特許 7267079 処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-21

(45)【発行日】2023-05-01

(54)【発明の名称】処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20230424BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20230424BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20230424BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20230424BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 E

H01L21/306 R

H01L21/304 647Z

H01L21/304 648K

H01L21/304 648G

H01L21/304 642A

H01L21/304 643A

H01L21/68 N

H01L21/68 A

【請求項の数】 22

(21)【出願番号】P 2019079402

(22)【出願日】2019-04-18

(65)【公開番号】P2020178043

(43)【公開日】2020-10-29

【審査請求日】2021-12-23

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100168583

【弁理士】

【氏名又は名称】前井 宏之

(72)【発明者】

【氏名】相原 友明

(72)【発明者】

【氏名】冨田 毅

(72)【発明者】

【氏名】奥田 次郎

(72)【発明者】

【氏名】井上 智貴

(72)【発明者】

【氏名】太田 喬

(72)【発明者】

【氏名】武明 励

【審査官】加藤 芳健

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－１５４６６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２２１５４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０５０３４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

燐酸液を貯留する貯留部と、
前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する計測部と、
前記計測部の計測した値を記憶する記憶部と
を備え、
前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶し、
前記貯留部は、第１燐酸液を貯留する第１貯留部と、第２燐酸液を貯留する第２貯留部とを含み、
前記記憶部は、前記第１燐酸液が突沸する突沸状態と前記第１燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第１計測部によって計測された前記第１燐酸液の比重を示す第１基準値を記憶し、
前記記憶部は、前記第２燐酸液が突沸する突沸状態と前記第２燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第２計測部によって計測された前記第２燐酸液の比重を示す第２基準値を記憶する、処理液調製装置。

【請求項2】

前記貯留部は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する、請求項１に記載の処理液調製装置。

【請求項3】

前記貯留部の前記燐酸液を撮像する撮像部をさらに備える、請求項１または２に記載の処理液調製装置。

【請求項4】

前記第１燐酸液は、前記第１基準値に基づいて調製され、
前記第２燐酸液は、前記第２基準値に基づいて調製される、請求項１から３のいずれかに記載の処理液調製装置。

【請求項5】

前記第２貯留部は、前記第２貯留部において調製した燐酸液を前記第１貯留部に供給する、請求項４に記載の処理液調製装置。

【請求項6】

請求項１から５のいずれかに記載の処理液調製装置と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部と
を備える、基板処理装置。

【請求項7】

前記基板処理部は、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルと
を有する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記基板処理部は、
前記基板を複数積載可能な基板積載部と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を貯留する処理槽と
を有する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部を有し、
前記基板積載部は、前記処理液調製装置の前記貯留部の前記燐酸液に浸漬する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項10】

処理液調製装置と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部と
を備える、基板処理装置であって、
前記処理液調製装置は、
燐酸液を貯留する貯留部と、
前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する計測部と、
前記計測部の計測した値を記憶する記憶部と
を備え、
前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶し、
前記基板処理部は、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルと
を有する、基板処理装置。

【請求項11】

前記貯留部における前記燐酸液の比重を示す値は、前記ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、
前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、
前記基準値を記憶する工程と
を包含し、
前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、第１燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第１燐酸液を設定する工程と、第２燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第２燐酸液を設定する工程とを含み、
前記基準値を計測する工程は、前記境界状態に設定された前記第１燐酸液の比重を示す第１基準値を計測する工程と、前記境界状態に設定された前記第２燐酸液の比重を示す第２基準値を計測する工程とを含み、
前記基準値を記憶する工程は、前記第１基準値を記憶する工程と、前記第２基準値を記憶する工程とを含む、処理液調製方法。

【請求項13】

前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する工程をさらに包含する、請求項１２に記載の処理液調製方法。

【請求項14】

前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、前記燐酸液を撮像する工程を含む、請求項１２または１３に記載の処理液調製方法。

【請求項15】

前記第１基準値に基づいて前記第１燐酸液を調製する工程と、
前記第２基準値に基づいて前記第２燐酸液を調製する工程と
をさらに包含する、請求項１２から１４のいずれかに記載の処理液調製方法。

【請求項16】

前記第２燐酸液を前記第１燐酸液と混合する工程をさらに包含する、請求項１５に記載の処理液調製方法。

【請求項17】

請求項１２から１６のいずれかに記載の処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、
前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程と
を包含する、基板処理方法。

【請求項18】

前記基板を処理する工程は、
前記基板を保持して回転する工程と、
前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程と
を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。

【請求項19】

前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を処理槽に供給し、前記処理槽の前記燐酸液に前記基板を浸漬する工程を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。

【請求項20】

前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を調製した貯留槽に前記基板を浸漬する、請求項１７に記載の基板処理方法。

【請求項21】

処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、
前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程と
を包含し、
前記処理液調製方法は、
貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、
前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、
前記基準値を記憶する工程と
を包含し、
前記基板を処理する工程は、
前記基板を保持して回転する工程と、
前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程と
を含む、基板処理方法。

【請求項22】

前記燐酸液を供給する工程において、前記貯留される燐酸液の比重を示す値は、ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される、請求項２１に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。絶縁層としてシリコン窒化層をエッチングするために基板を燐酸処理することがある（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、シリカ濃度とともに燐酸濃度を測定することで、エッチング液として所定の濃度でシリカを含有する燐酸溶液を用いることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１５－１９５３０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１では、１つの浴槽で燐酸液を生成させているが、複数の貯留槽で同じ処理特性の燐酸液を生成することが要望されている。例えば、複数の貯留槽で同じ処理特性の燐酸液を生成することにより、大量の基板を連続して安定的に処理できる。しかしながら、実際には、計測機器の計測結果に基づいて燐酸液の濃度を較正しようとしても、燐酸濃度計の機器間差があるため、複数の貯留槽に貯留する燐酸液を互いに等しい濃度（比重）に設定することは困難であった。

【0005】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、他の燐酸液との較正を高精度に可能にする処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一局面によれば、処理液調製装置は、貯留部と、計測部と、記憶部とを備える。前記貯留部は、燐酸液を貯留する。前記計測部は、前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する。前記記憶部は、前記計測部の計測した値を記憶する。前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶する。前記貯留部は、第１燐酸液を貯留する第１貯留部と、第２燐酸液を貯留する第２貯留部とを含む。前記記憶部は、前記第１燐酸液が突沸する突沸状態と前記第１燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第１計測部によって計測された前記第１燐酸液の比重を示す第１基準値を記憶する。前記記憶部は、前記第２燐酸液が突沸する突沸状態と前記第２燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第２計測部によって計測された前記第２燐酸液の比重を示す第２基準値を記憶する。

【0007】

ある実施形態において、前記貯留部は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する。

【0008】

ある実施形態において、前記処理液調製装置、前記貯留部の前記燐酸液を撮像する撮像部をさらに備える。

【0010】

ある実施形態において、前記第１燐酸液は、前記第１基準値に基づいて調製され、前記第２燐酸液は、前記第２基準値に基づいて調製される。

【0011】

ある実施形態において、前記第２貯留部は、前記第２貯留部において調製した燐酸液を前記第１貯留部に供給する。

【0012】

本発明の別の局面によれば、基板処理装置は、上記に記載の処理液調製装置と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部とを備える。

【0013】

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルとを有する。

【0015】

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を貯留する処理槽とを有する。

【0016】

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部を有し、前記基板積載部は、前記処理液調製装置の前記貯留部の前記燐酸液に浸漬する。
本発明のさらに別の局面によれば、基板処理装置は、処理液調製装置と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部とを備える。前記処理液調製装置は、貯留部と、計測部と、記憶部とを備える。前記貯留部は、燐酸液を貯留する。前記計測部は、前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する。前記記憶部は、前記計測部の計測した値を記憶する。前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶する。前記基板処理部は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルとを有する。
ある実施形態において、前記貯留部における前記燐酸液の比重を示す値は、前記ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される。

【0017】

本発明のさらに別の局面によれば、処理液調製方法は、貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、前記基準値を記憶する工程とを包含する。前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、第１燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第１燐酸液を設定する工程と、第２燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第２燐酸液を設定する工程とを含む。前記基準値を計測する工程は、前記境界状態に設定された前記第１燐酸液の比重を示す第１基準値を計測する工程と、前記境界状態に設定された前記第２燐酸液の比重を示す第２基準値を計測する工程とを含む。前記基準値を記憶する工程は、前記第１基準値を記憶する工程と、前記第２基準値を記憶する工程とを含む。

【0018】

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する工程をさらに包含する。

【0019】

ある実施形態において、前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、前記燐酸液を撮像する工程を含む。

【0021】

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記第１基準値に基づいて前記第１燐酸液を調製する工程と、前記第２基準値に基づいて前記第２燐酸液を調製する工程とをさらに包含する。

【0022】

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記第２燐酸液を前記第１燐酸液と混合する工程をさらに包含する。

【0023】

本発明のさらに別の局面によれば、基板処理方法は、上記に記載の処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程とを包含する。

【0024】

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記基板を保持して回転する工程と、前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程とを含む。

【0026】

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を処理槽に供給し、前記処理槽の前記燐酸液に前記基板を浸漬する工程を含む。

【0027】

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を調製した貯留槽に前記基板を浸漬する。
本発明のさらに別の局面によれば、基板処理方法は、処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程とを包含する。前記処理液調製方法は、貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、前記基準値を記憶する工程とを包含する。前記基板を処理する工程は、前記基板を保持して回転する工程と、前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程とを含む。
ある実施形態では、前記燐酸液を供給する工程において、前記貯留される燐酸液の比重を示す値は、ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される。

【発明の効果】

【0028】

本発明によれば、他の燐酸液との較正を高精度にできる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。

【図2】（ａ）～（ｄ）は本実施形態の処理液調製装置における貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。

【図3】（ａ）～（ｄ）は本実施形態の処理液調製装置における第１貯留槽および第２貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。

【図4】（ａ）～（ｃ）は本実施形態の処理液調製装置における第１貯留槽および第２貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。

【図5】（ａ）～（ｃ）は本実施形態の基板処理装置における燐酸液の調製を説明するための模式図である。

【図6】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置のフローを説明するためのフロー図である。

【図7】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。

【図8】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。

【図9】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。

【図10】本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。

【図11】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置のフローを説明するためのフロー図である。

【図12】本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。

【図13】（ａ）～（ｆ）は本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下、図面を参照して、本発明による処理液調製装置および処理液調製方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

【0031】

図１を参照して、本発明による処理液調製装置１００を備えた基板処理装置２００の実施形態を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置２００の模式図である。基板処理装置２００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置２００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

【0032】

基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。

【0033】

基板処理装置２００は、燐酸液を含む処理液で基板Ｗを処理する。典型的には、燐酸処理により、基板Ｗの絶縁層として機能するシリコン窒化層がエッチングされる。ここでは、基板処理装置２００は、基板Ｗを燐酸液で１枚ごとに処理する。

【0034】

基板処理装置２００は、処理液調製装置１００と、基板処理部２１０とを備える。処理液調製装置１００は、処理液を調製する。処理液は、燐酸液を含む。処理液調製装置１００は、燐酸液の温度および比重を所定の状態に調製する。処理液調製装置１００は、調製した処理液を基板処理部２１０に供給する。

【0035】

基板処理部２１０は、処理液調製装置１００から供給された処理液で基板Ｗを処理する。ここでは、基板処理部２１０は、枚葉処理装置である。基板処理部２１０は、基板Ｗを１枚ずつ燐酸液で処理する。なお、基板処理部２１０が基板Ｗを処理する場合、燐酸液に気体が含まれていると、基板Ｗを均一に処理できないことがある。このため、処理液調製装置１００から基板処理部２１０に供給される燐酸液には気体が含まれていないことが好ましい。

【0036】

基板処理部２１０は、チャンバー２１２と、基板保持部２１４と、ノズル２１６と、カップ２１８とを含む。チャンバー２１２は基板Ｗを収容する。チャンバー２１２には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー２１２内に収容され、チャンバー２１２内で処理される。

【0037】

基板保持部２１４は、基板Ｗを保持する。また、基板保持部２１４は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗとともに回転する。例えば、基板保持部２１４は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。

【0038】

あるいは、基板保持部２１４は、基板Ｗを裏面から保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２１４は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２１４は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）の中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２１４は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

【0039】

ノズル２１６は、チャンバー２１２内に収容される。ノズル２１６は、基板保持部２１４に保持されている基板Ｗに向けて燐酸液を吐出する。

【0040】

カップ２１８は、基板Ｗに供給された燐酸液を回収する。詳細は後述するが、カップ２１８によって回収された処理液は、処理液調製装置１００に戻る。

【0041】

処理液調製装置１００は、燐酸液を貯留する貯留部１０２を備える。貯留部１０２において、燐酸液は調製される。燐酸液は、燐酸および水を含有する。貯留部１０２は、燐酸液を所定の温度および比重に調製する。

【0042】

ここでは、貯留部１０２は、第１貯留部１１０と、第２貯留部１２０とを含む。第１貯留部１１０には、処理液として燐酸液が貯留されている。第２貯留部１２０には、処理液として燐酸液が貯留されている。なお、第１貯留部１１０の燐酸液と第２貯留部１２０の燐酸液とは、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０の調製が完了するまで混合されない。ただし、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０の調製が完了した後、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液は互いに混合されてもよい。なお、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液が混合される際、第１貯留部１１０の燐酸液の比重は、第２貯留部１２０の燐酸液の比重とほぼ等しいことが好ましい。また、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は、第２貯留部１２０の燐酸液の温度とほぼ等しいことが好ましい。

【0043】

ここでは、第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給する。第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に燐酸液を補充する。また、ここでは、第２貯留部１２０は、基板処理部２１０において用いられた処理液を回収する。

【0044】

なお、本明細書において、第１貯留部１１０において調製される燐酸液を第１燐酸液と記載することがある。また、第２貯留部１２０において調製される燐酸液を第２燐酸液と記載することがある。

【0045】

第１貯留部１１０は、第１貯留槽１１２と、第１配管１１３と、第１計測部１１４とを含む。第１貯留槽１１２は、処理液として燐酸液を貯留する。

【0046】

第１配管１１３は、第１貯留槽１１２と基板処理部２１０とを連絡する。また、第１配管１１３は、途中で第１貯留槽１１２に戻る循環配管１１３ａを有する。

【0047】

第１計測部１１４は、第１貯留槽１１２に取り付けられる。第１計測部１１４は、第１貯留槽１１２の貯留された燐酸液の比重を示す値を計測する。第１計測部１１４は、第１貯留槽１１２の背圧を計測する。

【0048】

例えば、第１計測部１１４の先端は、第１貯留槽１１２の燐酸液面から所定の深さの位置に配置されている。第１計測部１１４では、第１計測部１１４の先端にガスを供給して第１貯留槽１１２の燐酸液内に気泡を形成する。これにより、第１貯留槽１１２に貯留される燐酸液の液圧は、第１貯留槽１１２の液面から所定の深さの位置に配置された第１計測部１１４の先端部におけるガス圧として検出される。ガスとして、典型的には、窒素ガスが用いられる。ガス圧と燐酸液との関係を予め測定しておき、ガス圧と燐酸液との関係を示すルックアップテーブルを事前に作成しておくことにより、ガスによる気泡の形成されるガス圧に応じて燐酸液の比重を計測できる。

【0049】

なお、第１計測部１１４は、必ずしも燐酸液の比重自体の値を計測しなくてもよい。例えば、第１計測部１１４は、燐酸液の比重と比例して変化する値を計測してもよい。ただし、本明細書において、便宜上、燐酸液の比重を示す値を計測することを燐酸液の比重を計測すると記載することがある。

【0050】

第１貯留部１１０は、ポンプ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、フィルタ１１５ｃ、バルブ１１５ｄ、バルブ１１５ｅをさらに含む。ポンプ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、フィルタ１１５ｃ、バルブ１１５ｄは、第１配管１１３に配置されている。バルブ１１５ｅは、循環配管１１３ａに配置されている。

【0051】

ポンプ１１５ａは、燐酸液を一旦吸い込んだ後、吸い込んだ燐酸液を下流に向けて押し出す。ポンプ１１５ａにより、燐酸液は、第１配管１１３内に押し出される。ヒータ１１５ｂは、第１燐酸液を加熱する。ヒータ１１５ｂが燐酸液を加熱することにより、第１燐酸液の温度は１３０℃以上に設定できる。第１燐酸液の温度は、１３０℃以上２００℃以下に設定されてもよく、１５０℃以上１８０℃以下に設定されてもよい。

【0052】

フィルタ１１５ｃは、第１燐酸液の浮遊物を濾過する。バルブ１１５ｄは、第１燐酸液の流れを制御する。バルブ１１５ｄが開くことにより、燐酸液は、基板処理部２１０に向かって流れる。バルブ１１５ｄが閉じることにより、燐酸液は、処理液調製装置１００から基板処理部２１０に向かって流れなくなる。

【0053】

また、バルブ１１５ｅは、燐酸液の流れを制御する。バルブ１１５ｄが開くことにより、燐酸液は、第１貯留槽１１２に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ１１５ｅが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。

【0054】

例えば、バルブ１１５ｄが閉じた状態でバルブ１１５ｅが開いていることにより、第１貯留部１１０の燐酸液は、循環配管１１３ａを介して循環する。このとき、ヒータ１１５ｂが循環する燐酸液を加熱することにより、第１貯留部１１０の燐酸液を所定の温度に設定できる。

【0055】

また、バルブ１１５ｄおよびバルブ１１５ｅが開いていることにより、第１貯留部１１０の燐酸液は、循環配管１１３ａを介して循環するとともに第１配管１１３を介して基板処理部２１０に供給される。このため、基板処理部２１０は、所定温度の燐酸液で基板Ｗを処理できる。

【0056】

また、第１貯留部１１０は、第１水供給部１１６ａと、第１燐酸供給部１１６ｂと、第１ガス供給部１１６ｃとをさらに含む。第１水供給部１１６ａは、第１貯留槽１１２に水を供給する。例えば、燐酸液が循環する場合、燐酸液がヒータ１１５ｂによって水の沸点を超えた高温に加熱されると、燐酸液からは沸点の低い水が優先的に蒸発する。このため、燐酸液が循環する際に、燐酸液の温度および比重を一定に維持するために、第１水供給部１１６ａは、一定量の水を継続的に供給してもよい。

【0057】

燐酸の比重は水の比重よりも高いため、燐酸液中の燐酸成分が多いと、燐酸液の比重が増加する。反対に、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液の比重が減少する。

【0058】

また、燐酸の沸点は水の沸点よりも高いため、燐酸液中の燐酸成分が多いと、燐酸液は沸騰しにくくなる。反対に、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液は沸騰しやすくなる。このため、燐酸液の温度が一定であっても、燐酸液の成分に応じて燐酸液の状態は変化する。例えば、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液は突沸しやすい。したがって、第１水供給部１１６ａから供給される水の量を制御することにより、燐酸液の突沸状態および非突沸状態を制御できる。

【0059】

第１燐酸供給部１１６ｂは、第１貯留槽１１２に燐酸液を供給する。典型的には第１貯留槽１１２に第１燐酸液を貯留する際に、第１燐酸供給部１１６ｂは、第１貯留槽１１２に燐酸液を供給する。

【0060】

第１ガス供給部１１６ｃは、第１貯留槽１１２にガスを供給する。例えば、第１ガス供給部１１６ｃは、第１貯留槽１１２に窒素ガスを供給する。

【0061】

例えば、第１貯留槽１１２内の燐酸液の比重は、第１計測部１１４の計測結果に基づいて、第１水供給部１１６ａから供給される水の量および／または第１燐酸供給部１１６ｂから供給される燐酸の量を制御することで制御される。

【0062】

第１貯留槽１１２は、本体槽１１２ａと、循環槽１１２ｂとを有する。循環槽１１２ｂは、本体槽１１２ａに隣接して配置されている。本体槽１１２ａは、循環槽１１２ｂから溢れる燐酸液が流れ込むように配置される。本体槽１１２ａの容積は、循環槽１１２ｂの容積よりも大きい。

【0063】

循環槽１１２ｂには、循環配管１１３ａの先端が位置している。循環配管１１３ａを通過した燐酸液は、第１貯留槽１１２の循環槽１１２ｂに戻り、循環槽１１２ｂから溢れて本体槽１１２ａに達し、再び、第１配管１１３を通過する。また、循環槽１１２ｂには、第１計測部１１４が取り付けられる。

【0064】

第１貯留部１１０は、液面センサ１１４ａをさらに備えてもよい。液面センサ１１４ａは、第１貯留槽１１２内の燐酸液の液面の高さを検知する。

【0065】

第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に対応する構成を有している。第２貯留部１２０は、第２貯留槽１２２と、第２配管１２３と、第２計測部１２４と、ポンプ１２５ａと、ヒータ１２５ｂと、フィルタ１２５ｃと、バルブ１２５ｄと、バルブ１２５ｅと、第２水供給部１２６ａと、第２燐酸供給部１２６ｂと、第２ガス供給部１２６ｃとを含む。冗長な説明を避けるために第２貯留部１２０についての重複する記載を省略する。

【0066】

第２貯留部１２０の第２配管１２３は、第２貯留槽１２２と第１貯留槽１１２とを連絡する。また、バルブ１２５ｄは、第２貯留槽１２２から第１貯留槽１１２に向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ１２５ｄが開くことにより、燐酸液は、第１貯留槽１１２に向かって流れる。バルブ１２５ｄが閉じることにより、燐酸液は、第２貯留部１２０から第１貯留部１１０に向かって流れなくなる。

【0067】

また、バルブ１２５ｅが開くことにより、燐酸液は、第２貯留槽１２２に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ１２５ｅが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。

【0068】

例えば、バルブ１２５ｄが閉じた状態でバルブ１２５ｅが開いていることにより、第２貯留部１２０の燐酸液は、循環配管１２３ａを介して循環する。このとき、ヒータ１２５ｂが循環する燐酸液を加熱することにより、第２貯留部１２０の燐酸液を所定の温度に設定できる。

【0069】

また、バルブ１２５ｄおよびバルブ１２５ｅが開いていることにより、第２貯留部１２０の燐酸液は、循環配管１２３ａを介して循環するとともに第２配管１２３を介して第１貯留部１１０に供給される。このため、第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０の燐酸液を補充できる。

【0070】

また、第２配管１２３は、途中で第２貯留槽１２２に戻る循環配管１２３ａを有する。さらに、第２貯留部１２０は、基板処理部２１０と第２貯留槽１２２とを連絡する戻り配管１２３ｂを有する。戻り配管１２３ｂには、基板処理部２１０においてカップ１２６によって回収された処理液が流れる。戻り配管１２３ｂを通過する処理液は、第２貯留槽１２２の本体槽１２２ａに戻る。

【0071】

処理液調製装置１００は、制御部１０４と、記憶部１０６とをさらに備える。制御部１０４は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部１０４は、第１貯留部１１０の第１計測部１１４、液面センサ１１４ａ、ポンプ１１５ａ、ヒータ１１５ｂ、フィルタ１１５ｃ、バルブ１１５ｄ、バルブ１１５ｅ、第１水供給部１１６ａ、第１燐酸供給部１１６ｂおよび第１ガス供給部１１６ｃを制御する。また、制御部１０４は、第２貯留部１２０の第２計測部１２４、液面センサ１２４ａ、ポンプ１２５ａ、ヒータ１２５ｂ、フィルタ１２５ｃ、バルブ１２５ｄ、バルブ１２５ｅ、第２水供給部１２６ａ、第２燐酸供給部１２６ｂおよび第２ガス供給部１２６ｃを制御する。

【0072】

記憶部１０６は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部１０６は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０６はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０４は、記憶部１０６の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、処理液調製方法を実行する。

【0073】

なお、記憶部１０６には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、処理液調製装置１００は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。

【0074】

なお、基板処理部２１０は、配管２１３と、バルブ２１３ａと、配管２１５と、バルブ２１５ａとをさらに備える。配管２１３は、第１貯留部１１０の第１配管１１３と、チャンバー２１２とを接続する。バルブ２１３ａは、配管２１３に配置される。バルブ２１３ａは、配管２１３内の燐酸液の流れを制御する。バルブ２１３ａが開くことにより、燐酸液は、チャンバー２１２に向かってノズル２１６を介して基板Ｗに吐出される。バルブ２１３ａが閉じることにより、燐酸液は、チャンバー２１２に向かって流れなくなる。

【0075】

配管２１５は、チャンバー２１２と、第２貯留部１２０の戻り配管１２３ｂとを接続する。バルブ２１５ａは、配管２１５に配置される。バルブ２１５ａは、配管２１５内の燐酸液の流れを制御する。バルブ２１５ａが開くことにより、燐酸液は、チャンバー２１２から第２貯留部１２０に向かって流れる。バルブ２１５ａが閉じることにより、燐酸液は、第２貯留部１２０に向かって流れなくなる。

【0076】

また、基板処理部２１０は、制御部２０４と、記憶部２０６とをさらに備える。制御部２０４は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部２０４は、バルブ２１３ａ、基板保持部２１４、バルブ２１５ａおよびノズル２１６を制御する。

【0077】

記憶部２０６は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部２０６は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部２０６はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０４は、記憶部２０６の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理方法を実行する。

【0078】

記憶部２０６には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、基板処理部２１０は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。

【0079】

なお、制御部１０４と、記憶部１０６と、制御部２０４と、記憶部２０６とは、一体的に構成されてもよい。例えば、制御部１０４と、記憶部１０６と、制御部２０４と、記憶部２０６とは、一体的に構成されて装置制御部２０１として基板処理装置２００を制御してもよい。

【0080】

本実施形態の処理液調製装置１００において、記憶部１０６は、第１貯留部１１０の第１燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第１計測部１１４の計測値を記憶する。第１燐酸液が境界状態であるときの計測部の計測値は、第１燐酸液固有の基準状態として利用可能である。このため、第１計測部１１４の計測値を利用することで、第１燐酸液を他の燐酸液と同じ状態に較正できる。例えば、第１計測部１１４の計測値を利用することで、第１貯留部１１０の第１燐酸液を第２貯留部１２０の第２燐酸液と同じ状態に調製できる。

【0081】

また、記憶部１０６は、第２貯留部１２０の第２燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第２計測部１２４の計測値を記憶する。第２燐酸液が境界状態であるときの計測部の計測値は、第２燐酸液固有の基準状態として利用可能である。このため、第２計測部１２４の計測値を利用することで、第２燐酸液を第１燐酸液と同じ状態に調製できる。

【0082】

上述したように、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０の燐酸液は、ヒータ１１５ｂおよびヒータ１２５ｂによって加熱される。燐酸液の温度が一定である場合、燐酸液中の燐酸および水の比率に応じて、燐酸液の処理特性は異なる。燐酸液中の水成分が多いほど、燐酸液の比重が低くなる。また、燐酸液の温度が一定条件下にあれば、燐酸液中の水成分が多いほど、基板Ｗのエッチングレートを向上できる。また、燐酸液中の燐酸成分が多いほど、燐酸液の比重が高くなるとともに、燐酸液の温度を容易に上昇できる。なお、燐酸液の成分（または比重）が一定であれば、燐酸液の温度が高いほど基板Ｗのエッチングレートを向上できる。

【0083】

次に、図１および図２を参照して、本実施形態の処理液調製装置１００における第１貯留槽１１２への水の供給と、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を説明する。図２（ａ）～図２（ｄ）は、本実施形態の処理液調製装置１００における第１貯留槽１１２への水の供給と、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。

【0084】

なお、図２（ａ）～図２（ｄ）では、燐酸液の温度は一定に維持している。例えば、燐酸液の温度は、１３０℃以上１８０℃以下である。また、燐酸液の状態は、第１配管１１３の一部において観察できる。燐酸液の状態は、第１配管１１３の一部で目視にて確認してもよい。

【0085】

図２（ａ）に示すように、第１水供給部１１６ａから第１貯留槽１１２に比較的多くの水が供給されると、燐酸液の水成分が比較的多くなる。この場合、第１計測部１１４は、第１燐酸液の比重として比較的低い値を計測する。ここでは、計測値は３３．９である。このとき、第１燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。

【0086】

図２（ｂ）に示すように、第１水供給部１１６ａから第１貯留槽１１２に供給される水の量を若干減少させると、燐酸液の水成分がやや少なくなる。この場合、第１計測部１１４は、第１燐酸液の比重としてやや高い値を計測する。ここでは、計測値は３４．０である。このときも、第１燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。

【0087】

図２（ｃ）に示すように、第１水供給部１１６ａから第１貯留槽１１２に供給される水の量をさらに減少させると、燐酸液の水成分がさらに少なくなる。この場合、第１計測部１１４は、第１燐酸液の比重としてさらに高い値を計測する。ここでは、計測値は３４．１である。このときも、第１燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。

【0088】

図２（ｄ）に示すように、第１水供給部１１６ａから第１貯留槽１１２に供給される水の量をさらに減少させると、燐酸液の水成分がさらに少なくなる。この場合、第１計測部１１４は、第１貯留部１１０の燐酸液の比重はさらに高い値を計測する。ここでは、計測値は３４．２である。このとき、第１燐酸液は沸騰せずに透明なままである。

【0089】

図２（ａ）～図２（ｄ）を参照した説明から理解されるように、燐酸液の温度が一定であっても、燐酸液の成分の変化とともに燐酸液の比重とともに燐酸液の状態が変化する。詳細には、燐酸液の水分が少ないほど、燐酸液の比重が増加し、燐酸液は沸騰しにくい。

【0090】

図１を参照して説明したように、処理液調製装置１００では、第１計測部１１４は第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値を計測し、第２計測部１２４は第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値を計測する。ただし、第１計測部１１４および第２計測部１２４には機器ごとに差があるため、仮に、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液の比重が等しい場合でも、第１計測部１１４の計測結果が第２計測部１２４の計測結果と等しくならないことがある。反対に、第１計測部１１４の計測結果が第２計測部１２４の計測結果と等しくても、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液の比重が等しくないことがある。この場合、第１計測部１１４の計測値および第２計測部１２４の計測値が互いに整合するように第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液を調製しても、第１燐酸液の比重は第２燐酸液の比重とは異なることになる。このように、比重の異なる２つの燐酸液を混合すると、燐酸液の比重は当初の予定した比重とは異なることになり、処理液の処理特性が変化してしまう。

【0091】

次に、図１～図３を参照して、本実施形態にしたがって処理液を調製する前の処理液調製装置１００の制御を説明する。図３（ａ）～図３（ｄ）は、第１貯留槽１１２および第２貯留槽１２２への水の供給と、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。

【0092】

図３（ａ）に示すように、第１計測部１１４の計測値が第２計測部１２４の計測値がいずれも同じ値（３３．９）になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御する。この場合、第１配管１１３を流れる燐酸液および第２配管１２３を流れる燐酸液はいずれも激しく突沸している。配管のうちの側方には気泡が形成されており、配管の中央のみに燐酸液が流れる。このとき、第１燐酸液および第２燐酸液は、いずれも図２（ａ）に示した状態に相当する。

【0093】

図３（ｂ）に示すように、第１計測部１１４の計測値および第２計測部１２４の計測値がいずれも同じ値（３４．０）になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量が減少するように制御する。この場合、第１配管１１３を流れる燐酸液および第２配管１２３を流れる燐酸液はいずれも突沸している。ただし、第１配管１１３を流れる燐酸液の突沸は比較的激しいのに対して、第２配管１２３を流れる燐酸液の突沸は比較的弱い。このとき、第１燐酸液は、図２（ｂ）に示した状態に相当し、第２燐酸液は、図２（ｃ）に示した状態に相当する。

【0094】

図３（ｃ）に示すように、第１計測部１１４の計測値および第２計測部１２４の計測値がいずれも同じ値（３４．１）になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量が減少するように制御する。この場合、第１配管１１３を流れる燐酸液は依然として突沸した状態であるのに対して第２配管１２３を流れる燐酸液は突沸していない。このとき、第１燐酸液は、図２（ｃ）に示した状態に相当し、第２燐酸液は、図２（ｄ）に示した状態に相当する。

【0095】

図３（ｄ）に示すように、第１計測部１１４の計測値および第２計測部１２４の計測値がいずれも同じ値（３４．２）になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量が減少するように制御する。この場合、第１配管１１３を流れる燐酸液および第２配管１２３を流れる燐酸液はいずれも突沸しない。このとき、第１燐酸液および第２燐酸液は、いずれも図２（ｄ）に示した状態に相当する。

【0096】

図３（ａ）～図３（ｄ）を参照して説明したように、第１計測部１１４の計測値および第２計測部１２４の計測値が等しくなるように第１貯留槽１１２および第２貯留槽１２２を制御しても、第１燐酸液および第２燐酸液は異なる状態になる。これは、第１計測部１１４と第２計測部１２４との間の機器間差によるものである。このため、第１計測部１１４の計測結果と第２計測部１２４ｎの計測結果とが整合するように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御しても、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液の比重を揃えることはできない。

【0097】

本実施形態の処理液調製装置１００では、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液を共通の状態に設定した状態で、第１計測部１１４が第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値を計測するとともに、第２計測部１２４が第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値を計測する。これらの比重は、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液を共通の状態を示すものであるため、第１計測部１１４と第２計測部１２４との間の機器間差の影響を受けない。その後、これらの計測結果を基準として、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液を調製することが好ましい。

【0098】

次に、図１～図４を参照して、本実施形態の処理液調製方法を説明する。図４（ａ）～図４（ｃ）は、本実施形態の処理液調製装置１００における第１貯留槽１１２および第２貯留槽１２２への水の供給、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。本実施形態では、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液をいずれも突沸状態と非突沸状態との境界状態に設定した状態で、第１計測部１１４は第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値を計測し、第２計測部１２４は第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値を計測する。典型的には、この状態において、第１計測部１１４の計測値は、第２計測部１２４の計測値とは異なる。

【0099】

図４（ａ）に示すように、第１貯留部１１０の燐酸液の状態が第２貯留部１２０の燐酸液の状態とほぼ等しくなるように、第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御する。ここでは、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液のいずれもが、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御する。このとき、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液は、図２（ｃ）に示したように、若干突沸している。

【0100】

例えば、図４（ａ）において、第１計測部１１４によって計測された第１貯留部１１０の計測値は３４．１であり、第２計測部１２４によって計測された第１貯留部１１０の計測値は３４．０である。

【0101】

また、図４（ｂ）に示すように、第１貯留部１１０の燐酸液の状態が第２貯留部１２０の燐酸液の状態とほぼ等しくなるように、第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御する。ここでは、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液のいずれもが、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御する。このとき、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液は、図２（ｄ）に示したように、突沸していない。

【0102】

例えば、図４（ｂ）において、第１計測部１１４によって計測された第１燐酸液の比重を示す値は３４．２であり、第２計測部１２４によって計測された第２燐酸液の比重を示す値は３４．１である。

【0103】

なお、第１貯留部１１０の燐酸液の調製条件では、第１計測部１１４の計測値が３４．１と３４．２との間である場合、第１貯留部１１０の燐酸液は、突沸状態と非突沸状態との境界状態となる。このとき、第１燐酸液の状態は、第２燐酸液の状態と等しい。したがって、記憶部１０６（図１）は、第１計測部１１４の計測値から、第１貯留部１１０の基準値として３４．２を記憶する。また、記憶部１０６（図１）は、第２計測部１２４の計測値から、第２貯留部１２０の基準値として３４．１を記憶する。

【0104】

なお、実際に基板処理部２１０で用いる燐酸液の比重は、基準値に対応する比重よりも高いことが好ましい。これにより、基板処理部２１０の温度が多少低くても、燐酸液が気化して処理液に泡が発生することを抑制できる。

【0105】

図４（ｃ）に示すように、第１計測部１１４の計測値および第２計測部１２４の計測値は、いずれも基準値から所定値だけ比重が増加するように、第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量が減少するように制御する。ここでは、所定値は０．３である。このため、第１計測部１１４の計測値は３４．５であり、第２計測部１２４の計測値は３４．４である。以上のように、基板処理に用いる燐酸液の計測値は、燐酸液の較正の基準となる基準値とは異なってもよい。

【0106】

なお、第１貯留部１１０の燐酸液に供給する際の第１計測部１１４の計測値は、基板処理部２１０を流れる燐酸液を観察して決定することが好ましい。

【0107】

以下、図５を参照して本実施形態の基板処理装置２００における燐酸液の調製について説明する。図５（ａ）～図５（ｃ）は、基板処理装置２００の模式図である。なお、図５（ａ）～図５（ｃ）は、図１の基板処理装置２００の一部を示す模式図である。ここでは、基板処理部２１０を流れる燐酸液の状態を確認する。例えば、基板処理部２１０におけるノズル２１６を通過する直前の燐酸液の状態を確認する。

【0108】

図５（ａ）に示すように、第１計測部１１４の計測値が第１基準値（３４．２）である場合、第１燐酸液は非突沸状態である。ここでは、第１貯留部１１０の燐酸液は突沸していないのに対して、基板処理部２１０の燐酸液は突沸している。第１貯留部１１０の燐酸液は、図２（ｄ）に示した状態に相当し、基板処理部２１０の燐酸液は、図２（ｂ）に示した状態に相当する。この場合、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値がさらに増加するように第１水供給部１１６ａからの水の量を減少する。

【0109】

図５（ｂ）に示すように、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値がさらに増加して、第１計測部１１４の計測値が３４．４である場合、第１貯留部１１０の燐酸液は突沸していないのに対して基板処理部２１０の燐酸液の突沸の程度は減少したが、基板処理部２１０の燐酸液は突沸状態のままである。第１貯留部１１０の燐酸液は、図２（ｄ）に示した状態に相当し、基板処理部２１０の燐酸液は、図２（ｃ）に示した状態に相当する。この場合、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値がさらに増加するように第１水供給部１１６ａからの水の量を減少する。

【0110】

図５（ｃ）に示すように、第１計測部１１４の計測値が第１基準値（３４．５）である場合、第１貯留部１１０の第１燐酸液は非突沸状態であるとともに基板処理部２１０の燐酸液は非突沸状態になる。第１貯留部１１０の燐酸液は、図２（ｄ）に示した状態に相当し、基板処理部２１０の燐酸液は、図２（ｄ）に示した状態に相当する。このように、第１貯留部１１０の第１燐酸液は、基板処理部２１０の燐酸液が非突沸状態になるように調製されることが好ましい。

【0111】

ただし、第１貯留部１１０の第１燐酸液の比重を示す値が高いほど、基板Ｗのエッチングレートが低下する。このため、第１貯留部１１０の第１燐酸液の比重を示す値は、基板処理部２１０の燐酸液が突沸しない範囲内で比較的低いことが好ましい。

【0112】

なお、図５（ａ）～図５（ｃ）を参照した上述の説明では、基板処理部２１０の燐酸液としてノズル２１６を通過する直前の燐酸液の状態を観察したが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理部２１０の燐酸液として配管２１３中の燐酸液の状態を観察してもよい。

【0113】

以下、図１～図６を参照して、本実施形態の処理液調製装置１００のフローを説明する。図６は、処理液調製装置１００のフローを説明するためのフロー図である。

【0114】

ステップＳ１０２において、第１貯留部１１０の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態になるように設定する。また、第２貯留部１２０の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態になるように設定する。

【0115】

例えば、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液は、図４（ａ）に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御した後で、第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を減少させて、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液は、図４（ｂ）に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように制御してもよい。あるいは、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液は、図４（ｂ）に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を制御した後で、第１水供給部１１６ａおよび第２水供給部１２６ａからの水の量を増加させて、図４（ａ）に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように制御してもよい。

【0116】

ステップＳ１０４において、第１貯留部１１０の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第１計測部１１４が境界状態の燐酸液の比重を示す値を第１基準値として計測する。同様に、第２貯留部１２０の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第２計測部１２４が境界状態の燐酸液の比重を示す値を第２基準値として計測する。

【0117】

ステップＳ１０６において、記憶部１０６は、第１計測部１１４によって計測された比重を記憶する。また、記憶部１０６は、第２計測部１２４によって計測された比重を記憶する。

【0118】

ステップＳ１０８において、第１貯留部１１０は、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値が第１基準値から所定値だけずれるように調製する。典型的には、第１貯留部１１０は、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値が基準値から増大するように第１燐酸液を調製する。

【0119】

なお、調製後の計測値と基準値との差分が小さい場合、追加して供給される水の量が少ないため、燐酸液は高い温度を保つことができる。ただし、比重の計測値が基準値から所定値だけ増大するように燐酸液を調製するため、原則として、燐酸液には突沸は生じないが、意図せぬ要因による突沸の可能性をさらに低減させるために、差分はある程度大きいことが好ましい。

【0120】

また、第２貯留部１２０は、燐酸液の比重を示す値が第２基準値から所定値だけずれるように調製する。典型的には、第２貯留部１２０は、第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値が基準値から増大するように燐酸液を調製する。

【0121】

以上のように、本実施形態によれば、第１貯留部１１０の燐酸液の比重を第２貯留部１２０の燐酸液の比重と揃えることができ、第１貯留部１１０の燐酸液を第２貯留部１２０の燐酸液と同様に較正できる。このため、第２貯留部１２０の燐酸液を第１貯留部１１０の燐酸液と混合させても、第１貯留部１１０の燐酸液の処理特性は変動せず、基板処理部２１０は、連続して安定的に基板Ｗを処理できる。

【0122】

なお、図１に示した処理液調製装置１００では、第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液の状態は、目視にて確認したが、本実施形態はこれに限定されない。第１貯留部１１０の燐酸液および第２貯留部１２０の燐酸液の少なくとも一方の状態は撮像機器で確認されてもよい。

【0123】

次に、図７を参照して、本実施形態の処理液調製装置１００を備える基板処理装置２００を説明する。図７は、基板処理装置２００の模式図である。なお、図７に示した基板処理装置２００は、処理液調製装置１００が第１撮像部１１８および第２撮像部１２８をさらに備えることを除いて、図１を参照して上述した基板処理装置２００と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。

【0124】

基板処理装置２００は、処理液調製装置１００と、基板処理部２１０とを備える。処理液調製装置１００は、貯留部１０２を備える。貯留部１０２は、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０を含む。第１貯留部１１０は、第１貯留槽１１２、第１配管１１３に加えて第１撮像部１１８をさらに含む。第１撮像部１１８は、第１配管１１３の少なくとも一部を撮像する。第１撮像部１１８は、第１配管１１３の透明部分を撮像することが好ましい。

【0125】

第２貯留部１２０は、第２貯留槽１２２、第２配管１２３に加えて第２撮像部１２８をさらに含む。第２撮像部１２８は、第２配管１２３の少なくとも一部を撮像する。第２撮像部１２８は、第２配管１２３の透明部分を撮像することが好ましい。

【0126】

制御部１０４は、第１撮像部１１８および第２撮像部１２８を制御する。例えば、制御部１０４は、第１撮像部１１８の撮像結果および第２撮像部１２８の撮像結果を解析する。一例では、第１水供給部１１６ａから流れる水の量を変更しながら、第１撮像部１１８の撮像結果に基づいて、第１燐酸液が、図２（ｃ）に示した状態である場合と第１燐酸液が図２（ｄ）に示した状態である場合であることを特定する。このように、第１貯留部１１０の燐酸液を突沸状態と非突沸状態との境界状態に設定した状態で、第１計測部１１４は第１貯留部１１０の燐酸液の比重を示す値を計測し、記憶部１０６は、第１計測部１１４の計測結果を記憶してもよい。

【0127】

また、第２水供給部１２６ａから流れる水の量を変更しながら、第２撮像部１２８の撮像結果に基づいて、第２燐酸液が、図２（ｃ）に示した状態である場合と第２燐酸液が図２（ｄ）に示した状態である場合であることを特定する。このように、第２貯留部１２０の燐酸液を突沸状態と非突沸状態との境界状態に調製した状態で、第２計測部１２４は第２貯留部１２０の燐酸液の比重を示す値を計測し、記憶部１０６は、第２計測部１２４の計測結果を記憶してもよい。

【0128】

なお、図１および図７に示した基板処理装置２００では、図面が過度に複雑になることを避けるために、処理液調製装置１００は、１つの基板処理部２１０に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置１００は、複数の基板処理部２１０に処理液を供給してもよい。この場合、処理液調製装置１００から基板処理部２１０に供給される燐酸液の比重および温度は、複数の基板処理部２１０のうちの処理液調製装置１００から最も遠い（すなわち、処理液調製装置１００からの配管距離の長い）処理部において燐酸液に気泡が発生しないように設定されることが好ましい。

【0129】

なお、図１および図７に示した基板処理装置２００では、処理液調製装置１００は、枚葉型の基板処理部２１０に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置１００は、バッチ型の基板処理部に処理液を供給してよい。

【0130】

次に、図８を参照して、本実施形態の処理液調製装置１００を備える基板処理装置２００を説明する。図８は、基板処理装置２００の模式図である。なお、図８の基板処理装置２００は、基板処理部２２０がバッチ型である点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置２００と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。

【0131】

基板処理装置２００は、処理液調製装置１００と、基板処理部２２０とを備える。処理液調製装置１００は、基板処理部２２０のための処理液を調製し、基板処理部２２０に処理液を供給する。基板処理部２２０は、基板Ｗを処理する。基板処理部２２０は、バッチ式である。

【0132】

基板処理部２２０は、処理槽２２２と、基板積載部２２４とを備える。処理槽２２２には、処理液調製装置１００から燐酸液が供給され、処理槽２２２は、燐酸液を貯留する。基板積載部２２４は、基板Ｗを積載する。典型的には、基板積載部２２４は、複数の基板Ｗを積載する。基板積載部２２４は、基板Ｗを積載した状態で処理槽２２２に浸漬する。これにより、基板Ｗは、処理液で処理される。

【0133】

以上のように、本実施形態の処理液調製装置１００は、バッチ型の基板処理部２２０に処理液を供給する。処理液調製装置１００は、バッチ処理にも好適に用いられる。

【0134】

なお、図８に示した基板処理装置２００では、処理液調製装置１００は、バッチ型の基板処理部２２０の処理槽２２２に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置１００において基板が処理されてもよい。

【0135】

以下、図９を参照して、本実施形態の処理液調製装置１００を備えた基板処理装置２００を説明する。図９は、本実施形態の基板処理装置２００の模式図である。なお、図９に示した基板処理装置２００は、処理液調製装置１００が基板Ｗを処理するための貯留槽として用いられるとともに、第２貯留部１２０の燐酸液が第１貯留部１１０の燐酸液と混合されない点を除いて、図８を参照して上述した基板処理装置２００と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。

【0136】

基板処理装置２００は、処理液調製装置１００と、基板積載部２３０とを備える。処理液調製装置１００は、第１貯留部１１０と、第２貯留部１２０とを含む。第１貯留部１１０は、調製した燐酸液を生成する。また、第２貯留部１２０は、調製した燐酸液を生成する。なお、本実施形態の基板処理装置２００では、第２貯留部１２０の燐酸液が第１貯留部１１０の燐酸液と混合されない。

【0137】

基板積載部２３０は、基板Ｗを積載する。典型的には、基板積載部２３０は、複数の基板Ｗを積載する。基板積載部２３０は、基板Ｗを積載して処理液調製装置１００の燐酸液に浸漬する。

【0138】

基板積載部２３０は、第１積載部２３２と、第２積載部２３４とを含む。第１積載部２３２は、基板Ｗを保持した状態で、第１貯留部１１０の第１貯留槽１１２に浸漬する。第２積載部２３４は、基板Ｗを保持した状態で、第２貯留部１２０の第２貯留槽１２２に浸漬する。

【0139】

典型的には、第１積載部２３２が第１貯留部１１０の第１貯留槽１１２に浸漬する前に、第１貯留部１１０の燐酸液は所定の温度および比重に設定される。同様に、第２積載部２３４が第２貯留部１２０の第２貯留槽１２２に浸漬する前に、第２貯留部１２０の燐酸液は所定の温度および比重に設定される。この場合でも、第２貯留部１２０の燐酸液は、第１貯留部１１０の燐酸液と同様に境界状態の計測値を基準として調製することにより、第２貯留部１２０の燐酸液による基板Ｗの処理を第１貯留部１１０の燐酸液による基板Ｗの処理と揃えることができる。

【0140】

以上のように、本実施形態の処理液調製装置１００は、基板Ｗを処理するための貯留槽として用いてもよい。処理液調製装置１００は、バッチ処理装置の貯留槽としても好適に用いられる。

【0141】

なお、図１～図９を参照した上述の説明では、基板処理装置２００は複数の貯留部を含んだが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置２００に含まれる貯留部は１つであってもよい。

【0142】

以下、図１０を参照して、本実施形態の基板処理装置２００を備えた基板処理システム３００を説明する。図１０は、基板処理システム３００の模式図である。図１０に示すように、基板処理システム３００は、基板処理装置２００Ａと、基板処理装置２００Ｂとを備える。基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂは、処理液調製装置１００Ａおよび処理液調製装置１００Ｂにそれぞれ含まれる処理槽が１つである点を除いて図１を参照して上述した基板処理装置２００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0143】

典型的には、基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂは互いに離れた場所に配置される。例えば、基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂは同じ国の異なる場所に配置されてもよい。あるいは、基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂは異なる国に配置されてもよい。

【0144】

基板処理装置２００Ａは、処理液調製装置１００Ａと、基板処理部２１０Ａとを備える。ここでは、処理液調製装置１００Ａは、第１貯留部１１０を有する。第１貯留部１１０において第１燐酸液は調製される。

【0145】

基板処理装置２００Ｂは、処理液調製装置１００Ｂと、基板処理部２１０Ｂとを備える。ここでは、処理液調製装置１００Ａは、第２貯留部１２０を有する。第２貯留部１２０において第２燐酸液は調製される。

【0146】

基板処理システム３００は、さらに、基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂと通信可能な情報処理装置３１０を備えてもよい。情報処理装置３１０は、例えば、サーバーである。例えば、基板処理装置２００Ａは、情報処理装置３１０を介して基板処理装置２００Ｂと情報を通信可能である。

【0147】

例えば、基板処理装置２００Ａは、第１燐酸液の境界状態における燐酸液の比重を示す第１基準値を計測した後、基板処理装置２００Ａは、情報処理装置３１０に第１基準値を示す情報を送信する。情報処理装置３１０は、基板処理装置２００Ａから第１基準値を示す情報を受信して記憶する。また、必要に応じて、情報処理装置３１０は、基板処理装置２００Ａの第１基準値を基板処理装置２００Ｂに送信する。その後、基板処理装置２００Ｂでも第２燐酸液の境界状態における燐酸液の比重を示す第２基準値を計測する。その後、基板処理装置２００Ｂの燐酸液は、基板処理装置２００Ａの燐酸液と同様に基準値を基準として較正する。これにより、基板処理装置２００Ｂの第２燐酸液を基板処理装置２００Ａの第１燐酸液と同様に較正できる。

【0148】

なお、図１０を参照した上述の説明では、基板処理システム３００は、基板処理装置２００Ａ、２００Ｂを備えたが、基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂは同時刻に存在しなくてもよい。例えば、基板処理装置２００Ａは、１カ月前の燐酸液の境界状態の第１基準値を記憶しており、基板処理装置２００Ｂは、基板処理装置２００Ａの第１基準値と自ら計測した第２基準値とを利用して、基板処理装置２００Ａの計測から１カ月後に、基板処理装置２００Ａの第１燐酸液と同様に第２燐酸液を較正してもよい。

【0149】

このように、基板処理装置２００Ａおよび基板処理装置２００Ｂが同じ時刻に存在しなくても、基板処理装置２００Ｂの処理液調製装置１００Ｂは、処理液調製装置１００Ｂの燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第２基準値と第１基準値とを利用することで、処理液調製装置１００Ｂの第２燐酸液を処理液調製装置１００Ａの燐酸液と同じ条件に揃えることができる。

【0150】

以下、図１１を参照して、処理液調製装置１００Ａのフローを説明するためのフロー図である。なお、図１１では、図１０の処理液調製装置１００Ａのフローを示すが、基板処理装置２００Ｂに含まれる処理液調製装置１００Ｂも同様のフローで動作してもよい。

【0151】

ステップＳ２０２において、第１貯留部１１０の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態にする。

【0152】

ステップＳ２０４において、第１貯留部１１０の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第１計測部１１４は、第１貯留部１１０の燐酸液の境界状態の比重を示す値（第１基準値）を計測する。

【0153】

ステップＳ２０６において、記憶部１０６は、第１計測部１１４の計測値（第１基準値）を記憶する。

【0154】

以上のように、本実施形態によれば、記憶部１０６は、第１貯留部１１０の燐酸液の境界状態における第１計測部１１４の計測値（第１基準値）を記憶する。このため、第２貯留部１２０の燐酸液の比重を第１貯留部１１０の燐酸液の比重と揃えることができ、第１貯留部１１０の燐酸液に対して第２貯留部１２０の燐酸液を較正できる。

【0155】

以下、図１２を参照して、本実施形態の処理液調製装置１００を備えた基板処理装置２００を説明する。図１２は、本実施形態の処理液調製装置１００を備えた基板処理装置２００の模式図である。なお、図１２に示した基板処理装置２００は、処理液調製装置１００が第１貯留部１１０および第２貯留部１２０に加えて第３貯留部１３０および新液供給部１４０をさらに備える点を除いて、図１を参照して上述した基板処理装置２００と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。

【0156】

基板処理装置２００は、処理液調製装置１００と、基板処理部２１０とを備える。処理液調製装置１００の貯留部１０２は、第１貯留部１１０および第２貯留部１２０に加えて第３貯留部１３０をさらに備える。また、処理液調製装置１００は、新液供給部１４０をさらに備える。

【0157】

上述したように、第２貯留部１２０は、第２燐酸液を調製し、第１貯留部１１０に第２燐酸液を補充する。同様に、第３貯留部１３０は、第３燐酸液を調製し、第１貯留部１１０に第３燐酸液を補充する。ただし、第３貯留部１３０が第３燐酸液を補充するタイミングは、第２貯留部１２０が第２燐酸液を補充するタイミングとは異なる。

【0158】

新液供給部１４０は、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０に燐酸液を供給する。なお、第２貯留部１２０が第１貯留部１１０に第２燐酸液を補充しない期間に、新液供給部１４０は、第２貯留部１２０に燐酸液を供給する。また、第３貯留部１３０が第１貯留部１１０に第３燐酸液を補充しない期間に、新液供給部１４０は、第３貯留部１３０に燐酸液を供給する。なお、ここでは、新液供給部１４０では、燐酸液は所定の温度および比重に調製されない。

【0159】

第３貯留部１３０は、第１貯留部１１０および／または第２貯留部１２０に対応する構成を有している。第３貯留部１３０は、第３貯留槽１３２と、第３配管１３３と、第３計測部１３４と、ポンプ１３５ａと、ヒータ１３５ｂと、フィルタ１３５ｃと、バルブ１３５ｄと、バルブ１３５ｅと、第３水供給部１３６ａと、第３燐酸供給部１３６ｂと、第３ガス供給部１３６ｃとを含む。冗長な説明を避けるために第３貯留部１３０についての重複する記載を省略する。

【0160】

第３貯留部１３０の第３配管１３３は、第３貯留槽１３２と第１貯留槽１１２とを連絡する。また、バルブ１３５ｄは、第３貯留槽１３２から第１貯留槽１１２に向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ１３５ｄが開くことにより、燐酸液は、第１貯留槽１１２に向かって流れる。バルブ１３５ｄが閉じることにより、燐酸液は、第３貯留部１３０から第１貯留部１１０に向かって流れなくなる。

【0161】

また、バルブ１３５ｅが開くことにより、燐酸液は、第３貯留槽１３２に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ１３５ｅが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。

【0162】

例えば、バルブ１３５ｄが閉じた状態でバルブ１３５ｅが開いていることにより、第３貯留部１３０の燐酸液は、循環配管１３３ａを介して循環する。このとき、ヒータ１３５ｂが循環する燐酸液を加熱することにより、第３貯留部１３０の燐酸液を所定の温度に設定できる。

【0163】

また、バルブ１３５ｄおよびバルブ１３５ｅが開いていることにより、第３貯留部１３０の燐酸液は、循環配管１３３ａを介して循環するとともに第３配管１３３を介して第１貯留部１１０に供給される。このため、第３貯留部１３０は、第１貯留部１１０の燐酸液を補充できる。

【0164】

さらに、第３貯留部１３０は、基板処理部２１０と第３貯留槽１３２とを連絡する戻り配管１３３ｂを有する。戻り配管１３３ｂには、基板処理部２１０においてカップ１３６によって回収された処理液が流れる。戻り配管１３３ｂを通過する処理液は、第３貯留槽１３２の本体槽１３２ａに戻る。

【0165】

また、基板処理部２１０の配管２１５には、バルブ２１５ａとともにバルブ２１５ｂが設けられる。配管２１５は、チャンバー２１２と、第２貯留部１２０の戻り配管１２３ｂと、第３貯留部１３０の戻り配管１３３ｂとを接続する。バルブ２１５ｂは、配管２１５内の燐酸液の流れを制御する。バルブ２１５ｂが開くことにより、燐酸液は、チャンバー２１２から第３貯留部１３０に向かって流れる。バルブ２１５ａが閉じることにより、燐酸液は、第３貯留部１３０に向かって流れなくなる。

【0166】

新液供給部１４０は、貯留槽１４２と、配管１４３と、燐酸供給部１４６とを有する。燐酸供給部１４６は、燐酸液を供給する。貯留槽１４２には、燐酸が貯留される。

【0167】

配管１４３は、貯留槽１４２と、第２貯留槽１２２および第３貯留槽１３２とを連絡する。配管１４３には、バルブ１４３ａおよびバルブ１４３ｂが設けられる。バルブ１４３ａは、配管１４３内の燐酸液の流れを制御する。バルブ１４３ａが開くことにより、燐酸液は、貯留槽１４２から第２貯留槽１２２に向かって流れる。バルブ１４３ａが閉じることにより、燐酸液は、第２貯留槽１２２に向かって流れなくなる。

【0168】

バルブ１４３ｂは、配管１４３内の燐酸液の流れを制御する。バルブ１４３ｂが開くことにより、燐酸液は、貯留槽１４２から第３貯留槽１３２に向かって流れる。バルブ１４３ｂが閉じることにより、燐酸液は、第３貯留槽１３２に向かって流れなくなる。

【0169】

本実施形態の基板処理装置２００によれば、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０は、交互に第１貯留部１１０に燐酸液を供給する。このため、第１貯留部１１０は、連続して基板処理部２１０に燐酸液を供給できる。また、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０は、基板処理部２１０からの処理液を交互に回収する。このため、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０は、基板処理部２１０からの処理液を所定の温度および比重に調製して有効に活用できる。さらに、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０は、新液供給部１４０からの燐酸液を交互に供給されて、所定の温度および比重に効率的に調製できる。

【0170】

以下、図１３を参照して、図１２に示した基板処理装置２００における燐酸液の流れの変化を説明する。図１３（ａ）～図１３（ｆ）は、図１２に示した基板処理装置２００における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。なお、図１３（ａ）～図１３（ｆ）では、図面が過度に複雑になることを避けるために、処理液調製装置１００の第１貯留部１１０、第２貯留部１２０、第３貯留部１３０、新液供給部１４０および基板処理部２１０を模式的に示すともに、燐酸液の流れる配管のみを示していることに留意されたい。

【0171】

さらに、図１３（ａ）～図１３（ｆ）では、第１貯留部１１０、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０内の燐酸液の量の変化を矢印で示している。上向きの矢印は、燐酸液の量が増加することを示し、下向きの矢印は、燐酸液の量が減少することを示す。

【0172】

図１３（ａ）に示すように、第１貯留部１１０は基板処理部２１０に燐酸液を供給することを開始する。第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0173】

第２貯留部１２０は、燐酸液を循環することで、第２貯留部１２０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0174】

第３貯留部１３０は、燐酸液を循環することで、第３貯留部１３０の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第３貯留部１３０は、基板処理部２１０において使用された処理液を回収する。基板処理部２１０において使用された処理液は、配管を通って第３貯留部１３０に到達する。処理液は、第３貯留部１３０において循環されて、所定の温度に維持される。

【0175】

第１貯留部１１０、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０の燐酸液は同じ温度に設定される。なお、第１貯留部１１０、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０の燐酸液は、第１貯留部１１０が基板処理部２１０に燐酸液を供給することを開始する前に行われた境界状態の基準値を基準として調製される。上述したように、第１貯留部１１０の第１計測部１１４、第２貯留部１２０の第２計測部１２４および第３貯留部１３０の第３計測部１３４の計測結果は異なっていてもよい。なお、図１３（ａ）～図１３（ｆ）にわたって、第１貯留部１１０、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０の燐酸液は、第１貯留部１１０が基板処理部２１０に燐酸液を供給することを開始する前に行われた境界状態の計測結果を基準に調製される。

【0176】

図１３（ｂ）に示すように、第１貯留部１１０は基板処理部２１０に燐酸液を供給し続ける。第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0177】

第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に燐酸液を供給する。また、第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第２貯留部１２０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0178】

第３貯留部１３０は、基板処理部２１０において使用された処理液を回収し続ける。また、第３貯留部１３０は、燐酸液を循環することで、第３貯留部１３０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0179】

図１３（ｃ）に示すように、第１貯留部１１０は基板処理部２１０に燐酸液を供給し続ける。第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0180】

第２貯留部１２０は、燐酸液を循環することで、第２貯留部１２０の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第２貯留部１２０は、基板処理部２１０において使用された処理液を回収する。基板処理部２１０において使用された処理液は、配管を通って第２貯留部１２０に到達する。処理液は、第２貯留部１２０において循環されて、所定の温度に維持される。

【0181】

第３貯留部１３０は、燐酸液を循環することで、第３貯留部１３０の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第３貯留部１３０には、新液供給部１４０から新たな燐酸液が供給される。

【0182】

図１３（ｄ）に示すように、第１貯留部１１０は基板処理部２１０に燐酸液を供給し続ける。第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0183】

第２貯留部１２０は、基板処理部２１０において使用された処理液を回収し続ける。また、第２貯留部１２０は、燐酸液を循環することで、第２貯留部１２０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0184】

第３貯留部１３０は、第１貯留部１１０に燐酸液を供給する。また、第３貯留部１３０は、第１貯留部１１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第３貯留部１３０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0185】

図１３（ｅ）に示すように、第１貯留部１１０は基板処理部２１０に燐酸液を供給し続ける。第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0186】

第２貯留部１２０は、燐酸液を循環することで、第２貯留部１２０の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第２貯留部１２０には、新液供給部１４０から新たな燐酸液が供給される。

【0187】

第３貯留部１３０は、燐酸液を循環することで、第３貯留部１３０の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第３貯留部１３０は、基板処理部２１０において使用された処理液を回収する。基板処理部２１０において使用された処理液は、配管を通って第３貯留部１３０に到達する。処理液は、第３貯留部１３０において循環されて、所定の温度に維持される。

【0188】

図１３（ｆ）に示すように、第１貯留部１１０は基板処理部２１０に燐酸液を供給し続ける。第１貯留部１１０は、基板処理部２１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第１貯留部１１０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0189】

第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に燐酸液を供給する。また、第２貯留部１２０は、第１貯留部１１０に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第２貯留部１２０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0190】

第３貯留部１３０は、基板処理部２１０において使用された処理液を回収し続ける。また、第３貯留部１３０は、燐酸液を循環することで、第３貯留部１３０の燐酸液の温度は一定に維持される。

【0191】

その後、さらに、図１３（ｃ）～図１３（ｆ）のように燐酸液の流れを切り替えることにより、所定の比重の燐酸液を基板処理部２１０に連続的に供給できる。以上のように、本実施形態によれば、第２貯留部１２０および第３貯留部１３０は、交互に基板処理部２１０において使用された処理液を回収するとともに、第１貯留部１１０に燐酸液を供給する。

【0192】

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

【産業上の利用可能性】

【0193】

本発明は、処理液調製装置および処理液調製方法に好適に用いられる。

【符号の説明】

【0194】

１００ 処理液調製装置
１０２ 貯留部
１０４ 制御部
１０６ 記憶部
１１０ 第１貯留部
１２０ 第２貯留部
２００ 基板処理装置
２１０ 基板処理部
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】