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特許7299884有機半導体層を含む有機電子デバイス

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2023-06-20

(45)【発行日】2023-06-28

(54)【発明の名称】有機半導体層を含む有機電子デバイス

(51)【国際特許分類】

C07C 15/52 20060101AFI20230621BHJP

C07F 9/53 20060101ALI20230621BHJP

G09F 9/30 20060101ALI20230621BHJP

H01L 29/786 20060101ALI20230621BHJP

H01L 31/0256 20060101ALI20230621BHJP

H10K 50/10 20230101ALI20230621BHJP

H10K 50/16 20230101ALI20230621BHJP

C07C 255/50 20060101ALI20230621BHJP

【ＦＩ】

C07C15/52 CSP

C07F9/53

G09F9/30 365

H01L29/78 618B

H01L31/04 320

H05B33/14 A

H05B33/22 B

C07C255/50

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2020520578

(86)(22)【出願日】2018-10-10

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2020-12-24

(86)【国際出願番号】 EP2018077628

(87)【国際公開番号】W WO2019072928

(87)【国際公開日】2019-04-18

【審査請求日】2021-08-26

(31)【優先権主張番号】17196456.2

(32)【優先日】2017-10-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(73)【特許権者】

【識別番号】503180100

【氏名又は名称】ノヴァレッドゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】弁理士法人ＨＡＲＡＫＥＮＺＯＷＯＲＬＤＰＡＴＥＮＴ＆ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】ガラン，エレナ

(72)【発明者】

【氏名】カルディナリ，フロンソワ

(72)【発明者】

【氏名】シュルツェ，ベンヤミン

【審査官】坂口岳志

(56)【参考文献】

【文献】中国特許出願公開第１０５００１８５５（ＣＮ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１４－００８０３２２（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開平１１－２６０５５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－０１２６００（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０１４４５４２２（ＣＮ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１１／１０６９９０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０５４８１６７２（ＣＮ，Ａ）

【文献】特表２０１５－５０６０９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０２２７６４１４（ＣＮ，Ａ）

【文献】ZHAO, Zujin et al.，Chem. Commun.，2014年，50，1131-1133

【文献】HUANG, Jing et al.，J. Mater. Chem.，2012年，22，12001-12007

【文献】BANERJEE, Moloy et al.，J. Org. Chem.，2007年，72，8054-8061

【文献】LIU, Baiquan et al，APPLIED MATERIALS AND INTERFACES，2017年09月07日，9，34162 - 34171，https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28880519/

【文献】ZHAN, Xuejun et al. ，CHEMICAL SCIENCE，2016年，7(7)，4355 - 4363，http://dx.doi.org/10.1039/C6SC00559D

【文献】SHIH PING-I，ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS，2007年11月05日，17(16)，3141 - 3146，http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200700355

【文献】KIM, Soo-Kang et al.，THIN SOLID FILMS，2008年12月31日，517(4)，1349 - 1353，http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2008.09.038

【文献】KIM, Soo-Kang et al. ，2007 SID INTERNATIONAL SYMPOSIUM, SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY / DIGEST，米国，2007年05月20日，XXXVIII，879 - 882，https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1889/1.2785449

【文献】HE, Bairong et al，Dyes and Pigments，2014年，106，87-93

【文献】HUANG, Jing et al.，Chem. Eur. J.，2014年，20，5317-5326

【文献】RUAN, ZHIJUN et al，SMALL，2016年，12(47)，6623 - 6632，http://dx.doi.org/10.1002/smll.201602285

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０７Ｃ

Ｃ０７Ｆ

Ｈ０１Ｌ

Ｈ１０Ｋ５０／００

Ｇ０９Ｆ９／００

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

式Ｉによる化合物：

【化1】

式中、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または化学結合によって互いに結合している、Ｘ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０のうちの少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し、１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【化2】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のアントラセンであり；
Ａｒ^２は、置換されたＣ_６－６０非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０非ヘテロアリールの置換基は、直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、もしくは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、Ｈ、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１であり；
ｍは、１、２または３から選択され；
前記式Ｉの化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香環を含み；
Ａｒ^２の非ヘテロ６員芳香環は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
前記式Ｉの化合物は、１つの非ヘテロテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）のみを含み；かつ
ただ１つのテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合する。

【請求項2】

前記式Ｉの化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香環を含む、請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

前記式Ｉの化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香族６員環を含む、請求項１に記載の化合物。

【請求項4】

前記式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、Ｓの群から選択されたヘテロ原子、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、および－ＣＮを含む少なくとも１つの置換基を含む、請求項１に記載の化合物。

【請求項5】

前記式Ｉの化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香族６員環を含み、かつヘテロ原子を含まない、請求項１に記載の化合物。

【請求項6】

前記Ａｒ^１基は、少なくとも１個～３個の非ヘテロ芳香族６員環を含む、請求項１に記載の化合物。

【請求項7】

前記Ａｒ^２基は、１個～９個の非ヘテロ芳香族６員環を含む、請求項１に記載の化合物。

【請求項8】

少なくとも１つの非ヘテロＣ_６～Ｃ_１８アリーレンは、少なくとも式（Ｉ）の非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤに縮環される、請求項１に記載の化合物。

【請求項9】

式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、ここで、１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である、請求項１に記載の化合物：

【化3】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のアントラセンであり；
Ａｒ^２は、置換されたＣ_{１２－６０}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０アリールから独立して選択され；
ｎは、１であり；
ｍは、１、２または３から選択される。

【請求項10】

【化4】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のアントラセンであり；
Ａｒ^２は、置換されたＣ_{１２－５２}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２アリールから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択される。

【請求項11】

Ｚは、式Ｅ２～Ｅ４から選択される、請求項１に記載の化合物：

【化5】

式中、
Ａｒ^２は、置換された非ヘテロＣ_６－６０アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｍは、１、２または３から選択される。

【請求項12】

Ａｒ^２は、式Ｆ２またはＦ３から選択される、請求項１に記載の化合物。

【化6】

【請求項13】

Ａｒ^２は、少なくとも１つの置換された１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基を含む、請求項１に記載の化合物。

【請求項14】

前記式Ｉの化合物は、Ｇ１およびＧ３１～Ｇ３４から選択される、請求項１に記載の化合物。

【化7】

【請求項15】

有機半導体層を含む有機電子デバイスであって、
少なくとも１つの有機半導体層が、請求項１に記載の式Ｉの化合物を含む、有機電子デバイス。

【請求項16】

前記有機半導体層は、光活性層とカソード層との間に配置される、請求項１５に記載の有機電子デバイス。

【請求項17】

前記少なくとも１つの有機半導体層は、少なくとも１つのアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体をさらに含む、請求項１５に記載の有機電子デバイス。

【請求項18】

前記電子デバイスは、少なくとも１つの有機半導体層と、少なくとも１つのアノード層と、少なくとも１つのカソード層と、少なくとも１つの発光層とを含む、請求項１５に記載の有機電子デバイス。

【請求項19】

前記電子デバイスは、発光デバイス、薄膜トランジスタ、バッテリ、表示デバイスまたは光電池である、請求項１５に記載の有機電子デバイス。

【発明の詳細な説明】

【0001】

［技術分野］
本発明は、電子デバイスの層材料として使用される化合物、前記層材料を含む有機電子デバイス、および前記有機電子デバイスの製造方法に関する。

【0002】

［背景技術］
自己発光型デバイスである有機電子デバイス（例えば、有機発光ダイオードＯＬＥＤ）は、視野角が広く、コントラストが良好で、応答が速く、高輝度であり、動作電圧特性に優れ、色再現性を有する。典型的なＯＬＥＤは、アノード、正孔輸送層（ＨＴＬ：hole transport layer）、発光層（ＥＭＬ：emission layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：electron transport layer）、およびカソードを含み、これらは基板上に順番に積層されている。なお、ＨＴＬ、ＥＭＬおよびＥＴＬは、有機化合物から形成されている薄膜である。

【0003】

アノードおよびカソードに電圧を印加すると、アノードから注入された正孔はＨＴＬを経由してＥＭＬに移動する。また、カソードから注入された電子は、ＥＴＬを経由してＥＭＬに移動する。正孔および電子は、ＥＭＬ中で再結合して励起子を生成する。励起子が励起状態から基底状態に遷移すると、光が放出される。前記構造を有するＯＬＥＤが優れた効率および／または長寿命を有するように、正孔および電子の注入と流量はバランスをとるべきである。

【0004】

有機発光ダイオードの性能は、有機半導体層の特性に影響され、中でも、有機半導体層の有機材料の特性に影響され得る。

【0005】

特に、有機電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード）を大型のフラットパネルディスプレイに適用できるように、電子の移動度を高めると同時に電子の化学的安定性も高めることができる有機材料の開発が求められている。

【0006】

有機半導体層、有機半導体材料および有機電子デバイスの性能を向上させること、とりわけ、それらに含まれている化合物の特性を向上させることによって、高効率を実現する必要性が、依然としてある。

【0007】

特に、低動作電圧において高効率である、代替的な有機半導体材料および有機半導体層、ならびに有機電子デバイスが求められている。

【0008】

動作電圧を維持しつつ高効率であり、それによって、例えば携帯電子デバイスの消費電力が低くなり長い電池寿命をもたらす、代替的な化合物が求められている。

【0009】

［開示］
本発明の一態様は、式Ｉによる化合物を提供する：

【0010】

【化1】

【0011】

式中、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または化学結合によって互いに結合している、Ｘ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０のうちの少なくとも２つは、架橋されて縮環した芳香環を形成し、ここで、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0012】

【化2】

【0013】

式中、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換のフェニレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のアントラセン、または置換もしくは非置換のＣ_１４～Ｃ_１８融合非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記置換されたフェニレン、前記置換されたビフェニレン、前記置換されたトリフェニレン、前記置換されたアントラセン、または前記置換されたＣ_１４～Ｃ_１８融合アリールの置換基は、ニトリル、直鎖状Ｃ_１－２０アルキル、分岐Ｃ_３－２０アルキルもしくはＣ_３－２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、－ＮＲ^２Ｒ^３またはＢＲ^２Ｒ^３から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換のＣ_６－６０非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルもしくはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、もしくは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択されるか、あるいは
Ａｒ^２は、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉであり；
Ｒ、Ｒ^２およびＲ^３は、Ｈ、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１または２であり；
ｍは、１、２または３から選択され；
非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれも、単結合を介してトリアジン環に連結されておらず；
式Ｉの化合物は、少なくとも約８個～約１４個の非ヘテロ芳香環を含み；
Ａｒ^２の非ヘテロ６員芳香環は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
ただ１つのテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
その鏡像上に重ね合わせることができる式Ｉの化合物を任意に除く。

【0014】

式Ｉによる化合物は、例えば、有機電子デバイスのための層材料として使用することができる。

【0015】

一実施形態によれば、非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、Ｃおよび／またはＤのいずれも、互いに直接的に架橋されて、縮環した芳香環を形成することができない。

【0016】

本明細書中で使用される場合、ｍ＝１は、Ａｒ^１が１つのＡｒ^２置換基で置換されていることを意味する。本明細書中で使用される場合、ｍ＝２は、Ａｒ^１が２つのＡｒ^２置換基で置換されていることを意味する。本明細書中で使用される場合、ｍ＝３は、Ａｒ^１が３つのＡｒ^２置換基で置換されていることを意味する。

【0017】

一実施形態によれば、化合物は、式Ｉに従って提供される：

【0018】

【化3】

【0019】

【0020】

【化4】

【0021】

式中、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換のフェニレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のアントラセン、または置換もしくは非置換のＣ_１４～Ｃ_１８融合非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記置換されたフェニレン、前記置換されたビフェニレン、前記置換されたトリフェニレン、前記置換されたアントラセン、または前記置換されたＣ_１４～Ｃ_１８融合アリールの置換基は、ニトリル、直鎖状Ｃ_１－２０アルキル、分岐Ｃ_３－２０アルキルもしくはＣ_３－２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換のＣ_６－６０非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルもしくはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、もしくは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択されるか、または
Ａｒ^２は、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉであり、
Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１または２であり；
ｍは、１、２または３から選択され；
非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれも、単結合を介してトリアジン環に連結されておらず；
式Ｉの化合物は、少なくとも約８個～約１４個の非ヘテロ芳香環を含み；
Ａｒ^２の非ヘテロ６員芳香環は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
１つ、２つまたは３つのテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
式Ｉの化合物は、三重結合を含まず；かつ、その鏡像上に重ね合わせることができる式Ｉの化合物を任意に除く。

【0022】

別の態様によれば、層材料は、有機電子デバイスに使用される有機半導体層とすることができる。例えば、有機電子デバイスは、ＯＬＥＤ等であってもよい。

【0023】

【0024】

【0025】

一実施形態によれば、化合物は、式Ｉに従って提供される：

【0026】

【化5】

【0027】

【0028】

【化6】

【0029】

式中、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換のフェニレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のアントラセン、または置換もしくは非置換のＣ_１４～Ｃ_１８融合非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記置換されたフェニレン、前記置換されたビフェニレン、前記置換されたトリフェニレン、前記置換されたアントラセン、または前記置換されたＣ_１４～Ｃ_１８融合アリールの置換基は、ニトリル、直鎖状Ｃ_１－２０アルキル、分岐Ｃ_３－２０アルキルもしくはＣ_３－２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換のＣ_６－６０非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルもしくはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、もしくは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択されるか、または
Ａｒ^２は、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉであり、
Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１または２であり；
ｍは、１、２または３から選択され；
非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれも、単結合を介してトリアジン環に連結されておらず；
式Ｉの化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香環を含み；
Ａｒ^２の非ヘテロ６員芳香環は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
式Ｉの化合物は、ヘテロ芳香環を含まず；かつ、その鏡像上に重ね合わせることができる式Ｉの化合物を任意に除く。

【0030】

一実施形態によれば、化合物は、式Ｉに従って提供される：

【0031】

【化7】

【0032】

【0033】

【化8】

【0034】

式中、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換のフェニレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のアントラセン、または置換もしくは非置換のＣ_１４～Ｃ_１８融合非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記置換されたフェニレン、前記置換されたビフェニレン、前記置換されたトリフェニレン、前記置換されたアントラセン、または前記置換されたＣ_１４～Ｃ_１８融合アリールの置換基は、ニトリル、直鎖状Ｃ_１－２０アルキル、分岐Ｃ_３－２０アルキルもしくはＣ_３－２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換のＣ_６－６０非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルもしくはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、もしくは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択されるか、または
Ａｒ^２は、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉであり、
Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択されてよく；
ｎは、１または２であり；
ｍは、１、２または３から選択され；
非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれも、単結合を介してトリアジン環に連結されておらず；
式Ｉの化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香環を含み；
Ａｒ^２の非ヘテロ６員芳香環は、単結合を介してＡｒ^１に直接結合し；
式Ｉの化合物は、約８個～約１４個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは約８個～約１２個の非ヘテロ芳香族６員環および約０個～約４個の非ヘテロ芳香族５員環、好ましくは約１個～約２個の非ヘテロ芳香族５員環を含み、任意の式Ｉの化合物は、ヘテロ芳香環を含まず；かつ、
その鏡像上に重ね合わせることができる式Ｉの化合物を任意に除く。

【0035】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、当該式Ｉの化合物は、約８個～約１４個の非ヘテロ芳香族６員環および約０個～約４個の非ヘテロ芳香族５員環を含む。

【0036】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、当該式Ｉの化合物は、約８個～約１４個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは約９個～約１３個の非ヘテロ芳香族６員環、さらに好ましくは約１０個～約１２個の非ヘテロ芳香族６員環を含む。

【0037】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、当該式Ｉの化合物は、約０個～約４個の非ヘテロ芳香族５員環、好ましくは約１個～３個の非ヘテロ芳香族５員環、さらに好ましくは２個の非ヘテロ芳香族５員環を含む。

【0038】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、当該式Ｉの化合物は、約８個～約１４個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは約９個～約１３個の非ヘテロ芳香族６員環、さらに好ましくは約１０個～約１２個の非ヘテロ芳香族６員環と；約０個～約４個の非ヘテロ芳香族５員環、好ましくは約１個～３個の非ヘテロ芳香族５員環、さらに好ましくは２個の非ヘテロ芳香族５員環とを含む。

【0039】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、Ａｒ^１は、約１個～約３個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは約２個～約３個の非ヘテロ芳香族６員環を含む。

【0040】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、Ａｒ^２は、約１個～約９個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは約２個～約８個の非ヘテロ芳香族６員環または約４個～約６個の非ヘテロ芳香族６員環を含む。

【0041】

非ヘテロ芳香環の総数は、式Ｉの化合物が８個～１４個の非ヘテロ芳香環を含むように選択されることに留意されたい。

【0042】

一実施形態によれば、８個～１４個の非ヘテロ芳香環を含む式Ｉによる化合物が提供され、当該８個～１４個の非ヘテロ芳香環は、６員非ヘテロ芳香環である。

【0043】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、式Ｉの化合物の置換基は、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２（式中、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキルまたはＣ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択され、Ｒは同一であるかまたは異なってもよい）から独立して選択され得る。

【0044】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、式Ｉの化合物の置換基は、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２（式中、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_１２直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_１２チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１２環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１２分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状チオアルキルまたはＣ_１２非ヘテロアリールから独立して選択され、Ｒは同一であるかまたは異なってもよい）から独立して選択され得る。

【0045】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、式Ｉの化合物の置換基は、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２（式中、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_６直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_６チオアルキル，Ｃ_３－Ｃ_６分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_６環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_６分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状チオアルキルまたはＣ_６非ヘテロアリールから独立して選択され、Ｒは同一であるかまたは異なってもよい）から独立して選択され得る。

【0046】

【0047】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、Ａｒ^２の置換基は、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２（式中、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキルまたはＣ_６－Ｃ_２０非ヘテロアリールから独立して選択され、Ｒは同一であるかまたは異なってもよい）から独立して選択され得る。

【0048】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、Ａｒ^２の置換基は、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２（式中、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_１２直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_１２チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１２環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１２分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状チオアルキルまたはＣ_１２非ヘテロアリールから独立して選択され、Ｒは同一であるかまたは異なってもよい）から独立して選択され得る。

【0049】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、Ａｒ^２の置換基は、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、（式中、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_６直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_６チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_６分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_６環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_６分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状チオアルキルまたはＣ_６非ヘテロアリールから独立して選択され、Ｒは同一であるかまたは異なってもよい）から独立して選択され得る。

【0050】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物が提供され、Ａｒ^１は、ヘテロ原子を含まない。

【0051】

その鏡像上に重ねることができ、かつ式Ｉの化合物から除かれる化合物は、例えば、化合物Ｓ１～Ｓ４を含む群から選択される：

【0052】

【化9】

【0053】

【化10】

【0054】

その鏡像上に重ねることができる化合物は、例えば、対称面を描くことができる分子式を有する化合物である。対称面は、分子を、互いに鏡像である半分に二等分する仮想平面である。そのような対称面は、化合物の狭窄部（Ｓ１～４）において破線で示されている。

【0055】

一実施形態によれば、化合物Ｓ１、Ｓ２およびＳ３、またはＳ１～Ｓ４は、式Ｉから除かれる：

【0056】

【化11】

【0057】

【化12】

【0058】

一実施形態によれば、有機電子デバイスの層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

【0059】

【化13】

【0060】

式中、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または化学結合によって互いに結合している、Ｘ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０のうちの少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し、
ここで、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚから選択され；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３またはＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－２４アリールであり；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0061】

【化14】

【0062】

式中、
Ａｒ^１は、置換または非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールから独立して選択され、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールの置換基は、直鎖状Ｃ_１－２０アルキル、分岐Ｃ_３－２０アルキルまたはＣ_３－２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、
－Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
－置換または非置換のＣ_６－６０アリール、および置換または非置換のＣ_２－Ｃ_６０ヘテロアリール
から独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０アリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルまたはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、または直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され、
Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０アリールから独立して選択され；
ｎは、１または２であり；
ｍは、０、１、２または３から選択され；
非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれも、単結合を介してトリアジン環に連結されておらず；
その鏡像上に重ね合わせることができる式Ｉの化合物は除かれ、かつ
Ａｒ^１およびＡｒ^２が同一である式Ｉの化合物が除かれる。

【0063】

一実施形態によれば、有機電子デバイスの層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

【0064】

【化15】

【0065】

【0066】

【化16】

【0067】

式中、
Ａｒ^１は、置換または非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールから独立して選択され、Ｃ_６－Ｃ_６０アリールの置換基は、直鎖状Ｃ_１－２０アルキル、分岐Ｃ_３－２０アルキルまたはＣ_３－２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、
－Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
－置換または非置換のＣ_６－６０アリール、および置換または非置換のＣ_２－Ｃ_６０ヘテロアリール
から独立して選択され、
ここで、前記Ｃ_６－６０アリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルまたはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキル、または直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され、
Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、Ｃ_６－Ｃ_２０アリールから独立して選択され；
ｎは、１または２であり；
ｍは、０、１、２または３から選択され；
非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのいずれも、単結合を介してトリアジン環に連結されておらず；
その鏡像上に重ね合わせることができる式Ｉの化合物は除かれ、
Ａｒ^１およびＡｒ^２が同一である式Ｉの化合物が除かれ、かつ
Ｚは少なくとも４個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも４個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0068】

別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも５個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも５個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0069】

別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも６個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも６個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0070】

別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも７個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも７個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0071】

別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも８個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも８個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0072】

別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも９個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも９個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0073】

別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも１０個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは少なくとも１０個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

【0074】

一態様によれば、層材料は、有機電子デバイスに使用される有機半導体層とすることができる。例えば、有機電子デバイスは、ＯＬＥＤ等であってもよい。

【0075】

式Ｉの一実施形態によれば、非置換または置換のＡ、Ｂ、ＣおよびＤ非ヘテロアリーレン環（ここで、前記Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ非ヘテロアリーレン環の少なくとも１つは、Ｃ－Ｚによって置換されている）は、式Ｉの置換テトラアリールエチレン化合物（ＴＡＥ）を形成するエチレン基に単結合を介してそれぞれ結合している。

【0076】

式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、単結合を介して結合される。

【0077】

式１で表される化合物は、電子輸送特性が強く、電荷移動度および／または安定性が増強する。それによって、蛍光効率、電圧特性および／または長寿命特性が向上する。

【0078】

式１で表される化合物は、電子移動度が高く、動作電圧が低い。

【0079】

有機半導体層は、非発光性でよい。

【0080】

本明細書の文脈において、「実質的に非発光性」または「非発光」という用語は、その化合物または層の、デバイスからの可視発光スペクトルに対する寄与が、当該可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルとは、波長が約３８０ｎｍ以上～約７８０ｎｍ以下の発光スペクトルである。

【0081】

好ましくは、式１の化合物を含む有機半導体層は、実質的に非発光性または非発光である。

【0082】

「有さない（free of）」、「含まない（does not contain）」、「備えない（does not comprise）」という記載は、堆積前の化合物に存在し得る不純物を排除しない。不純物は、本発明によって達成される目的に対して技術的な効果を有さない。

【0083】

動作電圧（Ｕとも呼ばれる）は、平方センチ当たり１０ミリアンペア（ｍＡ／ｃｍ^２）で、ボルト（Ｖ）で測定される。

【0084】

アンペア効率当たりのカンデラ（ｃｄ／Ａ効率とも呼ばれる）は、平方センチメートル当たり１０ミリアンペア（ｍＡ／ｃｍ^２）で、アンペア当たりのカンデラで測定される。

【0085】

外部量子効率（ＥＱＥとも呼ばれる）は、パーセント（％）で測定される。

【0086】

色空間については、座標ＣＩＥ－ｘおよびＣＩＥ－ｙ（国際照明委員会、１９３１年）によって示される。青色発光には、ＣＩＥ－ｙは特に重要である。ＣＩＥ－ｙが小さいほど青色が濃くなる。

【0087】

最高被占分子軌道（ＨＯＭＯとも呼ばれる）および最低空軌道（ＬＵＭＯとも呼ばれる）は、電子ボルト（ｅＶ）で算出される。

【0088】

「ＯＬＥＤ」、「有機発光ダイオード（organic light emitting diode）」、「有機発光デバイス」、「有機光電子デバイス」、および「有機発光ダイオード（organic light-emitting diode）」という語は同時に用いられ、同じ意味を持つ。

【0089】

「遷移金属」という語は、周期表のｄブロック中の任意の元素を意味し、かつ包含している。ｄブロックは、周期表上で３族から１２族の元素を含む。

【0090】

「ＩＩＩ～ＶＩ族金属」という語は、周期表のＩＩＩ～ＶＩ族中の任意の金属を意味し、かつ包含している。

【0091】

「寿命（life-span）」および「寿命（有効期間、lifetime）」という語は同時に用いられ、同じ意味を持つ。

【0092】

本明細書において、「重量パーセント（weight percent）」、「重量％（wt.-%）」、「重量パーセント（percent by weight）」、「重量％（% by weight）」、およびそれらの変形は、それぞれの電子輸送層の組成物、成分、物質、または剤の重量を、該電子輸送層の組成の総重量で割り、かつ１００倍したときの、組成物、成分、物質、または剤を指す。それぞれの電子輸送層のすべての組成物、成分、物質、または剤の重量パーセントの合計は、１００重量％を超えないように選択される。

【0093】

本明細書において、「体積パーセント（volume percent）」、「体積％（vol.-%）」、「体積パーセント（percent by volume）」、「体積％（% by volume）」およびそれらの変形は、それぞれの電子輸送層の元素金属、組成物、成分、物質、または剤の体積を、該それぞれ電子輸送層の組成の総体積で割り、かつ１００倍したときの、元素金属、組成物、成分、物質、または剤を指す。それぞれのカソード電極層のすべての元素金属、組成物、成分、物質、または剤の体積パーセントの合計は、１００体積％を超えないように選択される。

【0094】

本明細書において、数値はすべて、明示の有無を問わず、「約」という語によって修飾されていると見なされる。本明細書において、「約」という語は、数量において起こり得る変動を意味する。

【0095】

「約」という語による修飾の有無を問わず、本願請求項は前記量に対する均等物を含む。

【0096】

本明細書および添付の請求項において、単数形「a」、「an」、「the」は、明確な断りがない限り、複数の対象を含むことに留意されたい。

【0097】

アノード電極およびカソード電極は、アノード電極／カソード電極、またはアノード電極／カソード電極、またはアノード電極層／カソード電極層と記載してよい。

【0098】

別の一態様によれば、有機光電子デバイスは、互いに対向するアノード層およびカソード層、ならびに該アノード層およびカソード層の間にある少なくとも１つの有機半導体層を含んでおり、該有機半導体層は式Ｉの化合物を含むまたは式Ｉの化合物からなる。

【0099】

さらに別の一態様によれば、有機電子デバイス（有機光電子デバイスであり得る）を備える表示デバイスが提供される。

【0100】

本明細書において、他に定義されていない場合、「アルキル基」は脂肪族炭化水素基を意味し得る。アルキル基は、二重結合または三重結合を有しない「飽和アルキル基」を意味し得る。

【0101】

アルキル基は、Ｃ_１～Ｃ_２０アルキル基、または好ましくはＣ_１～Ｃ_１２アルキル基でよい。より具体的には、アルキル基はＣ_１～Ｃ_２０アルキル基、または好ましくはＣ_１～Ｃ_１０アルキル基もしくはＣ_１～Ｃ_６アルキル基でよい。例えば、Ｃ_１～Ｃ_４アルキル基は、アルキル鎖に１～４つの炭素を含み、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチルおよびｔ－ブチルから選択されてもよい。

【0102】

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられる。

【0103】

本明細書において、他に定義されていない場合、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０環状チオアルキル、非ヘテロＣ_６－Ｃ_２０アリールから独立して選択される。

【0104】

好ましくは、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルキル、Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０環状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１０環状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐チオアルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０環状チオアルキル、非ヘテロＣ_６－Ｃ_１８アリールから独立して選択してもよい。

【0105】

より好ましくは、Ｒは、Ｃ_１－Ｃ_３直鎖アルキル、Ｃ_６－Ｃ_１８アリールから独立して選択してもよい。

【0106】

本明細書において、「アリーレン基」は、少なくとも１つの炭化水素芳香族部分を含む基を指し得、該炭化水素芳香族部分のすべての元素はｐ軌道を有し、該ｐ軌道は共役を形成する。例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、フルオレニル基等である。

【0107】

アリーレン基は、単環、多環、または縮合環多環（つまり、炭素原子の対を共有する、隣接する環）の官能基を含んでもよい。

【0108】

「ヘテロアリーレン」という語は、少なくとも１つのヘテロ原子を有する芳香族ヘテロ環を指し得、炭化水素ヘテロ芳香族部分のすべての元素はｐ軌道を有し、該ｐ軌道は共役を形成する。ヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅ、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択されてよい。

【0109】

本明細書において、「ヘテロアリーレン」という語は、ピリジン、キノリン、キナゾリン、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾ［４，５］チエノ［３，２－ｄ］ピリミジン、カルバゾール、キサンテン、フェノキサジン、ベンゾアクリジン、ジベンゾアクリジン等を含む。

【0110】

本明細書において、単結合とは直接結合を指す。

【0111】

本明細書において、他に定義されていない場合、Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し、ここで、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚから選択される。

【0112】

より好ましくは、Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも２つは、架橋されて縮環した芳香環を形成し、１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚである。

【0113】

さらに好ましくは、Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであってもよい。

【0114】

また好ましくは、Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであってもよい。

【0115】

本明細書において、他に定義されていない場合、Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；Ｒ^２およびＲ^３は独立して非ヘテロＣ_６－２４アリールから選択される。

【0116】

さらに好ましくは、式ＩのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｒ^１を有さない。

【0117】

本明細書において、他に定義されていない場合、Ａｒ^１は、置換もしくは非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリールから独立して選択される。非ヘテロＣ_６－Ｃ_６０アリールの置換基は、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキルまたはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、およびＳＲから独立して選択される。

【0118】

好ましくは、Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の非ヘテロＣ_６－Ｃ_１８アリールから独立して選択される。非ヘテロＣ_６－Ｃ_１８アリールの置換基は、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキルまたはＣ_３－Ｃ_１０環状アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１２フッ素化アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１２フッ素化アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ＯＲ、およびＳＲから独立して選択される。

【0119】

より好ましくは、Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の非ヘテロＣ_６－Ｃ_１２アリールから独立して選択される。Ｃ_６－Ｃ_１２非ヘテロアリールの置換基は、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_３アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_５アルキル、ＯＲ、およびＳＲから独立して選択される。

【0120】

さらに好ましくは、Ａｒ^１は、非置換のＣ_６－Ｃ_１２非ヘテロアリールから独立して選択される。

【0121】

より好ましくは、Ａｒ^１は、置換されていない。

【0122】

本明細書において、他に定義されていない場合、Ａｒ^２は、以下から独立して選択される：
－式Ｉ（但し、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではない場合を除く）
－置換または非置換のＣ_６－６０非ヘテロアリールであって、前記Ｃ_６－６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルキルまたはＣ_３－Ｃ_２０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_２０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_２０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルキルまたは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_１２アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_１２分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１２環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、および（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択される。

【0123】

好ましくは、Ａｒ^２は、以下から独立して選択される：
－式Ｉ（但し、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではない場合を除く）
－置換または非置換のＣ_１２－Ｃ_６０非ヘテロアリールであって、前記Ｃ_１２－Ｃ_６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルキルまたはＣ_３－Ｃ_１０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_６分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、および（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択される。

【0124】

より好ましくは、Ａｒ^２は、以下から独立して選択される：
－式Ｉ（但し、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではない場合を除く）
－置換または非置換のＣ_１８－Ｃ_６０非ヘテロアリールであって、前記Ｃ_１８－Ｃ_６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルキルまたはＣ_３－Ｃ_１０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_６分岐環状のフッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、および（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択される。

【0125】

さらに好ましくは、Ａｒ^２は、以下から独立して選択される：
－式Ｉであって、Ｘ^１～Ｘ^２０はＮおよびＣ－Ｈから独立して選択され、好ましくはＣ－Ｈである
－置換または非置換のＣ_２４－Ｃ_６０非ヘテロアリールであって、前記Ｃ_２４－Ｃ_６０非ヘテロアリールの置換基は、Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルキル、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルキルまたはＣ_３－Ｃ_１０環状アルキル；Ｃ_１－Ｃ_１０直鎖状アルコキシ、Ｃ_３－Ｃ_１０分岐アルコキシ；直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたは直鎖状フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ；Ｃ_３－Ｃ_６分岐環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状フッ素化アルキル、Ｃ_３－Ｃ_６環状フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、および（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される。

【0126】

また好ましくは、Ａｒ^２は、以下から独立して選択される：
－式Ｉであって、Ｘ^１～Ｘ^２０はＮおよびＣ－Ｈから独立して選択され、好ましくはＣ－Ｈである
－置換または非置換のＣ_２４－Ｃ_６０非ヘテロアリールであって、前記Ｃ_２４－Ｃ_６０非ヘテロアリールの置換基は、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択される。

【0127】

より好ましくは、Ａｒ^２は、置換されていない。

【0128】

本明細書において、他に定義されていない場合、ｎは１または２であり、より好ましくはｎが１であってもよい。

【0129】

本明細書において、他に定義されていない場合、ｍは１、２または３から選択される。より好ましくはｍが１または２であってもよい。

【0130】

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、
－少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香環、好ましくは少なくとも９個～１３個の非ヘテロ芳香環、さらに好ましくは少なくとも１０個～１２個の非ヘテロ芳香環を含む;および／または
－少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは少なくとも９個～１３個の非ヘテロ芳香族６員環、さらに好ましくは少なくとも１０個～１２個の非ヘテロ芳香族６員環を含む；および／または
－その鏡像上に重ね合わせることができない；および／または
－Ｎ、Ｏ、Ｓから選択されたヘテロ原子を含む少なくとも１つの置換基および／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、－ＣＮの少なくとも１つの置換基、好ましくは少なくとも１つのヘテロ原子Ｎ、２つもしくは３つのヘテロＮ原子、さらに好ましくは少なくとも１つのヘテロＮ、およびより好ましくは（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、またはＣＮから選択された少なくとも１つの置換基、および最も好ましくは（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択された少なくとも１つの置換基、を含む；および／または
－１つの非ヘテロテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）のみを含む。

【0131】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも８個～１４個の非ヘテロ芳香環、好ましくは少なくとも９個～１３個の非ヘテロ芳香環、さらに好ましくは少なくとも１０個～１２個の非ヘテロ芳香環を含むことができる。

【0132】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つを含むことができ、その少なくとも１つの芳香環は異なって置換されており、さらに好ましくは式Ｉの非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも２つは異なって置換されている。

【0133】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、その鏡像上に重ね合わせることができない。

【0134】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含む少なくとも１つの置換基を含んでいてもよく、好ましくは、少なくとも１つのＮ、２つまたは３つのＮ原子を含んでいてもよい。

【0135】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される少なくとも１つの置換基を含んでいてもよい。

【0136】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子、ならびに、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される少なくとも１つの置換基を含んでいてもよい。

【0137】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも１つのＮを含む少なくとも１つの置換基を含み、さらに、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子、ならびに、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される少なくとも１つの置換基を含んでいてもよい。

【0138】

好ましい一実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、非ヘテロテトラアリールエチレン（ＴＡＥ：tetraarylethylene）基を１つのみ含んでいてもよい。

【0139】

１つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、非ヘテロテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を少なくとも２つ含んでいてもよい。

【0140】

非ヘテロテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、エチレンにおけるアリール置換基がヘテロ原子（炭素または水素とは異なる原子である）を含まないことを意味する。

【0141】

ヘテロテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、エチレンにおけるアリール置換基の少なくとも１つが、少なくとも１つのヘテロ原子（炭素または水素とは異なる原子である）を含むことを意味する。

【0142】

「Ｃ_６－アリーレン環」という語は、単一のＣ_６－アリーレン環、および、縮合環系を形成するＣ_６－アリーレン環を意味する。例えば、ナフタレン基は２つのＣ_６－アリーレン環として数えられる。

【0143】

式Ｉの他の実施形態によれば、式１の化合物は、少なくとも８～１４個の非ヘテロ６員芳香環を含み、ヘテロ原子を含まない。

【0144】

他の実施形態によれば、式１の化合物の双極子モーメントは約０デバイ以上、約３デバイ以下であり、好ましくは約０デバイ以上、約２デバイ以下である。

【0145】

式Ｉの化合物の双極子モーメントは、好ましくは０デバイ以上、１デバイ以下、より好ましくは０デバイ以上、０．８デバイ以下であり、また好ましくは０デバイ以上、０．４デバイ以下から選択してもよい。

【0146】

驚くべきことに、式Ｉによる化合物の双極子モーメントが前記範囲から選択されるときに、式Ｉの化合物を含む有機半導体層は特に、高伝導性および低動作電圧であることを見出した。

【0147】

Ｎ原子を含む分子の双極子モーメント

【0148】

【数1】

【0149】

は、以下の式によって与えられる。

【0150】

【数2】

【0151】

【数3】

【0152】

式中、

【0153】

【数4】

【0154】

は、分子における部分電荷および原子の位置である。

【0155】

双極子モーメントは、半経験的な分子軌道法によって求められる。

【0156】

気相における部分電荷および原子の位置は、プログラムパッケージTURBOMOLE V6.5で実行されるhybrid functional B3LYP with the 6-31G* basis setを適用することによって得られる。複数の配座が可能な場合、もっとも低い全エネルギーを有する配座を選択して双極子モーメントを求める。

【0157】

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物の還元電位は、テトラヒドロフランにおけるＦｃ／Ｆｃ^＋に対して測定した場合、－１．９Ｖよりも負であり、－２．６Ｖよりも正であり、好ましくは、－２Ｖよりも負であり、－２．５Ｖよりも正である。

【0158】

還元電位は、定電位装置Metrohm PGSTAT30およびソフトウェアMetrohm Autolab GPESを用いて、室温でのサイクリックボルタンメトリーによって測定する。酸化還元電位は、式Ｉの化合物の０．１ＭのＴＨＦ溶液（アルゴンにより脱気してある、無水）中で、アルゴン雰囲気下にて測定した。支持電解質として、０．１Ｍのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを使用した。白金製作用電極間にて、塩化銀で被覆されている銀ワイヤーからなるＡｇ／ＡｇＣｌ疑似基準電極（Metrohm銀製棒電極）を用いて測定した。測定溶液に直接浸漬し、スキャン速度は１００ｍＶ／ｓとした。１回目の測定は、作用電極間に最も広い範囲の電位を設定し、その後の測定に際して、当該範囲を適宜調整した。最後の３回の測定は、標準としてフェロセン（濃度：０．１Ｍ）を添加して行った。化合物のカソードのピークおよびアノードのピークに対応する電位の平均は、Ｆｃ^＋／Ｆｃ標準酸化還元対について測定したカソード電位およびアノード電位の平均を差し引いて得られる。

【0159】

特に、還元電位が前記範囲から選択されるとき、エミッション層への良好な電子注入および／または電子輸送、および／または安定性を達成し得る。

【0160】

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のガラス転移温度Ｔｇは、約１０５℃以上、約３８０℃以下、好ましくは約１１０℃以上、約３５０℃以下、さらに好ましくは約１５０℃以上、約３２０℃以下であってもよい。

【0161】

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のガラス転移温度Ｔｇは、約１０５℃以上、約１５０℃以下であってもよい。

【0162】

ガラス転移温度は窒素下で測定され、当該測定は、示差走査熱量計Mettler Toledo DSC 822eを用いて１０Ｋ／分の加熱速度で行われる。当該測定については、ＤＩＮＥＮＩＳＯ１１３５７（２０１０年３月公開）を参照されたい。

【0163】

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物の、レート開始温度Ｔ_ＲＯ（rate onset temperature）は、約１５０℃以上、約４００℃以下、好ましくは約１８０℃以上、約３８０℃以下であってもよい。

【0164】

ＴＧＡ（熱重量分析）における重量損失カーブは、Mettler Toledo TGA-DSC 1 systemによって測定される。純窒素を流しながら、加熱速度１０Ｋ／分で室温から６００℃に試料を加熱する。９～１１ｍｇの試料を、蓋が無い１００μＬのMettler Toledoアルミニウムパンに入れる。０．５重量％の重量損失が発生したときに温度を測定する。

【0165】

室温（周囲温度とも称する）は２３℃である。

【0166】

気相への遷移に対するレート開始温度は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源へ入れることで測定した。ＶＴＥ源として、Kurt J. Lesker Company (www.lesker.com)またはCreaPhys GmbH (http://www.creaphys.com)によって提供されている、有機材料の点源を使用する。ＶＴＥ（真空熱蒸着、vacuum thermal evaporation）源の温度は、ＶＴＥ源中の化合物と直接接触するサーモカップルによって測定する。

【0167】

ＶＴＥ源は、真空チャンバ内で１０^－７ｍｂａｒ～１０^－８ｍｂａｒの圧力下において、１５Ｋ／分の一定の割合で加熱し、サーモカップルを用いてＶＴＥ源の内部温度を測定する。化合物の蒸着を、ＱＣＭ検出器を用いて検出する。当該検出器は、検出器の石英結晶上に積層された化合物を検出する。石英結晶上への積層速度は、１秒間当たりのオングストロームで測定する。レート開始温度を測定するために、ＶＴＥ源の温度に対する積層速度（対数スケール）をプロットする。レート開始温度は、ＱＣＭ検出器上に顕著な蒸着が起こるときの温度である（０．０２Å／秒の速度で定義される）。ＶＴＥ源を３回加熱冷却し、２回目および３回目のみの実施から得られた結果を、レート開始温度の測定に使用した。

【0168】

レート開始温度は、化合物の揮発性の間接的な尺度である。レート開始温度が高いほど、化合物の揮発性が低い。

【0169】

驚くべきことに、式１の化合物および本発明の有機電子デバイスは、従来技術で知られている有機エレクトロルミネセントデバイスおよび化合物に比べて、とりわけｃｄ／Ａ効率（電流効率とも称する）に関して優れており、それにより、本発明の課題を解決することがわかった。同時に、動作電圧は、同様の、またはさらに向上したレベルに保たれる。これは、例えば、携帯表示デバイスの電力消費を抑え、電池寿命を延ばすのに重要である。高いｃｄ／Ａ効率は高効率を達成するために重要であり、これにより、携帯デバイス（例えば携帯表示デバイス）の電池寿命が増す。

【0170】

有機エレクトロルミネセントデバイスを青色蛍光デバイスとして使用したときに、特に良好な性能が実現されることを発明者らは驚くべきことに発見した。

【0171】

本明細書に記載の、好ましい特定の構成が特に有益であることが分かった。

【0172】

同様に、本発明の最も広い定義の範囲に含まれるいくつかの化合物は、驚くべきことに、上述したｃｄ／Ａ効率の特性に関して特に良好な性能を示すことが分かった。本明細書において説明するこれらの化合物は特に好適である。

【0173】

さらに、高効率および／または長寿命の有機光電子デバイスを実現可能である。

【0174】

以下、一実施形態に係る有機光電子デバイス用の化合物について説明する。

【0175】

一実施形態に係る有機光電子デバイス用の化合物は、本発明の式１で表される。

【0176】

本発明の式１の化合物は、電子の注入もしくは輸送を促し、または、化合物のガラス転移温度を上昇させる。従って、分子間相互作用の抑制によって蛍光効率が上昇し、化合物の分子量に対する蒸着温度が低くなり得る。

【0177】

従って、式１で表される有機光電子デバイス用の化合物によってフィルムまたは層を形成するとき、式１の化合物の特異的な立体形状によって、正孔または電子の注入および輸送、ならびに、デバイスのフィルムまたは層の耐久性が最適化される。従って、電荷輸送基の良好な分子間配置が達成し得る。

【0178】

よって、式１の化合物を有機光電子デバイスに使用するとき、当該化合物によって、エミッション層への迅速な注入がもたらされ、蛍光効率が上昇し得る。一方、当該化合物を、正孔注入または輸送特性が優れている材料と混合してエミッション層を形成すると、当該化合物によって、効率的な電荷注入および励起子の発生がもたらされ、優れた蛍光効率を得ることができる。

【0179】

さらに、式１で表される有機光電子デバイス用の化合物は、優れた電子注入および輸送特性を有し得る。さらに、優れた正孔特性を有する化合物との混合物として電子注入補助層またはエミッション層の形成に使用されるときでさえ、式１の化合物は優れた電子注入および輸送特性を維持し得る。

【0180】

式Ｉによる化合物の一実施形態によれば、
－Ａｒ^１基は、少なくとも１～３個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは１個または２個の非ヘテロ芳香族６員環を含むことができる；および／または
－Ａｒ^２基は、１個～９個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは２個～８個の非ヘテロ芳香族６員環、さらに好ましくは３個～６個の非ヘテロ芳香族６員環；さらに好ましくは４個または５個の非ヘテロ芳香族６員環を含むことができる；および／または
－少なくとも１個の非ヘテロＣ_６～Ｃ_１８アリーレン、好ましくは少なくとも１個の非ヘテロＣ_６～Ｃ_１２アリーレンは、少なくとも、式（Ｉ）の非ヘテロ芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ上で縮環される。

【0181】

一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、ここで、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３またはＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－１６非ヘテロアリールであり；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0182】

【化17】

【0183】

式中、
Ａｒ^１は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－６０}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１または２であり；
ｍは、１、２または３から選択され、好ましくは１である。

【0184】

一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、ここで、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚから選択され；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３またはＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－１６非ヘテロアリールであり；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0185】

【化18】

【0186】

式中、
Ａｒ^１は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－６０}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１であり；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0187】

一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、ここで、少なくとも１つのＸ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0188】

【化19】

【0189】

式中、
Ａｒ^１は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－５２}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１または２から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0190】

一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、ここで、１つのＸ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0191】

【化20】

【0192】

式中、
Ａｒ^１は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－５２}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１または２から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0193】

【0194】

【化21】

【0195】

式中、
Ａｒ^１は、非置換の非ヘテロＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－５２}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0196】

【0197】

【化22】

【0198】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－５２}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、Ｃ_６－１２非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0199】

【0200】

【化23】

【0201】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－４８}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、Ｃ_６－１２非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0202】

一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立してＣ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され、ここで、１つのＸ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0203】

【化24】

【0204】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_{１２－４８}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキルから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0205】

【0206】

【化25】

【0207】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のＣ_６－１８アリールから独立して選択され、
Ａｒ^２は、非置換のＣ_{１２－４８}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキルから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0208】

【0209】

【化26】

【0210】

式中、
Ａｒ^１は、非置換のＣ_６－１８非ヘテロアリールから独立して選択され、
Ａｒ^２は、置換のＣ_{１２－４８}非ヘテロアリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキルから独立して選択され；
ｎは、１から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

【0211】

一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、ここで、１つのＸ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基である：

【0212】

【化27】

【0213】

式中、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の、フェニレン、ビフェニレン、トリフェニレンまたはアントラセン、好ましくはフェニレン、ビフェニレンまたはトリフェニレンから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換のＣ_{１２－６０}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０アリールから独立して選択され；
ｎは、１または２から選択され、好ましくは１であり；
ｍは、１、２または３から選択され、好ましくは１である。

【0214】

【0215】

【化28】

【0216】

式中、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の、フェニレン、ビフェニレン、トリフェニレンまたはアントラセン、好ましくはフェニレン、ビフェニレンまたはトリフェニレンから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換のＣ_{１２－５２}アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２アリールから独立して選択され；
ｎは、１または２から選択され、好ましくは１であり；
ｍは、１、２または３から選択され、好ましくは１である。

【0217】

別の実施形態によれば、式ＩによるＺは、式Ｅ１～Ｅ９から選択されてもよい：

【0218】

【化29】

【0219】

式中、
Ｚ^１～Ｚ^１５は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１から独立して選択され、および／または化学結合によって互いに結合している、Ｚ^１～Ｚ^５、Ｚ^６～Ｚ^１０、Ｚ^１１～Ｚ^１５のうちの少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し；
Ｒ^１は、ニトリル、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、－ＮＲ^２Ｒ^３またはＢＲ^２Ｒ^３、好ましくはニトリルまたは（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、Ｈ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリール、好ましくはＣ_６－１６非ヘテロアリールから独立して選択され；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－６０アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｍは、１、２または３から選択される。

【0220】

別の実施形態によれば、式ＩによるＺは、式Ｅ１～Ｅ９から選択されてもよい：

【0221】

【化30】

【0222】

式中、
Ｚ^１～Ｚ^１５は、Ｎ、Ｃ－Ｈから独立して選択されおよび／または化学結合によって互いに結合している、Ｚ^１～Ｚ^５、Ｚ^６～Ｚ^１０、Ｚ^１１～Ｚ^１５のうちの少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－６０アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｍは、１、２または３から選択される。

【0223】

別の実施形態によれば、式ＩによるＺは、式Ｅ１～Ｅ９から選択されてもよい：

【0224】

【化31】

【0225】

式中、
Ｚ^１～Ｚ^１５は、Ｃ－Ｈであり；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－６０アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｍは、１または２から選択される。

【0226】

別の実施形態によれば、式ＩによるＺは、式Ｅ１～Ｅ９から選択されてもよい：

【0227】

【化32】

【0228】

式中、
Ｚ^１～Ｚ^１５は、Ｃ－Ｈであり；
Ａｒ^２は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－６０アリール、好ましくは独立して置換されていないＣ_６－６０アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択され；
Ｒは、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_１０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２非ヘテロアリールから独立して選択され；
ｍは、１または２から選択される。

【0229】

一実施形態によれば、式ＩにおけるＡｒ^２は、式Ｆ１～Ｆ４から選択される：

【0230】

【化33】

【0231】

式中、
Ｙ^１～Ｙ^５は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^３から独立して選択され、および／または化学結合によって互いに結合しているＹ^１～Ｙ^５の少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し、
ここで、Ｒ^３は、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルキル、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０アルコキシ、直鎖状Ｃ_１－Ｃ_２０チオアルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルキル、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０アルコキシ、分岐Ｃ_３－Ｃ_２０チオアルキル、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－２０アリールから独立して選択され、
ここで、前記置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、フッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルキルまたはフッ素化Ｃ_１－Ｃ_６アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２，ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択される。

【0232】

【化34】

【0233】

一実施形態によれば、式ＩにおけるＡｒ^２は、式Ｆ１から選択される：

【0234】

【化35】

【0235】

式中、
Ｙ^１～Ｙ^５は、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^３から独立して選択され、および／または化学結合によって互いに結合しているＹ^１～Ｙ^５の少なくとも２つは、架橋されて縮環した非ヘテロ芳香環を形成し、
ここで、Ｒ^３は、置換または非置換の非ヘテロＣ_６－２０アリールから独立して選択され、ここで、前記置換基は、ニトリル、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から独立して選択される。

【0236】

一実施形態によれば、式ＩのＺは、式Ｅ１～Ｅ９から選択されてもよい。

【0237】

式Ｉの実施形態によれば、Ａｒ^２は、少なくとも１つのニトリルおよび／またはホスフィンオキシド置換基を含むことができる。

【0238】

一実施形態によれば、式ＩのＡｒ^２は、少なくとも１つの置換または非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基、好ましくは非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基を含むことができる。

【0239】

好ましい実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｇ１～Ｇ３４から選択することができる：

【0240】

【化36】

【0241】

【化37】

【0242】

【化38】

【0243】

【化39】

【0244】

【化40】

【0245】

【化41】

【0246】

この選択から式１の化合物を選択すると、特に良好な性能特性が得られる。

【0247】

［アノード］
アノードのための材料は、金属または金属酸化物、または有機材料であってよく、好ましくは約４．８ｅＶを超える、より好ましくは約５．１ｅＶを超える、最も好ましくは約５．３ｅＶを超える仕事関数を有する材料であってもよい。好ましい金属は、Ｐｔ、ＡｕまたはＡｇのような貴金属であり、好ましい金属酸化物は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な金属酸化物であり、これは、反射カソードを有する底部発光ＯＬＥＤにおいて有利に使用され得る。

【0248】

透明金属酸化物アノードまたは反射性金属アノードを含む装置では、アノードが約５０ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有していてよく、半透明金属アノードは、約５ｎｍ～約１５ｎｍの薄さであってもよく、非透明金属アノードは、約１５ｎｍ～約１５０ｎｍの厚さを有していてよい。

【0249】

［正孔注入層（ＨＩＬ）］
正孔注入層は、正孔輸送層に使用されるアノードと有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化アノード上に適用され、従って、アノードの表面を平坦化することができる。例えば、正孔注入層は、アノードの仕事関数と正孔輸送層のＨＯＭＯのエネルギー準位との差を調整するために、アノード材料の仕事関数と正孔輸送層のＨＯＭＯのエネルギー準位との間のその最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の中央値を有する材料を含むことができる。

【0250】

正孔輸送領域が正孔注入層３６を含む場合、正孔注入層は、例えば、真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の種々の方法のいずれかによって、アノード上に形成されてもよい。

【0251】

真空蒸着法を用いて正孔注入層を形成する場合、正孔注入層を形成するのに用いられる材料、ならびに、形成する正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて、真空蒸着条件を変えることができ、例えば、１００℃～５００℃程度の温度、１０^－６Ｐａ～１０^－１Ｐａ程度の圧力、０．１～１０ｎｍ／ｓｅｃ程度の蒸着速度で真空蒸着を行うことができるが、蒸着条件はこれに限定されない。

【0252】

スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、正孔注入層を形成するために使用される材料、および形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性によって、コーティング条件が変わり得る。例えば、塗布速度は約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であり、塗布後に溶媒を除去するために加熱処理を行う温度は約８０℃～約２００℃の範囲であるが、塗布条件はこれに限定されない。

【0253】

正孔注入層は、導電率および／またはアノードからの正孔注入を改善するためにｐ－ドーパントをさらに含んでもよい。

【0254】

正孔注入層は、式１の化合物を含むことができる。

【0255】

別の実施形態では、正孔注入層が式１の化合物からなってもよい。

【0256】

［ｐ－ドーパント］
別の態様では、ｐ－ドーパントは、正孔注入層中に均一に分散させることができる。

【0257】

別の態様では、ｐ－ドーパントは、正孔注入層中に、アノードにより近い高濃度で、カソードにより近い低濃度で存在することができる。

【0258】

ｐ－ドーパントは、キノン誘導体またはラジアレン化合物のうちの１つであってもよいが、これらに限定されない。ｐ－ドーパントの非限定的な例は、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノ－１，４－ベンゾキノンジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、４，４’，４''－（（１Ｅ，１’Ｅ，１''Ｅ）－シクロプロパン－１，２，３－トリイリデネトリス（シアノメタニリデン））－トリス（２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル）等のキノン誘導体である。

【0259】

［正孔輸送層（ＨＴＬ）］
正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。

【0260】

電荷輸送領域の正孔輸送部の厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍとすることができる。電荷輸送領域の正孔輸送部が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍとすることができ、正孔輸送層の厚さは、約５ｎｍ～約２００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍとすることができる。電荷輸送領域の正孔輸送部、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られる可能性がある。

【0261】

正孔輸送領域で使用される正孔輸送マトリックス材料は、特に限定されない。好ましいのは、少なくとも６個の非局在化電子の共役系を含む共有結合化合物であり、好ましくは少なくとも１個の芳香環を含む有機化合物であり、より好ましくは少なくとも２個の芳香環を含む有機化合物であり、さらにより好ましくは少なくとも３個の芳香環を含む有機化合物であり、最も好ましくは少なくとも４個の芳香環を含む有機化合物である。正孔輸送層に広く使用されている正孔輸送マトリックス材料の典型例は、多環式芳香族炭化水素、トリアリーレンアミン化合物および複素環式芳香族化合物である。正孔輸送領域の種々の層で有用な正孔輸送行列のフロンティア軌道エネルギー準位の適切な範囲はよく知られている。ＨＴＬマトリックスのレドックス対ＨＴＬマトリックス／カチオンラジカルのレドックス電位に関して、好ましい値（例えば、参照としてフェロセン／フェロセニウムレドックス対に対するサイクリックボルタンメトリーによって測定される場合）は、０．０～１．０Ｖの範囲、より好ましくは０．２～０．７Ｖの範囲、さらにより好ましくは０．３～０．５Ｖの範囲であり得る。

【0262】

正孔輸送層は、式１の化合物を含むことができる。

【0263】

別の実施形態では、正孔輸送層が式１の化合物からなってもよい。

【0264】

［バッファ層］
電荷輸送領域の正孔輸送部は、バッファ層をさらに含んでいてもよい。

【0265】

適切に使用することができるバッファ層は、ＵＳ６１４０７６３、ＵＳ６６１４１７６およびＵＳ２０１６／２４８０２２に開示されている。

【0266】

バッファ層は、ＥＭＬから放射される光の波長に従って、光の光共鳴距離を補償することができ、従って、効率を高めることができる。バッファ層は、式１の化合物を含むことができる。

【0267】

別の実施形態では、緩衝層が式１の化合物からなってもよい。

【0268】

［発光層（ＥＭＬ）］
発光層は、真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、ＬＢ法等を用いることにより、正孔輸送領域上に形成することができる。真空蒸着またはスピンコーティングを用いて発光層を形成する場合、蒸着およびコーティングのための条件は、正孔注入層の形成のための条件と同様であり得るが、蒸着およびコーティングのための条件は、発光層を形成するために使用される材料に基づいて変化し得る。発光層は、エミッタホスト（ＥＭＬホスト）およびエミッタドーパント（さらなるエミッタのみ）を含んでもよい。

【0269】

［エミッタホスト］
別の実施形態によれば、発光層は、エミッタホストとして式１の化合物を含む。

【0270】

エミッタホスト化合物は、炭素環および複素環から独立して選択される少なくとも３つの芳香環を有する。

【0271】

エミッタホストとして使用することができる他の化合物は、下記の式４００で表されるアントラセンマトリックス化合物である：

【0272】

【化42】

【0273】

式４００において、Ａｒ_１１１およびＡｒ_１１２は各々独立して、置換または非置換のＣ_６－Ｃ_６０アリーレン基であってもよく、Ａｒ_１１３～Ａｒ_１１６は各々独立して、置換または非置換のＣ_１－Ｃ_１０のアルキル基、または置換または非置換のＣ_６－Ｃ_６０のアリーレン基であってもよく、そしてｇ、ｈ、ｉおよびｊは各々独立して、０～４までの整数であってもよい。

【0274】

いくつかの実施形態では、式４００中のＡｒ_１１１およびＡｒ_１１２は各々独立して、フェニレン基、ナフタレン基、フェナントレニレン基、またはピレニレン基；または、各々がフェニル基、ナフチル基、またはアントリル基のうちの少なくとも１つで置換されているフェニレン基、ナフタレン基、フェナントレニレン基、フルオレニル基、またはピレニレン基のうちの１つであってよい。

【0275】

式４００において、ｇ、ｈ、ｉ、およびｊは、それぞれ独立して、０、１、または２の整数であり得る。

【0276】

式４００において、Ａｒ_１１３～Ａｒ_１１６は、それぞれ独立して、
フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基の少なくとも１つで置換されたＣ_１－Ｃ_１０アルキル基；
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、またはフルオレニル基；
各々が重水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシル基またはこれらの塩の少なくとも１つで置換されているフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、またはフルオレニル基
スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩
Ｃ_１－Ｃ_６０のアルキル基、Ｃ_２－Ｃ_６０のアルケニル基、Ｃ_２－Ｃ_６０のアルキニル基、Ｃ_１－Ｃ_６０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、
またはフルオレニル基

【0277】

【化43】

【0278】

あるいは式７または式８

【0279】

【化44】

【0280】

であってよい。

【0281】

式７および式８において、Ｘは酸素原子および硫黄原子から選択されるが、本発明の実施形態はこれらに限定されない。

【0282】

式７において、Ｒ_１１～Ｒ_１４のいずれか１つは、Ａｒ_１１１への結合に使用される。Ａｒ_１１１への結合に使用されないＲ_１１～Ｒ_１４およびＲ_１５～Ｒ_２０は、Ｒ_１～Ｒ_８と同じである。

【0283】

式８において、Ｒ_２１～Ｒ_２４のいずれか１つは、Ａｒ_１１１への結合に使用される。Ａｒ_１１１への結合に使用されないＲ_２１～Ｒ_２４およびＲ_２５～Ｒ_３０は、Ｒ_１～Ｒ_８と同じである。

【0284】

好ましくは、ＥＭＬホストは、Ｎ、ＯまたはＳからなる群から選択される１～３個のヘテロ原子を含む。より好ましくは、ＥＭＬホストは、ＳまたはＯから選択される１個のヘテロ原子を含む。

【0285】

エミッタホスト化合物は、約０デバイ以上から約２．０デバイ以下の範囲の双極子モーメントを有していてよい。

【0286】

好ましくは、ＥＭＬホストの双極子モーメントは、０．２デバイ以上および１．４５デバイ以下、好ましくは０．４デバイ以上および１．２デバイ以下、また好ましくは０．６デバイ以上および１．１デバイ以下に選択される。

【0287】

双極子モーメントは、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥＶ６．５に実装されているような６－３１Ｇ^＊基底関数系を有するハイブリッド関数のＢ３ＬＹＰを用いる最適化を用いて算出される。２つ以上のコンホメーションが実行可能である場合、最低の総エネルギーを有するコンホメーションが、分子の双極子モーメントを決定するために選択される。この方法を用いて、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）－ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（ＣＡＳ１６２７９１６－４８－６）は０．８８デバイの双極子を有し、２－（６－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ナフタレン－２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＣＡＳ１８３８６０４－６２－８）は０．８９デバイ、２－（６－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ナフタレン－２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ１８４２３５４－８９－５）は０．６９デバイ、２－（７－（フェナントレン－９－イル）テトラフェン－１２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ１９６５３３８－９５－７）は０．６４デバイ、４－（４－（７－（ナフタレン－１－イル）テトラフェン－１２－イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ１９６５３３８－９６－８）は１．０１デバイである。

【0288】

［エミッタドーパント］
ドーパントは発光させるために少量混合されるものであり、通常、多重励起により発光して三重項以上となる金属錯体等の材料であればよい。ドーパントとしては、例えば、無機、有機、有機／無機化合物であってよく、それらの１種以上を用いることができる。

【0289】

エミッタは、赤、緑、または青色のエミッタであってよい。

【0290】

ドーパントは、蛍光ドーパント、例えば、ｔｅｒ－フルオレンであってもよく、構造を以下に示す。４．４’－ビス（４－ジフェニルアミオスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢＩ）、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、および以下の化合物８は、蛍光青色ドーパントの例である。

【0291】

【化45】

【0292】

ドーパントは、燐光ドーパントであってもよく、燐光ドーパントの例は、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはこれらのそれらの組み合わせを含む有機金属化合物であってもよい。燐光性ドーパントは、例えば、式Ｚで表される化合物であってもよいが、これに限定されない：
Ｊ_２ＭＸ（Ｚ）
式Ｚにおいて、Ｍは金属であり、ＪおよびＸは同一または異なり、Ｍと錯化合物を形成するリガンドである。

【0293】

Ｍは、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄまたはそれらの組み合わせであってもよく、ＪおよびＸは例えば、二座配位しであってもよい。

【0294】

［電子輸送層（ＥＴＬ）］
別の実施形態によれば、式１の化合物を含む有機半導体層は、電子輸送層である。別の実施形態では、電子輸送層が式１の化合物からなってもよい。

【0295】

例えば、本発明の一実施形態による有機発光ダイオードは、少なくとも１つの電子輸送層を含み、この場合、電子輸送層は、式１の化合物、または好ましくは式Ｇ１～Ｇ５０の少なくとも１つの化合物を含む。

【0296】

別の実施形態では、有機電子デバイスは、２つ以上の電子輸送層によって形成された有機層の積み重なりの電子輸送領域を含み、少なくとも１つの電子輸送層は式１の化合物を含む。

【0297】

電子輸送層は、１つまたは２つ以上の異なる電子輸送化合物を含むことができる。

【0298】

別の実施形態によれば、第２の電子輸送層は、本発明による式１の化合物を少なくとも１つ含み、第１の電子輸送層は、本発明による式１の化合物とは異なるように選択され、る：
アントラセン系化合物またはヘテロ置換アントラセン系化合物、好ましくは２－（４－（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾールおよび／またはＮ４，Ｎ４''－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ４，Ｎ４''－ジフェニル－［１，１’：４’，１''－テルフェニル］－４，４''－ジアミンから選ばれてもよいマトリックス化合物を含む。

【0299】

別の実施形態によれば、第１の電子輸送層は、本発明による式１の化合物を少なくとも１つ含み、第２の電子輸送層は、本発明による式１の化合物とは異なるように選択されから選択され、：
酸化ホスフィン系化合物、好ましくは（３－（ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン－７－イル）フェニル）ジフェニルホスフィンオキシドおよび／またはフェニルビス（３－（ピレン－１－イル）フェニル）ホスフィンオキシドおよび／または３－フェニル－３Ｈ－ベンゾ［ｂ］ジナフト［２，１－ｄ：１’，２’－ｆ］ホスフェピン－３－オキシド；または
置換フェナントロリン化合物、好ましくは２，４，７，９－テトラフェニル－１，１０－フェナントロリンまたは２，９－ジ（ビフェニル－４－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリンから選択されてもよいマトリックス化合物を含む。

【0300】

別の実施形態によれば、第１の電子輸送層は、本発明による式１の化合物を少なくとも１つ含み、第２の電子輸送層は、本発明による式１の化合物とは異なるように選択され、ホスフィンオキシド系化合物、好ましくは（３－（ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン－７－イル）フェニル）ジフェニルホスフィンオキシドおよび／またはフェニルビス（３－（ピレン－１－イル）フェニル）ホスフィンオキシドおよび／または３－フェニル－３Ｈ－ベンゾ［ｂ］ジナフト［２，１－ｄ：１’，２’－ｆ］ホスフェピン－３－オキシドから選択されてもよいマトリックス化合物を含む。

【0301】

別の実施形態によれば、第１および第２の電子輸送層は、式１の化合物を含み、当該式１の化合物は、同じものが選択されない。

【0302】

第１の電子輸送層の厚さは、約０．５ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約２ｎｍ～約４０ｎｍとすることができる。第一の電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、第一の電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送能力を有することができる。

【0303】

任意の第２の電子輸送層の厚さは、約１ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約２ｎｍ～約２０ｎｍとすることができる。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。

【0304】

電子輸送層は、アルカリハロゲン化物および／またはアルカリ有機錯体をさらに含んでもよい。

【0305】

別の実施形態によれば、第１および第２の電子輸送層は、式１の化合物を含み、当該第２の電子輸送層は、アルカリハロゲン化物および／または有機アルカリ錯体をさらに含む。

【0306】

［アルカリハロゲン化物］
アルカリ金属ハロゲン化物としても知られるアルカリハロゲン化物は、化学式ＭＸを有する無機化合物に含まれ、Ｍはアルカリ金属であり、Ｘはハロゲンである。

【0307】

Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、カリウム、ルビジウムおよびセシウムから選択することができる。

【0308】

Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択することができる。

【0309】

本発明の様々な実施形態によれば、ハロゲン化リチウムが好ましい場合がある。ハロゲン化リチウムは、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒおよびＬｉＩを含む群から選択することができる。しかしながら、最も好ましいのはＬｉＦである。

【0310】

アルカリハロゲン化物は、本質的に非発光性か、または非発光性である。

【0311】

［アルカリ有機錯体］
本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、キノラート、ホウ酸塩、フェノラート、ピリジノラート、またはシッフ塩基配位子である；
好ましくは、リチウムキノラート錯体は、式ＩＩＩ、ＩＶまたはＶを有する：

【0312】

【化46】

【0313】

ここで、
Ａ_１～Ａ_６は、ＣＨ、ＣＲ、Ｎ、Ｏから同一にまたは独立して選択され；
Ｒは、水素、ハロゲン、１～２０個の炭素原子を有するアルキルまたはアリーレンまたはヘテロアリーレンから同一にまたは独立して選択され、より好ましいＡ_１～Ａ_６がＣＨであり；
好ましくは、ホウ酸塩系有機配位子がテトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ホウ酸塩であり；
好ましくは、フェノラートが、２－（ピリジン－２－イル）フェノラート、２－（ジフェニルホスホリル）フェノラート、イミダゾールフェノラート、または２－（ピリジン－２－イル）フェノラートであり、より好ましくは２－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェノラートであり；
好ましくは、ピリジノラートが、２－（ジフェニルホスホリル）ピリジン－３－オラートである。

【0314】

本発明の種々の実施形態によれば、アルカリ有機錯体、好ましくはリチウム有機錯体の有機配位子は、キノラートであり得る。使用するのに適し得るキノラートは、ＷＯ２０１３０７９２１７Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。

【0315】

本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、ホウ酸塩系の有機配位子であることができ、好ましくは、リチウム有機錯体は、テトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ホウ酸リチウムである。好適に用いることができるホウ酸塩系有機配位子は、ＷＯ２０１３０７９６７６Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。

【0316】

本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、フェノラート配位子であることができ、好ましくは、リチウム有機錯体が、リチウム２－（ジフェニルホスホリル）フェノラートである。好適に用いることができるフェノール酸塩リガンドは、ＷＯ２０１３０７９６７８Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。

【0317】

さらに、フェノラートリガンドは、ピリジノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（ジフェニルホスホリル）ピリジン－３－オラートである。好適に用いることができるピリジンフェノラートリガンドは、特開２００８１９５６２３号公報に開示され、参考文献として組み込まれている。

【0318】

さらに、フェノラート配位子は、イミダゾールフェノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェノラートである。適当に用いることができるイミダゾルフェノラートリガンドは、特開２００１２９１５９３号公報に開示され、参考文献として組み込まれている。

【0319】

また、フェノラート配位子は、オキサゾールフェノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（ベンゾ［ｄ］オキサゾール－２－イル）フェノラートである。好適に用いることができるオキサゾールフェノラートリガンドは、米国２００３０１６５７１１に開示され、参考文献として組み込まれている。

【0320】

アルカリ有機錯体は、本質的に非発光性であってもよい。

【0321】

［ｎ－ドーパント］
様々な実施形態によれば、式１の化合物を含む有機半導体層は、ｎ－ドーパントをさらに含むことができる。

【0322】

ｎ－ドーパントとして適切な電気的に中性の金属錯体は、例えば低酸化状態のいくつかの遷移金属の強い還元性錯体であってもよい。特に強いｎ－ドーパントは、ＷＯ２００５／０８６２５１により詳細に記載されているように、例えばＣｒ（ＩＩ）、Ｍｏ（ＩＩ）および／またはＷ_２（ｈｐｐ）_４等のＷ（ＩＩ）グアニジン酸塩錯体から選択することができる。

【0323】

ｎ－ドーパントとして適切な電気的に中性の有機ラジカルは、例えば、ＥＰ１８３７９２６Ｂ１、ＷＯ２００７／１０７３０６、またはＷＯ２００７／１０７３５６により詳細に記載されているように、それらの安定なダイマー、オリゴマー、または高分子からの追加のエネルギーの供給によって生成される有機ラジカルであってもよい。このような適切なラジカルの具体例は、ジアゾリルラジカル、オキサゾリルラジカルおよび／またはチアゾリルラジカルであり得る。

【0324】

別の実施形態では、有機半導体層は、元素金属をさらに含むことができる。元素金属とは、その元素形態の金属の状態にある金属、金属合金、または金属クラスタである。金属相から、例えばバルク金属から真空熱蒸発によって蒸着された金属は、それらの元素形態で気化することとされている。さらに、気化した元素金属が共有結合マトリックスと一緒に堆積される場合、金属原子および／またはクラスタが共有結合マトリックスに埋め込まれるとされている。言い換えれば、真空熱蒸発によって調製される任意の金属ドープ共有結合材料は、金属を少なくとも部分的にその元素形態で含有するとされている。

【0325】

家庭用電化製品での使用には、放射性崩壊の非常に長いハーフトーン時間を有する核種または安定な核種を含有する金属のみが適用可能であろう。許容可能なレベルの原子安定性として、天然カリウムの原子安定性を採用することができる。

【0326】

一実施形態では、ｎ－ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属および第１遷移期間の金属、Ｔｉ、Ｖ、ＣｒおよびＭｎから選択される正電荷を有する金属から選択される。好ましくはｎ－ドーパントは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂから選択され、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＭｇおよびＹｂから選択され、さらに好ましくはＬｉ、Ｎａ、ＣｓおよびＹｂから選択され、最も好ましくはＬｉ、ＮａおよびＹｂから選択される。

【0327】

ｎ－ドーパントは、本質的に非発光性であってもよい。

【0328】

［電子注入層（ＥＩＬ）］
本発明の別の態様によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電子輸送層（第１－ＥＴＬ）とカソードとの間に電子注入層をさらに含むことができる。

【0329】

電子注入層（ＥＩＬ）は、カソードからの電子の注入を容易にすることができる。

【0330】

本発明の別の態様によれば、電子注入層は：
（ｉ）実質的に元素の形態におけるアルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択され、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＥｕおよびＹｂから選択され、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＹｂから選択され、さらにより好ましくはＬｉおよびＹｂから選択され、最も好ましくはＹｂから選択される正電荷を有する金属、および／または、
（ｉｉ）アルカリ金属錯体および／またはアルカリ金属塩、好ましくはＬｉ錯体および／または塩、より好ましくはＬｉキノリノラート、さらにより好ましくはリチウム８－ヒドロキシキノリノラート、最も好ましくは第２の電子輸送層（第２－ＥＴＬ）のアルカリ金属塩および／または錯体は、注入層のアルカリ金属塩および／または錯体と同一である
を含む。

【0331】

電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも１つを含むことができる。

【0332】

ＥＩＬの厚さは、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍ、または約０．３ｎｍ～約９ｎｍとすることができる。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。

【0333】

電子注入層は、式１の化合物を含むことができる。

【0334】

［カソード］
カソードの材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせを用いることができる。カソードの材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であり得る。基板上に堆積された反射アノードを有するトップエミッション発光デバイスを製造するために、カソードは、光透過性電極として、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、または銀（Ａｇ）から形成されてもよい。

【0335】

透明金属酸化物カソードまたは反射金属カソードを含む装置では、カソードは、約５０ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有してもよく、一方、半透明金属カソードは、約５ｎｍ～約１５ｎｍの薄さであってもよい。

【0336】

基板は、アノードの下またはカソードの上にさらに配置されてもよい。基板は、一般的な有機発光ダイオードに用いられる基板であってもよく、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い易さおよび耐水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であってもよい。

【0337】

正孔注入層は、アノードとしてのＩＴＯと正孔輸送層に使用される有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化ＩＴＯ上に適用することができ、従って、ＩＴＯの表面を平坦化することができる。

【0338】

正孔注入層は、例えば真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の様々な方法のいずれかによってアノード上に形成されてもよい。

【0339】

正孔注入層が真空蒸着を用いて形成される場合、真空蒸着条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに、形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変化し得、例えば、真空蒸着は、約１００℃～約５００℃の温度、約１０^－８ｔｏｒｒ～約１０^－３ｔｏｒｒの圧力、および約０．０１～約１００Å／秒の蒸着速度で実施され得るが、蒸着条件はこれに限定されない。

【0340】

スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに、形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変わり得る。例えば、塗布速度は、約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であってよく、塗布後に溶媒を除去するために加熱処理を行うときの温度は約８０℃～約２００℃の範囲であってよいが、コーティング条件はこれに限定されない。

【0341】

正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。

【0342】

正孔輸送領域の厚さは、約１００Å～約１００００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよい。正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１００Å～約１０，０００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよく、そして、正孔輸送層の厚さは、約５０Å～約２，０００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１５００Åであってよい。正孔輸送領域、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られる可能性がある。

【0343】

発光層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば約２００Å～約６００Åであり得る。発光層の厚さがこれらの範囲内にある場合、発光層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された発光特性を有し得る。

【0344】

次に、電子輸送領域を発光層上に配置する。

【0345】

電子輸送領域は、電子輸送層および電子注入層の少なくとも一方を含むことができる。

【0346】

電子輸送層の厚さは、約２０Å～約１０００Åであってよく、例えば約３０Å～約３００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送補助能力を有し得る。

【0347】

電子輸送層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば約１５０Å～約５００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。

【0348】

また、電子輸送領域は、アノードからの電子の注入を容易にすることができる電子注入層（ＥＩＬ）を含むことができる。

【0349】

電子注入層は、電子輸送層上に配置され、カソードからの電子注入を容易にし、最終的には電力効率を向上させる役割を果たすことができ、例えばＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、Ｙｂ等の特に限定されない関連技術で用いられているいずれかの材料を用いて形成され得る。

【0350】

電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも１つを含むことができる。

【0351】

ＥＩＬの厚さは、約１Å～約１００Åであってよく、または約３Å～約９０Åであってもよい。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。

【0352】

第２の電極は、有機層上に配置されてもよい。第２の電極の材料は、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってよい。第２の電極の材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であり得る。トップエミッション型の発光デバイスを製造するために、第２の電極は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から、光透過性電極として形成されてもよい。第２の電極は、カソードであってもよい。

【0353】

本発明の別の態様によれば、アノード電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、任意の電子阻止層、発光層、任意の正孔阻止層、第１の電子輸送層、任意の第２の電子輸送層、電子注入層、およびカソードの他の層がその順序で堆積されるか、またはカソードから始まって、反対方向に堆積される、有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法が提供される。

【0354】

以下、実施例を参照して実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されない。

【0355】

［図面の説明］
本発明のこれらおよび／または他の態様および利点は添付の図面と併せて、例示的な実施形態の以下の説明から明らかになり、より容易に理解されるのであろう：
図１は、発光層、１つの電子輸送層、および電子注入層を有する、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図２は、発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図３は、発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である；
図４は、発光層および１つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図５は、発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図６は、発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。

【0356】

ここで、例示的な態様を詳細に参照し、その例を添付の図面に示し、全体を通して、同様の参照番号は同様の要素を指す。例示的な実施形態は図を参照することによって、その態様を説明するために、以下に記載される。

【0357】

ここで、第１の要素が第２の要素「上に」形成されるか、または配置されると言う場合、第１の要素は、第２の要素上に直接配置されてもよく、または１つ以上の他の要素がそれらの間に配置されてもよい。第１の要素が第２の要素「直上に」形成されるか、または配置されると言う場合、それらの間に他の要素は配置されない。

【0358】

用語「接触して挟まれて」は、中間の層が２つの隣接する層と直接接触する３つの層の配置を指す。

【0359】

本発明の一実施形態による有機発光ダイオードは、正孔輸送領域と、発光層と、式Ｉによる化合物を含む第１の電子輸送層とを含むことができる。

【0360】

図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、式Ｉの化合物を含む電子輸送層（ＥＴＬ）１６１および電子注入層１８０を備え、第１の電子輸送層１６１は、発光層１５０直上に配置され、電子注入層１８０は、第１の電子輸送層１６１直上に配置されている。

【0361】

図２は、本発明の一実施形態による有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、ならびに式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層１６１および第２の電子輸送層１６２を含む電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０を含み、第２の電子輸送層１６２は、第１の電子輸送層１６１直上に配置されている。

【0362】

図３は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、ならびに、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層１６１、式Ｉの化合物を含むが第１の電子輸送層の化合物とは異なる第２の電子輸送層１６２、および第３の電子輸送層１６３を含む電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０を含み、第２の電子輸送層１６２は、第１の電子輸送層１６１直上に配置され、第３の電子輸送層１６３は、第１の電子輸送層１６２直上に配置されている。

【0363】

図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、１つの第１の電子輸送層（ＥＴＬ）１６１、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、およびカソード電極１９０を含む。第１の電子輸送層（ＥＴＬ）１６１は、式Ｉの化合物を、そして場合によってはアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含む。電子輸送層（ＥＴＬ）１６１は、ＥＭＬ１５０直上に形成されている。

【0364】

図５は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、およびカソード電極１９０を含む。電子輸送層（ＥＴＬ）１６０は、第１電子輸送層１６１および第２電子輸送層１６２を含み、第１電子輸送層は、アノード（１２０）の近くに配置され、第２電子輸送層はカソード（１９０）の近くに配置されている。第１および／または第２の電子輸送層は、式Ｉの化合物を、そして場合によりアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含む。

【0365】

図６は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、および第２のカソード電極１９０を含む。電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０は、第一の電子輸送層１６１、第二の電子輸送層１６２および第三の電子輸送層１６３を含む。第一電子輸送層１６１は、発光層（ＥＭＬ）１５０直上に形成されている。第１、第２および／または第３の電子輸送層は、各層について異なる式Ｉの化合物を、そして場合によりアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含む。

【0366】

基板は、アノード１２０の下またはカソード１９０の上にさらに配置されてもよい。基板は、一般的な有機発光ダイオードに用いられる基板であってよく、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い易さおよび耐水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であってもよい。

【0367】

正孔注入層１３０は、アノードとしてのＩＴＯと正孔輸送層１４０に使用される有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化ＩＴＯ上に適用することができ、従って、ＩＴＯの表面を平坦化することができる。例えば、正孔注入層１３０は、アノードとしてのＩＴＯの仕事関数と正孔輸送層１４０のＨＯＭＯとの差を調整するために、ＩＴＯの仕事関数および正孔輸送層１４０のＨＯＭＯの間に特に望ましい導電率を有する材料を含んでもよい。

【0368】

正孔輸送領域が正孔注入層１３０を含む場合、正孔注入層は、例えば真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の種々の方法のいずれかによって、アノード１２０上に形成されてもよい。

【0369】

正孔注入層が真空蒸着を用いて形成される場合、真空蒸着条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変化し得、例えば、真空蒸着は、約１００℃～約５００℃の温度、約１０^－８ｔｏｒｒ～約１０^－３ｔｏｒｒの圧力、および約０．０１～約１００Å／秒の蒸着速度で実施され得るが、蒸着条件はこれに限定されない。

【0370】

スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変わり得る。例えば、塗布速度は約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であってよく、塗布後に溶媒を除去するために行われる加熱処理での温度は約８０℃～約２００℃の範囲であってよいが、コーティング条件はこれに限定されない。

【0371】

正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。

【0372】

正孔輸送領域の厚さは、約１００Å～約１００００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよい。正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１００Å～約１０，０００Åであってよく、例えば約１００Å～約１０００Åであってよく、正孔輸送層の厚さは約５０Å～約２，０００Åであってよく、例えば約１００Å～約１５００Åであってよい。正孔輸送領域、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られ得る。

【0373】

発光層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば、約２００Å～約６００Åであってよい。発光層の厚さがこれらの範囲内にある場合、発光層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された発光特性を有し得る。

【0374】

次に、電子輸送領域は、発光層上に配置される。

【0375】

電子輸送領域は、第２の電子輸送層、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層、および電子注入層のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0376】

電子輸送層の厚さは、約２０Å～約１０００Åであってよく、例えば、約３０Å～約３００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送補助能力を有し得る。

【0377】

電子輸送層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば、約１５０Å～約５００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。

【0378】

また、電子輸送領域は、アノードからの電子の注入を容易にすることができる電子注入層（ＥＩＬ）を含むことができる。

【0379】

電子注入層は、電子輸送層上に配置されてよく、カソードからの電子注入を容易にし、最終的には電力効率を向上させる役割を果たすことができ、例えばＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、Ｙｂ等の、関連技術で用いられている特に限定されないいかなる材料を用いて形成することができる。

【0380】

電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも１つを含むことができる。

【0381】

【0382】

アノードは、有機層上に配置することができる。アノードの材料は、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってよい。アノード１２０の材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であってよい。トップエミッション型の発光デバイスを製造するために、アノード１２０は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から光透過性電極として形成されてもよい。

【0383】

本発明の別の態様によれば、アノード電極（１２０）上に、正孔注入層（１３０）、正孔輸送層（１４０）、任意の電子阻止層、発光層（１３０）、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層（１６１）、第２の電子輸送層（１６２）、電子注入層（１８０）、およびカソード（１９０）の他の層がこの順序で堆積されるか、または層がカソード（１９０）から始まって、他の方法で堆積される、有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法が提供される。

【0384】

［有機半導体層］
本発明に係る有機電子デバイスは、有機半導体層を含むことができ、少なくとも１つの有機半導体層は、式Ｉの化合物を含む。

【0385】

本発明に係る有機電子デバイスの有機半導体層は、本質的に非発光性または非発光性である。

【0386】

有機半導体層は、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子阻止層、正孔阻止層または電子注入層、好ましくは電子輸送層または発光層、より好ましくは電子輸送層であり得る。

【0387】

一実施形態によれば、有機半導体層は、光活性層とカソード層との間、好ましくは発光層または光吸収層とカソード層との間に配置することができ、好ましくは、有機半導体層は電子輸送層である。

【0388】

一実施形態によれば、有機半導体層は、少なくとも１つのアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含んでいてもよい。

【0389】

［有機電子デバイス］
本発明に係る有機電子デバイスは、式Ｉによる化合物を含む有機半導体層を含む。

【0390】

一実施形態に係る有機電子デバイスは、基板、アノード層、式１の化合物を含む有機半導体層、およびカソード層を含むことができる。

【0391】

一実施形態に係る有機電子デバイスは、式Ｉの少なくとも１つの化合物を含む少なくとも１つの有機半導体層、少なくとも１つのアノード層、少なくとも１つのカソード層、および少なくとも１つの発光層を含み、有機半導体層は、好ましくは発光層とカソード層との間に配置される。

【0392】

本発明に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、基板上に順次積層されたアノード、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、少なくとも１つの式１の化合物を含む電子輸送層（ＥＴＬ）、およびカソードを含むことができる。なお、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬは、有機化合物からなる薄膜である。

【0393】

一実施形態に係る有機電子デバイスは、発光デバイス、薄膜トランジスタ、電池、表示デバイスまたは光発電電池、および好ましくは発光デバイスであり得る。

【0394】

一実施形態によれば、ＯＬＥＤは、以下の層状構造を有することができ、当該層は、以下の順序を有する：
アノード層、正孔注入層、任意の第一の正孔輸送層、任意の第二の正孔輸送層、発光層、本発明に係る式１の化合物を含む電子輸送層、電子注入層、およびカソード層。

【0395】

本発明の別の態様によれば、有機電子デバイスの製造方法が提供され、当該方法は：
少なくとも１つの蒸着源、好ましくは２つの蒸着源およびより好ましくは少なくとも３つの蒸着源を用いる。

【0396】

適切であり得る堆積方法は：
真空熱蒸発による堆積；
溶液処理による堆積、好ましくは当該処理がスピンコーティング、印刷、キャスティングから選択され、および／または
スロットダイコーティング
を含む。

【0397】

本発明の様々な実施形態によれば、以下を使用する方法が提供され：
本発明に係る式１の化合物を放出するための第１の蒸着源、および
アルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体、好ましくはハロゲン化リチウムまたはリチウム有機錯体を放出するための第２の蒸着源；
当該方法は、電子輸送層積層体を形成する工程を含み、それによって有機発光ダイオード（ＯＬＤＥ）を形成する：
第１の電子輸送層は、第１の堆積源から本発明に係る式１の化合物を放出することによって形成され、第２の堆積源からアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体、好ましくはハロゲン化リチウムまたはリチウム有機錯体を放出することによって形成される。

【0398】

本発明の様々な実施形態によれば、前記方法は、アノード電極上に、発光層、および、前記アノード電極と前記第１の電子輸送層との間に、正孔注入層を形成すること、正孔輸送層を形成すること、または正孔阻止層を形成すること、からなる群から選択される少なくとも１つの層とを形成することをさらに含むことができる。

【0399】

本発明の種々の実施形態によれば、前記方法は、さらに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を形成する工程を含んでもよく、
基板上に第１のアノード電極が形成され、
前記第１のアノード電極上に発光層が形成され、
前記発光層上に電子輸送層スタックが形成され、好ましくは第１の電子輸送層が発光層上に形成され、そして任意の第２の電子輸送層が形成され、
そして最後にカソード電極が形成され、
任意の正孔注入層、正孔輸送層および正孔阻止層が、第１のアノード電極と前記発光層との間にその順で形成され、前記任意の電子注入層が電子輸送層およびカソード電極の間に形成される。

【0400】

本発明の様々な実施形態によれば、前記方法は、第１の電子輸送層上に電子注入層を形成するステップをさらに含むことができる。しかしながら、本発明のＯＬＥＤの様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは、電子注入層を含まなくてもよい。

【0401】

様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは、以下の層状構造を有することができ、当該層は、以下の順序を有する：
アノード、第一の正孔輸送層、第二の正孔輸送層、発光層、任意の第二の電子輸送層、本発明に係る式１の化合物を含む第一の電子輸送層、任意の電子注入層、およびカソード。

【0402】

本発明の別の態様によれば、本出願全体にわたって記載される任意の実施形態に係る少なくとも１つの有機発光デバイスを含む電子デバイスが提供され、好ましくは、電子デバイスは、本出願全体にわたって記載される実施形態のうちの１つにおいて有機発光ダイオードを含む。より好ましくは、電子デバイスは表示デバイスである。

【0403】

以下、実施例を参照して実施形態をより詳細に説明する。

【0404】

ただし、本開示は以下の実施例に限定されない。ここで、例示的な態様を詳細に参照する。

【0405】

［式１の化合物の調製］
式１の化合物は、以下の記載のように調製してもよいし、HuangらChemical Communications (Cambridge, United Kingdom) (2012), 48(77), 9586-9588によって開示されたように調製してもよい。

【0406】

［鈴木カップリング（Suzuki coupling）の一般的手順］

【0407】

【化47】

【0408】

セットアップは不活性雰囲気下で行われる。フラスコに、窒素の逆流中で、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤを充填する。水（蒸留水）をＮ_２（撹拌下）で約３０分間脱気する。溶媒混合物を添加し、混合物を撹拌しながら加熱する（ＴＬＣコントロール）。

【0409】

［式１の化合物の合成］
ジメチル（３－（１０－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセン－９－イル）フェニル）ホスフィンオキシド（Ｇ１）の合成

【0410】

【化48】

【0411】

試薬および反応条件：９－ブロモ－１０－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセン（１．０当量）、ジメチル（３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル）ホスフィンオキシド（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０２当量）、リン酸カリウム（３．０当量）。９０℃で１７時間（４５０ｍＬ、トルエン／エタノール／Ｈ_２Ｏ６／２／１）。

【0412】

ＴＬＣにより反応が完了したら、反応物を室温に冷却し、水相を分離した。水と塩水（brine）との混合物（１／１）を有機相に添加し、次いで沈殿物を濾過した。固体をクロロホルムに溶解し、フロリジル（florisil）パッドで濾過した（溶離液としてクロロホルムを最初に使用し、酢酸エチル／メタノール２４／１まで極性を徐々に上昇させた）。溶媒を部分的に蒸発させ、沈殿物を濾過した。化合物はＤＭＦ中で最初に再結晶させ、次にアセチルアセテート中で再結晶させた。８．６ｇ（収率３８％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６６１（Ｍ＋Ｈ）。

【0413】

［中間体の合成］
Chemical Communications, 48(77), 9586-9588; 2012に従った、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン、（２－（３－ブロモフェニル）－エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼンおよび（２－（４－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼンの合成。

【0414】

【化49】

【0415】

９－ブロモ－１０－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセンの合成

【0416】

【化50】

【0417】

９－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセン（１．０当量）およびＮＢＳ（１．２当量）をフラスコに入れ、ＣＨＣｌ_３（６００ｍｌ）に溶解させた。得られた水溶液を４０℃において４日間加熱し、次いで室温に冷却した。沈殿物を濾過し、クロロホルム中で粉砕した。３１．３ｇ（収率７６％）。化合物を次のステップで直接使用した。

【0418】

９－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセンの合成

【0419】

【化51】

【0420】

試薬および反応条件：（２－（３－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼン（１．０当量）、アントラセン－９－イルボロン酸（１．７当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）＋［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２）（０．０２当量）、炭酸カリウム（３．０当量）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（０．０５当量）。９０℃において７日間（５２５ｍＬ、グライム（glyme）／水２．５／１．０）。

【0421】

ＴＬＣにより反応が完了したら、反応物を室温に冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を熱トルエンに溶解し、シリカゲルパッドで熱濾過し、次いで溶媒を部分的に蒸発させた。固体を濾過し、ジクロロメタン中で粉砕し（熱濾過）、トルエン中で再結晶させた。３６．１ｇ（収率７１％）。ＥＳＩ－ＭＳ：５０８（Ｍ）。

【0422】

３，３'''－ビス（１，２，２－トリフェニルビニル）－１，１’：３’，１''：３''，１'''－クアテルフェニル（Ｇ４）の調製

【0423】

【化52】

【0424】

フラスコを窒素でフラッシュし、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２０．０ｇ、４３．６ｍｍｏｌ）および３，３’－ジブロモ－１，１’－ビフェニル（６．５ｇ、２０．８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（７６ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）を充填した。脱気トルエン／エタノール（３：１、２００ｍＬ）とＫ_２ＣＯ_３（５．７ｇ、４２．０ｍｍｏｌ）の脱気水溶液（２１ｍＬ）との混合物を連続的に添加し、反応混合物を窒素雰囲気下で１０５℃に３時間加熱した。０℃に冷却した後、得られた沈殿物を吸引濾過によって単離し、トルエンおよびヘキサンで洗浄した。次に粗生成物をジクロロメタン（１．２Ｌ）に溶解させ、有機相を水（４×５００ｍＬ）で洗浄した。ＭｇＳＯ_４上で乾燥させた後、有機相を、シリカゲルパッドを通して濾過した。追加のジクロロメタン（１．５Ｌ）ですすいだ後、溶媒を真空下で完全に除去した。次に、粗固体をトルエン（１７０ｍＬ）中で再結晶させた。沈殿物を吸引濾過によって回収し、乾燥後に１４．３ｇ（８４％）の白色固体を得た。昇華によって最終精製を達成した。ＨＰＬＣ：１００％。

【0425】

３，３''－ビス（１，２，２－トリフェニルビニル）－１，１’：４’，１''－テルフェニル（Ｇ２）の調製

【0426】

【化53】

【0427】

フラスコを窒素でフラッシュし、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１３．８ｇ、３０．３ｍｍｏｌ）および１，４－ジブロモベンゼン（３．４ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（５３ｍｇ、０．０７ｍｍｏｌ）を充填した。脱気トルエン／エタノール（３：１、１４０ｍＬ）とＫ_２ＣＯ_３（４．０ｇ、２８．８ｍｍｏｌ）の脱気水溶液（１４．４ｍＬ）との混合物を連続的に添加し、反応混合物を窒素雰囲気下で１０５℃に３時間加熱した。室温に冷却した後、得られた沈殿物を吸引濾過によって単離し、トルエンおよびヘキサンで洗浄した。次いで、粗生成物をジクロロメタン（６００ｍＬ）に溶解させ、有機相を水（３×３００ｍＬ）で洗浄した。ＭｇＳＯ_４上で乾燥させた後、有機相を、フロリジルパッドを通して濾過した。溶媒を真空下で完全に除去し、次いで粗固体をトルエン（８０ｍＬ）中で再結晶させた。沈殿物を吸引濾過によって回収し、乾燥後に７．７ｇ（７２％）の白色固体を得た。昇華によって最終精製を達成した。ＨＰＬＣ：９９．７０％。

【0428】

３，３''－ビス（１，２，２－トリフェニルビニル）－５’－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，１’：３’，１''－テルフェニル（Ｇ５）の調製

【0429】

【化54】

【0430】

フラスコを窒素でフラッシュし、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２５．０ｇ、５４．５ｍｍｏｌ）および１，３，５－トリブロモベンゼン（５．５ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（６３ｍｇ、０．０９ｍｍｏｌ）を充填した。脱気トルエン／エタノール（３：１、２４０ｍＬ）とＫ_２ＣＯ_３（４．８ｇ、３４．６ｍｍｏｌ）の脱気水溶液（１７ｍＬ）との混合物を連続的に添加し、反応混合物を窒素雰囲気下で１０５℃に２１時間加熱した。室温に冷却した後、追加のトルエン（２５０ｍＬ）を加え、粗反応物を水（４×３００ｍＬ）で洗浄した。ＭｇＳＯ_４上で乾燥させた後、有機相を、フロリジルパッドを通して濾過した。追加のトルエン（１．０Ｌ）ですすいだ後、溶媒を真空下で完全に除去し、粗混合物をエタノール（１５０ｍＬ）中で、室温で撹拌した。固体を吸引濾過によって回収し、アセトニトリル（３００ｍＬ）中で再結晶させた。純粋な固体を７０℃での吸引濾過によって回収し、乾燥後に１６．３ｇ（８８％）の白色固体を得た。昇華によって最終精製を達成した。ＨＰＬＣ：９９．０％。

【0431】

４’，５’，６’－トリフェニル－３'''－（１，２，２－トリフェニルビニル）－１，１’：２’，１''：３''，１'''－クアテルフェニル（Ｇ６）の調製

【0432】

【化55】

【0433】

４，４，５，５－テトラメチル－２－（３’，４’，５’－トリフェニル－［１，１’：２’，１''－テルフェニル］－３－イル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２０．０ｇ、３４．２ｍｍｏｌ）および（２－（３－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼン（１２．８ｇ、３１．１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（１１３ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）を充填した。脱気トルエン／エタノール（３：１、２４０ｍＬ）とＫ_２ＣＯ_３（４．８ｇ、３４．６ｍｍｏｌ）の脱気水溶液（１７ｍＬ）との混合物を連続的に添加し、反応混合物を窒素雰囲気下で１０５℃に５時間加熱した。室温に冷却した後、追加のトルエン（２５０ｍＬ）を加え、粗反応物を水（４×３００ｍＬ）で洗浄した。ＭｇＳＯ_４上で乾燥させた後、有機相を、フロリジルパッドを通して濾過した。追加のトルエン（２．０Ｌ）ですすいだ後、溶媒を真空下で部分的に除去し、ヘキサン（３００ｍＬ）を添加して沈殿を誘導した。粗混合物を吸引濾過によって回収し、酢酸エチル（１５０ｍＬ）中で再結晶させて、乾燥後に１６．９ｇ（６９％）の白色固体を得た。昇華によって最終精製を達成した。ＨＰＬＣ：９９．９％。

【0434】

３，３''－ビス（１，２，２－トリフェニルビニル）－１，１’：３’，１''－テルフェニル（Ｇ３）の調製

【0435】

【化56】

【0436】

フラスコを窒素でフラッシュし、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２０．０ｇ、４４．０ｍｍｏｌ）および１，３－ジブロモベンゼン（４．９ｇ、２０．８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（７６ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）を充填した。脱気トルエン／エタノール（３：１、２００ｍＬ）とＫ_２ＣＯ_３（５．７ｇ、４２．０ｍｍｏｌ）の脱気水溶液（２１ｍＬ）との混合物を連続的に添加し、反応混合物を窒素雰囲気下で１０５℃に２１時間加熱した。室温に冷却した後、追加のトルエン（３００ｍＬ）を加え、粗反応物を水（４×３００ｍＬ）で洗浄した。ＭｇＳＯ_４上で乾燥させた後、有機相を、フロリジルパッドを通して濾過した。追加のトルエン（１．０Ｌ）ですすいだ後、溶媒を完全に除去した。粗混合物をアセトニトリル中で再結晶させた。沈殿物を６０℃で吸引濾過によって回収した。最後に、それをエタノール（１８０ｍＬ）中で撹拌した。沈殿物を吸引濾過によって回収し、乾燥後に１４．１ｇ（９２％）の白色固体を得た。昇華によって最終精製を達成した。ＨＰＬＣ：９９．９％。

【0437】

＜有機電子デバイスの製造に関する一般的手順＞
一般的な有機電子デバイスとしては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：organic light-emitting diode）、有機光電池（ＯＳＣ：organic photovoltaic cell）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：organic field-effect transistor）または有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：organic light emitting transistor）が挙げられる。

【0438】

有機電子デバイスの任意の機能層は、式１の化合物を含んでもよく、または、式１の化合物からなってもよい。

【0439】

ＯＬＥＤを個々の機能層から構成させて、上部電極を介して発光するトップエミッション型ＯＬＥＤを形成してもよい。ここで、個々の機能層の順序は、以下のようであってよい：不透明アノード層（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／透明カソード層（上部電極）。「／」は、個々の層間の接触面を示す。各層自体は、数層のサブ層（sub-layer）によって構成されていてもよい。

【0440】

ＯＬＥＤを個々の機能層から構成させて、下部電極を介して発光するボトムエミッション型ＯＬＥＤを形成してもよい。ここで、個々の機能層の順序は、以下のようであってよい：透明アノード層（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／不透明カソード層（上部電極）。「／」は、個々の層間の接触面を示す。各層自体は、数層のサブ層によって構成されていてもよい。

【0441】

有機電子デバイスにおいて式１の化合物を利用する技術的利点を実証するために、トップエミッション型ＯＬＥＤデバイスを作製した。

【0442】

＜トップエミッション型デバイスの製造＞
表３および表４におけるトップエミッション型デバイスについて、ガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切断し、イソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄した後、純水で５分間超音波洗浄し、その後ＵＶオゾンで３０分間再度洗浄し、第１電極を作製した。１００ｎｍのＡｇを１０^－５ｍｂａｒ～１０^－７ｍｂａｒの圧力で蒸着させて、アノードを形成した。次に、９２体積％のビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミン（ＣＡＳ１２４２０５６－４２－３）および８体積％の４，４’，４''－（（１Ｅ，１’Ｅ，１''Ｅ）－シクロプロパン－１，２，３－トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））トリス（２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル）をＡｇ電極に真空蒸着させて、１０ｎｍの厚さを有するＨＩＬを形成した。次に、ビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミン（ＣＡＳ１２４２０５６－４２－３）をＨＩＬに真空蒸着させて、１１８ｎｍの厚さを有するＨＴＬを形成した。次に、Ｎ，Ｎ－ビス（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’：４’，１''－テルフェニル］－４－アミン（ＣＡＳ１１９８３９９－６１－９）をＨＴＬに真空蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する電子ブロッキング層（ＥＢＬ）を形成した。

【0443】

９７体積％のＨ０９（Sun Fine Chemicals）をＥＭＬホストとして、３体積％のＢＤ２００（Sun Fine Chemicals）を蛍光青ドーパントとして、ＥＢＬ上に共蒸着し、厚さ２０ｎｍの青色発光ＥＭＬを形成した。

【0444】

次に、３０：７０の体積比における２，４－ジフェニル－６－（３’－（トリフェニレン－２－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－１，３，５－トリアジン（ＣＡＳ１６３８２７１－８５－８）と９－（［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－９’－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（ＣＡＳ１６４３４７９－４７－３）との混合物を本発明の実施例７の発光層に蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する正孔ブロッキング層を形成する。本発明の実施例１０～１２では、正孔ブロッキング層が化合物ＥＴ－１（ジフェニル（３’－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－４－イル）ホスフィンオキシド（ＷＯ２０１７１７８３９２Ａ１））と式Ｉの化合物とを４０：６０の体積比で発光層に共蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する正孔ブロッキング層を形成する（表４参照）。

【0445】

次に、正孔ブロッキング層上に、電子輸送層を形成する。本発明の実施例７の電子輸送層は、７０重量％の式１の化合物（または比較化合物）および３０重量％のリチウムテトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ボレート（ＣＡＳ１４７２８－６２－２）を含む。本発明の実施例１０～１２の電子輸送層は、７５重量％の化合物ＥＴ－１および２５重量％のリチウムテトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ボレート（ＣＡＳ１４７２８－６２－２）を含む。

【0446】

次に、トップエミッション型デバイスについては、厚さ２ｎｍのＹｂを蒸着して、電子注入層を電子輸送層上に形成する。Ａｇを、１０^－７ｍｂａｒにおいて０．０１～１Å／ｓの割合で蒸着して、厚さ１１ｎｍのカソードを形成する。ビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミンのキャップ層を厚さ７５ｎｍでカソード上に形成する。

【0447】

ＯＬＥＤ積層体は、ガラススライドを用いてデバイスを封入することにより、周囲環境から保護されている。これにより、さらなる保護のためのゲッター材料を含んだ空洞が形成される。

【0448】

先行技術と比較した本発明の実施例の性能を評価するために、トップエミッション型ＯＬＥＤの光出力を周囲条件下（２０℃）において測定する。Keithley 2400のソースメータを用いて電流電圧の測定を行い、「Ｖ」として記録する。トップエミッション型デバイスについて、１０ｍＡ／ｃｍ^２におけるＣＩＥ座標および輝度（単位：カンデラ）を、Instrument Systems製の分光計ＣＡＳ１４０ＣＴ（Deutsche Akkreditierungsstelle (DAkkS)によって較正されている）を用いて測定する。電流効率Ｃｅｆｆは、１０ｍＡ／ｃｍ^２（ｃｄ／Ａ）で測定する。

【0449】

トップエミッション型デバイスにおいて、発光は前方に向けられ、非ランバート反射によるものであり、また、微小空洞に大きく依存する。従って、外部量子効率（ＥＱＥ）および出力効率（ｌｍ／Ｗ）は、ボトムエミッション型デバイスと比べて高い。

【0450】

＜使用した化合物＞

【0451】

【表1】

【0452】

【表2】

【0453】

＜融点＞
融点（Ｔｍ）は、前述のＴＧＡ－ＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線から、または、個別のＤＳＣ測定から、ピーク温度として測定される（Mettler Toledo DSC 822e、サンプルを、室温から溶融の完了まで、純窒素を流しながら、１０Ｋ／分の加熱速度で加熱する。４～６ｍｇのサンプル量を、蓋付きの４０μＬのMettler Toledo アルミニウムパンに入れる。蓋には１ｍｍ未満の孔が開けられている）。

【0454】

＜ガラス転移温度＞
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、DIN EN ISO 11357（２０１０年３月公開）に記載されているように、窒素下で測定され、当該測定は、示差走査熱量計Mettler Toledo DSC 822eを用いて１０Ｋ／分の加熱速度で行われる。

【0455】

＜レート開始温度（rate onset temperature）＞
気相への遷移のためのレート開始温度（Ｔ_ＲＯ）は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源へ入れることで測定する。ＶＴＥ源として、Kurt J. Lesker Company (www.lesker.com)またはCreaPhys GmbH (http://www.creaphys.com)によって提供されている、有機材料の点源を使用する。ＶＴＥ（真空熱蒸着、vacuum thermal evaporation）源の温度は、ＶＴＥ源中の化合物と直接接触するサーモカップルによって測定する。

【0456】

ＶＴＥ源は、真空チャンバ内で１０^－７ｍｂａｒ～１０^－８ｍｂａｒの圧力下において、１５Ｋ／分の一定の割合で加熱し、サーモカップルを用いてＶＴＥ源の内部温度を測定する。化合物の蒸着を、ＱＣＭ検出器を用いて検出する。当該検出器は、検出器の石英結晶上に積層された化合物を検出する。石英結晶上への積層速度は、１秒間当たりのオングストロームで測定する。レート開始温度を測定するために、ＶＴＥ源の温度に対する積層速度（対数スケール）をプロットする。レート開始は、ＱＣＭ検出器上に顕著な蒸着が起こるときの温度である（０．０２Å／秒の速度で定義される）。ＶＴＥ源を３回加熱冷却し、２回目および３回目のみの実施から得られた結果を、レート開始温度の測定に使用する。レート開始温度は、化合物の揮発性の間接的な尺度である。レート開始温度が高いほど、化合物の揮発性が低い。

【0457】

＜本発明の技術的効果＞
まとめると、固有の分子構造である式１の化合物を含む有機電デバイスの電子効率は、より高い電流効率を有する。ガラス転移温度およびレート開始温度は、有機半導体層の大量生産に許容される範囲内である。

【0458】

【表3】

【0459】

【表4】

【0460】

表１には、比較化合物のガラス転移温度、溶融温度、レート開始温度を示す。

【0461】

表２には、式１の化合物のガラス転移温度、溶融温度、レート開始温度を示す。

【0462】

【表5】

【0463】

【表6】

【0464】

本発明は、実用的な実施形態の例として現在考えられるものと関連させて説明したが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、反対に、添付されている特許請求の範囲の技術思想および範囲内に含まれる様々な変更および等価な構成を包含するものとして理解されるべきである。従って、前述の実施形態は、例示的であり、本発明をなんら限定しないと理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0465】

【図1】図１は、発光層、１つの電子輸送層、および電子注入層を有する、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。

【図2】図２は、発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。

【図3】図３は、発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。

【図4】図４は、発光層および１つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。

【図5】図５は、発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。

【図6】図６は、発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。

【図1】