特許 7279190 複数のコンポーネントの製造方法、コンポーネントおよびコンポーネントアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-05-12

(45)【発行日】2023-05-22

(54)【発明の名称】複数のコンポーネントの製造方法、コンポーネントおよびコンポーネントアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/62 20100101AFI20230515BHJP

   H01L 33/18 20100101ALI20230515BHJP

   H01L 33/30 20100101ALI20230515BHJP

【ＦＩ】

H01L33/62

H01L33/18

H01L33/30

【請求項の数】 23

(21)【出願番号】P 2021556857

(86)(22)【出願日】2020-03-06

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-05-25

(86)【国際出願番号】 EP2020056045

(87)【国際公開番号】W WO2020200645

(87)【国際公開日】2020-10-08

【審査請求日】2021-11-18

(31)【優先権主張番号】102019108701.5

(32)【優先日】2019-04-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】599133716

【氏名又は名称】エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー

【氏名又は名称原語表記】ａｍｓ－ＯＳＲＡＭ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＧｍｂＨ

【住所又は居所原語表記】Ｌｅｉｂｎｉｚｓｔｒａｓｓｅ ４， Ｄ－９３０５５ Ｒｅｇｅｎｓｂｕｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ

(74)【代理人】

【識別番号】110002952

【氏名又は名称】弁理士法人鷲田国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】サンドグレン ペトラス

(72)【発明者】

【氏名】ビーバースドルフ アンドレアス

【審査官】高椋 健司

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１８／１４９６６６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２０７３６３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１５１６０９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／００８４２４０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－０６６０５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／１７７８１０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０１８－５０６８５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５２２９９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０２６１３００（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－０１２１７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４

Ｈ０１Ｓ ５／００－ ５／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

光学活性ゾーン（２３）を有する半導体ボディ（２）をそれぞれ含む複数のコンポーネント（１０）を製造する方法であって、
中間キャリア（９０）上に半導体構造（２０）を設けるステップであって、犠牲層（４）が垂直方向において前記半導体構造（２０）と前記中間キャリア（９０）との間に配置されるステップと、
前記半導体構造全体にわたって複数の分離トレンチ（４Ｔ）を形成することで、水平方向に間隔をあけられた複数の半導体ボディ（２）を形成するステップであって、前記分離トレンチ（４Ｔ）の形成後、前記垂直方向において前記中間キャリア（９０）と前記半導体ボディとの間にキャビティ（４Ｈ）が形成されるように、前記犠牲層（４）が除去されて、前記犠牲層の残りの部分領域が保持要素（３）を形成するステップと、
前記半導体ボディ（２）が前記中間キャリア（９０）から取り外し可能に形成されるように、前記犠牲層（４）の残りの部分領域である前記保持要素（３）を変形させて、前記半導体ボディ（２）と前記中間キャリア（９０）との間の機械的密着性を減少させるステップと、
を含み、
前記中間キャリアの上面視において、前記半導体ボディ（２）は、前記キャビティ（４Ｈ）と同様に前記保持要素（３）と重なり合う、
方法。

【請求項2】

前記犠牲層（４）及び前記半導体構造（２０）が、同一の半導体材料系に基づく、
請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記保持要素の変形は、前記保持要素（３）の酸化、化学的変化、機械的変化、または結晶学的変化によって行われる、
請求項１または請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記保持要素（３）の変形後、前記半導体ボディ（２）は、変形した前記保持要素を介して独占的に前記中間キャリア（９０）に機械的に接続され、
前記コンポーネントは、前記中間キャリアから取り外し可能であることにより、移動可能であるように形成され、
前記半導体ボディは、機械的負荷の下で、照射、または前記保持要素をエッチングすることによって、前記中間キャリアから解放される、
請求項１～３の何れか１項に記載の方法。

【請求項5】

前記半導体ボディ（２）は、１つまたは複数のスタンプによって、個別にまたはグループで中間キャリア（９０）から除去され、
前記保持要素（３）は、前記スタンプの機械的負荷の下で、前記中間キャリアから前記半導体ボディを解放し、
前記半導体ボディは、前記スタンプから取り外される前に、１つのキャリア（１）またはいくつかのキャリア（１）上に固定される、
請求項１～４の何れか１項に記載の方法。

【請求項6】

前記半導体ボディ（２）は、前記中間キャリア（９０）から個別に又はグループで除去され、
吸収層が照射されて、前記半導体ボディを前記中間キャリアから解放し、
前記吸収層は、前記保持要素（３）の一部であり、
前記保持要素（３）内に埋め込まれ、または、前記中間キャリア（９０）に対向して、又は前記半導体ボディに対向して配置されている、
請求項１～５の何れか１項に記載の方法。

【請求項7】

前記中間キャリア（９０）は、成長基板であり、
前記半導体構造は、前記成長基板にエピタキシャル堆積されている、
請求項１～６の何れか１項に記載の方法。

【請求項8】

前記半導体構造（２０）は、成長基板（９）上にエピタキシャル堆積された層シーケンスであり、
前記半導体構造及び前記犠牲層（４）は、垂直方向において前記成長基板と前記中間キャリア（９０）との間に配置され、
前記半導体構造が前記中間キャリアに取り付けられた後、前記成長基板が除去される、
請求項１～６の何れか１項に記載の方法。

【請求項9】

前記保持要素の形成後、コンタクト層（６１）が前記半導体ボディ（２）の前面（２Ｖ）および側面（２Ｓ）を完全に覆うように、かつ、前記半導体ボディ（２）の後面（２Ｒ）おおび前記中間キャリア（９０）の露出面を部分的に覆うように堆積され、
前記コンタクト層（６１）は、前記半導体ボディ（２）の前記前面（２Ｖ）および前記側面（２Ｓ）から除去される、
請求項１～８の何れか１項に記載の方法。

【請求項10】

複数のコンポーネント（１０）と、変形された犠牲層（４）と、共通の中間キャリア（９０）とを備え、
前記コンポーネントのそれぞれは、活性ゾーン（２３）を有する半導体ボディ（２）を含み、前記半導体ボディは、前記中間キャリア上に配置され、分離トレンチ（４Ｔ）によって互いに水平方向に間隔をあけられており、
前記犠牲層は、垂直方向において前記中間キャリアと前記半導体ボディとの間に配置され、前記半導体ボディと前記共通の中間キャリアとの間に複数の保持要素（３）を有しており、前記半導体ボディは、前記保持要素を介して前記中間キャリアに独占的に機械的に接続されており、
前記中間キャリアは、半導体構造（２０）がエピタキシャル堆積される成長基板であり、
前記分離トレンチ（４Ｔ）は、互いに水平方向に間隔をあけられる前記半導体ボディを形成するために前記半導体構造（２０）を通して形成され、
前記保持要素は、水平方向でキャビティ（４Ｈ）によって取り囲まれており、
前記半導体ボディは、前記中間キャリアから取り外し可能に形成され、前記保持要素は、機械的負荷の下で、または、照射によって、または、エッチングによって、前記中間キャリアから前記半導体ボディを解放し、
コンタクト層（６１）が、各半導体ボディ（２）に割り当てられ、前記半導体ボディの第１主面（２Ｒ）上の前記保持要素（３）に対して側方に配置されている、
コンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項11】

前記保持要素（３）は、前記半導体ボディ（２）の下に独占的に配置され、
前記中間キャリア（９０）の上面視において、前記半導体ボディは、前記保持要素を完全に覆う、
請求項１０に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項12】

前記保持要素（３）の少なくとも１つは、前記半導体ボディ（２）の下と、前記分離トレンチ（４Ｔ）内の前記半導体ボディの側方と、の両方に配置され、
前記少なくとも１つの保持要素は、同時に複数の半導体ボディに割り当てられることにより、複数の半導体ボディによって同時に覆われる、
請求項１０に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項13】

各半導体ボディ（２）には、１つの保持要素（３）が割り当てられる、
請求項１０～１２の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項14】

前記保持要素（３）は、前記コンポーネント（１０）が機械的負荷の下で除去されたときに破壊可能または取り外し可能であるように形成される、
請求項１０～１３の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項15】

前記半導体ボディ（２）は、ＧａＡｓまたはＧａＰに基づくものであり、
前記犠牲層（４）は、アルミニウム含有ＧａＡｓまたはＧａＰ層である、
請求項１０～１４の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項16】

前記犠牲層（４）は、複数のサブ層（４１、４２）を有し、
前記サブ層は、異なる変形レートを有する、
請求項１０～１５の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項17】

前記サブ層（４１、４２）は、同じ材料系に基づき、
前記サブ層は、異なる濃度のアルミニウムまたは異なるドーパントを有する、
請求項１６に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項18】

前記保持要素は、変形された材料を含む、
請求項１０～１７の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項19】

コンタクト層（６１）およびさらなるコンタクト層（６２）は、各半導体ボディ（２）に割り当てられ、
前記コンタクト層および前記さらなるコンタクト層は、関連する前記半導体ボディと電気的に接触するように構成され、
前記コンタクト層（６１）は、前記半導体ボディの第１主面（２Ｒ）上に前記保持要素（３）の側方に配置され、前記第１主面を部分的に覆っており、
前記さらなるコンタクト層（６２）は、前記第１主面とは反対を向いている前記半導体ボディの第２主面（２Ｖ）上に配置され、前記第２主面を完全に覆っている、
請求項１０～１８の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項20】

前記コンタクト層（６１）および／または前記さらなるコンタクト層（６２）は、透明な導電性酸化物から形成される、
請求項１９に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項21】

コンタクト層（６１）およびさらなるコンタクト層（６２）は、各半導体ボディ（２）に割り当てられ、
前記コンタクト層および前記さらなるコンタクト層は、関連する前記半導体ボディの同じ側に配置され、前記半導体ボディと電気的に接触するように構成され、
前記コンタクト層の１つは、スルービア（６０）に導電的に接続され、
前記スルービアは、前記半導体ボディの半導体層（２１）と電気的に接触するための活性ゾーン（２３）全体にわたって垂直方向に延在する、
請求項１０～１８の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）。

【請求項22】

請求項１０～２１の何れか１項に記載のコンポーネントアセンブリ（１００）から取り外された半導体ボディ（２）を含むコンポーネント（１０）であって、
前記活性ゾーン（２３）は、電磁放射を生成または検出するように構成されており、
前記半導体ボディ（２）は、前記保持要素（３）の残留物によって部分的に覆われた主表面（２Ｒ）を有し、
前記保持要素の残留物は、変形された材料から形成され、前記コンポーネントの動作中に放出または検出される電磁放射に対して反射性または散乱性を有する、
コンポーネント（１０）。

【請求項23】

キャリア（１）とボンディング層（８）と、前記ボンディング層によって前記キャリアに固定される前記半導体ボディ（２）と、ボンディング層に少なくとも部分的に埋め込まれる前記保持要素（３）の残留物とを含む、
請求項２２に記載のコンポーネント（１０）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

複数のコンポーネント、特に移動可能であることにより、印刷可能なコンポーネントを製造するための方法が開示される。さらに、複数のコンポーネントを含むコンポーネントおよびコンポーネントアセンブリが開示される。

【背景技術】

【0002】

コンポーネントを移送する場合、例えば接着スタンプを使用して、目標とされ、かつ、確実な方法で中間キャリアから取り外され、取り付け面に適用される前に、コンポーネントが中間キャリア上に規則正しく安定した方法で保持される構造が必要とされることが好ましい。この目的のために、コンポーネントを中間キャリアに一時的に固定するアンカー構造を形成することができる。このようなアンカー構造の形成および中間キャリアからのコンポーネントの確実な取り外しは、多大な労力および注意を必要とすることが見出された。したがって、多数のコンポーネントのモンタージュは、時間がかかり、コストがかかる。

【0003】

一つの目的は、複数のコンポーネントを製造するため、又は、所定のターゲット表面上に迅速かつ簡易な方法で組み立てることができるコンポーネントアセンブリを製造するための、信頼性が高くコスト効率の良い方法を提供することである。さらなる目的は、そのようなコンポーネントアセンブリまたはコンポーネントアセンブリから取り外されたコンポーネントを提供することである。

【0004】

これらの目的は、独立請求の範囲に係るコンポーネントアセンブリ、コンポーネント及び複数のコンポーネントの製造方法によって解決される。方法またはコンポーネントアセンブリまたはコンポーネントのさらなる設計およびさらなる発展は、さらなる特許請求の範囲の主題である。

【発明の概要】

【0005】

複数のコンポーネント、特にオプトエレクトロニクスデバイスを製造するための方法の少なくとも１つの実施形態によれば、中間キャリア上に半導体構造が提供される。特に、犠牲層は、垂直方向において半導体構造と中間キャリアとの間に配置される。例えば、半導体構造は、ＩＩＩ－Ｖ又はＩＩ－ＶＩ化合物半導体材料に基づく。半導体構造は、第１タイプの電荷キャリアの第１半導体層と、第２タイプの電荷キャリアの第２半導体層とを含んでもよい。特に、半導体構造は、第１半導体層と第２半導体層との間に配置され、例えば、電磁放射を生成または検出するように構成される光学活性ゾーンを有する。半導体構造は、第１半導体層、第２半導体層、および半導体構造の光学活性ゾーンのそれぞれの領域を有する、水平方向に間隔を置いた複数の半導体ボディに分割されてもよい。

【0006】

中間キャリアは、半導体構造がエピタキシャル成長される成長基板とすることができる。半導体構造および犠牲層は、同じ半導体材料系に基づくことができる。例えば、犠牲層は、半導体構造と中間キャリアとの間のバッファ層であり、半導体構造、犠牲層、及び中間キャリアは、同じＩＩＩ－Ｖ又はＩＩ－ＶＩ族化合物半導体材料に基づくことができる。半導体構造、犠牲層、および中間キャリアが、同じＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料に基づく場合、半導体構造、犠牲層、および中間キャリアは、第３主族からの同じ元素、例えば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、またはＩｎ、および第５主族からの同じ元素、例えば、Ｎ、Ｐ、またはＡｓを有する。

【0007】

用語ＩＩＩ－Ｖ化合物半導体材料は、特に、第３主族からの少なくとも１つの元素および第５主族からの少なくとも１つの元素、例えば窒化物またはリン化物化合物半導体を含有する二元、三元または四元化合物の群を含む。このような二元化合物、三元化合物または四元化合物は、ドーパントならびに追加の成分をさらに含むことができる。例えば、中間キャリアはＧａＡｓ成長基板であり、犠牲層はＡｌＧａＡｓ層である。半導体構造は、ＧａＡｓ化合物半導体材料、特に二元、三元または四元ＧａＡｓ化合物の層状シーケンスであってもよい。

【0008】

中間キャリアは、成長基板とは異なることが可能である。例えば、中間キャリアは、化合物半導体材料、シリコン、ゲルマニウム、セラミック、ガラス、またはプラスチック材料から作製される。この場合、犠牲層は、さらに、半導体層であってもよいし、半導体層とは異なるものであってもよい。

【0009】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、複数の分離トレンチが、半導体構造全体に形成されて、複数の水平方向で間隔をあけられた半導体ボディを形成する。ここで、半導体ボディのそれぞれは、半導体構造の活性ゾーンの領域を含む。特に、分離トレンチは、半導体構造全体にわたって垂直方向に沿って延在する。分離トレンチにおいて、犠牲層は、露出されてもよく、部分的に除去されてもよく、または完全に除去されてもよい。分離トレンチを形成することによって、犠牲層は、複数の保持要素を形成することができる。分離トレンチ内の犠牲層が完全に除去されると、中間キャリアの表面が部分的に露出することがある。

【0010】

水平方向は、特に中間キャリアの主延長面及び／又はコンポーネントの主延長面に平行に延びる方向であると理解される。例えば、水平方向は犠牲層に平行である。垂直方向は、特に、中間キャリアの主延長面及び／又はコンポーネントの主延長面に垂直に向けられる方向であると理解される。垂直方向と水平方向は、例えば、互いに直交する。

【0011】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、犠牲層は、垂直方向において中間キャリアと半導体ボディとの間にキャビティが形成されるように部分的に除去される。これらのキャビティは、分離トレンチに直接接続することができる。中間キャリアの上面視において、キャビティは、半導体ボディによって少なくとも部分的にまたは完全に覆われていてもよい。例えば、キャビティは、エッチングプロセスによって形成される。これに必要なエッチング液は、犠牲層の側方の局所エッチングを達成するために、分離トレンチに、またはさらなる入口チャネルに供給することができる。特に、犠牲層の残りの領域は、中間キャリアと半導体ボディとの間に機械的接続を形成し続ける保持要素を形成する。個々の水平方向に間隔をあけられた半導体ボディが、保持要素によってのみ中間キャリアに機械的に接続されることが可能である。中間キャリアの上面視では、半導体ボディは、保持要素及びキャビティと同様に重なっていてもよい。

【0012】

また、キャビティは、分離トレンチによって独占的に形成されることも可能である。この場合、キャビティは、半導体ボディに対して側方に位置し、上面視において半導体ボディと重ならない。

【0013】

上面視では、各個々の半導体ボディは、単一の保持要素又は複数の保持要素を部分的に又は完全に覆うことができる。また、中間キャリアの上面視において、複数の隣接する半導体ボディが共通の保持要素を覆っていることも可能である。この場合、共通保持要素は、少なくとも１つの分離トレンチを部分的に又は完全に覆うことができる。水平方向に間隔をあけられた半導体ボディは、共通の保持要素を介して互いに機械的に接続される。

【0014】

半導体ボディは、それぞれ中間キャリアに対向する主面を有し、この主面は、保持要素によって、または複数の保持要素によって領域で覆われ、領域では保持要素によって、または複数の保持要素によって覆われることがない。例えば、半導体ボディの主表面の多くとも３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、または多くとも８０％が、保持要素または複数の保持要素によって覆われる。一方、半導体ボディの主表面の少なくとも１０％、２０％、３０％、または少なくとも３３％は、保持要素または複数の保持要素によって覆われてもよい。

【0015】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、残りの犠牲層が変形される。例えば、保持要素は酸化される。酸化のために、保持要素の材料の多孔性または構造の結果として生じる変化は、半導体ボディと中間キャリアとの間の機械的接着の減少につながり得る。機械的負荷の下で、保持要素は、半導体ボディから、又は中間キャリアから機械的に破損又は取り外され、それによって半導体ボディを中間キャリアから解放することができる。このようにして、半導体ボディは、中間キャリアから取り外し可能に形成することができ、保持要素は、機械的負荷を受けて半導体ボディを中間キャリアから解放する。したがって、これらの２つの層の間の界面が開くか、または保持構造の材料が破壊される。

【0016】

したがって、保持要素は、多孔質材料で形成することができる。保持要素の材料の多孔度は、１％～５０％、例えば１％～４０％、１％～３０％、１％～２０％、１％～１０％、または１０％～５０％、１５％～５０％、または２０％～５０％であってよい。疑わしい場合には、多孔度は、保持要素または当該犠牲層の総体積に対するキャビティ体積の比である平均多孔度として理解されるべきである。さらに、接着力は、変形、特に酸化が、多孔性を生成せず、半導体材料の格子構造を、例えば、結晶半導体材料から非晶質、多結晶、またはガラス状材料に変化させるという事実によって減少させることができる。

【0017】

また、保持要素または保持要素の材料の化学的変化、機械的変化または結晶学的変化によって変形を行うことも可能である。言い換えれば、保持要素の変形は、例えば、温度変化、圧力変化、溶媒の出願、および／または他の化学的または機械的影響によって生成され得る、結晶学的および／または化学的性質の変形であり得る。

【0018】

各々が活性ゾーンを有する半導体ボディを有する複数のコンポーネントを製造する方法の少なくとも一実施形態では、半導体構造が中間キャリア上に設けられ、犠牲層が半導体構造と中間キャリアとの間の垂直方向に配置される。複数の分離トレンチが、半導体構造全体に形成され、水平方向に間隔をあけられた複数の半導体ボディを形成する。特に、犠牲層は保持要素を形成する。半導体ボディと中間キャリアとの間の機械的接着を低減するために、保持要素は、半導体ボディが中間キャリアから取り外し可能に形成されるように、変形され、特に酸化される。例えば、保持要素は、機械的負荷の下で中間キャリアから半導体ボディを解放することができる。また、半導体ボディが、照射によって、または保持要素をエッチングすることによって、中間キャリアから放出されることも可能である。

【0019】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、分離トレンチの形成後、犠牲層は、垂直方向において中間キャリアと半導体ボディとの間にキャビティが形成されるように部分的に除去され、犠牲層の残りの部分領域が保持要素を形成する。中間キャリアの上面視では、半導体ボディは、キャビティと同様に保持要素と重なり合うことができる。

【0020】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは、変形後、例えば酸化後に、変形された、特に酸化された保持要素だけを介して中間キャリアに機械的に接続され、コンポーネントは、中間キャリアから取り外し可能であり、したがって転写可能であるように形成される。半導体ボディは、機械的負荷の下で、照射によって、又は保持要素をエッチングすることによって、中間キャリアから取り外すことができる。

【0021】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは、個別にまたはグループで、特に１つまたは複数のスタンプによって、中間キャリアから除去される。スタンプまたは複数のスタンプの機械的負荷の下で、保持要素は、中間キャリアから半導体ボディを解放する。したがって、保持要素は、中間キャリアまたは半導体ボディから機械的に破壊または取り外すことができる。保持要素の残留物または残余物は、半導体ボディ上または複数の半導体ボディ上に残る可能性がある。スタンプまたは複数のスタンプから取り外す前に、半導体ボディをキャリアまたはいくつかのキャリアに取り付けることができる。

【0022】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは、個別に又はグループで中間キャリアから除去される。半導体ボディを中間キャリアから解放するために、吸収層を照射することができ、吸収層は、特に保持要素の一部である。例えば、吸収層は、保持要素の中央に埋め込まれる。あるいは、吸収層は、中間キャリアに面してもよいし、半導体ボディに面してもよい。吸収層は、保持要素を垂直方向に制限する保持要素の外層であってもよい。

【0023】

照射は、吸収層を分解することができ、その結果、中間キャリアから半導体ボディを解放する。例えば、レーザ光やＵＶ光を吸収層に照射する。特に、吸収層、特に吸収層の材料は、吸収された光の光子エネルギーよりも小さいバンドギャップを有する。吸収層のバンドギャップは、中間キャリアのバンドギャップよりも小さくてもよい。

【0024】

吸収層は、中間キャリアに面する保持要素の外層とすることができる。吸収層は、半導体ボディに面する保持要素の外層であってもよい。吸収層が保持要素の内層であることも可能である。吸収層は、それぞれの保持要素に完全に埋め込まれていてもよい。

【0025】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、中間キャリアは成長基板であり、犠牲層は中間キャリア上にエピタキシャル堆積された半導体層である。成長基板は、半導体材料から形成されてもよい。半導体構造は、特に、犠牲層上に堆積された半導体層の半導体層シーケンスである。

【0026】

本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、半導体構造は、成長基板上にエピタキシャル堆積された層シーケンスであり、半導体構造および犠牲層は、垂直方向において成長基板と中間キャリアとの間に配置される。犠牲層は、半導体構造上にエピタキシャル堆積された半導体層であってもよい。あるいは、犠牲層は、特に半導体層とは異なる固定層であることが可能である。成長基板は、後続の方法ステップで、特に半導体構造が中間キャリアに取り付けられた後に除去することができる。中間キャリアは、特に成長基板とは異なり、半導体材料とは異なる材料から形成することができる。

【0027】

複数のコンポーネントと共通の中間キャリアとを備えるコンポーネントアセンブリが設けられ、垂直方向において共通の中間キャリアとコンポーネントの半導体ボディとの間に犠牲層が配置される。特に、犠牲層は、中間キャリアと半導体ボディとの間に保持要素を形成する、横方向に間隔をあけられた複数のサブ領域を有する。上述の方法は、本明細書に記載のコンポーネントアセンブリの製造に特に適している。したがって、コンポーネントおよびコンポーネントアセンブリに関連して説明した特徴は、この方法にも使用することができ、その逆も同様である。

【0028】

コンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態では、コンポーネントアセンブリは、複数のコンポーネントと、変形された、特に酸化された犠牲層と、共通の中間キャリアとを備える。各コンポーネントは、活性ゾーンを含む半導体ボディを有し、半導体ボディは、中間キャリア上に配置され、分離トレンチによって互いに水平方向に間隔をあけられる。犠牲層は、垂直方向において中間キャリアと半導体ボディとの間に配置され、犠牲層は、半導体ボディと共通の中間キャリアとの間に、複数の変形された、特に酸化された保持要素を有する。好ましくは、半導体ボディは、保持要素を介して独占的に中間キャリアに機械的に接続される。保持要素は、水平方向にキャビティによって取り囲まれている。例えば、中間キャリアの上面視では、半導体ボディはキャビティと同様に保持要素に重なる。半導体ボディは、中間キャリアから取り外し可能に形成され、保持要素は、特に機械的負荷の下で、または照射によって、またはエッチングによって、半導体ボディを中間キャリアから解放する。

【0029】

保持要素は、個々に又はグループで、さらなる処理ステップのための目標とされ、かつ、確実な方法で、中間キャリアから除去され得る前に、中間キャリア上に規則正しく十分に安定した方法でコンポーネントを保持する。したがって、コンポーネントは、個別に、またはグループで移動することができ、したがって、印刷可能である。したがって、コンポーネントまたはコンポーネントの半導体ボディは、例えば、保持要素を破壊することによって、および／または取り外すことによって、個別に、またはグループで、中間キャリアから取り外すことができる。同じ製造プロセスにおいて、例えば、同じいわゆる「ピックアンドプレース」プロセスにおいて、半導体ボディは、例えば、１つのスタンプまたはいくつかのスタンプを使用することによって、ターゲット実装面に移動し、その上に機械的に固定され、かつ／またはそれと電気的に接触されることができる。

【0030】

ターゲット実装面は、プリント回路基板または電子コンポーネントのキャリアであってもよい。このようなコンポーネントは、一般的な照明における光源として、又は自動車のヘッドライトにおいて使用することができる。また、コンポーネントは、電子コンポーネント、携帯電話、タッチパッド、レーザプリンタ、カメラ、識別カメラ、顔識別カメラ、ディスプレイ、またはＬＥＤ、センサ、レーザダイオード、および／または検出器を備えるシステムにおいて用途を見出し得ることも考えられる。

【0031】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、保持要素は、もっぱら半導体ボディの下に配置される。中間キャリアの上面視において、半導体ボディは保持要素を完全に覆うことができる。各保持要素は、単一の半導体ボディに１対１で割り当てることができ、その逆も同様である。また、複数の保持要素を同じ半導体ボディに割り当て、上面視では、その半導体ボディによって完全に覆うことも可能である。単一の半導体ボディを移動する場合、隣接する半導体ボディは、このプロセスの影響を受けないままとすることができるので、移動プロセスを特に精密に行うことができる。

【0032】

本方法又はコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、保持要素の少なくとも１つは、分離トレンチ内の半導体ボディの側方と同様に、半導体ボディの下方に配置される。保持要素は、複数の半導体ボディに同時に割り当てられてもよく、したがって、複数の半導体ボディによって同時に覆われてもよい。複数の保持要素が同じ半導体ボディに割り当てられることが可能である。この場合、半導体ボディは、上面視においていくつかの保持要素を部分的に覆うことができる。隣接する半導体ボディは、１つの共通保持要素またはいくつかの共通保持要素を共有してもよい。

【0033】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、保持要素は、コンポーネントが機械的荷重下で取り外されるときに、破壊可能または取り外し可能であるように形成される。言い換えれば、保持要素は、関連するコンポーネント又は関連する半導体ボディが取り外されると、それらが破損したり、取り外されたりするように形成される。機械的破壊は、特に同じ材料の層内で起こる。保持要素が取り外し可能に形成される場合、保持要素の取り外しは、特に、異なる材料の２つの層の間の界面、例えば、犠牲層または保持要素の２つの部分層の間の界面、または保持要素とコンポーネントとの間の界面、または保持要素と中間キャリアとの間の界面で行われる。

【0034】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、犠牲層はアルミニウム含有半導体層である。このような半導体層の変形、特に酸化は、特に簡単な方法で行うことができる。

【0035】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは、ＧａＡｓまたはＧａＰに基づき、犠牲層は、アルミニウムを含有した、ＧａＡｓまたはＧａＰ層である。犠牲層は、ＡｌＧａＡｓ層またはＡｌＧａＰ層であってもよい。半導体ボディは、インジウムを含有した半導体層を有してもよい。

【0036】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、犠牲層は、いくつかのサブ層、例えば、少なくとも２つのサブ層を有し、サブ層は、異なる変形レートを有する。サブ層は、同じ材料系に基づいており、サブ層は、異なる濃度のアルミニウムまたは異なるドーパントを有することが可能である。

【0037】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、犠牲層は、第１サブ層と、第１サブ層と半導体ボディとの間に配置された第２サブ層とを有する。したがって、対応する保持要素はまた、第１サブ層および第２サブ層を有してもよい。第１サブ層および第２サブ層は、異なる材料の混合物および／または異なるアルミニウム含有量を有してもよい。

【0038】

好ましくは、第１サブ層は、第２サブ層よりも低い変形レートまたは酸化速度を有する。変形例では、第２サブ層は、完全に変形されてもよく、第１サブ層は、その外側領域においてのみ変形される。例えば、酸化の場合、第２サブ層は完全に酸化され、第１サブ層はその外側領域においてのみ酸化される。したがって、保持要素は、特に第２部分層の領域において、破壊可能または取り外し可能であるように形成される。コンポーネントまたは半導体ボディが中間キャリアから分離された後、第１部分層は中間キャリア上に残る傾向があり、その結果、分離された半導体ボディは第１部分層を含まず、特に第１部分層の残留物を含まない。異なる変形レート、特に酸化速度を有する少なくとも２つの部分層を使用することによって、保持要素または犠牲層の所定の領域に、特に所定の破壊点を形成することができる。用途に応じて、第２部分層は、第１部分層よりも低い変形レート、例えば低い酸化速度を有することも考えられる。

【0039】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、第１サブ層および第２サブ層は、同じ材料系に基づき、第１サブ層は、第２サブ層よりも低いアルミニウム濃度を有するか、またはその逆である。一方のサブ層がアルミニウムを含有し、他方のサブ層がアルミニウムを含まないことも可能である。さらに、異なる変形レートまたは酸化速度は、異なるドーピングによって、例えば、異なる程度の正または負のドーピングによって、または正および負のドーピングによって形成されることが可能である。

【0040】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、コンタクト層およびさらなるコンタクト層が、各半導体ボディに割り当てられ、コンタクト層およびさらなるコンタクト層は、関連する半導体ボディに電気的に接触するように構成される。

【0041】

コンタクト層は、半導体ボディの第１主面上に保持要素に対して側方に配置されてもよく、第１主面を部分的に覆ってもよい。例えば、コンタクト層は、半導体ボディの第１半導体層と電気的に接触するように構成される。さらに、コンタクト層は、第１主面とは反対を向いている半導体ボディの第２主面上に配置されていてもよく、第２主面を完全に覆っていてもよい。さらなる接触層は、半導体ボディの第２半導体層と電気的に接触するように構成されてもよい。第１半導体層および第２半導体層は、それぞれｎ型およびｐ型であってもよく、またはその逆であってもよい。

【0042】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、コンタクト層および／またはさらなるコンタクト層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から形成される。コンタクト層およびさらなるコンタクト層は、特に、半導体ボディの反対側に配置される。例えば、保持要素とは反対を向いている半導体ボディやコンポーネントの主面が放射線通路面として形成される。主面は、特に、透明な導電性接触層によって完全に覆われることができる。

【0043】

本方法またはコンポーネントアセンブリの少なくとも１つの実施形態によれば、コンタクト層およびさらなるコンタクト層が各半導体ボディに割り当てられ、コンタクト層およびさらなるコンタクト層は、関連する半導体ボディの同じ側に配置され、半導体ボディを電気的に接続するように構成される。特に、コンタクト層の１つは、スルービアに導電的に接続され、ここで、スルービアは、半導体ボディの半導体層と電気的に接触するために、活性ゾーン全体にわたって垂直方向に延在する。

【0044】

コンタクト層及びさらなるコンタクト層は、特に、半導体ボディの後側又はコンポーネントの上に配置される。コンポーネントは、表面実装可能なコンポーネントとして形成されてもよい。半導体ボディの正面側又は背面側とは反対を向いているコンポーネントの正面側を放射線通路面として形成することができる。放射線通過面は、保護層によって覆われる、特に完全に覆われることが可能である。保護層は、電気的絶縁であってもよい。しかしながら、保護層は、透明導電性材料から形成されることが可能であり、この場合には、半導体層のための電流膨張層として付加的に機能する。

【0045】

特に本明細書に記載される方法によって製造されるコンポーネントが特定される。特に、コンポーネントは、コンポーネントアセンブリの中間キャリアから取り外される半導体ボディを有する。コンポーネントは、保持要素または保持要素の残留物または残余物を有してもよい。本方法およびコンポーネントアセンブリに関連して説明した特徴は、コンポーネントに使用することができ、その逆も同様である。

【0046】

コンポーネントの少なくとも１つの実施形態では、コンポーネントは、特に本明細書で説明されるコンポーネントアセンブリから取り外される半導体ボディを有する。活性ゾーンは、電磁放射線を生成または検出するために構成される。半導体ボディは、保持要素の残留物又は残余物によって領域が覆われた主面を有する。保持要素の残留物または残余物は、特に、変形された、特に酸化された材料から形成され、コンポーネントの動作中に放出または検出される電磁放射に対する反射または散乱効果を有する。

【0047】

コンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、コンポーネントは、キャリアとボンディング層とを含み、半導体ボディは、ボンディング層によってキャリアに取り付けられる。特に、保持要素の残留物または残余物は、結合層に少なくとも部分的に埋め込まれる。結合層は、接着促進層、例えば接着層であってもよい。

【図面の簡単な説明】

【0048】

コンポーネント、コンポーネントアセンブリ、および方法のさらなる利点、好ましい実施形態、およびさらなる発展は、図１Ａ～５Ｃに関連して以下に説明される例示的な実施形態から明らかである。

【0049】

【図1A】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1B】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1C】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1D】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1E】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1F】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1G】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図1H】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法ステップの概略図を示す図である。

【図2A】コンポーネントアセンブリの様々な例示的実施形態の概略図を示す図である。

【図2B】コンポーネントアセンブリの様々な例示的実施形態の概略図を示す図である。

【図2C】コンポーネントアセンブリの様々な例示的実施形態の概略図を示す図である。

【図2D】コンポーネントアセンブリの様々な例示的実施形態の概略図を示す図である。

【図3A】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図3B】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図3C】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図4A】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図4B】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図4C】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図5A】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図5B】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【図5C】コンポーネントアセンブリまたはコンポーネントを製造するための方法のさらなる例示的な実施形態の様々な方法ステップの概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0050】

同一の、同等の、または同等に作用する要素は、図面において同じ参照番号で示される。図面は、概略図であり、したがって、必ずしも縮尺通りではない。比較的小さい素子、特に層の厚さは、より明確にするために誇張して大きく図示されている。

【0051】

図１Ａは、コンポーネントアセンブリ１００を製造するための、または複数のコンポーネント１０を製造するための方法ステップを概略的に示す図である。

【0052】

図１Ａによれば、半導体構造２０は、中間キャリア９０上、特に成長基板９上に設けられる。特に、中間キャリア９０は、ＩＩＩ－Ｖ族またはＩＩ－ＶＩ族半導体基板である。例えば、中間キャリアは、ガリウム砒素から作られているか、又はガリウム砒素に基づいている。半導体構造２０は、第１半導体層２１と、第２半導体層２２と、半導体層２１と２２との間に配置された活性ゾーン２３とを有する。活性ゾーン２３は、特に、電磁放射を放出または検出するように構成される。

【0053】

半導体構造２０は、ＩＩＩ－Ｖ族またはＩＩ－ＶＩ族半導体化合物材料に基づくことができる。例えば、半導体構造２０は、窒化ガリウムに基づいている。第１半導体層２１は、特に、ｎ側に配置されている。第１半導体層２１は、例えば、ｎ型またはｎ型にドープされている。第２半導体層２２は、特に、ｐ側に配置されており、ｐ導電又はｐ型にドープすることができる。活性ゾーン２３は、特にｐ－ｎ接合ゾーンである。これから逸脱して、第１半導体層２１がｐ型に導電又はｐ型にドープされ、第２半導体層２２がｎ型に導電又はｎ型にドープされていることが可能である。

【0054】

図１Ａによれば、犠牲層４は、垂直方向において半導体構造２０と中間キャリア９０との間に配置される。特に、犠牲層４は、バッファ層として機能し、成長基板９上にエピタキシャル堆積された半導体層であってもよい。犠牲層４は、例えば、アルミニウムを含むＧａＡｓまたはＧａＰ層である。

【0055】

特に、犠牲層４は、半導体構造２０の主面２Ｒに隣接し、主面２Ｒは、中間キャリア９０に対向する半導体構造２０の背面側であり、第１半導体層２１の表面によって形成されてもよい。半導体構造２０は、中間キャリア９０とは反対を向いている背面側とは反対を向いているさらに主面２Ｖを有し、第２半導体層２２の表面によって形成されてもよい。さらに主面２Ｖは、半導体構造２０の前面を形成している。

【0056】

コンタクト層６２が、半導体構造２０の前面側（２Ｖ側）に配置される。コンタクト層６２は、コンタクト構造６の一部であり、特に、第２半導体層２２と電気的に接触するために設けられる。例えば、コンタクト層６２は、透明導電性材料から形成される。コンポーネントアセンブリ１００は、特にコンタクト層６２の露出面によって形成される前面１０Ｖを有する。コンポーネントアセンブリ１００から出てくるコンポーネント１０は、それぞれ、特に、放射入射面または放射出射面などの放射通過面として形成された前面１０Ｖを有することができる。

【0057】

図１Ｂによれば、半導体構造２０は、複数の半導体ボディ２に個片化される。ここで、複数の分離トレンチ４Ｔは、コンタクト層６２及び半導体構造２０全体にわたって垂直方向に沿って形成することができる。この目的のために、例えば光構造化可能な資料から形成されたマスク７を適用することができる。光構造化可能材料の適切な露光によって、分離トレンチ４Ｔの位置を画定するマスク７の開口部を形成することができる。分離トレンチ４Ｔを形成するために、半導体構造２０及び／又はコンタクト層６２の材料は、例えば、プラズマエッチングプロセスのようなエッチングプロセスによって領域内で除去される。分離トレンチ４Ｔが形成されるとき、犠牲層４は、分離トレンチ４Ｔの領域において露出されるか、または少なくとも部分的にまたは完全に除去されてもよい。

【0058】

図１Ｂに示す分離トレンチ４Ｔは、それぞれ、中間キャリア９０からの距離が減少するにつれて減少する断面を有する。このように個片化された半導体ボディ２は、主面２Ｖ及び２Ｒに対して斜めに形成された側面２Ｓを有する。半導体ボディ２は、発光ダイオード（ＬＥＤ）の本体を形成することができる。例えば、ＬＥＤはμＬＥＤである。コンポーネント１０または半導体ボディは、例えば１μｍ～３０μｍの水平方向の範囲を有する。水平方向の範囲は、１μｍ以上５ｍｍ以下、例えば、１０μｍ以上５ｍｍ以下、３００μｍ以上５ｍｍ以下、３００μｍ以上３ｍｍ以下、または１００μｍ以上１ｍｍ以下であってもよい。

【0059】

個片化された半導体ボディ２は、互いに水平方向に空間的に離間されているが、それでもなお、犠牲層４を介して、特に構造化された犠牲層４を介して中間キャリア９０に機械的に接続されている。個片化後、半導体ボディ２は、特に独占的に犠牲層４を介して、中間キャリア９０に機械的に接続される。

【0060】

個片化後、半導体ボディ２は、背面側主面２Ｒを有し、これはさらに犠牲層４によって完全に覆われることができる。後続の方法ステップでは、半導体ボディ２と中間キャリア９０との間に、例えばエッチングプロセスによって、例えばウェット化学エッチングプロセスによって、キャビティ４Ｈを形成することができる。ここで、犠牲層４は、図１Ｂにおいてコンポーネント１０の背面１０Ｒを形成する背面側主面２Ｒが犠牲層４によって部分的にのみ覆われるように、局所的に除去することができる。その結果、半導体ボディ２は、領域において中間キャリア９０から分離される。犠牲層４の残りの領域は、半導体ボディ２と中間キャリア９０との間に機械的接続を提供し続けるいくつかの保持要素３を形成する。

【0061】

図１Ｂから逸脱すると、キャビティ４Ｈが独占的に分離トレンチ４Ｔによって形成されている可能性がある。この場合、保持要素３のそれぞれは、関連する半導体ボディ２の背面側主面２Ｒを完全に覆う、または、製造公差を除いて、それを完全に覆うことができる。

【0062】

保持要素３は、中間キャリア９０上で上から見て半導体ボディによって完全に覆われた保持ポストの様式であってもよい（図１Ｂ）。各半導体ボディ２が単一の保持要素３又は複数の保持要素３を有することが可能である。分離トレンチ４Ｔは、保持要素３がなくてもよいし、犠牲層４の材料がなくてもよい。あるいは、保持要素３が、半導体ボディ２の下方、及び分離トレンチ（図２Ｂ、図２Ｃ及び図２Ｄ）の領域に位置することも可能である。

【0063】

図１Ｃによれば、保持要素３は変形され、特に酸化される。この変形は、半導体ボディ２と中間キャリア９０との間の接着を減少させる。これは、特に、保持要素３の結晶品質の劣化のような材料品質の劣化に起因する。特に、孔は、変形の結果として保持要素３に形成される。したがって、保持要素３は、より多孔性になり、したがって、機械的に破壊すること、または半導体ボディ２から、または中間キャリア９０から取り外すことがより容易になる。

【0064】

図１Ｄによれば、さらなるコンタクト層６１が形成され、このコンタクト層は、コンタクト構造６の一部であり、特に第１半導体層２１と電気的に接触するように構成される。特に、コンタクト層６２と全く類似して、さらなるコンタクト層６１は、堆積プロセスによって半導体ボディ２に適用することができる。上面視では、さらなるコンタクト層６１は、マスク７、半導体ボディ２、半導体ボディ２の側面２Ｓ、及び中間キャリア９０の露出面を完全に覆うことができる。一時的に、半導体ボディ２を電気的に短絡させてもよい。特に、さらなるコンタクト層６１は、第１半導体層２１に隣接し、第１半導体層２１と電気接点を形成する。各半導体ボディ２の背面側（２Ｒ側）は、更なるコンタクト層６１によって領域内及び保持要素３又は保持要素３によって領域内に覆われている。特に、保持要素３は、水平方向において、さらなるコンタクト層６１によって取り囲まれてもよい。保持要素３は、さらなるコンタクト層６１から水平方向に間隔をあけさせることができる。

【0065】

図１Ｅによれば、マスク７が除去される。さらなるコンタクト層６１は、側面２Ｓから除去される。このように一時的な電気的短絡は克服される。半導体ボディ２は、コンタクト層６２およびさらなるコンタクト層６１を介して外部から電気的に接触させることができる。

【0066】

図１Ｆは、個々のコンポーネント１０または個々の半導体ボディ２が、例えば接着スタンプ７Ｓによって、中間キャリア９０から選択的に分離され得ることを概略的に示す図である。しかしながら、コンポーネント１０または半導体ボディ２は、スタンプ７Ｓまたは複数のスタンプ７Ｓを用いて、個別にまたはグループで中間キャリア９０から分離することができ、同じ方法ステップでターゲット表面に適用することができ、そこでそれらは機械的に固定され、電気的に接触される。ここで、半導体ボディ２は、局所的に機械的に破壊することによって、または保持要素３を取り外すことによって、中間キャリア９０から選択的に取り外される。

【0067】

図１Ｇによれば、分離された半導体ボディ２は、例えばボンディング層８によってキャリア１上に機械的に固定することができる。保持要素３の残留物３Ｒまたは残余物３Ｒは、ボンディング層８に少なくとも部分的に埋め込まれてもよい。キャリア１は、コンタクト層６１に電気的に導電接続された端子層１１を有していてもよい。コンタクト層６１及び端子層１１は、ボンディング層８に囲まれていてもよい。ボンディング層８は、接着層などの接合剤層であってもよい。また、ボンディング層８は、半田層または導電性接着層であってもよい。

【0068】

キャリア１は、さらなる端子層１２を有する。図１Ｈによれば、スタンプ７Ｓが除去された後に、例えば、ボンディングワイヤまたは平面コンタクトの形態の電気接続部１３を端子層１２とコンタクト層６２との間に形成することができる。端子層１１および１２は、接続パッドとして、またはキャリア１上の導体トラックとして形成されてもよい。端子層１１及び１２を含むキャリア１は、プリント回路基板又はＳｉベースの基板であってもよい。

【0069】

図１Ｈによれば、このようにコンポーネント１０は、キャリア１上に半導体ボディ２を有し、ここで、半導体ボディ２は、ボンディング層８によってキャリア１に機械的に固定される。コンポーネント１０の前面１０Ｖは、コンタクト層６２の露出面によって形成される。コンポーネント１０の背面１０Ｒは、キャリア１の露出面によって形成される。コンタクト層６１及び保持部材の残留物３Ｒは、半導体ボディ２の背面側主面２Ｒを部分的にのみ覆っている。図１Ｈから逸脱して、このような半導体ボディ２をキャリア１上に複数個配置することができる。

【0070】

半導体ボディ２は、背面側主面２Ｒと鋭角、例えば２０°～８０°、例えば３０°～７０°、または３０°～６０°をなす側面２Ｓを有する。したがって、側面２Ｓは、前側主面２Ｖに対して、例えば１１０°～１７０°、例えば１２０°～１６０°、または１２０°～１５０°の鈍角を形成する。このことから逸脱して、側面２Ｓは、主面２Ｖおよび２Ｒに対して直角または実質的に直角を形成することが可能である。

【0071】

図２Ａは、図１Ｅに示された例示的な実施形態の断面図および上面図である。図２Ａによれば、保持要素３は、半導体ボディ２の中央下方に配置されている。特に、単一の保持要素が各半導体ボディ２に一意に割り当てられ、その逆も同様である。中間キャリア９０の上面図において、半導体ボディ２は、それに関連する保持要素３を完全に覆う。

【0072】

図２Ｂ、２Ｃ及び２Ｄは、保持要素３のさらなる例示的な配置を図式的に示す。これらの図には、キャビティ４Ｈを形成するためのエッチング液を導入するように特に構成された入口チャネル４Ｋも示されている。

【0073】

図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄによれば、複数の半導体ボディ２または複数のコンポーネント１０は、共通の保持要素３を共有する。共通保持要素３は、部分的に分離トレンチ４Ｔ内に位置し、部分的にコンポーネント１０の半導体ボディ２の下に位置する。この場合、共通の保持要素は、１つの分離トレンチ４Ｔ又は複数の分離トレンチ４Ｔを水平方向で橋渡しすることができる。

【0074】

図２Ｂによれば、４つの隣接する半導体ボディ２またはコンポーネント１０は、半導体ボディ２またはコンポーネント１０のコーナー領域および分離トレンチ４Ｔの交差点に配置された共通の保持要素３を共有する。共通保持要素３は、分離トレンチ４Ｔを部分的にのみ覆う。

【0075】

図２Ｃによれば、半導体ボディ２の２つの隣接する列またはコンポーネント１０は、半導体ボディ２の２つの隣接する列の間の分離トレンチ４Ｔに沿って延在し、上面視では、この分離トレンチ４Ｔを完全に覆うことができる共通の保持要素３を共有する。半導体ボディ２間のさらなる分離トレンチは、共通の保持要素によって部分的に覆われてもよい。図２Ｃでは、入口チャネル４Ｋは、分離トレンチ４Ｔ内に配置され、半導体ボディ２またはコンポーネント１０の行に沿って延在する。

【0076】

図２Ｄに示される例示的な実施形態は、図２Ｂに示される例示的な実施形態と本質的に同じである。図２Ｂの入口チャネルは、コンポーネント１０をフレーム形成するのに対して、図２Ｄの入口チャネルは、分離トレンチ４Ｔの交点に位置する。２つ又は４つの隣接するコンポーネント１０は、共通の保持要素３を共有することができる。特に、共通保持要素３は、分離トレンチ４Ｔの交差点に位置している。

【0077】

図３Ａに示される例示的な実施形態は、基本的に、コンポーネントアセンブリ１００または複数のコンポーネント１０を製造するための方法ステップを説明する図１Ａに示される例示的な実施形態に対応する。対照的に、犠牲層４は、第１サブ層４１および第２サブ層４２を有する。第２サブ層４２は、垂直方向において、第１サブ層４１と半導体構造体２０との間に位置している。特に、サブ層４１および４２は、異なる材料から形成されるか、または異なる材料の混合物を有するので、サブ層４１および４２は、異なる変形レート、特に異なる酸化速度を有する。例えば、サブ層４１及び４２は、異なる濃度のアルミニウムを有する。

【0078】

図３Ｂに示される例示的な実施形態は、保持要素３がそれぞれ第１サブ層４１および第２サブ層４２を有することを除いて、図１Ｂに示される例示的な実施形態と本質的に同じである。

【0079】

図３Ｃに示される例示的な実施形態は、基本的に、コンポーネントアセンブリ１００または複数のコンポーネント１０を製造するための方法ステップを説明する図１Ｅに示される例示的な実施形態に対応する。対照的に、保持要素３は、部分的にのみ変形または酸化された第１サブ層４１を有する。保持要素３は、第２部分層４２を有しており、この第２部分層は、特に完全に変形されているか、または完全に酸化されている。この場合、所定の破断点は、第２部分層４２内、または第２部分層４２と半導体ボディ２との間の界面、または第２部分層４２と第１部分層４１との間の界面に位置する。

【0080】

図４Ａに示される例示的な実施形態は、コンポーネントアセンブリ１００または複数のコンポーネント１０を製造するための方法ステップの、図１Ａに示される例示的な実施形態と実質的に同じである。対照的に、半導体構造２０は、垂直方向において、成長基板９と犠牲層４との間に位置する。犠牲層４は、半導体構造２０上にエピタキシャル堆積された半導体層であってもよい。犠牲層４は、半導体層とは異なるものであってもよい。例えば、犠牲層４は、例えば図４Ｂに示すように、半導体構造２０と中間キャリア９０との間の接着促進層であってもよい。

【0081】

図４Ｃによれば、成長基板９は、半導体構造２０から除去される。コンポーネントアセンブリ１００または複数のコンポーネント１０を製造するためのさらなる後続の方法ステップは、図１Ａ～図１Ｈによる方法ステップによって与えられてもよい。

【0082】

図５Ａ、図５Ｂ、および図５Ｃに示される例示的な実施形態は、それぞれ図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃに示される例示的な実施形態と実質的に同じであり、コンポーネントアセンブリ１００または複数のコンポーネント１０を製造するためのいくつかの方法ステップを説明する。対照的に、犠牲層４の形成に先立って、半導体構造２０上にコンタクト構造６が形成される。

【0083】

特に、コンタクト構造６は、半導体層２２と電気的に接触するためのコンタクト層６２を含む。さらに、コンタクト構造６は、半導体層２２及び活性ゾーン２３の全体にわたって半導体層２１内に延在する複数のスルービア６０を含む。コンタクト構造６は、複数のコンタクト層６１を更に含み、各コンタクト層は、１つのスルービア６０又は複数のスルービア６０に電気的に接続される。コンタクト層６１及びスルービア６０は、半導体層２１と電気的に接触するように構成される。

【0084】

コンタクト層６１及びスルービア６０を活性ゾーン２３及び半導体層２２から、更なるコンタクト層６２から電気的に絶縁することは、半導体構造２０内及び半導体構造２０上の領域に位置する絶縁構造５によって提供される。特に、コンタクト層６１、さらなるコンタクト層６２および絶縁層５は、少なくとも領域において、半導体構造の同じ側に位置する。

【0085】

コンポーネントアセンブリ１００又は複数のコンポーネント１０を製造するための更なる後続の方法ステップは、図１Ｂ、図１Ｃ及び図１Ｇによる方法ステップによって与えられてもよい。図１Ｃ、図１Ｇ及び図１Ｈに示す例示的な実施形態と比較して、図５Ａ乃至図５Ｃに従って製造されたコンポーネント１０又はコンポーネントアセンブリ１００は、特に半導体ボディ２の背面側２Ｒに専らアクセス可能なコンタクト構造６を有する。

【0086】

ここに記載された方法を用いて、例えば半導体ボディの組み立て、電気的接触または中間ストレージに関する多くの中間工程を省略することができる。さらに、半導体ボディは、キャリア、特にプリント回路基板の実装面に直接適用することができるので、キャリアと半導体ボディとの間にさらに中間キャリアを必要としない。したがって、内部の機械的張力を低減することができる。また、半導体ボディは、例えば、マスク及び犠牲層をそれに応じて単純化された方法で適応させることができるので、設計をより小さく且つ薄くすることができる。半導体ボディの側面を介した放射のアウトカップリングも増加させることができる。また、成長基板を再利用できる可能性がある。

【0087】

本特許出願は、ドイツ特許出願ＤＥ １０ ２０１９ １０８ ７０１．５の優先権を主張し、その開示内容は参照により本明細書に含まれる。

【0088】

本発明は、例示的な実施形態を参照してなされる本発明の説明によって、例示的な実施形態に限定されない。むしろ、本発明は、たとえこの特徴またはこの組み合わせ自体が特許請求の範囲または例示的な実施形態において明示的に示されていなくても、特許請求の範囲における特徴の任意の組み合わせを特に含む、任意の新規な特徴および特徴の任意の組み合わせを含む。

【符号の説明】

【0089】

１００ コンポーネントアセンブリ
１０ コンポーネント
１０Ｒ コンポーネントの背面
１０Ｖ 前面
１ キャリア
１１ 端子層
１２ 端子層
１３ 電気的接続部
２ 半導体ボディ
２０ 半導体構造
２１ 第１半導体層
２２ 第２半導体層
２３ 活性ゾーン
２Ｒ 半導体ボディの第１主面
２Ｓ 半導体ボディの側面
２Ｖ 半導体ボディの第２主面
３ 保持要素
３ 保持要素の残りの部分
４ 犠牲層
４１ 犠牲層の第１サブ層
４２ 犠牲層の第２サブ層
４Ｋ 入力チャネル
４Ｔ 分離トレンチ
４Ｈ キャビティ
５ 絶縁構造
６ コンタクト構造
６１ コンタクト層
６０ スルービア
６２ コンタクト層
７ マスク
７Ｓ スタンプ
８ ボンディング層
９ 成長基質
９０ 中間キャリア

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図1E】

【図1F】

【図1G】

【図1H】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5A】

【図5B】

【図5C】