(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-06-13
(45)【発行日】2023-06-21
(54)【発明の名称】光走査装置
(51)【国際特許分類】
G02B 26/10 20060101AFI20230614BHJP
G02B 26/08 20060101ALI20230614BHJP
【ＦＩ】
G02B26/10 104Z
G02B26/08 E
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2019097795
(22)【出願日】2019-05-24
(65)【公開番号】P2020194001
(43)【公開日】2020-12-03
【審査請求日】2022-04-21
(73)【特許権者】
【識別番号】000006220
【氏名又は名称】ミツミ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】阿賀 寿典
(72)【発明者】
【氏名】須藤 康之
【審査官】横井 亜矢子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－０５４９０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１２８５０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－００９０５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１０１８５２９１７（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０３３８６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０８－２５５７９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第５７７９４７２（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特開２０１０－１２２４８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１７４９５５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１２５４０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０１－２１６２５７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０５９５８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－３３００６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０６２９８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－１０９５８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００４／００６１４１７（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｂ ２６／００－２６／１０
Ｂ８１Ｂ １／００－７／０４
Ｂ８１Ｃ １／００－９９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ミラーを揺動させることにより、前記ミラーに照射された光の反射光を走査する光走査装置であって、金で形成された配線と、
前記配線を覆う保護膜と、
前記配線と前記保護膜との間に形成された密着膜と、
を有し、
前記密着膜の熱膨張係数は、前記配線の熱膨張係数と前記保護膜の熱膨張係数との間の値であり、
前記配線と前記密着膜との界面に、前記配線を構成する前記金と、前記密着膜を構成する物質との混成領域を有し、
前記保護膜と前記密着膜との界面に、前記保護膜及び前記密着膜の化合物を含む領域を有し、
前記配線は、前記ミラーを駆動する駆動源としての圧電素子に接続された駆動配線であるか、または、前記ミラーの傾斜角に応じた信号を出力する傾斜センサに接続されたセンサ配線であり、
前記配線の端部は、前記密着膜及び前記保護膜が除去されて、露出し、端子として機能する領域であり、
前記配線において、前記端部に隣接する残余の領域は、前記保護膜、前記密着膜、前記混成領域、並びに、前記保護膜及び前記密着膜の前記化合物を含む前記領域に覆われる
ことを特徴とする光走査装置。
【請求項2】
前記密着膜は、チタン、又はチタンを含有する金属により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項3】
前記密着膜は、チタンタングステンにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
【請求項4】
前記保護膜は、無機酸化物、無機窒化物、無機フッ化物、無機系の非晶質膜のうちのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項5】
前記保護膜は、酸化アルミニウムにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光走査装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来技術として、ミラーを水平回転軸及び垂直回転軸の周りに揺動させて、レーザ光を二次元的に走査する光走査装置が知られている。このような光走査装置は、圧電素子等のアクチュエータによりミラーを駆動させるＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）である。
【0003】
このような光走査装置は、ミラーを露出させる必要性から、いわゆるオープンパッケージとして、様々な環境下で用いられる。このため、アクチュエータに駆動電圧を供給するための配線には、耐熱性及び耐腐食性が高い材料が用いられることが好ましい。このような配線として、例えば金（Ａｕ）配線が用いられ、金配線上には酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）等からなる保護膜が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１８－５４９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記のような光走査装置の配線として金配線を用いた場合には、金配線はアルミ酸化物等の保護膜との密着性が乏しいことから、保護膜が配線上から剥離するという問題がある。本出願人は、光走査装置の使用環境において加わる熱や、製造時のダイシング工程（ウエハ切断工程）によりウエハに加わる外力によって保護膜が配線上から剥離することを確認した。
【0006】
開示の技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、配線上からの保護膜の剥離を抑制することを可能とする光走査装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
開示の技術は、ミラーを揺動させることにより、前記ミラーに照射された光の反射光を走査する光走査装置であって、金で形成された配線と、前記配線を覆う保護膜と、前記配線と前記保護膜との間に形成された密着膜と、を有し、前記密着膜の熱膨張係数は、前記配線の熱膨張係数と前記保護膜の熱膨張係数との間の値であり、前記配線と前記密着膜との界面に、前記配線を構成する前記金と、前記密着膜を構成する物質との混成領域を有し、前記保護膜と前記密着膜との界面に、前記保護膜及び前記密着膜の化合物を含む領域を有し、前記配線は、前記ミラーを駆動する駆動源としての圧電素子に接続された駆動配線であるか、または、前記ミラーの傾斜角に応じた信号を出力する傾斜センサに接続されたセンサ配線であり、前記配線の端部は、前記密着膜及び前記保護膜が除去されて、露出し、端子として機能する領域であり、前記配線において、前記端部に隣接する残余の領域は、前記保護膜、前記密着膜、前記混成領域、並びに、前記保護膜及び前記密着膜の前記化合物を含む前記領域に覆われることを特徴とする光走査装置。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、配線上からの保護膜の剥離を抑制することを可能とする光走査装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】一実施形態に係る光走査システムの構成を概略的に示す図である。
【図2】光走査装置の構成を示す図である。
【図3】固定枠上に形成された端子群の一部を示す平面図である。
【図5】各種金属の熱膨張係数を示す図である。
【図6】比較例において保護膜の剥離が発生した箇所を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１は、一実施形態に係る光走査システムの構成を概略的に示す図である。
【0011】
本実施形態の光走査システム１は、光走査制御装置１０と、光源装置２０と、光走査装置４０とを有する。以下に、各部について説明する。
【0012】
光走査制御装置１０は、システムコントローラ１１と、ミラー駆動回路１３と、レーザ駆動回路１４とを有する。光走査制御装置１０は、光源装置２０と、光走査装置４０とを制御する。
【0013】
システムコントローラ１１は、ミラー駆動回路１３に対し、光走査装置４０の有するミラーの揺動を駆動するための駆動信号（駆動電圧）を供給する。また、システムコントローラ１１は、デジタルの映像信号をレーザ駆動回路１４に供給する。
【0014】
ミラー駆動回路１３は、システムコントローラ１１からの制御信号に基づいて、光走査装置４０に対し、後述するミラーを水平方向に駆動して水平揺動軸周りに揺動させるための水平駆動信号と、ミラーを垂直方向に駆動して垂直揺動軸周りに揺動させるための垂直駆動信号とを供給するミラー駆動部である。
【0015】
レーザ駆動回路１４は、システムコントローラ１１からの映像信号に基づいて、光源装置２０に、レーザを駆動させるためのレーザ駆動信号を供給する。
【0016】
光源装置２０は、ＬＤモジュール２１、減光フィルタ２２を有する。ＬＤモジュール２１は、レーザ２１Ｒ、レーザ２１Ｇ、レーザ２１Ｂを有する。
【0017】
レーザ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂは、システムコントローラ１１から供給されたレーザ駆動電流に基づいて、レーザ光を出射する。レーザ２１Ｒは、例えば、赤色半導体レーザであり、波長λＲ（例えば、６４０ｎｍ）の光を出射する。レーザ２１Ｇは、例えば、緑色半導体レーザであり、波長λＧ（例えば、５３０ｎｍ）の光を出射する。レーザ２１Ｇは、例えば、青色半導体レーザであり、波長λＢ（例えば、４４５ｎｍ）の光を出射する。レーザ２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂから出射された各波長の光は、ダイクロイックミラー等により合成され、減光フィルタ２２により所定の光量に減光されて、光走査装置４０に入射される。
【0018】
光走査装置４０は、ミラー駆動回路１３から供給される水平及び垂直駆動信号に応じて、ミラーを水平方向及び垂直方向に駆動させる。光走査装置４０では、これにより、入射されるレーザ光の反射方向を変更して、レーザ光による光走査を行い、スクリーン等に画像を投影する。
【0019】
図２は、光走査装置４０の構成を示す図である。光走査装置４０は、例えば圧電素子からなるアクチュエータによりミラー１１０を駆動させるＭＥＭＳである。
【0020】
光走査装置４０は、ミラー１１０と、ミラー支持部１２０と、捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂと、連結梁１４０Ａ、１４０Ｂと、第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂと、可動枠１６０と、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂと、固定枠１８０とを有する。また、第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂは、それぞれ駆動源１５１Ａ、１５１Ｂを有する。また、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、それぞれ駆動源１７１Ａ、１７１Ｂを有する。第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂ、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、ミラー１１０を上下又は左右に揺動してレーザ光を走査する機能する。
【0021】
光走査装置４０において、ミラー支持部１２０の上面にミラー１１０が支持され、ミラー支持部１２０は、両側にある捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂの端部に連結されている。捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂは、揺動軸を構成し、軸方向に延在してミラー支持部１２０を軸方向両側から支持している。捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂが捻れることにより、ミラー支持部１２０に支持されたミラー１１０が揺動し、ミラー１１０に照射された光の反射光を走査させる動作を行う。捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂは、それぞれが連結梁１４０Ａ、１４０Ｂに連結支持され、第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂに連結されている。
【0022】
第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂ、連結梁１４０Ａ、１４０Ｂ、捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂ、ミラー支持部１２０及びミラー１１０は、可動枠１６０によって外側から支持されている。第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂは、可動枠１６０にそれぞれの一方の側が支持されている。第１の駆動梁１５０Ａの他方の側は内周側に延びて連結梁１４０Ａ、１４０Ｂと連結している。第１の駆動梁１５０Ｂの他方の側も同様に、内周側に延びて連結梁１４０Ａ、１４０Ｂと連結している。
【0023】
第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂは、捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂと直交する方向に、ミラー１１０及びミラー支持部１２０を挟むように、対をなして設けられている。第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂの上面には、駆動源１５１Ａ、１５１Ｂがそれぞれ形成されている。駆動源１５１Ａ、１５１Ｂは、圧電薄膜と、圧電薄膜の上に形成された上部電極と、圧電薄膜の下に形成された下部電極とを含んでなる圧電素子である。駆動源１５１Ａ、１５１Ｂは、上部電極と下部電極に印加される駆動電圧に応じて伸長したり、縮小したりする。
【0024】
このため、第１の駆動梁１５０Ａと第１の駆動梁１５０Ｂとで電位が反転した駆動電圧を交互に印加すれば、ミラー１１０の左側と右側で第１の駆動梁１５０Ａと第１の駆動梁１５０Ｂとが上下反対側に交互に振動する。これにより、捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂを揺動軸又は回転軸として、ミラー１１０を軸周りに揺動させることができる。
【0025】
ミラー１１０が捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂの軸周りに揺動する方向を、以後、水平方向と呼ぶ。つまり、本実施形態の第１の駆動梁１５０Ａと第１の駆動梁１５０Ｂは、捻れ梁１３０Ａ、１３０Ｂの捻れ変形させることで、ミラー１１０を水平方向に揺動させる。例えば第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂによる水平駆動には、共振振動が用いられ、高速にミラー１１０を揺動駆動することができる。
【0026】
また、可動枠１６０の外部には、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂの一端が連結されている。第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、可動枠１６０を左右両側から挟むように、対をなして設けられている。そして、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、可動枠１６０を両側から支持すると共に、光反射面の中心を通る所定の軸周りに揺動させる。第２の駆動梁１７０Ａは、第１の駆動梁１５０Ａと平行に延在する複数個（例えば偶数個）の矩形梁の各々が、隣接する矩形梁と端部で連結され、全体としてジグザグ状の形状を有する。
【0027】
そして、第２の駆動梁１７０Ａの他端は、固定枠１８０の内側に連結されている。第２の駆動梁１７０Ｂも同様に、第１の駆動梁１５０Ｂと平行に延在する複数個（例えば偶数個）の矩形梁の各々が、隣接する矩形梁と端部で連結され、全体としてジグザグ状の形状を有する。そして、第２の駆動梁１７０Ｂの他端は、固定枠１８０の内側に連結されている。
【0028】
第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂの上面には、それぞれ曲線部を含まない矩形単位ごとに駆動源１７１Ａ、１７１Ｂが形成されている。駆動源１７１Ａ、１７１Ｂは、圧電薄膜と、圧電薄膜の上に形成された上部電極と、圧電薄膜の下に形成された下部電極とを含んでなる圧電素子である。
【0029】
第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、矩形単位ごとに隣接している駆動源１７１Ａ、１７１Ｂ同士で、電位が反転した駆動電圧を印加することにより、隣接する矩形梁を上下反対方向に反らせ、各矩形梁の上下動の蓄積を可動枠１６０に伝達する。
【0030】
第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、この動作により、平行方向と直交する方向である垂直方向にミラー１１０を揺動させる。つまり、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、ミラー１１０を垂直方向に揺動させる垂直梁である。言い換えれば、本実施形態の第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂは、自身を曲げて変形させることで、ミラー１１０を垂直方向に揺動させる。例えば第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂによる垂直駆動には、非共振振動を用いることができる。
【0031】
駆動源１７１Ａは、可動枠１６０側から右側に向かって並ぶ駆動源１７１Ａ１、１７１Ａ２、１７１Ａ３、１７１Ａ４、１７１Ａ５、及び１７１Ａ６を含む。また、駆動源１７１Ｂは、可動枠１６０側から左側に向かって並ぶ駆動源１７１Ｂ１、１７１Ｂ２、１７１Ｂ３、１７１Ｂ４、１７１Ｂ５、及び１７１Ｂ６を含む。
【0032】
駆動源１５１Ａに駆動電圧を印加するための駆動配線は、固定枠１８０に設けられた端子群１９０Ａに含まれる所定の端子と接続されている。また、駆動源１５１Ｂに駆動電圧を印加するための駆動配線は、固定枠１８０に設けられた端子群１９０Ｂに含まれる所定の端子と接続されている。
【0033】
また、駆動源１７１Ａに駆動電圧を印加するための駆動配線は、固定枠１８０に設けられた端子群１９０Ａに含まれる所定の端子と接続されている。また、駆動源１７１Ｂに駆動電圧を印加するための駆動配線は、固定枠１８０に設けられた端子群１９０Ｂに含まれる所定の端子と接続されている。
【0034】
また、光走査装置４０は、駆動源１５１Ａ、１５１Ｂに駆動電圧が印加されてミラー１１０が水平方向に遥動している状態におけるミラー１１０の水平方向への傾斜角に応じた信号を出力する水平傾斜センサ１９２を有する。水平傾斜センサ１９２は、圧電センサにより構成されており、連結梁１４０Ｂに配置されている。
【0035】
また、光走査装置４０は、駆動源１７１Ａ、１７１Ｂに駆動電圧が印加されてミラー１１０が垂直方向に遥動している状態におけるミラー１１０の垂直方向への傾斜角に応じた信号を出力する垂直傾斜センサ１９６を有する。垂直傾斜センサ１９６は、圧電素子により構成されており、第２の駆動梁１７０Ａの有する矩形梁の一つに配置されている。
【0036】
水平傾斜センサ１９２は、ミラー１１０の水平方向への傾斜に伴い、捻れ梁１３０Ｂから伝達される連結梁１４０Ｂの変位に対応する信号を出力する。垂直傾斜センサ１９６は、ミラー１１０の垂直方向への傾斜に伴い、第２の駆動梁１７０Ａのうち垂直傾斜センサ１９６が設けられた矩形梁の変位に対応する信号を出力する。
【0037】
水平傾斜センサ１９２及び垂直傾斜センサ１９６を構成する圧電センサは、圧電薄膜の上面に形成された上部電極と、圧電薄膜の下面に形成された下部電極とを含む。水平傾斜センサ１９２を構成する圧電センサの上部電極及び下部電極から引き出されたセンサ配線は、固定枠１８０に設けられた端子群１９０Ｂに含まれる所定の端子と接続されている。また、垂直傾斜センサ１９６を構成する圧電センサの上部電極及び下部電極から引き出されたセンサ配線は、固定枠１８０に設けられた端子群１９０Ａに含まれる所定の端子と接続されている。
【0038】
以上のように構成された光走査装置４０は、ミラー１１０を露出させる必要性から、いわゆるオープンパッケージでとして、様々な環境下で用いられる。
【0039】
【0040】
図４に示すように、例えば、固定枠１８０は、シリコン（Ｓｉ）からなる支持基板１８１、ＢＯＸ（Buried Oxide）層１８２、シリコン活性層１８３が、この順に積層されてなるＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板により形成されている。
【0041】
固定枠１８０上には、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜２１０が形成されている。この絶縁膜２１０は、単一の絶縁膜に限られず、２以上の絶縁膜が積層されたものであってもよい。
【0042】
絶縁膜２１０上には、上述の駆動配線及びセンサ配線の形成領域に、配線２００が形成されている。具体的には、配線２００は、下地膜２０１を介して絶縁膜２１０上に形成されている。また、配線２００上には、密着膜２０２が形成されている。下地膜２０１、配線２００、及び密着膜２０２は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等により絶縁膜２１０上に積層された多層膜を、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成されたものであり、ほぼ同一の平面形状を有する。
【0043】
上述のように光走査装置４０は、いわゆるオープンパッケージとして、様々な環境下で用いられることから、配線２００は、耐熱性及び耐腐食性が高い材料で形成されていることが好ましい。このため、配線２００は、金（Ａｕ）を材料とする金配線とされている。なお、配線２００は、単一の層により形成された配線であり、端子群１９０Ａ及び１９０Ｂに含まれる端子と、圧電素子（駆動源１５１Ａ、１５１Ｂ、及び駆動源１７１Ａ、１７１Ｂ）又は傾斜センサ（水平傾斜センサ１９２、及び垂直傾斜センサ１９６）との間を接続する。したがって、配線２００は、固定枠１８０上に限られず、可動枠１６０、第１の駆動梁１５０Ａ、１５０Ｂ、第２の駆動梁１７０Ａ、１７０Ｂ等の上にも配設されている。
【0044】
下地膜２０１は、チタン（Ｔｉ）を含有する合金等の高融点金属材料により形成されている。下地膜２０１は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）により形成されていることが好ましく、組成比は、例えば、Ｔｉ：Ｗ＝３０：７０［ａｔ％］である。下地膜２０１は、金配線である配線２００と絶縁膜２１０との間の密着性を高める作用を有する。
【0045】
密着膜２０２は、下地膜２０１と同様に、チタン（Ｔｉ）を含有する合金等の高融点金属材料により形成されている。密着膜２０２は、例えば、チタンタングステン（ＴｉＷ）により形成されていることが好ましく、組成比は、例えば、Ｔｉ：Ｗ＝３０：７０［ａｔ％］である。なお、密着膜２０２は、金配線である配線２００と保護膜２２０との間の密着性を高める作用を有する。
【0046】
なお、本実施形態では、下地膜２０１及び密着膜２０２は、配線２００に接触しているが、配線２００よりも高抵抗であるので、配線（信号線）としては機能しない。
【0047】
また、密着膜２０２は、配線２００上を覆っているが、配線２００の端部上が部分的に除去されている。配線２００の密着膜２０２が除去された端部が、端子群１９０Ａ及び１９０Ｂに含まれる端子１９０として機能する。
【0048】
保護膜２２０は、光走査装置４０上のほぼ全領域を覆っている。なお、保護膜２２０は、端子１９０の部分については除去されている。保護膜２２０は、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜である。
【0049】
図５は、各種金属の熱膨張係数を示す図である。図５に示すように、密着膜２０２に含まれるチタン（Ｔｉ）の熱膨張係数は、約８．５×１０－６／Ｋであって、配線２００を形成する金（Ａｕ）の熱膨張係数（約１４．３×１０－６／Ｋ）と、保護膜２２０を形成する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の熱膨張係数（約５．４×１０－６／Ｋ）との間の値であることから、配線２００と保護膜２２０との熱膨張係数の差による剥離を緩和する作用を有する。
【0050】
また、密着膜２０２は、含有するチタン（Ｔｉ）が酸化して化合物を形成し、酸化アルミニウムからなる保護膜２２０を形成する酸化アルミニウムの酸素と結合することにより、保護膜２２０との密着性が向上すると考えられる。また、密着膜２０２は、配線２００を形成する金（Ａｕ）内に拡散しやすいチタン（Ｔｉ）を含有することにより、配線２００との密着性が向上すると考えられる。
【0051】
以上のように、配線２００上に密着膜２０２を介して保護膜２２０を形成することにより、光走査装置４０の使用環境において加わる熱による保護膜２２０の剥離が抑制される。また、光走査装置４０は、ＳＯＩ基板等のウエハを用いて製造される。具体的には、ウエハ上に複数の光走査装置４０を形成した後、ダイシング工程（ウエハ切断工程）によってウエハを切断することにより、個々の光走査装置４０に個片化されるが、このダイシング工程によりウエハに加わる外力による保護膜２２０の剥離が抑制される。
【0052】
＜比較例＞
次に、上記実施形態に対する比較例について説明する。本出願人は、上記構成の光走査装置４０から密着膜２０２を無くし、配線２００上に保護膜２２０を直接形成したものを、上記ウエハを用いて製造し、熱や外力による保護膜２２０の剥離の発生の有無を検証した。
次に、上記実施形態に対する比較例について説明する。本出願人は、上記構成の光走査装置４０から密着膜２０２を無くし、配線２００上に保護膜２２０を直接形成したものを、上記ウエハを用いて製造し、熱や外力による保護膜２２０の剥離の発生の有無を検証した。
【0053】
この結果、ウエハの中央部や周辺部に位置する素子（光走査装置）において保護膜２２０の剥離が確認された。保護膜２２０の剥離が発生した素子は、ウエハ中の素子のうち約２２％であった。
【0054】
図６は、比較例において保護膜２２０の剥離が発生した箇所を例示する図である。図６に示すように、保護膜２２０の剥離は、配線２００上における端子１９０に隣接した領域Ｂで発生した。このように保護膜２２０が端部から剥離すると、これに伴って保護膜２２０が剥離する領域が拡大する恐れがある。
【0055】
これに対して、本出願人は、配線２００と保護膜２２０との間に密着膜２０２を有する光走査装置４０を、比較例と同様の方法により製造し、保護膜２２０の剥離の発生の有無を検証した。この結果、密着膜２０２が存在する場合には、ウエハ中のいずれの素子においても保護膜２２０の剥離は発生しないことが確認された。
【0056】
＜変形例＞
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
【0057】
上記実施形態では、密着膜２０２と下地膜２０１とをそれぞれチタンを含有する合金（例えば、ＴｉＷ）により形成しているが、密着膜２０２及び下地膜２０１は、チタン合金でなくてもよく、例えばチタン（Ｔｉ）のみで形成されていてもよい。
【0058】
なお、密着膜２０２の材料は、チタン系の金属には限られない。密着膜２０２は、その熱膨張係数が配線２００の熱膨張係数と保護膜２２０の熱膨張係数との間に存在し、かつ、配線２００と保護膜２２０とに相互作用を有する物質であることが好ましい。本出願人は、密着性に寄与する２つの物質間の相互作用として、以下の（１）～（４）の要素が存在すると推察している。
【0059】
（１）格子定数が近いこと。
【0060】
（２）界面近傍において、熱力学的に安定な化合物が形成されること。
【0061】
（３）界面近傍において、双方の金属が原子レベルで拡散すること。
【0062】
（４）アンカー効果を奏すること。
【0063】
要素（１）については、格子定数が４．０７オングストロームである金（Ａｕ）に格子定数が近い材料として、格子定数が４．０５オングストロームであるアルミニウム（Ａｌ）や、格子定数が４．０８オングストロームである銀（Ａｇ）などが挙げられる。
【0064】
要素（２）については、界面近傍に双方の金属が混合されている場合や、界面近傍に化合物として酸化物が形成されている場合が挙げられる。
【0065】
要素（３）については、界面近傍で双方の金属が原子レベルで膜厚方向に緩やかに組成比が変化している場合が挙げられる。拡散しやすい物質としては、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などが挙げられる。
【0066】
要素（４）のアンカー効果とは、配線と保護膜との界面に生じた凹凸に侵入して密着性を高める効果である。
【0067】
配線２００が金（Ａｕ）であり、保護膜２２０が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である場合には、密着膜２０２をチタン系金属とすることにより、熱膨張係数に加えて、上記要素（２）～（４）の少なくともいずれかの相互作用が寄与することにより、密着性が向上すると推察している。
【0068】
また、保護膜２２０は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）に限られず、その他の材料で形成してもよい。例えば、保護膜２２０を、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）以外の無機酸化物（ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３など）で形成してもよい。また、保護膜２２０を、無機窒化物（ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮなど）で形成してもよい。また、保護膜２２０を、無機フッ化物（ＭｇＦなど）で形成してもよい。さらに、保護膜２２０を、無機系の非晶質膜としてもよい。
【0069】
また、上記実施形態では、光走査装置４０として、水平駆動が共振駆動であり、垂直駆動が非共振駆動であるものを用いているが、光走査装置４０の構成はこれに限られない。例えば、光走査装置４０として、水平駆動及び垂直駆動がともに非共振駆動であるものを用いることが可能である。
【0070】
上記実施形態の光走査装置は、例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ、プロジェクタ等の二次元走査型の光走査装置に適用することができる。
【0071】
以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【0072】
１ 光走査システム、１０ 光走査制御装置、２０ 光源装置、４０ 光走査装置、１１０ ミラー、１５１Ａ，１５１Ｂ 駆動源、１７１Ａ，１７１Ｂ 駆動源、１８０ 固定枠、１８１ 支持基板、１８２ ＢＯＸ層、１８３ シリコン活性層、１９０ 端子 １９０Ａ，１９０Ｂ 端子群 １９２ 水平傾斜センサ、１９６ 垂直傾斜センサ、２００ 配線、２０１ 下地膜、２０２ 密着膜、２１０ 絶縁膜、２２０ 保護膜
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】