特許7273599半導体装置およびメモリの読み出し方法

発明の名称　半導体装置およびメモリの読み出し方法

出願人　ルネサスエレクトロニクス株式会社　（識別番号 302062931）

　　　　特許公開件数ランキング 153 位（70件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 274 位（34件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7273599

公報発行日　2023年5月15

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7273599

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