(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-03-23
(45)【発行日】2023-03-31
(54)【発明の名称】有機発光素子
(51)【国際特許分類】
H10K 50/18 20230101AFI20230324BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20230324BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20230324BHJP
H10K 50/17 20230101ALI20230324BHJP
H10K 50/12 20230101ALI20230324BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20230324BHJP
H10K 101/40 20230101ALN20230324BHJP
【ＦＩ】
H10K50/18
H10K50/15
H10K50/16
H10K50/17
H10K50/12
H10K85/60
H10K101:40
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2021503866
(86)(22)【出願日】2018-11-29
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-01-18
(86)【国際出願番号】 KR2018015012
(87)【国際公開番号】W WO2020022580
(87)【国際公開日】2020-01-30
【審査請求日】2021-09-16
(31)【優先権主張番号】10-2018-0085381
(32)【優先日】2018-07-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】ユン，ソクギュ
(72)【発明者】
【氏名】シン，ヒョスプ
【審査官】岩井 好子
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０１０５７７７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－００４１１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０２８７２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１２－５１１８３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０５１９０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２７００５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００８－５０９５３７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／１８
Ｈ１０Ｋ ５０／１５
Ｈ１０Ｋ ５０／１６
Ｈ１０Ｋ ５０／１７
Ｈ１０Ｋ ５０／１２
Ｈ１０Ｋ ８５／６０
Ｈ１０Ｋ １０１／４０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
アノードと、カソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に介在され、発光層を含む有機層と、
前記アノードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第１励起子消光層と、を含み、
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
前記第１励起子消光層は、第１消光物質を含み、
前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
前記第１消光物質は、下記化学式３で表される化合物である。
＜化学式３＞
【化1】
＜化学式１０＞
【化2】
（前記化学式３及び１０で、
Ｘ１は、Ｎ－（Ｌ４）ａ４－（Ａｒ１）ｂ１、Ｏ及びＳのうちから選択され、
Ａは、置換もしくは非置換のＣ ６ －Ｃ ２０ 芳香族環であり、
Ｌ １ ～Ｌ ４ 、Ｌ ３１ 、及びＬ ３２ は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ ３ －Ｃ １０ シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ ３ －Ｃ １０ シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ ６ －Ｃ ６０ アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ ６０ ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ａ１～ａ４、ａ３１及びａ３２は、互いに独立して、０、１、２及び３のうちから選択され、
Ａｒ １ 、Ａｒ ３１ 及びＡｒ ３２ は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ ３ －Ｃ １０ シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ ３ －Ｃ １０ シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ ６ －Ｃ ６０ アリール基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ ６０ ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｂ１、ｂ３１及びｂ３２は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
Ａｒ ３１ とＡｒ ３２ は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｒ １ ～Ｒ ４ は、互いに独立して、前記化学式１０で表される基、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ ６０ アルキル基、置換もしくは非置換のＣ ２ －Ｃ ６０ アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ ２ －Ｃ ６０ アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ ６０ アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ ３ －Ｃ １０ シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ ２ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ ３ －Ｃ １０ シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ ２ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ ６ －Ｃ ６０ アリール基、置換もしくは非置換のＣ ６ －Ｃ ６０ アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ ６ －Ｃ ６０ アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ １ －Ｃ ６０ ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ １ ）（Ｑ ２ ）（Ｑ ３ ）、及び－Ｂ（Ｑ １ ）（Ｑ ２ ）のうちから選択され、
ｃ１は、互いに独立して、１、２、３及び４のうちから選択され、ｃ２は、１、２及び３のうちから選択され、ｃ３及びｃ４は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
ｃ１が２以上である場合、Ｒ １ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ２が２以上である場合、Ｒ ２ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ３が２以上である場合、Ｒ ３ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ４が２以上である場合、Ｒ ４ のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｑ １ ～Ｑ ３ は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、Ｃ １ －Ｃ ６０ アルキル基、Ｃ ２ －Ｃ ６０ アルケニル基、Ｃ ２ －Ｃ ６０ アルキニル基、Ｃ １ －Ｃ ６０ アルコキシ基、Ｃ ３ －Ｃ １０ シクロアルキル基、Ｃ １ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルキル基、Ｃ ３ －Ｃ １０ シクロアルケニル基、Ｃ １ －Ｃ １０ ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ ６ －Ｃ ６０ アリール基、Ｃ １ －Ｃ ６０ ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。）
【請求項2】
前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含む、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項3】
前記第１励起子消光層の厚み（ＤＱ１）と、前記発光層の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ≧ＤＱ１である、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項4】
前記ドーパントは、遅延蛍光または蛍光を放出する、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項5】
前記ホストは、第１ホスト及び第２ホストを含む、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項6】
前記第１ホストは、電子輸送性モイエティを含んでいない正孔輸送性ホストであり、前記第２ホストは、少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含む電子輸送性ホストである、請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項7】
前記発光層と前記カソードとの間に電子注入層をさらに含み、前記電子注入層の仕事関数は、３．０ｅＶ未満である、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項8】
前記電子注入層は、希土類金属を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項9】
前記電子注入層は、Ｙｂを含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項10】
前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、前記第１励起子消光層と前記正孔輸送層は、直接接触する、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項11】
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含み、
前記第１ベース物質は、正孔輸送材料と同一である、請求項１０に記載の有機発光素子。
【請求項12】
前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層と前記第１励起子消光層との間に介在された電子阻止層を含み、
前記第１励起子消光層と前記電子阻止層は、直接接触し、
前記電子阻止層と前記正孔輸送層は、直接接触する、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項13】
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記電子阻止層は、電子阻止材料を含み、
前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含み、
前記第１ベース物質は、正孔輸送材料及び／または電子阻止材料と同一である、請求項１２に記載の有機発光素子。
【請求項14】
前記カソードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第２励起子消光層をさらに含み、前記第２励起子消光層は、第２消光物質を含み、
前記ホスト、前記ドーパント及び前記第２消光物質は、下記式２－１及び２－２を満足する、請求項１に記載の有機発光素子：
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【請求項15】
前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含む、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項16】
前記第２励起子消光層の厚み（ＤＱ２）と前記発光層の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ≧ＤＱ２である、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項17】
前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、前記第２励起子消光層と前記電子輸送層は、直接接触する、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項18】
前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含み、
前記第２ベース物質は、電子輸送材料と同一である、請求項１７に記載の有機発光素子。
【請求項19】
前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、前記電子輸送層と前記第２励起子消光層との間に介在された正孔阻止層を含み、
前記第２励起子消光層と前記正孔阻止層は、直接接触し、
前記正孔阻止層と前記電子輸送層は、直接接触する、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項20】
前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記正孔阻止層は、正孔阻止材料を含み、
前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含み、
前記第２ベース物質は、電子輸送材料及び／または正孔阻止材料と同一である、請求項１９に記載の有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機発光素子に関する。
【背景技術】
【0002】
有機発光素子（organic light emitting device）は、自発光型素子であり、従来の素子に比べ、視野角が広く、コントラストに優れるだけではなく、応答時間が短く、輝度、駆動電圧及び応答速度の特性に優れ、多色化が可能である。
【0003】
前記有機発光素子は、基板上部に、第１電極が配置されており、前記第１電極上部に、正孔輸送領域（hole transport region）、発光層、電子輸送領域（electron transport region）及び第２電極が順次に形成されている構造を有することができる。前記第１電極から注入された正孔は、該正孔輸送領域を経由して発光層に移動し、第２電極から注入された電子は、該電子輸送領域を経由して発光層に移動する。前記正孔及び前記電子のようなキャリアは、該発光層領域で再結合し、励起（exciton）を生成する。該励起子が励起状態から基底状態に変わりながら光が生成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、励起子消光層を含む有機発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一側面によれば、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に介在され、発光層を含む有機層と、前記アノードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第１励起子消光層と、を含み、
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
前記第１励起子消光層は、第１消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
前記第１励起子消光層は、第１消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【0006】
前記実施例において、前記第１励起子消光層は、第１ベース物質をさらに含んでもよい。
【0007】
前記実施例において、前記第１励起子消光層の厚み（ＤＱ１）と、前記発光層の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ≧ＤＱ１でであってもよい。
【0008】
前記実施例において、前記ドーパントは、遅延蛍光または蛍光を放出することができる。
【0009】
前記実施例において、前記ホストは、第１ホスト及び第２ホストを含んでもよい。
【0010】
前記実施例において、前記第１ホストは、電子輸送性モイエティを含んでいない正孔輸送性ホストであり、前記第２ホストは、少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含む電子輸送性ホストであってもよい。
【0011】
前記実施例において、前記発光層と前記カソードとの間に電子注入層をさらに含み、前記電子注入層の仕事関数（work function）は、３．０ｅＶ未満であってもよい。
【0012】
前記実施例において、前記電子注入層は、希土類金属を含んでもよい。
【0013】
前記実施例において、前記電子注入層は、Ｙｂを含んでもよい。
【0014】
前記実施例において、前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、前記第１励起子消光層と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。
【0015】
前記実施例において、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料と同一であってもよい。
【0016】
前記実施例において、前記有機層は、前記アノードと前記第１励起子消光層との間に介在された正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層と前記第１励起子消光層との間に介在された電子阻止層を含み、前記第１励起子消光層と前記電子阻止層は、直接接触し、前記電子阻止層と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。
【0017】
前記実施例において、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記電子阻止層は、電子阻止材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料及び／または電子阻止材料と同一であってもよい。
【0018】
前記実施例において、前記カソードと前記発光層との間に介在され、前記発光層と直接接触する第２励起子消光層をさらに含み、前記第２励起子消光層は、第２消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第２消光物質は、下記式２－１及び２－２を満足することができる：
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【0019】
前記実施例において、前記第２励起子消光層は、第２ベース物質をさらに含んでもよい。
【0020】
前記実施例において、前記第２励起子消光層の厚み（ＤＱ２）と、前記発光層の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ≧ＤＱ２であってもよい。
【0021】
前記実施例において、前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、前記第２励起子消光層と前記電子輸送層は、直接接触することができる。
【0022】
前記実施例において、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料と同一であってもよい。
【0023】
前記実施例において、前記有機層は、前記カソードと前記第２励起子消光層との間に介在された電子輸送層を含み、前記電子輸送層と前記第２励起子消光層との間に介在された正孔阻止層を含み、前記第２励起子消光層と前記正孔阻止層は、直接接触し、前記正孔阻止層と前記電子輸送層は、直接接触することができる。
【0024】
前記実施例において、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記正孔阻止層は、正孔阻止材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料及び／または正孔阻止材料と同一であってもよい。
【発明の効果】
【0025】
本発明の励起子消光層を含む有機発光素子は、寿命特性が向上しうる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【発明を実施するための形態】
【0027】
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施例を有することができるが、特定の実施例を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、多様な形態にも実現される。
【0028】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施例について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一の図面符号を付し、それについての重複する説明は、省略する。
【0029】
以下の実施例において、単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0030】
以下の実施例において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。
【0031】
以下の実施例において、膜、領域、構成要素のような部分が、他部分の「上」または「上部」にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【0032】
図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されることもあり、縮小されることもある。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【0033】
本明細書において、「最低励起三重項エネルギーレベル」は、トルエンと各化合物との混合物（トルエン３ｍＬに各化合物１ｍｇを溶解させる）を石英セルに入れた後、液体窒素（７７Ｋ）に入れ、フォトルミネセンス測定機器を利用し、フォトルミネセンススペクトルを測定し、それを一般的な常温フォトルミネセンススペクトルと比較し、低温でしか観測されないピークのみを分析し、そこからＴ１エネルギーレベルを計算したものである。
【0034】
本明細書において、「仕事関数」は、ＣＶ（電解質：０．１Ｍ Ｂｕ４ＮＣｌＯ４／溶媒：ＣＨ２Ｃｌ２／電極：３電極システム（作用電極：ＧＣ、基準電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ、補助電極：Ｐｔ））を利用し、各化合物の電位（Ｖ）・電流（Ａ）グラフを得た後、前記グラフの還元オンセット（reduction onset）から、各化合物の仕事関数を計算したものである。
【0035】
本明細書において、「有機層」は、前記有機発光素子において、アノード極とカソード極との間に介在された単一及び／または複数の全ての層を示す用語である。前記「有機層」の層に含まれた物質は、有機物に限定されるものではない。
【0036】
本明細書において、「（有機層が）化学式１で表される化合物を含む」というのは、「（有機層が）前記化学式１の範疇に属する１種の化合物、または前記化学式１の範疇に属する互いに異なる２種以上の化合物を含んでもよい」とも解釈される。
【0037】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【0038】
図１は、発明の一実施例による有機発光素子１の概略的な断面図である。
【0039】
図１を参照すれば、有機発光素子１は、アノード１１０と、カソード１２０と、前記アノードと前記カソードとの間に介在され、発光層１３１を含む有機層１３０と、アノード１１０及び発光層１３１の間に介在され、発光層１３１と直接接触する第１励起子消光層１３２と、を含み、発光層１３１は、ホスト及びドーパントを含み、第１励起子消光層１３２は、第１消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１及び１－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１及び１－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【0040】
前記式１－１を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項のうち一部を第１励起子消光層に移動させることができる。それにより、前記発光層内の三重項濃度を適切に調節することができ、発光に関与せずに発光層内に存在する三重項の濃度を低くすることにより、前記有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。
【0041】
前記式１－２を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項が、いずれも第１励起子消光層に移動するものではなく、前記発光層のドーパントにも移動することができるようにする。それにより、発光層内の三重項濃度が、目的とする発光効率を得ることができる程度に維持される。
【0042】
前述の効果を得るためには、必ず前記発光層と前記第１励起子消光層は、直接接触してなければならず、前記発光層と前記第１励起子消光層との間に他の層がさらに介在されていてはならない。
【0043】
具体的には、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第１消光物質は、下記式１－１１及び／または１－２１をさらに満足することができるが、それらに限定されるものではない：
＜式１－１１＞
０．１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）－Ｔ１（Ｈ）≦１．０ｅＶ
＜式１－２１＞
０．１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）－Ｔ１（Ｄ）≦１．０ｅＶ
前記式１－１１及び１－２１で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
＜式１－１１＞
０．１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）－Ｔ１（Ｈ）≦１．０ｅＶ
＜式１－２１＞
０．１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）－Ｔ１（Ｄ）≦１．０ｅＶ
前記式１－１１及び１－２１で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【0044】
前記式１－１１をさらに満足する有機発光素子は、ホストから第１励起子消光層に移動する三重項対比で、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率及び寿命特性が同時に向上しうる。
【0045】
前記式１－２１をさらに満足する有機発光素子は、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率がさらに向上しうる。
【0046】
アノード１１０は、例えば、基板上部に、アノード用物質を蒸着法またはスパッタリング法などを利用して提供することによっても形成される。前記アノード１１０は、正孔注入が容易であるように、高い仕事関数を有する物質のうちからも選択される。
【0047】
アノード１１０は、反射型電極、半透過型電極または透過型電極であってもよい。透過型電極を形成するために、アノード用物質は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びそれら任意の組み合わせのうちからも選択されるが、それらに限定されるものではない。または、半透過型電極または反射型電極を形成するために、アノード用物質は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、及びそれら任意の組み合わせのうちからも選択されるが、それらに限定されるものではない。
【0048】
アノード１１０は、単一層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有することができる。例えば、アノード１１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有することができるが、それに限定されるものではない。
【0049】
アノード１１０上部には、有機層１３０が配置されている。前述のように、有機層１３０は、発光層１３１及び第１励起子消光層１３２を含む。有機層１３０は、アノード１１０と発光層１３１との間に介在された正孔輸送領域（hole transport region）（図示せず）、及び発光層１３１とカソード１２０との間に介在された電子輸送領域（electron transport region）（図示せず）をさらに含んでもよい。
【0050】
前記正孔輸送領域は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造、またはｉｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
【0051】
前記正孔輸送領域は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光補助層及び電子阻止層（ＥＢＬ）のうちから選択された少なくとも１層を含んでもよい。
【0052】
例えば、前記正孔輸送領域は、複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造を有するか、またはアノード１１０から順に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光補助層、正孔注入層／発光補助層、正孔輸送層／発光補助層または正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の多層構造を有することができるが、これらに限定されるものではない。
【0053】
前記正孔輸送領域は、ｍ－ＭＴＤＡＴＡ、ＴＤＡＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、β－ＮＰＢ、ＴＰＤ、Spiro－ＴＰＤ、Spiro－ＮＰＢ、メチル化された（methylated）－ＮＰＢ、ＴＡＰＣ、ＨＭＴＰＤ、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、ポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）、ＣｚＳｉ、ＴＣＴＡ、下記化学式２０１で表される化合物、及び下記化学式２０２で表される化合物のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよい：
＜化学式２０１＞
＜化学式２０２＞
【化1】
【化2】
【化3】
＜化学式２０１＞
【化4】
＜化学式２０２＞
【化5】
【0054】
前記化学式２０１及び２０２で、
Ｌ２０１～Ｌ２０４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキルレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
Ｌ２０５は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ（Ｑ２０１）－＊’、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキレン基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ２０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０～３の整数のうちから選択され、
ｘａ５は１～１０の整数のうちから選択され、
Ｒ２０１～Ｒ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されてもよい。
Ｌ２０１～Ｌ２０４は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキルレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
Ｌ２０５は、＊－Ｏ－＊’、＊－Ｓ－＊’、＊－Ｎ（Ｑ２０１）－＊’、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ２０アルキレン基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ２０アルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０～３の整数のうちから選択され、
ｘａ５は１～１０の整数のうちから選択され、
Ｒ２０１～Ｒ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されてもよい。
【0055】
例えば、前記化学式２０２で、Ｒ２０１とＲ２０２は、選択的に（optionally）、単結合、ジメチル－メチレン基またはジフェニル－メチレン基を介しても互いに連結され、Ｒ２０３とＲ２０４は、選択的に、単結合、ジメチル－メチレン基またはジフェニル－メチレン基を介して互いに連結されてもよい。
【0056】
一実施例によれば、前記化学式２０１及び２０２で、
Ｌ２０１～Ｌ２０５は、互いに独立して、
フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、オバレニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基及びピリジニレン基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、及び－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、オバレニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基及びピリジニレン基；のうちから選択され、
前記Ｑ３１～前記Ｑ３３は、互いに独立して、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基、Ｃ１－Ｃ１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちからも選択される。
Ｌ２０１～Ｌ２０５は、互いに独立して、
フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、オバレニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基及びピリジニレン基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、及び－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニレン基、ペンタレニレン基、インデニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレン基、インダセニレン基、アセナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ナフタセニレン基、ピセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、ルビセニレン基、コロネニレン基、オバレニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基及びピリジニレン基；のうちから選択され、
前記Ｑ３１～前記Ｑ３３は、互いに独立して、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基、Ｃ１－Ｃ１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちからも選択される。
【0057】
他の実施例によれば、ｘａ１～ｘａ４は、互いに独立して、０、１または２でであってもよい。
【0058】
さらに他の実施例によれば、ｘａ５は、１、２、３または４でであってもよい。
【0059】
さらに他の実施例によれば、Ｒ２０１～Ｒ２０４、及びＱ２０１は、互いに独立して、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、及び－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基；のうちから選択されてもよく、
前記Ｑ３１～前記Ｑ３３についての説明は、本明細書に記載されたところを参照する。
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、及び－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基；のうちから選択されてもよく、
前記Ｑ３１～前記Ｑ３３についての説明は、本明細書に記載されたところを参照する。
【0060】
さらに他の実施例によれば、前記化学式２０１で、Ｒ２０１～Ｒ２０３のうち少なくとも一つは、互いに独立して、
フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0061】
さらに他の実施例によれば、前記化学式２０２で、ｉ）Ｒ２０１とＲ２０２は、単結合を介して互いに連結されてもよく、かつ／またはｉｉ）Ｒ２０３とＲ２０４は、単結合を介して互いに連結されてもよい。
【0062】
さらに他の実施例によれば、前記化学式２０２で、Ｒ２０１～Ｒ２０４のうち少なくとも一つは、
カルバゾリル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたカルバゾリル基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
カルバゾリル基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたカルバゾリル基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0063】
前記化学式２０１で表される化合物は、下記化学式２０１Ａによって表されてもよい：
＜化学式２０１Ａ＞
＜化学式２０１Ａ＞
【化6】
【0064】
例えば、前記化学式２０１で表される化合物は、下記化学式２０１Ａ１によって表されてもよい：
＜化学式２０１Ａ（１）＞
＜化学式２０１Ａ（１）＞
【化7】
【0065】
さらに他の例として、前記化学式２０１で表される化合物は、下記化学式２０１Ａ－１によって表されてもよい：
＜化学式２０１Ａ－１＞
＜化学式２０１Ａ－１＞
【化8】
【0066】
一方、前記化学式２０２で表される化合物は、下記化学式２０２Ａによって表されてもよい：
＜化学式２０２Ａ＞
＜化学式２０２Ａ＞
【化9】
【0067】
さらに他の実施例によれば、前記化学式２０２で表される化合物は、下記化学式２０２Ａ－１によって表されてもよい：
＜化学式２０２Ａ－１＞
＜化学式２０２Ａ－１＞
【化10】
【0068】
前記化学式２０１Ａ、２０１Ａ（１）、２０１Ａ－１、２０２Ａ及び２０２Ａ－１で、
Ｌ２０１～Ｌ２０３、ｘａ１～ｘａ３、ｘａ５、及びＲ２０２～Ｒ２０４についての説明は、本明細書に記載されたところを参照し、
Ｒ２１１及びＲ２１２についての説明は、本明細書において、Ｒ２０３についての説明を参照し、
Ｒ２１３～Ｒ２１７は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基のうちから選択されてもよい。
Ｌ２０１～Ｌ２０３、ｘａ１～ｘａ３、ｘａ５、及びＲ２０２～Ｒ２０４についての説明は、本明細書に記載されたところを参照し、
Ｒ２１１及びＲ２１２についての説明は、本明細書において、Ｒ２０３についての説明を参照し、
Ｒ２１３～Ｒ２１７は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基で置換されたフェニル基、－Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基及びピリジニル基のうちから選択されてもよい。
【0069】
前記正孔輸送領域は、下記化合物ＨＴ１～ＨＴ３９のうちから選択された少なくとも１つの化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
【化11】
【化12】
【化13】
【化14】
【0070】
前記正孔輸送領域の厚みは、約１００Å～約１０，０００Å、例えば、約１００Å～約１，０００Åでもある。前記正孔輸送領域が、正孔注入層及び正孔輸送層のうち少なくとも１層を含むならば、前記正孔注入層の厚みは、約１００Å～約９，０００Å、例えば、約１００Å～約１，０００Åであり、前記正孔輸送層の厚みは、約５０Å～約２，０００Å、例えば、約１００Å～約１，５００Åでもある。前記正孔輸送領域、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。
【0071】
前記正孔輸送領域は、前述のような物質以外に、導電性向上のために、電荷生成物質をさらに含んでもよい。前記電荷生成物質は、前記正孔輸送領域内に均一にも不均一にも分散されている。
【0072】
前記電荷生成物質は、例えば、ｐ－ドーパントであってもよい。
【0073】
一実施例によれば、前記ｐ－ドーパントのＬＵＭＯは、－３．５ｅＶ以下であってもよい。
【0074】
前記ｐ－ドーパントは、キノン誘導体、金属酸化物及びシアノ基含有化合物のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、これらに限定されるものではない。
【0075】
例えば、前記ｐ－ドーパントは、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）及びＦ４－ＴＣＮＱ（２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン）のようなキノン誘導体；
タングステン酸化物及びモリブデン酸化物のような金属酸化物；
ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル）；及び
下記化学式２２１で表される化合物；のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
＜ＨＡＴ－ＣＮ＞
＜Ｆ４－ＴＣＮＱ＞
＜化学式２２１＞
前記化学式２２１で、
Ｒ２２１～Ｒ２２３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されるものの、前記Ｒ２２１～前記Ｒ２２３のうち少なくとも一つは、シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、－Ｆで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基、－Ｃｌで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基、－Ｂｒで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基、及び－Ｉで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基のうちから選択された少なくとも１つの置換基を有する。
タングステン酸化物及びモリブデン酸化物のような金属酸化物；
ＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル）；及び
下記化学式２２１で表される化合物；のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
＜ＨＡＴ－ＣＮ＞
【化15】
＜Ｆ４－ＴＣＮＱ＞
【化16】
＜化学式２２１＞
【化17】
前記化学式２２１で、
Ｒ２２１～Ｒ２２３は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されるものの、前記Ｒ２２１～前記Ｒ２２３のうち少なくとも一つは、シアノ基、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、－Ｆで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基、－Ｃｌで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基、－Ｂｒで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基、及び－Ｉで置換されたＣ１－Ｃ２０アルキル基のうちから選択された少なくとも１つの置換基を有する。
【0076】
前記第１消光物質は、１．０ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ１）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積され、寿命特性を低下させる危険性がある励起子を、第１励起子消光層に分散させるのに十分である。
【0077】
前記第１消光物質は、下記化学式３で表される化合物を含んでもよいが、これに限定されるものではない：
＜化学式３＞
＜化学式１０＞
前記化学式３及び１０で、
Ｘ１は、Ｎ－（Ｌ４）ａ４－（Ａｒ１）ｂ１、Ｏ及びＳのうちから選択され、
Ａは、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ２０芳香族環であり、
Ｌ１～Ｌ４、Ｌ３１、及びＬ３２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ａ１～ａ４、ａ３１及びａ３２は、互いに独立して、０、１、２及び３のうちから選択され、
Ａｒ１、Ａｒ３１及びＡｒ３２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｂ１、ｂ３１及びｂ３２は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
Ａｒ３１とＡｒ３２は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｒ１～Ｒ４は、互いに独立して、前記化学式１０で表される基、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）、及び－Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）のうちから選択され、
ｃ１は、互いに独立して、１、２、３及び４のうちから選択され、ｃ２は、１、２及び３のうちから選択され、ｃ３及びｃ４は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
ｃ１が２以上である場合、Ｒ１のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ２が２以上である場合、Ｒ２のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ３が２以上である場合、Ｒ３のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ４が２以上である場合、Ｒ４のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。
＜化学式３＞
【化18】
＜化学式１０＞
【化19】
前記化学式３及び１０で、
Ｘ１は、Ｎ－（Ｌ４）ａ４－（Ａｒ１）ｂ１、Ｏ及びＳのうちから選択され、
Ａは、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ２０芳香族環であり、
Ｌ１～Ｌ４、Ｌ３１、及びＬ３２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ａ１～ａ４、ａ３１及びａ３２は、互いに独立して、０、１、２及び３のうちから選択され、
Ａｒ１、Ａｒ３１及びＡｒ３２は、互いに独立して、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｂ１、ｂ３１及びｂ３２は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
Ａｒ３１とＡｒ３２は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｒ１～Ｒ４は、互いに独立して、前記化学式１０で表される基、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）、及び－Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）のうちから選択され、
ｃ１は、互いに独立して、１、２、３及び４のうちから選択され、ｃ２は、１、２及び３のうちから選択され、ｃ３及びｃ４は、互いに独立して、１、２、３、４及び５のうちから選択され、
ｃ１が２以上である場合、Ｒ１のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ２が２以上である場合、Ｒ２のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ３が２以上である場合、Ｒ３のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、ｃ４が２以上である場合、Ｒ４のうち２個は、選択的に互いに連結され、飽和環または不飽和環を形成することができ、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基またはその塩、スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。
【0078】
例えば、前記第１消光物質は、下記化合物Ｑ１～下記化合物Ｑ３６のうちから選択されるが、これらに限定されるものではない：
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【化24】
【化25】
【0079】
第１励起子消光層１３２において、前記第１消光物質の含量は、０．０１重量％～２０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の寿命特性を改善させることができるほどに十分な量の三重項が、ホストから第１励起子消光層１３２に移動することができる。
【0080】
第１励起子消光層１３２は、第１ベース物質をさらに含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記第１ベース物質は、第１励起子消光層１３２の正孔輸送性を改善させることができる。
【0081】
一実施例において、前記第１ベース物質は、前記ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。例えば、前記第１ベース物質は、正孔輸送性ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0082】
一実施例において、第１励起子消光層１３２は、第１消光物質及び第１ベース物質からなってもよく、これに限定されるものではない。
【0083】
第１励起子消光層１３２が第１ベース物質をさらに含む場合、前記第１励起子消光層において、前記第１ベース物質の含量は、９９．９９重量％～８０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、第１励起子消光層１３２の正孔輸送性が十分に改善され、有機発光素子の駆動電圧が低くもなる。
【0084】
例えば、前記第１ベース物質は、Ｔ１（Ｂ１）≦Ｔ１（Ｈ）を満足することができ、ここで、Ｔ１（Ｂ１）は、前記第１ベース物質の最低励起三重項エネルギーレベルである。一方、前記第１ベース物質は、Ｔ１（Ｂ１）≦Ｔ１（Ｄ）を満足することができる。
【0085】
他の例として、前記第１ベース物質は、１．２ｅＶ≦Ｔ１（Ｂ１）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積されて寿命特性を低下させる危険性がある励起子を、第１励起子消光層に分散させるのに十分である。
【0086】
一実施例において、第１励起子消光層１３２の厚み（ＤＱ１）と、発光層１３１の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ≧ＤＱ１であってもよい。具体的には、第１励起子消光層１３２の厚み（ＤＱ１）と、発光層１３１の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ＞ＤＱ１であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。
【0087】
他の実施例において、第１励起子消光層１３２の厚みは、５０Å～２００Åであってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を実質的に高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。
【0088】
発光層１３１は、ホスト及びドーパントを含む。
【0089】
前記ドーパントは、熱活性化遅延蛍光または蛍光を放出することができる。
【0090】
具体的には、前記ドーパントは、下記式３をさらに満足することができる：
＜式３＞
｜Ｓ１（Ｄ）－Ｔ１（Ｄ）｜≦０．５ｅＶ
前記式３で、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｓ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起一重項エネルギーレベルである。
＜式３＞
｜Ｓ１（Ｄ）－Ｔ１（Ｄ）｜≦０．５ｅＶ
前記式３で、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｓ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起一重項エネルギーレベルである。
【0091】
前記式３を満足すれば、常温においても、熱活性化遅延蛍光を放出することができる。
【0092】
さらに具体的には、Ｓ１（Ｄ）－Ｔ１（Ｄ）≦０．２ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。
【0093】
一実施例において、前記ドーパントは、下記式４及び／または式５をさらに満足することができるが、これらに限定されるものではない：
＜式４＞
２．６５ｅＶ≦Ｓ１（Ｄ）≦２．８５ｅＶ
＜式５＞
２．６５ｅＶ≦Ｔ１（Ｄ）≦３．０５ｅＶ
前記式４及び５で、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｓ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起一重項エネルギーレベルである。
＜式４＞
２．６５ｅＶ≦Ｓ１（Ｄ）≦２．８５ｅＶ
＜式５＞
２．６５ｅＶ≦Ｔ１（Ｄ）≦３．０５ｅＶ
前記式４及び５で、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｓ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起一重項エネルギーレベルである。
【0094】
前記式４及び／または５を満足すれば、前記ドーパントは、青色を放出することができる。
【0095】
他の実施例において、前記ドーパントは、金属原子を含まなくてもよい。すなわち、前記ドーパントは、金属原子を含むリン光放出エミッタとは、明らかに区別される。
【0096】
前記発光層において、前記ドーパントの含量は、０．０１重量％～３０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。
【0097】
例えば、前記ホストは、Ｔ１（Ｈ）≧Ｔ１（Ｄ）を満足することができるが、これに限定されるものではない。前記ホストが前述の範囲を満足すれば、ホストからドーパントに励起子が円滑に伝達されうる。
【0098】
一実施例において、前記ホストは、１種以上の化合物を含んでもよい。
【0099】
例えば、前記ホストは、
下記化学式１及び２のうちいずれか一つで表される化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
＜化学式１＞
＜化学式２＞
前記化学式１及び２で、
Ｘ１１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１３）及びＣ（Ｒ１３）（Ｒ１４）のうちから選択され、
Ｘ１２は、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１５）及びＣ（Ｒ１５）（Ｒ１６）のうちから選択され、
Ａ１１及びＡ１２は、互いに独立して、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基のうちから選択され、
Ｒ１１～Ｒ１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）、－Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｎ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｐ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１）（Ｑ２）及び－Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ１）（Ｑ２）のうちから選択され、
ｂ１１及びｂ１２は、互いに独立して、１、２、３、４、５及び６のうちから選択され、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、ビフェニリル基及びターフェニリル基のうちから選択され、
Ｘ２１は、ＮまたはＣ（Ｒ２１）であり、Ｘ２２は、ＮまたはＣ（Ｒ２２）であり、Ｘ２３は、ＮまたはＣ（Ｒ２３）であり、Ｘ２４は、ＮまたはＣ（Ｒ２４）であり、Ｘ２５は、ＮまたはＣ（Ｒ２５）であり、Ｘ２６は、ＮまたはＣ（Ｒ２６）であるものの、Ｘ２１～Ｘ２６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｒ２１～Ｒ２６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
Ｒ２１～Ｒ２６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。具体的には、前記ホストは、下記化合物１～１２、及び下記化合物２１～２７のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない：
下記化学式１及び２のうちいずれか一つで表される化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
＜化学式１＞
【化26】
＜化学式２＞
【化27】
前記化学式１及び２で、
Ｘ１１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１３）及びＣ（Ｒ１３）（Ｒ１４）のうちから選択され、
Ｘ１２は、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ１５）及びＣ（Ｒ１５）（Ｒ１６）のうちから選択され、
Ａ１１及びＡ１２は、互いに独立して、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基のうちから選択され、
Ｒ１１～Ｒ１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルキル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルケニル基、置換もしくは非置換のＣ２－Ｃ６０アルキニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）、－Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｎ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｐ（Ｑ１）（Ｑ２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１）、－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１）（Ｑ２）及び－Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ１）（Ｑ２）のうちから選択され、
ｂ１１及びｂ１２は、互いに独立して、１、２、３、４、５及び６のうちから選択され、
Ｑ１～Ｑ３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、ビフェニリル基及びターフェニリル基のうちから選択され、
Ｘ２１は、ＮまたはＣ（Ｒ２１）であり、Ｘ２２は、ＮまたはＣ（Ｒ２２）であり、Ｘ２３は、ＮまたはＣ（Ｒ２３）であり、Ｘ２４は、ＮまたはＣ（Ｒ２４）であり、Ｘ２５は、ＮまたはＣ（Ｒ２５）であり、Ｘ２６は、ＮまたはＣ（Ｒ２６）であるものの、Ｘ２１～Ｘ２６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｒ２１～Ｒ２６は、互いに独立して、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
Ｒ２１～Ｒ２６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。具体的には、前記ホストは、下記化合物１～１２、及び下記化合物２１～２７のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない：
【化28】
【化29】
【化30】
【化31】
【化32】
【化33】
【化34】
【0100】
一実施例において、前記ホストは、第１ホスト及び第２ホストを含んでもよい。
【0101】
具体的には、前記第１ホストは、電子輸送性モイエティを含んでいない正孔輸送性ホストであり、前記第２ホストは、少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含む電子輸送性ホストであってもよく、これらに限定されるものではない。
【0102】
本明細書において、「電子輸送性モイエティ」は、シアノ基、ホスフィンオキシド基、スルホンオキシド基、スルホネート及び／またはπ電子欠乏性含窒素環を含んでもよい。
【0103】
例えば、前記第１ホストは、前記化学式１で表され、前記第２ホストは、前記化学式２によっても表されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0104】
具体的には、前記第１ホストは、前記化合物１～１２のうちから選択されてもよく、前記第２ホストは、前記化合物２１～２７のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0105】
一実施例において、前記第１ホストは、前記化学式１で表される化合物を含み、前記第２ホストは、下記化学式２で表される化合物を含んでもよい。
【0106】
発光層１３１の厚みは、約１００Å～約１，０００Å、例えば、約２００Å～約６００Åでもある。前記発光層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を示すことができる。
【0107】
前記電子輸送領域は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造、あるいはｉｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
【0108】
前記電子輸送領域は、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層のうちから選択された少なくとも１層を含んでもよいが、これらに限定されるものではない。
【0109】
例えば、前記電子輸送領域は、発光層から順に積層された電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層、電子調節層／電子輸送層／電子注入層、またはバッファ層／電子輸送層／電子注入層などの構造を有することができるが、これらに限定されるものではない。
【0110】
前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域におけるバッファ層、正孔阻止層、電子調節層または電子輸送層）は、π電子欠乏性含窒素環を少なくとも一つ含む金属非含有化合物を含んでもよい。
【0111】
前記「π電子欠乏性含窒素環」は、環形成モイエティであり、少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有するＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基を意味する。
【0112】
例えば、前記「π電子欠乏性含窒素環」は、ｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する５員～７員のヘテロ単環基であるか、ｉｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する５員～７員のヘテロ単環基のうち２以上が互いに縮合されているヘテロ多環基であるか、あるいはｉｉｉ）少なくとも１つの＊－Ｎ＝＊’モイエティを有する５員～７員のヘテロ単環基のうち少なくとも一つと、少なくとも１つのＣ５－Ｃ６０炭素環基とが互いに縮合されているヘテロ多環基であってもよい。
【0113】
前記π電子欠乏性含窒素環の具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン（purine）、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、アザカルバゾールなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【0114】
例えば、前記電子輸送領域は、下記化学式６０１で表される化合物を含んでもよい。
＜化学式６０１＞
［Ａｒ６０１］ｘｅ１１－［（Ｌ６０１）ｘｅ１－Ｒ６０１］ｘｅ２１
前記化学式６０１で、
Ａｒ６０１は、置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｅ１１は、１、２または３であり、
Ｌ６０１は、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｘｅ１は、０～５の整数のうちから選択され、
Ｒ６０１は、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）（Ｑ６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）のうちから選択され、
前記Ｑ６０１～前記Ｑ６０３は、互いに独立して、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基、Ｃ１－Ｃ１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基またはナフチル基であり、
ｘｅ２１は、１～５の整数のうちから選択される。
＜化学式６０１＞
［Ａｒ６０１］ｘｅ１１－［（Ｌ６０１）ｘｅ１－Ｒ６０１］ｘｅ２１
前記化学式６０１で、
Ａｒ６０１は、置換もしくは非置換のＣ５－Ｃ６０炭素環基、または置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基であり、
ｘｅ１１は、１、２または３であり、
Ｌ６０１は、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換の二価芳香族縮合多環基、及び置換もしくは非置換の二価芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、
ｘｅ１は、０～５の整数のうちから選択され、
Ｒ６０１は、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換もしくは非置換のＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリール基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換もしくは非置換のＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換もしくは非置換のＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換もしくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換もしくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）（Ｑ６０３）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）のうちから選択され、
前記Ｑ６０１～前記Ｑ６０３は、互いに独立して、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基、Ｃ１－Ｃ１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基またはナフチル基であり、
ｘｅ２１は、１～５の整数のうちから選択される。
【0115】
一実施例によれば、前記ｘｅ１１個のＡｒ６０１、及びｘｅ２１個のＲ６０１のうち少なくとも一つは、前述のようなπ電子欠乏性含窒素環を含んでもよい。
【0116】
一実施例によれば、前記化学式６０１で環Ａｒ６０１は、
ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、スピロ－ビフルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、インデノアントラセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びアザカルバゾール；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、スピロ－ビフルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、インデノアントラセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びアザカルバゾール；のうちから選択される環構造であってもよく、
前記Ｑ３１～前記Ｑ３３は、互いに独立して、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基、Ｃ１－Ｃ１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちから選択されてもよい。
ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、スピロ－ビフルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、インデノアントラセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びアザカルバゾール；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、スピロ－ビフルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、インデノアントラセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、インダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、ベンゾイミダゾール、イソベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、イソベンゾオキサゾール、トリアゾール、テトラゾール、オキサジアゾール、トリアジン、チアジアゾール、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン及びアザカルバゾール；のうちから選択される環構造であってもよく、
前記Ｑ３１～前記Ｑ３３は、互いに独立して、Ｃ１－Ｃ１０アルキル基、Ｃ１－Ｃ１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちから選択されてもよい。
【0117】
前記化学式６０１で、ｘｅ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ６０１は、単結合を介して互いに連結されてもよい。
【0118】
他の実施例によれば、前記化学式６０１でＡｒ６０１は、アントラセン環であってもよい。
【0119】
さらに他の実施例によれば、前記６０１で表される化合物は、下記化学式６０１－１によって表されてもよい：
＜化学式６０１－１＞
前記化学式６０１－１で、
Ｘ６１４は、ＮまたはＣ（Ｒ６１４）であり、Ｘ６１５は、ＮまたはＣ（Ｒ６１５）であり、Ｘ６１６は、ＮまたはＣ（Ｒ６１６）であり、Ｘ６１４～Ｘ６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ６１１～Ｌ６１３は、互いに独立して、前記Ｌ６０１についての説明を参照し、
ｘｅ６１１～ｘｅ６１３は、互いに独立して、前記ｘｅ１についての説明を参照し、
Ｒ６１１～Ｒ６１３は、互いに独立して、前記Ｒ６０１についての説明を参照し、
Ｒ６１４～Ｒ６１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちからも選択される。
＜化学式６０１－１＞
【化35】
前記化学式６０１－１で、
Ｘ６１４は、ＮまたはＣ（Ｒ６１４）であり、Ｘ６１５は、ＮまたはＣ（Ｒ６１５）であり、Ｘ６１６は、ＮまたはＣ（Ｒ６１６）であり、Ｘ６１４～Ｘ６１６のうち少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ６１１～Ｌ６１３は、互いに独立して、前記Ｌ６０１についての説明を参照し、
ｘｅ６１１～ｘｅ６１３は、互いに独立して、前記ｘｅ１についての説明を参照し、
Ｒ６１１～Ｒ６１３は、互いに独立して、前記Ｒ６０１についての説明を参照し、
Ｒ６１４～Ｒ６１６は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基及びナフチル基のうちからも選択される。
【0120】
一実施例によれば、前記化学式６０１及び６０１－１で、Ｌ６０１、及びＬ６１１～Ｌ６１３は、互いに独立して、
フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基、ピリジニレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサゾリレン基、イソキサゾリレン基、チアジアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾキノリニレン基、フタラジニレン基、ナフチリジニレン基、キノキサリニレン基、キナゾリニレン基、シンノリニレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナントロリニレン基、フェナジニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イソベンゾチアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、イソベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基及びアザカルバゾリレン基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基、ピリジニレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサゾリレン基、イソキサゾリレン基、チアジアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾキノリニレン基、フタラジニレン基、ナフチリジニレン基、キノキサリニレン基、キナゾリニレン基、シンノリニレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナントロリニレン基、フェナジニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イソベンゾチアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、イソベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基及びアザカルバゾリレン基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基、ピリジニレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサゾリレン基、イソキサゾリレン基、チアジアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾキノリニレン基、フタラジニレン基、ナフチリジニレン基、キノキサリニレン基、キナゾリニレン基、シンノリニレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナントロリニレン基、フェナジニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イソベンゾチアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、イソベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基及びアザカルバゾリレン基；並びに
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニレン基、ナフチレン基、フルオレニレン基、スピロ－ビフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基、ジベンゾフルオレニレン基、フェナントレニレン基、アントラセニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ペンタフェニレン基、ヘキサセニレン基、ペンタセニレン基、チオフェニレン基、フラニレン基、カルバゾリレン基、インドリレン基、イソインドリレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、ベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾカルバゾリレン基、ジベンゾシロリレン基、ピリジニレン基、イミダゾリレン基、ピラゾリレン基、チアゾリレン基、イソチアゾリレン基、オキサゾリレン基、イソキサゾリレン基、チアジアゾリレン基、オキサジアゾリレン基、ピラジニレン基、ピリミジニレン基、ピリダジニレン基、トリアジニレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ベンゾキノリニレン基、フタラジニレン基、ナフチリジニレン基、キノキサリニレン基、キナゾリニレン基、シンノリニレン基、フェナントリジニレン基、アクリジニレン基、フェナントロリニレン基、フェナジニレン基、ベンゾイミダゾリレン基、イソベンゾチアゾリレン基、ベンゾオキサゾリレン基、イソベンゾオキサゾリレン基、トリアゾリレン基、テトラゾリレン基、イミダゾピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基及びアザカルバゾリレン基；のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0121】
他の実施例によれば、前記化学式６０１及び６０１－１で、ｘｅ１及びｘｅ６１１～ｘｅ６１３は、互いに独立して、０、１または２であってもよい。
【0122】
さらに他の実施例によれば、前記化学式６０１及び６０１－１で、Ｒ６０１、及びＲ６１１～Ｒ６１３は、互いに独立して、
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基；並びに
－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）；のうちから選択され、
前記Ｑ６０１及びＱ６０２についての説明は、本明細書に記載されたところを参照する。
フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ２０アルキル基、Ｃ１－Ｃ２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基のうちから選択された少なくとも一つで置換された、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ－ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基及びアザカルバゾリル基；並びに
－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ６０１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ６０１）（Ｑ６０２）；のうちから選択され、
前記Ｑ６０１及びＱ６０２についての説明は、本明細書に記載されたところを参照する。
【0123】
前記電子輸送領域は、下記化合物ＥＴ１～ＥＴ３６のうちから選択された少なくとも１つの化合物を含んでもよいが、これらに限定されるものではない：
【化36】
【化37】
【化38】
【化39】
【化40】
【0124】
または、前記電子輸送領域は、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、ＮＴＡＺ、ＴＳＰＯ１（ジフェニル（４－（トリフェニルシリル）フェニル）－ホスフィンオキシド）、ＴＰＢＩ及びＤＰＥＰＯのうちから選択された少なくとも１つの化合物を含んでもよい。
【化41】
【化42】
【0125】
前記バッファ層、正孔阻止層または電子調節層の厚みは、互いに独立して、約２０Å～約１，０００Å、例えば、約３０Å～約３００Åであってもよい。前記バッファ層、正孔阻止層または電子調節層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔阻止特性または電子調節特性を得ることができる。
【0126】
前記電子輸送層の厚みは、約１００Å～約１，０００Å、例えば、約１５０Å～約５００Åであってもよい。前記電子輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性を得ることができる。
【0127】
前記電子輸送領域（例えば、前記電子輸送領域における電子輸送層）は、前述のような物質以外に、金属含有物質をさらに含んでもよい。
【0128】
前記金属含有物質は、アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体のうちから選択された少なくとも一つを含んでもよい。前記アルカリ金属錯体の金属イオンは、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン、Ｒｂイオン及びＣｓイオンのうちからも選択され、前記アルカリ土類金属錯体の金属イオンは、Ｂｅイオン、Ｍｇイオン、Ｃａイオン、Ｓｒイオン及びＢａイオンのうちから選択されてもよい。前記アルカリ金属錯体及び前記アルカリ土類金属錯体の金属イオンに配位されたリガンドは、互いに独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシジフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン及びシクロペンタジエンのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0129】
例えば、前記金属含有物質は、Ｌｉ錯体を含んでもよい。前記Ｌｉ錯体は、例えば、下記化合物ＥＴ－Ｄ１（リチウムキノレート（ＬｉＱ））またはＥＴ－Ｄ２を含んでもよい。
【化43】
【0130】
前記電子輸送領域は、カソード１２０からの電子注入を容易にする電子注入層を含んでもよい。前記電子注入層の仕事関数は、３．０ｅＶ未満であってもよい。前述の範囲を満足すれば、カソード１２０からの電子注入が非常に迅速に起こるので、電子と正孔との再結合は、発光層中心より正孔輸送領域側に偏ることになる。それにより、第１励起子消光層１３２が、アノード１１０と発光層１３１との間に位置すれば、さらに効果的に有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。
【0131】
前記電子注入層は、前記カソード１２０と直接接触することができる。
【0132】
前記電子注入層は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる単一層からなる単層構造、またはｉｉｉ）複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
【0133】
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはそれらうちの任意の組み合わせを含んでもよい。
【0134】
前記アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓのうちから選択されてもよい。一実施例によれば、前記アルカリ金属は、Ｌｉ、ＮａまたはＣｓであってもよい。他の実施例によれば、前記アルカリ金属は、ＬｉまたはＣｓであってもよく、これらに限定されるものではない。
【0135】
前記アルカリ土類金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうちから選択されてもよい。
【0136】
前記希土類金属は、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ及びＧｄのうちから選択されてもよい。
【0137】
前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物及び前記希土類金属化合物は、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属及び前記希土類金属の酸化物及びハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物など）のうちから選択されてもよい。
【0138】
前記アルカリ金属化合物は、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏのようなアルカリ金属酸化物、及びＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩのようなアルカリ金属ハロゲン化物のうちから選択されてもよい。一実施例によれば、前記アルカリ金属化合物は、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＮａＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0139】
前記アルカリ土類金属化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａｘＳｒ１－ｘＯ（０＜ｘ＜１）、ＢａｘＣａ１－ｘＯ（０＜ｘ＜１）のようなアルカリ土類金属化合物のうちからも選択される。一実施例によれば、前記アルカリ土類金属化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＣａＯのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0140】
前記希土類金属化合物は、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＧｄＦ３及びＴｂＦ３のうちから選択されてもよい。一実施例によれば、前記希土類金属化合物は、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３、ＹｂＩ３、ＳｃＩ３、ＴｂＩ３のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0141】
前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体及び前記希土類金属錯体は、前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のイオンを含み、前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体及び前記希土類金属錯体の金属イオンに配位されたリガンドは、互いに独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシジフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン及びシクロペンタジエンのうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0142】
前記電子注入層は、前述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、またはこれらのうちの任意の組み合わせだけからなるか、あるいは前記有機物をさらに含んでもよい。前記電子注入層が有機物をさらに含む場合、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属、前記希土類金属、前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物、前記希土類金属化合物、前記アルカリ金属錯体、前記アルカリ土類金属錯体、前記希土類金属錯体、またはそれらのうちの任意の組み合わせは、前記有機物からなるマトリックスに均一または不均一に分散されている。
【0143】
具体的には、前記電子注入層は、希土類金属を含んでもよいが、これに限定されるものではない。さらに具体的には、前記電子注入層は、Ｙｂを含んでもよいが、これに限定されるものではない。Ｙｂのような希土類金属は、仕事関数が相対的に非常に低いために、カソード１２０からの電子注入を非常に迅速にすることができる。
【0144】
前記電子注入層の厚みは、約１Å～約１００Å、約３Å～約９０Åであってもよい。前記電子注入層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入特性を得ることができる。
【0145】
前述のような有機層１３０上部には、カソード１２０が配置されている。カソード１２０用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、及びそれらの組み合わせを使用することができる。
【0146】
カソード１２０は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、ＩＴＯ及びＩＺＯのうちから選択された少なくとも一つを含んでもよいが、それらに限定されるものではない。具体的には、カソード１２０は、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）を含んでもよいが、それに限定されるものではない。
【0147】
前記カソード１２０は、透過型電極、半透過型電極または反射型電極であってもよい。
【0148】
前記カソード１２０は、単一層である単層構造、または複数の層を有する多層構造を有することができる。
【0149】
一実施例において、有機層１３０は、アノード１１０と第１励起子消光層１３２との間に介在された正孔輸送層を含み、第１励起子消光層１３２と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。その場合、第１励起子消光層１３２は、第１ベース物質を含み、前記第１ベース物質のＨＯＭＯレベルは、前記ホストのＨＯＭＯレベルよりも低い。それにより、第１励起子消光層１３２は、正孔阻止層の役割を同時に遂行することができる。
【0150】
例えば、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0151】
他の実施例において、有機層１３０は、アノード１１０と第１励起子消光層１３２との間に介在された正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層と第１励起子消光層１３２との間に介在された電子阻止層を含み、第１励起子消光層１３２と前記電子阻止層は、直接接触し、前記電子阻止層と前記正孔輸送層は、直接接触することができる。
【0152】
例えば、前記正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、前記電子阻止層は、電子阻止材料を含み、前記第１ベース物質は、正孔輸送材料及び／または電子阻止材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0153】
図１のアノード１１０の下部（有機層と接しない一面）、またはカソード１２０の上部（有機層と接しない一面）には、基板が追加しても配置される。前記基板としては、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れるガラス基板またはプラスチック基板を使用することができる。
【0154】
有機発光素子１がフルカラー有機発光素子である場合、発光層１３１は、個々の副画素毎に、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層にパターニングされる。または、発光層１３１は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうちから選択された２以上の層が接触または離隔されて積層された構造を有するか、あるいは赤色光放出物質、緑色光放出物質及び青色光放出物質のうちから選択された２以上の物質が層の区別なしに混合された構造を有し、白色光を放出することができる。
【0155】
【0156】
図２を参照すると、有機発光素子２は、アノード２１０と、カソード２２０と、アノード２１０とカソード２２０との間に介在され、発光層２３１を含む有機層２３０と、を含み、アノード２１０と発光層２３１との間に介在され、発光層２３１と直接接触する第１励起子消光層２３２を含み、カソード２２０と発光層２３１との間に介在され、発光層２３２と直接接触する第２励起子消光層２３３を含み、発光層２３１は、ホスト及びドーパントを含み、第１励起子消光層２３２は、第１消光物質を含み、第２励起子消光層２３３は、第２消光物質を含み、前記ホスト、前記ドーパント、前記第１消光物質及び前記第２消光物質は、下記式１－１、１－２、２－１及び２－２を満足する、有機発光素子が提供される：
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１、１－２、２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
＜式１－１＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式１－２＞
Ｔ１（Ｑ１）≦Ｔ１（Ｄ）
＜式２－１＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｈ）
＜式２－２＞
Ｔ１（Ｑ２）≦Ｔ１（Ｄ）
前記式１－１、１－２、２－１及び２－２で、
Ｔ１（Ｑ１）は、前記第１消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【0157】
前記式２－１を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項のうち一部を第２励起子消光層に移動させることができる。これにより、前記発光層内の三重項濃度を適切に調節することができ、発光に関与せずに発光層内に存在する三重項の濃度を低くすることにより、前記有機発光素子の寿命特性を向上させることができる。
【0158】
前記式２－２を満足する有機発光素子は、発光層のホストで生成された三重項がいずれも第１励起子消光層に移動せず、前記発光層のドーパントにも移動することができるようにする。これにより、発光層内の三重項濃度が、目的とする発光効率を得ることができる程度に維持することができる。
【0159】
具体的には、前記ホスト、前記ドーパント及び前記第２消光物質は、下記式２－１１及び／または２－２１をさらに満足することができるが、これらに限定されるものではない：
＜式２－１１＞
０．０１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）－Ｔ１（Ｈ）≦２．０ｅＶ
＜式２－２１＞
０．０２ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）－Ｔ１（Ｄ）≦２．０ｅＶ
前記式２－１１及び２－２１で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
＜式２－１１＞
０．０１ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）－Ｔ１（Ｈ）≦２．０ｅＶ
＜式２－２１＞
０．０２ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）－Ｔ１（Ｄ）≦２．０ｅＶ
前記式２－１１及び２－２１で、
Ｔ１（Ｑ２）は、前記第２消光物質の最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｈ）は、前記ホストの最低励起三重項エネルギーレベルであり、
Ｔ１（Ｄ）は、前記ドーパントの最低励起三重項エネルギーレベルである。
【0160】
前記式２－１１をさらに満足する有機発光素子は、ホストから第２励起子消光層に移動する三重項対比で、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率及び寿命特性が同時に向上しうる。
【0161】
前記式２－２１をさらに満足する有機発光素子は、ホストからドーパントに移動する三重項の比率が適切に調節されることにより、効率がさらに向上しうる。
【0162】
例えば、前記第１消光物質及び前記第２消光物質は、互いに同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0163】
前記第２消光物質は、１．０ｅＶ≦Ｔ１（Ｑ２）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積されて寿命特性を低下させる危険性がある励起子を第２励起子消光層に分散させるのに十分である。
【0164】
前記第２消光物質は、前記化学式３によっても表されるが、それに限定されるものではない。
【0165】
具体的には、前記第２消光物質は、前記化合物Ｑ１～前記化学式Ｑ３６のうちから選択されてもよく、これらに限定されるものではない。
【0166】
第２励起子消光層２３３において、前記第２消光物質の含量は、０．０１重量％～２０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の寿命特性を改善させることができる程度に十分な量の三重項が、ホストから第２励起子消光層２３３に移動することができる。
【0167】
第２励起子消光層２３３は、第２ベース物質をさらに含んでもよいが、これに限定されるものではない。前記第２ベース物質は、第２励起子消光層２３３の電子輸送性を改善させることができる。
【0168】
一実施例において、前記第２ベース物質は、前記ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。例えば、前記第２ベース物質は、電子輸送性ホストと同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0169】
第２励起子消光層２３３は、第２消光物質及び前記第２ベース物質からなってもよく、これに限定されるものではない。
【0170】
第２励起子消光層２３３が第２ベース物質をさらに含む場合、前記第２励起子消光層において、前記第２ベース物質の含量は、９９．９９重量％～８０重量％であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、第２励起子消光層２３３の電子輸送性が十分に改善され、有機発光素子の駆動電圧が低くなる。
【0171】
例えば、前記第２ベース物質は、Ｔ１（Ｂ２）≦Ｔ１（Ｈ）を満足することができ、ここで、Ｔ１（Ｂ２）は、前記第２ベース物質の最低励起三重項エネルギーレベルである。一方、前記第２ベース物質は、Ｔ１（Ｂ２）≦Ｔ１（Ｄ）を満足することができる。
【0172】
他の例として、前記第２ベース物質は、１．０ｅＶ≦Ｔ１（Ｂ２）≦２．５ｅＶを満足することができるが、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、発光層に過度に蓄積されて寿命特性を低下させる危険性がある励起子を第１励起子消光層に分散させるのに十分である。
【0173】
一実施例において、第２励起子消光層２３３の厚み（ＤＱ２）と、発光層２３１の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ≧ＤＱ２でもある。具体的には、第２励起子消光層２３３の厚み（ＤＱ２）と、発光層２３１の厚み（ＤＥ）は、ＤＥ＞ＤＱ２であってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。
【0174】
他の実施例において、第２励起子消光層２３３の厚みは、５０Å～２００Åであってもよく、これに限定されるものではない。前述の範囲を満足すれば、有機発光素子の駆動電圧を実質的に高めずに、所望する寿命特性向上効果を得ることができる。
【0175】
一実施例において、有機層２３０は、カソード２２０と第２励起子消光層２３３との間に介在された電子輸送層を含み、第２励起子消光層２３３と前記電子輸送層は、直接接触することができる。この場合、第２励起子消光層２３３は、第２ベース物質を含み、前記第２ベース物質のＬＵＭＯレベルは、前記ホストのＬＵＭＯレベルよりも高い。これにより、第２励起子消光層２３３は、電子阻止層の役割を同時に遂行することができる。
【0176】
例えば、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0177】
他の実施例において、有機層２３０は、カソード２２０と第２励起子消光層２３３との間に介在された電子輸送層を含み、前記電子輸送層と第２励起子消光層２３３との間に介在された正孔阻止層を含み、第２励起子消光層２３３と前記正孔阻止層は、直接接触し、前記正孔阻止層と前記電子輸送層は、直接接触することができる。
【0178】
例えば、前記電子輸送層は、電子輸送材料を含み、前記正孔阻止層は、正孔阻止材料を含み、前記第２ベース物質は、電子輸送材料及び／または正孔阻止材料と同一であってもよく、これに限定されるものではない。
【0179】
【0180】
一方、有機発光素子１及び有機発光素子２は、光が取り出される方向に位置したキャッピング層をさらに含んでもよい。該キャッピング層は、補強干渉の原理により、外部発光効率を向上させる役割を行うことができる。
【0181】
該キャッピング層は、互いに独立して、有機物からなる有機キャッピング層、無機物からなる無機キャッピング層、または有機物及び無機物を含む複合キャッピング層であってもよい。
【0182】
該キャッピング層は、炭素環化合物、ヘテロ環化合物、アミン系化合物、ポルフィン誘導体（porphine derivatives）、フタロシアニン誘導体（phthalocyanine derivatives）、ナフタロシアニン誘導体（naphthalocyanine derivatives）、アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体のうちから選択された少なくとも１つの物質を含んでもよい。前記炭素環化合物、ヘテロ環化合物及びアミン系化合物は、選択的に、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩのうちから選択された少なくとも１つの元素を含む置換基によって置換されてもよい。
【0183】
一実施例によれば、前記キャッピング層は、アミン系化合物を含んでもよい。
【0184】
他の実施例によれば、前記キャッピング層は、前記化学式２０１で表される化合物、または前記化学式２０２で表される化合物を含んでもよい。
【0185】
さらに他の実施例によれば、前記キャッピング層は、前記化合物ＨＴ２８～前記化合物ＨＴ３３、及び下記化合物ＣＰ１～下記化合物ＣＰ５のうちから選択された化合物を含んでもよいが、それらに限定されるものではない。
【化44】
【化45】
【0186】
以上、前記有機発光素子について、図１及び２を参照して説明したが、これらに限定されるものではない。
【0187】
前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層はそれぞれ、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Langmuir-Blodgett）法、インクジェットプリンティング法、レーザプリンティング法、レーザー熱転写（ＬＩＴＩ：laser induced thermal imaging）法のような多様な方法を利用し、所定領域にも形成される。
【0188】
真空蒸着法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、蒸着条件は、例えば、約１００～約５００℃の蒸着温度、約１０－８～約１０－３ｔｏｒｒの真空度、及び約０．０１～約１００Å／ｓｅｃの蒸着速度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮しても選択される。
【0189】
スピンコーティング法により、前記正孔輸送領域に含まれた各層、発光層、及び電子輸送領域に含まれた各層をそれぞれ形成する場合、コーティング条件は、例えば、約２，０００ｒｐｍ～約５，０００ｒｐｍのコーティング速度、及び約８０℃～２００℃の熱処理温度の範囲内において、形成する層に含まれる材料、及び形成する層の構造を考慮して選択されてもよい。
【0190】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基は、炭素数１～６０の線状または分枝状の脂肪族炭化水素一価基を意味し、具体的な例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒ－ブチル基、ペンチル基、ｉｓｏ－アミル基、ヘキシル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルキレン基は、前記Ｃ１－Ｃ６０アルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0191】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間または末端に、１以上の炭素二重結合を含む炭化水素基を意味し、その具体的な例には、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルケニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0192】
本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルキル基の中間または末端に、１以上の炭素三重結合を含む炭化水素基を意味し、その具体的な例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ２－Ｃ６０アルキニレン基は、前記Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0193】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基は、－ＯＡ１０１（ここで、Ａ１０１は、前記Ｃ１－Ｃ６０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体的な例には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基などが含まれる。
【0194】
本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基は、Ｃ３－Ｃ１０一価飽和炭化水素単環基を意味し、その具体例には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキレン基は、前記Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0195】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含むＣ１－Ｃ１０一価単環基を意味し、その具体例には、１，２，３，４－オキサトリアゾリジニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基は、前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0196】
本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基は、Ｃ３－Ｃ１０一価単環基であり、環内に少なくとも１つの二重結合を有するが、芳香族性（aromaticity）を有さない基を意味し、その具体例には、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基は、前記Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0197】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含むＣ１－Ｃ１０一価単環基であり、環内に少なくとも１つの二重結合を有する。前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基の具体例には、４，５－ジヒドロ－１，２，３，４－オキサトリアゾリル基、２，３－ジヒドロフラニル基、２，３－ジヒドロチオフェニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基は、前記Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0198】
本明細書において、Ｃ６－Ｃ６０アリール基は、Ｃ６－Ｃ６０炭素環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ６－Ｃ６０アリーレン基は、Ｃ６－Ｃ６０炭素環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基の具体例には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基などが含まれる。前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基及びＣ６－Ｃ６０アリーレン基が２以上の環を含む場合、前記２以上の環は、互いに縮合されうる。
【0199】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含み、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基は、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含み、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環芳香族系を有する二価基を意味する。前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基の具体例には、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基などが含まれる。前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基及びＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、互いに縮合されうる。
【0200】
本明細書において、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基は、－ＯＡ１０２（ここで、Ａ１０２は、前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基である）を示し、前記Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基は、－ＳＡ１０３（ここで、Ａ１０３は、前記Ｃ６－Ｃ６０アリール基である）を示す。
【0201】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基は、－ＯＡ１０４（ここで、Ａ１０４は、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基である）を示し、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基は－ＳＡ１０５（ここで、Ａ１０５は、前記Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基である）を示す。
本明細書において、一価非芳香族縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素のみを含み、分子全体が非芳香族性（non-aromaticity）を有する一価基（例えば、炭素数８～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族縮合多環基の具体例には、フルオレニル基などが含まれる。本明細書において、二価芳香族縮合多環基は、前記一価非芳香族縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
本明細書において、一価非芳香族縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素のみを含み、分子全体が非芳香族性（non-aromaticity）を有する一価基（例えば、炭素数８～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族縮合多環基の具体例には、フルオレニル基などが含まれる。本明細書において、二価芳香族縮合多環基は、前記一価非芳香族縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0202】
本明細書において、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されており、環形成原子として炭素以外に、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含み、分子全体が非芳香族性を有する一価基（例えば、炭素数１～６０を有する）を意味する。前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の具体例には、カルバゾリル基などが含まれる。本明細書において、二価芳香族ヘテロ縮合多環基は、前記一価非芳香族ヘテロ縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。
【0203】
本明細書において、Ｃ５－Ｃ６０炭素環基とは、環形成原子として炭素のみを含む、Ｃ５－Ｃ６０単環基またはＣ５－Ｃ６０多環基を意味する。前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、芳香族炭素環基または非芳香族炭素環基であってもよい。前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、ベンゼンのような環、フェニル基のような一価基、またはフェニレン基のような二価基であってもよい。または、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基に連結された置換基の個数により、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基は、三価基または四価基でもあるというように、多様な変形が可能である。
【0204】
本明細書において、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロ環基とは、前記Ｃ５－Ｃ６０炭素環基と同一構造を有するものの、環形成原子として、炭素（炭素数は、１～６０でもある）以外に、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ及びＳのうちから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む基を意味する。
【0205】
本明細書において、前述の置換されたＣ５－Ｃ６０炭素環基、置換されたＣ１－Ｃ６０ヘテロ環基、置換されたＣ３－Ｃ１０シクロアルキレン基、置換されたＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキレン基、置換されたＣ３－Ｃ１０シクロアルケニレン基、置換されたＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニレン基、置換されたＣ６－Ｃ６０アリーレン基、置換されたＣ１－Ｃ６０ヘテロアリーレン基、置換された二価芳香族縮合多環基、置換された二価芳香族ヘテロ縮合多環基、置換されたＣ１－Ｃ６０アルキル基、置換されたＣ２－Ｃ６０アルケニル基、置換されたＣ２－Ｃ６０アルキニル基、置換されたＣ１－Ｃ６０アルコキシ基、置換されたＣ３－Ｃ１０シクロアルキル基、置換されたＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、置換されたＣ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、置換されたＣ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、置換されたＣ６－Ｃ６０アリール基、置換されたＣ６－Ｃ６０アリールオキシ基、置換されたＣ６－Ｃ６０アリールチオ基、置換されたＣ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、置換されたＣ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、置換されたＣ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、置換された一価非芳香族縮合多環基及び置換された一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の置換基のうち少なくとも一つは、
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基及びＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）、－Ｎ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｂ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１１）（Ｑ１２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基及びＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ２１）（Ｑ２２）（Ｑ２３）、－Ｎ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｂ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ２１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ２１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ２１）（Ｑ２２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；並びに
－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｂ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択され、
前述のＱ１１～Ｑ１３、Ｑ２１～Ｑ２３、及びＱ３１～Ｑ３３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、重水素・－Ｆ及びシアノ基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたＣ１－Ｃ６０アルキル基、重水素・－Ｆ及びシアノ基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたＣ６－Ｃ６０アリール基、ビフェニリル基、及びターフェニリル基のうちからも選択される。
重水素（－Ｄ）、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基及びＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ１１）（Ｑ１２）（Ｑ１３）、－Ｎ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｂ（Ｑ１１）（Ｑ１２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ１１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ１１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ１１）（Ｑ１２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基及びＣ１－Ｃ６０アルコキシ基；
Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；
重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、－Ｓｉ（Ｑ２１）（Ｑ２２）（Ｑ２３）、－Ｎ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｂ（Ｑ２１）（Ｑ２２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ２１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ２１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ２１）（Ｑ２２）のうちから選択された少なくとも一つで置換された、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ６－Ｃ６０アリールオキシ基、Ｃ６－Ｃ６０アリールチオ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；並びに
－Ｓｉ（Ｑ３１）（Ｑ３２）（Ｑ３３）、－Ｎ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｂ（Ｑ３１）（Ｑ３２）、－Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ３１）、－Ｓ（＝Ｏ）２（Ｑ３１）及び－Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ３１）（Ｑ３２）のうちから選択され、
前述のＱ１１～Ｑ１３、Ｑ２１～Ｑ２３、及びＱ３１～Ｑ３３は、互いに独立して、水素、重水素、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ１－Ｃ６０アルキル基、Ｃ２－Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２－Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１－Ｃ６０アルコキシ基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ３－Ｃ１０シクロアルケニル基、Ｃ１－Ｃ１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ６－Ｃ６０アリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリール基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールオキシ基、Ｃ１－Ｃ６０ヘテロアリールチオ基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、重水素・－Ｆ及びシアノ基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたＣ１－Ｃ６０アルキル基、重水素・－Ｆ及びシアノ基のうちから選択された少なくとも一つで置換されたＣ６－Ｃ６０アリール基、ビフェニリル基、及びターフェニリル基のうちからも選択される。
【0206】
本明細書において、「Ｐｈ」は、フェニル基を意味し、「Ｍｅ」は、メチル基を意味し、「Ｅｔ」は、エチル基を意味し、「ｔｅｒ－Ｂｕ」または「Ｂｕｔ」は、ｔｅｒｔ－ブチル基を意味し、「ＯＭｅ」は、メトキシ基を意味する。
【0207】
本明細書において、「ビフェニリル基」は、「フェニル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ビフェニリル基」は、置換基が「Ｃ６－Ｃ６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。
【0208】
本明細書において、「ターフェニリル基」は、「ビフェニリル基で置換されたフェニル基」を意味する。前記「ターフェニリル基」は、置換基が「Ｃ６－Ｃ６０アリール基で置換されたＣ６－Ｃ６０アリール基」である「置換されたフェニル基」に属する。
【0209】
本明細書において、＊及び＊’は、他の定義がない限り、当該化学式において、隣接する原子との結合サイトを意味する。
【実施例】
【0210】
以下において、実施例を挙げ、本発明の一実施例による有機発光素子について、さらに具体的に説明する。
【0211】
評価例１：最低励起三重項エネルギーレベル（Ｔ１）の測定
実施例１、２、及び比較例１～３で使用される下記化合物に対し、Ｔ１エネルギーレベルを測定し、その結果を下記表１に示した。
実施例１、２、及び比較例１～３で使用される下記化合物に対し、Ｔ１エネルギーレベルを測定し、その結果を下記表１に示した。
【表1】
【0212】
【化46】
【0213】
実施例１
コーニング（Corning）１５Ω／ｃｍ２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板（アノード）を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。
コーニング（Corning）１５Ω／ｃｍ２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板（アノード）を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。
【0214】
前記ガラス基板上部に、２－ＴＮＡＴＡを６００Å厚に真空蒸着し、正孔注入層を形成した後、続けて、ＨＡＴ－ＣＮを３００Å厚に真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。
【0215】
前記正孔輸送層上部に、化合物Ｑ２８及びＨＴ７を、５：９５の重量比で同時に蒸着し、１０Å厚に真空蒸着し、励起子消光層を形成した。
【0216】
前記励起子消光層上部に、ＣＢＰ（ホスト）と化合物Ｔ１（ドーパント）とを、９５：５の重量比で同時に蒸着し、２９０Å厚の発光層を形成した。
【0217】
次に、前記発光層上部に、ＥＴ１を３００Å厚に真空蒸着し、電子輸送層を形成した。前記電子輸送層上部に、Ｙｂを１０Å厚に真空蒸着し、電子注入層を形成し、Ａｌを真空蒸着し、３，０００Å（カソード）厚に真空蒸着し、有機発光素子を製造した。
【0218】
実施例２
前記励起子消光層の厚みを３０Åにしたということを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を作製した。
前記励起子消光層の厚みを３０Åにしたということを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を作製した。
【0219】
比較例１
コーニング（Corning）１５Ω／ｃｍ２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板（アノード）を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。
コーニング（Corning）１５Ω／ｃｍ２（１，２００Å）ＩＴＯガラス基板（アノード）を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水とを利用し、それぞれ５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄し、真空蒸着装置に該ガラス基板を設けた。
【0220】
前記ガラス基板上部に、２－ＴＮＡＴＡを６００Å厚に真空蒸着し、正孔注入層を形成した後、続けて、ＨＡＴ－ＣＮを３００Å厚に真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。
【0221】
前記正孔輸送層上部に、ＣＢＰ（ホスト）と化合物Ｔ１（ドーパント）とを、９５：５の重量比で同時に蒸着し、２９０Å厚の発光層を形成した。
【0222】
前記発光層上部に、化合物Ｑ２８及びＥＴ２を、５：９５の重量比で同時に蒸着し、１０Å厚の励起子消光層を形成した。
【0223】
次に、前記励起子消光層上部に、ＥＴ１を３００Å厚に真空蒸着し、電子輸送層を形成した。前記電子輸送層上部に、Ｙｂを１０Å厚に真空蒸着し、電子注入層を形成し、Ａｌを真空蒸着し、３，０００Å（カソード）厚に真空蒸着し、有機発光素子を製造した。
【0224】
比較例２
下記表２の材料を使用したことを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を製造した。
下記表２の材料を使用したことを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を製造した。
【0225】
比較例３
下記表２の材料を使用し、励起子消光層の厚みを３０Åにしたということを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を製造した。
下記表２の材料を使用し、励起子消光層の厚みを３０Åにしたということを除いては、実施例１と同一方法で有機発光素子を製造した。
【0226】
評価例２
前記実施例１，２、及び比較例１～３で作製された有機発光素子の駆動電圧及び寿命（ＬＴ５０）を、Keithley ＳＭＵ２３６及び輝度計ＰＲ６５０を利用して測定し、その結果を表２に示した。
前記実施例１，２、及び比較例１～３で作製された有機発光素子の駆動電圧及び寿命（ＬＴ５０）を、Keithley ＳＭＵ２３６及び輝度計ＰＲ６５０を利用して測定し、その結果を表２に示した。
【表2】
【0227】
前記表１から、実施例１及び２の有機発光素子は、比較例１～３より長寿命を有するということを確認することができる。
【図1】
【図2】