特許 7269341 多層回路基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-04-25

(45)【発行日】2023-05-08

(54)【発明の名称】多層回路基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20230426BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20230426BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20230426BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 R

H05K3/00 J

H05K3/00 P

H05K3/46 G

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2021525507

(86)(22)【出願日】2019-06-13

(86)【国際出願番号】 JP2019023489

(87)【国際公開番号】W WO2020250381

(87)【国際公開日】2020-12-17

【審査請求日】2021-10-05

(73)【特許権者】

【識別番号】000237271

【氏名又は名称】株式会社ＦＵＪＩ

(74)【代理人】

【識別番号】100098420

【弁理士】

【氏名又は名称】加古 宗男

(72)【発明者】

【氏名】竹内 佑

(72)【発明者】

【氏名】富永 亮二郎

【審査官】鹿野 博司

(56)【参考文献】

【文献】特開２００５－０７２２２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１３５９３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１６２０８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－２１３８９５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ３／００

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の絶縁層が積層され、各絶縁層の上面に配線パターンと基準マークが所定の位置関係で形成され、且つ、各層の基準マークが上方から見て重なる位置に形成された多層回路基板において、
前記各層の基準マークは、製造時の位置ずれを考慮して、画像処理により該基準マークの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分からその下の層の基準マークの特定のエッジ部分が食み出さないようにサイズ又は形状を変更して形成されている、多層回路基板であって、
前記各層の基準マークは、画像処理により該基準マークの中心座標を検出する際に前記特定のエッジ部分として内側のエッジ部分を認識する中空の形状に形成され、上の層の基準マークのサイズがその下の層の基準マークのサイズよりも製造時の最大位置ずれ量以上小さくなるように形成されている、多層回路基板。

【請求項2】

前記複数の絶縁層は、光透過性のある絶縁材料、もしくは光透過性が乏しくとも下層が透けて見えるほど極薄に設計された絶縁材料で形成されている、請求項１に記載の多層回路基板。

【請求項3】

前記各層の基準マークは、画像処理により該基準マークの中心座標を検出する際に前記特定のエッジ部分として外側のエッジ部分を認識する形状に形成され、上の層の基準マークのサイズがその下の層の基準マークのサイズよりも製造時の最大位置ずれ量以上大きくなるように形成されている、請求項１又は２に記載の多層回路基板。

【請求項4】

絶縁層の上面に配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成する工程と、
前記絶縁層の基準マークを上方からカメラで撮像してその画像を処理することで該基準マークの特定のエッジ部分を認識して該基準マークの中心座標を検出する工程と、
検出した前記基準マークの中心座標を基準にして前記絶縁層上に積層する絶縁層を位置決めして積層する工程と
を繰り返して多層回路基板を製造する方法において、
前記絶縁層の上面に配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成する工程で、基準マークの位置ずれを考慮して、上の層の基準マークの特定のエッジ部分からその下の層の基準マークの特定のエッジ部分が食み出さないように各層の基準マークのサイズ又は形状を変更して形成する、多層回路基板の製造方法であって、
配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成した下の絶縁層上に、検出した前記基準マークの中心座標を基準にして上の絶縁層を絶縁材料で形成すると共に、前記下の絶縁層直下に透過して見える基準マークの中心座標を基準にして前記上の絶縁層の上面に配線パターンと基準マークを位置決めして形成するという工程を繰り返して多層回路基板を製造する、多層回路基板の製造方法。

【請求項5】

絶縁層の上面に配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成する工程と、
前記絶縁層の基準マークを上方からカメラで撮像してその画像を処理することで該基準マークの特定のエッジ部分を認識して該基準マークの中心座標を検出する工程と、
検出した前記基準マークの中心座標を基準にして前記絶縁層上に積層する絶縁層を位置決めして積層する工程と
を繰り返して多層回路基板を製造する方法において、
前記絶縁層の上面に配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成する工程で、基準マークの位置ずれを考慮して、上の層の基準マークの特定のエッジ部分からその下の層の基準マークの特定のエッジ部分が食み出さないように各層の基準マークのサイズ又は形状を変更して形成する、多層回路基板の製造方法であって、
配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成した下の絶縁層上に、検出した前記基準マークの中心座標を基準にして上の絶縁層を絶縁材料で形成すると共に、同一ステージ上にてそのままワークの位置を保ったまま、絶縁層の上面に配線パターンと新たな基準マークを形成するという工程を繰り返して多層回路基板を製造する、多層回路基板の製造方法。

【請求項6】

３Ｄプリンタを使用して各層の絶縁層、配線パターン及び基準マークを形成する、請求項４又は５に記載の多層回路基板の製造方法。

【請求項7】

積層前の複数の絶縁層の上面に配線パターンと基準マークを所定の位置関係で形成した後に、各層の絶縁層を下の層の基準マークの中心座標を基準にして位置決めして積層するという工程を繰り返して多層回路基板を製造する、請求項４又は５に記載の多層回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書は、複数の絶縁層が積層され、各絶縁層の上面に配線パターンと基準マークが所定の位置関係で形成された多層回路基板及びその製造方法に関する技術を開示したものである。

【背景技術】

【0002】

従来より、多層回路基板の製造方法は、様々な方法があり、例えば、積層前の複数の絶縁層の上面に配線パターンを形成した後に複数の絶縁層を積層する方法や、或は、配線パターンを形成した下の絶縁層上に、上の絶縁層を絶縁材料で形成し、当該上の絶縁層の上面に配線パターンを形成するという工程を繰り返して多層回路基板を製造する方法等が知られている。この多層回路基板の各層の配線パターンは、ビア等で層間接続する構造になっているため、層間の配線パターンの位置ずれ量が大きくなると、層間の接続不良や接続信頼性を低下させる原因となる。

【0003】

そこで、特許文献１（特開２０１８－１７２３号公報）に記載されているように、各層に基準マークを形成して、下の層上に上の層を積層する際に下の層の基準マークを上方からカメラで撮像してその画像を処理することで当該下の層の基準マークの位置を認識し、当該下の層の基準マークの位置を基準にして上の層を位置決めして下の層上に積層することで、層間の位置ずれ量を低減するようにしたものがある。

【0004】

この場合、各層の基準マークは各層の配線パターンの形成エリアの外側の余白の狭いスペースに形成されるため、各層の基準マークは上方から見て重なる位置に形成するのが一般的である。また、基準マークの位置は基準マークの中心座標で表され、積層時に上方から基準マークの特定のエッジ部分（例えば外側のエッジ部分等）を画像認識して、その特定のエッジ部分の位置から基準マークの中心座標を算出するようにしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１８－１７２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年の多層回路基板の薄型化の要求に応じて、各層の絶縁層が極限まで薄型化されているため、積層時に下の層の基準マークや配線パターンが透けて見えることがある。特に、各層の絶縁層を光透過性のある絶縁材料で形成した多層回路基板では、下の層の基準マークや配線パターンがより鮮明に透けて見える。このため、各層の同じ位置に同じ形状の基準マークを形成するように設計した場合でも、上の層の基準マークが製造公差による位置ずれにより下の層の基準マークと完全に重なって画像認識されることはなく、図１０に示すように、各層の基準マークが製造時の位置ずれ量分だけ位置ずれして画像認識される。この画像認識では、透けて見える下の層の基準マークを上の層の基準マークと区別して認識することは困難であるため、画像認識する基準マークの形状は、位置ずれにより上の層の基準マークから食み出した下の層の基準マークの食み出し部分を含む１つの基準マークの形状として認識され、その形状の特定のエッジ部分の位置に基づいて基準マークの中心座標が検出されることになる。このため、画像処理による上の層の基準マークの中心座標の検出精度が製造時の各層の基準マークの位置ずれにより低下してしまう。この基準マークの中心座標の検出精度の低下は、製造する多層回路基板の層間の配線パターンの位置ずれ量を大きくして層間の接続信頼性を低下させる原因となる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために、複数の絶縁層が積層され、各絶縁層の上面に配線パターンと基準マークが所定の位置関係で形成され、且つ、各層の基準マークが上方から見て重なる位置に形成された多層回路基板において、前記各層の基準マークは、製造時の位置ずれを考慮して、画像処理により該基準マークの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分からその下の層の基準マークの特定のエッジ部分が食み出さないようにサイズ又は形状を変更して形成されている。換言すれば、上の層の基準マークの特定のエッジ部分がその下の層の基準マークの特定のエッジ部分を覆い隠すように各層の基準マークのサイズ又は形状を変更するようにしている。更に、前記各層の基準マークは、画像処理により該基準マークの中心座標を検出する際に前記特定のエッジ部分として内側のエッジ部分を認識する中空の形状に形成され、上の層の基準マークのサイズがその下の層の基準マークのサイズよりも製造時の最大位置ずれ量以上小さくなるように形成されている。

【0008】

この構成では、製造時の各層の基準マークの位置ずれを考慮して、画像処理により基準マークの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分からその下の層の基準マークの特定のエッジ部分が食み出さないように各層の基準マークがサイズ又は形状を変更して形成されているため、積層時に上方から画像認識される上の層の基準マークの特定のエッジ部分からその下の層の基準マークの特定のエッジ部分が食み出すことを防止できる。これにより、上の層の基準マークの特定のエッジ部分を精度良く画像認識して、その特定のエッジ部分の位置から上の層の基準マークの中心座標を精度良く検出することができ、製造する多層回路基板の各層の位置決め精度を向上して層間の接続信頼性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は一実施例における多層回路基板の１層目と２層目を積層した構造を説明する図である。

【図2】図２は上の層の基準マークのサイズをその下の層の基準マークのサイズよりも大きくした第１例を示す上面図である。

【図3】図３は図２のIII －III 線に沿って示す縦断面図である。

【図4】図４は上の層の基準マークの形状をその下の層の基準マーク全体を覆い隠すように変更した第２例を示す上面図である。

【図5】図５は図４のIV－IV線に沿って示す縦断面図である。

【図6】図６は上の層の基準マークの形状をその下の層の基準マークの特定のエッジ部分である外周縁を覆い隠すように変更した第３例を示す上面図である。

【図7】図７は図６のVII －VII 線に沿って示す縦断面図である。

【図8】図８は上の層の基準マークのサイズをその下の層の基準マークのサイズよりも小さくした第４例を示す上面図である。

【図9】図９は図８のIX－IX線に沿って示す縦断面図である。

【図10】図１０は従来の上の層の基準マークとその下の層の基準マークとの位置ずれを示す上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本明細書に開示した実施例を説明する。

【0011】

まず、図１に基づいて多層回路基板１１の構成を説明する。
多層回路基板１１は、複数の絶縁層１２ａ，１２ｂが積層され、各層の絶縁層１２ａ，１２ｂの上面に配線パターン１３ａ，１３ｂと基準マーク１４ａ，１４ｂが所定の位置関係で形成されている。各層の絶縁層１２ａ，１２ｂは、光透過性のある絶縁材料、もしくは、光透過性が乏しくとも下層が透けて見えるほど極薄に設計された絶縁材料で形成されている。絶縁材料としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ガラス等を用いれば良い。各層の絶縁層１２ａ，１２ｂは、絶縁材料をシート状（フィルム状）に成形したものを積層しても良いし、或は、３Ｄプリンタを使用して絶縁材料のインクを吐出して１層目の絶縁層１２ａを形成し、その絶縁層１２ａ上に順番に次の層の絶縁層１２ｂを積み上げるように３次元的に積層造形するようにしても良い。

【0012】

各層の基準マーク１４ａ，１４ｂは、配線パターン１３ａ，１３ｂの形成エリアの外側の余白スペース（例えば各層の絶縁層１２ａ，１２ｂの４隅部又は４辺部等）に上方から見て重なる位置（同じ位置）に形成され、製造時の位置ずれが無ければ各層の基準マーク１４ａ，１４ｂの中心座標が一致するように設計されている。各基準マーク１４ａ，１４ｂの形状は、例えば十字形、円形、四角形、円環形等であり、要は、後述する特定のエッジ部分の位置から中心座標が一義的に定まる形状であれば良い。各層の基準マーク１４ａ，１４ｂの個数は４個に限定されず、２個以上であれば良い。

【0013】

各層の配線パターン１３ａ，１３ｂと基準マーク１４ａ，１４ｂは、両者間の位置関係を一定に維持するために各層の絶縁層１２ａ，１２ｂの上面に同じ導電材料で配線パターン形成技術により同時に形成されている。この配線パターン１３ａ，１３ｂと基準マーク１４ａ，１４ｂを形成する配線パターン形成技術は、例えば、プリント配線技術（エッチング法、メッキ法）、厚膜パターン形成法（スクリーン印刷法、描画法等）、薄膜パターン形成法（ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等）のいずれかを使用しても良い。３Ｄプリンタを使用して多層回路基板１１を造形する場合は、各層の絶縁層１２ａ，１２ｂを造形する毎にその絶縁層１２ａ，１２ｂの上面に導電材料である金属ナノ粒子のインクを吐出して各層の配線パターン１３ａ，１３ｂと基準マーク１４ａ，１４ｂを同時に印刷するようにすれば良い。

【0014】

前述したように、各層の配線パターン１３ａ，１３ｂは、ビア等で層間接続する構造になっているため、層間の配線パターン１３ａ，１３ｂの位置ずれ量が大きくなると、層間の接続不良や接続信頼性を低下させる原因となる。そこで、下の層上に上の層を積層する際に、下の層の基準マーク１４ａを上方からカメラ（図示せず）で撮像してその画像を処理することで当該下の層の基準マーク１４ａの位置を認識し、当該下の層の基準マーク１４ａの位置を基準にして上の層を位置決めして下の層上に積層することで、層間の位置ずれ量を低減するようにしている。この際、基準マーク１４ａ，１４ｂの位置は基準マーク１４ａ，１４ｂの中心座標で表され、積層時に上方から基準マーク１４ａ，１４ｂの特定のエッジ部分（例えば外側のエッジ部分等）を画像認識して、その特定のエッジ部分の位置から基準マーク１４ａ，１４ｂの中心座標を算出するようにしている。

【0015】

しかし、各層の基準マーク１４ａ，１４ｂは製造時の位置ずれ量分だけ位置ずれするため、従来のように、各層の同じ位置に同じ形状の基準マークを形成するように設計すると、画像認識する基準マークの形状は、位置ずれにより上の層の基準マークから食み出した下の層の基準マークの食み出し部分を含む１つの基準マークの形状として認識され、その形状の特定のエッジ部分の位置に基づいて基準マークの中心座標が検出されることになる。このため、画像処理による上の層の基準マークの中心座標の検出精度が製造時の各層の基準マークの位置ずれにより低下してしまい、それによって、製造する多層回路基板の層間の配線パターンの位置ずれ量が大きくなって層間の接続信頼性が低下してしまう。

【0016】

この対策として、本実施例では、各層の基準マーク１４ａ，１４ｂは、製造時の位置ずれを考慮して、画像処理により該基準マーク１４ａ，１４ｂの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分からその下の層の基準マーク１４ａ，１４ｂの特定のエッジ部分が食み出さないようにサイズ又は形状を変更して形成されている。換言すれば、上の層の基準マーク１４ａ，１４ｂの特定のエッジ部分がその下の層の基準マーク１４ａ，１４ｂの特定のエッジ部分を覆い隠すように各層の基準マーク１４ａ，１４ｂのサイズ又は形状を変更するようにしている。以下、各層の基準マーク１４ａ，１４ｂの形成方法について４つの例を用いて説明する。

【0017】

図２及び図３に示す第１例は、上の層の基準マーク１４ｂのサイズをその下の層の基準マーク１４ａのサイズよりも大きくした例である。この例では、各層の基準マーク１４ａ，１４ｂを十字形に形成すると共に、上の層の基準マーク１４ｂのサイズをその下の層の基準マーク１４ａのサイズよりも製造時の最大位置ずれ量以上大きくして、各層の位置ずれがあっても、上の層の基準マーク１４ｂが下の層の基準マーク１４ａ全体を覆い隠すように構成されている。これにより、画像認識の対象となる上の層の基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分からその下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分が食み出さないように構成されている。

【0018】

図４及び図５に示す第２例は、上の層の基準マーク１４ｂの形状をその下の層の基準マーク１４ａの形状から変更した例である。この例では、下の層の基準マーク１４ａの形状を十字形に形成し、上の層の基準マーク１４ｂの形状を円形に形成すると共に、上の層の円形の基準マーク１４ｂの直径をその下の層の十字形の基準マーク１４ａの縦・横の長さ寸法よりも製造時の最大位置ずれ量以上大きくして、各層の位置ずれがあっても、上の層の円形の基準マーク１４ｂがその下の層の十字形の基準マーク１４ａ全体を覆い隠すように構成されている。これにより、画像認識の対象となる上の層の基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分からその下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分が食み出さないように構成されている。

【0019】

図６及び図７に示す第３例は、上の層の基準マーク１４ｂの形状をその下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分である外周縁を覆い隠すように変更した第３例である。この例では、下の層の基準マーク１４ａの形状を円形に形成し、上の層の基準マーク１４ｂの形状を円環形に形成し、上の層の円環形の基準マーク１４ｂの外周の直径をその下の層の円形の基準マーク１４ａの直径よりも製造時の最大位置ずれ量以上大きくすると共に、上の層の円環形の基準マーク１４ｂの内周縁の直径をその下の層の円形の基準マーク１４ａの直径よりも製造時の最大位置ずれ量以上小さくすることで、各層の位置ずれがあっても、上の層の円環形の基準マーク１４ｂがその下の層の円形の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分である外周縁を覆い隠すように構成されている。これにより、画像認識の対象となる上の層の円環形の基準マーク１４の特定のエッジ部分（外周縁）からその下の層の円形の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分（外周縁）が食み出さないように構成されている。この構成では、画像認識の際に上の層の円環形の基準マーク１４ｂの内周側に下の層の円形の基準マーク１４ａの中心側の部分が透けて見えて、上の層の円環形の基準マーク１４ｂの内周縁を下の層の円形の基準マーク１４ａと区別して認識できないが、円環形の基準マーク１４ｂの内周縁は、当該基準マーク１４ｂの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分ではないため、問題ない。基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分ではない内周縁は、円形でなくても良く、四角形等、どの様な形状であっても良い。

【0020】

図８及び図９に示す第４例は、上の層の基準マーク１４ｂのサイズを下の層の基準マーク１４ａのサイズよりも小さくした第４例である。この例では、各層の基準マーク１４ａ，１４ｂを中空の形状である円環形に形成し、この円環形の基準マーク１４ａ，１４ｂの内側のエッジ部分（内周縁）を基準マーク１４ａ，１４ｂの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分としている。この例では、上の層の基準マーク１４ｂの内周縁の直径をその下の層の基準マーク１４ａの内周縁の直径よりも製造時の最大位置ずれ量以上小さくすることで、上の層の円環形の基準マーク１４ｂが下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分である内周縁を覆い隠して、各層の位置ずれがあっても、上の層の基準マーク１４ｂの内周側にその下の層の基準マーク１４ａが食み出して透けて見えないようにしている。この場合も、基準マーク１４ａ，１４ｂの特定のエッジ部分ではない外周縁は、円形でなくても良く、四角形等、どの様な形状であっても良い。

【0021】

以上のように構成した多層回路基板１１を製造する方法は、様々な方法がある。

【0022】

例えば、絶縁層１２ａの上面に配線パターン１３ａと基準マーク１４ａを所定の位置関係で形成する工程と、前記絶縁層１２ａの基準マーク１４ａを上方からカメラで撮像してその画像を処理することで該基準マーク１４ａの特定のエッジ部分を認識して該基準マーク１４ａの中心座標を検出する工程と、検出した基準マーク１４ａの中心座標を基準にして前記絶縁層１２ａ上に積層する絶縁層１２ｂを位置決めして積層する工程とを繰り返して多層回路基板１１を製造する方法がある。この方法では、絶縁層１２ａの上面に配線パターン１３ａと基準マーク１４ａを所定の位置関係で形成する工程で、製造時の層間の基準マーク１４ａの最大位置ずれ量を考慮して、上の層の基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分からその下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分が食み出さないように、換言すれば、上の層の基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分がその下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分を覆い隠すように各層の基準マーク１４ａ，１４ｂのサイズ又は形状を変更して形成するようにすれば良い。ここで、製造時の層間の基準マーク１４ａ，１４ｂの最大位置ずれ量は、例えば、製造装置の位置決め性能等から設定しても良いし、或は、試作品を作製する過程で取得した試作データから設定しても良い。また、生産管理者が最初に基準マーク１４ａ，１４ｂの最大位置ずれ量を想定して暫定的に設定し、その後の生産で取得した生産実績データに基づいて不良発生率が少なくなるように最大位置ずれ量の設定値を随時修正するようにしても良い。

【0023】

また、例えば１つの加工ステージに対して樹脂インクと金属回路用インクの印刷ヘッドを備える形態をもった３Ｄプリンタを使用する場合は、絶縁材料のインクを吐出して１層目の絶縁層１２ａを形成して、１層目の絶縁層１２ａの上面に金属ナノ粒子のインクを吐出して配線パターン１３ａと基準マーク１４ａを所定の位置関係で形成して１層目の回路層を形成し、以後、同一ステージ上にてそのままワークの位置を保ったまま、前記絶縁層１２ａの基準マーク１４ａを上方からカメラで撮像してその画像を処理することで該基準マーク１４ａの特定のエッジ部分を認識して該基準マーク１４ａの中心座標を検出する工程と、検出した基準マーク１４ａの中心座標を基準にして、前記絶縁層１２ａ上に積層する絶縁層１２ｂとその表面に印刷する金属ナノ粒子の配線パターン１３ｂを位置決めして形成する。その配線パターン１３ｂとともに基準マーク１４ｂを所定の位置関係で形成してｎ層目（ｎ＝２，３，…）の回路層を形成する工程を繰り返して多層回路基板１１を製造するようにすれば良い。

【0024】

或は、配線パターン１３ａと基準マーク１４ａを所定の位置関係で形成した下の絶縁層１２ａ上に、検出した前記基準マーク１４ａの中心座標を基準にして上の絶縁層１２ｂを絶縁材料で形成すると共に、前記下の絶縁層１２ａ直下に透過して見える基準マーク１４ａの中心座標を基準にして前記上の絶縁層１２ｂの上面に配線パターン１３ｂと基準マーク１４ｂを位置決めして形成するという工程を繰り返して多層回路基板１１を製造するようにしても良い。

【0025】

その他の製造方法として、積層前の複数の絶縁層１２ａ，１２ｂの上面にそれぞれ配線パターン１３ａ，１３ｂと基準マーク１４ａ，１４ｂを所定の位置関係で形成した後に、各層の絶縁層１２ａ，１２ｂを下の層の基準マーク１４ａの中心座標を基準にして位置決めして積層して多層回路基板１１を製造するようにしても良い。

【0026】

以上説明した本実施例によれば、製造時の各層の基準マーク１４ａ，１４ｂの位置ずれを考慮して、画像処理により上の層の基準マーク１４ｂの中心座標を検出する際に認識する特定のエッジ部分からその下の層の基準マーク１４ａの特定のエッジ部分が食み出さないように各基準マーク１４ａ，１４ｂがサイズ又は形状を変更して形成しているため、積層時に上方から画像認識される上の層の基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分から下の層の基準マーク１４ａが食み出すことを防止できる。これにより、上の層の基準マーク１４ｂの特定のエッジ部分を精度良く画像認識して、その特定のエッジ部分の位置から上の層の基準マーク１４ｂの中心座標を精度良く検出することができ、製造する多層回路基板１１の各層の位置決め精度を向上して層間の接続信頼性を向上できる。

【0027】

尚、本発明は、上記実施例に限定されず、例えば、各層の絶縁層１２ａ，１２ｂに基準マーク１４ａ，１４ｂを形成する位置を変更したり、基準マーク１４ａ，１４ｂの形状を変更したり、絶縁層１２ａ，１２ｂの積層数を変更しても良い等、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できることは勿論である。

【符号の説明】

【0028】

１１…多層回路基板、１２ａ，１２ｂ…絶縁層、１３ａ，１３ｂ…配線パターン、１４ａ，１４ｂ…基準マーク

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】