特許 7288780 熱強化ガラス基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-05-31

(45)【発行日】2023-06-08

(54)【発明の名称】熱強化ガラス基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C03C 19/00 20060101AFI20230601BHJP

   H01L 31/048 20140101ALI20230601BHJP

   C03B 27/04 20060101ALI20230601BHJP

【ＦＩ】

C03C19/00 A

H01L31/04 560

C03B27/04

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2019059502

(22)【出願日】2019-03-26

(65)【公開番号】P2019172568

(43)【公開日】2019-10-10

【審査請求日】2022-01-13

(31)【優先権主張番号】P 2018059342

(32)【優先日】2018-03-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000000941

【氏名又は名称】株式会社カネカ

(74)【代理人】

【識別番号】100131705

【弁理士】

【氏名又は名称】新山 雄一

(74)【代理人】

【識別番号】100145713

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 竜太

(72)【発明者】

【氏名】中田 年信

(72)【発明者】

【氏名】田飼 伸匡

【審査官】須藤 英輝

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１４／２０３８２０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１７／０８２３１１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１３／０６１４７９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００６－１５９４０２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０３Ｃ １９／００

Ｃ０３Ｂ ２７／００－２７／０６

Ｈ０１Ｌ ３１／０４－３１／０６

Ｈ０２Ｓ １０／００－１０／４０

Ｈ０２Ｓ ３０／００－９９／００

Ｂ２４Ｃ １／００－１１／００

Ｂ２４Ｂ ５３／００－５７／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工する第一工程と、
前記第一工程を経たガラス基板を＃２４０以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、
前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、
を含み、
前記第二工程では、サンドブラスト法を用い、前記ガラス基板の表面に対して２０°の低角度で前記研磨剤を衝突させる、
熱強化ガラス基板の製造方法。

【請求項2】

前記第一工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ１００以下であり、
前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃４００以上＃１０００以下である、
請求項１記載の熱強化ガラス基板の製造方法。

【請求項3】

前記熱強化処理する工程の熱強化処理条件が、熱強化処理後のガラス基板の表面に接触させた水分のｐＨの値が熱強化処理前のガラス基板の表面に接触させた水分のｐＨの値よりも減少するような条件である、請求項１または２に記載の熱強化ガラス基板の製造方法。

【請求項4】

熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤、または＃２４０以上＃４００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工する第一工程と、
前記第一工程を経たガラス基板を＃６００以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、
前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、
を含み、
前記第二工程では、サンドブラスト法を用い、前記ガラス基板の表面に対して２０°の低角度で前記研磨剤を衝突させる、
熱強化ガラス基板の製造方法。

【請求項5】

前記第一工程のブラスト加工がショットブラスト法によるブラスト加工であり、用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ１００以下であり、
前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃４００以上＃１０００以下である、
請求項４記載の熱強化ガラス基板の製造方法。

【請求項6】

前記第一工程のブラスト加工がエアーブラスト法によるブラスト加工であり、用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ１００以上Ｆ２２０以下、またはＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃２４０以上＃４００以下であり、
前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃６００以上＃１０００以下である、
請求項４記載の熱強化ガラス基板の製造方法。

【請求項7】

前記熱強化処理する工程の熱強化処理条件が、熱強化処理後のガラス基板の表面に接触させた水分のｐＨの値が熱強化処理前のガラス基板の表面に接触させた水分のｐＨの値よりも減少するような条件である、請求項４～６のいずれか１項に記載の熱強化ガラス基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、太陽電池モジュールおよび、これに用いられる熱強化ガラス基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

受光面側にカバーガラスを備える太陽電池モジュールは、一般住宅や工場の屋根上や壁面に設置されたり、遊休地等での地上に設置されるのが大半である。屋根上や壁面に設置される場合、太陽電池モジュールの表面が鏡の役割を果たして太陽光を反射することにより、「眩しさ」や「ぎらつき」などが近隣の住民や通行人から指摘される場合が有る。また、地上設置の設置場所が空港に近い場合、眩しさやぎらつきが航空機の安全運行に支障となり得る場合が有る。そこで、防眩性の高い太陽電池モジュールの開発が望まれており、特許文献１では、防眩性と防汚性を備える太陽電池モジュールが開示されている。

【0003】

ガラスの表面に凹凸を付与する技術については、特許文献２や特許文献３に開示されており、また、強化ガラスの表面の凹凸については、特許文献４に開示が有る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】ＷＯ２０１４/２０３８２０号公報

【文献】特開２０１０－７０４４５号公報

【文献】特開２０１６－２９４７４号公報

【文献】特開平１１－７９７６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

以下に、先行技術が抱えている課題を記載する。

【0006】

特許文献１では、サンドブラスト加工でガラス基板に表面凹凸を形成する際に、ガラス表面に残留するクラックを除去する方法として、第一のサンドブラスト加工後に第一のサンドブラスト加工に使用した研磨剤よりも粒径の小さい研磨剤を用いて、第二のサンドブラスト加工を実施することが開示されている。しかしながら、特許文献１では、第二のサンドブラスト加工後のガラス基板の表面性状について、詳細な記載に乏しく、実施が困難である。

【0007】

特許文献２や３ではフッ化水素酸等でエッチングする方法は、サンドブラスト加工で発生したクラックの量を低減することには有効であるが、劇毒物であるフッ化水素酸を使用することにより、廃液処理等の製造工程の負荷が大きく、人的及び環境的にも問題があり、また、そのためコスト高になるとの問題があった。

【0008】

特許文献４では、ガラス端面の研磨面の表面凹凸の最大値が３μｍ以下であることが開示されているに過ぎない。

【0009】

本発明の目的は、以上のような課題を解決し、ガラス表面に微細な凹凸が形成され、且つガラス表面のクラックの量が低減される、防眩性能、信頼性及び機械強度に優れる強化ガラスの製造方法と、それを用いた防眩型太陽電池モジュールを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の第一は、熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工する第一工程と、前記第一工程を経たガラス基板を＃２４０以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、を含む熱強化ガラス基板の製造方法である。この構成によって、ガラス基板上に防眩性能に優れ、正反射像の映り込みの無いガラス基板が作製出来るとともに、ガラス表面のクラックの量を低減することで、熱強化後のガラス表面が水分と接触した際に、該水分のｐＨ値を低減でき、例えば、保管時の結露による外観変化の発生を抑制できる。また、同時にガラス表面のクラックにより散乱される入射光の量を低減し、出力特性の低下を抑制できる。

【0011】

本発明は、また、前記第一工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ２２０以下であり、前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度で＃２４０以上＃２０００以下である、前記の熱強化ガラス基板の製造方法である。この構成によって、ガラス基板上に防眩性能に優れ、正反射像の映り込みの無いガラス基板が作製出来る。

【0012】

本発明の第二は、熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤、または＃２４０以上＃４００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でエアーブラスト加工する第一工程と、前記第一工程を経たガラス基板を＃６００以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でエアーブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、を含む熱強化ガラス基板の製造方法である。この構成によって、ガラス基板上に防眩性能に優れ、正反射像の映り込みの無いガラス基板が作製出来るとともに、ガラス表面のクラックの量を低減することで、熱強化後のガラス表面が水分と接触した際に、該水分のｐＨ値を低減でき、例えば、保管時の結露による外観変化の発生を抑制できる。また、同時にガラス表面のクラックにより散乱される入射光の量を低減し、出力特性の低下を抑制できる。

【0013】

本発明は、また、前記第一工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ２２０以下、またはＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃２４０以上＃４００以下であり、前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度で＃６００以上＃２０００以下である、前記の熱強化ガラス基板の製造方法である。この構成によって、ガラス基板上に防眩性能に優れ、正反射像の映り込みの無いガラス基板が作製出来る。

【0014】

本発明は、また、前記熱強化処理する工程の熱強化処理条件は、熱強化処理後のガラス基板表面に接触させた水分のｐＨが熱強化処理前のガラス基板表面に接触させた水分のｐＨよりも減少するような条件である、前記の熱強化ガラス基板の製造方法である。この構成によって、保管時の結露によるガラス基板表面の外観変化の発生を抑制できる。

【0015】

本発明は、また、前記の製造方法で製造されてなる強化ガラスを受光面側のカバーガラスとして含む、太陽電池モジュールである。この構成によって、防眩性能及び熱強化によって保管時の結露による外観変化の発生を抑制できる。

【発明の効果】

【0016】

本発明にかかる方法によれば、ブラスト加工によりガラス基板に微細な表面凹凸を形成した強化ガラスを提供し、防眩性能、信頼性及び機械強度に優れる太陽電池モジュールを提供できる。

【発明を実施するための形態】

【0017】

太陽光発電に用いられ、受光面側にカバーガラスを備える太陽電池モジュールには、いくつかあるが、その中のひとつであるシリコン系太陽電池モジュールには、大きく分けると結晶系、薄膜系の２種類があり、以下のような構成である。結晶系の太陽電池モジュール（以下、結晶太陽電池モジュール）は、１０～１５ｃｍ角程度の結晶半導体の板から成る太陽電池セルを、モジュールの大きさに相当するガラス板（カバーガラス）の上に数十枚配置し、配線を行い、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）やＰＶＢ（ポリビニルブチラール）などの充填材、および裏面保護フィルムを用いて封止保護して構成される。また、薄膜系の太陽電池モジュール（以下、薄膜太陽電池モジュール）は、モジュールの大きさのガラス板の上に直接、透明電極層、薄膜半導体層、および裏面電極層を順次形成し、レーザスクライブ等のパターニング手段により各層を分離し、直列接続して、所望の電圧、電流を得ている。封止保護については、結晶太陽電池モジュールと同様の充填剤および表面保護フィルムが用いられる。このように構成される薄膜太陽電池モジュールは、発電に寄与する層が薄い、構造材料が１枚で済む、配線が簡略でかつモジュール全体の面積の中で太陽電池セルの占める面積の割合が大きい、色調が一定である、などの点で、結晶系の太陽電池モジュールよりも低コスト化の潜在力があり、かつ美観に優れるという特徴を持つ。薄膜系太陽電池モジュールであっても、受光面側にカバーガラスを備えるような太陽電池モジュールも存在する。

【0018】

「眩しさ」や「ぎらつき」に関する上記の課題に対して、以下のような取組みがなされている。

【0019】

例えば、結晶太陽電池モジュールにおいては、カバーガラスに型板ガラスを用いることにより、カバーガラス表面で光の乱反射や拡散を起こして眩しさを抑制する、防眩処理が一般的に行われている。型板ガラスとは、表面に凹凸模様をつけて、視線をさえぎるなどの目的で使用される板ガラスのことであり、一般に、型模様が刻まれたロールを使用し、ロールアウト法などで作られる。

【0020】

しかしながら、結晶太陽電池モジュールの場合、型板ガラス基板の表面凹凸が、
ロール表面からの転写により形成されるため、微細でガラス基板全体に均一に分散する表面凹凸を効果的に形成することが困難であり、防眩効果は限定的で、十分に「眩しさ」や「ぎらつき」問題を解決できていない現状にある。

【0021】

一方、薄膜太陽電池モジュールにおいては、小さな面積のサブモジュールを結晶太陽電池モジュールと同様な構造で封止して、そのカバーガラスとして上記の型板ガラスを用いたものが、いくつか提案されている。更に、完成した太陽電池モジュールの表面に、ビーズを混入した、光を拡散する樹脂を塗布することも提案されている。

【0022】

本発明の目的は、前記眩しさ等の従来の課題を解決し、眩しさの低減された外観と機械強度に優れた防眩型の結晶太陽電池モジュール及びその原材料のひとつである熱強化ガラス基板の製造方法を提供することにある。

【0023】

本発明は、太陽電池モジュールおよび、これに用いられる熱強化ガラス基板の製造方法に関するものである。特に結晶太陽電池モジュールにおいて、受光面側のガラス基板として好適に用いられうる、防眩処理された熱強化ガラスの製造方法に関するものである。

【0024】

本発明の第一は、熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工する第一工程と、前記第一工程を経たガラス基板を＃２４０以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、を含む熱強化ガラス基板の製造方法である。

【0025】

本発明は、また、前記第一工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ１００以下であり、前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃４００以上＃１０００以下である、前記の熱強化ガラス基板の製造方法である。

【0026】

本発明の第二は、熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤、または＃２４０以上＃４００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でエアーブラスト加工する第一工程と、前記第一工程を経たガラス基板を＃６００以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でエアーブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、を含む熱強化ガラス基板の製造方法である。

【0027】

本発明は、また、前記第一工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ１００以下、またはＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃２４０以上＃１０００以下であり、前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃６００以上＃２０００以下である、前記の熱強化ガラス基板の製造方法である。

【0028】

なお、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の規格においてＦで表示されるべき粒度が、代わりに＃で表示される場合も散見され、例えばＦ８０を＃８０と表記されて砥粒が市販されている場合が有るため、留意を要する。本発明のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ１００以下とは、代わりに＃で表記されるＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度で＃４６以上＃１００以下をも、意味するものとする。

【0029】

本発明は、また、前記熱強化処理する工程の熱強化処理条件は、熱強化処理後のガラス基板表面に接触させた水分のｐＨが熱強化処理前のガラス基板表面に接触させた水分のｐＨよりも減少するような条件である、前記の熱強化ガラス基板の製造方法である。

【0030】

本発明は、また、前記の製造方法で製造されてなる強化ガラスを受光面側のカバーガラスとして含む、太陽電池モジュールである。

【0031】

本発明は、また、熱強化処理がされていないガラス基板の表面をＦ４６以上Ｆ２２０以下のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度の研磨剤、または＃２４０以上＃４００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工する第一工程と、
前記第一工程を経たガラス基板を＃６００以上＃２０００以下のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度の研磨剤でブラスト加工することによって、当該ガラス基板の表面の算術平均粗さを０．５μｍ以上５μｍ以下、当該ガラス基板の表面の最大高さ粗さを１０μｍ以上５０μｍ以下、当該ガラス基板の表面に存在するクラックの面積を１％未満とし、表面凹凸が形成されてなるガラス基板を形成する第二工程と、
前記表面凹凸が形成されてなるガラス基板を熱強化処理する第三工程と、
を含む熱強化ガラス基板の製造方法、である。

【0032】

本発明は、また、
前記第一工程のブラスト加工がショットブラスト法によるブラスト加工であり、用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ４６以上Ｆ１００以下であり、
前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃４００以上＃１０００以下である、
前記の熱強化ガラス基板の製造方法、である。

【0033】

前記第一工程のブラスト加工がエアーブラスト法によるブラスト加工であり、用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度でＦ１００以上Ｆ２２０以下、またはＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃２４０以上＃４００以下であり、
前記第二工程で用いる研磨剤が、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で＃６００以上＃１０００以下である、
前記の熱強化ガラス基板の製造方法、である。

【0034】

本発明は、また、
前記熱強化処理する工程の熱強化処理条件が、熱強化処理後のガラス基板の表面に接触させた水分のｐＨの値が熱強化処理前のガラス基板の表面に接触させた水分のｐＨの値よりも減少するような条件である、前記記載の熱強化ガラス基板の製造方法、である。

【0035】

本発明は、また、前記に記載の製造方法で製造されてなる強化ガラスを受光面側のカバーガラスとして含む、太陽電池モジュール、である。

【0036】

以下に、本発明の実施の形態としての微細な表面凹凸を有する熱強化ガラス基板の製造方法と、同ガラス基板を用いた太陽電池モジュールの一態様として、結晶系太陽電池モジュールについて、説明する。なお、受光面側に同ガラス基板を使う限りにおいては、ペロブスカイト型太陽電池や化合物型半導体太陽電池、またシリコン薄膜太陽電池など、他の方式の太陽電池モジュールにも適用可能であることは、言うまでも無い。

【0037】

[ガラス基板］
本発明のガラス基板としては、様々な組成のガラスを使用することが可能である。例えば、代表的なガラスとして、ソーダーライムガラス、ホウケイ酸ガラス等を挙げることができる。

【0038】

本発明に使用できるガラスの組成は、特に限定されないが、一例として、ＳｉＯ_２が５０～８０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３が０．１～１０重量％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏが１～３０重量％、ＣａＯが１～３０重量％、ＭｇＯが０．１～１０重量％、Ｂ_２Ｏ_３が０～２０重量％である。また、その他成分として、ＢａＯ、ＺｒＯ_２、Ｆｅ_２Ｏ_３を含有してもよい。ただし、結晶太陽電池モジュールの受光面側のカバーガラスとして使用する場合は、ガラス組成における酸化鉄量は少ない方が近赤外領域の透過率を向上させるため、Ｆｅ_２Ｏ_３換算０．０４重量％以下が好ましく、さらに、好ましくは、０．０２重量％以下である。

【0039】

ガラスの製造方法としては、特に限定されないが、ガラス原料を１５００～１６００℃で加熱したのち、成型して板状に加工することで製造できる。

【0040】

ガラスの成型方法には種々の方法を用いることができるが、例えば、フロート法、ロールアウト法等を挙げることができる。ロールアウト法を用いるとガラス基板表面にエンボス状の凹凸を形成することができる。

【0041】

このようなエンボス状の凹凸は、積層された結晶太陽電池モジュール等の受光面側のカバーガラスで、封止材側に用いる場合に、封止材との密着面積を増加することが出来るため、同太陽電池モジュールの信頼性を向上することができる。また、エンボス状の凹凸で受光面側から入射した太陽光の進行方向が、封止材との界面において、セル面に対して斜め方向に屈折することで、太陽電池モジュールの発電効率を向上できる可能性がある。

【0042】

[微細な表面凹凸の形成]
本発明のガラス基板には、アルミナ粉体、二酸化珪素粉体、炭化珪素粉体等の研磨材をガラス基板の表面に高速で衝突させる方法を用いて、微細な表面凹凸を形成できる。

【0043】

具体的には、コンプレッサーによる圧縮空気を用いて、表面に吹きつけるサンドブラスト法、回転体から遠心力で研磨材をガラス表面に投射して、微細な表面凹凸を生成するショットブラスト法を挙げることができる。また、ウエットブラストを使用することも出来る。

【0044】

ここで用いることができる研磨材のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度は、Ｆ４６以上Ｆ２２０以下であり、さらに、Ｆ４６以上Ｆ１００以下が好ましい。

【0045】

ショットブラスト法で用いることができる研磨材のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度は、Ｆ４６以上Ｆ２２０以下であり、さらに、Ｆ４６以上Ｆ１００以下が好ましい。
サンドブラスト法で用いることができる研磨材のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７の粒度は、Ｆ４６以上Ｆ２２０以下、またはＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７の粒度で、＃２４０以上＃４００以下であり、さらに、Ｆ１００以上Ｆ２２０、及び＃２４０以上＃４００以下が好ましい。さらに、好ましくは、＃２４０以上＃４００以下である。

【0046】

ただし、該ＪＩＳ規格に適合しない研磨材の場合は、該ＪＩＳ規格の第３表－粗粒の標準粒度分布の「３段目の試験用ふるい：公称目開き及びふるい上に残らなければならない最小質量分率」に記載された公称目開きの全ての試験用ふるいを用いて粒度分布試験を実施した場合に、公称目開き及びふるい上に残った質量分率が最も大きい公称目開きの値を、該研磨材の粒度とする。

【0047】

図１は、本発明の製造方法における第一工程（第一のブラスト加工）後のガラス基板の模式的断面図である。

【0048】

上記方法で形成したガラス基板１の微細な表面凹凸２ａ～２ｄには、クラック３ａ～３ｊが残留し、熱強化処理時にガラス基板の割れを発生させる可能性がある。または、熱処理後のガラス基板の機械強度を著しく低減する可能性がある。

【0049】

[ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックの除去]
ここで、ガラス基板１の微細な表面凹凸２ａ～２ｄの形成に使用した研磨材よりも、十分に粒径の小さい研磨剤を用いて、同様にサンドブラスト法、または、ショットブラスト法等を使用し、ガラス基板表面１に対して第二工程（第二のブラスト加工）をすることで、微細な表面凹凸２ａ～２ｄの形状を大きく変化させないままに、該微細な表面凹凸２ａ～２ｄに残留するクラックを除去することができる。サンドブラスト法を用いる方法では、ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックの除去には、ガラス基板表面に対して低角度で研磨材を衝突させる方が効果的であるが、研磨力とのバランスから２０°程度の角度に設定することが好ましい。ここで用いることが出来る研磨材の粒度は、＃２４０以上＃２０００以下であり、さらに、＃４００以上＃１０００以下が好ましい。さらに好ましくは、＃６００以上＃１０００以下である。

【0050】

該研磨材の粒度は、ＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７「研削といし用研磨時の粒度－第２部：微粉」の同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）で規定される。

【0051】

ただし、該ＪＩＳの規格である同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）に適合しない研磨材の場合、該研磨材の粒度は、同ＪＩＳ規格で規定された電気抵抗試験方法における累積高さ５０％点の粒子径ｄＳ５０で表される値とできる。

【0052】

図２は、本発明の製造方法における第二工程（第二のブラスト加工）後のガラス基板の模式的断面図である。ガラス基板４の微細な表面凹凸５ａ～５ｄは、前記第一工程（第一のブラスト加工）で形成された微細な表面凹凸２ａ～２ｄが、第二工程（第二のブラスト加工）により研磨されたものに対応し、該第二工程（第二のブラスト加工）により、前記工程（第一のブラスト加工）で形成された微細な表面凹凸（図１の）２ａ～２ｄに残留したクラック３ａ～３ｊが、消失またはその大きさが減少した様子を示している。クラック６ａ、６ｂは、該クラック３ａ、３ｈの大きさが減少した様子を示している。

【0053】

ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックを所望の割合に除去できたかどうか判断する方法として、光学顕微鏡で観察されるクラックの面積の割合を測定する方法を挙げることができる。具体的には、焦点位置にて例えば倍率１００倍にて、視野１０００μｍ×１０００μｍ以上の拡大画像において、クラックに由来し、照射光の散乱反射により白色に観察されるクラックの領域の面積と、視野画像領域に対する面積の比から、クラックの面積の割合を求めることができる。また、画像処理により明暗の閾値を設けて、クラックの面積の割合を求める方法も簡便な方法として利用することができる。

【0054】

上記の方法で、微細な表面凹凸をガラス基板の表面に形成せしめ、ガラス表面で太陽光を乱反射させ、太陽光の入射角に対して正反射する光の強さを低減し、さらに、太陽の像の映り込みを無くすことができる。太陽光の入射角に対する正反射する光の強さの指標として、光沢度を用いることができる。光沢度は、ＪＩＳ Ｚ８７４１－１９９７で記載されている鏡面光沢度測定方法に準拠する方法で測定し、入射角６０度、測定角６０度にて、少なくとも１０以下であることが好ましく、さらに好ましくは５以下である。

【0055】

映り込みの測定は、暗幕中で点灯したハロゲンランプを、ガラス基板に対して法線角度６０度で目視観察し、ハロゲンランプのフィラメントが確認できるか否かを判別した。

【0056】

これらの効果を有効に発現させるため、ガラス基板の表面凹凸の形状は、表面の算術平均粗さが０．５μｍ以上５μｍ以下、表面の最大高さ粗さが１０μｍ以上５０μｍ以下である。好ましくは、算術平均粗さが０．５μｍ～３μｍ、最大高さ粗さが１０μｍ以上～４０μｍ以下である。

【0057】

前記の算術平均粗さ及び最大高さ粗さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１に従い、接触式表面粗さ計で測定することで得られる。ここで用いるカットオフ値λｃは０．０８ｍｍとした。同様にレーザー顕微鏡等の光学測定機器を用いて、前記の算術平均粗さ及び最大高さ粗さを測定することもできる。また、線粗さ測定において、サンプル表面での測定箇所及び測定方向に対する測定値の誤差が大きい場合、レーザー顕微鏡等の光学測定機器を用いてＩＳＯ ２５１７８を適用し、面粗さを測定することが好ましい。同様に測定におけるカットオフ値は、０．０８ｍｍとした。この場合、得られた面粗さのパラメータである算術平均高さ及び最大高さの値を、それぞれ線粗さのパラメータである算術平均粗さ及び最大高さ粗さの値として用いた。

【0058】

[熱強化処理]
熱強化処理は、ガラス基板をその軟化温度付近まで加熱した後、ガラス表面に空気を吹き付けて急冷して作製する。

【0059】

図３は、本発明の製造方法における熱強化処理後のガラス基板の模式的断面図である。基板７の微細な表面凹凸８ａ～８ｄは、前記第二工程（第二のブラスト加工）で形成された微細な表面凹凸５ａ～５ｄが、熱強化処理されたものに対応する。

【0060】

微細な表面凹凸を有するガラス基板では、ガラス基板表面に接触した水分のｐＨの値が増加する傾向がある。これは、水分の水素イオンとガラス基板の組成にあるＮａイオンの交換が発生するためと説明できる。また、ガラス基板表面にある水分のｐＨの値が９を超えると、それ自体でガラス基板の溶解が発生する場合があり、大きくガラス表面の外観が損なわれる。したがって、ガラス基板表面にある水分のｐＨの値は、９未満であることが望ましく、好ましくは８～７、さらに好ましくは７である。

【0061】

微細な表面凹凸を有するガラス基板を熱強化処理することで、ガラス基板表面に接触させた水分のｐＨの値を低減できる。これによって、該ガラス基板保管時または、該ガラス基板を用いた太陽電池モジュールの保管時の結露による該ガラス基板表面の外観変化を抑制できる。また、微細な表面凹凸を有するガラス基板に残留するクラックの割合が小さい方が、熱強化後のガラス基板表面に接触させた水分のｐＨはより小さいものとなり有利である。微細な表面凹凸を有するガラス基板に残留するクラックの割合としては、少なくとも１０％未満であることが望ましく、好ましくは５％未満である。さらに好ましくは、１％未満である。

【0062】

ガラス基板表面に水分を接触させて、該ガラス表面の水分のｐＨとその外観を測定する試験方法の１つとして、前記微細な表面凹凸を有するガラス基板と、１５ｃｍ×１５ｃｍサイズのポリエチレン製緩衝材（製品名エアーキャップ等）の間に、蒸留水２ｍｌを１２時間保持させ、該水分のｐＨ測定と外観確認を行う湿潤試験を挙げることができる。

【0063】

上記の熱強化処理による効果は、熱強化処理時のガラス基板の温度が高い程、また、その保持時間が長い程、発現し易い。

【0064】

[太陽電池モジュールの基本的構成および作製方法］
図４は、本発明の一実施形態に係る防眩型結晶太陽電池モジュールの模式的断面図である。

【0065】

結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄの受光面側には、本発明の微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板１１が配置されており、裏面側には保護材１６が配置されている。微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板１１と裏面側保護材１６との間には封止材１２、１５が設けられており、封止材により、結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄが封止されている。微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板１１は、受光面側の表面に該微細な表面凹凸が設けてある。

【0066】

防眩型結晶太陽電池モジュール１０の作製においては、導電性部材１３ａ～１３ｅを介して結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄが電気的に接続されている。

【0067】

このように接続された結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄが、封止材１２、１５を介して、受光面側の微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板１１および裏面側保護材１６に挟持され、防眩型結晶太陽電池モジュールが形成される。この際、図４に示すように、微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板１１の受光面側と逆の面上に、封止材１２ 、結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄ、封止材１５および裏面側保護材１６を順次積層して積層体とすることが好ましい。その後、上記積層体を所定条件で加熱することにより、封止材１２、１５を硬化させることが好ましい。そして、アルミニウムフレーム（不図示）等を取り付けることで防眩型結晶太陽電池モジュール１０を作製することができる。積層体を加熱する際の条件は、温度１４０℃ ～１６０℃、時間３分～１８分、圧力９０ｋＰａ ～１２０ｋＰａが好ましい。

【0068】

裏面側保護材１６は、結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄのそれぞれの裏面側に配置され、防眩型結晶太陽電池モジュール１０の裏面を保護することが好ましい。裏面側保護材１６としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂フィルム、アルミニウム箔を樹脂フィルムでサンドイッチした構造を有する積層フィルム、ガラス基板等を用いることができる。

【0069】

封止材１２、１５は、微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板１１と裏面側保護材１６との間で結晶太陽電池セル１４ａ～１４ｄを封止する。封止材としては、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）、エチレン－エチルアクリレート共重合樹脂（ＥＥＡ）、ポリビニルブチラール樹脂（ＰＶＢ）、シリコーン、ウレタン、アクリル、エポキシ等の透光性の樹脂を用いることができる。

【0070】

封止材１２、１５としては、オレフィン系封止材を用いることもできる。オレフィン系封止材は、ＥＶＡ等からなる封止材に比べて水蒸気透過率が低いため、モジュール内への水の侵入を抑制することができる。したがって、絶縁性部材等の劣化を防止することができ、モジュールの信頼性を向上できる。

【0071】

オレフィン系封止材の材料としては、非架橋オレフィンおよび架橋オレフィンのいずれも用いることができる。非架橋オレフィンは、架橋オレフィンに比べて柔らかい。そのため、太陽電池モジュールを曲面形状に屈曲させて使用する場合には、オレフィン系封止材の材料を使い分けることが可能である。例えば、モジュール化後に太陽電池モジュールを屈曲させる場合には、非架橋オレフィンを好適に用いることができ、一方、屈曲させた状態でモジュールを作製する場合には、架橋オレフィンを好適に用いることができる。

【0072】

以上のようにして防眩型結晶太陽電池モジュール１０を作製することができるが、太陽電池モジュールの基本的構成および作製方法は、上記に限定されるものではない。

【0073】

［太陽電池モジュールの構成］
本発明において、結晶太陽電池モジュールとしては、光電変換部が結晶シリコン基板を備えるものであれば、任意の結晶シリコン系太陽電池モジュールを用いることができる。

【0074】

結晶シリコン系太陽電池モジュールの一形態では、一導電型（ｐ型あるいはｎ型）の結晶シリコン基板の受光面側に、リン原子等の導電性不純物を拡散させ、逆導電型（ｎ型あるいはｐ型）のシリコン層を形成することにより、半導体接合からなる光電変換部が形成される。このような拡散型の結晶シリコン太陽電池においては、透明電極層が形成されないため、半導体接合からなる光電変換部上に集電極が形成される。

【0075】

なお、いわゆるヘテロ接合結晶シリコン系太陽電池モジュールの一形態では、一導電型（ｎ型またはｐ型）の結晶シリコン基板の受光面側に、ＣＶＤ法等によって、逆導電型（ｐ型またはｎ型）のシリコン層を形成することにより、受光面側に半導体接合が形成される。また、さらに、前記の一導電型（ｎ型またはｐ型）の結晶シリコン基板の受光面側に、ＣＶＤ法等によって、同じ導電型（ｎ型またはｐ型）のシリコン層を形成するような太陽電池モジュールも、一例として挙げられる。このようなヘテロ接合型の結晶シリコン太陽電池においても、集電極が形成される。

【0076】

(集電極）
集電極は、複数のフィンガー電極と、フィンガー電極により収集された電流を集めるバスバー電極とによって構成されてもよい。一般的に、バスバー電極は、フィンガー電極に略直交するように形成される。

【0077】

フィンガー電極間の距離、フィンガー電極の幅およびバスバー電極の幅等は、光電変換部の受光面側に形成される透明電極層の抵抗に応じて適宜選択することができる。

【0078】

集電極の形成材料としては、バインダー樹脂等を含有するペースト等を用いることができる。スクリーン印刷法により形成された集電極の導電性を十分向上させるためには、熱処理により集電極を硬化させることが望ましい。したがって、ペーストに含まれるバインダー樹脂としては、乾燥温度にて硬化させることができる材料を用いることが好ましく、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂等が適用可能である。

【0079】

集電極は、インクジェット法、スクリーン印刷法、導線接着法、スプレー法、真空蒸着法、スパッタ法、めっき法等の公知の方法によって形成できる。例えば、パターン形状に対応したマスクを用いて、真空蒸着法やスパッタ法により集電極を形成できる。中でも、細線化が可能であることから、めっき法により集電極を形成することが好ましい。

【0080】

（裏面電極）
裏面側の透明電極層上には、裏面電極が形成される。受光面側の集電極と同様、裏面側の透明電極層の表面に、裏面電極（補助電極としての金属電極）を設けることで、電流の取り出し効率を高めることができる。

【0081】

裏面電極としては、近赤外から赤外域の光の反射率が高く、かつ導電性や化学的安定性が高い材料を用いることが望ましい。このような特性を満たす材料としては、銀やアルミニウム等が挙げられる。裏面電極の製膜方法は、特に限定されず、スパッタ法や真空蒸着法等の物理気相堆積法、スクリーン印刷等の印刷法、めっき法等が適用可能である。

【0082】

裏面電極は、受光面とは反対側の集電極として用いられるため、光電変換部の全面を覆うように形成されていてもよい。また、受光面側の集電極と同様に、パターン状に裏面電極が形成されていてもよい。

【0083】

以上、本発明の太陽電池モジュールは、受光面側のカバーガラスを含んでいるものであれば何であってもよく、以上、本発明の太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルは、結晶シリコン基板を含むものや、ペロブスカイト型、化合物型など、特に限定されない。

【実施例】

【0084】

（実施例１）
大きさが３００ｍｍ×３３３ｍｍ×３．２ｍｍ厚であって、ＳｉＯ_２が７１～７３重量％、Ａｌ_２Ｏ_３が０．６～１．５重量％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏが１３．５～１５重量％、ＣａＯが８～１０重量％、ＭｇＯが３～４．５重量％、ＳＯ_３が０．５重量％未満、Ｆｅ_２Ｏ_３が０．０１５重量％未満の組成からなり、受光面の逆側にエンボスを有する型板ガラス基板（非強化）を準備した。

【0085】

該ガラス基板の受光面側を白色溶融アルミナ製のＪＩＳ Ｒ６００１－１：２０１７「研削といし用時の粒度－第１部：粗粒」に適合する粒度分布を有し、同ＪＩＳの第３表－粗粒の標準粒度分布の粒度Ｆ８０に対応する研磨材（中心粒径１８０μｍ～１５０μｍ）を用いて第一工程のブラスト加工を実施し、該ガラス基板のおもて面（表面）側に微細な表面凹凸を形成した。表１に得られたガラス基板の微細な凹凸の算術平均粗さ、最大高さ粗さ、クラックの面積の割合、光沢度、及び移り込みの状態を示した。

【0086】

上記の微細な表面凹凸を形成したガラス基板に対して、白色溶融アルミナ製のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７「研削といし用研磨時の粒度－第２部：微粉」適合する粒度分布を有し、同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）の粒度＃８００に対応した）の研磨材（中心粒径１４μｍ）を用いて第二のブラスト加工を実施し、該ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックを除去した。表１から、算術平均粗さ、及び最大高さ粗さ大きさはやや小さくなるものの、ガラス基板表面の光沢度の値が６．５から４．４に減少し、さらに映り込みが無くなるとともに、該微細な表面凹凸のクラックの面積の割合を０．２％までに低減することができた。

【0087】

得られたガラス基板の微細な表面凹凸の算術平均粗さ及び最大高さ粗さの測定は、測定方向にて誤差が大きいため、ＩＳＯ ２５１７８に従って面粗さの測定値とした。キーエンス製ＶＫ９７００レーザー顕微鏡を用いて、９４μｍ×７１μｍの領域のレーザー像から算術平均高さ及び最大高さを求め、それぞれ算術平均粗さ及び最大高さ粗さの値とした。カットオフ値は０．０８ｍｍとした。

【0088】

得られたガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックの面積の割合は、キーエンス製ＶＫ９７００レーザー顕微鏡を用いて、１４１４μｍ×１０６１μｍの大きさの凡そ１００倍に拡大した光学像を画像処理し、ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックに由来して、照射光の散乱反射により白色に観察されるクラックの領域の割合を求めた。

【0089】

光沢度の測定には、日本電色製ハンディ型光沢度計ＰＧ－IIを使用し、入射角６０度、測定角６０度で、測定を実施した。

【0090】

熱強化処理は、上記ガラス基板を凡そ６５０℃に加熱した後、ガラス表面に空気を吹き付けて急冷して実施した。

【0091】

表１に示したように、熱強化処理前後では、前記微細な表面凹凸を有するガラス基板の算術平均粗さ、最大粗さ、及びクラックの面積の割合に変化は見られなかった。しかしながら、湿潤試験後のｐＨの値が９～８から７に減少するとともに、湿潤試験後の該微細な表面凹凸を有するガラス基板表面の外観が改善するのが分かった。
（実施例２-１）
実施例１と同じ型板ガラス基板（非強化）を準備した。

【0092】

該ガラス基板の受光面側を白色溶融アルミナ製のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７「研削といし用研磨時の粒度－第２部：微粉」適合する粒度分布を有し、同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）の粒度＃４００に対応した）の研磨材（中心粒径３０μｍ）を用いて第一のエアーブラスト加工を実施し、該ガラス基板のおもて面（表面）側に微細な表面凹凸を形成した。表２に得られたガラス基板の微細な凹凸の算術平均粗さ、最大高さ粗さ、クラックの面積の割合、光沢度、及び移り込みの状態を示した。

【0093】

上記の微細な表面凹凸を形成したガラス基板に対して、白色溶融アルミナ製のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７「研削といし用研磨時の粒度－第２部：微粉」適合する粒度分布を有し、同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）の粒度＃８００に対応した）の研磨材（中心粒径１４μｍ）を用いて第二のエアーブラスト加工を実施し、該ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックを除去した。表１から、算術平均粗さ、及び最大高さ粗さ大きさはやや小さくなるものの、ガラス基板表面の光沢度の値が４．５から１．７に減少し、さらに映り込みが無くなるとともに、該微細な表面凹凸のクラックの面積の割合を０．２％までに低減することができた。

【0094】

表２に示したように、熱強化処理前後では、前記微細な表面凹凸を有するガラス基板の算術平均粗さ、最大粗さ、及びクラックの面積の割合に変化は見られなかった。しかしながら、湿潤試験後のｐＨの値が８から７に減少するとともに、湿潤試験後の該微細な表面凹凸を有するガラス基板表面の外観が改善するが分かった。
（実施例２-２）
実施例１と同じ型板ガラス基板（非強化）を準備した。

【0095】

該ガラス基板の受光面側を白色溶融アルミナ製のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７「研削といし用研磨時の粒度－第２部：微粉」適合する粒度分布を有し、同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）の粒度＃３２０に対応した）の研磨材（中心粒径４０μｍ）を用いて第一のエアーブラスト加工を実施し、該ガラス基板のおもて面（表面）側に微細な表面凹凸を形成した。表２に得られたガラス基板の微細な凹凸の算術平均粗さ、最大高さ粗さ、クラックの面積の割合、光沢度、及び移り込みの状態を示した。

【0096】

上記の微細な表面凹凸を形成したガラス基板に対して、白色溶融アルミナ製のＪＩＳ Ｒ６００１－２：２０１７「研削といし用研磨時の粒度－第２部：微粉」適合する粒度分布を有し、同ＪＩＳの表５－精密研磨用微粉の標準粒度分布（電気抵抗試験方法）の粒度＃８００に対応した）の研磨材（中心粒径１４μｍ）を用いて第二のエアーブラスト加工を実施し、該ガラス基板の微細な表面凹凸に残留するクラックを除去した。表１から、算術平均粗さ、及び最大高さ粗さ大きさはやや小さくなるものの、ガラス基板表面の光沢度の値が４．５から１．６に減少し、さらに映り込みが無くなるとともに、該微細な表面凹凸のクラックの面積の割合を０．２％までに低減することができた。

【0097】

表２示したように、熱強化処理前後では、前記微細な表面凹凸を有するガラス基板の算術平均粗さ、最大粗さ、及びクラックの面積の割合に変化は見られなかった。しかしながら、湿潤試験後のｐＨの値が８から７に減少するとともに、湿潤試験後の該微細な表面凹凸を有するガラス基板表面の外観が改善するのが分かった。

【0098】

【表1】

【0099】

【表2】

【0100】

（比較例１）
実施例１において、第二のブラスト加工を実施しない場合には、ガラス基板の微細な表面凹凸に残留したクラックの割合が１３．５％と大きくなり、熱強化後の湿潤試験においてもｐＨが８と増大し、湿潤試験後の外観変化も大きいとの結果となった。図５に熱強化処理後の該微細な表面凹凸を有するガラス基板表面における湿潤試験後の外観比較を示した。図５の左側が、実施例１のガラス基板であり、図５の右側が、比較例１のガラス基板である。

【0101】

（比較例２）
実施例１と同様に第一のブラスト加工でガラス基板を加工した後、第二のブラスト加工で、微細な表面凹凸を有するガラス基板に残留するクラックを除去した。クラックの面積の割合は、１．３％であり、実施例１と比較すると湿潤試験後の外観変化は同等レベルであった。しかしながら、未加工のガラス基板に対する透過率の保持率（４００ｎｍ－１２００ｎｍにおける透過率の平均値から計算したもの）は、クラックの面積の割合が１．３％と大きい影響で、実施例１の９８．３％から９７．０％に低下した。

【0102】

（実施例３）
実施例１で得られた熱強化された微細な表面凹凸を有するガラス基板を、該微細な表面凹凸を有するガラス面側を受光面側に配置し、結晶太陽電池モジュールを作製した。

【0103】

結晶太陽電池モジュールの裏面側の保護材には、フッ素樹脂フィルム、ガスバリヤ性ＰＥＴ樹脂フィルム、及びプライマー付ＰＥＴ樹脂フィルムから成る、合計厚み８２μｍの張り合わせフィルムを使用した。該微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板と６インチ角サイズの結晶太陽電池セル１枚との間には、厚み０．５ｍｍのファーストキュアタイプのＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合樹脂）が配置され、該結晶太陽電池セルと該保護材との間には、同様に厚み０．５ｍｍのファーストキュアタイプのＥＶＡが配置され、真空ラミネーターを用いて封止するとともに、ＥＶＡを熱硬化させた。

【0104】

ここで真空ラミネーターの条件は、ガラス基板温度１４０℃、真空時間３分で、プレス時間５分、プレス圧力９０ｋＰａであった。

【0105】

また、６インチ角サイズの結晶太陽電池セルの受光面側には、Ａｇペーストを熱硬化させてなるフィンガー電極とバスバー電極が形成されている。裏面側はＡｇペーストが一定厚みに形成された裏面電極とアイランド状のバスバー電極が形成されている。それぞれ受光面側及び裏面側において２ｍｍ幅の半田ディップ銅箔が用いられて電気的に接続され、封止して得られた結晶太陽電池モジュールの端部より、前記銅箔が端子箱等に接続するために、外部へ引き出された。

【0106】

得られた太陽電池モジュールの最大出力は４．２２Ｗ、開放電圧は０．６３１Ｖ、短絡電流は９．１８Ａであった。

【図面の簡単な説明】

【0107】

【図1】本発明の製造方法における第一工程（第一のブラスト加工）後のガラス基板の模式的断面図である。

【図2】本発明の製造方法における第二工程（第二のブラスト加工）後のガラス基板の模式的断面図である。

【図3】本発明の製造方法における熱強化処理後のガラス基板の模式的断面図である。

【図4】本発明の微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板を用いた、防眩型結晶太陽電池モジュールの模式的断面図である。

【図5】本発明の微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板を、湿潤試験にて評価した後のガラス表面の外観の比較

【符号の説明】

【0108】

１ 第一のブラスト加工後のガラス基板表面の模式図
２ａ～２ｄ 第一のブラスト加工後のガラス基板表面に形成された表面凹凸
３ａ～３ｊ 第一のブラスト加工後のガラス基板表面に残留するクラック
４ 第二のブラスト加工後のガラス基板表面の模式図
５ａ～５ｄ 第二のブラスト加工後のガラス基板表面に形成された表面凹凸
６ａ、６ｂ 第二のブラスト加工後のガラス基板表面に残留するクラック
７ 熱強化処理後のガラス基板表面の模式図
８ａ～８ｄ 熱強化処理後のガラス基板表面に形成された表面凹凸
９ａ～９ｂ 熱強化処理後のガラス基板表面に残留するクラック
１０ 防眩型結晶太陽電池モジュール
１１ 微細な表面凹凸を有する熱強化されたガラス基板
１２、１５ 封止材
１３ 導電性部材
１４ 結晶太陽電池セル
１６ 裏面側保護材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】