特許 7281811 ＥＬ表示パネルの製造装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-05-18

(45)【発行日】2023-05-26

(54)【発明の名称】ＥＬ表示パネルの製造装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 71/20 20230101AFI20230519BHJP

   H10K 50/11 20230101ALI20230519BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20230519BHJP

   H10K 50/12 20230101ALI20230519BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20230519BHJP

   C23C 14/24 20060101ALI20230519BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20230519BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20230519BHJP

【ＦＩ】

H10K71/20

H10K50/11

H10K59/12

H10K50/12

H10K50/818

C23C14/24 S

G09F9/00 338

G09F9/30 365

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2019166774

(22)【出願日】2019-09-13

(65)【公開番号】P2020077612

(43)【公開日】2020-05-21

【審査請求日】2022-02-01

(31)【優先権主張番号】P 2018202376

(32)【優先日】2018-10-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】598014825

【氏名又は名称】株式会社クオルテック

(72)【発明者】

【氏名】高原 博司

【審査官】中山 佳美

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１８／１８１０４９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００３－６６４００（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

Ｃ２３Ｃ １４／２４

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の色の画素と第２の色の画素とがマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造装置であって、
前記第１の色の画素と前記第２の色の画素に、第１の発光層を共通に形成する発光層形成手段と、
前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の表面から、前記第１の発光層を改質させる第１の光を照射する光発生手段と、
前記第１の発光層に、前記第１の光を照射することにより発生する第２の光を、前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の裏面から検出する光検出手段を具備し、
前記第１の色の画素の反射膜および前記第２の色の画素の反射膜に、開口部を有し、
前記第２の光は、前記開口部から、前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の裏面に出射することを特徴とするＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項2】

第１の色の画素と第２の色の画素とがマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造装置であって、
前記第１の色の画素と前記第２の色の画素に、第１の発光層を共通に形成する発光層形成手段と、
前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の表面から、前記第１の発光層を改質させる第１の光を照射する光発生手段と、
前記第１の発光層に、前記第１の光を照射することにより発生する第２の光を、前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の裏面から検出する光検出手段と、
前記第２の光の波長と前記第２の光の強度のうち少なくとも一方により、前記第１の光を制御する光制御手段を具備し、
前記第１の色の画素の反射膜および前記第２の色の画素の反射膜に、光透過部を有し、
前記第２の光は、前記光透過部から前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の裏面に出射することを特徴とするＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項3】

第１の色の画素と第２の色の画素とがマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造装置であって、
前記第１の色の画素と前記第２の色の画素に、第１の発光層を共通に形成する発光層形成手段と、
前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の表面から、前記第１の発光層を改質させる第１の光を照射する光発生手段と、
前記第１の発光層の改質状態をモニターするモニター手段を具備し、
前記第１の色の画素の反射膜および前記第２の色の画素の反射膜に、光透過部を有し、
前記第１の発光層に、前記第１の光を照射することにより第２の光が発生し、
前記モニター手段は、前記光透過部から前記ＥＬパネルのＴＦＴ基板の裏面に出射する前記第２の光により、前記第１の発光層の改質状態をモニターすることを特徴とするＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項4】

前記第１の光を透過させる光透過部を有する保持容器を更に具備し、
前記ＥＬ表示パネルは、前記保持容器内に配置され、
前記第１の光は、レーザ光であり、
前記第１の光は、前記光透過部を介して、前記保持容器内に導光され、前記第１の発光層に照射されることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項5】

前記第１の色の画素の反射膜の開口部または光透過部の位置と、前記第２の色の画素の反射膜の開口部または光透過部の位置とが異なることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項6】

前記開口部または前記光透過部の面積は、前記反射膜の面積の１／２００～１／２０であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項7】

前記第１の光は、レーザ光であり、
前記第１の光は、ガルバノミラーにより、前記第１の発光層に照射されることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項8】

前記第１の光と前記第２の光を分離する光分離手段を更に具備することを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項9】

前記第１の発光層は、蛍光材料のゲスト材料とＴＡＤＦ材料のゲスト材料を含有することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【請求項10】

改質状態のモニターにより、前記第１の光の強弱と、前記第１の光の移動速度のうち少なくとも一方が制御されることを特徴とする請求項３記載のＥＬ表示パネルの製造装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＥＬ表示パネルに関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro-Luminescence。以下、有機ＥＬと呼ぶことがある。）素子などを有し、カラー画像表示に適するＥＬ表示パネルとＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルの製造方法およびＥＬ表示パネルの製造装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

マトリックス状に有機ＥＬ素子が配置されたＥＬ表示パネルが、スマートフォン、テレビの表示パネルとして商品化されている。

【0003】

図５２は、従来のＥＬ表示パネルの構造図である。画素電極１５の周辺部には土手（バンク）９５が形成されている。土手９５は、ファイン蒸着マスク２５１（ＦＭＭ（Fine Metal Mask）、ＦＨＭ（Fine Hybrid Mask）等）が画素電極１５等に接触することを防止する。

【0004】

ＥＬ表示パネルは、ＥＬ素子２２が表示画面３６にマトリックス状に配置されている。ＥＬ素子２２は、正孔輸送層（ＨＴＬ : hole transport layer）１６、発光層（ＥＭＬ : emitter layer）１７、電子輸送層（ＥＴＬ : electron transport layer）１８などの有機材料の積層構造を有し、この積層構造を挟持する画素電極１５と、光透過性を有するカソード電極１９で構成される。ＥＬ表示パネルにソースドライバ回路３２、ゲートドライバ回路３１を実装してＥＬ表示パネルが構成される。

【0005】

図５３は、従来のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。蒸着の際、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のＥＬ材料を、対応する画素に蒸着させるために、ファイン蒸着マスク２５１が使用される。ファイン蒸着マスク２５１は、対応する画素形状にあわせた穴が開口された金属または樹脂からなるマスクである。

【0006】

図５３（ａ）に図示するように、画素電極１５には、正孔輸送層１６が形成される。次に、図５３（ｂ）に示すように、赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置される。赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤色の画素電極１５Ｒに対応する箇所が、開口されている。赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒは、他の色の画素電極（緑色の画素電極１５Ｇ、青色の画素電極１５Ｂ）に対応する箇所は開口されていない。

【0007】

以上のように、ファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置された状態で、蒸発源から赤色の発光層材料１７２Ｒが蒸発され、マスク２５１Ｒの開口部から、赤色の画素３７Ｒに、赤色の発光層材料１７２Ｒが蒸着される。蒸着された赤色の発光層材料は、赤色の発光層１７Ｒとなる。

【0008】

緑色画素も赤色画素と同様に、図５３（ｃ）に図示するように、緑色のファイン蒸着マスク２５１Ｇが配置され、マスク２５１Ｇの開口部を介して、緑色画素３７Ｇに緑色の発光層１７Ｇが形成される。

【0009】

青色画素も赤色画素と同様に、図５３（ｄ）に図示するように、青色のファイン蒸着マスク２５１Ｂが配置され、マスク２５１Ｂの開口部を介して、青色画素３７Ｂに青色の発光層１７Ｂが形成される。

【0010】

図５３（ｅ）は図５３（ｄ）の次の工程を示す説明図である。赤、緑、青の発光層１７の上方に、電子輸送層１８が蒸着される。また、電子輸送層１８上にマグネシウム・銀（ＭｇＡｇ）などからなるカソード電極（陰極）１９が形成される。図５３（ｆ）に図示するように、カソード電極１９上には、封止層２０が形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0011】

【文献】特開２００４－２３５１３８

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0012】

従来のＥＬ表示パネルでは、赤色、緑色、青色のＥＬ素子の発光層１７の形成時に、赤色、緑色、青色のファイン蒸着マスク２５１を使用する。

【0013】

しかし、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれが発生すると、画素３７に混色が発生する。また、蒸着マスクの位置決め機構および装置の価格が高いという課題があった。また、蒸着マスクの位置決めに長時間を必要とするため製造タクトが長いという課題があった。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明は、ＥＬ表示パネルの製造において、赤色、緑色、青色等の少なくとも１つの色の発光層の形成工程において、複数の色の画素３７と共通に、連続した一色の発光層１７を形成する。発光層は主として、ゲスト（ドーパント）材料とホスト材料の共蒸着により形成される。形成した発光層１７に、発光層１７を「改質」させるレーザ光を照射する。レーザ光の照射により発光する燐光または蛍光を計測し、燐光または蛍光の波長、強度データから発光層の改質状態をモニターする。計測した燐光または蛍光のデータにより発光層に照射するレーザ光のオンオフ、強弱変更、照射位置を制御する。
「改質」とは、発光層１７が消光するか、非発光となるか、もしくは、減光するか、所定の発光波長から変化させることである。

【0015】

また、「改質」とは、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）およびＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係が発生することである。

【0016】

また、「改質」とは、ゲスト材料に紫外線等の光を吸収させ、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくすることである。

【0017】

また、「改質」とは、発光層１７を構成する成分の少なくとも一部、例えばゲスト材料あるいはホスト材料が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質が変化することである。

【0018】

なお、ゲスト材料あるいはホスト材料を蒸発等し、蒸着された箇所から除去してもよい。あるいは、ＥＬ素子を構成する膜層が、変質すること、蒸発することにより除去してもよい。

【0019】

発光層１７が、ゲスト材料あるいはホスト材料の共蒸着で形成されない単一の材料で構成される場合の「改質」とは、発光層１７を構成する成分の少なくとも一部が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質が変化することである。また、ＥＬ素子を構成する膜層が、変質することである。

【発明の効果】

【0020】

本発明は、ファイン蒸着マスク２５１を使用せずに発光層１７を形成する。発光層１７は、複数の色の画素に連続して共通に形成する。発光層１７にレーザ光５９等を照射し、発光層１７を改質する。

【0021】

ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれ課題が発生しない。したがって、蒸着マスク２５１の位置連ずれに伴う画素３７に混色の発生がない。また、ファイン蒸着マスク２５１の位置決め機構および装置が不要であるため、製造装置のコストを削減できる。また、ファイン蒸着マスク２５１の位置決め時間がなく、製造タクトを短くできるという効果がある。

【0022】

レーザ光５９等の照射により蛍光あるいは燐光発光する光を、ホトセンサなどを用いて測定あるいは検出することにより、発光層の改質状態をモニターする。モニターにより発光層が所定の改質状態に到達したかを正確に把握することができる。したがって、製造バラツキのないＥＬ表示パネルを生産でき、また、ＥＬ表示パネルの良好な発光波長、発光効率を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図2】本発明のＥＬ表示パネルのブロック図および画素の等価回路図である。

【図3】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図4】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図5】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図6】本発明のＥＬ表示パネルの製造における蒸着装置とレーザ装置の説明図である。

【図7】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図8】本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。

【図9】本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。

【図10】本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。

【図11】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図12】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図13】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図14】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。

【図15】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図16】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図17】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図18】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図19】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図20】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図21】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図22】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図23】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。

【図24】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の光照射部の説明図である。

【図25】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。

【図26】本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図27】本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図28】本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図29】本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図30】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図31】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図32】本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図33】本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図34】本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図35】本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図36】本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図37】本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図38】本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図39】本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【図40】本発明のＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図41】本発明のＥＬ表示パネルの画素配置の説明図である。

【図42】本発明のＥＬ表示パネルの画素配置の説明図である。

【図43】本発明の第９の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。

【図44】本発明の第１０の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。

【図45】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。

【図46】本発明の第９の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図47】本発明の第９の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。

【図48】本発明の第１１の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。

【図49】本発明の第１１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図50】本発明の第１１の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。

【図51】本発明のＥＬ表示パネルを用いたＥＬ表示装置の説明図である。

【図52】従来のＥＬ表示パネルの断面構造図である。

【図53】従来のＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

本明細書、図面において、同様または類似した機能を発揮する構成要素には、同一あるいは類似の参照符号を付加する。また、各実施例で重複する説明は省略する場合がある。

【0025】

本明細書の実施例の説明では、他の実施例との差異事項あるいは異なる個所を中心として説明をする。本発明の実施例で記載された事項は、本明細書で記載する他の実施例に適用することができる。また、本明細書で記載する他の実施例と組み合わせることができる。

【0026】

本発明のＥＬ表示パネルおよび表示装置は、表示画面３６に、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。しかし、本発明のＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置は、マトリックス状に画素が配置されたものに限定するものではない。表示画面３６に、複数の色の部分を有していれば本発明の技術的範疇である。たとえば、白色画素３７Ｗ、黄色画素３７Ｙ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に形成された表示パネルでもよい。また、画素がマトリックス状に配置された表示パネルに限定されるものではなく、所定の７セグメント文字等を表示するＥＬ表示パネルであっても良い。

【0027】

本発明のＥＬ表示パネルの製造装置または製造方法において、「改質」は、形成した発光層１７の一部に光を照射し、光を照射した箇所を「改質」するものであれば、どんなパネル構造、形態あっても、本発明の技術的思想は適用できる。本発明の技術的思想は、たとえば、単色のキャラクタ表示のＥＬ表示パネルにも適用できることは言うまでもない。

【0028】

本発明は、蒸着等の工程により発光層１７を形成した後に、レーザ光などを発光層１７に照射し、発光層１７を「改質」するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、蒸着等の工程で発光層１７を形成しつつ、レーザ光などを発光層１７に照射して、発光層１７を「改質」してもよい。

【0029】

発光層１７等へのレーザ光５９の照射は、真空中で実施する。なお、２０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下の酸素を含む窒素あるいはアルゴン雰囲気中で実施してもよい。２０以上２００ｐｐｍ以下の酸素中で改質を実施することにより、改質時間が短時間になる。

【0030】

図２は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図、および画素の等価回路図である。表示画面３６には、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。

【0031】

赤色画素３７Ｒには画素電極１５Ｒ、反射膜１２Ｒが形成または配置されている。緑色画素３７Ｇには画素電極１５Ｇ、反射膜１２Ｇが形成または配置されている。青色画素３７Ｂには画素電極１５Ｂ、反射膜１２Ｂが形成または配置されている。
図４１、図４２に図示するようにマトリックス状に画素３７が配置され、表示画面３６を構成する。

【0032】

画素電極１５Ｒは、図１、図２、図４１、図４２等の画素３７Ｒが対応し、図１、図２、図４１、図４２等の画素電極１５Ｇは画素３７Ｇが対応し、図１、図２、図４１、図４２等の画素電極１５Ｂは画素３７Ｂが対応する。赤色（Ｒ）画素３７Ｒ、緑色（Ｇ）画素３７Ｇ、青色（Ｂ）画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。

【0033】

図４２はダイモンド形状に画素が配置されたペンタイル（PenTile）の画素配置である。図４１は、ストライプ状の画素が配置されたスタンダードＲＧＢストライプ配置である。いずれの画素配置もマトリックス状に配置されている。また、発光色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光効率に応じて、画素の面積が設定され形成されている。

【0034】

青（Ｂ）色は、発光効率が悪いため、青（Ｂ）色の画素の面積を大きくしている。ＲＧＢの画素を同一サイズとすると、画素の単位面積当たりの電力が大きくなる。

【0035】

本発明のＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置は、マトリックス状に画素が配置されたものに限定するものではない。表示画面３６に、複数の色の部分を有していれば本発明の技術的範疇である。

【0036】

たとえば、黄色画素３７Ｙ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に形成された表示パネルでもよい。また、画素がマトリックス状に配置された表示パネルに限定されるものではなく、所定の文字表示するＥＬ表示パネルであっても良い。

【0037】

本発明のＥＬ表示パネルの製造装置または製造方法において、「改質」は、形成した発光層１７の一部に光を照射し、光を照射した箇所を「改質」するものであれば、どんなパネル構造、形態あっても、本発明の技術的思想は適用できる。本発明の技術的思想は、たとえば、単色のキャラクタ表示のＥＬ表示パネルにも適用できることは言うまでもない。

【0038】

図２は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図、および画素の等価回路図である。表示画面３６には、赤色（Ｒ）画素３７Ｒ、緑色（Ｇ）画素３７Ｇ、青色（Ｂ）画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。

【0039】

トランジスタ２１は、高温ポリシリコン(ＨＴＰＳ : High-temperature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(ＬＴＰＳ : Low-temrature poly silicon)、連続粒界シリコン(ＣＧＳ : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(ＴＡＯＳ : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（ＡＳ : amorphous silicon）、赤外線RTA（ＲＴＡ : rapid thermal annealing）で形成が例示される。

【0040】

本発明等のＥＬ表示パネルは、図４１、図４２に図示するように同一色の画素３７が縦方向および横方向にマトリックス状に配列されている。隣接した画素電極１５間にも、発光層１７の材料が蒸着されているが、隣接した画素電極１５間には、ソース信号線３５などが形成されている。

【0041】

隣接画素３７間には所定の間隔がある。したがって、レーザ光５９のレーザスポット９１のサイズが大きくとも、横方向に隣接した画素の発光層１７に照射されることはない。

【0042】

トランジスタ２１は、高温ポリシリコン(ＨＴＰＳ : High-temperature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(ＬＴＰＳ : Low-temrature poly silicon)、連続粒界シリコン(ＣＧＳ : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(ＴＡＯＳ : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（ＡＳ : amorphous silicon）、赤外線ＲＴＡ（ＲＴＡ : rapid thermal annealing）で形成が例示される。

【0043】

図２（ａ）は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図であり、図２（ｂ１）（ｂ２）は、画素３７の等価回路図である。図２（ｂ１）は、画素３７を構成するトランジスタ２１をＰチャンネルトランジスタで構成した場合の等価回路図である。図２（ｂ２）は、画素３７を構成するトランジスタ２１をＮチャンネルトランジスタで構成した場合の等価回路図である。画素３７は、ＮチャンネルのトランジスタとＰチャンネルのトランジスタの両方を用いて構成してもよい。

【0044】

画素３７には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２１、コンデンサ２３、ＥＬ素子２２が形成されている。スイッチ用トランジスタ２１ａはソースドライバ回路３２が出力する映像信号を、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子に供給するスイッチ素子として機能する。駆動用トランジスタ２１ｂはＥＬ素子２２に電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。

【0045】

各画素３７のスイッチ用トランジスタ２１ａのゲート端子はゲート信号線３４に接続され、スイッチ用トランジスタ２１ａのソース端子またはドレイン端子は、ソース信号線３５、または駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子と接続されている。

【0046】

駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子またはドレイン端子は、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている電極またはＥＬ素子２２のアノード端子と接続されている。

【0047】

ＥＬ素子２２のアノード端子は、駆動用トランジスタ２１ｂのドレイン端子またはソース端子と接続され、ＥＬ素子２２のカソード端子はカソード電位Ｖｓｓが印加されたカソード電極１９と接続されている。

【0048】

本明細書では、駆動用トランジスタ２１ｂ、スイッチ用トランジスタ２１ａは、薄膜トランジスタとして説明するが、薄膜トランジスタに限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。トランジスタ２１は、ＦＥＴ、ＭＯＳ－ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。

【0049】

ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の表面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去する。具体的には、ＴＦＴ基板５２を所定温度、例えば７０～１８４℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行う。

【0050】

図１で図示するように、ＥＬ素子２２を構成するアノード電極（画素電極）１５は、透明電極であるＩＴＯ、ＩＺＯで形成される。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。反射膜１２と画素電極１５を電極として、コンデンサ２３を形成してもよい。反射膜１２は電極である必要はなく、光を反射する膜であればよい。たとえば、ダイクロイックミラーのように、多層膜からなる反射膜が例示される。

【0051】

赤、緑、青色の画素３７で絶縁膜１４の膜厚を異ならせることにより、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂで保持容量Ｃを異ならせることができる。

【0052】

画素電極１５は、透明電極に限定するものでなく、アルミニウム、銀などの金属材料で形成しても良い。この場合、画素電極１５が反射膜となる。また、反射膜１２と画素電極１５は積層して形成してもよい。

【0053】

反射膜１２は、銀、アルミニウム、銀合金、アルミニウム合金が例示される。反射膜１２と透明電極のＩＴＯ等と積層構造で形成してもよい。たとえば、ＩＴＯ、銀、ＩＴＯの３層構造が例示される。また、銀の層構造が例示されるまた、反射膜１２に電圧を印加できるように構成し画素電極とすることもできる。

【0054】

本明細書では、絶縁膜１４を、画素電極１５と反射膜１２間に形成するとしたがこれに限定するものではない。１４は光透過性を機能として有すれば、いずれの材料であってもよい。たとえば、導電性を有していてもよい。たとえば、導電性高分子材料が例示される。
画素電極１５Ｒは、図２の画素３７Ｒが対応し、画素電極１５Ｇは画素３７Ｇが対応し、画素電極１５Ｂは画素３７Ｂが対応する。

【0055】

ＥＬ素子２２を構成するアノード電極（画素電極）１５は、透明電極であるＩＴＯ、ＩＺＯで形成される。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。反射膜１２は、銀（Ａｇ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）もしくはこれらのいずれかの合金で形成される。

【0056】

反射膜１２の上層にＩＴＯなどの透明電極を形成しているが、これに限定するものではなく、反射膜１２の下層にもＩＴＯなどの透明電極を形成してもよい。つまり、反射膜１２をＩＴＯなどでサンドイッチ構造に形成してもよい。
反射膜１２は電極である必要はなく、光を反射する膜であればよい。たとえば、ダイクロイックミラーのように、多層膜からなる反射膜が例示される。

【0057】

本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等の技術的思想は、反射膜１２がなく、カソード電極１９を反射膜とし、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型のＥＬ素子２２にも適用可能である。

【0058】

ＴＦＴ基板５２は、トランジスタ２１、画素電極１５等が形成されたガラス基板である。なお、ガラス基板の代わりに樹脂からなる基板の場合もある。たとえば、ポリイミド樹脂で形成された基板であってもよい。また、ワニスを平面上に塗布し、硬化させた樹脂フィルムであってもよい。たとえば、ワニスを硬化させ厚みが１０～２５μｍのポリイミドフィルムとし、前記フィルムを０．１～０．７ｍｍのポリエステル支持基板に貼り付けてもよい。また、金属材料、セラミック材料からなる基板であってもよい。

【0059】

なお、本明細書では、ＴＦＴ基板５２に発光層１７などを形成する例を例示して説明するが、本発明は、ＴＦＴ基板５２を用いたＥＬ表示パネルに限定するものではない。たとえば、ＴＦＴが形成されていない単純マトリックス型ＥＬ表示パネルであっても良いし、固定の文字を表示するキャラクタ表示のＥＬ表示パネルであっても良い。

【0060】

図１は、本発明のＥＬ表示パネルの断面構成図である。ＴＦＴ基板５２の上にトランジスタ２１などからなる画素３７を形成し、その上に、一例として感光性樹脂よりなる平坦化膜２８を設ける。反射膜１２は、平坦化膜２８の下層に形成しても良いし、平坦化膜２８の上方に形成してもよい。

【0061】

平坦化膜２８の上に、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることにより、赤色の画素電極１５Ｒ、緑色の画素電極１５Ｇ、青色の画素電極１５Ｂを形成する。画素電極１５は、平坦化膜２８のコンタクトホール（図示せず）を介して駆動用トランジスタ２１ｂの一端子と導通させる。

【0062】

各画素電極１５の下層に形成される絶縁膜１４の膜厚は、ＥＬ素子の光学的距離Ｌを調整するために形成している。本発明は、複数色の画素電極１５の下層の絶縁膜１４において、いずれかの絶縁膜１４の膜厚を異ならせた構成である。

【0063】

光学的距離（Optical Path Length）は光路長とも呼ぶ。実際に光が進む距離（物理的距離）に屈折率をかけたものである。物質中での光の速さは屈折率に反比例するため、光学的距離が等しければ光は進むのに同じ時間がかかる。

【0064】

なお、各色のＥＬ素子を構成する各層の物質の屈折率は大きくは差がないため、各色のＥＬ素子の光学的距離Ｌと物理的距離は相対的に比例する。したがって、光学的距離Ｌを物理的距離に置き換えても良い。

【0065】

本発明は、複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子に、複数の発光層を形成し、他の色のＥＬ素子の発光層１７と異ならせ、光学的距離Ｌを異ならせた構成である。また、複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子の光学的距離Ｌを、他の色のＥＬ素子の光学的距離Ｌと異ならせた構成である。

【0066】

発光層１７Ｒ（第１の発光層）が放出する光の主波長λ１（ｎｍ）は、発光層１７Ｇ（第２の発光層）が放出する光の主波長λ２（ｎｍ）に比較してより長い。この主波長λ２は、発光層１７Ｂ（第３の発光層）が放出する光の主波長λ３（ｎｍ）に比較してより長い。一例として、発光層１７Ｒの発光色は赤色であり、発光層１７Ｇの発光色は緑色であり、発光層１７Ｂの発光色は青色であるとする。
図１に図示する本発明の第１の実施例では、赤の画素電極１５Ｒ上には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。

【0067】

反射膜１２Ｒとカソード電極１９Ｒ間の距離Ｌ１が赤色のＥＬ素子２２の光学的距離である。緑の画素電極１５Ｇ上には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｇとカソード電極１９Ｇ間の距離Ｌ２が緑色のＥＬ素子２２の光学的距離である。青の画素電極１５Ｂ上には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。反射膜１２Ｂとカソード電極１９間の距離Ｌ３が青色のＥＬ素子２２の光学的距離である。

【0068】

赤の画素電極１５Ｒ、緑の画素電極１５Ｇ、青の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが共通に形成されている。発光層１７Ｒは、複数の色の画素（赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂ）に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。

【0069】

同様に、発光層１７Ｇは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成され、発光層１７Ｂは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂは、ラフ蒸着マスクを使用して、表示画面３６の全体に形成されている。
ラフ蒸着マスクは、表示領域に開口部が形成され、表示領域以外に開口部がない蒸着マスクである。

【0070】

ファイン蒸着マスクは、各画素に対応して蒸着材料を蒸着する部分に開口部が形成されている蒸着マスクである。表示領域以外に開口部はない点はラフ蒸着マスクと同様である。

【0071】

赤色は波長が最も長く、青色は波長が最も短く、緑色は、赤色と青色の波長の中間である。したがって、各色で最適な光学的距離Ｌは、赤色の光学的距離Ｌ１ ＞ 緑色の光学的距離Ｌ２ ＞ 青色の光学的距離Ｌ３となる。ただし、干渉次数は、赤色、緑色、青色で同一次数としている。

【0072】

本発明のＥＬ表示パネルは、光取り出し側の電極には、光透過性の金属膜（ＭｇＡｇ１９）を形成し、光取り出し側と逆側には反射膜１２を形成する。反射膜として高反射金属である銀（Ａｇ）を用いる。

【0073】

また、光学的距離Ｌに関して、Ｌ＝（２ｍ－（φ／π））×（λ／４）を満たすことで、取り出したい波長λの光を正面方向に集光させている。φは反射膜における反射時の位相シフト［ｒａｄ］、干渉次数ｍは０又は正の整数であり、ｍ＝０の時に光学的距離Ｌは式を満足する正の最小値をとる。λは発光波長である。

【0074】

干渉次数ｍは、０又は１を選択する。干渉次数０の場合は、ＥＬ素子を構成する膜厚が薄く、使用する有機材料量を削減できるため、低コスト化を実現できる。また、視角方向による色変わりが発生しにくい。

【0075】

画素電極１５上には、正孔輸送層１６が形成されている。画素電極１５と正孔輸送層１６間に正孔注入層（ＨＩＬ：Hole injection layer 図示せず）を形成してもよい。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。

【0076】

このような正孔注入層を構成する材料としては、例えば、ベンジジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。

【0077】

画素電極１５の正孔輸送層１６の膜厚は、赤色、緑色、青色の画素３７で異ならせてもよい。たとえば、画素電極１５Ｒ上に正孔輸送層１６Ｒを形成し、画素電極１５Ｇ上に正孔輸送層１６Ｇを形成し、画素電極１５Ｂ上に正孔輸送層１６Ｂを形成し、それぞれの正孔輸送層１６の膜厚を異ならせる。

【0078】

本発明の第１の実施例のＥＬ表示パネルは、図１に図示するように、画素電極１５の上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。

【0079】

「改質」する発光層１７、たとえば、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、ホスト材料とゲスト材料との混合物を含んでいる。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、少なくとも、ホスト材料またはゲスト材料のいずれかが異なっており、発光色が互いに異なっている。

【0080】

発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
図１において、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されている。また、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇも改質されている。

【0081】

図１の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、赤色で発光する。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは発光しない。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、緑色で発光する。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは発光しない。

【0082】

図１の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光するゲスト材料をより高い濃度で含有している。

【0083】

図１の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料のほとんどは消光するか、または励起されない。

【0084】

画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方が小さい。

【0085】

画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光するゲスト材料を、より高い濃度で含有している。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、励起されない。

【0086】

または、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと電気的特性が異なっている。画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方がより小さい。

【0087】

画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇが含んでいる発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、励起されない。

【0088】

画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光層１７Ｒの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光層１７Ｇの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。

【0089】

本明細書では、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８を形成し、共通電極としてのカソード電極１９形成されたＥＬ素子２２を有するＥＬ表示パネルを例示して説明するが、これに限定するものではない。画素電極１５の上方に電子輸送層１８、発光層１７、正孔輸送層１６を形成し、共通電極としてのカソード電極１９形成された逆構造のＥＬ素子２２を有するＥＬ表示パネルでもよい。
逆構造のＥＬ素子２２の場合は、本発明の図面および本明細書とその説明において、正孔輸送層を電子輸送層と置き換えればよい。

【0090】

また、逆構造のＥＬ素子２２の場合は、図１、図２６、図２８、図３０、図３２、図３４、図３６、図３８、図４０、図４３、図４４、図４６、図４８、図４９などの本発明のＥＬ表示パネルの構造断面図、製造方法の説明図において、正孔輸送層１６は電子輸送層１８に、電子輸送層１８は正孔輸送層１６となるように図を変更すればよい。

【0091】

画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、本発明の製造方法により、紫外線光領域または紫色光領域または青色光領域のレーザ光５９が照射される。レーザ光５９は、主として、発光層１７Ｒのゲスト材料が吸収する。

【0092】

紫外線とは、波長が１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下、すなわち、可視光線より短く軟Ｘ線より長い不可視光線の電磁波である。赤外線は、可視光線の赤色より波長が長く（周波数が低い）、電波より波長の短い電磁波のことである。

【0093】

発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９の吸収によって共有結合鎖が切断される。酸素の無い蒸着室５６で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成する。または、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合する。あるいは、他の共有結合鎖と架橋構造を生成し、構造に変化が生じる。または、共有結合鎖が切断されることで他の物質に変化する。したがって、発光層１７Ｒのゲスト材料のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ電位が変化し、レーザ光５９を照射された発光層１７Ｒのゲスト材料は発光しなくなる。

【0094】

レーザ光５９は、狭指向性であり直進性がよい。そのため、所定の画素３７の発光層１７を選択してレーザ光５９を照射することができる。本発明等のＥＬ表示パネルは、図２等に図示するように同一色の画素３７が縦方向（画面の上から下方向）に配列されている。隣接した画素電極１５間にも、発光層１７の材料が蒸着されているが、隣接した画素電極１５間には、ソース信号線３５などが形成されている。また、隣接画素３７間には所定の間隔がある。したがって、レーザ光５９のレーザスポット９１のサイズが大きくとも、横方向に隣接した画素の発光層１７に照射されることはない。

【0095】

図６等に示すように、レーザ光５９の走査方向は、ガルバノミラー６２を制御することにより、高速かつ精度よく制御できる。また、レーザ装置５８は、蒸着室５６外に配置しているため、メンテナンスが容易である。レーザ光５９は蒸着室５６外で発生させ、発生したレーザ光５９は、レーザ窓６３を介して、蒸着室５６内の真空中に導光させる。したがって、蒸着室５６内の真空状態を良好に維持できる。なお、レーザ装置５８またはレーザヘッド部は、蒸着室５６内に配置してもよい。

【0096】

照射する光の波長が短いと材料への光吸収率が高まる。紫外線領域のレーザ光５９は回折限界近くまでスポット径を絞ることができるので、加工したときに周囲への熱影響を小さくでき、微細加工に適する。
レーザ装置５８は、連続発振モードの装置を使用することが例示される。しかし、パルス発振方式のレーザ装置５８は、レーザ光パルスのエネルギーが強い。

【0097】

マトリックス状に画素が配置されたＥＬ表示パネルのように、レーザ光５９を照射する画素が離散的に配置されている場合は、画素は、赤色の画素、緑色の画素、青色の画素が定間隔で形成されている。

【0098】

レーザ光５９は、たとえば赤色の画素を順次、照射する。したがって、赤色の画素にはパルス状にレーザ光５９を照射することになる。このパネルの画素配置では、パルス発振方式のレーザ装置５８を用いることが好ましい。

【0099】

パルス発振方式のレーザ装置５８が出力するレーザ光５９は、Ｑスイッチでオンオフ制御されるため、パルス強度のバラツキが発生しやすい。そのため、改質させる箇所（画素）に、複数のレーザパルスを照射して発光層１７等を改質させることが望ましい。

【0100】

パルス発振レーザの場合は、同一箇所に複数のパルスを照射する。同一箇所に複数のパルスの照射することにより、同一箇所に照射されるレーザ光５９のエネルギーが平均化され、改質状態が均一になる。なお、レーザパルスの照射間隔は、５０ｎｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下にすることが好ましい。

【0101】

連続発振レーザの場合は、同一箇所に複数回のレーザ光を走査（照射）する。同一箇所に複数回のレーザ光５９を走査することにより、同一箇所に照射されるレーザ光のエネルギーが平均化され、改質状態が均一になる。なお、レーザ光５９の照射間隔は、５０ｎｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下にすることが好ましい。

【0102】

レーザ装置５８としては、一例として、オプトピア株式会社が製品化しているレーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）装置のレーザ装置を使用することができる。レーザ・リフト・オフ装置のレーザ装置のレーザ波長は３４３（ｎｍ）、ラインビーム長は７５０ｍｍである。ライン幅は３０μｍ、エネルギー密度は２５０ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅は１５ｎｓである。

【0103】

したがって、大型のＥＬ表示パネルであっても、１画素列（画面の上端から下端）に、一つのレーザスポット９１で、１画素列にレーザ光５９を照射することができる。レーザ光５９のパルス幅は１０ｎｓｅｃ以上８０ｎｓｅｃ以下が適正である。

【0104】

その他、レーザ装置５８として、波長３５５（ｎｍ）のＵＶ光を発生させるＹＡＧレーザを用いたもの、３０８（ｎｍ）のエキシマレーザを用いたものも例示される。

【0105】

本発明のＥＬ表示装置の製造方法は、レーザ装置５８を用いることにより、レーザ光５９を走査し、精度よく画素３７を選択して、所定の発光層１７を改質することができる。また、レーザ光５９は単位面積あたりの光強度が大きい。したがって、発光層１７を短時間で改質することができる。

【0106】

本発明は、少なくとも、一つの色の発光層１７を形成する工程では、従来の製造方法のように、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。そのため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれによる発光色の混色問題は発生しない。したがって、混色による歩留まり低下を防止できる。ファイン蒸着マスク２５１の位置決め装置が不要であるから蒸着製造装置のコストを低減できる。ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めも不要であるから、製造タクトを短縮することができる。

【0107】

本発明において、紫外線領域の波長の光を使用する。特にレーザ光５９を使用する。レーザ光５９の照射により、発光層１７のゲスト材料とホスト材料の組み合わせ状態に変化を発生させる。主としてレーザ光５９は、ゲスト材料に紫外線領域の光を吸収させる。

【0108】

本発明の製造方法・製造装置では光の照射により、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係を発生させる。

【0109】

したがって、レーザ光５９を照射された発光層１７は消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。あるいは、ゲスト材料に光を吸収させることにより、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくする。そのため、発光層１７が消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。

【0110】

電子と正孔との再結合は、画素３７Ｒでは、主に発光層１７Ｒにおいて生じさせる。画素３７Ｇでは電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｇにおいて生じさせる。画素３７Ｂでは主に発光層１７Ｂにおいて生じさせる。

【0111】

本発明の第一の実施例におけるＥＬ表示パネルでは、画素３７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇおよび１７Ｂにおいても発生する可能性がある。すなわち、画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂの各々が発光する可能性がある。

【0112】

画素３７Ｒでは、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｂが放出する光を吸収して励起するが、発光層１７Ｒが放出する光を吸収して励起することはほとんどない。また、発光層１７Ｂが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｒまたは１７Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光することはほとんどない。

【0113】

画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。

【0114】

画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇおよび１７Ｂにおいても発光する可能性がある。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９の照射により、発光するゲスト材料を含有していない。

【0115】

画素３７Ｇの発光層１７Ｒは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｒにおいて、色変換は生じない。発光層１７Ｂでは、上記の色変換を生じる。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。

【0116】

画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｒおよび１７Ｇにおいても発生する可能性がある。しかし、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒおよび１７Ｇは、レーザ光５９の照射により、励起あるいは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｂのみが発光する。

【0117】

画素３７Ｂの発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇは、励起あるいは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｒおよび１７Ｇにおいて色変換は生じない。したがって、画素３７Ｂの発光色は、発光層１７Ｂの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｂは、青色光を放出する。

【0118】

図３（ａ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光５９を吸収しにくく、ゲスト材料は、レーザ光５９を吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光５９の波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト（ドーパント）材料が吸収しやすい波長を選定する。

【0119】

好ましくは、図３（ａ）に図示するように、ゲスト材料の吸収率が７５％以上の時、ホスト材料の吸収率が２５％以下の関係となるようなホスト材料、ゲスト材料を選定する。
なお、図３において、ゲスト材料およびホスト材料の光吸収率（％）は、光吸収率の最大時を１００％として規格化して図示している。
レーザ光５９の波長は説明を容易にするため、３５０（ｎｍ）としている。紫外線領域の波長のＹＡＧレーザの波長は、３５５（ｎｍ）である。

【0120】

図３（ａ）において、ゲスト材料Ａは、波長４００（ｎｍ）以下で吸収率（％）が増加する特性を有し、レーザ光５９の波長で、７５％以上の吸収率を有する材料の例である。ゲスト材料Ｂは、レーザ光５９の波長近傍で良好な吸収率を有する材料の例である。
レーザ光５９の波長で、ゲスト材料の光吸収率と、ホスト材料の光吸収率は３倍以上となるように、レーザ光波長、ゲスト材料、ホスト材料を選定する。

【0121】

たとえば、レーザ光５９でのゲスト材料の光吸収率７５％、ホスト材料の光吸収率２５％とすれば、７５％／２５％＝３倍である。レーザ光５９でのゲスト材料の光吸収率５０％、ホスト材料の光吸収率１０％とすれば、５０％／１０％＝５倍である。

【0122】

レーザ光５９の波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）も考慮する必要がある。正孔輸送層１６の上方に発光層１７が形成され、発光層１７にレーザ光５９を照射する。その際、発光層１７を透過したレーザ光５９が正孔輸送層１６に照射される場合がある。正孔輸送層１６がレーザ光５９を吸収すると正孔輸送層１６が特性変化する可能性がある。

【0123】

したがって、図３（ｂ）に図示するように、正孔輸送層１６材料は、ホスト材料と同様に、ゲスト材料のレーザ光５９の吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料のレーザ光５９の吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層１６材料を選定することが好ましい。

【0124】

本発明は、発光層１７がゲスト材料とホスト材料から形成される構成に限定するものではない。発光層１７は、単一の材料で形成される場合もある。発光層１７が単一の材料で形成される場合は、前記単一の材料を改質させる。

【0125】

本発明は、レーザ光５９などを、ＥＬ素子２２を形成する有機膜に照射し、発光層１７などを改質させることを技術的思想とするものである。この場合、発光層１７と正孔輸送層材料のレーザ光５９の吸収率の関係が必要になる。つまり、図３（ｂ）に図示するように、レーザ光５９の波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）と発光層１７の光吸収率（％）の関係が必要である。

【0126】

したがって、図３（ｂ）に図示するように、発光層１７材料のレーザ光５９の吸収率が７５％以上の時、正孔輸送層材料のレーザ光５９の吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層材料を選定することが好ましい。

【0127】

図３（ｂ）において、発光層材料Ａは、波長４００（ｎｍ）以下で吸収率（％）が増加する特性を有し、レーザ光５９の波長で、７５％以上の吸収率を有する材料の例である。発光層材料Ｂは、レーザ光５９の波長近傍で良好な吸収率を有する材料の例である。正孔輸送層材料は、レーザ光５９の波長で、光吸収率２５％以下となる。

【0128】

以上のように、発光層１７を構成する材料と、正孔輸送層を構成する材料は、改質させる光（レーザ光５９等）の波長において、７５％／２５％＝３倍以上の光吸収率差とする。好ましくは、４倍以上の光吸収率差とすることが好ましい。
レーザ光５９の波長で、発光層１７の光吸収率と、正孔輸送層の光吸収率は３倍以上となるように、レーザ光波長、発光層材料、正孔輸送層材料を選定する。

【0129】

たとえば、レーザ光５９での発光層１７の光吸収率７５％、正孔輸送層材料の光吸収率２５％とすれば、７５％／２５％＝３倍である。レーザ光５９での発光層１７の光吸収率５０％、正孔輸送層の光吸収率１０％とすれば、５０％／１０％＝５倍である。
図３で説明する事項は、本発明の他の実施例においても適用されることは言うまでもない。

【0130】

図１の実施例において、画素電極１５Ｒの上方の発光層は、赤色の発光層１７Ｒが赤色で発光する。緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“発光”、緑色の発光層１７Ｇは“消光”、青色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。

【0131】

画素電極１５Ｇの上方の発光層は、緑色の発光層１７Ｇが緑色で発光する。赤色の発光層１７Ｒおよび青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“消光”、緑色の発光層１７Ｇは“発光”、青色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。

【0132】

画素電極１５Ｂの上方の発光層は、青色の発光層１７Ｂが青色で発光する。赤色の発光層１７Ｒおよび青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“消光”、緑色の発光層１７Ｇは“消光”、青色の発光層１７Ｂは“発光”となっている。

【0133】

正孔輸送層１６は、発光層１７へ正孔を輸送する働きをし、発光層と接するため発光層１７から励起エネルギーが移動せず、さらには他の層と相互作用してエキサイプレックスを形成しないように、発光層１７よりもエネルギーバンドギャップが大きな材料が用いられる。たとえば、ＴＰＤ、α―ＮＰＤ、ＮＢＰ、ＴＣＴＡが例示される。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への掘る注入障壁を下げる働きをする。

【0134】

発光層１７の上方には、電子輸送層１８を形成されている。電子輸送層１８とカソード電極１９との間に電子注入層（ＥＩＬ：Electron injection layer 図示せず）を形成してもよい。電子輸送層１８の種類は、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂで異ならせてもよい。

【0135】

カソード電極（陰極）１９は、例えば金属材料を用いて構成されたものであり、光透過性を有している。例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この金属陰極層は、さらにアルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。さらに第３の層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。

【0136】

一実施例としてＭｇＡｇを例示してカソード電極（陰極）を形成している。カソード電極（陰極）１９は、蒸着により形成する。カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって１μｍ以上５μｍ以下の膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、封止層の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。

【0137】

封止層２０は、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚でＳｉＯＮ膜などをＣＶＤで形成した後、アクリルあるいはエポキシ樹脂からなる有機材料などを４μｍ以上３０μｍの膜厚で形成し、さらに、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚でＳｉＯＮ膜またはＳｉＮｘ膜を形成してもよい。封止層２０には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。また、光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付けることが望ましい。

【0138】

電子注入層は、電子注入層として用いられるものであり、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ₂ＣＯ₃）、さらにはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。その他、ＬｉＦなども例示される。

【0139】

電子注入層は、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物および複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物および複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。

【0140】

電子輸送層１８は、カソード電極（陰極)１９から電子を注入し輸送する機能を持つ。正孔輸送層１６と同様に、バンドギャップが広い材料が好ましい。また、発光層１７内で生成した励起子の移動を阻止する働きもあるため、励起子阻止層や、ＢＣＰはホールの移動を阻止する作用があるため、ホールブロッキング層として使われることもある。

【0141】

電子輸送層１８の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、スチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。

【0142】

具体的には、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０－フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。このような電子輸送層（ＥＴＬ）１８は積層構造であっても良い。

【0143】

発光層１７は、画素電極（陽極）１５とカソード電極（陰極）１９とに対する電圧印加時に、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが再結合する領域である。

【0144】

このような発光材料としては、例えば、多環縮合芳香族化合物、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物などの薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。

【0145】

多環縮合芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約８個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などを挙げることができる。

【0146】

具体的には、１，１，１９３－テトラフェニル－１，３－ブタジエン、１９３’－（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニルなどを用いることができる。この発光層は、これらの発光材料の１種または２種以上からなる１層で構成されてもよいし、あるいは該発光層とは別種の化合物からなる発光層を積層したものであってもよい。

【0147】

発光層１７は、燐光発光材料とホスト材料とを含有する層とすることが好ましい。燐光発光材料を用いて発光層１７を構成した場合、正孔輸送層１６は、炭素より重い第１４族元素の有機化合物基を有する材料で構成されていることが好ましい。

【0148】

ホスト材料は、発光材料の濃度消光が激しいときや、発光材料のキャリア移動度が遅く単層膜として挿入できない場合など、バイポーラー性のホスト材料中に発光色素（ゲスト材料）をドーピングする。ホスト材料は、ゲスト材料よりも大きなバンドギャップを有している必要がある。

【0149】

また、燐光発光材料をドーピングするときは、ホスト材料の三重項のバンドギャップも燐光発光材料よりも大きい必要がある。小さい場合はエネルギー移動し、エネルギーを閉じ込められなくなったり、ホスト材料の三重項から熱失活してしまったりするので、材料の選択には注意を要する。

【0150】

燐光材料には、禁制である三重項からの発光をえるため、重原子効果を利用する。そのため、中心金属に白金やイリジウムを有する材料が例示される。これらの金属錯体は、配位子のπ電子の広がりを制御することによって、青（Ｂ）色～赤（Ｒ）色の発光色が得られている。

【0151】

ホスト材料としては、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl 、4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl、9,9'-Bianthracene、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (purified by sublimation)、2,6-Bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridine、Bis[2-(2-pyridinyl)phenolato]beryllium(II) 、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)-2,2'-dimethylbiphenyl 、2,8-Bis(9H-carbazol-9-yl)dibenzothiophene 、2,6-Bis(9H-carbazol-9-yl)pyridine 、2,2''-Bi-9,9'-spirobi[9H-fluorene] (This product is only available in Japan.) 、9,9-Bis[4-(1-pyrenyl)phenyl]fluorene 、9,10-Bis(4-methoxyphenyl)anthracene 、4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (purified by sublimation) 、Bis[2-[(oxo)diphenylphosphino]phenyl] Ether 、3,7-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-2,6-diphenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]difuran 、9,10-Diphenylanthracene 、9,10-Di(1-naphthyl)anthracene 、1,3-Di-9-carbazolylbenzene (purified by sublimation) 、9,10-Di(2-naphthyl)anthracene 、9,10-Diphenylanthracene (purified by sublimation) 、3,3'-Di(9H-carbazol-9-yl)-1,1'-biphenyl 、9,9'-Diphenyl-9H,9'H-3,3'-bicarbazole 、3,3''-Di(9H-carbazol-9-yl)-1,1':3',1''-terphenyl 、9-[3-(Dibenzofuran-2-yl)phenyl]-9H-carbazole 、Diphenyl[9,9'-spirobi[9H-fluoren]-2-yl]phosphine Oxide (This product is only available in Japan.) 、1,4-Di(1-pyrenyl)benzene 、2,7-Di(1-pyrenyl)-9,9'-spirobi[9H-fluorene] 、9,10-Di(1-naphthayl)anthracene (purified by sublimation) 、9,10-Di(2-naphthayl)anthracene (purified by sublimation) 、2-Methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene 、Poly(N-vinylcarbazole) 、Tris(8-quinolinolato)aluminum 、1,3,5-Tri(9H-carbazol-9-yl)benzene (purified by sublimation) 、Tris(8-quinolinolato)aluminum (purified by sublimation) 、4,4',4''-Tri-9-carbazolyltriphenylamine (purified by sublimation) 、4,4',4''-Tri-9-carbazolyltriphenylamine 、1,3,5-Tri(1-naphthyl)benzene 、9,9',10,10'-Tetraphenyl-2,2'-bianthracene等が例示される。

【0152】

赤色ドーパント（ゲスト材料）としては、4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran 、4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)vinyl]-4H-pyran 、DCJTB 、(1,10-Phenanthroline)tris[4,4,4-trifluoro-1-(2-thienyl)-1,3-butanedionato]europium(III) 、5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene 、Tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionato)(1,10-phenanthroline)europium(III) 、5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene (purified by sublimation) 、Tris[1-phenylisoquinoline-C2,N]iridium(III) (purified by sublimation) 、Tris(acetylacetonato)(1,10-phenanthroline)europium(III) 、Tris(1,10-phenanthroline)ruthenium(II) Bis(hexafluorophosphate) が例示される。

【0153】

緑色ドーパント（ゲスト材料）としては、Bis(8-quinolinolato)zinc(II) Hydrate 、Bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) 、Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc(II) 、3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin 、3-(2-Benzimidazolyl)-7-(diethylamino)coumarin 、Coumarin 545T 、(2,2'-Bipyridine)bis(2-phenylpyridinato)iridium(III) Hexafluorophosphate 、(2,2'-Bipyridine)bis[2-(2,4-difluorophenyl)pyridine]iridium(III)Hexafluorophosphate、9,10-Bis[N-(m-tolyl)anilino]anthracene 、9,10-Bis[N,N-di(p-tolyl)amino]anthracene 、2,6-Bis(diphenylamino)anthraquinone 、B5149 9,10-Bis[N-(p-tolyl)anilino]anthracene 、7-(Diethylamino)-3-(1-methyl-2-benzimidazolyl)coumarin 、Coumarin 153 、Coumarin 545 、N,N'-Dimethylquinacridone 、N,N'-Dimethylquinacridone (purified by sublimation) 、7-(Dimethylamino)-4-(trifluoromethyl)coumarin 、7-(Diethylamino)-4-(trifluoromethyl)coumarin 、5,12-Dibutyl-1,3,8,10-tetramethylquinacridone 、N,N'-Dibutylquinacridone 、(4,4'-Di-tert-butyl-2,2'-bipyridine)bis[(2-pyridinyl)phenyl]iridium(III) Hexafluorophosphate 、Quinacridone 、Quinacridone (purified by sublimation) 、Tris(2-phenylpyridinato)iridium(III) (purified by sublimation) 、Tris(acetylacetonato)(1,10-phenanthroline)terbium(III) が例示される。

【0154】

青ドーパント（ゲスト材料）としては、1,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]benzene 、4,4'-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl 、1,4-Bis[2-(9-ethylcarbazol-3-yl)vinyl]benzene 、3-(Diphenylamino)dibenzo[g,p]chrysene 、Perylene 、Perylene (purified by sublimation) 、4-Styryltriphenylamine 、1,3,6,8-Tetraphenylpyrene 、2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene が例示される。
本発明のＥＬ表示パネルの発光層１７は、ホスト材料とドーパンド材料を共蒸着して形成することが好ましい。

【0155】

ＥＬ素子２２が、共振器構造となっている場合、半透過、半反射性を有して構成されたカソード電極１９の光反射面と、反射膜１２の光反射面との間で多重干渉させた発光がカソード電極１９側から取り出される。反射膜１２の光反射面とカソード電極１９側の光反射面との間の光学的距離Ｌは、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離Ｌを満たすように各層の膜厚および干渉条件が設定される。

【0156】

このような上面発光型のＥＬ素子２２においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。

【0157】

図１の実施例では、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの絶縁膜１４を調整して、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの光学的距離Ｌをキャビティ効果が最大に発揮されるように形成したものであった。しかし、本発明は、これに限定するものではない。
図４０（ａ）は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素の干渉次数を０次、青（Ｂ）画素の干渉次数を１次に形成した実施例である。

【0158】

絶縁膜１４の膜厚を、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素で異ならせて形成している。また、青（Ｂ）画素の正孔輸送層を厚く形成している。正孔輸送層は、１回の蒸着による形成ではなく、複数回の蒸着により形成している。また、異なる正孔輸送層の材料で形成してもよい。

【0159】

キャビティ効果を発揮する光学的距離Ｌは、発光波長に比例する。したがって、赤の波長は緑の波長より長く、緑の波長は青の波長より長い。したがって、干渉次数が同一の場合、赤の光学的距離Ｌ１は緑の光学的距離Ｌ２より長く、緑の光学的距離Ｌ２は青の光学的距離Ｌ３より長い。

【0160】

ＥＬ素子２２の膜厚は、１００（ｎｍ）程度である。したがって、干渉次数が０次の場合、青の画素３７Ｂの膜厚が最も薄くなる。光学的距離Ｌが薄いと製造時のダストなどによる欠陥が発生しやすい。したがって、赤の画素３７Ｒに比較して、青の画素３７Ｂの欠陥の発生が多く、青の画素３７Ｂの欠陥でＥＬ表示パネルの歩留まりを低下させていた。

【0161】

図４０（ａ）の実施例のように、青の画素３７Ｂの干渉次数を１次とし、他の色の画素よりもＥＬ素子２２の膜厚を厚くすることにより、ＥＬ表示パネルの歩留まりを向上できる。また、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で、発光する波長に対応して最適な光学的距離Ｌを実現できるので、キャビティ効果を発揮し、良好な色再現性を実現できる。

【0162】

なお、図４０（ａ）では、３色のうち、青（Ｂ）の画素の干渉次数を１次としたが、本発明はこれに限定するものではなく、図４０（ｂ）のように、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素のすべての干渉次数を１次してもよい。また、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素の膜厚の設定は、共通の膜層に限定するものではなく、たとえば、赤（Ｒ）画素は、正孔輸送層（ＨＴＬ）とし、緑（Ｇ）画素は発光層（ＥＭＬ）とし、青（Ｂ）画素は絶縁膜１４Ｂとしてもよい。

【0163】

また、図４０（ｃ）に図示するように、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で干渉次数を同一とし、共通の膜層で光学的距離を調整してもよい。図４０（ｃ）は、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素の干渉次数を０次と共通にし、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で絶縁膜を異ならせることにより、最適なキャビティ効果を実現し、良好な色再現性を実現した実施例である。青（Ｂ）画素では絶縁膜が無くとも良い。反射膜１２Ｂと画素電極１５Ｂとを積層させる。

【0164】

また、図４０（ｄ）に図示するように、赤（Ｒ）画素、緑（Ｇ）画素、青（Ｂ）画素で干渉次数を異ならせ、複数の色で、干渉次数を１次としてよいことは言うまでもない。赤（Ｒ）画素は干渉次数を０次とし、緑（Ｇ）画素および青（Ｂ）画素で干渉次数を１次としている。緑（Ｇ）画素では発光層１７Ｇを厚く形成し、青（Ｂ）画素では、絶縁膜１４Ｂを厚く形成している。

【0165】

画素電極１５の周囲には土手（バンク）９５が形成されている。土手９５は、主として、ファイン蒸着マスク２５１を配置する際、ファイン蒸着マスク２５１が画素電極１５などと接触することを防止すること、発光層１７が隣接した画素間に混入することを防止することを目的として形成される。

【0166】

本発明のように、ファイン蒸着マスク２５１を使用しない場合、レーザ光５９などの狭指向性の光を照射して、発光層１７を改質する場合、また、画素間に混色が発生しない場合、また、画素間の混色を防止または抑制できる場合等は、図３８、図３９に図示するように、土手９５は形成しなくともよいことは言うまでもない。

【0167】

なお、本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等は、反射膜１２を形成し、透明なカソード電極１９側から、発光層１７で発生した光を取り出す上面発光型のＥＬパネルを例示して説明する。しかし、本発明はこれに限定するものではなく、カソード電極１９を反射膜として、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型のＥＬ表示パネルにも適用できる。

【0168】

図６は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の蒸着装置の構成図および説明図である。本発明のＥＬ表示パネルの蒸着装置は、金属蒸発源６５、有機蒸発源６６を備えた蒸着室５６を有する。蒸着室５６には、ＴＦＴ基板５２を保持するための移動ステージ５１、真空ポンプ（真空排気装置）５４、真空ポンプ５４と蒸着室５６とを結ぶ排気ダクト５５を備えている。

【0169】

真空ポンプ５４は、オイルミストや熱分解したオイル成分が、きわめてわずかであるが蒸着室内へ混入して不純物として振る舞うために、水分を効果的に除去できるクライオポンプや、メンテナンスがほぼ必要のないターボ分子ポンプと液体窒素トラップを組み合わせたドライな排気系を採用している。

【0170】

チャンバー室１１１の蒸着室５６およびレーザ装置室１１８の真空度は、１×１０^－３Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。さらに好ましくは１×１０^－４Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。

【0171】

有機分子は酸素存在下で加熱すると、酸化反応が進み炭化してしまうことが多い。しかし、高真空下では沸点降下現象により沸点（昇華点）は低下するが、有機分子を構成するＣ－Ｃ結合などの化学結合を解離・分解するエネルギーは影響を受けない。そのため、大気中で分解することなく昇華（蒸発）することができない有機材料も、酸素も取り除かれた高真空状態で加熱することによって、容易に昇華させ基板上へ薄膜を製膜することが可能となる。

【0172】

また、蒸着された有機材料にレーザ光を照射しても、酸素も取り除かれた高真空状態であるため、有機材料は必要な化学的変化が促進される。したがって、酸化反応が進み炭化してしまうことがない。
２種類の有機材料を共蒸着法により製膜できるように、複数の蒸着用電源および膜厚計がホスト材料用とゲスト材料用に設置されている。

【0173】

図６に図示するように、レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は、光量調整フィルタ６０でレーザ光５９の強度が調整される。発光層１７を改質させるレーザ光５９は、主として紫外線波長領域のレーザ光５９を採用する。一例として、波長３５５（ｎｍ）のＹＡＧレーザ光である。

【0174】

レーザ光５９の波長は、ゲスト材料の光吸収率が高くなる波長を選定する。また、ゲスト材料に比較してホスト材料の吸収率が少なくなる波長を選定する。また、下層の正孔輸送層(ＨＴＬ)の吸収率が少なくなる波長を選定する。したがって、レーザ光５９の波長は紫外線の波長に限定されるものではなく、たとえば、青色光の波長、緑色光のレーザ光５９であってもよい。

【0175】

紫外線を発生するレーザ装置は、光子の持つエネルギーが大きいため、結合の弱い部分を持つ材料（主に有機物）に照射すると、分子結合を直接解離する光分解加工が行える。
光分解加工はワークに当たったエネルギーが加熱ではなく、分解に主に使われるので加工面が極めてシャープとなる。
紫外線領域の波長の光を発生するレーザ装置として、紫外線レーザ（ＹＡＧレーザの３倍波、４倍波）、固体紫外線レーザ、エキシマレーザなどが例示される。

【0176】

レーザ光５９を集光させて加工位置に照射することができるため、加工位置の有機材料などを容易に蒸発あるいは改質させることができる。有機材料などを蒸発させる際は、真空中で行うため、有機材料は炭化することがなく、レーザ光を照射した位置の周辺部に影響を与えない。

【0177】

紫外線領域の波長のレーザ光５９は波長が短いため、レーザ光５９のスポット径を小さくできる。また、加工に用いるエネルギー量を、高精細の画素に集光できるため、超高精細のＥＬ表示パネルの画素の上方の有機材料の加工（光分解加工等）を行うことができる。

【0178】

本明細書において、理解を容易にするため、レーザ光５９は主として４１０（ｎｍ）以下の紫外線領域の波長の光を使用するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、４１０（ｎｍ）以上４９０（ｎｍ）以下の青（Ｂ）色領域の波長の光もレーザ光５９として使用できる。

【0179】

レーザ光５９ａは、ＴＦＴ基板５２の上方から照射できるように構成することが好ましい。レーザ光５９ａによりゲスト材料が加熱され、加熱されたゲスト材料が昇華しても、周辺部に付着することを抑制することができる。

【0180】

レーザ装置５８はフェムト秒レーザ装置を用いてもよい。フェムト秒レーザ装置はパルスレーザで、そのパルス幅がフェムト秒レベルのレーザ装置である。
レーザ強度はＩ ＝ E ／ Ｓｔ で表される。Ｅはパルスエネルギー、Ｓはビームスポットの面積、ｔ はレーザパルスの時間幅である。

【0181】

フェムト秒レーザ装置は、通常の加工に用いられるＣＯ_２レーザ装置やＹＡＧレーザ装置などと違い、非熱加工であることに特徴がある。加工対象物にＣＯ_２レーザ光やＹＡＧレーザ光を当てると、分子が光エネルギーを吸収して振動し、熱エネルギーに変換されて溶融・蒸発することで加工される。フェムト秒レーザの場合は光エネルギーで分子結合を切断し、周辺部分に熱拡散せずに分子を除去する「アブレーション」という現象で加工することができる。したがって、レーザ光５９を照射した箇所のみを改質し、周辺部には熱的影響などを与えない。

【0182】

ＴＦＴ基板５２は移動ステージ５１に積載され、移動ステージ５１は、レーザ光５９ｂが所定の位置に照射されるように移動する。あるいは、移動ステージは、レーザ光の位置にあわせて移動し、ＴＦＴ基板５２の位置を移動させる。

【0183】

光量調整フィルタ６０として、偏光ビームスプリッターを用いたバリアブルアッテネータが例示される。偏光ビームスプリッターの手前でλ／２波長板を回転させる事により、透過率(反射率)を変化させる。キューブタイプの偏光ビームスプリッターを使用する為、光軸のシフトも最小限に抑えることができる。

【0184】

レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は必要に応じて、シリンドリカルレンズ６１で矩形あるいは楕円形に整形する。また、スリットマスクで画素形状に略一致させるように略矩形あるいは円形状に整形する。

【0185】

光量調整フィルタ６０で強度が調整されたレーザ光５９は、ガルバノミラー６２に入射する。ガルバノミラー６２は、ＸＹの２次元エリア（ＴＦＴ基板５２等）にレーザ光５９を走査させる。ガルバノミラー６２ではＸおよびＹ軸方向にレーザ光５９を走査させる２つのモーター（ロータリーエンコーダー）を使用している。

【0186】

レーザ光５９は、蒸着室５６に配置されたレーザ窓６３ａを介して、蒸着室５６に入射する。レーザ光５９ｂは、高真空状態でＴＦＴ基板５２を照射される。レーザ窓６３ａは石英ガラスで形成されている。

【0187】

レーザ光５９はレーザ窓６３ａから、蒸着室５６の真空中に入射させる。レーザ装置５８は蒸着室５６外部の大気中に配置されているため、レーザ装置５８の操作、保守が容易である。

【0188】

レーザ光５９をＴＦＴ基板５２に結像するためのレンズとして、ｆθ（エフシータ）レンズ６４を具備している。ｆθレンズ６４は、レンズのレンズ面の曲率をかえることにより、レンズ周辺部と中心部で走査速度が一定になるように設計されている。

【0189】

ｆθレンズ６４は、材質にベリリウムを使用したベリリウムミラーを用いている。ベリリウムはアルミニウムより軽く、鉄より丈夫な金属で研磨すると紫外光から赤外線を非常によく反射するのでレーザの波長にもマッチしている。

【0190】

レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は、ガルバノミラー６２でレーザ光５９ｂの方向を変化させられ、ｆθレンズ６４により、ＴＦＴ基板５２の表面に照射される。

【0191】

図７に図示するように、ｆθレンズ６４位置を変化（ｆθレンズ６４ａ、ｆθレンズ６４ｂ）させることにより、レーザ光５９ｂのスポットサイズを容易に変更できる。レーザ光５９ｂのスポットサイズを変更することにより、単位面積あたりに照射されるレーザ光５９ｂの強度を変化させることができる。レーザ光５９ｂの強度を変化させることにより、発光層１７の改質状態あるいは改質時間を容易に調整することができる。

【0192】

ＴＦＴ基板５２に形成された発光層１７には、レーザ光５９ｂが照射され、レーザ光５９ｂにより励起されて発光層１７を構成する材料が蛍光・燐光７１（発光７１）を放射する。

【0193】

蛍光が発生するか、燐光７１が発生するかは、発光層１７の構成材料により異なる。発光層１７が蛍光材料の場合は蛍光が発生する。発光層１７が燐光材料の場合、燐光または蛍光と燐光が発生する。本発明は説明を容易にするため、発光層１７の材料を問わず、蛍光・燐光７１として説明をする。
蛍光・燐光７１はレーザ窓６３ｂを通過し、波長フィルタ７５を所定の波長の光が通過して、光検出回路７６ｃに入射する。

【0194】

レーザ窓６３ｂを透過する光は、蛍光・燐光７１だけでなく、レーザ光５９ｃも透過する。波長フィルタ７５は、蛍光・燐光７１を透過させ、レーザ光５９ｃを遮光する。波長フィルタ７５を透過した蛍光・燐光７１は、光検出回路７６ｃのホトダイオード（ＰＤ）で、蛍光・燐光７１を光－電気変換する。
なお、レーザ窓６３ｂを波長フィルタ７５としてもよい。レーザ窓６３ｂとなる波長フィルタ７５でレーザ光５９ｃが遮光され、蛍光・燐光７１が透過する。

【0195】

なお、本明細書、図面において、パネルはＴＦＴ基板５２（画素にＴＦＴが形成されているパネル）を例示して説明するが、パネルはＴＦＴ基板に限定されるものではない。表示部に複数の発光層が重ねられて形成されたＥＬパネルであればいずれの形態のパネルでもよい。たとえば、キャラクタ表示のＥＬ表示パネル、画素にＴＦＴが形成されていないグラフィックＥＬ表示パネル、単純なパターンあるいは形状を表示するＥＬ表示パネルであってもよい。

【0196】

光検出回路７６ｃに入射する蛍光・燐光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ｃを照射された発光層１７から発生する蛍光・燐光７１は初期では大きく、レーザ光５９ｃで発光層１７改質されると発生する蛍光・燐光７１の強度が低下していく。蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ｂの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ｂの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ｂのパルスの照射期間あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ｂの照射を停止する。

【0197】

図４はＴＦＴ基板５２の表面から発生する蛍光・燐光７１を検出して発光層１７等の改質方法を説明する説明図である。図４に図示するように、改質を実施する装置は、光検出装置７７と光制御装置７８を有する。

【0198】

なお、図４の構成、説明する内容は図６等の他の本発明の実施例でも適用できることは言うまでもない。また、本明細書の実施例と組み合わせて実施できることも言うまでもない。

【0199】

図４（ａ）において、レーザ装置５８はレーザ光５９を発生する。レーザ光５９は光分離ミラー７２ｂに入射する。光分離ミラー７２ｂは、レーザ装置５８が発生したレーザ光５９の強度をモニターするためのハーフミラー的な機能を有する。光分離ミラー７２ｂは、レーザ光５９の所定割合のレーザ光５９ｂを反射する。
光分離ミラー７２ｂで反射したレーザ光５９ｂは、ミラー７３ｂで反射し、レンズ７４ｃで集光されて光検出回路７６ｂに入射する。

【0200】

図４（ｂ）は、光検出回路７６の回路図である。光検出回路７６は、ホトダイオード（ＰＤ）、オペアンプ８４、抵抗Ｒ、コンデンサＣなどで構成する。光検出回路７６は、ホトダイオード（ＰＤ）で、レーザ光５９ｂを光－電気変換する。光－電気変換されたレーザ光は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖ２となる。アナログ信号電圧Ｖ２はＡ／Ｄ変換回路８０ｂでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。

【0201】

レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８にフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定あるいは調整される。

【0202】

レーザ装置５８からのレーザ光５９ａは光分離ミラー７２ｂ、光分離ミラー７２ａを透過し、蒸着室５６のレーザ窓６３ａから、蒸着室５６に導光され、改質対象の発光層１７に入射する。

【0203】

光分離ミラー７２ａは、波長分離ミラーとして機能する。光分離ミラー７２ａは表面に光学的多層膜が形成され、特定の帯域の波長を透過し、特定の帯域の波長を反射する機能を有する。光分離ミラー７２ａはレーザ光５９ａを透過し、発光層１７で励起された燐光・蛍光波長の光７１を反射する。

【0204】

たとえば、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）とし、燐光・蛍光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）～６００（ｎｍ）の場合、光分離ミラー７２ａは、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）を透過させ、燐光・蛍光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）～６００（ｎｍ）を反射させる。

【0205】

燐光・蛍光波長の光７１はレンズ７４ａで集光され、ミラー７３ａで方向を曲げられ、リレーレンズ７４ｂで集光される。波長フィルタ７５は、集光された光７１のうち、一定の波長範囲内の光を透過させる。波長フィルタ７５は、レーザ光５９ａで励起され、発生した所定帯域範囲内の波長の光強度を検出するために使用される。
波長フィルタ７５で、所定の波長範囲内に制限することにより、発光層１７の改質状態を適切にモニターでき、また、外乱によるノイズの影響も受けなくなる。

【0206】

波長フィルタ７５を透過した燐光・蛍光波長の光７１は、光検出回路７６ａに入射する。光検出回路７６ａは、ホトダイオード（ＰＤ）で、光７１を光－電気変換する。光－電気変換された光７１は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖ１となる。アナログ信号電圧Ｖ１はＡ／Ｄ変換回路８０ａでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。

【0207】

レーザ制御回路７９は、燐光・蛍光（蛍光または燐光）波長の光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９ａの照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９ａの強度を変化させる。また、発光層１７の改質状態をモニター制御する。

【0208】

レーザ光５９ｂが蒸着された発光層１７に照射され、発光層１７は励起されて蛍光・燐光７１を発光する。レーザ光５９ａは照射された発光層１７を改質させる。発光層１７が改質されると、発光層１７が発生する蛍光・燐光７１の強度は低下する。

【0209】

したがって、レーザ光５９ａは、発光層１７を励起される機能と、発光層１７を改質する機能の２つを併せ持つ。特に、レーザ光５９ａは、紫外線領域の光であるため、発光層１７を励起しやすい。

【0210】

レーザ光５９ａは波長が固定波長のため、発生する蛍光・燐光７１の波長と分離しやすい。したがって、蛍光・燐光７１の波長検出が容易である。また、図４で図示するように、光検出装置７７は、蛍光・燐光７１を分離する波長フィルタ７５、光分離ミラー７２ａを具備するため、検出は容易である。

【0211】

波長フィルタ７５の透過波長は、発光層１７が発生する蛍光・燐光７１の波長に対応させて切り替える。あるいは波長フィルタ７５を取り替える。光検出回路７６ａの増幅率は、発光層１７が発光する蛍光・燐光７１の波長・強度で異なるからである。

【0212】

発光層、発光層１７Ｒが発光する蛍光・燐光７１の波長・強度と、発光層１７Ｇが発光する蛍光・燐光７１の波長・強度と、発光層１７Ｂが発光する蛍光・燐光７１の波長・強度とは異なるので、それぞれの発光層１７の蛍光・燐光７１に対応して最適値に制御する。

【0213】

蛍光・燐光７１の強度を測定あるいは検出することにより、発光層１７の改質状態を把握できる。改質状態が所定の設定値を越えた場合、レーザ光５９ａの照射対象の画素３７の改質が完了したと判断し、改質させる次の画素にレーザ光５９ａを位置決め動作させる。あるいは、連続してレーザ光５９ａの照射位置を移動させる。

【0214】

光検出装置７７と光制御装置７８は、同一の部材に取り付けられている。したがって、レーザ光５９の照射位置の移動にともない、光検出装置７７も、同時に移動する。なお、光検出装置７７を蒸着室５６内に設置し、光制御装置７８は蒸着室５６外に設置してもよいことは言うまでもない。また、光検出装置７７と光制御装置７８とは、分離して配置しても良いことはいうまでもない。

【0215】

光検出装置７７は、図４（ｃ）に図示するように、蛍光・燐光７１を検出あるいは集光するレンズ７４の角度θを可変できるように構成する。角度θは、蒸着室５６外に設置した制御装置で行う。角度θは、蛍光・燐光７１が最も強く検出できる角度に自動調整される。
蛍光・燐光７１の強度を最も強く検出できるように、レンズ７４ａ～７４ｂ、光検出装置７７ａ～７７ｂの位置を変更あるいは設定する。

【0216】

光検出装置７７は、蛍光・燐光７１の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。たとえば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化した割合、あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、赤色の発光波長は「消光」状態となり、非発光になったと検出できる。

【0217】

なお、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７を励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７Ｇに照射させてもよい。たとえば、蛍光・燐光発光用のレーザ光５９の発生装置を別途設置し、前記レーザ光５９を改質する発光層１７に照射する構成が例示される。

【0218】

発生する蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態になると、発光層１７Ｇの改質が完了したと判断し、レーザ光５９ａの照射位置を、次の画素に移動させる。また、改質に要する時間を計測あるいはモニターし、レーザ光５９ａの強度を制御する。

【0219】

蛍光・燐光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。

【0220】

光制御装置７８でレーザ装置５８が出力するレーザ光５９の強度をモニターすることにより、発光層１７に照射するレーザ光強度を、安定した一定値にすることができるため、改質対象の画素の発光層１７を精度よく消光状態にすることができる。

【0221】

レーザ装置５８は、Ａ紫外線（ＵＶ－Ａ)近傍の３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の波長の光を発生し、発生した光を所定の画素電極１５上に照射する機能を有する。

【0222】

レーザ光５９ａがＴＦＴ基板５２に順次照射できるように、移動ステージ５１を動作させてＴＦＴ基板５２の位置を変化させる。もしくは、ガルバノミラー６２などを用いて、レーザ光５９aをＴＦＴ基板５２上に走査する。

【0223】

ＴＦＴ基板５２の画素３７にレーザ光５９ａを照射する際は、ＴＦＴ基板５２は移動ステージ５１に配置される。移動ステージ５１は、レーザ光５９ａの照射と同期して滑らかに移動する。移動は一例として、リニアモータにより行われる。

【0224】

レーザ光５９ａは画素３７に結像される。レーザ光５９ａは、ガルバノミラー６２で、画素列方向に走査される。ＥＬ表示パネルは画素列方向の画素は、同一の色に設定されている。つまり、画素列１が赤（Ｒ）色の画素であれば、画素列１に隣接した画素列２は、緑（Ｇ）色の画素であり、画素列２に隣接した画素列３は、青（Ｂ）色の画素である。画素列は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）と繰り返されて形成されている。レーザ光５９の移動と同時にあるいは同期を取って、移動ステージ５１が移動する。

【0225】

レーザ光５９ａの強度分布はガウス分布となる。改質する箇所の全体にレーザ光５９ａを照射する場合、図１９（ｂ）に図示するように、レーザ光５９ａのガウス分布の強度６３％の範囲Ｗ１を改質させる発光層１７の幅にすることが好ましい。さらに好ましくは、レーザ光５９ａのガウス分布の強度８０％の範囲Ｗ２を改質させる発光層１７の幅に設定することが好ましい。

【0226】

発光層１７のゲスト材料を改質させるか、蒸発させるかはレーザ装置５８が発生し、ＴＦＴ基板５２に照射するレーザ光５９ａの強度を制御することにより容易に変更できる。レーザ光５９の強度の可変は光量調整フィルタ６０で行う。

【0227】

図１９（ａ）のレーザスポット９１ａは円状である。各画素電極１５に円状のレーザスポット９１ａの位置を移動させることにより、各画素３７の発光層１７を改質する。

【0228】

図１９（ａ）のレーザスポット９１ｂ、９１ｃのように、画素電極１５の全体を囲うように楕円形あるいは矩形としてもよい。レーザ光５９ａを楕円形あるいは矩形にするは、シリンドルカルレンズ６１を使用することにより容易に実現できる。レーザスポット９１ｂは１つの画素電極１５に全範囲に照射する形状である。レーザスポット９１ｃは複数の画素電極１５を同時に照射する形状である。レーザスポット９１ｂ、９１ｃは、同一色の画素列上を順次移動させて該当画素の発光層１７を改質させる。

【0229】

図１９のレーザスポット９１ｄのように、ストライプ状のレーザスポットとし、ＴＦＴ基板５２に、ライン状のレーザ光５９ａを照射してもよい。レーザスポット９１ｄは、画素列端子で画素の発光層１７を改質させる。

【0230】

レーザ光５９のレーザスポット９１は、改質させる画素３７に照射され、レーザスポット９１位置を移動させて、画素３７の発光層のゲスト材料、あるいはホスト材料を改質（ＨＯＭＯ電位、ＬＵＭＯ電位、イオン化ポテンシャル等を変化）させる。もしくは、発光層１７を形成するホスト材料とゲスト材料を蒸発させる。

【0231】

画素３７の横幅が３０μｍ以下と狭く、レーザ光５９のレーザスポット９１を画素３７に照射すると隣接した画素３７列にレーザ光５９が照射される場合がある。この場合は、図２０に図示するように、スリットマスク９２を使用して、隣接した画素列にレーザ光５９が照射されないようにする。

【0232】

図２０（ａ１）（ａ２）の平面図および断面図に図示するように、レーザスポット９１ａは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。レーザスポット９１ａはＡ方向に走査され、画素列方向の画素が順次、改質される。

【0233】

図２０（ｂ１）（ｂ２）の平面図および断面図に図示するように、レーザスポット９１ｂは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。レーザスポット９１ａはＡ方向に走査され、画素列方向の画素が順次、改質される。

【0234】

図２０（ｃ１）（ｃ２）の平面図および断面図に図示するように、矩形状のレーザスポット９１ｃは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。矩形状のレーザスポット９１ｃは、表示画面３６の１画素列に同時に照明する。レーザ光５９が照射された画素例の発光層１７は、１画素列の発光層１７が同時に改質される。

【0235】

スリットマスク９２は、レーザスポット９１の移動に合わせて、移動し、表示画面３６の所定の色の画素の発光層１７を改質させる。もしくは、レーザスポット９１は、スリットマスクの穴位置に合わせて移動し、表示画面３６の所定の色の画素の発光層１７を改質させる。

【0236】

スリットマスク９２は、薄い金属膜あるいは樹脂膜で形成させる。そのため、画素３７位置に対応させて配置するため、スリットマスク９２は張力をかけて平面状に保持する必要がある。

【0237】

図２１に図示するように、透明基板９４に金属材料などでスリットパターン９３を形成したものを使用してもよい。透明基板９４は、レーザ光５９などの紫外線領域の波長の光を、透過する基板を使用する。透明基板９４として、石英ガラス、ソーダライムガラスなどが例示される。

【0238】

図２１（ａ）（ｂ）の平面図および断面図に図示するように、レーザ光５９は、スリットパターン９３のスリット穴から、発光層１７に照射される。スリット穴を透過したレーザ光５９は、矩形状であり、表示画面３６の１画素列に同時に照明する。レーザ光５９が照射された画素例の発光層１７は、１画素列の発光層１７が同時に改質される。

【0239】

スリットマスク９２をＥＬ表示パネルの全体にわたり、スリットマスク９２のスリット（溝）を画素列位置に位置合わせすることは困難を伴う場合がある。特に、ＥＬ表示パネルが大画面でかつ、高精細画素の場合である。
以上の事項は、図４１、図４２に図示する画素配置においても、適用できることは言うまでもない。

【0240】

図４の本発明の製造装置の構成は、ＴＦＴ基板５２の画素が反射型（反射膜１２を有する）の場合に適する。レーザ光５９ｂの照射により発生する蛍光・燐光７１が反射膜１２で反射され、反射された蛍光・燐光７１を光検出回路７６で容易に検出できるからである。

【0241】

図６、図７に図示するように、光検出回路７６ｃ、波長フィルタ７５などをＴＦＴ基板５２の裏面に配置してもよい。蛍光・燐光７１ａをＴＦＴ基板５２の裏面に配置した光検出回路７６ｃなどで検出する。

【0242】

光検出回路７６ｃ、波長フィルタ７５などをＴＦＴ基板５２の裏面に配置する構成は、ＴＦＴ基板５２の画素３７が透過型の場合に適する。あるいは画素３７に光透過性を有する場合に適する。あるいは画素３７に光透過性を有するように画素を構成した場合に適用する。
レーザ光５９ｂの照射により発生する蛍光・燐光７１が反射膜１２あるいは画素部などを透過し、透過した蛍光・燐光７１を光検出回路７６ｃで検出する。

【0243】

図６の実施例は、ＴＦＴ基板５２の裏面から放射される蛍光・燐光７１を検出し、検出した蛍光・燐光７１強度から、発光層１７等の改質状態をモニターし、あるいは、発光層１７へのレーザ光５９ｂの強度などを変化させる。

【0244】

ＴＦＴ基板５２の画素が反射型（反射膜１２を有する）の場合であっても、図８、図９、図１０などで説明するＴＦＴ基板５２の構成を採用することにより、ＴＦＴ基板５２の裏面から、レーザ光５９ｂの照射により発生する蛍光・燐光７１を検出し、検出した蛍光・燐光７１を光検出回路７６に入射させることができるからである。

【0245】

図８は本発明のＴＦＴ基板の説明図である。赤（Ｒ）色の反射膜１２Ｒ、緑（Ｇ）色の反射膜１２Ｇ、青（Ｂ）色の反射膜１２Ｂには開口部（光透過部）８１が形成されている。開口部８１のサイズは、反射膜１２の面積の１／２００～１／２０に設定される。つまり、反射膜１２の面積に対して開口部８１は０．５％～５％に設定されている。

【0246】

開口部８１は、反射膜１２に形成された光透過部であり、一例として反射膜１２が除去されている。開口部８１を介して、蛍光・燐光７１がＴＦＴ基板５２の裏面に出射される。なお、８３は赤（Ｒ）色の反射膜１２Ｒ、緑（Ｇ）色の反射膜１２Ｇ、青（Ｂ）色の反射膜１２の組からなる１ドットである。

【0247】

なお、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素の開口部８１を異ならせることが好ましい。開口部８１位置で赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素が判断できるからである。以上の事項は、光透過部８２に対しても同様である。
反射膜１２の膜厚は、５０（ｎｍ）から３００（ｎｍ）である。図８において開口部の形状は円形に限定されない。たとえば、矩形、多角形であってもよい。

【0248】

反射膜１２の上層には発光層１７が形成される。発光層１７にレーザ光５９ｂが照射されると、発光層１７のゲスト材料は前記レーザ光５９ｂを吸収し、改質される。改質の状態に応じて蛍光・燐光７１が発生する。

【0249】

蛍光・燐光７１は、開口部８１からＴＦＴ基板５２の裏面から出射される。図４と同様に、図１１に図示するように光検出装置７７、光制御装置７８を配置する。蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ｂの照射を停止する。

【0250】

図１１はＴＦＴ基板５２の表面から発生する蛍光・燐光７１を検出して、発光層１７等の改質方法を説明する説明図である。図１１に図示するように、改質を実施する装置は、光検出装置７７と光制御装置７８を有する。

【0251】

図１１において、レーザ装置５８はレーザ光５９ｂを発生する。レーザ光５９ｂは発光層１７に入射する。レーザ光５９ｂにより発光層１７から蛍光・燐光７１が発生する。
レーザ光５９ｂ、蛍光・燐光７１は反射膜１２（光遮蔽層）の開口部８１を介して、ＴＦＴ基板５２の裏面から出射される。

【0252】

光分離ミラー７２ａは、レーザ光５９ｂと蛍光・燐光７１とを分離する。一例として、レーザ光５９ｂの３５５（ｎｍ）を透過させ、蛍光・燐光７１の青色から緑色の波長の光を反射する。

【0253】

光分離ミラー７２ａを透過してレーザ光５９ｂは、ミラー７３ｂで反射し、レンズ７４ｃで集光されて光検出回路７６ｂに入射する。光検出回路７６は、レーザ光５９ｂを光－電気変換する。光－電気変換されたレーザ光５９ｂは、増幅され、アナログ信号電圧Ｖ２となる。アナログ信号電圧Ｖ２はＡ／Ｄ変換回路８０ｂでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。

【0254】

レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８にフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定あるいは調整される。
光分離ミラー７２ａはレーザ光５９ａを透過し、発光層１７で励起された燐光・蛍光波長の光７１を反射する。

【0255】

たとえば、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）とし、燐光・蛍光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）～６００（ｎｍ）の場合、光分離ミラー７２ａは、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）を透過させ、燐光・蛍光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）～６００（ｎｍ）を反射させる。

【0256】

燐光・蛍光波長の光７１は、レンズ７４ａで集光され、ミラー７３ａで方向を曲げられ、リレーレンズ７４ｂで集光される。波長フィルタ７５は、集光された光７１のうち、一定の波長範囲内の光を透過させる。波長フィルタ７５は、レーザ光５９ａで励起され、発生した所定帯域範囲内の波長の光強度を検出するために使用される。

【0257】

波長フィルタ７５を透過した燐光・蛍光波長の光７１は、光検出回路７６ａに入射する。光検出回路７６ａは、蛍光・燐光７１を光－電気変換する。光－電気変換された光７１は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖ１となる。アナログ信号電圧Ｖ１はＡ／Ｄ変換回路８０ａでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。

【0258】

レーザ制御回路７９は、燐光・蛍光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合に、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９ａの照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９ａの強度を変化させる。また、発光層１７の改質状態をモニター制御する。

【0259】

蛍光・燐光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。

【0260】

図８のパネルの実施例は、開口部８１の反射膜１２が除去された構成であった。本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図９に図示するように、反射膜１２の一部あるいは全部が、光透過性を有するよう構成してもよい。

【0261】

図９において、赤（Ｒ）色の反射膜１２Ｒ、緑（Ｇ）色の反射膜１２Ｇ、青（Ｂ）色の反射膜１２Ｂには反射膜１２が薄い領域である光透過部８２が形成されている。光透過部８２の形成面積は、光透過部８２の光透過率に依存する。

【0262】

反射膜１２が形成されていない場合であって、反射膜１２の形成領域での透過率を１００％としたとき、０．５％～５％の光透過率となるように、光透過部８２が形成されている。光透過部８２の膜厚は１０（ｎｍ）以上５０（ｎｍ）に形成される。

【0263】

以上のように構成することにより、ＴＦＴ基板５２の裏面から、レーザ光５９ｂの照射により発生する蛍光・燐光７１を検出し、検出した蛍光・燐光７１を光検出回路７６に入射させることができる。ＴＦＴ基板５２の裏面に向けて発生した蛍光・燐光７１の反射膜１２の面積に対して開口部８１は０．５％～５％がＴＦＴ基板５２の裏面に出射される。

【0264】

図８、図９は反射膜１２の中央部等の一部に開口部８１、光透過部８２が形成された構成であった。本発明はこれに限定するものではない。また、反射膜１２に開口部８１などを形成する。しかし、本発明の技術的思想は、レーザ光５９などの照射により発光層１７から発生した蛍光・燐光７１を検出あるいは測定子、発光層１７の改質状態を制御するものである。

【0265】

したがって、蛍光・燐光７１の発生方向（ＴＦＴ基板の表面あるいは裏面）に限定されるものでなく、また、蛍光・燐光７１の検出方法、測定方法あるいは制御方法に限定されるものではない。また、反射膜１２など画素構造に限定されるものではなく、たとえば、画素電極に開口部８１などを形成してもよいし、明示的に画素領域に光透過部などを形成せずともよい。
図１０は、画素の周辺部など表示に寄与しない領域などに光透過部８２、開口部８１を形成した構成である。

【0266】

図１０（ａ）は、反射膜１２の４辺または画像表示に寄与しない箇所に開口部８１を形成した構成である。開口部８１を介してＴＦＴ基板５２の裏面に蛍光・燐光７１が放射される。図１０（ｂ）は、反射膜１２の端部の画像表示に寄与しない箇所に光透過部８２を形成した構成である。光透過部８２を介してＴＦＴ基板５２の裏面に蛍光・燐光７１が放射される。

【0267】

図８および図１０（ａ）では開口部８１、図９および図１０（ｂ）では光透過部８２を赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂのそれぞれに形成すると図示したが、これに限定されるものではない。レーザ光５９の照射により発生する蛍光・燐光７１を検出する必要がない画素には形成する必要はない。たとえば、図１のパネル構造では、赤色画素３７Ｒ（発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ）は改質しないため、開口部８１または光透過部８２を形成または配置する必要はない。

【0268】

また、図８および図１０（ａ）では開口部８１、図９および図１０（ｂ）に光透過部８２を形成するとしたが、図８または図９または図１０のそれぞれの構成に、開口部８１と光透過部８２の両方を形成しても良いことは言うまでもない。

【0269】

図７は、ＴＦＴ基板５２の裏面から出射された蛍光・燐光７１を検出する方法の説明図である。図７では、作図を容易にするため、また、理解を容易にするため説明に不要な箇所は省略している。たとえば、図７で図示したガルバノミラー６２、ｆθレンズ６４、移動ステージ５１などを省略している。

【0270】

また、図６などで図示する蒸着室５６などを省略している。また、図４などで説明した機構などを省略している。以上の省略した構成あるいは省略した説明は本明細書のいずれの実施例においても適用すること、付加することができる。また、組み合わせることができることは言うまでもない。以上の事項は、本発明の他の実施例のおいても同様である。
図７において、レーザ装置５８が出射するレーザ光５９ｂは、ＴＦＴ基板５２に蒸着された発光層１７に照射される。

【0271】

図７等に示すように、レーザ光５９の走査方向は、ガルバノミラー６２を制御することにより、高速かつ精度よく制御できる。また、レーザ装置５８は、蒸着室５６外に配置しているため、メンテナンスが容易である。レーザ光５９は蒸着室５６外で発生させ、発生したレーザ光５９は、レーザ窓６３を介して、蒸着室５６内の真空中に導光させる。

【0272】

本発明は、少なくとも、一つの色の発光層１７を形成する工程では、従来の製造方法のように、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。そのため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれによる発光色の混色問題は発生しない。

【0273】

したがって、混色による歩留まり低下を防止できる。ファイン蒸着マスク２５１の位置決め装置が不要であるから蒸着製造装置のコストを低減できる。ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めが不要であるから、製造タクトを短縮することができる。

【0274】

レーザ光５９ｂを発光層１７に照射することにより発生した蛍光・燐光７１は、ＴＦＴ基板５２の裏面から放射され、波長フィルタ７５により所定の波長の光が通過して、光検出回路７６ｃに入射する。

【0275】

ＴＦＴ基板５２を透過する光は、蛍光・燐光７１だけでなく、レーザ光５９ｂも透過する。波長フィルタ７５は、蛍光・燐光７１を透過させ、レーザ光５９ｂを遮光する。波長フィルタ７５を透過した蛍光・燐光７１は、光検出回路７６ｃのホトダイオード（ＰＤ）で、蛍光・燐光７１を光－電気変換する。

【0276】

光検出回路７６ｃに入射する蛍光・燐光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ｃを照射された発光層１７から発生する蛍光・燐光７１は初期では大きく、レーザ光５９ｃで発光層１７改質されると発生する蛍光・燐光７１の強度が低下していく。

【0277】

蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ｂの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ｂの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ｂのパルスの照射期間あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ｂの照射を停止する。

【0278】

レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８にフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定あるいは調整される。

【0279】

レーザ制御回路７９は、燐光・蛍光（蛍光または燐光）波長の光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９ａの照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９ａの強度を変化させる。また、発光層１７の改質状態をモニター制御する。

【0280】

光検出装置７７は、蛍光・燐光７１の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。たとえば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化した割合、あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、赤色の発光波長は所定の「消光」状態となり、非発光状態になったと判断できる。

【0281】

図１２（ａ）に図示するように、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７を励起させるレーザ光５９ｂを別途発生させ、前記レーザ光５９ｂを発光層１７に照射させてもよい。

【0282】

図１２（ａ）のように、蛍光・燐光発光用のレーザ光５９ｂの発生装置を別途設置する構成が例示される。波長フィルタ７５も透過帯域も蛍光・燐光７１の波長にあわせて選択する。

【0283】

発生する蛍光・燐光７１の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態になると、発光層１７の改質が完了したと判断し、レーザ光の照射位置を、次の画素に移動させる。また、改質に要する時間を計測し、レーザ光の強度を制御する。

【0284】

図１２（ａ）において、レーザ装置５８ｂが発生するレーザ光５９ｂの波長を、レーザ装置５８ａが発生するレーザ光５９ａの波長と異ならせても良い。レーザ装置５８ａが発生するレーザ光５９ａは発光層１７を改質するに最適な波長を選択する。レーザ装置５８ｂが発生するレーザ光５９ｂは発光層１７の改質状態を検出するのに最適な波長を選択する。たとえば、レーザ装置５８ａが発生するレーザ光５９ａは、３５５（ｎｍ）のＵＶ光レーザを選択する。レーザ装置５８ｂが発生するレーザ光５９ｂは、４４１．６（ｎｍ）のヘリウムカドミウムガスレーザー、および、４５８、４８８（ｎｍ）のアルゴンイオンレーザー３５５（ｎｍ）を選択する。波長フィルタ７５も透過帯域も蛍光・燐光７１の波長にあわせて選択する。

【0285】

以上のように、発光層１７などを改質させるレーザ光５９ａと、改質状態を検出あるいは測定するレーザ光５９ｂとを異ならせることは、本発明の他の実施例でも適用できることは言うまでもない。異ならせるとは光の波長、強度、パルス周期、パルス幅のいずれか１つ以上を異ならせることを言う。

【0286】

なお、本発明において発光層１７あるいは正孔輸送層１６などのＥＬ素子２２を構成する層に、レーザ光５９を照射して改質させるとして説明するが、改質に作用するレーザ光５９はレーザ光に限定されるものではなく、たとえば、ＬＥＤ素子が発生する光、水銀灯が発生する光などを使用してもよいことは言うまでもない。

【0287】

蛍光・燐光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。

【0288】

また、図１２（ｂ）に図示するように、ガルバノミラー６２の角度θに適応させて、複数の光検出装置７７を配置する構成も例示される。ＴＦＴ基板５２から出射される蛍光・燐光７１ａと蛍光・燐光７１ｂの波長帯域は異なる。蛍光・燐光７１の光学的距離によりＴＦＴ基板５２から出射する波長（帯域）が異なるからである。ＴＦＴ基板５２を垂直に透過する場合と斜めの透過する場合では光学的距離が異なるからである。蛍光・燐光７１ｂよりも蛍光・燐光７１ａの方が波長は長くなる。

【0289】

したがって、波長フィルタ７５ａと波長フィルタ７５ｂの波長帯域を異ならせる。また、蛍光・燐光７１の検出強度あるいは判定強度を異ならせる。検出する波長の感度を異ならせる。波長フィルタ７５も透過帯域も蛍光・燐光７１の波長にあわせて選択する。

【0290】

以上の事項は、図４のように、ＴＦＴ基板５２を反射して出射する蛍光・燐光７１を検出場合でも同様に適用される。たとえば、図４（ｃ）において光検出装置７７ａ位置と光検出装置７７ｂ位置でモニターあるいは検出する蛍光・燐光７１の波長帯域、検出強度、判定強度を異ならせる。

【0291】

また、図６、図７などで、ガルバノミラー６２でレーザ光５９の角度を変化させて発光層１７に照射する場合、発生する蛍光・燐光７１の波長も変化する。したがって、発光層１７に照射するレーザ光５９の角度によって、光検出装置７７が検出する蛍光・燐光７１の波長帯域、検出強度、判定強度を異ならせる。
以上の事項は本発明の他の実施例に適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせできることも言うまでもない。

【0292】

図１２（ｂ）の実施例では、光検出装置７７は２個として図示したが、これに限定するものではない。たとえば、光検出装置７７は２個以上でもよい。また、線状あるいは面状に多数個の光検出素子を配置して光検出装置７７を構成してもよい。

【0293】

多数個の光検出素子のいずれかに蛍光・燐光７１が照射され、照射された光検出素子が電気出力をして発光層１７の改質状態を判断する。光検出装置７７として、光検出素子が線状あるいは面状に配置されているため、光検出装置７７を移動させる必要がない。

【0294】

図６は、ガルバノミラー６２を走査して、レーザ光５９ｂを照射する位置を変化あるいは変更する構成である。本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図５に図示するように、ミラー７３をＡ、Ｂ方向に移動させ、レーザ光５９ｂを照射する位置を変化あるいは変更する構成である。

【0295】

レーザ装置５８はレーザ光５９を発生させ、発生したレーザ光５９は光量調整フィルタ６０で調整され、ミラー７３で反射されてレーザ光５９ｂとなり、画素３７のＥＬ素子２２の構成層に照射される。

【0296】

レーザ光５９ｂの照射位置は、ミラー７３を移動させることにより移動される。ミラー７３に移動はリニアモータにより実施される。また、Ａ、Ｂの方向（紙面の左右方向）以外の方向（紙面の前後方向）はガルバノミラーまたはリニアモータで移動させてもよい。

【0297】

レーザ光５９ｂが照射された発光層１７等は蛍光・燐光７１を発生させ、発生した蛍光・燐光７１はミラー７３で反射して波長フィルタ７５で波長選択されて光検出装置７７に入射する。なお、レーザ光５９などの調整方法などに関しては図４、図１１で説明しているので説明を省略する。

【0298】

なお、図６のミラー７３は、ガルバノミラー６２に置き換えてもよいことは言うまでもない。また、ガルバノミラー６２とミラー７３とを組み合わせて構成しても良いことは言うまでもない。以上の事項は図１３、図１４の実施例においても同様である。

【0299】

図６は、レーザ装置５８がレーザ光５９を発生させ、画素３７のＥＬ素子２２の構成層に照射された発光層１７等からの蛍光・燐光７１を、再びミラー７３で反射させて光検出装置７７に入射させる構成であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、図１３の構成が例示される。

【0300】

図１３、図１４のＴＦＴ基板５２は、図８、図９、図１０の構成が例示される。または、画素が透明電極で形成された下面取り出しのＴＦＴ基板が例示される。なお、画素が下取り出しの透過型であっても良いことは言うまでもない。

【0301】

図１３は、ガルバノミラー６２ａの傾き角度を変化させ、レーザ光５９の照射位置を変化あるいは変更する構成である。また、画素３７で発生した蛍光・燐光７１は画素３７を透過し、透過した蛍光・燐光７１をミラー７３ｂの位置と角度を移動または変化させて、蛍光・燐光７１を光検出装置７７に入射させる構成である。

【0302】

図１３に図示するように、ガルバノミラー６２ａの角度を変化させ、レーザ光５９ｂを照射する位置を変化あるいは変更する構成である。レーザ装置５８はレーザ光５９を発生させ、発生したレーザ光５９は光量調整フィルタ６０で光の強弱が調整され、ガルバノミラー６２ａで反射されてレーザ光５９ｂとなり、画素３７のＥＬ素子２２の構成層に照射される。

【0303】

レーザ光５９ｂが照射された発光層１７等は蛍光・燐光７１を発生させ、発生した蛍光・燐光７１は画素３７を透過し、ミラー７３ｂで反射して波長フィルタ７５で波長選択されて光検出装置７７に入射する。

【0304】

ミラー７３ｂは角度を変化させること、位置を移動させることにより移動される。ミラー７３ｂの移動等はリニアモータにより実施される。また、Ａ、Ｂの方向（紙面の左右方向）以外の方向（紙面の前後方向）はガルバノミラーまたはリニアモータで移動させてもよい。

【0305】

図１４は、ミラー７３ａの位置を変化させ、レーザ光５９の照射位置を変化あるいは変更する構成である。画素３７で発生した蛍光・燐光７１はミラー７３ｂの位置を移動させて、蛍光・燐光７１を光検出装置７７に入射させる構成である。

【0306】

図１４に図示するように、ミラー７３ａの位置を変化させ、レーザ光５９ｂを照射する位置を変化あるいは変更する構成である。レーザ装置５８はレーザ光５９を発生させ、発生したレーザ光５９は光量調整フィルタ６０で光の強弱が調整され、ミラー７３ａで反射されてレーザ光５９ｂとなり、画素３７のＥＬ素子２２の構成層に照射される。

【0307】

レーザ光５９ｂが照射された発光層１７等は蛍光・燐光７１を発生させ、発生した蛍光・燐光７１は画素３７を透過し、ミラー７３ｂで反射し、波長フィルタ７５で波長選択されて光検出装置７７に入射する。

【0308】

ミラー７３は角度を変化させること、位置を移動することができる。ミラー７３の移動等はリニアモータにより実施される。また、Ａ、Ｂの方向（紙面の左右方向）以外の方向（紙面の前後方向）はガルバノミラーまたはリニアモータで移動させてもよい。

【0309】

以上の実施例では、発光層１７を改質には、レーザ装置５８を使用するとして説明をした。しかし、本発明は、これに限定するものではない。たとえば、改質させる光として、紫外線光を発生するＬＥＤ（light‐emitting diode）を使用してもよい。ＬＥＤは、発光素子が小さいため狭指向性の光を発生することができる。
図２４は、ＬＥＤ１２２を用いた光発生器の説明図である。また、図２５は、図２４の光発生器を用いた発光層１７の改質方法の説明図である。

【0310】

光発生器の基板１２３は、ＬＥＤ１２２が発生する熱を放熱するため、金属板またはセラミック板を基材として使用されている。基板の裏面には、放熱板（図示せず）を取り付ける。

【0311】

基板１２３には、紫外線光を発生するＬＥＤ１２２が取り付けられている。ＬＥＤ１２２の発光部のサイズ（縦長さＣ、横長さＢ）は、画素３７の改質させる領域のサイズと略一致させている。あるいは、発光部のサイズ（縦長さＣ、横長さＢ）は、画素３７の改質させる領域のサイズよりも小さくしている。

【0312】

また、ＬＥＤ１２２の発光部の前にレンズ（図示せず）などを配置し、ＬＥＤ１２２が発生した紫外線光を画素３７の略全体に照射できるように構成してもよい。ＬＥＤ１２２が発光すると、画素３７の所定色の画素電極１５の上方に形成された発光層１７を改質できる。

【0313】

ＬＥＤ１２２の縦方向の実装位置Ｅは、画素３７のピッチと一致させている。ＬＥＤ１２２の横方向の実装位置Ｄは、画素３７の列ピッチと略一致させている。あるいは、ＬＥＤ１２２の縦方向の実装位置Ｅ、ＬＥＤの横方向の実装位置Ｄは、画素ピッチのＮ倍（Ｎは１以上の正数）としている。

【0314】

ＬＥＤの実装されている長さＦは、ＥＬ表示パネルの第１行目から最終画素行目の長さである。したがって、長さＦに実装させているＬＥＤ個数は、ＥＬ表示パネルの画素行数と一致する。あるいは、長さＦは、ＥＬ表示パネルの第１行目から最終画素行目の長さの１／Ｎ（Ｎは１以上の正数）にしている。

【0315】

図２４では、図示を容易にするため、ＬＥＤ１２２の実装列は２列としたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、ＬＥＤ１２２の実装列を３列以上にしてもよい。また、ＬＥＤ１２２の実装列または実装行数は、表示パネルの画素列または画素行数としてもよい。この場合は、図２５に図示するように、光発生器はＡ方向に移動させる必要はない。ＥＬ表示パネルに光発生器を位置決めして、ＬＥＤ１２２を発光させればよい。

【0316】

図２４に図示するように、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂが発生する光の波長を異ならせてもよい。たとえば、ＬＥＤ１２２ａが図２２で説明したレーザ光５９ａの主波長の光を発生させ、ＬＥＤ１２２ｂがレーザ光５９ｂの主波長の光を発生させるように構成してもよい。

【0317】

図２４（ｂ）は、図２４（ａ）のＡＡ’線での断面図である。ＬＥＤ１２２の周囲には、ＬＥＤ１２２が発生した紫外線光を吸収する光吸収材１２１が形成されている。ＬＥＤ１２２ａは、紫外線光１４１ａを発生させ、ＬＥＤ１２２ｂは、紫外線光１４１ｂを発生させる。光吸収材１２１として、アクリルあるいはエポキシ樹脂にカーボンを添加したものが例示される。

【0318】

図２５（ａ）（ｂ）に図示するように、光発生器はＴＦＴ基板５２の画素電極１５位置に一致させて配置される。また、光発生器は、画素列または画素行ピッチで移動し、移動した位置で、ＬＥＤ１２２が発光し、画素３７の発光層１７を改質させる。

【0319】

２画素列または２画素行を同時に改質させる場合は、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂの両方が発光する。１画素列または１画素行を改質させる場合は、ＬＥＤ１２２ａまたはＬＥＤ１２２ｂの一方が発光する。

【0320】

以上のように、本発明は、紫外線光５９を発生する光発生手段は、レーザ装置５８に限定するものではない。ファイン蒸着マスク２５１を介さず、画素３７位置に対応させて、紫外線光等の光を照射できる光発生手段であればいずれの手段であってもよい。また、光発生手段を、赤外光を発生する手段とすることにより、熱転写装置の光発生源としても適用できることは言うまでもない。ドナーフィルムには、発光層１７となる転写有機膜が形成され、前記転写有機膜に赤外光のレーザなどの光を照射し、剥離させる。

【0321】

ＬＥＤ１２２が発生する光は、レーザ光のように単一波長ではなく一定の波長帯域を有している。したがって、ＬＥＤ１２２が発生する光は、主波長が３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の紫外線光を発生するものを採用する。

【0322】

波長３５５（ｎｍ）のＵＶレーザ光を発光層のゲスト（ドーパント）材料に照射した時の改質状態の分光特性である。なお、グラフの縦軸の強度は、レーザ光照射前（改質前）の最高強度を１として規格化している。

【0323】

図１５は緑色燐光ドーパント材料であるIr(ppy)₃に波長３５５（ｎｍ）のＵＶレーザ光の照射前と照射後の分光特性を示すグラフである。レーザ光の照射によりＩｒ（ｐｐｙ）_３が改質し、緑波長の強度が大幅に低下している。波長フィルタ７５は波長５４０（ｎｍ）近傍の波長を透過させるバンドパスフィルタとする。波長フィルタ７５を透過する光の強度を計測、測定し、改質の変化をモニターし、レーザ光５９のオンオフ、レーザ光５９の強弱、レーザ光５９の移動速度を制御する。

【0324】

レーザ光の照射による改質の程度は、ＥＬ素子構造検討を考慮し、また、ＥＬ素子試作をして、マイクロキャビティ効果等を考慮して決定する。また、レーザ光の単位面積あたりの強度、照射時間と改質効果を検討してレーザ装置５８の制御を決定する。

【0325】

図１６は赤色燐光ドーパント材料であるＰＧ_２Ｉｒ（ｄｐｍ）に波長３５５（ｎｍ）のＵＶレーザ光の照射前と照射後の分光特性を示すグラフである。レーザ光の照射によりＰＧ_２Ｉｒ（ｄｐｍ）が改質し、赤波長の強度が大幅に低下している。

【0326】

波長フィルタ７５は波長６２０（ｎｍ）近傍の波長を透過させるバンドパスフィルタとする。波長フィルタ７５を透過する光の強度を計測、測定し、改質の変化をモニターし、レーザ光５９のオンオフ、レーザ光５９の強弱、レーザ光５９の移動速度を制御する。

【0327】

図１７は赤色燐光ドーパント材料であるＩｒ（ｐｉｑ）_３に波長３５５（ｎｍ）のＵＶレーザ光の照射前と照射後の分光特性を示すグラフである。レーザ光の照射によりＩｒ（ｐｉｑ）_３が改質し、赤波長の強度が大幅に低下している。

【0328】

波長フィルタ７５は波長６２０（ｎｍ）近傍の波長を透過させるバンドパスフィルタとする。波長フィルタ７５を透過する光の強度を計測、測定し、改質の変化をモニターし、レーザ光５９のオンオフ、レーザ光５９の強弱、レーザ光５９の移動速度を制御する。

【0329】

図１８は赤色蛍光ドーパント材料であるＤＣＭに波長３５５（ｎｍ）のＵＶレーザ光の照射前と照射後の分光特性を示すグラフである。レーザ光の照射によりＤＣＭが改質し、赤波長の強度が大幅に低下している。

【0330】

波長フィルタ７５は波長６２０（ｎｍ）近傍の波長を透過させるバンドパスフィルタとする。波長フィルタ７５を透過する光の強度を計測、測定し、改質の変化をモニターし、レーザ光５９のオンオフ、レーザ光５９の強弱、レーザ光５９の移動速度を制御する。

【0331】

第１の実施例における本発明のＥＬ表示パネルの製造方法について説明をする。図２２は、第１の実施例における本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。また、図２３は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。図６に図示するように、本発明の製造方法は、蒸着室５６のような真空状態中にＴＦＴ基板５２を配置する。ＥＬ素子２２を構成する各有機膜は、蒸着により形成する。

【0332】

図２３において、ＴＦＴ基板５２は搬入室１１３から成膜室１１６に搬入される。成膜室１１６内は、超真空状態に維持されている。成膜室１１６の中央部には中央室１１５があり、中央室１１５内には、各チャンバー室１１１にＴＦＴを搬入、あるいは、各チャンバー室１１１から搬出する搬送ロボット（図示せず）が設置されている。搬送ロボットは、チャンバー室１１１から移動ステージ５１等を搬出し、方向を変更して、次の工程のチャンバー室１１１に搬入する。チャンバー室１１１は蒸着室５６である。

【0333】

発光層１７などを改質させるレーザ装置５８は、レーザ装置室１１８内に設置されており、ＴＦＴ基板５２はロードロック室（ＬＬ：load lock chamber）を経由してレーザ装置室１１８に搬入される。ＴＦＴ基板５２は、カソード電極１９を形成後、あるいは、封止膜２０、封止フィルム２７による封止後、搬出室１１４から搬出される。

【0334】

搬入室１１３からＴＦＴ基板５２は搬入され、正孔輸送層１６を蒸着するチャンバー（ＨＴＬ）１１１ｃに搬入される。チャンバー室１１１ｃで、図２２（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。

【0335】

次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層（ＥＭＬ）Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。図２２（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。

【0336】

発光層１７Ｒの形成工程では、従来の製造方法のように、画素３７Ｒに対応した位置に開口が設けられたファイン蒸着マスク２５１Ｒは使用しない。発光層１７Ｒは、表示画面３６全体に、蒸着工法を使用して、連続膜として形成される。つまり、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂに共通に、かつ連続して発光層１７Ｒが形成される。発光層１７Ｒの形成には、発光層１７Ｒが表示画面３６内に蒸着されるように、表示画面３６に開口部を有するラフ蒸着マスク（図示せず）を使用する。

【0337】

図２２の本発明の実施例において、ＥＬ表示パネルに、土手９５を図示しているが、土手９５は必ずしも必要な構成物ではない。土手９５は、ソース信号線３５上、ゲート信号線３４上、画素電極１５の周辺部に形成され、電界の遮蔽効果を発揮する。土手は可視光を吸収する色素、染料を添加した材料で形成する。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。

【0338】

レーザ装置室１１８では、図２２（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７にレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒには照射されない。レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなる。

【0339】

画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａを吸収し、共有結合鎖が切断される。酸素の無い蒸着室５６で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成したり、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合したり、他の共有結合鎖と架橋構造を生成したりと構造に変化が生じる。
画素電極１５Ｒに対応した発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａが照射されていない。したがって、発光するゲスト材料としての性能を維持する。

【0340】

本発明の実施例では、ＥＬ素子２２を形成する各有機膜は、蒸着工法で形成するとして説明するが、これに限定するものではない。インクジェット方式あるいは印刷方式により、電子輸送層１８、正孔輸送層１６、発光層１７などを形成してもよいことは言うまでもない。たとえば、インクジェット方式で発光層１７Ｒを形成し、発光層１７Ｒにレーザ光５９を照射して改質させてもよい。たとえば、発光層１７はホスト材料とゲスト材料とが溶剤に溶解されて、インクジェット方式で画素電極１５の上方に発光層１７として形成される。

【0341】

また、ＥＬ素子２２を形成する各有機膜は、レーザ転写技術で形成してもよい。レーザ転写装置は、ドナーフィルムに照射する赤外線レーザ光を発生させるレーザ装置を具備する。ベースフィルムに有機ＥＬ素子を構成する発光材料が形成され、赤外線レーザ光の照射によりベースフィルムから発光材料が剥離し、画素３７に発光層１７が形成される。

【0342】

また、本発明は、理解を容易にするため、主としてゲスト材料が光を吸収し、発光層１７が改質するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、発光層１７が、Ａｌｑ_３のような単一の有機膜で形成されている場合、この単一の有機膜に光を照射し、単一の有機膜を改質させる方式も本発明の技術的範疇である。

【0343】

レーザ光５９は、波長λが３００（ｎｍ）以上４２０（ｎｍ）以下の紫外光である。さらに好ましくは、レーザ光５９は、波長λが３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の紫外光である。

【0344】

次に、ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２を経由して中央室１１５に搬入され、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図２２（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層１７Ｇを蒸着工法により積層させる。

【0345】

発光層１７Ｇの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｇはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｇが形成される。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより、方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。

【0346】

レーザ装置室１１８では、図２２（ｄ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂの照射を行う。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに照射する。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇには照射されない。レーザ光５９ｂの照射部で、発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなる。

【0347】

発光層１７Ｇのゲスト材料は、発光層１７Ｒのゲスト材料に比較して励起エネルギーが大きい場合が多い。励起エネルギーが大きいゲスト材料は、吸収する波長が短波長になる場合がある。その場合は、レーザ光５９ｂの波長は、レーザ光５９ａより波長が短いレーザ光を選定する。たとえば、レーザ光５９ｂは、波長λが３００（ｎｍ）以上約３８０（ｎｍ）以下の紫外光である。レーザ光５９ａは、波長λが３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の紫外光である。または、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂの波長を同一とし、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂとの単位面積あたりの強度を異ならせる。

【0348】

画素３７Ｂ（画素電極１５Ｂ）の上方の発光層１７Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し、共有結合鎖が切断される。共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成したり、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合したり、他の共有結合鎖と架橋構造を生成したりと構造が変化する。画素３７Ｂ（画素電極１５Ｂ）の上方の発光層１７Ｇは改質層９６ｂとなる。したがって、前記発光層１７Ｇのゲスト材料は改質されて励起できない。発光層１７Ｇはホスト材料として機能する。

【0349】

画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒは改質層９６ａとし、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質層９６ｂと記載している。改質層９６ａと改質層９６ｂはゲスト材料などが異なり、物理的あるいは物性的性質が異なることが多い。しかし、改質層９６ａと改質層９６ｂは物性的性質が同一である、あるいは類似することも多い。したがって、改質層９６ａと改質層９６ｂは、同一だとして改質層９６としてもよい。

【0350】

図２３に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５を経由して、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｂ） ＥＴＬ）１１１ｅに搬入される。図２２（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂを、発光層１７Ｇの上方に積層させる。発光層１７Ｂ材料の蒸着は、ホスト材料と青色発光のゲスト材料を真空中で、真空蒸着により発光層１７Ｇ上に共蒸着させて積層させる。

【0351】

発光層１７Ｂの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｂはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６の全体に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｂが形成される。

【0352】

次に、図２２（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層としてのＬｉＦあるいはＬｉｑなどを形成し、カソード電極１９の電子輸送層１８上に積層する。カソード電極１９には、アルミニウム、銀、銀・マグネシウム（ＭｇＡｇ）合金、カルシウムなどを用いる。

【0353】

カソード電極１９は、例えば真空蒸着により発光層１７Ｂの上方に積層させる。この真空蒸着では、ＥＬ表示パネルの表示領域のみにカソード電極材料が蒸着されるように、ラフ蒸着マスクを使用する。これにより、カソード電極１９は、表示領域全体に連続膜として形成される。

【0354】

次に、図２２（ｆ）に図示するように、カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。

【0355】

例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２～３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に近い、摂氏１５℃以上２５℃の範囲に設定する。

【0356】

また、ＳｉＯＮなどをＣＶＤで形成した後、アクリル系、エポキシ系の有機材料などを形成して、封止層２０としてもよい。封止層２０上には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。次に、ＥＬ表示素子がＴＦＴ基板５２と封止基板とシール層とによって取り囲まれるように、ＴＦＴ基板５２と封止基板とをシール層を介して貼り合わせる。

【0357】

または、ＴＦＴ基板５２は薄膜封止技術で封止する。薄膜封止技術は、ＴＦＴ基板５２上に極めて薄い無機膜と有機膜を多層に積層して形成する。無機膜（通常厚さ１μｍ未満）と有機膜（通常厚さ６μｍ以上）が交互に重なったマルチレイヤー構造を持つ。無機膜は主に酸素や水分の侵入を防いでＥＬ素子２２を保護する。

【0358】

ＴＦＴ基板２５は搬出室１１４を経由して、成膜室１１６から搬出される。なお、ＥＬ表示パネルの光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付け、あるいは配置する。

【0359】

図２２の実施例では、レーザ光５９ａを発生するレーザ装置、レーザ光５９ｂを発生するレーザ装置５８を使用するとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。可変波長の光を発生させる１台のレーザ装置５８で、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂを発生させてもよい。また、レーザ光５９ａまたはレーザ光５９ｂのいずれかのレーザ光を発生するレーザ装置５８を複数台、使用してもよいことは言うまでもない。レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂとは波長を異ならせても良い。

【0360】

以上の実施例では、発光層１７を形成後、レーザ光５９を照射して発光層１７を改質するとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、蒸着により発光層１７を形成しつつ、レーザ光５９を照射して、前記発光層１７を改質または除去してもよい。

【0361】

本発明のＥＬ表示パネルは、複数色の画素３７がマトリックス状に配置されている。ＥＬ表示パネルは、少なくも一色の画素に、第１の色の発光層１７ａが成膜され、その上に第２の色の発光層１７ｂが成膜されている。第１の色の発光層１７ａの発光波長は、第２の色の発光層１７ｂの発光波長よりも長い。前記第１の色の発光層１７ａのゲスト材料は、前記第２の色の発光層１７ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。

【0362】

また、本発明のＥＬ表示パネルは、少なくも一色の画素に、第１の色の発光層１７ａが成膜され、その上に第２の色の発光層１７ｂが成膜されている。前記第１の色の発光層１７ａに、レーザ光５９などの狭指向性の光を照射し、前記第１の色の発光層１７ａを改質させて非発光層にする。前記第２の色の発光層１７ｂが発光する。

【0363】

本発明は、複数色の画素３７がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルに限定されるものではない。本発明の表示パネルは、表示部あるいは表示画面３６に複数個所の発光する部分が形成されており、前記発光する部分に複数の発光層１７が積層されている。前記複数の発光層１７のうち、長波長の発光層１７に、ファイン蒸着マスク２５１などを使用せず、レーザ光５９などの狭指向性の光が照射され、前記長波長の発光層１７が改質されていることを特徴とするものである。

【0364】

本発明の製造方法では、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂを形成するために、少なくともいずれかの発光層１７の形成時に、ファイン蒸着マスク２５１を使用しない。本発明では、発光する発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂを形成するために、少なくともいずれかの発光層１７にレーザ光５９などの紫外線波長の光を照射する。

【0365】

レーザ光５９の照射位置の制御は、ガルバノミラー６２あるいは、移動ステージ（リニアステージなど）により高精度に位置決めを行うことができる。また、位置決めは、ＴＦＴ基板５２の画素３７位置に対応させて容易に設定することができる。したがって、画素３７形状、画素３７配置、画素３７数が異なるＥＬ表示パネルを、容易に品種変更して製造することができる。また、製造装置の設備コストも非常に安価である。

【0366】

従来のファイン蒸着マスク２５１を使用する製造方式では、画素３７が高精細の場合は、ファイン蒸着マスク２５１の蒸着穴（マスク開口部）が小さくなるためファイン蒸着マスク２５１の蒸着穴の加工が困難である。

【0367】

また、ファイン蒸着マスク２５１を、ＥＬ表示パネルの画素３７位置に合わせて位置決めすることが困難であるという課題があった。また、テレビ用の大型ＥＬ表示パネルの製造に使用するファイン蒸着マスク２５１は、大面積となり、重量が重い。したがって、ファイン蒸着マスク２５１を位置決めする搬送ロボットも大型になるという課題があった。

【0368】

本発明の製造方式では、レーザ光５９を画素３７に照射することにより、発光層１７の発光色を決定する。紫外線波長のレーザ光５９のスポットサイズは、直径１０μ以下が実現可能である。また、レーザ光５９は、ガルバノミラー６２の制御により、高速に位置決めできる。また、ＥＬ表示パネルサイズが広面積であっても、レーザ光５９は、ガルバノミラー６２の制御により、ＥＬ表示パネルの周辺部から中央部のいずれの位置にでも、高速に位置決めできる。また、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めが不要であり、レーザ光５９の制御だけであるので、製造設備は安価であり、製造タクトも短くすることができる。

【0369】

以上の事項から、本発明の製造方式では、画素３７が高精細であっても、ＥＬ表示パネルサイズが広面積であっても、ＥＬ表示パネルを低コストで製造することができる。また、優れた表示品位と高い製造歩留まりとを実現できる。

【0370】

以下、図面を参照しながら、本発明の第２の実施例について説明をする。図２６、図２７は本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。

【0371】

図２６において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒおよび発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒおよび発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢが形成されている。

【0372】

発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢは、青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料を含有している。青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料とは、吸収する光の波長が異なる。

【0373】

緑色の画素電極１５Ｇ上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて改質されている。また、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢにレーザ光５９ｂが照射されて、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢの青色のゲスト材料が改質されている。

【0374】

青色の画素電極１５Ｂ上方には、発光層（ＥＭＬ（Ｒ））１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて改質されている。また、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢにレーザ光５９ｃが照射されて、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢの緑色のゲスト材料が改質されている。

【0375】

以下、図面を参照しながら、本発明の第２の実施例の製造方法について説明をする。図２３の搬入室１１３からＴＦＴ基板５２は搬入され、チャンバー（ＨＴＬ）１１１ｃに搬入される。図２７（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。

【0376】

次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層（ＥＭＬ）Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。図２７（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。発光層１７Ｒは、表示画面３６全体に、連続膜として形成される。

【0377】

次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入される。レーザ装置室１１８では、図２７（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｒにレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒには照射しない。レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなる。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されていないため、発光するゲスト材料としての性能を維持する。

【0378】

次に、ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２を経由して中央室１１５に搬入され、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図２７（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢを積層させる。

【0379】

発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢは、青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料とを含有している。青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料とは、吸収するレーザ光５９の波長が異なる。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７ＧＢに照射するレーザ光５９の波長を変更することにより、青色のゲスト材料と緑色のゲスト材料を選択して改質することができる。

【0380】

図３（ｃ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光５９ａ、レーザ光５９ｂ、レーザ光５９ｃを吸収しにくい材料を選定する。あるいは、レーザ光５９を透過する材料を選択する。

【0381】

当該材料がレーザ光などの光を「吸収しにくい」という概念は、当該材料が前記光を吸収しないことの他、前記レーザ光などの光を反射すること、あるいは前記レーザ光などの光を透過することをも含む。また、レーザ光などの光を吸収しても、当該材料あるいはその構成物が変化しないことをも含む。

【0382】

ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａを吸収しやすい材料を選定する。ゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂを吸収しやすく、レーザ光５９ｃを吸収しにくい材料を選定する。ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収しやすく、レーザ光５９ｂを吸収しにくい材料を選定する。

【0383】

好ましくは、図３（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ｂの波長で、ゲスト材料Ｂの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｇの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｇの材料を選定する。また、レーザ光５９ｃの波長で、ゲスト材料Ｇの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｂの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｂを選定する。また、レーザ光５９ｂの波長で、ゲスト材料Ｂの吸収率が１００％とした時、ホスト材料の吸収率が２５％以下となるホスト材料を選定する。
吸収率が１００％は透過率０％、吸収率が０％は透過率１００％、吸収率７５％は透過率２５％、吸収率２５％は透過率７５％と読み替えてもよい。

【0384】

図２７（ｄ）に図示するように、緑色の画素電極１５Ｇ上方には、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７が形成されている。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７には、青色の発光に寄与するゲスト材料Ｂと、緑色の発光に寄与するゲスト材料Ｇを含有している。

【0385】

図３（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ｂの波長は、レーザ光５９ｃの波長よりも短波長である。ゲスト材料Ｂは、ゲスト材料Ｇよりも短波長の光をよく吸収する。

【0386】

緑色の画素電極１５Ｇ上方の発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７に、レーザ光５９ｂを照射すると、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂを吸収し改質される。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７のゲスト材料Ｇはレーザ光５９ｂを吸収しない。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、ゲスト材料Ｇが発光可能な状態を維持されるため、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、緑発光する発光層１７Ｇとなる。

【0387】

図２７（ｅ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂ上方には、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７が形成されている。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７に、レーザ光５９ｃを照射すると、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収し改質される。ゲスト材料Ｂはレーザ光５９ｂを吸収しない。発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態を維持されるため、発光層（ＥＭＬ（ＧＢ））１７は、青発光する発光層１７Ｂとなる。

【0388】

次に、図２７（ｆ）に図示するように、発光層１７ＧＢの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層としてのＬｉＦまたはＬｉｑを形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。また、電子輸送層１８上にカソード電極１９を形成する。

【0389】

図２６の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料の発光スペクトルは、青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。

【0390】

画素電極１５ＲのＲ上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能である。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒはほとんど消光するか、または励起されない。

【0391】

画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢが含んでいる青ゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂの照射により、ほとんど消光するか、または励起されない。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７ＧＢが含んでいる緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃの照射により、ほとんど消光するか、または励起されない。

【0392】

画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇおよび青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0393】

すなわち、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７ＧＢでは、緑ゲスト材料Ｇ、青ゲスト材料Ｂも励起することが可能である。発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。

【0394】

画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒでは、含有する赤ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されているため励起しない。また、発光層１７ＧＢの青ゲスト材料Ｂはレーザ光５９ｂが照射されているため励起しない。そのため、発光層１７ＧＢは、緑で発光する。したがって、画素電極１５Ｇの画素３７は、緑で発光する。

【0395】

なお、画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢでは、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇが、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを良好に吸収する材料あるいはＥＬ素子２２の構成では、画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢが含んでいる緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。したがって、発光層１７ＧＢは、緑で発光する。この場合は、図２７（ｄ）において、画素電極１５Ｇの上方の発光層１７ＧＢにレーザ光５９ｂを照射する工程を削除することができる。

【0396】

画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒでは、含有する赤ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されているため励起しない。また、発光層１７ＧＢの緑ゲスト材料Ｇはレーザ光５９ｃが照射されているため励起しない。そのため、発光層１７ＧＢは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青で発光する。

【0397】

以下、図面を参照しながら、本発明の第３の実施例について説明をする。図２８、図２９は本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。

【0398】

図２８において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂが形成されている。
青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇには、光が照射されて、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料が改質されている。

【0399】

以下、図面を参照しながら、本発明の第３の実施例の製造方法について説明をする。図２９（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層（ＥＭＬ）Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。

【0400】

図２９（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、赤色の発光層１７Ｒを形成するために、ファイン蒸着マスク２５１Ｒを配置する。ファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤の画素位置に開口部を有するマスクである。

【0401】

赤色の発光層材料１７２Ｒを蒸発させ、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。共蒸着は真空工程で実施される。

【0402】

次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図２９（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇには、緑色のゲスト材料が含有されている。

【0403】

次に、ＴＦＴ基板５２は、図２３で示すレーザ装置室１１８に搬入される。図２９（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９が照射される。レーザ光５９を照射すると、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇは、レーザ光５９を吸収し改質される。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９が照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。

【0404】

次に、図２９（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂが形成される。発光層１７Ｂは、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態を維持されるため、発光層１７Ｂは、青発光する発光層となる。

【0405】

次に、図２９（ｆ）に図示するように、発光層１７ＧＢの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。

【0406】

図２８の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７Ｇの緑ゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。

【0407】

画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇおよび発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0408】

発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図２８の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７は、赤色で発光する。

【0409】

画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0410】

発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図２８の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層１７は、緑色で発光する。

【0411】

画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇでは、含有する緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９が照射されて励起しない。発光層１７Ｂは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青で発光する。

【0412】

なお、図２９の本発明の製造方法では、ファイン蒸着マスク２５１で、発光層１７Ｒを形成することを例示して説明したが、これに限定するものではない。たとえば、発光層１７Ｒをインクジェット方式で形成してもよい。

【0413】

また、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂなどの他の発光層をファイン蒸着マスクで形成することも、本発明の技術的範疇である。また、発光層１７に限定されるものでなく、たとえば、正孔輸送層１６を形成してもよい。ファイン蒸着マスク２５１を使用して正孔輸送層１６を形成することにより、たとえば、図４０に図示するように構成することにより、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｒ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｇ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６Ｂの膜厚を容易に設定できる。
図３０、図３１は本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。

【0414】

図３０において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）が形成されている。緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）が形成されている。
発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、ホスト材料と、緑発光のゲスト材料と青色発光のゲスト材料とが共蒸着されて形成される。

【0415】

以下、図面を参照しながら、本発明の第４の実施例の製造方法について説明をする。図３１に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。次に、図３１（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、赤色の発光層１７Ｒを形成するために、ファイン蒸着マスク２５１Ｒを配置する。赤色の発光層材料１７２Ｒを蒸発させ、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。

【0416】

次に、図３１（ｃ）に図示するように、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）を積層させる。発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は緑色発光のゲスト材料と青色発光のゲスト材料とを含有している。発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、ホスト材料、緑色発光のゲスト材料、青色発光のゲスト材料を共蒸着して形成する。

【0417】

次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図３１（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）に、レーザ光５９ｃが照射される。レーザ光５９ｃを照射すると、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収し、改質層９６となる。

【0418】

図３（ｃ）に図示するように、ホスト材料および緑色のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｃを吸収しにくい材料を選定する。緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃを吸収しやすい材料を選定する。

【0419】

好ましくは、図３（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ｃの波長で、ゲスト材料Ｇの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｂの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｂを選定する。また、ゲスト材料Ｇの吸収率とゲスト材料Ｂの吸収率の差が３倍以上となるように材料を選定する。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９ｃが照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。

【0420】

次に、図３１（ｅ）に図示するように、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の上方に電子輸送層１８を形成し、図３１（ｆ）に図示するように、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。

【0421】

図３０の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料の発光スペクトルは、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。

【0422】

画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇおよび青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0423】

発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図３０の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７Ｒは、赤色で発光する。

【0424】

画素電極１５Ｇの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）では、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の青ゲスト材料Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0425】

発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、発光層ＥＭＬ（ＧＢ）の青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図３０の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層ＥＭＬ（ＧＢ）は、緑色で発光する。

【0426】

画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）では、含有する緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｃが照射されて励起しない。画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＧＢ）では、青ゲスト材料Ｂが発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青色で発光する。
図３２、図３３は本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。

【0427】

図３２において、赤色、緑色および青色の画素電極１５の上方には、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が形成されている。発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）は、ホスト材料と、赤発光のゲスト材料、緑発光のゲスト材料、青色発光のゲスト材料とが共蒸着されて形成されている。

【0428】

以下、本発明の第６の実施例の製造方法について説明をする。図３３（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。次に、図３３（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７ＲＧＢを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７ＲＧＢは、ホスト材料と、赤発光のゲスト材料、緑発光のゲスト材料、青色発光のゲスト材料を共蒸着させて形成する。

【0429】

次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図３３（ｃ）に図示するように、緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）に、レーザ光５９ａが照射される。レーザ光５９ａを照射すると、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の赤色のゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａを吸収し、改質層９６ａとなる。

【0430】

図３（ｄ）に図示するように、赤色のゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａを吸収しやすい材料を選定する。緑色のゲスト材料Ｇおよび青色のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ａを吸収しにくい材料を選定する。

【0431】

好ましくは、図３（ｄ）に図示するように、レーザ光５９ａの波長で、ゲスト材料Ｒの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｇの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｇを選定する。また、ゲスト材料Ｒの吸収率とゲスト材料Ｇの吸収率の差が３倍以上となるように材料を選定する。

【0432】

赤色の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒにはレーザ光５９ａが照射されていないため、発光層１７ＲＧＢのゲスト材料Ｒ、ゲスト材料Ｇ、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態が維持されている。

【0433】

次に、図３３（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）に、レーザ光５９ｂが照射される。レーザ光５９ｂを照射すると、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し、改質層９６ｂとなる。

【0434】

図３（ｄ）に図示するように、緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収しやすい材料を選定する。青色のゲスト材料Ｂは、レーザ光５９ｂを吸収しにくい材料を選定する。

【0435】

好ましくは、図３（ｄ）に図示するように、レーザ光５９ｂの波長で、ゲスト材料Ｇの吸収率が１００％とした時、ゲスト材料Ｂの吸収率が２５％以下となるゲスト材料Ｂを選定する。また、ゲスト材料Ｇの吸収率とゲスト材料Ｂの吸収率の差が３倍以上となるように材料を選定する。

【0436】

次に、図３３（ｅ）に図示するように、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の上方に電子輸送層１８を形成し、図３３（ｆ）に図示するように、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。

【0437】

図３２の画素電極１５Ｒの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含んでいる赤ゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、緑ゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料の発光スペクトルは、青ゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。

【0438】

画素電極１５Ｒの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）では、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤ゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇおよび青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0439】

発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含んでいる赤ゲスト材料Ｒは、緑ゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図３２の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７Ｒは、赤色で発光する。

【0440】

画素電極１５Ｇの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）では、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑ゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の青ゲスト材料Ｂの青ゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。

【0441】

発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の緑ゲスト材料Ｇは、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）の青ゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図２４の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）は、緑色で発光する。

【0442】

画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含有する緑ゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂが照射されて励起しない。また、発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）が含有する赤ゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて励起しない。画素電極１５Ｂの上方の発光層ＥＭＬ（ＲＧＢ）では、青ゲスト材料Ｂが発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は青色で発光する。

【0443】

以上の実施例では、画素電極１５の上方の発光層１７等にレーザ光５９を照射し、発光層１７等を改質するものであった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。
図３４、図３５は本発明の第６の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。

【0444】

図３４、図３５の実施例は、隣接した画素３７に連続した発光層１７を形成し、該当の画素３７の発光層１７にレーザ光５９を照射して、前記発光層１７を除去するものである。

【0445】

図３４において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｂが形成されている。

【0446】

以下、本発明の第６の実施例の製造方法について説明をする。図３５（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。

【0447】

図３５（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７として形成される。

【0448】

次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図３５（ｂ）に図示するように、緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに、レーザ光５９ａを照射する。レーザ光５９ａの照射により、発光層１７Ｒはレーザ光５９ａを吸収し、過熱されて蒸発する。発光層１７Ｒは蒸発することにより除去される。

【0449】

図３５（ｃ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７として積層される。

【0450】

次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図３５（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９ｂを照射する。レーザ光５９ｂの照射により、発光層１７Ｇはレーザ光５９ｂを吸収し、過熱されて蒸発する。発光層１７Ｇは蒸発することにより正孔輸送層１６上から除去される。

【0451】

図３５（ｅ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、発光層１７Ｂを積層させる。発光層１７Ｂは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７として積層される。
次に、図３５（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。

【0452】

赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｇの３つの発光層が積層されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｇの２つの発光層が積層されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｇが積層されている。

【0453】

なお、図３５（ｂ）の工程で、発光層１７Ｒは蒸発して除去されるが、発光層１７Ｒの一部は残存する場合がある。しかし、残存した発光層１７Ｒはレーザ光５９ａにより改質されているため、発光に寄与しない。また、図３５（ｄ）の工程で、発光層１７Ｇは蒸発して除去されるが、発光層１７Ｇの一部は残存する場合がある。しかし、残存した発光層１７Ｇはレーザ光５９ｂにより改質されているため、発光に寄与しない。

【0454】

画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。

【0455】

画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂにおいても発光する可能性がある。発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。
画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じる。他の色の発光層１７は、除去されているため、画素３７Ｂは青色光を放出する。
したがって、レーザ光５９で発光層１７を除去することにより、赤色、緑色、青色の３原色を有するＥＬ表示パネルを製造できる。
図３６、図３７は本発明の第７の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。

【0456】

図３６、図３７の実施例は、図３６（ｂ）に図示するように、ファイン蒸着マスク２５１Ｈを使用して、２層の正孔輸送層１６ａ、正孔輸送層１６ｂを形成した実施例である。

【0457】

図３６において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、正孔輸送層１６ａ、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、正孔輸送層１６ａ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、正孔輸送層１６ａ、正孔輸送層１６ｂ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが形成されている。

【0458】

以下、本発明の第７の実施例の製造方法について説明をする。図３７（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６ａが形成される。

【0459】

次に、図３７（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２にファイン蒸着マスク２５１Ｈが配置される。ファイン蒸着マスク２５１Ｈの穴を介して、正孔輸送層材料１７２Ｈが正孔輸送層１６ａ上に積層させ、正孔輸送層１６ｂとなる。

【0460】

次に、図３７（ｃ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２にファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置される。ファイン蒸着マスク２５１Ｒの穴を介して、発光層材料１７２Ｒが正孔輸送層１６ａ上に積層させ、発光層１７Ｒとなる。

【0461】

次に、図３７（ｄ）に図示するように、発光層１７Ｇが形成される。発光層１７Ｇは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに連続した発光層１７Ｇとして形成される。

【0462】

ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図３７（ｅ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９を照射する。レーザ光５９の照射により、発光層１７Ｇはレーザ光５９を吸収し、改質される。
次に、図３７（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。

【0463】

赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｇの３つの発光層が積層されている。緑色の画素電極１５Ｇの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの２つの発光層が積層されている。青色の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが積層されている。

【0464】

画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。

【0465】

画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂにおいても発光する可能性がある。発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。

【0466】

画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じる。発光層１７Ｇは、レーザ光５９により改質されているので、発光に寄与しない。画素３７Ｂは青色光を放出する。

【0467】

本発明の実施例は画素３７にレーザ光５９を照射し、照射した発光層１７を改質させて、非発光層とした実施例である。しかし、本発明は、レーザ光５９の照射は画素電極１５上に限定されるものではない。
図３９（ｅ）に図示するように、画素３７間にレーザ光５９ｃを照射して、発光層１７等を改質あるいは除去してもよい。

【0468】

図３８、図３９は本発明の第８の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。第８の実施例は、隣接した画素間に、レーザ光５９を照射し、隣接した画素間の発光層１７等を改質させて、発光させなくした実施例である。

【0469】

第８の実施例では、図３８に図示するように、画素電極１５間の発光層１７および正孔輸送層１６にレーザ光５９ｃを照射し、改質層９６ｃにしている。断面構造は図１の実施例を例示し、図１の土手９５をなくし、図１の土手９５部にレーザ光５９ｃを照射して、レーザ光５９ｃを照射した箇所を改質層９６ｃとした構造である。

【0470】

土手９５を形成しないことにより、土手９５を形成する工程が省略でき、製造コストを低減できる。また、画素３７の開口率を高くでき、画素３７での電流集中がなくなり、ＥＬ素子２２を高寿命化できる。

【0471】

また、画素３７間にレーザ光５９ｃを照射することにより、隣接した画素３７間に異なる色の発光層１７が重なることによる混色がなくなり、混色発光がなくなる。
図３９（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。

【0472】

次に、図３９（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。また、ＴＦＴ基板５２の発光層１７にレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。

【0473】

図３９（ｃ）に図示するように、レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなる。次に、図３９（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層１７Ｇを蒸着工法により積層させる。

【0474】

次に、図３９（ｄ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂの照射を行う。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに照射する。レーザ光５９ｂの照射部で、発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなる。
図３９（ｅ）に図示するように、隣接した画素間に、レーザ光５９ｃを照射することにより、画素３７間の発光材料等が改質される。

【0475】

なお、図３９（ｅ）で図示するように、レーザ光５９ｃの照射時に、スリットマスク９２等を使用し、スリットマスク９２ｃの開口部（光透過部）からレーザ光５９ｃを照射すれば、位置精度よく画素３７間を改質することができる。
次に、図３９（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。

【0476】

図４６は、第９の実施例おける本発明のＥＬ表示パネルの断面図である。赤色画素３７Ｒには画素電極１５Ｒ、反射膜１２Ｒが形成または配置されている。緑色画素３７Ｇには画素電極１５Ｇ、反射膜１２Ｇが形成または配置されている。青色画素３７Ｂには画素電極１５Ｂ、反射膜１２Ｂが形成または配置されている。

【0477】

ＥＬ素子２２を構成するアノード電極（画素電極）１５は、透明電極であるＩＴＯ、ＩＺＯで形成される。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。反射膜１２は、銀（Ａｇ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）もしくはこれらのいずれかの合金で形成される。反射膜１２と透明電極は積層されている。

【0478】

図４６では、反射膜１２の上層にＩＴＯなどの透明電極を形成しているが、これに限定するものではなく、反射膜１２の下層にもＩＴＯなどの透明電極を形成してもよい。つまり、反射膜１２の上層および下層をＩＴＯなど透明電極でサンドイッチ構造に形成することが好ましい。

【0479】

図４６に図示する本発明の実施例では、赤色、緑色および青色の画素電極１５上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔ、電子輸送層（ＥＴＬ）１８が形成されている。

【0480】

発光層１７は、蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料と、ＴＡＤＦ（熱活性化遅延蛍光 Thermally activated delayed fluorescence）のゲスト（ドーパント）材料と、ホスト材料のうち少なとも１つ以上の材料を共蒸着して構成される。

【0481】

発光層１７に赤色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｒｆの記号を付加し、発光層１７に赤色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｒｔの記号を付加する。

【0482】

同様に、発光層１７に緑色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｇｆの記号を付加し、発光層１７に緑色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｇｔの記号を付加する。

【0483】

発光層１７に青色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｂｆの記号を付加し、発光層１７に青色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｂｔの記号を付加する。

【0484】

本明細書および図面において、発光層１７に、Ｒｆの記号が記載されている場合は、発光層１７に赤色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。Ｒｔの記号が記載されている場合は、発光層１７に赤色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。発光層１７に、Ｇｆの記号が記載されている場合は、発光層１７に緑色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。Ｇｔの記号が記載されている場合は、発光層１７に緑色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。発光層１７に、Ｂｆの記号が記載されている場合は、発光層１７に青色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。Ｂｔの記号が記載されている場合は、発光層１７に青色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。

【0485】

本発明の実施例において、発光層１７にＴＡＤＦのゲスト材料または蛍光のゲスト材料のうち、少なくとも一方を含有するとして説明するが、ＴＡＤＦのゲスト材料、蛍光のゲスト材料に限定されるものではない。本発明の技術的思想は、ＴＡＤＦのような、光発光効率が高く（たとえば、三重項励磁状態を一重項励磁状態に変換でき、光変換効率が高い材料）、発光スペクトルが、蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルと重なりが大きい材料であれば、いずれでもよい。

【0486】

図４６において、発光層１７Ｒは、赤色の蛍光材料のゲスト材料Ｒｆと赤色のＴＡＤＦ材料のゲスト材料Ｒｔを含有する。発光層１７Ｇは、緑色の蛍光材料のゲスト材料Ｇｆと緑色のＴＡＤＦ材料のゲスト材料Ｇｔを含有する。発光層１７Ｂｆは、青色の蛍光材料のゲスト材料Ｂｆを含有する。発光層１７Ｂｔは、青色のＴＡＤＦ材料のゲスト材料Ｂｔを含有する。

【0487】

蛍光のゲスト材料として、たとえば、2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene （ＴＢＰｅ）、9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene （ＴＴＰＡ）、2,8-di-tert-butyl-5,11-bis(4-tert-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene （ＴＢＲｂ）、tetraphenyldibenzoperiflanthene （ＤＢＰ）が例示される。

【0488】

ＴＡＤＦのゲスト材料として、たとえば、10'H-spiro[acridine-9,9'-anthracen]-10'-one （ＡＣＲＳＡ）、 3-(9,9-dimethylacridin-10(9H)-yl)-9H-xanthen-9-one（ＡＣＲＸＴＮ）、 2-phenoxazine-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine （ＰＸＺ－ＴＲＸ）、 2,4,6-tri(4-(IOH-phenoxazin-10H-yl)phenyl)-1,3,5-triazine （ｔｒｉ－ＰＸＺ－ＴＲＺ）が例示される。

【0489】

ホスト材料として、たとえば、 bis-(2-(diphenylphosphino)phenyl)ether oxide （ＤＰＥＰＯ）、 1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene （ｍＣＰ）、3,3-di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl （ｍＣＢＰ）、4,4'-bis(9-carbazolyl)-1,1'-biphenyl （ＣＢＰ）、3,3-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl（ｍＣＢＰ）が例示される。

【0490】

たとえば、赤色の発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料として、ＤＢＰ、ｔｒｉ－ＰＸＺ－ＴＲＺ、ＤＣＭ（(E)-2-(2-(4-(Dimethylamino)styryl)-6-methyl-4H -pyran-4-ylidene)malononitrile）、ＤＣＭ２（4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H -pyran）、Ｒｕｂｒｅｎｅ（5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene）を使用する。緑色の発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料として、ＴＴＰＡ、ＡＣＲＸＴＮ、Ａlｑ₃を使用する。青色の発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料として、ＴＢＰｅ、ＴＰＢ、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、３－ＤＰＡＤＢＣを使用する。

【0491】

たとえば、赤色の発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料として、ｔｒｉ－ＰＸＺ－ＴＲＺ、ＰＰＺ－ＤＰＯ、ＰＰＺ－ＤＰＳ、４ＣｚＴＰＮ－Ｍｅ、４ＣｚＴＰＮ－Ｐｈ、ＨＡＰ－３ＴＰＡを使用する。緑色の発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料として、ＰＸＺ－ＤＰＳ、ＰＰＺ－３ＴＰＴ、ＰＸＺ－ＤＰＳ、４ＣｚＰＮ、４ＣｚＴＰＮ、４ＣｚＩＰＮ、Ｓｐｉｒｏ－ＣＮ、ＰＸＺ－ＴＲＺを使用する。青色の発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料として、ＡＣＲＳＡ、ＡＣＲＸＴＮ、ＤＭＡＣ－ＤＰＳ、ＰＰＺ－４ＴＰＴ、２ＣｚＰＮを使用する。

【0492】

なお、ＴＡＤＦ材料は、４ＣｚＩＰＮ、ｐａｔａ－３ＣｚＢＮ、４ＣｚＢＮ、５ＣｚＢＮのように、分子にパラ体構造を導入して電荷非局在励起種を形成したものを採用することが好ましい。

【0493】

図４６に図示するように、赤の画素電極１５Ｒ、緑の画素電極１５Ｇ、青の画素電極１５Ｂの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが共通に形成されている。発光層１７Ｒは、複数の色の画素（赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂ）に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。

【0494】

同様に、発光層１７Ｇは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成され、発光層１７Ｂは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂは、ラフ蒸着マスクを使用して、表示画面３６の全体に形成されている。

【0495】

ラフ蒸着マスクは、表示領域に開口部が形成され、表示領域に開口部があり、表示領域以外に開口部がない蒸着マスクである。したがって、ラフ蒸着マスクを使用すると、表示領域部に連続した蒸着膜が形成され、他の領域には蒸着膜は形成されない。

【0496】

ファイン蒸着マスク（ＦＭＭ：Fine Metal Mask）は、各画素に対応して蒸着材料を蒸着する部分に開口部が形成されている蒸着マスクである。表示領域以外に開口部はない点はラフ蒸着マスクと同様である。

【0497】

画素電極１５上には、正孔輸送層１６が形成されている。画素電極１５と正孔輸送層１６間に正孔注入層（ＨＩＬ：Hole injection layer 図示せず）を形成してもよい。

【0498】

本発明で発光層１７等と表現するが、発光層１７は発光しない場合もある。たとえば、発光層１７Ｂｔの励起エネルギーがＦＲＥＴで発光層１７Ｂｆに移動し、発光層１７Ｂｆが発光する場合は、発光層１７Ｂｔは発光しないか、ほとんど発光しない。したがって、本明細書において発光層１７は発光することに限定されない。

【0499】

本発明のＥＬ表示パネルは、図４６に図示するように、画素電極１５Ｒの上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。同様に、画素電極１５Ｇの上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。また、画素電極１５Ｂの上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。

【0500】

赤色の発光層１７Ｒは、蛍光のゲスト材料Ｒｆ、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｒｔを含有する。緑色の発光層１７Ｇは、蛍光のゲスト材料Ｇｆ、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｇｔを含有する。青色の発光層１７Ｂは、発光層１７Ｂｆと発光層１７Ｂｔで構成される。発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料Ｂｆを含有する。発光層１７Ｂｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有する。

【0501】

また、各発光層１７は、ホスト材料とゲスト材料が共蒸着されて形成されている。各発光層１７のホスト材料は異ならせてもよい。たとえば、赤色の発光層１７Ｒには、ホスト材料としてｍＣＰを使用し、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂには、ホスト材料としてｍＣＢＰを使用することが例示される。

【0502】

ホスト材料は、電子輸送性、正孔輸送性を考慮して選択する。ｍＣＢＰは電子輸送性が高く、ｍＣＰは正孔輸送性が高い。ｍＣＰをアノード側に使用し、ｍＣＢＰをカソード側に使用することにより、発光効率等が向上する。また、発光層１７Ｒなどカソード側の発光層を改質する時、発光効率が向上する。
また、発光層にホスト材料が含んでいても、ホスト材料にエネルギー移動がすることがない、あるいは少なくなるようにホスト材料を選定する。

【0503】

発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。

【0504】

発光層１７の上方には、電子輸送層１８を形成されている。電子輸送層１８とカソード電極１９との間に電子注入層（ＥＩＬ：Electron injection layer 図示せず）を形成してもよい。電子輸送層１８の種類は、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂで異ならせてもよい。
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｂｆのゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。

【0505】

発光層１７Ｂｆのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。また、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。なお、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっていることが好ましい。

【0506】

発光層１７Ｇのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。また、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。なお、発光層１７ＧのＴＡＤＦゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっていることが好ましい。
なお、発光層１７の発光スペクトルと吸収スペクトルの重なりが大きい方が、ＦＲＥＴ効率が向上することから好ましい。

【0507】

ＴＡＤＦ材料は、三重項励起子を一重項励起子に熱的に変換することが可能である。したがって、三重項エネルギーを遷移確率の高い一重項エネルギーとして再利用することができるため、発光効率が優れている。

【0508】

ＴＡＤＦ材料の励起は、分子内のドナーおよびアクセプター部位間の電荷移動により誘起されるため、ＴＡＤＦ材料の発光スペクトルは、一般的に幅の広いスペクトルとなる。そのため、ＴＡＤＦ材料を発光色素とする有機ＥＬ素子２２は、広帯域の発光スペクトルとなる。蛍光のゲスト材料を発光層１７にドーピングした場合、一般的に幅の狭いスペクトルとなる。

【0509】

ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーを、蛍光のゲスト材料よりもわずかに高いように材料選定を行うことにより、ＦＲＥＴによりＴＡＤＦ材料から蛍光材料間にエネルギー移動が生じ、結果として高いEL量子効率を維持しつつ、純色（狭いスペクトル幅）発光を得ることができる。

【0510】

したがって、一般的な蛍光色素を発光分子とする有機ＥＬ素子においても理論限界に達するＥＬ効率を実現することが可能となる。また、ＥＬ素子２２の耐久性も著しく向上する。

【0511】

図４５は、図４６、図４７で説明した本発明の第９の実施例のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。画素３７Ｇの発光層１７Ｒ、画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇが改質されている。改質層９６ａ、改質層９６ｂは主としてゲスト材料が改質しているため、発光あるいは励起エネルギーが移動しない。ホスト材料は変化していらず、正孔輸送性能を維持している。

【0512】

図４５の画素３７Ｒにおいて、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｔ１に変換される。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。

【0513】

発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。

【0514】

発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。

【0515】

発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動することができる。
発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒ１から準位Ｓｒ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
以上の励磁エネルギーの移動は、発光層１７Ｂから、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｒに移動し、発光層１７Ｒで赤色の発光が発生するものである。

【0516】

発光層１７Ｒの発光は、発光層１７Ｒ内でも発生する。画素３７Ｒにおいて、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｒｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｒｔ１に変換される。発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒｔ１）から一重項励起状態（Ｓｒｔ１）に励起する。

【0517】

発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｔ１）は、蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｆ１）より、少し高い材料を選定している。

【0518】

発光層１７ＲのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｒｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。

【0519】

発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｔ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）より、少し高くなる関係の材料を選定している。

【0520】

発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｔ１）は、蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）より、少し高い関係のある材料を選定している。

【0521】

図４５において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質され改質層９６ａとなっている。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料および蛍光のゲスト材料の発光は発生しない。画素３７Ｇの発光層１７Ｂの励起エネルギーは、発光層１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇが発光する。

【0522】

画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。

【0523】

発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。

【0524】

発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。

【0525】

発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動することができる。

【0526】

画素３７Ｇは、正孔が改質された発光層１７Ｒのホスト材料中を移動し、発光層１７Ｇで電子と結合する。発光層１７Ｇにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇ１から準位Ｓｇ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。

【0527】

画素３７Ｇは、発光層１７ＧにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりもわずかに高い材料を選定する。

【0528】

また、発光層１７ＧにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。

【0529】

ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりもわずかに高い材料を選定する。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより、発光層１７Ｇ蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇｆ１）に移動する。

【0530】

画素３７Ｇは、正孔が改質された発光層１７Ｒのホスト材料中を移動し、発光層１７Ｇで電子と結合する。発光層１７Ｇにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇ１から準位Ｓｇ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
図４５の画素３７Ｇは、発光層１７ＢのＴＡＤＦ材料のエネルギーを吸収して発光層１７Ｇが発光する場合もある。

【0531】

発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｂｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｂｔ１に変換される。

【0532】

発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｂｆ１）より、少し高い関係の材料を選定している。

【0533】

発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｇｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇｆ１）に移動する。発光層１７Ｇにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇｆ１から準位Ｓｇｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。

【0534】

また、発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）に移動する。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｂｆ１）にエネルギー移動した一重項励起子は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇｆ１から準位Ｓｇｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。

【0535】

発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｒのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が一致している。また、好ましくは、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｒのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が一致している。また、発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）よりも高い準位となる関係になるように各材料が選定されている。また、発光層１７Ｂの蛍光の一重項励起準位（Ｓｂｆ１）は、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）よりも高い準位となる関係になるように各材料が選定されている。

【0536】

発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｒｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｂｔ１に変換される。

【0537】

発光層１７ＲのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。

【0538】

また、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。

【0539】

図４５において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質され改質層９６ａとなっている。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料および蛍光のゲスト材料の発光は発生しない。画素３７Ｇの発光層１７Ｂの励起エネルギーは、発光層１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇが発光する。

【0540】

画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。

【0541】

発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。

【0542】

発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。

【0543】

発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動することができる。

【0544】

図４５において、画素３７Ｂの発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなっている。また、画素３７Ｂの発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなっている。したがって、画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、および発光層ＴＡＤＦのゲスト材料および蛍光のゲスト材料は改質され発光しない。発光層１７Ｂの励起エネルギーが発生する場合は、エネルギーは発光層１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇが発光する。

【0545】

発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項準位（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）に移動することができる。

【0546】

画素３７Ｂは、正孔は、主として改質された発光層１７Ｒのホスト材料、発光層１７Ｇのホスト材料中を移動し、発光層１７Ｂで電子と結合する。発光層１７Ｂにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｂｆ１から準位Ｓｂｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｂは青（Ｂ）色の光を発生する。

【0547】

本発明の実施例において、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料としてＡＣＲＳＡが例示され、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料としてＴＢＰｅが例示される。
発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料としてＰＸＺ－ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＴＴＰＡが例示される。
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料としてｔｒｉ－ＰＸＺ－ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＤＢＰが例示される。

【0548】

本発明の明細書および図面では、ゲスト材料を３８とし、ホスト材料を３９としている。発光層１７Ｂｔはゲスト材料３８Ｂｔとホスト材料３９Ｂｔで構成されている。発光層１７Ｂｆはゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆで構成されている。発光層１７Ｇはゲスト材料３８Ｇとホスト材料３９Ｇで構成されている。発光層１７Ｒはゲスト材料３８Ｒとホスト材料３９Ｒで構成されている。

【0549】

図４７の本発明の実施例では、発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光のゲスト材料３８Ｒｆとホスト材料３９Ｒとが共蒸着されている。発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとホスト材料３９Ｇとが共蒸着されている。発光層１７Ｂｆは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆとが共蒸着され、発光層１７Ｂｔは蛍光のゲスト材料３８Ｂｔとホスト材料３９Ｂｔとが共蒸着されている。
また、画素３７Ｇの発光層１７Ｒが改質され、画素３７Ｂの発光層１７Ｒと発光層１７Ｇが改質されている。
図４６において、発光層は、ＴＡＤＦのゲスト材料と蛍光のゲスト材料のうち少なくとも一方のゲスト材料を含有する。

【0550】

図４３は、図４６の発光層１７の一実施例の構成図である。発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、ホスト材料３９Ｒで構成される。
発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、ホスト材料３９Ｒで構成される。
発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、ホスト材料３９Ｇで構成される。

【0551】

発光層１７Ｂｆは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ、ホスト材料３９Ｂｆで構成される。発光層１７Ｂｔは蛍光のゲスト材料３８Ｂｔ、ホスト材料３９Ｂｔで構成される。

【0552】

発光層１７Ｂｔでは電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。

【0553】

発光層１７Ｂｆにエネルギーアクセプターとして機能する蛍光のゲスト材料３８Ｂｆがドーピングされている場合、ＴＡＤＦ分子の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｂプロセスによりに青色の蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。

【0554】

ＦＲＥＴｂプロセスにより青色の蛍光分子に移動した一重項励起子エネルギーは、さらにＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動する。

【0555】

ＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。また、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動は、各発光層が改質されていない場合である。

【0556】

たとえば、発光層１７Ｒが改質されている場合は、ＦＲＥＴｒプロセスは発生せず、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。

【0557】

たとえば、発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇが改質されている場合は、ＦＲＥＴｇプロセスは発生せず、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動し、青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。

【0558】

図４３の実施例は、青色の発光層が発光層１７Ｂｔと発光層１７Ｂｆに分離された実施例である。図４４は、青色の発光層１７Ｂにおいて、ホスト材料３９ＢとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆが共蒸着されている構成である。他の発光層（発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂ）は図４３と同様である。

【0559】

発光層１７Ｂでは電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。

【0560】

発光層１７Ｂにエネルギーアクセプターとして機能する蛍光のゲスト材料３８Ｂｆがホスト材料３９Ｂと共蒸着されている場合、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｂプロセスによりに青色の蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。

【0561】

ＦＲＥＴｂプロセスにより青色の蛍光分子に移動した一重項励起子エネルギーは、さらにＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動する。

【0562】

ＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔあるいは蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、ＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。あるいは、緑色の発光層１７Ｇの緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの励磁エネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動し、移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。

【0563】

ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。また、緑色の発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料３８Ｇから赤色の発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動は、各発光層が改質されていない場合である。

【0564】

たとえば、発光層１７Ｒが改質されている場合は、ＦＲＥＴｒプロセスは発生せず、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。

【0565】

また、青色のゲスト材料３８Ｂから、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。

【0566】

発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇが改質されている場合は、ＦＲＥＴｇプロセスは発生せず、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動し、青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。

【0567】

図４３は、発光層１７Ｇに、ホスト材料３９ＧとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとが共蒸着されている。また、発光層１７Ｒに、ホスト材料３９ＢとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとが共蒸着されている。

【0568】

発光層１７Ｒｔの蛍光のゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。あるいは、緑色の発光層１７Ｇの緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの励磁エネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動し、移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。

【0569】

ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、ＦＲＥＴｒプロセスにより蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。また、発光層１７ＲｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔで電荷結合が生じることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子（三重項励起エネルギー）は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態（一重項励起エネルギー）に変換される。発光層１７Ｒｔで発生した一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｇにより発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する。

【0570】

蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。また、緑色の発光層１７Ｇｔの緑色のゲスト材料３８Ｇｔから赤色の発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動は、各発光層が改質されていない場合である。

【0571】

発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｒｆが改質されている場合は、ＦＲＥＴｒプロセスは発生せず、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。

【0572】

また、青色のゲスト材料３８Ｂｆから、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。

【0573】

発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｒｆおよび発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｇｆが改質されている場合は、ＦＲＥＴｇプロセスは発生せず、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動し、青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。

【0574】

図４７は、本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面および構成図である。図４７において、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されている。また、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質されている。

【0575】

図４７の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、赤色で発光する。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されているため発光しない。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、緑色で発光する。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質されているため発光しない。

【0576】

図４７の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料のほとんどは消光するか、または励起されない。

【0577】

画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方が小さい。

【0578】

画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光するゲスト材料を、より高い濃度で含有している。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、励起されない。

【0579】

または、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと電気的特性が異なっている。画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方がより小さい。

【0580】

画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇが含んでいる発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、励起されない。

【0581】

画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光層１７Ｒの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光層１７Ｇの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。

【0582】

図４４は、発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、ホスト材料３９Ｒで構成されている。発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、ホスト材料３９Ｇで構成されている。発光層１７Ｂｆは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ、ホスト材料３９Ｂｆで構成されている実施例であった。

【0583】

図４８は、本発明の第１１の実施例におけるＥＬ表示パネルの説明図である。また、図４９は、本発明の第１１の実施例におけるＥＬ表示パネルの構造図である。

【0584】

発光層１７Ｒは、発光層１７Ｒｆと発光層１７Ｒｔで構成されている。発光層１７Ｒｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、ホスト材料３９Ｒｆで構成される。発光層１７Ｒｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、ホスト材料３９Ｒｔで構成される。

【0585】

発光層１７Ｇは、発光層１７Ｇｆと発光層１７Ｇｔで構成されている。発光層１７Ｇｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、ホスト材料３９Ｇｆで構成される。発光層１７Ｇｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、ホスト材料３９Ｇｔで構成される。

【0586】

発光層１７Ｂは、発光層１７Ｂｆと発光層１７Ｂｔで構成されている。発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ、ホスト材料３９Ｂｆで構成される。発光層１７Ｂｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、ホスト材料３９Ｂｔで構成される。

【0587】

発光層１７Ｂｔでは電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。
発光層１７Ｂｆと発光層１７Ｂｆは積層されているため、発光層１７Ｂｔと発光層１７Ｂｆ間に、ＦＲＥＴｂプロセスが発生する。

【0588】

発光層１７Ｂｆにエネルギーアクセプターとして機能する蛍光のゲスト材料３８Ｂｆがドーピングされている場合、ＴＡＤＦ分子の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｂプロセスによりに青色の蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。

【0589】

ＦＲＥＴｂプロセスにより青色の蛍光分子に移動した一重項励起子エネルギーは、発光層１７ＧｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、または発光層１７Ｇｆのゲスト材料３８Ｇｆに移動する。発光層１７ＧｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、ＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇｆの緑色の蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動する。
発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、またはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔのエネルギーは、発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｇｆに移動する。

【0590】

ＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。また、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動は、各発光層が改質されていない場合である。

【0591】

図５０の実施例では、緑色の画素３７Ｇの発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔが改質されている。したがって、発光層１７Ｂｔあるいは発光層１７ＢｆのエネルギーはＦＲＥＴプロセス等により発光層１７Ｇｆに移動し、また、発光層１７ＧｔのエネルギーはＦＲＥＴプロセス等により、発光層１７Ｇｆに移動し、発光層１７Ｇｆが緑色で発光する。
また、図５０の実施例では、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｇｔが改質されている。

【0592】

発光層１７Ｂｔでは電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。
発光層１７Ｂｆと発光層１７Ｂｆは積層されているため、発光層１７Ｂｔと発光層１７Ｂｆ間に、ＦＲＥＴプロセスが発生し、発光層１７Ｂｆが発光する。
発光層１７Ｇｆには、励磁エネルギーが与えられないか、ほとんどエネルギーがないため、発光しない。

【0593】

図４３、図４４、図４８等では、発光層１７にＴＡＤＦ材料のゲスト材料、蛍光材料のゲスト材料を使用した実施例である。図４では、発光層１７にレーザ光５９ａを照射し、発生する光（燐光または蛍光）をモニターし、発光層１７を改質させる実施例を説明した。レーザ光５９ａによる発光層１７の改質は、図４３、図４４、図４８等にも適用できる。

【0594】

図４７の本発明にＥＬ表示パネルは、図４（ａ）のように配置する。レーザ光５９ａの照射により発光層１７から発生した発光７１は、レーザ窓６３ｂを通過し、波長フィルタ７５を所定の波長の光が通過して、光検出回路７６ｃに入射する。

【0595】

図４（ａ）において、レーザ窓６３ｂを透過する光は、発光７１だけでなく、レーザ光５９ａも透過する。光バンドパスミラー７２ａはレーザ光５９ａと透過し、発光７１と反射させる。光バンドパスミラー７２ａを反射した光は、ミラー７３ａで反射され、リレーレンズ７４ｂで中継される。光バンドパスミラー７２は、所定の帯域の波長の光を反射する光学的ミラーである。

【0596】

波長フィルタ７５は所定範囲の帯域の発光７１を透過させる。発光７１の波長帯域は、レーザ光５９ａの照射による発光層１７の改質状態により変化する。したがって、改質状態を把握するためには、波長フィルタ７５により一定の帯域を透過する光の強度を測定することが有効である。
波長フィルタ７５を透過した発光７１は、光検出回路７６ａのホトダイオード（ＰＤ）で、発光層１７からの発光７１を光－電気変換する。

【0597】

赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂには、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した赤色の発光層１７Ｒが形成される。緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒには、レーザ光５９ａが照射され、改質層９６ａとなる。

【0598】

光検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ａを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きく、レーザ光５９ａで発光層１７改質されると発生する発光７１の強度が低下、あるいは変化していく。また、発光７１の波長も変化する。

【0599】

発光層１７Ｒには、赤色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、赤色の蛍光材料の３８Ｒｆが含有されている。レーザ光５９ａの照射により、赤色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、赤色の蛍光材料の３８Ｒｆが励起されて発光する。ゲスト材料３８Ｒｔと蛍光材料の３８Ｒｆの発光波長（帯域）および発光強度は異なる。

【0600】

発光層１７Ｒに照射したレーザ光５９ａにより、赤色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、赤色の蛍光材料の３８Ｒｆからは発光７１は変化し、発光７１の変化に対応して、レーザ光５９ａの強度、レーザ光５９ａの照射位置、レーザ光５９ａのオンオフ（継続、停止）が制御される。

【0601】

発光７１は、燐光または蛍光がある。燐光と蛍光とは、発生するまでの遅延時間が異なる。したがって、レーザ光５９ａを発光層１７に照射後、発光７１の測定開始時間を設定することにより、発生した発光７１を燐光と蛍光に分離し、燐光または蛍光の強度、波長帯域、強度の変化、強度の変化割合を検出することができる。

【0602】

また、レーザ光５９ａの照射により、燐光材料が発生する燐光と、蛍光材料が発生する蛍光とは、波長または波長帯域が異なることが多い。したがって、燐光と蛍光を分離して、光検出回路７６ａで検出する、あるいは測定することにより、より良好に改質層９６に照射するレーザ光５９ａの強度の変更、オンオフを制御できる。

【0603】

以上のことは、ＴＡＤＦ材料に関しても同様である。ＴＡＤＦ材料にレーザ光発光７１は、蛍光材料または燐光材料と異なる発光特性の場合がある。ＴＡＤＦ材料の場合も、発生した発光７１をＴＡＤＦの発生光と、他の光とに分離し、発光の強度、波長帯域、強度の変化、強度の変化割合を検出することができる。また、ＴＡＤＦの発生光と他の光とを分離して、光検出回路７６ａで検出する、あるいは測定することにより、より良好に改質層９６に照射するレーザ光５９ａの強度の変更、オンオフを制御できる。

【0604】

発光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ａの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ａの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ａのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
発光７１の強度等が所定値以下となると、レーザ光５９ａは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ａの照射を停止する。

【0605】

光検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ａを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きく、レーザ光５９ａで発光層１７改質されると発生する発光７１の強度が低下していく。発光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ａの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ａの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ａのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
発光７１の強度等が所定値以下となると、レーザ光５９ａは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ａの照射を停止する。

【0606】

なお、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７を励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７に照射させてもよい。たとえば、蛍光発光用のレーザ光の発生装置を別途設置し、前記レーザ光を改質する発光層１７に照射してもよい。

【0607】

緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒの改質後、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した緑色の発光層１７Ｇが形成される。青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇには、レーザ光５９ａが照射され、改質層９６ｂとなる。

【0608】

青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇの改質は、改質層９６ａと同様であるため省略するが、青色の画素３７Ｂの発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆを含有する。レーザ光５９ａの照射により、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆは、各固有の発光７１が発生する。これらの発光７１を検出、あるいは測定してレーザ光５９ａを制御する。
青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇを改質後、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した青色の発光層１７Ｂが形成される。

【0609】

レーザ光５９ａは波長が固定波長のため、発生する発光７１の波長と分離しやすい。発光７１の波長検出が容易である。しかし、改質層９６ａと改質層９６ｂを改質させる際に発生する発光７１の波長帯域、波長、強度は異なる。改質層９６ａと改質層９６ｂとに照射する際に発生する発光７１は、発光層１７が発生する発光７１の波長に対応させて切り替える。あるいは波長フィルタ７５を取り替えることが好ましい。

【0610】

光制御装置７８でレーザ装置５８が出力するレーザ光５９の強度をモニターすることにより、発光層１７に照射するレーザ光強度を、安定した一定値にすることができるため、改質対象の画素の発光層１７を精度よく、消光状態にすることができる。

【0611】

レーザ光５９ａがＴＦＴ基板５２に順次、照射できるように、移動ステージ５１を動作させてＴＦＴ基板５２の位置を変化させる。もしくは、ガルバノミラー６２などを用いて、レーザ光５９aをＴＦＴ基板５２上に走査する。
なお、画素３７が透過性を有する場合は、図１１等で説明した方式を採用することで、発光層１７を改質できることは言うまでもない。

【0612】

図１１の実施例は、ＴＦＴ基板５２の裏面から放射される発光７１を検出し、検出した発光７１強度から、発光層１７等の改質状態をモニターし、あるいは、発光層１７へのレーザ光５９ｂの強度などを変化させる。発光７１は開口部２９１あるいは光透過部２９２を通過等して、Ａ／Ｄ変換回路８０に入射する。

【0613】

発光７１は、開口部２９１からＴＦＴ基板５２の裏面から出射される。図４と同様に、図１１に図示するように光検出装置７７、光制御装置７８を配置する。発光７１の強度が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいは、レーザ光５９ｂの照射を停止する。
以上の事項は、図４８、図４９、図５０の本発明のＥＬ表示パネル、ＥＬ表示パネルの製造方法においても適用できる。

【0614】

図５０において、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂには、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した赤色の発光層１７Ｒｆが形成される。続いて、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂには、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した赤色の発光層１７Ｒｔが形成されて、発光層１７Ｒｆと発光層１７Ｒｔが積層される。
緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔには、レーザ光５９ａが照射され、改質層９６ａとなる。

【0615】

なお、画素間に連続した赤色の発光層１７Ｒｆを形成し、発光層１７Ｒｔを形成し、発光層１７Ｒｆと発光層１７ｔとを積層した後、レーザ光５９ａを照射するとしたが、これに限定するものではない。たとえば、画素間に連続した赤色の発光層１７Ｒｆを形成し、レーザ光５９ａを照射して改質層９６ａとし、次に、画素間に連続した赤色の発光層１７Ｒｔを形成し、レーザ光５９ａを照射して、発光層１７Ｒｔを改質層９６ａとしても良いことは言うまでもない。

【0616】

光検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔの改質状態で変化する。発光層１７Ｒｆが改質される際に発生する発光７１と、発光層１７Ｒｔが改質される際に発生する発光７１とは、発光強度、発光波長、発光変化速度等が異なることが多い。したがって、発光７１の経時変化より、発光層１７Ｒｆと発光層１７Ｒｔとの改質状態をモニターし、レーザ光５９ａの制御を調整あるいは変化させる。

【0617】

また、発光層１７Ｒｆと発光層１７Ｒｔが吸収する光波長（レーザ光５９ａ等）が異なる場合等は、発光層１７Ｒｆに照射する光波長と、発光層１７Ｒｔに照射する光波長とを異ならせることが好ましい。発光層１７Ｒｆと発光層１７Ｒｔとが積層された状態では、異なる２種類以上の光波長を発光層１７Ｒに照射する。異なる２種類以上の光波長の強度、オンオフは独立して制御、調整できるように構成する。

【0618】

発光層１７Ｒに照射したレーザ光５９ａにより、発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｒｔからは発光７１は変化し、発光７１の変化に対応して、レーザ光５９ａの強度、レーザ光５９ａの照射位置、レーザ光５９ａのオンオフ（継続、停止）が制御される。

【0619】

発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｔとが発生する発光７１を分離して、光検出回路７６ａで検出する、あるいは測定することにより、より良好に、発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｔに照射するレーザ光５９ａの強度の変更、オンオフを制御できる。

【0620】

発光層１７Ｒｔの発光７１と発光層１７Ｒｔの発光７１とのいずれかの発光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ａの照射を停止するように構成することにより、発光層１７Ｒの改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ａの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ａのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更させる。
発光７１の強度等が所定値以下となると、レーザ光５９ａは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ａの照射を停止する。

【0621】

なお、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７Ｒｆ、発光層Ｒｔを励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７に照射させてもよい。たとえば、発光層１７Ｒｆ用のレーザ光の発生装置と、発光層１７Ｒｔ用のレーザ光の発生装置を別途設置し、前記レーザ装置からのレーザ光を改質する発光層１７に照射してもよい。

【0622】

緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔの改質後、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した緑色の発光層１７Ｇｆ、発光層１７Ｇｔが形成される。青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇｔには、レーザ光５９ａが照射され、改質層９６ｂとなる。

【0623】

青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇｆは、発光する可能性はあるが、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇｔが改質層９６ｂとなっており、改質層９６Ｇｔから発光層１７Ｇｆへのエネルギー移動はなく、また、発光層１７ＧｆのＨＯＭＯ、ＬＵＭＯレベルが発光の条件にならないように、構成されているため、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇｆは発光しない。

【0624】

青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇｔを改質後、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素間に連続した青色の発光層１７Ｂｆおよび青色の発光層１７Ｂｔが形成される。

【0625】

なお、図１、図２６、図２８、図３２、図３４、図３６、図３８、図４３、図４４、図４８等の実施例において、蛍光のゲスト材料３８を使用するとしたが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、蛍光のゲスト材料３８の代わりに燐光材料からなるゲスト材料３８を使用しても良いことは言うまでもない。また、蛍光材料と燐光材料の両方のゲスト材料を発光層１７に使用してのよい。また、各発光層で、燐光材料と蛍光材料を選択して使用してもよい。
以上のように、本発明は、レーザ光などを照射し、発光層１７などを改質あるいは除去させて非発光状態とすることを技術思想としている。
実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。

【0626】

そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが例示される。

【0627】

図５１（ａ）は、本発明のＥＬ表示パネル３７１を用いたディスプレイの斜視図である。ＥＬ表示パネル３７１は筐体３７２に取り付けられている。図５１（ａ）に示すディスプレイは様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。
図５１（ｂ）は、本発明のＥＬ表示パネル３７１を用いたスマートフォンの斜視図である。ＥＬ表示パネル３７１は筐体３７２に取り付けられている。

【0628】

本実施の形態に係るＥＬ表示パネルを用いたＥＬ表示装置とは、情報機器などのシステム機器を含む概念である。表示装置の概念は、情報機器などのシステム機器を含む。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。

【0629】

また、上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。

【産業上の利用可能性】

【0630】

本開示は、ＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルに有用である。特に、アクティブ型の有機ＥＬフラットパネルディスプレイに有用である。また、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法、製造装置として有用である。

【符号の説明】

【0631】

１２ 反射膜
１４ 絶縁膜
１５ 画素電極
１６ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７ 発光層（ＥＭＬ）
１８ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１９ カソード電極
２０ 封止層
２１ ＴＦＴ（トランジスタ）
２２ ＥＬ素子
２３ コンデンサ
２７ 封止フィルム
２８ 平坦化膜
２９ 円偏光板（円偏光フィルム）
３１ ゲートドライバＩＣ（回路）
３２ ソースドライバＩＣ（回路）
３４ ゲート信号線
３５ ソース信号線
３６ 表示画面
３７ 画素
３８ ゲスト材料
３９ ホスト材料
５２ ＴＦＴ基板
５４ 真空ポンプ
５５ 排気ダクト
５６ 蒸着室
５８ レーザ装置
５９ レーザ光
６０ 光量調整フィルタ
６１ シリンドリカルレンズ
６２ ガルバノミラー
６３ レーザ窓
６４ ｆθレンズ
６５ 金属蒸発源
６６ 有機蒸発源
７１ 燐光・蛍光
７２ 光分離ミラー
７３ ミラー
７４ レンズ
７５ フィルタ
７６ 光検出回路
７７ 光検出装置
７８ 光制御装置
７９ レーザ制御回路
８０ ホトダイオード（光センサ）
８１ 開口部
８２ 光透過部
８４ オペアンプ
９１ レーザスポット
９２ スリットマスク
９４ 透明基板
９５ 土手
１１１ チャンバー室
１１２ ロードロック室
１１３ 搬入室
１１４ 搬出室
１１５ 中央室
１１６ チャンバー室
１１８ レーザ装置室
１２１ 黒色樹脂
１２２ ＬＥＤ
１２３ ベース基板
３７１ ＥＬ表示パネル
３７２ 筐体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】

【図44】

【図45】

【図46】

【図47】

【図48】

【図49】

【図50】

【図51】

【図52】

【図53】