特許 7258915 半導体ウエハの洗浄に用いられる方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-07

(45)【発行日】2023-04-17

(54)【発明の名称】半導体ウエハの洗浄に用いられる方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230410BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643D

H01L21/304 643A

H01L21/304 648H

H01L21/304 651B

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2020560308

(86)(22)【出願日】2018-04-27

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2021-08-30

(86)【国際出願番号】 CN2018084752

(87)【国際公開番号】W WO2019205074

(87)【国際公開日】2019-10-31

【審査請求日】2020-12-21

(73)【特許権者】

【識別番号】510005650

【氏名又は名称】エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チェン，フーピン

(72)【発明者】

【氏名】ジャン，シアオイェン

(72)【発明者】

【氏名】ワン，フゥイ

【審査官】安田 雅彦

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／０９６５５３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００１－０８７７２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０５８６６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２１２６９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０４６２５９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ０８Ｂ ３／００ －３／１４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

工程中のウエハを回転させることと、
回転する前記工程中のウエハの表面に機能水を供給し、回転する前記工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成することであって、前記機能水は、パーティクルのζ電位の絶対値を増加させるものを含むことと、
音波装置により、前記工程中のウエハの前記表面を第１時間の間洗浄することであって、前記工程中のウエハが前記第１時間において１０ｒｐｍ～５０ｒｐｍの速度で回転することと、
前記音波装置の上昇及び／又は回転する前記工程中のウエハの回転速度の引き上げによって、前記流動する機能水膜から前記音波装置を分離させることと、
前記音波装置を前記機能水膜から分離させた後、回転する前記工程中のウエハの前記表面に、前記機能水を第２時間の間供給することであって、前記工程中のウエハが前記第２時間において３００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍの速度で回転することと、
前記工程中のウエハの前記表面を乾燥させることと
を含む、工程中のウエハの洗浄に用いられる方法。

【請求項2】

回転する前記工程中のウエハの前記回転速度の引き上げは、回転する前記工程中のウエハの前記回転速度を、５０ｒｐｍ未満から、３００ｒｐｍを超える値まで上げることを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記機能水は、ＦＷＮ_２、ＦＷＨ_２、ＦＷＯ_２、オゾン化脱イオン水（ＤＩＯ_３）、ＦＯＭ、ＳＣ１、ＤＳＰ及びＴＭＡＨのうちの少なくとも一種をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記第１時間は２０秒より長く、前記第２時間は２秒より長い、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記第１時間は３０秒より長く、前記第２時間は４秒より長い、請求項４に記載の方法。

【請求項6】

前記工程中のウエハの前記表面を乾燥させることは、
第２速度で前記工程中のウエハを回転させる際に、前記工程中のウエハの前記表面に非反応性ガスを吹き付けることを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記非反応性ガスは、Ｎ_２、イソプロパノール（ＩＰＡ）及び不活性ガスのうちの少なくとも一種を含み、前記第２速度は１，０００ｒｐｍより大きい、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記音波装置は、１０Ｗ～１００Ｗの電力で操作するように配置されており、前記音波装置は共振器を含み、前記共振器は、自身と、回転する前記工程中のウエハの前記表面との間に、隙間を形成する、請求項１に記載の方法。

【請求項9】

前記音波装置は、２０Ｗ～５０Ｗの電力で操作するように配置されており、前記隙間は可変である、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

前記機能水は、前記第１時間及び前記第２時間の間、１ ｌｐｍ～３ ｌｐｍの流速で供給される、請求項１に記載の方法。

【請求項11】

前記機能水は、前記第１時間及び前記第２時間の間、１．２ ｌｐｍ～２ ｌｐｍの流速で供給される、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

回転する前記工程中のウエハは、前記第１時間の間２５ｒｐｍ～３５ｒｐｍの前記第１速度で回転し、回転する前記工程中のウエハは、前記第２時間の間５００ｒｐｍ～７００ｒｐｍの前記第３速度で回転する、請求項１に記載の方法。

【請求項13】

さらに、
回転する前記工程中のウエハの前記表面に前記機能水を供給する前に、回転する前記工程中のウエハの前記表面に脱イオン水を第３時間の間供給することと、
回転する前記工程中のウエハの前記表面に前記脱イオン水を前記第２時間の後の第４時間の間供給することと
を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項14】

前記第３時間は４秒より長く、前記第４時間は１０秒より長い、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

さらに、
空気を０．２ｍ／ｓ～０．８ｍ／ｓの速度で供給することと、
チャンバ排気圧力（ＥＸＨ）が７０ｐａ～４００ｐａに設定されるように空気を排出することと
を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項16】

さらに、
回転する前記工程中のウエハの前記表面に、脱イオン水を第３時間の間供給することと、
前記機能水を供給する前に、回転する前記工程中のウエハの前記表面に、希フッ化水素酸（ＤＨＦ）を第５時間の間供給して、回転する前記工程中のウエハの前記表面の酸化物をエッチングすることと、
前記音波装置を使用する前に、回転する前記工程中のウエハの前記表面に、前記機能水を別一つの第３時間の間供給することと
を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項17】

さらに、
回転する前記工程中のウエハの前記表面に、脱イオン水を第３時間の間供給することと、
前記機能水を供給する前に、回転する前記工程中のウエハの前記表面に、希フッ化水素酸（ＤＨＦ）を第５時間の間供給して、回転する前記工程中のウエハの前記表面の酸化物をエッチングすることと、
回転する前記工程中のウエハの前記表面に、ＤＩＯ_３を第６時間の間供給して、回転する前記工程中のウエハの前記表面を漱ぐことと、
前記音波装置を使用する前に、回転する前記工程中のウエハの前記表面に、前記機能水を別一つの第３時間の間供給することと
を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項18】

工程中のウエハを保持するチャック盤と、
前記チャック盤を回転させるように操作可能な回転装置と、
前記工程中のウエハの表面を洗浄するように操作可能な音波装置と、
脱イオン水、機能水及び乾燥ガスのうちの少なくとも一種を、前記工程中のウエハの前記表面に供給するように操作可能な少なくとも１つの流体供給装置と、
前記チャック盤、前記回転装置、前記音波装置及び前記少なくとも１つの流体供給装置を制御して、請求項１～１７のいずれか一項に記載の方法を実行するように操作可能な制御装置と
を含む、洗浄装置。

【請求項19】

洗浄装置に、請求項１～１７のいずれか一項に記載の方法を実行させるための指令を含む、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は全体として、半導体素子の製造に関し、さらに具体的には半導体ウエハの洗浄に用いられる方法及び装置に関する。

【背景技術】

【0002】

集積回路の製造プロセスは通常、基板工程（ＦＥＯＬ）と配線工程（ＢＥＯＬ）に分けることができる。ＦＥＯＬ工程では主に、集積回路を構成するさまざまな素子の製造を行い、一方ＢＥＯＬ工程では主に、相互接続する金属配線を集積回路のさまざまな素子の間に形成する。ＦＥＯＬ工程では通常、浅溝の隔離構造及びゲート又はメモリの積層が形成される。こうした構造は、サイズの小型化、及び構造を形成する材料の種類により、脆弱になる。ＢＥＯＬ工程においても、例えば低誘電率電介質材料又はポリシリコンの相互接続線におけるデュアルダマシンエッチング開口といった、脆弱な構造が存在する可能性がある。通常、ＢＥＯＬ処理は、１つ又は複数の化学機械平坦化（ＣＭＰ）工程ステップを含むが、このステップ自体、汚染されやすい工程である。

【0003】

ここ数年、半導体製造工程で採用されるフォトレジストの洗浄又は剥離のステップ数は、大幅に増加してきた。数量増加には、増え続けるイオン注入ステップ数が大きく寄与している。現在の高電流又は高エネルギーの注入（例えばプラズマ）は、操作が最も過酷である。その理由は、高度なウエハ洗浄度が求められるとともに、基板／結合若しくは酸化物を基本的に損失することなく、レジスト突起、表面残留物及び金属汚染を最少化又は除去することが求められるためである。同様に、半導体製造工程は、典型的には、１つ又は複数のＣＭＰ工程を含み、該工程では通常、研磨スラリー及び回転パッド／ブラシを用いて表面を平面化する。素子のサイズのさらなる小型化に伴い、半導体製造プロセスにおける欠陥を最少化することは、全体的な成功にとって非常に重要である。しかしながら、半導体素子及びＣＭＰパッド／ブラシは常に、パーティクルで汚染されがちであり、これらのパーティクルは、素子の効率的な製造を成功させるために、除去する必要がある。

【0004】

半導体素子の製造期間中は、通常、非常に高いレベルの洗浄度が要求されるので、後続処理の前に、通常は、基板表面から不純物又はパーティクルを除去するために、複数の洗浄ステップが必要とされる。典型的な表面準備プロセスには、エッチング、洗浄、漱ぎ及び乾燥ステップを含むことができる。典型的な洗浄ステップの間、基板を、過酸化水素及び水酸化アンモニウム及び／又は塩酸、及び／又は硫酸及び／又はフッ化水素酸の混合物の洗浄溶液に曝すことができる。洗浄後、超純水を用いて基板を漱ぎ、その後、複数の既知の乾燥工程のうちの１種で乾燥を行う。状況によって、洗浄溶液は、音響的洗浄方法、例えば超音波、メガソニック等と組み合わせることができる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

よって、不要なパーティクル又は残留物を除去することが可能であるが、装置の性能を不利に低下又は変化させることのない方法及び装置が、望まれている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書は、半導体ウエハの洗浄に用いられる工程及び装置を開示する。
第１の態様において、工程中のウエハを洗浄するための方法が提供される。該方法は、工程中のウエハを回転させ、回転する工程中のウエハの表面に機能水（ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｗａｔｅｒ）を供給し、回転する工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成し、音波装置により、回転する工程中のウエハの表面を第１時間の間洗浄し、音波装置の上昇及び／又は回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げによって、流動する機能水膜から音波装置を分離させ、音波装置を機能水膜から分離させた後、回転するウエハの表面に機能水を第２時間の間供給し、ウエハの表面を乾燥させること、を含む。

【0007】

第２の態様において、洗浄装置が提供される。該洗浄装置は、工程中のウエハを保持するチャック盤と、チャック盤を回転させるように操作可能な回転装置と、工程中のウエハの表面を洗浄するように操作可能な音波装置と、脱イオン水、機能水及び乾燥ガスのうちの少なくとも一種を工程中のウエハの表面に供給するように操作可能な少なくとも１つの流体供給装置と、前記チャック盤、前記回転装置、前記音波装置及び前記少なくとも１つの流体を制御して、洗浄方法を実行するように操作可能な制御装置とを含む。該方法は、工程中のウエハを回転させ、回転する工程中のウエハの表面に機能水を供給し、回転する工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成し、音波装置により、回転するウエハの表面を第１時間の間洗浄し、音波装置の上昇及び／又は回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げにより、流動する機能水膜から音波装置を分離させ、音波装置を機能水膜から分離させた後、回転するウエハの表面に機能水を第２時間の間供給し、ウエハの表面を乾燥させること、を含む。

【0008】

第３の態様において、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体が提供される。該コンピュータが読み取り可能な記憶媒体は、洗浄装置に洗浄方法を実行させるための指令を含む。該方法は、工程中のウエハを回転させ、回転する工程中のウエハの表面に機能水を供給し、回転する工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成し、音波装置により、回転するウエハの表面を第１時間の間洗浄し、音波装置の上昇及び／又は回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げにより、流動する機能水膜から音波装置を分離させ、音波装置を機能水膜から分離させた後、回転するウエハの表面に機能水を第２時間の間供給し、ウエハの表面を乾燥させること、を含む。

【0009】

理解すべき点として、この概要は、本明細書に記載された主題の実現のための重要又は基本的特徴を識別することは意図しておらず、また、本明細書に記載された主題の範囲を制限することも意図していない。以下の説明により、本明細書に記載された主題の他の特徴は容易に理解されることとなる。

【0010】

本明細書と図面を結び付けて説明する主題において、例示的実施形態をより詳細に説明することで、本明細書が説明する主題の上述の、及びその他の目的、特徴、利点をさらに明らかにする。ここで、主題の例示的実施形態において説明する内容において、同一の図面符号は基本的に同一の部材を示す。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本開示の１つの実施形態による例示的な洗浄装置を示す図である。

【図2】本開示の１つの実施形態による例示的洗浄工程を示す図である。

【図3】本開示の１つの実施形態による例示的洗浄工程を示す図である。

【図4】本開示の１つの実施形態による例示的洗浄工程を示す図である。

【図5】本開示の１つの実施形態による例示的洗浄工程を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、複数の実施形態を参照しつつ、本明細書に記載された主題について論じる。これらの実施形態について論じるのは、本明細書に記載された主題を、当業者がより適切に理解することで実現できるようにするためであって、本明細に記載された主題の範囲を何ら制限するものではない。この点、理解されるべきである。

【0013】

本明細書で使用される用語「含む」及びその変形は、「…を含むが、これらに限定されない」という開放的な意味を指すと理解されるべきである。用語「…に基づいて」は、「少なくとも部分的に基づく」と解釈されるべきである。用語「実施形態」又は「１つの実施形態」は、「少なくとも１つの実施形態」と解釈されるべきである。用語「他の実施形態」は、「少なくとも１つの他の実施形態」と解釈されるべきである。用語「機能水」とは、例えば水素、酸素、窒素又はオゾン等の特定のガスを水中に溶解させた、少量の化学品（例えばアンモニア）を含む溶液を指すことができる。機能水は、半導体ウエハの洗浄に用いることができる。機能水の例示には、ＦＷＨ_２、ＦＷＮ_２、ＦＷＯ_２、ＤＩＯ３、ＦＯＭ、ＳＣ１、ＤＳＰ及びＴＭＡＨのうちの少なくとも１つを含むことができ、ＦＷＨ_２、ＦＷＮ_２、ＦＷＯ_２はそれぞれ、Ｈ_２、Ｎ_２及びＯ_２を溶解させた溶液を指すことができる。例えば、ＦＷＯ_２は、機能水＋Ｏ_２を指す。本開示において、ＤＩＯ_３はオゾン化脱イオン水を指し、ＦＯＭはオゾン化脱イオン水＋フッ化水素酸（ＨＦ）を指し、ＳＣ１は基準洗浄化学品１－－－水酸化アンモニウム及び過酸化水素の混合物を指し、ＤＳＰは希釈した硫酸過酸化物を指し、ＴＭＡＨは、水酸化テトラメチルアンモニウムを指す。以下の説明では、その他の定義も、明確及び暗黙のものとして含むことができる。

【0014】

以下の文中において、いくつかの値又は数値の範囲が記載されている。理解すべき点として、これらの値及び値の範囲は、説明のために用いられるだけで、本明細書に記載された主題の構想を実現する際に、役立つものである。しかしながら、これらの例示的説明は、何らかの方法で本明細書の主題の範囲を制限することを、意図するものではない。値又は取得値の範囲は、具体的な応用の場面及び必要に応じて、別に設定することができる。

【0015】

また、以下の文中において、いくつかの具体的材料が記載されている。理解すべき点として、これらの材料は説明するために用いられるだけで、本明細書に記載された主題の構想を実現する際に、役立つものである。しかしながら、これらの例示的説明は、本明細書の主題の範囲を、何らかの方法で制限することを意図するものではない。具体的な応用の場面及び必要に応じて、他の材料を選択することができる。

【0016】

上述したように、半導体ウエハに各種処理、例えばＣＭＰ、溝エッチング、フォトリソグラフィ処理等を行うことで、半導体ウエハ表面に各種汚染物が生じる。したがって、ＦＥＯＬ及びＢＥＯＬ処理プロセスにおいて、半導体ウエハを大量に洗浄する必要がある。

【0017】

図１は、本開示の実施形態による例示的洗浄装置１０を示す。洗浄装置１０は、本明細書の工程を実施するために用いることができる。洗浄装置１０は、チャック盤１６と、回転装置１４と、流体供給装置１８と、モーター２２と、アーム２３及び送りねじ（ｌｅａｄｉｎｇ ｓｃｒｅｗ）２４を介してモーター２２にカップリングされた音波装置１５と、制御装置１２とを含む。チャック盤１６は、工程中のウエハ１１を保持するように操作可能である。回転装置１４は、チャック盤１６にカップリングされるモーターであってよく、チャック盤１６を回転させるように操作することができ、これに応じて、工程中のウエハ１１を回転させることができる。制御装置１２は、例えばコンピュータのようなコンピュータ装置であってよく、指令を実行するプロセッサ、指令を記憶するメモリ等を有する。例えば、回転数は制御装置１２によって制御することができ、１ｒｐｍから３，０００ｒｐｍまで変化する。

【0018】

制御装置１２が流体供給装置１８を制御することで、流体供給装置１８は、少なくとも１つのノズル１９によって、脱イオン水、機能水及び乾燥ガスのうち少なくとも一種を、工程中のウエハ１１の表面に供給することができる。いくつかの実施形態において、少なくとも１つのノズル１９は、脱イオン水、機能水及び乾燥ガスをそれぞれ供給する複数のノズルを含むことができる。選択的に、他のいくつかの実施形態において、少なくとも１つのノズル１９は、脱イオン水、機能水及び乾燥ガスを順に供給する１つのノズルを含んでもよい。流体供給装置１８が、工程中のウエハ１１の表面中心に液体を散布した場合、工程中のウエハ１１の表面に流動液体膜１３を形成することができる。液体散布に伴い、液体は工程中のウエハ１１の中心から外周に向かって流れ、その後、外周から飛び散る。

【0019】

音波装置１５は、共振器１７と音響的にカップリングする圧電トランスデューサー２１を含む。トランスデューサー２１が電気的に励起されて振動し、且つ共振器１７が高周波音エネルギーを、流動する液体膜１３中に伝送する。制御装置１２は、モーターを制御して、送りねじ２４の上方向又は下方向に沿って音波装置１５を移動させる。制御装置１２はさらに、トランスデューサー２１及び共振器１７を制御して、音波又は超音波を供給させる。音波装置１５は、制御装置１２の制御に基づき、上下に移動して、共振器１７と工程中のウエハ１１の上面との間に隙間を形成するように操作することができる。洗浄中、隙間には、脱イオン水、機能水及び乾燥ガスのうちの１つを充填することができる。この隙間は、より良い洗浄効果を奏するように変化させることができる。隙間の設定についての詳細は、ＷＯ２０１００６６０８１Ａ１に見出すことができる。その内容は全体的に、全ての目的のために本明細書に参照として組み込まれる。また、音波装置１５は、制御装置１２の制御に基づき、各種電力で操作可能である。音波装置１５の配置は例示的な実施方式に過ぎず、本発明の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。音波装置は、その他任意の適切な方式でも実現が可能である。

【0020】

例えば、例示的な洗浄装置１０は、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）及び排気ユニット（図示せず）を有するウルトラクリーンチャンバに設置可能である。ＦＦＵ及び排気ユニットは、制御装置１２により制御してよく、又は独立して制御してもよい。チャンバの洗浄度の要求に応じて、ＦＦＵは、０．１ｍ／ｓ～２ｍ／ｓの速度で、好ましくは０．２ｍ／ｓ～０．８ｍ／ｓの速度で空気を供給するように操作することができる。チャンバの洗浄度の要求に応じて、排気ユニットは、空気を排出してチャンバの排気圧力（ＥＸＨ）が１Ｐａ～１，０００Ｐａ、好ましくは７０Ｐａ～４００Ｐａに設定されるように操作することができる。

【0021】

図２は、本開示による実施形態の例示的洗浄工程１００を示す。ブロック１０２において、制御装置１２は工程中のウエハ１１を回転させる。ある例示では、工程中のウエハ１１は６００ｒｐｍの速度で回転させることができる。

【0022】

ブロック１０４において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１の表面に機能水を供給させ、回転する工程中のウエハ１１上に、流動する機能水膜を生成させる。例えば、機能水は、Ｎ_２を水中に溶解した、少量の化学品（例えばアンモニア）を含む溶液であってよい。例えば、１２インチのウエハでは、機能水の流速は、１ ｌｐｍ～３ ｌｐｍであってよく、好ましくは１．２ ｌｐｍ～２ ｌｐｍであり、より好ましくは１．８ ｌｐｍである。例えば、８インチのウエハでは、機能水の流速は、０．５ ｌｐｍ～２ ｌｐｍであってよく、好ましくは１ ｌｐｍ～１．５ ｌｐｍであり、より好ましくは１．２ ｌｐｍである。機能水は、ＦＷＮ_２、ＦＷＨ_２、ＦＷＯ_２、オゾン化脱イオン水（ＤＩＯ_３）、ＦＯＭ、ＳＣ１、ＤＳＰ及びＴＭＡＨのうちの少なくとも一種を含む。回転数は、６００回転／分（ｒｐｍ）から５０ｒｐｍ以下まで下げることができる。上述の範囲及び機能水は、例示的な実施方式に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。その他任意の適切な方式でも実現が可能である。

【0023】

ブロック１０６において、制御装置１２が音波装置１５の共振器１７を下げさせることで、流動する機能水の膜中に共振器１７が浸漬し、共振器１７と、回転する工程中のウエハ１１との間に隙間が形成される。制御装置１２はさらに、音波装置１５から、機能水膜上に音波又は超音波を第１時間の間付加させて、工程中のウエハ１１を洗浄させる。したがって、工程中のウエハ１１の表面を漱ぐことができ、パーティクルを工程中のウエハ１１の表面から分離させることができる。パーティクルが工程中のウエハ１１の表面から離れ、且つ機能水が混入すると、流動する機能水によって、回転する工程中のウエハ１１からパーティクルを洗い流すことができる。

【0024】

第１時間の間、回転数は、１０ｒｐｍ～５０ｒｐｍであってよく、好ましくは２５ｒｐｍ～３５ｒｐｍである。ある例示において、音波装置は、１０Ｗ～１００Ｗの電力で操作するように配置され、好ましくは２０Ｗ～５０Ｗで操作される。例えば、１２インチのウエハでは、音波装置は、２０Ｗ～５０Ｗの電力で運転するように配置される。例えば、８インチのウエハでは、音波装置は、１０Ｗ～３０Ｗの電力で運転するように配置される。ある例では、第１時間は２０秒より長く、好ましくは３０秒より長い。上述の範囲は、例示的な実現形態に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。その他任意の適切な方式でも実現が可能である。流動する機能水膜に音波／超音波を付加することで、工程中のウエハ１１の表面に付着したパーティクルを、工程中のウエハ１１の表面から分離させることができる。

【0025】

ブロック１０８において、制御装置１２は音波装置１５を上昇させて、流動する機能水膜から共振器１７を分離させる。選択的に、回転速度を上げて、工程中のウエハ１１の表面の機能水流を、さらに速く流動させて、流動する機能水膜を薄くして共振器１７と分離させてもよい。ある例示では、回転速度は、５０ｒｐｍ未満から、３００ｒｐｍを超える値まで上げることができる。ある例示では、音波装置１５の上昇及び回転速度の引き上げの両方によって、流動する機能水膜から共振器１７を分離させることができる。上述の範囲は、例示的な実現形態に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。その他任意の適切な方式でも実現が可能である。

【0026】

ブロック１１０において、制御装置１２は、流体供給装置１８から機能水を第２時間の間引き続き供給させる。第２時間の間、回転数は、３００ｒｐｍ～１，０００ｒｐｍであってよく、好ましくは５００ｒｐｍ～７００ｒｐｍである。ある例では、第２時間は２秒より長く、好ましくは４秒より長い。上述の範囲は、例示的な実現形態に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。その他任意の適切な方式でも実現が可能である。例えば、第２時間は５秒～１５秒とすることができる。機能水を第２時間の間供給し続けることで、機能水中のアンモニアによってパーティクル表面のζ（ｚｅｔａ）電位を増加させることができる。アンモニアは弱電解質なので、機能水のｐＨ値を増加させることができる。ｐＨ値の増加に伴い、ζ電位が増加することで、表面に大きいマイナスζ電位を有するパーティクルが、回転する工程中のウエハ１１の表面に再度付着することを防止し、回転する表面からパーティクルを離すことができる。アンモニアは例示的な実施方式に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。パーティクルのζｚｅｔａ電位を増加させることが可能なその他任意の適切な方式でも、実現が可能である。このようにして、半導体素子の生産量を顕著に増やすことが可能である。なお、回転速度を上げることで、より適切にパーティクルを除去することができる。

【0027】

機能水がＨ_２ガス及びアンモニアを含む状況において、より効率的に表面のパーティクルを除去するために音波又は超音波を付加することは、特に利点を有する。音波又は超音波は、流動する機能水膜１３において、微小な気泡を発生させる可能性がある。また、水素の特殊な物理化学特性により、Ｈ_２ガスも作用する。気泡がはじけ、パーティクルは工程中のウエハ１１の表面から分離するよう促される。さらに、機能水膜１３中に溶解したＨ_２ガスが、より多くのＨラディカルを発生させるが、これは表面不動態化に有利である。したがって、このような状況では、化学酸化物の発生を抑えることができるとともに、表面のパーティクルの除去効率をより高めることができる。また、表面のパーティクルの除去効率が良いため、薬品費及びＤＩＷコストを抑えることができる。

【0028】

ブロック１１２において、制御装置１２は工程中のウエハ１１の表面を乾燥させる。ある例示において、制御装置１２は、流体供給装置１８から非反応性ガスを供給させ、工程中のウエハ１１の表面に吹きつけさせることができる。非反応性ガスはＮ_２、イソプロパノール（ＩＰＡ）、不活性ガスのうちの少なくとも一種を含む。また、制御装置１２は、工程中のウエハ１１の回転速度を、例えば６００ｒｐｍから、１，９００ｒｐｍのような１，０００ｒｐｍより大きい数値まで上げることができる。上述の範囲は、例示的な実現形態に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでないことは、理解されるべきである。その他任意の適切な方式でも実現が可能である。

【0029】

理解すべき点として、ＤＩＷは、工程中のウエハ１１の表面に随時供給することができる。例えば、洗浄工程の開始時、洗浄工程終了時、ＦＷ使用前、ＦＷ使用後又はその他任意の組合せの後に、ＤＩＷを使用することができる。ＤＩＷを使用することで、工程中のウエハ１１の表面をさらに洗浄し、又は何らかの潜在的なＦＷ衝突（ｃｏｎｆｌｉｃｔ）を回避することができる。

【0030】

図３は、本開示の実施形態による例示的洗浄工程２００を示す。洗浄工程２００は、平坦化洗浄、スルーホール洗浄及びパターン洗浄に用いることができる。平坦化洗浄は、ＣＭＰ後洗浄、注入洗浄、エッチング後洗浄、金属化前（ｐｒｅ－ｍｅｔａｌ）洗浄及び金属化後（ｐｏｓｔ－ｍｅｔａｌ）洗浄のうちの少なくとも一種を含む。スルーホール洗浄は、予備洗浄、後洗浄及びエッチング後洗浄のうちの少なくとも一種を含む。パターン洗浄は、予備洗浄、後洗浄及びエッチング後洗浄のうちの少なくとも一種を含む。

【0031】

ブロック２０２において、制御装置１２は、工程中のウエハ１１を回転させ、流体供給装置１８から工程中のウエハ１１の表面に脱イオン水（ＤＩＷ）を供給させる。例えば、工程中のウエハ１１は６００ｒｐｍの速度で回転させることができ、ＤＩＷは１．８ ｌｐｍの流速で、工程中のウエハ１１の表面に１０秒間散布することができる。こうして、工程中のウエハ１１を予め漱いでおくことができる。

【0032】

ブロック２０３において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１の表面に機能水を供給させ、回転する工程中のウエハ１１に、流動する機能水膜を生成させる。

【0033】

ブロック２０４において、制御装置１２は工程中のウエハ１１の回転速度を下げさせ、流体供給装置１８から、工程中のウエハ１１の表面に機能水を少なくとも一秒間供給させる。ある例では、機能水は、Ｎ_２を水中に溶解した、少量の化学品（例えばアンモニア）を含む溶液であってよい。理解すべき点として、洗浄の目的により、他の機能水も使用可能である。機能水は１．８ ｌｐｍの流量で提供してよく、回転数は６００ｒｐｍから１００ｒｐｍまで下げることができる。

【0034】

ブロック２０６において、制御装置１２は音波装置１５を下に移動させることで、流動する機能水により形成された流動する機能水膜中に、共振器１７を浸漬させることができる。これは独立して行うことができ、又は、機能水を工程中のウエハ１１の表面に供給すると同時に、行うことができる。これにより、共振器１７と、工程中のウエハ１１の表面との間に隙間を形成することができ、該隙間には、流動する機能水膜が充填される。したがって、音波又は超音波を、流動する機能水膜に付加して、工程中のウエハ１１の表面を洗浄することができる。また、制御装置１２は、回転装置１４の回転速度を下げる。例えば、回転数は１００ｒｐｍから３０ｒｐｍまで下げることができる。

【0035】

ブロック２０８において、ＷＯ２０１００６６０８１Ａ１に記載されているように、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は音波装置１５を４５Ｗの電力で３０秒間、上下に移動させて、この間に隙間を変化させることができる。また、音波又は超音波の電力は、ウエハを洗浄する間に変更することができる。

【0036】

ブロック２１０において、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は回転装置１４の回転速度を上げ、且つ音波装置１５を少なくとも１秒間、上へ移動させる。ある例では、回転数は３０ｒｐｍから１００ｒｐｍまで上げることができる。このようにして、共振器１７を、流動する機能水膜から分離させることができる。選択的に、回転速度を３０ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げて、共振器１７を上に移動させずに、流動する機能水膜から共振器１７を分離してもよい。ある例示では、音波装置１５を上昇させ且つ回転速度を上げることで、流動する機能水膜から共振器１７を分離させることができる。

【0037】

ブロック２１２において、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は、回転装置１４の回転速度を少なくとも４秒間さらに上げる。機能水はブロック２０３～２１２の間、連続して供給することができることを、理解されたい。共振器１７が既に上に移動した状況で、この間に、回転数を１００ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げることができる。回転数を６００ｒｐｍまで上げた場合、この間に、回転数を６００ｒｐｍより高く、例えば１，０００ｒｐｍまで上げることができる。

【0038】

ブロック２１４において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１に、ＤＩＷを少なくとも１０秒間散布させる。この間に、ＤＩＷは１．８ ｌｐｍの流量で散布される。ブロック２１６において、制御装置１２は工程中のウエハ１１を乾燥させるように回転装置１４の回転速度を上げて、流体供給装置１８から、回転するウエハ１１に５ ｌｐｍの流速でＮ_２を散布させる。工程中のウエハ１１には少なくとも１５秒間、持続して散布する。流速は、３～６ ｌｐｍの間で選択可能である。ある例では、回転数は、６００ｒｐｍから１，９００ｒｐｍまで上げることができる。このようにして、回転するウエハ１１の表面を乾燥させることができる。

【0039】

図４は、本開示の実施形態による例示的洗浄工程３００を示す。洗浄工程３００は、平坦化洗浄、スルーホール洗浄及びパターン洗浄に用いることができる。平坦化洗浄は、ＣＭＰ後洗浄、注入洗浄及びエッチング後洗浄のうちの少なくとも一種を含む。スルーホール洗浄は、予備洗浄、後洗浄及びエッチング後洗浄のうちの少なくとも一種を含む。パターン洗浄は、予備洗浄、後洗浄及びエッチング後洗浄のうちの少なくとも一種を含む。

【0040】

ブロック３０２において、制御装置１２は、工程中のウエハ１１を回転させ、流体供給装置１８から、工程中のウエハ１１の表面に脱イオン水（ＤＩＷ）を供給させる。例えば、工程中のウエハ１１は６００ｒｐｍの速度で回転させることができ、ＤＩＷは１．８ ｌｐｍの流速で、工程中のウエハ１１の表面に１０秒間、散布することができる。こうして、工程中のウエハ１１を予め漱いでおくことができる。

【0041】

ブロック３０４において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転するウエハ１１の表面に、１ ｌｐｍ～３ ｌｐｍの流速で、希釈したフッ化水素酸（ＤＨＦ）を少なくとも４０秒間供給し、回転するウエハ１１の表面の酸化物層をエッチングすることができる。ある実施形態において、ＤＨＦの流速は１．８ ｌｐｍであってよく、ＤＨＦの濃度は体積比で１：２５～１：１，０００の間から選択可能である。また、制御装置１２は、より良いエッチング效果を奏するために、回転装置１４の回転速度を６００ｒｐｍから４５０ｒｐｍまで下げることができる。

【0042】

ブロック３０６において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、工程中のウエハ１１の表面に機能水を少なくとも４秒間供給させ、回転する工程中のウエハ１１の表面を予め漱ぐ。ある例では、機能水は、Ｈ_２を水中に溶解した、少量の化学品（例えばアンモニア）を含む溶液であってよい。理解すべき点として、洗浄の目的により、他の機能水も使用可能である。機能水は１．８ ｌｐｍの流速で提供してよい。また、制御装置１２は、より効果的に予め漱ぐことができるように、回転装置１４の回転数を４５０ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げることができる。

【0043】

ブロック３０７において、ウエハ１１の表面に機能水を引き続き供給し、回転する工程中のウエハ１１上に、流動する機能水膜を生成する。

【0044】

ブロック３０８において、工程中のウエハ１１の表面に機能水を引き続き散布する際、制御装置１２は、工程中のウエハ１１の回転数を少なくとも１秒間下げる。ある例示では、回転速度は、６００ｒｐｍから、１００ｒｐｍまで下げることができる。

【0045】

ブロック３１０において、制御装置１２は音波装置１５を下に移動させることで、機能水が流動することで形成された流動する機能水膜中に、共振器１７を浸漬させることができる。これにより、共振器１７と、工程中のウエハ１１の表面との間に隙間を形成することができ、該隙間には、流動する機能水膜が充填される。したがって、音波又は超音波を、流動する機能水膜に付加して、工程中のウエハ１１の表面を洗浄することができる。また、制御装置１２は、回転装置１４の回転速度を下げる。例えば、回転数は１００ｒｐｍから３０ｒｐｍまで下げることができる。

【0046】

ブロック３１２において、ＷＯ２０１００６６０８１Ａ１に記載されているように、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は音波装置１５を４５Ｗの電力で３０秒間、上下に移動させて、この間に隙間を変化させることができる。また、音波又は超音波の電力は、ウエハを洗浄する間に変更することができる。

【0047】

ブロック３１４において、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は回転装置１４の回転速度を上げ、且つ音波装置１５を少なくとも１秒間、上へ移動させる。ある例では、回転数は３０ｒｐｍから１００ｒｐｍまで上げることができる。このようにして、共振器１７を、流動する機能水膜から分離させることができる。選択的に、回転速度を３０ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げて、共振器１７を上に移動させずに、流動する機能水膜から共振器１７を分離してもよい。ある例示では、音波装置１５の上昇及び回転速度の引き上げの両方によって、流動する機能水膜から共振器１７を分離させることができる。

【0048】

ブロック３１６において、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は、回転装置１４の回転速度を少なくとも４秒間さらに上げる。機能水はブロック３０６～３１６の間、連続して供給することができることを、理解されたい。共振器１７が既に上に移動した状況で、この間に、回転数を１００ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げることができる。回転数を６００ｒｐｍまで上げた場合、この間に、回転数を６００ｒｐｍより高く、例えば１，０００ｒｐｍまで上げることができる。

【0049】

ブロック３１８において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１に、ＤＩＷを少なくとも１０秒間散布させる。この間に、ＤＩＷは１．８ ｌｐｍの流量で散布される。ブロック３２０において、制御装置１２は回転装置１４の回転速度を上げるとともに、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１に、５ ｌｐｍの流速でＮ_２を少なくとも１５秒間散布させることができる。流速は、３ ｌｐｍ～６ ｌｐｍ間で選択可能である。ある例では、回転数は、６００ｒｐｍから１，９００ｒｐｍまで上げることができる。このようにして、回転するウエハ１１の表面を乾燥させることができる。

【0050】

図５は、本開示の実施形態による例示的洗浄工程４００を示す。洗浄工程４００は、平坦化洗浄及び接触洗浄に用いることができる。平坦化洗浄は、ＣＭＰ後洗浄、予備洗浄及びエッチング後除去の少なくとも一種を含む。

【0051】

ブロック４０２において、制御装置１２は、工程中のウエハ１１を回転させ、流体供給装置１８から、工程中のウエハ１１の表面に脱イオン水（ＤＩＷ）を供給させる。例えば、工程中のウエハ１１は６００ｒｐｍの速度で回転させることができ、ＤＩＷは１．８ ｌｐｍの流速で、工程中のウエハ１１の表面に１０秒間、散布することができる。このように、工程中のウエハ１１を予め漱いでおくことができる。

【0052】

ブロック４０４において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転するウエハ１１の表面に、１ ｌｐｍ～３ ｌｐｍの流速で、希釈したフッ化水素酸（ＤＨＦ）を少なくとも４０秒間供給し、表面の酸化物層をエッチングすることができる。ある実施形態において、例えば、ＤＨＦの流速は１．８ ｌｐｍであってよく、ＤＨＦの濃度は体積比で１：２５～１：１０００の間から選択可能である。また、制御装置１２は、より良いエッチング效果を奏するために、回転装置１４の回転速度を６００ｒｐｍから４５０ｒｐｍまで下げることができる。

【0053】

ブロック４０６において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１の表面に、１ ｌｐｍ～３ ｌｐｍの流速でオゾン化脱イオン水（ＤＩＯ_３）を少なくとも２０秒間供給し、ウエハ１１の表面に後処理の漱ぎを行うことができる。ある実施形態において、ＤＩＯ_３の流速は１．８ ｌｐｍであってよく、ＤＩＯ_３の濃度は２０～５０ｐｐｍの間から選択可能である。また、制御装置１２は、より効果的に後処理の漱ぎを行うことができるように、回転装置１４の回転数を４５０ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げることができる。

【0054】

ブロック４０８において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、工程中のウエハ１１の表面に機能水を少なくとも４秒間供給させ、回転する工程中のウエハ１１の表面を予め漱ぐ。ある例では、機能水は、Ｈ_２を水中に溶解した、少量の化学品（例えばアンモニア）を含む溶液であってよい。理解すべき点として、洗浄の目的により、他の機能水も使用可能である。機能水は１．８ ｌｐｍの流量で提供してよい。

【0055】

ブロック４０９において、ウエハ１１の表面に機能水を引き続き供給し、回転する工程中のウエハ１１に、流動する機能水膜を生成する。

【0056】

ブロック４１０において、制御装置１２は、工程中のウエハ１１の表面に機能水を引き続き散布するとともに、工程中のウエハ１１の回転数を少なくとも１秒間下げる。ある例示では、回転速度は、６００ｒｐｍから、１００ｒｐｍまで下げることができる。

【0057】

ブロック４１２において、制御装置１２は音波装置１５を下に移動させることで、機能水を流動させることにより形成された流動する機能水膜中に、共振器１７を浸漬させることができる。これにより、共振器１７と、工程中のウエハ１１の表面との間に隙間を形成することができ、該隙間には、流動する機能水膜が充填される。したがって、音波又は超音波を、流動する機能水膜に付加して、工程中のウエハ１１の表面を洗浄することができる。また、制御装置１２は、回転装置１４の回転速度を下げる。例えば、回転数は１００ｒｐｍから３０ｒｐｍまで下げることができる。

【0058】

ブロック４１４において、ＷＯ２０１００６６０８１Ａ１に記載されているように、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は音波装置１５を４５Ｗの電力で３０秒間、上下に移動させて、この間に隙間を変化させることができる。また、音波又は超音波の電力は、効率的にウエハを洗浄するために、この間に変更することができる。

【0059】

ブロック４１６において、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は回転装置１４の回転速度を上げ、且つ音波装置１５を少なくとも１秒間、上へ移動させる。ある例では、回転数は３０ｒｐｍから１００ｒｐｍまで上げることができる。このようにして、共振器１７を、流動する機能水膜から分離させることができる。選択的に、回転速度を３０ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げて、共振器１７を上に移動させずに、流動する機能水膜から共振器１７を分離してもよい。ある例示では、音波装置１５の上昇及び回転速度の引き上げの両方によって、流動する機能水膜から共振器１７を分離させることができる。

【0060】

ブロック４１８において、機能水を供給し続けるとともに、制御装置１２は、回転装置１４の回転速度を少なくとも４秒間さらに上げる。機能水はブロック４０８～４１８の間、連続して供給することができることを、理解されたい。共振器１７が既に上に移動した状況で、この間に、回転数を１００ｒｐｍから６００ｒｐｍまで上げることができる。回転数を６００ｒｐｍまで上げた場合、この間に、回転数を６００ｒｐｍより高く、例えば１，０００ｒｐｍまで上げることができる。

【0061】

ブロック４２０において、制御装置１２は、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１にＤＩＷを少なくとも１０秒間散布させる。この間に、ＤＩＷは１．８ ｌｐｍの流速で提供してよい。

【0062】

ブロック４２２において、制御装置１２は回転装置１４の回転速度を上げるとともに、流体供給装置１８から、回転する工程中のウエハ１１に５ ｌｐｍの流速でＮ_２を少なくとも１５秒間散布させることができる。流速は、３ ｌｐｍ～６ ｌｐｍの間で選択可能である。ある例では、回転数は、６００ｒｐｍから１，９００ｒｐｍまで上げることができる。このようにして、回転するウエハ１１の表面を乾燥させることができる。

【0063】

上述のプロセスは、例示的な実施方式に過ぎず、本開示の範囲に何らかの制限を加えるものでなく、また、上述のプロセスは、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体上の指令として実施することが可能である。この点について、理解されるべきである。ある実現形態において、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体は、制御装置１２内のメモリであってよい。指令が実行されると、制御装置１２は、装置１０に上述の洗浄処理を実行させる。他の実現形態において、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体は、制御装置１２以外の装置に配置することができ、制御装置１２は、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体の指令にアクセスして、装置１０に上述のプロセスを実行させることができる。

【0064】

以下の文中において、本開示のいくつかの例示的な実現形態を列挙する。
いくつかの実施形態において、工程中のウエハを洗浄するための方法が提供される。該方法は、工程中のウエハを回転させることと、機能水を回転する工程中のウエハの表面に供給し、回転する工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成することと、音波装置により、工程中のウエハの表面を第１時間の間洗浄することと、音波装置の上昇及び／又は回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げにより、流動する機能水膜から音波装置を分離させることと、音波装置を機能水膜から分離させた後、回転する工程中のウエハの表面に機能水を第２時間の間供給することと、工程中のウエハの表面を乾燥させることと、を含む。

【0065】

いくつかの実施形態において、回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げは、回転する工程中のウエハの回転速度を、５０ｒｐｍ未満から、３００ｒｐｍを超える値まで上げることを含む。

【0066】

いくつかの実施形態において、機能水は、ＦＷＮ_２、ＦＷＨ_２、ＦＷＯ_２、ＤＩＯ_３、ＦＯＭ、ＳＣ１、ＤＳＰ及びＴＭＡＨのうちの少なくとも一種を含む。

【0067】

いくつかの実施形態において、第１時間は２０秒より長く、第２時間は２秒より長い。
いくつかの実施形態において、第１時間は３０秒より長く、第２時間は４秒より長い。

【0068】

いくつかの実施形態において、工程中のウエハの表面を乾燥させることは、工程中のウエハの表面に非反応性ガスを吹くとともに、第２速度で工程中のウエハを回転させることを含む。

【0069】

いくつかの実施形態において、非反応性ガスは、Ｎ_２、イソプロパノール（ＩＰＡ）及び不活性ガスのうちの少なくとも一種を含み、第２速度は１，０００ｒｐｍより大きい。

【0070】

いくつかの実施形態において、音波装置は、１０Ｗ～１００Ｗの電力で操作するように配置されており、音波装置は、共振器と、回転する工程中のウエハの表面との間に、隙間を形成する共振器を含む。

【0071】

ある実施形態において、音波装置は、２０Ｗ～５０Ｗの電力で操作するように配置されており、隙間は可変である。

【0072】

いくつかの実施形態において、機能水は第１時間及び第２時間の間、１ ｌｐｍ～３ ｌｐｍの流速で供給される。

【0073】

いくつかの実施形態において、機能水は第１時間及び第２時間の間、１．２ ｌｐｍ～２ ｌｐｍの流速で供給される。

【0074】

いくつかの実施形態において、回転する工程中のウエハは、第１時間の間１０ｒｐｍ～５０ｒｐｍの第１速度で回転し、回転する工程中のウエハは、第２時間の間３００ｒｐｍ～１，０００ｒｐｍの第３速度で回転する。

【0075】

いくつかの実施形態において、回転する工程中のウエハは、第１時間の間２５ｒｐｍ～３５ｒｐｍの第１速度で回転し、回転する工程中のウエハは、第２時間の間５００ｒｐｍ～７００ｒｐｍの第３速度で回転する。

【0076】

いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、回転する工程中のウエハの表面に機能水を供給する前に、回転する工程中のウエハの表面に脱イオン水を第３時間の間供給することと、回転する工程中のウエハの表面に脱イオン水を第２時間の後の第４時間の間供給することとを含む。

【0077】

いくつかの実施形態において、第３時間は４秒より長く、第４時間は１０秒より長い。
いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、空气を０．２ｍ／ｓ～０．８ｍ／ｓの速度で供給することと、チャンバ排气圧力（ＥＸＨ）が７０パスカル～２００パスカルに設定されるように空気を排出することとを含む。

【0078】

いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、回転する工程中のウエハ表面に脱イオン水を第３時間の間供給することと、機能水を供給する前に、回転する工程中のウエハの表面に希フッ化水素酸（ＤＨＦ）を第５時間の間供給して、回転する工程中のウエハの表面で酸化物をエッチングすることと、音波装置を使用する前に、回転するウエハの表面に、機能水を別の第３時間の間供給することとを含む。

【0079】

いくつかの実施形態において、前記方法はさらに、回転する工程中のウエハ表面に、脱イオン水を第３時間の間供給することと、機能水を供給する前に、回転する工程中のウエハの表面に、希フッ化水素酸（ＤＨＦ）を第５時間の間供給して、回転する工程中のウエハの表面で酸化物をエッチングすることと、回転する工程中のウエハの表面に、ＤＩＯ_３を第６時間の間供給して、回転する工程中のウエハの表面を漱ぐことと、音波装置を使用する前に、回転するウエハの表面に、機能水を別の第３時間の間供給することとを含む。

【0080】

いくつかの実施形態では、洗浄装置が提供される。洗浄装置は、工程中のウエハを保持するチャック盤と、チャック盤を回転させるために操作可能な回転装置と、工程中のウエハの表面を洗浄するために操作可能な音波装置と、脱イオン水、機能水のうちの少なくとも一種を前記工程中のウエハの前記表面に供給するために操作可能な少なくとも１つの流体供給装置と、チャック盤、回転装置、音波装置及び流体供給装置のうちの少なくとも１つを制御して、方法を実行するために操作可能な制御装置と、を含む。該方法は、工程中のウエハを回転させることと、機能水を回転する工程中のウエハの表面に供給し、回転する工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成することと、音波装置により、工程中のウエハの表面を第１時間の間洗浄することと、音波装置の上昇及び／又は回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げにより、流動する機能水膜から音波装置を分離させることと、音波装置を機能水膜から分離させた後、回転する工程中のウエハの表面に機能水を第２時間の間供給することと、工程中のウエハの表面を乾燥させることと、を含む。

【0081】

いくつかの実施形態において、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体が提供される。該コンピュータが読み取り可能な記憶媒体は、洗浄装置に方法を実行させるための指令を含む。該方法は、工程中のウエハを回転させることと、機能水を回転する工程中のウエハの表面に供給し、回転する工程中のウエハに、流動する機能水膜を生成することと、音波装置により、工程中のウエハの表面を第１時間の間洗浄することと、音波装置の上昇及び／又は回転する工程中のウエハの回転速度の引き上げにより、流動する機能水膜から音波装置を分離させることと、音波装置を機能水膜から分離させた後、回転する工程中のウエハの表面に機能水を第２時間の間供給することと、工程中のウエハの表面を乾燥させることと、を含む。

【0082】

以上、本明細書に記載された主題の各実施形態について説明した。以上の説明は解説のためのものであり、本明細書の主題の範囲に何らかの制限を加えるものではない。前述した各種実施形態の範囲及び精神から逸脱しない状況において、当業者が複数の修正及び変更を行うことができることは明らかである。ここで使用された用語は、各実施形態の原理、実際の応用又は市場での技術改良について最良の説明を行うこと、又は当業者に本開示の実施形態を理解させることを意図して、選択したものである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】