(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-05-08
(45)【発行日】2023-05-16
(54)【発明の名称】処理液供給装置及び処理液供給装置の固形除去方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20230509BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 R
【請求項の数】
18
(21)【出願番号】P 2021191814
(22)【出願日】2021-11-26
(65)【公開番号】P2022106653
(43)【公開日】2022-07-20
【審査請求日】2021-11-26
(31)【優先権主張番号】10-2021-0001834
(32)【優先日】2021-01-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】520236767
【氏名又は名称】サムス カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】イ、ム ヒョン
【審査官】長谷川 直也
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－１１７０１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２５２２３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１９５３０６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２０７９４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１０３６６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－２２０３１８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、
前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含み、
前記固形析出領域は、
基板処理条件に基づいてシリカ（Ｓｉｌｉｃａ）を測定して定量のシリカを供給するシリカ供給手段が配置された領域を含み、
前記フラッシング調節手段は、
フラッシング流体を前記固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインに連結され、前記シリカ供給手段のシリカ測定チューブの前端に連結された前端フラッシング調節弁と、前記シリカ測定チューブの後端及びシリカ供給ラインに連結された後端フラッシング調節弁と、を含むことで、残存シリカの排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、
前記フラッシング排出手段は、
前記後端フラッシング調節弁に連結され、前記シリカ供給手段の残存シリカ又はフラッシング流体を排出させるドレンラインを含むことを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項2】
前記フラッシング供給手段は、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）又は不活性ガスのうちの少なくとも一つを含むフラッシング流体を供給するフラッシング流体供給部と、
フラッシング流体を前記固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインと、
前記フラッシング流体供給部からフラッシング流体を選択的に前記フラッシング流体供給ラインへ供給するフラッシング流体供給弁と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項3】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、
フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、
前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含み、
前記固形析出領域は、
基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、及び再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、又は基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部のうちの少なくとも一つが配置された領域を含み、
前記フラッシング調節手段は、
フラッシング流体を前記固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインに連結され、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つの循環ラインに連結された一つ以上のフラッシング調節弁を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、
前記フラッシング排出手段は、
前記フラッシング調節弁に連結され、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つの残存処理液又はフラッシング流体を排出させるドレンラインを含むことを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項4】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、
フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、
前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含み、
前記固形析出領域は、
基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて
回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部、又は基板処理装置の処理液を回収する回収部のうちの少なくとも一つが配置された領域を含み、
前記フラッシング調節手段は、
フラッシング流体を前記固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインに連結され、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つのタンクの前端に連結された前端フラッシング調節弁と、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つのタンクの後端に連結された後端フラッシング調節弁と、を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、
前記フラッシング排出手段は、
前記後端フラッシング調節弁に連結されて前記タンクの残存処理液又はフラッシング流体を排出させるドレンラインと、を含むことを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項5】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、
フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、
前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含み、
前記固形析出領域は、
基板処理装置へ供給される処理液をサンプリングしてシリカの濃度を測定するサンプリングラインが配置された領域を含み、
前記フラッシング調節手段は、
フラッシング流体を前記固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインに連結され、前記サンプリングライン上でシリカ濃度計の前端に連結された前端フラッシング調節弁と、前記サンプリングライン上でシリカ濃度計の後端に連結された後端フラッシング調節弁と、を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、
前記フラッシング排出手段は、
前記後端フラッシング調節弁に連結されて前記サンプリングラインの残存処理液又はフラッシング流体を排出させるドレンラインを含むことを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項6】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、
フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、
前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含み、
前記フラッシング排出手段は、
それぞれの前記固形析出領域に残存する処理液又はフラッシング済みのフラッシング流体を排出する複数のドレンラインと、
前記複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体を合わせて一つの排出ラインを介して排出する一つ以上のマニホールドボックスと、を含むことを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項7】
前記フラッシング排出手段は、一つ以上の前記マニホールドボックスから廃棄液の伝達を受けて貯留するバッファタンクをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の処理液供給装置。
【請求項8】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、
フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、
前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含み、
基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部と、基板処理条件に応じて処理液を調整し、前記メイン供給部へ提供する調整供給部と、を含む処理液供給ユニット；及び
前記基板処理装置から処理液を回収する回収部と、前記回収部から回収された処理液の提供を受け、再生条件に応じて処理液を調整し、前記調整供給部へ提供する処理液再生部と、を含む処理液リサイクルユニット；を含み、
前記処理液供給ユニットと前記処理液リサイクルユニットのそれぞれに対応して、前記フラッシング供給手段、前記フラッシング調節手段及び前記フラッシング排出手段が配置されたことを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項9】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記処理液排出ステップは、
前記固形析出領域に対する処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して、前記固形析出領域に残存する処理液を排出させ、
フラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及びドレンラインの開放と閉鎖を選択的に行うことにより、互いに異なる二つ以上のフラッシング流体を用いて前記固形析出領域に対する前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップとを繰り返し行うことを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項10】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序、脱イオン水（ＤＩＷ）、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序、又は脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序で前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップとを繰り返し行うことを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項11】
前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップは、前記固形析出領域に対するフラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及びドレンラインの開放と閉鎖を選択的に行うことにより、フッ化水素（ＨＦ）及び脱イオン水（ＤＩＷ）の順次順序又は脱イオン水（ＤＩＷ）で前記固形析出領域に対するフラッシングを行い、フラッシング済みのフラッシング流体を排出し、
前記固形析出領域に対するフラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及びドレンラインの開放と閉鎖を選択的に行うことにより、不活性ガスの流れを介して、残存するフラッシング流体を排出又は除去することを特徴とする、請求項１０に記載の処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項12】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記処理液排出ステップは、
基板処理条件に基づいてシリカ（Ｓｉｌｉｃａ）を測定して定量のシリカを供給するシリカ供給手段のシリカ供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存シリカを排出し、
前記フラッシングステップは、
フラッシング流体供給ラインを開放してシリカ測定チューブ及びシリカ供給ラインに対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、
前記フラッシング流体排出ステップは、
ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項13】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記処理液排出ステップは、
基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、又は基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部のうちの少なくとも一つの循環ラインの選択された区間に対して処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、
前記フラッシングステップは、
フラッシング流体供給ラインを開放して前記循環ラインの選択された区間に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、
前記フラッシング流体排出ステップは、
ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項14】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記処理液排出ステップは、
基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部、又は基板処理装置の処理液を回収する回収部のうちの少なくとも一つのタンクに対して処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、
前記フラッシングステップは、
フラッシング流体供給ラインを開放して前記タンクに対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、
前記フラッシング流体排出ステップは、
ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項15】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記処理液排出ステップは、
基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、又は基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部のうちの少なくとも一つに対して処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、
前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップは、
フラッシング流体供給ラインを介して脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を供給してタンク及び循環ラインに対する脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体でフラッシングを行い、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出し、
前記循環ラインの選択された区間に対してフラッシング流体供給ラインを介してフッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序でフラッシング流体を供給してフラッシングを行い、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項16】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記処理液排出ステップは、
基板処理装置へ供給される処理液をサンプリングしてシリカの濃度を測定するサンプリングラインの処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、
前記フラッシングステップは、
フラッシング流体供給ラインを開放して、前記サンプリングラインのシリカ濃度計を含む選択区間に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、
前記フラッシング流体排出ステップは、
ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項17】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置に対するフラッシングを行う方法において、
処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、
前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、
前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含み、
前記フラッシング流体排出ステップは、
複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体のうちの少なくとも一つをマニホールドボックスへ提供し、前記マニホールドボックス内で合わせられた処理液又はフラッシング流体のうちの少なくとも一つをバッファタンクに保管させることを特徴とする、処理液供給装置の固形除去方法。
【請求項18】
基板処理装置へ処理液を供給する処理液供給装置であって、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）又は不活性ガスのうちの少なくとも一つを含むフラッシング流体を供給するフラッシング流体供給部と、フラッシング流体を固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインと、前
記フラッシング流体供給部からフラッシング流体を選択的に前記フラッシング流体供給ラインへ供給するフラッシング流体供給弁と、を含むフラッシング供給手段；
前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを制御するフラッシング調節弁を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導するフラッシング調節手段；
それぞれの前記固形析出領域に残存する処理液又はフラッシング済みのフラッシング流体を排出する複数のドレンラインと、前記複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体を合わせて一つの排出ラインを介して排出する一つ以上のマニホールドボックスと、前記マニホールドボックスから処理液又はフラッシング流体の供給を受けて保管するバッファタンクと、を含むフラッシング排出手段；及び
前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニット；を含み、
前記制御ユニットは、
前記フラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及び前記ドレンラインの開放と閉鎖を選択的に制御して、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序、又は脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序で前記固形析出領域に対するフラッシングを行うことを特徴とする、処理液供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、処理液供給装置及び処理液供給装置の固形除去方法に係り、より詳細には、基板処理装置へ処理液を供給し、回収して再生する処理液供給装置であって、処理液の供給によって析出するシリカなどの固形を除去するフラッシング機能を有する処理液供給装置、及び処理液供給装置において固体シリカなどの固形を除去する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、半導体素子及びディスプレイパネルなどの製造工程には様々な種類の処理液が用いられる。これらの処理液は、処理液供給装置を介して濃度、温度及び流量などが工程条件に適するように調節され、基板を処理する基板処理装置へ供給される。この時、処理液供給装置は、一つの処理液、又は互いに異なる処理液を混合した混合液を基板処理装置へ供給する。
【0003】
例えば、洗浄又はエッチング工程では、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜が形成された基板の表面にエッチング液としてのリン酸水溶液などの処理液を供給して、シリコン窒化膜を選択的に除去する処理が行われる。
【0004】
リン酸水溶液を用いたシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の選択的エッチング処理の際に、リン酸水溶液に含有されているシリカ（Ｓｉｌｉｃａ）は、エッチング選択比に重大に作用する要素である。
【0005】
もしリン酸水溶液の処理液に対するシリカの濃度があまりにも低ければ、シリコン酸化膜のエッチング速度が速くなってシリコン窒化膜に対するエッチング選択比が低下する。逆に、シリカの濃度があまりに高くても、選択的エッチングが適切に行われないか或いはフィルタが詰まってしまうなどの様々な問題が発生する。
【0006】
したがって、リン酸水溶液などの処理液を用いてエッチング工程を行うときは、処理液中に含有されているシリカの濃度を処理目的に応じて適正の範囲内に調整することが重要である。
【0007】
特に、最近、半導体の世代が転換するにつれて、エッチング設備もバッチ式エッチング設備から枚葉式エッチング設備へと世代転換している。バッチ式エッチング設備は、散布不良、流動性欠陥問題、及び選択比制御の困難さなどの欠点がある。よって、最近、梅葉式エッチング設備が開発されている傾向にある。
【0008】
枚葉式エッチング設備は、高温のリン酸処理液を各チャンバに供給し、使用済みの処理液を回収してリサイクルするための処理液リサイクルシステムを適用している。
【0009】
このような処理液リサイクルシステムの適用の際にリン酸処理液の温度が低くなる或いはリン酸処理液が循環しない場合、液体シリカが固体シリカとして析出してパーティクルソース（ｐａｒｔｉｃｅｌ ｓｏｕｒｃｅ）になるか、或いは配管詰まり及びセンシング不良の原因になることができる。
【0010】
これにより、シリカの析出を抑制するシリカ析出抑制剤などを供給する方式などでシリカの析出を防止しようとするが、シリカ析出抑制剤を添加する際にエッチング選択比の調節が容易でないという問題があり、かつ、処理液工程中の処理液の大気暴露時にシリカ固形析出を十分に防止することができないという問題がある。
【0011】
このため、より効果的にシリカなどの固形析出を除去して工程歩留まりを安定的に維持させることができる方策が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【文献】韓国特許公開第１０－２０２０－０１１５３１６号公報
【文献】韓国特許公開第１０－２０１９－００９９８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためのもので、シリカなどの固形析出により工程歩留まりを安定的に維持させることができない問題を解決しようとする。
【0014】
特に、処理液供給装置上でシリカが容易に析出する固形析出領域に対して集中的にフラッシングを行い、析出するシリカなどの固形を除去することができる方案を提示しようとする。
【0015】
さらに、固体シリカなどの固形が析出してパーティクルソースとして作用する問題を解決し、かつ、シリカなどの固形析出により基板処理施設などの配管詰まり及びセンシング不良などが発生する問題を解決しようとする。
【0016】
本発明の解決課題は、上述したものに限定されず、上述していない他の解決課題は、以降の記載から当業者に明確に理解できるだろう。
【課題を解決するための手段】
【0017】
上記の技術的課題を解決するために、本発明による処理液供給装置の一実施形態は、フラッシング流体を処理液供給装置の予め設定された固形析出領域へ選択的に供給するフラッシング供給手段と、前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングの実行を誘導するフラッシング調節手段と、前記固形析出領域から処理液又はフラッシング流体を排出させるフラッシング排出手段と、前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニットと、を含むことができる。
【0018】
好ましくは、前記フラッシング供給手段は、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）、又は不活性ガスのうちの少なくとも一つを含むフラッシング流体を供給するフラッシング流体供給部と、フラッシング流体を前記固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインと、前記フラッシング流体供給部からフラッシング流体を選択的に前記フラッシング流体供給ラインへ供給するフラッシング流体供給弁と、を含むことができる。
【0019】
一例として、前記固形析出領域は、基板処理条件に基づいてシリカ（Ｓｉｌｉｃａ）を測定して定量のシリカを供給するシリカ供給手段が配置された領域を含み、前記フラッシング調節手段は、前記フラッシング流体供給ラインに連結され、前記シリカ供給手段のシリカ測定チューブの前端に連結された前端フラッシング調節弁と、前記シリカ測定チューブの後端及びシリカ供給ラインに連結された後端フラッシング調節弁と、を含み、残存シリカの排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、前記フラッシング排出手段は、前記フラッシング調節弁に連結され、前記シリカ供給手段の残存シリカ又はフラッシング流体を排出させるドレンラインを含むことができる。
【0020】
一例として、前記固形析出領域は、基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、及び再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、又は基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部のうちの少なくとも一つが配置された領域を含み、前記フラッシング調節手段は、前記フラッシング流体供給ラインに連結され、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つの循環ラインに連結された一つ以上のフラッシング調節弁を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、前記フラッシング排出手段は、前記フラッシング調節弁に連結され、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つの残存処理液又はフラッシング流体を排出させるドレンラインを含むことができる。
【0021】
一例として、前記固形析出領域は、基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部、又は基板処理装置の処理液を回収する回収部のうちの少なくとも一つが配置された領域を含み、前記フラッシング調節手段は、前記フラッシング流体供給ラインに連結され、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つのタンクの前端に連結された前端フラッシング調節弁と、前記調整供給部、前記処理液再生部又は前記メイン供給部のうちの少なくとも一つのタンクの後端に連結された後端フラッシング調節弁と、を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、前記フラッシング排出手段は、前記後端フラッシング調節弁に連結されて前記タンクの残存処理液又はフラッシング流体を排出させるドレンラインと、を含むことができる。
【0022】
一例として、前記固形析出領域は、基板処理装置へ供給される処理液をサンプリングしてシリカの濃度を測定するサンプリングラインが配置された領域を含み、前記フラッシング調節手段は、前記フラッシング流体供給ラインに連結され、前記サンプリングライン上でシリカ濃度計の前端に連結された前端フラッシング調節弁と、前記サンプリングライン上でシリカ濃度計の後端に連結された後端フラッシング調節弁と、を含むことで、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導し、前記フラッシング排出手段は、前記後端フラッシング調節弁に連結されて前記サンプリングラインの残存処理液又はフラッシング流体を排出させるドレンラインを含むことができる。
【0023】
好ましくは、前記フラッシング排出手段は、それぞれの前記固形析出領域に残存する処理液又はフラッシング済みのフラッシング流体を排出する複数のドレンラインと、前記複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体を合わせて一つの排出ラインを介して排出する一つ以上のマニホールドボックスと、を含むことができる。
【0024】
より好ましくは、前記フラッシング排出手段は、一つ以上の前記マニホールドボックスから廃棄液の伝達を受けて貯留するバッファタンクをさらに含むことができる。
【0025】
さらに、基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部と、基板処理条件に応じて処理液を調整し、前記メイン供給部へ提供する調整供給部を含む処理液供給ユニットと、前記基板処理装置から処理液を回収する回収部と、前記回収部から回収された処理液の提供を受け、再生条件に応じて処理液を調整し、前記調整供給部へ提供する処理液再生部を含む処理液リサイクルユニットと、を含み、前記処理液供給ユニットと前記処理液リサイクルユニットのそれぞれに対応して前記フラッシング供給手段、前記フラッシング調節手段及び前記フラッシング排出手段が配置されることができる。
【0026】
また、本発明による処理液供給装置の固形除去方法の一実施形態は、処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含むことができる。
【0027】
好ましくは、前記処理液排出ステップは、前記固形析出領域に対する処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して、前記固形析出領域に残存する処理液を排出させ、フラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及びドレンラインの開放と閉鎖を選択的に行うことにより、互いに異なる一つ以上のフラッシング流体を用いて前記固形析出領域に対する前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップとを繰り返し行うことができる。
【0028】
より好ましくは、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序、脱イオン水（ＤＩＷ）、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序、又は脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序で前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップとを繰り返し行うことができる。
【0029】
さらに、前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップは、前記固形析出領域に対するフラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及びドレンラインの開放と閉鎖を選択的に行うことにより、フッ化水素（ＨＦ）及び脱イオン水（ＤＩＷ）の順次順序又は脱イオン水（ＤＩＷ）で前記固形析出領域に対するフラッシングを行い、フラッシング済みのフラッシング流体を排出し、前記固形析出領域に対するフラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及びドレンラインの開放と閉鎖を選択的に行うことにより、不活性ガスの流れを介して、残存するフラッシング流体を排出又は除去することができる。
【0030】
一例として、前記処理液排出ステップは、基板処理条件に基づいてシリカ（Ｓｉｌｉｃａ）を測定して定量のシリカを供給するシリカ供給手段のシリカ供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存シリカを排出し、前記フラッシングステップは、フラッシング流体供給ラインを開放してシリカ測定チューブ及びシリカ供給ラインに対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、前記フラッシング流体排出ステップは、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することができる。
【0031】
別の一例として、前記処理液排出ステップは、基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、又は基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部のうちの少なくとも一つの循環ラインの選択された区間に対して処理液供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、前記フラッシングステップは、フラッシング流体供給ラインを開放して前記循環ラインの選択された区間に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、前記フラッシング流体排出ステップは、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することができる。
【0032】
別の一例として、前記処理液排出ステップは、基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部、又は基板処理装置の処理液を回収する回収部のうちの少なくとも一つのタンクに対して処理液供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、前記フラッシングステップは、フラッシング流体供給ラインを開放して前記タンクに対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、前記フラッシング流体排出ステップは、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することができる。
【0033】
別の一例として、前記処理液排出ステップは、基板処理条件に基づいて処理液を調整する一つ以上の調整供給部、再生条件に基づいて回収された処理液を調整する一つ以上の処理液再生部、又は基板処理装置へ処理液を供給するメイン供給部のうちの少なくとも一つに対して処理液の供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、前記フラッシングステップと前記フラッシング流体排出ステップは、フラッシング流体供給ラインを介して脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を供給してタンク及び循環ラインに対する脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体でフラッシングを行い、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出し、前記循環ラインの選択された区間に対してフラッシング流体供給ラインを介してフッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序でフラッシング流体を供給してフラッシングを行い、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することができる。
【0034】
さらに別の例として、前記処理液排出ステップは、基板処理装置へ供給される処理液をサンプリングしてシリカの濃度を測定するサンプリングラインの処理液供給を閉鎖し、ドレンラインを開放して残存処理液を排出し、前記フラッシングステップは、フラッシング流体供給ラインを開放して前記サンプリングラインのシリカ濃度計を含む選択区間に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、前記フラッシング流体排出ステップは、ドレンラインを開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することができる。
【0035】
好ましくは、前記フラッシング流体排出ステップは、複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体のうちの少なくとも一つをマニホールドボックスへ提供し、前記マニホールドボックス内で合わせられた処理液又はフラッシング流体のうちの少なくとも一つをバッファタンクに保管させることができる。
【0036】
さらに、本発明による処理液供給装置の好ましい一実施形態は、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）又は不活性ガスのうちの少なくとも一つを含むフラッシング流体を供給するフラッシング流体供給部と、フラッシング流体を固形析出領域へ供給するフラッシング流体供給ラインと、前記フラッシング流体供給部からフラッシング流体を選択的に前記フラッシング流体供給ラインへ供給するフラッシング流体供給弁と、を含むフラッシング供給手段；前記固形析出領域に対するフラッシング流体の流れを制御するフラッシング調節弁を含み、残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングを誘導するフラッシング調節手段；それぞれの前記固形析出領域に残存する処理液又はフラッシング済みのフラッシング流体を排出する複数のドレンラインと、前記複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体を合わせて一つの排出ラインを介して排出する一つ以上のマニホールドボックスと、前記マニホールドボックスから処理液又はフラッシング流体の供給を受けて保管するバッファタンクと、を含むフラッシング排出手段と；及び前記固形析出領域に対するフラッシングの実行を制御する制御ユニット；を含み、前記制御ユニットは、前記フラッシング流体供給ラインの開放と閉鎖及び前記ドレンラインの開放と閉鎖を選択的に制御して、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序、又は脱イオン水（ＤＩＷ）及び不活性ガスの順次順序で前記固形析出領域に対するフラッシングを行うことができる。
【発明の効果】
【0037】
上述した本発明によれば、処理液供給装置上でシリカなどの固形析出物を効果的に除去しながら、フラッシング工程の実行後に直ちに処理液の供給が行われることができるので、工程歩留まりを効果的に維持させることができる。
【0038】
特に、処理液供給装置上でシリカが容易に析出する固形析出領域に対して集中的にフラッシングを行うことにより、析出するシリカなどの固形を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】本発明が適用される処理液供給装置の一実施形態を示す構成図である。
【図2】本発明による処理液供給装置の処理液供給ユニットに対する一実施形態を示す図である。
【図3】本発明による処理液リサイクルユニットに対する一実施形態を示す図である。
【図4】本発明が適用される処理液供給装置の他の実施形態を示す構成図である。
【図5】本発明による処理液供給装置の処理液供給ユニットに対する他の実施形態を示す図である。
【図6】本発明による処理液リサイクルユニットに対する他の実施形態を示す図である。
【図7】本発明による処理液供給装置における固形除去方法に対する一実施形態を示すフローチャートである。
【図8】本発明によって処理液供給装置のシリカ供給手段に対する固形析出領域のフラッシングを実施する実施形態を示す図である。
【図9】本発明によって処理液供給装置の調整供給部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【図10】本発明によって処理液供給装置の調整供給部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【図11】本発明によって処理液供給装置のメイン供給部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【図12】本発明によって処理液供給装置のメイン供給部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【図13】本発明によって処理液供給装置の処理液再生部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【図14】本発明によって処理液供給装置の処理液再生部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【図15】本発明による処理液供給装置の回収部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0040】
本発明、本発明の動作上の利点、及び本発明の実施によって達成される目的を説明するために、以下では、本発明の好適な実施形態を例示し、これを参照して考察する。
【0041】
まず、本出願で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文脈上明白に異なる意味ではない限り、複数の表現を含むことができる。また、本出願において、「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらの組み合わせが存在することを指定しようとするもので、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらの組み合わせの存在又は付加の可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。
【0042】
本発明を説明するにあたり、関連する公知の構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にするおそれがあると判断された場合には、その詳細な説明は省略する。
【0043】
本発明は、基板処理装置へ処理液を供給し、回収して再生する処理液供給装置であって、処理液の供給によって析出するシリカなどの固形を除去するフラッシング機能を有する処理液供給装置と、処理液供給装置における固体シリカなどの固形を除去する方法を開示する。
【0044】
まず、本発明が適用される処理液供給装置の概略構成について一実施形態によって説明し、このような処理液供給装置におけるシリカなどの固形析出防止のための本発明の具体的構成についてその実施形態によって説明する。
【0045】
本発明は、基板表面の膜を除去する湿式エッチング工程又は洗浄工程のための処理液を供給する処理液供給装置に適用でき、このような処理液供給装置は、基板処理条件に応じて様々な処理液を基板処理装置へ供給する。
【0046】
以下の実施形態では、基板処理工程に用いられる処理液を、シリカが含有された高温のリン酸水溶液と説明するが、これは、説明の便宜のために限定したものであって、本発明が適用される処理液供給装置で使用できる処理液は、基板処理工程に使用されるフッ酸（ＨＦ）、硫酸（Ｈ３ＳＯ４）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、硝酸（ＨＮＯ３）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、オゾン水、ＳＣ－１溶液（水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）及び水（Ｈ２Ｏ）の混合液）などから選択される少なくとも一つの物質を含むことができ、この他にも基板処理工程に使用できる様々な物質の処理液を含むことができる。
【0047】
図１は本発明が適用される処理液供給装置の一実施形態を示す構成図である。
【0048】
本発明が適用される処理液供給装置は、処理液供給ユニット１００、処理液リサイクルユニット２００、制御ユニット（図示せず）などを含んで構成できる。
【0049】
処理液供給ユニット１００は、基板処理条件に基づいて処理液を調整して供給する調整供給部１１０と、基板処理装置１０へ処理液を供給するメイン供給部１７０と、を含むことができる。
【0050】
処理液リサイクルユニット２００は、基板処理装置１０から処理液を回収する回収部２１０と、回収部２１０から回収された処理液の提供を受けて再生処理し、処理液供給ユニット１００の調整供給部１１０へ再生処理液を提供する処理液再生部２５０と、を含むことができる。
【0051】
また、制御ユニット（図示せず）は、処理液供給ユニット１００と処理液リサイクルユニット２００の処理液に対する供給、調整、回収、再生又は廃棄を制御することができる。
【0052】
本発明は、図１に示すような処理液供給装置においてシリカなどの固形析出物を除去するためのフラッシング機能を付与するが、図１にフラッシング機能が付与された本発明に係る処理液供給装置の実施形態を図２及び図３を参照して説明する。
【0053】
処理液供給ユニット１００と処理液リサイクルユニット２００を区分して説明するが、図２は処理液供給装置上で処理液供給ユニット１００にフラッシング構成が付与された場合を示し、図３は処理液供給装置上で処理液リサイクルユニット２００にフラッシング構成が付与された場合を示す。
【0054】
まず、本発明が適用された処理液供給ユニット１００について説明する。
【0055】
本発明の一実施形態は、処理液供給ユニット１００に対するフラッシングの実行のために、フラッシング供給手段３１０、フラッシング調節手段、フラッシング排出手段３５０、制御ユニット（図示せず）などを含むことができる。
【0056】
フラッシング供給手段３１０は、処理液供給ユニット１００上で固形析出領域として設定された部分にフラッシング流体を供給することができる。ここで、フラッシング流体としては、フッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）又は不活性ガスなどが単独で又は混合されて選択的に用いられることができる。
【0057】
フラッシング供給手段３１０は、フラッシング流体供給部、フラッシング流体供給ライン、フラッシング流体供給弁などを含むことができる。
【0058】
フラッシング流体供給部は、用いられるフラッシング流体に応じてＤＩＷ供給部３１１、ＨＦ供給部３１２、不活性ガス供給部３１３が区分されて備えられることができ、フラッシング流体供給弁３１５を介してフッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）又は不活性ガスなどが単独で又は混合されて選択的にフラッシング流体供給ラインへ供給されることができる。
【0059】
フラッシング流体供給ラインは、処理液供給ユニット１００上で設定された固形析出領域へフラッシング流体を提供するが、当該固形析出領域を考慮してフラッシング流体供給量が調節されるように供給ラインが構成できる。例えば、相対的に少量のフラッシング流体供給が要求される場合には、小型供給ラインＳＳ（３１６）を介してフラッシング流体供給が行われることができ、或いは、相対的に大量のフラッシング流体供給が要求される場合には大型供給ラインＢＳ（３１７）を介してフラッシング流体供給が行われることができる。
【0060】
また、フラッシング調節手段は、フラッシング供給手段３１０から提供されるフラッシング流体を介して、処理液供給ユニット１００上に設定された当該固形析出領域に対するフラッシングの実行を誘導する。このために、フラッシング調節手段は、それぞれの固形析出領域ごとに配置されたフラッシング調節弁を含むことができる。フラッシング調節手段については、処理液供給ユニット１００の詳細構成の説明と共に説明する。
【0061】
フラッシング排出手段３５０は、処理液供給ユニット１００上で設定された固形析出領域に残存する処理液を排出させ、フラッシング済みのフラッシング流体を排出させる。
【0062】
フラッシング排出手段３５０は、ドレンラインＨＤ１～ＨＤ６、一つ以上のマニホールドボックス３５１、３５３、バッファタンク３５５などを含むことができる。
【0063】
ドレンラインＨＤ１～ＨＤ６は、固形析出領域に連結されて処理液又はフラッシング流体を排出させ、このためにそれぞれの固形析出領域の数に対応して備えられることができる。
【0064】
マニホールドボックス３５１、３５３は、複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体を合わせて一つの排出ラインを介して排出することができる。
【0065】
バッファタンク３５５は、一つ以上のマニホールドボックス３５１、３５３から廃棄液の伝達を受けて貯留し、廃棄液に対する一定の処理が完了すると、外部へ排出させることができる。
【0066】
特に、本発明では、処理液供給ユニット１００上で設定された固形析出領域に対するフラッシングを行うが、これについて処理液供給ユニット１００の各構成を考察しながらフラッシング調節手段について説明する。
【0067】
処理液供給ユニット１００は、基板処理装置１０へ処理液を供給するメイン供給部１７０と、基板処理条件に応じて処理液を調整し、メイン供給部１７０へ調整された処理液を供給する調整供給部１１０と、を含む。
【0068】
調整供給部１１０には、シリカを供給するシリカ供給手段１２０が備えられることができる。
【0069】
シリカ供給手段１２０は、シリカを供給するシリカ供給部１２１と、シリカ供給部１２１からシリカの供給を制御するシリカ供給弁１２２と、基板処理条件に合わせてシリカの量を測量して定量のシリカを供給するためのシリカ測定チューブ１２３と、を含む。
【0070】
このようなシリカ供給手段１２０は、常時シリカが残存するにつれて、空気中の暴露などの様々な諸条件により固形のシリカが析出することができ、これにより、管が詰まったり固形のシリカが供給されたりする問題が発生するおそれがある。
【0071】
特に、シリカ測定チューブ１２３は、シリカが流動状態で持続的に維持される領域ではないので、これにより固体シリカが容易に析出することができる。よって、本発明では、シリカ供給手段１２０が配置された領域を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0072】
このために、シリカ供給手段１２０に配置されるフラッシング調節手段は、前端フラッシング調節弁３２１と後端フラッシング調節弁３２５とを含むことができる。
【0073】
前端フラッシング調節弁３２１には、フラッシング流体供給ラインＳＳが連結され、シリカ供給手段１２０のシリカ測定チューブ１２３の前端が連結されることができ、前端フラッシング調節弁３２１としては三方弁などの多方弁が適用されることにより、選択的にフラッシング流体供給などが行われることができる。
【0074】
また、後端フラッシング調節弁３２５には、シリカ測定チューブ１２３の後端及びシリカ供給ライン１２５が連結され、ドレンラインＨＤ１が連結されることができ、後端フラッシング調節弁３２５としては三方弁などの多方弁が適用されることにおり、シリカの供給とフラッシング流体の排出などが選択的に行われることができる。
【0075】
また、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介してシリカ供給手段１２０に対するシリカ供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0076】
調整供給部１１０には、処理液を貯留する調整タンク１４０、リン酸又はＤＩＷなどの処理液物質を調整タンク１４０へ供給するそれぞれの物質供給手段１４１、１４２、及び調整タンク１４０に貯留された処理液を排出させるための圧力を提供する不活性ガス供給手段１４３が備えられることができる。ここで、不活性ガスとしては、窒素ガス（Ｎ２）などが適用できる。
【0077】
また、調整供給部１１０には、調整タンク１４０の処理液を自体循環させながら処理液を基板処理条件に合わせて調整するための調整循環ライン１３１が設けられることができる。調整循環ライン１３１には、調整タンク１４０の処理液を循環させるための調整ラインポンプ１３２、循環する処理液を加熱する調整ラインヒータ１３３、処理液の濃度又は温度などを測定する測定手段などが配置されることができる。ここで、測定手段は、リン酸水溶液のリン酸濃度を測定するリン酸濃度計１３４と、リン酸水溶液の温度を測定する温度計（図示せず）などを含むことができる。調整ラインポンプ１３２は、耐薬品性に強いポンプが適用されることが好ましく、一例として、少量の処理液の移送にはダイアフラムポンプ（Ｄｉａｐｈｒａｇｍ ｐｕｍｐ）が適用でき、大容量の処理液の移送にはベローズポンプ（Ｂｅｌｌｏｗｓ ｐｕｍｐ）及びマグネチックポンプ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｕｍｐ）が適用できる。又は、一定量の混合液を精密に循環させるための定量ポンプ（Ｍｅｔｅｒｉｎｇ ｐｕｍｐ）が適用されることもできる。
【0078】
また、図２には示されていないが、調整循環ライン１３１を介して処理液を自体循環させたり、調整処理液供給管１１１へ調整された処理液を排出したりするための制御弁が備えられることができる。ここで、前記制御弁は、三方弁（ｔｒｈｅｅ ｗａｙ ｖａｌｖｅ）又は四方弁（ｆｏｕｒ ｗａｙ ｖａｌｖｅ）などが適用できる。例えば、処理液を自体循環させる場合には、制御弁を閉鎖させて調整循環ライン１３１へ処理液を循環させ、調整された処理液を供給するときには、制御弁を開放して調整処理液供給管１１１へ調整された処理液を排出させることができる。
【0079】
調整処理液供給管１１１には、調整された処理液の供給量測定及び流量測定のために流量計（図示せず）が設けられることができる。
【0080】
調整供給部１１０で調整された処理液は、調整処理液供給管１１１へ排出されてメイン供給部１７０に提供される。
【0081】
調整供給部１１０の動作は、制御ユニットを介して制御されるが、制御ユニットは、シリカ供給手段１２０が基板処理条件に応じてシリカの供給量を測定して選択的に定量のシリカを供給するように制御し、かつ、それぞれの物質供給管１４１、１４２が選択的に当該物質を供給するように制御し、選択的に調整循環ライン１３１を介して処理液を自体循環させながらリン酸濃度と温度を調節するように制御する。
【0082】
このような調整供給部１１０上で調整タンク１４０や調整循環ライン１３１などでは、処理液が持続的に流動せずに留まる場合が頻繁に発生するので、これにより処理液の温度が下降しつつシリカなどの各種処理液物質の固形が析出する可能性がある。
【0083】
したがって、本発明では、調整タンク１４０と調整循環ライン１３１の選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0084】
このために、調整循環ライン１３１上の選択された領域及び調整タンク１４０の入力端及び出力端にフラッシング調節手段のフラッシング調節弁が配置されることができ、これらのフラッシング調節弁は、相互有機的に動作するように制御されることができる。
【0085】
例えば、調整循環ライン１３１の調整タンク１４０の入力端にフラッシング調節弁３３１が配置されることができ、調整循環ライン１３１の調整ラインポンプ１３２の前端と後端にそれぞれのフラッシング調節弁３３３、３３５が配置され、これらのフラッシング調節弁の有機的作動によって調整タンク１４０と調整循環ライン１３１の選択された区間に対するフラッシングが行われることができる。
【0086】
調整タンク１４０の入力端に配置されたフラッシング調節弁３３１には、フラッシング流体供給ラインＢＳ、調整タンク１４０の入力端、調整循環ライン１３１などが連結されることができる。また、調整ラインポンプ１３２の前端に配置されたフラッシング調節弁３３３には、調整タンク１４０の排出端、調整ラインポンプ１３２の入力端、ドレンラインＨＤ２、フラッシング流体供給ラインＳＳなどが連結されることができ、調整ラインポンプ１３２の後端に配置されたフラッシング調節弁３３５には、調整循環ライン１３１の入力端、調整ラインポンプ１３２の出力端、ドレンラインＨＤ３、フラッシング流体供給ラインＳＳなどが連結されることができる。
【0087】
それぞれのフラッシング調節弁は、要求される入出力による多方弁が適用できるが、例えば、調整ラインポンプ１３２の前端と後端に配置されるフラッシング調節弁３３３、３３５としては四方弁などの多方弁が適用されることにより、処理液の供給と排出及びフラッシング流体の供給と排出などが選択的に行われることができる。
【0088】
また、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介して調整循環ライン１３１上の選択された領域及び調整タンク１４０に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0089】
次に、メイン供給部１７０を考察すると、メイン供給部１７０は、調整された処理液を貯留するメイン供給タンク１８０、ＤＩＷなどの処理液物質をメイン供給タンク１８０へ供給する物質供給手段１８１、及びメイン供給タンク１８０に貯留された処理液を排出するための圧力を提供する不活性ガス供給手段１８３が備えられることができる。
【0090】
また、メイン供給部１７０は、メイン供給タンク１８０から調整された処理液を基板処理装置１０へ供給する処理液供給管１７１と、メイン供給タンク１８０から処理液供給管１７１へ処理液を供給するための処理液供給管ポンプ１９１とが備えられる。処理液供給管１７１には、基板処理装置１０へ供給される処理液を最終的にフィルタリングするための処理液供給管フィルタ１９３が設けられることもできる。
【0091】
また、処理液供給管１７１には、基板処理装置１０へ供給される処理液の供給量測定及び流量測定のために、流量計（図示せず）が設けられることもできる。
【0092】
また、メイン供給部１７０は、メイン供給タンク１８０から供給される処理液をサンプリングするためのサンプリングライン１７３と、サンプリングライン１７３の処理液を測定する測定手段と、を含むことができる。ここで、測定手段は、処理液に含有されているシリカの濃度を測定するためのシリカ濃度計１７５を含むことができる。
【0093】
また、サンプリング処理液の測定結果に応じて適切に調整されていない処理液を回収するための供給処理液回収ライン１９０が設けられることができる。
【0094】
供給処理液回収ライン１９０は、測定されたシリカの濃度に基づいて処理液をメイン供給タンク１８０へ回収することができるように連結されることができ、必要に応じて、供給処理液回収ライン１９０にドレンバルブを配置し、予め設定されたシリカ濃度を超える処理液に対しては外部へ排出して廃棄処理することもできる。
【0095】
このようなメイン供給部１７０の動作は制御ユニットを介して制御されるが、前記制御ユニットは、メイン供給タンク１８０から基板処理装置１０へ処理液供給管１７１を介して処理液を供給するように制御しながら、サンプリングライン１７３を介して供給される処理液をサンプリングして、処理液が適切に調整されたかを検査する。例えば、シリカ濃度を測定するか或いは処理液の温度などを測定して、その結果に基づいて調整供給部１１０へのシリカの供給又は加熱温度を制御することができる。また、前記制御ユニットは、サンプリングした処理液が基板処理条件の一定レベルの範囲を満たしていない場合、基板処理装置１０へ供給される処理液を、供給処理液回収ライン１９０を介して回収するか或いは外部へ排出して廃棄させることもできる。
【0096】
上述したメイン供給部１７０は、基板処理装置１０へ処理液を断続的に供給することにより、処理液の温度が下降しつつ、シリカなどの各種処理液物質の固形が析出することができる。
【0097】
したがって、本発明では、メイン供給部１７０のメイン供給タンク１８０、処理液供給管１７１の選択された区間及びサンプリングライン１７３の選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0098】
このために、処理液供給管１７１上の選択された領域及びメイン供給タンク１８０の入力端及び出力端にフラッシング調節手段のフラッシング調節弁が配置されることができ、これらのフラッシング調節弁は、相互有機的に動作するように制御されることができる。また、サンプリングライン１７３の選択された区間にフラッシング調節手段のフラッシング調節弁が配置されてフラッシングが行われることができる。
【0099】
例えば、回収ライン１９０のメイン供給タンク１８０の入力端にフラッシング調節弁３４１が配置されることができ、処理液供給管１７１の処理液供給管ポンプ１９１の前端と後端にそれぞれのフラッシング調節弁３４３、３４５が配置され、これらのフラッシング調節弁の有機的作動によってメイン供給タンク１８０と処理液供給管１７１の選択された区間に対するフラッシングが行われることができる。
【0100】
メイン供給タンク１８０の入力端に配置されたフラッシング調節弁３４１には、フラッシング流体供給ラインＢＳ、メイン供給タンク１８０の入力端、回収ライン１９０などが連結されることができる。また、処理液供給管ポンプ１９１の前端に配置されたフラッシング調節弁３４３には、処理液供給管ポンプ１９１の排出端、処理液供給管ポンプ１９１の入力端、ドレンラインＨＤ４、フラッシング流体供給ラインＳＳなどが連結されることができ、処理液供給管ポンプ１９１の後端に配置されたフラッシング調節弁３４５には、処理液供給管１７１、処理液供給管ポンプ１９１の出力端、ドレンラインＨＤ５、フラッシング流体供給ラインＳＳなどが連結されることができる。
【0101】
それぞれのフラッシング調節弁は、要求される入出力による多方弁が適用できるが、例えば処理液供給管ポンプ１９１の前端と後端に配置されるフラッシング調節弁３４３、３４５としては四方弁などの多方弁が適用されることにより、処理液の供給と排出及びフラッシング流体の供給と排出などが選択的に行われることができる。
【0102】
また、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介して、処理液供給管１７１上の選択された領域及びメイン供給タンク１８０に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0103】
また、サンプリングライン１７３の選択された区間に対して、サンプリングライン１７３上でシリカ濃度計１７５の前端に前端フラッシング調節弁３４７が配置され、サンプリングライン１７３上でシリカ濃度計１７５の後端に後端フラッシング調節弁３４９が配置されることにより、サンプリングライン１７３上の残存処理液の排出とフラッシング流体によるフラッシングが行われることができる。
【0104】
シリカ濃度計１７５の前端に配置されたフラッシング調節弁３４７には、フラッシング流体供給ラインＳＳが連結され、シリカ濃度計１７５の後端に配置されたフラッシング調節弁３４９には、ドレンラインＨＤ６が連結されることができる。
【0105】
また、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介してサンプリングライン１７３上の選択された領域に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0106】
次に、本発明が適用された処理液リサイクルユニット２００について説明する。
【0107】
本発明の一実施形態は、処理液リサイクルユニット２００に対するフラッシングの実行のために、フラッシング供給手段３６０、フラッシング調節手段、フラッシング排出手段３９０、制御ユニット（図示せず）などを含むことができる。
【0108】
フラッシング供給手段３６０及びフラッシング排出手段３９０は、先立って図２を参照して考察したのと同様なので、これについての説明は省略する。
【0109】
フラッシング調節手段は、フラッシング供給手段３６０から提供されるフラッシング流体を介して、処理液リサイクルユニット２００上に設定された当該固形析出領域に対するフラッシングの実行を誘導する。このために、フラッシング調節手段は、それぞれの固形析出領域ごとに配置されたフラッシング調節弁を含むことができる。フラッシング調節手段については、処理液リサイクルユニット２００の詳細構成の説明と共に説明する。
【0110】
処理液リサイクルユニット２００は、前述した処理液供給ユニット１００とは空間的に分離され、異なる設備として配置されることもできる。すなわち、基板処理施設の空間的制約を解消するために、処理液リサイクルユニット２００を処理液供給ユニット１００とは別個の装置として構成し、空間的に異なる場所に処理液リサイクルユニット２００が配置されることができる。
【0111】
このように処理液供給ユニット１００と処理液リサイクルユニット２００とが空間的に分離されて互いに異なる設備として配置されるので、それぞれに対するラッシングを行うための構成も個別にそれぞれ構成されることができる。
【0112】
処理液リサイクルユニット２００は、基板処理装置１０から使用済みの廃処理液を回収する回収部２１０と、回収部２１０で回収した廃処理液を再生して処理液供給ユニット１００の調整供給部１１０へ供給する処理液再生部２５０と、を含むことができる。
【0113】
回収部２１０は、基板処理装置から廃処理液が供給される廃処理液供給管２２０と、廃処理液供給管２２０に連結されて廃処理液を一時貯留する回収タンク２３０と、を含むことができる。
【0114】
また、回収部２１０は、回収タンク２３０に貯留された廃処理液を処理液再生部２５０へ供給するための回収処理液供給管２４０と、回収タンク２３０に貯留された廃処理液とを回収処理液供給管２４０へ排出させるための回収管ポンプ２４１と、を備えることができる。
【0115】
また、回収部２１０には、回収処理液供給管２４０を介して処理液再生部２５０へ廃処理液を供給する際に異物などをフィルタリングするためのメインフィルタ２３５が設けられることができる。
【0116】
回収部２１０の動作は制御ユニットによって統制されるが、制御ユニットは、回収部２１０の回収タンク２３０に廃処理液を一時保管させながら回収タンク２３０の廃処理液を処理液再生部２５０へ供給するか或いは外部へ排出して廃棄するように制御することができる。
【0117】
このような回収部２１０は、基板処理装置１０から使用済みの処理液を回収して一時保管するので、各種異物が多量に含有されており、使用済みの処理液の保管によりシリカなどの各種処理液物質の固形が容易に析出することができる。
【0118】
したがって、本発明では、回収部２１０の回収タンク２３０など、選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0119】
このために、回収タンク２３０の前端と後端にフラッシング調節手段のフラッシング調節弁が配置され、これらのフラッシング調節弁は、相互有機的に動作して回収部２１０の選択された区間に対するフラッシングが行われることができる。
【0120】
例えば、基板処理装置１０から廃処理液の提供を受けて回収タンク２３０へ供給する廃処理液供給管２２０上には、廃処理液をドレンラインＲＤ３へ排出するためのフラッシング調節弁３８５が備えられることができる。また、フラッシング流体供給ラインＢＳに連結されて回収タンク２３０へフラッシング流体を供給するフラッシング調節弁２８１が回収タンク２３０の前端に配置され、回収タンク２３０の出力端、回収処理液供給管２４０、ドレンラインＲＤ４などに連結されたフラッシング調節弁２８７が配置されることができる。
【0121】
そして、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介して、回収部２１０上の選択された領域及び回収タンク２３０に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0122】
回収部２１０で回収した廃処理液は、フィルタリングされて処理液再生部２５０へ供給され、処理液再生部２５０で使用可能な適正レベルの処理液で再生処理が行われることができる。
【0123】
処理液再生部２５０は、回収部２１０から供給される処理液を貯留する再生タンク２７０を含み、回収処理液供給管２４０から供給される処理液は、処理液供給弁２４３を介して再生タンク２７０への供給が制御されることができる。
【0124】
処理液再生部２５０には、再生タンク２７０へＤＩＷを供給する処理液物質供給管２７１、及び再生タンク２７０に貯留された処理液を排出させるための圧力を提供する不活性ガス供給手段２７３が備えられることができる。ここで、不活性ガスは、窒素ガス（Ｎ２）などが適用できる。
【0125】
また、処理液再生部２５０には、再生タンク２７０の処理液を自体循環させながら処理液を再生処理するための再生循環ライン２６１が設けられることができ、再生循環ライン２６１には、再生タンク２７０の処理液を循環させるための再生ラインポンプ２６２、循環する処理液を加熱するための再生ラインヒータ２６３、処理液の濃度又は温度などを測定するための測定手段などが配置されることができる。ここで、測定手段は、処理液のリン酸水分濃度を測定するリン酸濃度計２６４や、処理液の温度を測定する温度計（図示せず）などを含むことができる。
【0126】
また、再生循環ライン２６１を介して処理液を自体循環させるか、或いは再生処理液供給管２５１へ再生された処理液を排出するための再生液供給弁２６６が備えられることができる。ここで、再生液供給弁２６６は、三方弁（ｔｈｒｅｅ ｗａｙ ｖａｌｖｅ）又は四方弁（ｆｏｕｒ ｗａｙ ｖａｌｖｅ）などが適用されて選択的に再生循環ライン２６１へ処理液を循環させるか、或いは再生処理液供給管２５１へ再生処理液を排出させることができる。
【0127】
また、再生循環ライン２６１には、処理液を自体循環させながらフィルタリングするためのサブフィルタ２６５が設けられる。
【0128】
さらに、処理液再生部２５０から再生処理液供給管２５１を介して調整供給部２１０へ供給される処理液を回収する回収ライン２５５が備えられることもできる。再生処理液供給管２５１には、調整供給部１１０への再生処理液の供給を制御するための再生処理液供給弁２５３が配置され、かつ、回収ライン２５５で再生処理液を回収させるための再生処理液回収弁２５７が配置されることができる。ここで、再生処理液供給弁２５３と再生処理液回収弁２５７は、一つの三方弁に置き換えられてもよい。
【0129】
処理液再生部２５０の動作は制御ユニットを介して制御されるが、前記制御ユニットは、回収部２１０から処理液再生部２５０へ廃処理液を選択的に供給するように制御しながら、それぞれの物質供給管２７１、２９１が選択的にＤＩＷなどの当該物質を供給するように制御し、再生循環ライン２６１を介して処理液を自体循環させながらリン酸の水分濃度と温度を調節するように制御して処理液を再生させる。
【0130】
このような処理液再生部２５０上における再生タンク２７０や再生循環ライン２６１などでは、処理液が持続的に流動せずに滞留する場合が頻繁に発生するので、これにより、処理液の温度が下降しつつシリカなどの各種処理液物質の固形が析出する可能性がある。
【0131】
したがって、本発明では、再生タンク２７０と再生循環ライン２６１の選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0132】
このために、再生循環ライン２６１上の選択された領域及び再生タンク２７０の入力端及び出力端にフラッシング調節手段のフラッシング調節弁が配置されることができ、これらのフラッシング調節弁は、相互有機的に動作するように制御されることができる。
【0133】
例えば、再生循環ライン２６１の再生タンク２７０の入力端にフラッシング調節弁３７１が配置されることができ、再生循環ライン２６１の再生ラインポンプ２６２の前端と後端にそれぞれのフラッシング調節弁３７３、３７５が配置され、これらのフラッシング調節弁の有機的作動によって再生タンク２７０と再生循環ライン２６１の選択された区間に対するフラッシングが行われることができる。
【0134】
再生タンク２７０の入力端に配置されたフラッシング調節弁３７１には、フラッシング流体供給ラインＢＳ、再生タンク２７０の入力端、再生循環ライン２６１などが連結されることができる。また、再生ラインポンプ２６２の前端に配置されたフラッシング調節弁３７３には、再生タンク２７０の排出端、再生ラインポンプ２６２の入力端、ドレンラインＲＤ１、フラッシング流体供給ラインＳＳなどが連結されることができ、再生ラインポンプ２６２の後端に配置されたフラッシング調節弁３７５には、再生循環ライン２６１の入力端、再生ラインポンプ２６２の出力端、ドレンラインＲＤ２、フラッシング流体供給ラインＳＳなどが連結されることができる。
【0135】
それぞれのフラッシング調節弁は、要求される入出力による多方弁が適用できるが、例えば再生ラインポンプ２６２の前端と後端に配置されるフラッシング調節弁３７３、３７５としては四方弁などの多方弁が適用されることにより、処理液の供給と排出及びフラッシング流体の供給と排出などが選択的に行われることができる。
【0136】
そして、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介して、再生循環ライン２６１上の選択された領域及び再生タンク２７０に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0137】
上述したように、本発明では、処理液供給ユニット１００及び処理液リサイクルユニット２００のそれぞれにおいてシリカなどの固形析出物が発生する領域を設定し、このような領域のフラッシング実行のための構成を配置して、フラッシング機能が付与された処理液供給装置を提示する。
【0138】
図２の処理液供給ユニット１００と図３の処理液リサイクルユニット２００とは、それぞれ異なる空間に配置されるものであって、これにより、フラッシング実行のためのフラッシング供給手段とフラッシング排出手段も処理液供給ユニット１００と処理液リサイクルユニット２００のそれぞれに個別に配置されるものと説明した。ところが、これは処理液供給装置の設備配置によるものであって、もし処理液供給ユニットと処理液リサイクルユニットとが一つの空間に連結されて配置される場合には、フラッシングを行うための構成も合わせられて配置されることができる。
【0139】
さらに、前述の図１を参照して説明した処理液供給装置は、処理液供給ユニット１００に一つの調整供給部１１０が配置され、処理液リサイクルユニット２００に一つの処理液再生部２５０が配置されるように構成したが、処理液供給ユニット１００の調整供給部１１０の数と処理液リサイクルユニット２００の処理液再生部２５０の数は、必要に応じて変更できる。
【0140】
これに関して、図４は本発明が適用される処理液供給装置の他の実施形態を示す構成図である。
【0141】
図４の実施形態は、基本的な構成配置が上記の図１の実施形態と類似するが、処理液供給ユニット４００は、並列に配置された２つの調整供給部４１０を含み、処理液リサイクルユニット５００は、並列に配置された２つの処理液再生部５５０を含む。
【0142】
このような複数の調整供給部４１０の並列配置によっていずれか一つの調整供給部４１０が、メイン供給部４７０へ、基板処理条件に基づいて濃度と温度が調整された処理液を供給するとともに、他の一つの調整供給部４１０が基板処理条件に基づいて処理液に対する濃度と温度調整を行うことができる。
【0143】
また、複数の処理液再生部５５０の並列配置を介して、いずれか一つの処理液再生部５５０が回収部５１０から使用済みの処理液の供給を受けて再生するとともに、他の一つの処理液再生部５５０が再生された処理液を複数の調整供給部４１０のうちのいずれか一つに供給することができる。
【0144】
このような複数の調整供給部４１０と複数の処理液再生部５５０に対する構成によって連続的な処理液の調整と再生が行われるとともに、調整された処理液を基板処理装置へ連続的に供給することができるため、処理液の供給効率をさらに高めることができる。
【0145】
本発明は、図４のような処理液供給装置においてシリカなどの固形析出物を除去するためのフラッシング機能を付与するが、図４にフラッシング機能が付与された本発明に係る処理液供給装置の実施形態を、図５に示された処理液供給ユニット４００に対する実施形態と、図６に示された処理液リサイクルユニット５００に対する実施形態に区分して考察する。
【0146】
図５の処理液供給ユニット４００に対する実施形態における、前述した図２の処理液供給ユニット１００に対する実施形態と重複する部分についての説明は省略し、同様に、図６の処理液リサイクルユニット５００に対する実施形態における、前述した図３の処理液リサイクルユニット２００に対する実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
【0147】
まず、本発明が適用された処理液供給ユニット４００について説明する。
【0148】
図５の処理液供給ユニット４００においても、フラッシングの実行のためにフラッシング供給手段６１０、フラッシング調節手段、フラッシング排出手段６５０、制御ユニット（図示せず）などを含むことができる。
【0149】
フラッシング供給手段６１０には、用いられるフラッシング流体によって、ＤＩＷ供給部６１１、ＨＦ供給部６１２、不活性ガス供給部６１３が区分されて備えられることができ、フラッシング流体供給弁６１５を介してフッ化水素（ＨＦ）、脱イオン水（ＤＩＷ）、又は不活性ガスなどが単独で又は混合されて選択的にフラッシング流体供給ラインへ供給されることができる。
【0150】
フラッシング流体供給ラインは、処理液供給ユニット４００上で設定された固形析出領域へフラッシング流体を提供するが、要求されるフラッシング流体の供給量によって小型供給ラインＳＳ（６１６）と大型供給ラインＢＳ（６１７）が区分されて備えられることができる。
【0151】
そして、フラッシング調節手段は、フラッシング供給手段６１０から提供されるフラッシング流体を介して、処理液供給ユニット４００上に設定された当該固形析出領域に対するフラッシングの実行を誘導する。このために、フラッシング調節手段は、それぞれの固形析出領域ごとに配置されたフラッシング調節弁を含むことができる。フラッシング調節手段については、処理液供給ユニット４００の詳細構成の説明と共に説明する。
【0152】
フラッシング排出手段６５０は、処理液供給ユニット４００上で設定された固形析出領域に残存する処理液を排出させ、フラッシング済みのフラッシング流体を排出させ、ドレンラインＨＤ１～ＨＤ８、一つ以上のマニホールドボックス６５１、６５３、バッファタンク６５５などを含むことができる。
【0153】
ドレンラインＨＤ１～ＨＤ８は、固形析出領域に連結されて処理液又はフラッシング流体を排出させ、設定された固形析出領域の数に応じて、備えられるライン数が調節できる。
【0154】
マニホールドボックス６５１、６５３は、複数のドレンラインの中から選択された複数のドレンラインから排出される処理液又はフラッシング流体を合わせて一つの排出ラインを介して排出することができ、バッファタンク３５５は、一つ以上のマニホールドボックス６５１、６５３から廃棄液の伝達を受けて貯留し、廃棄液に対する一定の処理が完了すると、外部へ排出させることができる。
【0155】
本発明において、処理液供給ユニット４００上の設定された固形析出領域に対するフラッシングの実行のために配置されるフラッシング調節手段を、処理液供給ユニット４００の各構成を考察しながら説明する。
【0156】
処理液供給ユニット４００は、基板処理装置１０へ処理液を供給するメイン供給部４７０と、基板処理条件に応じて処理液を調整し、メイン供給部４７０へ調整された処理液を供給する調整供給部４１０と、を含む。
【0157】
調整供給部４１０は、第１調整供給部４３０と第２調整供給部４５０とを含むことができ、シリカ供給手段４２０を含むことができる。シリカ供給手段４２０は、第１調整供給部４３０及び第２調整供給部４５０のそれぞれに選択的にシリカを供給することができる。
【0158】
シリカ供給手段４２０は、先立って図２を参照して説明したのと同様であり、シリカ供給手段４２０が配置された領域を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援することができる。
【0159】
シリカ供給手段４２０のフラッシングを行うための構成として、フラッシング調節手段は、前端フラッシング調節弁６２１と後端フラッシング調節弁６２５とを含むことができる。
【0160】
ここで、後端フラッシング調節弁６２５には、第１調整供給部４３０へシリカを供給するシリカ供給ライン４２５と、第２調整供給部４５０へシリカを供給するシリカ供給ライン４２７とが連結されることにより、第１調整供給部４３０と第２調整供給部４５０に選択的にシリカが供給されるように調節できる。
【0161】
制御ユニットは、フラッシング調節手段を介してシリカ供給手段４２０に対するシリカの供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0162】
そして、第１調整供給部４３０及び第２調整供給部４５０のそれぞれは、前述した図２の実施形態における調整供給部１１０の構成と類似する。
【0163】
調整供給部４１０で調整された処理液は、第１調整供給部４３０又は第２調整供給部４５０のうちの少なくとも一つから選択的に調整処理液供給管４１１へ排出され、メイン供給部４７０に提供される。
【0164】
このような調整供給部４１０の動作は制御ユニットを介して制御されるが、前記制御ユニットは、シリカ供給手段４２０が基板処理条件に応じてシリカの供給量を測定して第１調整供給部４３０と第２調整供給部４５０へ選択的に定量のシリカを供給するように制御し、かつ、それぞれの物質供給管４４１、４４２、４６１、４６２が選択的に当該物質を供給するように制御し、選択的に第１調整循環ライン４３１と第２調整循環ライン４５１を介して処理液を自体循環させながらリン酸濃度と温度を調節するように制御する。
【0165】
好ましくは、制御ユニットは、第１調整供給部４３０又は第２調整供給部４５０のうちのいずれか一つが処理液を調整し、他の一つはメイン供給部４７０に処理液を供給するか或いは処理液再生部５５０から処理液の供給を受けるように制御することができる。
【0166】
そして、図５の実施形態において、第１調整供給部４３０及び第２調整供給部４５０のそれぞれに対して固形析出領域が設定でき、それぞれの固形析出領域に対するフラッシング構成が配置できる。
【0167】
例えば、第１調整供給部４３０の第１調整タンク４４０と第１調整循環ライン４３１上の選択された領域を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成が配置でき、第２調整供給部４５０の第２調整タンク４６０と第２調整循環ライン４５１上の選択された領域を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成が配置できる。
【0168】
第１調整供給部４３０及び第２調整供給部４５０に設定されたそれぞれの固形析出領域に対して、先立って図２の実施形態を参照して考察したフラッシング調節手段のフラッシング調節弁が配置されることができ、制御ユニットは、これらのフラッシング調節弁が相互有機的に動作するように制御して、それぞれの固形析出領域に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行が行われることができる。
【0169】
メイン供給部４７０を考察すると、メイン供給部４７０は、図２と類似の構成を備え、メイン供給部４７０のメイン供給タンク４８０、処理液供給管４７１の選択された区間及びサンプリングライン４７３の選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0170】
これらの固形析出領域に配置されるフラッシング調節手段のフラッシング調節弁は、図２の構成と類似するので、これについての説明を省略する。
【0171】
そして、制御ユニットは、フラッシング調節手段を介して、処理液供給管４７１上の選択された領域、メイン供給タンク４８０及びサンプリングライン４７３上の選択された領域に対する処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0172】
次に、本発明が適用された処理液リサイクルユニット５００について説明する。
【0173】
図６の処理液リサイクルユニット５００においても、フラッシングの実行のためにフラッシング供給手段６６０、フラッシング調節手段、フラッシング排出手段６９０、制御ユニット（図示せず）などを含むことができる。
【0174】
フラッシング供給手段６６０及びフラッシング排出手段６９０は前述した実施形態のそれと類似するので、これについての説明は省略する。
【0175】
フラッシング調節手段は、フラッシング供給手段６６０から提供されるフラッシング流体を介して、処理液リサイクルユニット５００上に設定された当該固形析出領域に対するフラッシングの実行を誘導する。このために、フラッシング調節手段は、それぞれの固形析出領域ごとに配置されたフラッシング調節弁を含むことができる。フラッシング調節手段について、処理液リサイクルユニット５００の詳細構成の説明と共に説明する。
【0176】
処理液リサイクルユニット５００は、基板処理装置１０から使用済みの廃処理液を回収する回収部５１０と、回収部５１０で回収した廃処理液を再生して処理液供給ユニット４００の調整供給部４１０へ供給する処理液再生部５５０と、を含むことができる。
【0177】
回収部５１０は、前述した図３の回収部２１０と類似するが、制御ユニットは、回収部５１０の回収タンク５３０に廃処理液を一時保管させながら回収タンク５３０の廃処理液を処理液再生部５５０の第１処理液再生部５６０と第２処理液再生部５８０の作動状態に応じていずれか一つへ供給するように制御することができる。
【0178】
そして、本発明では、回収部５１０の回収タンク５３０など、選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成を配置してフラッシングを行うことができるように支援する。
【0179】
これらの固形析出領域に配置されるフラッシング調節手段のフラッシング調節弁は図３の構成と類似するので、これについての説明は省略する。
【0180】
回収部５１０で回収した廃処理液は、フィルタリングされて処理液再生部５５０へ供給され、処理液再生部５５０で使用可能な適正レベルの処理液に再生処理できる。
【0181】
処理液再生部５５０は、第１処理液再生部５６０と第２処理液再生部５８０を含むことができる。第１処理液再生部５６０と第２処理液再生部５８０は、並列に配置され、それぞれ個別的に同時又は異時的に動作することができる。
【0182】
第１処理液再生部５６０と第２処理液再生部５８０は、処理液を再生条件に合わせて再生処理した後、選択的に再生処理液供給管５５１を介して調整供給部４１０へ提供することができるが、第１処理液再生部５６０及び第２処理液再生部５８０のそれぞれの構成は、前述した図３の処理液再生部２５０の構成と類似する。
【0183】
さらに、調整供給部４１０が第１調整供給部と第２調整供給部とを含む場合、処理液再生部５５０は、再生された処理液を第１調整供給部と第２調整供給部の作動状況に応じていずれか一つに選択的に供給することができる。或いは、処理液再生部５５０は、再生された処理液を第１調整供給部のみに供給することもできる。
【0184】
このような処理液再生部５５０の動作は制御ユニットによって制御されるが、前記制御ユニットは、回収部５１０から第１処理液再生部５６０又は第２処理液再生部５８０のうちの少なくとも一つへ廃処理液を選択的に供給するように制御しながら、それぞれの物質供給管５７１、５９１が選択的にＤＩＷなどの当該物質を供給するように制御し、第１再生循環ライン５６１と第２再生循環ライン５８１を介して処理液を自体循環させながらリン酸の水分濃度と温度を調節するように制御して処理液を再生させる。
【0185】
好ましくは、前記制御ユニットは、第１処理液再生部５６０又は第２処理液再生部５８０のうちのいずれか一つが処理液を再生し、他の一つは再生された処理液を調整供給部４１０へ供給するか或いは回収部５１０から廃処理液の供給を受けるように制御することができる。
【0186】
そして、図６の実施形態において、第１処理液再生部５６０及び第２処理液再生部５８０上の選択された領域を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成が配置されることができる。
【0187】
例えば、第１処理液再生部５６０の第１再生タンク５７０と第１再生循環ライン５６１の選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成が配置されることができ、第２処理液再生部５８０の第２再生タンク５９０と第２再生循環ライン５８１の選択された区間を固形析出領域として設定し、これに対するフラッシング構成が配置されることができる。
【0188】
そして、制御ユニットは、第１処理液再生部５６０及び第２処理液再生部５８０に配置されたフラッシング調節手段を介して処理液の供給、排出及びフラッシングの実行を制御することができる。
【0189】
本発明では、上述した処理液供給装置にフラッシング構成を配置してシリカなどの固形析出物を効果的に除去することができる。
【0190】
さらに、本発明では、上述したフラッシング機能を有する処理液供給装置を介して、処理液供給装置における固形を除去する方法を提示するが、これについて説明する。
【0191】
本発明に係る処理液供給装置における固形除去方法は、概略的に、処理液供給装置の予め設定された固形析出領域に残存する処理液物質を排出する処理液排出ステップと、前記固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うフラッシングステップと、前記固形析出領域からフラッシング済みのフラッシング流体を選択的に排出させるフラッシング流体排出ステップと、を含むことができる。
【0192】
図７は本発明による処理液供給装置における固形除去方法に対する一実施形態を示すフローチャートである。
【0193】
まず、フラッシングの実行のために処理液供給装置の処理液供給を停止し（Ｓ１１０）、処理液供給装置に残存する処理液を排出させる（Ｓ１２０）。
【0194】
残存処理液を排出させた後、固形析出領域へフラッシング流体を供給してフラッシングを行うが、このとき、様々なフラッシング流体を順次順序で供給してフラッシングが行われることができる。
【0195】
まず、フッ化水素を含むフラッシング流体を当該固形析出領域に供給（Ｓ１３０）して、配管などに付着した固形析出物を除去するフラッシングを行い、フラッシング済みのフラッシング流体をドレンラインを介して排出（Ｓ１４０）させる。
【0196】
ここで、フッ化水素を含むフラッシング流体は、除去対象である析出物の種類と、フラッシング対象である固形析出領域の特性などを考慮して、濃度が調節されたフッ化水素水溶液になることができる。また、処理液供給装置上のフラッシング対象である固形析出領域の材質特性上、フッ化水素を用いたフラッシングが適切でない場合には、フッ化水素を含むフラッシング流体でフラッシングを行う過程は除外されてもよい。
【0197】
次に、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を当該固形析出領域へ供給して（Ｓ１５０）フラッシングを行い、フラッシング済みのフラッシング流体をドレンラインへ排出させる（Ｓ１６０）。
【0198】
脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を介して、配管などに残存する析出物を除去することができるとともに、先立って行った、フッ化水素を用いたフラッシングによって配管などにフッ化水素が残存する可能性があるので、これを希釈させ、除去するためのフラッシングになることができる。
【0199】
最後に、当該固形析出領域へ不活性ガスのフラッシング流体を供給（Ｓ１７０）してフラッシングを行い、不活性ガスと共に不純物をドレンラインを介して排出させる（Ｓ１８０）。
【0200】
先立って複数種類のフラッシング流体で固形析出領域に対するフラッシングを行うことにより、配管などに脱イオン水（ＤＩＷ）などが残存することができ、かつ、未だ排出されていない浮遊物が残存する可能性があるので、一定レベルの圧力で不活性ガスのフラッシング流体を供給してそれを除去することができる。特に、脱イオン（ＤＩＷ）などが残存するにつれて、以後処理液の供給時に濃度に影響を及ぼすおそれがあるので、残存する脱イオン水（ＤＩＷ）などのフラッシング流体を蒸発又は排出することにより、フラッシング済みの固形析出領域を完全に空きスペースに作ることができる。
【0201】
さらに、状況によっては、フッ化水素を含むフラッシング流体によるフラッシング、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体によるフラッシングが繰り返し行われることができ、最終的に不活性ガスのフラッシング流体によるフラッシングが行われることもできる。
【0202】
当該固形析出領域に対するフラッシングが完了すると、処理液供給装置による処理液の供給を再度再開して（Ｓ１９０）基板処理装置への処理液の供給が行われることができる。
【0203】
本発明では、このようなフラッシング過程を行うことにより、処理液供給装置上でシリカなどの固形析出物を効果的に除去することができる。
【0204】
以下、処理液供給装置上で固形析出領域として設定されたそれぞれの部分に対して本発明によってフラッシングを行う過程を説明する。
【0205】
図８は本発明による基板処理装置のシリカ供給手段が配置された領域に対してフラッシングを行う実施形態を示す。
【0206】
図８のシリカ供給手段４２０は、図５の処理液供給ユニット４００に配置されたシリカ供給手段４２０であって、シリカ測定チューブ４２３を含めて選択された一定の区間を固形析出領域として設定してフラッシングを行うことができる。
【0207】
制御ユニットは、図８の（ａ）に示すように、シリカ供給手段４２０のシリカ供給を閉鎖し、シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域に残存するシリカをドレンラインＨＤ１を介して排出させる。このとき、フラッシング調節手段のフラッシング調節弁６２５は、多方弁が適用され、選択的にシリカ供給手段４２０の調整供給部へのシリカの供給を閉鎖しながら、ドレンラインＨＤ１を開放させて残存シリカを排出させることができる。
【0208】
ドレンラインＨＤ１は、フラッシング排出手段６５０のマニホールドボックス６５１を介して複数のドレンラインと合わせられ、ドレンラインＨＤ１を介して排出される残存シリカは、バッファタンク６５５に保管された後、一定の処理を経て外部へ排出されることができる。
【0209】
シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域に残存するシリカが排出されると、図８の（ｂ）に示すように、制御ユニットは、フラッシング供給手段６１０のＤＩＷ供給部６１１から脱イオン水（ＤＩＷ）がシリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域へ供給されるように、フラッシング流体供給弁６１５を制御する。このとき、脱イオン水ＤＩＷは、大量供給が必要ではないので、フラッシング供給ラインＳＳ（６１６）を介して供給できるように制御される。
【0210】
脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体が、シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域へ供給されながら、フラッシング流体の流れと圧力により、シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域に残存するシリカなどの固形析出物が除去されることができる。
【0211】
制御ユニットは、フラッシング調節弁６２５を制御して、フラッシングの実行に応じて、固形物などの不純物が含有された脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体をドレンラインＨＤ１を介して排出させる。
【0212】
状況によっては、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を用いたフラッシングを行う前に、フッ化水素を含むフラッシング流体によるフラッシングを先に行うこともできる。
【0213】
脱イオン水（ＤＩＷ）などのフラッシング流体を用いたフラッシングが完了すると、制御ユニットは、図８の（ｃ）に示すように、フラッシング流体供給弁６１５を制御して、不活性ガス供給部６１３から不活性ガスのフラッシング流体が、シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域へ供給されるように制御しながら、ドレンラインＨＤ１を開放して排出できるように制御する。
【0214】
不活性ガスのフラッシング流体の供給に応じて、シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域に残存する不純物や脱イオン水（ＤＩＷ）などは、不活性ガスの圧力によってドレンラインＨＤ１へ排出できる。
【0215】
このようなフラッシング流体及び不純物は、ドレンラインＨＤ１を介してフラッシング排出手段６５０のバッファタンク６５５に保管され、一定の処理工程を経て外部へ排出されることができる。
【0216】
このようなフラッシング過程を経て、シリカ測定チューブ４２３を含む固形析出領域上で固形析出物や不純物などが除去でき、さらに不活性ガスを介してフラッシング流体なども完全に除去することにより、フラッシングの実行後に直ちに高品質の処理液の供給が行われることができる。
【0217】
【0218】
図９及び図１０において、調整供給部４３０は、図５の処理液供給ユニット４００に配置された第１調整供給部４３０であって、第１調整タンク４４０と第１調整循環ライン４３１の選択された区間を固形析出領域として設定してフラッシングを行うことができる。
【0219】
制御ユニットは、図９の（ａ）に示すように、第１調整供給部４３０の処理液供給を閉鎖し、第１調整タンク４４０と第１調整循環ライン４３１に残存する処理液をドレンラインＨＤ２とドレンラインＨＤ３を介して排出させる。このとき、フラッシング調節手段のフラッシング調節弁６３３ａ、６３５ａは、四方弁が適用され、第１調整タンク４４０と第１調整循環ライン４３１の処理液が循環しながらドレンラインＨＤ２とドレンラインＨＤ３を介して排出されるように制御されることができる。
【0220】
ドレンラインＨＤ２とドレンラインＨＤ３は、フラッシング排出手段６５０のマニホールドボックス６５１を介して合わせられて排出される処理液がバッファタンク６５５に保管された後、一定の処理を経て外部へ排出されることができる。
【0221】
第１調整供給部４３０の固形析出領域に残存する処理液が排出されると、図９の（ｂ）に示すように、制御ユニットは、第１調整循環ライン４３１の第１調整タンク４４０の入力端に配置されたフラッシング調節弁３３１を制御して、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体が第１調整供給部４３０の固形析出領域へ供給することができる。このとき、第１調整供給部４３０の第１調整タンク４４０などに大量の脱イオン水（ＤＩＷ）が供給される必要があるので、大量のフラッシング流体が供給されるようにフラッシング流体供給ラインＢＳ（６１７）を介して脱イオン水（ＤＩＷ）が供給されることができる。
【0222】
また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を第１調整タンク４４０と第１調整循環ライン４３１へ供給して循環させながら、フラッシング調節弁６３３ａ、６３５ａを制御してドレンラインＨＤ２とドレンラインＨＤ３を介して排出されるように制御することができる。
【0223】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体で第１調整タンク４４０と第１調整循環ライン４３１に対する全体的なフラッシングを行うことにより、一次的にシリカなどの固形析出物や不純物などが除去されることができる。
【0224】
次に、制御ユニットは、シリカなどの固形析出物が容易に発生しうる固形析出領域に対するフラッシングを行うが、処理液又はフラッシング流体を排出するドレンラインの付近に集中的に固形析出物と不純物が積もる可能性があるので、このような固形析出領域に対して集中的にフラッシングを行うことができる。
【0225】
これに関連して、図１０の（ａ）に示すように、制御ユニットは、ＨＦ供給部６１２からフッ化水素を含むフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６１６）を介して調整ラインポンプ４３２の前端及び後端にそれぞれ配置されたフラッシング調節弁６３３ａ、６３５ａへそれぞれ供給されるように制御することができる。好ましくは、除去される析出物や不純物などを考慮して、フッ化水素の濃度が調節されたフッ化水素水溶液のフラッシング流体が供給されることもできる。
【0226】
また、制御ユニットは、フッ化水素を含むフラッシング流体が供給されるとともに、ドレンラインＨＤ２とドレンラインＨＤ３を介して排出されるように制御することにより、ドレンラインの付近に対する集中的なフラッシングを行うことができる。
【0227】
フッ化水素を含むフラッシング流体を用いたフラッシングの実行後、当該領域上にフッ化水素などが残存する場合、以後処理液の供給に影響を及ぼすので、制御ユニットは、図１０の（ｂ）に示すように、ＤＩＷ供給部６１１から脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６１６）を介して供給されるように制御することができる。また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を供給しながら、ドレンラインＨＤ２とドレンラインＨＤ３を介して排出されるように制御することができる。
【0228】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を介して、残存する不純物やフッ化水素などが排出されることができる。
【0229】
次に、制御ユニットは、図１０の（ｃ）に示すように、不活性ガス供給部６１３から不活性ガスのフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６１６）を介して供給されながら、ドレンラインＨＤ２及びドレンラインＨＤ３を介して排出されるように制御することができる。
【0230】
不活性ガスの圧力によって、残存する不純物や脱イオン水（ＤＩＷ）などが排出できるとともに、残存する脱イオン水（ＤＩＷ）を蒸発させて除去することもできる。
【0231】
このようなフラッシング過程を経ることにより、第１調整供給部４３０の固形析出領域上で固形析出物や不純物などが除去でき、さらに不活性ガスを用いてフラッシング流体なども完全に除去することにより、フラッシングの実行後に直ちに高品質の処理液の供給が行われることができる。
【0232】
【0233】
図１１及び図１２において、メイン供給部４７０は、図５の処理液供給ユニット４００に配置されたメイン供給部４７０であり、メイン供給タンク４８０、処理液供給管４７１の選択された区間及びサンプリングライン４７３の選択された区間を固形析出領域として設定してフラッシングを行うことができる。
【0234】
制御ユニットは、図１１の（ａ）に示すように、メイン供給部４７０の処理液供給を閉鎖し、メイン供給タンク４８０と処理液供給管４７１に残存する処理液をドレンラインＨＤ６とドレンラインＨＤ７を介して排出させる。このとき、フラッシング調節手段のフラッシング調節弁６４３、６４５は、四方弁が適用され、メイン供給タンク４８０と処理液供給管４７１の処理液が循環しながら、ドレンラインＨＤ６とドレンラインＨＤ７を介して排出されるように制御できる。
【0235】
メイン供給部４７０の固形析出領域に残存する処理液が排出されると、図１１の（ｂ）に示すように、制御ユニットは、回収ライン４９０のメイン供給タンク４８０の入力端に配置されたフラッシング調節弁６４１を制御して脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体をメイン供給部４７０の固形析出領域へ供給することができる。このとき、メイン供給部４７０のメイン供給タンク４８０などに大量の脱イオン水（ＤＩＷ）が供給される必要があるので、大量のフラッシング流体が供給されるようにフラッシング流体供給ラインＢＳ（６１７）を介して脱イオン水（ＤＩＷ）が供給されることができる。
【0236】
また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体をメイン供給タンク４８０と回収ライン４９０へ供給して循環させながら、フラッシング調節弁６４３、６４５を制御してドレンラインＨＤ６とドレンラインＨＤ７を介して排出されるように制御することができる。
【0237】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体でメイン供給タンク４８０と回収ライン４９０に対する全体的なフラッシングを行うことにより、一次的にシリカなどの固形析出物や不純物などが除去できる。
【0238】
次に、制御ユニットは、シリカなどの固形析出物が容易に発生しうる固形析出領域に対するフラッシングを行うが、処理液又はフラッシング流体を排出するドレンラインの付近に集中的に固形析出物と不純物が積もる可能性があるので、このような固形析出領域に対して集中的にフラッシングを行うことができる。
【0239】
これに関して、図１２の（ａ）に示すように、制御ユニットは、ＨＦ供給部６１２からフッ化水素を含むフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６１６）を介して処理液供給管ポンプ４９１の前端と後端にそれぞれ配置されたフラッシング調節弁６４３、６４５にそれぞれ供給されるように制御することができる。好ましくは、除去される析出物や不純物などを考慮して、フッ化水素の濃度が調整されたフッ化水素水溶液のフラッシング流体が供給されることもできる。
【0240】
また、制御ユニットは、フッ化水素を含むフラッシング流体が供給されるとともにドレンラインＨＤ６とドレンラインＨＤ７を介して排出されるように制御することにより、ドレンラインの付近に対する集中的なフラッシングを行うことができる。
【0241】
フッ化水素を含むフラッシング流体を用いたフラッシングの実行後、当該領域上にフッ化水素などが残存する場合、以後処理液の供給に影響を及ぼすので、制御ユニットは、図１２の（ｂ）に示すように、ＤＩＷ供給部６１１から脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６１６）を介して供給されるように制御することができる。また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を供給しながら、ドレンラインＨＤ６とドレンラインＨＤ７を介して排出されるように制御することができる。
【0242】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を介して、残存する不純物やフッ化水素などが排出できる。
【0243】
次に、制御ユニットは、図１２の（ｃ）に示すように、不活性ガス供給部６１３から不活性ガスのフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６１６）を介して供給されながら、ドレンラインＨＤ２及びドレンラインＨＤ３を介して排出されるように制御することができる。
【0244】
不活性ガスの圧力によって、残存する不純物や脱イオン水（ＤＩＷ）などが排出できるとともに、残存する脱イオン水（ＤＩＷ）を蒸発させて除去することもできる。
【0245】
さらに、図１１と類似の過程を介して、基板処理装置へ供給される処理液をサンプリングしてシリカの濃度を測定するサンプリングライン４７３の処理液供給を閉鎖し、ドレンラインＨＤ８を開放して残存処理液を排出した後、フラッシング流体供給ラインＳＳを開放して、サンプリングライン４７３上でシリカ濃度計４７５を含む選択区間に対するフラッシング流体の流れを介してフラッシングを行い、ドレンラインＨＤ８を開放してフラッシング済みのフラッシング流体を排出することもできる。
【0246】
このようなフラッシング過程を経ることにより、メイン供給部４７０の固形析出領域上で固形析出物や不純物などが除去でき、さらに不活性ガスを介してフラッシング流体なども完全に除去することにより、フラッシングの実行後に直ちに高品質の処理液の供給が行われることができる。
【0247】
【0248】
処理液再生部５６０は、図６の処理液リサイクルユニット５００に配置された第１処理液再生部５６０であり、第１再生タンク５７０と第１再生循環ライン５６１の選択された区間を固形析出領域として設定してフラッシングを行うことができる。
【0249】
制御ユニットは、図１３の（ａ）に示すように、第１処理液再生部５６０の処理液の供給を閉鎖し、第１再生タンク５７０と第１再生循環ライン５６１に残存する処理液を、ドレンラインＲＤ１及びドレンラインＲＤ２を介して排出させる。このとき、フラッシング調節手段のフラッシング調節弁６７３ａ、６７５ａは、四方弁が適用され、第１再生タンク５７０と第１再生循環ライン５６１の処理液が循環しながら、ドレンラインＲＤ１とドレンラインＲＤ２を介して排出されるように制御できる。
【0250】
ドレンラインＲＤ１とドレンラインＲＤ２は、フラッシング排出手段６９０のマニホールドボックス６９１を介して合わせられて排出される処理液がバッファタンク６９５に保管された後、一定の処理を経て外部へ排出されることができる。
【0251】
第１処理液再生部５６０の固形析出領域に残存する処理液が排出されると、図１３の（ｂ）に示すように、制御ユニットは、第１再生循環ライン５６１の第１再生タンク５７０の入力端に配置されたフラッシング調節弁６７１ａを制御して脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を第１処理液再生部５６０の固形析出領域へ供給することができる。このとき、第１処理液再生部５６０の第１再生タンク５７０などに大量の脱イオン水（ＤＩＷ）が供給される必要があるので、大量のフラッシング流体が供給されるようにフラッシング流体供給ラインＢＳ（６６７）を介して脱イオン水（ＤＩＷ）が供給されることができる。
【0252】
また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を第１再生タンク５７０と第１再生循環ライン５６１へ供給して循環させながら、フラッシング調節弁６７３ａ、６７５ａを制御して、ドレンラインＲＤ１とドレンラインＲＤ２を介して排出されるように制御することができる。
【0253】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体で第１再生タンク５７０と第１再生循環ライン５６１に対する全体的なフラッシングを行うことにより、一次的にシリカなどの固形析出物や不純物などが除去できる。
【0254】
次に、制御ユニットは、シリカなどの固形析出物が容易に発生しうる固形析出領域に対するフラッシングを行うが、処理液又はフラッシング流体を排出するドレンラインの付近に集中的に固形析出物と不純物が積もる可能性があるので、このような固形析出領域に対して集中的にフラッシングを行うことができる。
【0255】
これに関連して、図１４の（ａ）に示すように、制御ユニットは、ＨＦ供給部６６２からフッ化水素を含むフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６６６）を介して再生ラインポンプ５９２の前端と後端にそれぞれ配置されたフラッシング調節弁６７３ａ、６７５ａにそれぞれ供給されるように制御することができる。好ましくは、除去される析出物や不純物などを考慮して、フッ化水素の濃度が調節されたフッ化水素水溶液のフラッシング流体が供給されることもできる。
【0256】
また、制御ユニットは、フッ化水素を含むフラッシング流体が供給されるとともに、ドレンラインＲＤ１とドレンラインＲＤ２を介して排出されるように制御することにより、ドレンラインの付近に対する集中的なフラッシングを行うことができる。
【0257】
フッ化水素を含むフラッシング流体を用いたフラッシングの実行後に当該領域上にフッ化水素などが残存する場合、以後処理液の供給に影響を及ぼすので、制御ユニットは、図１４の（ｂ）に示すように、ＤＩＷ供給部６６１から脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６６６）を介して供給されるように制御することができる。また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を供給しながら、ドレンラインＲＤ１及びドレンラインＲＤ２を介して排出されるように制御することができる。
【0258】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を介して、残存する不純物やフッ化水素などが排出されることができる。
【0259】
次に、制御ユニットは、図１４の（ｃ）に示すように、不活性ガス供給部６６３から不活性ガスのフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＳＳ（６６６）を介して供給されながら、ドレンラインＲＤ１及びドレンラインＲＤ２を介して排出されるように制御することができる。
【0260】
不活性ガスの圧力によって、残存する不純物や脱イオン水（ＤＩＷ）などが排出されることができるとともに、残存する脱イオン水（ＤＩＷ）を蒸発させて除去することもできる。
【0261】
このようなフラッシング過程を経ることにより、第１処理液再生部５６０の固形析出領域上で固形析出物や不純物などが除去でき、さらに不活性ガスを介してフラッシング流体なども完全に除去することにより、フラッシングの実行後に直ちに高品質の処理液の供給が行われることができる。
【0262】
図１５は本発明によって処理液供給装置の回収部に対する固形析出領域のフラッシングを行う実施形態を示す。
【0263】
図１５において、回収部５１０は、図６の処理液リサイクルユニット５００に配置された回収部５１０であって、回収部５１０の回収タンク５３０などの選択された区間を固形析出領域として設定してフラッシングを行うことができる。
【0264】
制御ユニットは、図１５の（ａ）に示すように、回収部５１０の処理液の回収及び供給を閉鎖し、基板処理装置１０から提供される処理液を、フラッシング調節弁６６５を制御して直ちにドレンラインＲＤ５を介して排出しながら、回収タンク５３０などに残存する処理液を、フラッシング調節弁６８７を制御してドレンラインＲＤ６を介して排出することができる。
【0265】
回収部５１０の固形析出領域に残存する処理液が排出されると、図１２の（ｂ）に示すように、制御ユニットは、回収タンク５３０の入力端に配置されたフラッシング調節弁６８１を制御して脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を回収部５１０の回収タンク５３０へ供給することができる。このとき、回収タンク５３０などに大量の脱イオン水（ＤＩＷ）が供給される必要があるので、大量のフラッシング流体が供給されるようにフラッシング流体供給ラインＢＳ（６６７）を介して脱イオン水（ＤＩＷ）が供給されることができる。
【0266】
また、制御ユニットは、脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体を回収タンク５３０へ供給しながら、フラッシング調節弁６８７を制御して、ドレンラインＲＤ６を介して排出されるように制御することができる。
【0267】
このような脱イオン水（ＤＩＷ）のフラッシング流体で回収タンク５３０などに対するフラッシングを行うことにより、回収タンク５３０などに残存するシリカなどの固形析出物や不純物などが除去されることができる。
【0268】
次に、制御ユニットは、図１５の（ｃ）に示すように、不活性ガス供給部６６３から不活性ガスのフラッシング流体がフラッシング流体供給ラインＢＳ（６６７）を介して供給され、回収タンク５３０などを経てドレンラインＲＤ６を介して排出されるように制御することができる。
【0269】
不活性ガスの圧力によって、残存する不純物や脱イオン水（ＤＩＷ）などが排出できるとともに、残存する脱イオン水（ＤＩＷ）を蒸発させて除去することもできる。
【0270】
このようなフラッシング過程を経ることにより回収部５１０の固形析出領域上で固形析出物や不純物などが除去でき、さらに不活性ガスを介してフラッシング流体なども完全に除去することにより、フラッシングの実行後に直ちに高品質の処理液の供給が行われることができる。
【0271】
上述した本発明によれば、処理液供給装置上でシリカなどの固形析出物を効果的に除去しながらフラッシング工程の実行後に直ちに処理液の供給が行われることができるので、工程歩留まりを効果的に維持させることができる。
【0272】
特に、処理液供給装置上でシリカが容易に析出する固形析出領域に対して集中的にフラッシングを行うことにより、析出するシリカなどの固形を除去することができる。
【0273】
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したのに過ぎないものであり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱することなく、様々な修正及び変形が可能であろう。したがって、本発明に記載された実施形態は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、これらの実施形態によって本発明の技術思想が限定されるものではない。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【0274】
１００、４００ 処理液供給ユニット
１１０、４１０ 調整供給部
１２０、４２０ シリカ供給手段
１７０、４７０ メイン供給部
２００、５００ 処理液リサイクルユニット
２１０、５１０ 回収部
２５０、５５０ 処理液再生部
３１０、３６０、６１０、６６０ フラッシング供給手段
３５０、３９０、６５０、６９０ フラッシング排出手段
１１０、４１０ 調整供給部
１２０、４２０ シリカ供給手段
１７０、４７０ メイン供給部
２００、５００ 処理液リサイクルユニット
２１０、５１０ 回収部
２５０、５５０ 処理液再生部
３１０、３６０、６１０、６６０ フラッシング供給手段
３５０、３９０、６５０、６９０ フラッシング排出手段
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
