘電体層４４０の中に延びる。この例では、裏面コンタクト層４６０は、バルク半導体ウエハ４２０の裏面に沿って堆積される。裏面コンタクト層４６０は、シリサイド材料または他の同様の導電性材料から成り得る。裏面コンタクト層４６０はまた、バルク半導体ウエハ４２０の裏面から延びる第１のＤＴＩ領域４３０の一部分に接触する。加えて、裏面誘電体層４４０は、バルク半導体ウエハ４２０の裏面から延びる第１のＤＴＩ領域４３０の残りの部分に接触する。
【0033】
図２に示す層転写プロセスは、図４に示すように、高価なＳＯＩ基板を使用することなくＣＭＯＳ製品（たとえば、ＣＭＯＳトランジスタ）を生成するために、バルク半導体ウエハとともに使用され得る。本開示の様々な態様は、図５Ａ～図５Ｇで説明するように、裏面シリサイド化によるバルク層転写処理のための技法を提供する。本開示の一態様は、裏面シリサイド化（図６）によるバルク層転写プロセスを使用して、たとえば図４に示すＲＦ集積回路を形成する。
【0034】
図５Ａ～図５Ｇは、本開示の態様による、図４のＲＦ集積回路４００を製作するためのプロセスを示す。図５Ａは、図４のＲＦ集積回路４００を形成するための最初のステップを示す。このプロセスは、バルクシリコンウエハなどの相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）ウエハを用いて開始する。次に、ＣＭＯＳ基板工程集積化が、バルク半導体ウエハ４２０上で実行されて、第１の能動デバイス４１０、第２の能動デバイス４１２および第３の能動デバイス４１４が形成される。この例では、第１の能動デバイス４１０および第２の能動デバイス４１２は、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域によって分離される。対照的に、第２の能動デバイス４１２および第３の能動デバイス４１４は、第２のＤＴＩ領域４３２によって分離される。第１の能動デバイス４１０および第２の能動デバイス４１２は、ＲＦ集積回路４００の製作プロセスを簡素化するためにＤＴＩ領域によって分離され得ることを認識されたい。
【0035】
本開示の態様によれば、ＳＴＩ領域は能動デバイス分離のために使用される一方で、ＤＴＩ領域は層転写後の分離のために使用される。第１のＤＴＩ領域４３０および第２のＤＴＩ領域４３２の深さは、０．４～４マイクロメートルの範囲にあり得るが、第１のＤＴＩ領域４３０および第２のＤＴＩ領域４３２の深さは、将来のプロセスに対して低減されてもよい。ＤＴＩ領域ならびにＳＴＩ領域は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）など、同様の誘電体材料で充填され、能動デバイスの前に形成され得る。
【0036】
能動デバイスが形成されると、ＭＯＬプロセスが、能動デバイスをＢＥＯＬ相互接続層に接続する。この例では、ゼロ層相互接続Ｍ０が、第１の能動デバイス４１０のゲートＧに結合される。加えて、第１のＢＥＯＬ相互接続Ｍ１が、ゼロ層相互接続Ｍ０に結合される。第１のＢＥＯＬ相互接続Ｍ１は、前面ＢＥＯＬプロセスの部分として形成される。前面誘電体層４０４の堆積が、このプロセスに続く。前面誘電体層４０４が堆積されると、ハンドルウエハ４０２が、前面誘電体層４０４に接合される。ハンドルウエハ４０２は、処理されたウエハまたはベアウエハであり得る。
【0037】
図５Ｂは、バルク半導体ウエハ４２０のバックグラインドプロセスを示す。この最初のバックグラインドプロセスは、能動デバイス層から遠位の、バルク半導体ウエハ４２０の裏面に適用される。この最初のバックグラインドプロセスは、約５～１０マイクロメートルの表面変化を残してもよい。バックグラインドプロセスは図５Ｃにおいて継続し、そこにおいて、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスが、バルク半導体ウエハ４２０の裏面に適用される。このＣＭＰプロセスは、バルク半導体ウエハ４２０の裏面の表面変化を０．１マイクロメートルから０．４マイクロメートルの範囲に、しかし好ましくは０．１マイクロメートルに低減し得る。このＣＭＰプロセスは、第１のＤＴＩ領域４３０または第２のＤＴＩ領域４３２を露出させない。
【0038】
図５Ｂに示すように、バックグラインドプロセスは、５～１０ミクロンの表面変化を有するバルク半導体ウエハ４２０の裏面に適用され得る。表面変化は、図５Ｃに示すように、バルク半導体ウエハ４２０の裏面を研磨することによって、所定の表面変化（たとえば、０．３ミクロン未満）に低減され得る。加えて、シリコンエッチ（たとえば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）もしくは水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ））、ＣＭＰ（たとえば、化学機械研磨）、またはＣＭＰとエッチングの組合せが、バルク半導体ウエハの厚さをＤＴＩ領域の厚さ以下の厚さまで低減するために実行され得る。
【0039】
図５Ｄに示すように、シリコンエッチ／ＣＭＰが、第１のＤＴＩ領域４３０ならびに第２のＤＴＩ領域４３２の部分を露出させるために、バルク半導体ウエハ４２０の裏面上で実行される。本開示のさらなる態様では、バルク半導体ウエハ４２０の裏面の平面性を改善するために、エッチストップ層がバルク半導体ウエハ４２０の中に形成され得る。第１のＤＴＩ領域４３０および第２のＤＴＩ領域４３２が露出されると、図５Ｅでさらに説明する裏面コンタクト層４６０を形成するために、層転写後シリサイド層が、バルク半導体ウエハ４２０の裏面の全長の上に堆積され得る。
【0040】
図５Ｆに示すように、トレンチ相互接続４５０が、第１のＤＴＩ領域４３０を通して形成される。この例では、トレンチ相互接続４５０は、前面誘電体層４０４内の前面ゼロ相互接続Ｍ０に結合される。図５Ｇに示すように、ＲＦ集積回路４００は、裏面ＢＥＯＬ相互接続４５２を形成して、裏面誘電体層４４０を堆積させることによって完了する。裏面誘電体層４４０は、バルク半導体ウエハ４２０の裏面と、バルク半導体ウエハ４２０の裏面から延びる第１のＤＴＩ領域４３０の露出された側壁との上に堆積される。この例では、裏面誘電体層４４０は、前面誘電体層４０４から遠位にある。この例では、裏面ＢＥＯＬ相互接続４５２は、トレンチ相互接続４５０を通して前面ゼロ相互接続Ｍ０に結合される。
【0041】
図６は、本開示の一態様による、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）を構築するための第２の面（たとえば、裏面）のシリサイド化によるバルク層転写プロセスの方法６００を示すプロセスフロー図である。ブロック６０２において、第１のトランジスタが、バルク半導体ウエハの第１の面上に製作される。たとえば、図４に示すように、第１の能動デバイス４１０が、バルク半導体ウエハ４２０の第１の面上に製作される。ブロック６０４において、第１のディープトレンチアイソレーション領域が、バルク半導体ウエハ内に、第１のトランジスタに近接して形成される。たとえば、図４に示すように、第１のＤＴＩ領域４３０は、バルク半導体ウエハ４２０の第１の面から第２の面に延びる。
【0042】
方法６００は、バルク半導体ウエハの第１の面上に第２のトランジスタを製作するステップをさらに含み得る。たとえば、図４に示すように、第２の能動デバイス４１２が、第１の能動デバイス４１０に隣接して製作される。ＳＴＩ領域が、能動デバイスを形成する前に、第１の能動デバイス４１０と第２の能動デバイス４１２との間の、バルク半導体ウエハ４２０の第１の面上に形成され得る。次に、第２の能動デバイス４１２に近接して、バルク半導体ウエハ４２０の第１の面から第２の面に延びる第２のＤＴＩ領域４３２が、形成される。たとえば、図４に示すように、第２のＤＴＩ領域４３２は、第２の能動デバイス４１２と第３の能動デバイス４１４との間に形成される。
【0043】
再び図６を参照すると、ブロック６０６において、第１の面の誘電体層が、第１のトランジスタ上に堆積される。たとえば、図４に示すように、前面誘電体層４０４が、第１の能動デバイス４１０上に堆積される。再び図６を参照すると、ブロック６０８において、ハンドル基板が、第１の面の誘電体層に接合される。たとえば、図４に示すように、ハンドルウエハ４０２が、前面誘電体層４０４に接合される。ブロック６１０において、第１のディープトレンチアイソレーション領域が、バルク半導体ウエハの第２の面において露出される。
【0044】
たとえば、図５Ｄに示すように、第１のＤＴＩ領域４３０は、バルク半導体ウエハ４２０の第２の面において露出される。第１のＤＴＩ領域４３０の露出は、バルク半導体ウエハの第２の面をバックグラインドして、バルク半導体ウエハの第２の面を所定の表面変化まで研磨することによって実行され得る。再び図６を参照すると、ブロック６１２において、コンタクト層が、バルク半導体ウエハの第２の面上に、および第１のディープトレンチアイソレーション領域の露出された側壁上に堆積される。たとえば、図５Ｅに示すように、裏面コンタクト層４６０が、裏面シリサイドプロセスを使用してバルク半導体ウエハ４２０の裏面上に堆積される。
【0045】
本開示の態様は、ＳＯＩウエハを置き換えるためにバルク半導体（たとえば、シリコン）ウエハを使用することに関する。すなわち、本開示の態様は、半導体デバイス層を形成するために、高価なＳＯＩウエハを使用することなく安価な半導体ウエハを採用する。本開示の一態様は、層転写による裏面シリサイド化プロセスを使用して、バルク半導体ウエハの第１の面上の能動デバイス層と第２の面上のコンタクト層とを含むバルク半導体ウエハを形成する。加えて、層転写後金属被覆プロセスは、バルク半導体ウエハ内のディープトレンチアイソレーション領域を通って延びるトレンチ相互接続によって第１の面の金属被覆に結合される第２の面の金属被覆の形成を可能にする。
【0046】
本開示のさらなる態様によれば、第１の面上に能動／受動デバイスを有するバルク半導体ダイと、バルク半導体ダイの第１の面から第１の面と反対の第２の面に延びるディープトレンチアイソレーション領域とを含むＲＦ集積回路が説明される。ＲＦ集積回路は、能動／受動デバイス上に第１の面の誘電体層を含む。ＲＦ集積回路構造は、第１の面の誘電体層上のＲＦ集積回路を処理するための手段も含む。処理手段は、図３に示すハンドルウエハであり得る。本開示の別の態様では、前述の手段は、前述の手段によって列挙された機能を実行するように構成される任意のモジュールまたは任意の装置であってもよい。
【0047】
図７は、本開示の一態様が有利に利用され得る例示的ワイヤレス通信システム７００を示すブロック図である。説明の目的で、図７は、３つのリモートユニット７２０、７３０、および７５０と、２つの基地局７４０とを示す。ワイヤレス通信システムがより多くのリモートユニットおよび基地局を有してよいことが認識されよう。リモートユニット７２０、７３０および７５０は、開示されたＲＦＩＣを含むＩＣデバイス７２５Ａ、７２５Ｃおよび７２５Ｂを含む。基地局、スイッチングデバイス、およびネットワーク機器などの他のデバイスも、開示されたＲＦＩＣを含んでもよいことが認識されよう。図７は、基地局７４０からリモートユニット７２０、７３０、および７５０への順方向リンク信号７８０と、リモートユニット７２０、７３０、および７５０から基地局７４０への逆方向リンク信号７９０とを示す。
【0048】
図７では、リモートユニット７２０は、モバイル電話として示され、リモートユニット７３０は、ポータブルコンピュータとして示され、リモートユニット７５０は、ワイヤレスローカルループシステム内の固定位置リモートユニットとして示される。たとえば、リモートユニットは、モバイル電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末（ＰＤＡ）などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メーター読取り機器などの固定ロケーションデータユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶するかもしくは取り出す他の通信デバイス、あるいはそれらの組合せであってもよい。図７は本開示の態様によるリモートユニットを示すが、本開示はこれらの例示的に示されるユニットに限定されない。本開示の態様は、開示されたＲＦＩＣを含む、多くのデバイスにおいて適切に利用することができる。
【0049】
図８は、上で開示されたＲＦデバイスのような、半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために使用される、設計用ワークステーションを示すブロック図である。設計用ワークステーション８００は、オペレーティングシステムソフトウェアと、サポートファイルと、ＣａｄｅｎｃｅまたはＯｒＣＡＤなどの設計ソフトウェアが入っているハードディスク８０１を含む。設計用ワークステーション８００は、回路設計８１０またはＲＦＩＣ設計８１２を容易にするためのディスプレイ８０２も含む。回路設計８１０またはＲＦＩＣ設計８１２を有形に記憶するために、記憶媒体８０４が設けられる。回路設計８１０またはＲＦＩＣ設計８１２は、ＧＤＳＩＩやＧＥＲＢＥＲなどのファイルフォーマットで記憶媒体８０４上に格納されてもよい。記憶媒体８０４は、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスであってもよい。さらに、設計用ワークステーション８００は、記憶媒体８０４から入力を受け取るか、または記憶媒体８０４に出力を書き込むための、ドライブ装置８０３を含む。
【0050】
記憶媒体８０４上に記録されたデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスクのためのパターンデータ、または電子ビームリソグラフィなどのシリアル書込みツールのためのマスクパターンデータを指定し得る。データはさらに、論理シミュレーションに関連したタイミング図やネット回路などの論理検証データを含んでもよい。記憶媒体８０４上にデータを用意すると、半導体ウエハを設計するためのプロセスの数が減少することによって、回路設計８１０またはＲＦＩＣ設計８１２の設計が容易になる。
【0051】
ファームウェア実施態様および／またはソフトウェア実装形態の場合、方法は、本明細書で説明した機能を実行するモジュール（たとえば、手順、関数など）を用いて実装され得る。本明細書で説明される手順を実装する際に、命令を有形に具現する機械可読媒体を使用することができる。たとえば、ソフトウェアコードがメモリに記憶され、プロセッサユニットによって実行され得る。メモリは、プロセッサユニット内またはプロセッサユニットの外部に実装されてよい。本明細書において使用される「メモリ」という用語は、長期メモリ、短期メモリ、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、または他のメモリのタイプを指し、特定のタイプのメモリもしくは特定の数のメモリ、またはメモリが格納される媒体のタイプに限定すべきではない。
【0052】
機能は、ファームウェアおよび／またはソフトウェアにおいて実装される場合、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして記憶され得る。例には、データ構造を用いて符号化されたコンピュータ可読媒体、およびコンピュータプログラムを用いて符号化されたコンピュータ可読媒体が含まれる。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る利用可能な媒体であり得る。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、所望のプログラムコードを命令もしくはデータ構造の形で記憶するために使用することができるとともに、コンピュータによってアクセスすることができる他の媒体を含むことができ、本明細書において使用されるディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピーディスク（ｄｉｓｋ）、およびブルーレイディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）はデータをレーザーを用いて光学的に再生する。上記の組合せもコンピュータ可読媒体の範囲に含まれるべきである。
【0053】
コンピュータ可読媒体上のストレージに加えて、命令および／またはデータは、通信装置に含まれる伝送媒体上の信号として備えられてもよい。たとえば、通信装置は、命令およびデータを表す信号を有するトランシーバを含み得る。命令およびデータは、１つまたは複数のプロセッサに、特許請求の範囲において概説する機能を実装させるように構成される。
【0054】
本開示およびその利点が詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の技術から逸脱することなく、明細書で様々な変更、置換、および改変が行われ得ることを理解されたい。たとえば、「上」および「下」などの関係語が、基板または電子デバイスに関して使用される。当然、基板または電子デバイスが反転される場合、上は下に、下は上になる。加えて、横向きの場合、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指すことがある。さらに、本出願の範囲は、本明細書で説明したプロセス、機械、製造、ならびに組成物、手段、方法、およびステップの特定の構成に限定されることを意図していない。本開示から当業者が容易に諒解するように、本明細書で説明する対応する構成と実質的に同じ機能を実行するかまたは実質的にそれと同じ結果を達成する、現存するかまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用されてもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップをそれらの範囲内に含むことを意図する。
【符号の説明】
【0055】
１００ ワイヤレスデバイス
１０２ 電源
１１０ チップセット
１１２ キャパシタ
１１４ キャパシタ
１１６ インダクタ
１１８ クロック
１２０ ワイヤレストランシーバ
１２２ キャパシタ
１３０ モデム
１３２ キャパシタ
１４０ 電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）
１４２ キャパシタ
１５０ ＷｉＦｉモジュール
１５２ ＷＬＡＮモジュール
１５４ キャパシタ
１６０ 第１のダイプレクサ
１６２ アンテナ
１７０ 無線周波数（ＲＦ）フロントエンド（ＦＥ）モジュール
１８０ デュプレクサ（ＤＵＰ）
１９０ 第２のダイプレクサ
１９２ アンテナ
２００ 無線周波数（ＲＦ）集積回路（ＲＦＩＣ）
２０１ 犠牲基板
２０２ ハンドル基板
２０４ 第１の誘電体層
２１０ 能動デバイス
２２０ 埋込み酸化物（ＢＯＸ）層
２５０ 相互接続
３００ ＲＦ集積回路
３０２ ハンドル基板
３０４ 前面誘電体層
３１０ 能動デバイス
３２０ バルク半導体ウエハ
３３０ ディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域
３４０ 裏面誘電体
３５０ トレンチ相互接続
４００ ＲＦ集積回路
４０２ ハンドル基板
４０４ 前面誘電体層
４１０ 能動デバイス
４１２ 能動デバイス
４１４ 能動デバイス
４２０ バルク半導体ウエハ
４３０ 第１のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域
４３２ 第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域
４４０ 裏面誘電体層
４５０ トレンチ相互接続
４５２ 裏面配線工程（ＢＥＯＬ）相互接続
４６０ 裏面コンタクト層
７００ ワイヤレス通信システム
７２０ リモートユニット
７２５Ａ ＩＣデバイス
７２５Ｂ ＩＣデバイス
７２５Ｃ ＩＣデバイス
７３０ リモートユニット
７４０ 基地局
７５０ リモートユニット
７８０ 順方向リンク信号
７９０ 逆方向リンク信号
８００ 設計用ワークステーション
８０１ ハードディスク
８０２ ディスプレイ
８０３ ドライブ装置
８０４ 記憶媒体
８１０ 回路設計
８１２ ＲＦＩＣ設計
１０２ 電源
１１０ チップセット
１１２ キャパシタ
１１４ キャパシタ
１１６ インダクタ
１１８ クロック
１２０ ワイヤレストランシーバ
１２２ キャパシタ
１３０ モデム
１３２ キャパシタ
１４０ 電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）
１４２ キャパシタ
１５０ ＷｉＦｉモジュール
１５２ ＷＬＡＮモジュール
１５４ キャパシタ
１６０ 第１のダイプレクサ
１６２ アンテナ
１７０ 無線周波数（ＲＦ）フロントエンド（ＦＥ）モジュール
１８０ デュプレクサ（ＤＵＰ）
１９０ 第２のダイプレクサ
１９２ アンテナ
２００ 無線周波数（ＲＦ）集積回路（ＲＦＩＣ）
２０１ 犠牲基板
２０２ ハンドル基板
２０４ 第１の誘電体層
２１０ 能動デバイス
２２０ 埋込み酸化物（ＢＯＸ）層
２５０ 相互接続
３００ ＲＦ集積回路
３０２ ハンドル基板
３０４ 前面誘電体層
３１０ 能動デバイス
３２０ バルク半導体ウエハ
３３０ ディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域
３４０ 裏面誘電体
３５０ トレンチ相互接続
４００ ＲＦ集積回路
４０２ ハンドル基板
４０４ 前面誘電体層
４１０ 能動デバイス
４１２ 能動デバイス
４１４ 能動デバイス
４２０ バルク半導体ウエハ
４３０ 第１のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域
４３２ 第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域
４４０ 裏面誘電体層
４５０ トレンチ相互接続
４５２ 裏面配線工程（ＢＥＯＬ）相互接続
４６０ 裏面コンタクト層
７００ ワイヤレス通信システム
７２０ リモートユニット
７２５Ａ ＩＣデバイス
７２５Ｂ ＩＣデバイス
７２５Ｃ ＩＣデバイス
７３０ リモートユニット
７４０ 基地局
７５０ リモートユニット
７８０ 順方向リンク信号
７９０ 逆方向リンク信号
８００ 設計用ワークステーション
８０１ ハードディスク
８０２ ディスプレイ
８０３ ドライブ装置
８０４ 記憶媒体
８１０ 回路設計
８１２ ＲＦＩＣ設計
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図6】
【図7】
【図8】