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特許 7291331出願番号 特願 2022-68429
トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード
出願人 株式会社タムラ製作所（識別番号 390005223）
2026年 特許公開件数ランキング 557位 35件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 530位 31件（※）
出願人 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー（識別番号 515277942）
2026年 特許公開件数ランキング 3149位 5件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1727位 10件（※）
出願人 独立行政法人情報通信研究機構（識別番号 301022471）
2026年 特許公開件数ランキング 641位 54件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 461位 42件（※）
公報発行日 2023年6月15
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7291331 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
特許文献１においては、ショットキーダイオードの耐圧がＧａ２Ｏ３の絶縁破壊電界強度により定義されている。しかしながら、Ｇａ２Ｏ３等の絶縁破壊電界強度の大きな材料を用いたショットキーダイオードにおいては、逆方向電圧を増加させると、Ｇａ２Ｏ３層が絶縁破壊を起こす前にアノード電極とＧａ２Ｏ３層との間のリーク電流が極めて大きくなり、ショットキーダイオードが燃え尽きてしまう。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、目的を達成するために、下記［１］～［２］のトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオードを提供する。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、高耐圧かつ低損失のトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオードを提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、第１の実施の形態に係るトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオードの垂直断面図である。
【図2】
図２（ａ）、（ｂ）は、それぞれトレンチの平面パターンの典型例を示す、第２の半導体層の上面図である。
【図3】
図３は、第１の実施の形態に係るトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオードの変形例の垂直断面図である。
【図4】
図４は、第２の実施の形態に係るトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオードの垂直断面図である。
【図5】
図５は、２層構造の第２の半導体層を有するトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード（耐圧１２００Ｖ）と、第２の半導体層の代わりに単層の半導体層を有する比較例としてのトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード（耐圧１２００Ｖ）の順方向特性を示すグラフである。
【図6】
図６は、２層構造の第２の半導体層を有するトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード（耐圧６００Ｖ）と、第２の半導体層の代わりに単層の半導体層を有する比較例としてのトレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード（耐圧６００Ｖ）の順方向特性を示すグラフである。
代表図 図1本件の代表的な図
１、２…トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード、 １０…第１の半導体層、 １１…第２の半導体層、 １１ａ…上層、 １１ｂ…下層、 １２、２１…トレンチ、 １３…アノード電極、 １４…カソード電極、 １５、２２…絶縁膜、 １６…トレンチＭＯＳゲート
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