特許 7257175 プリント配線板およびプリント配線板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-05

(45)【発行日】2023-04-13

(54)【発明の名称】プリント配線板およびプリント配線板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20230406BHJP

【ＦＩ】

H05K3/34 501F

H05K3/34 502E

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2019025274

(22)【出願日】2019-02-15

(65)【公開番号】P2020136379

(43)【公開日】2020-08-31

【審査請求日】2021-12-13

(73)【特許権者】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001542

【氏名又は名称】弁理士法人銀座マロニエ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】呉 有紅

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 巧治

(72)【発明者】

【氏名】小寺 美宏

【審査官】ゆずりは 広行

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１４９９４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１７９７３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２５１７４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２４３３８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１２２７７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／３４

Ｈ０５Ｋ ３／４６

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口、および該第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第１の導体パッド上に形成された第１のバンプと、
前記第２の導体パッド上に形成され、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプと、
を備え、
前記第１のバンプは、前記第１の開口内に形成された第１のベースめっき層と、該第１のベースめっき層上に形成された第１の中間層と、該第１の中間層上に形成された第１のトップめっき層とを有し、
前記第２のバンプは、前記第２の開口内に形成された第２のベースめっき層と、該第２のベースめっき層上に形成された第２の中間層と、該第２の中間層上に形成された第２のトップめっき層とを有し、
前記第１の中間層の上面は算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内にあり、
前記第２の中間層の上面は算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内にあり、
前記第１のベースめっき層と前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のベースめっき層と前記第２の導体パッドとの間に、ニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ有する。

【請求項2】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層の厚みは、５μｍ～４５μｍである。

【請求項3】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のベースめっき層および前記第２のベースめっき層は、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項4】

請求項１に記載のプリント配線板であって、第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項5】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１の中間層および前記第２の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。

【請求項6】

請求項５に記載のプリント配線板であって、前記第１の中間層および第２の中間層の厚みはそれぞれ７μｍ以下である。

【請求項7】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１および第２のベースめっき層は前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成され、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第１のベースめっき層の厚みおよび前記第２のベースめっき層の厚みはそれぞれ３μｍ～２０μｍの範囲内にある。

【請求項8】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１の開口のアスペクト比は０．５以下であり、前記第２の開口のアスペクト比は０．６以上である。

【請求項9】

請求項１に記載のプリント配線板であって、前記第１のベースめっき層は上面が平坦であるか、上面中央部分に深さ２０μｍ以下の第１の窪みを有し、前記第２のベースめっき層は、上面が平坦であるか、上面中央部分に隆起部を有するか、あるいは上面中央部分に前記第１の窪みより浅い第２の窪みを有する。

【請求項10】

プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を形成することと、
前記第１の導体パッド上に第１のバンプを形成することと、
前記第２の導体パッド上に、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプを形成することと、を含み、
前記第１のバンプを形成することは、前記第１の開口内に第１のベースめっき層を形成することと、前記第１のベースめっき層上に第１の中間層を形成することと、該第１の中間層上に第１のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第２のバンプを形成することは、前記第２の開口内に第２のベースめっき層を形成することと、前記第２のベースめっき層上に第２の中間層を形成することと、該第２の中間層上に第２のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第１の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内である第１の中間層を形成することを含み、
前記第２の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内である第２の中間層を形成することを含み、
前記第１のベースめっき層と前記第１の導体パッドとの間、および前記第２のベースめっき層と前記第２の導体パッドとの間に、ニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ形成することを含む。

【請求項11】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層の厚みを５μｍ～４５μｍの範囲内とする。

【請求項12】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のベースめっき層および前記第２のベースめっき層を、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成する。

【請求項13】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、第１のトップめっき層および前記第２のトップめっき層を、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成する。

【請求項14】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の中間層および前記第２の中間層を、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成する。

【請求項15】

請求項１４に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の中間層および第２の中間層の厚みをそれぞれ７μｍ以下とする。

【請求項16】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１および第２のベースめっき層を前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成し、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第１のベースめっき層の厚みおよび前記第２のベースめっき層の厚みをそれぞれ３μｍ～２０μｍの範囲内とする。

【請求項17】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の開口のアスペクト比は０．５以下であり、前記第２の開口のアスペクト比は０．６以上である。

【請求項18】

請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のベースめっき層を形成することは、上面が平坦であるか、上面中央部分に深さ２０μｍ以下の第１の窪みを有する第１のベースめっき層を形成することを含み、前記第２のベースめっき層を形成することは、上面が平坦であるか、上面中央部分に隆起部を有するか、あるいは上面中央部分に前記第１の窪みより浅い第２の窪みを有する第２のベースめっき層を形成することを含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、めっきバンプを有するプリント配線板、およびめっきバンプを有するプリント配線板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、めっき法を用いたバンプ形成を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１０－１２９９９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、図５に示すように、めっき法を用いたバンプ形成ではバンプ内にボイドＶが発生する場合がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口、および該第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を有するソルダーレジスト層と、前記第１の導体パッド上に形成された第１のバンプと、前記第２の導体パッド上に形成され、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプと、を備え、前記第１のバンプは、前記第１の開口内に形成された第１のベースめっき層と、該第１のベースめっき層上に形成された第１の中間層と、該第１の中間層上に形成された第１のトップめっき層とを有し、前記第２のバンプは、前記第２の開口内に形成された第２のベースめっき層と、該第２のベースめっき層上に形成された第２の中間層と、該第２の中間層上に形成された第２のトップめっき層とを有し、前記第１の中間層の上面は算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内にあり、前記第２の中間層の上面は算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内にある。

【0006】

本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第１の導体パッドとして露出させる第１の開口を形成することと、前記ソルダーレジスト層に、前記第１の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第２の導体パッドとして露出させる第２の開口を形成することと、前記第１の導体パッド上に第１のバンプを形成することと、
前記第２の導体パッド上に、前記第１のバンプよりも小径の第２のバンプを形成することと、を含み、前記第１のバンプを形成することは、前記第１の開口内に第１のベースめっき層を形成することと、前記第１のベースめっき層上に第１の中間層を形成することと、該第１の中間層上に第１のトップめっき層を形成することとを含み、前記第２のバンプを形成することは、前記第２の開口内に第２のベースめっき層を形成することと、前記第２のベースめっき層上に第２の中間層を形成することと、該第２の中間層上に第２のトップめっき層を形成することとを含み、前記第１の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内である第１の中間層を形成することを含み、前記第２の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲内である第２の中間層を形成することを含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態のプリント配線板を説明するための断面図である。

【図2】本発明の一実施形態のプリント配線板の変形例を説明するための断面図である。

【図3】本発明の一実施形態のプリント配線板の変形例を説明するための断面図である。

【図4A】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4B】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4C】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4D】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4E】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4F】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4G】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図4H】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図である。

【図5】従来技術に従うプリント配線板において、バンプにボイドが発生している様子を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。図１には、実施形態のプリント配線板１０の一部が拡大して示されている。プリント配線板１０は、コア基板（図示せず）の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体（図示せず）を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板１０は、コア基板の代わりに支持板（図示せず）上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板１０は、図１に示すように、少なくとも１層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層１２と、基部絶縁層１２上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層１４と、基部絶縁層１２および導体層１４上に形成されたソルダーレジスト層１６とを備えている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。しかし、プリント配線板１０は、１層の基部絶縁層１２と１層の導体層１４とからなるものでもよい。

【0009】

基部絶縁層１２は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。導体層１４は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。

【0010】

ソルダーレジスト層１６は、導体層１４の一部を第１の導体パッド１４ａとして露出させる第１の開口１６ａと、第１の開口１６ａよりも径が小さく導体層１４の他の一部を第２の導体パッド１４ｂとして露出させる第２の開口１６ｂとを有している。第１の開口１６ａのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比は０．５以下とすることができる。第２の開口１６ｂのアスペクト比、つまり底部の口径に対する深さの比０．６以上とすることができる。

【0011】

第１および第２の導体パッド１４ａ，１４ｂ上には下地層１８がそれぞれ形成されていてよい。下地層１８としては、第１および第２の導体パッド１４ａ，１４ｂの表面に形成されたニッケル層とニッケル層上に形成されたパラジウム層とパラジウム層上に形成された金層とを例示することができる。その他、ニッケル層とニッケル層上に形成された金層とを例示することができる。下地層１８は形成しなくてもよい。

【0012】

プリント配線板１０はさらに、第１の導体パッド１４ａ上に下地層１８を介して形成された第１のバンプ２０と、第２の導体パッド１４ｂ上に下地層１８を介して形成され、第１のバンプ２０よりも小径の第２のバンプ２２とを備えている。下地層１８を形成しない場合、第１および第２のバンプ２０，２２は第１および第２の導体パッド１４ａ，１４ｂ上に直接形成することができる。第１のバンプ２０は電源もしくはグランド線との接続に用いることができる。第１のバンプ２０よりも径の小さい第２のバンプ２２は信号線との接続に用いることができる。

【0013】

第１のバンプ２０は、第１の開口１６ａ内に形成された第１のベースめっき層２４と、第１のベースめっき層２４上に第１の中間層２６－１を介して形成された第１のトップめっき層２８とを有する。

【0014】

第１のベースめっき層２４は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第１のベースめっき層２４はソルダーレジスト層１６の表面（基部絶縁層１２とは反対側の面）を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第１のバンプ２０が第１の開口１６ａ内に安定して保持される。ソルダーレジスト層１６の表面からの第１のベースめっき層２４の厚みＢ１は３μｍ～２０μｍの範囲内とすることが好ましい。第１のベースめっき層２４は上面中央部分に第１の窪み２４ａを有する。すなわち、第１のベースめっき層２４の上面中央部分は上面外周部分よりも低い位置に形成されている。第１の窪み２４ａの深さＤ１、つまり第１のベースめっき層２４の上面外周部分の最高位置から窪みの底位置までの距離は２０μｍ以下である。第１の窪み２４ａの深さＤ１を小さくすることで、第１のベースめっき層２４上に、第１の中間層２６－１を介在して、第１のトップめっき層２８を形成する際に、第１の窪み２４ａ内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第１のトップめっき層２８へのボイドの発生は低減される。第１の窪み２４ａの深さＤ１は好ましくは１５μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下である。

【0015】

第１の中間層２６－１は、好ましくはニッケルを主成分とする金属から形成されている。第１の中間層２６－１の厚みは７μｍ以下とすることが好ましい。本発明で重要なのは、第１の中間層２６－１の上面が光沢を有している点である。これにより、第１のトップめっき層２８へのボイドの発生は低減される。本発明において、第１の中間層２６－１の上面の「光沢」とは、第１の中間層２６－１の上面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ～０．５μｍの範囲として定義する。算術平均粗さＲａの下限を０．０５μｍとするのは、現状の製造技術ではＲａが０．０５μｍ未満の表面粗さを達成できないためである。算術平均粗さＲａの上限を０．５μｍとするのは、Ｒａが０．５μｍを超えると第１のトップめっき層２８へのボイドの発生を十分に低減できないためである。Ｒａが０．５μｍを超えた場合は「無光沢」として定義される。

【0016】

第１のトップめっき層２８は、第１のベースめっき層２４よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図１に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１のトップめっき層２８の厚み（第１のバンプ２０の外周面において第１のトップめっき層２８の下端から第１のトップめっき層の頂部までの垂直方向の距離）Ａ１は５μｍ～４５μｍの範囲とすることが好ましい。第１のトップめっき層２８の厚みＡ１をこの範囲とすることで、第１のバンプ２０と、プリント配線板１０に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド（図示せず）との間で良好な接続信頼性が得られる。

【0017】

第２のバンプ２２は、第２の開口１６ｂ内に形成された第２のベースめっき層３０と、第２のベースめっき層３０上に第２の中間層２６－２を介して形成された第２のトップめっき層３２とを有する。

【0018】

第２のベースめっき層３０は、導電性金属、好ましくは銅を主成分とする金属から形成されている。第２のベースめっき層３０はソルダーレジスト層１６の表面（基部絶縁層１２とは反対側の面）を超える高さまで形成することが好ましい。これにより第２のバンプ２２が第２の開口１６ｂ内に安定して保持される。ソルダーレジスト層１６の表面からの第２のベースめっき層３０の厚みＢ２は３μｍ～２０μｍの範囲内とすることが好ましい。第２のベースめっき層３０は上面中央部分に第２の窪み３０ａを有する。すなわち、第２のベースめっき層３０の上面中央部分は上面外周部分よりも低い位置に形成されている。第２の窪み３０ａの深さＤ２、つまり第２のベースめっき層３０の上面外周部分の最高位置から第２の窪み３０ａの底位置までの距離は第１の窪み２４ａの深さＤ１よりも小さい。第１のバンプ２０よりも小径の第２のバンプ２２において、第２の窪み３０ａの深さＤ２を第１の窪み２４ａの深さＤ１よりも小さくすることで、第２のベースめっき層３０上に、場合によって中間層２６を介在して、第２のトップめっき層３２を形成する際に、第２の窪み３０ａ内へのガス溜まりは抑制される。これにより、第２のトップめっき層３２へのボイドの発生は低減される。

【0019】

第２の中間層２６－２は、好ましくはニッケルを主成分とする金属から形成されている。第２の中間層２６－２の厚みは７μｍ以下とすることが好ましい。本発明で重要なのは、第２の中間層２６－２の上面が光沢を有している点である。これにより、第２のトップめっき層３２へのボイドの発生は低減される。

【0020】

第２のトップめっき層３２は、第２のベースめっき層３０よりも融点が低くリフロー処理により溶融して図１に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第２のトップめっき層３２の厚み（第２のバンプ２２の外周面において第２のトップめっき層３２の下端から第２のトップめっき層３２の頂部までの垂直方向の距離）Ａ２は５μｍ～４５μｍの範囲とすることが好ましい。第２のトップめっき層３２の厚みＡ２をこの範囲とすることで、第２のバンプ２２と、プリント配線板１０に実装される半導体チップやメモリなど電子部品の接続パッド（図示せず）との間で良好な接続信頼性が得られる。

【0021】

図２には、図１に示されたプリント配線板１０の変形例が示されている。図１を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。この変形例に係るプリント配線板１０では、第２のバンプ２２の第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面が平坦に形成されている。その他の構成は、図１のプリント配線板１０と同じである。なお、「平坦」とは第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面がプリント配線板１０の主表面とほぼ平行になることを意味し、めっき処理により発生し得る微小な凹凸は存在していてもよい。第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面を平坦にすることで、第２のバンプ２２におけるボイド発生率は、上面中央部分に第２の窪み３０ａを有する、図１に示した第２のバンプ２２と比べて低減される。また、第１の中間層２６－１および第２の中間層２６－２のそれぞれの上面は光沢を有しているため、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３２中のボイドの発生はさらに低減される。

【0022】

図３には、図１に示されたプリント配線板１０の変形例が示されている。図１を参照して説明した要素または部分と同様の要素または部分には同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。この変形例に係るプリント配線板１０では、第２のバンプ２２の第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面中央部分には隆起部３０ｂが形成されている。つまり、第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面中央部分は上面外周部分よりも高い位置にある。その他の構成は、図１のプリント配線板１０と同じである。第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面中央部分に隆起部３０ｂを形成することで、第２のバンプ２２におけるボイド発生率は、上面が平坦もしくは上面中央部分に第２の窪み３０ａを有する、図１および図２に示した第２のバンプ２２と比べて低減される。また、第１の中間層２６－１および第２の中間層２６－２のそれぞれの上面は光沢を有しているため、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３２中のボイドの発生はさらに低減される。

【0023】

以下、図１に示すプリント配線板１０の製造方法を、図４Ａ～図４Ｈを参照して説明する。なお、図２～３に示す変形例のプリント配線板１０も同様の製造方法で製造される。

【0024】

図４Ａには、公知の方法を用いて、基部絶縁層１２上に所定の回路パターンを有する導体層１４およびソルダーレジスト層１６が形成された中間体が示されている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に形成されている場合が多いが、図では省略されている。複数の導体層および樹脂絶縁層はコア基板上もしくは後に除去可能な支持板上で積層することができる。しかし、プリント配線板１０は、基部絶縁層１２としての１層の樹脂絶縁層と１層の導体層１４とからなるものでもよく、この場合この樹脂絶縁層が基部絶縁層１２に相当する。基部絶縁層１２には、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルムを用いることができる。ソルダーレジスト層１６には、例えば炭酸ガスレーザまたはＵＶ－ＹＡＧレーザ等により、導体層１４の一部を第１の導体パッド１４ａとして露出させる第１の開口１６ａと導体層１４の他の一部を第２の導体パッド１４ｂとして露出させる第２の開口１６ｂが形成される。第１の開口１６ａのアスペクト比は０．５以下とし、第２の開口１６ｂのアスペクト比は０．６以上とするのが好ましい。第１および第２の導体パッド１４ａ，１４ｂ上には、めっきにより例えばニッケル層、パラジウム層、金層がこの順に積層されて下地層１８が形成される。下地層１８は形成しなくてもよい。

【0025】

図４Ｂに示されるように、例えば、無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、中間体の表面（ソルダーレジスト層１６の表面および第１および第２の開口１６ａ，１６ｂの側面）上と、下地層１８上（下地層１８が形成されない場合には導体パッド１４ａ，１４ｂ上）にシード層３４が形成される。

【0026】

図４Ｃに示されるように、シード層３４上に、第１および第２のバンプ２０，２２（図１）の形成予定部位に開口３６ａを有する所定パターンのめっきレジスト３６が形成される。

【0027】

図４Ｄに示されるように、電解めっき処理が行われ、シード層３４上の、めっきレジスト３６から露出する部分に、例えば銅を主成分とする第１のベースめっき層２４および第２のベースめっき層３０が形成される。このとき、図１～図３に示したプリント配線板１０を製造する場合には、上面中央部分に深さ２０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下の第１の窪み２４ａが形成されるように、第１のベースめっき層２４のめっき厚を調整する。また、図１に示したプリント配線板１０を製造する場合には、上面中央部分に第１の窪み２４ａよりも浅い第２の窪み３０ａが形成されるように、第２のベースめっき層３０のめっき厚を調整する。図２に示したプリント配線板１０を製造する場合には、第２のベースめっき層３０の上面が平坦となるように、第２のベースめっき層３０の厚みを調整する。図３に示したプリント配線板１０を製造する場合には、第２のベースめっき層３０の上面中央部分に隆起部３０ｂが形成されるように、第２のベースめっき層３０のめっき厚を調整する。

【0028】

また、第１および第２のベースめっき層２４，３０を形成する際には、ソルダーレジスト層１６の表面からの第１のベースめっき層２４の厚みおよび第２のベースめっき層３０の厚みが３μｍ～２０μｍの範囲内となるよう、第１および第２のベースめっき層２４，３０のめっき厚を調整するのが好ましい。

【0029】

図４Ｅに示されるように、例えば電解めっき処理が行われ、第１および第２のベースめっき層２４，３０上に例えばニッケルを主成分とする第１の中間層２６－１および第２の中間層２６－２が形成される。第１の中間層２６－１および第２の中間層２６－２の厚みは好ましくは７μｍ以下とする。このとき、第１の中間層２６－１の上面および第２の中間層２６－２の上面が光沢を有するよう構成する。上面が光沢を有するようにするためには、例えば、めっき液中に光沢剤を添加して電解めっきを行う方法など、従来から公知の方法をとることができる。

【0030】

図４Ｆに示されるように、電解めっき処理が行われ、第１および第２のベースめっき層２４，３０上に第１および第２の中間層２６－１，２６－２を介在して第１および第２のトップめっき層２８，３２が形成される。第１および第２のトップめっき層２８，３２は、第１および第２のベースめっき層２４，３０よりも融点が低くリフロー処理により溶融して略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。第１および第２のトップめっき層２８，３２の厚みは５μｍ～４５μｍの範囲とすることが好ましい。

【0031】

第１のベースめっき層２４および第１の中間層２６－１の上面が平坦に形成されるか、あるいは上面中央部分に深さＤ１が２０μｍ以下の第１の窪み２４ａが形成されていることにより、第１のトップめっき層２８を形成する際に、第１の窪み２４ａ内へのガス溜まりは抑制される。また、第１の中間層２６－１の上面が光沢を有する。これにより、第１のトップめっき層２８へのボイドの発生は低減される。また、第２のベースめっき層３０および第２の中間層２６－２の上面が平坦に形成されるか、上面中央部分に第１の窪み２４ａよりも浅い第２の窪み３０ａが形成されるか、あるいは上面中央部分に隆起部３０ｂが形成されていることにより、第２のトップめっき層３２を形成する際に、第２のベースめっき層３０近傍でのガス溜まりは抑制される。また、第２の中間層２６－２の上面が光沢を有する。これにより、第２のトップめっき層３２へのボイドの発生は低減される。

【0032】

図４Ｇに示されるように、めっきレジスト３６が剥離される。また、めっきレジスト３６の除去により露出したシード層３４の部分がエッチングにより除去される。

【0033】

図４Ｈに示されるように、リフロー処理が行われ、第１のトップめっき層２８および第２のトップめっき層３２が略半球状に整形される。リフロー処理により、第１および第２の導体パッド１４ａ，１４ｂに近い側から銅層、銅／ニッケル合金層、ニッケル層、ニッケル／スズ合金層、スズ層からなる第１のバンプ２０および第２のバンプ２２が形成される。

【実施例】

【0034】

図４Ａ～図４Ｈに従って、図１に示す構成のプリント配線板を作製した。この際、第１の中間層および第２の中間層の上面の算術表面粗さＲａを変化させて、第１の中間層および第２の中間層の上面に光沢を有する実施例のプリント配線板と、第１の中間層および第２の中間層とも無光沢である比較例のプリント配線板とを準備した。

【0035】

電解めっき液としては、例えば、ワット浴を用い、そこに添加する光沢剤、例えば、サッカリン、ナフタレンジスルホン酸ナトリウム等の硫黄を含む１次光沢剤、及び、ブチンジオール、プロパルギルアルコール、クマリン等の２次光沢剤の添加量を変化させて、第１の中間層および第２の中間層の上面のＲａを変化させた。他の構成については、実施例および比較例とも同じ構成とした。得られた実施例および比較例のプリント配線板について、Ｘ線ＣＴスキャンの方法で、第１のトップめっき層および第２のトップめっき層のボイドの数を測定した。結果を以下の表１に示す。

【0036】

【表1】

【0037】

表１の結果から、第１の中間層および第２の中間層の上面を光沢とした例（実施例）は、第１の中間層および第２の中間層の上面をいずれも無光沢とした例（比較例）と比べて、第１のトップめっき層および第１のトップめっき層中のボイドが低減されていることがわかった。

【符号の説明】

【0038】

１０ プリント配線板
１２ 基部絶縁層
１４ 導体層
１４ａ 第１の導体パッド
１４ｂ 第２の導体パッド
１６ ソルダーレジスト層
１６ａ 第１の開口
１６ｂ 第２の開口
１８ 下地層
２０ 第１のバンプ
２２ 第２のバンプ
２４ 第１のベースめっき層
２４ａ 第１の窪み
２６－１ 第１の中間層
２６－２ 第２の中間層
２８ 第１のトップめっき層
３０ 第２のベースめっき層
３０ａ 第２の窪み
３０ｂ 隆起部
３２ 第２のトップめっき層
３４ シード層
３６ めっきレジスト
Ｖ ボイド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図5】