(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-05-19
(45)【発行日】2023-05-29
(54)【発明の名称】基板処理方法及び基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230522BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643A
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2020146636
(22)【出願日】2020-09-01
(65)【公開番号】P2021040134
(43)【公開日】2021-03-11
【審査請求日】2021-09-02
(31)【優先権主張番号】10-2019-0109579
(32)【優先日】2019-09-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】リ，ムヒョン
(72)【発明者】
【氏名】バン，ビョンソン
(72)【発明者】
【氏名】キム，フィワン
【審査官】平野 崇
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－０１５２８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－２０１６２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－２０４５１５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理方法であって、回転する基板上に処理液を供給して基板を処理する液処理段階と、
前記処理液の供給を中止し、前記基板上に洗浄液を供給する洗浄段階と、を含み、
前記洗浄段階は、
回転する前記基板の上部で前記基板の中心から第１方向に離隔された地点に第１ノズルから第１液を吐出し、前記基板の中心から第２方向に離隔された地点に第２ノズルから第２液を吐出し、上部から見る時、前記第１液は、前記基板に弾着された後、前記基板の回転によって前記第２ノズルに向かう方向に流れ、前記第２液は、前記基板に弾着された後、前記基板の回転によって前記第１ノズルに向かう方向に流れ、
前記第１液の弾着地点と前記第２液の弾着地点は、前記基板の中心から互いに反対方向に所定の距離隔されて提供され、
前記基板の直径は、３００ｍｍであり、前記第１液の弾着地点と前記第２液の弾着地点は、５ｍｍ乃至３０ｍｍの距離隔されて提供されるものであり、
前記第１ノズルと前記第２ノズルは、前記基板を囲むカップに固定されて提供されることができる基板処理方法。
【請求項2】
前記第１液と前記第２液は、前記基板に対して斜線方向に吐出される請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
上部から見る時、前記第１液の吐出方向と前記第２液の吐出方向は、互いに向かう方向に提供される請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記第１液と前記第２液は、同時に吐出される請求項１乃至請求項３のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記第１液と前記第２液は、同一な種類の液で提供される請求項１乃至請求項３のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項6】
基板処理装置であって、処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された前記基板の処理面上の第１地点に第１液を供給する第１ノズルと、
前記支持ユニットに支持された前記基板の処理面上の第２地点に第２液を供給する第２ノズルと、を含み、
前記第１地点は、前記第１ノズルの吐出端と前記第２ノズルの吐出端を連結する仮想線を基準に前記仮想線の一側に位置し、
前記第２地点は、前記仮想線の他の側に位置し、
上部から見る時、前記第１液は、前記基板に弾着された後、前記基板の回転によって前記第２ノズルに向かう方向に流れ、前記第２液は、前記基板に弾着された後、前記基板の回転によって前記第１ノズルに向かう方向に流れ、
前記基板の直径は、３００ｍｍであり、前記第１液の弾着地点と前記第２液の弾着地点は、５ｍｍ乃至３０ｍｍの距離隔されて提供されるものであり、
前記装置は、前記処理空間を囲むカップをさらに含み、
前記第１ノズル及び前記第２ノズルは、前記カップに固定されて提供されることができる基板処理装置。
【請求項7】
前記基板の中心は、前記第１地点と前記第２地点との間に位置する請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記第１地点と前記基板の中心との間の距離は、前記第２地点と前記基板の中心間の距離と同一である請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第１ノズル及び前記第２ノズルは、上部から見る時、互いに向かう方向に提供される請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第１ノズルは、前記基板の中心から第１距離離隔された第１地点に前記第１液が弾着されるように提供され、前記第２ノズルは、前記基板の中心を基準に前記第１地点と反対側に前記基板の中心から第２距離離隔された第２地点に前記第２液を弾着する請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記第１距離と前記第２距離は、同一である請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記第１液と前記第２液は、同一の液である請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板処理方法であって、回転する基板の上部で第１ノズル及び第２ノズルから前記基板上に斜線方向に各々第１液と第２液を同時に吐出し、
前記第１ノズルから吐出される前記第１液と前記第２ノズルから吐出される前記第２液は、前記基板の回転によって互いに異なる方向に広がるように前記第１ノズルから吐出される前記第１液の吐出方向と前記第２ノズルから吐出される前記第２液の吐出方向が互いに異なりに提供され、
上部から見る時、前記第１液は、前記基板に弾着された後、前記基板の回転によって前記第２ノズルに向かう方向に流れ、前記第２液は、前記基板に弾着された後、前記基板の回転によって前記第１ノズルに向かう方向に流れ、
前記第１液の弾着地点と前記第２液の弾着地点は、前記基板の中心から互いに反対方向に所定の距離隔されて提供され、
前記基板の直径は、３００ｍｍであり、前記第１液の弾着地点と前記第２液の弾着地点は、５ｍｍ乃至３０ｍｍの距離隔されて提供されるものであり、
前記第１ノズルと前記第２ノズルは、前記基板を囲むカップに固定されて提供されることができる基板処理方法。
【請求項14】
上部から見る時、前記第１液の吐出方向と前記第２液の吐出方向は、互いに１８０°をなすように提供される請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記第１液と前記第２液は、同一な種類の液で提供される請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項16】
回転する前記基板の上部で前記基板上に斜線方向に第３液を吐出する第３ノズルをさらに含む請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項17】
前記第１液の吐出方向、前記第２液の吐出方向、及び前記第３液の吐出方向は互いに１２０°をなすように提供される請求項１６に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は基板処理方法及び基板処理装置に関り、さらに詳細には基板に液を供給して基板を液処理する基板処理方法及び基板処理装置に係る。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するためには写真、蒸着、アッシング、蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。また、このような工程が遂行される前後には基板上に残留されたパーティクルを洗浄処理する洗浄工程が遂行される。
【0003】
洗浄工程は、スピンヘッドに支持されて回転する基板にケミカルが供給する工程、基板に脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ；ＤＩＷ）等のような洗浄液を供給して基板上でケミカルが除去する工程、その後に洗浄液より表面張力が低いイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液のような有機溶剤を基板に供給して基板の上の洗浄液を有機溶剤で置換する工程、そして置換された有機溶剤を基板上で除去する工程を含む。洗浄工程で基板の乾燥を防止するために、ケミカルを供給する前後に基板に脱イオン水を供給する。
【0004】
基板を処理する容器内で回転する基板上にノズルを通じて様々な液を供給して洗浄が行われる。ノズルは工程位置と待機位置を往復移動する。工程位置は、基板上に液処理を行うために基板の上部にノズルが位置する場所である。待機位置は基板上に液処理をノズルが液処理をするノズルを妨害しなく、待機する場所である。
【0005】
いずれか１つの液を供給したノズルが工程位置から待機位置に移動し、次の液を供給するためのノズルが待機位置から工程位置に移動する時、その間に基板が自然乾燥されることを防止するように容器に固定されたノズルから基板に脱イオン水を供給する。又は、ケミカルが基板に供給して処理した後、基板上でケミカルが除去する容器に固定されたノズルから基板に脱イオン水を供給する。
【0006】
図１に図示されたように、従来には回転する基板Ｗ上に２つのノズル２１、２３が各々基板Ｗのセンター領域Ｐ１とミドル領域Ｐ２に脱イオン水を供給する。センター領域に吐出された脱イオン水とミドル領域に吐出された脱イオン水が基板Ｗの回転によって同一方向に流れるので、センター領域に吐出された脱イオン水がエッジ領域に向かって流れる途中にミドル領域に吐出された脱イオン水と衝突する。センター領域に吐出された脱イオン水は基板のエッジ領域に行くほど、回転運動エネルギーが大きくなるので、衝突によってミドル領域に吐出された脱イオン水は基板の外側に向かって跳ねていく。
【0007】
これによって、基板Ｗの一部領域で基板Ｗがウェッティングされずに乾燥される領域が発生する。また、衝突によって跳ねて出た脱イオン水はその水位が高くなり、図２に図示されたように基板Ｗの側面を支持するチョクピン１０と衝突した後、基板Ｗの外部に飛散される。
【0008】
脱イオン水にはケミカルの置換過程でケミカルが含有されているので、飛散された脱イオン水はチャンバーの内部を汚染させ、また壁等に当たってリバウンドされた脱イオン水は基板に再び付着される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【文献】韓国特許第１０－８３０２６５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明の目的は洗浄効率を向上されることができる基板処理方法及び装置を提供することにある。
【0011】
本発明の目的は基板の上の互いに異なる位置に吐出された脱イオン水が互いに衝突することを防止する基板処理方法及び装置を提供することにある。
本発明の目的は基板に吐出された洗浄液によって、チャンバー又はその内部の部品を汚染させることを防止する基板処理方法及び装置を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明の目的は基板に吐出された洗浄液によって、チャンバー又はその内部の部品を汚染させることを防止する基板処理方法及び装置を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明は基板を処理する方法を提供する。一実施形態によれば、回転する基板上に処理液を供給して基板を処理する液処理段階と、処理液の供給を中止し、基板上に洗浄液を供給する洗浄段階と、を含み、洗浄段階は、回転する基板の上部で基板の中心から第１方向に離隔された地点に第１ノズルから第１液を吐出し、基板の中心から第２方向に離隔された地点に第２ノズルから第２液を吐出し、上部から見る時、第１液は基板に弾着された後、第２ノズルに向かう方向に流れ、第１液は基板に弾着された後、第１ノズルに向かう方向に流れるように提供されることができる。
【0013】
一実施形態によれば、第１液と第２液は基板に対して斜線方向に吐出されることができる。
【0014】
一実施形態によれば、第１液の吐出方向と第２液の吐出方向は互いに向かう方向に提供されることができる。
【0015】
一実施形態によれば、第１液の弾着地点と第２液の弾着地点は基板の中心から互いに反対方向に所定の距離離隔されて提供されることができる。
【0016】
一実施形態によれば、基板は直径が３００ｍｍであり、第１液の弾着地点と第２液の弾着地点は５ｍｍ乃至３０ｍｍ離隔されて提供されることができる。
【0017】
一実施形態によれば、基板が処理される処理空間を囲むカップを含み、第１ノズル及び第２ノズルはカップに固定されて提供されることができる。
【0018】
一実施形態によれば、第１液と第２液は同時に吐出されることができる。
【0019】
一実施形態によれば、第１液と第２液は同一な種類の液で提供されることができる。
【0020】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態によれば、基板処理装置は、空間を提供するハウジングと、処理空間で基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに支持された基板の処理面上の第１地点に第１液を供給する第１ノズルと、支持ユニットに支持された基板の処理面上の第２地点に第２液を供給する第２ノズルと、を含み、第１地点は第１ノズルの吐出端と第２ノズルの吐出端を連結する仮想線を基準に仮想線の一側に位置し、第２地点は仮想線の他の側に位置されることができる。
【0021】
一実施形態によれば、基板の中心は第１地点と第２地点との間に位置されることができる。
【0022】
一実施形態によれば、第１地点と基板の中心間の距離は第２地点と基板の中心間の距離と同一であることができる。
【0023】
一実施形態によれば、第１ノズル及び第２ノズルは互いに向かう方向に提供されることができる。
【0024】
一実施形態によれば、第１ノズルは基板の中心から第１距離ぐらい離隔された第１地点に第１液が弾着されるように提供され、第２ノズルは基板の中心を基準に第１地点と反対側に基板の中心から第２距離ぐらい離隔された第２地点に第２液を弾着することができる。
【0025】
一実施形態によれば、第１距離と第２距離は同一であることができる。
【0026】
一実施形態によれば、基板の直径は３００ｍｍであり、第１液の吐出地点と第２液の吐出地点は５ｍｍ乃至３０ｍｍ離隔されて提供されることができる。
【0027】
一実施形態によれば、処理空間を囲むカップをさらに含み、第１ノズル及び第２ノズルはカップに固定されて提供されることができる。
【0028】
一実施形態によれば、第１液と第２液は同一の液である。
【0029】
また、本発明の基板処理方法は、一実施形態によれば、回転する基板の上部で第１ノズル及び第２ノズルから基板上に斜線方向に各々第１液と第２液を同時に吐出し、第１ノズルから吐出される第１液と第２ノズルから吐出される第２液は基板の回転によって互いに異なる方向に広がるように第１ノズルから吐出される第１液の吐出方向と第２ノズルから吐出される第２液の吐出方向が互いに異なりに提供されることができる。
【0030】
一実施形態によれば第１液の吐出方向と第２液の吐出方向は互いに１８０°をなすように提供されることができる。
【0031】
一実施形態によれば、第１液の弾着地点と第２液の弾着地点は基板の中心から互いに反対方向に所定の距離離隔されて提供されることができる。
【0032】
一実施形態によれば、基板が処理される処理空間を囲むカップを含み、第１ノズル及び第２ノズルはカップに固定されて提供されることができる。
【0033】
一実施形態によれば、第１液と第２液は同一な種類の液で提供されることができる。
【0034】
一実施形態によれば、回転する基板の上部で基板上に斜線方向に第３液を吐出する第３ノズルをさらに含むことができる。
【0035】
一実施形態によれば、第１液の吐出方向、第２液の吐出方向及び第３液の吐出方向は互いに１２０°をなすように提供されることができる。
【発明の効果】
【0036】
本発明の一実施形態によれば、基板の洗浄効率を向上させることができる。
【0037】
本発明の一実施形態によれば、基板の上の互いに異なる位置に吐出された脱イオン水が互いに衝突することを防止することができる。
【0038】
本発明の一実施形態によれば、基板に吐出された洗浄液によってチャンバー又はその内部の部品を汚染させることを防止することができる。
【0039】
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】従来の基板処理装置で基板上に洗浄液が吐出される形状を示す図面である、
【図2】従来の基板処理装置でチョクピンと洗浄液が衝突して洗浄液が基板の外部に飛散される形状を示す図面である。
【図3】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る第１ノズルと第２ノズルを上部から見た形状を示す図面である。
【図6】回転する基板上に第１液と第２液が吐出される形状を示す図面である。
【図7】本発明の一実施形態に係る第１ノズル、第２ノズル、及び第３ノズルを上部から見た形状を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
【0042】
図３は本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。
図３を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０と処理モジュール２０を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向９２とし、上部から見る時、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４と全て垂直になる方向を第３方向９６とする。
図３を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０と処理モジュール２０を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向９２とし、上部から見る時、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４と全て垂直になる方向を第３方向９６とする。
【0043】
インデックスモジュール１０は収納された容器８０から基板Ｗを処理モジュール２０に搬送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２（ｌｏａｄｐｏｒｔ）とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
【0044】
器８０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
【0045】
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板Ｗが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
【0046】
処理モジュール２０はバッファユニット２００、搬送チャンバー３００、液処理チャンバー４００を含む。バッファユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板Ｗと処理モジュール２０から搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。液処理チャンバー４００は基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する。搬送チャンバー３００はバッファユニット２００と液処理チャンバー４００との間に基板Ｗを搬送する。
【0047】
搬送チャンバー３００はその長さ方向が第１の方向９２に提供されることができる。バッファユニット２００はインデックスモジュール１０と搬送チャンバー３００との間に配置されることができる。液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバー４００と搬送チャンバー３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファユニット２００は搬送チャンバー３００の一端に位置されることができる。
【0048】
一例によれば、液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の両側に配置し、搬送チャンバー３００の一側で液処理チャンバー４００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。
【0049】
搬送チャンバー３００は搬送ロボット３２０を有する。搬送チャンバー３００内には長さ方向が第１の方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、搬送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。搬送ロボット３２０は基板Ｗが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
【0050】
バッファユニット２００は基板Ｗが置かれる複数のバッファ２２０を具備する。バッファ２２０は第３方向９６に沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファユニット２００は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー３００と対向する面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファユニット２００に接近し、搬送ロボット３２０は背面を通じてバッファユニット２００に接近することができる。
【0051】
図４は図３の液処理チャンバー４００の一実施形態を概略的に示す図面である。図４を参照すれば、液処理チャンバー４００はハウジング４１０、カップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、そして昇降ユニット４８０を有する。
【0052】
ハウジング４１０は大体に直方体形状に提供される。カップ４２０、支持ユニット４４０、そして液供給ユニット４６０はハウジング４１０内に配置される。
【0053】
カップ４２０は上部が開放された処理空間を有し、基板Ｗは処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内で基板Ｗを支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板Ｗ上に液を供給する。液は複数の種類に提供され、基板Ｗ上に順次的に供給されることができる。昇降ユニット４８０はカップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
【0054】
一例によれば、カップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を有する。回収筒４２２、４２４、４２６は各々基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。各々の回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状に提供される。液処理工程を進行する時、基板Ｗの回転によって飛散される処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２ａ、４２４ａ、４２６ａを通じて回収空間に流入される。
【0055】
一例によれば、カップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４に液が流入する第２流入口４２４ａは第１回収筒４２２に液が流入する第１流入口４２２ａより上部に位置され、第３回収筒４２６に液が流入する第３流入口４２６ａは第２流入口４２４ａより上部に位置されることができる。
【0056】
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は大体に円形に提供され、基板Ｗより大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板Ｗの後面を支持する支持ピン４４２ａが提供され、支持ピン４４２ａは基板Ｗが支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突出されるように提供される。
【0057】
支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２ｂが提供される。チャックピン４４２ｂは支持板４４２から上部に突出されるように提供され、基板Ｗが回転される時、基板Ｗが支持ユニット４４０から離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。駆動軸４４４は駆動器４４６によって駆動され、基板Ｗの底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準に回転させる。
【0058】
昇降ユニット４８０はカップ４２０を上下方向に移動させる。カップ４２０の上下移動によってカップ４２０と基板Ｗとの間の相対高さが変更される。これによって、基板Ｗに供給される液の種類に応じて処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液を分離回収することができる。上述したことと異なりに、カップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
【0059】
液供給ユニット４６０は、基板Ｗ上に各種処理液を供給する。液供給ユニット４６０は、ケミカル供給部材４６１、有機溶剤供給部材４６３、そして洗浄液供給部材４７０を有する。ケミカル供給部材４６１は基板Ｗ上にケミカルが供給して基板Ｗ上に残留する膜質やパーティクルを除去する。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。例えば、ケミカルは希釈された硫酸（Ｈ２ＳＯ４、Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）、リン酸（Ｐ２Ｏ５）、フッ酸（ＨＦ）そして水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を含むことができる。
【0060】
ケミカル供給部材４６１はケミカルノズル４６２、支持アーム４６４、そしてアーム駆動器（図示せず）を有する。図面にはケミカル供給部材４６１に単一のケミカルノズル４６２が具備されたが、他の例で、ケミカル供給部材４６１は複数のケミカルノズルを含み、各々のケミカルは互いに異なるノズルを通じて供給されることができる。複数のケミカルノズルは互いに異なるアームによって支持され、各々のアームは互いに独立的に駆動されることができる。
【0061】
洗浄液供給部材４７０は基板Ｗの上に洗浄液を供給して基板Ｗ上のケミカルが除去する。又は、いずれか１つの液を供給したノズルが工程位置から待機位置に移動し、次の液を供給するためのノズルが待機位置から工程位置に移動する時、その間に基板Ｗが自然乾燥されることを防止するように容器に固定されたノズル４７１、４７２から基板Ｗに脱イオン水を供給する。
【0062】
洗浄液供給部材４７０は第１ノズル４７１と第２ノズル４７２を含む。一例で、第１ノズル４７１及び第２ノズル４７２はカップ４２０に固定設置される。第１液は基板Ｗ上に残存する膜や異物を除去する液である。例えば、洗浄液は脱イオン水である。
有機溶剤供給部材４６３は洗浄液より表面張力が低い有機溶剤を基板Ｗ上に供給して基板Ｗ上の洗浄液を有機溶剤で置換する。有機溶剤供給部材４６３は図面に図示されずが、ケミカル供給部材４６１と同様に溶剤供給ノズル、支持アーム、そしてアーム駆動器を有する。一例で、有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ；ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）である。
有機溶剤供給部材４６３は洗浄液より表面張力が低い有機溶剤を基板Ｗ上に供給して基板Ｗ上の洗浄液を有機溶剤で置換する。有機溶剤供給部材４６３は図面に図示されずが、ケミカル供給部材４６１と同様に溶剤供給ノズル、支持アーム、そしてアーム駆動器を有する。一例で、有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ；ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）である。
【0063】
図５は本発明の一実施形態に係る第１ノズル４７１と第２ノズル４７２を上部から見た形状を示す。図５を参照すれば、第１ノズル４７１と第２ノズル４７２は互いに向かう方向に第１液と第２液を供給するように提供される。ここで、互いに向かう方向とは正確に互いに対向する方向のみならず、各ノズルの周辺に向かう方向に対向する場合も含まれる。
【0064】
第１ノズル４７１は支持ユニット４４０に支持された基板Ｗの処理面上の第１地点Ｐ１に第１液を供給する。第２ノズル４７２は支持ユニット４４０に支持された基板Ｗの処理面上の第２地点Ｐ２に第２液を供給する。
【0065】
上部から見る時、第１地点Ｐ１は仮想線Ｘの一側に位置し、第２地点Ｐ２は仮想線Ｘの他の側に位置する。ここで、仮想線Ｘは上部から見る時、第１ノズル４７１の吐出端と第２ノズル４７２の吐出端を連結した直線である。
【0066】
第１ノズル４７１は基板Ｗの中心Ｒから第１距離ぐらい離隔された第１地点Ｐ１に第１液を弾着する。第２ノズル４７２は基板Ｗの中心Ｒを基準に第１地点Ｐ１と反対側に基板Ｗの中心Ｒから第２距離ぐらい離隔された第２地点Ｐ２に第２液を弾着する。
【0067】
基板Ｗの中心Ｒは第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２との間に位置する。一例で、第１地点Ｐ１と基板Ｗの中心Ｒとの間の距離は第２地点Ｐ２と基板Ｗの中心Ｒとの間の距離と同一に提供される。第１地点Ｐ１、基板の中心Ｒ、そして第２地点Ｐ２は順次的に一直線上に置かれることがきる。第１液と第２液は同一の液で提供されることができる。一例で、第１液と第２液は水である。
【0068】
図６は本発明の一実施形態に係る洗浄段階で第１ノズル４７１と第２ノズル４７２が各々基板Ｗ上に第１液と第２液を吐出する形状を示す。図６を参照すれば、洗浄段階で、第１ノズル４７１と第２ノズル４７２は回転する基板Ｗの上部から斜線方向に水を吐出する。
【0069】
第１ノズル４７１及び第２ノズル４７２から水が同時に吐出される。第１ノズル４７１と第２ノズル４７２が水を吐出する時期は完全に重畳されることができる。第１ノズル４７１は基板Ｗの中心Ｒから第１方向に離隔された第１地点Ｐ１に水を吐出する。第２ノズル４７２は基板Ｗの中心Ｒから第２方向に離隔された第２地点Ｐ２に水を吐出する。
【0070】
第１ノズル４７１と第２ノズル４７２から吐出される水の吐出方向は互いに異なる。したがって、第１ノズル４７１と第２ノズル４７２から吐出される水は基板Ｗの回転によって互いに異なる方向に広がっていく。
【0071】
したがって、第１ノズル４７１から吐出された水は基板Ｗに弾着された後、基板Ｗの回転によって第２ノズル４７２に向かう方向に流れ、第２ノズル４７２から吐出された水は基板Ｗに弾着された後、基板Ｗの回転によって第１ノズル４７１に向かう方向に流れる。
【0072】
第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２は基板Ｗに吐出された第１液と第２液は基板Ｗの回転によって広がる時、互いに衝突することを防止するか、或いは衝突を最小化することができる。
【0073】
一例で、基板Ｗが３００ｍｍ直径を有するウエハである時、第１地点Ｐ１、基板Ｗの中心Ｒ、そして第２地点Ｐ２は一直線上に位置し、第１地点Ｐ１と基板Ｗの中心Ｒとの間の距離、及び第２地点Ｐ２と基板Ｗの中心Ｒとの間の距離は各々５ｍｍである。
【0074】
次に、図６の基板処理装置を利用して基板を処理する方法の一例を説明する。
【0075】
基板処理方法は液処理段階、洗浄段階、溶剤供給段階、そして乾燥段階を含む。制御器４０は以下で説明する基板処理方法を遂行するために液供給ユニット４６０と洗浄液供給部材４７０を制御する。
【0076】
液処理段階では、液供給ユニットが回転する基板Ｗ上にケミカルが供給して基板Ｗを処理する。その後、ケミカルの供給が中断され、洗浄段階が遂行される。洗浄段階では処理液の供給を中止し、回転する基板Ｗ上に第１ノズル４７１と第２ノズル４７２が洗浄液を供給する。その後、洗浄段階が完了されれば、溶剤供給段階が遂行される。溶剤供給段階では基板Ｗ上の洗浄液を有機溶剤で置換する。溶剤供給段階が完了されれば、基板を乾燥する段階が遂行される。基板Ｗの乾燥は基板Ｗを高速に回転させて遂行されることができる。選択的に乾燥段階で基板Ｗを回転させる間に基板Ｗ上に不活性気体のような乾燥気体が供給されることができる。乾燥気体は加熱された状態に供給されることができる。選択的に乾燥段階で乾燥工程を遂行するチャンバーは超臨界流体を利用して基板を乾燥することができる。
【0077】
上述した例では洗浄液供給部材４７０が第１ノズル４７１と第２ノズル４７２を具備することと説明した。しかし、これと異なりに洗浄液供給部材４７０は３つ又はさらに多い数のノズルを有することができる。
【0078】
図７は洗浄液供給部材４７０第１ノズル４７１ａ、第２ノズル４７２ａ、そして第３ノズル４７３を有する例を概略的に示した図面である。図７を参照すれば、回転する基板Ｗの上部から基板Ｗ上に斜線方向に第３液を吐出する第３ノズル４７３をさらに含むことができる。第１ノズル４７１ａから吐出される第１液の吐出方向は第２ノズル４７２ａと第３ノズル４７３との間に向かい、第２ノズル４７２ａから吐出される第２液の吐出方向は第１ノズル４７１ａと第３ノズル４７３との間に向かうように提供されることができる。
【0079】
本発明の一実施形態によれば、水が基板Ｗの両方から噴射されて基板Ｗがウェッティングされるので、基板Ｗ上に基板に吐出された水の衝突が発生する区間が最小化され、水の飛散が最小化される長所がある。また、エッジ領域でチョクピン４４２ｂと水が衝突して水が基板の外部に飛散される現象が防止される長所がある。
【0080】
本発明の一実施形態によれば、第１ノズル４７１から水が弾着される第１地点Ｐ１と第２ノズル４７２から水が弾着される第２点が離隔されて提供されることによって、第１ノズル４７１と第２ノズル４７２で同時に水が噴射されても基板Ｗ上の水位が急激に上昇されることを防止することができる長所がある。
【0081】
上述した例では第１ノズル４７１と第２ノズル４７２が水を吐出する時期が完全に重畳されることを例として説明したが、これと異なりに第１ノズル４７１と第２ノズル４７２が水を吐出する時期は一部のみが重畳されることができる。
【0082】
上述した例では、第１ノズル４７１と第２ノズル４７２はカップ４２０に固定されることと説明した。しかし、第１ノズル４７１と第２ノズル４７２はカップ以外の他の部分に固定されることができる。
【0083】
上述した例では洗浄液供給部材４７０がカップ４２０に固定された第１ノズル４７１と第２ノズル４７２を有することと説明したが、洗浄液供給部材４７０は第１ノズル４７１と第２ノズル４７２の外に追加的に移動アームに装着されて洗浄液を供給するノズルをさらに含むことができる。
【0084】
上述した例では第１ノズル４７１と第２ノズル４７２が吐出する液が水のような洗浄液であることと説明したが、本発明の技術的思想は水以外に他の種類の様々な液の吐出にも適用されることができる。
【0085】
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
【符号の説明】
【0086】
４２０ カップ
４６０ 液供給ユニット
４７０ 洗浄液供給部材
４７１ 第１ノズル
４７２ 第２ノズル
４７３ 第３ノズル
４６０ 液供給ユニット
４７０ 洗浄液供給部材
４７１ 第１ノズル
４７２ 第２ノズル
４７３ 第３ノズル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
