特許 7268097 オンセルタッチディスプレイの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-24

(45)【発行日】2023-05-02

(54)【発明の名称】オンセルタッチディスプレイの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20230425BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20230425BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20230425BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20230425BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20230425BHJP

   H10K 59/00 20230101ALI20230425BHJP

   H10K 50/00 20230101ALI20230425BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20230425BHJP

【ＦＩ】

G06F3/041 660

G06F3/044 122

G09F9/00 366A

G09F9/00 338

G09F9/30 365

G09F9/33

G09F9/30 349Z

G09F9/30 348A

H10K59/00

H05B33/14 A

H05B33/10

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2021131705

(22)【出願日】2021-08-12

(65)【公開番号】P2022160982

(43)【公開日】2022-10-20

【審査請求日】2021-08-12

(31)【優先権主張番号】202110374781.0

(32)【優先日】2021-04-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】520384910

【氏名又は名称】カンブリオス フィルム ソリューションズ（シアメン） コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】Ｃａｍｂｒｉｏｓ Ｆｉｌｍ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ （Ｘｉａｍｅｎ） Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】シャオ ジョンチン

(72)【発明者】

【氏名】リエン シウチェン

(72)【発明者】

【氏名】ツァイ ジアヤン

(72)【発明者】

【氏名】シャオ チーファン

【審査官】塩屋 雅弘

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－１３４１９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０５８３１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０６８６５４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０６Ｆ ３／０４４

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／３３

Ｈ１０Ｋ ５９／００

Ｈ１０Ｋ ５０／００

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／１４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

（Ａ）表示パネルを提供するステップ；
（Ｂ）以下を備える前記表示パネル上に第１の銀ナノワイヤ層を形成するステップ；
（Ｂ－１）前記表示パネル上に前記銀ナノワイヤを含む第１のインクを被覆するステップと、
（Ｂ－２）低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が１００℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が５分以上であることを特徴とする、前記第１の銀ナノワイヤ層の形成ステップと、
（Ｃ）第１の導電性薄膜を形成するために前記第１の銀ナノワイヤ層をパターニングするステップ；
（Ｄ）前記第１の導電性薄膜上に絶縁材料を被覆し、前記絶縁材料をパターニングして絶縁層を形成するステップ；
（Ｅ）以下を備える前記絶縁層上に第２の銀ナノワイヤ層を形成するステップ；
（Ｅ－１）前記絶縁層上に前記銀ナノワイヤを含む第２のインクを被覆するステップと、
（Ｅ－２）低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が１００℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が５分以上であることを特徴とする、前記第２の銀ナノワイヤ層の形成ステップと、
（Ｆ）前記第２の銀ナノワイヤ層をパターニングして第２の導電性薄膜を形成するステップ；及び
（Ｇ）前記第２の導電性薄膜上に、オンセルタッチディスプレイを実現するための保護膜を形成するステップ、
を備え、
前記第１の導電性薄膜の不均一性値及び前記第２の導電性薄膜の不均一性値がそれぞれ１５％未満であり、
前記ステップ（Ｂ）における前記第１の銀ナノワイヤ層の表面抵抗値、及び前記ステップ（Ｅ）における前記第２の銀ナノワイヤ層の表面抵抗値が、それぞれ５０～１００Ω／ｓｑである、
オンセルタッチディスプレイの製造方法。

【請求項2】

前記ステップ（Ｂ）における前記第１の銀ナノワイヤ層の表面抵抗値、及び前記ステップ（Ｅ）における前記第２の銀ナノワイヤ層の表面抵抗値が、それぞれ５０～８０Ω／ｓｑであることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記ステップ（Ｂ）が、前記ステップ（Ｂ－１）と前記ステップ（Ｂ－２）との間に、
（Ｂ－１'）前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップ
を備える、請求項１に記載の製造方法。

【請求項4】

前記ステップ（Ｅ）が、前記ステップ（Ｅ－１）と前記ステップ（Ｅ－２）との間に、
（Ｅ－１'）前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップ
を備える、請求項１に記載の製造方法。

【請求項5】

前記ステップ（Ａ）の前記表示パネルは、フリープラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ液晶表示パネル（ＴＦＴ－ＬＣＤ）、有機発光ダイオード表示パネル（ＯＬＥＤ）、発光ダイオード表示パネル（ＬＥＤ）、電気エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル（ＥＬＤ）、表面伝導電子放出表示パネル（ＳＥＤ）、及び電界放出表示パネル（ＦＥＤ）からなる群より選択される、請求項１～４の何れか一項に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、オンセルタッチディスプレイ及びその製造方法に関する。特に、本開示は、オンセルタッチ有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、タッチディスプレイ装置の適用が拡大しており、多くの電気機器には、それらの電気機器を使いやすくするため、直接操作の機能を提供したり、コマンドを発行したりするためのタッチディスプレイが搭載されている。そのため、タッチディスプレイの需要が高まっている。

【0003】

今日の銀ナノワイヤタッチディスプレイは、アウトセルタッチディスプレイ（out-cell touch display）である。しかしながら、アウトセル銀ナノワイヤタッチパネルの集積化においては、タッチパネルをディスプレイに接着するための積層プロセスが必要である。付加的な積層プロセスは、保護フィルム又は剥離フィルムを繰り返し除去し、接着剤を塗布するステップを含み、これは、比較的複雑で、時間がかかり、高価である。製造歩留まりに影響を与えることに加えて、モジュール化後の全体の積層厚さも比較的厚くなり、アウトセル銀ナノワイヤタッチパネルの曲げ特性に影響を与える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】中国特許第１０９８５３７９４号明細書

【文献】中国特許第１０６９７７９８５号明細書

【文献】中国特許第１１１４７１２９９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、銀ナノワイヤタッチパネルを製造するためのプロセスは、高温焼成処理を含むため、銀ナノワイヤ薄膜をオンセルタッチディスプレイ、特に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに適用すると、製造プロセスから発生する熱によってＯＬＥＤを損傷する可能性がある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示は、表示パネルと、前記表示パネル上に配置されたタッチセンサとを備える、新規なオンセルタッチパネルを提供し、前記タッチセンサは、前記表示パネル上に配置された第１の導電性薄膜と、前記第１の導電性薄膜上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第２の導電性薄膜と、前記第２の導電性薄膜上に配置された保護膜と、を備え、前記第１の導電性薄膜の不均一性値（non-uniformity value）と前記第２の導電性薄膜の不均一性値とが、それぞれ１５％未満である。

【0007】

一実施形態では、前記第１の導電性薄膜及び前記第２の導電性薄膜は、銀ナノワイヤからなる。

【0008】

一実施形態では、前記第１の導電性薄膜の表面抵抗値及び前記第２の導電性薄膜の表面抵抗値は、それぞれ５０～１００Ω／ｓｑである。

【0009】

一実施形態では、前記表示パネルは、フリープラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ液晶表示パネル（ＴＦＴ－ＬＣＤ）、有機発光ダイオード表示パネル（ＯＬＥＤ）、発光ダイオード表示パネル（ＬＥＤ）、電気エレクトロルミネッセンス表示パネル（ＥＬＤ）、表面伝導電子放出表示パネル（ＳＥＤ）、及び電界放出表示パネル（ＦＥＤ）からなる群から選択される。

【0010】

一実施形態では、前記表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルである。

【0011】

本開示は、さらに、（Ａ）表示パネルを提供するステップ；（Ｂ）前記表示パネル上に第１の導電性材料層を形成するステップ；（Ｃ）第１の導電性薄膜を形成するために前記第１の導電性材料層をパターニングするステップ；（Ｄ）前記第１の導電性薄膜上に絶縁材料を被覆し、前記絶縁材料をパターニングして絶縁層を形成するステップ；（Ｅ）前記絶縁層上に第２の導電性材料層を形成するステップ；（Ｆ）前記第２の導電性材料層をパターニングして第２の導電性薄膜を形成するステップ；及び（Ｇ）前記第２の導電性薄膜上に、オンセルタッチディスプレイを実現するための保護膜を形成するステップ、を備え、前記ステップ（Ｂ）及び前記ステップ（Ｇ）の処理温度が１００℃未満であり、前記第１の導電性薄膜の不均一性値及び前記第２の導電性薄膜の不均一性値がそれぞれ１５％未満である、オンセルタッチディスプレイの製造方法を提供する。

【0012】

一実施形態では、前記ステップ（Ｂ）における前記第１の導電性材料層の表面抵抗値、及び前記ステップ（Ｅ）における前記第２の導電性材料層の表面抵抗値が、それぞれ５０～１００Ω／ｓｑである。

【0013】

一実施形態では、前記ステップ（Ｂ）における前記第１の導電性材料層、及び前記ステップ（Ｅ）における前記第２の導電性材料層が、銀ナノワイヤで作製される。

【0014】

一実施形態では、前記ステップ（Ｂ）は、（Ｂ－１）前記表示パネル上に前記銀ナノワイヤを含む銀ナノワイヤ層を形成するステップと、（Ｂ－２）低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が１００℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が５分以上であることを特徴とする、第１の導電性材料層の形成ステップと、を備える。

【0015】

一実施形態では、前記ステップ（Ｂ）が、前記ステップ（Ｂ－１）と前記ステップ（Ｂ－２）との間に、（Ｂ－１’）前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップをさらに備える。

【0016】

一実施形態では、前記ステップ（Ｅ）が、（Ｅ－１）前記絶縁層上に前記銀ナノワイヤを含む銀ナノワイヤ層を形成するステップと、（Ｅ－２）低温焼成処理を行うステップであって、前記低温焼成処理の焼成温度が１００℃未満であり、前記低温焼成処理の焼成時間が５分以上であることを特徴とする、第２の導電性材料層の形成ステップと、を備える。

【0017】

一実施形態では、前記ステップ（Ｅ）が、前記ステップ（Ｅ－１）と前記ステップ（Ｅ－２）との間に、（Ｅ－１’）前記銀ナノワイヤ層上にハードコート層を形成するステップをさらに備える。

【0018】

一実施形態では、前記ステップ（Ａ）の前記表示パネルは、フリープラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ液晶表示パネル（ＴＦＴ－ＬＣＤ）、有機発光ダイオード表示パネル（ＯＬＥＤ）、発光ダイオード表示パネル（ＬＥＤ）、電気エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル（ＥＬＤ）、表面伝導電子放出表示パネル（ＳＥＤ）、及び電界放出表示パネル（ＦＥＤ）からなる群より選択される。

【0019】

一実施形態では、前記ステップ（Ａ）の表示パネルは、有機発光ダイオード表示パネルである。

【0020】

本明細書における「上に（ｏｎ）」という用語は、本明細書において、構成要素間の相対位置を説明するために使用されてもよいことに留意されたい。例えば、第２の要素の「上に」配置された第１の要素は、第１の要素が第２の要素と直接接触して形成される実施形態を含み、第１の要素と第２の要素との間に追加の構成要素が形成され得る実施形態も含み得る。

【0021】

また、本明細書における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、説明を容易にするために用いられてもよく、番号や順序とは関係しない。例えば、「第１の導電性薄膜」と「第２の導電性薄膜」の両方を「導電性薄膜」として実現することができる。

【0022】

タッチセンサの技術分野において、オンセルタッチセンサを表示パネル上に直接積層することができるため、タッチセンサの光学接着剤や基板を省略することができ、より薄型で軽量なタッチディスプレイを実現することができる。本開示の低温製造プロセスによれば、製造プロセス中の温度が表示パネルの性能、特にＯＬＥＤの性能に影響を与えないため、安定性の高いタッチディスプレイを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本開示のオンセルタッチディスプレイの一実施形態の製造フローチャートである。

【図2】本開示の一実施形態のＯＬＥＤの断面図である。

【図3】本開示の一実施形態の第１の導電性材料層を形成する断面図である。

【図4】本開示の一実施形態のフォトレジスト層のパターニングの断面図である。

【図5】本開示の一実施形態の第１の導電性薄膜を形成する断面図である。

【図6】本開示の一実施形態の絶縁層のパターニングの断面図である。

【図7】本開示の一実施形態の第２の導電性薄膜を形成する断面図である。

【図8】本開示の一実施形態のオンセルタッチディスプレイの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

まず、本発明の一実施形態に係るオンセルタッチディスプレイ１０００の製造方法は、以下のステップを備える。図１に示す製造フローチャート及び図２～図８に示す構成図を参照されたい。

【0025】

ステップ（Ａ）：表示パネル１を設ける。本実施形態では、表示パネル１は、図２に示すＯＬＥＤパネルである。ＯＬＥＤパネルは、基板１１と、第１電極層１２と、有機エレクトロルミネッセンス材料層１３と、第２電極層１４と、保護膜１５とを備える。しかしながら、他の実施形態では、表示パネル１は、ＯＬＥＤパネルに限定されず、当該技術分野で公知の他のタイプのディスプレイであってもよい。

【0026】

ステップ（Ｂ）：図３に示すように、表示パネル１上に第１の導電性材料層２１を形成する。本実施形態では、第１の導電性材料層２１は、銀ナノワイヤを含む。具体的には、ステップ（Ｂ）は、表示パネル１の保護膜１５上にスピンコート法により銀ナノワイヤ層（図示せず）を形成するステップ（Ｂ－１）；銀ナノワイヤ層上にハードコート層（図示せず）を形成するステップ（Ｂ－１’）；焼成温度１００℃未満、焼成時間５分以上の低温焼成処理を行い、第１の導電性材料層２１を得るステップ（Ｂ－２）を備える。他の実施形態では、ステップ（Ｂ－１’）は省略可能である。すなわち、第１の導電性材料層２１は、銀ナノワイヤのみで構成される。

【0027】

ステップ（Ｃ）：第１の導電性材料層２１をパターニングして第１の導電性薄膜２３を形成する。具体的には、ステップ（Ｃ）は、第１の導電性材料層２１上にフォトレジスト層２２を形成し、次いで、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層２２をパターニングして、図４に示す電極パターンを形成するステップ（Ｃ－１）；パターニングされたフォトレジスト層２２によって保護されていない第１の導電性材料層２１の一部をエッチングによって除去するステップ（Ｃ－２）；図５に示すように、パターニングされたフォトレジスト層２２を除去して第１の導電性薄膜２３を露出させるステップ（Ｃ－３）を備える。本実施形態では、ステップ（Ｃ－２）のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングにより行うことができる。しかしながら、他の実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層２２によって覆われていない第１の導電性材料層２１の一部は、現像法又はリフトオフ法などの非エッチング法によって除去されてもよい。

【0028】

ステップ（Ｄ）：第１の導電性薄膜２３上に絶縁材料を塗布し、絶縁材料をパターニングして絶縁層２４を形成する。図６に示すように、絶縁層２４は、フォトリソグラフィによって絶縁材料をパターニングすることにより形成される。

【0029】

ステップ（Ｅ）：絶縁層２４上に第２の導電性材料層（図示せず）を形成する。ステップ（Ｂ）と同様に、ステップ（Ｅ）は、スピンコーティング法によって絶縁層２４上に銀ナノワイヤ層（図示せず）を形成するステップ（Ｅ－１）；銀ナノワイヤ層上にハードコート層（図示せず）を形成するステップ（Ｅ－１’）；焼成温度１００℃未満、焼成時間５分以上の低温焼成処理を行い、第２の導電性材料層を得るステップ（Ｅ－２）を備える。同様に、他の実施形態では、ステップ（Ｅ－１’）を省略することができる。すなわち、第２の導電性材料層は、銀ナノワイヤのみで構成される。

【0030】

ステップ（Ｆ）：第２の導電性材料層をパターニングして第２の導電性薄膜２５を形成する。ステップ（Ｃ）と同様に、ステップ（Ｆ）は、第２の導電性材料層上にフォトレジスト層を形成し、次いで、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして電極パターンを形成するステップ（Ｆ－１）；第２の導電性材料層のうち、パターニングされたフォトレジスト層によって保護されていない部分をエッチングによって除去するステップ（Ｆ－２）；図７に示すように、パターニングされたフォトレジスト層を除去して第２の導電性薄膜２５を形成するステップ（Ｆ－３）を備える。本実施形態では、ステップ（Ｆ－２）のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングにより行うことができる。しかしながら、他の実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層によって覆われていない第２の導電性材料層の一部は、現像法又はリフトオフ法などの非エッチング法によって除去されてもよい。

【0031】

最後に、ステップ（Ｇ）：第２の導電性薄膜２５上に保護膜２６を形成する。図８に示すように、オンセルタッチディスプレイ１０００が実現される（すなわち、製造される）。

【0032】

図８に示す上記の製造方法により製造されたオンセルタッチディスプレイ１０００は、表示パネル１とタッチセンサ２とを備え、タッチセンサ２は表示パネル１上に配置されている。タッチセンサ２は、表示パネル１に接触する第１の導電性薄膜２３と、第１の導電性薄膜２３上に配置された絶縁層２４と、絶縁層２４上に配置された第２の導電性薄膜２５と、第２の導電性薄膜２５上に配置された保護膜２６とを備える。

【0033】

＜表面抵抗値と均一性値の評価＞
本評価では、実施例及び比較例の導電性薄膜を作製するために、銀ナノワイヤを基板上にスピンコートした後、焼成温度を１００℃未満、焼成時間を０．５、１、２、５、１０、２０、３０分として焼成した。次に、実施例及び比較例の銀ナノワイヤの表面抵抗値及び均一性値（uniformity value）を試験した。

【0034】

表１に、渦電流誘導を利用した非接触表面抵抗測定システムにより、各実施例の表面抵抗値（Ｒｓ）を試験した結果を示す。

【0035】

１５ｃｍ×１５ｃｍのシート状のサンプル内の９点の表面抵抗（Ｒ）を試験した。各試料の不均一性（Ｎｏｎ－Ｕ）（％）は、次式により算出した。
不均一性（％）＝（Ｒｓ_ｍａｘ－Ｒｓ_ｍｉｎ）／２×Ｒｓ_{ａｖｅｒａｇｅ}
１０％未満の不均一性値を有する導電性薄膜は大きな均一性を有する。

【0036】

【表1】

【0037】

表１に示す結果によれば、焼成時間０．５分、１分、５分で作製した比較例１～３の導電性薄膜の表面抵抗及び不均一性が高すぎ、不均一性が高いほど均一性が低いことを示している。しかし、実施例１～４の試験結果によれば、焼成時間を５分、１０分、２０分、３０分とすることで、導電性薄膜の表面抵抗や不均一性が大幅に低減される。すなわち、実施例１～４の導電性薄膜は、導電性及び均一性に優れている。この結果から、１００℃未満の焼成温度と少なくとも５分の焼成時間で焼成して作製した導電性薄膜は、高い均一性と低い表面抵抗を有することが安定して特徴付けられる。

【0038】

＜線路抵抗の評価＞
本評価では、第１の導電性薄膜２３及び第２の導電性薄膜２５の線抵抗を、本開示の製造プロセスにおける４つの期間にわたって評価し、異なる製造ステップ後に第１の導電性薄膜２３又は第２の導電性薄膜２５の線抵抗が影響を受けるか否かを調べた。具体的には、本製造方法のステップ（Ａ）～ステップ（Ｃ）を第１の製造ステップ（ＰＥＰ１）とした。ＰＥＰ１中の第１の導電性薄膜２３の５本の導電線（Ｔｘ１～Ｔｘ５）の線抵抗を測定した。ステップ（Ｄ）～ステップ（Ｅ）を本製造方法の第２の製造ステップ（ＰＥＰ２）とし、ＰＥＰ２における第１の導電性薄膜２３の５本の導電線（Ｔｘ１～Ｔｘ５）の線抵抗を測定した。第２の導電性薄膜２５を形成するステップ（Ｆ）を本製造方法の第３の製造ステップ（ＰＥＰ３）とし、第１の導電性薄膜２３の５本の導電線（Ｔｘ１～Ｔｘ５）とＰＥＰ３の５本の導電線（Ｒｘ１～Ｒｘ５）の線抵抗を測定した。最後に、保護膜形成ステップ（Ｇ）を本製造方法の第４の製造ステップ（ＰＥＰ４）とし、第１の導電性薄膜２３の５本の導電線（Ｔｘ１～Ｔｘ５）とＰＥＰ４の５本の導電線（Ｒｘ１～Ｒｘ５）の線抵抗を測定した。結果を表２に示す。

【0039】

【表2】

【0040】

なお、表２の結果によれば、第１の導電性薄膜２３及び第２の導電性薄膜２５の線抵抗は、いずれのステップにおいても非常に安定していた（ＲＩ＜１０％）。したがって、本発明に係るオンセルタッチディスプレイの製造ステップにおいて、ＯＬＥＤディスプレイ上で露光、現像、エッチング、パターニングの各ステップを効果的かつ安定的に行うことができ、オンセルタッチディスプレイ１０００を実現することができる。

【0041】

要約すると、本開示によって提供されるオンセルタッチディスプレイ１０００を製造するための製造プロセスにおいて、各ステップは低温で行われなければならない。すなわち、銀ナノワイヤ、フォトレジスト、絶縁材料、及び保護膜を被覆するステップは、製造プロセスによって発生する熱によって引き起こされるＯＬＥＤへの影響を防止するために、１００℃未満の温度で行われなければならない。したがって、第１の導電性薄膜２３及び第２の導電性薄膜２５（銀ナノワイヤによって形成される）は、優れた低い表面抵抗（１０－８０Ω／ｓｑ）及び高い均一性（Ｎｏｎ－Ｕ％＜１０％）を示した。

【0042】

上記の開示は、その詳細な技術的内容及び発明的特徴に関する。当業者は、その特徴から逸脱することなく、記載された開示及び示唆に基づいて様々な修正及び置換を行うことができる。そのような修正及び置換は、上記の説明において完全には開示されていないが、それらは、実質的に、添付の特許請求の範囲に包含されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】